WO2020202960A1 - 縦結合共振子型弾性波フィルタ及びフィルタ装置 - Google Patents

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WO2020202960A1
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reflector
bus bar
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coupled resonator
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茂生 小笹
千尋 照田
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14573—Arrow type transducers

Definitions

  • the present invention relates to a vertically coupled resonator type elastic wave filter and a filter device.
  • Patent Document 1 discloses an example of a vertically coupled resonator type elastic wave filter.
  • a hypersonic member In this vertically coupled resonator type elastic wave filter, a hypersonic member, a low sound velocity film, and a piezoelectric film are laminated in this order.
  • a plurality of IDT electrodes Inter Digital Transducers
  • reflectors are provided on the piezoelectric film. The Q value is increased by providing the laminated structure.
  • the width of the electrode finger actually varies. Therefore, the amount of attenuation varies, especially in the frequency range near the low frequency side of the pass band. Due to this, the attenuation characteristics in the above frequency range may deteriorate. Further, in the vertically coupled resonator type elastic wave filter having the above-mentioned laminated structure, the variation in the width of the electrode fingers becomes particularly large due to the influence of the flatness of the piezoelectric film and the like. Therefore, even if the Q value can be increased, the variation in the amount of attenuation is larger in the frequency range near the low frequency side of the pass band, which makes control difficult.
  • An object of the present invention is to provide a vertically coupled resonator type elastic wave filter and a filter device capable of suppressing variation in the amount of attenuation in a frequency region near the low frequency side of the pass band.
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter includes a piezoelectric substrate, a plurality of IDT electrodes provided on the piezoelectric substrate and arranged along the elastic wave propagation direction, and the piezoelectric substrate.
  • a pair of reflectors provided on both sides of the plurality of IDT electrodes in the direction of elastic wave propagation are provided, and the reflectors are opposed to each other by a first reflector bus bar and a second reflector bus bar. It has a plurality of reflective electrode fingers connected to at least one of the first reflector bus bar and the second reflector bus bar, and the reflector is elastic in the length of the plurality of reflective electrode fingers. It has a first portion that changes in the wave propagation direction.
  • the filter device includes a vertically coupled resonator type elastic wave filter configured according to the present invention, and at least one or more resonators other than the vertically coupled resonator type elastic wave filter.
  • the Q value can be increased, and the variation in the attenuation amount can be suppressed in the frequency range near the low frequency side of the pass band. ..
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing the vicinity of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter of the filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view of the reflector of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic front sectional view of the filter device according to the first embodiment of the present invention in the vicinity of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • FIG. 5 is a plan view of the filter device according to the first embodiment of the present invention in the vicinity of the IDT electrode in the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • FIG. 6 is a plan view of the filter device according to the first embodiment of the present invention in the vicinity of the reflector and the IDT electrode in the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • FIG. 7 is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of each filter device of the comparative example.
  • FIG. 8 is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of each filter device having the configuration of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view of the reflector of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter in the first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view of the reflector of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter in the second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic front sectional view of the filter device according to the third modification of the first embodiment of the present invention in the vicinity of the first vertically coupled resonator type elastic wave filter.
  • FIG. 12 is a schematic front sectional view of the filter device according to the fourth modification of the first embodiment of the present invention in the vicinity of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • FIG. 13 is a plan view of the vicinity of the reflector in the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a plan view showing the vicinity of a portion corresponding to a reflector for explaining an example of a method for manufacturing a vertically coupled resonator type elastic wave filter according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic front sectional view of the filter device according to the fourth modification of the first embodiment of the present invention in the vicinity of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • FIG. 13 is a plan view of the vicinity of
  • FIG. 15 is a plan view showing the vicinity of a portion corresponding to a reflector for explaining an example of a method for manufacturing a vertically coupled resonator type elastic wave filter according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a plan view of the vicinity of the reflector in the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the first modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a plan view of the vicinity of the reflector in the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the second modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a plan view of the vicinity of the reflector in the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the third modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a plan view of the vicinity of the reflector in the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the first modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a plan view of the vicinity of the reflector in the vertically coupled
  • FIG. 19 is a plan view showing a part of the reflector and the IDT electrode of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a plan view showing a part of the reflector and the IDT electrode of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 21 is a plan view showing a part of the reflector and the IDT electrode of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a plan view showing a part of the reflector and the IDT electrode of the vertically coupled resonator type elastic wave filter of the comparative example.
  • FIG. 20 is a plan view showing a part of the reflector and the IDT electrode of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 21 is a plan view showing a part of the reflector and the IDT electrode of the vertically coupled re
  • FIG. 23 is a diagram showing the return loss of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a diagram showing the return loss of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 25 is a diagram showing the return loss of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 26 is a diagram showing the return loss of the vertically coupled resonator type elastic wave filter of the comparative example.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • the portion of the reflector described later in FIG. 1 is shown by a schematic diagram in which two diagonal lines are added to a rectangle.
  • the filter device 10 has a first signal terminal 17A and a second signal terminal 17B.
  • the filter device 10 has a first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A and a second longitudinally coupled resonance connected in parallel to each other between the first signal terminal 17A and the second signal terminal 17B. It has a child type elastic wave filter 1B.
  • the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A and the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1B are both longitudinally coupled resonator type elastic wave filters according to one embodiment of the present embodiment.
  • the filter device 10 is between the connection point between the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A and the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1B and the first signal terminal 17A and the ground potential. It has a first elastic wave resonator P1 connected to. Further, the filter device 10 is connected between the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A and the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1B and the second signal terminal 17B. It has 2 elastic wave resonators S1.
  • the circuit configuration of the filter device 10 is not limited to the above, as long as it has at least one resonator other than the vertically coupled resonator type elastic wave filter and the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the present invention. Good.
  • the filter device 10 of the present embodiment is a band-passing type filter having a pass band of Band 3 and a pass band of 1805 MHz to 1880 MHz.
  • the pass band of the filter device 10 is not limited to the above.
  • the filter device according to the present invention may be a duplexer or a multiplexer.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing the vicinity of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter of the filter device according to the first embodiment.
  • the IDT electrode and the reflector which will be described later, are shown by a schematic diagram in which two diagonal lines are added to a polygon.
  • the wiring connected to the first vertically coupled resonator type elastic wave filter 1A is omitted.
  • the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A includes a piezoelectric substrate 2 and an IDT electrode 3A, an IDT electrode 3B, an IDT electrode 3C, an IDT electrode 3D and an IDT electrode 3E provided on the piezoelectric substrate 2.
  • An elastic wave is excited by applying an AC voltage to the IDT electrode.
  • the elastic wave propagation direction is defined as the first direction x
  • the direction orthogonal to the first direction x is defined as the second direction y.
  • the IDT electrode 3A, IDT electrode 3B, IDT electrode 3C, IDT electrode 3D and IDT electrode 3E are arranged in this order along the first direction x.
  • a pair of reflectors 8A and reflectors 8B are provided on both sides of the first direction x of the plurality of IDT electrodes. More specifically, the reflector 8A is arranged adjacent to the IDT electrode 3A, and the reflector 8B is arranged adjacent to the IDT electrode 3E.
  • the first vertically coupled resonator type elastic wave filter 1A is a 5IDT type vertically coupled resonator type elastic wave filter.
  • the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A is not limited to the 5IDT type, and may be, for example, a 3IDT type or a 7IDT type.
  • FIG. 3 is a plan view of the reflector of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter in the first embodiment.
  • the reflector 8B has a first reflector bus bar 14 and a second reflector bus bar 16 facing each other, and a plurality of reflective electrode fingers. More specifically, the plurality of reflective electrode fingers of the present embodiment are the plurality of first reflective electrode fingers 13 connected to both the first reflector bus bar 14 and the second reflector bus bar 16. is there. One end of each of the plurality of first reflective electrode fingers 13 is connected to the first reflector bus bar 14, and the other end is connected to the second reflector bus bar 16, respectively.
  • the reflector 8B has a first portion 9a in which the lengths of the plurality of first reflecting electrode fingers 13 change in the first direction x. More specifically, in the first portion 9a, the first reflective electrode finger 13 becomes shorter in the first direction x outward.
  • the reflector 8B is a weighted reflector.
  • the virtual line formed by connecting the ends connected to the first reflector bus bar 14 of the plurality of reflective electrode fingers is referred to as the first virtual line J.
  • a virtual line formed by connecting the ends connected to the second reflector bus bar 16 of the plurality of reflective electrode fingers is referred to as a second virtual line K.
  • both the first virtual line J and the second virtual line K are inclined with respect to the first direction x. More specifically, the first virtual line J extends closer to the second reflector bus bar 16 toward the first direction x outside. The second virtual line K extends closer to the first reflector bus bar 14 toward the first direction x outside. It is sufficient that at least one of the first virtual line J and the second virtual line K is inclined with respect to the first direction x.
  • the reflector 8B has a second portion 9b in which the lengths of the plurality of reflective electrode fingers are constant in the first direction x.
  • the first virtual line J and the second virtual line K extend parallel to the first direction x.
  • the second portion 9b is located closer to the plurality of IDT electrodes than the first portion 9a.
  • the positional relationship between the first portion 9a and the second portion 9b is not limited to the above.
  • the first reflector bus bar 14 is provided with a plurality of openings 14d along the first direction x.
  • the second reflector bus bar 16 is also provided with a plurality of openings 16d along the first direction x.
  • the first reflective electrode finger 13 located at least on the secondmost portion 9b side has an opening 14d when viewed from the first direction x. And overlaps the opening 16d.
  • the reflective electrode finger in the first portion 9a and the opening 14d and the opening 16d do not have to overlap when viewed from the first direction x.
  • the first reflector bus bar 14 and the second reflector bus bar 16 do not have to have an opening 14d and an opening 16d.
  • the reflector 8B may not have the second portion 9b and may be composed of only the first portion 9a.
  • the reflector 8A shown in FIG. 2 has the same configuration as the reflector 8B.
  • the reflector 8A is substantially line-symmetrical with the reflector 8B with respect to the axis of symmetry extending in the second direction y. More specifically, the reflector 8A is connected to both the first reflector bus bar and the second reflector bus bar facing each other and the first reflector bus bar and the second reflector bus bar. It has a first reflective electrode finger of.
  • the reflector 8A has a first portion in which the first reflective electrode finger becomes shorter in the first direction x outward. Thus, the reflector 8A is a weighted reflector.
  • FIG. 4 is a schematic front sectional view of the filter device according to the first embodiment in the vicinity of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the IDT electrode and the reflector are shown by a schematic diagram in which two diagonal lines are added to a rectangle.
  • the piezoelectric substrate 2 of the present embodiment includes a support substrate 4, a hypersonic film 5 as a hypersonic material layer provided on the support substrate 4, and a low sound velocity film 6 provided on the hypersonic film 5. And a piezoelectric layer 7 provided on the hypersonic film 6.
  • the piezoelectric substrate 2 may be a piezoelectric substrate composed of only the piezoelectric layer 7.
  • a piezoelectric single crystal such as lithium tantalate or lithium niobate or an appropriate piezoelectric ceramic can be used.
  • the low sound velocity film 6 is a relatively low sound velocity film. More specifically, the sound velocity of the bulk wave propagating in the bass velocity film 6 is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer 7.
  • the bass velocity film 6 is a silicon oxide film. Silicon oxide is represented by SiO x . x is any positive number. In the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A, the silicon oxide constituting the bass velocity film 6 is SiO 2 .
  • the material of the bass velocity film 6 is not limited to the above, and for example, a material containing glass, silicon nitride, tantalum oxide, or a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide may be used. it can.
  • the hypersonic material layer is the hypersonic film 5.
  • the hypersonic material layer is a relatively hypersonic layer. More specifically, the sound velocity of the bulk wave propagating in the hypersonic material layer is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 7.
  • Examples of the material of the treble speed film 5 include aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, steatite, A medium containing the above materials as a main component, such as forsterite, magnesia, DLC (diamond-like carbon) film, or diamond, can be used.
  • Examples of the material of the support substrate 4 include piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and crystal, alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mulite, and steer.
  • Various ceramics such as tight and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors or resins such as silicon and gallium nitride can be used.
  • the piezoelectric substrate 2 has a laminated structure in which the high sound velocity film 5, the low sound velocity film 6 and the piezoelectric layer 7 are laminated in this order, the Q value can be effectively increased and the energy of the elastic wave is piezoelectricized. It can be effectively confined to the body layer 7 side.
  • the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A is an elastic wave device that utilizes a piston mode.
  • the details of the configuration of the IDT electrode of the present embodiment will be described with reference to FIG. 5 below, which shows one IDT electrode among the plurality of IDT electrodes.
  • FIG. 5 is a plan view of the filter device according to the first embodiment in the vicinity of the IDT electrode in the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • FIG. 6 is a plan view of the filter device according to the first embodiment in the vicinity of the reflector and the IDT electrode in the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the IDT electrode and the reflector in the vicinity of the IDT electrode shown in FIG. 5 are omitted.
  • the wiring connected to the vertically coupled resonator type elastic wave filter is omitted.
  • the IDT electrode 3E has a first bus bar 24 and a second bus bar 26 facing each other.
  • the first bus bar 24 is provided with a plurality of first openings 24d along the first direction x.
  • the second bus bar 26 is also provided with a plurality of second openings 26d along the first direction x.
  • the first opening 24d and the opening 14d of the first reflector bus bar 14 overlap each other when viewed from the first direction x. Seen from the first direction x, the second opening 26d and the opening 16d of the second reflector bus bar 16 overlap.
  • the IDT electrode 3E has a plurality of first electrode fingers 25 each having one end connected to the first bus bar 24. The other end of the first electrode finger 25 faces the second bus bar 26 with a gap.
  • the IDT electrode 3E has a plurality of second electrode fingers 27 each having one end connected to the second bus bar 26. The other end of the second electrode finger 27 faces the first bus bar 24 with a gap.
  • the plurality of first electrode fingers 25 and the plurality of second electrode fingers 27 are interleaved with each other.
  • the portion where the first electrode finger 25 and the second electrode finger 27 overlap in the first direction x is the crossing region A.
  • the crossing region A has a central region B located on the central side in the second direction y.
  • the crossing region A includes a first edge region Ca arranged on the first bus bar 24 side of the central region B and a second edge region Cb arranged on the second bus bar 26 side of the central region B.
  • the IDT electrode 3E has a second gap region Da located between the first edge region Ca and the first bus bar 24, and a second gap region Da located between the second edge region Cb and the second bus bar 26. It has a gap region Db.
  • the first bus bar 24 of the IDT electrode 3E has a first inner bus bar region Ea located on the crossing region A side and a first outer bus bar located outside the first inner bus bar region Ea in the second direction y. It has a region Ga.
  • the portion located in the first inner bus bar region Ea is the first inner bus bar portion 24a
  • the portion located in the first outer bus bar region Ga is the first outer bus bar portion 24c. ..
  • the first bus bar 24 is located between the first inner bus bar region Ea and the first outer bus bar region Ga, and the first opening forming region Fa provided with the plurality of first openings 24d.
  • the first bus bar 24 has a plurality of first connection electrodes 24b connecting the first inner bus bar portion 24a and the first outer bus bar portion 24c.
  • the plurality of first openings 24d are openings surrounded by a first inner bus bar portion 24a, a first outer bus bar portion 24c, and a plurality of first connection electrodes 24b.
  • the plurality of first connection electrodes 24b extend so as to be located on an extension line of the plurality of first electrode fingers 25.
  • the width is defined as the dimension along the first direction x of the electrode finger.
  • the width of the first connecting electrode 24b is the same as the width of the first electrode finger 25.
  • the arrangement of the plurality of first connection electrodes 24b is not limited to the above, and may be extended so as to be located on an extension line of the plurality of second electrode fingers 27, for example.
  • the width of the first connecting electrode 24b may be different from the width of the first electrode finger 25.
  • the second bus bar 26 of the IDT electrode 3E has a second inner bus bar region Eb, a second outer bus bar region Gb, and a second opening forming region in which the plurality of second openings 26d are formed.
  • the portion located in the second inner bus bar region Eb is the second inner bus bar portion 26a
  • the portion located in the second outer bus bar region Gb is the second outer bus bar portion 26c.
  • the second bus bar 26 has a plurality of second connection electrodes 26b connecting the second inner bus bar portion 26a and the second outer bus bar portion 26c.
  • the plurality of second openings 26d are openings surrounded by a second inner bus bar portion 26a, a second outer bus bar portion 26c, and a plurality of second connection electrodes 26b.
  • the first electrode finger 25 of the IDT electrode 3E has a first wide portion 25a that is wider than the portion located in the central region B in the portion located in the first edge region Ca.
  • the second electrode finger 27 has a first wide portion 27a in a portion located in the first edge region Ca.
  • the speed of sound in the first edge region Ca is lower than the speed of sound in the central region B.
  • the first low sound velocity region La is configured in which the average sound velocity is lower than the sound velocity in the central region B.
  • the first electrode finger 25 has a second wide portion 25b that is wider than the portion located in the central region B in the portion located in the second edge region Cb.
  • the second electrode finger 27 has a second wide portion 27b in a portion located in the second edge region Cb.
  • a second low sound velocity region Lb in which the average sound velocity is lower than the sound velocity in the central region B is configured.
  • At least one of the first electrode finger 25 and the second electrode finger 27 may have a first wide portion 25a or a first wide portion 27a. At least one of the first electrode finger 25 and the second electrode finger 27 may have a second wide portion 25b or a second wide portion 27b.
  • the first low sound velocity region La can be formed. It may be provided. The same applies to the second edge region Cb.
  • the first wide portion 25a, the first wide portion 27a, the second wide portion 25b, the second wide portion 27b, and the mass addition film the first low sound velocity region La and the second The low sound velocity region Lb may be configured.
  • the plurality of first connection electrodes 24b in the first opening forming region Fa are located on the extension lines of the plurality of first electrode fingers 25, and are located on the extension lines of the plurality of second electrode fingers 27. Not done.
  • the speed of sound in the first opening forming region Fa is higher than the speed of sound in the central region B.
  • the first hypersonic region Ha is configured in the first opening forming region Fa.
  • a second high sound velocity region Hb having a higher sound velocity than the sound velocity in the central region B is configured in the second opening forming region Fb.
  • V3 V1 ⁇ V3.
  • the sound velocities compared in the central region B, the first low sound velocity region La, the second low sound velocity region Lb, the first high sound velocity region Ha, and the second high sound velocity region Hb are: It is the propagation speed of the elastic wave in the first direction x.
  • the relationship of sound velocity in each region is V2 ⁇ V1 ⁇ V3.
  • the relationship between the speeds of sound as described above is shown in FIG. In the portion showing the relationship between the speeds of sound in FIG. 5, as shown by the arrow V, the higher the sound velocity is, the higher the line indicating the height of each sound velocity is located on the left side.
  • the IDT electrode 3A, IDT electrode 3B, IDT electrode 3C, and IDT electrode 3D shown in FIG. 2 are also configured in the same manner as the IDT electrode 3E.
  • the design parameters of each IDT electrode may be different depending on the desired characteristics.
  • the central region B, the first low sound velocity region La, and the first high sound velocity region Ha are arranged in this order in the second direction y.
  • the central region B, the second low sound velocity region Lb, and the second high sound velocity region Hb are arranged in this order.
  • the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A utilizes the piston mode.
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter according to the present invention does not necessarily have to utilize the piston mode.
  • the IDT electrode 3A, IDT electrode 3B, IDT electrode 3C, IDT electrode 3D, IDT electrode 3E, reflector 8A and reflector 8B may be made of a laminated metal film in which a plurality of metal layers are laminated, or may be simply. It may consist of a layer of metal film.
  • Each IDT electrode and each reflector can be formed by, for example, a lift-off method.
  • the second vertically coupled resonator type elastic wave filter 1B shown in FIG. 1 is also configured in the same manner as the first vertically coupled resonator type elastic wave filter 1A.
  • the design parameters of each vertically coupled resonator type elastic wave filter may be different depending on the desired filter characteristics.
  • the first vertically coupled resonator type elastic wave filter 1A and the second vertically coupled resonator type elastic wave filter 1B are configured on the same piezoelectric substrate 2.
  • first elastic wave resonator P1 and the second elastic wave resonator S1 are also configured on the piezoelectric substrate 2 in which the first longitudinal coupling resonator type elastic wave filter 1A is configured.
  • the first elastic wave resonator P1 and the second elastic wave resonator S1 form an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate 2 and a pair of reflectors arranged on both sides of the first direction of the IDT electrode. Each has.
  • each reflector of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A and the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1B has a plurality of reflective electrode finger lengths of the first. To have a first portion that is changing in direction x. As a result, it is possible to suppress variations in the amount of attenuation in the frequency range near the low frequency side of the pass band. This will be described below by comparing this embodiment with a comparative example.
  • the lengths of the plurality of reflective electrode fingers are the same in each reflector of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter and the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter. , Different from the first embodiment.
  • each IDT electrode and each reflector in the first embodiment and the comparative example, and the conditions of the piezoelectric substrate are as follows.
  • Piezoelectric layer material and thickness Material: LiTaO 3 , thickness: 600 nm Material and thickness of bass velocity film: Material: SiO 2 , Thickness: 710 nm Material and thickness of hypersonic film: Material: SiN, Thickness: 200 nm Support substrate material: Material ... Si Material and thickness of each IDT electrode and each reflector: Material: Al, Thickness: 156 nm
  • each resonator in the first embodiment is as shown in Tables 1 to 3 below.
  • the reflector A, IDT electrode A, IDT electrode B, IDT electrode C, IDT electrode D, IDT electrode E and reflector B in each table are the reflectors and IDT electrodes arranged in this order along the first direction x. Indicates that. For example, the reflector A corresponds to the reflector 8A in FIG. 2, and the IDT electrode A corresponds to the IDT electrode 3A.
  • the duty of the IDT electrode in each table indicates the duty in the crossing region.
  • the logarithm of the electrode fingers in the reflector is the sum of the logarithms in the first and second parts.
  • the wavelength defined by the electrode finger pitch of the IDT electrode is ⁇ .
  • the electrode finger pitch is the distance between the electrodes center.
  • the dimension along the second direction y of the crossing region is defined as the crossing width.
  • the unit of the crossing width and wavelength in Tables 1 to 6 is ⁇ m.
  • the attenuation frequency characteristics of each of the above filter devices were measured.
  • FIG. 7 is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of each filter device of the comparative example.
  • FIG. 8 is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of each filter device having the configuration of the first embodiment.
  • the width of the electrode fingers actually varies due to the influence of the flatness of the piezoelectric substrate and the like.
  • the Q value can be increased, but the influence of the variation in the width of the electrode finger of the IDT electrode on the attenuation amount is also large. Therefore, in the comparative example, even if the variation in the width of the electrode finger is slight, the amount of attenuation in the frequency range near the low frequency side of the pass band will vary greatly.
  • the filter device 10 of the first embodiment shown in FIG. 1 has a piezoelectric substrate 2 including a high-pitched sound velocity material layer and a piezoelectric layer 7, and also has a first longitudinally coupled resonator type.
  • Each reflector of the elastic wave filter 1A and the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1B is weighted. More specifically, as shown in FIG. 3, in the reflector 8B, the lengths of the plurality of first reflecting electrode fingers 13 change in the first direction x. Therefore, in the reflector 8B, the logarithm of the first reflecting electrode finger 13 is substantially changed in the second direction y. In the first embodiment, the logarithm of the first reflective electrode finger 13 increases from the outside to the inside in the second direction y.
  • the reflectors of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A and the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1B other than the reflector 8B are same applies to the reflectors of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A and the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1B other than the reflector 8B.
  • the response outside the stop band can be dispersed, and the attenuation characteristic can be made gentle in the frequency range near the low frequency side of the pass band.
  • the influence on the amount of attenuation such as the variation in the width of the electrode finger of the IDT electrode can be reduced. Therefore, the Q value can be increased, and the variation in the amount of attenuation can be suppressed in the frequency range near the low frequency side of the pass band.
  • the piezoelectric substrate is a piezoelectric substrate composed of only the piezoelectric layer 7, it is possible to reduce the influence on the amount of attenuation such as the variation in the width of the electrode fingers of the IDT electrode. Therefore, even in this case, it is possible to suppress the variation in the amount of attenuation in the frequency range near the low frequency side of the pass band.
  • the reflector 8B preferably has a second portion 9b in addition to the first portion 9a. It is more preferable that the second portion 9b is located closer to the plurality of IDT electrodes than the first portion 9a. As a result, elastic waves can be suitably reflected on the plurality of IDT electrode sides without causing an increase in the size of the reflector 8B.
  • the plurality of first reflective electrode fingers 13 in the second portion 9b are at least one of the first gap region and the second gap region. It is more preferable that they overlap with each other.
  • the plurality of first reflective electrode fingers 13 in the second portion 9b overlap the entire first gap region and the second gap region when viewed from the first direction x.
  • the reflector 8B can more reliably and appropriately reflect the elastic wave to the plurality of IDT electrode sides.
  • both the first virtual line J and the second virtual line K are inclined and linear with respect to the first direction x. ..
  • the weighting form of each reflector is not limited to the above.
  • the first virtual line J1 is inclined with respect to the first direction x and has a curved shape.
  • the first reflector bus bar 34 is also curved.
  • the second virtual line K1 and the second reflector bus bar 36 extend parallel to the first direction x.
  • the Q value can be increased, and the variation in the amount of attenuation can be suppressed in the frequency range near the low frequency side of the pass band.
  • FIG. 10 is a plan view of the reflector of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter in the second modification of the first embodiment.
  • the length of the first reflective electrode finger 13 in the first portion 49a is equal to or less than the length of the first reflective electrode finger 13 in the second portion 9b. Seen from the first direction x, all portions of the first virtual line J2 and the second virtual line K2 overlap the first reflective electrode finger 13 of the second portion 9b.
  • the filter device of this modification also has the same piezoelectric substrate as that of the first embodiment, and reflects each of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter and the second longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the vessel is weighted. Therefore, the Q value can be increased, and the variation in the amount of attenuation can be suppressed in the frequency range near the low frequency side of the pass band.
  • a plurality of first openings 24d are formed in the first bus bar 24 of the IDT electrode 3E.
  • the first high sound velocity region Ha is composed of the first opening formation region Fa in the first bus bar 24, and the first low sound velocity region La is from the first edge region Ca to the first inner bus bar region Ea. It is composed of.
  • the first bus bar 24 does not have to have an opening.
  • the first high sound velocity region Ha may be configured in the first gap region Da
  • the first low sound velocity region La may be configured in the first edge region Ca.
  • the second bus bar 26 does not have to have an opening.
  • the second high sound velocity region Hb may be configured in the second gap region Db, and the second low sound velocity region Lb may be configured in the second edge region Cb.
  • the piezoelectric substrate 2 of the first embodiment is composed of a laminate in which a support substrate 4, a hypersonic film 5, a low sound velocity film 6 and a piezoelectric layer 7 are laminated in this order.
  • the piezoelectric layer 7 is indirectly provided on the hypersonic film 5 as the hypersonic material layer via the hypersonic film 6.
  • the configuration of the piezoelectric substrate 2 is not limited to the above.
  • a third modification and a fourth modification of the first embodiment in which only the configuration of the piezoelectric substrate 2 is different from the first embodiment, will be shown.
  • the Q value can be increased and the variation in the attenuation amount is suppressed in the frequency range near the low frequency side of the pass band, as in the first embodiment. can do.
  • the hypersonic material layer is the hypersonic support substrate 54.
  • the piezoelectric substrate 52A of the present modification has a hypersonic support substrate 54 and a piezoelectric layer 7 provided directly on the hypersonic support substrate 54.
  • Examples of the material of the high-pitched sound support substrate 54 include aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, and steatite. , Forsterite, magnesia, DLC film, diamond, or other medium containing the above materials as main components can be used.
  • the piezoelectric substrate 52B of the fourth modified example shown in FIG. 12 is provided on the hypersonic support substrate 54, the hypersonic film 6 provided on the hypersonic support substrate 54, and the hypersonic film 6. It has a piezoelectric layer 7.
  • FIG. 13 is a plan view of the vicinity of the reflector in the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the second embodiment.
  • the vertically coupled resonator type elastic wave filter of the present embodiment has a different reflector configuration from the first vertically coupled resonator type elastic wave filter 1A of the first embodiment. Except for the above points, the vertically coupled resonator type elastic wave filter of the present embodiment has the same configuration as the first vertically coupled resonator type elastic wave filter 1A of the first embodiment.
  • the first virtual line J3 extends parallel to the first direction x.
  • the second virtual line K3 is inclined with respect to the first direction x.
  • the third virtual line is also in the first direction x. It is inclined with respect to.
  • the first reflector bus bar 64 and the second reflector bus bar 66 of the present embodiment do not have an opening.
  • the reflector 68B has a plurality of second reflecting electrode fingers 65 and a plurality of third reflecting electrode fingers 67 in addition to the first reflecting electrode finger 13.
  • the plurality of second reflective electrode fingers 65 have a first end portion 65a and a second end portion 65b, respectively.
  • the first end 65a is connected to the first reflector bus bar 64, and the second end 65b faces the second reflector bus 66 with a gap.
  • the plurality of third reflective electrode fingers 67 have a third end 67a and a fourth end 67b, respectively.
  • the third end 67a is connected to the second reflector bus bar 66, and the fourth end 67b faces the first reflector bus bar 64 with a gap.
  • the plurality of second reflective electrode fingers 65 and the plurality of third reflective electrode fingers 67 are interleaved with each other.
  • the reflector 68B of the present embodiment has one first reflective electrode finger 13.
  • the first reflective electrode finger 13 is a reflective electrode finger located on the most plurality of IDT electrode sides among the plurality of reflective electrode fingers.
  • the number and position of the first reflective electrode fingers 13 are not limited to the above.
  • the fourth end 67b overlaps the first bus bar of the plurality of IDT electrodes.
  • the other end of the first reflective electrode finger 13 in the second portion 69b, the second end 65b of the second reflective electrode finger 65, and the third reflective electrode when viewed from the first direction x, the other end of the first reflective electrode finger 13 in the second portion 69b, the second end 65b of the second reflective electrode finger 65, and the third reflective electrode.
  • the third end 67a of the finger 67 overlaps the second bus bar of the plurality of IDT electrodes.
  • the first reflective electrode finger 13 when viewed from the first direction x, the first reflective electrode finger 13, the plurality of second reflective electrode fingers 65, and the plurality of third reflective electrode fingers 67 in the second portion 69b are the first. It overlaps the entire gap region Da and the second gap region Db. Thereby, elastic waves can be more reliably and suitably reflected on the plurality of IDT electrode sides.
  • the positions of the second end portion 65b and the fourth end portion 67b are not limited to the above.
  • the reflectors arranged so as to sandwich the plurality of IDT electrodes also have the same configuration as the reflector 68B.
  • the reflector is substantially line-symmetrical with the reflector 68B with respect to the axis of symmetry extending in the second direction y.
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter of this embodiment also has the same piezoelectric substrate as that of the first embodiment, and each reflector is weighted. Therefore, the Q value can be increased, and the variation in the amount of attenuation can be suppressed in the frequency range near the low frequency side of the pass band.
  • the vertically coupled resonator type elastic wave filter of the present embodiment is formed by, for example, a lift-off method. The details will be described below.
  • FIG. 14 is a plan view showing the vicinity of a portion corresponding to a reflector for explaining an example of a method for manufacturing a vertically coupled resonator type elastic wave filter according to a second embodiment.
  • FIG. 15 is a plan view showing the vicinity of a portion corresponding to a reflector for explaining an example of a method for manufacturing a vertically coupled resonator type elastic wave filter according to a second embodiment.
  • the piezoelectric substrate 2 is prepared.
  • a resist layer is formed on the piezoelectric substrate 2.
  • the resist layer can be formed by, for example, a printing method or a spin coating method.
  • the resist pattern 62 is formed by exposing the resist layer and then developing it. At this time, in a plan view, the resist layers are connected in the vicinity of the portion of the resist pattern 62 that forms the second end of the second reflective electrode finger of the reflector.
  • the resist layer is also connected in the vicinity of the portion of the resist pattern 62 that forms the fourth end of the third reflective electrode finger of the reflector.
  • a corresponding region can be provided between each reflector bus bar and each reflective electrode finger. Therefore, it is possible to provide a continuous wide area surrounded by each reflector bus bar and each reflection electrode finger.
  • a metal film 63 for forming each IDT electrode and each reflector is formed on the piezoelectric substrate 2 so as to cover the resist pattern 62.
  • the metal film 63 can be formed by, for example, a vacuum vapor deposition method or a sputtering method.
  • the resist pattern 62 is peeled off.
  • the portion corresponding to each reflector in the resist pattern 62 has a portion in which the resist layers are continuous.
  • a continuous wide area surrounded by each reflector bus bar and each reflective electrode finger can be provided, and the resist stripping liquid easily comes into contact with the resist.
  • the resist pattern 62 can be easily and more reliably peeled off. Therefore, in the present embodiment, the residue of the resist is unlikely to be generated.
  • a first reflective electrode finger 13 connected to both the first reflector bus bar 64 and the second reflector bus bar 66 is provided. ..
  • all the reflecting electrode fingers in the reflector 68B can have the same potential, so that it is possible to suppress the excitation of elastic waves in the reflector 68B.
  • the number and position of the first reflective electrode fingers 13 are not particularly limited.
  • the first reflective electrode finger 13 is a reflective electrode finger located near the center in the first direction x among the plurality of reflective electrode fingers.
  • the first reflective electrode finger 13 is the reflective electrode finger farthest from the plurality of IDT electrodes among the plurality of reflective electrode fingers.
  • the plurality of second reflective electrode fingers 65 and the plurality of third reflective electrode fingers 67 are interleaved with each other, but the plurality of second reflective electrode fingers 65 And the arrangement of the plurality of third reflective electrode fingers 67 is not limited to this.
  • a plurality of second reflective electrode fingers 65 are continuously arranged in the first direction x.
  • a plurality of third reflective electrode fingers 67 are continuously arranged in the first direction x.
  • the plurality of second reflective electrode fingers 65 and the plurality of third reflective electrode fingers 67 are interleaved with each other.
  • the reflector 68B may have one of the second reflective electrode finger 65 and the third reflective electrode finger 67, and the first reflective electrode finger 13. However, it is preferable that the reflector 68B has both the second reflective electrode finger 65 and the third reflective electrode finger 67, and the first reflective electrode finger 13. As a result, the symmetry of the reflector 68B can be enhanced, and deterioration of the filter characteristics is unlikely to occur.
  • the first reflective electrode finger 13 located at least closest to the IDT electrode 3E in the first portion 9a of the reflector 8B is the first. Seen from the direction x, it overlaps the entire crossing region A. Further, the first reflective electrode finger 13 extends so as to overlap both the first opening forming region Fa and the second opening forming region Fb. On the other hand, none of the first reflective electrode fingers 13 overlaps the first outer bus bar region Ga and the second outer bus bar region Gb of the IDT electrode 3E.
  • the weighted portion of the reflector 8B overlaps the central region B, the first edge region Ca, the first gap region Da, the first inner bus bar region Ea, and the first opening forming region Fa. .. Further, the weighted portion of the reflector 8B overlaps the second edge region Cb, the second gap region Db, the second inner busbar region Eb and the second opening forming region Fb. The same applies to the reflector 8A.
  • the arrangement of the weighted portion of the reflector is different from that of the first embodiment.
  • the return loss between the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the third to fifth embodiments and the comparative example is compared.
  • the reflector is not weighted.
  • FIG. 19 is a plan view showing a part of the reflector and the IDT electrode of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the third embodiment.
  • FIG. 20 is a plan view showing a part of the reflector and the IDT electrode of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the fourth embodiment.
  • FIG. 21 is a plan view showing a part of the reflector and the IDT electrode of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the fifth embodiment.
  • FIG. 22 is a plan view showing a part of the reflector and the IDT electrode of the vertically coupled resonator type elastic wave filter of the comparative example.
  • the alternate long and short dash line in FIG. 21 shows the positional relationship between the weighted portion of the reflector and the IDT electrode.
  • the arrangement of the weighted portion in the reflector 88A is different from that of the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A of the first embodiment.
  • This embodiment is also different from the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 1A in that the first reflector bus bar 84 and the second reflector bus bar 86 extend parallel to the first direction x. ..
  • the first virtual line J4 and the second virtual line K4 are inclined with respect to the first direction x.
  • the reflectors arranged so as to sandwich the plurality of IDT electrodes together with the reflector 88A are configured to be substantially line-symmetrical with the reflector 88A with respect to the axis of symmetry extending in the second direction y. Except for the above points, the vertically coupled resonator type elastic wave filter of the third embodiment has the same configuration as the first vertically coupled resonator type elastic wave filter 1A.
  • the range of the weighted portion of the reflector 88A in the second direction y is wider than the range in the first embodiment.
  • the first reflecting electrode finger 13 located at least closest to the IDT electrode 3A is the crossing region of the IDT electrode 3A when viewed from the first direction x. It overlaps with the whole A. Further, the first reflective electrode finger 13 extends so as to overlap both the first outer bus bar region Ga and the second outer bus bar region Gb. The plurality of first reflective electrode fingers 13 become shorter in the first direction x outward. In this way, the reflector 88A is weighted. Therefore, the weighted portions in the reflector 88A are the central region B, the first edge region Ca, the first gap region Da, the first inner bus bar region Ea, the first opening forming region Fa, and the first.
  • the weighted portions in the reflector 88A are a second edge region Cb, a second gap region Db, a second inner busbar region Eb, a second opening forming region Fb and a second outer busbar region Gb. It overlaps with.
  • the logarithm of the first reflective electrode finger increases from the outside to the inside in the second direction y, so that the response outside the stopband is dispersed as in the first embodiment. Can be made to.
  • the attenuation characteristic can be made gentle in the frequency range near the low frequency side of the pass band, and the variation in the attenuation characteristic can be suppressed in the frequency range.
  • the vertically coupled resonator type elastic wave filter of the present embodiment has the same piezoelectric substrate as the piezoelectric substrate 2 shown in FIG. 4, the Q value can be increased.
  • the Q value can be increased, and the variation in the attenuation amount can be suppressed in the frequency range near the low frequency side of the pass band. ..
  • the range of the weighted portion of the reflector 88C in the second direction y is narrower than the range in the third embodiment.
  • the plurality of first reflective electrode fingers 13 in the first portion 89c of the reflector 88C overlap the central region B of the IDT electrode 3A when viewed from the first direction x. Further, the first reflective electrode finger 13 located at least closest to the IDT electrode 3A in the first portion 89c extends so as to overlap both the first gap region Da and the second gap region Db of the IDT electrode 3A. ing. On the other hand, none of the first reflective electrode fingers 13 overlaps the first opening forming region Fa and the second opening forming region Fb of the IDT electrode 3A.
  • the weighted portion of the reflector 88C is the central region B, the first edge region Ca, the first gap region Da, the second edge region Cb, and the second gap when viewed from the first direction x. It overlaps the region Db. On the other hand, the weighted portion of the reflector 88C does not overlap the first opening forming region Fa and the second opening forming region Fb.
  • the range of the weighted portion of the reflector 88E in the second direction y is narrower than the range in the fourth embodiment.
  • the plurality of first reflective electrode fingers 13 in the first portion 89e of the reflector 88E overlap the central region B of the IDT electrode 3A when viewed from the first direction x.
  • none of the first reflective electrode fingers 13 overlaps the first edge region Ca and the second edge region Cb of the IDT electrode 3A. Therefore, the weighted portion of the reflector 88E overlaps the central region B and does not overlap the first edge region Ca and the second edge region Cb when viewed from the first direction x.
  • the reflector 108A is not weighted.
  • FIG. 23 is a diagram showing the return loss of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the third embodiment.
  • FIG. 24 is a diagram showing the return loss of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the fourth embodiment.
  • FIG. 25 is a diagram showing the return loss of the vertically coupled resonator type elastic wave filter according to the fifth embodiment.
  • FIG. 26 is a diagram showing the return loss of the vertically coupled resonator type elastic wave filter of the comparative example.
  • ripple occurs in the frequency range indicated by the alternate long and short dash line circle near the low frequency side of the pass band.
  • FIGS. 23 to 25 show return loss
  • the range of the weighted portion in the reflector in the second direction in the order of FIGS. 23, 24 and 25. Is getting narrower.
  • FIGS. 23 to 25 it can be seen that the narrower the range, the smaller the ripple in the frequency range near the low frequency side of the pass band.
  • the vertically coupled resonator type elastic wave filter of the comparative example has a larger ripple than the vertically coupled resonator type elastic wave filter of each embodiment.
  • the ripple can be suppressed.
  • the piezoelectric substrate 2 is a laminated substrate.
  • the elastic wave device may have an electrode configuration according to any one of the third to fifth embodiments, and the piezoelectric substrate 2 may be a piezoelectric substrate composed of only a piezoelectric layer. Even in this case, ripple can be suppressed.

Landscapes

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Abstract

通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきを抑制することができる、縦結合共振子型弾性波フィルタを提供する。　本発明の縦結合共振子型弾性波フィルタは、圧電性基板と、圧電性基板上に設けられており、弾性波伝搬方向に沿い配置されている複数のＩＤＴ電極と、圧電性基板上において、複数のＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている一対の反射器とを備える。反射器８Ｂは、対応し合う第１，第２の反射器バスバー１４，１６と、第１の反射器バスバー１４及び第２の反射器バスバー１６のうち少なくとも一方に接続された複数の第１の反射電極指１３とを有する。反射器８Ｂが、複数の第１の反射電極指１３の長さが弾性波伝搬方向において変化している第１の部分９ａを有する。

Description

縦結合共振子型弾性波フィルタ及びフィルタ装置
　本発明は、縦結合共振子型弾性波フィルタ及びフィルタ装置に関する。
　従来、縦結合共振子型弾性波フィルタは携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、縦結合共振子型弾性波フィルタの一例が開示されている。この縦結合共振子型弾性波フィルタにおいては、高音速部材、低音速膜及び圧電膜がこの順序で積層されている。圧電膜上に複数のＩＤＴ電極（Ｉｎｔｅｒ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）及び反射器が設けられている。上記積層構造が設けられていることにより、Ｑ値が高められている。
国際公開第２０１５／１９８９０４号
　縦結合共振子型弾性波フィルタにおけるＩＤＴ電極のパターニングに際しては、実際には、電極指の幅のばらつきが生じる。そのため、特に通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきが生じる。これに起因し、上記周波数域における減衰特性が劣化するおそれがある。さらに、上記積層構造を有する縦結合共振子型弾性波フィルタでは、圧電膜の平坦性などの影響により、電極指の幅のばらつきは特に大きくなる。よって、Ｑ値を高めることはできても、通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきがより大きく、制御が困難となる。
　本発明の目的は、通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきを抑制することができる、縦結合共振子型弾性波フィルタ及びフィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係る縦結合共振子型弾性波フィルタは、圧電性基板と、前記圧電性基板上に設けられており、弾性波伝搬方向に沿い配置されている複数のＩＤＴ電極と、前記圧電性基板上において、前記複数のＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている一対の反射器とを備え、前記反射器が、対向し合う第１の反射器バスバー及び第２の反射器バスバーと、前記第１の反射器バスバー及び前記第２の反射器バスバーのうち少なくとも一方に接続されている複数の反射電極指とを有し、前記反射器が、前記複数の反射電極指の長さが弾性波伝搬方向において変化している第１の部分を有する。
　本発明に係るフィルタ装置は、本発明に従い構成されている縦結合共振子型弾性波フィルタと、前記縦結合共振子型弾性波フィルタ以外の少なくとも１つ以上の共振子とを備える。
　本発明に係る縦結合共振子型弾性波フィルタ及びフィルタ装置によれば、Ｑ値を高めることができ、かつ通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきを抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ付近を示す略図的平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器の平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ付近の略図的正面断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタにおけるＩＤＴ電極付近の平面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタにおける反射器及びＩＤＴ電極付近の平面図である。 図７は、比較例の各フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。 図８は、本発明の第１の実施形態の構成を有する各フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。 図９は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器の平面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器の平面図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係るフィルタ装置の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ付近の略図的正面断面図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例に係るフィルタ装置の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ付近の略図的正面断面図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタにおける反射器付近の平面図である。 図１４は、本発明の第２の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタの製造方法の一例を説明するための、反射器に相当する部分付近を示す平面図である。 図１５は、本発明の第２の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタの製造方法の一例を説明するための、反射器に相当する部分付近を示す平面図である。 図１６は、本発明の第２の実施形態の第１の変形例に係る縦結合共振子型弾性波フィルタにおける反射器付近の平面図である。 図１７は、本発明の第２の実施形態の第２の変形例に係る縦結合共振子型弾性波フィルタにおける反射器付近の平面図である。 図１８は、本発明の第２の実施形態の第３の変形例に係る縦結合共振子型弾性波フィルタにおける反射器付近の平面図である。 図１９は、本発明の第３の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器及びＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。 図２０は、本発明の第４の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器及びＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。 図２１は、本発明の第５の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器及びＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。 図２２は、比較例の縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器及びＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。 図２３は、本発明の第３の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタのリターンロスを示す図である。 図２４は、本発明の第４の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタのリターンロスを示す図である。 図２５は、本発明の第５の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタのリターンロスを示す図である。 図２６は、比較例の縦結合共振子型弾性波フィルタのリターンロスを示す図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。なお、図１における、後述する反射器の部分を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。
　フィルタ装置１０は第１の信号端子１７Ａ及び第２の信号端子１７Ｂを有する。フィルタ装置１０は、第１の信号端子１７Ａ及び第２の信号端子１７Ｂとの間に、互いに並列に接続されている、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ｂを有する。第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ｂは、両方とも、本実施形態の一実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタである。
　フィルタ装置１０は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ｂと、第１の信号端子１７Ａとの間の接続点とグラウンド電位との間に接続されている、第１の弾性波共振子Ｐ１を有する。さらに、フィルタ装置１０は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ｂと、第２の信号端子１７Ｂとの間に接続されている、第２の弾性波共振子Ｓ１を有する。なお、フィルタ装置１０の回路構成は上記に限定されず、少なくとも１つの本発明に係る縦結合共振子型弾性波フィルタ及び該縦結合共振子型弾性波フィルタ以外の共振子を有していればよい。
　本実施形態のフィルタ装置１０は、通過帯域がＢａｎｄ３の受信帯域であり、１８０５ＭＨｚ～１８８０ＭＨｚである、帯域通過型フィルタである。もっとも、フィルタ装置１０の通過帯域は上記に限定されない。あるいは、本発明に係るフィルタ装置は、デュプレクサやマルチプレクサであってもよい。
　図２は、第１の実施形態に係るフィルタ装置の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ付近を示す略図的平面図である。図２においては、後述するＩＤＴ電極及び反射器を、多角形に２本の対角線を加えた略図により示す。図２では、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａに接続されている配線は省略している。
　第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａは、圧電性基板２と、圧電性基板２上に設けられているＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ、ＩＤＴ電極３Ｃ、ＩＤＴ電極３Ｄ及びＩＤＴ電極３Ｅとを有する。ＩＤＴ電極に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。本明細書においては、弾性波伝搬方向を第１の方向ｘとし、第１の方向ｘに直交する方向を第２の方向ｙとする。
　第１の方向ｘに沿い、ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ、ＩＤＴ電極３Ｃ、ＩＤＴ電極３Ｄ及びＩＤＴ電極３Ｅがこの順序で配置されている。圧電性基板２上において、上記の複数のＩＤＴ電極の第１の方向ｘ両側には、一対の反射器８Ａ及び反射器８Ｂが設けられている。より具体的には、ＩＤＴ電極３Ａに隣接して反射器８Ａが配置されており、ＩＤＴ電極３Ｅに隣接して反射器８Ｂが配置されている。このように、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａは、５ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタである。もっとも、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａは５ＩＤＴ型には限定されず、例えば、３ＩＤＴ型や７ＩＤＴ型などであってもよい。
　図３は、第１の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器の平面図である。
　反射器８Ｂは、対向し合う第１の反射器バスバー１４及び第２の反射器バスバー１６と、複数の反射電極指とを有する。より具体的には、本実施形態の複数の反射電極指は、第１の反射器バスバー１４及び第２の反射器バスバー１６の両方に接続されている、複数の第１の反射電極指１３である。複数の第１の反射電極指１３の一方端部がそれぞれ第１の反射器バスバー１４に接続されており、他方端部がそれぞれ第２の反射器バスバー１６に接続されている。
　反射器８Ｂは、複数の第１の反射電極指１３の長さが第１の方向ｘにおいて変化している第１の部分９ａを有する。より具体的には、第１の部分９ａにおいて、第１の反射電極指１３は、第１の方向ｘ外側に向かうにつれて短くなっている。このように、反射器８Ｂは重み付けされた反射器である。
　ここで、複数の反射電極指の第１の反射器バスバー１４に接続された端部を結ぶことにより形成される仮想線を第１の仮想線Ｊとする。複数の反射電極指の第２の反射器バスバー１６に接続された端部を結ぶことにより形成される仮想線を第２の仮想線Ｋとする。本実施形態においては、第１の部分９ａにおいて、第１の仮想線Ｊ及び第２の仮想線Ｋの両方が第１の方向ｘに対して傾斜している。より具体的には、第１の仮想線Ｊは、第１の方向ｘ外側に向かうほど、第２の反射器バスバー１６に近づくように延びている。第２の仮想線Ｋは、第１の方向ｘ外側に向かうほど、第１の反射器バスバー１４に近づくように延びている。なお、第１の仮想線Ｊ及び第２の仮想線Ｋのうち少なくとも一方が第１の方向ｘに対して傾斜していればよい。
　反射器８Ｂは、複数の反射電極指の長さが第１の方向ｘにおいて一定である、第２の部分９ｂを有する。第２の部分９ｂにおいては、第１の仮想線Ｊ及び第２の仮想線Ｋは第１の方向ｘに平行に延びている。第２の部分９ｂは、第１の部分９ａよりも複数のＩＤＴ電極側に位置している。なお、第１の部分９ａ及び第２の部分９ｂの位置関係は上記に限定されない。
　本実施形態では、第２の部分９ｂにおいて、第１の反射器バスバー１４に、第１の方向ｘに沿い複数の開口部１４ｄが設けられている。第２の反射器バスバー１６にも、第１の方向ｘに沿い複数の開口部１６ｄが設けられている。第１の部分９ａにおける複数の第１の反射電極指１３のうち、少なくとも最も第２の部分９ｂ側に位置する第１の反射電極指１３は、第１の方向ｘから見て、開口部１４ｄ及び開口部１６ｄに重なっている。なお、第１の方向ｘから見て、第１の部分９ａにおける反射電極指と開口部１４ｄ及び開口部１６ｄとは重なっていなくともよい。あるいは、第１の反射器バスバー１４及び第２の反射器バスバー１６は、開口部１４ｄ及び開口部１６ｄを有していなくともよい。反射器８Ｂは、第２の部分９ｂを有さず、第１の部分９ａのみにより構成されていてもよい。
　図２に示した反射器８Ａも、反射器８Ｂと同様の構成を有する。なお、反射器８Ａは、第２の方向ｙに延びる対称軸に対して、反射器８Ｂと略線対称に構成されている。より具体的には、反射器８Ａは、対向し合う第１の反射器バスバー及び第２の反射器バスバーと、第１の反射器バスバー及び第２の反射器バスバーの両方に接続されている複数の第１の反射電極指とを有する。反射器８Ａは、第１の反射電極指が、第１の方向ｘ外側に向かうにつれて短くなっている、第１の部分を有する。このように、反射器８Ａは重み付けされた反射器である。
　図４は、第１の実施形態に係るフィルタ装置の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ付近の略図的正面断面図である。図４においては、ＩＤＴ電極及び反射器を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。
　本実施形態の圧電性基板２は、支持基板４と、支持基板４上に設けられている高音速材料層としての高音速膜５と、高音速膜５上に設けられている低音速膜６と、低音速膜６上に設けられている圧電体層７とを有する。もっとも、圧電性基板２は、圧電体層７のみからなる圧電基板であってもよい。
　圧電体層７の材料としては、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電単結晶または適宜の圧電セラミックスを用いることができる。
　低音速膜６は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜６を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層７を伝搬するバルク波の音速よりも低い。本実施形態においては、低音速膜６は酸化ケイ素膜である。酸化ケイ素はＳｉＯｘで表される。ｘは任意の正数である。第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａにおいては、低音速膜６を構成する酸化ケイ素はＳｉＯ２である。なお、低音速膜６の材料は上記に限定されず、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることができる。
　本実施形態では、高音速材料層は高音速膜５である。高音速材料層は相対的に高音速な層である。より具体的には、高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層７を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速膜５の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
　支持基板４の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウム等の半導体または樹脂などを用いることができる。
　圧電性基板２が、高音速膜５、低音速膜６及び圧電体層７がこの順序で積層された積層構造を有するため、Ｑ値を効果的に高めることができ、弾性波のエネルギーを圧電体層７側に効果的に閉じ込めることができる。
　ここで、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａは、ピストンモードを利用する弾性波装置である。複数のＩＤＴ電極のうちの１つのＩＤＴ電極を示す下記の図５を参照して、本実施形態のＩＤＴ電極の構成の詳細を説明する。
　図５は、第１の実施形態に係るフィルタ装置の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタにおけるＩＤＴ電極付近の平面図である。図６は、第１の実施形態に係るフィルタ装置の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタにおける反射器及びＩＤＴ電極付近の平面図である。なお、図５においては、図５に示すＩＤＴ電極付近のＩＤＴ電極及び反射器を省略している。図５及び図６においては、縦結合共振子型弾性波フィルタに接続された配線を省略している。
　図５に示すように、ＩＤＴ電極３Ｅは、対向し合う第１のバスバー２４及び第２のバスバー２６を有する。第１のバスバー２４には、第１の方向ｘに沿い複数の第１の開口部２４ｄが設けられている。第２のバスバー２６にも、第１の方向ｘに沿い複数の第２の開口部２６ｄが設けられている。図６に示すように、本実施形態では、第１の方向ｘから見て、第１の開口部２４ｄと、第１の反射器バスバー１４の開口部１４ｄとは重なっている。第１の方向ｘから見て、第２の開口部２６ｄと、第２の反射器バスバー１６の開口部１６ｄとは重なっている。
　図５に戻り、ＩＤＴ電極３Ｅは、第１のバスバー２４にそれぞれ一方端部が接続されている複数の第１の電極指２５を有する。第１の電極指２５の他方端部は、第２のバスバー２６にギャップを隔てて対向している。ＩＤＴ電極３Ｅは、第２のバスバー２６にそれぞれ一方端部が接続されている複数の第２の電極指２７を有する。第２の電極指２７の他方端部は、第１のバスバー２４にギャップを隔てて対向している。複数の第１の電極指２５と複数の第２の電極指２７とは互いに間挿し合っている。
　ＩＤＴ電極３Ｅにおいて、第１の電極指２５と第２の電極指２７とが第１の方向ｘにおいて重なり合っている部分は、交叉領域Ａである。交叉領域Ａは、第２の方向ｙにおける中央側に位置している中央領域Ｂを有する。
　交叉領域Ａは、中央領域Ｂの第１のバスバー２４側に配置されている第１のエッジ領域Ｃａと、中央領域Ｂの第２のバスバー２６側に配置されている第２のエッジ領域Ｃｂとを有する。ＩＤＴ電極３Ｅは、第１のエッジ領域Ｃａ及び第１のバスバー２４の間に位置する第１のギャップ領域Ｄａと、第２のエッジ領域Ｃｂ及び第２のバスバー２６の間に位置する第２のギャップ領域Ｄｂとを有する。
　ＩＤＴ電極３Ｅの第１のバスバー２４は、交叉領域Ａ側に位置する第１の内側バスバー領域Ｅａと、第１の内側バスバー領域Ｅａの第２の方向ｙにおける外側に位置する第１の外側バスバー領域Ｇａとを有する。第１のバスバー２４における、第１の内側バスバー領域Ｅａに位置する部分が第１の内側バスバー部２４ａであり、第１の外側バスバー領域Ｇａに位置する部分が第１の外側バスバー部２４ｃである。第１のバスバー２４は、第１の内側バスバー領域Ｅａ及び第１の外側バスバー領域Ｇａの間に位置し、かつ上記複数の第１の開口部２４ｄが設けられた第１の開口部形成領域Ｆａを有する。なお、第１のバスバー２４は、第１の内側バスバー部２４ａ及び第１の外側バスバー部２４ｃを接続している複数の第１の接続電極２４ｂを有する。複数の第１の開口部２４ｄは、第１の内側バスバー部２４ａ、第１の外側バスバー部２４ｃ及び複数の第１の接続電極２４ｂにより囲まれた開口部である。
　複数の第１の接続電極２４ｂは、複数の第１の電極指２５の延長線上に位置するように延びている。ここで、電極指の第１の方向ｘに沿う寸法を幅とする。第１の接続電極２４ｂの幅は第１の電極指２５の幅と同じである。なお、複数の第１の接続電極２４ｂの配置は上記に限定されず、例えば、複数の第２の電極指２７の延長線上に位置するように延びていてもよい。第１の接続電極２４ｂの幅は第１の電極指２５の幅と異なっていてもよい。
　同様に、ＩＤＴ電極３Ｅの第２のバスバー２６は、第２の内側バスバー領域Ｅｂ、第２の外側バスバー領域Ｇｂ及び上記複数の第２の開口部２６ｄが形成された第２の開口部形成領域Ｆｂを有する。第２の内側バスバー領域Ｅｂに位置する部分が第２の内側バスバー部２６ａであり、第２の外側バスバー領域Ｇｂに位置する部分が第２の外側バスバー部２６ｃである。第２のバスバー２６は、第２の内側バスバー部２６ａ及び第２の外側バスバー部２６ｃを接続している複数の第２の接続電極２６ｂを有する。複数の第２の開口部２６ｄは、第２の内側バスバー部２６ａ、第２の外側バスバー部２６ｃ及び複数の第２の接続電極２６ｂにより囲まれた開口部である。
　ＩＤＴ電極３Ｅの第１の電極指２５は、第１のエッジ領域Ｃａに位置する部分において、中央領域Ｂに位置する部分よりも幅が広い第１の幅広部２５ａを有する。同様に、第２の電極指２７は、第１のエッジ領域Ｃａに位置する部分において第１の幅広部２７ａを有する。それによって、第１のエッジ領域Ｃａにおける音速は、中央領域Ｂにおける音速よりも低い。このように、第１のエッジ領域Ｃａから第１の内側バスバー領域Ｅａにかけて、平均音速が中央領域Ｂにおける音速よりも低い、第１の低音速領域Ｌａが構成されている。
　第１の電極指２５は、第２のエッジ領域Ｃｂに位置する部分において、中央領域Ｂに位置する部分よりも幅が広い第２の幅広部２５ｂを有する。同様に、第２の電極指２７は、第２のエッジ領域Ｃｂに位置する部分において、第２の幅広部２７ｂを有する。このように、第２のエッジ領域Ｃｂから第２の内側バスバー領域Ｅｂにかけて、平均音速が中央領域Ｂにおける音速よりも低い、第２の低音速領域Ｌｂが構成されている。
　なお、第１の電極指２５及び第２の電極指２７のうち少なくとも一方が、第１の幅広部２５ａまたは第１の幅広部２７ａを有していてもよい。第１の電極指２５及び第２の電極指２７のうち少なくとも一方が、第２の幅広部２５ｂまたは第２の幅広部２７ｂを有していてもよい。あるいは、第１の電極指２５及び第２の電極指２７のうち少なくとも一方の、第１のエッジ領域Ｃａに位置する部分に、質量付加膜が設けられることにより、第１の低音速領域Ｌａが設けられていてもよい。第２のエッジ領域Ｃｂにおいても同様である。第１の幅広部２５ａ、第１の幅広部２７ａ、第２の幅広部２５ｂ、第２の幅広部２７ｂ及び質量付加膜が設けられていることにより、第１の低音速領域Ｌａ及び第２の低音速領域Ｌｂが構成されていてもよい。
　ここで、中央領域Ｂにおける音速をＶ１とし、第１の低音速領域Ｌａ及び第２の低音速領域Ｌｂにおける音速をＶ２としたときに、Ｖ２＜Ｖ１である。
　第１の開口部形成領域Ｆａにおける複数の第１の接続電極２４ｂは、複数の第１の電極指２５の延長線上に位置しており、複数の第２の電極指２７の延長線上には位置していない。それによって、中央領域Ｂにおける音速よりも第１の開口部形成領域Ｆａにおける音速が高い。このように、第１の開口部形成領域Ｆａにおいて第１の高音速領域Ｈａが構成されている。同様に、第２の開口部形成領域Ｆｂにおいて中央領域Ｂにおける音速よりも音速が高い、第２の高音速領域Ｈｂが構成されている。ここで、第１の高音速領域Ｈａ及び第２の高音速領域Ｈｂにおける音速をＶ３としたときに、Ｖ１＜Ｖ３である。なお、本明細書において、中央領域Ｂ、第１の低音速領域Ｌａ、第２の低音速領域Ｌｂ、第１の高音速領域Ｈａ及び第２の高音速領域Ｈｂにおいて比較している音速は、弾性波の第１の方向ｘにおける伝搬速度である。
　各領域における音速の関係は、Ｖ２＜Ｖ１＜Ｖ３となっている。上記のような各音速の関係を図５に示す。なお、図５における音速の関係を示す部分においては、矢印Ｖで示すように、各音速の高さを示す線が左側に位置するほど音速が高いことを示す。
　図２に示す、ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ、ＩＤＴ電極３Ｃ及びＩＤＴ電極３Ｄも、ＩＤＴ電極３Ｅと同様に構成されている。もっとも、各ＩＤＴ電極の設計パラメータは、所望の特性に応じて異なっていてもよい。第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａにおいては、第２の方向ｙにおいて、中央領域Ｂ、第１の低音速領域Ｌａ及び第１の高音速領域Ｈａがこの順序で配置されている。同様に、第２の方向ｙにおいて、中央領域Ｂ、第２の低音速領域Ｌｂ及び第２の高音速領域Ｈｂがこの順序で配置されている。このような音速関係を実現することによって、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａはピストンモードを利用している。それによって、Ｑ値を高め、弾性波のエネルギーを閉じ込め、かつ高次の横モードによるスプリアスを抑制している。もっとも、本発明に係る縦結合共振子型弾性波フィルタは、必ずしもピストンモードを利用していなくともよい。
　ＩＤＴ電極３Ａ、ＩＤＴ電極３Ｂ、ＩＤＴ電極３Ｃ、ＩＤＴ電極３Ｄ、ＩＤＴ電極３Ｅ、反射器８Ａ及び反射器８Ｂは、複数の金属層が積層された積層金属膜からなっていてもよく、あるいは、単層の金属膜からなっていてもよい。各ＩＤＴ電極及び各反射器は、例えば、リフトオフ法などにより形成することができる。
　図１に示す第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ｂも、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａと同様に構成されている。もっとも、各縦結合共振子型弾性波フィルタの設計パラメータは、所望のフィルタ特性に応じて異なっていてもよい。なお、本実施形態においては、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ｂは、同じ圧電性基板２において構成されている。
　同様に、第１の弾性波共振子Ｐ１及び第２の弾性波共振子Ｓ１も、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａが構成されている圧電性基板２において構成されている。第１の弾性波共振子Ｐ１及び第２の弾性波共振子Ｓ１は、圧電性基板２上に設けられているＩＤＴ電極及びＩＤＴ電極の第１の方向ｘ両側に配置された一対の反射器をそれぞれ有する。
　本実施形態の特徴は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ｂの各反射器が、複数の反射電極指の長さが第１の方向ｘにおいて変化している第１の部分を有することにある。それによって、通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきを抑制することができる。これを、本実施形態と比較例とを比較することにより、以下において説明する。
　第１の実施形態の構成を有するフィルタ装置及び比較例のフィルタ装置をそれぞれ３０個作製した。なお、比較例は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタの各反射器において、複数の反射電極指の長さが全て同じである点において、第１の実施形態と異なる。
　第１の実施形態及び比較例における各ＩＤＴ電極及び各反射器の材料及び厚み並びに圧電性基板の条件は以下の通りである。
　圧電体層の材料及び厚み：材料…ＬｉＴａＯ３、厚み…６００ｎｍ
　低音速膜の材料及び厚み：材料…ＳｉＯ２、厚み…７１０ｎｍ
　高音速膜の材料及び厚み：材料…ＳｉＮ、厚み…２００ｎｍ
　支持基板の材料：材料…Ｓｉ
　各ＩＤＴ電極及び各反射器の材料及び厚み：材料…Ａｌ、厚み…１５６ｎｍ
　第１の実施形態における各共振子の条件は下記の表１～表３の通りである。各表における反射器Ａ、ＩＤＴ電極Ａ、ＩＤＴ電極Ｂ、ＩＤＴ電極Ｃ、ＩＤＴ電極Ｄ、ＩＤＴ電極Ｅ及び反射器Ｂは、第１の方向ｘに沿いこの順序で配置された反射器及びＩＤＴ電極であることを示す。例えば、反射器Ａは図２における反射器８Ａに相当し、ＩＤＴ電極ＡはＩＤＴ電極３Ａに相当する。さらに、各表における、ＩＤＴ電極のデューティは、交叉領域におけるデューティを示す。反射器における電極指の対数は、第１の部分及び第２の部分における対数の合計である。なお、ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλとする。ここで、電極指ピッチは電極指中心間距離である。交叉領域の第２の方向ｙに沿う寸法を交叉幅とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　比較例における各共振子の条件は下記の表４～表６の通りである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　なお、表１～表６における交叉幅及び波長の単位はμｍである。上記各フィルタ装置の減衰量周波数特性をそれぞれ測定した。
　図７は、比較例の各フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。図８は、第１の実施形態の構成を有する各フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。
　図７に示すように、比較例においては、通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量が大きくばらついていることがわかる。これに対して、図８に示すように、第１の実施形態においては、通過帯域の低域側近傍の周波数域における減衰量のばらつきが小さいことがわかる。
　ここで、縦結合共振子型弾性波フィルタにおける複数のＩＤＴ電極の形成に際しては、圧電性基板の平坦性などの影響により、実際には電極指の幅にばらつきが生じる。高音速材料層及び圧電体層を含む圧電性基板が用いられる場合、Ｑ値を高めることはできるが、ＩＤＴ電極の電極指の幅のばらつきの減衰量に対する影響も大きくなる。そのため、比較例においては、電極指の幅のばらつきがわずかであっても、通過帯域の低域側近傍の周波数域における減衰量に大きなばらつきが生じることとなる。
　これに対して、図１に示す第１の実施形態のフィルタ装置１０は、高音速材料層及び圧電体層７を含む圧電性基板２を有することに加えて、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ｂの各反射器が重み付けされている。より具体的には、図３に示すように、反射器８Ｂにおいて、複数の第１の反射電極指１３の長さが、第１の方向ｘにおいて変化している。そのため、反射器８Ｂにおいて、第１の反射電極指１３の対数が第２の方向ｙにおいて実質的に変化している。第１の実施形態では、第２の方向ｙにおいて外側から内側に向かうほど、第１の反射電極指１３の対数が多くなっている。反射器８Ｂ以外の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ｂの各反射器においても同様である。これにより、ストップバンド外のレスポンスを分散させることができ、通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰特性をなだらかにすることができる。それによって、ＩＤＴ電極の電極指の幅のばらつきなどの、減衰量に対する影響を小さくすることができる。従って、Ｑ値を高めることができ、かつ通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきを抑制することができる。なお、圧電性基板が圧電体層７のみからなる圧電基板である場合においても、ＩＤＴ電極の電極指の幅のばらつきなどの、減衰量に対する影響を小さくすることができる。よって、この場合においても、通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきを抑制することができる。
　図３に示すように、反射器８Ｂは、第１の部分９ａに加えて第２の部分９ｂを有することが好ましい。第２の部分９ｂが第１の部分９ａより複数のＩＤＴ電極側に位置していることがより好ましい。それによって、反射器８Ｂの大型化を招くことなく、複数のＩＤＴ電極側に弾性波を好適に反射させることができる。図５及び図６に示すように、第１の方向ｘから見て、第２の部分９ｂにおける複数の第１の反射電極指１３が、第１のギャップ領域及び第２のギャップ領域の少なくとも一部に重なっていることがさらに好ましい。第１の方向ｘから見て、第２の部分９ｂにおける複数の第１の反射電極指１３が、第１のギャップ領域及び第２のギャップ領域の全部に重なっていることがさらにより好ましい。それによって、反射器８Ｂにより、複数のＩＤＴ電極側に弾性波をより確実に、好適に反射させることができる。反射器８Ｂ以外の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ｂの各反射器においても同様である。
　図３に示すように、第１の実施形態においては、第１の仮想線Ｊ及び第２の仮想線Ｋの両方が、第１の方向ｘに対して傾斜しており、かつ直線状である。なお、各反射器の重み付けの形態は上記に限定されない。例えば、図９に示す第１の変形例では、第１の部分３９ａにおいて、第１の仮想線Ｊ１が第１の方向ｘに対して傾斜しており、かつ曲線状である。なお、第１の反射器バスバー３４も曲線状である。他方、第２の仮想線Ｋ１及び第２の反射器バスバー３６は、第１の方向ｘに平行に延びている。この場合においても、第１の実施形態と同様に、Ｑ値を高めることができ、かつ通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきを抑制することができる。
　図１０は、第１の実施形態の第２の変形例における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器の平面図である。
　本変形例は、第１の方向ｘから見て、反射器の第１の部分４９ａにおける全ての第１の反射電極指１３が、第２の部分９ｂにおける開口部１４ｄ及び開口部１６ｄに重なっていない点において、第１の実施形態と異なる。本変形例においては、第１の部分４９ａにおける第１の反射電極指１３の長さは、第２の部分９ｂにおける第１の反射電極指１３の長さ以下である。第１の方向ｘから見て、第１の仮想線Ｊ２及び第２の仮想線Ｋ２の全ての部分が、第２の部分９ｂの第１の反射電極指１３に重なっている。
　本変形例のフィルタ装置も、第１の実施形態と同様の圧電性基板を有し、かつ第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタの各反射器が重み付けされている。よって、Ｑ値を高めることができ、かつ通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきを抑制することができる。
　図５に示すように、第１の実施形態においては、ＩＤＴ電極３Ｅの第１のバスバー２４には複数の第１の開口部２４ｄが形成されている。第１の高音速領域Ｈａは第１のバスバー２４における第１の開口部形成領域Ｆａにおいて構成されており、第１の低音速領域Ｌａは第１のエッジ領域Ｃａから第１の内側バスバー領域Ｅａにかけて構成されている。なお、第１のバスバー２４には、開口部は形成されていなくともよい。この場合には、第１の高音速領域Ｈａが第１のギャップ領域Ｄａにおいて構成されており、第１の低音速領域Ｌａが第１のエッジ領域Ｃａにおいて構成されていてもよい。同様に、第２のバスバー２６には、開口部は形成されていなくともよい。第２の高音速領域Ｈｂが第２のギャップ領域Ｄｂにおいて構成されており、第２の低音速領域Ｌｂが第２のエッジ領域Ｃｂにおいて構成されていてもよい。ＩＤＴ電極３Ｅ以外の、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａ及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ｂの各ＩＤＴ電極においても同様である。
　図４に示すように、第１の実施形態の圧電性基板２は、支持基板４、高音速膜５、低音速膜６及び圧電体層７がこの順序で積層された積層体からなる。圧電体層７は、高音速材料層としての高音速膜５上に、低音速膜６を介して間接的に設けられている。もっとも、圧電性基板２の構成は上記に限定されない。以下において、圧電性基板２の構成のみが第１の実施形態と異なる、第１の実施形態の第３の変形例及び第４の変形例を示す。第３の変形例及び第４の変形例においても、第１の実施形態と同様に、Ｑ値を高めることができ、かつ通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきを抑制することができる。
　図１１に示す第３の変形例においては、高音速材料層は高音速支持基板５４である。本変形例の圧電性基板５２Ａは、高音速支持基板５４と、高音速支持基板５４上に直接的に設けられている圧電体層７とを有する。
　高音速支持基板５４の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
　図１２に示す第４の変形例の圧電性基板５２Ｂは、高音速支持基板５４と、高音速支持基板５４上に設けられている低音速膜６と、低音速膜６上に設けられている圧電体層７とを有する。
　図１３は、第２の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタにおける反射器付近の平面図である。
　本実施形態の縦結合共振子型弾性波フィルタは、各反射器の構成が第１の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａと異なる。上記の点以外においては、本実施形態の縦結合共振子型弾性波フィルタは、第１の実施形態における第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａと同様の構成を有する。
　図１３に示すように、反射器６８Ｂの第１の部分６９ａにおいては、第１の仮想線Ｊ３は第１の方向ｘに平行に延びている。他方、第２の仮想線Ｋ３が第１の方向ｘに対して傾斜している。なお、複数の反射電極指の第２の反射器バスバー６６に接続されていない端部を第３の仮想線とした場合、第１の部分６９ａにおいて、第３の仮想線も第１の方向ｘに対して傾斜している。本実施形態の第１の反射器バスバー６４及び第２の反射器バスバー６６は開口部を有しない。
　反射器６８Ｂは、第１の反射電極指１３に加えて、複数の第２の反射電極指６５及び複数の第３の反射電極指６７を有する。複数の第２の反射電極指６５は、それぞれ第１の端部６５ａ及び第２の端部６５ｂを有する。第１の端部６５ａは第１の反射器バスバー６４に接続されており、第２の端部６５ｂは第２の反射器バスバー６６にギャップを隔てて対向している。同様に、複数の第３の反射電極指６７は、それぞれ第３の端部６７ａ及び第４の端部６７ｂを有する。第３の端部６７ａは第２の反射器バスバー６６に接続されており、第４の端部６７ｂは第１の反射器バスバー６４にギャップを隔てて対向している。複数の第２の反射電極指６５と複数の第３の反射電極指６７とは互いに間挿し合っている。
　本実施形態の反射器６８Ｂは、１本の第１の反射電極指１３を有する。第１の反射電極指１３は、複数の反射電極指のうち最も複数のＩＤＴ電極側に位置する反射電極指である。なお、第１の反射電極指１３の本数及び位置は上記に限定されない。
　第１の方向ｘから見て、第２の部分６９ｂにおける第１の反射電極指１３の一方端部、第２の反射電極指６５の第１の端部６５ａ及び第３の反射電極指６７の第４の端部６７ｂは、複数のＩＤＴ電極の第１のバスバーに重なっている。同様に、第１の方向ｘから見て、第２の部分６９ｂにおける第１の反射電極指１３の他方端部、第２の反射電極指６５の第２の端部６５ｂ及び第３の反射電極指６７の第３の端部６７ａは、複数のＩＤＴ電極の第２のバスバーに重なっている。これにより、第１の方向ｘから見て、第２の部分６９ｂにおける第１の反射電極指１３、複数の第２の反射電極指６５及び複数の第３の反射電極指６７が、第１のギャップ領域Ｄａ及び第２のギャップ領域Ｄｂの全部に重なっている。それによって、複数のＩＤＴ電極側に弾性波をより確実に、好適に反射させることができる。なお、第２の端部６５ｂ及び第４の端部６７ｂの位置は上記に限定されない。
　反射器６８Ｂと共に、複数のＩＤＴ電極を挟むように配置されている反射器も、反射器６８Ｂと同様の構成を有する。なお、該反射器は、第２の方向ｙに延びる対称軸に対して、反射器６８Ｂと略線対称に構成されている。
　本実施形態の縦結合共振子型弾性波フィルタも第１の実施形態と同様の圧電性基板を有し、かつ各反射器が重み付けされている。従って、Ｑ値を高めることができ、かつ通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきを抑制することができる。
　ところで、本実施形態の縦結合共振子型弾性波フィルタは、例えば、リフトオフ法により形成される。この詳細を以下において説明する。
　図１４は、第２の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタの製造方法の一例を説明するための、反射器に相当する部分付近を示す平面図である。図１５は、第２の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタの製造方法の一例を説明するための、反射器に相当する部分付近を示す平面図である。
　図１４に示すように、圧電性基板２を用意する。次に、圧電性基板２上にレジスト層を形成する。レジスト層は、例えば、印刷法やスピンコート法などにより形成することができる。次に、レジスト層を露光した後に現像することにより、レジストパターン６２を形成する。このとき、平面視において、レジストパターン６２における反射器の第２の反射電極指の第２の端部を形成する部分付近においてレジスト層が連なっている。レジストパターン６２における反射器の第３の反射電極指の第４の端部を形成する部分付近においてもレジスト層が連なっている。レジストパターン６２における他方の反射器に相当する部分においても同様である。これにより、各反射電極指間に相当する領域に加えて、各反射器バスバーと各反射電極指との間に相当する領域を設けることができる。よって、各反射器バスバー及び各反射電極指に囲まれた、連続した広い領域を設けることができる。
　次に、図１５に示すように、レジストパターン６２を覆うように、圧電性基板２上に各ＩＤＴ電極及び各反射器を形成するための金属膜６３を成膜する。金属膜６３は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法などにより形成することができる。
　次に、レジストパターン６２を剥離する。このとき、上述したように、レジストパターン６２における各反射器に相当する部分において、レジスト層が連なっている部分を有する。これにより、各反射器バスバー及び各反射電極指に囲まれた、連続した広い領域を設けることができ、レジストの剥離液がレジストに接触し易い。それによって、レジストパターン６２を容易に、かつより一層確実に剥離することができる。従って、本実施形態においては、レジストの残渣が生じ難い。
　さらに、本実施形態においては、図１３に示すように、第１の反射器バスバー６４及び第２の反射器バスバー６６の両方に接続されている、第１の反射電極指１３が設けられている。それによって、反射器６８Ｂにおける全ての反射電極指を同電位とすることができるため、反射器６８Ｂにおいて弾性波が励振されることを抑制することができる。反射器６８Ｂと共に、複数のＩＤＴ電極を挟むように配置されている反射器においても同様である。従って、通過帯域内におけるリップルを抑制することができる。
　上述したように、第１の反射電極指１３の本数及び位置は特に限定されない。例えば、図１６に示す第１の変形例においては、第１の反射電極指１３は、複数の反射電極指のうち、第１の方向ｘにおける中央付近に位置する反射電極指である。図１７に示す第２の実施形態の第２の変形例においては、第１の反射電極指１３は、複数の反射電極指のうち複数のＩＤＴ電極から最も遠い反射電極指である。
　図１３に示すように、本実施形態においては、複数の第２の反射電極指６５及び複数の第３の反射電極指６７は互いに間挿し合っているが、複数の第２の反射電極指６５及び複数の第３の反射電極指６７の配置はこれに限定されない。例えば、図１８に示す第２の実施形態の第３の変形例においては、第２の部分７９ｂにおいては、複数の第２の反射電極指６５が第１の方向ｘに連続して配置されている。同様に、複数の第３の反射電極指６７が第１の方向ｘに連続して配置されている。第１の部分６９ａにおいては、第２の実施形態と同様に、複数の第２の反射電極指６５及び複数の第３の反射電極指６７は互いに間挿し合っている。
　なお、反射器６８Ｂは、第２の反射電極指６５及び第３の反射電極指６７のうち一方と、第１の反射電極指１３とを有していてもよい。もっとも、反射器６８Ｂは、第２の反射電極指６５及び第３の反射電極指６７の両方と、第１の反射電極指１３とを有することが好ましい。それによって、反射器６８Ｂの対称性を高めることができ、フィルタ特性の劣化が生じ難い。
　以下においては、第１の反射電極指及びＩＤＴ電極の位置関係として、第１の方向から見て重なっていることを、単に重なっていると記載することがある。図５及び図６に示すように、第１の実施形態においては、反射器８Ｂの第１の部分９ａにおける、少なくとも最もＩＤＴ電極３Ｅ側に位置する第１の反射電極指１３は、第１の方向ｘから見て、交叉領域Ａ全体と重なっている。さらに、該第１の反射電極指１３は、第１の開口部形成領域Ｆａ及び第２の開口部形成領域Ｆｂの両方に重なるように延びている。他方、いずれの第１の反射電極指１３も、ＩＤＴ電極３Ｅの第１の外側バスバー領域Ｇａ及び第２の外側バスバー領域Ｇｂには重なっていない。よって、反射器８Ｂにおける重み付けされた部分は、中央領域Ｂ、第１のエッジ領域Ｃａ、第１のギャップ領域Ｄａ、第１の内側バスバー領域Ｅａ及び第１の開口部形成領域Ｆａに重なっている。さらに、反射器８Ｂにおける重み付けされた部分は、第２のエッジ領域Ｃｂ、第２のギャップ領域Ｄｂ、第２の内側バスバー領域Ｅｂ及び第２の開口部形成領域Ｆｂに重なっている。反射器８Ａにおいても同様である。
　以下に示す第３～第５の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタにおいては、反射器の重み付けされた部分の配置が第１の実施形態と異なる。これら第３～第５の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタと、比較例とのリターンロスを比較する。なお、比較例においては反射器の重み付けがされていない。
　図１９は、第３の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器及びＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。図２０は、第４の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器及びＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。図２１は、第５の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器及びＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。図２２は、比較例の縦結合共振子型弾性波フィルタの反射器及びＩＤＴ電極の一部を示す平面図である。なお、図２１中の二点鎖線は、反射器の重み付けされた部分とＩＤＴ電極との位置関係を示す。
　図１９に示すように、本実施形態は、反射器８８Ａにおける重み付けされた部分の配置が第１の実施形態の第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａと異なる。本実施形態は、第１の反射器バスバー８４及び第２の反射器バスバー８６が第１の方向ｘに平行に延びている点においても、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａと異なる。なお、反射器８８Ａの第１の部分８９ａにおいては、第１の仮想線Ｊ４及び第２の仮想線Ｋ４は第１の方向ｘに対して傾斜している。反射器８８Ａと共に、複数のＩＤＴ電極を挟むように配置されている反射器は、第２の方向ｙに延びる対称軸に対して、反射器８８Ａと略線対称に構成されている。上記の点以外においては、第３の実施形態の縦結合共振子型弾性波フィルタは第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ１Ａと同様の構成を有する。
　本実施形態においては、反射器８８Ａの重み付けされた部分の第２の方向ｙにおける範囲は、第１の実施形態における該範囲よりも広い。
　より具体的には、反射器８８Ａの第１の部分８９ａにおける、少なくとも最もＩＤＴ電極３Ａ側に位置する第１の反射電極指１３は、第１の方向ｘから見て、ＩＤＴ電極３Ａの交叉領域Ａ全体と重なっている。さらに、該第１の反射電極指１３は、第１の外側バスバー領域Ｇａ及び第２の外側バスバー領域Ｇｂの両方に重なるように延びている。複数の第１の反射電極指１３は、第１の方向ｘ外側に向かうにつれて短くなっている。このように、反射器８８Ａは重み付けされている。よって、反射器８８Ａにおける重み付けされた部分は、中央領域Ｂ、第１のエッジ領域Ｃａ、第１のギャップ領域Ｄａ、第１の内側バスバー領域Ｅａ、第１の開口部形成領域Ｆａ及び第１の外側バスバー領域Ｇａに重なっている。さらに、反射器８８Ａにおける重み付けされた部分は、第２のエッジ領域Ｃｂ、第２のギャップ領域Ｄｂ、第２の内側バスバー領域Ｅｂ、第２の開口部形成領域Ｆｂ及び第２の外側バスバー領域Ｇｂに重なっている。
　本実施形態においても、第２の方向ｙにおいて外側から内側に向かうほど、第１の反射電極指の対数が多くなっているため、第１の実施形態と同様に、ストップバンド外のレスポンスを分散させることができる。これにより、通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰特性をなだらかにすることができ、該周波数域において、減衰特性のばらつきを抑制することができる。加えて、本実施形態の縦結合共振子型弾性波フィルタは、図４に示す圧電性基板２と同様の圧電性基板を有するため、Ｑ値を高めることもできる。下記に示す第４の実施形態及び第５の実施形態においても同様に、Ｑ値を高めることができ、かつ通過帯域の低域側近傍の周波数域において、減衰量のばらつきを抑制することができる。
　図２０に示すように、第４の実施形態においては、反射器８８Ｃの重み付けされた部分の第２の方向ｙにおける範囲は、第３の実施形態における該範囲よりも狭い。
　より具体的には、反射器８８Ｃの第１の部分８９ｃにおける、複数の第１の反射電極指１３は、第１の方向ｘから見て、ＩＤＴ電極３Ａの中央領域Ｂに重なっている。さらに、第１の部分８９ｃにおける少なくとも最もＩＤＴ電極３Ａ側に位置する第１の反射電極指１３は、ＩＤＴ電極３Ａの第１のギャップ領域Ｄａ及び第２のギャップ領域Ｄｂの両方に重なるように延びている。他方、いずれの第１の反射電極指１３も、ＩＤＴ電極３Ａの第１の開口部形成領域Ｆａ及び第２の開口部形成領域Ｆｂには重なっていない。よって、反射器８８Ｃにおける重み付けされた部分は、第１の方向ｘから見て、中央領域Ｂ、第１のエッジ領域Ｃａ、第１のギャップ領域Ｄａ、第２のエッジ領域Ｃｂ及び第２のギャップ領域Ｄｂに重なっている。他方、反射器８８Ｃにおける重み付けされた部分は、第１の開口部形成領域Ｆａ及び第２の開口部形成領域Ｆｂには重なっていない。
　図２１に示すように、第５の実施形態においては、反射器８８Ｅの重み付けされた部分の第２の方向ｙにおける範囲は、第４の実施形態における該範囲よりも狭い。
　より具体的には、反射器８８Ｅの第１の部分８９ｅにおける複数の第１の反射電極指１３は、第１の方向ｘから見て、ＩＤＴ電極３Ａの中央領域Ｂに重なっている。他方、図２１中の二点鎖線に示すように、いずれの第１の反射電極指１３も、ＩＤＴ電極３Ａの第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂには重なっていない。よって、反射器８８Ｅにおける重み付けされた部分は、第１の方向ｘから見て、中央領域Ｂに重なっており、かつ第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂには重なっていない。
　図２２に示すように、比較例においては、反射器１０８Ａに重み付けはされていない。
　図２３は、第３の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタのリターンロスを示す図である。図２４は、第４の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタのリターンロスを示す図である。図２５は、第５の実施形態に係る縦結合共振子型弾性波フィルタのリターンロスを示す図である。図２６は、比較例の縦結合共振子型弾性波フィルタのリターンロスを示す図である。
　図２３～図２６に示すように、それぞれの縦結合共振子型弾性波フィルタにおいて、通過帯域の低域側近傍の、一点鎖線の円に示す周波数域において、リップルが生じている。ここで、図２３～図２５がリターンロスを示す縦結合共振子型弾性波フィルタにおいては、図２３、図２４及び図２５の順序において、反射器における重み付けされた部分の第２の方向における範囲が狭くなっていく。図２３～図２５に示すように、該範囲が狭いほど、通過帯域の低域側近傍の周波数域において、リップルが小さくなっていくことがわかる。
　他方、図２６に示すように、比較例の縦結合共振子型弾性波フィルタは、各実施形態の縦結合共振子型弾性波フィルタよりもリップルが大きい。このように、本発明においては、通過帯域の低域側近傍の周波数域における減衰量のばらつきの抑制できるだけでなく、リップルを抑制することもできる。第３～第５の実施形態においては、圧電性基板２が積層基板である例を示した。もっとも、弾性波装置が第３～第５の実施形態のうちのいずれかの電極構成を有しており、かつ圧電性基板２が圧電体層のみからなる圧電基板であってもよい。この場合においても、リップルを抑制することができる。本発明に係る縦結合共振子型弾性波フィルタをフィルタ装置に用いることにより、共通接続された他のフィルタに対するリップルの影響を抑制することもできる。
１Ａ，１Ｂ…第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ
２…圧電性基板
３Ａ～３Ｅ…ＩＤＴ電極
４…支持基板
５…高音速膜
６…低音速膜
７…圧電体層
８Ａ，８Ｂ…反射器
９ａ，９ｂ…第１，第２の部分
１０…フィルタ装置
１３…第１の反射電極指
１４…第１の反射器バスバー
１４ｄ…開口部
１６…第２の反射器バスバー
１６ｄ…開口部
１７Ａ，１７Ｂ…第１，第２の信号端子
２４…第１のバスバー
２４ａ…第１の内側バスバー部
２４ｂ…第１の接続電極
２４ｃ…第１の外側バスバー部
２４ｄ…第１の開口部
２５…第１の電極指
２５ａ，２５ｂ…第１，第２の幅広部
２６…第２のバスバー
２６ａ…第２の内側バスバー部
２６ｂ…第２の接続電極
２６ｃ…第２の外側バスバー部
２６ｄ…第２の開口部
２７…第２の電極指
２７ａ，２７ｂ…第１，第２の幅広部
３４，３６…第１，第２の反射器バスバー
３９ａ…第１の部分
４４，４６…第１，第２の反射器バスバー
４９ａ…第１の部分
５２Ａ，５２Ｂ…圧電性基板
５４…高音速支持基板
６２…レジストパターン
６３…金属膜
６４…第１の反射器バスバー
６５…第２の反射電極指
６５ａ，６５ｂ…第１，第２の端部
６６…第２の反射器バスバー
６７…第３の反射電極指
６７ａ，６７ｂ…第３，第４の端部
６８Ｂ…反射器
６９ａ，６９ｂ…第１，第２の部分
７９ｂ…第２の部分
８４…第１の反射器バスバー
８６…第２の反射器バスバー
８８Ａ，８８Ｃ，８８Ｅ…反射器
８９ａ，８９ｃ，８９ｅ…第１の部分
１０８Ａ…反射器
Ａ…交叉領域
Ｂ…中央領域
Ｃａ，Ｃｂ…第１，第２のエッジ領域
Ｄａ，Ｄｂ…第１，第２のギャップ領域
Ｅａ，Ｅｂ…第１，第２の内側バスバー領域
Ｆａ，Ｆｂ…第１，第２の開口部形成領域
Ｇａ，Ｇｂ…第１，第２の外側バスバー領域
Ｈａ，Ｈｂ…第１，第２の高音速領域
Ｌａ，Ｌｂ…第１，第２の低音速領域
Ｐ１…第１の弾性波共振子
Ｓ１…第２の弾性波共振子

Claims (18)

  1. 　圧電性基板と、
    　前記圧電性基板上に設けられており、弾性波伝搬方向に沿い配置されている複数のＩＤＴ電極と、
    　前記圧電性基板上において、前記複数のＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている一対の反射器と、
    を備え、
    　前記反射器が、対向し合う第１の反射器バスバー及び第２の反射器バスバーと、前記第１の反射器バスバー及び前記第２の反射器バスバーのうち少なくとも一方に接続されている複数の反射電極指と、を有し、
    　前記反射器が、前記複数の反射電極指の長さが弾性波伝搬方向において変化している第１の部分を有する、縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  2. 　前記反射器の前記第１の部分において、前記複数の反射電極指の長さが、前記ＩＤＴ電極側から弾性波伝搬方向外側に向かうにつれて短くなっている、請求項１に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  3. 　前記複数の反射電極指の前記第１の反射器バスバーに接続された端部を結ぶことにより形成される仮想線を第１の仮想線とし、前記複数の反射電極指の前記第２の反射器バスバーに接続された端部を結ぶことにより形成される仮想線を第２の仮想線としたときに、前記第１の部分において、前記第１の仮想線及び前記第２の仮想線のうち少なくとも一方が弾性波伝搬方向に対して傾斜している、請求項１または２に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  4. 　前記反射器が、前記複数の反射電極指の長さが弾性波伝搬方向において一定である、第２の部分を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  5. 　前記反射器において、前記第２の部分が前記第１の部分よりも前記複数のＩＤＴ電極側に位置する、請求項４に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  6. 　前記反射器の前記複数の反射電極指が、一端が前記第１の反射器バスバーに接続されており、他端が前記第２の反射器バスバーに接続されている第１の反射電極指と、一端が前記第１の反射器バスバーに接続されており、他端が前記第２の反射器バスバーとギャップを隔てて対向している第２の反射電極指と、を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  7. 　前記反射器の前記複数の反射電極指が、一端が前記第２の反射器バスバーに接続されており、他端が前記第１の反射器バスバーとギャップを隔てて対向している第３の反射電極指を有する、請求項６に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  8. 　前記複数のＩＤＴ電極が、対向し合う第１のバスバー及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一端が接続された複数の第１の電極指と、前記第２のバスバーに一端が接続されており、かつ前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指と、をそれぞれ有し、
    　前記第１の電極指と前記第２の電極指とが弾性波伝搬方向において重なり合っている部分が交叉領域であり、前記交叉領域が、弾性波伝搬方向に直交する方向における中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記第１のバスバー側に配置されている第１のエッジ領域と、前記中央領域の前記第２のバスバー側に配置されている第２のエッジ領域と、を有し、
    　前記複数のＩＤＴ電極が、前記第１のエッジ領域及び前記第１のバスバーの間に位置する第１のギャップ領域と、前記第２のエッジ領域及び前記第２のバスバーの間に位置する第２のギャップ領域と、を有し、
    　前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域において、前記中央領域よりも音速が低い低音速領域がそれぞれ構成されている、請求項１～７のいずれか１項に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  9. 　前記ＩＤＴ電極の前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーが、弾性波伝搬方向に沿い複数の開口部が設けられている開口部形成領域をそれぞれ有し、
    　前記各開口部形成領域において、前記中央領域よりも音速が高い高音速領域がそれぞれ構成されている、請求項８に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  10. 　前記反射器の前記第１の部分における前記複数の反射電極指が、弾性波伝搬方向から見て、前記ＩＤＴ電極の前記中央領域に重なっており、かつ前記第１のエッジ領域及び前記第２のエッジ領域には重なっていない、請求項８または９に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  11. 　前記反射器の前記第１の部分における前記複数の反射電極指が、弾性波伝搬方向から見て、前記ＩＤＴ電極の前記中央領域に重なっており、前記第１の部分における少なくとも最も前記ＩＤＴ電極側に位置する前記反射電極指が、前記第１のギャップ領域及び前記第２のギャップ領域の両方に重なるように延びており、いずれの前記反射電極指も、弾性波伝搬方向から見て、前記開口部形成領域に重なっていない、請求項９に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  12. 　前記ＩＤＴ電極の前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーが、前記各開口部形成領域の、弾性波伝搬方向に直交する方向における外側に位置する外側バスバー領域を有し、
    　前記反射器の前記第１の部分における前記複数の反射電極指が、弾性波伝搬方向から見て、前記ＩＤＴ電極の前記中央領域に重なっており、前記第１の部分における少なくとも最も前記ＩＤＴ電極側に位置する前記反射電極指が、両方の前記開口部形成領域に重なるように延びており、いずれの前記反射電極指も、弾性波伝搬方向から見て、前記外側バスバー領域に重なっていない、請求項９に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  13. 　前記ＩＤＴ電極の前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーが、前記各開口部形成領域の、弾性波伝搬方向に直交する方向における外側に位置する外側バスバー領域を有し、
    　前記反射器の前記第１の部分における少なくとも最も前記ＩＤＴ電極側に位置する前記反射電極指が、弾性波伝搬方向から見て、前記ＩＤＴ電極の前記交叉領域全体と重なっており、該反射電極指が、両方の前記外側バスバー領域に重なるように延びている、請求項９に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  14. 　前記圧電性基板が、高音速材料層と、前記高音速材料層上に直接的または間接的に設けられている圧電体層と、を有し、
    　前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項１～１３のいずれか１項に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  15. 　前記高音速材料層と前記圧電体層との間に設けられている低音速膜をさらに備え、
    　前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項１４に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  16. 　前記高音速材料層が高音速支持基板である、請求項１４または１５に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  17. 　支持基板をさらに備え、
    　前記高音速材料層が、前記支持基板と前記低音速膜との間に設けられている高音速膜である、請求項１５に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタ。
  18. 　請求項１～１７のいずれか１項に記載の縦結合共振子型弾性波フィルタと、
    　前記縦結合共振子型弾性波フィルタ以外の少なくとも１つ以上の共振子と、
    を備える、フィルタ装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7231007B2 (ja) * 2019-03-06 2023-03-01 株式会社村田製作所 フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009218812A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Fujitsu Media Device Kk 弾性波フィルタ
WO2015182522A1 (ja) * 2014-05-26 2015-12-03 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2015198904A1 (ja) * 2014-06-26 2015-12-30 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5024388B2 (ja) * 2007-12-11 2012-09-12 株式会社村田製作所 表面波装置及びデュプレクサ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009218812A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Fujitsu Media Device Kk 弾性波フィルタ
WO2015182522A1 (ja) * 2014-05-26 2015-12-03 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2015198904A1 (ja) * 2014-06-26 2015-12-30 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024085062A1 (ja) * 2022-10-19 2024-04-25 株式会社村田製作所 弾性波装置及び弾性波素子

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