KR100337616B1 - Ｓａｗ 공진자 필터 및 그를 포함하는 통신 장치 - Google Patents

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Abstract

SH타입의 표면 탄성파를 생성하는 SAW 공진자 필터는 압전 기판을 포함하며, 상기 압전 기판상에 제 1 및 제 2 공진자가 배열된다. 제 1 및 제 2 공진자는, 각각 전극지를 가지는 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서를 포함한다. 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서는 음향결합하여 필터를 형성하고, 각각 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서부로 분할된다. 인터디지털 트랜스듀서를 복수의 서브-IDT부를 가지도록 분할함으로써, 유효 전기기계 결합계수는 감소되고, 따라서 대역폭을 더 좁게 할 수 있다. 더욱이, 전극 구조의 향상은, 필터가 우수한 온도 특성을 가지는 압전 기판을 사용하게 하여, 협대역 및 우수한 온도 특성을 가지는 SAW 공진자 필터를 달성할 수 있다. 더욱이, SH타입의 표면 탄성파를 사용한 단면 반사형 SAW 공진자 필터가 형성되는 경우, 저손실 및 우수한 감도를 가지는 소형의 대역 통과 필터를 제공할 수 있다.

Description

ＳＡＷ 공진자 필터 및 그를 포함하는 통신 장치 { SAW resonator filter and communication apparatus comprising the same }
본 발명은 표면 탄성파 공진자 필터(이하, SAW 필터라고 한다)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 협대역폭 및 소형의 SAW 공진자 필터에 관한 것이다.
통신 장치 및 다른 전자 장치에서, 대역 통과 필터로서 SAW 필터가 널리 사용되고 있다. SAW 필터로는, 압전 기판상에 소정 거리로 배열된 두 개의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 가지는 횡형 SAW 필터와, 압전 기판상에 공진자를 구성하는 SAW 공진자 필터가 있다.
SAW 공진자 필터로서, 러브파, BGS(Bleustein-Gulyaev-Shimuzu)파 및 다른 유사한 파와 같은 SH(Shear Horizontal) 표면 탄성파를 이용하는 단면 반사형 SAW 공진자 필터가 알려져 있다. 단면 반사형 SAW 공진자 필터에서, 압전 기판의 두 대향하는 단면 사이에 공진자가 형성되고, 단면은 SH파를 반사하도록 사용된다. 반사기가 필요없기 때문에, 소형의 필터를 달성할 수 있다.
더욱이, 두 개의 SAW 공진자를 결합함으로써 만들어진 단면 반사형의 종결합형 SAW 공진자 필터 및 횡결합형 SAW 공진자 필터가 이미 알려져 있다(일본국 특허공개공보 9-69751, 10-261938 참조).
도 19는 종래 단면 반사형의 종결합형 SAW 공진자 필터의 실시예를 나타내는 투시도이다. 종결합형 SAW 공진자 필터(51)는 직사각형 압전 기판(52)상에 형성된 IDT(53, 54)를 포함한다. IDT(53, 54)는 단면 반사형 표면 탄성파 공진자이고, 표면 탄성파의 전파 방향을 따라 배열된다.
또한, 도 20은 종래의 횡결합형 SAW 공진자 필터를 나타낸다. 횡결합형 SAW 공진자 필터(61)는 직사각형 압전 기판(62)상에 형성된 IDT(63, 64)를 포함한다. 각 IDT(63, 64)는 단면 반사형 표면 탄성파 공진자이고, 그러나 여기서 IDT(63, 64)는 표면 탄성파의 전파 방향에 수직으로 배열된다.
선택의 정도를 향상시키기 위해, 협대역폭을 갖는 필터가 요구되고 있다. 종래의 SAW 공진자 필터(51, 61)에서, 대역은 (1) 전기기계 결합계수가 작은 압전 기판(52, 62)을 이용하거나; (2) IDT의 전극 두께를 더 작게 만들어서, 그들의 효과적인 전기기계 결합계수를 낮추거나; 또는 (3) IDT간의 거리를 조정하여, 두 개의 공진자의 공진 주파수를 서로 가깝게 옮기거나 하는 다른 유사한 방법들에 의해 감소된다.
첫 번째 방법이 가지는 문제점은, 그 의도된 목적에 적합한 압전 기판용 압전 재료를 선택하는 것이 필요하고, 요구되는 대역폭에 알맞은 전기기계 결합계수를 갖는 물질을 얻기가 어렵다는 것이다. 또한, 필요한 대역폭에 적합하고, 또한 우수한 온도 특성을 갖는 재료를 찾기란 대단히 어렵다는 것이다.
두 번째 방법이 가지는 문제점은, IDT의 전극 두께가 감소되는 경우, 압전 효과에 기인하는 진동 에너지는 파가 커지게 하는 변화 및 바람직한 필터 특성의 악화를 초래하는 것이다.
세 번째 방법이 가지는 문제점은, 두 공진 모드의 공진 주파수가 서로 너무 가깝게 가져와진 경우, 그 두 개의 공진 모드가 거의 일체화되고, 따라서 삽입 손실을 증가시킨다.
상술한 문제점들을 극복하기 위해, 본 발명의 바람직한 구현예는, 삽입 손실을 증가시키지 않고 협대역폭을 가지며 우수한 온도 특성을 가지는 SAW 공진자 필터, 및 적당한 전극 두께를 가지는 IDT를 제공한다.
본 발명의 바람직한 구현예는, SH타입의 표면 탄성파를 발생시키며, 압전 기판을 포함하는 SAW 공진자 필터, 및 압전 기판상에 배열되고, 각각 전극지를 가지는 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서를 포함하는 제 1 및 제 2 공진자를 제공하는 것으로써, 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서는 음향결합하여 필터를 형성하고, 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서는 각각 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서부로 분할된다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 제 1 및 제 2 IDT는 2∼4개의 서브-IDT부로 분할되는 것이 바람직하다.
또한, 다른 바람직한 구현예에서, 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서는 종결합 또는 횡결합될 수 있다.
복수의 서브-IDT부를 가지도록 인터디지털 트랜스듀서를 분할함으로써, 유효 전기기계 결합계수가 감소되고, 따라서, 대역폭을 좁게 만들 수 있다는 점에 주목한다. 더욱이, 전극 구조에서의 향상은 필터가 우수한 온도 특성을 가지는 압전 기판을 이용하는 것을 고려해야 하며, 협대역폭 및 우수한 온도 특성을 가지는 SAW 공진자 필터를 달성할 수 있다. 게다가, SH타입의 표면 탄성파를 이용한 단면 반사형 SAW 공진자 필터를 형성할 때, 낮은 손실 및 우수한 선택도를 가지는 소형의 대역 필터 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 구현예에서, 통신 장치는 듀플렉서를 포함하며, 여기서 듀플렉서는 각각 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서부로 분할되는 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서를 가지는 상술한 공진자 필터를 포함한다.
이하, 발명의 구성 및 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 다른 구성 요소, 양상 및 이점에 대해 자세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 횡결합형 SAW 공진자 필터의 투시도이다.
도 2는 횡결합형 SAW 공진자 필터에서 IDT의 분할수 및 10 dB 감쇠 대역폭 사이의 관계를 나타내는 도이다.
도 3은 횡결합형 SAW 공진자 필터에서 IDT의 분할수 및 삽입 손실 사이의 관계를 나타내는 도이다.
도 4는 본 발명의 횡결합형 SAW 공진자 필터의 다른 바람직한 구현예의 투시도이다.
도 5는 본 발명의 횡결합형 SAW 공진자 필터의 또 다른 바람직한 구현예의 투시도이다.
도 6은 본 발명에 따른 복수단 접속되어 구성되는 횡결합형 SAW 공진자 필터의 바람직한 구현예의 투시도이다.
도 7은 본 발명에 따른 복수단 접속되어 구성되는 횡결합형 SAW 공진자 필터의 다른 바람직한 구현예의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 종결합형 SAW 공진자 필터의 투시도이다.
도 9는 본 발명의 다른 바람직한 구현예에 따른 종결합형 SAW 공진자 필터의 투시도이다.
도 10은 종래의 종결합형 SAW 공진자 필터의 주파수 대 진폭 특성을 나타내는 도이다.
도 11은 도 8에 도시한 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 종결합형 SAW 공진자 필터의 주파수 대 진폭 특성을 나타내는 도이다.
도 12는 도 9에 도시한 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 종결합형 SAW 공진자 필터의 주파수 대 진폭 특성을 나타내는 도이다.
도 13은 본 발명의 바람직한 구현예에 따라 IDT가 네 개로 분할될 때, 종결합형 SAW 공진자 필터의 주파수 대 진폭 특성을 나타내는 도이다.
도 14는 본 발명의 바람직한 구현예에 따라 IDT가 다섯 개로 분할될 때, 종결합형 SAW 공진자 필터의 주파수 대 진폭 특성을 나타내는 도이다.
도 15는 본 발명의 바람직한 구현예의 종결합형 SAW 공진자 필터에서 IDT의 분할수 및 10 dB 감쇠 대역폭 사이의 관계를 나타내는 도이다.
도 16은 본 발명의 바람직한 구현예의 종결합형 SAW 공진자 필터에서 IDT의 분할수 및 삽입 손실 사이의 관계를 나타내는 도이다.
도 17은 본 발명의 바람직한 구현예의 종결합형 SAW 공진자 필터에서 IDT의 SAW 공진자의 분할수와 유효 전기기계 결합계수(K) 사이의 관계를 나타내는 도이다.
도 18은 종결합형 SAW 공진자 필터의 한 측상의 IDT에서 평가한, IDT의 분할수와, 공진 주파수와 반공진 주파수간의 주파수 차 ΔF 사이의 관계를 나타내는 도이다.
도 19는 종래의 종결합형 SAW 공진자 필터의 투시도이다.
도 20은 종래의 횡결합형 SAW 공진자 필터의 투시도이다.
도 21은 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 통신 장치를 나타내는 블록도이다.
*도면의 주요 부분을 나타내는 부호의 설명*
1, 11, 21, 31, 41 : 종결합형 SAW 공진자 필터
2, 12, 32, 42 : 압전 기판
2a, 2b, 32a, 32b, 42a, 42b : 제 1, 제 2 단면
3, 4, 33, 34, 43, 44 : 제 1, 제 2 IDT
3A, 3B, 4A, 4B, 43A∼43C, 44A∼44C : IDT부
3a∼3n, 4a∼4n, 33a∼33j, 34a∼34j, 43a∼43l, 44a∼44l : 전극지
6 : SAW 공진자 필터
11A : 제 1 SAW 공진자 필터부
11B : 제 2 SAW 공진자 필터부
12a, 12b : 단면
21A, 21B : SAW 공진자 필터부
32c, 42c : 상면
도 1은 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 횡결합형 SAW 공진자 필터의 투시도이다. 도 1을 참조하면, SAW 공진자 필터(1)는 바람직하게는 실질적으로 직사각형 압전 기판(2)을 포함한다. 압전 기판(2)은, LiTaO3, LiNbO3, 석영과 같은 압전 단결정으로 이루어지거나, 또는 지르코늄티탄산납 세라믹과 같은 압전 세라믹으로 이루어지는 것이 바람직하다. 압전 기판(2)이 압전 세라믹으로 구성되는 경우, 압전 기판(2)은 IDT(3, 4)의 전극지가 연장되는 방향에 실질적으로 평행인 방향으로 분극된다.
압전 기판(2)은 서로 대면하는 단면(2a, 2b)을 갖는다. 단면(2a, 2b)이 연장되는 라인 접속 방향은, SH타입의 표면 탄성파가 전파하는 방향이다.
IDT(3, 4)는 상기 기판(2)의 상면(2c)상에 형성되고, 표면 탄성파의 전파 방향에 실질적으로 수직인 방향으로 연장되며, 각각 제 1 및 제 2 SAW 공진자를 형성한다. 더욱이, 제 1 및 제 2 공진자는 음향결합되어 횡결합형 SAW 공진자 필터를 형성한다.
본 발명의 바람직한 구현예의 SAW 필터의 새로운 특징중 하나는 각 공진자를 구성하는 IDT의 구조에 존재한다. 각 SAW 공진자의 IDT는 복수의 서브-IDT부로 분할되며, 직렬로 접속되고, 여진된 SH타입의 파가 전파되는 방향으로 배열된다.
더욱 상세하게는, IDT(3)는, 서브-IDT부(3A, 3B)가 표면 탄성파 전파 방향을 따라 배열되도록, 서브-IDT부(3A, 3B)로 분할되는 것이 바람직하다. 더욱이, 서브-IDT부(3A, 3B)는, 한 쌍의 입력 단자(IN) 사이에 위치하는 공통 버스바(5; bus bar)를 통해 직렬로 전기적으로 접속된다. 또한 IDT(4)는, 서브-IDT부(4A, 4B)가 표면 탄성파 전파 방향을 따라 배열되도록 분할되며, 서브-IDT부(4A, 4B)는, 한 쌍의 출력 단자(OUT) 사이에 위치하는 공통 버스바(5)를 통해 직렬로 전기적으로 접속된다.
IDT(3)는 복수의 전극지(3a∼3n)를 가지며, IDT(4)는 복수의 전극지(4a∼4n)를 가진다. IDT(4)가 IDT(3)와 거의 동일한 구조를 가지는 것이 바람직하기 때문에, IDT(3, 4)의 구조는 IDT(3)를 참조로 하여 설명한다.
전극지(3a∼3n)는 표면 탄성파의 전파 방향을 따라 차례로 배열된다. 이들 중에서, 서브-IDT부(3A)는 전극지(3a∼3g)를 가지며, 서브-IDT부(3B)는 전극지(3h∼3n)를 가진다.
서브-IDT부(3A)에서, 전극지(3a, 3c, 3e, 3g)는, 압전 기판(2)의 상면(2c)의 거의 중심에서, 표면 탄성파 전파 방향을 따라 연장되는 공통 버스바(5)에 전기적으로 접속된다. 각 전극지(3b, 3d, 3f)중의 하나는 버스바(3o)에 전기적으로 접속된다. 전극지(3a, 3c, 3e, 3g)들은 전극지(3b, 3d, 3f)와 깍지 끼워지도록 배열된다. 서브-IDT부(3B)에서, 전극지(3h, 3j, 3l, 3n)들은 공통 버스바(5)에 접속되고, 전극지(3i, 3k, 3m)중의 하나는 버스바(3p)에 전기적으로 접속된다.
서브-IDT부(4A, 4B)의 인접하는 최외측 전극지(4g, 4h)와, 서브-IDT부(3A, 3B)의 인접하는 최외측 전극지(3g, 3h)는 각각 전기적으로 접속된다.
전극지(3a, 3n)의 폭은 약 λ/8이고, 남은 전극지(3b∼3m)의 폭은 약 λ/4이며, 여기서 λ는 압전 기판(2)상에 여진된 SH타입의 파장을 가리킨다. 더욱이, 서브-IDT부(4A)의 최외측 전극지(4g)와 서브-IDT부(4B)의 최외측 전극지(4h) 사이의 스페이스 또는 갭, 서브-IDT부(3A)의 최외측 전극지(3g)와 서브-IDT부(3B)의 최외측 전극지(3h) 사이의 스페이스, 및 다른 인접하는 전극지들간의 스페이스는 약 λ/4로 설정된다. 즉, 서브-IDT부(3A, 3B) 사이의 스페이스, 및 서브-IDT부(4A, 4B)사이의 스페이스는 약 λ/4로 설정된다.
단면(2a)과 단면(2b)간의 거리는 일반적으로 λ/2의 정수배와 거의 동일하게 설정된다.
SAW 공진자 필터(1)에서, 입력 전압이 버스바(3o, 3p)에 인가될 때, SH타입의 파들은 서브-IDT부(3A, 3B)를 포함하는 IDT(3)에 의해 여진된다. 여진된 SH타입의 파들은 단면(2a, 2b)에 의해 반사되어, 정상파를 형성하고, 공진 모드를 발생시킨다. 상기 정상파에 기초한 출력은 서브-IDT부(4A, 4B)를 포함하는 IDT(4)에 의해 검파되어, 또한 공진 모드를 발생시킨다. 이들 IDT(3, 4)의 공진 모드는 서로 결합되고, 횡결합형 SAW 공진자 필터로서 작용한다. 출력은 IDT(4)의 전극지(4b, 4d, 4f, 4i, 4k, 4m)들이 접속되어 있는 버스바(4o, 4p)로부터 송신된다. 된다.
본 발명의 바람직한 구현예의 SAW 공진자 필터(1)에서, IDT(3, 4)는 상술한 바와 같이 두 개로 분할되는 것이 바람직하고, 따라서 유효 전기기계 결합계수는 종래의 횡결합형 SAW 공진자 필터(61)에서보타 낮고(도 20 참조), 결과적으로 대역폭을 더 좁게 만들 수 있다. 이는 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
이와 비교하여, 도 20에 도시한 종래의 횡결합형 SAW 공진자 필터(61), 및 본 발명의 바람직한 구현예의 실시예에 따른 횡결합형 SAW 공진자 필터(1)는, 2.0㎜×1.0㎜×0.5㎜의 압전 세라믹을 포함하는 압전 기판을 이용하여 만들어진다. IDT(63)와 IDT(3)의 전극지의 쌍의 수는 34.5이고, IDT(64)와 IDT(4)의 전극지의 로가리듬(logarithm)은 34.5이고, 각 경우의 전극지의 틈(중복된 길이)은 약 1.5λ였다.
더욱이, SAW 공진자 필터(1)에서의 IDT(3, 4)의 분할수를 3보다 크게 하여, 다양한 SAW 공진자 필터가 만들어진다.
이러한 SAW 공진자 필터에서, IDT(3, 4)의 분할수와 10 dB 감쇠 대역폭(공진 주파수 fr에 대한 감쇠의 %로서 표현되는 비율)사이의 관계, 및 분할수와 삽입 손실 사이의 관계를 평가한다. 그 결과는 도 2 및 도 3에 각각 도시한 바와 같다.
도 2 및 도 3으로부터 알 수 있듯이, 횡결합형 SAW 공진자 필터(1)에서의 대역폭은 DIT(3, 4)를 분할함으로써 더 좁게 만들 수 있다. 더욱이, 대역폭이 좁아질수록 분할수가 증가하는 것을 알 수 있다. 그러나, 분할수가 4에서 5로 증가하면, 삽입 손실은 빠르게 증가한다는 점에 주의해야 한다.
따라서, 삽입 손실의 빠른 증가를 방지하기 위해서는, 분할수가 2∼4의 범위내에 있는 것이 바람직함을 알 수 있다.
도 4∼도 7은 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 SAW 공진자 필터의 전극 구조의 변형예를 나타내는 투시도이다.
도 4에 도시한 횡결합형 SAW 공진자 필터에서, 제 1, 제 2 IDT(3, 4)는 각각 두 개로 분할되지만, IDT가 분할되는 방법은 도 1의 SAW 공진자 필터와 다르다.
즉, SAW 공진자 필터(6)에서, 제 1 IDT(3)는 서브-IDT부(3A, 3B)를 가지는데, 제 1 서브-IDT부(3A)가 복수의 전극지(3a∼3f)를 가지는 반면, 제 2 서브-IDT부(3B)는 단지 전극지(3g∼3l)를 갖는다. 전극지(3a∼3l)는 표면 탄성파 전파 방향을 따라 연속하여 배열된다.
전극지(3a, 3c, 3e)의 단부는 공통 버스바(5)에 접속되고, 전극지(3b, 3d, 3f)의 다른 단부는 버스바(7a)에 전기적으로 접속된다. 더욱이, 전극지(3f)는 공통 버스바(5) 근처에 위치하고, 공통 버스바(5)에 실질적으로 평행하게 연장되는 버스바(7c)에 전기적으로 접속된다. 즉, 전극지(3f)의 한쪽 단부는 버스바(7a)에 접속되고, 다른쪽 단부는 버스바(7c)에 접속된다. 마찬가지로, 서브-IDT부(3B)에서, 전극지(3g)의 한쪽 단부는 버스바(7a)에 접속되고, 다른쪽 단부는 버스바(7c)에 접속된다. 전극지(3h, 3j, 3l)의 한쪽 단부는 버스바(7b)에 접속되고, 전극지(3i, 3k)의 한쪽 단부는 버스바(7c)에 접속된다. 전극지를 이렇게 배열한 결과로서, 서브-IDT부(3A, 3B)의 인접하는 최외측 전극지(3f, 3g)는 전기적으로 접속된다.
IDT(4)에서의 전극지(4a∼4l)는 IDT(3)와 동일한 배열을 갖는다. IDT(3, 4)에서, 버스바(7b, 7d)는 서브-IDT부(3B, 4B)측에 형성되고, 버스바(7b, 7d)는 공통버스바(5)로부터 전기적으로 절연된다.
도 5는 제 1 및 제 2 의 IDT가 두 부분으로 분할된 횡결합형 SAW 공진자 필터(1)의 다른 변형을 나타내는 투시도이다. 여기서, 도 4의 SAW 공진자 필터(6)와 실질적으로 동일한 전극 구조를 가지지만, 공통 버스바(5)는 서브-IDT부(3B, 4B) 사이로 연장되지 않는다.
도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 횡결합형 SAW 공진자 필터에서, 서브-IDT부의 구조는 변형될 수 있다. 또한, 이들 경우에서, IDT(3, 4)가 분할되어 있기 때문에, SAW 공진자 필터(1)에서와 같이, 대역폭을 좁게 만들 수 있다.
더욱이, 도 6에 도시한 바와 같이, 복수단 SAW 공진자 필터는 압전 기판(12)상에 복수의 횡결합형 SAW 공진자 필터를 배열하고, 그들을 횡결합함으로써 형성할 수 있다. 도 6에 도시한 SAW 공진자 필터(11)에서, 압전 기판(12)의 대향하는 단부(12a, 12b)사이에, 제 1 SAW 공진자 필터 부분(11A) 및 제 2 SAW 공진자 필터 부분(11B)이 형성된다. 각 SAW 공진자 필터 부분(11A, 11B)은, 도 1의 SAW 공진자 필터(1)와 동일한 배열을 갖는다. 따라서 SAW 공진자 필터 부분(11A, 11B)은 접속된 리드 부분(13, 14)에 의해 전기적으로 접속되고, 횡결합형 SAW 공진자 필터 부분(11A, 11B)은 횡결합형다.
이런 방법으로, 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 횡결합형 SAW 공진자 필터에서, 복수단 배열을 가진 SAW 공진자 필터는, 단판의 압전 기판(12)상에 복수의 횡결합형 SAW 공진자 부분을 접속시킴으로써 형성할 수 있다.
더욱이, 도 7은 두 개의 횡결합형 SAW 공진자 필터가 단판 압전 기판상에 형성된 2단의 횡결합형 공진자 필터를 도시한다. 도 7에 도시한 SAW 공진자 필터(21)는, 도 5에 도시한 두 개의 SAW 공진자 필터가, 표면 탄성파의 전파 방향으로 실질적으로 수직으로 배열되는 배열을 갖는다. SAW 공진자 필터 부분(21A, 21B)은 접속된 리드 부분(23, 24)에 의해 전기적으로 접속되고, 횡결합형다.
도 8은 본 발명의 다른 바람직한 구현예에 따른 종결합형 SAW 공진자 필터를 나타내는 투시도이다.
SAW 공진자 필터(31)는 실질적으로 직사각형의 압전 기판(32)을 사용함으로써 형성된다. 압전 기판(32)은 압전 기판(2)와 동일한 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 압전 기판(32)은 대향하는 단면(32a, 32b)을 갖는다. 더욱이, 압전 기판(32)의 상면(32a)상에는 제 1 및 제 2 IDT(33, 34)가 형성된다. IDT(33, 34)는 알루미늄과 같은 금속막을 패터닝함으로써 형성되는 것이 바람직하다.
제 1 SAW 공진자를 형성하는 IDT(33)는, 표면 탄성파의 전파 방향에 실질적으로 수직으로 연장되는 복수의 전극지(33a∼33j)를 가지며, 두 개의 서브-IDT부(33A, 33B)로 분할된다. 즉, 서브-IDT부(33A)는 전극지(33a∼33e)를 가지며, 서브-IDT부(33B)는 전극지(33f∼33j)를 가진다.
서브-IDT부(33A)에서, 전극지(33a, 33c, 33e)의 단부는 표면 탄성파 전파 방향에 따라 연장되는 공통 버스바(33k)에 전기적으로 접속된다. 다른 한편, 전극지(33b, 33d)는 버스바(31)에 접속된다. 따라서, 전극지(33a, 33c, 33e)는 전극지(33b, 33d)와 깍지 끼워지듯이 배열된다.
서브-IDT부(33B)에서, 전극지(33f, 33h, 33j)는 버스바(33k)에 접속된다. 더욱이, 전극지(33g, 33i)의 단부는 버스바(33m)에 전기적으로 접속된다. 따라서, 전극지(33f, 33h, 33j)는 전극지(33g, 33i)와 깍지 끼워지듯이 배열된다.
접속의 결과, 서브-IDT부(33A, 33B)는 한 쌍의 입력 단자(IN) 사이에 직렬로 접속되고, 표면 탄성파 전파 방향을 따라 배열된다.
전극지(33a)는 단부(32a) 및 상면(32c)을 경계로 하는 단부 단면을 따라 형성되며, 여진된 표면 탄성파의 파장이 λ인 경우 약 λ/8의 폭을 갖는다. 남은 전극지(33b∼33j)의 폭은 약 λ/4이다. 더욱이, 전극지들의 사이에서 표면 탄성파 전파 방향을 따라 연장되는 갭의 폭은 약 λ/4이다. 즉, 서브-IDT부(33A, 33B) 사이의 스페이스는 약 λ/4로 설정된다.
제 2 공진자를 구성하는 IDT(34)는 IDT(33)에 대해 표면 탄성파 전파 방향을 따라 형성된다. IDT(33)와 같이, IDT(34)는 두 개의 서브-IDT부(34A, 34B)를 갖는다. 서브-IDT부(34A)는 IDT(33)측에 형성되며, 전극지(34a∼34e)를 갖는다. 서브-IDT부(34B)는 전극지(34f∼34j)를 갖는다.
서브IDT부(34A)에서, 전극지(34a, 34c, 34e)는 버스바(34k)에 접속된다. 다른 한편, 전극지(34b, 34d)의 단부는 버스바(34k)의 대향하는 측의 버스바(34l)에 접속된다. 마찬가지로, 서브-IDT부(34B)에서, 전극지(34f, 34h, 34j)의 단부는 버스바(34k)에 접속되고, 전극지(34g, 34i)는 버스바(34m)에 접속된다.
서브IDT부(34A)에서, 전극지(34a, 34c, 34e)는 전극지(34b, 34d)와 깍지 끼워지듯이 배열된다. 서브-IDT부(34B)에서, 전극지(34f, 34h, 34j)는 전극지(34g, 34i)와 깍지 끼워지듯이 배열된다.
접속의 결과, 서브IDT부(34A, 34B)는 한 쌍의 출력 단자(OUT) 사이에 직렬로 접속되고, 표면 탄성파의 전파 방향을 따라 배열된다.
더욱이, 최외측의 전극지(34j)는, 압전 기판(32)의 단면(32b) 및 상면(32c)을 경계로 하는 단면을 따라 형성된다. 이 전극지(34j)는 전극지(33a)와 마찬가지로, 약 λ/8의 폭을 가진다. 더욱이, 남은 전극지(34a∼34i)의 폭과, 전극지들의 사이에서 표면 탄성파 전파 방향을 따라 연장되는 갭의 폭은, 대략 λ/4이다. 즉, 서브-IDT부(34A, 34B) 사이의 스페이스는 약 λ/4이다. 또한, IDT(33)와 IDT(34) 사이의 스페이스는 약 λ/4이다.
본 바람직한 구현예의 종결합형 SAW 공진자 필터(31)에서, 대향하는 두 단면(32a, 32b) 사이에 상술한 IDT(33, 34)를 형성함으로써, 단면 반사형 SAW 공진자 필터를 형성한다. 작동하는 동안, 예를 들면 BGS파 또는 러브파와 같은 SH타입의 표면 탄성파가 여진되고, IDT(33, 34)로 구성되는 공진자에 의해 생겨난 공진 모드가 결합됨으로써, 상기 필터는 종결합형 SAW 공진자 필터로서 작용한다.
본 바람직한 구현예의 SAW 공진자 필터(31)에 따르면, 상술한 바와 같이 IDT(33, 34)를 갖는 단면 반사형 SAW 공진자 필터에서, 각 IDT(33, 34)가 각각 서브-IDT부(33A, 33B) 및 서브-IDT부(34A, 34B)를 가지도록 분할되기 때문에, 유효 전기기계 결합계수는 감소한다. 따라서, 각각의 두 공진자의 반공진 주파수 및 공진 주파수 사이의 주파수 차 Δf는 모두 매우 감소된다. 결과적으로, 두 공진자의결합에 의해 생성된 종결합형 공진자 필터로, 도 19에 도시한 종래의 종결합형 SAW 공진자 필터(51)보다 대역폭이 좁게 만들 수 있다. 이는 상세한 실험예에 기초하여 설명한다.
도 19에 도시하듯이, 압전 기판(52)으로서, 세라믹 재료를 포함하며, 두께 0.5㎜로 2.1㎜×2.1㎜의 크기를 가지는 실질적으로 직사각형의 압전 기판을 사용하고, IDT(53, 54)의 전극지의 로가리듬이 각각 20쌍 및 15쌍이고, 각 경우, 전극지가 교차하는 폭이 4λ로 하여, 중심 주파수 41.3㎒을 갖는 종래의 SAW 공진자 필터(51)가 만들어졌다. 도 10은 이 SAW 공진자 필터(51)의 주파수 진폭 특성을 나타낸다.
비교를 위해, 상술한 것과 동일한 압전 기판을 사용하고, IDT(33, 34)의 전극지의 로가리듬이 각각 20쌍 및 15쌍이고, 각 경우, 전극지가 교차하는 폭이 4λ로 하였지만, 도 8에 도시한 것과 같이, IDT(33, 34)가 두 개로 분할되고, 중심 주파수 41.3㎒을 갖는 본 바람직한 구현예의 SAW 공진자 필터(31)가 만들어졌다. 도 11은 SAW 공진자 필터(31)의 감쇠 주파수 특성을 나타낸다.
도 10에 도시한 바와 같이, SAW 공진자 필터(51)의 특성에서, 감쇠량이 3dB인 3dB 감쇠 대역의 폭은 1170㎑이지만, 본 바람직한 구현예에서는, 860㎑로 좁아진다. 따라서, 본 바람직한 구현예의 SAW 공진자 필터(31)에 따르면, 비분할 IDT(53, 54)를 사용하는 종래의 SAW 공진자 필터(51)보다 대역폭이 좁다는 것을 알 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 바람직한 구현예에 따른 종결합형 SAW 공진자 필터를나타내는 투시도이다. 도 9의 SAW 필터(41)에서, 실질적으로 직사각형의 압전 기판(42)은 대향하는 단면(42a, 42b)을 갖는다. 압전 기판(42)은 도 1의 압전 기판(2)과 동일한 재료를 포함한다. 제 1 및 제 2 IDT(43, 44)는 표면 탄성파 전파 방향을 따라 압전 기판(42)의 상면(42c)에 형성된다.
도 8의 SAW 공진자 필터(31)와 달리, 본 바람직한 구현예의 SAW 공진자 필터(41)는, 각각 직렬로 접속되고, 각각 세 개의 서브-IDT부(43A∼43C 및 44A∼44C)를 가지는 제 1 및 제 2 IDT(43, 44)로 이루어진다.
즉, IDT(43)을 예로 들면, IDT(43)은 표면 탄성파의 전파 방향에 실질적으로 수직으로 연장되는 전극지(43a∼43l)를 가지지만, 서브-IDT부(43A)는 전극지(43a∼43d)를 가지며, 서브-IDT부(43B)는 전극지(43e∼43h)를 가지며, 서브-IDT부(43C)는 전극지(43i∼43l)를 가진다.
전극지(43a)의 폭은 약 λ/8이고, 남은 전극지(43b∼43l)의 폭은 약 λ/4이다. 더욱이, 전극지들 사이에서 표면 탄성파 전파 방향을 따라 연장되는 갭의 폭은 약 λ/4이다.
IDT(44)는 전극지(44a∼44l)를 가지며, IDT(43)와 같이 세 개의 서브-IDT부(44a∼44c)를 가진다.
IDT(44)에서, 전극지(44l)는 단면(42b) 및 상면(42c)을 경계로 하는 단면을 따라 형성되고, 약 λ/8의 폭을 가지며, 남은 전극지(44a∼44k)는 약 λ/4의 폭을 가진다.
상술한 바와 같이, SAW 공진 필터(41)에서, IDT(43, 44)는 각각 SAW 공진자를 형성하고, IDT(43, 44)는 각각 세 개의 서브-IDT부(43A∼43C, 44A∼44C)를 가지도록 분할된다. 결과적으로, 유효 전기기계 결합계수는 이미 설명한 바람직한 구현예의 SAW 공진자 필터(31)에 비해 감소될 수 있고, 따라서 대역폭을 더욱 좁힐 수 있다. 이는 상세한 시험예를 기초로 하여 설명한다.
도 12는 상기와 같이 IDT(43, 44)가 셋으로 분할되어 서브-IDT부(43A∼43A, 44A∼44C)를 가지는 것을 제외하고는, 도 10 및 도 11에 각각 특성이 나타나 앞의 실험예에서 SAW 공진자 필터(31)와 같은 방법으로 만들어진 SAW 공진자 필터(41)의 주파수 진폭 특성을 나타낸다. 도 12를 도 10 및 도 11과 비교하면 알 수 있듯이, IDT(43, 44)를 세 부분으로 분할함으로써, 대역폭을 더 좁힐 수 있다.
더욱이, 본 발명의 발명자들은, 상술한 실험예와 같이 하여, 제 1 및 제 2 IDT를 네 부분이나 다섯 부분으로 분할하여 종결합형 SAW 공진자 필터를 만들었지만, 그 점을 제외하고는 동일하게 하여 주파수 진폭 특성을 측정하였다. 그 결과는 도 13 및 도 14에 도시하는 바와 같다.
도 13 및 도 14를 도 11 및 도 12와 비교하면 알 수 있듯이, 분할수를 증가시킴으로써 더 좁아진 대역을 얻을 수 있다.
도 12∼도 14의 결과를 고려하면, IDT 분할수가 다른 다양한 SAW 공진자 필터가 만들어지고, 분할수와, 10dB 감쇠 대역폭 또는 삽입 손실의 관계가 결정된다. 그 결과들은 도 15 및 도 16에 도시한 바와 같다. 더욱이, 공진자 필터의 한 측상의 IDT의 공진 특성으로부터 결정되는 분할수와, 전기기계 결합계수, 공진 주파수 또는 반공진 주파수 사이의 주파수 차 Δf의 관계가 결정된다. 결과는 도 17 및 도18에 나타낸다.
도 15∼도 18로부터 알 수 있듯이, 10dB 감쇠 대역의 폭은, IDT의 분할수가 증가하는데 따라 좁아져, 대역폭을 좁게 만들 수 있다. 그러나, 분할수가 증가함에 따라 삽입 손실이 증가하는 것을 볼 수 있다. 상세하게는, 분할수가 4에서 5로 증가되는 경우, 도 16에서와 같이 삽입 손실은 급격히 증가된다.
따라서, SH타입의 표면 탄성파를 사용한 단면 반사형 종결합형 SAW 공진자 필터를 형성하는 경우, 제 1 및 제 2 IDT의 분할수는 2∼4의 범위내에 있는 것이 바람직하며, 따라서 삽입 손실의 증가를 방지함과 동시에 대역폭을 매우 좁게 할 수 있다.
본 발명은, 본 발명의 바람직한 구현예의 독특한 특징이 성공적으로 이용된 다양한 전자 부품 또는 장치에 적당하게 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 듀플렉서 및 상기 듀플렉서를 포함하는 통신 장치에 적용될 수 있다.
도 21은 듀플렉서(70)를 가지는 통신 장치의 블록도이다. 통신 장치(80)의 예를 들면 휴대 전화가 있는데, 휴대 전화가 보통은 가까이에 둘수 있는 작은 사이즈 및 신호의 높은 선택도를 요구하며, 본 발명에 따라 만들어진 필터의 이점을 향유하기에 적합하기 때문이다.
통신 장치(80)는 듀플렉서(70), 안테나(81), 수신기(82) 및 송신기(83)를 포함한다. 듀플렉서(70)는 SAW 필터(71) 및 SAW 필터(72)를 포함하는 것이 바람직하며, SAW 필터(71) 및 SAW 필터(72)의 한쪽 단부가 병렬로 접속되어 제 1 단자(73)를 구성한다. SAW 필터(71) 및 SAW 필터(72)의 다른쪽 단부는 제 2 단자(74) 및 제3 단자(75)에 접속된다. SAW 필터(71) 및 SAW 필터(72)는 본 발명의 바람직한 구현예의 어느 한 SAW 필터일 수 있다. 안테나(81), 수신기(82) 및 송신기(83)는 듀플렉서(70)의 제 1 단자(73), 제 2 단자(74) 및 제 3 단자(75)에 접속된다.
듀플렉서(70)의 SAW 필터(71) 및 SAW 필터(72)의 통과 대역은, 안테나(81)를 통해 수신된 신호가 SAW 필터(71)를 통해 통과하고, SAW 필터(72)에 의해 막히고, 송신기(83)로부터 수신될 신호가 SAW 필터(72)를 통해 통과하도록 선택된다.
본 발명은, 그 바람직한 구현예를 참조하여 상세히 설명하였지만, 여기서 개시된 구현예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
복수의 서브-IDT부를 가지도록 인터디지털 트랜스듀서를 분할함으로써, 유효 전기기계 결합계수가 감소되고, 따라서, 대역폭을 좁게 만들 수 있다. 더욱이, 전극 구조에서의 향상은 필터가 우수한 온도 특성을 가지는 압전 기판을 이용하는 것을 고려하면, 협대역폭 및 우수한 온도 특성을 가지는 SAW 공진자 필터를 달성할 수 있다. 게다가, SH타입의 표면 탄성파를 이용한 단면 반사형 SAW 공진자 필터를 형성할 때, 낮은 손실 및 우수한 선택도를 가지는 소형의 대역 필터를 제공할 수 있다.

Claims (20)

  1. 압전 기판; 및
    상기 압전 기판상에 형성되고, 각각 전극지들을 가지는 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들을 포함하는 제 1 및 제 2 공진자들; 을 포함하는 SAW 공진자 필터로서,
    상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들은 음향결합하여 필터를 형성하고,
    상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들은 각각 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서부로 분할되며, 그리고,
    상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들이 상기 압전 기판 위에 형성되어 상기 압전 기판의 양단에서 반사되는 SH타입의 표면 탄성파를 생성하는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서들은 종결합되는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서들은 횡결합되는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서부로 분할된 상기 인터디지털 트랜스듀서는, 제 1 서브-인터디지털 트랜스듀서부가 제 2 서브-인터디지털 트랜스듀서부와 다른 양의 전극지를 가지도록 분할되는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서부로 분할된 상기 인터디지털 트랜스듀서는, 제 1 서브-인터디지털 트랜스듀서부가 제 2 서브-인터디지털 트랜스듀서부와 동일한 양의 전극지를 가지도록 분할되는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들은, 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서가 각각 2∼4개의 서브-인터디지털 트랜스듀서부를 가지도록 분할되는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서는, 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들 내에서 각각 전기적으로 직렬로 접속되는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들 중 적어도 하나는, 상기 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서에 전기적으로 직렬로 접속되는 공통 버스바를 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서는, 상기 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서 사이에 위치하는 공통 버스바를 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  10. 제 1 항에 있어서, 복수의 단으로 구성된 필터를 더 포함하고 있으며, 상기 필터의 적어도 한 단이 제 1 및 제 2 공진자를 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서는, 상기 압전 기판상에서, 표면 탄성파의 전파 방향에 실질적으로 수직인 방향으로 배열되는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서는, 상기 압전 기판상에서, 표면 탄성파의 전파 방향에 실질적으로 평행한 방향으로 배열되는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 압전 기판은 대향하는 제 1 및 제 2 단면을 가지며, 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서의 전극지는 상기 제 1 및 제 2 단면에 실질적으로 평행인 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  14. 듀플렉서를 포함하는 통신 장치로서,
    상기 듀플렉서는,
    압전 기판; 및
    상기 압전 기판상에 형성되고, 각각 전극지들을 가지는 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들을 포함하는 제 1 및 제 2 공진자들; 을 포함하며,
    상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들은 음향결합하여 필터를 형성하고, 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들은 각각 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서부로 분할되고, 그리고 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들이 상기 압전 기판 위에 형성되어 상기 압전 기판의 양단에서 반사되는 SH타입의 표면 탄성파를 생성하는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서는 종결합 및 횡결합 중의 적어도 하나로 결합되는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들은, 상기 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서부가 각각 2∼4개의 서브-인터디지털 트랜스듀서부를 가지도록 분할되는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서는, 제 1 및 제 2 인터디지털 트랜스듀서들 내에서 각각 전기적으로 직렬로 접속되는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
  18. 제 14 항에 있어서, 복수의 단으로 구성되는 필터를 더 포함하고 있으며, 상기 필터의 적어도 한 단이 제 1 및 제 2 공진자를 포함하는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
  19. 압전 기판; 및
    상기 압전 기판상에 형성되고, 전극지들을 가지는 복수의 인터디지털 트랜스듀서를 포함하는 공진자; 를 포함하는 SAW 공진자 필터로서,
    상기 인터디지털 트랜스듀서들은 음향결합되어 필터를 형성하도록 배열되고,
    상기 인터디지털 트랜스듀서들은 복수의 서브-인터디지털 트랜스듀서부로 분할되고,
    상기 서브-인터디지털 트랜스듀서부들은 직렬로 접속되며,
    상기 공진자들이 상기 압전 기판 위에 형성되어 상기 압전 기판의 양단에서 반사되는 SH타입의 표면 탄성파를 생성하는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
  20. 제 19 항에 있어서, 다른 서브-인터디지털 트랜스듀서부와 직렬로 접속되는 상기 서브-인터디지털 트랜스듀서부는, 상기 다른 서브-인터디지털 트랜스듀서부의 전극지와 다른 양을 가지는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자 필터.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6801100B2 (en) * 1996-05-23 2004-10-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Inter-digital transducer, surface acoustic wave filter and communication apparatus using the same
JP3402311B2 (ja) * 2000-05-19 2003-05-06 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3412621B2 (ja) * 2001-03-02 2003-06-03 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
US6873226B2 (en) * 2001-03-19 2005-03-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Edge-reflection surface acoustic wave filter
JP3724403B2 (ja) * 2001-10-02 2005-12-07 株式会社村田製作所 振動子およびそれを用いた振動ジャイロおよびそれを用いた電子装置
EP1365509B1 (en) * 2002-05-16 2007-05-16 TDK Corporation Antenna duplexer
KR100858324B1 (ko) * 2004-04-01 2008-09-17 엡슨 토요콤 가부시키가이샤 탄성 표면파 디바이스
US20080009260A1 (en) * 2006-07-10 2008-01-10 Mediatek Inc. Mixer with dynamic intermediate frequency for radio-frequency front-end and method using the same
KR101918282B1 (ko) 2012-03-23 2018-11-13 삼성전자주식회사 체적 음향 공진기를 이용한 ｒｆ 필터 및 ｒｆ 트랜시버
JP6504551B2 (ja) * 2013-06-10 2019-04-24 太陽誘電株式会社 共振器、フィルタおよび分波器
US10389391B2 (en) * 2016-01-29 2019-08-20 Kyocera Corporation Acoustic wave resonator, acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus
TWI625060B (zh) * 2016-03-15 2018-05-21 絡達科技股份有限公司 具主動校準機制之聲波裝置
CN210201798U (zh) * 2017-02-06 2020-03-27 株式会社村田制作所 弹性波装置、双工器以及滤波器装置
US11258184B2 (en) 2019-08-21 2022-02-22 Ticona Llc Antenna system including a polymer composition having a low dissipation factor
US11637365B2 (en) 2019-08-21 2023-04-25 Ticona Llc Polymer composition for use in an antenna system
US11912817B2 (en) 2019-09-10 2024-02-27 Ticona Llc Polymer composition for laser direct structuring
US11555113B2 (en) 2019-09-10 2023-01-17 Ticona Llc Liquid crystalline polymer composition
US11917753B2 (en) 2019-09-23 2024-02-27 Ticona Llc Circuit board for use at 5G frequencies
US11646760B2 (en) * 2019-09-23 2023-05-09 Ticona Llc RF filter for use at 5G frequencies
US11721888B2 (en) 2019-11-11 2023-08-08 Ticona Llc Antenna cover including a polymer composition having a low dielectric constant and dissipation factor
KR20220145385A (ko) 2020-02-26 2022-10-28 티코나 엘엘씨 회로 구조체
US11728559B2 (en) 2021-02-18 2023-08-15 Ticona Llc Polymer composition for use in an antenna system

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1362238A (en) * 1971-07-21 1974-07-30 Mullard Ltd Acoustic surface wave devices
US4223284A (en) * 1977-11-07 1980-09-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic surface wave device
JPS57119509A (en) * 1981-01-19 1982-07-26 Toshiba Corp Surface acoustic wave resonator
JP3096815B2 (ja) * 1987-11-02 2000-10-10 東洋通信機株式会社 ラブ波型表面波共振子
JP3250252B2 (ja) 1992-04-09 2002-01-28 株式会社村田製作所 表面波装置
US5363073A (en) * 1992-10-19 1994-11-08 Motorola, Inc. Saw resonator filter with a multistrip coupler disposed in the resonator gaps
US5363074A (en) * 1992-10-19 1994-11-08 Motorola, Inc. Saw structure having serially coupled transducers with overlapping fingers
US5585770A (en) * 1993-06-30 1996-12-17 Motorola, Inc. Three terminal surface acoustic wave (SAW) device
JPH0969751A (ja) 1995-08-30 1997-03-11 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
GB2306821B (en) * 1995-11-03 2000-05-31 Advanced Saw Prod Sa Electro-acoustic device
EP0921636B1 (en) * 1996-05-23 2007-04-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave filter and multistage surface acoustic wave filter
JPH09331232A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Toyo Commun Equip Co Ltd 平衡終端型弾性表面波フィルタ
US5793266A (en) * 1996-08-12 1998-08-11 Motorola Inc. Differential input and/or differential output, transversely-coupled surface acoustic wave filter
JP3233087B2 (ja) 1997-01-20 2001-11-26 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
US5986523A (en) * 1997-08-29 1999-11-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Edge reflection type longitudinally coupled surface acoustic wave filter
JP3206548B2 (ja) * 1998-05-14 2001-09-10 株式会社村田製作所 表面波フィルタ、共用器、通信機装置

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Publication number Publication date
SG107551A1 (en) 2004-12-29
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KR20000062574A (ko) 2000-10-25

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