CN102538949A - 一种基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 230000033310 detection of chemical stimulus Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012372 quality testing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 101100460147 Sarcophaga bullata NEMS gene Proteins 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010358 mechanical oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开一种基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法，P-Si衬底上设有漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区，漏极-N型掺杂区上设有漏极电极，源极-N型掺杂区上设有源极电极，在P-Si衬底表面上且位于漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区的正中间安置两个SiO2锚区，石墨烯两端固支梁的两端分别悬于两个SiO2锚区上，石墨烯两端固支梁的一端上设置一个与其相连接的顶栅电极；利用梁的振动引起电场的变化来确定627谐振器的谐振频率，能将微弱的谐振信号直接放大成可用于检测的电压信号，避免了外接有源电路，使电路简化，能消除了由于寄生电容引起的低通滤波现象，尤其适用于超小质量的化学物质检测。
Description
技术领域
本发明属于纳机电系统（NEMS）应用领域，特指一种用于超小质量检测的纳机电谐振式传感器及其制作方法。
背景技术
对于机械电子式谐振器而言，系统的固有频率（
）随刚度影响系数k的增大而增大，随有效质量m eff的减小而增大。提高谐振频率的方法主要是通过降低系统的质量和提高弹性刚度，而弹性刚度与梁的杨氏模量E成正比。石墨烯是目前发现的具有二维结构的材料，其单层厚度只有0.35 nm，杨氏模量 
，有效质量m eff极小，符合提高谐振频率的要求。
已有的纳机电谐振式传感器基本上是基于硅材料制备的，其制作方法是在单晶硅悬臂梁上掺杂形成电阻层，利用悬臂梁振动时受力变化引起电阻层阻值的改变的原理来确定谐振频率。这种方法制备的单晶硅掺杂电阻变化小，适用于对灵敏度低、测试精度要求不高的场合。
目前的石墨烯片纳机电谐振式传感器一般采用背栅结构，其制备方法是将石墨烯片悬置在Si/SiO2上的沟槽上，Si衬底作为栅极，石墨烯作为沟道。目前，石墨烯片纳机电谐振式传感器的激励和检测方法有两种：一种是光学激励与光杠杆检测，另一种是静电激励与电学检测。文献 [Bunch JS ，et al. Electromechanical
resonators from graphene sheets, Science ，2007， 315：490] 采用光学激励与光杠杆检测的方法对石墨烯片谐振器进行了研究，但这种方法光路设计复杂，在实际应用中很难得到推广。文献 [ Chen C，et al. Performance of monolayer
grapheme nanomechanical resonators with electrical readout. Nature
Nanotechnology ，2009，4，861-867]提到的石墨烯片谐振器存在低通滤波现象，测试时需对外部电路进行混频设计，电路复杂。此外，悬置的石墨烯片基本上是采用机械剥离获得的，该方法产量低、随机性大，不利于大规模、批量化生产。
发明内容
本发明的目的是为克服上述现有技术的不足，在不影响检测精度的前提下，极大地降低检测电路的复杂程度而提供一种具有质量小、功耗低、灵敏度高和成本低的基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器，本发明同时还提供该纳机电谐振式传感器的制作方法。
本发明基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器采用的技术方案是；具有一块P-Si衬底，P-Si衬底上连接背栅电极，P-Si衬底上设有漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区，漏极-N型掺杂区上设有漏极电极，源极-N型掺杂区上设有源极电极，在P-Si衬底表面上且位于漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区的正中间安置两个SiO2锚区，石墨烯两端固支梁的两端分别悬于两个SiO2锚区上，石墨烯两端固支梁的一端上设置一个与其相连接的顶栅电极。
上述基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器的制作方法的技术方案是：采用如下步骤；
在P-Si衬底上热氧化生长300 nm的SiO2；
在SiO2上淀积石墨烯片层；
裁剪石墨烯，光刻和刻掉石墨烯下的SiO2，形成两个SiO2锚区；
用离子注入法在P-Si衬底中形成漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区，使得漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区分别位于两个SiO2锚区两侧；
在P-Si衬底上分别溅射背栅电极、漏极电极和源极电极，并在石墨烯上溅射顶栅电极；
通过缓冲氧化物刻蚀剂对SiO2刻蚀，形成悬置的石墨烯两端固支梁。
本发明采用上述技术方案具有的有益效果是：1、本发明采用性能优异、成本低的石墨烯材料来制作超小质量检测的纳机电谐振器两端固支梁，将石墨烯两端固支梁和场效应有机地结合起来，利用梁的振动引起电场的变化来确定谐振器的谐振频率。2、带有内部自放大功能，能将微弱的谐振信号直接放大成可用于检测的电压信号，避免了外接有源电路，使电路简化。3、顶栅电极和漏源电极不在同一平面内，消除了由于寄生电容引起的低通滤波现象。4、石墨烯材料采用化学汽相沉积法（CVD）制备，所得到的石墨烯片面积大、质量高、可控性强。5、采用与CMOS兼容的表面微机械技工方法，具有质量小、功耗低、灵敏度高和成本低等优点，尤其适用于超小质量的化学物质检测。
附图说明
图1是本发明基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器的结构图，图1a是主视图；图1b是图1a 的左视图；
图2是图1中的纳机电谐振式传感器的制作流程图，依次按图2 a～图2e的顺序制作；
图3是图1中纳机电谐振式传感器的工作原理图；
1.P-Si衬底；2.与P-Si衬底相连接的背栅电极；3.漏极-N型掺杂区；4.漏极电极；5.SiO2锚区；6.顶栅电极；7.源极电极；8.源极-N型掺杂区；9.石墨烯两端固支梁；10.P型衬底中的反型层。
具体实施方式
本发明基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器的结构如图1所示。具有一块杂质浓度较低的P型硅片作为衬底，即P-Si衬底1，在P-Si衬底1上设有两个N+区，即漏极-N型掺杂区3和源极-N型掺杂区8，在P-Si衬底1表面上，并且位于漏极-N型掺杂区3和源极-N型掺杂区8的正中间安置两个SiO2锚区5，在两个SiO2锚区5上是一个石墨烯两端固支梁9，石墨烯两端固支梁9的两端分别悬在两个SiO2锚区5上，在石墨烯两端固支梁9的一端上设置一个与石墨烯两端固支梁9相连接的顶栅电极6。漏极电极4和源极电极7分别位于漏极-N型掺杂区3和源极-N型掺杂区8上，背栅电极2直接连接在P-Si衬底1上。这种结构的纳机电谐振式传感器具有双栅极结构，以石墨烯作为顶栅，以P-Si衬底1作为背栅，顶栅石墨烯还兼作谐振梁。
参见图2，图1所示的纳机电谐振式传感器按以下方法制作：
图3为本发明纳机电谐振式传感器的工作原理图。在静态状态下，即交流电压δV g = 0，由于石墨烯为零带隙材料，表现为金属性。半导体硅在掺杂的情况下，其导电性显著增强，也表现为金属性。在与P-Si衬底1相连接的背栅电极2和顶栅电极6之间加直流电压V GS，则石墨烯两端固支梁9和p-Si衬底（1）就构成电容的两极，在两极之间形成电场。该电场排斥p-Si衬底1内的多子空穴，同时吸引其中的少子电子，使电子向上表面运动，空穴向下运动。当直流电压V GS增大到一定数值后，在p-Si衬底1上表面形成一个由少子电子组成的N型薄层，这里，该薄层被称为p-Si衬底中的反型层10。当直流电压V GS达到门槛电压V GS （ th ）后，V GS越大，电场越强，p-Si衬底中的反型层10越厚，漏极-N型掺杂区3和源极-N型掺杂区8间的电阻就越小。当在漏极-N型掺杂区3、源极-N型掺杂区8上的漏极电极4、源极电极7上加电压V DS时，将形成电流I DS。
在至少有个电容器平板是悬吊或可变形的情况下，电容器可以用作产生力或位移的执行器。本发明中的石墨烯两端固支梁9满足这一要求，在石墨烯两端固支梁9和p-Si衬底1构成的电容的两极上施加电压V GS后，石墨烯两端固支梁9将在静电力作用下发生弯曲，从而使石墨烯两端固支梁9和p-Si衬底1之间的距离x发生变化。
在动态情况下，即在背栅电极2和顶栅电极6之间施加频率为 f 的交流电压
，漏极电极4、源极电极7之间施加直流电压V DS，石墨烯两端固支梁9和p-Si衬底1之间的静电力将以相同的频率f变化，进而驱动石墨烯两端固支梁9以相同的频率f 振动。墨烯两端固支梁9周期性振动，使得石墨烯片与p-Si衬底1间的电场E周期性变化，反型层10的厚度也出现周期性变化，最终使得通过反型层10的电流I DS以频率f周期性变化。
当交流电压变化频率f与石墨烯两端固支梁9的固有振动频率f 0相同时，石墨烯两端固支梁9发生谐振，在此情况下，其振幅Δx将达到最大。从而电场E的变化幅度
最大。进而，电流I DS的变化幅度
达到最大。从而确定了传感器的谐振频率f 0。这种方法使得微小的机械振动信号转变成可观测的电流信号，具有内部自放大功能。
当石墨烯上吸附质量超小的化学物质时，谐振频率f 0将发生变化。通过测量频率的变化值∆f可间接知道化学物质的质量。
Claims (2)
1.一种基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器，具有一块P-Si衬底（1），P-Si衬底（1）上连接背栅电极（2），其特征是；P-Si衬底（1）上设有漏极-N型掺杂区（3）和源极-N型掺杂区（8），漏极-N型掺杂区（3）上设有漏极电极（4），源极-N型掺杂区（8）上设有源极电极（7），在P-Si衬底（1）表面上且位于漏极-N型掺杂区（3）和源极-N型掺杂区（8）的正中间安置两个SiO2锚区（5），石墨烯两端固支梁（9）的两端分别悬于两个SiO2锚区（5）上，石墨烯两端固支梁（9）的一端上设置一个与其相连接的顶栅电极（6）。
2.一种权利要求1所述基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器的制作方法，其特征是采用如下步骤；
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110413771 CN102538949B (zh) | 2011-12-13 | 2011-12-13 | 一种基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110413771 CN102538949B (zh) | 2011-12-13 | 2011-12-13 | 一种基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102538949A true CN102538949A (zh) | 2012-07-04 |
| CN102538949B CN102538949B (zh) | 2013-08-21 |
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ID=46346411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110413771 Active CN102538949B (zh) | 2011-12-13 | 2011-12-13 | 一种基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20120704 Assignee: Jiangsu Anderson Superconducting Accelerator Technology INC. Assignor: Jiangsu University Contract record no.: 2014320000177 Denomination of invention: Nano-electromechanical resonant sensor based on graphene sheet layer and manufacturing method thereof Granted publication date: 20130821 License type: Exclusive License Record date: 20140306 |
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| LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model | ||
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract | ||
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |
Assignee: ANDESON SUPERCONDUCTING RF ACCELERATOR TECHNOLOGY Co.,Ltd. Assignor: JIANGSU University Contract record no.: 2014320000177 Date of cancellation: 20210107 |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210420 Address after: No.99, Liyao Road, Danyang Development Zone, Zhenjiang City, Jiangsu Province, 212300 Patentee after: Zhenjiang ubiquitous Smart Grid Technology Co.,Ltd. Address before: Zhenjiang City, Jiangsu Province, 212013 Jingkou District Road No. 301 Patentee before: JIANGSU University |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
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Address after: No.99, Liyao Road, Danyang Development Zone, Zhenjiang City, Jiangsu Province, 212300 Patentee after: Jiangsu Fanzai Intelligent Electric Co.,Ltd. Address before: No.99, Liyao Road, Danyang Development Zone, Zhenjiang City, Jiangsu Province, 212300 Patentee before: Zhenjiang ubiquitous Smart Grid Technology Co.,Ltd. |