WO2018123882A1 - 弾性波装置 - Google Patents

弾性波装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2018123882A1
WO2018123882A1 PCT/JP2017/046171 JP2017046171W WO2018123882A1 WO 2018123882 A1 WO2018123882 A1 WO 2018123882A1 JP 2017046171 W JP2017046171 W JP 2017046171W WO 2018123882 A1 WO2018123882 A1 WO 2018123882A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
bus bar
elastic wave
reflector
electrode
region
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/046171
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
和大 瀧川
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN201780078832.7A priority Critical patent/CN110114973B/zh
Publication of WO2018123882A1 publication Critical patent/WO2018123882A1/ja
Priority to US16/443,901 priority patent/US11018650B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/1457—Transducers having different finger widths
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02858—Means for compensation or elimination of undesirable effects of wave front distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02881—Means for compensation or elimination of undesirable effects of diffraction of wave beam
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/205—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • Patent Document 1 discloses an example of an acoustic wave device.
  • the elastic wave device described in Patent Literature 1 includes a piezoelectric substrate and an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate. Reflectors are provided on both sides of the IDT electrode in the elastic wave propagation direction. The reflector has two bus bars facing each other and a plurality of electrode fingers connected to the two bus bars.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device capable of suppressing transverse mode spurious.
  • An elastic wave device includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, and provided on the piezoelectric substrate and on both sides of the IDT electrode in the elastic wave propagation direction.
  • Two reflectors provided, and each reflector is connected to at least one of the first bus bar and the second bus bar facing each other, and the first bus bar and the second bus bar.
  • a plurality of electrode fingers wherein the first bus bar and the second bus bar are connected by at least one of the electrode fingers, and a direction in which the electrode fingers extend is a length direction.
  • each of the reflectors has a central region located in the center in the length direction, and a first outer region located between the central region and the first bus bar, The first outer region is the central region. Acoustic velocity than is high first high sonic.
  • the elastic wave device in a specific aspect of the elastic wave device according to the present invention, at least one of the electrode fingers connected to the first bus bar and the second bus bar in the first outer region.
  • the first high sound velocity region is configured by providing a gap between the electrode finger and the first bus bar.
  • the width along the elastic wave propagation direction of the plurality of electrode fingers is connected to the first bus bar and the second bus bar.
  • the width of at least one of the electrode fingers is wider than the width of the electrode finger connected to one of the first bus bar and the second bus bar.
  • the electrode fingers connecting the first bus bar and the second bus bar are difficult to break. Therefore, the first and second bus bars and the plurality of electrode fingers can be more reliably set to the same potential. Therefore, the filter characteristics of the acoustic wave device can be more reliably prevented from deteriorating.
  • the first bus bar and the second bus bar are connected by an electrode finger located at one end in the elastic wave propagation direction of the reflector.
  • gaps are provided between all the electrode fingers other than the electrode fingers located at the one end of the reflector and the first bus bar, The electrode fingers are connected to the second bus bar.
  • the electrode when the dimension along the elastic wave propagation direction of the plurality of electrode fingers is a width, the electrode is connected to the first bus bar and the second bus bar. In at least one of the electrode fingers, the width of the first outer region is narrower than the width of the central region, whereby the first high sound velocity region is configured.
  • the reflector has a second outer region located between the central region and the second bus bar, and the second Is a second high sound velocity region whose sound velocity is higher than that of the central region. In this case, transverse mode spurious can be further suppressed.
  • the second outer region in the second outer region, at least one other than the first finger and the electrode finger connected to the second bus bar.
  • the second high sound velocity region is configured by providing a gap between the electrode finger and the second bus bar.
  • the first bus bar and the second bus bar are connected by one electrode finger, and all the electrodes other than the electrode finger are connected.
  • a finger is connected to one of the first bus bar and the second bus bar.
  • the first bus bar and the second bus bar are connected by an electrode finger located at one end in the elastic wave propagation direction of the reflector. ing. In this case, the formation failure of the reflector hardly occurs.
  • the first bus bar and the second bus bar are formed by electrode fingers located at at least one of both ends in the elastic wave propagation direction of the reflector. Are connected, and all the electrode fingers other than the electrode fingers located at both ends of the reflector are connected to one of the first bus bar and the second bus bar,
  • One bus bar is divided into a part on one side and a part on the other side in the elastic wave propagation direction. In this case, the formation failure of the reflector hardly occurs.
  • the dimension along the elastic wave propagation direction of the plurality of electrode fingers is a width
  • it is connected to the first bus bar and the second bus bar.
  • the width of the second outer region is narrower than the width of the central region, thereby forming the second high sound velocity region.
  • an elastic wave device that can suppress transverse mode spurious can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing the return loss of the elastic wave device of the first embodiment and the first comparative example of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the reflector in the first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of a reflector in the second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of a reflector in the third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of a reflector according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of a reflector in the first modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of a reflector in the second modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic plan view of a reflector in the third modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of a reflector according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic circuit diagram of an acoustic wave device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of the transmission filter in the fifth embodiment and the second comparative example of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the acoustic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric substrate 2 may be made of a piezoelectric single crystal other than LiNbO 3, such as LiTaO 3, or may be made from a suitable piezoelectric ceramic.
  • a piezoelectric substrate in which a piezoelectric film is stacked on a support substrate may be used.
  • the piezoelectric film the piezoelectric single crystal or the like can be used as appropriate.
  • the IDT electrode 3 is provided on the piezoelectric substrate 2.
  • the IDT electrode 3 includes a first bus bar 3a and a second bus bar 3b that face each other.
  • the IDT electrode 3 includes a plurality of first electrode fingers 4a having one end connected to the first bus bar 3a, and a plurality of second electrode fingers 4b having one end connected to the second bus bar 3b.
  • Have The plurality of first electrode fingers 4a and the plurality of second electrode fingers 4b are interleaved with each other.
  • the IDT electrode 3 has a crossing region in which the first electrode finger 4a and the second electrode finger 4b overlap when viewed from the elastic wave propagation direction. When an AC voltage is applied to the IDT electrode 3, an elastic wave is excited.
  • the elastic wave device 1 includes two reflectors 5 and 7 provided on the piezoelectric substrate 2 and provided on both sides of the IDT electrode 3 in the elastic wave propagation direction.
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment is a 1-port elastic wave resonator.
  • the reflector 5 has a first bus bar 5a and a second bus bar 5b facing each other.
  • the reflector 5 includes a plurality of first electrode fingers 6a having one end connected to the first bus bar 5a, and a plurality of second electrode fingers 6b having one end connected to the second bus bar 5b.
  • Have A gap G is provided between the first electrode finger 6a and the second bus bar 5b and between the second electrode finger 6b and the first bus bar 5a.
  • the plurality of first electrode fingers 6a and the plurality of second electrode fingers 6b are interleaved with each other.
  • the reflector 5 has a third electrode finger 6c that connects the first bus bar 5a and the second bus bar 5b.
  • the first and second bus bars 5a and 5b and the first to third electrode fingers 6a to 6c of the reflector 5 can be set to the same potential. Therefore, the standing wave is preferably excited. Therefore, filter characteristics such as insertion loss of the acoustic wave device 1 are unlikely to deteriorate.
  • the reflector 5 has one third electrode finger 6c.
  • the reflector 5 may have a plurality of third electrode fingers 6c.
  • the dimension along the elastic wave propagation direction of the first to third electrode fingers 6a to 6c is defined as the width of the first to third electrode fingers 6a to 6c.
  • the first to third electrode fingers 6a to 6c have the same width. Note that the widths of the first to third electrode fingers 6a to 6c may be different.
  • the direction in which the first to third electrode fingers 6 a to 6 c extend is the length direction of the reflector 5.
  • the reflector 5 has a central region A located at the center in the length direction. In the present embodiment, the central area A in the reflector 5 corresponds to the crossing area in the IDT electrode 3.
  • the reflector 5 has a first outer region Ba located between the central region A and the first bus bar 5a.
  • the reflector 5 has a second outer region Bb located between the central region A and the second bus bar 5b.
  • the gap G provided between the plurality of second electrode fingers 6b and the first bus bar 5a is located in the first outer region Ba. Therefore, the part located in 1st outer side area
  • the gap G provided between the plurality of first electrode fingers 6a and the second bus bar 5b is located in the second outer region Bb. Therefore, the part located in 2nd outer side area
  • the sound speed in the center area A is V1
  • the sound speed in the first and second outer areas Ba and Bb is V2.
  • V2 > V1.
  • the first outer region Ba and the second outer region Bb are the first high sound velocity region and the second high sound velocity region, which have higher sound speeds than the central region A.
  • the reflector 7 has the same configuration as the reflector 5.
  • the reflector 7 includes a first bus bar 7a, a second bus bar 7b, and first to third electrode fingers 8a to 8c.
  • the reflector 7 has a central area A and first and second outer areas Ba and Bb.
  • a first high sound velocity region is configured.
  • a second high sound velocity region is configured. Therefore, also in the reflector 7, the first and second outer regions Ba and Bb are first and second high sound velocity regions where the sound velocity is higher than that of the central region A.
  • FIG. 1 shows the relationship between the sound speeds V1 and V2 as described above. In addition, it shows that a sound speed is high as it goes to the right side in FIG.
  • the IDT electrode 3 also includes the first high sound velocity region and the first bus bar 3a between the cross region and the first bus bar 3a. 2 high sound velocity regions.
  • the sound velocity in the first and second high sound velocity regions is higher than the sound velocity in the cross region.
  • the first high sound velocity region of the reflector 5, the IDT electrode 3, and the reflector 7 is continuous along the acoustic wave propagation direction.
  • the second high sound velocity region of the reflector 5, the IDT electrode 3, and the reflector 7 is also continuous along the elastic wave propagation direction.
  • the direction in which the first and second electrode fingers 4 a and 4 b extend is defined as the length direction of the IDT electrode 3.
  • a dimension along the length direction of the crossing region is defined as a crossing width.
  • the dimension along the length direction of the central region A is defined as the width of the central region A.
  • ⁇ be the wavelength defined by the electrode finger pitch.
  • the wavelength ⁇ of the IDT electrode 3 is 4 ⁇ m
  • the cross width is 17.5 ⁇
  • the number of electrode fingers is 100 pairs
  • the film thickness is 700 nm.
  • the wavelength ⁇ of each of the reflectors 5 and 7 is 4 ⁇ m
  • the width of the central region A is 17.5 ⁇
  • the number of electrode fingers is 10
  • the film thickness is 700 nm.
  • the feature of this embodiment is that the reflector 5 and the reflector 7 have a first high sound velocity region and a second high sound velocity region, respectively. Thereby, transverse mode spurious can be suppressed. This will be described below by comparing the present embodiment with the first comparative example.
  • the first comparative example is different from the present embodiment in that all electrode fingers of each reflector are connected to both the first bus bar and the second bus bar.
  • FIG. 2 is a diagram showing the return loss of the elastic wave device of the first embodiment and the first comparative example.
  • the solid line indicates the result of the first embodiment
  • the broken line indicates the result of the first comparative example.
  • the return loss is deteriorated in the first comparative example.
  • the IDT electrode has first and second high sound velocity regions, but each reflector does not have the first and second high sound velocity regions. Therefore, when the elastic wave propagates from the first high sound velocity region of the IDT electrode to the region near the first bus bar of each reflector, the sound velocity becomes low. Thereby, transverse mode spurious is generated. Similarly, when the elastic wave propagates from the second high sound velocity region of the IDT electrode to the region near the second bus bar of each reflector, the sound velocity is lowered, and thus transverse mode spurious is generated. Therefore, the return loss is deteriorated in the first comparative example.
  • each reflector 5 and 7 has a first high sound velocity region and a second high sound velocity region, respectively.
  • the reflector 5 shown in FIG. 1 is formed by, for example, a lift-off method.
  • the region between the first to third electrode fingers 6a to 6c and each gap G are connected to each other, and the region between the first to third electrode fingers 6a to 6c and each gap G are , It continues to the area outside the reflector 5. Therefore, the resist for patterning the reflector 5 can also have a configuration in which each portion is connected as described above. Therefore, the resist can be easily peeled when the reflector 5 is formed. Similarly, when the reflector 7 is formed, the resist can be easily peeled off. Therefore, formation failure of each reflector 5 and 7 hardly occurs.
  • the reflector 5 has at least one second electrode finger 6b. If you do. However, it is preferable to have a plurality of second electrode fingers 6b. Thereby, the sound speed in the first high sound speed region can be increased. Therefore, the acoustic velocity of the elastic wave propagated from the IDT electrode 3 to the reflector 5 is unlikely to be further reduced. Therefore, transverse mode spurious can be further suppressed.
  • the reflector 5 only needs to have at least one first electrode finger 6a. However, it is preferable to have a plurality of first electrode fingers 6a. Thereby, the sound velocity of the elastic wave propagated from the IDT electrode 3 to the reflector 5 is unlikely to be further reduced.
  • the reflector 5 has one third electrode finger 6c, and all the electrode fingers other than the third electrode finger 6c are the first electrode finger 6a or the second electrode finger 6b. .
  • the sound speed of the first high sound speed region or the second high sound speed region can be further increased. Therefore, the acoustic velocity of the elastic wave propagated from the IDT electrode 3 to the reflector 5 is unlikely to be further reduced.
  • formation failure of the reflector 5 hardly occurs.
  • the third electrode finger 6c is preferably located at the end of the elastic wave propagation direction opposite to the IDT electrode 3 side. Accordingly, the first electrode finger 6a or the second electrode finger 6b can be arranged at the end portion on the IDT electrode 3 side. Thereby, in the reflector 5, the speed of sound can be increased on the IDT electrode 3 side. Therefore, transverse mode spurious can be further suppressed. Note that the third electrode finger 6 c may be located at the end of the reflector 5 on the IDT electrode 3 side in the elastic wave propagation direction.
  • transverse mode spurious can be suppressed, and the formation of a reflector is unlikely to occur.
  • the third electrode finger 6 c is located near the center of the reflector 55 in the elastic wave propagation direction.
  • the region between the first to third electrode fingers 6a to 6c and each gap The area outside the reflector 55 can be connected.
  • the third electrode fingers 6c are arranged at both ends of the reflector 65 in the elastic wave propagation direction.
  • the first bus bar 65a is divided into a first portion 69A and a second portion 69B in the elastic wave propagation direction. Thereby, the region between the first to third electrode fingers 6 a to 6 c and each gap are connected to the region outside the reflector 65.
  • the reflector 75 has a first high sound velocity region and does not have a second high sound velocity region. More specifically, the reflector 75 has one third electrode finger 6c.
  • the third electrode finger 6c is located at the end of the elastic wave propagation direction opposite to the IDT electrode side. All the electrode fingers other than the third electrode finger 6c are the second electrode fingers 6b, and are connected to the second bus bar 5b.
  • the reflector 7 may have a configuration different from that of the reflector 5. However, the reflector 7 preferably has the same configuration as the reflector 5. Thereby, the standing wave is more reliably excited. Therefore, the filter characteristics of the acoustic wave device 1 are unlikely to deteriorate.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of the reflector according to the second embodiment.
  • the elastic wave device according to the second embodiment is the first implementation in that the width of the third electrode finger 16c of the reflector 15 is wider than the width of the first electrode finger 6a and the width of the second electrode finger 6b. Different from form. In points other than the above, the elastic wave device of the second embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the width of the third electrode finger 16c is wide, it is difficult for the third electrode finger 16c to be disconnected when the acoustic wave device is manufactured. Therefore, the first and second bus bars 5a and 5b, the first and second electrode fingers 6a and 6b, and the third electrode finger 16c of the reflector 15 can be more reliably set to the same potential. Therefore, the filter characteristics of the acoustic wave device can be more reliably prevented from deteriorating.
  • transverse mode spurious can be suppressed, and formation of the reflector 15 is unlikely to occur.
  • the width of at least one third electrode finger 16c is wider than the width of the first and second electrode fingers 6a and 6b.
  • each reflector in the first to third modifications of the second embodiment has a third electrode finger width of the first to third modifications of the first embodiment. It corresponds to each reflector wider than the width of one electrode finger and the width of the second electrode finger. Also in each reflector 55X, 65X, 75X, the disconnection of the third electrode finger 16c is unlikely to occur as in the second embodiment. As a result, the filter characteristics of the acoustic wave device can be more reliably prevented from deteriorating.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of a reflector according to the third embodiment.
  • all the electrode fingers of the reflector 25 are the third electrode fingers 26c that connect the first bus bar 5a and the second bus bar 5b, and the first and first electrodes.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as that of the elastic wave device 1 of the first embodiment except that the configuration of the two outer regions Ba and Bb is different from that of the first embodiment.
  • the width in the first outer region Ba of all the third electrode fingers 26c is narrower than the width in the central region A. Thereby, the sound speed of the first outer area Ba is higher than the sound speed of the central area A. Therefore, the first outer area Ba is the first high sound speed area.
  • the width in the second outer region Bb of all the third electrode fingers 26c is narrower than the width in the central region A. Thereby, the sound speed of the second outer area Bb is higher than the sound speed of the central area A. Therefore, the second outer region Bb is the second high sound velocity region.
  • the transverse mode spurious can be suppressed as in the first embodiment.
  • the width of the first outer region Ba is narrower than the width of the central region A in at least one third electrode finger 26c, thereby forming the first high sound velocity region.
  • the width in the first outer region Ba is preferably narrower than the width in the central region A.
  • the reflector 25 includes a second electrode finger provided with a gap between the first bus bar 5a and a third electrode finger 26c having a narrow width in the first outer region Ba. Also good. Even in this case, the first high sound velocity region is formed in the first outer region Ba.
  • the reflector 25 may include a first electrode finger provided with a gap between the second bus bar 5b and a third electrode finger 26c having a narrow width in the second outer region Bb. . Also in this case, the second high sound velocity region is configured in the second outer region Bb.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of the acoustic wave device according to the fourth embodiment.
  • the elastic wave device 31 is different from the first embodiment in that a mass addition film 39 is provided on the first electrode finger 4 a and the second electrode finger 4 b of the IDT electrode 33. Also in that the mass addition film 39 is provided on the first to third electrode fingers 6a to 6c of the reflector 35 and the first to third electrode fingers 8a to 8c of the reflector 37, the first Different from the embodiment. Except for the above points, the elastic wave device 31 of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the reflector 35 has a first edge region Ca and a second edge region Cb.
  • the first edge region Ca and the second edge region Cb are located on both sides of the central region A in the length direction.
  • the first edge region Ca is located between the central region A and the first outer region Ba, and the second edge region Cb is located between the central region A and the second outer region Bb. Yes.
  • the mass addition film 39 is located in the first edge region Ca and the second edge region Cb of the reflector 35. Thereby, the sound velocity of the elastic wave in the first edge region Ca and the second edge region Cb is lowered.
  • V3 when the sound speed of the first edge area Ca and the second edge area Cb is V3, V1> V3.
  • the first edge region Ca and the second edge region Cb are the first low sound velocity region and the second low sound velocity region whose sound velocity is lower than that of the central region A.
  • the IDT electrode 33 and the reflector 37 also have a first low sound velocity region and a second low sound velocity region, respectively.
  • the crossing region of the IDT electrode 33 has a central region located in the center in the length direction and first and second edge regions located on both sides in the length direction of the central region.
  • the central area A in each reflector 35, 37 corresponds to the central area in the IDT electrode 33.
  • the first and second low sound velocity regions are disposed outside the central region, and the first and second high sound velocity regions are disposed outside the first and second low sound velocity regions.
  • unnecessary waves can be suppressed.
  • the elastic wave device 31 uses the piston mode.
  • the first low sound velocity region of the reflector 35, the IDT electrode 33, and the reflector 37 is continuous along the acoustic wave propagation direction.
  • the second low sound velocity region, the central region, the first high sound velocity region, and the second high sound velocity region of the reflector 35, the IDT electrode 33, and the reflector 37 are also connected along the elastic wave propagation direction. . Therefore, the sound velocity of the elastic wave propagated from the IDT electrode to the reflectors 35 and 37 is difficult to change. Therefore, also in the present embodiment, transverse mode spurious can be suppressed as in the first embodiment.
  • the elastic wave device is a one-port type elastic wave resonator.
  • the acoustic wave device according to the present invention may be, for example, a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter, a ladder type filter, or a duplexer.
  • a duplexer an example in which the elastic wave device is a duplexer will be described.
  • FIG. 12 is a schematic circuit diagram of the acoustic wave device according to the fifth embodiment.
  • the acoustic wave device 40 is a duplexer having a transmission filter 41A and a reception filter 41B having a different pass band from the transmission filter 41A.
  • the acoustic wave device 40 has an antenna terminal 42 connected to the antenna.
  • the transmission filter 41A and the reception filter 41B are commonly connected to the antenna terminal 42.
  • the transmission filter 41A has series arm resonators S1 to S4 and parallel arm resonators P1 to P4.
  • the transmission filter 41A is a ladder filter as an elastic wave device according to an embodiment of the present invention. More specifically, the parallel arm resonator P1 is connected between the connection point between the series arm resonator S1 and the series arm resonator S2 and the ground potential. The connection point between the series arm resonator S1 and the series arm resonator S2, the connection point between the series arm resonator S2 and the series arm resonator S3, and the series arm resonator S3 and the series arm resonator S4.
  • each of the parallel arm resonators P2 to P4 is connected to a connection point between them, and the other end is made common and connected to the ground potential.
  • the configuration of the reception filter 41B shown in the block diagram is not particularly limited.
  • the series arm resonators S1 to S4 and the parallel arm resonators P1 to P4 are all acoustic wave resonators having the same configuration as that of the first embodiment. Thereby, transverse mode spurious can be effectively suppressed. It should be noted that at least one of the series arm resonators S1 to S4 and the parallel arm resonators P1 to P4 may be an elastic wave resonator configured according to the present invention.
  • the design parameters of the series arm resonators S1 to S4 and the parallel arm resonators P1 to P4 vary depending on the desired filter characteristics. More specifically, the design parameters of each acoustic wave resonator of the transmission filter 41A are as shown in Table 1 below.
  • the transmission filter 41A is an elastic wave device according to an embodiment of the present invention, but at least one of the transmission filter 41A and the reception filter 41B may be an elastic wave device configured according to the present invention.
  • the second comparative example all electrode fingers connect the first bus bar and the second bus bar in all the reflectors of all the acoustic wave resonators. All the reflectors have neither the first high sound speed region nor the second high sound speed region. In these points, the second comparative example is different from the fifth embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the transmission filter in the fifth embodiment and the second comparative example.
  • the solid line shows the result of the fifth embodiment
  • the broken line shows the result of the second comparative example.
  • the reflector of each acoustic wave resonator since the reflector of each acoustic wave resonator has the same configuration as that of the first embodiment, it is possible to effectively suppress the transverse mode spurious. Thereby, the ripple due to the transverse mode spurious can be reduced. Furthermore, insertion loss can be reduced.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

横モードスプリアスを抑制することができる、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、圧電性基板２と、圧電性基板２上に設けられているＩＤＴ電極３と、圧電性基板２上に設けられており、かつＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側に設けられている２つの反射器５，７とを備える。各反射器５，７は、互いに対向し合う第１のバスバー５ａ，７ａ及び第２のバスバー５ｂ，７ｂと、第１～第３の電極指６ａ～６ｃ，８ａ～８ｃとを有する。第１のバスバー５ａ，７ａと第２のバスバー５ｂ，７ｂとは、少なくとも１本の第３の電極指６ｃ，８ｃにより接続されている。第１～第３の電極指６ａ～６ｃ，８ａ～８ｃが延びる方向を長さ方向としたときに、各反射器５，７は、長さ方向中央に位置する中央領域Ａと、中央領域Ａと第１のバスバー５ａ，７ａとの間に位置しており、かつ中央領域Ａよりも音速が高い第１の高音速領域とを有する。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置が携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。特許文献１に記載の弾性波装置は、圧電性基板と、圧電性基板上に設けられているＩＤＴ電極とを有する。ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側には、反射器が設けられている。反射器は、対向し合う２本のバスバーと、２本のバスバーに接続された複数本の電極指とを有する。
特開２０００－３１２１２６号公報
　特許文献１に記載の弾性波装置の反射器においては、対向し合うバスバーに全ての電極指が接続されているため、バスバー近傍で音速が低下し、横モードスプリアスが生じることがあった。そのため、挿入損失などのフィルタ特性が劣化することがあった。
　本発明の目的は、横モードスプリアスを抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電性基板上に設けられており、かつ前記ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている２つの反射器とを備え、前記各反射器が、互いに対向し合う第１のバスバー及び第２のバスバーと、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーのうち少なくとも一方に接続されている複数本の電極指とを有し、前記第１のバスバーと前記第２のバスバーとが、少なくとも１本の前記電極指により接続されており、前記電極指が延びる方向を長さ方向としたときに、前記各反射器が、前記長さ方向中央に位置する中央領域と、前記中央領域と前記第１のバスバーとの間に位置している第１の外側領域とを有し、前記第１の外側領域が、前記中央領域よりも音速が高い第１の高音速領域である。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第１の外側領域において、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーに接続されている前記電極指とは別の少なくとも１本の前記電極指と前記第１のバスバーとの間にギャップが設けられていることにより、前記第１の高音速領域が構成されている。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記複数本の電極指の弾性波伝搬方向に沿う寸法を幅としたときに、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーに接続されている少なくとも１本の前記電極指の幅が、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーのうち一方に接続されている前記電極指の幅より広い。この場合には、第１のバスバーと第２のバスバーとを接続している電極指が断線し難い。よって、第１，第２のバスバー及び複数本の電極指をより一層確実に同電位とすることができる。従って、弾性波装置のフィルタ特性をより一層確実に劣化し難くすることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記反射器の弾性波伝搬方向における一方端部に位置する電極指により、前記第１のバスバーと前記第２のバスバーとが接続されており、前記第１の外側領域において、前記反射器の前記一方端部に位置する前記電極指以外の全ての前記電極指と前記第１のバスバーとの間にギャップが設けられており、全ての前記電極指が前記第２のバスバーに接続されている。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記複数本の電極指の弾性波伝搬方向に沿う寸法を幅としたときに、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーに接続されている少なくとも１本の前記電極指において、前記第１の外側領域における幅が前記中央領域における幅よりも狭いことにより、前記第１の高音速領域が構成されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記反射器が、前記中央領域と前記第２のバスバーとの間に位置している第２の外側領域を有し、前記第２の外側領域が、前記中央領域よりも音速が高い第２の高音速領域である。この場合には、横モードスプリアスをより一層抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第２の外側領域において、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーに接続されている前記電極指とは別の少なくとも１本の前記電極指と前記第２のバスバーとの間にギャップが設けられていることにより、前記第２の高音速領域が構成されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１のバスバーと前記第２のバスバーとが１本の前記電極指により接続されており、該電極指以外の全ての前記電極指が、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーのうち一方に接続されている。この場合には、リフトオフ法による反射器の形成に際し、レジストを容易に剥離することができる。従って、反射器の形成不良が生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記反射器の弾性波伝搬方向における一方端部に位置する電極指により、前記第１のバスバーと前記第２のバスバーとが接続されている。この場合には、反射器の形成不良が生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記反射器の弾性波伝搬方向における両端部のうち少なくとも一方に位置する電極指により、前記第１のバスバーと前記第２のバスバーとが接続されており、前記反射器の前記両端部に位置する前記電極指以外の全ての前記電極指が、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーのうち一方に接続されており、前記第１のバスバーが、弾性波伝搬方向における一方側の部分と他方側の部分とに分割されている。この場合には、反射器の形成不良が生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記複数本の電極指の弾性波伝搬方向に沿う寸法を幅としたときに、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーに接続されている少なくとも１本の前記電極指において、前記第２の外側領域における幅が前記中央領域における幅よりも狭いことにより、前記第２の高音速領域が構成されている。
　本発明によれば、横モードスプリアスを抑制することができる、弾性波装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態及び第１の比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。 図３は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例における反射器の模式的平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例における反射器の模式的平面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例における反射器の模式的平面図である。 図６は、本発明の第２の実施形態における反射器の模式的平面図である。 図７は、本発明の第２の実施形態の第１の変形例における反射器の模式的平面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態の第２の変形例における反射器の模式的平面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態の第３の変形例における反射器の模式的平面図である。 図１０は、本発明の第３の実施形態における反射器の模式的平面図である。 図１１は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図１２は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の模式的回路図である。 図１３は、本発明の第５の実施形態及び第２の比較例における送信フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　弾性波装置１は圧電性基板２を有する。圧電性基板２は、ＬｉＮｂＯ３からなる。なお、圧電性基板２は、ＬｉＴａＯ３などのＬｉＮｂＯ３以外の圧電単結晶からなっていてもよく、あるいは、適宜の圧電セラミックスからなっていてもよい。また、支持基板上に、圧電膜が積層されている圧電性基板を用いてもよい。当該圧電膜として、上記圧電単結晶などを適宜用いることができる。
　圧電性基板２上にはＩＤＴ電極３が設けられている。ＩＤＴ電極３は、互いに対向し合う第１のバスバー３ａ及び第２のバスバー３ｂを有する。ＩＤＴ電極３は、第１のバスバー３ａに一端が接続されている複数本の第１の電極指４ａと、第２のバスバー３ｂに一端が接続されている複数本の第２の電極指４ｂとを有する。複数本の第１の電極指４ａと複数本の第２の電極指４ｂとは互いに間挿し合っている。ＩＤＴ電極３は、弾性波伝搬方向から見たときに、第１の電極指４ａと第２の電極指４ｂとが重なり合っている交叉領域を有する。ＩＤＴ電極３に交流電圧を印加すると、弾性波が励振される。
　弾性波装置１は、圧電性基板２上に設けられており、かつＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側に設けられている２つの反射器５，７を有する。本実施形態の弾性波装置１は、１ポート型の弾性波共振子である。
　反射器５は、互いに対向し合う第１のバスバー５ａ及び第２のバスバー５ｂを有する。反射器５は、第１のバスバー５ａに一端が接続されている複数本の第１の電極指６ａと、第２のバスバー５ｂに一端が接続されている複数本の第２の電極指６ｂとを有する。第１の電極指６ａと第２のバスバー５ｂとの間及び第２の電極指６ｂと第１のバスバー５ａとの間には、ギャップＧが設けられている。本実施形態では、複数本の第１の電極指６ａと複数本の第２の電極指６ｂとは互いに間挿し合っている。
　反射器５は、第１のバスバー５ａと第２のバスバー５ｂとを接続している第３の電極指６ｃを有する。それによって、反射器５の第１，第２のバスバー５ａ，５ｂ及び第１～第３の電極指６ａ～６ｃを同電位とすることができる。そのため、定在波が好適に励振される。従って、弾性波装置１の挿入損失などのフィルタ特性が劣化し難い。
　本実施形態では、反射器５は第３の電極指６ｃを１本有する。なお、反射器５は、第３の電極指６ｃを複数本有していてもよい。ここで、第１～第３の電極指６ａ～６ｃの弾性波伝搬方向に沿う寸法を、第１～第３の電極指６ａ～６ｃの幅とする。本実施形態では、第１～第３の電極指６ａ～６ｃの幅は同じである。なお、第１～第３の電極指６ａ～６ｃの幅は異なっていてもよい。
　第１～第３の電極指６ａ～６ｃが伸びる方向を反射器５の長さ方向とする。反射器５は、長さ方向中央に位置する中央領域Ａを有する。本実施形態では、反射器５における中央領域Ａは、ＩＤＴ電極３における交叉領域に相当する。反射器５は、中央領域Ａと第１のバスバー５ａとの間に位置する第１の外側領域Ｂａを有する。同様に、反射器５は、中央領域Ａと第２のバスバー５ｂとの間に位置する第２の外側領域Ｂｂを有する。
　複数本の第２の電極指６ｂと第１のバスバー５ａとの間に設けられたギャップＧは、第１の外側領域Ｂａに位置している。よって、反射器５において第１の外側領域Ｂａに位置している部分は、第１の電極指６ａのみである。同様に、複数本の第１の電極指６ａと第２のバスバー５ｂとの間に設けられたギャップＧは、第２の外側領域Ｂｂに位置している。よって、反射器５において第２の外側領域Ｂｂに位置している部分は、第２の電極指６ｂのみである。それによって、中央領域Ａにおける弾性波の音速より第１の外側領域Ｂａ及び第２の外側領域Ｂｂにおける弾性波の音速が高速になっている。ここで、中央領域Ａにおける音速をＶ１とし、第１，第２の外側領域Ｂａ，Ｂｂにおける音速をＶ２とする。このとき、Ｖ２＞Ｖ１となっている。このように、第１の外側領域Ｂａ及び第２の外側領域Ｂｂは、中央領域Ａよりも音速が高い、第１の高音速領域及び第２の高音速領域である。
　反射器７は反射器５と同様の構成を有する。反射器７は、第１のバスバー７ａ、第２のバスバー７ｂ及び第１～第３の電極指８ａ～８ｃを有する。反射器７は、中央領域Ａ及び第１，第２の外側領域Ｂａ，Ｂｂを有する。第２の電極指８ｂと第１のバスバー７ａとの間にギャップＧが設けられていることにより、第１の高音速領域が構成されている。第１の電極指８ａと第２のバスバー７ｂとの間にギャップＧが設けられていることにより、第２の高音速領域が構成されている。よって、反射器７においても、第１，第２の外側領域Ｂａ，Ｂｂは、中央領域Ａよりも音速が高い、第１，第２の高音速領域である。
　上記のような各音速Ｖ１，Ｖ２の関係を図１に示す。なお、図１における右側に向かうにつれて、音速が高いことを示す。
　なお、各反射器５，７と同様に、ＩＤＴ電極３も、交叉領域と第１のバスバー３ａとの間及び交叉領域と第２のバスバー３ｂとの間に、第１の高音速領域及び第２の高音速領域を有する。ＩＤＴ電極３においては、第１，第２の高音速領域の音速は、交叉領域の音速よりも高い。弾性波装置１においては、反射器５、ＩＤＴ電極３及び反射器７の第１の高音速領域が、弾性波伝搬方向に沿い連なっている。反射器５、ＩＤＴ電極３及び反射器７の第２の高音速領域も、弾性波伝搬方向に沿い連なっている。
　ここで、第１，第２の電極指４ａ，４ｂが延びる方向をＩＤＴ電極３における長さ方向とする。ＩＤＴ電極３において、交叉領域の長さ方向に沿う寸法を交叉幅とする。各反射器５，７において、中央領域Ａの長さ方向に沿う寸法を中央領域Ａの幅とする。電極指ピッチにより規定される波長をλとする。このとき、本実施形態では、ＩＤＴ電極３の波長λは４μｍであり、交叉幅は１７．５λであり、電極指の対数は１００対であり、膜厚は７００ｎｍである。各反射器５，７の波長λは４μｍであり、中央領域Ａの幅は１７．５λであり、電極指の対数は１０対であり、膜厚は７００ｎｍである。
　本実施形態の特徴は、反射器５及び反射器７が第１の高音速領域及び第２の高音速領域をそれぞれ有することにある。それによって、横モードスプリアスを抑制することができる。これを、以下において、本実施形態と第１の比較例とを比較することにより説明する。
　なお、第１の比較例は、各反射器の全ての電極指が第１のバスバー及び第２のバスバーの双方に接続されている点において、本実施形態と異なる。
　図２は、第１の実施形態及び第１の比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。図２において、実線は第１の実施形態の結果を示し、破線は第１の比較例の結果を示す。
　図２に示すように、第１の比較例においては、リターンロスが劣化している。第１の比較例では、ＩＤＴ電極は第１，第２の高音速領域を有するが、各反射器は第１，第２の高音速領域を有しない。そのため、ＩＤＴ電極の第１の高音速領域から各反射器の第１のバスバー付近の領域に弾性波が伝搬したとき、音速が低くなる。これにより、横モードスプリアスが生じる。同様に、ＩＤＴ電極の第２の高音速領域から各反射器の第２のバスバー付近の領域に弾性波が伝搬したとき、音速が低くなるため、横モードスプリアスが生じる。そのため、第１の比較例においては、リターンロスが劣化している。
　これに対して、第１の実施形態においては、図１に示すように、各反射器５，７は、第１の高音速領域及び第２の高音速領域をそれぞれ有する。それによって、ＩＤＴ電極３から各反射器５，７に弾性波が伝搬したとき、音速は低くなり難い。従って、各反射器５，７において横モードスプリアスの発生を抑制することができる。これにより、図２に示すように、リターンロスを改善することができる。
　ここで、弾性波装置１の製造工程において、図１に示す反射器５は、例えば、リフトオフ法により形成される。反射器５においては、第１～第３の電極指６ａ～６ｃ間の領域及び各ギャップＧは互いに連なっており、かつ第１～第３の電極指６ａ～６ｃ間の領域及び各ギャップＧは、反射器５の外側の領域に連なっている。そのため、反射器５をパターニングするためのレジストも、上記のように各部分が連なった構成とすることができる。よって、反射器５の形成に際し、レジストを容易に剥離することができる。同様に、反射器７の形成に際しても、レジストを容易に剥離することができる。従って、各反射器５，７の形成不良が生じ難い。
　第１の実施形態のように、ギャップＧが設けられていることにより第１の高音速領域が構成されている場合には、反射器５は、少なくとも１本の第２の電極指６ｂを有していればよい。もっとも、第２の電極指６ｂを複数本有していることが好ましい。これにより、第１の高音速領域における音速を高くすることができる。よって、ＩＤＴ電極３から反射器５に伝搬した弾性波の音速がより一層低くなり難い。従って、横モードスプリアスをより一層抑制することができる。
　ギャップＧが設けられていることにより第２の高音速領域が構成されている場合には、反射器５は、少なくとも１本の第１の電極指６ａを有していればよい。もっとも、第１の電極指６ａを複数本有していることが好ましい。それによって、ＩＤＴ電極３から反射器５に伝搬した弾性波の音速がより一層低くなり難い。
　反射器５は第３の電極指６ｃを１本有し、該第３の電極指６ｃ以外の全ての電極指は、第１の電極指６ａまたは第２の電極指６ｂであることがより好ましい。それによって、第１の高音速領域または第２の高音速領域の音速をより一層高くすることができる。従って、ＩＤＴ電極３から反射器５に伝搬した弾性波の音速がより一層低くなり難い。加えて、上述したように、反射器５の形成不良が生じ難い。
　第３の電極指６ｃは、弾性波伝搬方向における、ＩＤＴ電極３側とは反対側の端部に位置していることが好ましい。それによって、ＩＤＴ電極３側の端部に第１の電極指６ａまたは第２の電極指６ｂを配置することができる。これにより、反射器５において、ＩＤＴ電極３側において音速を高くすることができる。従って、横モードスプリアスをより一層抑制することができる。なお、第３の電極指６ｃは、反射器５の弾性波伝搬方向におけるＩＤＴ電極３側の端部に位置していてもよい。
　以下に示す第１の実施形態の第１～第３の変形例においても、横モードスプリアスを抑制することができ、かつ反射器の形成不良が生じ難い。
　図３に示す第１の実施形態の第１の変形例では、第３の電極指６ｃは、反射器５５の弾性波伝搬方向における中央付近に位置している。このように、第３の電極指６ｃが１本である場合には、第３の電極指６ｃの位置に関わらず、第１～第３の電極指６ａ～６ｃ間の領域及び各ギャップと、反射器５５の外側の領域とを連ねることができる。
　図４に示す第１の実施形態の第２の変形例では、第３の電極指６ｃは、反射器６５の弾性波伝搬方向における両端部に配置されている。第１のバスバー６５ａは、弾性波伝搬方向において、第１の部分６９Ａと、第２の部分６９Ｂとに分割されている。これにより、第１～第３の電極指６ａ～６ｃ間の領域及び各ギャップは、反射器６５の外側の領域に連なっている。
　図５に示す第１の実施形態の第３の変形例では、反射器７５は第１の高音速領域を有し、第２の高音速領域を有しない。より具体的には、反射器７５は、第３の電極指６ｃを１本有する。第３の電極指６ｃは、弾性波伝搬方向における、ＩＤＴ電極側とは反対側の端部に位置している。第３の電極指６ｃ以外の全ての電極指は第２の電極指６ｂであり、第２のバスバー５ｂに接続されている。もっとも、第１の実施形態のように、第１の高音速領域及び第２の高音速領域を有することが好ましい。それによって、横モードスプリアスをより一層抑制することができる。
　反射器７は反射器５とは異なる構成を有していてもよい。もっとも、反射器７は反射器５と同様の構成を有することが好ましい。それによって、定在波がより確実に励振される。従って、弾性波装置１のフィルタ特性が劣化し難い。
　図６は、第２の実施形態における反射器の模式的平面図である。
　第２の実施形態の弾性波装置は、反射器１５の第３の電極指１６ｃの幅が第１の電極指６ａの幅及び第２の電極指６ｂの幅より広い点において、第１の実施形態と異なる。上記以外の点においては、第２の実施形態の弾性波装置は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　第３の電極指１６ｃの幅は広いため、弾性波装置の製造に際し、第３の電極指１６ｃが断線し難い。よって、反射器１５の第１，第２のバスバー５ａ，５ｂ、第１，第２の電極指６ａ，６ｂ及び第３の電極指１６ｃをより一層確実に同電位とすることができる。従って、弾性波装置のフィルタ特性をより一層確実に劣化し難くすることができる。
　加えて、第１の実施形態と同様に、横モードスプリアスを抑制することができ、かつ反射器１５の形成不良が生じ難い。
　第３の電極指１６ｃを複数本有する場合には、少なくとも１本の第３の電極指１６ｃの幅が第１，第２の電極指６ａ，６ｂの幅より広いことが好ましい。それによって、弾性波装置のフィルタ特性が劣化し難い。
　第２の実施形態の第１～第３の変形例における各反射器を、図７～図９に示す。第２の実施形態の第１～第３の変形例の各反射器５５Ｘ，６５Ｘ，７５Ｘは、第１の実施形態における第１～第３の変形例において、第３の電極指の幅が第１の電極指の幅及び第２の電極指の幅より広い各反射器に相当する。各反射器５５Ｘ，６５Ｘ，７５Ｘにおいても、第２の実施形態と同様に、第３の電極指１６ｃの断線が生じ難い。それによって、弾性波装置のフィルタ特性をより一層確実に劣化し難くすることができる。
　図１０は、第３の実施形態における反射器の模式的平面図である。
　本実施形態の弾性波装置は、反射器２５の全ての電極指が、第１のバスバー５ａと第２のバスバー５ｂとを接続している第３の電極指２６ｃである点及び第１，第２の外側領域Ｂａ，Ｂｂの構成が、第１の実施形態と異なる点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　反射器２５では、全ての第３の電極指２６ｃの第１の外側領域Ｂａにおける幅が、中央領域Ａにおける幅よりも狭い。それによって、第１の外側領域Ｂａの音速が中央領域Ａの音速よりも高い。よって、第１の外側領域Ｂａは第１の高音速領域である。同様に、全ての第３の電極指２６ｃの第２の外側領域Ｂｂにおける幅は、中央領域Ａにおける幅よりも狭い。これにより、第２の外側領域Ｂｂの音速は中央領域Ａの音速よりも高い。よって、第２の外側領域Ｂｂは第２の高音速領域である。
　本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、横モードスプリアスを抑制することができる。
　本実施形態では、第１のバスバー５ａと電極指との間にギャップが設けられていない。このような場合においても、少なくとも１本の第３の電極指２６ｃにおいて、第１の外側領域Ｂａにおける幅が中央領域Ａにおける幅よりも狭いことにより、第１の高音速領域が構成される。もっとも、複数本の第３の電極指２６ｃにおいて、第１の外側領域Ｂａにおける幅が中央領域Ａにおける幅よりも狭いことが好ましい。本実施形態のように、全ての第３の電極指２６ｃにおいて、第１の外側領域Ｂａにおける幅が中央領域Ａにおける幅よりも狭いことがより好ましい。それによって、第１の高音速領域における音速をより一層高くすることができる。第２の外側領域Ｂｂにおいても同様である。
　なお、反射器２５は、第１のバスバー５ａとの間にギャップが設けられた第２の電極指と、第１の外側領域Ｂａにおいて幅が狭い第３の電極指２６ｃとを有していてもよい。この場合においても、第１の外側領域Ｂａにおいて第１の高音速領域が構成される。反射器２５は、第２のバスバー５ｂとの間にギャップが設けられた第１の電極指と、第２の外側領域Ｂｂにおいて幅が狭い第３の電極指２６ｃとを有していてもよい。この場合においても、第２の外側領域Ｂｂにおいて第２の高音速領域が構成される。
　図１１は、第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　弾性波装置３１では、ＩＤＴ電極３３の第１の電極指４ａ上及び第２の電極指４ｂ上に質量付加膜３９が設けられている点において、第１の実施形態と異なる。反射器３５の第１～第３の電極指６ａ～６ｃ上及び反射器３７の第１～第３の電極指８ａ～８ｃ上に質量付加膜３９が設けられている点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外では、本実施形態の弾性波装置３１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　より具体的には、反射器３５は第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂを有する。第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂは、中央領域Ａの長さ方向両側に位置している。第１のエッジ領域Ｃａは中央領域Ａと第１の外側領域Ｂａとの間に位置しており、第２のエッジ領域Ｃｂは中央領域Ａと第２の外側領域Ｂｂとの間に位置している。
　質量付加膜３９は、反射器３５の第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂに位置している。これにより、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂにおける弾性波の音速は低くされている。ここで、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂの音速をＶ３としたとき、Ｖ１＞Ｖ３となっている。このように、第１のエッジ領域Ｃａ及び第２のエッジ領域Ｃｂは、中央領域Ａよりも音速が低い、第１の低音速領域及び第２の低音速領域である。
　本実施形態では、各音速の関係はＶ２＞Ｖ１＞Ｖ３である。この関係を図１１に示す。
　同様に、ＩＤＴ電極３３及び反射器３７も、第１の低音速領域及び第２の低音速領域をそれぞれ有する。本実施形態では、ＩＤＴ電極３３の交叉領域は、長さ方向中央に位置する中央領域と、中央領域の長さ方向両側に位置する第１，第２のエッジ領域とを有する。各反射器３５，３７における中央領域Ａは、ＩＤＴ電極３３における中央領域に相当する。
　ＩＤＴ電極３３において、中央領域の外側に第１，第２の低音速領域が配置され、第１，第２の低音速領域の外側に第１，第２の高音速領域が配置されていることにより、不要波を抑制することができる。このように、弾性波装置３１はピストンモードを利用している。
　弾性波装置３１においては、反射器３５、ＩＤＴ電極３３及び反射器３７の第１の低音速領域が、弾性波伝搬方向に沿い連なっている。同様に、反射器３５、ＩＤＴ電極３３及び反射器３７の第２の低音速領域、中央領域、第１の高音速領域及び第２の高音速領域も、弾性波伝搬方向に沿いそれぞれ連なっている。よって、ＩＤＴ電極から各反射器３５，３７に伝搬した弾性波の音速が変化し難い。従って、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、横モードスプリアスを抑制することができる。
　第１～第４の実施形態及び各変形例では、弾性波装置が１ポート型の弾性波共振子である例を示した。本発明に係る弾性波装置は、例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタ、ラダー型フィルタやデュプレクサであってもよい。以下において、弾性波装置がデュプレクサである例を示す。
　図１２は、第５の実施形態に係る弾性波装置の模式的回路図である。
　弾性波装置４０は、送信フィルタ４１Ａと、送信フィルタ４１Ａとは通過帯域が異なる受信フィルタ４１Ｂとを有する、デュプレクサである。弾性波装置４０は、アンテナに接続されるアンテナ端子４２を有する。送信フィルタ４１Ａ及び受信フィルタ４１Ｂは、アンテナ端子４２に共通接続されている。
　送信フィルタ４１Ａは、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４を有する。送信フィルタ４１Ａは、本発明の一実施形態に係る弾性波装置としてのラダー型フィルタである。より具体的には、直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ２との間の接続点、直列腕共振子Ｓ２と直列腕共振子Ｓ３との間の接続点、および直列腕共振子Ｓ３と直列腕共振子Ｓ４との間の接続点に、並列腕共振子Ｐ２～Ｐ４の一端がそれぞれ接続され、他端は共通化された上でグラウンド電位に接続されている。他方、ブロック図で示す受信フィルタ４１Ｂの構成は、特に限定されない。
　本実施形態では、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４は、全て第１の実施形態と同様の構成を有する弾性波共振子である。それによって、横モードスプリアスを効果的に抑制することができる。なお、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４のうち、少なくとも１つが本発明に従い構成された弾性波共振子であればよい。
　直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４の設計パラメータは、所望のフィルタ特性に応じて異なる。より具体的には、送信フィルタ４１Ａの各弾性波共振子の設計パラメータは下記の表１の通りである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　本実施形態では、送信フィルタ４１Ａが本発明の一実施形態に係る弾性波装置であるが、送信フィルタ４１Ａ及び受信フィルタ４１Ｂのうち少なくとも一方が本発明に従い構成された弾性波装置であればよい。
　以下において、本実施形態と第２の比較例とを比較することにより、本実施形態の効果を説明する。
　なお、第２の比較例では、全ての弾性波共振子の全ての反射器において、全ての電極指が第１のバスバーと第２のバスバーとを接続している。上記全ての反射器は、第１の高音速領域及び第２の高音速領域のいずれも有しない。これらの点において、第２の比較例は第５の実施形態と異なる。
　図１３は、第５の実施形態及び第２の比較例における送信フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。図１３において、実線は第５の実施形態の結果を示し、破線は第２の比較例の結果を示す。
　図１３に示すように、第２の比較例においては、挿入損失が劣化していることがわかる。第２の比較例においては、各弾性波共振子の反射器において横モードスプリアスが生じ易い。そのため、図１３に示すように、横モードスプリアスによるリップルが大きくなっていることがわかる。
　これに対して、第５の実施形態では、各弾性波共振子の反射器が第１の実施形態と同様の構成を有するため、横モードスプリアスを効果的に抑制することができる。それによって、横モードスプリアスによるリップルを小さくすることができている。さらに、挿入損失を小さくすることができている。
１…弾性波装置
２…圧電性基板
３…ＩＤＴ電極
３ａ，３ｂ…第１，第２のバスバー
４ａ，４ｂ…第１，第２の電極指
５…反射器
５ａ，５ｂ…第１，第２のバスバー
６ａ～６ｃ…第１～第３の電極指
７…反射器
７ａ，７ｂ…第１，第２のバスバー
８ａ～８ｃ…第１～第３の電極指
１５…反射器
１６ｃ…第３の電極指
２３…ＩＤＴ電極
２５…反射器
２６ｃ…第３の電極指
２７…反射器
２９…質量付加膜
３１…弾性波装置
３３…ＩＤＴ電極
３５…反射器
３７…反射器
３９…質量付加膜
４０…弾性波装置
４１Ａ…送信フィルタ
４１Ｂ…受信フィルタ
４２…アンテナ端子
５５，５５Ｘ，６５，６５Ｘ…反射器
６５ａ…第１のバスバー
６９Ａ，６９Ｂ…第１，第２の部分
７５，７５Ｘ…反射器
Ｐ１～Ｐ４…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ４…直列腕共振子

Claims (11)

  1. 　圧電性基板と、
    　前記圧電性基板上に設けられているＩＤＴ電極と、
    　前記圧電性基板上に設けられており、かつ前記ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている２つの反射器と、
    を備え、
    　前記各反射器が、互いに対向し合う第１のバスバー及び第２のバスバーと、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーのうち少なくとも一方に接続されている複数本の電極指と、を有し、
    　前記第１のバスバーと前記第２のバスバーとが、少なくとも１本の前記電極指により接続されており、
    　前記電極指が延びる方向を長さ方向としたときに、前記各反射器が、前記長さ方向中央に位置する中央領域と、前記中央領域と前記第１のバスバーとの間に位置している第１の外側領域と、を有し、
    　前記第１の外側領域が、前記中央領域よりも音速が高い第１の高音速領域である、弾性波装置。
  2. 　前記第１の外側領域において、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーに接続されている前記電極指とは別の少なくとも１本の前記電極指と前記第１のバスバーとの間にギャップが設けられていることにより、前記第１の高音速領域が構成されている、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記複数本の電極指の弾性波伝搬方向に沿う寸法を幅としたときに、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーに接続されている少なくとも１本の前記電極指の幅が、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーのうち一方に接続されている前記電極指の幅より広い、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記反射器の弾性波伝搬方向における一方端部に位置する電極指により、前記第１のバスバーと前記第２のバスバーとが接続されており、
    　前記第１の外側領域において、前記反射器の前記一方端部に位置する前記電極指以外の全ての前記電極指と前記第１のバスバーとの間にギャップが設けられており、
    　全ての前記電極指が前記第２のバスバーに接続されている、請求項２または３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記複数本の電極指の弾性波伝搬方向に沿う寸法を幅としたときに、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーに接続されている少なくとも１本の前記電極指において、前記第１の外側領域における幅が前記中央領域における幅よりも狭いことにより、前記第１の高音速領域が構成されている、請求項１に記載の弾性波装置。
  6. 　前記反射器が、前記中央領域と前記第２のバスバーとの間に位置している第２の外側領域を有し、
    　前記第２の外側領域が、前記中央領域よりも音速が高い第２の高音速領域である、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記第２の外側領域において、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーに接続されている前記電極指とは別の少なくとも１本の前記電極指と前記第２のバスバーとの間にギャップが設けられていることにより、前記第２の高音速領域が構成されている、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記第１のバスバーと前記第２のバスバーとが１本の前記電極指により接続されており、該電極指以外の全ての前記電極指が、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーのうち一方に接続されている、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記反射器の弾性波伝搬方向における一方端部に位置する電極指により、前記第１のバスバーと前記第２のバスバーとが接続されている、請求項８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記反射器の弾性波伝搬方向における両端部のうち少なくとも一方に位置する電極指により、前記第１のバスバーと前記第２のバスバーとが接続されており、
    　前記反射器の前記両端部に位置する前記電極指以外の全ての前記電極指が、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーのうち一方に接続されており、
    　前記第１のバスバーが、弾性波伝搬方向における一方側の部分と他方側の部分とに分割されている、請求項７に記載の弾性波装置。
  11. 　前記複数本の電極指の弾性波伝搬方向に沿う寸法を幅としたときに、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーに接続されている少なくとも１本の前記電極指において、前記第２の外側領域における幅が前記中央領域における幅よりも狭いことにより、前記第２の高音速領域が構成されている、請求項６に記載の弾性波装置。
PCT/JP2017/046171 2016-12-26 2017-12-22 弾性波装置 WO2018123882A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201780078832.7A CN110114973B (zh) 2016-12-26 2017-12-22 弹性波装置
US16/443,901 US11018650B2 (en) 2016-12-26 2019-06-18 Acoustic wave device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016250663 2016-12-26
JP2016-250663 2016-12-26

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/443,901 Continuation US11018650B2 (en) 2016-12-26 2019-06-18 Acoustic wave device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018123882A1 true WO2018123882A1 (ja) 2018-07-05

Family

ID=62707301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/046171 WO2018123882A1 (ja) 2016-12-26 2017-12-22 弾性波装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11018650B2 (ja)
CN (1) CN110114973B (ja)
WO (1) WO2018123882A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020184622A1 (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2021220974A1 (ja) * 2020-04-27 2021-11-04 株式会社村田製作所 弾性波装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114513180A (zh) * 2020-11-16 2022-05-17 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 薄膜表声波谐振器及其制造方法
WO2023035235A1 (zh) * 2021-09-10 2023-03-16 华为技术有限公司 谐振器、滤波器及电子设备
CN116938188B (zh) * 2023-09-15 2024-01-09 广州市艾佛光通科技有限公司 一种声表面波谐振装置、声表面波滤波装置及电子设备

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5971970A (ja) * 1983-09-13 1984-04-23 松下冷機株式会社 冷蔵庫
JPS6084451A (ja) * 1983-10-14 1985-05-13 Nissan Motor Co Ltd 自動変速機の油路構造
JPS60184319A (ja) * 1984-02-29 1985-09-19 株式会社クボタ 刈取収穫機
JPS61199927A (ja) * 1985-03-01 1986-09-04 Nitto Electric Ind Co Ltd 防食施工法
JPS62142409A (ja) * 1985-12-17 1987-06-25 Toyo Commun Equip Co Ltd 反射器型高周波狭帯域多重モ−ド・フイルタの電極構造
JPS63211910A (ja) * 1987-02-27 1988-09-05 Toshiba Corp 弾性表面波共振子装置
JP2000022491A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Nec Corp 弾性表面波フィルタ
JP2000031780A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Tdk Corp 弾性表面波装置
JP2000323957A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波デバイス
JP2001267880A (ja) * 2000-03-15 2001-09-28 Seiko Epson Corp Ｓａｗ共振子
JP2001308676A (ja) * 2001-04-27 2001-11-02 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2012186808A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Triquint Semiconductor Inc トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法
JP2013518455A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エプコス アーゲー 横方向放射損失を低減させ，横方向モードの抑制により性能を高めた電気音響変換器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60184319U (ja) * 1984-05-18 1985-12-06 株式会社東芝 弾性表面波共振子
JPS61199927U (ja) * 1985-06-03 1986-12-15
JP2000312126A (ja) 1999-04-28 2000-11-07 Kyocera Corp 弾性表面波装置
US7939989B2 (en) 2009-09-22 2011-05-10 Triquint Semiconductor, Inc. Piston mode acoustic wave device and method providing a high coupling factor
CN105531926B (zh) * 2013-09-06 2018-03-16 株式会社村田制作所 弹性波谐振器、弹性波滤波器装置以及双工器
US10153748B2 (en) * 2013-10-31 2018-12-11 Kyocera Corporation Acoustic wave element, filter element, and communication device
CN107112975B (zh) * 2014-11-28 2020-11-17 株式会社村田制作所 弹性波装置

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5971970A (ja) * 1983-09-13 1984-04-23 松下冷機株式会社 冷蔵庫
JPS6084451A (ja) * 1983-10-14 1985-05-13 Nissan Motor Co Ltd 自動変速機の油路構造
JPS60184319A (ja) * 1984-02-29 1985-09-19 株式会社クボタ 刈取収穫機
JPS61199927A (ja) * 1985-03-01 1986-09-04 Nitto Electric Ind Co Ltd 防食施工法
JPS62142409A (ja) * 1985-12-17 1987-06-25 Toyo Commun Equip Co Ltd 反射器型高周波狭帯域多重モ−ド・フイルタの電極構造
JPS63211910A (ja) * 1987-02-27 1988-09-05 Toshiba Corp 弾性表面波共振子装置
JP2000022491A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Nec Corp 弾性表面波フィルタ
JP2000031780A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Tdk Corp 弾性表面波装置
JP2000323957A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波デバイス
JP2001267880A (ja) * 2000-03-15 2001-09-28 Seiko Epson Corp Ｓａｗ共振子
JP2001308676A (ja) * 2001-04-27 2001-11-02 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2013518455A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エプコス アーゲー 横方向放射損失を低減させ，横方向モードの抑制により性能を高めた電気音響変換器
JP2012186808A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Triquint Semiconductor Inc トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020184622A1 (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 株式会社村田製作所 弾性波装置
KR20210105971A (ko) * 2019-03-11 2021-08-27 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치
JPWO2020184622A1 (ja) * 2019-03-11 2021-12-02 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP7168066B2 (ja) 2019-03-11 2022-11-09 株式会社村田製作所 弾性波装置
KR102608527B1 (ko) 2019-03-11 2023-12-01 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치
WO2021220974A1 (ja) * 2020-04-27 2021-11-04 株式会社村田製作所 弾性波装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11018650B2 (en) 2021-05-25
CN110114973A (zh) 2019-08-09
CN110114973B (zh) 2024-04-26
US20190305747A1 (en) 2019-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018123882A1 (ja) 弾性波装置
US9935611B2 (en) Elastic wave filter device
CN107112975B (zh) 弹性波装置
KR102472455B1 (ko) 탄성파 장치
JP6380558B2 (ja) 弾性波装置
JP6835222B2 (ja) 弾性波装置及び複合フィルタ装置
JP6284800B2 (ja) 弾性表面波デバイス及びフィルタ
KR101793055B1 (ko) 래더형 필터
US10840881B2 (en) Longitudinally coupled resonator acoustic wave filter
JP6465047B2 (ja) 弾性波共振子、帯域通過型フィルタ及びデュプレクサ
US11165409B2 (en) Acoustic wave device, filter, and composite filter device
WO2018070273A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
WO2021002321A1 (ja) 弾性波フィルタおよびマルチプレクサ
CN114270707A (zh) 弹性波装置
JP5850209B1 (ja) 弾性波装置
US20180294402A1 (en) Acoustic wave resonator, filter, and multiplexer
CN113632377A (zh) 纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及滤波器装置
US10090823B2 (en) Elastic wave resonator and ladder filter
KR20000047665A (ko) 통과대역의 편평도를 향상시키는 탄성 표면파 필터 및이의 제조 방법
WO2020137263A1 (ja) フィルタ装置
CN109565267B (zh) 声表面波滤波器、高频模块以及多工器
WO2018193933A1 (ja) 弾性波装置、帯域通過型フィルタ及びマルチプレクサ
WO2018079284A1 (ja) ラダー型フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタ装置
WO2022019169A1 (ja) ラダー型フィルタ
WO2016039026A1 (ja) 弾性表面波装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17888601

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17888601

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP