WO2018042964A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2018042964A1
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acoustic wave
slit
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wave device
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Inventor
貴之 奥出
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株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device used for a resonator, a band filter, and the like.
  • Patent Document 1 describes an acoustic wave device in which a plurality of acoustic wave resonators are configured on a piezoelectric substrate.
  • the acoustic wave resonator has an IDT electrode provided on a piezoelectric substrate.
  • a temperature compensating SiO 2 film is provided so as to cover the IDT electrode.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device that can suppress unnecessary spurious while miniaturizing.
  • An acoustic wave device is provided on a piezoelectric substrate, a first acoustic wave element having at least one first IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate.
  • a second acoustic wave element having at least one second IDT electrode; and a dielectric film covering the first and second IDT electrodes, the first and second acoustic waves.
  • the elements are adjacent to each other in the elastic wave propagation direction, and a slit is provided in the dielectric film between the first and second elastic wave elements, and the first and second IDT electrodes are respectively A crossover region that is a region for exciting an elastic wave, and when viewed from the elastic wave propagation direction, the region overlaps at least a part of at least one of the crossover regions of the first and second IDT electrodes.
  • the slit is placed That.
  • the elastic wave propagation direction of the first elastic wave element is parallel to the elastic wave propagation direction of the second elastic wave element. In this case, unnecessary spurious can be more reliably suppressed.
  • the slit extends in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction. In this case, unnecessary spurious can be more reliably suppressed.
  • the slit reaches the surface of the piezoelectric substrate. In this case, unnecessary spurious can be more reliably suppressed.
  • the slit includes a first slit portion provided in the dielectric film and a second slit portion provided in the piezoelectric substrate.
  • a plurality of the second slit portions are provided in a direction connecting the first elastic wave element and the second elastic wave element. ing.
  • the slit does not reach the surface of the piezoelectric substrate.
  • the first elastic wave element is a pair of first arranged on both sides in the elastic wave propagation direction of the region where the first IDT electrode is provided.
  • the second elastic wave element has a pair of second reflectors disposed on both sides in the elastic wave propagation direction of the region where the second IDT electrode is provided,
  • the slit is provided between the first and second reflectors adjacent in the elastic wave propagation direction. In this case, the number of reflectors can be further reduced.
  • the slit connects the first elastic wave element and the second elastic wave element between the first and second elastic wave elements.
  • a plurality are provided in the direction.
  • the dielectric film is made of silicon oxide.
  • the absolute value of the frequency temperature coefficient TCF can be further reduced.
  • At least one series arm resonator including the first acoustic wave element and at least one parallel arm resonator including the second acoustic wave element at least one series arm resonator including the first acoustic wave element and at least one parallel arm resonator including the second acoustic wave element.
  • a ladder type filter at least one series arm resonator including the first acoustic wave element and at least one parallel arm resonator including the second acoustic wave element.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line II of FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged schematic plan view showing the IDT electrode portion of the 1-port elastic wave resonator.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics when the distance between the first and second acoustic wave elements is changed in the acoustic wave device of the experimental example.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line II of FIG.
  • FIG. 3
  • FIG. 7 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics when the distance between the first acoustic wave element and the slit is changed in the acoustic wave device of the experimental example.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing an acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing an acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an acoustic wave device according to a modification of the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line II of FIG.
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is formed of a piezoelectric single crystal substrate or a piezoelectric ceramic plate such as LiTaO 3 or LiNbO 3 .
  • the piezoelectric substrate 2 is a rectangular plate-shaped piezoelectric single crystal substrate.
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment is a ladder type filter.
  • a plurality of acoustic wave elements are configured on a piezoelectric substrate 2.
  • the elastic wave device 1 includes series arm resonators S1 and S2 and parallel arm resonators P1 and P2, each of which is an elastic wave element.
  • the series arm resonators S1 and S2 are connected between an input terminal 3 as an input terminal and an output terminal 4 as an output terminal.
  • the parallel arm resonator P ⁇ b> 1 is connected between a connection point between the series arm resonator S ⁇ b> 1 and the series arm resonator S ⁇ b> 2 and the ground terminal 7.
  • the parallel arm resonator P ⁇ b> 2 is connected between the connection point between the series arm resonator S ⁇ b> 2 and the output terminal 4 and the ground terminal 8.
  • the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 and P2 are each composed of a one-port elastic wave resonator.
  • the series arm resonator S ⁇ b> 1 is the first acoustic wave element 5
  • the parallel arm resonator P ⁇ b> 1 is the second acoustic wave element 6.
  • the series arm resonator S1 which is the first elastic wave element 5
  • the first IDT electrode 10 and a pair of first reflectors 12 and 13 disposed on both sides of the first IDT electrode 10 in the elastic wave propagation direction. Are formed on the piezoelectric substrate 2. Thereby, a 1-port elastic wave resonator is configured.
  • the parallel arm resonator P1 which is the second elastic wave element 6, the second IDT electrode 11 and a pair of second reflectors disposed on both sides of the second IDT electrode 11 in the elastic wave propagation direction. 14 and 15 are formed on the piezoelectric substrate 2. Thereby, a 1-port elastic wave resonator is configured.
  • the first reflector 13 in the first acoustic wave element 5 and the second reflector 14 in the second acoustic wave element 6 are adjacent to each other in the acoustic wave propagation direction.
  • first reflectors 12 and 13 and the second reflectors 14 and 15 are schematically shown by symbols in which X is surrounded by a rectangular frame.
  • each IDT electrode and reflector is not particularly limited, and examples thereof include Cu, Ag, Au, Mo, W, Ta, Pt, Al, Ti, Ni, Cr, or alloys of these metals. It is done.
  • Each IDT electrode and reflector may be a single-layer metal film or a laminated metal film in which two or more kinds of metal films are laminated.
  • FIG. 3 is an enlarged schematic plan view showing an IDT electrode portion of a 1-port type acoustic wave resonator such as the first and second acoustic wave elements.
  • the first IDT electrode 10 constituting the series arm resonator S1 that is the first acoustic wave element 5 will be described as an example.
  • the first IDT electrode 10 has first and second bus bars 16 and 17 facing each other.
  • One end of a plurality of first electrode fingers 18 is connected to the first bus bar 16.
  • One end of a plurality of second electrode fingers 19 is connected to the second bus bar 17.
  • the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19 are interleaved with each other.
  • the elastic wave propagation direction is a direction orthogonal to the direction in which the first and second electrode fingers 18 and 19 extend.
  • a region where the first electrode finger 18 and the second electrode finger 19 overlap when viewed from the elastic wave propagation direction is defined as a crossing region R.
  • An area from the first bus bar 16 to the second bus bar 17 is defined as an IDT electrode formation area Q.
  • the elastic wave propagation direction of the first elastic wave element 5 and the elastic wave propagation direction of the second elastic wave element 6 are parallel.
  • the elastic wave propagation direction of the first elastic wave element 5 and the elastic wave propagation direction of the second elastic wave element 6 do not have to be completely parallel.
  • the dielectric film 20 is provided on the piezoelectric substrate 2 in the region where the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 and P2 are configured. ing. More specifically, the dielectric film 20 covers the series arm resonators S1 and S2 and the IDT electrodes and reflectors constituting the parallel arm resonators P1 and P2.
  • the dielectric film 20 is provided to reduce the absolute value of the frequency temperature coefficient TCF. That is, the dielectric film 20 is provided as a temperature compensation dielectric film.
  • the dielectric film 20 is made of dielectric ceramics such as silicon oxide or silicon oxynitride.
  • a SiO 2 film for temperature compensation is provided as the dielectric film 20.
  • the dielectric film 20 may be provided as a layer that performs other functions.
  • another film such as a SiN film may be provided on the dielectric film 20. In that case, other films may be provided with slits 9 to be described later, or slits 9 may not be provided.
  • a slit 9 is provided in the dielectric film 20. More specifically, in this embodiment, the series arm resonator S1 and the parallel arm resonator P1 are adjacent in the elastic wave propagation direction, and the slit 9 is provided in the dielectric film 20 between them. The slit 9 is provided between the first reflector 13 and the second reflector 14 which are adjacent in the elastic wave propagation direction.
  • the slit 9 extends along the direction in which the electrode fingers extend.
  • the slit 9 is provided in a region overlapping the IDT electrode formation region Q when viewed from the elastic wave propagation direction.
  • the slit 9 is provided in a region overlapping at least a part of at least one of the crossing regions R of the first and second IDT electrodes 10 and 11 when viewed from the elastic wave propagation direction. Just do it.
  • the slit 9 may extend in a direction different from the direction in which the electrode fingers extend as long as it is provided in a region overlapping at least a part of the crossing region R when viewed from the elastic wave propagation direction.
  • a plurality of slits 9 may be provided.
  • the width B of the slit 9 in the elastic wave propagation direction shown in FIG. 2 is preferably 0.2 ⁇ m or more.
  • the width B of the slit 9 is within the above range, unnecessary spurious, which will be described later, can be further suppressed.
  • a slit 9 is provided in the dielectric film 20 so as to reach the surface 2a of the piezoelectric substrate 2.
  • the slit 9 does not have to reach the surface 2a of the piezoelectric substrate 2 as shown in a modified example in FIG. Even in that case, it is preferable that the slit 9 is provided up to the vicinity of the surface 2a of the piezoelectric substrate 2 from the viewpoint of further reliably suppressing unnecessary spurious as described later.
  • the slit 9 is provided in the dielectric film 20 between the series arm resonator S1 and the parallel arm resonator P1, unnecessary spurious is hardly generated, and characteristics such as attenuation characteristics are hardly deteriorated. .
  • the reason for this can be explained as follows.
  • the dielectric film is not provided with a slit as in this embodiment. For this reason, when the series arm resonator and the parallel arm resonator are adjacent to each other in the elastic wave propagation direction, a signal leaking from one resonator may propagate to the other resonator through the dielectric film. As a result, a signal leaking from one resonator may affect the other resonator as noise. Therefore, in the conventional acoustic wave device, unnecessary spurious is generated, and characteristics such as attenuation characteristics may be deteriorated. Further, in the conventional acoustic wave device, unnecessary spurious is generated as described above, and thus the resonators cannot be arranged adjacent to each other in the acoustic wave propagation direction.
  • the slits 9 are provided in the dielectric film 20 between the series arm resonator S1 and the parallel arm resonator P1 adjacent in the elastic wave propagation direction. For this reason, a signal leaking from one of the resonators does not easily propagate to the other resonator through the dielectric film 20, and does not easily affect the other resonator as noise. Therefore, in the acoustic wave device 1, unnecessary spurious can be suppressed, and as a result, characteristics such as attenuation characteristics are hardly deteriorated.
  • the series arm resonator S1 and the parallel arm resonator P1 can be arranged so as to be adjacent to each other in the acoustic wave propagation direction, so that the layout is hardly restricted and the size can be reduced. . Moreover, since the slit 9 is arrange
  • the series arm resonator S2 and the parallel arm resonator P2 are also adjacent in the elastic wave propagation direction, and the slit 21 is provided therebetween.
  • the slit is provided in all between the elastic wave elements adjacent in the elastic wave propagation direction. In this case, unnecessary spurious can be further suppressed.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 32 and 33 are formed on the piezoelectric substrate 2.
  • first to third IDT electrodes 32a to 32c are arranged along the elastic wave propagation direction.
  • a pair of first reflectors 34 and 35 are provided on both sides of the portion where the first to third IDT electrodes 32a to 32c are provided in the elastic wave propagation direction.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 32 is a first acoustic wave element.
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 33 is arranged in parallel with the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 32 in the acoustic wave propagation direction.
  • the elastic wave propagation region of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 32 is different from the elastic wave propagation region of the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 33. overlapping.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 32 and the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 33 are connected in parallel.
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 33 also has first to third IDT electrodes 33a to 33c.
  • a pair of second reflectors 36 and 37 are provided on both sides of the portion where the first to third IDT electrodes 33a to 33c are provided in the elastic wave propagation direction.
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 33 is a second acoustic wave element.
  • the elastic wave propagation direction of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 32 and the elastic wave propagation direction of the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 33 are parallel to each other. To do.
  • the first reflectors 34 and 35 and the second reflectors 36 and 37 are schematically shown by symbols in which X is surrounded by a rectangular frame.
  • the first reflector 35 and the second reflector 36 are adjacent to each other in the elastic wave propagation direction.
  • the dielectric film 20 is formed in the region where the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 32 and 33 are formed on the piezoelectric substrate 2. Is provided.
  • the dielectric film 20 covers the IDT electrodes and the reflectors of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 32 and 33.
  • the slit 9 is provided in the dielectric film 20 between the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 32 and 33. More specifically, in the present embodiment, the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filters 32 and 33 are adjacent to each other in the elastic wave propagation direction, and the slit 9 is provided in the dielectric film 20 between them. It has been. The slit 9 is provided between the first reflector 35 and the second reflector 36 adjacent in the elastic wave propagation direction.
  • the slit 9 is provided in the dielectric film 20 between the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 32 and 33, so that unnecessary spurious is generated. It is difficult to deteriorate characteristics such as attenuation characteristics.
  • the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 32 and 33 can be arranged adjacent to each other in the acoustic wave propagation direction. Can be planned. Moreover, since the slit 9 is provided between the 1st reflector 35 and the 2nd reflector 36 which adjoin in the elastic wave propagation
  • an acoustic wave device 31 having first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 32 and 33 as first and second acoustic wave elements was manufactured.
  • the acoustic wave device 31 was manufactured with the design parameters (wavelength, duty, gap, and logarithm of electrode fingers) shown in Table 1 below.
  • a LiNbO 3 substrate As the piezoelectric substrate 2, a LiNbO 3 substrate was used. Each IDT electrode and each reflector constituting the first acoustic wave element and the second acoustic wave element are formed on a NiNbO 3 substrate with NiCr (10 nm), Pt (83.5 nm), Ti (60 nm), Al (184 nm). ) And Ti (22 nm) in this order.
  • a SiO 2 film (1240 nm) as the dielectric film 20 is formed so as to cover each IDT electrode and each reflector. ) was formed.
  • the first acoustic wave element and the second acoustic wave element are adjacent to each other in the acoustic wave propagation direction, and a slit 9 is provided between the first acoustic wave element and the second acoustic wave element.
  • the slit 9 extends along the direction in which the electrode fingers extend, and is provided in a region overlapping with the crossing region of the IDT electrode when viewed from the elastic wave propagation direction (FIG. 5).
  • the slit 9 was provided in the SiN film and the SiO 2 film. More specifically, the slit 9 was provided from the SiN film to the surface of the piezoelectric substrate 2 through the SiO 2 film.
  • the distance between the first and second acoustic wave elements was A as shown in FIG. Further, the distance between the first acoustic wave element and the slit 9 was C, and the distance between the second acoustic wave element and the slit 9 was D. In this embodiment, C and D are the same distance.
  • FIG. 6 is a diagram showing attenuation frequency characteristics when the distance A between the first and second acoustic wave elements is changed in the experimental acoustic wave device.
  • the distance A between the first and second acoustic wave elements is 0.2 ⁇ m, 2.3 ⁇ m, and 3.5 ⁇ m.
  • the result (without a slit) when not providing a slit is also shown for comparison.
  • FIG. 7 is a diagram showing attenuation frequency characteristics when the distance C between the first acoustic wave element and the slit is changed in the acoustic wave device of the experimental example.
  • the distance A between the first and second acoustic wave elements was 3.5 ⁇ m.
  • the result (without a slit) when not providing a slit is also shown for comparison.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • the cross section shown in FIG. 8 is a cross section corresponding to a portion along the line II in FIG. The same applies to FIGS. 9 and 10 described later.
  • This embodiment is different from the first embodiment in that a plurality of slits 9 are provided and a protective film 40 is provided on the dielectric film 20.
  • the protective film 40 is the above-described SiN film. Except for the above points, the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device of the first embodiment.
  • a plurality of slits 9 are provided in a direction connecting the first acoustic wave element 5 and the second acoustic wave element 6.
  • the plurality of slits 9 achieve the same effect as the reflector. More specifically, a signal leaking from the first acoustic wave element 5 can be reflected to the first acoustic wave element 5 side by the plurality of slits 9. Accordingly, signal leakage can be further suppressed, and the excitation efficiency of the first acoustic wave element 5 can be further increased. The same applies to the second elastic wave element 6.
  • a signal leaked from one acoustic wave element is less likely to propagate to the other acoustic wave element, and hardly influences the other acoustic wave element as noise. Therefore, unnecessary spurious can be further suppressed, and as a result, characteristics such as attenuation characteristics are hardly deteriorated.
  • the plurality of slits 9 are provided at regular intervals. It is more preferable that the plurality of slits 9 are provided at a pitch approximately equal to the electrode finger pitch of the IDT electrode. More preferably, the plurality of slits 9 are provided at the same pitch as the electrode finger pitch of the IDT electrode. Thereby, signals leaking from the first acoustic wave element 5 and the second acoustic wave element 6 can be reflected more effectively.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing an acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • This embodiment is different from the third embodiment in that the slit 59 is provided in the dielectric film 20 and the piezoelectric substrate 2. Except for the above points, the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as the third elastic wave device.
  • the slit 59 has a first slit part 59 a provided in the dielectric film 20 and a second slit part 59 b provided in the piezoelectric substrate 2. Since the plurality of slits 59 have the second slit portions 59b, signals leaking from one acoustic wave element and propagating through the piezoelectric substrate 2 can be effectively reflected. Therefore, signal leakage can be further suppressed, and the excitation efficiency of the first elastic wave element 5 and the second elastic wave element 6 can be further increased. In addition, similarly to the third embodiment, unnecessary spurious can be further suppressed.
  • this slit may have a 1st slit part and a 2nd slit part.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing an acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • This embodiment is different from the fourth embodiment in that one slit 69 is provided and the slit 69 has a plurality of second slit portions 59b. Note that a plurality of second slit portions 59 b are provided in a direction connecting the first elastic wave element 5 and the second elastic wave element 6. Except for the above points, the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device of the fourth embodiment.
  • the slit 69 has the plurality of second slit portions 59b, it is possible to effectively reflect a signal that leaks from one acoustic wave element and propagates through the piezoelectric substrate 2. Therefore, signal leakage can be further suppressed, and the excitation efficiency of the first elastic wave element 5 and the second elastic wave element 6 can be further increased. In addition, similarly to the fourth embodiment, unnecessary spurious can be further suppressed.
  • a plurality of slits 69 having a plurality of second slit portions 59b may be provided as in the modification shown in FIG.

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Abstract

小型化を図りつつ、不要なスプリアスを抑制することを可能とする、弾性波装置を提供する。　圧電基板２と、圧電基板２上に設けられている少なくとも１つの第１のＩＤＴ電極１０を有する、第１の弾性波素子５と、圧電基板２上に設けられている少なくとも１つの第２のＩＤＴ電極１１を有する、第２の弾性波素子６と、第１及び第２のＩＤＴ電極１０，１１を覆っている、誘電体膜２０と、を備え、第１及び第２の弾性波素子５，６が、弾性波伝搬方向において隣接しており、第１及び第２の弾性波素子５，６間において、誘電体膜２０にスリット９が設けられており、第１及び第２のＩＤＴ電極１０，１１が、それぞれ、交叉領域を有し、弾性波伝搬方向から視たときに、第１及び第２のＩＤＴ電極１０，１１の交叉領域のうち少なくとも一方の少なくとも一部と重なる領域に、スリット９が配置されている、弾性波装置。

Description

弾性波装置
　本発明は、共振子や帯域フィルタなどに用いられる弾性波装置に関する。
　従来、共振子や帯域フィルタとして、弾性波装置が広く用いられている。
　下記の特許文献１には、圧電基板上に、複数の弾性波共振子が構成されている弾性波装置が記載されている。上記弾性波共振子は、圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極を有している。特許文献１では、上記ＩＤＴ電極を覆うように、温度補償用のＳｉＯ２膜が設けられている。
特開２００４－１１２７４８号公報
　近年、弾性波装置において、より一層の小型化が求められている。そのため、特許文献１の弾性波装置のように、圧電基板上に複数の弾性波共振子が構成される場合、弾性波伝搬方向において複数の弾性波共振子が隣接して配置されることがある。しかしながら、弾性波伝搬方向において複数の弾性波共振子が隣接して配置される場合、不要なスプリアスが生じ、減衰特性などの特性が劣化することがあった。
　本発明の目的は、小型化を図りつつ、不要なスプリアスを抑制することを可能とする、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられている少なくとも１つの第１のＩＤＴ電極を有する、第１の弾性波素子と、前記圧電基板上に設けられている少なくとも１つの第２のＩＤＴ電極を有する、第２の弾性波素子と、前記第１及び第２のＩＤＴ電極を覆っている、誘電体膜と、を備え、前記第１及び第２の弾性波素子が、弾性波伝搬方向において隣接しており、前記第１及び第２の弾性波素子間において、前記誘電体膜にスリットが設けられており、前記第１及び第２のＩＤＴ電極が、それぞれ、弾性波を励振する領域である交叉領域を有し、弾性波伝搬方向から視たときに、前記第１及び第２のＩＤＴ電極の前記交叉領域のうち少なくとも一方の少なくとも一部と重なる領域に、前記スリットが配置されている。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第１の弾性波素子の弾性波伝搬方向が前記第２の弾性波素子の弾性波伝搬方向と平行である。この場合、不要なスプリアスをより一層確実に抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記スリットが、弾性波伝搬方向と直交する方向に延びている。この場合、不要なスプリアスをより一層確実に抑制することができる。
　本発明の弾性波装置の他の特定の局面では、前記スリットが、前記圧電基板の表面に至っている。この場合、不要なスプリアスをより一層確実に抑制することができる。
　本発明の弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記スリットが、前記誘電体膜に設けられている第１のスリット部と、前記圧電基板に設けられている第２のスリット部とを有する。
　本発明の弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記スリットにおいて、前記第２のスリット部が、前記第１の弾性波素子と前記第２の弾性波素子とを結ぶ方向に複数設けられている。
　本発明の弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記スリットが、前記圧電基板の表面に至っていない。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の弾性波素子が、前記第１のＩＤＴ電極が設けられた領域の弾性波伝搬方向における両側に配置された一対の第１の反射器を有し、前記第２の弾性波素子が、前記第２のＩＤＴ電極が設けられた領域の弾性波伝搬方向における両側に配置された一対の第２の反射器を有し、弾性波伝搬方向において隣接している前記第１及び第２の反射器間に、前記スリットが設けられている。この場合、反射器の本数をより一層少なくすることができる。
　本発明の弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１及び第２の弾性波素子間において、前記スリットが、前記第１の弾性波素子と前記第２の弾性波素子とを結ぶ方向に複数設けられている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記誘電体膜が、酸化ケイ素からなる。この場合、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値をより一層小さくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の弾性波素子からなる少なくとも１つの直列腕共振子と、前記第２の弾性波素子からなる少なくとも１つの並列腕共振子とを有する、ラダー型フィルタである。
　本発明によれば、小型化を図りつつ、不要なスプリアスを抑制することを可能とする、弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置を示す略図的平面図である。 図２は、図１のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。 図３は、１ポート型弾性波共振子のＩＤＴ電極部分を拡大して示す模式的平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の変形例を示す模式的断面図である。 図５は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置を示す略図的平面図である。 図６は、実験例の弾性波装置において、第１及び第２の弾性波素子間の距離を変化させたときの減衰量周波数特性を示す図である。 図７は、実験例の弾性波装置において、第１の弾性波素子とスリットとの間の距離を変化させたときの減衰量周波数特性を示す図である。 図８は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置を示す模式的断面図である。 図９は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置を示す模式的断面図である。 図１０は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置を示す模式的断面図である。 図１１は、本発明の第５の実施形態の変形例に係る弾性波装置を示す模式的断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　（第１の実施形態）
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置を示す略図的平面図である。また、図２は、図１のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。
　図１に示すように、弾性波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３のような圧電単結晶基板または圧電セラミック板により形成される。本実施形態では、圧電基板２が矩形板状の圧電単結晶基板からなる。
　本実施形態の弾性波装置１は、ラダー型フィルタである。ラダー型フィルタとしての弾性波装置１では、圧電基板２上に複数の弾性波素子が構成されている。
　より具体的に、弾性波装置１は、それぞれが弾性波素子である直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２と、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２とを有する。直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２は、入力端としての入力端子３と出力端としての出力端子４との間に接続されている。並列腕共振子Ｐ１は、直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ２との間の接続点と、グラウンド端子７との間に接続されている。並列腕共振子Ｐ２は、直列腕共振子Ｓ２と出力端子４との間の接続点と、グラウンド端子８との間に接続されている。なお、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２は、１ポート型弾性波共振子からなる。また、本実施形態においては、直列腕共振子Ｓ１を第１の弾性波素子５とし、並列腕共振子Ｐ１を第２の弾性波素子６とする。
　第１の弾性波素子５である直列腕共振子Ｓ１では、第１のＩＤＴ電極１０と、第１のＩＤＴ電極１０の弾性波伝搬方向両側に配置された一対の第１の反射器１２，１３とが、圧電基板２上に形成されている。それによって、１ポート型弾性波共振子が構成されている。
　同様に、第２の弾性波素子６である並列腕共振子Ｐ１では、第２のＩＤＴ電極１１と、第２のＩＤＴ電極１１の弾性波伝搬方向両側に配置された一対の第２の反射器１４，１５とが、圧電基板２上に形成されている。それによって、１ポート型弾性波共振子が構成されている。
　なお、本実施形態では、第１の弾性波素子５における第１の反射器１３と、第２の弾性波素子６における第２の反射器１４とが弾性波伝搬方向において隣り合っている。
　また、図１においては、Ｘを矩形の枠で囲んだ記号により、第１の反射器１２，１３及び第２の反射器１４，１５を、略図的に示している。
　なお、各ＩＤＴ電極及び反射器の材料は、特に限定されず、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、またはこれらの金属の合金などが挙げられる。各ＩＤＴ電極及び反射器は、単層の金属膜であってもよいし、２種以上の金属膜が積層された積層金属膜であってもよい。
　図３は、第１及び第２の弾性波素子のような１ポート型弾性波共振子のＩＤＴ電極部分を拡大して示す模式的平面図である。なお、図３では、第１の弾性波素子５である直列腕共振子Ｓ１を構成する第１のＩＤＴ電極１０を例に挙げて説明する。
　図３に示すように、第１のＩＤＴ電極１０は、対向し合う第１，第２のバスバー１６，１７を有する。第１のバスバー１６に、複数本の第１の電極指１８の一端が接続されている。第２のバスバー１７に、複数本の第２の電極指１９の一端が接続されている。複数本の第１の電極指１８及び複数本の第２の電極指１９は、互いに間挿し合っている。
　弾性波伝搬方向は、第１，第２の電極指１８，１９が延びる方向と直交する方向である。この弾性波伝搬方向から視たときに、第１の電極指１８と第２の電極指１９とが重なり合っている領域を交叉領域Ｒとする。また、第１のバスバー１６から、第２のバスバー１７に至るまでの領域を、ＩＤＴ電極形成領域Ｑとする。
　なお、本実施形態において、第１の弾性波素子５の弾性波伝搬方向と、第２の弾性波素子６の弾性波伝搬方向は、平行であるものとする。もっとも、本発明において、第１の弾性波素子５の弾性波伝搬方向と、第２の弾性波素子６の弾性波伝搬方向とは完全に平行でなくともよい。
　図１及び図２に戻り、本実施形態では、圧電基板２上において、直列腕共振子Ｓ１及びＳ２と、並列腕共振子Ｐ１及びＰ２とが構成されている領域に誘電体膜２０が設けられている。より具体的に、誘電体膜２０は、直列腕共振子Ｓ１及びＳ２と、並列腕共振子Ｐ１及びＰ２を構成するＩＤＴ電極や反射器などを覆っている。
　誘電体膜２０は、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくするために設けられている。すなわち、温度補償用の誘電体膜として、誘電体膜２０が設けられている。誘電体膜２０は、酸化ケイ素や酸窒化ケイ素などの誘電体セラミックスなどからなる。本実施形態では、誘電体膜２０として、温度補償用のＳｉＯ２膜が設けられている。なお、誘電体膜２０は、他の機能を果たす層として設けられていてもよい。なお、本発明においては、誘電体膜２０上に、ＳｉＮ膜などの他の膜を設けてもよい。その場合、他の膜には後述するスリット９を設けてもよいし、スリット９を設けなくともよい。
　図１及び図２に示すように、本実施形態では、第１の弾性波素子５である直列腕共振子Ｓ１と、第２の弾性波素子６である並列腕共振子Ｐ１との間において、誘電体膜２０にスリット９が設けられている。より具体的に、本実施形態では直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１が、弾性波伝搬方向において隣接しており、その間において、誘電体膜２０にスリット９が設けられている。なお、スリット９は、弾性波伝搬方向において隣接する第１の反射器１３及び第２の反射器１４間に設けられている。
　スリット９は、電極指が延びる方向に沿うように延びている。また、スリット９は、弾性波伝搬方向から視たときに、ＩＤＴ電極形成領域Ｑと重なる領域に設けられている。
　もっとも、本発明において、スリット９は、弾性波伝搬方向から視たときに、第１及び第２のＩＤＴ電極１０，１１の交叉領域Ｒのうち少なくとも一方の少なくとも一部と重なる領域に設けられていればよい。
　なお、弾性波伝搬方向から視たときに、交叉領域Ｒの少なくとも一部と重なる領域に設けられている限りにおいて、スリット９は、電極指が延びる方向とは異なる方向に延びていてもよい。また、複数本のスリット９が設けられていてもよい。
　また、図２に示す弾性波伝搬方向におけるスリット９の幅Ｂは、０．２μｍ以上であることが好ましい。スリット９の幅Ｂが、上記範囲内にある場合、後述する不要なスプリアスをより一層抑制することができる。
　なお、スリット９の幅Ｂは、第１及び第２の弾性波素子５，６間の距離Ａから、第１の弾性波素子５及びスリット９間の距離Ｃと第２の弾性波素子６及びスリット９間の距離Ｄとを差し引くことにより求めることができる（Ｂ＝Ａ－（Ｃ＋Ｄ））。
　また、図２に示すように、本実施形態においては、圧電基板２の表面２ａに至るように誘電体膜２０にスリット９が設けられている。もっとも、本発明においては、図４に変形例で示すように、スリット９が圧電基板２の表面２ａに至っていなくてもよい。その場合においても、後述する不要なスプリアスをより一層確実に抑制する観点から、スリット９は圧電基板２の表面２ａ近傍まで設けられていることが好ましい。
　弾性波装置１では、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１間において、誘電体膜２０にスリット９が設けられているので、不要なスプリアスが生じ難く、減衰特性などの特性が劣化し難い。この理由については、以下のように説明することができる。
　従来の弾性波装置においては、誘電体膜に本実施形態のようなスリットが設けられていない。そのため、直列腕共振子及び並列腕共振子が弾性波伝搬方向において隣接する場合、一方の共振子から漏れた信号が、誘電体膜を通じて他方の共振子まで伝搬することがあった。その結果、一方の共振子から漏れた信号が、他方の共振子にノイズとして影響を及ぼすことがあった。そのため、従来の弾性波装置では、不要なスプリアスが生じ、減衰特性などの特性が劣化することがあった。また、従来の弾性波装置では、上記のように不要なスプリアスが生じるので、弾性波伝搬方向において隣接するように共振子を配置することができなかった。
　これに対して、本実施形態の弾性波装置１では、弾性波伝搬方向において隣接する直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１間において、誘電体膜２０にスリット９が設けられている。そのため、一方の共振子から漏れた信号が、誘電体膜２０を通じて他方の共振子まで伝搬し難く、他方の共振子にノイズとして影響を及ぼし難い。従って、弾性波装置１では、不要なスプリアスを抑制することができ、その結果減衰特性などの特性も劣化し難くなる。
　このように、弾性波装置１では、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１を弾性波伝搬方向において互いに隣接するように配置できるので、レイアウトに制約が生じ難く、小型化を図ることができる。また、弾性波伝搬方向において隣接する第１の反射器１３及び第２の反射器１４間にスリット９が配置されるので、弾性波装置１では反射器の本数をより一層少なくすることもできる。
　なお、本実施形態では、直列腕共振子Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ２も弾性波伝搬方向において隣接しており、その間にスリット２１が設けられている。このように、本発明においては、弾性波伝搬方向において隣接する弾性波素子間の全てにスリットが設けられていることが好ましい。この場合、不要なスプリアスをより一層抑制することができる。もっとも、本発明においては、弾性波伝搬方向において隣接する少なくとも１対の弾性波素子間に、スリットが設けられていればよい。
　（第２の実施形態）
　図５は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置を示す略図的平面図である。図５に示すように、弾性波装置３１では、圧電基板２上に、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２，３３が構成されている。第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２では、弾性波伝搬方向に沿って第１～第３のＩＤＴ電極３２ａ～３２ｃが配置されている。第１～第３のＩＤＴ電極３２ａ～３２ｃが設けられている部分の弾性波伝搬方向両側に、一対の第１の反射器３４，３５が設けられている。本実施形態では、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２が、第１の弾性波素子である。
　第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３３は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２と、弾性波伝搬方向において並設されている。この場合、弾性波伝搬方向から視たときに、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２の弾性波伝搬領域が、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３３の弾性波伝搬領域と重なっている。また、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２と第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３３とは並列接続されている。
　第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３３もまた、第１～第３のＩＤＴ電極３３ａ～３３ｃを有する。第１～第３のＩＤＴ電極３３ａ～３３ｃが設けられている部分の弾性波伝搬方向両側に、一対の第２の反射器３６，３７が設けられている。本実施形態では、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３３が、第２の弾性波素子である。
　なお、本実施形態でも、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２の弾性波伝搬方向と、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３３の弾性波伝搬方向は、平行であるものとする。
　また、図５においては、Ｘを矩形の枠で囲んだ記号により、第１の反射器３４，３５及び第２の反射器３６，３７を、略図的に示している。本実施形態では、第１の反射器３５と、第２の反射器３６とが弾性波伝搬方向において隣り合っている。
　また、図５に示すように、本実施形態では、圧電基板２上において、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２，３３が構成されている領域に、誘電体膜２０が設けられている。誘電体膜２０は、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２，３３の各ＩＤＴ電極及び各反射器を覆っている。
　また、本実施形態では、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２，３３間において、誘電体膜２０にスリット９が設けられている。より具体的に、本実施形態では第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２，３３が、弾性波伝搬方向において隣接しており、その間において、誘電体膜２０にスリット９が設けられている。なお、スリット９は、弾性波伝搬方向において隣接する第１の反射器３５及び第２の反射器３６間に設けられている。
　このように、弾性波装置３１においても、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２，３３間において、誘電体膜２０にスリット９が設けられているので、不要なスプリアスが生じ難く、減衰特性などの特性が劣化し難い。
　また、弾性波装置３１では、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２，３３を弾性波伝搬方向において互いに隣接するように配置できるので、レイアウトに制約が生じ難く、小型化を図ることができる。また、スリット９は、弾性波伝搬方向において隣接する第１の反射器３５及び第２の反射器３６間に設けられているので、反射器の本数を少なくすることもできる。
　（実験例）
　以下、具体的な実験例について説明する。
　実験例では、図５に示すように、第１及び第２の弾性波素子として第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３２，３３を有する弾性波装置３１を作製した。
　なお、実験例では、下記の表１に示す設計パラメータ（波長、デュ－ティー、ギャップ及び電極指の対数）で弾性波装置３１を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　また、圧電基板２としては、ＬｉＮｂＯ３基板を用いた。第１の弾性波素子及び第２の弾性波素子を構成する各ＩＤＴ電極及び各反射器は、ＬｉＮｂＯ３基板上にＮｉＣｒ（１０ｎｍ）、Ｐｔ（８３．５ｎｍ）、Ｔｉ（６０ｎｍ）、Ａｌ（１８４ｎｍ）及びＴｉ（２２ｎｍ）をこの順に積層させた積層金属膜により形成した。
　第１の弾性波素子及び第２の弾性波素子を構成する各ＩＤＴ電極及び各反射器上には、各ＩＤＴ電極及び各反射器を覆うように、誘電体膜２０としてのＳｉＯ２膜（１２４０ｎｍ）を形成した。誘電体膜２０上には、ＳｉＮ膜（４０ｎｍ）を形成した。
　第１の弾性波素子及び第２の弾性波素子は、弾性波伝搬方向において隣接しており、第１の弾性波素子及び第２の弾性波素子間には、スリット９が設けられている。スリット９は、電極指の延びる方向に沿うように延びており、弾性波伝搬方向から視たときにＩＤＴ電極の交叉領域と重なる領域に設けられている（図５）。なお、スリット９は、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜に設けた。より具体的に、スリット９はＳｉＮ膜からＳｉＯ２膜を経て圧電基板２の表面に至るように設けた。
　本実験例では、図２に示すように、第１及び第２の弾性波素子間の距離をＡとした。また、第１の弾性波素子とスリット９との距離をＣとし、第２の弾性波素子とスリット９との距離をＤとした。本実施形態では、ＣとＤが同じ距離である。
　図６は、実験例の弾性波装置において、第１及び第２の弾性波素子間の距離Ａを変化させたときの減衰量周波数特性を示す図である。なお、図６においては、第１及び第２の弾性波素子間の距離Ａを０．２μｍ、２．３μｍ及び３．５μｍとした。また、図６では、比較のため、スリットを設けない場合の結果（スリット無）を併せて示した。
　図６より、誘電体膜にスリットを設けることで、第１及び第２の弾性波素子間の距離Ａに関わらず、スプリアスを抑制し得ることが確認できた。一方、スリットを設けない場合、図６に矢印ａで示すようなスプリアスが生じていた。
　図７は、実験例の弾性波装置において、第１の弾性波素子とスリットの間の距離Ｃを変化させたときの減衰量周波数特性を示す図である。なお、図７においては、第１の弾性波素子とスリットの間の距離Ｃ（＝第２の弾性波素子とスリットの間の距離Ｄ）を０．６μｍ、１．０μｍ及び１．５μｍとした。第１及び第２の弾性波素子間の距離Ａは、いずれも３．５μｍとした。また、図７では、比較のため、スリットを設けない場合の結果（スリット無）を併せて示した。
　図７より、誘電体膜にスリットを設けることで、第１の弾性波素子とスリットの間の距離Ｃ（＝第２の弾性波素子とスリットの間の距離Ｄ）に関わらず、スプリアスを抑制し得ることが確認できた。一方、スリットを設けない場合、図７に矢印ｂで示すようなスプリアスが生じていた。スリットの幅Ｂは、上述したように、Ｂ＝Ａ－（Ｃ＋Ｄ）となるので、スリットを設けることで、スリットの幅に関わらず、スプリアスを抑制し得ることが確認できた。
　（第３の実施形態）
　図８は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置を示す模式的断面図である。なお、図８に示す断面は、図１のＩ－Ｉ線に沿う部分に相当する断面である。後述する図９及び図１０も同様である。
　本実施形態は、スリット９を複数有する点及び誘電体膜２０上に保護膜４０が設けられている点において、第１の実施形態と異なる。なお、保護膜４０は、上述したＳｉＮ膜である。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
　第１の弾性波素子５及び第２の弾性波素子６間において、スリット９は、第１の弾性波素子５と第２の弾性波素子６とを結ぶ方向に複数設けられている。複数のスリット９は、反射器と同様の効果を果たす。より具体的には、第１の弾性波素子５から漏れた信号を、複数のスリット９により、第１の弾性波素子５側に反射させることができる。よって、信号の漏洩をより一層抑制することができ、第１の弾性波素子５の励振効率をより一層高めることができる。第２の弾性波素子６においても同様である。
　加えて、一方の弾性波素子から漏れた信号が、他方の弾性波素子までより一層伝搬し難く、他方の弾性波素子にノイズとして影響を及ぼし難い。従って、不要なスプリアスをより一層抑制することができ、その結果減衰特性などの特性も劣化し難くなる。
　複数のスリット９は、一定の間隔で設けられていることが好ましい。複数のスリット９は、ＩＤＴ電極の電極指ピッチと同程度のピッチにおいて設けられていることがより好ましい。複数のスリット９は、ＩＤＴ電極の電極指ピッチと同じピッチにおいて設けられていることがさらに好ましい。それによって、第１の弾性波素子５及び第２の弾性波素子６から漏れた信号をより一層効果的に反射させることができる。
　（第４の実施形態）
　図９は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置を示す模式的断面図である。
　本実施形態は、スリット５９が誘電体膜２０及び圧電基板２に設けられている点において、第３の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は、第３の弾性波装置と同様の構成を有する。
　スリット５９は、誘電体膜２０に設けられている第１のスリット部５９ａと、圧電基板２に設けられている第２のスリット部５９ｂとを有する。複数のスリット５９は、第２のスリット部５９ｂを有するため、一方の弾性波素子から漏れ、圧電基板２を伝搬する信号を効果的に反射させることができる。よって、信号の漏洩をより一層抑制することができ、第１の弾性波素子５及び第２の弾性波素子６の励振効率をより一層高めることができる。加えて、第３の実施形態と同様に、不要なスプリアスをより一層抑制することができる。
　なお、スリットを１つ有する場合においても、該スリットは、第１のスリット部分及び第２のスリット部分を有していてもよい。
　（第５の実施形態）
　図１０は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置を示す模式的断面図である。
　本実施形態においては、１つのスリット６９が設けられており、かつスリット６９が複数の第２のスリット部５９ｂを有する点において、第４の実施形態と異なる。なお、第２のスリット部５９ｂは、第１の弾性波素子５と第２の弾性波素子６とを結ぶ方向に複数設けられている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第４の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
　本実施形態においても、スリット６９が複数の第２のスリット部５９ｂを有するため、一方の弾性波素子から漏れ、圧電基板２を伝搬する信号を効果的に反射させることができる。よって、信号の漏洩をより一層抑制することができ、第１の弾性波素子５及び第２の弾性波素子６の励振効率をより一層高めることができる。加えて、第４の実施形態と同様に、不要なスプリアスをより一層抑制することができる。
　なお、図１１に示す変形例のように、複数の第２のスリット部５９ｂを有するスリット６９が複数設けられていてもよい。
　１，３１…弾性波装置
　２…圧電基板
　２ａ…表面
　３…入力端子
　４…出力端子
　５，６…第１，第２の弾性波素子
　７，８…グラウンド端子
　９，２１，５９，６９…スリット
　１０，１１…第１，第２のＩＤＴ電極
　１２，１３，３４，３５…第１の反射器
　１４，１５，３６，３７…第２の反射器
　１６，１７…第１，第２のバスバー
　１８，１９…第１，第２の電極指
　２０…誘電体膜
　３２，３３…第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ
　３２ａ～３２ｃ，３３ａ～３３ｃ…第１～第３のＩＤＴ電極
　４０…保護膜
　５９ａ，５９ｂ…第１，第２のスリット部
　Ｓ１，Ｓ２…直列腕共振子
　Ｐ１，Ｐ２…並列腕共振子

Claims (11)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられている少なくとも１つの第１のＩＤＴ電極を有する、第１の弾性波素子と、
    　前記圧電基板上に設けられている少なくとも１つの第２のＩＤＴ電極を有する、第２の弾性波素子と、
    　前記第１及び第２のＩＤＴ電極を覆っている、誘電体膜と、
    を備え、
    　前記第１及び第２の弾性波素子が、弾性波伝搬方向において隣接しており、
    　前記第１及び第２の弾性波素子間において、前記誘電体膜にスリットが設けられており、
    　前記第１及び第２のＩＤＴ電極が、それぞれ、弾性波を励振する領域である交叉領域を有し、
    　弾性波伝搬方向から視たときに、前記第１及び第２のＩＤＴ電極の前記交叉領域のうち少なくとも一方の少なくとも一部と重なる領域に、前記スリットが配置されている、弾性波装置。
  2. 　前記第１の弾性波素子の弾性波伝搬方向が前記第２の弾性波素子の弾性波伝搬方向と平行である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記スリットが、弾性波伝搬方向と直交する方向に延びている、請求項１又は２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記スリットが、前記圧電基板の表面に至っている、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記スリットが、前記誘電体膜に設けられている第１のスリット部と、前記圧電基板に設けられている第２のスリット部と、を有する、請求項４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記スリットにおいて、前記第２のスリット部が、前記第１の弾性波素子と前記第２の弾性波素子とを結ぶ方向に複数設けられている、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記スリットが、前記圧電基板の表面に至っていない、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記第１の弾性波素子が、前記第１のＩＤＴ電極が設けられた領域の弾性波伝搬方向における両側に配置された一対の第１の反射器を有し、
    　前記第２の弾性波素子が、前記第２のＩＤＴ電極が設けられた領域の弾性波伝搬方向における両側に配置された一対の第２の反射器を有し、
    　弾性波伝搬方向において隣接している前記第１及び第２の反射器間に、前記スリットが設けられている、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記第１及び第２の弾性波素子間において、前記スリットが、前記第１の弾性波素子と前記第２の弾性波素子とを結ぶ方向に複数設けられている、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記誘電体膜が、酸化ケイ素からなる、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記第１の弾性波素子からなる少なくとも１つの直列腕共振子と、前記第２の弾性波素子からなる少なくとも１つの並列腕共振子とを有する、ラダー型フィルタである、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
PCT/JP2017/027227 2016-09-05 2017-07-27 弾性波装置 WO2018042964A1 (ja)

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