JPH10173479A - 表面弾性波フィルタ - Google Patents
表面弾性波フィルタInfo
- Publication number
- JPH10173479A JPH10173479A JP34045696A JP34045696A JPH10173479A JP H10173479 A JPH10173479 A JP H10173479A JP 34045696 A JP34045696 A JP 34045696A JP 34045696 A JP34045696 A JP 34045696A JP H10173479 A JPH10173479 A JP H10173479A
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- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- substrate
- groove
- absorbing material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不要な反射波によるスプリアスやリップルを
減少させる。 【解決手段】 インターデジタル電極13、15と基板11の
端面との間の表面弾性波の伝播路上の部分に、表面弾性
波の波長よりも深い溝17を形成し、その溝に吸音材19を
充填する。溝の代わりに、端面に段差部を形成し、その
部分に吸音材を設けてもよい。
減少させる。 【解決手段】 インターデジタル電極13、15と基板11の
端面との間の表面弾性波の伝播路上の部分に、表面弾性
波の波長よりも深い溝17を形成し、その溝に吸音材19を
充填する。溝の代わりに、端面に段差部を形成し、その
部分に吸音材を設けてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面弾性波フィルタ
の構造に係るもので、特に、不要な表面弾性波の吸音構
造に関するものである。
の構造に係るもので、特に、不要な表面弾性波の吸音構
造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】表面弾性波フィルタには各種のタイプが
あるが、入出力のインターデジタル電極を具えたトラン
スバーサル型や、反射器を具えた共振器型の二種類に大
別される。このうち、トランスバーサル型では、出力電
極を通過して端面で反射して再び出力電極に達する反射
波を除去する必要がある。この反射波は、通過帯域外の
スプリアス信号を発生させたり、通過帯域内にリップル
を生じる大きな要因となる。
あるが、入出力のインターデジタル電極を具えたトラン
スバーサル型や、反射器を具えた共振器型の二種類に大
別される。このうち、トランスバーサル型では、出力電
極を通過して端面で反射して再び出力電極に達する反射
波を除去する必要がある。この反射波は、通過帯域外の
スプリアス信号を発生させたり、通過帯域内にリップル
を生じる大きな要因となる。
【０００３】この基板端面での反射波の影響を除去する
ために、表面弾性波の伝播路の延長上に吸音材を配置す
る構造が採用されている。図３は、基板表面に吸音材を
具えた表面弾性波フィルタの一例の正面図で、ニオブ酸
リチウム等の圧電基板の表面に入力用のインターデジタ
ル電極33と出力用のインターデジタル電極35を形成し、
インターデジタル電極33、35と基板の端面との間に吸音
材39を設けたものである。
ために、表面弾性波の伝播路の延長上に吸音材を配置す
る構造が採用されている。図３は、基板表面に吸音材を
具えた表面弾性波フィルタの一例の正面図で、ニオブ酸
リチウム等の圧電基板の表面に入力用のインターデジタ
ル電極33と出力用のインターデジタル電極35を形成し、
インターデジタル電極33、35と基板の端面との間に吸音
材39を設けたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような吸音材を
用いることによって、表面弾性波のエネルギーの一部を
吸収することができるが、表面弾性波のエネルギーは基
板の表面から１波長程度の深さまでの基板内に大部分が
集中している。この基板内を伝播する表面弾性波のエネ
ルギーを基板表面のみの吸音材だけで吸収することはで
きない。
用いることによって、表面弾性波のエネルギーの一部を
吸収することができるが、表面弾性波のエネルギーは基
板の表面から１波長程度の深さまでの基板内に大部分が
集中している。この基板内を伝播する表面弾性波のエネ
ルギーを基板表面のみの吸音材だけで吸収することはで
きない。
【０００５】本発明は、基板の内部を伝播する表面弾性
波のエネルギーを吸収して、出力にスプリアスやリップ
ルが生じることを防止して、所望の特性を有する表面弾
性波フィルタを提供するものである。
波のエネルギーを吸収して、出力にスプリアスやリップ
ルが生じることを防止して、所望の特性を有する表面弾
性波フィルタを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、インターデジ
タル電極と基板端面との間に溝を形成したり、基板端面
に段差部を形成し、この溝や段差部に吸音材を形成し
て、不要な表面弾性波のエネルギーをこの吸音材によっ
て吸収するものである。
タル電極と基板端面との間に溝を形成したり、基板端面
に段差部を形成し、この溝や段差部に吸音材を形成し
て、不要な表面弾性波のエネルギーをこの吸音材によっ
て吸収するものである。
【０００７】すなわち、圧電性を有する基板上に入出力
のインターデジタル電極を設けた表面弾性波フィルタに
おいて、表面波の伝播路の延長上の端面近くに、表面弾
性波の波長よりも深い溝を形成し、その溝に吸音材を充
填したことに特徴を有するものである。
のインターデジタル電極を設けた表面弾性波フィルタに
おいて、表面波の伝播路の延長上の端面近くに、表面弾
性波の波長よりも深い溝を形成し、その溝に吸音材を充
填したことに特徴を有するものである。
【０００８】また、圧電性を有する基板上に入出力のイ
ンターデジタル電極を設けた表面弾性波フィルタにおい
て、表面波の伝播路の延長上の端面に、表面弾性波の波
長よりも深い段差を形成し、その段差の部分に吸音材を
取り付けたことに特徴を有するものである。
ンターデジタル電極を設けた表面弾性波フィルタにおい
て、表面波の伝播路の延長上の端面に、表面弾性波の波
長よりも深い段差を形成し、その段差の部分に吸音材を
取り付けたことに特徴を有するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】入出力のインターデジタル電極と
基板の端面との間に、表面弾性波の１波長ないし２波長
程度の深さの溝をダイサー等で形成し、シリコン樹脂や
エポキシ樹脂をこの溝に充填して固化させる。あるい
は、基板の端面に１波長ないし２波長程度低くなった段
差部を形成し、この段差部の側面に樹脂が接触するよう
に塗布して固化させてもよい。
基板の端面との間に、表面弾性波の１波長ないし２波長
程度の深さの溝をダイサー等で形成し、シリコン樹脂や
エポキシ樹脂をこの溝に充填して固化させる。あるい
は、基板の端面に１波長ないし２波長程度低くなった段
差部を形成し、この段差部の側面に樹脂が接触するよう
に塗布して固化させてもよい。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１１】図１は、本発明の実施例を示す正面図であ
る。ニオブ酸リチウム等の圧電性を有する基板11の表面
にアルミニウムの入力用のインターデジタル電極13とし
ゅつょく用のインターデジタル電極15を蒸着、エッチン
グ等の工程で形成する。このプロセスは通常の表面弾性
波フィルタと同じである。
る。ニオブ酸リチウム等の圧電性を有する基板11の表面
にアルミニウムの入力用のインターデジタル電極13とし
ゅつょく用のインターデジタル電極15を蒸着、エッチン
グ等の工程で形成する。このプロセスは通常の表面弾性
波フィルタと同じである。
【００１２】インターデジタル電極13、15と基板11の端
面との間に溝17を形成する。この溝17は基板11の表面側
にダイサー等を用いて形成することができる。その深さ
は表面弾性波の１〜２波長程度とするとよい。
面との間に溝17を形成する。この溝17は基板11の表面側
にダイサー等を用いて形成することができる。その深さ
は表面弾性波の１〜２波長程度とするとよい。
【００１３】この溝17の中にシリコン樹脂やエポキシ樹
脂等を流し込んで固化させて吸音材19を形成する。この
吸音材は溝17一杯に充填することが必要で、インターデ
ジタル電極13、15の側の壁面に完全に接触した状態とす
る必要がある。なお、溝の側面を表面側が広くなるよう
に傾斜させると、吸音材の接触を確実にすることができ
る。
脂等を流し込んで固化させて吸音材19を形成する。この
吸音材は溝17一杯に充填することが必要で、インターデ
ジタル電極13、15の側の壁面に完全に接触した状態とす
る必要がある。なお、溝の側面を表面側が広くなるよう
に傾斜させると、吸音材の接触を確実にすることができ
る。
【００１４】図２は、本発明の他の実施例を示す正面図
で、溝に代えて段差を形成したものである。基板21の端
面に段差部28を形成する。この段差28は基板11の表面側
にダイサー等を用いて形成することができる。この段差
の深さは表面弾性波の１〜２波長程度とするとよい。こ
の段差部28に樹脂を塗布して固化させ、吸音材29を形成
する。この場合にも、壁面に完全に接触した状態とする
必要がある。そのため、段差部の側面を傾斜させておく
とよい。
で、溝に代えて段差を形成したものである。基板21の端
面に段差部28を形成する。この段差28は基板11の表面側
にダイサー等を用いて形成することができる。この段差
の深さは表面弾性波の１〜２波長程度とするとよい。こ
の段差部28に樹脂を塗布して固化させ、吸音材29を形成
する。この場合にも、壁面に完全に接触した状態とする
必要がある。そのため、段差部の側面を傾斜させておく
とよい。
【００１５】なお、図２のような段差部を形成した場合
には、基板の端面全体に吸音材を塗布することもでき、
より吸音効果を上げることができる。
には、基板の端面全体に吸音材を塗布することもでき、
より吸音効果を上げることができる。
【００１６】溝や段差部の深さを１〜２波長程度とする
のは、１波長よりも浅いと吸音効果が得られず、あまり
深くすると基板の強度に影響するためである。
のは、１波長よりも浅いと吸音効果が得られず、あまり
深くすると基板の強度に影響するためである。
【００１７】なお、トランスバーサル型の表面弾性波フ
ィルタだけでなく、共振器型の表面弾性波フィルタにも
本発明は利用できるし、フィルタ以外の表面弾性波素子
全般に利用できる。
ィルタだけでなく、共振器型の表面弾性波フィルタにも
本発明は利用できるし、フィルタ以外の表面弾性波素子
全般に利用できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、基板の表面から一定の
深さまで吸音材が形成されることになり、壁面に達した
表面弾性波のエネルギーの大部分をを吸音材に移して吸
収することが可能となる。
深さまで吸音材が形成されることになり、壁面に達した
表面弾性波のエネルギーの大部分をを吸音材に移して吸
収することが可能となる。
【００１９】これによって、出力信号にスプリアス成分
やリップルが発生することを効果的に防止することがで
きる。
やリップルが発生することを効果的に防止することがで
きる。
【図１】 本発明の実施例を示す正面図
【図２】 本発明の他の実施例を示す正面図
【図３】 従来の表面弾性波フィルタを示す正面図
11、21、31：基板 13、15、23、25、33、35：インターデジタル電極 17：溝 28：段差部 19、29、39：吸音材
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電性を有する基板上に入出力のインタ
ーデジタル電極を設けた表面弾性波フィルタにおいて、
表面波の伝播路の延長上の端面近くに、表面弾性波の波
長よりも深い溝を形成し、その溝に吸音材を充填したこ
とを特徴とする表面弾性波フィルタ。 - 【請求項２】 圧電性を有する基板上に入出力のインタ
ーデジタル電極を設けた表面弾性波フィルタにおいて、
表面波の伝播路の延長上の端面に、表面弾性波の波長よ
りも深い段差を形成し、その段差の部分に吸音材を取り
付けたことを特徴とする表面弾性波フィルタ。 - 【請求項３】 圧電性を有する基板上に入出力のインタ
ーデジタル電極を設けた表面弾性波フィルタにおいて、
表面波の伝播路の延長上の端面に、表面弾性波の波長よ
りも深い段差を形成し、その段差の部分と基板の端面に
吸音材を取り付けたことを特徴とする表面弾性波フィル
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34045696A JPH10173479A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 表面弾性波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34045696A JPH10173479A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 表面弾性波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173479A true JPH10173479A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18337145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34045696A Pending JPH10173479A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 表面弾性波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10173479A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006270398A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Sony Corp | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 |
| JP2012034081A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Japan Radio Co Ltd | 表面弾性波デバイス |
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US9385684B2 (en) | 2012-10-23 | 2016-07-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having guard ring |
| US9401692B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-07-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having collar structure |
| US9490771B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar and frame |
| US9490418B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar and acoustic reflector with temperature compensating layer |
| US9859205B2 (en) | 2011-01-31 | 2018-01-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP34045696A patent/JPH10173479A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| JP2006270398A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Sony Corp | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| JP2012034081A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Japan Radio Co Ltd | 表面弾性波デバイス |
| US9859205B2 (en) | 2011-01-31 | 2018-01-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US9490418B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar and acoustic reflector with temperature compensating layer |
| US9385684B2 (en) | 2012-10-23 | 2016-07-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having guard ring |
| US9401692B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-07-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having collar structure |
| US9490771B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar and frame |
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