JPWO2015182522A1 - 弾性波装置 - Google Patents

弾性波装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2015182522A1
JPWO2015182522A1 JP2015537473A JP2015537473A JPWO2015182522A1 JP WO2015182522 A1 JPWO2015182522 A1 JP WO2015182522A1 JP 2015537473 A JP2015537473 A JP 2015537473A JP 2015537473 A JP2015537473 A JP 2015537473A JP WO2015182522 A1 JPWO2015182522 A1 JP WO2015182522A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
elastic wave
width
electrode finger
edge region
wave device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015537473A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5861809B1 (ja
Inventor
正人 荒木
正人 荒木
克也 大門
克也 大門
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2015537473A priority Critical patent/JP5861809B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5861809B1 publication Critical patent/JP5861809B1/ja
Publication of JPWO2015182522A1 publication Critical patent/JPWO2015182522A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14517Means for weighting
    • H03H9/14529Distributed tap
    • H03H9/14532Series weighting; Transverse weighting
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538Formation
    • H03H9/14541Multilayer finger or busbar electrode
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544Transducers of particular shape or position
    • H03H9/1457Transducers having different finger widths
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

ピストンモードを利用しており、高次横モードを効果的に抑圧し得る弾性波装置を提供する。圧電基板2上に、少なくとも1つのIDT3〜5が設けられている。IDT3〜5において、電極指交差領域の電極指の延びる方向における中央領域での弾性波の伝搬速度に比べ、伝搬速度が遅いエッジ領域が交差幅方向において中央領域の両側に設けられており、弾性波伝搬方向において中央領域の伝搬速度が相対的に速い第1の部分と、中央領域の伝搬速度が相対的に遅い第2の部分とが存在し、第1の部分の中央領域における伝搬速度、第2の部分における中央領域の伝搬速度に応じて、第1の部分のエッジ領域の幅及び伝搬速度と、第2の部分のエッジ領域の幅及び伝搬速度を、ピストンモードを励振させるように選択されている、弾性波装置1。

Description

本発明は、弾性表面波や弾性境界波を利用した弾性波装置に関し、特に、ピストンモードを利用した弾性波装置に関する。
従来ピストンモードを励振させることにより、高次横モードを抑圧し得る弾性表面波装置が知られている。例えば、下記の特許文献1には、IDT電極の電極指の先端部分に誘電体膜が積層されている。この誘電体膜が積層されている部分はエッジ領域と称されており、電極指同士が交差している部分の中央領域に比べて音速が遅くされている。
また、下記の特許文献2にも、ピストンモードを実現するための、中央領域及びエッジ領域の音速関係が示されている。
特表2013−544041号公報 特開2011−101350号公報
特許文献1や特許文献2では、エッジ領域の弾性波伝搬方向に沿う寸法である長さ及びエッジ領域における音速を調整することにより、ピストンモードが励振されている。従って、1つの弾性波伝搬速度に対し、ピストンモードを励振させるためのエッジ領域の長さや幅が定まることとなる。
他方、複数のIDTを有する縦結合共振子型弾性波フィルタや、狭ピッチ電極指部を有するIDTが備えられた弾性波装置では、弾性波伝搬方向において、電極指ピッチやメタライゼーション比が変化している。従って、特許文献1や特許文献2のように、エッジ領域の長さや幅を一定とした方法では、1つの弾性波伝搬音速に対して有効であるが、弾性波の伝搬速度が異なる他の部分においては有効ではない。従って、高次横モードを充分に抑圧することができなかった。
本発明の目的は、高次横モードを効果的に抑圧し得る、ピストンモードを利用した弾性波装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された少なくとも1つのIDTとを備え、前記IDTが、複数本の第1の電極指と、該複数本の第1の電極指と間挿し合っている複数本の第2の電極指とを有し、前記複数本の第1の電極指と前記複数本の第2の電極指とが弾性波伝搬方向において交差している部分において、中央領域における弾性波の伝搬速度に比べて、伝搬速度が遅いエッジ領域が前記第1,第2の電極指の延びる交差幅方向において該中央領域の両側に設けられており、前記弾性波伝搬方向において、前記中央領域の伝搬速度が相対的に速い第1の部分と、前記中央領域の伝搬速度が相対的に遅い第2の部分とを有し、前記第1の部分の中央領域における弾性波の伝搬速度、及び該第2の部分における中央領域の弾性波の伝搬速度に応じて、前記第1の部分のエッジ領域における弾性波の伝搬速度及び前記交差幅方向に沿う寸法である幅と、前記第2の部分のエッジ領域における弾性波の伝搬速度及び前記交差幅方向に沿う寸法である幅とが、前記第1の部分及び前記第2の部分においてそれぞれピストンモードを励振させるように選択されている。
本発明に係るある特定の局面では、前記第1の部分及び前記第2の部分においてそれぞれ、基本横モードの位相回転量の最小部分が前記交差幅方向の中央に存在するように、前記ピストンモードが励振される。
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記基本横モードの位相回転量が、0である部分が前記交差幅方向の中央に存在する。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第1の部分の前記エッジ領域における弾性波の伝搬速度及び前記交差幅方向に沿う寸法である幅と、前記第2の部分の前記エッジ領域における弾性波の伝搬速度及び前記交差幅方向に沿う寸法である幅とが、前記第1の部分の前記エッジ領域の前記交差幅方向に沿う寸法である幅と、前記第2の部分の前記エッジ領域の交差幅方向に沿う寸法である幅である。
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第1の部分の前記エッジ領域の交差幅方向の寸法である幅が、前記第2の部分の前記エッジ領域の交差幅方向の寸法である幅よりも大きい。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第1の部分における前記中央領域の前記交差幅方向の寸法と、前記第2の部分における前記中央領域の前記交差幅方向の寸法とが異なっている。
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第1の部分の電極指ピッチが、前記第2の部分の電極指ピッチよりも大きい。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第1の部分のメタライゼーション比が、前記第2の部分におけるメタライゼーション比よりも大きい。
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記エッジ領域において、前記第1,第2の電極指上に質量付加膜が設けられており、前記第1の部分における質量付加膜の厚みが、前記第2の部分における質量付加膜の厚みよりも薄い。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、エッジ領域において、前記第1の部分の伝搬速度をV’a、前記第2の部分の伝搬速度をV’bとし、前記第1の部分における1つのエッジ領域の前記電極指の延びる方向の長さである幅をEa、前記第2の部分におけるエッジ領域の幅をEbとしたとき、Ea/V’a=Eb/V’bとされている。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記Ea/V’a=Eb/V’bとなるように、前記第1の部分及び前記第2の部分のエッジ領域の前記幅が選択されている。
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記Ea/V’a=Eb/V’bとなるように、前記第1の部分及び前記第2の部分における前記エッジ領域のメタライゼーション比が選択されている。
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第1の部分及び第2の部分において、前記エッジ領域を覆うように質量付加膜が積層されており、前記Ea/V’a=Eb/V’bとなるように、前記第1の部分及び前記第2の部分に位置する前記質量付加膜の膜厚が選択されている。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第1の部分及び前記第2の部分において、前記エッジ領域を覆うように質量付加膜が積層されており、前記Ea/V’a=Eb/V’bとなるように、前記第1の部分及び前記第2の部分に位置するエッジ幅、エッジ領域のメタライゼーション比及びエッジ領域に積層されている前記質量付加膜の膜厚の少なくとも1種が選択されている。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第1の電極指及び前記第2の電極指の先端側に、弾性波伝搬方向に沿う寸法である幅が前記中央領域における幅に比べて広い、太幅部が設けられており、該太幅部により前記エッジ領域が構成されている。
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第2の電極指に設けられている前記太幅部と弾性波伝搬方向において重なる位置において、前記第1の電極指に第2の太幅部が設けられており、前記第1の電極指に設けられている前記太幅部と弾性波伝搬方向において重なる位置において、前記第2の電極指に第2の太幅部が設けられている。
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記IDTが弾性波伝搬方向に沿って複数配置されており、複数の前記IDTのうち少なくとも1つの前記IDTが前記第1の部分であり、残りの前記IDTのうち少なくとも1つの前記IDTが前記第2の部分である。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、縦結合共振子型弾性波フィルタである。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記IDTが、電極指本体部と、前記電極指本体部よりも電極指ピッチが狭く、弾性波伝搬方向端部に設けられている狭ピッチ電極指部とを有し、前記電極指本体部が前記第1の部分であり、前記狭ピッチ電極指部が前記第2の部分である。
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、少なくとも1つの前記IDTとして、1つのIDTを有し、該IDTの弾性波伝搬方向両側に配置された反射器をさらに備え、1ポート型弾性波共振子が構成されている。
本発明に係る弾性波装置によれば、ピストンモードを利用しており、高次横モードを効果的に抑圧することが可能となる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図2は、本発明の第2の実施形態の弾性波装置を説明するための模式的平面図である。 図3は、比較例の弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図4は、図3に示した比較例の弾性波装置の減衰量周波数特性を示す図である。 図5は、比較例及び実施例の弾性波装置における、エッジ領域の幅と、横モード強度との関係を示す図である。 図6は、本発明の変形例に係る弾性波装置を説明するための模式的平面図である。 図7は、本発明の図1に示した第1の実施形態の変形例に係る弾性波装置を説明するための模式的平面図である。 図8は、本発明の第1の実施形態の他の変形例に係る弾性波装置を説明するための模式的平面図である。 図9は、本発明の第3の実施形態としての1ポート型弾性波共振子を示す模式的平面図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
弾性波装置1は、圧電基板2を有する。圧電基板2は、LiTaOやLiNbOなどの圧電単結晶からなる。もっとも、圧電基板2は、圧電セラミックスからなるものであってもよい。また、圧電基板2は、絶縁性基板上に圧電膜を積層したものであってもよい。
圧電基板2の主面上に、弾性波伝搬方向に沿って第1〜第3のIDT3〜5が順に設けられている。第1〜第3のIDT3〜5が設けられている領域の縦モードである弾性波伝搬方向両側には、反射器6,7が設けられている。弾性波装置1は、第1〜第3のIDT3〜5を有する縦結合共振子型弾性波フィルタである。
弾性波装置1では、第1,第3のIDT3,5が本発明における第1の部分であり、第2のIDT4が本発明における第2の部分に相当する。すなわち、第1,第3のIDT3,5の電極指ピッチが、第2のIDT4の電極指ピッチよりも大きくされている。従って、第1,第3のIDT3,5における電極指ピッチにより定まる波長は、第2のIDT4の電極指ピッチで定まる波長よりも大きい。従って、第1,第3のIDT3,5における後述の中央領域における弾性波伝搬速度が相対的に高く、第2の部分である第2のIDT4の中央領域における弾性波伝搬速度が相対的に遅くなっている。
なお、第1のIDT3及び第3のIDT5の電極指ピッチと、第2のIDT4の電極指ピッチが異なっているのは、必要とする減衰量周波数特性に応じて調整されているためである。一般に、縦結合共振子型弾性波フィルタでは、複数のIDTにおける電極指ピッチは同一ではなく、目的とする周波数特性に応じて異ならされている構成が広く用いられている。
第1のIDT3は、一端がバスバーに接合された複数本の第1の電極指3aと、第1の電極指3aと間挿し合っている一端がバスバーに接合された複数本の第2の電極指3bとを有する。第2,第3のIDT4,5も同様に、複数本の第1の電極指4a,5aと、複数本の第1の電極指4a,5aと間挿し合っている複数本の第2の電極指4b,5bとを有する。ここで、一端がバスバーに接続された複数本の電極指をくし歯電極とする。
反射器6,7は、弾性波伝搬方向に並んだ複数本の電極指を有する。実施例では、複数本の電極指の両端を短絡した構造を有する。
弾性波装置1では、高次横モードを抑圧するために、ピストンモードが励振されるように構成されている。より具体的には、第1の電極指3aを例に取ると、バスバーに接合される一端側と反対の他端側に位置する第1の電極指3aの先端に、残りの部分3a2よりも幅が広い太幅部3a1が設けられている。同様に、第2の電極指3bの先端においても、太幅部3b1が設けられている。
第2のIDT4においても、第1の電極指4aの先端に太幅部4a1が設けられており、第2の電極指4bの先端に太幅部4b1が設けられている。第1,第2の電極指5a,5bにおいても、先端に太幅部5a1,5b1が設けられている。
上記太幅部3a1,3b1は、第1の電極指3aと第2の電極指3bとが弾性波伝搬方向において重なり合っている領域、すなわち交差領域に設けられていることになる。弾性波装置1において、第1,第2の電極指3a,3bが延びる方向を交差幅方向とする。また、圧電基板2の主面に沿って弾性表面波の伝搬する方向を弾性波伝搬方向とする。本実施例では、弾性波伝搬方向と、交差幅方向に直交する方向とは同じである。
第1のIDT3を例にとると、第1の電極指3aと第2の電極指3bとは、弾性波伝搬方向において重なっている。この弾性波伝搬方向において、第1の電極指3aと第2の電極指3bとが重なり合う領域を交差領域とする。交差領域は、交差幅方向において中央に位置する中央領域と、中央領域の交差幅方向両側に設けられたエッジ領域とを含む。エッジ領域とは、弾性表面波の伝搬速度が、中央領域よりも相対的に遅い領域である。第1の電極指3aが設けられている領域を例にとると、上記太幅部3a1,3b1が設けられている領域がエッジ領域を構成している。交差領域において、太幅部3a1または3b1が設けられている領域と、中央領域とでは、圧電基板上で金属の占める割合が異なる。すなわち、図1の一点鎖線C1と一点鎖線C2とで挟まれた中央領域に比べ、一点鎖線C1と一点鎖線C5とで囲まれた領域及び一点鎖線C2と一点鎖線C6とで囲まれた領域とでは、圧電基板上で金属の占める割合が異なる。なお、圧電基板上で電極指が占める割合として、メタライゼーション比がある。メタライゼーション比は、電極指が延びる方向と直交する方向において、電極指の幅を電極指の幅と隣り合う電極指の隙間との和で除した値を示す。
一点鎖線C1と一点鎖線C2とで囲まれた領域は、第1のIDT3において、上記太幅部3a1,3b1が設けられている部分の内側の領域であり、これを中央領域とする。一点鎖線C1と一点鎖線C5とで挟まれた領域は、第1のIDT3において、太幅部3b1が存在する領域である。また、一点鎖線C2と一点鎖線C6とで囲まれた領域は、第1のIDT3において、太幅部3a1が存在する領域である。この一点鎖線C1と一点鎖線C5とで囲まれた領域及び一点鎖線C2と一点鎖線C6とで囲まれた領域を、それぞれ、エッジ領域とする。従って、中央領域の交差幅方向において両側にエッジ領域が位置している。
中央領域に比べて、エッジ領域では、圧電基板上における金属の占める割合が大きく、メタライゼーション比が高くなる。そのため、圧電基板を媒質として伝搬する弾性波の伝搬速度である音速は、中央領域に比べてエッジ領域において低くなる。
第3のIDT5においても第1のIDT3と同様に、中央領域の交差幅方向の両側に、エッジ領域が形成されている。
他方、第2のIDT4では、太幅部4a1,4b1が設けられているものの、太幅部4a1,4b1の交差幅方向の寸法が太幅部3a1,3b1よりも短くされている。従って、第2のIDT4では、中央領域は、一点鎖線C3と一点鎖線C4との間の領域である。エッジ領域は、一点鎖線C3と一点鎖線C5との間の領域、及び一点鎖線C4と一点鎖線C6との間の領域となる。
第2のIDT4において、中央領域の交差幅方向の寸法及びエッジ領域の交差幅方向の寸法を、第1,第3のIDT3,5の場合の中央領域の交差幅方向の寸法及びエッジ領域の交差幅方向の寸法と異ならせることにより、本実施形態によれば、横モードによるリップルを効果的に抑圧することができる。これを以下においてより具体的に説明する。
前述したように、縦結合共振子型弾性波フィルタでは、複数のIDTにおける電極指ピッチは同一ではなく、目的とする周波数特性に応じて異ならされている構成が広く用いられている。
本願発明者らは、ピストンモードの励振による高次横モードの抑圧について検討した結果、エッジ領域の交差幅方向の寸法やエッジ領域における音速を、複数のIDTにおいて同一とする構成が、縦結合共振子型弾性波フィルタにおいては適切ではないことを見出した。
弾性波装置1では、第1,第3のIDT3,5の中央領域における弾性波伝搬速度が、第2のIDT4における中央領域における弾性波伝搬速度よりも高い。弾性波装置1では、第1,第3のIDT3,5のエッジ領域の交差幅方向寸法である幅が、第2のIDT4のエッジ領域の交差幅方向の寸法の幅よりも大きくされている。すなわち、第1の部分におけるエッジ領域の幅と、第2のIDT4におけるエッジ領域の幅が異ならされているため、高次横モードを抑圧して、ピストンモードを励振させることができる。この点については後程、実験例に基づき後述する。
特に、弾性波装置1では、第1,第3のIDT3,5の中央領域における音速Va、エッジ領域における音速V’aとする。また、第2のIDT4の中央領域における音速Vb、エッジ領域における音速V’bとする。前述した通り、第2のIDT4の電極指ピッチが相対的に小さいため、Va>VbかつV’a>V’bとなる。
他方、第1のIDT3のエッジ領域の幅をEa、第2のIDT4のエッジ領域の幅をEbとする。弾性波装置1では、Ea/V’a=Eb/V’bとなるようにエッジ領域の幅Eaとエッジ領域の幅Ebとが、音速V’a及びV’bに応じて異ならされている。これによって、高次横モードをより一層効果的に抑圧することが可能とされている。これは、V’a>V’bであり、かつエッジ領域における音速とエッジ領域の幅との間には、Ea/V’a=Eb/V’bの関係があるため、上記式を満たすことにより、基本横モードの位相回転量が第1,第2,第3のIDT3,4,5の中央領域において、変化せずに存在することによる。より好ましくは、基本横モードの位相回転量が0の部分が中央領域に存在することが望ましい。このとき、交差幅方向において、位相回転量が中央領域で0に設定されており、エッジ領域の位相回転量が略π/2であることが望ましい。より具体的には、第1のIDT3と第2のIDT4との交差幅方向における位相回転量が共に略π/2であることが望ましい。Ea/V’a=Eb/V’bとなる関係式を満足する場合、第1のIDT3と第2のIDT4との位相回転量は、それぞれ、2π×(f/V’a)×Eaと2π×(f/V’b)×Ebとなり等しくなる。Ea/V’a=Eb/V’b=1/(4×f)であることが望ましい。上記のように、弾性波伝搬速度が異なる中央領域の両側に配置されたエッジ領域の位相回転量を等しく、基本横モードの位相回転量を中央領域において小さくすることにより、ピストンモードを励振し、高次横モードを効果的に抑圧することができる。なお、位相回転量は、波数と長さとの積の絶対値である。fは、交差幅方向に伝搬する基本横モードの弾性波の周波数である。
上記のように、高次横モードを抑圧して、理想的なピストンモードを励振させるには、第1の部分及び第2の部分を有する構成において、第1の部分及び第2の部分におけるエッジ領域の弾性波伝搬速度に応じて、エッジ領域の幅を異ならせればよい。
なお、弾性波装置1では、エッジ領域が太幅部3a1,3b1などを設けることにより構成されていた。もっとも、後述する第3の実施形態のように、太幅部を設けずに、エッジ領域を構成することもできる。従って、高次横モードを効果的に抑圧するには、第1の部分のエッジ領域における弾性波の伝搬速度と、第2の部分のエッジ領域における弾性波の伝搬速度とを異ならせてもよい。あるいは、第1の部分のエッジ領域における弾性波の伝搬速度及びエッジ領域の幅と、第2の部分のエッジ領域における弾性波の伝搬速度及びエッジ領域の幅とを異ならせてもよい。
なお、第1の部分及び第2の部分において、中央領域の両側にエッジ領域が設けられている。従って、両側のエッジ領域の内の一方のエッジ領域においてのみ、第1の部分と第2の部分とで、弾性波の伝搬速度及びエッジ領域の幅の少なくとも一方を異ならせてもよい。
よって、本発明においては、上記高次横モードを効果的に抑圧してピストンモードを励振させるように、前記第1の部分のエッジ領域における弾性波の伝搬速度及び交差幅方向に沿う寸法である幅と、前記第2の部分のエッジ領域における弾性波の伝搬速度及び交差幅方向に沿う寸法である幅とが選択されていればよい。この場合の交差幅方向に沿う寸法である幅は、一方側のエッジ領域の幅が選択される、または双方のエッジ領域の幅が選択される。
本実施形態では、第1,第3のIDT3,5の電極指ピッチが第2のIDT4の電極指ピッチよりも大きいため、第1,第3のIDT3,5のエッジ領域の交差幅方向の寸法を、第2のIDT4のエッジ領域の交差幅方向の寸法よりも大きくし、下記の式Ea/V’a=Eb/V’bとなるように構成されている。それによって、高次横モードを効果的に抑圧することが可能とされている。
図2は、本発明の第2の実施形態に係る弾性波装置を説明するための模式的平面図である。図2に示す弾性波装置11は、弾性波装置1と同様に、3IDT型の縦結合振子型弾性波フィルタである。第1のIDT13、第2のIDT14及び第3のIDT15が、弾性波伝搬方向に沿って設けられている。第1のIDT13と第2のIDT14とが隣り合う部分において、第1及び第2のIDT13,14に、狭ピッチ電極指部13a,14aが設けられている。同様に、第2のIDT14と、第3のIDT15とが隣り合っている部分においては、第2のIDT14が狭ピッチ電極指部14bを有し、第3のIDT15が狭ピッチ電極指部15aを有する。第1のIDT13を例にとると、第1のIDT13は、電極指本体部13Aと、狭ピッチ電極指部13aとを有する。狭ピッチ電極指部13aでは、電極指ピッチが相対的に狭くされている。第2のIDT14及び第3のIDT15も、同様に、電極指本体部14A,15Aと、狭ピッチ電極指部14a,14b,15aとを有している。
なお、電極指ピッチが相対的に狭い狭ピッチ電極指部の音速は相対的に狭くなる。従って、電極指本体部13A,14A,15Aが本発明の第1の部分に相当し、狭ピッチ電極指部13a,14a,14b,15aが第2の部分に相当する。すなわち、本発明における第1の部分及び第2の部分は、一つのIDT内において存在していてもよい。
弾性波装置11の第1〜第3のIDT13〜15における電極指の詳細は省略し、図2では、上記狭ピッチ電極指部13a,14a,14b,15a及び電極指本体部13A,14A,15Aの設けられている位置を模式的に示している。また、弾性波装置11においても、第1の実施形態の弾性波装置1と同様に、ピストンモードを励振させるために、中央領域の両側にエッジ領域が設けられている。これを、より具体的に説明する。
いま、電極指本体部13A、電極指本体部14A及び電極指本体部15Aの電極指ピッチをピッチAとする。他方、狭ピッチ電極指部13a,14a,14b,15aの電極指ピッチをピッチBとする。
従って、この第1〜第3のIDT13〜15が設けられている部分においては、電極指ピッチが異なる部分が、同一の弾性波伝搬路上に存在することとなる。
中央領域13A1は、破線d1よりも下方部分に位置する。すなわち、交差幅方向の中央側の領域となる。この破線d1と破線d3との間の領域が電極指本体部13Aのエッジ領域となる。破線d3の外側領域は高音速領域である。他方、狭ピッチ電極指部13aにおいては、破線d2よりも交差幅方向の中央側が中央領域となり、エッジ領域は破線d2と破線d3との間である。
電極指本体部13Aの中央領域における音速をVa、電極指本体部13Aにおけるエッジ領域の音速をV’aとする。また、狭ピッチ電極指部13aの中央領域における音速をVb、エッジ領域における音速をV’bとする。ピッチAがピッチBよりも大きいため、Va>VbかつV’a>V’bとなる。
他方、電極指本体部13Aのエッジ領域の交差幅方向寸法をエッジ領域の幅Eaとする。狭ピッチ電極指部におけるエッジ領域の交差幅方向寸法、すなわちエッジ領域の幅をEbとする。Ea>Ebとなる。この場合、式Ea/V’a=Eb/V’bを満たせば、高次横モードを効果的に抑圧することができる。
V’a>V’bであるので、エッジ領域の幅Ea及びEbの大きさを、上記式を満たすよう調整することにより、基本横モードの位相回転量の最小部分を中央領域に存在させることができる。さらに、好ましくは、基本横モードの位相回転量が0あるいはほぼ0である部分を中央領域に存在させることが望ましい。従って、高次横モードを効果的に抑圧することができ、第1,第2の部分において、ピストンモードを限定に励振させ得る。
なお、図2は、狭ピッチ電極指部13a,14a,14b,15aを有する第1〜第3のIDT13〜15を例にとり説明した。ここでは、電極指本体部13A,14A,15Aの電極指ピッチは一定としたが、実際には、縦結合共振子型弾性波フィルタでは、第1の実施形態のように、中央の第2のIDT4の電極指ピッチと、両側の第1,第3のIDT3,5の電極指ピッチは異なっているのが普通である。従って、狭ピッチ電極指部を有しない縦結合共振子型弾性波フィルタにおいても弾性波伝搬路上において電極指ピッチが異なる部分が存在するため、上記式を満たすようにエッジ領域の幅を調整すればよい。
さらに、第1の実施形態の第1〜第3のIDT3〜5において、さらに、図2に示したように狭ピッチ電極指部が設けられている構成においては、狭ピッチ電極指部が設けられている部分をも考慮して、各エッジ領域の幅を調整すればよい。すなわち、3以上の電極指ピッチと重なる部分が存在する場合にも、本発明を適用することができる。
例えば、弾性波伝搬方向において、電極指ピッチが異なる第1、第2及び第3の部分が存在する場合を例にとると、第1〜第3の部分の音速V1〜V3が、V1>V2>V3とする。この場合、第1〜第3の部分のエッジ領域の音速も、V’1>V’2>V’3となる。第1〜第3の部分におけるエッジ領域の幅をE1、E2及びE3とする。そうすると、E1/V’1=E2/V’2=E3/V’3となるようにエッジ領域の幅E1〜E3を調整すればよい。
次に、具体的な実験例につき説明する。
図3に示す比較例の弾性波装置101を用意した。弾性波装置101では、第1〜第3のIDT103〜105が弾性波伝搬方向に配置されている。第1〜第3のIDT103〜105の両側に反射器106,107が設けられている。第1〜第3のIDT103〜105の全ての太幅部の交差幅方向寸法が等しくされている。例えば、電極指103aの太幅部103a1と、電極指104aの太幅部104a1の交差幅方向寸法が等しくされている。従って、エッジ領域の幅が、弾性波伝搬方向において一定とされている。また、第1〜第3のIDT103〜105は、狭ピッチ電極指部を有しない。従って、比較例の弾性波装置101では、すべてのエッジ領域における弾性波の伝搬速度は等しくされている。その他の点については、弾性波装置101は弾性波装置1と同様に構成されている。
圧電基板として、LiNbOを用い、第1〜第3のIDT103〜105の電極指ピッチの交差領域の交差幅方向寸法及びエッジ領域の幅を以下のとおりとした。
第1,第3のIDT103,105:電極指の対数=7.5対。電極指ピッチ=3.81μm。中央領域の交差幅方向寸法=74.78μm。エッジ領域の幅=1.25μm。ここで、1対の電極指は互いに極性が異なりかつ間挿し合っている2本の電極指を有する。また1.5対の電極指は、一方の極性を有する2本の電極指と、一方の極性と極性が異なりかつ間挿し合っている1本の電極指とを合わせた3本の電極指を有する。
第2のIDT104:電極指の対数=25対。電極指ピッチ=3.84μm。中央領域の交差幅方向寸法=74.78μm。エッジ領域の幅=1.27μm。
反射器106,107の電極指の本数=40本。電極指ピッチ=3.88μm。
上記のようにして用意した比較例の弾性波装置101の減衰量周波数特性を図4に示す。図4から明らかなように矢印F1,F2で示す部分、すなわち931.24MHz及び948.09MHzの部分に、横モードによるリップルが表れている。これは、高次横モードによるリップルである。高次横モードリップルがこのように大きいと、通過帯域における挿入損失が悪化する。
本願発明者らは、このような高次横モードリップルを抑圧するべく、中央の第2のIDT4のエッジ領域の幅を0.2λから0.4λの範囲で変化させた。なお、両側の第1,第3のIDT3,5におけるエッジ領域の幅については18.23μmのままとした。上記931.24MHzにおける横モードリップルと、948.09MHzにおける横モードリップルとの合計を横モード強度(dB)とした。図5に、上記エッジ領域の幅と横モード強度との関係を示す。
比較のために、上記比較例においても、エッジ領域の幅を0.2λから0.4λまで変化させた。なお、比較例においては、第1〜第3のIDT103〜105のエッジ領域の幅は全て等しくするため、第1及び第3のIDT103,105のエッジ領域の幅も第2のIDT104のエッジ領域の幅と同様に変化させた。
図5の実線が上記実施形態の結果を示し、破線が比較例の結果を示す。
図5から明らかなように、エッジ領域の幅を調整することにより、本実施形態によれば、比較例に比べ、高次横モード強度を充分に小さくし得ることがわかる。すなわち、中央の第2のIDT4のエッジ領域の幅Ebを0.29λ以上とすれば、比較例に比べて、高次横モード強度を充分に抑圧し得ることがわかる。比較例では、横モードの強度が大きく、ピストンモードを励振し得ないのに対し、上記実施形態によれば、高次横モードを十分に抑圧し、ピストンモードを確実に励振させ得ることがわかる。
なお、上記実施形態では、Ea/V’a=Eb/V’bの関係に基づき、第2のIDT4のエッジ領域の幅Ebと、第1,第3のIDT3,5のエッジ領域の幅Eaとを調整した。本発明では、弾性波伝搬路上において電極指ピッチが異なる部分が存在する場合、その電極指ピッチの異なり方に応じて、すなわち音速の異なり方に応じて、エッジ領域の幅及び/またはエッジ領域の音速を調整すれば、上記実施形態と同様に、高次横モードを効果的に抑圧することができる。よって、理想的なピストンモードを励振させることができる。従って、エッジ領域の幅だけでなく、エッジ領域におけるメタライゼーション比を電極指ピッチの変化に応じて調整してもよい。
さらに、図6に模式的平面図で示すように、太幅部ではなく、誘電体膜などの質量付加膜22を第1,第2の電極指3a,3b,4a,4b,5a,5bの先端部分に付与することにより、ピストンモードを励振する構造が知られている。この変形例の弾性波装置20においては、上記質量付加膜22の膜厚や材質を異ならせてもよい。すなわち、電極指ピッチが小さい第2のIDT4における質量付加膜22の膜厚や材質と、電極指ピッチが大きい第1,第3のIDT3,5における質量付加膜22の膜厚や材質を異ならせてもよい。
すなわち、ピストンモードを励振させるための条件である、上述したエッジ領域の幅だけでなく、エッジ領域における質量付加膜の厚み、材質、エッジ領域におけるメタライゼーション比などの様々な要素を電極指ピッチの差に応じて調整すればよい。
図7は、第1の実施形態の変形例に係る弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。この変形例の弾性波装置41では、第1〜第3のIDT3〜5のバスバー3c,3d,4c,4d,5c,5dが、第1の実施形態の同等のバスバーに比べて幅が狭くされていることにある。また、この変形例では、第1〜第3のIDT3〜5において、電極指に設けられている太幅部が、先端側だけでなく、電極指基端側にも設けられている。
第1のIDT3を例にとると、第1の電極指3a及び第2の電極指3bの先端に設けられた太幅部3a1,3b1に加えて、基端側に、第2の太幅部3a3,3b3が設けられている。第2の太幅部3a3は、弾性波伝搬方向において、第2の電極指3bに設けられた太幅部3b1と重なる位置に設けられている。他方、第2の太幅部3b3も、弾性波伝搬方向において、太幅部3a1と重なる位置に設けられている。第2,第3のIDT4,5においても、同様に電極指の基端側に第2の太幅部がさらに設けられている。また、基端側に設けられた第2の太幅部3a3,3b3の弾性波伝搬方向に沿う寸法である幅及び電極指方向寸法である長さは、先端側の太幅部3a1,3b1の幅及び長さと等しくされている。
第1のIDT3を例にとると、上記細いバスバー3c,3dの幅、すなわち弾性波伝搬方向と直交する方向の寸法は、0.75μmとされている。外側に位置するバスバー3z1,3z2の幅は10.00μmである。上記バスバー3c,3dと、バスバー3z1,3z2とは、それぞれ、電極指交差幅方向に延びるバスバー接続部3yにより接続されている。このバスバー接続部3yの長さ、すなわち電極指交差幅方向の寸法は7.48μmとされている。
本変形例では、第1,第2の電極指の基端側に第2の太幅部が設けられているため、各第1,第2の電極指が位置している部分において、中央領域の両側に太幅部によるエッジ領域が構成されることになる。従って、ピストンモードをより確実に励振させることができる。
なお、上記幅の細いバスバー3c,3d,4c,4d,5c,5dを用いた構成は、第1の実施形態にも適用することができる。
図8は、本発明の第1の実施形態の弾性波装置のさらに他の変形例を示す模式的平面図である。図8に示す弾性波装置51は、第1の実施形態の他の変形例に相当する。本変形例の弾性波装置51においても、図7に示した弾性波装置41と同様に、第1,第2の電極指3a,3b,4a,4b,5a,5bの基端側に第2の太幅部3a3,3b3,4a3,4b3,5a3,5b3が設けられていることにある。その他の構成は図1に示した実施形態と同様である。
また、上記各実施形態では、弾性波伝搬路上に電極指ピッチが変化する部分が存在していた。さらに、弾性波伝搬路上においてメタライゼーション比が異なる部分が存在する場合においても、メタライゼーション比の差に応じて、上記エッジ領域のエッジ幅、エッジ領域における質量付加膜の膜厚や材質、エッジ領域のメタライゼーション比を異ならせてもよい。これらを異ならせることによりエッジ領域の音速が調整できる。
またさらに、上記質量付加膜を設けてピストンモードを励振する構造において、弾性波伝搬路上において質量付加膜の膜厚や材質が異なる部分が存在する場合においても、その差に応じてピストンモードを励振する条件であるエッジ領域の幅、エッジ領域のメタライゼーション比などを変化させてもよい。これによりエッジ領域の音速が調整できる。
また、上記実施形態では、複数のIDTを有する縦結合共振子型弾性波フィルタにつき説明したが、1つのIDTのみを有する弾性波装置であってもよい。例えば、図9に示す第3の実施形態のように、1ポート型弾性波共振子にも本発明を適用することができる。1ポート型弾性波共振子61では、IDT62の両側に、反射器63,64が配置されている。IDT62は、狭ピッチ電極指部62a,62bを有する。この場合、狭ピッチ電極指部62a,62b間に挟まれた電極指本体部62cが第1の部分となり、狭ピッチ電極指部62a,62bが第2の部分となる。
また、本発明は弾性表面波だけでなく、弾性境界波を利用した弾性境界波装置にも適用することができる。
1…弾性波装置
2…圧電基板
3…第1のIDT
3a…第1の電極指
3a1…太幅部
3a2…残りの部分
3a3…太幅部
3b…第2の電極指
3b1…太幅部
3b3…太幅部
3c,3d…バスバー
3x…バスバー
3x1,3x2…バスバー
3z…バスバー
3z1,3z2…バスバー
4…第2のIDT
4a…第1の電極指
4a1…太幅部
4a3…太幅部
4b…第2の電極指
4b1…太幅部
4b3…太幅部
4c,4d…バスバー
5…第3のIDT
5a…第1の電極指
5a1…太幅部
5a3…太幅部
5b…第2の電極指
5b3…太幅部
5c,5d…バスバー
6,7…反射器
13…第1のIDT
13A…電極指本体部
13A1…中央領域
13a…狭ピッチ電極指部
14…第2のIDT
14A…電極指本体部
14a,14b…狭ピッチ電極指部
15…第3のIDT
15A…電極指本体部
15a…狭ピッチ電極指部
20…弾性波装置
22…質量付加膜
41…弾性波装置
51…弾性波装置
61…1ポート型弾性波共振子
62…IDT
62a,62b…狭ピッチ電極指部
63,64…反射器
101…弾性波装置
103〜105…第1〜第3のIDT
103a…電極指
103a1…太幅部
104a…電極指
104a1…太幅部
106,107…反射器

Claims (20)

  1. 圧電基板と、
    前記圧電基板上に形成された少なくとも1つのIDTとを備え、
    前記IDTが、複数本の第1の電極指と、該複数本の第1の電極指と間挿し合っている複数本の第2の電極指とを有し、前記複数本の第1の電極指と前記複数本の第2の電極指とが弾性波伝搬方向において交差している部分において、中央領域における弾性波の伝搬速度に比べて、伝搬速度が遅いエッジ領域が前記第1,第2の電極指の延びる交差幅方向において該中央領域の両側に設けられており、
    前記弾性波伝搬方向において、前記中央領域の伝搬速度が相対的に速い第1の部分と、前記中央領域の伝搬速度が相対的に遅い第2の部分とを有し、
    前記第1の部分の中央領域における弾性波の伝搬速度、及び該第2の部分における中央領域の弾性波の伝搬速度に応じて、前記第1の部分のエッジ領域における弾性波の伝搬速度及び前記交差幅方向に沿う寸法である幅と、前記第2の部分のエッジ領域における弾性波の伝搬速度及び前記交差幅方向に沿う寸法である幅とが、前記第1の部分及び前記第2の部分においてそれぞれピストンモードを励振させるように選択されている、弾性波装置。
  2. 前記第1の部分及び前記第2の部分においてそれぞれ、基本横モードの位相回転量の最小部分が前記交差幅方向の中央に存在するように、前記ピストンモードが励振される、請求項1に記載の弾性波装置。
  3. 前記基本横モードの位相回転量が、0である部分が前記交差幅方向の中央に存在する、請求項2に記載の弾性波装置。
  4. 前記第1の部分の前記エッジ領域における弾性波の伝搬速度及び前記交差幅方向に沿う寸法である幅と、前記第2の部分の前記エッジ領域における弾性波の伝搬速度及び前記交差幅方向に沿う寸法である幅とが、前記第1の部分の前記エッジ領域の前記交差幅方向に沿う寸法である幅と、前記第2の部分の前記エッジ領域の前記交差幅方向に沿う寸法である幅である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  5. 前記第1の部分の前記エッジ領域の交差幅方向の寸法である幅が、前記第2の部分の前記エッジ領域の交差幅方向の寸法である幅よりも大きい、請求項4に記載の弾性波装置。
  6. 前記第1の部分における前記中央領域の前記交差幅方向の寸法と、前記第2の部分における前記中央領域の前記交差幅方向の寸法とが異なっている、請求項5に記載の弾性波装置。
  7. 前記第1の部分の電極指ピッチが、前記第2の部分の電極指ピッチよりも大きい、請求項1〜6のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  8. 前記第1の部分のメタライゼーション比が、前記第2の部分におけるメタライゼーション比よりも大きい、請求項1〜6のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  9. 前記エッジ領域において、前記第1,第2の電極指上に質量付加膜が設けられており、前記第1の部分における質量付加膜の厚みが、前記第2の部分における質量付加膜の厚みよりも薄い、請求項1〜6のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  10. エッジ領域において、前記第1の部分の伝搬速度をV’a、前記第2の部分の弾性波の伝搬速度をV’bとし、前記第1の部分における1つのエッジ領域の前記電極指の延びる方向の長さである幅をEa、前記第2の部分におけるエッジ領域の幅をEbとしたとき、Ea/V’a=Eb/V’bとされている、請求項1〜6のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  11. 前記Ea/V’a=Eb/V’bとなるように、前記第1の部分及び前記第2の部分のエッジ領域の前記幅が選択されている、請求項10に記載の弾性波装置。
  12. 前記Ea/V’a=Eb/V’bとなるように、前記第1の部分及び前記第2の部分におけるエッジ領域のメタライゼーション比が選択されている、請求項10に記載の弾性波装置。
  13. 前記第1の部分及び前記第2の部分において、前記エッジ領域を覆うように質量付加膜が積層されており、前記Ea/V’a=Eb/V’bとなるように、前記第1の部分及び前記第2の部分に位置する前記質量付加膜の膜厚が選択されている、請求項10に記載の弾性波装置。
  14. 前記第1の部分及び第2の部分において、前記エッジ領域を覆うように質量付加膜が積層されており、前記Ea/V’a=Eb/V’bとなるように、前記第1の部分及び前記第2の部分に位置するエッジ幅、エッジ領域のメタライゼーション比及びエッジ領域に積層されている前記質量付加膜の膜厚の少なくとも1種が選択されている、請求項10に記載の弾性波装置。
  15. 前記第1の電極指及び前記第2の電極指の先端側に、弾性波伝搬方向に沿う寸法である幅が前記中央領域における幅に比べて広い、太幅部が設けられており、該太幅部により前記エッジ領域が構成されている、請求項1〜14のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  16. 前記第2の電極指に設けられている前記太幅部と弾性波伝搬方向において重なる位置において、前記第1の電極指に第2の太幅部が設けられており、前記第1の電極指に設けられている前記太幅部と弾性波伝搬方向において重なる位置において、前記第2の電極指に第2の太幅部が設けられている、請求項15に記載の弾性波装置。
  17. 前記IDTが弾性波伝搬方向に沿って複数配置されており、複数の前記IDTのうち少なくとも1つの前記IDTが前記第1の部分であり、残りの前記IDTのうち少なくとも1つの前記IDTが前記第2の部分である、請求項1〜14のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  18. 縦結合共振子型弾性波フィルタである、請求項1〜17のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  19. 前記IDTが、電極指本体部と、前記電極指本体部よりも電極指ピッチが狭く、弾性波伝搬方向端部に設けられている狭ピッチ電極指部とを有し、
    前記電極指本体部が前記第1の部分であり、前記狭ピッチ電極指部が前記第2の部分である、請求項1〜16のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  20. 少なくとも1つの前記IDTとして、1つのIDTを有し、該IDTの弾性波伝搬方向両側に配置された反射器をさらに備え、1ポート型弾性波共振子が構成されている、請求項1〜16のいずれか1項に記載の弾性波装置。
JP2015537473A 2014-05-26 2015-05-22 弾性波装置 Active JP5861809B1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015537473A JP5861809B1 (ja) 2014-05-26 2015-05-22 弾性波装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014108114 2014-05-26
JP2014108114 2014-05-26
PCT/JP2015/064773 WO2015182522A1 (ja) 2014-05-26 2015-05-22 弾性波装置
JP2015537473A JP5861809B1 (ja) 2014-05-26 2015-05-22 弾性波装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5861809B1 JP5861809B1 (ja) 2016-02-16
JPWO2015182522A1 true JPWO2015182522A1 (ja) 2017-04-20

Family

ID=54698854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015537473A Active JP5861809B1 (ja) 2014-05-26 2015-05-22 弾性波装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10009003B2 (ja)
JP (1) JP5861809B1 (ja)
KR (1) KR101838085B1 (ja)
CN (1) CN106464229B (ja)
DE (1) DE112015002497B4 (ja)
WO (1) WO2015182522A1 (ja)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015182521A1 (ja) * 2014-05-26 2015-12-03 株式会社村田製作所 弾性波装置及びラダー型フィルタ
CN106464230B (zh) * 2014-06-23 2019-05-17 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN107196623B (zh) * 2016-03-15 2021-03-12 络达科技股份有限公司 具主动校准机制的声波装置
JPWO2017188342A1 (ja) * 2016-04-27 2019-03-22 京セラ株式会社 弾性波素子および通信装置
DE102016110139A1 (de) * 2016-06-01 2017-12-07 Snaptrack, Inc. SAW-Filter mit Störmodenunterdrückung
JP6870461B2 (ja) * 2016-06-07 2021-05-12 株式会社村田製作所 弾性波装置の製造方法
WO2018003273A1 (ja) 2016-06-28 2018-01-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10469050B2 (en) * 2016-08-19 2019-11-05 Qorvo Us, Inc. Guided acoustic wave device
KR101953219B1 (ko) * 2016-11-24 2019-02-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JP6547916B2 (ja) * 2016-12-20 2019-07-24 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6717389B2 (ja) * 2016-12-28 2020-07-01 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性波フィルタ
CN110140295B (zh) * 2017-01-13 2023-02-28 株式会社村田制作所 弹性波装置
WO2018135489A1 (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
CN110419161B (zh) * 2017-03-23 2023-03-03 株式会社村田制作所 弹性波装置
WO2018216548A1 (ja) * 2017-05-22 2018-11-29 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2019017422A1 (ja) * 2017-07-20 2019-01-24 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
JP6888691B2 (ja) * 2017-12-19 2021-06-16 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6813108B2 (ja) * 2017-12-19 2021-01-13 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2019139076A1 (ja) * 2018-01-11 2019-07-18 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2020080465A1 (ja) * 2018-10-19 2020-04-23 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2020171050A1 (ja) 2019-02-18 2020-08-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN113508496B (zh) * 2019-03-06 2023-01-06 株式会社村田制作所 滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置
CN113632377B (zh) * 2019-03-29 2024-09-24 株式会社村田制作所 纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及滤波器装置
US11444599B2 (en) * 2019-08-29 2022-09-13 Skyworks Solutions, Inc. Suppression of spurious signals in surface acoustic wave devices
KR102636227B1 (ko) * 2019-08-30 2024-02-16 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치
KR20220160662A (ko) * 2020-05-27 2022-12-06 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치
US11929734B2 (en) * 2021-01-29 2024-03-12 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Surface acoustic wave resonator with piston mode design and electrostatic discharge protections
CN113437947B (zh) * 2021-07-06 2023-03-28 电子科技大学 一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器
WO2023048140A1 (ja) * 2021-09-21 2023-03-30 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN114567283B (zh) * 2022-01-28 2023-04-11 江苏卓胜微电子股份有限公司 叉指换能结构、谐振器、谐振器制作方法及滤波器
CN116633312B (zh) * 2023-07-24 2023-10-24 常州承芯半导体有限公司 滤波器及滤波器的形成方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3651291B2 (ja) * 1998-12-14 2005-05-25 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波装置
CN101517894B (zh) * 2006-09-28 2011-12-28 株式会社村田制作所 弹性波滤波装置
JP5042763B2 (ja) * 2007-09-28 2012-10-03 日本電波工業株式会社 弾性波フィルタ
US7576471B1 (en) 2007-09-28 2009-08-18 Triquint Semiconductor, Inc. SAW filter operable in a piston mode
US7939989B2 (en) 2009-09-22 2011-05-10 Triquint Semiconductor, Inc. Piston mode acoustic wave device and method providing a high coupling factor
DE102010005596B4 (de) * 2010-01-25 2015-11-05 Epcos Ag Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden
JP5936393B2 (ja) * 2011-03-07 2016-06-22 トライクイント・セミコンダクター・インコーポレイテッドTriQuint Semiconductor,Inc. トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法
JP5697751B2 (ja) * 2011-03-25 2015-04-08 スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス
CN103384961B (zh) * 2011-03-28 2016-05-18 京瓷株式会社 弹性波元件以及使用其的弹性波装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015182522A1 (ja) 2015-12-03
US20170047905A1 (en) 2017-02-16
KR20160145742A (ko) 2016-12-20
DE112015002497B4 (de) 2022-01-13
US10009003B2 (en) 2018-06-26
CN106464229B (zh) 2019-03-08
KR101838085B1 (ko) 2018-03-13
DE112015002497T5 (de) 2017-03-02
CN106464229A (zh) 2017-02-22
JP5861809B1 (ja) 2016-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5861809B1 (ja) 弾性波装置
JP6281639B2 (ja) 弾性波装置
JP6354839B2 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP6494447B2 (ja) 弾性波デバイス
JP6819834B1 (ja) 弾性波装置
CN107112975B (zh) 弹性波装置
JP6777221B2 (ja) 弾性波装置
JP6179594B2 (ja) 弾性波装置
WO2015182521A1 (ja) 弾性波装置及びラダー型フィルタ
JP2016184951A (ja) 高次横モード波を抑制した弾性波デバイス
JP6680358B2 (ja) 弾性波装置
WO2020250572A1 (ja) 弾性波装置
JPWO2016170982A1 (ja) 弾性波装置
WO2006109591A1 (ja) 弾性波素子
WO2021241117A1 (ja) 弾性波装置
WO2017077892A1 (ja) 弾性波装置
WO2018123882A1 (ja) 弾性波装置
WO2018116680A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6072604B2 (ja) 弾性表面波素子
WO2020202960A1 (ja) 縦結合共振子型弾性波フィルタ及びフィルタ装置
JP5850209B1 (ja) 弾性波装置
JP2015056746A (ja) 弾性波装置
JP6424958B2 (ja) 弾性波装置
WO2018008252A1 (ja) 弾性波装置
WO2017199485A1 (ja) 弾性波装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5861809

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150