JPWO2018003282A1 - 弾性波装置 - Google Patents
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Abstract
Description
IDT電極3:Al/Pt/LN
Pt膜厚:0.02λ
Al膜厚:0.05λ
交差幅:12.5λ
低音速部(第1及び第2のエッジ領域それぞれ)の幅:0.541λ
中央領域と低音速部(第1及び第2のエッジ領域)との音速比:0.97
中央領域と高音速部(第1及び第2のギャップ領域)との音速比:1.08
異方性係数:0.7485
2…圧電基板
3…IDT電極
4,5…反射器
6a,6b…第1,第2のバスバー
7a,7b…第1,第2の電極指
8…誘電体膜
L1,L2…ギャップ長
P…弾性波伝搬方向
R1…交差領域
R2…中央領域
R3,R4…第1,第2のエッジ領域
R5,R6…第1,第2のギャップ領域
Claims (6)
- 圧電体と、
前記圧電体上に設けられたIDT電極とを備え、
前記IDT電極が、
対向し合っている第1及び第2のバスバーと、
前記第1のバスバーに一端が接続されている複数本の第1の電極指と、
前記複数本の第1の電極指と間挿し合っており、かつ前記第2のバスバーに一端が接続されている、複数本の第2の電極指と、
を有し、
前記第1の電極指と前記第2の電極指とが、弾性波伝搬方向において重なり合っている部分を交差領域とした場合に、
前記交差領域が、
弾性波の音速が相対的に高い中央領域と、
前記中央領域よりも音速が低くされており、前記中央領域の電極指の延びる方向における両端部に設けられた低音速部と、
を有し、
前記IDT電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記第1の電極指の先端と前記第2のバスバーとの間のギャップ長、及び前記第2の電極指の先端と前記第1のバスバーとの間のギャップ長が、0.62λ以上、0.98λ以下である、弾性波装置。 - 前記IDT電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記第1の電極指の先端と前記第2のバスバーとの間のギャップ長、及び前記第2の電極指の先端と前記第1のバスバーとの間のギャップ長が、0.72λ以上、0.92λ以下である、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体が、回転YカットのLiNbO3基板であり、回転角が116°以上、136°以下の範囲にある、請求項1又は2に記載の弾性波装置。
- 前記交差領域の前記電極指が延びる方向における交差幅が、12.5λ以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1及び第2の電極指の前記低音速部における厚みが、前記第1及び第2の電極指における前記低音速部以外の部分の厚みより厚くされている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記低音速部において、前記第1及び第2の電極指上にさらに他の層が積層されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
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CN116208119B (zh) * | 2023-04-19 | 2023-07-14 | 深圳新声半导体有限公司 | 声表面波装置及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11274887A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Masao Takeuchi | 弾性表面波変換器 |
JP2012186808A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Triquint Semiconductor Inc | トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法 |
JP2013518455A (ja) * | 2010-01-25 | 2013-05-20 | エプコス アーゲー | 横方向放射損失を低減させ,横方向モードの抑制により性能を高めた電気音響変換器 |
JP2013544041A (ja) * | 2011-03-25 | 2013-12-09 | パナソニック株式会社 | 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス |
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JP3469806B2 (ja) * | 1998-05-13 | 2003-11-25 | 三洋電機株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
JP3255128B2 (ja) * | 1998-11-24 | 2002-02-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
US7576471B1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-08-18 | Triquint Semiconductor, Inc. | SAW filter operable in a piston mode |
JP2010220164A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-30 | Seiko Epson Corp | ラム波型共振子及び発振器 |
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---|---|---|---|---|
JPH11274887A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Masao Takeuchi | 弾性表面波変換器 |
JP2013518455A (ja) * | 2010-01-25 | 2013-05-20 | エプコス アーゲー | 横方向放射損失を低減させ,横方向モードの抑制により性能を高めた電気音響変換器 |
JP2012186808A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Triquint Semiconductor Inc | トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法 |
JP2013544041A (ja) * | 2011-03-25 | 2013-12-09 | パナソニック株式会社 | 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス |
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