KR20000077005A - 단면 반사형 표면 탄성파 장치 - Google Patents

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무라타 야스타카
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Abstract

본 발명의 단면 반사형 표면 탄성파 장치는 압전 단결정으로 구성되고 대향하는 제 1 및 제 2 단면을 가지고 있는 표면 탄성파 기판; 및 상기 표면 탄성파 기판에 배치된 적어도 1개의 인터디지탈 트랜스듀서를 포함하고 있다. 이 단면 반사형 표면 탄성파 장치에서는, 대향하는 제 1 및 제 2 단면들 사이에서 SH(Shear Horizontal) 타입의 표면 탄성파가 반사되도록 구성되어 있다. 이 표면 탄성파 기판은 이온이 주입되는 압전 단결정 기판으로 구성되어 있다.

Description

단면 반사형 표면 탄성파 장치{Edge Reflection Type Surface Acoustic Wave Device}
본 발명은 공진자와 대역필터로서 사용하는 표면 탄성파 장치에 관한 것으로, 보다 상세히하면, SH(Shear Horizontal) 타입의 표면 탄성파를 이용하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치에 관한 것이다.
BGS(Bleustein-Gulyaev-Shimizu)파, 러브(Love)파, 누설파(leaky wave) 등의 SH 타입의 표면 탄성파를 이용하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치가 인지되어 있다. 단면 반사형 표면 탄성파 장치에서는, 표면 탄성파 기판의 대향하는 한 쌍의 단면들 사이에서 표면 탄성파가 반사된다. 그러므로, 인터디지탈 트랜스듀서가 위치되는 영역의 표면 탄성파 전파 방향으로 표면 탄성파 기판의 양단 또는 양측에 반사기를 형성할 필요가 없다. 따라서, 소형의 표면 탄성파 장치를 제공할 수 있다.
압전 단결정으로 구성된 표면 탄성파 기판을 포함하고 있는 단면 반사형 표면 탄성파 장치에서는, 기판 표면으로부터 기판의 내부 부분까지 전파되고 SH 타입의 표면 탄성파와 동시에 여진되는 벌크파(bulk wave) 등의 불필요한 파가 표면 탄성파 기판의 단면들 사이에서 반사되고, 감쇠량 주파수 특성에서 발생되는 큰 리플(ripple)이 발생하는 문제가 있다. 예를 들어, 단면 반사형 표면 탄성파 장치에서는 상부, 즉 통과대역에서 큰 리플이 발생하는 경향이 있다.
상술한 문제점들을 해결하기 위해서, 본 발명의 바람직한 구현예들은, SH 타입의 표면 탄성파를 이용하고 주파수 특성에서 나타나는 리플의 발생을 방지하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 한 바람직한 구현예에 따른 단면 반사형 종결합 표면 탄성파 장치를 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 구현예들에서 비교를 위해서 제공된 종래의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터의 감쇠량 주파수 특성을 도시하는 그래프이다.
도 3은 실시예 1에 따른 단면 반사형 종결합 표면 탄성파 장치의 감쇠량 주파수 특성을 도시하는 그래프이다.
도 4는 실시예 2에 따른 단면 반사형 종결합 표면 탄성파 장치의 감쇠량 주파수 특성을 도시하는 그래프이다.
도 5는 실시예 3에 따른 단면 반사형 종결합 표면 탄성파 공진자 필터의 감쇠량 주파수 특성을 도시하는 그래프이다.
〈도면 부호에 대한 간단한 설명〉
1 ... 단면 반사형 종결합 표면 탄성파 공진자 필터
2 ... 표면 탄성파 기판
2a, 2b ... 단면
3, 4 ... 인터디지탈 트랜스듀서
3a, 3b, 4a, 4b ... 교차지 전극
3a1, 3a2, 3b1, 4a1, 4b1, 4b2... 전극지
본 발명의 한 바람직한 구현예에 따른 단면 반사형 표면 탄성파 장치는 압전 단결정으로 구성되고 대향하는 제 1 및 제 2 단면을 가지고 있는 표면 탄성파 기판; 및 상기 표면 탄성파 기판에서, 상기 대향하는 제 1 및 제 2 단면들 사이에서 SH 타입의 표면 탄성파가 반사되도록 배치되는 적어도 1개의 인터디지탈 트랜스듀서를 포함하고 있으며, 상기 표면 탄성파 기판은 이온이 주입되는 압전 단결정 기판으로 구성되는 특징이 있다.
바람직하게, 압전 단결정 기판은 36。∼41。 회전 Y판 LiTaO3, 41。 회전 Y판 LiNbO3및 64。 회전 Y판 LiNbO3중의 적어도 1개로 구성되어 있다.
주입되는 이온으로서, Ar 이온, N 이온, Be 이온, B 이온 및 P 이온 중의 적어도 1개의 이온을 바람직하게 사용하며, 보다 바람직하게는 P 이온을 사용한다.
본 발명의 한 바람직한 구현예에 따른 단면 반사형 표면 탄성파 장치를 제조하는 방법은, 압전 단결정으로 구성된 표면 탄성파 기판을 준비하는 공정; 상기 표면 탄성파 기판의 표면에 이온을 주입하는 공정; 상기 표면 탄성파 기판에 적어도 1개의 인터디지탈 트랜스듀서를 형성하는 공정; 및 상기 표면 탄성파 기판을 두께 방향으로 절단하여 대향하는 제 1 및 제 2 단면을 형성하는 공정을 포함하고 있는 특징이 있다.
본 발명의 바람직한 구현예에 따른 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조 방법에 있어서, 바람직하게, 압전 단결정 기판은 36。∼41。 회전 Y판 LiTaO3, 41。 회전 Y판 LiNbO3및 64。 회전 Y판 LiNbO3중의 적어도 1개를 포함하고 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조 방법에 있어서, 주입되는 이온으로서, Ar 이온, N 이온, Be 이온, B 이온 및 P 이온 중의 적어도 1개의 이온을 이온 주입의 실행에 사용하는 것이 바람직하다.
보다 바람직하게는, 상술한 이온 주입은 가속 전압 약 50∼약 150keV 및 이온 주입량 약 1×104∼약 1×1016ions/㎠의 조건하에서 실행된다.
본 발명을 설명하기 위해서, 바람직한 여러 형태의 도면을 도시하였지만, 본 발명이 본 명세서에 첨부된 도면의 구성으로만 한정되지 않는다는 것이 이해된다.
본 발명의 발명자들은, 감쇠량 주파수 특성에서 발생되는 큰 리플이 표면 영역에 이온을 주입하는 표면 탄성파 기판을 사용함으로써 성공적으로 최소화될 수 있다는 것을 발견하였다. 부가하여, 본 발명자들은 공진 주파수와 반공진 주파수에서의 임피던스비에 의해 한정되는 임피던스비(공진자의 경우) 또는 삽입손실(필터의 경우)도 또한 표면 영역에 이온을 주입하는 표면 탄성파 기판을 사용함으로써 향상된다는 것을 발견하였다.
감쇠량 주파수 특성에서 리플의 억제는 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 감쇠량 주파수 특성은 전체적으로 이동되지만 리플의 주파수는 이동되지 않는 표면 탄성파 기판의 표면 영역에서 표면 탄성파 속도를 저하시키는 이온 주입의 결과이고, 그 결과, 감쇠량 주파수 특성에서 리플이 성공적으로 억제된다. 또한, 통상 벌크파를 포함하고 있는 SH파는 표면 탄성파 기판의 표면에 형성된 이온 주입층을 가지고 있으며 표면 탄성파 기판의 잔류 영역에서 보다 낮은 표면 탄성파 속도를 가지고 있는 표면 탄성파 기판를 사용한 결과, SH파 구성성분만을 포함하고 있는 러브파 또는 러브파와 유사한 파로 변환되는 경향이 있다. 그 결과, 에너지 손실을 유발하는 벌크파가 표면 탄성파로서 기여되지 않음으로써 저하되며, 이에 의해 삽입손실 또는 임피던스비도 대폭 향상된다.
이온 주입 공정은 일반적으로 널리 인지되어 확립된 기술이며, 표면 영역에 이온을 주입한 표면 탄성파 기판을 제공하는 것이 복잡하지 않다. 그래서, 본 발명의 바람직한 구현예들에 따른 단면 반사형 표면 탄성파 장치를 복잡하고 고가의 제조 공정을 사용하지 않고도 제작하는 것이 가능하다.
레일리파(Rayleigh wave) 또는 그 외의 이러한 표면 탄성파를 이용하는 표면 탄성파 장치에 있어서, 이온이 주입된 표면 탄성파 기판을 사용함으로써 표면 음속과 전기기계 결합계수를 변화시킬 수 있다는 것이 인지되어 있다는 것을 주지한다(예를 들어, 일본 무심사 특허공개공보 제 63-169806호 및 제 6-303073호). 이것은, 이온 이 주입된 이온 주입층이 표면 탄성파 기판을 구성하는 압전 단결정 기판의 표면 부분에 이온 주입에 의해 형성된다는 사실때문이다. 이온이 주입된 표면 탄성파 기판을 사용하는 경우에, 표면 음속과 전기기계 결합계수 K가 저하된다. 따라서, 이온 주입을 이용하여, 예를 들어 사다리형형 필터를 구성하는 경우에는, 주파수의 조정과 대역폭의 조정이 가능하다는 것이 개시되어 있다.
이 인지된 기술은 레일리파를 사용하는 필터의 주파수(예를 들어, 통과대역의 중심 주파수 등)를 조정하는데에 사용되므로, 본 발명과의 차이가 크다.
부가하여, 레일리파는 표면 탄성파 기판의 단면에 의해 반사될 수 없기 때문에, 레일리파를 이용하는 표면 탄성파 장치에는 그레이팅(grating) 반사기가 필요하다. 이 경우에, 벌크파의 반사는 표면 탄성파 장치의 감쇠량 주파수 특성에서 리플을 발생시키지 않는다. 또한, 레일리파는 이온이 주입된 표면 탄성파 기판을 사용하는 경우에도 변화되거나 변환되지 않는다.
이러한 이유로, 본 발명은 본 발명의 발명자들의 독특한 발견을 토대로하여 달성되고, 본 발명의 바람직한 구현예들에 따른 표면 탄성파 장치는 상술한 인지된 기술과 비교하여 신규하고 유용하다는 것이 명확하다.
이하에서는, 본 발명의 다양한 바람직한 구현예들을 첨부된 도면과 연관된 특정한 실시예를 참조하여 보다 상세하게 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 한 바람직한 구현예들의 한 실시예에 따른 표면 탄성파 장치를 형성하는 단면 반사형 표면 탄성파 공진자 필터를 도시하는 사시도이다.
단면 반사형 표면 탄성파 공진자 필터 1은 바람직하게 표면 탄성파 기판 2를 포함하고 있다. 표면 탄성파 기판 2는 바람직하게 압전 단결정으로 구성되어 있다. 이 압전 단결정은 바람직하게 SH 타입의 표면 탄성파를 여진시키기에 적합한 압전 단결정 기판을 구성한다. 이러한 압전 단결정 기판의 예로서는, LiTaO3기판, LiNbO3기판 또는 그 외의 기판 등이 있다. 바람직하게, 표면 탄성파 기판 2는 압전 단결정 기판으로서 36。∼41。 회전 Y판 LiTaO3, 41。 회전 Y판 LiNbO3및 64。 회전 Y판 LiNbO3중의 적어도 1개로 구성되어 있다.
표면 탄성파 기판 2는 상호 대향하고 있는 한 쌍의 단면 2a, 2b를 가지고 있다. 상면 2c 상에는, 제 1 및 제 2 IDT 3, 4가 표면 탄성파 전파 방향으로, 즉 단면 2a, 2b를 관통하는 방향으로 형성되어 있다.
IDT 3, 4는 한 쌍의 교차지 전극(interdigital electrode) 3a, 3b, 4a, 4b를 각각 가지고 있다. 이 교차지 전극 3a∼4b는 각각 표면 탄성파 전파 방향에 대해서 직교하는 방향으로 연장하고 있는 복수개의 전극지 3a1, 3a2, 3b1, 4a1, 4b1, 4b2를 가지고 있다.
IDT 3에서, 전극지 3a1, 3a2는 복수개의 전극지 3b1과 상호간에 교차하는 방식으로 서로 삽입되게 배치되어 있다. 유사하게, IDT 4에서, 전극지 4a1은 전극지 4b1, 4b2와 상호간에 교차하는 방식으로 서로 삽입되게 배치되어 있다.
전극지 3a1∼4b2중에서 표면 탄성파 전파 방향으로 양측에 위치된 전극지 3a1, 4b2는, 그의 폭이 SH 타입의 표면 탄성파의 파장을 λ라고 할 때, 바람직하게 약 λ/8 이다. 그 외의 남아 있는 전극지 3a2, 3b1, 4a1, 4b1의 폭은 바람직하게 약 λ/4 이다. 또한, 표면 탄성파 전파 방향으로 인접한 전극지들간의 갭의 폭은 바람직하게 약 λ/4 이다.
또한, 표면 탄성파 전파 방향으로 양측에 위치된 전극지 3a1, 4b2는, 각각 단면 2a, 2b와 상면 2c에 의해 형성되는 가장자리를 따라서 연장하고 있도록 형성되어 있다.
상술한 IDT 3, 4는, 예를 들어 알루미나 또는 그 외의 적당한 재료로 구성된 금속막의 도포와 막의 패턴화(patterning)에 의해 바람직하게 형성된다.
본 발명의 바람직한 구현예들의 이 실시예의 종결합형 표면 탄성파 공진자 필터 1에 있어서, IDT 3, 4에 입력 신호를 인가할 때에, IDT 3, 4에 의해 표면 탄성파가 여진된다. 이 여진된 표면 탄성파는 단면 2a, 2b를 관통하는 방향으로 전파되고 단면 2a, 2b로부터 반사되어, 0차 모드 진동과 1차 모드 진동이 발생하며, 양자 모드의 진동이 결합되어 정재파가 발생한다. 이 정재파로부터 필터 특성을 얻게 된다. 따라서, 표면 탄성파 공진자 필터 1은 종결합형의 공진자 필터로서 작동한다.
본 바람직한 구현예의 단면 반사형 표면 탄성파 공진자 필터의 특성은 이온이 주입된 압전 단결정 기판으로 구성된 표면 탄성파 기판 2로부터 얻어진다. 이온이 주입된 압전 단결정 기판을 사용함으로써, 후술할 실험예로부터 알 수 있는 바와 같이, 감쇠량 주파수 특성에서 통과대역에서 리플의 생성이 억제된다. 이 경우에, 주입되는 이온으로서는, Al 이온, N 이온, Be 이온, B 이온 및 P 이온을 바람직하게 사용할 수 있다. 보다 바람직하게는, P 이온을 사용하는 것이다.
이하에서, 이온이 주입된 압전 단결정 기판을 포함하고 있는 표면 탄성파 기판 2를 사용하는 본 바람직한 구현예의 단면 반사형 종결합 표면 탄성파 공진자 필터 1의 제조방법 및 효과를 특정한 실시예를 통해서 설명할 것이다.
실험예 1
먼저, 표면 탄성파 기판 2로서, 36。 회전 Y판 LiTaO3를 포함하고 있는 압전 단결정 기판을 준비하였다. 기판의 상면측으로부터 가속 전압 약 140keV 및 이온 주입량 약 5×1015ions/㎠의 조건하에서 P 이온을 주입하였다. 그 후에, 상기 압전 단결정 기판의 상면측에 약 0.5㎛의 두께를 가지고 있는 Al막을 형성하였고, 패턴화에 의해 IDT 3, 4를 형성하였다. 다음으로, 압전 단결정 기판을 두께 방향으로 절단하여, 대향하는 단면 2a, 2b를 형성하였다. 따라서, 대략의 치수가 1.4 × 2.0 × 0.35㎜, 즉 단면 2a, 2b간의 거리가 약 0.79㎜인 표면 탄성파 공진자 필터 1를 얻었다. 이 표면 탄성파 공진자 필터 1은 실시예 1의 표면 탄성파 공진자 필터가 된다.
비교를 위해서, 이온이 주입되지 않은 상술한 압전 단결정 기판을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터를 제작하였다. 이 비교를 위해 제공된 종결합 표면 탄성파 공진자 필터는 종래예가 된다.
아울러, P 이온 대신에 Ar 이온 및 B 이온을 각각 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로, 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터를 각각 제작하였다. Ar 이온을 주입한 압전 단결정 기판을 사용하는 필터는 실시예 2가 되고, B 이온을 주입한 압전 단결정 기판을 사용하는 필터는 실시예 3이 된다.
도 2∼도 5는 상술한 바와 같이 제공된 종래예 및 실시예 1∼3의 각 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터의 감쇠량 주파수 특성을 도시한다. 즉, 도 2는 종래예의 결과를, 도 3은 실시예 1의 결과를, 도 4는 실시예 2의 결과를, 도 5는 실시예 3의 결과를 도시한다.
실험예 2
실험예 1과 동일한 방법으로 P 이온을 주입한 표면 탄성파 공진자 필터 1를 제작하였다. 이 필터는 실시예 4가 된다. 이온 주입을 행하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일한 방법으로 동일한 로트(lot)로 얻어진 압전 단결정 기판을 사용함으로써, 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터를 제작하였다. 이 필터는 종래예 2가 된다.
상술한 종래예 2 및 실시예 4의 표면 탄성파 공진자 필터의 감쇠량 주파수 특성에서 피크 손실(통과대역에서의 최대 손실치) (peak loss)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
다른 로트로 얻어진 압전 단결정 기판을 사용한다는 것을 제외하고는 실시예 4와 유사하게, P 이온을 주입함으로써, 실시예 5로서 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터를 제작하였다. 또한, 이온 주입을 행하지 않는 것을 제외하고는 실시예 5와 동일한 방법으로, 실시예 5와 동일한 로트로 얻어진 압전 단결정 기판을 사용함으로써, 종래예 3으로서 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터를 제작하였다.
상술한 바와 같이 제공된 실시예 5 및 종래예 3의 표면 탄성파 공진자 필터의 피크 손실을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
다음으로, 실시예 2와 유사하게 Ar 이온을 주입한 압전 단결정 기판을 사용하여, 실시예 6으로서 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터를 제작하였다. 또한, 실시예 6의 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터와 동일한 로트로 얻어진 압전 단결정 기판을 사용하고, 이온 주입을 행하지 않은, 종래예 4로서 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터를 얻었다. 실시예 6 및 종래예 4의 표면 탄성파 공진자 필터에서의 피크 손실을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
또한, P 이온 대신에 B 이온을 주입한 주입한 압전 단결정 기판을 사용하여, 실시예 7 및 8로서 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터를 제작하였다. 아울러, 실시예 7 및 8의 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터와 동일한 로트로 얻어진 압전 단결정 기판을 사용하고, 이온 주입을 행하지 않은, 종래예 5 및 6으로서 각각 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터를 얻었다. 실시예 7, 9 및 종래예 5, 6의 표면 탄성파 공진자 필터에서의 피크 손실을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
피크 손실(㏈)
종래예 23.340 실시예 41.990 차이 -1.350
종래예 33.350 실시예 52.020 차이 -1.330
종래예 43.490 실시예 61.930 차이 -1.560
종래예 53.410 실시예 72.120 차이 -1.290
종래예 63.100 실시예 81.860 차이 -1.240
표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 바람직한 구현예들에 따라서 동일한 로트로 얻어진 압전 단결정 기판을 사용하여 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터들을 제작하는 경우에, 피크 손실이 동일한 로트로 얻어진 압전 단결정 기판을 사용하는 종래예들과 비교하여 줄어든다는 것을 알 수 있다. 환언하면, 이온이 주입된 압전 단결정 기판을 사용하는 경우, 통과대역에 나타나는 리플은 억제되고, 통과대역에서의 손실도 저하된다.
도 2와 도 3∼도 5의 비교로 확실하게 알 수 있는 바와 같이, 종래예의 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터에서는, 화살표 A로 나타낸 바와 같이 통과대역에서 큰 리플이 나타난다. 반면에, 도 3∼도 5에 도시된 실시예 1∼3의 각 종결합 표면 탄성파 공진자 필터의 감쇠량 주파수 특성에서는, 통과대역에서 이러한 큰 리플이 나타나지 않는다는 것을 알 수 있다. 특히, 도 3에 도시된 바와 같이, P 이온이 주입된 압전 단결정 기판을 사용하는 실시예 1에서, 통과대역에서 리플이 현저하게 저하된다는 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명의 바람직한 구현예들에 따라서 이온이 주입된 압전 단결정 기판을 사용하여 단면 반사형의 종결합 표면 탄성파 공진자 필터를 구성하는 경우에, 이온 주입에 의해 통과대역에 나타나는 큰 리플이 억제되고, 아울러 손실의 저하도 이룰 수 있다. 또한, 우수한 필터 특성을 얻게 된다.
본 발명은 상술한 종결합 표면 탄성파 공진자 필터뿐만 아니라, SH 타입의 표면 탄성파를 이용하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치에도 광범위하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 단면 반사형의 횡결합 표면 탄성파 공진자 필터, 단면 반사형 표면 탄성파 공진자 또는 그 외의 유사한 장치 등에 적용될 수 있다. 본 발명을 이러한 각종의 단면 반사형 표면 탄성파 장치에 적용하는 경우에, 이온이 주입된 압전 단결정 기판을 사용함으로써, 필터 특성과 공진 특성에 나타나는 큰 리플이 억제된다. 그 결과, 우수한 필터 특성과 공진 특성을 얻게 된다.
본 발명에 따르면, 감쇠량 주파수 특성에서 발생되는 큰 리플이 표면 영역에 이온을 주입하는 표면 탄성파 기판을 사용함으로써 성공적으로 최소화될 수 있으며, 공진 주파수와 반공진 주파수에서의 임피던스비에 의해 한정되는 임피던스비 또는 삽입손실도 또한 표면 영역에 이온을 주입하는 표면 탄성파 기판을 사용함으로써 향상된다.
이제까지 상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 구현예들을 도시하고 기술하였지만, 본 발명은 상술한 구현예로만 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명의 원리를 실행하는 각종 모드로 다양하게 변형될 수 있다는 것이 이해된다.

Claims (20)

  1. 압전 단결정으로 구성되고 대향하는 제 1 및 제 2 단면을 가지고 있는 표면 탄성파 기판; 및
    상기 표면 탄성파 기판에서, 상기 대향하는 제 1 및 제 2 단면들 사이에서 반사되는 SH(Shear Horizontal) 타입의 표면 탄성파가 발생하도록 배치되는 적어도 1개의 인터디지탈 트랜스듀서를 포함하고 있는 단면 반사형 표면 탄성파 장치로서,
    상기 표면 탄성파 기판은 이온이 주입된 압전 단결정 기판이 되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 압전 단결정 기판은 36。∼41。 회전 Y판 LiTaO3, 41。 회전 Y판 LiNbO3및 64。 회전 Y판 LiNbO3중의 1개가 되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 주입되는 이온은 Ar 이온, N 이온, Be 이온, B 이온 및 P 이온 중의 1개를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 이온 주입에 의해 주입되는 이온은 P 이온이 되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 LiTaO3및 LiNbO3중의 1개로 구성되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 전극지를 각각 가지고 있는 복수개의 교차지 전극(interdigital electrode)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 복수개의 전극지들의 제 1그룹은 폭이, SH 타입의 표면 탄성파의 파장을 λ라고 할 때, 약 λ/8 이고, 상기 복수개의 전극지들의 제 2그룹은 폭이 약 λ/4 가 되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치.
  8. 제 6항에 있어서, 표면 탄성파 전파 방향으로 인접한 상기 전극지들간의 갭의 폭이 약 λ/4 가 되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치.
  9. 제 6항에 있어서, 상기 교차지 전극은 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 이온이 주입된 기판의 이온 주입량은 약 1×104∼약 1×1016ions/㎠ 가 되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치.
  11. 압전 단결정으로 구성된 표면 탄성파 기판을 준비하는 공정;
    상기 표면 탄성파 기판의 표면에 이온을 주입하는 공정;
    상기 표면 탄성파 기판에 적어도 1개의 인터디지탈 트랜스듀서를 형성하는 공정; 및
    상기 표면 탄성파 기판을 두께 방향으로 절단하여 제 1 및 제 2 단면을 형성하는 공정을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 압전 단결정 기판은 36。∼41。 회전 Y판 LiTaO3, 41。 회전 Y판 LiNbO3및 64。 회전 Y판 LiNbO3중의 1개로 구성되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조방법.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 압전 단결정 기판에 주입되는 이온은 Ar 이온, N 이온, Be 이온, B 이온 및 P 이온 중의 1개가 되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조방법.
  14. 제 11항에 있어서, 이온 주입에 의해 주입되는 이온은 P 이온이 되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조방법.
  15. 제 11항에 있어서, 상기 기판은 LiTaO3및 LiNbO3중의 1개로 구성되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조방법.
  16. 제 11항에 있어서, 상기 기판 상에서 전극지를 각각 가지고 있는 복수개의 교차지 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조방법.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 복수개의 전극지들의 제 1그룹은 폭이, SH 타입의 표면 탄성파의 파장을 λ라고 할 때, 약 λ/8 이고, 상기 복수개의 전극지들의 제 2그룹은 폭이 약 λ/4 가 되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조방법.
  18. 제 16항에 있어서, 표면 탄성파 전파 방향으로 인접한 상기 전극지들간의 갭의 폭이 약 λ/4 가 되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조방법.
  19. 제 16항에 있어서, 상기 교차지 전극은 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조방법.
  20. 제 11항에 있어서, 상기 이온 주입은 가속 전압 약 50∼약 150keV 및 이온 주입량 약 1×104∼약 1×1016ions/㎠의 조건하에서 실행되는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면 탄성파 장치의 제조방법.
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