TWI566446B - 表面彈性波產生裝置、收發裝置及其產生方法 - Google Patents

Description

表面彈性波產生裝置、收發裝置及其產生方法

本申請是有關於一種表面彈性波產生裝置、收發裝置及其產生方法，且特別是有關於一種使用空乏電容產生靜電力的表面彈性波產生裝置、收發裝置及其產生方法。

近年來，隨著科技產業日益發達，以及各種消費性電子產品的需求增加，共振器已成為汽車、電視、攝影機、可攜式電子產品等電子設備不可或缺的時脈元件，目前國際最新研發趨勢更藉由共振器測溫的低雜訊表現，提高紅外線感測元件的靈敏度，使用共振器作為低雜訊的紅外線感測載具，將可使紅外線光學模組微型化，並且具有更寬廣範圍的環境安全監控。

然而，目前微機電靜電式驅動共振器的發展，著重於提高品質因數Q，但在增加Q值的同時，共振器的阻抗將達到19仟歐姆(K ohm)以上，而造成更高頻應用的限制與後端電路處理的困 難。在目前微機電靜電式驅動共振器的發展上，面臨的技術瓶頸包括以靜電力作為共振器的驅動方式時，須具備高深寬比的奈米間隙(nano gap)製程技術，且無法進一步縮小靜電力之間的間距，使得共振器阻抗仍舊非常的高。此外，電容式共振器直饋電容(feed-forward capacitor)訊號很大，因此具有較高的雜訊。再者，共振器一般需要複雜的懸浮加工製程，使得其製作不易，難以被互補金氧半場效電晶體(complementary metal-oxide semiconductor transistor,CMOS)製程整合。

本申請的表面彈性波產生裝置包括基板、第一導電型區 域以及第二導電型摻雜區域。第一導電型區域形成於基板中。第二導電型摻雜區域包括至少一個摻雜圖案，摻雜於第一導電區域的表面。藉由施加逆向偏壓至第一導電型區域與第二導電型摻雜區域之間，使兩區域的接面產生空乏電容，並且輸入訊號至第一導電型區域或第二導電型摻雜區域，以在基板上產生彈性波。

本申請的表面彈性波收發裝置包括基板、發射端以及接收端。發射端形成於基板中，包括具有第一導電型的第一區域，以及具有二導電型的第一摻雜區域，第一摻雜區域包括至少一個第一摻雜圖案，摻雜於第一導電型的第一區域的表面，藉由施加逆向偏壓至第一摻雜區域與第一導電型的第一區域之間，使兩區域的接面產生空乏電容，並且輸入訊號至第一區域或第一摻雜區 域，以在基板上產生表面彈性波。接收端形成於基板中，包括具有第一導電型的第二區域，以及具有第二導電型的第二摻雜區域，第二摻雜區域包括至少一個第二摻雜圖案，摻雜於第一導電型的第二區域表面。

本申請的表面彈性波產生方法包括以下步驟。提供一基板，其中基板中具有第一導電型區域，並且第一導電型區域表面具有第二導電型摻雜區域，該第二導電型摻雜區域包括至少一個摻雜圖案。施加逆向偏壓於第一導電型區域與第二導電型摻雜區域之間，使兩區域的接面產生空乏電容。輸入訊號至第一導電型區域或第二導電型摻雜區域，以使空乏電容兩端產生靜電力，並且靜電力擾動基板表面，而激發表面彈性波沿基板表面傳播。

為讓本申請的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100‧‧‧表面彈性波產生裝置

110、210、310、410、510‧‧‧基板

120‧‧‧第一導電型區域

122、226、246、426‧‧‧接地電極

130‧‧‧第二導電型摻雜區域

130a‧‧‧摻雜圖案

200、300、400、500‧‧‧表面彈性波收發裝置

220、320、420、520‧‧‧發射端

240、340、440、540‧‧‧接收端

222、322、422、522‧‧‧第一區域

224、324、424、524‧‧‧第一摻雜區域

224a、324a、424a、524a‧‧‧第一摻雜圖案

242、342、442、542‧‧‧第二區域

244、344、444、544‧‧‧第二摻雜區域

244a、344a、444a、544a‧‧‧第二摻雜圖案

351、551‧‧‧第一反射結構

352、552‧‧‧第二反射結構

351a、352a、551a、552a‧‧‧溝槽

446a、546a‧‧‧閘極介電層

446b、546b‧‧‧閘極電極

447、547‧‧‧通道

S602、S604、S606‧‧‧步驟

AC‧‧‧交流訊號

Bias Vdc‧‧‧逆向偏壓

D‧‧‧汲極

G‧‧‧閘極

GND‧‧‧接地電壓

S‧‧‧源極

W‧‧‧表面彈性波

圖1是根據本申請一實施例繪示的的表面彈性波產生裝置的示意圖。

圖2是圖1表面彈性波產生裝置的俯視圖。

圖3是根據本申請另一實施例繪示的表面彈性波收發裝置的示意圖。

圖4是圖3表面彈性波收發裝置的俯視圖。

圖5是根據本申請另一實施例繪示的表面彈性波收發裝置的示意圖。

圖6是根據本申請另一實施例繪示的表面彈性波收發裝置的示意圖。

圖7是圖6表面彈性波收發裝置的俯視圖。

圖8是根據本申請的另一實施例繪示表面彈性波收發裝置。

圖9是根據本申請一實施例的表面彈性波產生方法的流程圖。

圖1是本申請一實施例的表面彈性波產生裝置100的示 意圖。請參考圖1，本實施例的表面彈性波產生裝置100包括基板110、第一導電型區域120以及第二導電型摻雜區域130。第一導電型區域120以離子佈值的方法形成於基板110中。此外，第二導電型摻雜區域130包括至少一個摻雜圖案130a，藉由週期性佈值而形成於第一導電型區域120的表面。本實施例的表面彈性波裝置100可藉由施加逆向偏壓Bias Vdc至第二導電型摻雜區域130與第一導電型區域120之間的接面，以使第二導電型摻雜區域130與第一導電型區域120之間產生空乏電容(未示出)，並且輸入交流訊號AC至第一導電型區域120或第二導電型摻雜區域130，使得上述的空乏電容兩端產生靜電力振動基板110表面，並於基板110表面產生空間上的週期性靜電力擾動，而激發表面彈性波W沿基 板110表面傳播。

在本實施例中，表面彈性波產生裝置100的基板110可 為具有高阻值的矽基板，但本申請並不限定於此，基板110亦可由其他適當的半導體材料形成。藉由基板110的高阻值特性，可以有效抑制表面彈性波W傳輸過程中的雜訊(Feed through)。

此外，雖然本申請的實施例是以第一導電型為P型，第 二導電型為N型的情形為例，但本申請所屬領域具有通常知識的技術人員應理解的是，經由適當的調整，本申請的第一導電型亦可為N型，第二導電型亦可為P型。

再者，本實施例中摻雜圖案130a之間的佈植空間週期為 表面彈性波W波長的整數倍或兩倍，換句話說，本實施例透過離子佈值空間週期的調整，可改變表面彈性波W的波長，進而改變表面彈性波W的頻率。因此，本實施例可根據表面彈性波產生裝置100所需的操作頻率，設計第二導電型摻雜區域130於第一導電型區域120表面的空間佈植週期。除此之外，藉由縮小多個摻雜圖案130a之間的離子佈植間距(例如小於100奈米(nm))，製造高介電指狀空乏電容對，可有效縮小空乏電容間距。由於阻抗大小與空乏電容間距成正比，與介電係數成反比，因此上述的離子佈值方法可進一步達到降低阻抗的目的。

圖2是圖1的表面彈性波產生裝置100的俯視圖。請參 考圖2，圖2中第二導電型摻雜區域130呈指狀，且摻雜圖案130a為多個平行延伸的指部。摻雜圖案130a的指部底端與第一導電型 區域120的表面，可分別以例如是物理氣相蒸鍍(Physic Vapor Deposition,PVD)的鍍膜方法，沉積像是鋁矽銅(AlSiCu)的合金或是導電金屬等形成接地電極122與導電電極(未示出)。接著，經由導電電極施加逆向偏壓Bias Vdc至第一導電型區域120與第二導電型摻雜區域130之間，並輸入交流訊號AC至第一導電型區域120或第二導電型摻雜區域130，以於基板110表面產生表面彈性波W，另一方面，第一導電型區域120經由接地電極122耦接至接地電壓GND。雖然本實施例第二導電型摻雜區域130形狀是以指狀為例，但並非用以限制本申請於此，其他如週期性排列的多個矩形亦可被採用，並且其相應的摻雜圖案可為平行延伸的多個延伸部，本申請所屬領域具有通常知識的技術人員應能理解的是，在不脫離本申請精神及範圍的情形下，當可針對第二導電型摻雜區域130的形狀作適當的改變。

圖3為根據本申請另一實施例繪示的表面彈性波收發裝 置200。圖4是圖3表面彈性波收發裝置200的俯視圖。請參考圖3，表面彈性波收發裝置200包括基板210、發射端220以及接收端240。其中發射端220形成於基板210中，並且包括具有第一導電型的第一區域222，以及具有第二導電型的第一摻雜區域224。 第一摻雜區域224包括第一摻雜圖案224a週期性佈植於第一區域222的表面。發射端220可藉由施加逆向偏壓Bias Vdc至第一摻雜區域224與第一區域222之間的接面，以使第一摻雜區域224與第一區域222之間產生空乏電容，並且輸入交流訊號AC至第一 區域222或第一摻雜區域224，使得上述的空乏電容兩端產生靜電力振動基板210表面，並於基板210表面產生空間上的週期性靜電力擾動，而激發表面彈性波W沿基板210表面傳播。

另一方面，接收端240形成於基板210中，並且包括具有第一導電型的第二區域242，以及具有第二導電型的第二摻雜區域244，其中第二摻雜區域244包括第二摻雜圖案244a，週期性佈植於第二區域242的表面，並藉由施加逆向偏壓於第二區域242與基板210表面的第二摻雜圖案244a之間以產生空乏電容。接收端240藉由發射端220於基板210表面所產生的表面彈性波W擾動上述的空乏電容間距，並且藉由電容的變化產生輸出電流，其中輸出的交流電流與電容於單位時間內的變化量呈正相關。

在本實施例中，第一導電型可例如為P型，第二導電型可例如為N型，但本申請並不以此實施例為限，經由適當的調整，第一導電型亦可為N型，第二導電型亦可為P型。

請參考圖4，圖4中第一摻雜區域224與第二摻雜區域244分別呈指狀，且第一摻雜圖案224a與第二摻雜圖案244a分別為多個平行延伸的指部。第一摻雜圖案224a與第二摻雜圖案244a的指部底端，以及第一區域222與第二區域242的表面，可分別以例如是物理氣相蒸鍍的鍍膜方法，沉積像是鋁矽銅(AlSiCu)的合金或是導電金屬形成接地電極226、246與導電電極(未示出)。接著，經由各別的導電電極分別施加逆向偏壓Bias Vdc至第一區域222與第一摻雜區域224之間，以及第二區域242與第二摻雜區域 244之間，並且藉由第一區域222的導電電極輸入交流訊號AC至第一區域222或第一摻雜區域224，另藉由第二區域242的導電電極輸出交流訊號AC。

另一方面，經由接地電極226、246分別將第一區域222、 第二區域242耦接至接地電壓GND。雖然本實施例第一摻雜區域224與第二摻雜區域244的形狀是以指狀或週期性排列的多個矩形為例，但是本申請所屬領域具有通常知識的技術人員在不脫離本申請精神及範圍的情形下，當可針對第一摻雜區域224與第二摻雜區域244的形狀作適當的改變。

圖5是根據本申請的另一實施例繪示的表面彈性波收發 裝置300。請參考圖5，表面彈性波收發裝置300包括基板310、發射端320、接收端340。其中發射端320形成於基板310中，並且包括具有第一導電型的第一區域322，以及具有第二導電型的第一摻雜區域324，並且第一摻雜區域324包括第一摻雜圖案324a週期性佈植於第一區域322的表面。此外，接收端340形成於基板310中，並且包括具有第一導電型的第二區域342，以及具有第二導電型的第二摻雜區域344，其中第二摻雜區域344包括第二摻雜圖案344a，週期性佈植於第二區域342的表面。如上述實施例中的相同元件可具有相同結構與相同操作方式，因此，將不重新作詳細的說明。表面彈性波收發裝置300更進一步包括第一反射結構351與第二反射結構352形成於基板310中，第一反射結構351或第二反射結構352可為相互平行的多個溝槽351a、352a於 基板310表面形成不連續結構。除此之外，第一反射結構351或第二反射結構352亦可為其他與基板材料不同聲阻抗的材料例如像是空氣、矽、二氧化矽或是金屬等。藉由第一反射結構351與第二反射結構352將表面彈性波W反射而產生中心頻率的駐波，在表面彈性波收發裝置300的設計上，可將空乏電容置於駐波應力的最大之位置，以加強基板310表面彈性波W對於電容間距的擾動，以形成具有高機電轉換效率的共振器。

雖然在本實施例中，上述的多個溝槽351a與352a繪示 如圖5，然而在本申請所屬領域具有通常知識的技術人員，在不脫離本申請的精神與範圍的情形下，當可對於溝槽351a與352a的大小與形狀作適當的變化。此外，溝槽351a與352a可以習知的半導體乾式電漿蝕刻或是濕式化學蝕刻技術製成。

圖6是根據本申請的另一實施例繪示表面彈性波收發裝 置400的示意圖。請參考圖6，表面彈性波收發裝置400包括基板410、發射端420、接收端440，其中發射端420形成於基板410中，並且包括具有第一導電型的第一區域422，以及具有第二導電型的第一摻雜區域424。第一摻雜區域424包括多個第一摻雜圖案424a，週期性佈植於第一區域422的表面。此外，接收端440形成於基板410中，包括具有第一導電型的第二區域442，以及具有第二導電型的第二摻雜區域444，其中第二摻雜區域444包括第二摻雜圖案444a，週期性佈植於第二區域442的表面。表面彈性波收發裝置400進一步包括多個閘極G，並且以多個閘極G兩側的 第二摻雜圖案444a分別作為源極S與汲極D，以於接收端440表面形成多個場效電晶體，並於基板410表面藉由閘極電壓產生多個通道447。基板410表面的表面彈性波W藉由應力擾動閘極通道447，造成通道447電子遷移率的改變，而產生交流電流，其中電子遷移率的大小與輸出電流的大小呈正相關。此外，可透過閘極G與源極S之間電壓(V_GS)調整輸出電流的增益值。

在本實施例中，閘極G進一步包括閘極介電層446a與閘 極電極446b，閘極介電層446a可以由例如二氧化矽(SiO₂)的介電材料所組成，但是本申請並不限定於此。其他適合的高介電係數材料像是氧化鋁、氧化鉿、氮化矽、氮氧化矽或陶瓷等亦可被採用。閘極電極的材料包括但不限制於鎢、鋁、金、鎳、鉑、鉻的其中之一或是其合金以及氧化銦錫(ITO)等材料。此外，本實施例的場效電晶體可例如是但不限制於互補式金氧半場效電晶體。

圖7是圖6另一實施例中表面彈性波收發裝置400的俯 視圖。請參考圖7，圖7中第一摻雜區域424以及源極S與汲極D分別呈指叉狀，並且源極S與汲極D交替排列，此外閘極G與源極S或汲極D彼此垂直或平行地形成於源極S與汲極D之間。在第一區域422表面可以例如是物理氣相蒸鍍的鍍膜方法，沉積像是鋁矽銅(AlSiCu)的合金或是導電金屬或形成接地電極426與導電電極(未示出)。經由導電電極施加逆向偏壓Bias Vdc至第一區域422與第一摻雜區域424之間，並輸入交流訊號AC至第一區域422或第一摻雜區域424，以於基板410表面產生表面彈性波W。 此外，第一區域422經由接地電極426耦接至接地電壓GND。

圖8是根據本申請的另一實施例繪示表面彈性波收發裝置500。請參考圖8，表面彈性波收發裝置500包括基板510、發射端520、接收端540，其中發射端520形成於基板510中，並且包括具有第一導電型的第一區域522，以及具有第二導電型的第一摻雜區域524，並且第一摻雜區域524包括第一摻雜圖案524a週期性佈植於第一區域522的表面。此外，接收端540形成於基板510中，包括具有第一導電型的第二區域542，以及具有第二導電型的第二摻雜區域544，其中第二摻雜區域544包括第二摻雜圖案544a，週期性佈植於第二區域542的表面。表面彈性波收發裝置500進一步包括多個閘極G，並且以多個閘極G兩側的第二摻雜圖案544a分別作為S與汲極D，以於接收端540表面形成多個場效電晶體。如上述實施例中的相同元件可具有相同結構與相同操作方式，因此將不重新做詳細的說明。在本實施例中，表面彈性波收發裝置500更包括第一反射結構551或第二反射結構552，其包括相互平行的多個溝槽551a、552a形成不連續結構，此外，本實施例的第一反射結構551或第二反射結構552亦可為其他與基板材料不同聲阻抗的材料例如像是空氣、矽、二氧化矽或是金屬等。藉由第一反射結構551與第二反射結構552將表面彈性波W反射而產生中心頻率的駐波，並且可如上述實施例，將第一區域522與第一摻雜區域524以及第二區域542與第二摻雜區域544之間接面的空乏電容，置於駐波應力最大的位置，以於基板510表面產 生最大的應力擾動，並且改變閘極通道547電子遷移率，產生交流電流。由於基板表面駐波應力，可有效增進通道電子遷移率，並且電子遷移率的大小與輸出電流大小呈正相關，因此經由表面彈性波反射共振增加基板駐波擾動應力，可進一步形成具有高機電轉換效率的共振器。

在本實施例中，閘極G進一步包括閘極介電層546a與閘 極電極546b，閘極介電層546a可以由例如二氧化矽(SiO₂)的介電材料所組成，但是本申請並不限定於此。其他適合的高介電係數材料像是氧化鋁、氧化鉿、氮化矽、氮氧化矽或陶瓷等亦可被採用。閘極電極的材料包括但不限制於鎢、鋁、金、鎳、鉑、鉻的其中之一或其合金以及氧化銦錫(ITO)等。

下文以圖1與圖2結構為例說明本申請表面彈性波的產 生方法。圖9是根據本申請一實施例的表面彈性波產生方法的流程圖。請參考圖1、圖2及圖9，提供一基板110，基板110中具有第一導電型區域120，並且第一導電型區域120具有週期性佈置的第二導電型摻雜區域130(步驟S602)。接著，施加逆向偏壓至第一導電型區域120與第二導電型摻雜區域130之間的接面以產生空乏電容(步驟S604)。在上述步驟S604之後，輸入一交流訊號至第一導電型區域120或第二導電型摻雜區域130，以使上述的空乏電容兩端產生靜電力，並且所產生的靜電力週期性擾動基板110表面，而激發彈性波W沿基板110表面傳播(步驟S606)。

綜上所述，本申請揭露的表面彈性波產生裝置，以離子 佈植形成第一導電型區域，並於其表面佈植第二導電型摻雜區域，其離子佈植間距可小於100奈米。再藉由施加逆向偏壓至第一導電型區域與第二導電型摻雜區域之間的接面產生空乏電容，並且藉由交流訊號的輸入產生基板週期性擾動，而激發表面彈性波沿基板表面傳播。本申請揭露的表面彈性波收發裝置，其接收端可為一被動式接收設計，也就是說，如同其發射端以週期性佈植第二導電型摻雜區域於第一導電型區域表面，並施以逆向偏壓產生空乏電容，以感應接收來自發射端的表面彈性波。另一種方式則是在接收端表面佈植多個場效電晶體，主動式接收來自發射端的表面彈性波，藉由場效電晶體的閘極電壓於基板產生多個閘極通道，並且表面彈性波藉應力擾動閘極通道，造成通道電子遷移率的改變而產生交流電流。此外，本申請揭露的基板材料可為矽基板，矽基板的高阻值特性能有效抑制表面彈性波傳輸端至接收端的雜訊。另一方面，本申請揭露的表面彈性波收發裝置，可在基板的外側包括反射結構其包含多個溝槽形成不連續結構，以反射表面彈性波產生中心頻率的駐波，並藉由空乏電容置於駐波應力最大位置的設計，達成具有最佳機電轉換效率的共振器。

雖然本申請已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本申請，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本申請的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本申請的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧表面彈性波產生裝置

110‧‧‧基板

120‧‧‧第一導電型區域

130‧‧‧第二導電型摻雜區域

130a‧‧‧摻雜圖案

AC‧‧‧交流訊號

Bias Vdc‧‧‧逆向偏壓

GND‧‧‧接地電壓

W‧‧‧表面彈性波

Claims (19)

1. 一種表面彈性波產生裝置，包括：基板；第一導電型區域，形成於該基板中；以及第二導電型摻雜區域，包括至少一個摻雜圖案，摻雜於該第一導電型區域的表面，藉由施加逆向偏壓至該第一導電型區域與該第二導電型摻雜區域之間，使兩區域的接面產生空乏電容，並且輸入訊號至該第一導電型區域或該第二導電型摻雜區域，以在該基板上產生表面彈性波。
2. 如申請專利範圍第1項所述的表面彈性波產生裝置，其中該基板為矽基板。
3. 如申請專利範圍第1項所述的表面彈性波產生裝置，其中該第一與該第二導電型一個為P型而另一個為N型。
4. 如申請專利範圍第1項所述的表面彈性波產生裝置，其中該第二導電型摻雜區域呈指狀或週期性排列的多個矩形。
5. 如申請專利範圍第1項所述的表面彈性波產生裝置，其中該至少一個摻雜圖案的週期為該表面彈性波波長的整數倍。
6. 如申請專利範圍第1項所述的表面彈性波產生裝置，其中該至少一個摻雜圖案的週期為該表面彈性波波長的兩倍。
7. 一種表面彈性波收發裝置，包括：基板；發射端，形成於該基板中，該發射端包括具有第一導電型的第一區域，以及具有第二導電型的第一摻雜區域，該第一摻雜區域包括至少一個第一摻雜圖案，摻雜於該第一導電型的該第一區 域的表面，藉由施加逆向偏壓至該第一摻雜區域與該第一區域之間，並且輸入訊號至該第一區域或該第一摻雜區域，以在該基板上產生表面彈性波；以及接收端，形成於該基板中，該接收端包括具有該第一導電型的第二區域，以及具有該第二導電型的第二摻雜區域，該第二摻雜區域包括至少一個第二摻雜圖案，摻雜於該第一導電型的該第二區域表面。
8. 如申請專利範圍第7項所述的表面彈性波收發裝置，其中該基板為矽基板。
9. 如申請專利範圍第7項所述的表面彈性波收發裝置，其中該第一與該第二導電型一個為P型而另一個為N型。
10. 如申請專利範圍第7項所述的表面彈性波收發裝置，其中該第一摻雜區域與該第二摻雜區域分別呈指狀或週期性排列的多個矩形，且該些第一摻雜圖案以及該些第二摻雜圖案分別為多個平行延伸的指部或延伸部。
11. 如申請專利範圍第7項所述的表面彈性波收發裝置，其中該接收端更包括閘極，位於該些第二摻雜圖案之間的該基板表面，並且該閘極兩側的該些第二摻雜圖案分別作為源極與汲極，用以形成場效電晶體。
12. 如申請專利範圍第7項或第11項所述的表面彈性波收發裝置，更包括第一反射結構以及第二反射結構，形成於該基板中，且該接收端以及該發射端位於該第一反射結構以及該第二反射結構之間。
13. 如申請專利範圍第12項所述的表面彈性波收發裝置，其 中該第一反射結構或該第二反射結構包括相互平行的多個溝槽。
14. 如申請專利範圍第12項所述的表面彈性波收發裝置，其中該第一反射結構或該第二反射結構包括至少一種與基板材料不同聲阻抗的材料。
15. 如申請專利範圍第14項所述的表面彈性波收發裝置，其中該至少一種與基板材料不同聲阻抗的材料為空氣、矽、二氧化矽或是金屬。
16. 如申請專利範圍第11項所述的表面彈性波收發裝置，其中該閘極包括閘極介質層與閘極電極層，其中該閘極介質層位於該閘極電極層與該基板之間。
17. 如申請專利範圍第11項所述的表面彈性波收發裝置，其中該源極與該汲極分別呈指叉狀彼此平行交替排列，並且該些閘極位於該源極與該汲極之間。
18. 一種表面彈性波產生方法，包括：提供一基板，其中該基板中具有第一導電型區域，並且該第一導電型區域表面具有第二導電型摻雜區域，該第二導電型摻雜區域包括至少一個摻雜圖案；施加逆向偏壓於該第一導電型區域與該第二導電型摻雜區域之間，使兩區域的接面產生空乏電容；以及輸入訊號至該第一導電型區域或該第二導電型摻雜區域，以使該空乏電容的兩端產生作用力，並且該作用力擾動該基板表面，而激發表面彈性波沿該基板表面傳播。
19. 如申請專利範圍第18項所述的表面彈性波產生方法，其中該第二導電型摻雜區域呈指狀或週期性排列的多個矩形。