JPS584256Y2 - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
- Publication number
- JPS584256Y2 JPS584256Y2 JP1978175875U JP17587578U JPS584256Y2 JP S584256 Y2 JPS584256 Y2 JP S584256Y2 JP 1978175875 U JP1978175875 U JP 1978175875U JP 17587578 U JP17587578 U JP 17587578U JP S584256 Y2 JPS584256 Y2 JP S584256Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transducer
- surface acoustic
- acoustic wave
- substrate
- strip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は弾性表面波素子の改良に関する。
近年、通信用などの電子機器におけるIC化に伴い周辺
回路部品の小型化の要望が高まっている。
回路部品の小型化の要望が高まっている。
こうした中で弾性表面波素子はIC製造技術を応用して
微細な電極パターンの加工が容易となったことから小形
の超高周波用フィルタ、発振器、画像処理装置等に用い
られるものとして注目されるようになって来ている。
微細な電極パターンの加工が容易となったことから小形
の超高周波用フィルタ、発振器、画像処理装置等に用い
られるものとして注目されるようになって来ている。
この弾性表面波素子は第1図に示す如く圧電物質、例え
ばニオブ酸リチウム(L I N b Os )、タン
タル酸リチウム(L r T a Os )等で形成さ
れた基板1の表面にすだれ状の電極を薄膜金属により形
成した入力用のトランスジューサ2と出力用のトランス
ジューサ3とを設けたものであって、入力用トランスジ
ューサ2より電気信号4を入れて弾性表面波5を発生さ
せ、これを伝播させて出力用トランスジューサ3より電
気信号6として取出すことができるようにしたものであ
る。
ばニオブ酸リチウム(L I N b Os )、タン
タル酸リチウム(L r T a Os )等で形成さ
れた基板1の表面にすだれ状の電極を薄膜金属により形
成した入力用のトランスジューサ2と出力用のトランス
ジューサ3とを設けたものであって、入力用トランスジ
ューサ2より電気信号4を入れて弾性表面波5を発生さ
せ、これを伝播させて出力用トランスジューサ3より電
気信号6として取出すことができるようにしたものであ
る。
この場合の電極のパターンの設計をいろいろ工夫するこ
とにより電気信号から音響信号へ変換するとき、あるい
はその逆変換のときに任意のフィルタ特性をつくること
ができる。
とにより電気信号から音響信号へ変換するとき、あるい
はその逆変換のときに任意のフィルタ特性をつくること
ができる。
ところがこのような弾性表面波素子においては、基板1
の端面より表面波の反射があってその特性を害する不具
合がある。
の端面より表面波の反射があってその特性を害する不具
合がある。
このため第2図に示すように基板1の端部7を斜に加工
したり、端面近くの表面を粗面8にしたり、また第3図
に示すようにエポキシ樹脂などの吸音材9を塗布して表
面波の反射を防いでいる。
したり、端面近くの表面を粗面8にしたり、また第3図
に示すようにエポキシ樹脂などの吸音材9を塗布して表
面波の反射を防いでいる。
ところがこれらの方法は加工に工数を要したり、工程が
複雑になる欠点がある。
複雑になる欠点がある。
本考案はこの欠点を改良するために案出されたものであ
る。
る。
このため本考案においては、圧電材料にて形成された基
板の上に入カドランスジューサと出カドランスジューサ
とを具備して成る弾性表面波素子において、前記トラン
スジューサと基板端部との間にマルチストリップカプラ
を設け、該マルチストリップカプラはその複数条の帯状
電極を前記トランスジューサのすだれ電極と平行にして
配置し、且つ該帯状電極端部には前記トランスジューサ
から前記基板端部方向へ伝播する弾性表面波をジュール
熱に変換させる為の抵抗体を端部接続して設けたことを
特徴とするものである。
板の上に入カドランスジューサと出カドランスジューサ
とを具備して成る弾性表面波素子において、前記トラン
スジューサと基板端部との間にマルチストリップカプラ
を設け、該マルチストリップカプラはその複数条の帯状
電極を前記トランスジューサのすだれ電極と平行にして
配置し、且つ該帯状電極端部には前記トランスジューサ
から前記基板端部方向へ伝播する弾性表面波をジュール
熱に変換させる為の抵抗体を端部接続して設けたことを
特徴とするものである。
以下、添付図面に基づいて本考案の実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
本実施例を第4図に示す。
これはトランスジューサ10と基板1の端部との間に複
数条の電極11からなるマルチストリップカプラ12を
設けると共に該マルチストリップカプラ12を各電極1
1がトランスジューサ10のすだれ状電極と平行するよ
うに配置し且つ各電極11の端部を抵抗体13で接続し
たものである。
数条の電極11からなるマルチストリップカプラ12を
設けると共に該マルチストリップカプラ12を各電極1
1がトランスジューサ10のすだれ状電極と平行するよ
うに配置し且つ各電極11の端部を抵抗体13で接続し
たものである。
この抵抗体13は薄膜抵抗などで形成し、第5図に示す
如くその抵抗値Rを各電極11のもつりアクタンス(容
量)にほぼ等しくしておけばこのマルチストリップカプ
ラ12に伝播された弾性表面波テはジュール熱となって
消費される。
如くその抵抗値Rを各電極11のもつりアクタンス(容
量)にほぼ等しくしておけばこのマルチストリップカプ
ラ12に伝播された弾性表面波テはジュール熱となって
消費される。
このため基板端部への弾性表面波の到達は阻止されるこ
とになる。
とになる。
なお、本実施例においてマルチストリップカプラの形成
はトランスジューサのすだれ状電極と同時に形成するこ
とができるので、このマルチストリップカプラの形成の
ためには特に工数を要することはない。
はトランスジューサのすだれ状電極と同時に形成するこ
とができるので、このマルチストリップカプラの形成の
ためには特に工数を要することはない。
またマルチストリップカプラ自身からの反射は、例えば
該カプラ設計において公知のとおり電極11の幅寸法を
使用中心周波数での波長(λ)の1/8にし、かつ電極
11のピッチを1/4λにすることで抑圧できる。
該カプラ設計において公知のとおり電極11の幅寸法を
使用中心周波数での波長(λ)の1/8にし、かつ電極
11のピッチを1/4λにすることで抑圧できる。
以上説明したように本考案の弾性表面波素子はトランス
ジューサと基板端部との間に電極が端部で抵抗体により
接続されたマルチスl−IJツブカプラを設けることに
より、従来前なわれている基板処理や吸音材の塗布を廃
しても基板端部からの反射を抑圧することを可能にした
ものである。
ジューサと基板端部との間に電極が端部で抵抗体により
接続されたマルチスl−IJツブカプラを設けることに
より、従来前なわれている基板処理や吸音材の塗布を廃
しても基板端部からの反射を抑圧することを可能にした
ものである。
第1図は弾性表面波素子の原理図、第2図および第3図
は基板端部からの反射を防止した弾性表面波素子の従来
例の平面図、第4図は本考案にかかる実施例の弾性表面
波素子の平面図、第5図はそのマルチストリップカプラ
の電極の等価回路図である。 1・・・・・・基板、10・・・・・・トランスジュー
サ、12・・・・・・マルチストリップカプラ、13・
・・・・・抵抗体。
は基板端部からの反射を防止した弾性表面波素子の従来
例の平面図、第4図は本考案にかかる実施例の弾性表面
波素子の平面図、第5図はそのマルチストリップカプラ
の電極の等価回路図である。 1・・・・・・基板、10・・・・・・トランスジュー
サ、12・・・・・・マルチストリップカプラ、13・
・・・・・抵抗体。
Claims (1)
- 圧電材料にて形成された基板の上に入カドランスジュー
サと出カドランスジューサとを具備して成る弾性表面波
素子において、前記トランスジューサと基板端部との間
にマルチスl−IJツブカプラを設け、該マルチストリ
ップカプラはその複数条の帯状電極を前記トランスジュ
ーサのすだれ電極と平行にして配置し、且つ該帯状電極
端部には前記トランスジューサから前記基板端部方向へ
伝播する弾性表面波をジュール熱に変換させる為の抵抗
体を端部接続して設けたことを特徴とする弾性表面波素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1978175875U JPS584256Y2 (ja) | 1978-12-25 | 1978-12-25 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1978175875U JPS584256Y2 (ja) | 1978-12-25 | 1978-12-25 | 弾性表面波素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5595326U JPS5595326U (ja) | 1980-07-02 |
JPS584256Y2 true JPS584256Y2 (ja) | 1983-01-25 |
Family
ID=29183856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1978175875U Expired JPS584256Y2 (ja) | 1978-12-25 | 1978-12-25 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS584256Y2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52141542A (en) * | 1976-05-21 | 1977-11-25 | Hitachi Ltd | Acoustic surface wave unit |
-
1978
- 1978-12-25 JP JP1978175875U patent/JPS584256Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52141542A (en) * | 1976-05-21 | 1977-11-25 | Hitachi Ltd | Acoustic surface wave unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5595326U (ja) | 1980-07-02 |
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