JPH09261000A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
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- JPH09261000A JPH09261000A JP6395796A JP6395796A JPH09261000A JP H09261000 A JPH09261000 A JP H09261000A JP 6395796 A JP6395796 A JP 6395796A JP 6395796 A JP6395796 A JP 6395796A JP H09261000 A JPH09261000 A JP H09261000A
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- surface acoustic
- wave
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- waves
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ3 基板上の擬似弾性表
面波を利用する弾性表面波デバイスにおいて、入出力交
差指状電極より漏れ出た不要波が基板端部より反射し、
再度入出力電極に入射することで、振幅特性を劣化させ
ることを防止する。 【解決手段】 ３６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ3 基板１１上で、
表面波の伝搬方向の端部に交差指状電極１２Ａ，１２Ｂ
と同じ材料の金属膜１３Ａ，１３Ｂを形成し、更にその
金属膜上にシリコーン樹脂系の吸収体１４Ａ，１４Ｂを
塗布することで、入出力電極１２Ａ，１２Ｂから漏れ出
た不要波１５Ａ，１５Ｂを減衰させる。
面波を利用する弾性表面波デバイスにおいて、入出力交
差指状電極より漏れ出た不要波が基板端部より反射し、
再度入出力電極に入射することで、振幅特性を劣化させ
ることを防止する。 【解決手段】 ３６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ3 基板１１上で、
表面波の伝搬方向の端部に交差指状電極１２Ａ，１２Ｂ
と同じ材料の金属膜１３Ａ，１３Ｂを形成し、更にその
金属膜上にシリコーン樹脂系の吸収体１４Ａ，１４Ｂを
塗布することで、入出力電極１２Ａ，１２Ｂから漏れ出
た不要波１５Ａ，１５Ｂを減衰させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波デバイス
に関し、特に擬似弾性表面波を用いた弾性表面波デバイ
スの不要表面波の減衰方式に関するものである。
に関し、特に擬似弾性表面波を用いた弾性表面波デバイ
スの不要表面波の減衰方式に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波デバイスにおいて、擬似弾性
表面波を利用する場合には、不要な表面波が生じるの
で、この不要表面波を減衰させることが必要となる。
表面波を利用する場合には、不要な表面波が生じるの
で、この不要表面波を減衰させることが必要となる。
【０００３】この不要表面波の減衰のための従来例とし
ては、特開平４−２５８００９号公報に示されたものが
ある。図６はこの公報に開示の構造（断面）を示す図で
ある。図６において、圧電基板１１は３６°X-Y Ｌi Ｔ
a Ｏ3 単結晶基板であり、この基板１１の一主表面上に
は、入出力電極となる一対の交差指状電極１２Ａ，１２
Ｂが形成されている。
ては、特開平４−２５８００９号公報に示されたものが
ある。図６はこの公報に開示の構造（断面）を示す図で
ある。図６において、圧電基板１１は３６°X-Y Ｌi Ｔ
a Ｏ3 単結晶基板であり、この基板１１の一主表面上に
は、入出力電極となる一対の交差指状電極１２Ａ，１２
Ｂが形成されている。
【０００４】これ等一対の電極１２Ａ，１２Ｂの各端部
には、スパッタリング法等によりＳi Ｏ2 膜１８Ａ，１
８Ｂが選択的に形成されており、その上にはシリコン樹
脂系吸収体（シリコンゴム）１４Ａ，１４Ｂが形成され
ている。
には、スパッタリング法等によりＳi Ｏ2 膜１８Ａ，１
８Ｂが選択的に形成されており、その上にはシリコン樹
脂系吸収体（シリコンゴム）１４Ａ，１４Ｂが形成され
ている。
【０００５】一般に、通常のX-１１２°Y Ｌi Ｔa Ｏ3
，１２８°Y-X Ｌi Ｎb Ｏ3 等の圧電基板上に交差指
状電極を形成し弾性表面波デバイス構成させた場合に
は、利用できる表面波モードはレイリー波である。レイ
リー波は伝搬する波の全エネルギーの９０％が１波長の
深さ以内に含まれているため、基板表面に直接吸収体を
塗布することで不要な表面波を減衰させている。
，１２８°Y-X Ｌi Ｎb Ｏ3 等の圧電基板上に交差指
状電極を形成し弾性表面波デバイス構成させた場合に
は、利用できる表面波モードはレイリー波である。レイ
リー波は伝搬する波の全エネルギーの９０％が１波長の
深さ以内に含まれているため、基板表面に直接吸収体を
塗布することで不要な表面波を減衰させている。
【０００６】しかしながら、図６において用いられてい
る基板１１である３６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ3 圧電基板上で
励振される表面波は、伝搬路の表面状態によりリーキ波
とよばれる擬似弾性表面波が主要伝搬する場合と、ＳＳ
ＢＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｋｉｍｍｉｎｇ Ｂｕｌｋ
Ｗａｖｅ）と呼ばれる横波モードが主要伝搬する場合が
ある。
る基板１１である３６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ3 圧電基板上で
励振される表面波は、伝搬路の表面状態によりリーキ波
とよばれる擬似弾性表面波が主要伝搬する場合と、ＳＳ
ＢＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｋｉｍｍｉｎｇ Ｂｕｌｋ
Ｗａｖｅ）と呼ばれる横波モードが主要伝搬する場合が
ある。
【０００７】これ等の擬似弾性表面波は、前述のレイリ
ー波に比べ伝搬速度が速く、電気機械結合係数大きく、
温度係数も優れている利点があるが、リーキ波がレイリ
ー波と同様に表面近傍にそのエネルギーが集中して伝搬
する波なのに対し、ＳＳＢＷは基板表面と平行に基板内
部を伝搬するモードである。このため、不要波がＳＳＢ
Ｗモードで伝搬すると、基板表面にシリコン等の吸収材
料を塗布しても減衰させることはできない。
ー波に比べ伝搬速度が速く、電気機械結合係数大きく、
温度係数も優れている利点があるが、リーキ波がレイリ
ー波と同様に表面近傍にそのエネルギーが集中して伝搬
する波なのに対し、ＳＳＢＷは基板表面と平行に基板内
部を伝搬するモードである。このため、不要波がＳＳＢ
Ｗモードで伝搬すると、基板表面にシリコン等の吸収材
料を塗布しても減衰させることはできない。
【０００８】以上のことから、この特開平４−２５８０
０９号では、３６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ3 単結晶基板を伝搬
する擬似弾性表面波を利用する場合に、伝搬方向の基板
１１の表面端部にＳi Ｏ2 膜１８Ａ，１８Ｂをスパッタ
することで、入出力電極１２Ａ，１２Ｂから漏れ出た不
要波１２Ａ，１２ＢがＳＳＢＷモードではなくリーキ波
モードとして主要伝搬するようにし、その上部に吸収体
１４Ａ，１４Ｂをよふすることで不要波１５Ａ，１５Ｂ
を減衰させている。
０９号では、３６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ3 単結晶基板を伝搬
する擬似弾性表面波を利用する場合に、伝搬方向の基板
１１の表面端部にＳi Ｏ2 膜１８Ａ，１８Ｂをスパッタ
することで、入出力電極１２Ａ，１２Ｂから漏れ出た不
要波１２Ａ，１２ＢがＳＳＢＷモードではなくリーキ波
モードとして主要伝搬するようにし、その上部に吸収体
１４Ａ，１４Ｂをよふすることで不要波１５Ａ，１５Ｂ
を減衰させている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の図６に示した弾
性表面波デバイスの構造においては、Ｓi Ｏ2 膜１８
Ａ，１８Ｂをスパッタリング等の方法により形成する工
程の他に、更に、不要部分を除去するためにエッチング
の工程が必要となり、少なくともそのために２工程が増
えることになる。また、この余計な工程が増えるため
に、製造上の歩留りが悪化する欠点もある。
性表面波デバイスの構造においては、Ｓi Ｏ2 膜１８
Ａ，１８Ｂをスパッタリング等の方法により形成する工
程の他に、更に、不要部分を除去するためにエッチング
の工程が必要となり、少なくともそのために２工程が増
えることになる。また、この余計な工程が増えるため
に、製造上の歩留りが悪化する欠点もある。
【００１０】本発明の目的は、一般の弾性表面波デバイ
スと同じく簡素化された構造にてＳＳＢＷモードの不要
波を抑圧し、かつ製造コストを低くすることが可能な弾
性表面波デバイスを提供することである。
スと同じく簡素化された構造にてＳＳＢＷモードの不要
波を抑圧し、かつ製造コストを低くすることが可能な弾
性表面波デバイスを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、圧電基
板と、この圧電基板の主表面上に形成された交差指状電
極とを含む弾性表面波デバイスであって、前記主表面上
において表面波の伝播方向の端部に形成された前記交差
指状電極と同一材料の金属薄膜と、この金属薄膜上に形
成された吸収体とを含むことを特徴とする弾性表面波デ
バイスが得られる。
板と、この圧電基板の主表面上に形成された交差指状電
極とを含む弾性表面波デバイスであって、前記主表面上
において表面波の伝播方向の端部に形成された前記交差
指状電極と同一材料の金属薄膜と、この金属薄膜上に形
成された吸収体とを含むことを特徴とする弾性表面波デ
バイスが得られる。
【００１２】そして、前記圧電基板は３６°Y-X Ｌi Ｔ
a Ｏ3 であることを特徴としている。また、前記吸収体
はシリコーン樹脂系の材料からなることを特徴としてい
る。更に、前記金属薄膜と前記吸収体とに代えて、導電
性の吸収体としたことを特徴としている。
a Ｏ3 であることを特徴としている。また、前記吸収体
はシリコーン樹脂系の材料からなることを特徴としてい
る。更に、前記金属薄膜と前記吸収体とに代えて、導電
性の吸収体としたことを特徴としている。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の作用について述べる。３
６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ3 単結晶基板を伝搬する擬似弾性表
面波を利用する場合に、伝搬方向の基板表面端部に金属
膜を形成することで、入出力電極から漏れ出た不要波が
ＳＳＢＷモードではなくリーキ波モードとして主要伝搬
し、その上部に吸収体を塗布することで不要波を減衰さ
せる。
６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ3 単結晶基板を伝搬する擬似弾性表
面波を利用する場合に、伝搬方向の基板表面端部に金属
膜を形成することで、入出力電極から漏れ出た不要波が
ＳＳＢＷモードではなくリーキ波モードとして主要伝搬
し、その上部に吸収体を塗布することで不要波を減衰さ
せる。
【００１４】以下に図面を参照しつつ本発明の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１５】図１は本発明の実施例の平面図であり、図
２は図１のＸ−Ｘ´線に沿う矢視方向断面図である。
尚、図１，２において図６と同等部分は同一符号にて示
している。
２は図１のＸ−Ｘ´線に沿う矢視方向断面図である。
尚、図１，２において図６と同等部分は同一符号にて示
している。
【００１６】基板１１としては、３６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ
3 圧電基板であり、この一主表面上に入出力電極となる
一対の交差指状電極１２Ａ，１２Ｂが形成されている。
例えば、交差指状電極１２Ａにより励振された表面波
は、圧電基板１１上を伝搬して行き、交差指状電極１２
Ｂにおいて電気信号に変換される。
3 圧電基板であり、この一主表面上に入出力電極となる
一対の交差指状電極１２Ａ，１２Ｂが形成されている。
例えば、交差指状電極１２Ａにより励振された表面波
は、圧電基板１１上を伝搬して行き、交差指状電極１２
Ｂにおいて電気信号に変換される。
【００１７】図において、１５Ａ，１５Ｂは漏出した不
要波を示しており、その伝搬路は金属薄膜１３Ａ，１３
Ｂにて覆われており、これ等金属薄膜１３Ａ，１３Ｂ上
には、シリコーン樹脂系の吸収体１４Ａ，１４Ｂが設け
られており、この吸収体１４Ａ，１４Ｂにより不要波１
５Ａ，１５Ｂは減衰するようになっている。
要波を示しており、その伝搬路は金属薄膜１３Ａ，１３
Ｂにて覆われており、これ等金属薄膜１３Ａ，１３Ｂ上
には、シリコーン樹脂系の吸収体１４Ａ，１４Ｂが設け
られており、この吸収体１４Ａ，１４Ｂにより不要波１
５Ａ，１５Ｂは減衰するようになっている。
【００１８】一般に、通常よくＳＡＷデバイスに用いら
れているX-１１２°Y Ｌi Ｔa Ｏ3、１２８°Y-X Ｌi
Ｎb Ｏ3 等の圧電基板上に交差指状電極を形成し、弾性
表面波デバイスを構成した場合には、利用できる表面波
モードはレイリー波である。レイリー波は伝搬する波の
全エネルギーの９０％が１波長の深さ以内に含まれてい
るため、基板表面に直接吸収体を塗布することで容易に
不要な表面波を減衰させることが可能である。
れているX-１１２°Y Ｌi Ｔa Ｏ3、１２８°Y-X Ｌi
Ｎb Ｏ3 等の圧電基板上に交差指状電極を形成し、弾性
表面波デバイスを構成した場合には、利用できる表面波
モードはレイリー波である。レイリー波は伝搬する波の
全エネルギーの９０％が１波長の深さ以内に含まれてい
るため、基板表面に直接吸収体を塗布することで容易に
不要な表面波を減衰させることが可能である。
【００１９】本発明で使用する３６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ3
圧電基板１１上で励振される表面波は、擬似弾性表面波
である。この擬似弾性表面波は、前述のレイリー波に比
べ伝搬速度が速く、電気機械結合係数が大きく、温度係
数も優れている。
圧電基板１１上で励振される表面波は、擬似弾性表面波
である。この擬似弾性表面波は、前述のレイリー波に比
べ伝搬速度が速く、電気機械結合係数が大きく、温度係
数も優れている。
【００２０】しかしながら、文献「１９７８ Ｐｒｏ
ｃ．ＩＥＥＥ Ｕｉｔｒａｓｏｎ．Ｓｙｍｐ．，ｐｐ．
５８６−５８９」によると、伝搬路の電気的状態により
主要伝搬する弾性波モードが変わる特徴がある。基板表
面が電気的に短絡状態にあるとリーキ波が主要伝搬し、
電気的に短絡されていない自由表面であると、ＳＳＢＷ
（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｋｉｍｍｉｎｇ Ｂｕｌｋ Ｗａ
ｖｅ）と呼ばれる横波が主要伝搬する。リーキ波はレイ
リー波と同様に表面近傍にそのエネルギーが集中して伝
搬する波であるが、ＳＳＢＷは基板表面と平行に基板内
部を伝搬する横波である。
ｃ．ＩＥＥＥ Ｕｉｔｒａｓｏｎ．Ｓｙｍｐ．，ｐｐ．
５８６−５８９」によると、伝搬路の電気的状態により
主要伝搬する弾性波モードが変わる特徴がある。基板表
面が電気的に短絡状態にあるとリーキ波が主要伝搬し、
電気的に短絡されていない自由表面であると、ＳＳＢＷ
（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｋｉｍｍｉｎｇ Ｂｕｌｋ Ｗａ
ｖｅ）と呼ばれる横波が主要伝搬する。リーキ波はレイ
リー波と同様に表面近傍にそのエネルギーが集中して伝
搬する波であるが、ＳＳＢＷは基板表面と平行に基板内
部を伝搬する横波である。
【００２１】従って、擬似弾性表面波を利用する場合に
は、不要波１５Ａ，１５ＢがＳＳＢＷモードで伝搬する
と、基板１１の表面にシリコン等の吸収体を塗布しても
十分減衰されず基板１１の端部で反射し、再度入出力電
極１２Ａ，１２Ｂに入射しリップルを大きくする。
は、不要波１５Ａ，１５ＢがＳＳＢＷモードで伝搬する
と、基板１１の表面にシリコン等の吸収体を塗布しても
十分減衰されず基板１１の端部で反射し、再度入出力電
極１２Ａ，１２Ｂに入射しリップルを大きくする。
【００２２】そこで、本発明では、圧電基板１１上の表
面端部（不要波の伝搬方向において）に金属薄膜１３
Ａ，１３Ｂを設けている。漏れ出た不要波１５Ａ，１５
Ｂは、伝搬路表面が金属薄膜１３Ａ，１３Ｂにより電気
的に短絡されているため、伝搬路表面にエネルギーが集
中し、表面にシリコン樹脂系の吸収体１４Ａ，１４Ｂを
塗るだけで不要波１５Ａ，１５Ｂを減衰させることが可
能となる。
面端部（不要波の伝搬方向において）に金属薄膜１３
Ａ，１３Ｂを設けている。漏れ出た不要波１５Ａ，１５
Ｂは、伝搬路表面が金属薄膜１３Ａ，１３Ｂにより電気
的に短絡されているため、伝搬路表面にエネルギーが集
中し、表面にシリコン樹脂系の吸収体１４Ａ，１４Ｂを
塗るだけで不要波１５Ａ，１５Ｂを減衰させることが可
能となる。
【００２３】本発明では、この金属薄膜１３Ａ，１３Ｂ
を入出力電極１２Ａ，１２Ｂと同じ材料としているた
め、製造工程では、入出力電極１２Ａ，１２Ｂと同時に
作製することが可能である。これは、ＳＡＷデバイスの
通常製造工程のため、本発明によるコストアップはな
い。
を入出力電極１２Ａ，１２Ｂと同じ材料としているた
め、製造工程では、入出力電極１２Ａ，１２Ｂと同時に
作製することが可能である。これは、ＳＡＷデバイスの
通常製造工程のため、本発明によるコストアップはな
い。
【００２４】図５は、本発明にて擬似弾性表面波を利用
し、フィルタを構成させた時の振幅特性である。実線５
１が、本発明の特性例であり、点線５２が本発明と異な
り金属薄膜を付けることなくシリコン樹脂系吸収体を塗
布した特性例である。本発明による特性では、端面反射
波による影響のない低リップルを実現しているが、本発
明を用いない特性では大きなリップルが現れる。
し、フィルタを構成させた時の振幅特性である。実線５
１が、本発明の特性例であり、点線５２が本発明と異な
り金属薄膜を付けることなくシリコン樹脂系吸収体を塗
布した特性例である。本発明による特性では、端面反射
波による影響のない低リップルを実現しているが、本発
明を用いない特性では大きなリップルが現れる。
【００２５】本発明では、不要波がリーキ波モードとし
て伝搬するように圧電基板１１の表面の端部に金属膜１
３Ａ，１３Ｂを設けており、この金属薄膜の材料は、純
ＡｌまたはＣｕやＳｉ等を含むＡｌ合金とし、入出力電
極１２Ａ，１２Ｂと同一材料にしている。このため入出
力電極と同時に作製可能となっている。
て伝搬するように圧電基板１１の表面の端部に金属膜１
３Ａ，１３Ｂを設けており、この金属薄膜の材料は、純
ＡｌまたはＣｕやＳｉ等を含むＡｌ合金とし、入出力電
極１２Ａ，１２Ｂと同一材料にしている。このため入出
力電極と同時に作製可能となっている。
【００２６】次に、本発明の他の実施例について図３を
参照して詳細に説明する。図３において、図１と同等部
分は同一符号にて示す。図３を参照すると、基板１１の
表面の端部に形成された金属膜が、金属グレーティング
１６Ａ，１６Ｂとなっている。この実施例においても、
擬似弾性表面波を利用する場合に、不要波１５Ａ，１５
Ｂの伝搬路上に金属グレーティング１６Ａ，１６Ｂが形
成されているため、不要波１５Ａ，１５ＢのモードがＳ
ＳＢＷからリーキ波モードとなる。従って、不要波１５
Ａ，１５Ｂをレイリー波のように基板表面に直接シリコ
ーン樹脂系吸収体１４Ａ，１４Ｂを塗布することで減衰
させることができ、低リップルの弾性表面波デバイスを
提供できる。
参照して詳細に説明する。図３において、図１と同等部
分は同一符号にて示す。図３を参照すると、基板１１の
表面の端部に形成された金属膜が、金属グレーティング
１６Ａ，１６Ｂとなっている。この実施例においても、
擬似弾性表面波を利用する場合に、不要波１５Ａ，１５
Ｂの伝搬路上に金属グレーティング１６Ａ，１６Ｂが形
成されているため、不要波１５Ａ，１５ＢのモードがＳ
ＳＢＷからリーキ波モードとなる。従って、不要波１５
Ａ，１５Ｂをレイリー波のように基板表面に直接シリコ
ーン樹脂系吸収体１４Ａ，１４Ｂを塗布することで減衰
させることができ、低リップルの弾性表面波デバイスを
提供できる。
【００２７】また、金属グレーティング１６Ａ，１６Ｂ
は入出力電極１２Ａ，１２Ｂと同じ材料でできるため、
製造は入出力電極１２Ａ，１２Ｂと同時に作製すること
が可能である。
は入出力電極１２Ａ，１２Ｂと同じ材料でできるため、
製造は入出力電極１２Ａ，１２Ｂと同時に作製すること
が可能である。
【００２８】次に、本発明の別の実施例について図４を
参照して詳細に説明する。図４において、図１〜３と同
等部分は同一符号にて示す。
参照して詳細に説明する。図４において、図１〜３と同
等部分は同一符号にて示す。
【００２９】図４を参照すると、基板１１の表面の端部
に例えばエポキシ樹脂系の導電性吸収体１７Ａ，１７Ｂ
が直接形成されている。この実施例においては、擬似弾
性表面波を利用する場合に、吸収体１７Ａ，１７Ｂが導
電性であるため、不要波１５Ａ，１５ＢのモードがＳＳ
ＢＷからリーキ波モードとなる。従って、不要波１５
Ａ，１５Ｂを減衰させることができ、低リップルの弾性
表面波デバイスを提供できる。
に例えばエポキシ樹脂系の導電性吸収体１７Ａ，１７Ｂ
が直接形成されている。この実施例においては、擬似弾
性表面波を利用する場合に、吸収体１７Ａ，１７Ｂが導
電性であるため、不要波１５Ａ，１５ＢのモードがＳＳ
ＢＷからリーキ波モードとなる。従って、不要波１５
Ａ，１５Ｂを減衰させることができ、低リップルの弾性
表面波デバイスを提供できる。
【００３０】
【発明の効果】第１の効果は、本発明では擬似弾性表面
波を利用する場合でも、レーリ波モードの表面波と同様
に、シリコーン樹脂系吸収体にて不要波の減衰が可能な
点である。その理由は、本発明にて不要波が基板表面に
エネルギーが集中するリーキ波モードにモード変換する
ため吸収体にて減衰するようになるからである。
波を利用する場合でも、レーリ波モードの表面波と同様
に、シリコーン樹脂系吸収体にて不要波の減衰が可能な
点である。その理由は、本発明にて不要波が基板表面に
エネルギーが集中するリーキ波モードにモード変換する
ため吸収体にて減衰するようになるからである。
【００３１】第２の効果は、本発明では、従来のＳＡＷ
デバイスと同じ工程にて製造が可能な点であり、追加工
程が不要である。その理由は、不要波をモード変換させ
るための金属膜は入出力電極と同じ材料であり、同時に
作製可能だからである。
デバイスと同じ工程にて製造が可能な点であり、追加工
程が不要である。その理由は、不要波をモード変換させ
るための金属膜は入出力電極と同じ材料であり、同時に
作製可能だからである。
【図１】本発明の弾性表面波デバイスの一実施例を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】図１の平面図のＸ−Ｘ´線に沿う矢視方向断面
図である。
図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す平面図である。
【図４】本発明の別の実施例を示す平面図である。
【図５】本発明の弾性表面波フィルタの一実施例におけ
る振幅特性例である。
る振幅特性例である。
【図６】従来の弾性表面波デバイスを示す断面図であ
る。
る。
１１ 圧電基板 １２Ａ，１２Ｂ 交差指状電極 １３Ａ，１３Ｂ 金属薄膜 １４Ａ，１４Ｂ シリコーン樹脂系吸収体 １５Ａ，１５Ｂ 不要波 １６Ａ，１６Ｂ 金属グレーティング １７Ａ，１７Ｂ エポキシ樹脂系吸収体
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電基板と、この圧電基板の主表面上に
形成された交差指状電極とを含む弾性表面波デバイスで
あって、前記主表面上において表面波の伝播方向の端部
に形成された前記交差指状電極と同一材料の金属薄膜
と、この金属薄膜上に形成された吸収体とを含むことを
特徴とする弾性表面波デバイス。 - 【請求項２】 前記圧電基板は３６°Y-X Ｌi Ｔa Ｏ3
であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバ
イス。 - 【請求項３】 前記吸収体はシリコーン樹脂系の材料か
らなることを特徴とする請求項２または３記載の弾性表
面波デバイス。 - 【請求項４】 前記金属薄膜と前記吸収体とに代えて、
導電性の吸収体としたことを特徴とする請求項１または
２記載の弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6395796A JPH09261000A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6395796A JPH09261000A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09261000A true JPH09261000A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13244315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6395796A Pending JPH09261000A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09261000A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009077350A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-03-21 JP JP6395796A patent/JPH09261000A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009077350A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
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