JP2000106519A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JP2000106519A JP2000106519A JP27407198A JP27407198A JP2000106519A JP 2000106519 A JP2000106519 A JP 2000106519A JP 27407198 A JP27407198 A JP 27407198A JP 27407198 A JP27407198 A JP 27407198A JP 2000106519 A JP2000106519 A JP 2000106519A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＤＴからの漏洩波が除去されて良好な周波
数特性を有し、かつより小型化が図られた弾性表面波素
子を提供する。 【解決手段】 本発明の弾性表面波素子では、圧電性基
板５上に、入力用ＩＤＴ６ａと出力用ＩＤＴ６ｂ、およ
びボンディングパッド７がそれぞれ配設されている。ま
た、このような主面において、ＩＤＴ６とそれにより励
振される弾性表面波の伝搬方向側の端面との間の領域
に、深さが弾性表面波の波長λよりも浅い凹部１０（凹
穴８または凹溝９）が、１個または２個以上設けられて
いる。凹溝９の場合には、ＩＤＴ６側の内周面が、弾性
表面波の進行方向に対して直角以外の傾斜した角度をな
すように配設することが望ましい。凹部１０による反射
波が互いに干渉して打ち消し合うように、凹部の形状や
底面の幅等の寸法を設定することにより、効果をさらに
上げることができる
数特性を有し、かつより小型化が図られた弾性表面波素
子を提供する。 【解決手段】 本発明の弾性表面波素子では、圧電性基
板５上に、入力用ＩＤＴ６ａと出力用ＩＤＴ６ｂ、およ
びボンディングパッド７がそれぞれ配設されている。ま
た、このような主面において、ＩＤＴ６とそれにより励
振される弾性表面波の伝搬方向側の端面との間の領域
に、深さが弾性表面波の波長λよりも浅い凹部１０（凹
穴８または凹溝９）が、１個または２個以上設けられて
いる。凹溝９の場合には、ＩＤＴ６側の内周面が、弾性
表面波の進行方向に対して直角以外の傾斜した角度をな
すように配設することが望ましい。凹部１０による反射
波が互いに干渉して打ち消し合うように、凹部の形状や
底面の幅等の寸法を設定することにより、効果をさらに
上げることができる
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波素子に
係わり、特に小型で良好な周波数特性を有する弾性表面
波素子に関する。
係わり、特に小型で良好な周波数特性を有する弾性表面
波素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波素子は、圧電体（圧電性基板
または圧電性薄膜）上に設けられた薄膜金属から成る櫛
歯状電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）によ
り、電気的信号と弾性表面波（ＳＡＷ）との変換を行な
い、信号を送受信する素子であり、小型、軽量、高い信
頼性、優れた帯域外減衰特性等の特徴を有しているた
め、周波数フィルタ、共振器、遅延回路等として、映像
機器や移動通信機器に盛んに用いられている。
または圧電性薄膜）上に設けられた薄膜金属から成る櫛
歯状電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）によ
り、電気的信号と弾性表面波（ＳＡＷ）との変換を行な
い、信号を送受信する素子であり、小型、軽量、高い信
頼性、優れた帯域外減衰特性等の特徴を有しているた
め、周波数フィルタ、共振器、遅延回路等として、映像
機器や移動通信機器に盛んに用いられている。
【０００３】このような弾性表面波素子において、ＩＤ
Ｔにより励振された弾性表面波が、ＩＤＴや反射器Ｇｒ
から漏洩する現象が生じていた。すなわち、圧電体の種
類やＩＤＴ等を構成する薄膜金属の厚さにより、電気機
械結合係数ｋ2 や反射率が異なるため、漏洩の生じる程
度は明確ではないが、励振された弾性表面波がＩＤＴ等
から漏洩し、漏洩波が圧電性基板の端面で全反射して再
びＩＤＴに戻るため、不要なリップルやスプリアスが発
生していた。
Ｔにより励振された弾性表面波が、ＩＤＴや反射器Ｇｒ
から漏洩する現象が生じていた。すなわち、圧電体の種
類やＩＤＴ等を構成する薄膜金属の厚さにより、電気機
械結合係数ｋ2 や反射率が異なるため、漏洩の生じる程
度は明確ではないが、励振された弾性表面波がＩＤＴ等
から漏洩し、漏洩波が圧電性基板の端面で全反射して再
びＩＤＴに戻るため、不要なリップルやスプリアスが発
生していた。
【０００４】したがって、従来の弾性表面波素子では、
図１０に示すように、ＩＤＴ１と、これにより励振され
る弾性表面波の伝搬（進行）方向側の端面との間の圧電
性基板２上に、弾性表面波の吸収材（例えば、シリコー
ン系やエポキシ系の有機材料）３をスクリーン印刷等に
より塗布することで、不要波の影響を防止していた。な
お、図中符号４は、ＩＤＴ１と外部回路等とを接続する
ための外部接続端子であるボンディングパッドを示す。
図１０に示すように、ＩＤＴ１と、これにより励振され
る弾性表面波の伝搬（進行）方向側の端面との間の圧電
性基板２上に、弾性表面波の吸収材（例えば、シリコー
ン系やエポキシ系の有機材料）３をスクリーン印刷等に
より塗布することで、不要波の影響を防止していた。な
お、図中符号４は、ＩＤＴ１と外部回路等とを接続する
ための外部接続端子であるボンディングパッドを示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来からの弾性表面波素子においては、漏洩波の影
響を防止する効果を十分に確保するには、前記した吸収
材３の塗布量を多くする必要があり、吸収材３の塗布量
を多くした場合には、吸収材３が余分な領域にまで流れ
広がるダレ現象が生じやすかった。より具体的には、30
μm 程度の厚さに吸収材３を塗布した場合には、流動距
離として 100μm 程度のダレ量を見込む必要があった。
そして、このような吸収材３のダレからＩＤＴ１等を保
護するには、吸収材３とＩＤＴ１等との間の距離を十分
にとる必要があるため、素子の小型化が難しかった。ま
た、素子ごとにダレ量が異なるため、スプリアスの発生
防止を再現性良く行なうことが難しかった。
うな従来からの弾性表面波素子においては、漏洩波の影
響を防止する効果を十分に確保するには、前記した吸収
材３の塗布量を多くする必要があり、吸収材３の塗布量
を多くした場合には、吸収材３が余分な領域にまで流れ
広がるダレ現象が生じやすかった。より具体的には、30
μm 程度の厚さに吸収材３を塗布した場合には、流動距
離として 100μm 程度のダレ量を見込む必要があった。
そして、このような吸収材３のダレからＩＤＴ１等を保
護するには、吸収材３とＩＤＴ１等との間の距離を十分
にとる必要があるため、素子の小型化が難しかった。ま
た、素子ごとにダレ量が異なるため、スプリアスの発生
防止を再現性良く行なうことが難しかった。
【０００６】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、小型であり、かつＩＤＴから漏洩し
た不要な成分が除去されて、良好な周波数特性を有する
弾性表面波素子を提供することを目的とする。
になされたもので、小型であり、かつＩＤＴから漏洩し
た不要な成分が除去されて、良好な周波数特性を有する
弾性表面波素子を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波素子
は、圧電性基板と、この圧電性基板の主面に配設された
櫛歯状電極とを備え、前記圧電性基板の主面において、
前記櫛歯状電極と、この櫛歯状電極により励振される弾
性表面波の伝搬方向側の端面との間の領域に、前記弾性
表面波の波長λよりも浅い最深部を有する凹部を設けた
ことを特徴としている。
は、圧電性基板と、この圧電性基板の主面に配設された
櫛歯状電極とを備え、前記圧電性基板の主面において、
前記櫛歯状電極と、この櫛歯状電極により励振される弾
性表面波の伝搬方向側の端面との間の領域に、前記弾性
表面波の波長λよりも浅い最深部を有する凹部を設けた
ことを特徴としている。
【０００８】弾性表面波素子において、櫛歯状電極（Ｉ
ＤＴ）によって励振された弾性表面波のエネルギーは、
圧電性基板の主面である表面付近に集中しており、表面
からの深さが弾性表面波の波長λ内に、90％以上が含ま
れている。そして、ＩＤＴから漏洩した弾性表面波は、
伝搬方向側の圧電性基板の端面とＩＤＴとの間の領域に
設けられた凹部で反射されるが、凹部の深さがλより浅
くなっているので、完全に反射されることなく、一部の
成分のみが反射され、残りの成分が凹部を通過する。し
かし、凹部を通過した弾性表面波の漏洩成分は、圧電性
基板の端面で完全に反射された後、再び凹部で反射さ
れ、最終的にＩＤＴに戻ることがほとんどない。こうし
て、深さがλよりも浅い凹部を設けることで、ＩＤＴか
ら漏洩した弾性表面波による影響を、効果的に防止する
ことができる。
ＤＴ）によって励振された弾性表面波のエネルギーは、
圧電性基板の主面である表面付近に集中しており、表面
からの深さが弾性表面波の波長λ内に、90％以上が含ま
れている。そして、ＩＤＴから漏洩した弾性表面波は、
伝搬方向側の圧電性基板の端面とＩＤＴとの間の領域に
設けられた凹部で反射されるが、凹部の深さがλより浅
くなっているので、完全に反射されることなく、一部の
成分のみが反射され、残りの成分が凹部を通過する。し
かし、凹部を通過した弾性表面波の漏洩成分は、圧電性
基板の端面で完全に反射された後、再び凹部で反射さ
れ、最終的にＩＤＴに戻ることがほとんどない。こうし
て、深さがλよりも浅い凹部を設けることで、ＩＤＴか
ら漏洩した弾性表面波による影響を、効果的に防止する
ことができる。
【０００９】本発明において、圧電性基板に凹部を形成
する方法としては、例えば、圧電性基板を直接ダイシン
グして形成する方法がある。また、四ホウ酸リチウム基
板や水晶基板のように、化学的エッチング（ウェットエ
ッチング）が容易な圧電性基板に対しては、フォトエッ
チングプロセスにより任意の形状の凹部を形成すること
ができる。いずれの形成方法も、効率的で量産性が高
い。
する方法としては、例えば、圧電性基板を直接ダイシン
グして形成する方法がある。また、四ホウ酸リチウム基
板や水晶基板のように、化学的エッチング（ウェットエ
ッチング）が容易な圧電性基板に対しては、フォトエッ
チングプロセスにより任意の形状の凹部を形成すること
ができる。いずれの形成方法も、効率的で量産性が高
い。
【００１０】また、本発明の弾性表面波素子は、前記凹
部が、前記弾性表面波の伝搬方向に対して垂直な平面状
の内周面を持たないことを特徴としている。
部が、前記弾性表面波の伝搬方向に対して垂直な平面状
の内周面を持たないことを特徴としている。
【００１１】また、前記凹部が溝状をなしており、かつ
この凹溝が、内周面が前記弾性表面波の伝搬方向に対し
て直角以外の角度をなすように、配設されていることを
特徴としている。
この凹溝が、内周面が前記弾性表面波の伝搬方向に対し
て直角以外の角度をなすように、配設されていることを
特徴としている。
【００１２】また、前記凹部が、前記圧電性基板の主面
に対して垂直な内周面を持たないことを特徴としてい
る。さらに、このように凹部が圧電性基板の主面に対し
て垂直な内周面を持たない弾性表面波素子において、前
記凹部の前記ＩＤＴ側の内周面で、前記圧電性基板の主
面側の端部と前記最深部の底面側の端部との間の水平距
離が、（1/2 ｎ＋ 1/4）λ（但し、ｎは整数。）となっ
ていることを特徴としている。
に対して垂直な内周面を持たないことを特徴としてい
る。さらに、このように凹部が圧電性基板の主面に対し
て垂直な内周面を持たない弾性表面波素子において、前
記凹部の前記ＩＤＴ側の内周面で、前記圧電性基板の主
面側の端部と前記最深部の底面側の端部との間の水平距
離が、（1/2 ｎ＋ 1/4）λ（但し、ｎは整数。）となっ
ていることを特徴としている。
【００１３】また、前記凹部の前記ＩＤＴ側の内周面
が、１段または２段以上の段差を有し、かつ前記段差の
水平方向の長さが、（1/2 ｎ＋ 1/4）λであることを特
徴としている。
が、１段または２段以上の段差を有し、かつ前記段差の
水平方向の長さが、（1/2 ｎ＋ 1/4）λであることを特
徴としている。
【００１４】また、前記凹部の最深部の底面において、
前記弾性表面波の伝搬方向に沿った長さが、（1/2 ｎ＋
1/4）λとなっていることを特徴としている。
前記弾性表面波の伝搬方向に沿った長さが、（1/2 ｎ＋
1/4）λとなっていることを特徴としている。
【００１５】このような弾性表面波素子では、圧電性基
板の主面に配設された凹部が、弾性表面波の伝搬（進
行）方向に対して垂直な（直交する）内周面を有してい
ないので、ＩＤＴから漏洩した弾性表面波は、凹部のＩ
ＤＴ側の内周面で、進行方向と異なる方向に乱反射さ
れ、その結果、直接ＩＤＴに到達する反射波の量が低減
される。さらに、凹部の内周面による反射波が互いに干
渉して打ち消し合うように、凹部の形状や最深部の底面
の幅等の寸法を設定することにより、前記した効果をさ
らに上げることができる。
板の主面に配設された凹部が、弾性表面波の伝搬（進
行）方向に対して垂直な（直交する）内周面を有してい
ないので、ＩＤＴから漏洩した弾性表面波は、凹部のＩ
ＤＴ側の内周面で、進行方向と異なる方向に乱反射さ
れ、その結果、直接ＩＤＴに到達する反射波の量が低減
される。さらに、凹部の内周面による反射波が互いに干
渉して打ち消し合うように、凹部の形状や最深部の底面
の幅等の寸法を設定することにより、前記した効果をさ
らに上げることができる。
【００１６】さらに、本発明の弾性表面波素子は、前記
凹部が、複数配設されていることを特徴としている。ま
たさらに、このように複数の凹部が配設された弾性表面
波素子において、前記複数の凹部が、前記最深部の底面
の中心の間隔で、（1/2 ｎ＋1/4）λの距離をおいてそ
れぞれ配設されていることを特徴としている。
凹部が、複数配設されていることを特徴としている。ま
たさらに、このように複数の凹部が配設された弾性表面
波素子において、前記複数の凹部が、前記最深部の底面
の中心の間隔で、（1/2 ｎ＋1/4）λの距離をおいてそ
れぞれ配設されていることを特徴としている。
【００１７】本発明の弾性表面波素子において、凹部の
個数は、１個でも十分に効果を上げることができるが、
複数個の凹部を、互いに所定の間隔をおいて配置した場
合には、それぞれの凹部による反射波が互いに干渉し合
って弱まるので、より高い効果を上げることができる。
個数は、１個でも十分に効果を上げることができるが、
複数個の凹部を、互いに所定の間隔をおいて配置した場
合には、それぞれの凹部による反射波が互いに干渉し合
って弱まるので、より高い効果を上げることができる。
【００１８】さらに、本発明の弾性表面波素子は、前記
凹部の内部に、前記弾性表面波の吸収材が埋め込まれて
いることを特徴としている。
凹部の内部に、前記弾性表面波の吸収材が埋め込まれて
いることを特徴としている。
【００１９】このような弾性表面波素子では、凹部（の
内周面）による弾性表面波の反射作用と、凹部の底面を
伝播する成分の吸収材による吸収効果との相乗効果によ
り、弾性表面波の漏洩波による影響をより効果的に防止
することができる。また、凹部が配設されていない従来
の弾性表面波素子に比べて、吸収材の塗布量を少なくす
ることができるうえに、凹部の内周面がダムとなるた
め、吸収材のダレとそれによるＩＤＴ等への付着を防止
することができる。したがって、ＩＤＴと圧電性基板の
端面との距離を減少することができ、よりいっそうの小
型化を図ることができる。
内周面）による弾性表面波の反射作用と、凹部の底面を
伝播する成分の吸収材による吸収効果との相乗効果によ
り、弾性表面波の漏洩波による影響をより効果的に防止
することができる。また、凹部が配設されていない従来
の弾性表面波素子に比べて、吸収材の塗布量を少なくす
ることができるうえに、凹部の内周面がダムとなるた
め、吸収材のダレとそれによるＩＤＴ等への付着を防止
することができる。したがって、ＩＤＴと圧電性基板の
端面との距離を減少することができ、よりいっそうの小
型化を図ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【００２１】図１は、本発明の第１の実施例である弾性
表面波フィルタの概略構成を示す斜視図である。
表面波フィルタの概略構成を示す斜視図である。
【００２２】第１の実施例においては、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7
のような圧電性基板５上に、入力用ＩＤＴ６ａと出力用
ＩＤＴ６ｂ、および入出力用の各ＩＤＴ６を外部の入出
力回路とワイヤボンディング等により接続するためのボ
ンディングパッド７が、それぞれ配設されている。これ
らのＩＤＴ６およびボンディングパッド７は、いずれ
も、ＡｌやＡｌ−Ｃｕ合金等の薄膜を所定の形状にパタ
ーニングすることにより形成されている。
のような圧電性基板５上に、入力用ＩＤＴ６ａと出力用
ＩＤＴ６ｂ、および入出力用の各ＩＤＴ６を外部の入出
力回路とワイヤボンディング等により接続するためのボ
ンディングパッド７が、それぞれ配設されている。これ
らのＩＤＴ６およびボンディングパッド７は、いずれ
も、ＡｌやＡｌ−Ｃｕ合金等の薄膜を所定の形状にパタ
ーニングすることにより形成されている。
【００２３】また、このような圧電性基板５の主面にお
いて、入出力用の各ＩＤＴ６と、出力用ＩＤＴ６ｂによ
り励振される弾性表面波の伝搬方向（図中、矢印で示
す。）側の端面との間の領域（以下、周辺伝搬領域）に
は、円形または楕円形の平面形状を有し、深さが前記し
た弾性表面波の波長λよりも浅い凹穴８が、それぞれ設
けられている。
いて、入出力用の各ＩＤＴ６と、出力用ＩＤＴ６ｂによ
り励振される弾性表面波の伝搬方向（図中、矢印で示
す。）側の端面との間の領域（以下、周辺伝搬領域）に
は、円形または楕円形の平面形状を有し、深さが前記し
た弾性表面波の波長λよりも浅い凹穴８が、それぞれ設
けられている。
【００２４】このように構成される第１の実施例の弾性
表面波フィルタにおいて、入力用ＩＤＴ６ａまたは出力
用ＩＤＴ６ｂから漏洩した弾性表面波の大部分は、周辺
伝搬領域に設けられた凹穴８（の内周面）で反射され、
これらのＩＤＴ６に戻ることがない。また、凹穴８を通
過した漏洩波の残りの成分も、弾性表面波の伝搬方向側
の圧電性基板５端面で全反射された後、再び凹穴８で反
射されるので、ＩＤＴ６に戻ることがない。したがっ
て、ＩＤＴ６からの漏洩成分による不要なリップルやス
プリアスがなく、良好な帯域外減衰特性を有する弾性表
面波フィルタが得られる。
表面波フィルタにおいて、入力用ＩＤＴ６ａまたは出力
用ＩＤＴ６ｂから漏洩した弾性表面波の大部分は、周辺
伝搬領域に設けられた凹穴８（の内周面）で反射され、
これらのＩＤＴ６に戻ることがない。また、凹穴８を通
過した漏洩波の残りの成分も、弾性表面波の伝搬方向側
の圧電性基板５端面で全反射された後、再び凹穴８で反
射されるので、ＩＤＴ６に戻ることがない。したがっ
て、ＩＤＴ６からの漏洩成分による不要なリップルやス
プリアスがなく、良好な帯域外減衰特性を有する弾性表
面波フィルタが得られる。
【００２５】次に、本発明の第２乃至第４の実施例を、
図２乃至４に基づいてそれぞれ説明する。なお、これら
の図において、図１と同一の部分には同一の符号を付し
て説明を省略する。
図２乃至４に基づいてそれぞれ説明する。なお、これら
の図において、図１と同一の部分には同一の符号を付し
て説明を省略する。
【００２６】本発明の第２の実施例においては、図２に
示すように、圧電性基板５の主面の周辺伝搬領域に、深
さがＩＤＴ６により励振される弾性表面波の波長λより
も浅い凹溝９が設けられている。この凹溝９は、少なく
ともＩＤＴ６に近い側の内周面が、弾性表面波の進行方
向に対して直交しないように、すなわち直角以外の傾斜
した角度をなすように配設され、好ましくは、圧電性基
板５の幅方向（弾性表面波の進行方向と直交する方向）
全体に亘って設けられている。
示すように、圧電性基板５の主面の周辺伝搬領域に、深
さがＩＤＴ６により励振される弾性表面波の波長λより
も浅い凹溝９が設けられている。この凹溝９は、少なく
ともＩＤＴ６に近い側の内周面が、弾性表面波の進行方
向に対して直交しないように、すなわち直角以外の傾斜
した角度をなすように配設され、好ましくは、圧電性基
板５の幅方向（弾性表面波の進行方向と直交する方向）
全体に亘って設けられている。
【００２７】第２の実施例の弾性表面波フィルタでは、
ＩＤＴ６から漏洩した弾性表面波は、大部分が凹溝９の
ＩＤＴ側内周面で進行方向と異なる方向に乱反射され、
その結果直接ＩＤＴ６に到達する反射波の量が低減され
る。また、凹溝９を通過した弾性表面波の残りの成分
も、圧電性基板５端面で全反射された後再び凹溝９で反
射されるので、ＩＤＴ６に戻ることがない。したがっ
て、不要なリップルやスプリアスがなく、良好な帯域外
減衰特性を有する弾性表面波フィルタが得られる。
ＩＤＴ６から漏洩した弾性表面波は、大部分が凹溝９の
ＩＤＴ側内周面で進行方向と異なる方向に乱反射され、
その結果直接ＩＤＴ６に到達する反射波の量が低減され
る。また、凹溝９を通過した弾性表面波の残りの成分
も、圧電性基板５端面で全反射された後再び凹溝９で反
射されるので、ＩＤＴ６に戻ることがない。したがっ
て、不要なリップルやスプリアスがなく、良好な帯域外
減衰特性を有する弾性表面波フィルタが得られる。
【００２８】本発明の第３および第４の実施例の弾性表
面波フィルタにおいては、図３および図４にそれぞれ示
すように、圧電性基板５の主面の周辺伝搬領域に、深さ
が弾性表面波の波長λよりも浅い複数の凹穴８または凹
溝９が、それぞれ配設されている。
面波フィルタにおいては、図３および図４にそれぞれ示
すように、圧電性基板５の主面の周辺伝搬領域に、深さ
が弾性表面波の波長λよりも浅い複数の凹穴８または凹
溝９が、それぞれ配設されている。
【００２９】第３の実施例では、図３に示すように、円
形または楕円形の平面形状を有する複数個の凹穴８が、
ランダムに配設されている。この実施例の弾性表面波フ
ィルタでは、１個の凹穴８での反射波が、その反射波の
進行方向に配設された別の凹穴８でさらに反射される。
そして、このような反射が次々に生じ、ＩＤＴ６から漏
洩した弾性表面波は、反射源である複数個の凹穴８によ
りあらゆる方向に散乱されることになる。その結果、漏
洩波は、圧電性基板５の端面にもＩＤＴ６にも到達する
ことなくエネルギーが消費されるので、ＩＤＴ６からの
漏洩波によるリップルやスプリアスの発生が抑えられ
る。
形または楕円形の平面形状を有する複数個の凹穴８が、
ランダムに配設されている。この実施例の弾性表面波フ
ィルタでは、１個の凹穴８での反射波が、その反射波の
進行方向に配設された別の凹穴８でさらに反射される。
そして、このような反射が次々に生じ、ＩＤＴ６から漏
洩した弾性表面波は、反射源である複数個の凹穴８によ
りあらゆる方向に散乱されることになる。その結果、漏
洩波は、圧電性基板５の端面にもＩＤＴ６にも到達する
ことなくエネルギーが消費されるので、ＩＤＴ６からの
漏洩波によるリップルやスプリアスの発生が抑えられ
る。
【００３０】また、第４の実施例では、図４に示すよう
に、圧電性基板５の主面の周辺伝搬領域に、それぞれ２
群の凹溝９ａ、９ｂが設けられている。各群において
は、複数本の凹溝９が、互いに平行に、かつ底面の中心
線の間隔ａがそれぞれ（1/2 ｎ＋ 1/4）λとなるよう
に、それぞれ配列されており、これら２群の凹溝９ａ、
９ｂが、いずれも、弾性表面波の進行方向に対して直角
以外の傾斜した角度をなすように配設されている。
に、圧電性基板５の主面の周辺伝搬領域に、それぞれ２
群の凹溝９ａ、９ｂが設けられている。各群において
は、複数本の凹溝９が、互いに平行に、かつ底面の中心
線の間隔ａがそれぞれ（1/2 ｎ＋ 1/4）λとなるよう
に、それぞれ配列されており、これら２群の凹溝９ａ、
９ｂが、いずれも、弾性表面波の進行方向に対して直角
以外の傾斜した角度をなすように配設されている。
【００３１】この実施例の弾性表面波素子フィルタで
は、それぞれの凹溝９ａ、９ｂ群において、凹溝９の底
面の中心線の間隔ａが（1/2 ｎ＋ 1/4）λに設定されて
いるので、各々の凹溝９からの反射波は位相が 180゜ず
れることになる。その結果、これらの反射波が干渉し打
ち消し合うため、ＩＤＴ６に戻ることがない。したがっ
て、ＩＤＴ６からの漏洩波によるリップルやスプリアス
の発生が抑えられる。また、ＩＤＴ６からの漏洩波のう
ちで、λ以外の波長を有する成分については、各凹溝９
での反射波の干渉による打ち消し合いは生じないが、各
凹溝９が弾性表面波の進行方向に対して傾斜した角度を
なすように配置されているので、これらの成分もＩＤＴ
に戻ることがない。
は、それぞれの凹溝９ａ、９ｂ群において、凹溝９の底
面の中心線の間隔ａが（1/2 ｎ＋ 1/4）λに設定されて
いるので、各々の凹溝９からの反射波は位相が 180゜ず
れることになる。その結果、これらの反射波が干渉し打
ち消し合うため、ＩＤＴ６に戻ることがない。したがっ
て、ＩＤＴ６からの漏洩波によるリップルやスプリアス
の発生が抑えられる。また、ＩＤＴ６からの漏洩波のう
ちで、λ以外の波長を有する成分については、各凹溝９
での反射波の干渉による打ち消し合いは生じないが、各
凹溝９が弾性表面波の進行方向に対して傾斜した角度を
なすように配置されているので、これらの成分もＩＤＴ
に戻ることがない。
【００３２】次に、本発明の第５乃至第８の実施例を、
図５乃至図８に基づいてそれぞれ説明する。これらの実
施例では、第１乃至第４の実施例とは異なる断面形状を
有し、最深部の深さｄが弾性表面波の波長λよりも浅い
凹部１０（凹穴８または凹溝９）が、それぞれ配設され
ている。なお、凹部１０が溝状のもの（凹溝９）の場合
には、中心軸が弾性表面波の進行方向に対して直角以外
の傾斜した角度をなすように、配設することが望まし
い。
図５乃至図８に基づいてそれぞれ説明する。これらの実
施例では、第１乃至第４の実施例とは異なる断面形状を
有し、最深部の深さｄが弾性表面波の波長λよりも浅い
凹部１０（凹穴８または凹溝９）が、それぞれ配設され
ている。なお、凹部１０が溝状のもの（凹溝９）の場合
には、中心軸が弾性表面波の進行方向に対して直角以外
の傾斜した角度をなすように、配設することが望まし
い。
【００３３】第５の実施例では、図５に示すように、圧
電性基板５の主面の周辺伝搬領域に、弾性表面波の進行
方向に平行な断面形状（以下、単に断面形状と示す。）
が、半円状または円弧状の凹部１０（凹穴８または凹溝
９）が、設けられている。
電性基板５の主面の周辺伝搬領域に、弾性表面波の進行
方向に平行な断面形状（以下、単に断面形状と示す。）
が、半円状または円弧状の凹部１０（凹穴８または凹溝
９）が、設けられている。
【００３４】また、第６および第７の実施例では、図６
および図７にそれぞれ示すように、圧電性基板５の表面
に対して傾斜したテーパー状の内周側面を有する凹部１
０が配設されている。そして、第６の実施例では、凹部
１０の底面において、弾性表面波の進行方向に沿った長
さｂが、（1/2 ｎ＋ 1/4）λに設定されている。また、
第７の実施例では、凹部１０の少なくともＩＤＴ６側の
テーパー面において、圧電性基板５の表面側の端部と底
面側の端部との間の水平距離ｃが、（1/2 ｎ＋1/4）λ
に設定されている。
および図７にそれぞれ示すように、圧電性基板５の表面
に対して傾斜したテーパー状の内周側面を有する凹部１
０が配設されている。そして、第６の実施例では、凹部
１０の底面において、弾性表面波の進行方向に沿った長
さｂが、（1/2 ｎ＋ 1/4）λに設定されている。また、
第７の実施例では、凹部１０の少なくともＩＤＴ６側の
テーパー面において、圧電性基板５の表面側の端部と底
面側の端部との間の水平距離ｃが、（1/2 ｎ＋1/4）λ
に設定されている。
【００３５】さらに、第８の実施例では、断面形状を図
８（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示すように、凹部１０
の少なくともＩＤＴ６側の内周面が、階段状に段差が形
成された面となっており、かつ各段差の水平方向の長さ
ｅが、それぞれ（1/2 ｎ＋1/4）λに設定されている。
８（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示すように、凹部１０
の少なくともＩＤＴ６側の内周面が、階段状に段差が形
成された面となっており、かつ各段差の水平方向の長さ
ｅが、それぞれ（1/2 ｎ＋1/4）λに設定されている。
【００３６】このように構成される第５乃至第８の実施
例の弾性表面波素子フィルタにおいては、漏洩波が凹部
１０の内周面で乱反射されるので、直接ＩＤＴ６に戻る
反射波の量が低減される。特に、第６乃至第８の実施例
では、ＩＤＴ６からの漏洩波でλの波長を有する成分
は、凹部１０の内周面による反射で、位相が 180゜ずれ
た反射波が生じる。そして、これらの反射波は干渉し打
ち消し合うので、ＩＤＴ６からの漏洩波が再びＩＤＴ６
に戻ってくることがなく、リップルやスプリアスの発生
が抑えられる。
例の弾性表面波素子フィルタにおいては、漏洩波が凹部
１０の内周面で乱反射されるので、直接ＩＤＴ６に戻る
反射波の量が低減される。特に、第６乃至第８の実施例
では、ＩＤＴ６からの漏洩波でλの波長を有する成分
は、凹部１０の内周面による反射で、位相が 180゜ずれ
た反射波が生じる。そして、これらの反射波は干渉し打
ち消し合うので、ＩＤＴ６からの漏洩波が再びＩＤＴ６
に戻ってくることがなく、リップルやスプリアスの発生
が抑えられる。
【００３７】さらに、本発明の第９の実施例について説
明する。
明する。
【００３８】この実施例の弾性表面波フィルタにおいて
は、圧電性基板５の主面の周辺伝搬領域に、深さが弾性
表面波の波長λよりも浅い凹部１０（凹穴８または凹溝
９）が配設され、かつ凹部１０内に、シリコーン系やエ
ポキシ系の弾性表面波の吸収材１１が充填されている。
は、圧電性基板５の主面の周辺伝搬領域に、深さが弾性
表面波の波長λよりも浅い凹部１０（凹穴８または凹溝
９）が配設され、かつ凹部１０内に、シリコーン系やエ
ポキシ系の弾性表面波の吸収材１１が充填されている。
【００３９】このように構成される第９の実施例では、
凹部１０による弾性表面波の反射作用と、凹部１０の底
面を伝播する成分の吸収材１１による吸収効果との相乗
効果により、弾性表面波の漏洩成分による影響をより効
果的に防止することができる。また、従来の弾性表面波
フィルタに比べて、弾性表面波吸収材１１の使用量を少
なくすることができるうえに、凹部１０の内周面がダム
となるため、吸収材１１の凹部１０外への流動およびＩ
ＤＴ６等への吸収材１１の付着が生じるおそれがない。
したがって、ＩＤＴ６と圧電性基板５端面との間の距離
を減少することができ、大幅な小型化が達成される。
凹部１０による弾性表面波の反射作用と、凹部１０の底
面を伝播する成分の吸収材１１による吸収効果との相乗
効果により、弾性表面波の漏洩成分による影響をより効
果的に防止することができる。また、従来の弾性表面波
フィルタに比べて、弾性表面波吸収材１１の使用量を少
なくすることができるうえに、凹部１０の内周面がダム
となるため、吸収材１１の凹部１０外への流動およびＩ
ＤＴ６等への吸収材１１の付着が生じるおそれがない。
したがって、ＩＤＴ６と圧電性基板５端面との間の距離
を減少することができ、大幅な小型化が達成される。
【００４０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、圧電性基板上でＩＤＴにより励振される弾性
表面波の周辺伝搬領域に、１個または複数個の凹部が配
設されており、ＩＤＴから漏洩した弾性表面波は、この
凹部により反射されてＩＤＴに戻ることがないので、リ
ップルやスプリアスの発生が抑えられ、帯域外減衰量の
良好な弾性表面波素子が得られる。また、ＩＤＴからの
漏洩波を吸収材のみで吸収除去するように構成された従
来の弾性表面波素子に比べて、吸収材の使用量を少なく
して、ダレ量を最小限に抑えることができるので、より
小型化が図られる。
によれば、圧電性基板上でＩＤＴにより励振される弾性
表面波の周辺伝搬領域に、１個または複数個の凹部が配
設されており、ＩＤＴから漏洩した弾性表面波は、この
凹部により反射されてＩＤＴに戻ることがないので、リ
ップルやスプリアスの発生が抑えられ、帯域外減衰量の
良好な弾性表面波素子が得られる。また、ＩＤＴからの
漏洩波を吸収材のみで吸収除去するように構成された従
来の弾性表面波素子に比べて、吸収材の使用量を少なく
して、ダレ量を最小限に抑えることができるので、より
小型化が図られる。
【図１】本発明の第１の実施例である弾性表面波フィル
タの概略構成を示す斜視図。
タの概略構成を示す斜視図。
【図２】本発明の第２の実施例の概略構成を示す斜視
図。
図。
【図３】本発明の第３の実施例の概略構成を示す斜視
図。
図。
【図４】本発明の第４の実施例の概略構成を示す斜視
図。
図。
【図５】本発明の第５の実施例の弾性表面波フィルタに
おいて、凹部の形状を示す断面図。
おいて、凹部の形状を示す断面図。
【図６】本発明の第６の実施例の弾性表面波フィルタに
おいて、凹部の形状を示す断面図。
おいて、凹部の形状を示す断面図。
【図７】本発明の第７の実施例の弾性表面波フィルタに
おいて、凹部の形状を示す断面図。
おいて、凹部の形状を示す断面図。
【図８】本発明の第８の実施例において、凹部の形状を
示す断面図。
示す断面図。
【図９】本発明の第９の実施例において、凹部の形状お
よび構造を示す断面図。
よび構造を示す断面図。
【図１０】従来からの弾性表面波フィルタの概略構成を
示す斜視図。
示す斜視図。
５………圧電性基板 ６………ＩＤＴ ６ａ………入力用ＩＤＴ ６ｂ………出力用ＩＤＴ ７………ボンディングパッド ８………凹穴 ９………凹溝 １０………凹部 １１………弾性表面波の吸収材
Claims (10)
- 【請求項１】 圧電性基板と、この圧電性基板の主面に
配設された櫛歯状電極とを備え、前記圧電性基板の主面
において、前記櫛歯状電極と、この櫛歯状電極により励
振される弾性表面波の伝搬方向側の端面との間の領域
に、前記弾性表面波の波長（以下、λで表わす。）より
も浅い最深部を有する凹部を設けたことを特徴とする弾
性表面波素子。 - 【請求項２】 前記凹部が、前記弾性表面波の伝搬方向
に対して垂直な平面状の内周面を持たないことを特徴と
する請求項１記載の弾性表面波素子。 - 【請求項３】 前記凹部が溝状をなしており、かつこの
凹溝が、内周面が前記弾性表面波の伝搬方向に対して直
角以外の角度をなすように、配設されていることを特徴
とする請求項１記載の弾性表面波素子。 - 【請求項４】 前記凹部が、前記圧電性基板の主面に対
して垂直な内周面を持たないことを特徴とする請求項１
乃至３のいずれか１項記載の弾性表面波素子。 - 【請求項５】 前記凹部の前記櫛歯状電極側の内周面に
おいて、前記圧電性基板の主面側の端部と前記最深部の
底面側の端部との間の水平距離が、（1/2 ｎ＋ 1/4）λ
（但し、ｎは整数。以下同じ。）となっていることを特
徴とする請求項４記載の弾性表面波素子。 - 【請求項６】 前記凹部の前記櫛歯状電極側の内周面
が、１段または２段以上の段差を有し、かつ前記段差の
水平方向の長さが、（1/2 ｎ＋ 1/4）λであることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の弾性表面
波素子。 - 【請求項７】 前記凹部の最深部の底面において、前記
弾性表面波の伝搬方向に沿った長さが、（1/2 ｎ＋ 1/
4）λとなっていることを特徴とする請求項１乃至６の
いずれか１項記載の弾性表面波素子。 - 【請求項８】 前記凹部が、複数配設されていることを
特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の弾性表
面波素子。 - 【請求項９】 前記複数の凹部が、前記最深部の底面の
中心の間隔で、（1/2 ｎ＋ 1/4）λの距離をおいてそれ
ぞれ配設されていることを特徴とする請求項８記載の弾
性表面波素子。 - 【請求項１０】 前記凹部の内部に、前記弾性表面波の
吸収材が埋め込まれていることを特徴とする請求項１乃
至９のいずれか１項記載の弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27407198A JP2000106519A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27407198A JP2000106519A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000106519A true JP2000106519A (ja) | 2000-04-11 |
Family
ID=17536578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27407198A Withdrawn JP2000106519A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000106519A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232261A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Kinseki Ltd | 弾性表面波装置 |
| US7038353B2 (en) * | 2001-01-10 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| WO2017110337A1 (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2018042964A1 (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2018163860A1 (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路、通信装置及び弾性波装置の製造方法 |
| CN110426122A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-08 | 扬州大学 | 一种表面声波波束散射检测芯片 |
| WO2020201226A1 (en) * | 2019-04-05 | 2020-10-08 | RF360 Europe GmbH | Surface acoustic wave resonator arrangement |
-
1998
- 1998-09-28 JP JP27407198A patent/JP2000106519A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7038353B2 (en) * | 2001-01-10 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| JP2002232261A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Kinseki Ltd | 弾性表面波装置 |
| WO2017110337A1 (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JPWO2017110337A1 (ja) * | 2015-12-24 | 2017-12-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| US11742830B2 (en) | 2015-12-24 | 2023-08-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
| WO2018042964A1 (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2018163860A1 (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路、通信装置及び弾性波装置の製造方法 |
| CN110383682A (zh) * | 2017-03-06 | 2019-10-25 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、高频前端电路、通信装置及弹性波装置的制造方法 |
| US10771039B2 (en) | 2017-03-06 | 2020-09-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave device, high frequency front end circuit, communication apparatus, and manufacturing method for acoustic wave device |
| WO2020201226A1 (en) * | 2019-04-05 | 2020-10-08 | RF360 Europe GmbH | Surface acoustic wave resonator arrangement |
| CN110426122A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-08 | 扬州大学 | 一种表面声波波束散射检测芯片 |
| CN110426122B (zh) * | 2019-07-30 | 2022-02-22 | 扬州大学 | 一种表面声波波束散射检测芯片 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |