JPS5854681B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPS5854681B2 JPS5854681B2 JP54052874A JP5287479A JPS5854681B2 JP S5854681 B2 JPS5854681 B2 JP S5854681B2 JP 54052874 A JP54052874 A JP 54052874A JP 5287479 A JP5287479 A JP 5287479A JP S5854681 B2 JPS5854681 B2 JP S5854681B2
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- substrate
- idt
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
- H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波装置（以下弾性表面波をＳＡＷと略
す）に関する。
す）に関する。
圧電体基板上に２個以上のインターディジタルトランス
ジューサ（以下ＩＤＴと略す）が設けられたＳＡＷ装置
例えばＳＡＷフィルタにおいて、入力側ＩＤＴで励振さ
れたＳＡＷが基板端面で反射され、その反射波が入出力
側ＩＤＴに再び到達して、種々の特性に対する悪影響、
例えば、時間軸上のスプリアス信号の発生、周波数特性
上のリップルの発生などを引き起こすことはよく知られ
ている。
ジューサ（以下ＩＤＴと略す）が設けられたＳＡＷ装置
例えばＳＡＷフィルタにおいて、入力側ＩＤＴで励振さ
れたＳＡＷが基板端面で反射され、その反射波が入出力
側ＩＤＴに再び到達して、種々の特性に対する悪影響、
例えば、時間軸上のスプリアス信号の発生、周波数特性
上のリップルの発生などを引き起こすことはよく知られ
ている。
従来、このような反射波による悪影響は第４図に示すよ
うに、基板端面付近に設けられる不要表面波吸収材をＳ
ＡＷ伝播方向に長くなるよう広い範囲にわたって形成す
るか、もしくは、第５図に示すように基板端面を斜めに
することにより、除去していた。
うに、基板端面付近に設けられる不要表面波吸収材をＳ
ＡＷ伝播方向に長くなるよう広い範囲にわたって形成す
るか、もしくは、第５図に示すように基板端面を斜めに
することにより、除去していた。
第４図記載のものは、ＳＡＷ伝播方向に長い吸収材によ
り、基板端面に向かうＳＡＷを吸収するとともに、そこ
で吸収されずに端面で反射された波をも吸収するように
したもので、吸収領域が広い範囲にわたっているので、
はぼ満足のいく吸音効果が得られる。
り、基板端面に向かうＳＡＷを吸収するとともに、そこ
で吸収されずに端面で反射された波をも吸収するように
したもので、吸収領域が広い範囲にわたっているので、
はぼ満足のいく吸音効果が得られる。
一方、第５図記載のものは、基板端面を斜めにしてＳＡ
Ｗの反射方向を変えることにより、反射波のＩＤＴに対
する悪影響を軽減したものである。
Ｗの反射方向を変えることにより、反射波のＩＤＴに対
する悪影響を軽減したものである。
しかし、このような従来の構造をコスト面からみると、
前者の場合には、吸収材の部分が長く、かつ広くなり、
吸収材の塗布量が多くなるとともに、無駄な部分の多い
面積の広い基板を必要とするため、コスト高となる。
前者の場合には、吸収材の部分が長く、かつ広くなり、
吸収材の塗布量が多くなるとともに、無駄な部分の多い
面積の広い基板を必要とするため、コスト高となる。
後者の場合には１．基板形状が平行四辺形になるため、
個々の基板に切断する前の母基板の形状によっては（例
えば長方形の基板から切りだす場合）利用できない部分
が多くなり、コスト高になっていた。
個々の基板に切断する前の母基板の形状によっては（例
えば長方形の基板から切りだす場合）利用できない部分
が多くなり、コスト高になっていた。
なお、第４，５図の各部分については後述する本発明の
説明から明らかになるであろうから、対応する部分に同
一記号もしくは、ダッシュの記号を付してその説明を省
略する。
説明から明らかになるであろうから、対応する部分に同
一記号もしくは、ダッシュの記号を付してその説明を省
略する。
本発明は、上述した従来の状況にかんがみてなされたも
ので、少量の吸収材で不要表面波特に基板端面での反射
波を効率よく抑圧できるようにすることを主目的とし、
効率のよい不要波吸収と同時に小形化を実現できるよう
にすることを第２の目的とする。
ので、少量の吸収材で不要表面波特に基板端面での反射
波を効率よく抑圧できるようにすることを主目的とし、
効率のよい不要波吸収と同時に小形化を実現できるよう
にすることを第２の目的とする。
以下、本発明によるＳＡＷ装置の実施例を図面とともに
詳述する。
詳述する。
第１図において、１はＰＺＴ等の圧電体基板で、この基
板１上に適当距離隔てて入出力用ＩＤＴ２゜３を形成し
ている。
板１上に適当距離隔てて入出力用ＩＤＴ２゜３を形成し
ている。
入力側ＩＤＴ２の電極は、所定の関数に基づいて交さ幅
を変えて重付けを施している。
を変えて重付けを施している。
この重付は形状は図において破線で示している。
ＩＤＴのＳＡＷエネルギー発生度合すなわち励振強度は
、第３図の破線で示すような電極パターンを用いた場合
、ＳＡＷ伝播方向に沿ってＳＡＷエネルギーを励振する
交さ領域の多い交さ幅方向の中央部のＳＡＷエネルギー
のが大きくなり、中央部から離れるにつれてＳＡＷエネ
ルギー■、■は小さくなる。
、第３図の破線で示すような電極パターンを用いた場合
、ＳＡＷ伝播方向に沿ってＳＡＷエネルギーを励振する
交さ領域の多い交さ幅方向の中央部のＳＡＷエネルギー
のが大きくなり、中央部から離れるにつれてＳＡＷエネ
ルギー■、■は小さくなる。
ＩＤＴ２．３の各くし歯状電極の共通部から交さ幅方向
に延長して導出端子部として機能する導電ランド４，５
，６，７を形成している。
に延長して導出端子部として機能する導電ランド４，５
，６，７を形成している。
ＩＤＴ２，３と各々に隣接する基板端面１ａ、１ｂとの
間に不要表面波吸収材８，９例えばエポキシ系樹脂を印
刷等の手段で塗布している。
間に不要表面波吸収材８，９例えばエポキシ系樹脂を印
刷等の手段で塗布している。
この吸収材８，９は、ＩＤＴ２の励振強度の大きい、交
さ幅方向の中央部をＳＡＷ伝播方向に基板端面ｌａ、ｌ
ｂに向かって突出させて長く形成している。
さ幅方向の中央部をＳＡＷ伝播方向に基板端面ｌａ、ｌ
ｂに向かって突出させて長く形成している。
したがって、ＩＤＴ２の励振強度の大きい部分で励振さ
れたＳＡＷのうち基板端面ｌａ、ｌｂへ向かうＳＡＷお
よびそこで反射されるＳＡＷは、吸収材８，９の長い突
出した領域中を長時間伝播するので、エネルギーの大き
い不要波を吸収材８゜９で十分吸収できる。
れたＳＡＷのうち基板端面ｌａ、ｌｂへ向かうＳＡＷお
よびそこで反射されるＳＡＷは、吸収材８，９の長い突
出した領域中を長時間伝播するので、エネルギーの大き
い不要波を吸収材８゜９で十分吸収できる。
また、ＩＤＴ２の交さ幅方向の中央部から離れた部分で
励振されるＳＡＷは比較的短い吸収材８，９の領域中を
伝播するが、そのＳＡＷのエネルギーが相対的に小さい
ので、実用上十分な吸収を行うことができる。
励振されるＳＡＷは比較的短い吸収材８，９の領域中を
伝播するが、そのＳＡＷのエネルギーが相対的に小さい
ので、実用上十分な吸収を行うことができる。
上記実施例は励振強度が交さ幅方向の中央部で大きくな
る電極パターンのものを示しているが、本発明によれば
、交さ幅方向の一方側で励振強度の大きくなるような電
極パターンを用いたＳＡＷ装置にも適用でき、この場合
には吸収材をその一方側で突出させて長くするようにす
ればよい。
る電極パターンのものを示しているが、本発明によれば
、交さ幅方向の一方側で励振強度の大きくなるような電
極パターンを用いたＳＡＷ装置にも適用でき、この場合
には吸収材をその一方側で突出させて長くするようにす
ればよい。
上記実施例は入出力用ＩＤＴ２，３の外側にそれぞれ本
発明に基づく吸収材８，９を形成しているが、本発明に
よれば、一方側のＩＤＴ２もしくは３側にのみ一部突出
させて長くした吸収材を設けるようにしてもよい。
発明に基づく吸収材８，９を形成しているが、本発明に
よれば、一方側のＩＤＴ２もしくは３側にのみ一部突出
させて長くした吸収材を設けるようにしてもよい。
しかもこの場合、他方のＩＤＴ３もしくは２の外側に設
ける吸収材は長方形状でも、あるいはＳＡＷ伝播方向に
対し傾斜させた形状にしてもよい。
ける吸収材は長方形状でも、あるいはＳＡＷ伝播方向に
対し傾斜させた形状にしてもよい。
第２図は本発明の他の実施例を示し、上記実施例との相
違点は導出端子として機能する導電ランドの配置のし方
にある。
違点は導出端子として機能する導電ランドの配置のし方
にある。
すなわち、■ＤＴ２，３に電気的に接続される導電ラン
ド１０，１１，１２゜１３は、吸収材８，９の突出させ
た部分と短くした部分とで囲まれる領域、換言すれば圧
電体基板１１の四隅にそれぞれ形成している。
ド１０，１１，１２゜１３は、吸収材８，９の突出させ
た部分と短くした部分とで囲まれる領域、換言すれば圧
電体基板１１の四隅にそれぞれ形成している。
これらの導電ランド１０．ｌＬ１２，１３の上にリード
細線をワイヤボンディングするか、もしくは金属端子を
直付けするなどの方法をとる。
細線をワイヤボンディングするか、もしくは金属端子を
直付けするなどの方法をとる。
したがって、基板１′の幅は、上記実施例において導電
ランド４゜５．６，７を設けていた部分だけ狭くしても
よく、基板面積を縮小でき、小形化が実現できるととも
に、コストを下げることもできる。
ランド４゜５．６，７を設けていた部分だけ狭くしても
よく、基板面積を縮小でき、小形化が実現できるととも
に、コストを下げることもできる。
他の構成は上記実施例と同様であるから同一部分に同一
記号を付してその説明を省略する。
記号を付してその説明を省略する。
上記各実施例は、吸収材をＩＤＴの外側にのみ設けたも
のを示しているが、本発明によれば、ＩＤＴの電極フィ
ンガーが交さしていない領域の一部分Ａ、Ｂの上にも延
長して吸収材を設けるようにしてもよい。
のを示しているが、本発明によれば、ＩＤＴの電極フィ
ンガーが交さしていない領域の一部分Ａ、Ｂの上にも延
長して吸収材を設けるようにしてもよい。
この場合には、上述した吸音効果の他に、ＩＤＴの電極
フィンガーで反射される不要波も十分吸収でき、より一
層大きな吸音効果を得ることができる。
フィンガーで反射される不要波も十分吸収でき、より一
層大きな吸音効果を得ることができる。
また、上記各実施例において他方のＩＤＴ３もＩＤＴ２
と同様に交さ幅重付は形状に構成してもよく、あるい
はＩＤＴ３のみ交さ幅重付は形状に構成してもよい。
と同様に交さ幅重付は形状に構成してもよく、あるい
はＩＤＴ３のみ交さ幅重付は形状に構成してもよい。
さらにまた、上記各実施例において、吸収材の一部をＳ
ＡＷ伝播方向に長くするために、ＩＤＴ側に突出させる
ようにしてもよい。
ＡＷ伝播方向に長くするために、ＩＤＴ側に突出させる
ようにしてもよい。
この場合には吸収材の長い部分と短い部分とＩＤＴとで
囲まれる領域に導電ランドを設けることもできる。
囲まれる領域に導電ランドを設けることもできる。
本発明は、以上説明したように、基板上に設ける不要波
吸収材を、重付けの施されたＩＤＴのＳＡＷエネルギー
の大きい部分に対応する箇所が他の箇所よりもＳＡＷ伝
播方向に長くなるよう形成しているので、少量の吸収材
で不要波特に基板端面での反射波を十分吸収させること
ができるという効果を有している。
吸収材を、重付けの施されたＩＤＴのＳＡＷエネルギー
の大きい部分に対応する箇所が他の箇所よりもＳＡＷ伝
播方向に長くなるよう形成しているので、少量の吸収材
で不要波特に基板端面での反射波を十分吸収させること
ができるという効果を有している。
第１図および第２図はそれぞれ本発明によるＳＡＷ装置
の実施例を示す平面図、第３図は本発明を説明するため
の図、第４図および第５図はそれぞれ従来のＳＡＷ装置
を示す平面図である０１．１′・・・・・・圧電体基板
、２・・・・・・重付けＩＤＴ。 ３・・・・・・他のＩＤＴ１４〜７，１０〜１３・・・
・・・導電ランド、８，９・・・・・・吸収材である。
の実施例を示す平面図、第３図は本発明を説明するため
の図、第４図および第５図はそれぞれ従来のＳＡＷ装置
を示す平面図である０１．１′・・・・・・圧電体基板
、２・・・・・・重付けＩＤＴ。 ３・・・・・・他のＩＤＴ１４〜７，１０〜１３・・・
・・・導電ランド、８，９・・・・・・吸収材である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも１個を交さ幅重付りとした、２個以上の
インターディジタルトランスジューサが圧電基板上に形
成された弾性表面波装置において、基板面上の少なくと
も一方端面付近に形成される不要表面波吸収材は、イン
ターディジタルトランスジューサの励振強度の大きい部
分に対応する部分が他の部分ｌこ比べて弾性表面波伝播
方向に長く構成されたことを特徴とする弾性表面波装置
。 ２ 前記インターディジタルトランスジューサの励振強
度の大きい部分は交さ幅方向の中央部である、特許請求
の範囲第１項記載の弾性表面波装置。 ３ 前記不要表面波吸収材の長く構成される部分は、前
記基板端面に向かって他の部分より突出して形成される
、特許請求の範囲第２項記載の弾性表面波装置。 ４ ＠記不要表面波吸収材の突出部分と他の部分とで囲
まれる領域に、インターディジタルトランジューサに電
気的に接続される導電性ランドが形成された、特許請求
の範囲第３項記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54052874A JPS5854681B2 (ja) | 1979-04-28 | 1979-04-28 | 弾性表面波装置 |
| US06/140,857 US4354129A (en) | 1979-04-28 | 1980-04-16 | Absorber for piezoelectric surface acoustic wave device |
| GB8012858A GB2048010B (en) | 1979-04-28 | 1980-04-18 | Surface acoustic wave device |
| DE19803015903 DE3015903A1 (de) | 1979-04-28 | 1980-04-24 | Wandler o.dgl. element fuer akustische oberflaechenwellen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54052874A JPS5854681B2 (ja) | 1979-04-28 | 1979-04-28 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55145419A JPS55145419A (en) | 1980-11-13 |
| JPS5854681B2 true JPS5854681B2 (ja) | 1983-12-06 |
Family
ID=12927016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54052874A Expired JPS5854681B2 (ja) | 1979-04-28 | 1979-04-28 | 弾性表面波装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4354129A (ja) |
| JP (1) | JPS5854681B2 (ja) |
| DE (1) | DE3015903A1 (ja) |
| GB (1) | GB2048010B (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4472694A (en) * | 1982-09-07 | 1984-09-18 | Gte Laboratories Incorporated | Acoustic surface wave device |
| DE3234955A1 (de) * | 1982-09-21 | 1984-03-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Oberflaechenwellenfilter, sowie verfahren zur herstellung des oberflaechenwellenfilters |
| US4616235A (en) * | 1985-08-16 | 1986-10-07 | Eastman Kodak Company | External acoustic absorber for ink jet printer |
| CA1273701A (en) * | 1986-03-12 | 1990-09-04 | Mark S. Suthers | Saw device with apodized idt |
| US4746929A (en) * | 1987-01-16 | 1988-05-24 | Xerox Corporation | Traveling wave droplet generator for an ink jet printer |
| US4931752A (en) * | 1987-09-30 | 1990-06-05 | Hewlett-Packard Company | Polyimide damper for surface acoustic wave device |
| CA1299732C (en) * | 1989-04-13 | 1992-04-28 | Bruce C. Beggs | Surface acoustic wave scattering grating |
| DE59207500D1 (de) * | 1991-03-28 | 1996-12-12 | Siemens Ag | Oberflächenwellenanordnung mit einer struktur zur vermeidung störender akustischer wellenanteile |
| DE10000120B4 (de) * | 2000-01-04 | 2012-06-28 | Epcos Ag | Oberflächenwellenbauelement mit unterdrückter Chipkantenreflexion |
| US7800281B1 (en) | 2008-11-25 | 2010-09-21 | Triquint Semiconductor, Inc. | Acoustic wave filters using photo-definable epoxy for suppression of unwanted acoustic energy |
| WO2015191719A1 (en) * | 2014-06-10 | 2015-12-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Unreleased coupled mems resonators and transmission filters |
| CN110426122B (zh) * | 2019-07-30 | 2022-02-22 | 扬州大学 | 一种表面声波波束散射检测芯片 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50137428A (ja) * | 1974-04-18 | 1975-10-31 | ||
| US4090153A (en) * | 1976-06-07 | 1978-05-16 | Rca Corporation | Surface acoustic wave absorber |
| JPS5333557A (en) * | 1976-08-24 | 1978-03-29 | Toshiba Corp | Elastic surface wave element |
| US4096455A (en) * | 1977-02-23 | 1978-06-20 | Tektronix, Inc. | Surface wave termination for saw device |
| JPS5412545A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Toshiba Corp | Absorbing body for elstic surface wave element |
-
1979
- 1979-04-28 JP JP54052874A patent/JPS5854681B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-04-16 US US06/140,857 patent/US4354129A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-04-18 GB GB8012858A patent/GB2048010B/en not_active Expired
- 1980-04-24 DE DE19803015903 patent/DE3015903A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2048010B (en) | 1983-04-20 |
| US4354129A (en) | 1982-10-12 |
| GB2048010A (en) | 1980-12-03 |
| JPS55145419A (en) | 1980-11-13 |
| DE3015903A1 (de) | 1980-10-30 |
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