JPH09116378A - Ｉｄｔ励振デバイス - Google Patents
Ｉｄｔ励振デバイスInfo
- Publication number
- JPH09116378A JPH09116378A JP29737795A JP29737795A JPH09116378A JP H09116378 A JPH09116378 A JP H09116378A JP 29737795 A JP29737795 A JP 29737795A JP 29737795 A JP29737795 A JP 29737795A JP H09116378 A JPH09116378 A JP H09116378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- waves
- electrodes
- wave
- reflectors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＩＤＴ励振デバイスにおいて、基板端面からの
反射波を直接ＩＤＴ電極に受信させないようにし、該デ
バイスの共振スペクトルにおける不要波を大幅に抑制し
たデバイスを提供することを目的とする。 【解決手段】圧電基板の主面上にＩＤＴ電極およびその
両側に反射器を配置したＩＤＴ励振デバイスにおいて、
励振波の伝搬方向と基板の長辺方向を不平行とし、且
つ、長辺と短辺を直交させ、上記波の進行方向に対し短
辺を傾斜させる。
反射波を直接ＩＤＴ電極に受信させないようにし、該デ
バイスの共振スペクトルにおける不要波を大幅に抑制し
たデバイスを提供することを目的とする。 【解決手段】圧電基板の主面上にＩＤＴ電極およびその
両側に反射器を配置したＩＤＴ励振デバイスにおいて、
励振波の伝搬方向と基板の長辺方向を不平行とし、且
つ、長辺と短辺を直交させ、上記波の進行方向に対し短
辺を傾斜させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波デバイス
（以下ＳＡＷデバイスと言う）に関し、詳しくは、小型
化されたＳＡＷデバイスにおいて、基板端面を表面波の
進行方向に対し傾け、端面からの反射波に起因するスプ
リアスを大幅に抑えたＳＡＷデバイスに関する。
（以下ＳＡＷデバイスと言う）に関し、詳しくは、小型
化されたＳＡＷデバイスにおいて、基板端面を表面波の
進行方向に対し傾け、端面からの反射波に起因するスプ
リアスを大幅に抑えたＳＡＷデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、特に携帯電話に代表される移動通
信用の無線機等では小型化が急激に進み、これに伴い小
型デバイスの必要性はきわめて高く、また要求される内
容も厳しいものになっている。移動体通信用デバイスの
中で特に、ＳＡＷデバイスへの期待はその特徴、例え
ば、小型、耐震性、耐衝撃性、利便性、低コスト等によ
り益々高くなっている。
信用の無線機等では小型化が急激に進み、これに伴い小
型デバイスの必要性はきわめて高く、また要求される内
容も厳しいものになっている。移動体通信用デバイスの
中で特に、ＳＡＷデバイスへの期待はその特徴、例え
ば、小型、耐震性、耐衝撃性、利便性、低コスト等によ
り益々高くなっている。
【０００３】圧電基板の主表面にすだれ状電極（以下Ｉ
ＤＴ電極と言う）とその両側に反射器を配置した共振器
型ＳＡＷデバイスにおいては、小型化を追求すると弾性
波が伝搬するチップ（基板）の大きさを充分に長くとれ
ない。従って、反射器の本数が制限され表面波の振動エ
ネルギーが反射器間で充分に閉じこもらず、チップ端面
に達し、端面での反射によるスプリアスが発生し、該Ｓ
ＡＷデバイスを共振子としてフィルタに用いる場合、減
衰特性の劣化を来すことはよく知られている。
ＤＴ電極と言う）とその両側に反射器を配置した共振器
型ＳＡＷデバイスにおいては、小型化を追求すると弾性
波が伝搬するチップ（基板）の大きさを充分に長くとれ
ない。従って、反射器の本数が制限され表面波の振動エ
ネルギーが反射器間で充分に閉じこもらず、チップ端面
に達し、端面での反射によるスプリアスが発生し、該Ｓ
ＡＷデバイスを共振子としてフィルタに用いる場合、減
衰特性の劣化を来すことはよく知られている。
【０００４】従来より、上記スプリアスを抑圧するため
種々の工夫、改良がなされてきた。第１の手段は、反射
器の両端に、振動エネルギー吸収のためのアブソーバを
塗布して減衰させる方法や、電極の裏面を粗面加工して
裏面からの反射を減衰させる方法が挙げられる。図２
（ａ）は弾性表面波共振子の模式図で、２０は共振子、
２１は圧電基板、２１および２２は対向するＩＤＴ電
極、２４、２４はＩＤＴ電極の両側に配置された反射
器、２５、２５は粘着物質でできたアブソーバである。
ＩＤＴ励振電極２１、２２で励振された表面波は、左右
に伝搬し反射器のある領域で、多数の電極指によりＩＤ
Ｔ電極がある中央へ反射される。しかし、一部の波動エ
ネルギーは反射器を通り抜け基板の端面に達し、該端面
で反射されＩＤＴ電極で受信されて不要信号となる。こ
の不要波を抑圧するため、共振子の端部にアブソーバを
塗布し、端面での反射を減少させる方法がとられてき
た。
種々の工夫、改良がなされてきた。第１の手段は、反射
器の両端に、振動エネルギー吸収のためのアブソーバを
塗布して減衰させる方法や、電極の裏面を粗面加工して
裏面からの反射を減衰させる方法が挙げられる。図２
（ａ）は弾性表面波共振子の模式図で、２０は共振子、
２１は圧電基板、２１および２２は対向するＩＤＴ電
極、２４、２４はＩＤＴ電極の両側に配置された反射
器、２５、２５は粘着物質でできたアブソーバである。
ＩＤＴ励振電極２１、２２で励振された表面波は、左右
に伝搬し反射器のある領域で、多数の電極指によりＩＤ
Ｔ電極がある中央へ反射される。しかし、一部の波動エ
ネルギーは反射器を通り抜け基板の端面に達し、該端面
で反射されＩＤＴ電極で受信されて不要信号となる。こ
の不要波を抑圧するため、共振子の端部にアブソーバを
塗布し、端面での反射を減少させる方法がとられてき
た。
【０００５】第２の手段はチップ端面を斜めに切断して
端面での反射波が直接ＩＤＴ電極に戻らないようにする
方法である。図２（ｂ）は弾性表面波共振子２６の平面
図で、平行四辺形の圧電基板２７上に、同（ａ）と同様
に、ＩＤＴ電極２８、２９、反射器３０、３０を表面波
の進行方向に平行に配置してある。短辺は、基板の長辺
の垂線と角θをなして切り出される。このように短辺を
傾けると、ＩＤＴ電極２８、２９で励振された表面波は
端面で反射される時その伝搬方向変え、ＩＤＴ電極に直
接到達しないようになる。
端面での反射波が直接ＩＤＴ電極に戻らないようにする
方法である。図２（ｂ）は弾性表面波共振子２６の平面
図で、平行四辺形の圧電基板２７上に、同（ａ）と同様
に、ＩＤＴ電極２８、２９、反射器３０、３０を表面波
の進行方向に平行に配置してある。短辺は、基板の長辺
の垂線と角θをなして切り出される。このように短辺を
傾けると、ＩＤＴ電極２８、２９で励振された表面波は
端面で反射される時その伝搬方向変え、ＩＤＴ電極に直
接到達しないようになる。
【０００６】第３の手段は、基板の長辺方向に対しＩＤ
Ｔ電極パターンを若干傾けて配置した方法が特開昭５４
ー１３５７１に開示されている。図３（ａ）は基板３１
にＳＴカットを用い、ＩＤＴ電極３２、３３ともう一対
のＩＤＴ電極３４、３５を配置した２ポートＳＡＷ共振
子で、弾性表面波の伝搬方向が基板面内でＸ軸方向より
αだけ傾けると、弾性表面波の位相速度は傾斜角度αに
より変化するが、バルク波（スローシェア、ファースト
シェアおよびロンジチュジナルモード）は一定である。
この性質を使ってスプリアスとなるバスク波をフィルタ
の帯域内に取り入れスプリアスのない良好な濾波特性を
得られるとことが記述されている。
Ｔ電極パターンを若干傾けて配置した方法が特開昭５４
ー１３５７１に開示されている。図３（ａ）は基板３１
にＳＴカットを用い、ＩＤＴ電極３２、３３ともう一対
のＩＤＴ電極３４、３５を配置した２ポートＳＡＷ共振
子で、弾性表面波の伝搬方向が基板面内でＸ軸方向より
αだけ傾けると、弾性表面波の位相速度は傾斜角度αに
より変化するが、バルク波（スローシェア、ファースト
シェアおよびロンジチュジナルモード）は一定である。
この性質を使ってスプリアスとなるバスク波をフィルタ
の帯域内に取り入れスプリアスのない良好な濾波特性を
得られるとことが記述されている。
【０００７】さらに、第４の手段は、特開昭６３ー８４
３０９では、図３（ｂ）の様な弾性表面波共振子におい
て、圧電基板の端をＳＡＷの伝搬方向の垂線に対し傾斜
角α＝ｔａｎ-1（ｎλ／２Ｗ）（ｎは正の整数、λは波
長、ＷはＩＤＴの交叉幅）だけ傾けて切断した弾性表面
波共振子を提案している。ＳＡＷ共振子３０にＩＤＴ電
極３２、３３および反射器３６、３６を配置し、表面波
の伝搬方向の垂線とαなして短辺を切断する。デバイス
が小型化になり、チップの大きさを充分にとれず反射器
の本数が制約されるようになると、この反射器本数の減
少を補うため電極膜厚を厚くすることにより、反射器１
本当たりの反射率を高めて特性を補っていた。しかし、
反射器本数が減少すると振動エネルギーが反射器内に充
分に閉じこもらず、チップの両端に漏れ出す割合が多く
なってくる。ここで、上記傾斜角αだけ端面をかてむけ
ると、チップのエッジで反射される波が、共振している
ＳＡＷの波と位相が合うところと合わないところが平均
的に存在し、Ｑ値も平均的でチップのエッジにアブソー
バを塗布した場合とほぼ同じ効果がえられることが記述
されている。
３０９では、図３（ｂ）の様な弾性表面波共振子におい
て、圧電基板の端をＳＡＷの伝搬方向の垂線に対し傾斜
角α＝ｔａｎ-1（ｎλ／２Ｗ）（ｎは正の整数、λは波
長、ＷはＩＤＴの交叉幅）だけ傾けて切断した弾性表面
波共振子を提案している。ＳＡＷ共振子３０にＩＤＴ電
極３２、３３および反射器３６、３６を配置し、表面波
の伝搬方向の垂線とαなして短辺を切断する。デバイス
が小型化になり、チップの大きさを充分にとれず反射器
の本数が制約されるようになると、この反射器本数の減
少を補うため電極膜厚を厚くすることにより、反射器１
本当たりの反射率を高めて特性を補っていた。しかし、
反射器本数が減少すると振動エネルギーが反射器内に充
分に閉じこもらず、チップの両端に漏れ出す割合が多く
なってくる。ここで、上記傾斜角αだけ端面をかてむけ
ると、チップのエッジで反射される波が、共振している
ＳＡＷの波と位相が合うところと合わないところが平均
的に存在し、Ｑ値も平均的でチップのエッジにアブソー
バを塗布した場合とほぼ同じ効果がえられることが記述
されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た第１から第４の従来技術には次の様な種々の問題があ
る。即ち、第１の反射器の両端にエネルギー吸収用のア
ブソーバを塗布する手段では、アブソーバを塗布するた
めの面積の増加、塗布するときの品質のバラツキおよび
加工工数が必要になるが、これは小型化および低コスト
化を疎外する要因となる。また、基板裏面の粗面加工も
スプリアス抑制にはほとんど効果は期待できない。第２
のチップ端面を斜めに切断する手段では、ダイシング工
程が複雑になり、平行四辺形にするためチップが大きく
なるという欠点があった。さらに、チップが平行四辺形
であると、組立工程において鋭角部が破損し易いという
欠点もあった。第３の手段では、ＳＡＷ共振子をフィル
タデバイスに用いる場合に関してのみ、スローシェアー
だけは対処できるが他のモードは抑圧できないとういう
欠点があった。第４の手段では、ＳＡＷ共振子のＱ値を
平均化するのみでフィルタに用いる場合は不十分で、ス
プリアスを積極的に抑圧する手段ではないという欠点が
あった。
た第１から第４の従来技術には次の様な種々の問題があ
る。即ち、第１の反射器の両端にエネルギー吸収用のア
ブソーバを塗布する手段では、アブソーバを塗布するた
めの面積の増加、塗布するときの品質のバラツキおよび
加工工数が必要になるが、これは小型化および低コスト
化を疎外する要因となる。また、基板裏面の粗面加工も
スプリアス抑制にはほとんど効果は期待できない。第２
のチップ端面を斜めに切断する手段では、ダイシング工
程が複雑になり、平行四辺形にするためチップが大きく
なるという欠点があった。さらに、チップが平行四辺形
であると、組立工程において鋭角部が破損し易いという
欠点もあった。第３の手段では、ＳＡＷ共振子をフィル
タデバイスに用いる場合に関してのみ、スローシェアー
だけは対処できるが他のモードは抑圧できないとういう
欠点があった。第４の手段では、ＳＡＷ共振子のＱ値を
平均化するのみでフィルタに用いる場合は不十分で、ス
プリアスを積極的に抑圧する手段ではないという欠点が
あった。
【０００９】本発明は上記に鑑みてなされたものであ
り、圧電基板上にＩＤＴ電極とその両側に反射器を配置
した弾性表面波共振器において、表面波およびバルク波
の伝搬方向に対し上記圧電基板の長辺方向を傾け且つ、
短辺を長辺に対し直角に切り出すことにより、表面波お
よびバルク波の端面からの反射をＩＤＴ電極に直接戻ら
ないようして、大幅にスプリアスを抑圧した表面波デバ
イスを提供することを目的とする。
り、圧電基板上にＩＤＴ電極とその両側に反射器を配置
した弾性表面波共振器において、表面波およびバルク波
の伝搬方向に対し上記圧電基板の長辺方向を傾け且つ、
短辺を長辺に対し直角に切り出すことにより、表面波お
よびバルク波の端面からの反射をＩＤＴ電極に直接戻ら
ないようして、大幅にスプリアスを抑圧した表面波デバ
イスを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、圧電基板の主面上にＩＤＴ電極と反射器を配
置したＩＤＴ励振デバイスで、該圧電基板の長辺とＳＡ
Ｗの伝搬方向とが不平行になるように前記ＩＤＴ電極お
よび反射器を配置したＩＤＴ励振デバイスおいて、反射
器の長さをＬ1、該反射器端から基板の短辺までのまで
の長さをＬ2としたときＳＡＷの伝搬方向の垂線と短辺
とが １／２・ｔａｎ-1（Ｗ／（Ｌ1＋Ｌ2）） 以上の角度をなすようにし且つ、短辺が長辺と直交する
ことを特徴とするＩＤＴ励振デバイス。
本発明は、圧電基板の主面上にＩＤＴ電極と反射器を配
置したＩＤＴ励振デバイスで、該圧電基板の長辺とＳＡ
Ｗの伝搬方向とが不平行になるように前記ＩＤＴ電極お
よび反射器を配置したＩＤＴ励振デバイスおいて、反射
器の長さをＬ1、該反射器端から基板の短辺までのまで
の長さをＬ2としたときＳＡＷの伝搬方向の垂線と短辺
とが １／２・ｔａｎ-1（Ｗ／（Ｌ1＋Ｌ2）） 以上の角度をなすようにし且つ、短辺が長辺と直交する
ことを特徴とするＩＤＴ励振デバイス。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した実施
例に基づいて詳細に説明する。
例に基づいて詳細に説明する。
【００１２】図１（ａ）は本発明の実施例の構成を示す
平面図であり、ＳＡＷ共振子１は、圧電基板２の主面上
にＩＤＴ電極３および４、反射器５、５を該ＩＤＴ電極
が励起する表面波の伝搬方向に平行に配置して構成す
る。ＩＤＴ電極および反射器はアルミニウムあるいはア
ルミニウムを主成分とする合金を蒸着あるいはスッパタ
リング等で付着させ、ホトリソグラフィ手法で形成す
る。ＩＤＴ電極指周期λおよび反射器の周期は、ほぼ中
心周波数より決まり、基準化電極膜厚ｈ／λおよびＩＤ
Ｔ電極指の交叉幅Ｗは、実験に基づく適正値に選ぶ。
平面図であり、ＳＡＷ共振子１は、圧電基板２の主面上
にＩＤＴ電極３および４、反射器５、５を該ＩＤＴ電極
が励起する表面波の伝搬方向に平行に配置して構成す
る。ＩＤＴ電極および反射器はアルミニウムあるいはア
ルミニウムを主成分とする合金を蒸着あるいはスッパタ
リング等で付着させ、ホトリソグラフィ手法で形成す
る。ＩＤＴ電極指周期λおよび反射器の周期は、ほぼ中
心周波数より決まり、基準化電極膜厚ｈ／λおよびＩＤ
Ｔ電極指の交叉幅Ｗは、実験に基づく適正値に選ぶ。
【００１３】本発明になるＳＡＷ共振子はＳＡＷデバイ
スの小型化を指向したものであり、その構成は、図１
（ａ）に示すように片側の反射器５の長さＬ1、該反射
器端から基板短辺までの長さをＬ2、およびＳＡＷの伝
搬方向の垂線と短辺とのなす角をθとし、且つ基板の長
辺と短辺は直交させる。励振用ＩＤＴ電極３、４で励起
された表面波およびバルク波はＩＤＴ電極３、４、反射
器５、５と両側に平行に伝搬し反射領域に入り、表面波
は反射器５、５の多数の電極指で反射されるが、表面波
の一部およびバルク波の振動エネルギーは反射器を通り
抜け、短辺の端面に達する。ここで、端面の傾斜角θは
端面からの反射波が直接ＩＤＴに入射しない角度に設定
する必要がある。
スの小型化を指向したものであり、その構成は、図１
（ａ）に示すように片側の反射器５の長さＬ1、該反射
器端から基板短辺までの長さをＬ2、およびＳＡＷの伝
搬方向の垂線と短辺とのなす角をθとし、且つ基板の長
辺と短辺は直交させる。励振用ＩＤＴ電極３、４で励起
された表面波およびバルク波はＩＤＴ電極３、４、反射
器５、５と両側に平行に伝搬し反射領域に入り、表面波
は反射器５、５の多数の電極指で反射されるが、表面波
の一部およびバルク波の振動エネルギーは反射器を通り
抜け、短辺の端面に達する。ここで、端面の傾斜角θは
端面からの反射波が直接ＩＤＴに入射しない角度に設定
する必要がある。
【００１４】図１（ｂ）は、同（ａ）において基板短辺
の端面における表面波およびバルク波の反射を説明する
図で、基板２とＩＤＴ電極３、４との位置関係を示し、
端面Ａ−Ｂは表面波の伝搬方向の垂線とθの角度をな
し、端面Ａ−Ｂの法線をＣーＤとする。この図の様な条
件のもとで、ＩＤＴ電極により励振された表面波および
バルク波はＩＤＴ電極に平行して進み、前記の波の上端
が端面Ａ−Ｂで反射しＩＤＴ側に折り返す様子を図示し
ている。基板と電極の配置上、波の上端の反射波がＩＤ
Ｔに係らない角度を求めれば、こらがクリチカルアング
ルでこれより角度θが大きければ反射波はＩＤＴ電極に
直接再入力する事はない。反射の条件より角Ｓ1ＣＤと
ＤＣＳ2は同じになり、ＩＤＴ電極端から基板端面まで
の距離はＬ1＋Ｌ2であるから、クリチカルアングルは １／２・ｔａｎ-1（Ｗ／（Ｌ1＋Ｌ2）） となる。これよりθを大きく選べば反射波によるスプリ
アスは、抑えられる。
の端面における表面波およびバルク波の反射を説明する
図で、基板２とＩＤＴ電極３、４との位置関係を示し、
端面Ａ−Ｂは表面波の伝搬方向の垂線とθの角度をな
し、端面Ａ−Ｂの法線をＣーＤとする。この図の様な条
件のもとで、ＩＤＴ電極により励振された表面波および
バルク波はＩＤＴ電極に平行して進み、前記の波の上端
が端面Ａ−Ｂで反射しＩＤＴ側に折り返す様子を図示し
ている。基板と電極の配置上、波の上端の反射波がＩＤ
Ｔに係らない角度を求めれば、こらがクリチカルアング
ルでこれより角度θが大きければ反射波はＩＤＴ電極に
直接再入力する事はない。反射の条件より角Ｓ1ＣＤと
ＤＣＳ2は同じになり、ＩＤＴ電極端から基板端面まで
の距離はＬ1＋Ｌ2であるから、クリチカルアングルは １／２・ｔａｎ-1（Ｗ／（Ｌ1＋Ｌ2）） となる。これよりθを大きく選べば反射波によるスプリ
アスは、抑えられる。
【００１５】圧電基板上に配置されたＩＤＴ電極で励振
される波は所謂表面波（Rayleigh波）だけでなく、基板
材料、切断角度、伝搬方向およびＩＤＴ電極の厚さによ
り圧電表面すべり波（BGS波）、漏洩弾性表面波（Leaky
SAW）、ＳＳＢＷ等の各種の波が存在する。これらの波
を本発明になる手段に適用できることは自明である。ま
た、従来技術で説明したスローシェアー、ファーストシ
ェアー、およびロンジチュジナル等の波は、所謂表面波
を用いてデバイスを構成する場合は不要波となり、これ
らを抑圧する必要がある。同様に、どの波を用いるかに
より、該波動以外は不要波となり、抑圧の対象となる。
される波は所謂表面波（Rayleigh波）だけでなく、基板
材料、切断角度、伝搬方向およびＩＤＴ電極の厚さによ
り圧電表面すべり波（BGS波）、漏洩弾性表面波（Leaky
SAW）、ＳＳＢＷ等の各種の波が存在する。これらの波
を本発明になる手段に適用できることは自明である。ま
た、従来技術で説明したスローシェアー、ファーストシ
ェアー、およびロンジチュジナル等の波は、所謂表面波
を用いてデバイスを構成する場合は不要波となり、これ
らを抑圧する必要がある。同様に、どの波を用いるかに
より、該波動以外は不要波となり、抑圧の対象となる。
【００１６】以上、本発明の説明において、１ポート共
振子を用いて記述してきたが、本発明はこれに限ること
はなく２ポート共振子、多重モード結合フィルタ（縦結
合あるいは横結合）等に適用出来ることは自明である。
振子を用いて記述してきたが、本発明はこれに限ること
はなく２ポート共振子、多重モード結合フィルタ（縦結
合あるいは横結合）等に適用出来ることは自明である。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。Ｓ
ＡＷデバイスの小型化によりチップサイズも小さくな
り、これに伴い反射器の電極指本数の減少をきたし、表
面波振動のエネルギーを反射器に閉じこめられず一部の
表面波およびバルク波が両端部にもれだす。本発明にな
る伝搬方向と長辺を不平行とし、且つ、伝搬方向の垂線
と角度をもたせて短辺を切断することにより、反射波を
直接ＩＤＴ電極に到達させないため、スプリアスとして
ＩＤＴ電極が受信する信号も大幅に抑えることができ
る。本発明を小型ＳＡＷデバイス適用することにより、
アブソーバの塗布が不要になり、またアブソーバ塗布用
面積の削減、チップ端面を斜めにカットするための基板
の増大を抑えれれるため、チップサイズの小型化、同一
基板からの収率も大きくなる。さらに、アブソーバ塗布
工数削減およびアブソーバ塗布による品質のバラツキを
減少させる事ができる。また、波動の伝搬方向と長辺お
よび短辺が不平行なため、横モードの漏洩波によるスプ
リアスに対しても効果がある。さらに、チップ形状が長
方形になるため、鋭角部がなくプロセス中での取り扱い
により破損が大幅にすくなくなる。また、本発明になる
手段は縦結合表面波フィルタおよび横結合表面波フィル
タにも適用出来ること言うまでもない。以上述べたのよ
うに本発明による利点は多大である。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。Ｓ
ＡＷデバイスの小型化によりチップサイズも小さくな
り、これに伴い反射器の電極指本数の減少をきたし、表
面波振動のエネルギーを反射器に閉じこめられず一部の
表面波およびバルク波が両端部にもれだす。本発明にな
る伝搬方向と長辺を不平行とし、且つ、伝搬方向の垂線
と角度をもたせて短辺を切断することにより、反射波を
直接ＩＤＴ電極に到達させないため、スプリアスとして
ＩＤＴ電極が受信する信号も大幅に抑えることができ
る。本発明を小型ＳＡＷデバイス適用することにより、
アブソーバの塗布が不要になり、またアブソーバ塗布用
面積の削減、チップ端面を斜めにカットするための基板
の増大を抑えれれるため、チップサイズの小型化、同一
基板からの収率も大きくなる。さらに、アブソーバ塗布
工数削減およびアブソーバ塗布による品質のバラツキを
減少させる事ができる。また、波動の伝搬方向と長辺お
よび短辺が不平行なため、横モードの漏洩波によるスプ
リアスに対しても効果がある。さらに、チップ形状が長
方形になるため、鋭角部がなくプロセス中での取り扱い
により破損が大幅にすくなくなる。また、本発明になる
手段は縦結合表面波フィルタおよび横結合表面波フィル
タにも適用出来ること言うまでもない。以上述べたのよ
うに本発明による利点は多大である。
【図１】（ａ）は、本発明になる実施例を示す平面図
で、（ｂ）は短辺の端面における反射を説明する図。
で、（ｂ）は短辺の端面における反射を説明する図。
【図２】（ａ）および（ｂ）は従来のＳＡＷデバイスを
示す平面図で、（ａ）はアブソーバを用いたＳＡＷ共振
子、（ｂ）は短辺を斜めに切断したＳＡＷ共振子
示す平面図で、（ａ）はアブソーバを用いたＳＡＷ共振
子、（ｂ）は短辺を斜めに切断したＳＡＷ共振子
【図３】（ａ）はＸ軸方向より傾けてＩＤＴ電極を配置
したＳＡＷ共振子を示す平面図、（ｂ）は基板の短辺を
傾斜させたＳＡＷ共振子示す平面図。
したＳＡＷ共振子を示す平面図、（ｂ）は基板の短辺を
傾斜させたＳＡＷ共振子示す平面図。
１……ＳＡＷ共振子 ２……圧電基板 ３、４……ＩＤＴ電極 ５、５……反射器
Claims (1)
- 【請求項１】圧電基板の主表面上に互いに交叉するすだ
れ状電極と反射器を配置した弾性表面波デバイスで、該
圧電基板の長辺と弾性表面波の進行方向とが不平行にな
るように前記電極を配置したＩＤＴ励振デバイスにおい
て、反射器の長さをＬ１および該反射器端から基板の短
辺までの長さをＬ２としたとき、弾性表面波の進行方向
の垂線と基板の短辺が １／２・ｔａｎ-1（Ｗ／（Ｌ1＋Ｌ2）） 以上の角度をなすようにし且つ、基板長辺と短辺が直交
することを特徴とするＩＤＴ励振デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29737795A JPH09116378A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | Ｉｄｔ励振デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29737795A JPH09116378A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | Ｉｄｔ励振デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116378A true JPH09116378A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17845706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29737795A Pending JPH09116378A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | Ｉｄｔ励振デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09116378A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286663A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-10-13 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
| US6566980B2 (en) * | 2000-03-30 | 2003-05-20 | Sawtek, Inc. | Die layout for SAW devices and associated methods |
| KR20050112689A (ko) * | 2004-05-27 | 2005-12-01 | 삼성전기주식회사 | 표면 탄성파 필터 |
| JP2012257019A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
| CN107534422A (zh) * | 2015-04-22 | 2018-01-02 | 追踪有限公司 | 具有更好声音效果的电声器件 |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP29737795A patent/JPH09116378A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286663A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-10-13 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
| US6566980B2 (en) * | 2000-03-30 | 2003-05-20 | Sawtek, Inc. | Die layout for SAW devices and associated methods |
| KR20050112689A (ko) * | 2004-05-27 | 2005-12-01 | 삼성전기주식회사 | 표면 탄성파 필터 |
| JP2012257019A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
| CN107534422A (zh) * | 2015-04-22 | 2018-01-02 | 追踪有限公司 | 具有更好声音效果的电声器件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2018097016A1 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP3301399B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| WO2010004741A1 (ja) | 板波素子と、これを用いた電子機器 | |
| US20060220494A1 (en) | Elastic boundary wave device, resonator, and ladder-type filter | |
| JPH09167936A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP6360847B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP3419339B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ、デュプレクサ、通信機装置 | |
| CN101534106B (zh) | 声波滤波器 | |
| US6346761B1 (en) | Surface acoustic wave device capable of suppressing spurious response due to non-harmonic higher-order modes | |
| KR20020033061A (ko) | 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법 | |
| US20060131992A1 (en) | One-port surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter | |
| JPH09116378A (ja) | Ｉｄｔ励振デバイス | |
| JP2001308675A (ja) | 表面波フィルタ及び共用器、通信機装置 | |
| JP3001349B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| WO2002001715A1 (fr) | Dispositif a ondes acoustiques de surface | |
| JP2000106519A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPH0832397A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| US6373167B1 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JP5531704B2 (ja) | 弾性波フィルタ | |
| JP2000341083A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JPH0685604A (ja) | 多重モード弾性表面波フィルタ | |
| RU2047266C1 (ru) | Фильтр на поверхностных акустических волнах | |
| JPH0452005B2 (ja) | ||
| JPS6382115A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2000315934A (ja) | 弾性表面波装置 |