JP3201088B2 - 弾性表面波共振子 - Google Patents
弾性表面波共振子Info
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波を利用して
共振器又は多重モードフィルタを構成するための弾性表
面波（ＳＡＷ）共振子に関する。
共振器又は多重モードフィルタを構成するための弾性表
面波（ＳＡＷ）共振子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷ共振子は、例えば、図２に示すよ
うに、水晶等の圧電基板１面に一対の短冊形電極膜で構
成されるインター・ディジタル・トランスジューサ（Ｉ
ＤＴ）電極２と、このＩＤＴ電極２の両側に夫々短冊形
電極膜で構成される反射器３、４を配置して共振器を構
成する。
うに、水晶等の圧電基板１面に一対の短冊形電極膜で構
成されるインター・ディジタル・トランスジューサ（Ｉ
ＤＴ）電極２と、このＩＤＴ電極２の両側に夫々短冊形
電極膜で構成される反射器３、４を配置して共振器を構
成する。
【０００３】また、該共振器が励起する弾性表面波の伝
搬方向（インター・ディジタル・トランスジューサ電極
と反射器の配列方向）に垂直に分布する横モードといわ
れる振動モードを利用し、多重モードフイルタと呼ばれ
るＳＡＷフイルタとしても利用される。
搬方向（インター・ディジタル・トランスジューサ電極
と反射器の配列方向）に垂直に分布する横モードといわ
れる振動モードを利用し、多重モードフイルタと呼ばれ
るＳＡＷフイルタとしても利用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＳＡＷ共振子では、図
２に示すように、横モードでのエネルギー密度には基本
モードＭ１のほかに、二次モードＭ２及び三次モードＭ
３などの高次モードも存在し、これら高次モードのエネ
ルギー密度の存在はフイルタ特性上で不要な通過帯を形
成することがある。また、ＳＡＷ共振子単体として用い
る場合もその特性を悪化させることがある。
２に示すように、横モードでのエネルギー密度には基本
モードＭ１のほかに、二次モードＭ２及び三次モードＭ
３などの高次モードも存在し、これら高次モードのエネ
ルギー密度の存在はフイルタ特性上で不要な通過帯を形
成することがある。また、ＳＡＷ共振子単体として用い
る場合もその特性を悪化させることがある。
【０００５】本発明の目的は、横モードでの弾性表面波
のうち高次モードの発生を抑制する弾性表面波共振子を
提供することにある。
のうち高次モードの発生を抑制する弾性表面波共振子を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題の解
決を図るため、圧電基板と、この圧電基板の面に一対の
短冊形電極膜で構成されるインター・ディジタル・トラ
ンスジューサ電極と、このインター・ディジタル・トラ
ンスジューサ電極の両側に設けられ短冊形電極膜で構成
される一対の反射器を備えた弾性表面波共振子におい
て、前記インター・ディジタル・トランスジューサ電極
と反射器の配列方向でかつ該電極の交差幅以下の幅で該
電極及び反射器の上面又は下面に圧電薄膜又は絶縁膜に
した導波路を備えたことを特徴とする。
決を図るため、圧電基板と、この圧電基板の面に一対の
短冊形電極膜で構成されるインター・ディジタル・トラ
ンスジューサ電極と、このインター・ディジタル・トラ
ンスジューサ電極の両側に設けられ短冊形電極膜で構成
される一対の反射器を備えた弾性表面波共振子におい
て、前記インター・ディジタル・トランスジューサ電極
と反射器の配列方向でかつ該電極の交差幅以下の幅で該
電極及び反射器の上面又は下面に圧電薄膜又は絶縁膜に
した導波路を備えたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】圧電基板上で、導波路を設けた部分は、導波路
の膜厚部分だけ他の部位より基板が厚くなる。この質量
効果を利用して弾性表面波の伝搬を導波路部位に集中し
易くし、弾性表面波の横モードでのエネルギー密度分布
が基本モードで高くなると共に高次モードで低くなるよ
うにし、高次モードの発生を抑制する。
の膜厚部分だけ他の部位より基板が厚くなる。この質量
効果を利用して弾性表面波の伝搬を導波路部位に集中し
易くし、弾性表面波の横モードでのエネルギー密度分布
が基本モードで高くなると共に高次モードで低くなるよ
うにし、高次モードの発生を抑制する。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示すＳＡＷ共振
子の構成図である。同図が図２の構成と異なる部分は、
表面波伝搬路上に弾性表面波の導波路５を構成した点に
ある。
子の構成図である。同図が図２の構成と異なる部分は、
表面波伝搬路上に弾性表面波の導波路５を構成した点に
ある。
【０００９】この構造のＳＡＷ共振子は、圧電基板１上
に通常の手法でＩＤＴ電極２及び反射器３、４を形成し
た上から、蒸着法などによって圧電薄膜又は絶縁膜とし
て導波路５が形成される。
に通常の手法でＩＤＴ電極２及び反射器３、４を形成し
た上から、蒸着法などによって圧電薄膜又は絶縁膜とし
て導波路５が形成される。
【００１０】逆に、蒸着法などによって圧電基板１上に
導波路５を形成した後、ＩＤＴ電極２及び反射器３、４
を形成しても良い。
導波路５を形成した後、ＩＤＴ電極２及び反射器３、４
を形成しても良い。
【００１１】弾性表面波の伝搬方向と直交する方向にな
る導波路５の幅ｗは、一対の短冊形電極膜になるＩＤＴ
電極２の交差幅Ｗに等しい値またはそれよりも狭い値に
される。
る導波路５の幅ｗは、一対の短冊形電極膜になるＩＤＴ
電極２の交差幅Ｗに等しい値またはそれよりも狭い値に
される。
【００１２】また、弾性表面波の伝搬方向になる導波路
５の長さは、ＩＤＴ電極２と反射器３、４を含む範囲の
値にされる。また、導波路５の厚さは、例えば０.１〜
１マイクロメータにされる。
５の長さは、ＩＤＴ電極２と反射器３、４を含む範囲の
値にされる。また、導波路５の厚さは、例えば０.１〜
１マイクロメータにされる。
【００１３】本実施例によれば、圧電基板１上で、導波
路５を設けた部分は、導波路の膜厚分だけ他の部位より
も基板が厚くなる。この質量の差により、表面弾性波は
導波路５部位に集中して伝搬し易くなり、エネルギー密
度分布も導波路５が形成される中央部が大きく、端部が
小さくなる。
路５を設けた部分は、導波路の膜厚分だけ他の部位より
も基板が厚くなる。この質量の差により、表面弾性波は
導波路５部位に集中して伝搬し易くなり、エネルギー密
度分布も導波路５が形成される中央部が大きく、端部が
小さくなる。
【００１４】これにより、横モードのうち基本モードが
主に分布し、高次モードの分布は抑制される。即ち、横
モードでの高次モードの発生は抑制され、殆どは基本モ
ードを発生できることになり、高次モードによる共振器
やフイルタの特性への悪影響を少なくすることができ
る。
主に分布し、高次モードの分布は抑制される。即ち、横
モードでの高次モードの発生は抑制され、殆どは基本モ
ードを発生できることになり、高次モードによる共振器
やフイルタの特性への悪影響を少なくすることができ
る。
【００１５】以上までの実施例においては、導波路５は
同じ厚さとする場合を示したが、導波路５をその幅方向
で中央部を両側部より厚くした構造とすることで高次モ
ードの抑制効果を高めることができる。
同じ厚さとする場合を示したが、導波路５をその幅方向
で中央部を両側部より厚くした構造とすることで高次モ
ードの抑制効果を高めることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、圧電基
板面にＩＤＴ電極と一対の反射器を設けるほかに、電極
と反射器の配列方向でかつ該電極の交差幅以下の幅で該
電極及び反射器の上面又は下面に圧電薄膜又は絶縁膜に
した導波路を設けた構造とするため、弾性表面波の伝搬
が導波路部位に集中し易くなり、弾性表面波の横モード
でのエネルギー密度分布が基本モードで高くなると共に
高次モードで低くなり、高次モードの発生を抑制するこ
とができ、共振器やフイルタ特性への悪影響を少なくす
る効果がある。
板面にＩＤＴ電極と一対の反射器を設けるほかに、電極
と反射器の配列方向でかつ該電極の交差幅以下の幅で該
電極及び反射器の上面又は下面に圧電薄膜又は絶縁膜に
した導波路を設けた構造とするため、弾性表面波の伝搬
が導波路部位に集中し易くなり、弾性表面波の横モード
でのエネルギー密度分布が基本モードで高くなると共に
高次モードで低くなり、高次モードの発生を抑制するこ
とができ、共振器やフイルタ特性への悪影響を少なくす
る効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す弾性表面波共振子の平
面図。
面図。
【図２】従来構造とその横モードのエネルギー密度分布
を示す図。
を示す図。
１…圧電基板 ２…ＩＤＴ電極 ３、４…反射器 ５…導波路
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電基板と、この圧電基板の面に一対の
短冊形電極膜で構成されるインター・ディジタル・トラ
ンスジューサ電極と、このインター・ディジタル・トラ
ンスジューサ電極の両側に設けられ短冊形電極膜で構成
される一対の反射器を備えた弾性表面波共振子におい
て、 前記インター・ディジタル・トランスジューサ電極と反
射器の配列方向でかつ該電極の交差幅以下の幅で該電極
及び反射器の上面又は下面に圧電薄膜又は絶縁膜にした
導波路を備えたことを特徴とする弾性表面波共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20594093A JP3201088B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20594093A JP3201088B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 弾性表面波共振子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758582A JPH0758582A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3201088B2 true JP3201088B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=16515244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20594093A Expired - Fee Related JP3201088B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201088B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012132238A1 (en) | 2011-03-25 | 2012-10-04 | Panasonic Corporation | Acoustic wave device with reduced higher order transverse modes |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100963341B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2010-06-14 | 파나소닉 주식회사 | 탄성 표면파 공진기 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터 및안테나 공용기 |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP20594093A patent/JP3201088B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012132238A1 (en) | 2011-03-25 | 2012-10-04 | Panasonic Corporation | Acoustic wave device with reduced higher order transverse modes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758582A (ja) | 1995-03-03 |
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