KR840002303Y1 - 탄성표면파 장치 - Google Patents

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KR840002303Y1
KR840002303Y1 KR2019840005551U KR840005551U KR840002303Y1 KR 840002303 Y1 KR840002303 Y1 KR 840002303Y1 KR 2019840005551 U KR2019840005551 U KR 2019840005551U KR 840005551 U KR840005551 U KR 840005551U KR 840002303 Y1 KR840002303 Y1 KR 840002303Y1
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KR
South Korea
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saw
idt
absorber
wave
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KR2019840005551U
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히데하루 이에끼
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가부시기 가이샤 무라다 세이사꾸쇼
무라다 아끼라
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/30Time-delay networks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

탄성표면파 장치
제1도 및 제2도는 각기 본 고안에 의한 SAW장치의 실시예를 보여주는 평면도.
제3도는 본 고안을 설명하기 위한 도면.
제4도 및 제5도는 각기 종래의 SAW장치를 보여주는 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1', 1' : 압전체기판(押電體基板) 2 : 겹부친 IDT
3 : 다른 IDT 4~7, 10~13 : 도전랜드(導電 land)
8, 9 : 흡수채
본 고안은 기판면상이 불요표면과 흡수재를 "" 형으로 형성하여 이 소량의 흡수재로 기판단면에서의 반사파를 충분히 흡수할 수 있는 탄성표면파장치(이하 탄성표면파를 SAW라고 약칭한다(에 관한 것이다. 압전체기판상에 2개 이상의 인터디지탈 트랜스듀서(Interdigital Transducer)(이하 IDT라고 약칭 한다)를 설치한 SAW장치 예컨대 SAW필터에 있어서 입력축 IDT로 여진(勵振)된 SAW가 기판단면(端面)에서 반사되고 그 반사파가 입출력축 IDT에 다시 도달하여 여러가지 특성에 대한 악영향, 예를들면 시간축상의 스퓨리어스(spurious) 신호의 발생, 주파수 특성상의 리플(ripple)의 발생등을 일으킨다는 것은 잘 알려져 있다.
종래에 이와 같은 반사파에 의한 악영향은 제4도에서 보는 바와 같이 기판단면 부근에 마련하게 되는 불요(不要) 표면파 흡수재를 SAW전파방향으로 길어지게 넓은 범위에 걸쳐서 형성하거나 그렇지 않으면 제5도에서 보는 바와 같이 기판단면을 비스듬하게 함으로써 제거하여 왔다. 제4도의 기재는 SAW전파방향으로 긴 흡수재로 기판단면에 향하는 SAW를 흡수함과 동시에 그곳에서 흡수되지 않고 단면에서 반사된 파들도 흡수하도록 한 것으로 흡수 영역이 넓은 범위에 걸쳐 있으므로 대체로 만족스러운 흡음(吸音)효과를 얻을 수 있다.
한편 제5도의 기재는 기판단면을 비스듬히 하여 SAW의 반사방향으로 변환하므로써 반사파의 IDT에 대한 악영향을 경감할 것이다. 그러나 이와같은 종래의 구조를 코스트면에서 보면 전자의 경우에는 흡수재의 부분이 길며 또한 넓어져서 흡수체 도포량이 많아짐과 동시에 불필요한 부분의 많은 면적의 넓은 기판을 필요로 하기 때문에 코스트가 높아진다.
후자의 경우에는 기판형상이 평행 4변형이 되므로 낱낱의 기판으로 절단하기 전의 모기판(母基板)의 형상에 따라서는(예컨대 장방형의 기판에서 잘라내는 경우) 이용할 수 없는 부분이 많아져서 코스트가 높았던 것이다.
또한 제4, 5도의 각부분에 대하여는 후술하는 본 고안의 설명에서 명백하여 질 것이기 때문에 대응하는 부분에 동일기호이거나 그렇지 않으면 댓시의 기호를 부쳐서 그 설명을 생략한다. 본 고안은 상술한 종래의 결점을 감안하여 안출한 것으로 ""형의 흡수재로 불요표면파 특히 기판단면에서의 반사파를 효율적으로 억압할 수 있을 뿐만 아니라 효율이 좋은 불요파 흡수와 동시에 소형화 하므로서 재료를 절약할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
다음에 본 고안에 의한 SAW장치의 실시예를 도면과 함께 상술한다. 제1도에서 (1)은 PZT등의 압전체기판으로서 이 기판(1)위에 적당한 거리를 때에서 입출력용 IDT (2), (3)을 형성하고 있다. 입력축 IDT (2)의 전극은 일정한 함수에 기초하여 교차폭을 바꾸어서 겹부치기를 하고 있다.
이 겹부치기 형상은 도면에서 파선으로 나타내고 있다. IDT의 SAW에 내지 발생정도 즉, 여진강도는 제3도의 파선으로 나타낸 바와같은 전극패턴을 사용하였을 경우, SAW전파 방향으로 잇따라서 SAW에너지를 여진하는 교차영역이 많은 교차방향의 중앙부의 SAW에너지 ①가 커지며, 중앙부에서 떨어짐에 따라서 SAW에너지 ② ③는 작아진다. IDT (2), (3)의 각 빗살모양 전극의 공통부에서 교차폭 방향으로 연장하여 도출 단자부에서 기능하는 도전랜드 (4), (5), (6), (7)를 형성하고 있다. IDT (2), (3)와 각각에 인접하는 기판단면 (1a), (1b)과의 사이에 불요표면파의 ""형 흡수재(8), (9)예를들면 에폭시계수지를 인쇄등의 수단으로 도포하고 있다.
이 ""형 흡수재(8), (9)는 IDT (2)의 여진강도가 큰 교차폭방향의 중앙부를 SAW 전파방향으로 기판단면(1a)(1b)으로 향하여 돌출시켜서 길게 형성하고 있다. 따라서 IDT (2)의 여진강도가 큰부분에서 여진된 중에서 기판단면(1a)(1b)에 향하는 SAW 및 기기에서 반사되는 SAW는 ""형 흡수재(8)(9)의 길게 돌출한 영역속을 장시간 전파하므로 에너지가 큰 불요파를 ""형 흡수재(8)(9)로 충분히 흡수할 수 있다. 또 IDT (2)의 교차폭 방향의 중앙부로 부터 떨어진 부분에서 여진하는 SAW는 비교적 짧은 ""형 흡수재(8), (9)의 영역속을 전파하지만 그 SAW의 에너지가 상대적으로 작으므로 실용상 충분한 흡수를 할 수 있다.
상기한 실시예는 여진강도가 교차폭방향의 중앙부에서 커지는 전극패턴임을 나타내고 있으나 본 고안에 의하면 교차 폭방향의 한편쪽에서 여진강도가 커지게 되는 전극패턴을 사용한 SAW장치에도 적용할 수 있으며 어떤 경우에는 흡수재를 그 한편쪽에서 돌출시켜 길어지도록 하여도 좋다.
상기한 실시예는 입출력용 IDT (2), (3)의 바깥쪽에 각기 본 고안에 기초한 흡수재(8)(9)를 ""형으로 형성하여 IDT (2) 또는 (3)쪽으로 길게 돌출시켜서 설치한 것이다.
제2도는 본 고안의 다른 실시예를 보여주는 것이며, 상기 실시예와의 상이점은 도출단자로서 기능하는 도전랜드의 방치방법에 달려있다. 즉 IDT (2), (3)에 전기적으로 접속하는 도전랜드 (100), (11), (12), (13)는 흡수재(8), (9)의 도출한 부분과 짧게 한 부분으로 둘러 싸여지는 영역 환언하면 압전체기판(1')의 내구석에 각기 형성하고 있다.
이들의 도전랜드(10), (11), (12), (13)의 위에 리이드세선을 와이어 본딩(wire bonding) 하던가 그렇지 않으면 금속단자를 직접 부치는 등의 방법을 취한다. 따라서 기판(1')의 폭은 상기한 실시예에 있어서 도를 실현할 수 있음과 동시에 코스트를 하락시킬 수도 있다.
그밖의 구성은 상기한 실시예와 마찬가지이기 때문에 동일 부분에 동일 기호를 부쳐서 그 설명을 생략한다. 상기한 각 실시예는 ""형 흡수재를 IDT의 바깥쪽에만 설치한 것을 나타내고 있으나 본 고안에 의하면 IDT의 전극핑거가 교차하고 있지 않는 영역의 일부분 A, B의 위에도 연장하여 흡수재를 설치하도록 하여도 좋다.
이 경우에만 상술한 흡음효과뿐 아니라 IDT의 전극핑거에서 반사되는 불요파도 충분히 흡수할 수 있으며 보다 한층 흡음효과를 얻을 수 있다. 또 상기한 각 실시예에 있어서 다른편의 IDT (3)도 IDT (2)와 마찬가지로 교차폭 겹부치기 형상으로 구성하여도 좋으며 그렇지 않으면 IDT (3)만 교차폭 겹부치기 형상으로 구성하여도 좋다.
나아가서 또 상기한 각 실시예에서 ""형 흡수재의 일부를 SDW전파 방향으로 길게하기 위하여 IDT쪽으로 돌출시키도록 하여도 좋다. 이 경우에는 흡수재의 긴부분과 짧은 부분과 IDT와로 둘러쌓인 영역에 도전랜드를 설치할 수도 있다.
본 고안은 이상에서 설명한 바와 같이 기판상에 설치하는 불요파 흡수재를 ""형으로 형성하여 IDT의 SAW 에너지의 큰부분에 대응하는 개소가 다른 개소보다도 SAW전파방향으로 길어지도록 형성하고 있으므로 소량의 흡수재로 불요파 특히 기판단면에서의 반사파를 충분히 흡수시킬 수 있을뿐만 아니라 코스트가 저렴한 효과가 있는 것이다.

Claims (1)

  1. 최소한 1개를 교차폭 겹부치기로 한 2개 이상의 인터디지탈 트랜스듀서(2), (3)를 압전체기판(1)상에 형성한 탄성표면파장치에 있어서 기판면상(1)의 적어도 한쪽 기판 단면(1a) 혹은 (1b)부근의 불요표면과 흡수재(8) 혹은 (9)를 ""형으로 형성함을 특징으로 하는 탄성표면파장치.
KR2019840005551U 1980-04-21 1984-06-13 탄성표면파 장치 KR840002303Y1 (ko)

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