CN116938188B - 一种声表面波谐振装置、声表面波滤波装置及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例涉及通信领域，尤其涉及一种声表面波谐振装置，包括叉指换能器及分别设于叉指换能器两侧的第一反射器和第二反射器；叉指换能器具有有效孔径区及相对设置的第一声速区和第二声速区，有效孔径区设于第一声速区和第二声速区之间；第一反射器和第二反射器分别独立包括与有效孔径区位置对应的主反射栅、与第一声速区位置对应的第一辅助反射栅及与第二声速区位置对应的第二辅助反射栅。本申请还涉及一种声表面波滤波装置及电子设备。本申请利用第一反射器和第二反射器上的主反射栅反射沿叉指换能器的长度方向传播的声表面波，及第一辅助反射栅和第二辅助反射栅反射倾斜泄漏传播的声表面波，从而提升本申请声表面波谐振装置的Q值。
Description
技术领域
本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种声表面波谐振装置、声表面波滤波装置及电子设备。
背景技术
声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)滤波装置是移动终端应用最广泛的滤波装置，且随着移动终端模块化程度地不断升高，对声表面波滤波装置也提出了小型化、高性能等更高的要求。为满足上述更高的性能要求，则出现超大带宽声表面波滤波装置，温补型声表面波滤波装置，多层键合衬底结构声表面波滤波装置等结构多采用较重的金属电极，以获得足够的反射系数，然而这些结构在具备优异性能的同时，也会存在横向模态寄生以及叉指换能器的衍射效应，降低声表面波谐振装置的Q值。
发明内容
本申请实施例提供一种声表面波谐振装置、声表面波滤波装置及电子设备，以解决声表面波谐振装置的Q值低的问题。
为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种声表面波谐振装置，采用了如下所述的技术方案：
一种声表面波谐振装置，包括叉指换能器以及分别设于所述叉指换能器两侧的第一反射器和第二反射器；
所述叉指换能器具有有效孔径区、以及相对设置的第一声速区和第二声速区，所述有效孔径区设于所述第一声速区和所述第二声速区之间；
所述第一反射器和所述第二反射器分别独立包括与所述有效孔径区位置对应的主反射栅、与所述第一声速区位置对应的第一辅助反射栅以及与所述第二声速区位置对应的第二辅助反射栅，所述第一辅助反射栅和所述第二辅助反射栅均用于反射倾斜传播的声表面波。
进一步的，所述主反射栅包括至少一个主栅电极，所述第一辅助反射栅和所述第二辅助反射栅分别独立包括至少一个辅助栅电极；其中：
所述辅助栅电极的长度方向与所述叉指换能器的长度方向之间形成夹角，所述夹角的角度为0至90度；和/或，
所述第一辅助反射栅和所述第二辅助反射栅中的所述辅助栅电极的数量分别独立为至少两个，至少一个所述辅助栅电极与所述主栅电极垂直，至少一个所述辅助栅电极与所述主栅电极平行。
进一步的，当所述辅助栅电极的长度方向与所述叉指换能器的长度方向之间形成夹角时，所述夹角的角度为40至45度。
进一步的，所述叉指换能器包括汇流排、多个第一电极指以及多个第二电极指；
各所述第一电极指和各所述第二电极指交错间隔连接于所述汇流排上，且所述第一电极指和所述第二电极指分别独立包括第一部分和第二部分，所述第一部分设于所述有效孔径区内，所述第一电极指的所述第二部分设于所述第一声速区内，所述第二电极指的所述第二部分设于所述第二声速区内。
进一步的，所述第一辅助反射栅的所述辅助栅电极与位于所述汇流排最外侧的所述第一电极指的所述第二部分电连接；和/或，所述第二辅助反射栅的所述辅助栅电极与位于所述汇流排最外侧的所述第二电极指的所述第二部分电连接。
进一步的，至少一个所述第一电极指和/或至少一个所述第二电极指中的所述第一部分的长度不同。
进一步的，于所述汇流排的中部靠近所述第一反射器和/或所述第二反射器的方向，各所述第一电极指和/或各所述第二电极指中的所述第一部分的长度逐渐减小。
进一步的，所述第一电极指和所述第二电极指分别独立设有用于抑制横向模态的抑制结构，所述抑制结构设于所述第一部分的端部；
所述抑制结构为锤头结构，所述锤头结构用于加宽所述第一部分的端部；和/或，所述抑制结构为活塞结构，所述活塞结构用于加粗所述第一部分的端部。
为了解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种声表面波滤波装置，采用了如下所述的技术方案：
一种声表面波滤波装置，包括如上所述的声表面波谐振装置。
为了解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种电子设备，采用了如下所述的技术方案：
一种电子设备，包括如上所述的声表面波谐振装置、或如上所述的声表面波滤波装置。
与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：本申请在叉值换能器的两侧分别设置第一反射器和第二反射器，利用第一反射器和第二反射器上的主反射栅反射沿叉指换能器的长度方向传播的声表面波，以及第一辅助反射栅和第二辅助反射栅反射倾斜泄漏传播的声表面波，以使声表面波集中束缚在叉指换能器的内部，避免造成能量的损失，从而提升本申请声表面波谐振装置的Q值。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例的声表面谐振装置的结构示意图（电极指孔径相同，且夹角为直角）；
图2是本申请实施例的声表面谐振装置的结构示意图（电极指孔径不同，且夹角为直角）；
图3是本申请实施例的声表面谐振装置的结构示意图（电极指孔径不同，且夹角为锐角）；
图4是本申请实施例的声表面谐振装置的结构示意图（电极指孔径不同，且部分辅助栅电极与主栅电极垂直，另一部辅助栅电极与主栅电极平行）；
图5是本申请实施例的声表面谐振装置的结构示意图（电极指孔径不同，且未设置抑制结构）；
图6是本申请实施例的声表面谐振装置中夹角在不同角度下的Q值的曲线图；
图7是本申请实施例的声表面谐振装置与比较例的声表面谐振装置在不同频率下Q值的对比曲线图；
图8是本申请实施例的电子设备的结构示意图。
附图标记：
10、电子设备；11、收发器；12、存储器；13、处理器；100、声表面波滤波装置；200、声表面波谐振装置；210、叉指换能器；211、第一汇流条；212、第二汇流条；213a、第一电极指；213b、第二电极指；2131、第一部分；2132、第二部分；214、抑制结构；220a、第一反射器；220b、第二反射器；221、主反射栅；2211、主栅电极；222a、第一辅助反射栅；222b、第二辅助反射栅；2221、辅助栅电极。
具体实施方式
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、器或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
参阅图1至图5，本申请实施例提供一种声表面波谐振装置200，包括叉指换能器210、第一反射器220a和第二反射器220b。其中，所述叉指换能器210用于实现声-电换能，所述第一反射器220a和所述第二反射器220b分别设于叉指换能器210的两侧，且所述第一反射器220a和所述第二反射器220b均用于反射声表面波。
在本申请的一些实施例中，参阅图1，所述叉指换能器210具有有效孔径区、以及相对设置的第一声速区和第二声速区，所述有效孔径区设于所述第一声速区和所述第二声速区之间。
可理解地，所述有效孔径区是声表面谐振装置200中用于激发和接收声表面波的区域，在这个区域内可用于供叉指换能器210中的第一电极指213a/第二电极指213b设置，以用来产生电场，并当电场激励加到有效孔径区时，引发声表面波在晶体的表面上传播；所述第一声速区和第二声速区分别为声表面波传播的区域，该声表面波的传播速度取决于该区域的质量分布，且质量分布越高则声表面波越慢，即若第一声速区/第二声速区中某部分区域设置有叉指换能器210中的第一电极指213a/第二电极指213b时，则此部分区域的声表面波传播是速度慢，作为低速区，反之若第一声速区/第二声速区中某部分区域未设置有叉指换能器210中的第一电极指213a/第二电极指213b时，则此部分区域的声表面波传播是速度快，作为高速区。
在本申请的一些实施例中，参阅图1至图5，所述第一反射器220a和所述第二反射器220b分别独立包括与所述有效孔径区位置对应的主反射栅221、与所述第一声速区位置对应的第一辅助反射栅222a以及与所述第二声速区位置对应的第二辅助反射栅222b，所述第一辅助反射栅222a和所述辅助反射栅均用于反射倾斜传播的声表面波。
在本实施例中，位置对应的设置，使主反射栅221与有效孔径区处于同一区域上，以用于反射沿叉指换能器210长度方向传播的声表面波；并使第一辅助反射栅222a与第一声速区处于同一区域上，以及第二辅助反射栅222b与第二声速区213处于同一区域上，以用于反射沿倾斜于叉指换能器210长度方向传播的声表面波。
可理解地，在现有技术中，导致声表面谐振装置200的Q值降低具有如下示例情形：①通过在叉指换能器210上的第一电极指213a和/或第二电极指213b的端部进行加权（加宽或加粗）抑制横向模态；②使第一电极指213a和/或第二电极指213b的孔径小于25倍的λ（λ为声表面波波长），以满足小型化的需求；上述①和②的情形，均会导致声表面波谐振装置200内的声表面波传播方向与叉指换能器210的长度方向产生较大的偏角，又或是因为声表面波的衍射，声表面波可能在偏离叉指换能器210的长度方向传播，最终导致声表面波沿与叉指换能器210的长度方向形成偏角的方向（倾斜于叉指换能器210长度方向）进行传播，并且现有声表面谐振装置200中的反射栅只用于反射沿叉指换能器210的长度方向的声表面波，因此造成声表面波的能量损失，进而降低表面波谐振装置的Q值。
基于此，在本实施例中，分别在叉值换能器210的两侧设置第一反射器220a和第二反射器220b，利用第一反射器220a和第二反射器220b上的主反射栅221反射沿叉指换能器210的长度方向传播的声表面波，以及第一辅助反射栅222a和第二辅助反射栅222b反射倾斜传播的声表面波，以使声表面波集中束缚在叉指换能器210的内部，避免造成能量的损失，从而提升本申请声表面波谐振装置200的Q值。
在本申请的一些实施例中，参阅图1至图5，所述主反射栅221包括至少一个主栅电极2211，所述第一辅助反射栅222a和所述第二辅助反射栅222b分别独立包括至少一个辅助栅电极2221。主栅电极2211、第一辅助反射栅222a和第二辅助反射栅222b分别用于声表面波的反射、调制和滤波等功能，从而实现对声表面波谐振装置200性能的控制和优化。
在本申请的一些实施例中，参阅图1至图5，所述辅助栅电极2221的长度方向与所述叉指换能器210的长度方向之间形成夹角，所述夹角的角度为0至90度。对于与叉指换能器210的长度方向倾斜传播的声表面波，在此夹角的角度范围内，可提升该倾斜传播的声表面波的反射效果，从而进一步的提升声表面波谐振装置200的Q值。
可选的是，所述夹角的角度为0度、5度、10度、15度、20度、25度、30度、35度、40度、45度、50度、55度、60度、65度、70度、75度、80度、85度、90度中的任一者或任二者所形成的范围。
在本申请的一些实施例中，参阅图3，所述夹角的角度范围为40至45度。在此范围内，使第一辅助反射栅222a上的辅助栅电极2221的长度方向与所述主栅电极2211的长度方向、和第二辅助反射栅222b上的辅助栅电极2221的长度方向与所述主栅电极2211的长度方向垂直或基本垂直，从而可更进一步的提升倾斜泄漏传播的声表面波的反射效果。
在本申请的一些实施例中，参阅图4，所述第一辅助反射栅222a和所述第二辅助反射栅222b中所述辅助栅电极2221的数量分别独立为至少两个，至少一个所述辅助栅电极2221与所述主栅电极2211垂直，至少一个所述辅助栅电极2221与所述主栅电极2211平行。如此，使第一辅助反射栅222a和第二辅助反射栅222b不仅可反射倾斜泄漏传播的声表面波，同时还可反射沿叉指换能器210的长度方向传播得到声表面波，从而可更进一步的提升声表面谐振装置的Q值。
为使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合附图，对本申请实施例中所述夹角对声表面波谐振装置200的Q值影响进行清楚、完整地描述。
参阅图6，该图6示出辅助栅电极2221的长度方向与所述叉指换能器210的长度方向所形成的夹角，在不同角度（angle°）下，声表面波谐振装置200的Q值（Qs）的变化趋势。在声表面波谐振装置200领域中，利用激光扫描干涉仪可测出，声表面波倾斜泄漏传播的角度一般为130至135度。
可理解地，为解决声表面波倾斜泄漏的问题，本申请设置第一辅助反射栅222a和第二辅助反射栅222b对倾斜泄漏的声表面波进行反射，且为提高第一辅助反射栅222a/第二辅助反射栅222b的反射效率，第一辅助反射栅222a/第二辅助反射栅222b中辅助栅电极2221的排列方向应当尽可能与倾斜泄漏的声表面波传播方向垂直。继续参阅图6可得如下情形：①在角度（angle°）为40至45度中，由于辅助栅电极2221与倾斜泄漏的声表面波传播方向基本垂直或垂直，二者的垂直程度最高，对倾斜传播的声表面波的反射量最大，使声表面波谐振装置200的Q值（Qs）最大；②在角度（angle°）为130至135度中，由于辅助栅电极2221与倾斜泄漏的声表面波传播方向基本平行或平行，二者的垂直程度最低，对倾斜传播的声表面波的反射量最小，使声表面波谐振装置200的Q值（Qs）最小；③在“0至40度”、“45至130”和“135至180度”，由于辅助栅电极2221与倾斜泄漏的声表面波传播方向垂直程度均小于情形①，且大于情形②，使情形③对倾斜传播的声表面波的反射量处于情形①和情形②之间，因此，相较于情形①的Q值，情形③在此范围内声表面波谐振装置200的Q值（Qs）呈现衰减趋势。
参阅图7，该图7示出本申请实施例与比较在不同频率下Q值的对比曲线图。其中，本申请实施例中的辅助栅电极2221的长度方向与叉指换能器210的长度方向所形成的夹角的角度为40度；比较例为现有的声表面波谐振装置200，其结构相较于本申请的实施例，比较例仅具有主反射栅221，并未设置有第一反射器220a和第二反射器220b。
在声表面波谐振装置200领域中，声表面波谐振装置200的谐振点和反谐振之间的频率范围为847MHz到865MHz，该频率范围可保证声表面波谐振装置200的过渡带性能；继续参阅图7，在847MHz到865MHz频率范围内，本申请实施例的Q值大于比较例的Q值，此时在声表面波谐振装置200的通带插入损耗小，得到的图形中通带矩形度优等特点，因此本申请实施例中的第一辅助反射栅222a和第二辅助反射栅222b可有效将声波能量汇集在谐振装置的叉值换能器内部，以提升谐振装置和滤波装置的性能。
在本申请的一些实施例中，所述叉指换能器210包括汇流排、多个第一电极指213a以及多个第二电极指213b，各所述第一电极指213a和各所述第二电极指213b交错间隔连接于所述汇流排上。
在本申请的一些实施例中，参阅图1至图5，汇流排、多个第一电极指213a以及多个第二电极指213b均通过沉积工艺形成在压电衬底（图未示）上；其中，沉积工艺包括物理气相沉积工艺(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积工艺(Chemical VaporDeposition,CVD)、原子层沉积工艺（Atomic layer deposition，ALD)等的其中一种。
在本申请的一些实施例中，所述压电衬底（图未示）的材料包括石英、硅（Si）、氧化铝（Al2O3）、氧化锌（ZnO）、钽酸锂（LiTaO3)、铌酸锂（LiNbO3）、二氧化硅（SiO2）、碳化硅（SiC）、氮化硅（Si3N4）中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，参阅图1至图5，所述汇流排包括相对设置第一汇流条211和第二汇流条212，该第一汇流条211和第二汇流条212中其一用于与正极电连接，另一用于与负极电连接。
在本申请的一些实施例中，第一汇流条211和第二汇流条212分别独立为单层结构或多层复合结构。其中，所述单层结构和所述多层复合结构的材料分别独立的包括钼（Mo）、银（Ag）、金（Au）、铜（Cu）、钛（Ti）、铝（Al）、钌（Ru）、铂（Pt）中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，参阅图1至图5，各所述第一电极指213a均与第一汇流条211电连接，各所述第二电极指213b与第二汇流条212电连接；在实际应用中，在将第一汇流条211和第二汇流条212分别与正极和负极一一对应电连接后，形成压差，并结合压电衬底（图未示），形成逆压电效应，将电信号转换为声波信号；或者，形成正压电效应将声波信号转换为电信号。
在本申请的一些实施例中，所述第一电极指213a和所述第二电极指213b分别独立为单层结构或多层复合结构。其中，所述单层结构和所述多层复合结构的材料分别独立的包括钼（Mo）、银（Ag）、金（Au）、铜（Cu）、钛（Ti）、铝（Al）、钌（Ru）、铂（Pt）中的至少一种。
在本申请的一些实施例中，所述第一电极指213a和所述第二电极指213b分别独立包括第一部分2131和第二部分2132，所述第一部分2131设于所述有效孔径区内，所述第一电极指213a的所述第二部分2132设于所述第一声速区内，所述第二电极指213b的所述第二部分2132设于所述第二声速区内。
可理解地，①对于第一电极指213a，由于第一声速区内设置有第一电极指213a，第二声速区并无设置第一电极指213a，使得第二声速区的传播速度大于第一声速区，因此对于第一电极指213a上对应的第一声速区和第二声速区，第二声速区为高声速区，第一声速区为低声速区；②对于第二电极指213b，由于第一声速区并无设置第二电极指213b，第二声速区设置有第二电极指213b，使得第一声速区的传播速度大于第二声速区，因此对于第二电极指213b上对应的第一声速区和第二声速区，第一声速区为高声速区，第二声速区为高声速区。
需要说明的是，孔径为位于所述有效孔径区内的所述第一部分2131的长度。
在本申请的一些实施例中，参阅图1至图5，所述第一辅助反射栅222a的所述辅助栅电极2221与位于所述汇流排最外侧的所述第一电极指213a的所述第二部分2132电连接。如此，以利用第一辅助反射栅222a上的辅助栅电极2221进行热量的传导，从而提升对叉指换能器210的散热效果，进而提升声表面波谐振装置200稳定性。
在本申请的一些实施例中，参阅图1至图5，所述第二辅助反射栅222b的所述辅助栅电极2221与位于所述汇流排最外侧的所述第二电极指213b的所述第二部分2132电连接。如此，以利用第二辅助反射栅222b上的辅助栅电极2221进行热量的传导，从而提升对叉指换能器210的散热效果，进而提升声表面波谐振装置200的稳定性。
在本申请的一些实施例中，参阅图2至图5，至少一个所述第一电极指213a的所述第一部分2131的长度不同。如此，以抑制各第一电极指213a在垂直于声表面波传播方向上声波谐振的叠加，从而抑制横向杂波，进而达到抑制横向模态的目的。
在本申请的一些实施例中，参阅图2至图5，至少一个所述第二电极指213b中的所述第一部分2131的长度不同。如此，以抑制各第二电极指213b在垂直于声表面波传播方向上声波谐振的叠加，从而实现抑制横向杂波，进而达到抑制横向模态的目的。
在本申请的一些实施例中，参阅图2至图5，于所述汇流排的中部靠近所述第一反射器220a和/或所述第二反射器220b的方向，各所述第一电极指213a和/或各所述第二电极指213b中的所述第一部分2131的长度逐渐减小。如此，以对不同的第一电极指213a和/或所述第二电极指213b上的第一部分2131进行交叉宽度加权，从而实现对叉值换能器的变迹加权，进而抑制杂散声波，并且靠近在第一反射器220a/第二反射器220b的方向上，逐渐减小的第一部分2131的长度可减少221反射栅的面积，增大220的面积从而提升220的设计自由度以及220反射栅根数。
作为示例的，参阅图2至图5，在叉指换能器210的中部分别靠近第一反射器220a和第二反射器220b的方向上，各第一电极指213a中的第一部分2131的长度逐渐减小，各第二电极指213b中的第一部分2131的长度逐渐减小，且相邻的第一电极指213a和第二电极指213b中，越靠近的第一反射器220a/第二反射器220b的电极指的第一部分2131长度更小。
在本申请的一些实施例中，所述第一电极指213a和所述第二电极指213b分别独立设有用于抑制横向模态的抑制结构214，所述抑制结构214设于所述第一部分2131的端部。
可理解地，在一些实施例中，参阅图1至图4，所述抑制结构214为锤头结构，所述锤头结构用于加宽所述第一部分2131的端部；在另一些实施例中，所述抑制结构214为活塞结构，所述活塞结构用于加粗所述第一部分2131的端部。通过在第一部分2131上设置锤头（hammerhead）结构或活塞（piston）结构，以形成突出结构来抑制杂波并确保滤波器优异的性能。
本申请实施例还提供一种声表面波滤波装置100，包括如上所述的声表面波谐振装置200，该声表面波谐振装置200的具体结构可参见如上所述的声表面波谐振装置200的实施例，由于声表面波滤波装置100采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
参阅图8，本申请实施例还提供一种电子设备10，包括如上所述的声表面波谐振装置200、或如上所述的声表面波滤波装置100，该声表面波谐振装置200的具体结构参可参见如上所述的声表面波谐振装置200的实施例，该声表面波滤波装置100的具体结构参可参见如上所述的声表面波滤波装置100的实施例，由于电子设备10采用了上述声表面波谐振装置200或声表面波滤波装置100中所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
在本申请的一些实施例中，参阅图8，所述电子设备10可以包括收发器11、存储器12和处理器13(可以是本地处理器，也可以是云端处理器)；其中，所述收发器11中设置有声表面波滤波装置100，声表面波滤波装置100采用声表面波谐振装置200搭建而成。
本申请对上述电子设备10的具体设置形式不做限制，例如，该电子设备10可以为电视机、手机、卫星通讯设备、有线电视等。
显然，以上所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例，附图中给出了本申请的较佳实施例，但并不限制本申请的专利范围。本申请可以以许多不同的形式来实现，相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本申请说明书及附图内容所做的等效器，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本申请专利保护范围之内。
Claims (9)
1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括叉指换能器以及分别设于所述叉指换能器两侧的第一反射器和第二反射器；
所述叉指换能器具有有效孔径区、以及相对设置的第一声速区和第二声速区，所述有效孔径区设于所述第一声速区和所述第二声速区之间；
所述第一反射器和所述第二反射器分别独立包括与所述有效孔径区位置对应的主反射栅、与所述第一声速区位置对应的第一辅助反射栅以及与所述第二声速区位置对应的第二辅助反射栅，所述第一辅助反射栅和所述第二辅助反射栅均用于反射倾斜传播的声表面波;
所述主反射栅包括至少一个主栅电极，所述第一辅助反射栅和所述第二辅助反射栅分别独立包括至少一个辅助栅电极；所述辅助栅电极的长度方向与所述叉指换能器的长度方向之间形成夹角，所述夹角的角度为40至45度。
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一辅助反射栅和所述第二辅助反射栅中的所述辅助栅电极的数量分别独立为至少两个，至少一个所述辅助栅电极与所述主栅电极垂直，至少一个所述辅助栅电极与所述主栅电极平行。
3.根据权利要求1或2所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述叉指换能器包括汇流排、多个第一电极指以及多个第二电极指；
各所述第一电极指和各所述第二电极指交错间隔连接于所述汇流排上，且所述第一电极指和所述第二电极指分别独立包括第一部分和第二部分，所述第一部分设于所述有效孔径区内，所述第一电极指的所述第二部分设于所述第一声速区内，所述第二电极指的所述第二部分设于所述第二声速区内。
4.根据权利要求3所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一辅助反射栅的所述辅助栅电极与位于所述汇流排最外侧的所述第一电极指的所述第二部分电连接；和/或，
所述第二辅助反射栅的所述辅助栅电极与位于所述汇流排最外侧的所述第二电极指的所述第二部分电连接。
5.根据权利要求3所述的声表面波谐振装置，其特征在于，至少一个所述第一电极指和/或至少一个所述第二电极指中的所述第一部分的长度不同。
6.根据权利要求3所述的声表面波谐振装置，其特征在于，于所述汇流排的中部靠近所述第一反射器和/或所述第二反射器的方向，各所述第一电极指和/或各所述第二电极指中的所述第一部分的长度逐渐减小。
7.根据权利要求3所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述第一电极指和所述第二电极指分别独立设有用于抑制横向模态的抑制结构，所述抑制结构设于所述第一部分的端部；
所述抑制结构为锤头结构，所述锤头结构用于加宽所述第一部分的端部；和/或，所述抑制结构为活塞结构，所述活塞结构用于加粗所述第一部分的端部。
8.一种声表面波滤波装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的声表面波谐振装置。
9.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的声表面波谐振装置、或如权利要求8所述的声表面波滤波装置。
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