JPH054340Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH054340Y2 JPH054340Y2 JP16946387U JP16946387U JPH054340Y2 JP H054340 Y2 JPH054340 Y2 JP H054340Y2 JP 16946387 U JP16946387 U JP 16946387U JP 16946387 U JP16946387 U JP 16946387U JP H054340 Y2 JPH054340 Y2 JP H054340Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- chip
- electrode
- waves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 22
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
本考案は、表面弾性波装置に関する。
背景技術
従来の表面弾性波装置として第３図に示す如き
２ポート型表面弾性波共振子が知られている。第
３図において、１は、圧電性基板から機械的ダイ
シングにより得られたチツプである。チツプ１の
主面上にはくし形電極或いはすだれ状電極と称さ
れる電極（以下、IDTと略記する）２及び３が形
成されている。IDT２及び３は、所定の間隔をも
つて互いに平行に形成されかつ開口部８を有する
複数の電極子からなつている。IDT２を形成する
電極子の両端は、互いに対向する電極パツド４，
５に接続されている。また、IDT３を形成する電
極子の両端は、互いに対向する電極パツド６，７
に接続されている。これらIDT２及び３を形成す
る電極子と平行にチツプ１の表面に形成された複
数の電極子からなる反射器９及び１０がIDT２及
び３を挟む位置に設けられている。
２ポート型表面弾性波共振子が知られている。第
３図において、１は、圧電性基板から機械的ダイ
シングにより得られたチツプである。チツプ１の
主面上にはくし形電極或いはすだれ状電極と称さ
れる電極（以下、IDTと略記する）２及び３が形
成されている。IDT２及び３は、所定の間隔をも
つて互いに平行に形成されかつ開口部８を有する
複数の電極子からなつている。IDT２を形成する
電極子の両端は、互いに対向する電極パツド４，
５に接続されている。また、IDT３を形成する電
極子の両端は、互いに対向する電極パツド６，７
に接続されている。これらIDT２及び３を形成す
る電極子と平行にチツプ１の表面に形成された複
数の電極子からなる反射器９及び１０がIDT２及
び３を挟む位置に設けられている。
以上の構成において、電極パツド４，５間に高
周波電圧を印加すると、電極間の圧電作用により
表面弾性波が発生する。この表面弾性波は、矢印
ａで示す如くIDT２を形成する電極子に直角な方
向すなわち図において左右方向に伝播するが、反
射器９及び１０によつて反射されるので、反射器
９及び１０間で定在波が生じる。この定在波は、
IDT２と反射器９，１０の相対位置及びこれら
IDT２と反射器９，１０の電極子のピツチにより
定まる周波数0の信号が入力されたとき最も発生
し易くなる。また、この定在波は、IDT３の電極
子間に圧電作用により起電力を発生させるので、
電極パツド６，７間から外部に信号を送出でき
る。
周波電圧を印加すると、電極間の圧電作用により
表面弾性波が発生する。この表面弾性波は、矢印
ａで示す如くIDT２を形成する電極子に直角な方
向すなわち図において左右方向に伝播するが、反
射器９及び１０によつて反射されるので、反射器
９及び１０間で定在波が生じる。この定在波は、
IDT２と反射器９，１０の相対位置及びこれら
IDT２と反射器９，１０の電極子のピツチにより
定まる周波数0の信号が入力されたとき最も発生
し易くなる。また、この定在波は、IDT３の電極
子間に圧電作用により起電力を発生させるので、
電極パツド６，７間から外部に信号を送出でき
る。
従つて、電極パツド４，５と６，７間のインピ
ーダンスは、周波数0で最小になり、この周波数
0以外では当該インピーダンスは大になるので、
第３図の装置は共振子としての特性を有する。
ーダンスは、周波数0で最小になり、この周波数
0以外では当該インピーダンスは大になるので、
第３図の装置は共振子としての特性を有する。
ところが、電極子と直交する基本モードの定在
波以外に２次元的に拡がる波が矢印ｂで示す如く
反射器９及び１０のパターンのエツジで反射され
ることにより生じる高次モードの定在波が発生す
るので、共振子の周波数特性には基本モードによ
る主共振点以外に高次モードによるスプリアスが
生じる。この高次モードによるスプリアスを防止
するために、IDT２及び３を形成する電極子に設
けられている開口部８によつて重み付けパターン
が施され、表面波をパターン上下上方すなわち電
極子の伸長方向の中心に絞り込むようにして高次
モードの発生を抑えるようになされているのであ
る。
波以外に２次元的に拡がる波が矢印ｂで示す如く
反射器９及び１０のパターンのエツジで反射され
ることにより生じる高次モードの定在波が発生す
るので、共振子の周波数特性には基本モードによ
る主共振点以外に高次モードによるスプリアスが
生じる。この高次モードによるスプリアスを防止
するために、IDT２及び３を形成する電極子に設
けられている開口部８によつて重み付けパターン
が施され、表面波をパターン上下上方すなわち電
極子の伸長方向の中心に絞り込むようにして高次
モードの発生を抑えるようになされているのであ
る。
このため、従来の表面弾性波共振子において
は、パツド４〜７寄りのIDT２，３の電極子は、
表面弾性波の発生には有効に作用していなかつ
た。また、表面弾性波が、パターンの上下方向の
中心部に集中してしまうため、圧電作用による機
械的ストレスがその部分で強く発生することとな
り、電極子を構成する導電材を劣化（ストレス・
マイグレーシヨン）させ易く、結果的にRF入力
耐圧が低いという欠点があつた。
は、パツド４〜７寄りのIDT２，３の電極子は、
表面弾性波の発生には有効に作用していなかつ
た。また、表面弾性波が、パターンの上下方向の
中心部に集中してしまうため、圧電作用による機
械的ストレスがその部分で強く発生することとな
り、電極子を構成する導電材を劣化（ストレス・
マイグレーシヨン）させ易く、結果的にRF入力
耐圧が低いという欠点があつた。
考案の概要
本考案は、上記した点に鑑みてなされたもので
あつて、RF入力耐圧を向上させることができる
表面弾性波装置を提供することを目的とする。
あつて、RF入力耐圧を向上させることができる
表面弾性波装置を提供することを目的とする。
本考案による表面弾性波装置は、反射器を形成
する電極子の両端が凹凸を有するチツプの側面に
達している構成となつている。
する電極子の両端が凹凸を有するチツプの側面に
達している構成となつている。
実施例
以下、本考案の実施例につき第１図及び第２図
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
第１図において、チツプ１の主面上にIDT２，
３、電極パツド４〜７、反射器９，１０は第２図
の装置と同様に形成されている。しかしながら、
本例においては反射器９及び１０を形成する電極
子は、チツプ１の主面周縁端まで伸びており、チ
ツプ１を切り出すときに基板と共に切断されてい
る。従つて、これら反射器９及び１０を形成する
電極子の両端はチツプ１の側面と一致する。チツ
プ１の側面には機械的ダイシング、或いは他の機
械的処理や化学的処理により凹凸が付けられてい
る。また、IDT２及び３を形成する電極子には開
口部が設けられておらず、IDT２及び３の重み付
けはなされていない。また、IDT２及び３を形成
する電極子の一端は１つおきに電極パツド４又は
３に接続されており、一端が電極パツド４又は６
に接続されてない電極子の他端は電極パツド５又
は７に接続されている。
３、電極パツド４〜７、反射器９，１０は第２図
の装置と同様に形成されている。しかしながら、
本例においては反射器９及び１０を形成する電極
子は、チツプ１の主面周縁端まで伸びており、チ
ツプ１を切り出すときに基板と共に切断されてい
る。従つて、これら反射器９及び１０を形成する
電極子の両端はチツプ１の側面と一致する。チツ
プ１の側面には機械的ダイシング、或いは他の機
械的処理や化学的処理により凹凸が付けられてい
る。また、IDT２及び３を形成する電極子には開
口部が設けられておらず、IDT２及び３の重み付
けはなされていない。また、IDT２及び３を形成
する電極子の一端は１つおきに電極パツド４又は
３に接続されており、一端が電極パツド４又は６
に接続されてない電極子の他端は電極パツド５又
は７に接続されている。
以上の構成において、電極パツド４，５間又は
６，７間に高周波信号が印加されると第３図の装
着と同様に定在波が発生する。しかしながら、反
射器９及び１０のエツジがダイシングによつて荒
れているチツプ１の側面と一致しているので、表
面波は、この面で乱反射されるため、矢印ｃに示
す如く一定方向への反射は起こらない。このた
め、高次モードの定在波は発生せず、基本モード
のみになる。従つて、表面弾性波共振子としての
通過特性には主共振周波数以外のスプリアスは発
生しない。このため、IDT２及び３に重み付けが
行なわれていないにも拘らず、電極幅Ｗを狭くし
て高次モードを抑制する必要がなく、電極幅Ｗを
任意に設定することができる。また、IDT２及び
３に重み付けがなされていないので、表面波は中
心に集中せず、電極幅Ｗ方向で均一に伝播するの
で、機械的な応力が分散されて各電極子に加わる
ストレスが小さくなり、結果としてRF入力耐圧
が向上する。更に、IDT２及び３の重み付けの必
要がないので、チツプ面が有効に利用でき、重み
付けを行なつた場合と同一の特性のものが、より
小さいパターンで実現でき、チツプ面を小さくし
てパツケージ容量を小さくすることができる。
６，７間に高周波信号が印加されると第３図の装
着と同様に定在波が発生する。しかしながら、反
射器９及び１０のエツジがダイシングによつて荒
れているチツプ１の側面と一致しているので、表
面波は、この面で乱反射されるため、矢印ｃに示
す如く一定方向への反射は起こらない。このた
め、高次モードの定在波は発生せず、基本モード
のみになる。従つて、表面弾性波共振子としての
通過特性には主共振周波数以外のスプリアスは発
生しない。このため、IDT２及び３に重み付けが
行なわれていないにも拘らず、電極幅Ｗを狭くし
て高次モードを抑制する必要がなく、電極幅Ｗを
任意に設定することができる。また、IDT２及び
３に重み付けがなされていないので、表面波は中
心に集中せず、電極幅Ｗ方向で均一に伝播するの
で、機械的な応力が分散されて各電極子に加わる
ストレスが小さくなり、結果としてRF入力耐圧
が向上する。更に、IDT２及び３の重み付けの必
要がないので、チツプ面が有効に利用でき、重み
付けを行なつた場合と同一の特性のものが、より
小さいパターンで実現でき、チツプ面を小さくし
てパツケージ容量を小さくすることができる。
以上、２ポート型表面弾性波共振子の場合につ
いて説明したが、本考案は、第１図の装置から
IDT３及び電極パツド６，７を除去して得られる
第２図に示す如き１ポート型表面弾性波共振子、
更には表面弾性波共振子型フイルタに適用するこ
ともできる。尚、表面弾性波共振子型フイルタに
適用した場合には帯域外の抑圧度を向上させるこ
とができるという効果が得られる。
いて説明したが、本考案は、第１図の装置から
IDT３及び電極パツド６，７を除去して得られる
第２図に示す如き１ポート型表面弾性波共振子、
更には表面弾性波共振子型フイルタに適用するこ
ともできる。尚、表面弾性波共振子型フイルタに
適用した場合には帯域外の抑圧度を向上させるこ
とができるという効果が得られる。
考案の効果
以下詳述した如く本考案による表面弾性波装置
は、反射器を形成する電極子の両端が凹凸を有す
るチツプの側面に達している構成となつているの
で、反射器を形成する電極子の両端における表面
弾性波の反射が防止され、IDTに重み付けを施す
ことなしに高次モードによるスプリアスを抑制で
きる。また、電極幅も広く設計できるので、設計
の自由度が増す。更に、表面波を中心に集中させ
ずに電極幅方向に分散させることができるので、
エネルギー密度が低下し、RF入力耐圧を向上さ
せるとができるのである。
は、反射器を形成する電極子の両端が凹凸を有す
るチツプの側面に達している構成となつているの
で、反射器を形成する電極子の両端における表面
弾性波の反射が防止され、IDTに重み付けを施す
ことなしに高次モードによるスプリアスを抑制で
きる。また、電極幅も広く設計できるので、設計
の自由度が増す。更に、表面波を中心に集中させ
ずに電極幅方向に分散させることができるので、
エネルギー密度が低下し、RF入力耐圧を向上さ
せるとができるのである。
第１図は、本考案の一実施例を示す平面図、第
２図は、本考案の他の実施例を示す平面図、第３
図は、従来の表面弾性波装置を示す平面図であ
る。 主要部分の符号の説明、１……チツプ、２，３
……IDT、９，１０……反射器。
２図は、本考案の他の実施例を示す平面図、第３
図は、従来の表面弾性波装置を示す平面図であ
る。 主要部分の符号の説明、１……チツプ、２，３
……IDT、９，１０……反射器。
Claims (1)
- 側面が凹凸を有するチツプと、前記チツプの主
面に表面弾性波を発生させる表面弾性波発生手段
と、前記表面弾性波の波面の法線に対して所定角
度をなす方向に伸長する複数の電極子からなる反
射器とを含む表面弾性波装置であつて、前記反射
器を形成する電極子の両端が、前記チツプの側面
に達していることを特徴とする表面弾性波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16946387U JPH054340Y2 (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16946387U JPH054340Y2 (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0174627U JPH0174627U (ja) | 1989-05-19 |
| JPH054340Y2 true JPH054340Y2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=31459544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16946387U Expired - Lifetime JPH054340Y2 (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH054340Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-11-05 JP JP16946387U patent/JPH054340Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0174627U (ja) | 1989-05-19 |
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