CN113632377A - 纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及滤波器装置 - Google Patents

纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及滤波器装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够在通带的低频侧附近的频带中抑制衰减量的偏差的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器。本发明的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器具备：压电性基板；多个IDT电极，设置在压电性基板上，并沿着弹性波传播方向配置；以及一对反射器，在压电性基板上设置在多个IDT电极的弹性波传播方向两侧。反射器(8B)具有相互对应的第1反射器汇流条(14)、第2反射器汇流条(16)和与第1反射器汇流条(14)以及第2反射器汇流条(16)中的至少一者连接的多个第1反射电极指(13)。反射器(8B)具有多个第1反射电极指(13)的长度在弹性波传播方向上变化的第1部分(9a)。

Description

纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及滤波器装置
技术领域
本发明涉及纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及滤波器装置。
背景技术
以往，纵向耦合谐振器型弹性波滤波器被广泛用于便携式电话机的滤波器等。在下述的专利文献1公开了纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的一个例子。在该纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中，依次层叠有高声速构件、低声速膜以及压电膜。在压电膜上设置有多个IDT电极(InterDigital Transducer，叉指换能器)以及反射器。通过设置上述层叠构造，从而提高了Q值。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2015/198904号
发明内容
发明要解决的课题
在进行纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的IDT电极的图案化时，实际上会产生电极指的宽度的偏差。因此，特别是在通带的低频侧附近的频带中，产生衰减量的偏差。起因于此，担心上述频带中的衰减特性劣化。进而，在具有上述层叠构造的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中，由于压电膜的平坦性等的影响，电极指的宽度的偏差变得特别大。因而，即使能够提高Q值，在通带的低频侧附近的频带中衰减量的偏差也更大，控制变得困难。
本发明的目的在于，提供一种能够在通带的低频侧附近的频带中抑制衰减量的偏差的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及滤波器装置。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器具备：压电性基板；多个IDT电极，设置在所述压电性基板上，并沿着弹性波传播方向配置；以及一对反射器，在所述压电性基板上设置在所述多个IDT电极的弹性波传播方向两侧，所述反射器具有：第1反射器汇流条以及第2反射器汇流条，相互对置；以及多个反射电极指，与所述第1反射器汇流条以及所述第2反射器汇流条中的至少一者连接，所述反射器具有所述多个反射电极指的长度在弹性波传播方向上变化的第1部分。
本发明涉及的滤波器装置具备：按照本发明构成的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器；以及所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以外的至少一个以上的谐振器。
发明效果
根据本发明涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及滤波器装置，能够提高Q值，且能够在通带的低频侧附近的频带中抑制衰减量的偏差。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式涉及的滤波器装置的电路图。
图2是示出本发明的第1实施方式涉及的滤波器装置的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器附近的简图式俯视图。
图3是本发明的第1实施方式中的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器的俯视图。
图4是本发明的第1实施方式涉及的滤波器装置的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器附近的简图式主视剖视图。
图5是本发明的第1实施方式涉及的滤波器装置的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的IDT电极附近的俯视图。
图6是本发明的第1实施方式涉及的滤波器装置的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的反射器以及IDT电极附近的俯视图。
图7是示出比较例的各滤波器装置的衰减量频率特性的图。
图8是示出具有本发明的第1实施方式的结构的各滤波器装置的衰减量频率特性的图。
图9是本发明的第1实施方式的第1变形例中的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器的俯视图。
图10是本发明的第1实施方式的第2变形例中的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器的俯视图。
图11是本发明的第1实施方式的第3变形例涉及的滤波器装置的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器附近的简图式主视剖视图。
图12是本发明的第1实施方式的第4变形例涉及的滤波器装置的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器附近的简图式主视剖视图。
图13是本发明的第2实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的反射器附近的俯视图。
图14是用于说明本发明的第2实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的制造方法的一个例子的、示出相当于反射器的部分附近的俯视图。
图15是用于说明本发明的第2实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的制造方法的一个例子的、示出相当于反射器的部分附近的俯视图。
图16是本发明的第2实施方式的第1变形例涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的反射器附近的俯视图。
图17是本发明的第2实施方式的第2变形例涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的反射器附近的俯视图。
图18是本发明的第2实施方式的第3变形例涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的反射器附近的俯视图。
图19是示出本发明的第3实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器以及IDT电极的一部分的俯视图。
图20是示出本发明的第4实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器以及IDT电极的一部分的俯视图。
图21是示出本发明的第5实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器以及IDT电极的一部分的俯视图。
图22是示出比较例的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器以及IDT电极的一部分的俯视图。
图23是示出本发明的第3实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的回波损耗的图。
图24是示出本发明的第4实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的回波损耗的图。
图25是示出本发明的第5实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的回波损耗的图。
图26是示出比较例的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的回波损耗的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，由此明确本发明。
另外，需要指出，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第1实施方式涉及的滤波器装置的电路图。另外，通过在矩形添加了两条对角线的简图来示出图1中的后述的反射器的部分。
滤波器装置10具有第1信号端子17A以及第2信号端子17B。滤波器装置10具有在第1信号端子17A以及第2信号端子17B之间相互并联地连接的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1B。第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1B这两者均为本实施方式的一个实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器。
滤波器装置10具有连接在第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1B与第1信号端子17A之间的连接点和接地电位之间的第1弹性波谐振器P1。进而，滤波器装置10具有连接在第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1B与第2信号端子17B之间的第2弹性波谐振器S1。另外，滤波器装置10的电路结构并不限定于上述电路结构，只要具有至少一个本发明涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及该纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以外的谐振器即可。
本实施方式的滤波器装置10是带通型滤波器，通带为Band3的接收频带，为1805MHz～1880MHz。不过，滤波器装置10的通带并不限定于上述通带。或者，本发明涉及的滤波器装置也可以是双工器、多工器。
图2是示出第1实施方式涉及的滤波器装置的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器附近的简图式俯视图。在图2中，通过在多边形添加了两条对角线的简图来示出后述的IDT电极以及反射器。在图2中，省略了与第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A连接的布线。
第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A具有压电性基板2和设置在压电性基板2上的IDT电极3A、IDT电极3B、IDT电极3C、IDT电极3D以及IDT电极3E。通过在IDT电极施加交流电压，从而激励弹性波。在本说明书中，将弹性波传播方向设为第1方向x，将与第1方向x正交的方向设为第2方向y。
沿着第1方向x依次配置有IDT电极3A、IDT电极3B、IDT电极3C、IDT电极3D以及IDT电极3E。在压电性基板2上，在上述的多个IDT电极的第1方向x两侧设置有一对反射器8A以及反射器8B。更具体地，与IDT电极3A相邻地配置有反射器8A，与IDT电极3E相邻地配置有反射器8B。像这样，第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A是5IDT型的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器。不过，第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A并不限定于5IDT型，例如，也可以是3IDT型、7IDT型等。
图3是第1实施方式中的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器的俯视图。
反射器8B具有相互对置的第1反射器汇流条14以及第2反射器汇流条16和多个反射电极指。更具体地，本实施方式的多个反射电极指是与第1反射器汇流条14以及第2反射器汇流条16的双方连接的多个第1反射电极指13。多个第1反射电极指13的一端部分别与第1反射器汇流条14连接，另一端部分别与第2反射器汇流条16连接。
反射器8B具有多个第1反射电极指13的长度在第1方向x上变化的第1部分9a。更具体地，在第1部分9a中，第1反射电极指13随着朝向第1方向x外侧而变短。像这样，反射器8B是被加权的反射器。
在此，将通过对多个反射电极指的与第1反射器汇流条14连接的端部进行连结而形成的假想线设为第1假想线J。将通过对多个反射电极指的与第2反射器汇流条16连接的端部进行连结而形成的假想线设为第2假想线K。在本实施方式中，在第1部分9a中，第1假想线J以及第2假想线K的双方相对于第1方向x倾斜。更具体地，第1假想线J延伸为越朝向第1方向x外侧就越接近第2反射器汇流条16。第2假想线K延伸为越朝向第1方向x外侧就越接近第1反射器汇流条14。另外，只要第1假想线J以及第2假想线K中的至少一者相对于第1方向x倾斜即可。
反射器8B具有多个反射电极指的长度在第1方向x上固定的第2部分9b。在第2部分9b中，第1假想线J以及第2假想线K与第1方向x平行地延伸。第2部分9b位于比第1部分9a靠多个IDT电极侧。另外，第1部分9a以及第2部分9b的位置关系并不限定于上述位置关系。
在本实施方式中，在第2部分9b中，在第1反射器汇流条14沿着第1方向x设置有多个开口部14d。在第2反射器汇流条16也沿着第1方向x设置有多个开口部16d。从第1方向x观察，第1部分9a中的多个第1反射电极指13之中至少位于最靠第2部分9b侧的第1反射电极指13与开口部14d以及开口部16d重叠。另外，从第1方向x观察，第1部分9a中的反射电极指和开口部14d以及开口部16d也可以不重叠。或者，第1反射器汇流条14以及第2反射器汇流条16也可以不具有开口部14d以及开口部16d。反射器8B也可以不具有第2部分9b而仅由第1部分9a构成。
图2所示的反射器8A也具有与反射器8B同样的结构。另外，反射器8A构成为相对于在第2方向y上延伸的对称轴与反射器8B大致线对称。更具体地，反射器8A具有相互对置的第1反射器汇流条以及第2反射器汇流条、和与第1反射器汇流条以及第2反射器汇流条的双方连接的多个第1反射电极指。反射器8A具有第1反射电极指随着朝向第1方向x外侧而变短的第1部分。像这样，反射器8A是被加权的反射器。
图4是第1实施方式涉及的滤波器装置的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器附近的简图式主视剖视图。在图4中，通过在矩形添加了两条对角线的简图来示出IDT电极以及反射器。
本实施方式的压电性基板2具有支承基板4、设置在支承基板4上的作为高声速材料层的高声速膜5、设置在高声速膜5上的低声速膜6、以及设置在低声速膜6上的压电体层7。不过，压电性基板2也可以是仅包含压电体层7的压电基板。
作为压电体层7的材料，例如，能够使用钽酸锂、铌酸锂等压电单晶或适当的压电陶瓷。
低声速膜6是相对低声速的膜。更具体地，在低声速膜6传播的体波的声速比在压电体层7传播的体波的声速低。在本实施方式中，低声速膜6是氧化硅膜。氧化硅用SiOx来表示。x是任意的正数。在第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A中，构成低声速膜6的氧化硅为SiO2。另外，低声速膜6的材料并不限定于上述材料，例如，能够使用以玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或在氧化硅中添加了氟、碳、硼的化合物为主成分的材料。
在本实施方式中，高声速材料层是高声速膜5。高声速材料层是相对高声速的层。更具体地，在高声速材料层传播的体波(bulk wave)的声速比在压电体层7传播的弹性波的声速高。作为高声速膜5的材料，例如，能够使用氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、方铝红柱石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC(类金刚石碳)膜或金刚石等、以上述材料为主成分的介质。
作为支承基板4的材料，例如，能够使用氧化铝、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、蓝宝石、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、方铝红柱石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、金刚石、玻璃等电介质、硅、氮化镓等半导体或树脂等。
压电性基板2具有依次层叠了高声速膜5、低声速膜6以及压电体层7的层叠构造，因此能够有效地提高Q值，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层7侧。
在此，第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A是利用活塞模式(piston mode)的弹性波装置。参照示出多个IDT电极中的一个IDT电极的下述的图5对本实施方式的IDT电极的结构的细节进行说明。
图5是第1实施方式涉及的滤波器装置的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的IDT电极附近的俯视图。图6是第1实施方式涉及的滤波器装置的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的反射器以及IDT电极附近的俯视图。另外，在图5中，省略了图5所示的IDT电极附近的IDT电极以及反射器。在图5以及图6中，省略了与纵向耦合谐振器型弹性波滤波器连接的布线。
如图5所示，IDT电极3E具有相互对置的第1汇流条24以及第2汇流条26。在第1汇流条24沿着第1方向x设置有多个第1开口部24d。在第2汇流条26也沿着第1方向x设置有多个第2开口部26d。如图6所示，在本实施方式中，从第1方向x观察，第1开口部24d和第1反射器汇流条14的开口部14d重叠。从第1方向x观察，第2开口部26d和第2反射器汇流条16的开口部16d重叠。
返回到图5，IDT电极3E具有一端部分别与第1汇流条24连接的多个第1电极指25。第1电极指25的另一端部与第2汇流条26隔着缝隙对置。IDT电极3E具有一端部分别与第2汇流条26连接的多个第2电极指27。第2电极指27的另一端部与第1汇流条24隔着缝隙对置。多个第1电极指25和多个第2电极指27彼此相互交错对插。
在IDT电极3E中，第1电极指25和第2电极指27在第1方向x上重叠的部分为交叉区域A。交又区域A具有位于第2方向y上的中央侧的中央区域B。
交叉区域A具有配置在中央区域B的第1汇流条24侧的第1边缘区域Ca和配置在中央区域B的第2汇流条26侧的第2边缘区域Cb。IDT电极3E具有位于第1边缘区域Ca与第1汇流条24之间的第1缝隙区域Da和位于第2边缘区域Cb与第2汇流条26之间的第2缝隙区域Db。
IDT电极3E的第1汇流条24具有位于交叉区域A侧的第1内侧汇流条区域Ea和位于第1内侧汇流条区域Ea的第2方向y上的外侧的第1外侧汇流条区域Ga。第1汇流条24中的位于第1内侧汇流条区域Ea的部分为第1内侧汇流条部24a，位于第1外侧汇流条区域Ga的部分为第1外侧汇流条部24c。第1汇流条24具有位于第1内侧汇流条区域Ea与第1外侧汇流条区域Ga之间且设置了上述多个第1开口部24d的第1开口部形成区域Fa。另外，第1汇流条24具有对第1内侧汇流条部24a以及第1外侧汇流条部24c进行连接的多个第1连接电极24b。多个第1开口部24d是被第1内侧汇流条部24a、第1外侧汇流条部24c以及多个第1连接电极24b包围的开口部。
多个第1连接电极24b延伸为位于多个第1电极指25的延长线上。在此，将电极指的沿着第1方向x的尺寸设为宽度。第1连接电极24b的宽度与第1电极指25的宽度相同。另外，多个第1连接电极24b的配置并不限定于上述配置，例如，也可以延伸为位于多个第2电极指27的延长线上。第1连接电极24b的宽度也可以与第1电极指25的宽度不同。
同样地，IDT电极3E的第2汇流条26具有第2内侧汇流条区域Eb、第2外侧汇流条区域Gb以及形成了上述多个第2开口部26d的第2开口部形成区域Fb。位于第2内侧汇流条区域Eb的部分为第2内侧汇流条部26a，位于第2外侧汇流条区域Gb的部分为第2外侧汇流条部26c。第2汇流条26具有对第2内侧汇流条部26a以及第2外侧汇流条部26c进行连接的多个第2连接电极26b。多个第2开口部26d是被第2内侧汇流条部26a、第2外侧汇流条部26c以及多个第2连接电极26b包围的开口部。
IDT电极3E的第1电极指25在位于第1边缘区域Ca的部分具有宽度比位于中央区域B的部分宽的第1宽宽度部25a。同样地，第2电极指27在位于第1边缘区域Ca的部分具有第1宽宽度部27a。由此，第1边缘区域Ca中的声速比中央区域B中的声速低。像这样，从第1边缘区域Ca到第1内侧汇流条区域Ea构成了平均声速比中央区域B中的声速低的第1低声速区域La。
第1电极指25在位于第2边缘区域Cb的部分具有宽度比位于中央区域B的部分宽的第2宽宽度部25b。同样地，第2电极指27在位于第2边缘区域Cb的部分具有第2宽宽度部27b。像这样，从第2边缘区域Cb到第2内侧汇流条区域Eb构成了平均声速比中央区域B中的声速低的第2低声速区域Lb。
另外，也可以是，第1电极指25以及第2电极指27中的至少一者具有第1宽宽度部25a或第1宽宽度部27a。也可以是，第1电极指25以及第2电极指27中的至少一者具有第2宽宽度部25b或第2宽宽度部27b。或者，也可以通过在第1电极指25以及第2电极指27中的至少一者的位于第1边缘区域Ca的部分设置质量附加膜，从而设置第1低声速区域La。在第2边缘区域Cb中也是同样的。也可以通过设置第1宽宽度部25a、第1宽宽度部27a、第2宽宽度部25b、第2宽宽度部27b以及质量附加膜，从而构成第1低声速区域La以及第2低声速区域Lb。
在此，在将中央区域B中的声速设为V1并将第1低声速区域La以及第2低声速区域Lb中的声速设为V2时，V2＜V1。
第1开口部形成区域Fa中的多个第1连接电极24b位于多个第1电极指25的延长线上，且不位于多个第2电极指27的延长线上。由此，第1开口部形成区域Fa中的声速比中央区域B中的声速高。像这样，在第1开口部形成区域Fa中构成了第1高声速区域Ha。同样地，在第2开口部形成区域Fb中构成了声速比中央区域B中的声速高的第2高声速区域Hb。在此，在将第1高声速区域Ha以及第2高声速区域Hb中的声速设为V3时，V1＜V3。另外，在本说明书中，在中央区域B、第1低声速区域La、第2低声速区域Lb、第1高声速区域Ha以及第2高声速区域Hb中进行比较的声速是弹性波的第1方向x上的传播速度。
各区域中的声速的关系成为V2＜V1＜V3。将如上所述的各声速的关系示于图5。另外，在图5中的示出声速的关系的部分中，如箭头V所示，示出各声速的高度的线位于越靠左侧的位置，表示声速越高。
图2所示的IDT电极3A、IDT电极3B、IDT电极3C以及IDT电极3D也与IDT电极3E同样地构成。不过，各IDT电极的设计参数也可以根据所希望的特性而不同。在第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A中，在第2方向y上依次配置有中央区域B、第1低声速区域La以及第1高声速区域Ha。同样地，在第2方向y上依次配置有中央区域B、第2低声速区域Lb以及第2高声速区域Hb。通过实现这样的声速关系，从而第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A利用了活塞模式。由此，提高Q值、封闭弹性波的能量且抑制了由高阶的横模造成的杂散。不过，本发明涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器未必一定要利用活塞模式。
IDT电极3A、IDT电极3B、IDT电极3C、IDT电极3D、IDT电极3E、反射器8A以及反射器8B可以包含层叠了多个金属层的层叠金属膜，或者也可以包含单层的金属膜。各IDT电极以及各反射器例如能够通过剥离法等来形成。
图1所示的第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1B也与第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A同样地构成。不过，各纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的设计参数也可以根据所希望的滤波器特性而不同。另外，在本实施方式中，第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1B在相同的压电性基板2中构成。
同样地，第1弹性波谐振器P1以及第2弹性波谐振器S1也在构成了第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A的压电性基板2中构成。第1弹性波谐振器P1以及第2弹性波谐振器S1分别具有设置在压电性基板2上的IDT电极以及配置在IDT电极的第1方向x两侧的一对反射器。
本实施方式的特征在于，第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1B的各反射器具有多个反射电极指的长度在第1方向x上变化的第1部分。由此，能够在通带的低频侧附近的频带中抑制衰减量的偏差。以下，通过对本实施方式和比较例进行比较，从而对此进行说明。
分别制作了30个具有第1实施方式的结构的滤波器装置以及比较例的滤波器装置。另外，比较例与第1实施方式的不同点在于，在第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的各反射器中，多个反射电极指的长度全部相同。
第1实施方式以及比较例中的各IDT电极以及各反射器的材料以及厚度和压电性基板的条件如下。
压电体层的材料以及厚度：材料为LiTaO3，厚度为600nm
低声速膜的材料以及厚度：材料为SiO2，厚度为710nm
高声速膜的材料以及厚度：材料为SiN，厚度为200nm
支承基板的材料：材料为Si
各IDT电极以及各反射器的材料以及厚度：材料为Al，厚度为156nm
第1实施方式中的各谐振器的条件如下述的表1～表3。各表中的反射器A、IDT电极A、IDT电极B、IDT电极C、IDT电极D、IDT电极E以及反射器B表示是沿着第1方向x依次配置的反射器以及IDT电极。例如，反射器A相当于图2中的反射器8A，IDT电极A相当于IDT电极3A。进而，各表中的IDT电极的占空比表示交叉区域中的占空比。反射器中的电极指的对数是第1部分以及第2部分中的对数的合计。另外，将由IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ。在此，电极指间距是电极指中心间距离。将交叉区域的沿着第2方向y的尺寸设为交叉宽度。
[表1]
Figure BDA0003273174850000121
[表2]
Figure BDA0003273174850000122
[表3]
Figure BDA0003273174850000123
比较例中的各谐振器的条件如下述的表4～表6。
[表4]
Figure BDA0003273174850000124
[表5]
Figure BDA0003273174850000131
[表6]
Figure BDA0003273174850000132
另外，表1～表6中的交叉宽度以及波长的单位为μm。分别测定了上述各滤波器装置的衰减量频率特性。
图7是示出比较例的各滤波器装置的衰减量频率特性的图。图8是示出具有第1实施方式的结构的各滤波器装置的衰减量频率特性的图。
如图7所示，可知在比较例中，在通带的低频侧附近的频带中，衰减量产生了大的偏差。相对于此，如图8所示，可知在第1实施方式中，通带的低频侧附近的频带中的衰减量的偏差小。
在此，在形成纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的多个IDT电极时，由于压电性基板的平坦性等的影响，实际上电极指的宽度会产生偏差。在使用包含高声速材料层以及压电体层的压电性基板的情况下，虽然能够提高Q值，但是IDT电极的电极指的宽度的偏差对衰减量的影响也变大。因此，在比较例中，即使电极指的宽度的偏差很小，通带的低频侧附近的频带中的衰减量也会产生大的偏差。
相对于此，图1所示的第1实施方式的滤波器装置10除了具有包含高声速材料层以及压电体层7的压电性基板2以外，第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1B的各反射器还被加权。更具体地，如图3所示，在反射器8B中，多个第1反射电极指13的长度在第1方向x上变化。因此，在反射器8B中，第1反射电极指13的对数在第2方向y上实质上是变化的。在第1实施方式中，在第2方向y上越是从外侧朝向内侧，第1反射电极指13的对数变得越多。在反射器8B以外的、第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1B的各反射器中也是同样的。由此，能够使阻带外的响应分散，能够在通带的低频侧附近的频带中使衰减特性平缓。由此，能够减小IDT电极的电极指的宽度的偏差等对衰减量的影响。因此，能够提高Q值，且能够在通带的低频侧附近的频带中抑制衰减量的偏差。另外，即使在压电性基板为仅包含压电体层7的压电基板的情况下，也能够减小IDT电极的电极指的宽度的偏差等对衰减量的影响。因而，即使在该情况下，也能够在通带的低频侧附近的频带中抑制衰减量的偏差。
如图3所示，反射器8B优选除了第1部分9a以外还具有第2部分9b。更优选第2部分9b位于比第1部分9a靠多个IDT电极侧。由此，能够在不导致反射器8B的大型化的情况下使弹性波适当地向多个IDT电极侧反射。如图5以及图6所示，进一步优选地，从第1方向x观察，第2部分9b中的多个第1反射电极指13与第1缝隙区域以及第2缝隙区域的至少一部分重叠。更进一步优选地，从第1方向x观察，第2部分9b中的多个第1反射电极指13与第1缝隙区域以及第2缝隙区域的全部重叠。由此，能够通过反射器8B使弹性波更可靠地、适当地向多个IDT电极侧反射。在反射器8B以外的、第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1B的各反射器中也是同样的。
如图3所示，在第1实施方式中，第1假想线J以及第2假想线K的双方相对于第1方向x倾斜，且为直线状。另外，各反射器的加权的方式并不限定于上述方式。例如，在图9所示的第1变形例中，在第1部分39a中，第1假想线J1相对于第1方向x倾斜，且为曲线状。另外，第1反射器汇流条34也是曲线状。另一方面，第2假想线K1以及第2反射器汇流条36与第1方向x平行地延伸。即使在该情况下，也与第1实施方式同样地，能够提高Q值，且能够在通带的低频侧附近的频带中抑制衰减量的偏差。
图10是第1实施方式的第2变形例中的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器的俯视图。
本变形例与第1实施方式的不同点在于，从第1方向x观察，反射器的第1部分49a中的全部的第1反射电极指13均不与第2部分9b中的开口部14d以及开口部16d重叠。在本变形例中，第1部分49a中的第1反射电极指13的长度为第2部分9b中的第1反射电极指13的长度以下。从第1方向x观察，第1假想线J2以及第2假想线K2的全部的部分与第2部分9b的第1反射电极指13重叠。
本变形例的滤波器装置也具有与第1实施方式同样的压电性基板，且第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的各反射器被加权。因而，能够提高Q值，且能够在通带的低频侧附近的频带中抑制衰减量的偏差。
如图5所示，在第1实施方式中，在IDT电极3E的第1汇流条24形成有多个第1开口部24d。第1高声速区域Ha在第1汇流条24中的第1开口部形成区域Fa中构成，第1低声速区域La从第1边缘区域Ca到第1内侧汇流条区域Ea而构成。另外，也可以不在第1汇流条24形成开口部。在该情况下，也可以是，第1高声速区域Ha在第1缝隙区域Da中构成，第1低声速区域La在第1边缘区域Ca中构成。同样地，也可以不在第2汇流条26形成开口部。也可以是，第2高声速区域Hb在第2缝隙区域Db中构成，第2低声速区域Lb在第2边缘区域Cb中构成。在IDT电极3E以外的、第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A以及第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1B的各IDT电极中也是同样的。
如图4所示，第1实施方式的压电性基板2包含依次层叠了支承基板4、高声速膜5、低声速膜6以及压电体层7的层叠体。压电体层7经由低声速膜6间接地设置在作为高声速材料层的高声速膜5上。不过，压电性基板2的结构并不限定于上述结构。以下，示出仅压电性基板2的结构与第1实施方式不同的第1实施方式的第3变形例以及第4变形例。在第3变形例以及第4变形例中，也与第1实施方式同样地，能够提高Q值，且能够在通带的低频侧附近的频带中抑制衰减量的偏差。
在图11所示的第3变形例中，高声速材料层是高声速支承基板54。本变形例的压电性基板52A具有高声速支承基板54和直接设置在高声速支承基板54上的压电体层7。
作为高声速支承基板54的材料，例如，能够使用氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、方铝红柱石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC膜或金刚石等、以上述材料为主成分的介质。
图12所示的第4变形例的压电性基板52B具有高声速支承基板54、设置在高声速支承基板54上的低声速膜6、以及设置在低声速膜6上的压电体层7。
图13是第2实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的反射器附近的俯视图。
在本实施方式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中，各反射器的结构与第1实施方式中的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A不同。除了上述的方面以外，本实施方式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器具有与第1实施方式中的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A同样的结构。
如图13所示，在反射器68B的第1部分69a中，第1假想线J3与第1方向x平行地延伸。另一方面，第2假想线K3相对于第1方向x倾斜。另外，在将多个反射电极指的不与第2反射器汇流条66连接的端部设为第3假想线的情况下，在第1部分69a中，第3假想线也相对于第1方向x倾斜。本实施方式的第1反射器汇流条64以及第2反射器汇流条66不具有开口部。
反射器68B除了第1反射电极指13以外还具有多个第2反射电极指65以及多个第3反射电极指67。多个第2反射电极指65分别具有第1端部65a以及第2端部65b。第1端部65a与第1反射器汇流条64连接，第2端部65b与第2反射器汇流条66隔着缝隙对置。同样地，多个第3反射电极指67分别具有第3端部67a以及第4端部67b。第3端部67a与第2反射器汇流条66连接，第4端部67b与第1反射器汇流条64隔着缝隙对置。多个第2反射电极指65和多个第3反射电极指67彼此相互交错对插。
本实施方式的反射器68B具有一根第1反射电极指13。第1反射电极指13是多个反射电极指之中位于最靠多个IDT电极侧的反射电极指。另外，第1反射电极指13的根数以及位置并不限定于上述根数以及位置。
从第1方向x观察，第2部分69b中的第1反射电极指13的一端部、第2反射电极指65的第1端部65a以及第3反射电极指67的第4端部67b与多个IDT电极的第1汇流条重叠。同样地，从第1方向x观察，第2部分69b中的第1反射电极指13的另一端部、第2反射电极指65的第2端部65b以及第3反射电极指67的第3端部67a与多个IDT电极的第2汇流条重叠。由此，从第1方向x观察，第2部分69b中的第1反射电极指13、多个第2反射电极指65以及多个第3反射电极指67与第1缝隙区域Da以及第2缝隙区域Db的全部重叠。由此，能够使弹性波更靠靠、更适当地向多个IDT电极侧反射。另外，第2端部65b以及第4端部67b的位置并不限定于上述位置。
配置为与反射器68B一同夹着多个IDT电极的反射器也具有与反射器68B同样的结构。另外，该反射器构成为相对于在第2方向y上延伸的对称轴与反射器68B大致线对称。
本实施方式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器也具有与第1实施方式同样的压电性基板，且各反射器被加权。因此，能够提高Q值，且能够在通带的低频侧附近的频带中抑制衰减量的偏差。
可是，本实施方式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器例如可通过剥离法来形成。以下，说明其细节。
图14是用于说明第2实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的制造方法的一个例子的、示出相当于反射器的部分附近的俯视图。图15是用于说明第2实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的制造方法的一个例子的、示出相当于反射器的部分附近的俯视图。
如图14所示，准备压电性基板2。接着，在压电性基板2上形成抗蚀剂层。抗蚀剂层例如能够通过印刷法、旋涂法等来形成。接着，通过在将抗蚀剂层曝光之后进行显影，从而形成抗蚀剂图案62。此时，在俯视下，在抗蚀剂图案62中的形成反射器的第2反射电极指的第2端部的部分附近，抗蚀剂层相连。在抗蚀剂图案62中的形成反射器的第3反射电极指的第4端部的部分附近，抗蚀剂层也相连。在抗蚀剂图案62中的相当于另一个反射器的部分也是同样的。由此，除了相当于各反射电极指之间的区域以外，还能够设置相当于各反射器汇流条与各反射电极指之间的区域。因而，能够设置被各反射器汇流条以及各反射电极指包围的连续的宽的区域。
接着，如图15所示，在压电性基板2上对用于形成各IDT电极以及各反射器的金属膜63进行成膜，使得覆盖抗蚀剂图案62。金属膜63例如能够通过真空蒸镀法、溅射法等来形成。
接着，将抗蚀剂图案62剥离。此时，如上所述，在抗蚀剂图案62中的相当于各反射器的部分中，具有抗蚀剂层相连的部分。由此，能够设置被各反射器汇流条以及各反射电极指包围的连续的宽的区域，抗蚀剂的剥离液与抗蚀剂容易接触。由此，能够容易地且更加可靠地将抗蚀剂图案62剥离。因此，在本实施方式中，不易产生抗蚀剂的残渣。
进而，在本实施方式中，如图13所示，设置有与第1反射器汇流条64以及第2反射器汇流条66的双方连接的第1反射电极指13。由此，能够使反射器68B中的全部的反射电极指为相同电位，因此能够抑制在反射器68B中激励弹性波。在配置为与反射器68B一同夹着多个IDT电极的反射器中也是同样的。因此，能够抑制通带内的纹波。
如上所述，第1反射电极指13的根数以及位置没有特别限定。例如，在图16所示的第1变形例中，第1反射电极指13是多个反射电极指之中位于第1方向x上的中央附近的反射电极指。在图17所示的第2实施方式的第2变形例中，第1反射电极指13是多个反射电极指之中最远离多个IDT电极的反射电极指。
如图13所示，在本实施方式中，多个第2反射电极指65以及多个第3反射电极指67彼此相互交错对插，但是多个第2反射电极指65以及多个第3反射电极指67的配置并不限定于此。例如，在图18所示的第2实施方式的第3变形例中，在第2部分79b中，多个第2反射电极指65在第1方向x上连续地配置。同样地，多个第3反射电极指67在第1方向x上连续地配置。在第1部分69a中，与第2实施方式同样地，多个第2反射电极指65以及多个第3反射电极指67彼此相互交错对插。
另外，反射器68B也可以具有第2反射电极指65以及第3反射电极指67中的一者和第1反射电极指13。不过，反射器68B优选具有第2反射电极指65以及第3反射电极指67的双方和第1反射电极指13。由此，能够提高反射器68B的对称性，不易产生滤波器特性的劣化。
以下，作为第1反射电极指以及IDT电极的位置关系，有时将从第1方向观察重叠仅记载为重叠。如图5以及图6所示，在第1实施方式中，从第1方向x观察，反射器8B的第1部分9a中的至少位于最靠IDT电极3E侧的第1反射电极指13与交叉区域A整体重叠。进而，该第1反射电极指13延伸为与第1开口部形成区域Fa以及第2开口部形成区域Fb的双方重叠。另一方面，任一第1反射电极指13均不与IDT电极3E的第1外侧汇流条区域Ga以及第2外侧汇流条区域Gb重叠。因而，反射器8B中的被加权的部分与中央区域B、第1边缘区域Ca、第1缝隙区域Da、第1内侧汇流条区域Ea以及第1开口部形成区域Fa重叠。进而，反射器8B中的被加权的部分与第2边缘区域Cb、第2缝隙区域Db、第2内侧汇流条区域Eb以及第2开口部形成区域Fb重叠。在反射器8A中也是同样的。
在以下所示的第3实施方式～第5实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中，反射器的被加权的部分的配置与第1实施方式不同。对这些第3实施方式～第5实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器和比较例的回波损耗进行比较。另外，在比较例中，未进行反射器的加权。
图19是示出第3实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器以及IDT电极的一部分的俯视图。图20是示出第4实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器以及IDT电极的一部分的俯视图。图21是示出第5实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器以及IDT电极的一部分的俯视图。图22是示出比较例的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的反射器以及IDT电极的一部分的俯视图。另外，图21中的双点划线示出反射器的被加权的部分和IDT电极的位置关系。
如图19所示，在本实施方式中，反射器88A中的被加权的部分的配置与第1实施方式的第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A不同。本实施方式与第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A的不同点还在于，第1反射器汇流条84以及第2反射器汇流条86与第1方向x平行地延伸。另外，在反射器88A的第1部分89a中，第1假想线J4以及第2假想线K4相对于第1方向x倾斜。配置为与反射器88A一同夹着多个IDT电极的反射器构成为相对于在第2方向y上延伸的对称轴与反射器88A大致线对称。除了上述的方面以外，第3实施方式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器具有与第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器1A同样的结构。
在本实施方式中，反射器88A的被加权的部分的第2方向y上的范围比第1实施方式中的该范围宽。
更具体地，从第1方向x观察，反射器88A的第1部分89a中的至少位于最靠IDT电极3A侧的第1反射电极指13与IDT电极3A的交叉区域A整体重叠。进而，该第1反射电极指13延伸为与第1外侧汇流条区域Ga以及第2外侧汇流条区域Gb的双方重叠。多个第1反射电极指13随着朝向第1方向x外侧而变短。像这样，反射器88A被加权。因而，反射器88A中的被加权的部分与中央区域B、第1边缘区域Ca、第1缝隙区域Da、第1内侧汇流条区域Ea、第1开口部形成区域Fa以及第1外侧汇流条区域Ga重叠。进而，反射器88A中的被加权的部分与第2边缘区域Cb、第2缝隙区域Db、第2内侧汇流条区域Eb、第2开口部形成区域Fb以及第2外侧汇流条区域Gb重叠。
在本实施方式中，在第2方向y上越是从外侧朝向内侧，第1反射电极指的对数变得越多，因此与第1实施方式同样地，能够使阻带外的响应分散。由此，能够在通带的低频侧附近的频带中使衰减特性平缓，能够在该频带中抑制衰减特性的偏差。除此以外，本实施方式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器具有与图4所示的压电性基板2同样的压电性基板，因此也能够提高Q值。在以下所示的第4实施方式以及第5实施方式中也同样地，能够提高Q值，且能够在通带的低频侧附近的频带中抑制衰减量的偏差。
如图20所示，在第4实施方式中，反射器88C的被加权的部分的第2方向y上的范围比第3实施方式中的该范围窄。
更具体地，从第1方向x观察，反射器88C的第1部分89c中的多个第1反射电极指13与IDT电极3A的中央区域B重叠。进而，第1部分89c中的至少位于最靠IDT电极3A侧的第1反射电极指13延伸为与IDT电极3A的第1缝隙区域Da以及第2缝隙区域Db的双方重叠。另一方面，任一第1反射电极指13均不与IDT电极3A的第1开口部形成区域Fa以及第2开口部形成区域Fb重叠。因而，从第1方向x观察，反射器88C中的被加权的部分与中央区域B、第1边缘区域Ca、第1缝隙区域Da、第2边缘区域Cb以及第2缝隙区域Db重叠。另一方面，反射器88C中的被加权的部分不与第1开口部形成区域Fa以及第2开口部形成区域Fb重叠。
如图21所示，在第5实施方式中，反射器88E的被加权的部分的第2方向y上的范围比第4实施方式中的该范围窄。
更具体地，从第1方向x观察，反射器88E的第1部分89e中的多个第1反射电极指13与IDT电极3A的中央区域B重叠。另一方面，如图21中的双点划线所示，任一第1反射电极指13均不与IDT电极3A的第1边缘区域Ca以及第2边缘区域Cb重叠。因而，从第1方向x观察，反射器88E中的被加权的部分与中央区域B重叠，且不与第1边缘区域Ca以及第2边缘区域Cb重叠。
如图22所示，在比较例中，对反射器108A未进行加权。
图23是示出第3实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的回波损耗的图。图24是示出第4实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的回波损耗的图。图25是示出第5实施方式涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的回波损耗的图。图26是示出比较例的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的回波损耗的图。
如图23～图26所示，在各个纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中，在通带的低频侧附近的单点划线的圆所示的频带中产生了纹波。在此，在图23～图25示出了回波损耗的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中，按照图23、图24以及图25的顺序，反射器中的被加权的部分的第2方向上的范围逐渐变窄。如图23～图25所示，可知该范围越窄，在通带的低频侧附近的频带中纹波变得越小。
另一方面，如图26所示，比较例的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的纹波比各实施方式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器大。像这样，在本发明中，不仅能够抑制通带的低频侧附近的频带中的衰减量的偏差，还能够抑制纹波。在第3实施方式～第5实施方式中，示出了压电性基板2为层叠基板的例子。不过，也可以是，弹性波装置具有第3实施方式～第5实施方式中的任一电极结构，且压电性基板2为仅包含压电体层的压电基板。即使在该情况下，也能够抑制纹波。通过将本发明涉及的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器用于滤波器装置，从而还能够抑制纹波对公共连接的其它滤波器的影响。
附图标记说明
1A、1B：第1纵向耦合谐振器型弹性波滤波器、第2纵向耦合谐振器型弹性波滤波器；
2：压电性基板；
3A～3E：IDT电极
4：支承基板；
5：高声速膜；
6：低声速膜；
7：压电体层；
8A、8B：反射器；
9a、9b：第1部分、第2部分；
10：滤波器装置；
13：第1反射电极指；
14：第1反射器汇流条；
14d：开口部；
16：第2反射器汇流条；
16d：开口部；
17A、17B：第1信号端子、第2信号端子；
24：第1汇流条；
24a：第1内侧汇流条部；
24b：第1连接电极；
24c：第1外侧汇流条部；
24d：第1开口部；
25：第1电极指；
25a、25b：第1宽宽度部、第2宽宽度部；
26：第2汇流条；
26a：第2内侧汇流条部；
26b：第2连接电极；
26c：第2外侧汇流条部；
26d：第2开口部；
27：第2电极指；
27a、27b：第1宽宽度部、第2宽宽度部；
34、36：第1反射器汇流条、第2反射器汇流条；
39a：第1部分；
44、46：第1反射器汇流条、第2反射器汇流条；
49a：第1部分；
52A、52B：压电性基板；
54：高声速支承基板；
62：抗蚀剂图案；
63：金属膜；
64：第1反射器汇流条；
65：第2反射电极指；
65a、65b：第1端部、第2端部；
66：第2反射器汇流条；
67：第3反射电极指；
67a、67b：第3端部、第4端部；
68B：反射器；
69a、69b：第1部分、第2部分；
79b：第2部分；
84：第1反射器汇流条；
86：第2反射器汇流条；
88A、88C、88E：反射器；
89a、89c、89e：第1部分；
108A：反射器；
A：交叉区域；
B：中央区域；
Ca、Cb：第1边缘区域、第2边缘区域；
Da、Db：第1缝隙区域、第2缝隙区域；
Ea、Eb：第1内侧汇流条区域、第2内侧汇流条区域；
Fa、Fb：第1开口部形成区域、第2开口部形成区域；
Ga、Gb：第1外侧汇流条区域、第2外侧汇流条区域；
Ha、Hb：第1高声速区域、第2高声速区域；
La、Lb：第1低声速区域、第2低声速区域；
P1：第1弹性波谐振器；
S1：第2弹性波谐振器。

Claims (18)

1.一种纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，具备：
压电性基板；
多个IDT电极，设置在所述压电性基板上，并沿着弹性波传播方向配置；以及
一对反射器，在所述压电性基板上设置在所述多个IDT电极的弹性波传播方向两侧，
所述反射器具有：
第1反射器汇流条以及第2反射器汇流条，相互对置；以及
多个反射电极指，与所述第1反射器汇流条以及所述第2反射器汇流条中的至少一者连接，
所述反射器具有所述多个反射电极指的长度在弹性波传播方向上变化的第1部分。
2.根据权利要求1所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
在所述反射器的所述第1部分中，所述多个反射电极指的长度随着从所述IDT电极侧朝向弹性波传播方向外侧而变短。
3.根据权利要求1或2所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
将通过对所述多个反射电极指的与所述第1反射器汇流条连接的端部进行连结而形成的假想线设为第1假想线，将通过对所述多个反射电极指的与所述第2反射器汇流条连接的端部进行连结而形成的假想线设为第2假想线，此时，在所述第1部分中，所述第1假想线以及所述第2假想线中的至少一者相对于弹性波传播方向倾斜。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
所述反射器具有所述多个反射电极指的长度在弹性波传播方向上固定的第2部分。
5.根据权利要求4所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
在所述反射器中，所述第2部分位于比所述第1部分靠所述多个IDT电极侧。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
所述反射器的所述多个反射电极指具有：
第1反射电极指，一端与所述第1反射器汇流条连接，另一端与所述第2反射器汇流条连接；以及
第2反射电极指，一端与所述第1反射器汇流条连接，另一端与所述第2反射器汇流条隔着缝隙对置。
7.根据权利要求6所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
所述反射器的所述多个反射电极指具有：
第3反射电极指，一端与所述第2反射器汇流条连接，另一端与所述第1反射器汇流条隔着缝隙对置。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
所述多个IDT电极分别具有：
第1汇流条以及第2汇流条，相互对置；
多个第1电极指，一端与所述第1汇流条连接；以及
多个第2电极指，一端与所述第2汇流条连接，且与所述多个第1电极指相互交错对插，
所述第1电极指和所述第2电极指在弹性波传播方向上相互重叠的部分为交叉区域，
所述交叉区域具有：
中央区域，位于与弹性波传播方向正交的方向上的中央侧；
第1边缘区域，配置在所述中央区域的所述第1汇流条侧；以及
第2边缘区域，配置在所述中央区域的所述第2汇流条侧，
所述多个IDT电极具有：
第1缝隙区域，位于所述第1边缘区域与所述第1汇流条之间；以及
第2缝隙区域，位于所述第2边缘区域与所述第2汇流条之间，
在所述第1边缘区域以及所述第2边缘区域中，分别构成了声速比所述中央区域低的低声速区域。
9.根据权利要求8所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
所述IDT电极的所述第1汇流条以及所述第2汇流条分别具有沿着弹性波传播方向设置有多个开口部的开口部形成区域，
在各所述开口部形成区域中，分别构成了声速比所述中央区域高的高声速区域。
10.根据权利要求8或9所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
从弹性波传播方向观察，所述反射器的所述第1部分中的所述多个反射电极指与所述IDT电极的所述中央区域重叠，且不与所述第1边缘区域以及所述第2边缘区域重叠。
11.根据权利要求9所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
从弹性波传播方向观察，所述反射器的所述第1部分中的所述多个反射电极指与所述IDT电极的所述中央区域重叠，
所述第1部分中的至少位于最靠所述IDT电极侧的所述反射电极指延伸为与所述第1缝隙区域以及所述第2缝隙区域的双方重叠，从弹性波传播方向观察，任一所述反射电极指均不与所述开口部形成区域重叠。
12.根据权利要求9所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
所述IDT电极的所述第1汇流条以及所述第2汇流条具有位于各所述开口部形成区域的与弹性波传播方向正交的方向上的外侧的外侧汇流条区域，
从弹性波传播方向观察，所述反射器的所述第1部分中的所述多个反射电极指与所述IDT电极的所述中央区域重叠，
所述第1部分中的至少位于最靠所述IDT电极侧的所述反射电极指延伸为与双方的所述开口部形成区域重叠，从弹性波传播方向观察，任一所述反射电极指均不与所述外侧汇流条区域重叠。
13.根据权利要求9所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
所述IDT电极的所述第1汇流条以及所述第2汇流条具有位于各所述开口部形成区域的与弹性波传播方向正交的方向上的外侧的外侧汇流条区域，
从弹性波传播方向观察，所述反射器的所述第1部分中的至少位于最靠所述IDT电极侧的所述反射电极指与所述IDT电极的所述交叉区域整体重叠，该反射电极指延伸为与双方的所述外侧汇流条区域重叠。
14.根据权利要求1～13中的任一项所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
所述压电性基板具有：
高声速材料层；以及
压电体层，直接或间接地设置在所述高声速材料层上，
在所述高声速材料层传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高。
15.根据权利要求14所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
还具备：低声速膜，设置在所述高声速材料层与所述压电体层之间，
在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低。
16.根据权利要求14或15所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
所述高声速材料层是高声速支承基板。
17.根据权利要求15所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，其中，
还具备支承基板，
所述高声速材料层是设置在所述支承基板与所述低声速膜之间的高声速膜。
18.一种滤波器装置，具备：
权利要求1～17中的任一项所述的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器；以及
所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以外的至少一个以上的谐振器。
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