JP2000216632A - 表面弾性波発振器 - Google Patents
表面弾性波発振器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極の微細化によらずに発振周波数の高周波
化が図れる表面弾性波発振器を提供する。 【解決手段】 圧電性膜４上に二つのすだれ状電極トラ
ンスデューサ５、６を形成し、一方のトランスデューサ
５を増幅器８の入力側８ａに接続し、増幅器８の出力側
８ｂを他方のトランスデューサ６に接続してなる遅延線
型の表面弾性波発振器であって、圧電性膜４が、圧電性
膜４より表面弾性波の伝搬速度が速い高速伝搬体３上に
形成されてなる。更に好ましくは、圧電性膜４が膜厚
０．５〜１．０μｍのＺｎＯ膜である。
化が図れる表面弾性波発振器を提供する。 【解決手段】 圧電性膜４上に二つのすだれ状電極トラ
ンスデューサ５、６を形成し、一方のトランスデューサ
５を増幅器８の入力側８ａに接続し、増幅器８の出力側
８ｂを他方のトランスデューサ６に接続してなる遅延線
型の表面弾性波発振器であって、圧電性膜４が、圧電性
膜４より表面弾性波の伝搬速度が速い高速伝搬体３上に
形成されてなる。更に好ましくは、圧電性膜４が膜厚
０．５〜１．０μｍのＺｎＯ膜である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電性膜上に二つ
のすだれ状電極トランスデューサを形成し、一方のトラ
ンスデューサを増幅器の入力側に接続し、前記増幅器の
出力側を他方のトランスデューサに接続してなる遅延線
型の表面弾性波発振器の発振周波数の改良技術に関す
る。
のすだれ状電極トランスデューサを形成し、一方のトラ
ンスデューサを増幅器の入力側に接続し、前記増幅器の
出力側を他方のトランスデューサに接続してなる遅延線
型の表面弾性波発振器の発振周波数の改良技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の遅延線型の表面弾性波発振器と
して、すだれ状電極トランスデューサを水晶やＬｉＮｂ
Ｏ3 （ニオブ酸リチウム）等の圧電体基板上に形成した
ものがあった。
して、すだれ状電極トランスデューサを水晶やＬｉＮｂ
Ｏ3 （ニオブ酸リチウム）等の圧電体基板上に形成した
ものがあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の表面弾
性波発振器では、発振周波数は、表面弾性波が両トラン
スデューサ間に形成される遅延線を伝搬する伝搬速度で
制限される。水晶基板を用いた場合、電極サイズを１μ
ｍまで微細化しても、水晶の表面弾性波の伝搬速度が３
２４０ｍ／ｓであるため、約８００ＭＨｚの発振が限界
で、１ＧＨｚ以上の高周波での発振は不可能であった。
また、かかる微細加工用の装置は高価なため製造コスト
が高騰するという問題もある。一方、表面弾性波ではな
くバルク波を利用する場合、発振周波数を高くするには
圧電体の厚さを薄く加工する必要があり、かかる加工の
困難さより水晶発振子で約６０ＭＨｚの発振周波数を得
るのが限界であった。
性波発振器では、発振周波数は、表面弾性波が両トラン
スデューサ間に形成される遅延線を伝搬する伝搬速度で
制限される。水晶基板を用いた場合、電極サイズを１μ
ｍまで微細化しても、水晶の表面弾性波の伝搬速度が３
２４０ｍ／ｓであるため、約８００ＭＨｚの発振が限界
で、１ＧＨｚ以上の高周波での発振は不可能であった。
また、かかる微細加工用の装置は高価なため製造コスト
が高騰するという問題もある。一方、表面弾性波ではな
くバルク波を利用する場合、発振周波数を高くするには
圧電体の厚さを薄く加工する必要があり、かかる加工の
困難さより水晶発振子で約６０ＭＨｚの発振周波数を得
るのが限界であった。
【０００４】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、電極の微細化によらずに発振周波
数の高周波化が図れる表面弾性波発振器を提供する点に
ある。
であり、その目的は、電極の微細化によらずに発振周波
数の高周波化が図れる表面弾性波発振器を提供する点に
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明に係る表面弾性波発振器の第一の特徴構成は、
特許請求の範囲の欄の請求項１に記載した通り、圧電性
膜上に二つのすだれ状電極トランスデューサを形成し、
一方のトランスデューサを増幅器の入力側に接続し、前
記増幅器の出力側を他方のトランスデューサに接続して
なる遅延線型の表面弾性波発振器であって、前記圧電性
膜が、前記圧電性膜より表面弾性波の伝搬速度が速い高
速伝搬体上に形成されてなる点にある。
の本発明に係る表面弾性波発振器の第一の特徴構成は、
特許請求の範囲の欄の請求項１に記載した通り、圧電性
膜上に二つのすだれ状電極トランスデューサを形成し、
一方のトランスデューサを増幅器の入力側に接続し、前
記増幅器の出力側を他方のトランスデューサに接続して
なる遅延線型の表面弾性波発振器であって、前記圧電性
膜が、前記圧電性膜より表面弾性波の伝搬速度が速い高
速伝搬体上に形成されてなる点にある。
【０００６】同第二の特徴構成は、特許請求の範囲の欄
の請求項２に記載した通り、前述の第一の特徴構成に加
えて、前記圧電性膜が膜厚０．５〜１．０μｍのＺｎＯ
膜である点にある。
の請求項２に記載した通り、前述の第一の特徴構成に加
えて、前記圧電性膜が膜厚０．５〜１．０μｍのＺｎＯ
膜である点にある。
【０００７】同第三の特徴構成は、特許請求の範囲の欄
の請求項３に記載した通り、前述の第一または第二の特
徴構成に加えて、前記高速伝搬体が、所定の基板上に形
成された膜厚が２μｍ以上の薄膜である点にある。
の請求項３に記載した通り、前述の第一または第二の特
徴構成に加えて、前記高速伝搬体が、所定の基板上に形
成された膜厚が２μｍ以上の薄膜である点にある。
【０００８】同第四の特徴構成は、特許請求の範囲の欄
の請求項４に記載した通り、前述の第一または第二の特
徴構成に加えて、前記高速伝搬体が単結晶基板である点
にある。
の請求項４に記載した通り、前述の第一または第二の特
徴構成に加えて、前記高速伝搬体が単結晶基板である点
にある。
【０００９】以下に上記特徴構成による作用並びに効果
を説明する。上記第一の特徴構成によれば、前記圧電性
膜を伝搬する表面弾性波が、前記圧電性膜の下側に形成
されている前記高速伝搬体の影響を受けて前記高速伝搬
体における伝搬速度で伝搬するため、前記圧電性膜の伝
搬速度によって制限される発振周波数の高周波化が図れ
るのである。例えば、高速伝搬体として表面弾性波の伝
搬速度ｖが１２０００ｍ／ｓ以上のダイヤモンドを使用
し、すだれ状電極の電極幅と電極間隔を３μｍで形成し
た場合、表面弾性波の波長λが１２μｍとなり、発振周
波数ｆはｆ＝ｖ／λなる関係式より１ＧＨｚ以上とな
る。従って、電極パターンの微細化によらずに１ＧＨｚ
以上の高周波発振が可能となるのである。
を説明する。上記第一の特徴構成によれば、前記圧電性
膜を伝搬する表面弾性波が、前記圧電性膜の下側に形成
されている前記高速伝搬体の影響を受けて前記高速伝搬
体における伝搬速度で伝搬するため、前記圧電性膜の伝
搬速度によって制限される発振周波数の高周波化が図れ
るのである。例えば、高速伝搬体として表面弾性波の伝
搬速度ｖが１２０００ｍ／ｓ以上のダイヤモンドを使用
し、すだれ状電極の電極幅と電極間隔を３μｍで形成し
た場合、表面弾性波の波長λが１２μｍとなり、発振周
波数ｆはｆ＝ｖ／λなる関係式より１ＧＨｚ以上とな
る。従って、電極パターンの微細化によらずに１ＧＨｚ
以上の高周波発振が可能となるのである。
【００１０】上記第二の特徴構成によれば、ＺｎＯ膜が
圧電膜として正常に機能するのである。つまり、ＺｎＯ
膜の膜厚が０．５μｍより薄くなると、圧電変換効率が
著しく低下するとともに、発生した表面弾性波の強度が
小さく、両トランスデューサ間を伝搬する間に減衰し、
発振不能となる。他方、ＺｎＯ膜の膜厚が１．０μｍよ
り厚くなると、ＺｎＯ結晶膜の結晶軸が崩れて圧電体と
しての機能が損なわれ発振不能となる。従って、ＺｎＯ
膜の膜厚が０．５〜１．０μｍの範囲内であれば、適切
な圧電変換効率が維持され、ＺｎＯ結晶膜の結晶軸が崩
れることなく正常に圧電体として機能して発振不能に陥
ることがない。
圧電膜として正常に機能するのである。つまり、ＺｎＯ
膜の膜厚が０．５μｍより薄くなると、圧電変換効率が
著しく低下するとともに、発生した表面弾性波の強度が
小さく、両トランスデューサ間を伝搬する間に減衰し、
発振不能となる。他方、ＺｎＯ膜の膜厚が１．０μｍよ
り厚くなると、ＺｎＯ結晶膜の結晶軸が崩れて圧電体と
しての機能が損なわれ発振不能となる。従って、ＺｎＯ
膜の膜厚が０．５〜１．０μｍの範囲内であれば、適切
な圧電変換効率が維持され、ＺｎＯ結晶膜の結晶軸が崩
れることなく正常に圧電体として機能して発振不能に陥
ることがない。
【００１１】更に、ＺｎＯ膜の膜厚と結晶性の関係につ
いて、Ｘ線の回折の実験結果に基づいて説明する。図７
に示すように、ＺｎＯ膜の膜厚が１．５μｍの場合、複
数の結晶面、即ち（００２）、（１００）、（１０１）
の各結晶面が混在しており、結晶軸が崩れていることが
確認された。他方、図８に示すように、ＺｎＯ膜の膜厚
が０．５〜１．０μｍの範囲内の場合は、単一の結晶
面、即ち（００２）面のみが現れており、結晶軸が崩れ
ていないことが確認できた。
いて、Ｘ線の回折の実験結果に基づいて説明する。図７
に示すように、ＺｎＯ膜の膜厚が１．５μｍの場合、複
数の結晶面、即ち（００２）、（１００）、（１０１）
の各結晶面が混在しており、結晶軸が崩れていることが
確認された。他方、図８に示すように、ＺｎＯ膜の膜厚
が０．５〜１．０μｍの範囲内の場合は、単一の結晶
面、即ち（００２）面のみが現れており、結晶軸が崩れ
ていないことが確認できた。
【００１２】上記第三の特徴構成によれば、高速伝搬体
の表面弾性波の伝搬速度の高速性が損なわれることなく
高周波発振が可能となるのである。つまり、所定の基板
上に所定の薄膜形成法で形成された高速伝搬体膜は、表
面に１μｍ程度の凹凸が存在するので、その上に薄い圧
電膜を形成するために表面を研磨して平坦化する必要が
あるが、高速伝搬体の膜厚が２μｍの場合は、研磨の影
響で歪み等が発生して僅かな欠陥でも伝搬速度の高速性
が損なわれ、この結果、発振周波数が低下することにな
り、更には、同じ製造条件であっても発振周波数に大き
な製造バラツキが発生する要因となる。
の表面弾性波の伝搬速度の高速性が損なわれることなく
高周波発振が可能となるのである。つまり、所定の基板
上に所定の薄膜形成法で形成された高速伝搬体膜は、表
面に１μｍ程度の凹凸が存在するので、その上に薄い圧
電膜を形成するために表面を研磨して平坦化する必要が
あるが、高速伝搬体の膜厚が２μｍの場合は、研磨の影
響で歪み等が発生して僅かな欠陥でも伝搬速度の高速性
が損なわれ、この結果、発振周波数が低下することにな
り、更には、同じ製造条件であっても発振周波数に大き
な製造バラツキが発生する要因となる。
【００１３】上記第四の特徴構成によれば、基板上に薄
膜状に形成されたものに比べて、より高速な伝搬速度の
高速伝搬体が得られ、高精度な高周波発振器を形成する
ことができるのである。
膜状に形成されたものに比べて、より高速な伝搬速度の
高速伝搬体が得られ、高精度な高周波発振器を形成する
ことができるのである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。本発明に係る表面弾性波発振器１
は、図１に示すように、Ｓｉまたは各種のセラミックス
からなる基板２上に、高速伝搬体であるダイヤモンド薄
膜３と圧電性膜４を形成し、その圧電性膜４上に二つの
すだれ状電極トランスデューサ５、６を設けて両トラン
スデューサ５、６間に遅延線７を形成し、一方のトラン
スデューサ５を高周波増幅器８の入力側８ａに接続し、
前記増幅器８の出力側８ｂを他方のトランスデューサ６
と接続して帰還ループを形成して構成されている。
に基づいて説明する。本発明に係る表面弾性波発振器１
は、図１に示すように、Ｓｉまたは各種のセラミックス
からなる基板２上に、高速伝搬体であるダイヤモンド薄
膜３と圧電性膜４を形成し、その圧電性膜４上に二つの
すだれ状電極トランスデューサ５、６を設けて両トラン
スデューサ５、６間に遅延線７を形成し、一方のトラン
スデューサ５を高周波増幅器８の入力側８ａに接続し、
前記増幅器８の出力側８ｂを他方のトランスデューサ６
と接続して帰還ループを形成して構成されている。
【００１５】前記ダイヤモンド薄膜３は前記基板２上に
ＣＶＤ法で１０μｍ程度の膜厚に成膜したものを５μｍ
程度にまで研磨して表面を平坦化してある。前記圧電性
膜４として、上記研磨後のダイヤモンド薄膜３上にＲＦ
スパッタリング法で成膜した膜厚０．６〜０．７μｍの
ＺｎＯ膜を使用する。前記すだれ状電極トランスデュー
サ５、６は、図２及び図３に示すように、ＡｌまたはＡ
ｌ合金からなる櫛形の多対電極を二つ組み合わせた形状
のいわゆるＩＤＴ（インターディジタルトランスデュー
サ）電極で、前記圧電性膜４上に電極金属膜を蒸着法や
スパッタリング法等で形成した後、フォトリソグラフィ
により不要な金属膜部分をドライエッチングやリフトオ
フ等により除去し、電極パターンが形成されている。各
トランスデューサ５、６の電極の幅ｗ及び間隔ｓは夫々
３μｍに形成されており、励振される表面弾性波の波長
λは２（ｗ＋ｓ）で求まり１２μｍとなる。また、櫛形
の多対電極は夫々２５対の交差幅３００μｍの電極から
なり、各トランスデューサ５、６の長さは３００μｍと
なる。また、両トランスデューサ５、６の間隔は５００
μｍである。この間隔が長くなれば、前記遅延線７にお
ける表面弾性波の減衰が大きくなり、前記高周波増幅器
８の増幅率の大きなものが要求されることになる。とこ
ろで、１ＧＨｚ以上の高周波で発振する為には、前記高
周波増幅器８の周波数帯域としてそれより十分高いもの
が要求されるため、増幅率はできるだけ低く抑えること
が好ましい。本実施形態では、前記遅延線７の減衰率が
３０〜４０ｄＢ程度であるため、前記高周波増幅器８の
増幅率は７０ｄＢのものを使用している。尚、前記高周
波増幅器８は、既存のものを外付けで使用しても、前記
基板２上にモノリシックに集積回路として形成したもの
であってもよい。
ＣＶＤ法で１０μｍ程度の膜厚に成膜したものを５μｍ
程度にまで研磨して表面を平坦化してある。前記圧電性
膜４として、上記研磨後のダイヤモンド薄膜３上にＲＦ
スパッタリング法で成膜した膜厚０．６〜０．７μｍの
ＺｎＯ膜を使用する。前記すだれ状電極トランスデュー
サ５、６は、図２及び図３に示すように、ＡｌまたはＡ
ｌ合金からなる櫛形の多対電極を二つ組み合わせた形状
のいわゆるＩＤＴ（インターディジタルトランスデュー
サ）電極で、前記圧電性膜４上に電極金属膜を蒸着法や
スパッタリング法等で形成した後、フォトリソグラフィ
により不要な金属膜部分をドライエッチングやリフトオ
フ等により除去し、電極パターンが形成されている。各
トランスデューサ５、６の電極の幅ｗ及び間隔ｓは夫々
３μｍに形成されており、励振される表面弾性波の波長
λは２（ｗ＋ｓ）で求まり１２μｍとなる。また、櫛形
の多対電極は夫々２５対の交差幅３００μｍの電極から
なり、各トランスデューサ５、６の長さは３００μｍと
なる。また、両トランスデューサ５、６の間隔は５００
μｍである。この間隔が長くなれば、前記遅延線７にお
ける表面弾性波の減衰が大きくなり、前記高周波増幅器
８の増幅率の大きなものが要求されることになる。とこ
ろで、１ＧＨｚ以上の高周波で発振する為には、前記高
周波増幅器８の周波数帯域としてそれより十分高いもの
が要求されるため、増幅率はできるだけ低く抑えること
が好ましい。本実施形態では、前記遅延線７の減衰率が
３０〜４０ｄＢ程度であるため、前記高周波増幅器８の
増幅率は７０ｄＢのものを使用している。尚、前記高周
波増幅器８は、既存のものを外付けで使用しても、前記
基板２上にモノリシックに集積回路として形成したもの
であってもよい。
【００１６】以上のような構成において、前記増幅器８
の出力側８ｂから出力される電気信号が前記トランスデ
ューサ６に入力され、前記圧電性膜４の表面に表面弾性
波が励振される。前記トランスデューサ６において励振
された表面弾性波は、前記遅延線７を前記トランスデュ
ーサ５に向けて、前記圧電性膜４における表面弾性波の
伝搬速度（数１０００ｍ／ｓ）より高速の前記圧電性膜
４の下層側に設けられた前記ダイヤモンド薄膜３におけ
る表面弾性波の伝搬速度ｖ（１２０００〜１５０００ｍ
／ｓ）で伝搬し、前記トランスデューサ５で検波され電
気信号に変換され、前記増幅器８の入力側８ａに入力さ
れ、上記した帰還ループ上において所定周波数ｆで発振
する。ここで、発振周波数ｆは、表面弾性波の波長λと
伝搬速度ｖより関係式ｆ＝ｖ／λで決定される。
の出力側８ｂから出力される電気信号が前記トランスデ
ューサ６に入力され、前記圧電性膜４の表面に表面弾性
波が励振される。前記トランスデューサ６において励振
された表面弾性波は、前記遅延線７を前記トランスデュ
ーサ５に向けて、前記圧電性膜４における表面弾性波の
伝搬速度（数１０００ｍ／ｓ）より高速の前記圧電性膜
４の下層側に設けられた前記ダイヤモンド薄膜３におけ
る表面弾性波の伝搬速度ｖ（１２０００〜１５０００ｍ
／ｓ）で伝搬し、前記トランスデューサ５で検波され電
気信号に変換され、前記増幅器８の入力側８ａに入力さ
れ、上記した帰還ループ上において所定周波数ｆで発振
する。ここで、発振周波数ｆは、表面弾性波の波長λと
伝搬速度ｖより関係式ｆ＝ｖ／λで決定される。
【００１７】図４に、表面弾性波発振器１の発振周波数
の測定結果を示す。これより、発振周波数が１．０３９
ＧＨｚという高周波で発振できることが確認できた。従
って、電極の幅ｗ及び間隔ｓを夫々１μｍにまで電極パ
ターンの微細化を行えば、３ＧＨｚ以上の高周波発振が
可能となる。図４に示す測定結果より、前記ダイヤモン
ド薄膜３における表面弾性波の伝搬速度ｖは１２４６８
ｍ／ｓであることが分かる。
の測定結果を示す。これより、発振周波数が１．０３９
ＧＨｚという高周波で発振できることが確認できた。従
って、電極の幅ｗ及び間隔ｓを夫々１μｍにまで電極パ
ターンの微細化を行えば、３ＧＨｚ以上の高周波発振が
可能となる。図４に示す測定結果より、前記ダイヤモン
ド薄膜３における表面弾性波の伝搬速度ｖは１２４６８
ｍ／ｓであることが分かる。
【００１８】以下、本発明の別実施形態を列記する。 〈１〉上記実施の形態では、表面弾性波発振器１の高速
伝搬体として、前記ダイヤモンド薄膜３を前記基板２上
に最終的に膜厚５μｍ程度に成膜したもの使用したが、
図５に示すように、単結晶のダイヤモンド基板９を使用
して、その上に前記圧電性膜４を形成するようにしても
構わない。図６に、このようにして作製した表面弾性波
発振器１の発振周波数の測定結果を示す。尚、高速伝搬
体以外の構成及び寸法は上記実施の形態のものと同じで
ある。図６に示す結果より、先の実施形態より僅かに高
周波の１．０６６ＧＨｚの発振周波数で発振できること
が確認できた。また、このダイヤモンド基板９における
表面弾性波の伝搬速度は１２７９２ｍ／ｓであることが
分かる。高速伝搬体が単結晶のため前記ダイヤモンド薄
膜３より結晶性が良く、表面弾性波の伝搬速度が高速に
なったものと考えられる。
伝搬体として、前記ダイヤモンド薄膜３を前記基板２上
に最終的に膜厚５μｍ程度に成膜したもの使用したが、
図５に示すように、単結晶のダイヤモンド基板９を使用
して、その上に前記圧電性膜４を形成するようにしても
構わない。図６に、このようにして作製した表面弾性波
発振器１の発振周波数の測定結果を示す。尚、高速伝搬
体以外の構成及び寸法は上記実施の形態のものと同じで
ある。図６に示す結果より、先の実施形態より僅かに高
周波の１．０６６ＧＨｚの発振周波数で発振できること
が確認できた。また、このダイヤモンド基板９における
表面弾性波の伝搬速度は１２７９２ｍ／ｓであることが
分かる。高速伝搬体が単結晶のため前記ダイヤモンド薄
膜３より結晶性が良く、表面弾性波の伝搬速度が高速に
なったものと考えられる。
【００１９】〈２〉上記各実施の形態では、高速伝搬体
として前記ダイヤモンド薄膜３や前記ダイヤモンド基板
９のようにダイヤモンドを使用したが、前記圧電性膜４
に比べて表面弾性波の伝搬速度が十分に速いものであれ
ば良く、例えば，サファイアやＣＮｘ等の薄膜や基板を
使用しても構わない。
として前記ダイヤモンド薄膜３や前記ダイヤモンド基板
９のようにダイヤモンドを使用したが、前記圧電性膜４
に比べて表面弾性波の伝搬速度が十分に速いものであれ
ば良く、例えば，サファイアやＣＮｘ等の薄膜や基板を
使用しても構わない。
【００２０】〈３〉上記各実施の形態では、前記圧電性
膜４の材質としてＺｎＯを使用したが、例えばＬｉＮｂ
Ｏ3 やＺｎＳ等の他の圧電性を有する材料のものでも構
わない。
膜４の材質としてＺｎＯを使用したが、例えばＬｉＮｂ
Ｏ3 やＺｎＳ等の他の圧電性を有する材料のものでも構
わない。
【００２１】〈４〉上記各実施の形態において、前記す
だれ状電極トランスデューサ５、６の電極対数や各部の
寸法等は、例示した数値のものに限定されるものではな
く、適宜変更可能である。更に、前記ダイヤモンド薄膜
３及び前記圧電性膜４の膜厚は、例示した数値のものに
限定されるものではなく、前記圧電性膜４の膜厚は０．
５〜１．０μｍの範囲内であれば、また、前記ダイヤモ
ンド薄膜３の膜厚は２μｍ以上であれば、夫々適宜変更
可能である。
だれ状電極トランスデューサ５、６の電極対数や各部の
寸法等は、例示した数値のものに限定されるものではな
く、適宜変更可能である。更に、前記ダイヤモンド薄膜
３及び前記圧電性膜４の膜厚は、例示した数値のものに
限定されるものではなく、前記圧電性膜４の膜厚は０．
５〜１．０μｍの範囲内であれば、また、前記ダイヤモ
ンド薄膜３の膜厚は２μｍ以上であれば、夫々適宜変更
可能である。
【図１】本発明に係る表面弾性波発振器の一実施の形態
の斜視図
の斜視図
【図２】本発明に係る表面弾性波発振器のすだれ状電極
トランスデューサの平面図
トランスデューサの平面図
【図３】図２に示すすだれ状電極トランスデューサの要
部平面図
部平面図
【図４】本発明に係る表面弾性波発振器の発振周波数の
測定結果を示す特性図
測定結果を示す特性図
【図５】本発明に係る表面弾性波発振器の別実施の形態
の斜視図
の斜視図
【図６】別実施形態における表面弾性波発振器の発振周
波数の測定結果を示す特性図
波数の測定結果を示す特性図
【図７】ＺｎＯ膜の膜厚が１．５μｍの場合におけるＸ
線回折の実験結果を示す図
線回折の実験結果を示す図
【図８】ＺｎＯ膜の膜厚が０．５〜１．０μｍの場合に
おけるＸ線回折の実験結果を示す図
おけるＸ線回折の実験結果を示す図
１ 表面弾性波発振器 ２ 基板 ３ 高速伝搬体（ダイヤモンド薄膜） ４ 圧電性膜 ５、６ すだれ状電極トランスデューサ ７ 遅延線 ８ 高周波増幅器 ８ａ 入力側 ８ｂ 出力側 ９ 高速伝搬体（ダイヤモンド基板）
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電性膜上に二つのすだれ状電極トラン
スデューサを形成し、一方のトランスデューサを増幅器
の入力側に接続し、前記増幅器の出力側を他方のトラン
スデューサに接続してなる遅延線型の表面弾性波発振器
であって、 前記圧電性膜が、前記圧電性膜より表面弾性波の伝搬速
度が速い高速伝搬体上に形成されてなる表面弾性波発振
器。 - 【請求項２】 前記圧電性膜が膜厚０．５〜１．０μｍ
のＺｎＯ膜である請求項１記載の表面弾性波発振器。 - 【請求項３】 前記高速伝搬体が、所定の基板上に形成
された膜厚が２μｍ以上の薄膜である請求項１または２
記載の表面弾性波発振器。 - 【請求項４】 前記高速伝搬体が単結晶基板である請求
項１または２記載の表面弾性波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192499A JP2000216632A (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 表面弾性波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192499A JP2000216632A (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 表面弾性波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216632A true JP2000216632A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11791244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1192499A Pending JP2000216632A (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 表面弾性波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000216632A (ja) |
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