JP3487772B2 - 弾性表面波フィルタ - Google Patents

弾性表面波フィルタ

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    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、弾性表面波フィ
ルタに関し、特に、平行に形成された複数の弾性表面波
伝搬路を持つ弾性表面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話等の移動通信システムに
おいて、ＴＤＭＡ（Time Division Multiple Access）
方式に加えて、ＣＤＭＡ（Code Division Multiple Acc
ess）式という新しいデジタルシステムが採用されつつ
ある。このＣＤＭＡ方式に用いられるＩＦ（Intermedia
te Frequency;中間周波数）フィルタは、従来の携帯電
話システムと比較して極めて角形性に優れた周波数特性
が要求されている。ここで角形性とは、図３２に示すよ
うに、ある２つの減衰量での帯域幅（第１の帯域幅と第
２帯域幅）の比（第２の帯域幅／第１の帯域幅）であ
る。ある２つの減衰量での帯域幅とは、例えば３ｄＢ帯
域幅と１０ｄＢ帯域幅である。そして、この２つの減衰
量での帯域幅の比が１に近い程、角形性に優れるとい
い、従って、角形性に優れるとはフィルタ特性が急峻な
変化をしていることを示す。
【０００３】従来から用いられている弾性表面波フィル
タの一つであるトランスバーサル型フィルタを、図３１
に示す。このフィルタは、一方が信号入力用のＩＤＴ
（インターディジタルトランスデューサ）であり、他方
が信号出力用のＩＤＴである。図３１の右側のＩＤＴ
は、上下方向に延びている電極指の長さが一定である正
規電極であるが、左側のＩＤＴは、各電極指の長さが一
定の規則で異なっているアポタイズ重みづけ電極であ
る。従来は、このようなアポタイズ重みづけ電極のよう
に、ＩＤＴを重みづけすることによって、弾性表面波フ
ィルタの周波数特性の角形性を向上させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アポタイズ重
み付け電極のようにＩＤＴを重み付けすることで、十分
優れた角形性を持つ弾性表面波フィルタを実現するため
には、極めて多くの電極対数が必要となり、弾性表面波
の伝搬方向（図３１では、紙面の左右方向）の長さが長
くなるという問題点がある。従って、携帯電話等ではそ
の携帯性・小型化を満足させるために弾性表面波フィル
タも小さくする必要があるが、角形性をよくするために
弾性表面波フィルタのサイズが大きくなったのでは、小
型化の要求に反することになる。ゆえに、図３１に示す
ような従来のＩＤＴを重み付けして角形性を向上させる
ものでは、小型かつ角形性に優れた特性を持つ弾性表面
波フィルタを実現することは困難である。
【０００５】そこで、この発明は、以上のような事情を
考慮してなされたものであり、少ない電極対数のＩＤＴ
を用いて、弾性表面波の伝搬方向の長さが小型で、かつ
角形性に優れた周波数特性を持つ弾性表面波フィルタを
提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、圧電基板
と、圧電基板上に互いに平行に存在する複数の弾性表面
波伝搬路と、これらの弾性表面波伝搬路を結合させ、複
数の弾性表面波伝搬路を横断するように配置する１つの
導波路方向性結合器とからなり、少なくとも１つの伝搬
路上には、前記結合器をはさんで入力インターディジタ
ルトランスデューサと第１反射器とが配置され、他の弾
性表面波伝搬路のうち少なくとも１つの伝搬路上には、
前記結合器をはさんで出力インターディジタルトランス
デューサと第２反射器とが配置され、前記第１および第
２の反射器がそれぞれ、入力ＩＤＴと出力ＩＤＴの片側
にのみ配置され、入力ＩＤＴと出力ＩＤＴとが、導波路
方向性結合器を基準として同じ側に配置されたことを特
徴とする弾性表面波フィルタを提供するものである。
【０００７】このような構成を備えることにより、従来
の弾性表面波フィルタよりも、弾性表面波の伝搬方向の
長さを小さくでき、角形性に優れた周波数特性を持つ弾
性表面波フィルタを提供することかできる。以下、イン
ターディジタルトランスデューサをＩＤＴ（Interdigit
al Transduser)と呼ぶ。
【０００８】ここで、結合器は、導波路方向性結合器あ
るいはマルチストリップカプラを用いることができる。
また、入力インターディジタルトランスデューサ（入力
ＩＤＴ）と、出力インターディジタルトランスデューサ
（出力ＩＤＴ）に関して、少なくともどちらか一方に重
み付けをしてもよい。
【０００９】たとえば重み付けとしては、「アポタイズ
重み付け」あるいは「間引き重み付け」等がある。重み
付けをすれば、弾性表面波フィルタの周波数特性の角形
性を改善できる。さらに、入力ＩＤＴ及び出力ＩＤＴの
うち少なくともどちらか一方に、一方向性ＩＤＴを用い
てもよい。一方向性ＩＤＴを用いれば、弾性表面波フィ
ルタの損失を低減できる。
【００１０】導波路方向性結合器は、励振された弾性表
面波を伝搬する複数の導波路部と、導波路部の間に配置
されるギャップ部とから構成される。結合器に導波路方
向性結合器を用いる場合、その導波路部を均一な表面構
造の金属膜、またはグレーティング表面構造を有する金
属膜で形成すればよい。さらに、ギャップ部について
も、均一な表面構造の金属膜またはグレーティング表面
構造を有する金属膜で形成することができる。
【００１１】また、前記ギャップ部を伝搬する弾性表面
波速度が、前記導波路部を伝搬する弾性表面波速度より
も速くなるように、導波路部のグレーティング表面構造
のグレーティングとギャップ部のグレーティング表面構
造のグレーティングとを調整してもよい。このように弾
性表面波の速度を調整すれば、結合器の弾性表面波伝搬
方向の長さを短くすることができる。また、導波路方向
性結合器の外側であって導波路部のギャップ部と接して
いない部分に、均一な表面構造の金属膜あるいはグレー
ティング表面構造の金属膜を形成してもよい。これによ
り結合器内の損失をより抑制することが可能となる。
【００１２】さらに、反射器について、間引き重み付け
のような重み付けをしてもよい。また一つの弾性表面波
伝搬路を構成する反射器を複数個に分割された反射器か
ら構成してもよい。この重み付けや分割により、弾性表
面波フィルタの周波数特性の角形性を向上できる。ま
た、反射器の電極の周期の２倍と、入力ＩＤＴ及び出力
ＩＤＴの電極指の周期とをわずかに異ならせてもよい。
このようにすれば、弾性表面波フィルタの周波数特性の
改善ができる。
【００１３】さらに、この発明は前記入力インターディ
ジタルトランスデューサと前記出力インターディジタル
トランスデューサとが、弾性表面波の伝搬方向に垂直な
方向に並行するように配置され、入力インターディジタ
ルトランスデューサと出力インターディジタルトランス
デューサとが前記垂直な方向に重なっている部分の弾性
表面波伝搬方向の長さが、入力インターディジタルトラ
ンスデューサと出力インターディジタルトランスデュー
サのうち弾性表面波伝搬方向の長さが短い方のインター
ディジタルトランスデューサの長さよりも短いことを特
徴とする弾性表面波フィルタを提供するものである。こ
のようにすれば、入出力ＩＤＴ間のアイソレーションの
改善、通過帯域外抑圧度の改善ができる。
【００１４】また、この発明は、入力インターディジタ
ルトランスデューサと出力インターディジタルトランス
デューサとの間の圧電基板上に、アース電極を形成した
ことを特徴とする弾性表面波フィルタを提供するもので
ある。これによれば、入出力間のアイソレーションをよ
り改善できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施の形態に基
づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発
明が限定されるものではない。図１に、この発明の弾性
表面波フィルタの構成ブロック図を示す。図１では、説
明の容易化のために、２つの弾性表面波伝搬路（第１伝
搬路７，第２伝搬路８）からなる弾性表面波フィルタの
構成を示しているが、これに限定するものではなく、３
つ以上の弾性表面波伝搬路を備えてもよい。第１伝搬路
７は、入力ＩＤＴ１、結合器３、反射器４から構成さ
れ、第２伝搬路８は、出力ＩＤＴ２、結合器３、反射器
５から構成される。また、入力ＩＤＴ１、出力ＩＤＴ
２、結合器３、反射器４，５は、すべて金属膜（Ｃｕ，
Ａｌなど）を、水晶などの圧電基板６上に形成すること
によって構成される。
【００１６】ここで、結合器３は、入力ＩＤＴ１で励振
された弾性表面波を出力ＩＤＴ２のある第２伝搬路８へ
移行させるためのものである。反射器４，５は、弾性表
面波の伝搬方向を反転させ、弾性表面波を出力ＩＤＴ２
の方へ伝搬させるためのものである。一般に、図１にお
いて、入力ＩＤＴ１によって励振された弾性表面波のう
ち、第１伝搬路７上を右方向へ伝搬するものが弾性表面
波フィルタに寄与する。
【００１７】図２に、この発明の弾性表面波フィルタの
動作原理図を示す。以下、弾性表面波（Surface Acoust
ic Wave）を、ＳＡＷと呼ぶ。まず、入力ＩＤＴ１で励
振されたＳＡＷが出力ＩＤＴ２に到達するまでの伝搬経
路について述べる。
【００１８】図２（ａ）のように、入力ＩＤＴ１から出
射されたＳＡＷは結合器３の左端から入射し、結合器３
の右端から第１伝搬路７と第２伝搬路８の両方に出射さ
れる。
【００１９】次に、図２（ｂ）に示すように、各伝搬路
のＳＡＷは反射器４，５に到達して反射され、再び結合
器３の右端に入射する。そして、結合器３の左端から第
１伝搬路７および第２伝搬路８の両方に出射され、第２
伝搬路８に出射されたＳＡＷが出力ＩＤＴ２に検出され
る。これが、入力ＩＤＴ１で励振されたＳＡＷが出力Ｉ
ＤＴ２に到達するまでの伝搬経路である。
【００２０】ここで、結合器３を最適化すれば、入力Ｉ
ＤＴ１から出射されたＳＡＷを完全に出力ＩＤＴ２に到
達させることができ、入力ＩＤＴ１に戻るＳＡＷをなく
すことができる。
【００２１】伝搬経路が２つの場合のみ説明したが、３
つ以上の伝搬路がある場合でも同様に考えることがで
き、入力ＩＤＴ１から出射されたＳＡＷが結合器を通じ
て、出力ＩＤＴのある伝搬路に移行し、出力ＩＤＴ２で
検出される。
【００２２】入力ＩＤＴ１及び出力ＩＤＴ２は、複数の
電極指によって構成され、弾性表面波の伝搬方向に対し
て垂直な方向に延びた電極指が交互にくし型形状に配置
されたものである。反射器４，５は、グレーティング構
造を有する複数の電極指から構成される。
【００２３】図３に、この発明の弾性表面波フィルタの
実施例の構成図を示す。ここでは、結合器３として導波
路方向性結合器を用いる。導波路方向性結合器３は、各
伝搬路内にグレーティング構造の複数の電極指を備え、
第１伝搬路７と第２伝搬路８間は、均一な表面構造の金
属膜、すなわち金属のべた膜で接続されている。
【００２４】また、図３において、第１伝搬路７のグレ
ーティング構造の電極指の上部と、第２伝搬路８のグレ
ーティング構造の電極指の下部も金属のべた膜が形成さ
れている。このような導波路方向性結合器３を用い、か
つ導波路方向性結合器の結合長１０を最適化すれば、入
力ＩＤＴ１から出射されたＳＡＷを出力ＩＤＴ２に完全
に到達させることができる。
【００２５】図３において、導波路方向性結合器３のグ
レーティング構造の部分は、弾性表面波を伝搬する部分
であり、導波路部１１と呼ぶ。また、第１伝搬路７と第
２伝搬路８との間にある部分をギャップ部１２と呼ぶ。
【００２６】以下、図４を利用して、本発明の弾性表面
波フィルタのフィルタリング原理を説明する。図４は、
この発明の弾性表面波フィルタに用いる導波路方向性結
合器３の動作説明図である。図４では、説明のために、
結合器３の各導波路部内のグレーティング構造部分のみ
を示している。
【００２７】導波路方向性結合器３では、２つの伝搬路
を近接して配置させることで、２つの伝搬路が結合され
る。すなわち、入力ＩＤＴ１からのＳＡＷは、第１伝搬
路７のみならず、第２伝搬路８にも伝搬される。この結
果、導波路方向性結合器３の左端から第１伝搬路７のみ
に弾性表面波を入力しても、導波モードは第１伝搬路７
のみに閉じ込められておらず、第１伝搬路７および第２
伝搬路８を１つの系とした偶モードと奇モードのＳＡＷ
が現れる。
【００２８】従って、導波路方向性結合器３の右端の第
１伝搬路７と第２伝搬路８からは、それぞれ偶モードと
奇モードの合成波が出力される。ここで、偶モードと奇
モードのＳＡＷの伝搬速度はわずかに異なるため、第１
伝搬路７および第２伝搬路８中を伝搬しているＳＡＷの
強度は伝搬距離つまり結合長１０によって変化し、ある
特定の結合長を伝搬したときには第２伝搬路８のみから
出力が得られることになる。このときの結合長１０を完
全結合長といい、完全結合長の状態では、第１伝搬路７
に入力したＳＡＷが完全に第２伝搬路８に移行すること
になる。以上が導波路方向性結合器の動作原理である。
【００２９】次に、この導波路方向性結合器をこの発明
の弾性表面波フィルタに適用したときの動作原理につい
て説明する。図５は、導波路方向性結合器を、この発明
の弾性表面波フィルタに適用した場合の動作説明図であ
る。
【００３０】図５において、導波路方向性結合器の結合
長は図４で示した完全結合長の１／２に設定されている
ものとする。この場合、第１伝搬路７の左端から入力さ
れたＳＡＷは、完全結合長の１／２の距離だけ導波路方
向性結合器３内を伝搬するため、導波路方向性結合器３
の右端では完全に第２伝搬路８へは移行しない。
【００３１】しかしながら、導波路方向性結合器３の第
１伝搬路７および第２伝搬路８の右端から出射されたＳ
ＡＷは、反射器４，５で反射されて再び導波路方向性結
合器３に右端から入射し、完全結合長の１／２の距離だ
け伝搬して左端に到達する。
【００３２】この結果、最初に導波路方向性結合器の左
端の第１伝搬路７に入射されたＳＡＷは、導波路方向性
結合器３を往復することになる。つまり完全結合長に相
当する長さを伝搬したことになり、導波路方向性結合器
３の左端からは第２伝搬路８のみから出力が得られるこ
とになる。
【００３３】次に、この発明の弾性表面波フィルタの周
波数特性について説明する。図３や図４に示した結合器
の周波数特性は、ＩＤＴや反射器に比べると非常に緩や
かであるため、弾性表面波フィルタ自体の周波数特性に
はほとんど影響を与えない。したがって、弾性表面波フ
ィルタの周波数特性は、ＩＤＴと反射器の特性でほぼ決
定され、ＩＤＴの周波数特性と反射器の反射特性との合
成されたものとなる。
【００３４】一般に、ＩＤＴの周波数特性に比べ反射器
の反射特性は角形性に優れた特性が得られることが知ら
れている。すなわち、この発明の弾性表面波フィルタの
周波数特性は、ＩＤＴのみの周波数特性を利用していた
従来のトランスバーサル型の弾性表面波フィルタよりも
角形性に優れた周波数特性が得やすい。
【００３５】次に、従来のトランスバーサル型の弾性表
面波フィルタとこの発明の弾性表面波フィルタにおい
て、同じ角形性を有するフィルタを実現した場合、この
発明の弾性表面波フィルタの方が、ＳＡＷ伝搬方向の長
さを小さくできることを示す。
【００３６】まず、反射器のＳＡＷ伝搬方向の長さにつ
いて説明する。反射器は、図３に示すように、複数の電
極指から構成されるが、この電極指の本数によって弾性
表面波の反射率が変化する。図６に、この発明の反射器
の電極指の本数に対する中心周波数での反射率の変化の
グラフを示す。ここで圧電基板はＳＴカット水晶を用い
るものとする。
【００３７】このグラフより、電極指１本あたりの反射
率を０．０１としたとき、反射器の電極指の本数が３０
０本あれば、反射率が１となり、弾性表面波は反射器で
全反射することになる。入力ＩＤＴ及び出力ＩＤＴの電
極指の周期をλとすると、反射器の電極指の周期は、一
般にλ／２で与えられる。したがって、反射器の電極指
が３００本の場合、反射器のＳＡＷ伝搬方向の長さは約
１５０λに相当する。
【００３８】また、図６より、電極指１本あたりの反射
率がさらに大きな基板を用いれば、電極指が少ない本数
でも反射率を１に近くすることができる。たとえば、電
極指１本あたりの反射率が０．０３の場合は本数が約１
００本で反射率が１となる。以上のことにより、反射器
のＳＡＷ伝搬方向のサイズは大きくても１５０λ程度と
見積もることができる。
【００３９】次に、結合器のＳＡＷ伝搬方向の長さにつ
いて説明する。図３に示したようなグレーティング導波
路を持つ導波路方向性結合器を用いた場合に、この結合
器のＳＡＷ伝搬方向の長さ（結合長）と弾性表面波フィ
ルタの挿入損失との関係のグラフを、図７に示す。
【００４０】図３において、入力ＩＤＴ及び出力ＩＤＴ
の電極指の電極周期λ＝１５μｍ，電極対数＝９５対，
電極膜厚＝０．３２μｍ，結合器のグレーティング導波
路の電極周期＝５．７μｍ，反射器の電極指の本数＝１
８０本，圧電基板の材料をＳＴカット水晶とする。ま
た、導波路方向性結合器の導波路部の幅１１を９．５
λ，導波路間のギャップ部の幅１２を０．２λとする。
【００４１】図７において、結合長１０が約３．２ｍｍ
（＝約２２０λ）のとき、挿入損失は最小となり、結合
器として弾性表面波を通過させるのに最適条件にあるこ
とがわかる。したがって、導波路方向性結合器の結合長
１０は、２２０λ程度とすることが好ましい。ただし、
この結合長１０が２２０λ以下の場合でも、図７のよう
に挿入損失は増えるが、弾性表面波フィルタの角形性は
ほとんど変わらず良好な角形性が得られる。
【００４２】以上より、図３において、反射器のＳＡＷ
伝搬方向の長さを１５０λ程度、導波路方向性結合器の
結合長を２２０λ程度とすることができ、結合器と反射
器のＳＡＷ伝搬方向の長さを合計した長さは、最大でも
３７０λもあれば十分である。
【００４３】また、結合器としてマルチストリップカプ
ラを用いても、図３の導波路方向性結合器を用いた場合
と同様の角形性を持つ弾性表面波フィルタを得ることが
できる。図８に、この発明において、結合器としてマル
チストリップカプラを用いた弾性表面波フィルタの実施
例の構成図を示す。マルチストリップカプラは、弾性表
面波の伝搬方向に垂直な方向に一定間隔の複数の電極指
を配置したものである。
【００４４】このようなマルチストリップカプラを用い
た弾性表面波フィルタにおいて、入力ＩＤＴで励振され
たＳＡＷを完全に出力ＩＤＴへ到達させるためのマルチ
ストリップカプラのＳＡＷ伝搬方向の長さ（デバイス
長）Ｌは、次式で与えられる。 Ｌ＝λ／ＲＫ2 ここで、λ：ＩＤＴの電極周期，Ｒ：Filing Factor，
Ｋ2：電気機械結合係ある。
【００４５】Ｒ＝０．６とすると、デバイス長Ｌは、圧
電基板がＳＴカット水晶（Ｋ2＝０．１７％）のとき４
９０λ，Ｘ−１１２Ｙ：ＬｉＴａＯ3（Ｋ2＝０．７％）
の１１９λ、Ｙ−Ｚ：ＬｉＮｂＯ3（Ｋ2＝４．５％）の
とき３７λとなる。 たって、マルチストリップカプラ
を用いたとき、ＳＴカット水晶では小型化の効果は小さ
いが、Ｘ−１１２Ｙ：ＬｉＴａＯ3やＹ−ＺｉＬｉＮｂ
Ｏ3では非常小型結合器が得られることがわかる。
【００４６】図８において、反射器のＳＡＷ伝搬方向の
長さを最大１５０λとすると、マルチストリップカプラ
のデバイス長と反射器のＳＡＷ伝搬方向の長さを合計し
た長さは、Ｘ−１１２Ｙ：ＬｉＴａＯ3基板の場合は２
６９λ，Ｙ−Ｚ：ＬｉＮｂＯ基板の場合は１８７λとな
り、導波路方向性結合器を用いた場合の長さ（３７０
λ）よりも短くできる。
【００４７】ところで、この発明の弾性表面波フィルタ
のＳＡＷ伝搬方向の長さは、ＩＤＴ１つ分の長さと、上
記に説明した結合器と反射器のＳＡＷ伝搬方向の長さを
合計したものにほぼ等しい。
【００４８】図９に、弾性表面波フィルタのＳＡＷ伝搬
方向の長さの比較図を示す。図９（ａ）は、この発明の
弾性表面波フィルタの構成図であり、図９（ｂ）は従来
のトランスバーサル型の弾性表面波フィルタの構成図で
ある。図９（ａ）において、この発明の弾性表面波フィ
ルタのＳＡＷ伝搬方向の長さ１６は、ＩＤＴの長さ１
４，結合器３の長さ１０，及び反射器４．５の長さ１３
との合計で表わされる。ここでは、各長さの間隔は非常
に小さいので無視するものとし、結合器３の長さ１０と
反射器の長さ１３との合計は、図９（ａ）中の番号１５
にほぼ等しい。
【００４９】前記した図３の実施例では、ＳＴカット水
晶基板の場合、長さ１５は３７０λ以下にすることがで
きることを示した。図９（ｂ）において、従来の弾性表
面波フィルタのＳＡＷ伝搬方向の長さ１８は、入力ＩＤ
Ｔ１の長さ１４と出力ＩＤＴ２の長さ１７との合計で表
わされる。
【００５０】図９（ａ）と図９（ｂ）を比較すると、入
力ＩＤＴ１と出力ＩＤＴ２のＳＡＷ伝搬方向の長さ（１
４，１７）をどちらも３７０λ以上とする場合、この発
明のフィルタのＳＡＷ伝搬方向の長さ１６（＝１４＋１
５）は、従来のフィルタのＳＡＷ伝搬方向の長さ１８
（＝１４＋１７）よりも短くできる。図９（ａ），図９
（ｂ）において、この発明の長さ１５（≦３７０λ）
は、従来における長さ１７（≧３７０λ）よりも短いか
らである。すなわち、この発明の弾性表面波フィルタは
従来の弾性表面波フィルタに比べて、ＳＡＷ伝搬方向の
長さを小さくすることができる。
【００５１】一方、フィルタの周波数特性に関しては、
各ＩＤＴの長さが同じ場合には、前記したように、反射
器の反射特性が加えられる分だけ、この発明の弾性表面
波フィルタの方が確実に角形性が良くなる。
【００５２】以上より、ＳＴカット水晶基板を用い、か
つ入力ＩＤＴの長さ１４及び出力ＩＤＴの長さ１７を３
７０λ以上とする場合には、この発明の弾性表面波フィ
ルタの構成（図９（ａ））の方が、従来のもの（図９
（ｂ））よりも小型かつ角形性に優れたものとすること
ができる。
【００５３】また、従来の弾性表面波フィルタにおい
て、入力ＩＤＴと出力ＩＤＴのどちらか一方の長さが３
７０λよりも短い場合に、この発明の弾性表面波フィル
タのＳＡＷ伝搬方向の長さを従来のものよりも短くする
ためには、この発明の入力ＩＤＴ及び出力ＩＤＴの長さ
１４を３７０λよりも短くする必要がある。この発明の
ＩＤＴの長さ１４を短くすると、ＩＤＴとしての周波数
特性は緩やかになるが、反射器の反射特性が有効に機能
するため、この発明の弾性表面波フィルタの周波数特性
としては、優れた角形性を持つものが得られる。
【００５４】また、Ｘ−１１２Ｙ：ＬｉＴａＯ3基板や
Ｙ−Ｚ：ＬｉＮｂＯ3基板の場合も様に、従来のフィル
タよりも小型かつ角形性に優れた弾性表面波フィルタを
実現できる。
【００５５】特に、Ｘ−１１２Ｙ：ＬｉＴａＯ3基板で
は入力ＩＤＴと出力ＩＤＴの長さ（１４，１７）を２６
９λ以上とする場合、Ｙ−Ｚ：ＬｉＮｂＯ3基板では入
力ＩＤＴと出力ＩＤＴの長さ（１４，１７）を１８７λ
以上とする場合には、ＩＤＴの長さが同じ従来のフィル
タに比べて確実に小型かつ角形性に優れた弾性表面波フ
ィルタが実現できる。
【００５６】具体例として、この発明の弾性表面波フィ
ルタを、Ｎ−ＣＤＭＡ基地局用ＩＦフィルタに適用した
場合のフィルタサイズについて以下に説明する。Ｎ−Ｃ
ＤＭＡ基地局用ＩＦフィルタにおける通過帯域の中心周
波数は７０ＭＨｚであるので、ＩＤＴの電極指の周期λ
は４５μｍである。
【００５７】ここで、比較のために従来のトランスバー
サル型の弾性表面波フィルタとしては、図３１に示すよ
うに入力ＩＤＴとしてアポタイズ重みづけした電極を用
い、出力ＩＤＴとして正規電極から一部の電極指を取り
除いた間引き重みづけをした電極を用いるものとする。
入力ＩＤＴの電極対数を１０００対，出力ＩＤＴの電極
対数を３５５対とすると、弾性表面波フィルタのＳＡＷ
伝搬方向の長さは６０．９７５ｍｍ（＝１３５５対×４
５μｍ）となる。
【００５８】一方、この発明の弾性表面波フィルタにお
いて、上記従来の弾性表面波フィルタと同様の角形性を
実現するためには、次のような構成とすればよい。入力
ＩＤＴをアポタイズ重みづけをした電極とし、出力ＩＤ
Ｔを間引き重みづけをした電極とする場合、入力ＩＤＴ
及び出力ＩＤＴとも電極対数４００対とする。すなわ
ち、ＩＤＴの長さ１４を、４００λとする。
【００５９】さらに、ＳＴカット水晶基板を用いる場
合、結合器と反射器のＳＡＷ伝搬方向の長さの合計１５
は３７０λ以下とすれば、同様の角形性が実現できる。
したがって、この発明の弾性表面波フィルタのＳＡＷ伝
搬方向の長さ１６は、最大でも３４．６５ｍｍ（＝７７
０λ＝７７０×４５）とできる。
【００６０】以上より、従来のトランスバーサル型弾性
表面波フィルタのＳＡＷ伝搬方向の長さが６０．９７５
ｍｍであるのに対して、この発明の弾性表面波フィルタ
のＳＡＷ伝搬方向の長さを３４．６５ｍｍとすることが
できる。この場合、約５６．８％の長さに小型化が可能
となる。
【００６１】図１０に、上記構成を有するこの発明の弾
性表面波フィルタの周波数特性のグラフを示す。また、
図１１に、上記構成を有する従来の弾性表面波フィルタ
の周波数特性のグラフを示す。これらのグラフより、ど
ちらのフィルタも、減衰量１．５ｄＢでの帯域幅は１．
２６ＭＨｚ，減衰量３５ｄＢでの帯域幅は１．５ＭＨｚ
であることがわかる。すなわち、この発明の弾性表面波
フィルタの構成によれば、フィルタのＳＡＷ伝搬方向の
サイズを小さくしても同じような角形性を実現できる。
【００６２】なお、上記実施例では、角形性を改善する
ためにアポタイズや間引きという重みづけをしたＩＤＴ
を用いたが、これに特に限定されるものではなく、角形
性を改善することのできる重みづけであればよい。たと
えば、少なくとも１つあるいはすべてのＩＤＴに重みづ
けをしてもよく、複数のＩＤＴの中には、重みづけのし
ないＩＤＴが含まれていてもよい。また、複数のＩＤＴ
のうち、少なくとも１つを一方向性ＩＤＴとしてもよ
い。この場合には、弾性表面波フィルタの挿入損失が低
減できる。
【００６３】図１２に、一方向性ＩＤＴを用いた場合の
効果についての説明図を示す。図１２（ａ）は、双方向
性ＩＤＴのＳＡＷの出射方向を示している。双方向性Ｉ
ＤＴで励振されたＳＡＷは図のように左右両方向に進行
する。右方向に進行するＳＡＷは結合器に入射され、フ
ィルタとして寄与するものであるが、左方向に進行する
ＳＡＷは圧電基板外へ伝搬し、損失となる。すなわち、
双方向性ＩＤＴは、励振されたＳＡＷのエネルギーのう
ち、半分しかフィルタとして寄与せず、挿入損失が大き
い。
【００６４】図１２（ｂ）は、一方向性ＩＤＴのＳＡＷ
の出射方向を示している。一方向性ＩＤＴでは、励振さ
れたＳＡＷは、ほとんど一方向、図１２（ｂ）では右方
向に進行する。したがって励振されたＳＡＷのエネルギ
ーの大部分が結合器へ入射されるため、挿入損失を低減
させることができる。
【００６５】図１３に、一方向性ＩＤＴを用いた弾性表
面波フィルタの一実施例を示す。ここでは、一方向性Ｉ
ＤＴとして浮き電極を有するものを示す。ただし、一方
向性ＩＤＴ自体は、この構成に限定されるものではな
く、この他に種々のものが提案されているので、それら
を用いてもよい。図１３に示した導波路方向性結合器の
導波路部は、金属膜のグレーティング表面構造のものを
示したが、この他に、均一な表面構造の金属膜を用いて
もよい。
【００６６】図１４に、この発明の結合器の導波路部の
構造図を示す。結合器としてＳＡＷを伝搬する導波路を
形成するためには、導波路部を伝搬するＳＡＷの伝搬速
度を圧電基板上の金属膜のない自由表面上の伝搬速度よ
りも遅くする必要がある。導波路部の構造を金属膜のグ
レーティング表面構造（図１４（ｂ））とするほか、均
一な表面構造の金属膜（図１４（ａ））としても、導波
路部を伝搬するＳＡＷの伝搬速度を自由表面上の伝搬速
度よりも遅くできる。
【００６７】このように結合器の部分を金属膜を用いて
形成する場合には、ＩＤＴの部分の金属膜を同一材料で
同時に成膜できるので、結合器用の独自の製造工程を設
ける必要はない。なお、金属膜としては、Ａｌ，Ａｌ−
Ａｕ合金，Ａｕ，Ａｇなどを用いることができる。ま
た、導波路部はこのような金属膜を用いて形成する他、
絶縁膜を成膜して形成してもよい。絶縁膜としてはたと
えばＳｉＯ2を用いることができる。
【００６８】さらに、図３のように、結合器の導波路部
を金属膜のグレーティング表面構造で形成した場合に
は、ギャップ部は、図３に示したような均一な表面構造
の金属膜で形成する他、グレーティング表面構造の金属
膜によって形成してもよい。
【００６９】図１５，図１６にこの発明の導波路方向性
結合器のギャップ部の構造の実施例を示す。図１５
（ａ）は、ギャップ部を均一な表面構造の金属膜とした
もの、図１５（ｂ）はギャップ部の一部をグレーティン
グ表面構造の金属膜としそれ以外を均一な表面構造の金
属膜としたもの、図１５（ｃ）はギャップ部の一部をグ
レーティング表面構造の金属膜とし、その他を自由表面
としたものを示している。図１６は、ギャップ部全体が
グレーティング表面構造となっているものを示してい
る。
【００７０】ここで、ギャップ部は、２つの導波路部を
結合する部分であるため、ギャップ部を伝搬するＳＡＷ
伝搬速度は、導波路部よりも速くなければならない。し
たがって、ギャップ部を伝搬するＳＡＷ伝搬速度が導波
路部を伝搬するＳＡＷ伝搬速度よりも速くなるように、
ギャップ部のグレーティング表面構造のグレーティング
と導波路部のグレーティング表面構造のグレーティング
とを調整する必要がある。
【００７１】この調整方法の一例としては、図１６に示
すように、ギャップ部のグレーティングのメタライゼー
ションレシオを、導波路部のグレーティングのメタライ
ゼーションレシオよりも小さくすればよい。
【００７２】このように、ギャップ部に、均一な表面構
造の金属膜あるいはグレーティング表面構造を導入する
ことにより、ギャップ部のＳＡＷ伝搬速度を自由表面の
場合よりも遅くすることができる。このため、ギャップ
部によって、上下２つの導波路部の結合が強められ、結
合器のＳＡＷ伝搬方向の長さを短くしても、弾性表面波
が進行する伝搬経路を移行させることができる。したが
って、図１５，図１６に示したギャップ部の構造は、弾
性表面波フィルタ全体のＳＡＷ伝搬方向の長さの小型化
に寄与できる。
【００７３】図１７，図１８に、この発明の導波路方向
性結合器の外側であってギャップ部と接していない部分
に、均一な表面構造の金属膜、あるいはグレーティング
表面構造の金属膜を形成した構成を示す。このような構
成を採用すると、導波路部の外側部分のＳＡＷ伝搬速度
が、自由表面を伝搬する速度よりも遅くなり、導波路部
のエネルギー閉じ込めが弱くなる。この結果、高次の導
波モードが伝搬されにくく、基本モードにＳＡＷエネル
ギーが集中され、導波路方向性結合器内の損失をより抑
制することができる。
【００７４】また、反射器の電極指を重みづけすれば、
反射器の反射特性のうちサイドローブが抑圧できるた
め、弾性表面波フィルタの角形性の向上に寄与できる。
図１９に、この発明の弾性表面波フィルタに用いる間引
き重みづけした反射器の一実施例の構成図を示す。図２
０に、図１９に示した間引き重みづけした反射器の反射
特性を示す。図２０の実線が間引き重みづけした反射器
のグラフであり、図２０の破線が間引きしていない反射
器のグラフである。図１９において間引きしない場合の
反射器の電極指の数は１１４本であるが、図１９の間引
き重みづけした反射器は、１１４本の電極指の中から２
２本の電極指を間引きしたものである。間引きした電極
指の位置は、反射器左側の電極指から数えて、１，８か
ら１４，１８から２０，９５から９７、１０１から１０
７番目である。図２０において、両グラフを比較する
と、間引き重みづけした反射器の方が特に第１サイドロ
ーブ近傍において周波数特性が抑圧されていることがわ
かる。
【００７５】図２１に、この発明において、一つの伝搬
路に複数の反射器４，５を備えた弾性表面波フィルタの
構成図を示す。このような構成でも図２０と同様に、サ
イドローブにおける反射特性を抑圧することができ、弾
性表面波フィルタ特性の角形性が改善できる。
【００７６】図２２に、反射器の反射特性の比較図を示
す。図２２の実線は、図２１に示したような３つの反射
器に分けて構成したときの反射特性であり、それぞれ電
極指は１１本，１４９本，１１本である。図２２の破線
は１７１本の電極指を持つ１つの反射器の反射特性であ
る。図２２において、反射器を複数に分けて構成した方
が、第１サイドローブの反射率が抑圧されているのがわ
かる。
【００７７】図２３に、図２１に示した複数構成の反射
器４，５を用いて弾性表面波フィルタを構成した場合
（実線）と、反射器１つで構成した場合（破線）の周波
数特性のグラフを示す。図２２のように反射器の第１サ
イドローブが抑圧されているため、図２３においても弾
性表面波フィルタの通過帯域の近傍が急峻に変化し、角
形性が改善されていることがわかる。
【００７８】次に、反射器の電極周期の２倍と、ＩＤＴ
の電極同期とを一致させた場合と、異ならせた場合の実
施例を説明する。図２４に、この発明の一実施例の弾性
表面波フィルタの構成図を示す。ここでは、結合器３に
導波路方向性結合器を用い、一つの伝搬路中の反射器が
３つの反射器４，５から構成される弾性表面波フィルタ
を示している。
【００７９】ＳＡＷの伝搬路は図１と同様に２つとし、
入力ＩＤＴ１及び出力ＩＤＴ２はそれぞれ１つで、どち
らも正規電極とし、電極対数を９５対、電極周期λを１
５μｍ，電極膜厚を０．３２μｍとする。導波路方向性
結合器３の導波路部は、金属膜（アルミニウム）のグレ
ーティング表面構造とし、グレーティングの周期を１
１．４μｍ，グレーテイングのメタライゼーションレシ
オを５０％，導波路長を３．１ｍｍとする。
【００８０】導波路間のギャップ部も金属膜（アルミニ
ウム）のグレーティング表面構造とし、グレーティング
の周期を１１．４μｍ，グレーティングのメタライゼー
ションレシオを３０％，ギャップの幅（ギャップ部の紙
面の上下方向の長さ）を０．３λとする。３つの反射器
の電極指の数は、それぞれ１７本，１５１本，１７本と
し、各反射器どうしの間隔を７λ，各反射器の電極周期
を７．５μｍとする。
【００８１】ここでは、反射器の電極周期の２倍を、Ｉ
ＤＴの電極周期λと一致させている。この実施例の弾性
表面波フィルタの周波数特性のグラフを、図２５に示
す。一般に、反射器の電極周期の２倍と、ＩＤＴの電極
周期とを一致させた場合は、ＩＤＴの下を伝搬するＳＡ
Ｗの速度と、反射器の下を伝搬するＳＡＷの速度がわず
かに異なる。したがって、ＩＤＴの周波数特性の中心周
波数と反射器の周波数特性の中心周波数とがずれ、弾性
表面波フィルタの周波数特性は左右対称でない特性とな
る（図２５参照）。
【００８２】図２６に、この発明において、反射器の電
極周期の２倍と、ＩＤＴの電極周期を異ならせた弾性表
面波フィルタの周波数特性を示す。ここで、ＩＤＴの電
極周期を１５μｍ，反射器の電極周期を７．４５μｍと
する。他の構成は図２４に示したのと同様とする。この
ようにすれば、ＩＤＴの周波数特性の中心周波数と反射
器の周波数特性の中心周波数とをほぼ一致（２０８．２
３ＭＨｚ）させることができ、左右対称に近い周波数特
性が得られる。左右対称に近い周波数特性が得られると
いうことは、角形性に優れた周波数特性が得られるとい
うことを意味する。
【００８３】図２６に示した弾性表面波フィルタでは、
フィルタ全体のＳＡＷ伝搬方向の長さは６ｍｍ程度とな
り、従来のトランスバーサル型フィルタに比べてかなり
小さくできる。
【００８４】図２７に、この発明における反射器の電極
周期の２倍とＩＤＴの電極周期を異ならせた弾性表面波
フィルタの周波数特性と、従来のトランスバーサル型フ
ィルタで、ＩＤＴ対数を同じく９５対としたときの周波
数特性との比較図を示す。この比較図によると、従来の
トランスバーサル型フィルタの特性はきわめて緩やかな
ものであり角型性は弱い。すなわち、この発明のフィル
タで、反射器の電極周期の２倍とＩＤＴの電極周期を異
ならせた構成をとることにより、角形性に優れた弾性表
面波フィルタが得られることがわかる。
【００８５】次に、図２８に、入力ＩＤＴ１及び出力Ｉ
ＤＴ２に重みづけをした場合のこの発明の弾性表面波フ
ィルタの実施例を示す。図２８において、入力ＩＤＴ１
は、アポタイズ重みづけをし、出力ＩＤＴ２は間引き重
みづけをしたものである。ここで、ＳＴカット水晶基板
６を用い、両ＩＤＴの電極周期λを４５μｍ，電極膜厚
を２．２μｍとし、入力ＩＤＴ１の電極対数を４００
対，出力ＩＤＴ２の電極対数を３９９対とする。
【００８６】結合器３は、金属膜のグレーティング表面
構造の導波路を持つ導波路方向性結合器を用い、グレー
ティングの周期を３４．６μｍ，結合長１０を約７ｍｍ
とする。反射器４，５は、電極指を間引いた間引き反射
器とし、上下方向に並んだ２つの反射器４，５のそれぞ
れの電極指の数を１７１本，電極指の周期を２２．５μ
ｍとする。このように構成した弾性表面波フィルタ全体
のＳＡＷ伝搬方向の長さは、約３０ｍｍとなる。
【００８７】図２９に、この発明の図２８に示した重み
づけしたＩＤＴ１，２を持つ弾性表面波フィルタの周波
数特性のグラフを示す。このグラフより、図２８のよう
にＩＤＴを重みづけすれば、角形性に優れた特性が得ら
れることがわかる。また比較のために、図２８と同じア
ポタイズ重みづけ入力ＩＤＴ１と、間引き重みづけ出力
ＩＤＴ２を用いて、単純なトランスバーサル型弾性表面
波フィルタを構成した場合の周波数特性を図３０に示
す。
【００８８】このトランスバーサル型弾性表面波フィル
タでは、ＳＡＷ伝搬方向の長さは３６ｍｍ（＝４５μｍ
×７９９対）となり、図２８に示したこの発明の弾性表
面波フィルタ（約３０ｍｍ）よりも大きい。さらに図２
９と図３０とを比較すると、図２９に示すこの発明のフ
ィルタ特性の方が角形性に優れることがわかる。すなわ
ち、入力ＩＤＴ及び出力ＩＤＴについて同じ重みづけを
したＩＤＴを用いた場合においても、この発明によれ
ば、従来のものに比べて小型かつ角形性に優れた周波数
特性を持つ弾性表面波フィルタを得ることができる。
【００８９】次に、この発明において、入力ＩＤＴと出
力ＩＤＴとの間のアイソレーションを改善し、通過帯域
外抑圧度を高くすることのできる弾性表面波フィルタの
実施例について説明する。図３等に示した弾性表面波フ
ィルタでは、入出力ＩＤＴどうしが比較的接近している
ため、圧電基板を介した入出力ＩＤＴ間の静電結合が大
きい。入出力ＩＤＴ間のアイソレーションを改善するた
めには、この静電結合を抑制する必要がある。入出力Ｉ
ＤＴ間の静電結合を抑制するためには、たとえば、入力
ＩＤＴと出力ＩＤＴとをできるだけ物理的に離れた位置
に配置するか、入力ＩＤＴと出力ＩＤＴとをＳＡＷ伝搬
方向に平行な方向にずらすことが考えられる。
【００９０】図３３に、この発明において、入力ＩＤＴ
と出力ＩＤＴの位置関係をＳＡＷ伝搬方向にずらした一
実施例の弾性表面波フィルタの構成図を示す。図３３に
おいて、入力ＩＤＴ１の方が出力ＩＤＴ２よりも電極指
対数が多く、入力ＩＤＴと結合器との間の距離は、出力
ＩＤＴと結合器との間の距離よりも長い。
【００９１】図３に示した構成では、入力ＩＤＴ１と出
力ＩＤＴ２とは、ＳＡＷ伝搬方向に垂直な方向に幅がほ
ぼそろうように配置されていたが、図３３に示した構成
では、入力ＩＤＴ１と出力ＩＤＴ２とがＳＡＷ伝搬方向
にずれており、入力ＩＤＴ１と出力ＩＤＴ２とが、ＳＡ
Ｗ伝搬方向に垂直な方向に重なっている部分のＳＡＷ伝
搬方向の長さ（図３３の符号１００）が、ＳＡＷ伝搬方
向の長さが相対的に短い出力ＩＤＴ２の長さ（図３３の
符号１０１）よりも短い。
【００９２】このように、入力ＩＤＴ１と出力ＩＤＴ２
の重なり部分（図３３の符号１００）を少なくすると、
入力ＩＤＴ１と出力ＩＤＴ２との間の静電結合を弱める
ことができる。すなわち、静電結合を弱めることができ
れば、入出力ＩＤＴ間の電気的な直達波（Direct Feed-
through）を減少でき、入出力間のアイソレーションを
改善できる。
【００９３】たとえば、図３３において、符号１００の
長さ＝６３３μｍ，符号１０１の長さ＝８００μｍ，符
号１０２の長さ＝１４３１μｍ，符号１０３の長さ＝２
６７μｍ，符号１０４の長さ＝１００μｍとすればよ
い。
【００９４】また、入出力ＩＤＴ間の静電結合を抑制す
るために、図３４に示すように、入力ＩＤＴ又は出力Ｉ
ＤＴのうち少なくとも一方をＳＡＷ伝搬方向に対して垂
直な方向に移動して、入出力ＩＤＴのＳＡＷ伝搬方向に
垂直な方向の物理的な距離（符号１０５）を反射器間の
距離（符号１０６）よりも長くしてもよい。この場合に
も、入出力ＩＤＴ間の直達波を減少できるため、入出力
間のアイソレーションを改善できる。
【００９５】図３４では、出力ＩＤＴ２と反射器５と
は、１つの弾性表面波伝搬路８上にのっているが、入力
ＩＤＴ１が、反射器４と結合器３との間で形成される弾
性表面波伝搬路７上から上方向にずれた構成を示してい
る。すなわち、入力ＩＤＴ１の構造中心Ｐが、反射器４
の構造中心ＱよりもＳＡＷ伝搬方向に垂直な方向で、入
力ＩＤＴと出力ＩＤＴ間の距離（符号１０５）が長くな
る方向にずれている。
【００９６】ここで構造中心とは、ＩＤＴを構成する電
極指がＳＡＷ伝搬方向から見て互いに重なり合う電極指
交差部の重心をいうものとする。電極指交差部は、一般
的には長方形状であるが、この場合はこの長方形の対角
線の交点が構造中心となる。反射器の構造中心も同様
に、電極指交差部の重心である。以下、図３４に示した
入力ＩＤＴ１のように、構造中心が反射器の構造中心と
ずれているＩＤＴのことを、オフセットインターディジ
タルトランスデューサ（オフセットＩＤＴ）と呼ぶ。
【００９７】ここで、入出力ＩＤＴの距離を長くするこ
とで、入出力間のアイソレーションが改善することを示
す実験結果について説明する。
【００９８】図３５のように入力および出力ＩＤＴを配
置し、入出力ＩＤＴ間の距離を変えて入出力間の直達波
レベルを測定した結果を図３６に示す。圧電基板には３
６°Ｙ−Ｘ：水晶を用い、両ＩＤＴの電極周期１５μ
ｍ，電極膜は膜厚０．２１μｍのアルミニウムＡｌ、Ｉ
ＤＴの電極指の対数はそれぞれ９５対とした。
【００９９】図３６によれば、入出力ＩＤＴ間の距離
（図３５の符号１０７）を長くした場合の方が、直達波
レベルは小さくなっている。すなわち、入出力ＩＤＴ間
の距離を長くするほど直達波レベルは小さくなり、入出
力間のアイソレーションが改善されることが確認でき
る。たとえば、図３では、入出力ＩＤＴ間の距離（図３
５の符号１０７）は１０．５μｍ程度であったが、この
距離（符号１０７）を長くしていき、３００μｍまでは
入出力間の直達波が減少し、入出力間のアイソレーショ
ンが改善することがわかる。
【０１００】ところで、図３４に示した構成を考える
と、入力ＩＤＴ１を図のようにずらしたために、入力Ｉ
ＤＴ１から出射されたＳＡＷの一部が結合器３に入射し
ないので、挿入損失が大きくなる可能性がある。そこ
で、入力ＩＤＴ１から出射されたＳＡＷをすべて結合部
３に導き、損失増加を防止するために、図３７に示すよ
うに弾性表面波導波路（ＳＡＷ導波路１１０）を形成す
ることが好ましい。
【０１０１】図３７に示すように、ＳＡＷ導波路１１０
は、入力ＩＤＴ１と結合器３との間であって、入力ＩＤ
Ｔ１の右端近傍と結合器３の左端近傍までの圧電基板上
の空間内に形成すればよい。ＳＡＷ導波路１１０の形状
は、入力１から出射されたＳＡＷがすべて結合器にでき
るだけ入射するような形状が好ましいが、たとえば図３
７に示すように、平行四辺形形状とすることができる。
この平行四辺形形状の一辺の長さ１１０’は、たとえば
入力ＩＤＴ１の縦方向の長さと同等とする。
【０１０２】また、ＳＡＷ導波路１１０は、この平行四
辺形形状に限定する必要はなく任意の形状でよく、たと
えば、後述するように、その形状の一部に屈折点を有す
る形状でもよい。さらに、導波路を形成する上下の外周
の辺は、必ずしも直線でなくてもよく、曲線的であって
もよい。
【０１０３】ＳＡＷ導波路１１０は、入力ＩＤＴなどと
同様に、圧電基板上に金属膜や絶縁膜を所定の形状に形
成することによって作成できる。ただし、ＳＡＷ導波路
１１０としては、ＳＡＷの速度を周辺部分よりも遅くす
ればよいので、均一な表面構造を有する金属膜の他に、
均一な表面構造を有する絶縁膜，グレーティング表面構
造の金属膜，あるいはグレーティング表面構造の絶縁膜
を用いてもよい（図３８，図３９参照）。金属膜はＡ
ｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ−Ａｕ合金などを用いることがで
きる。絶縁膜はＳｉＯ2を用いることができる。もちろ
ん、金属膜，絶縁膜の種類はこれに限定されるものでは
ない。
【０１０４】なお、図３７等においては、入力ＩＤＴに
ついて、位置をずらして入力ＩＤＴと結合器との間にＳ
ＡＷ導波路を形成する実施例を示したが、出力ＩＤＴの
位置をずらして、出力ＩＤＴと結合器との間にＳＡＷ導
波路を形成してもよい。すなわち、前記したオフセット
ＩＤＴと結合器の間にＳＡＷ導波路を形成すればよい。
【０１０５】図４０に、その形状の一部に屈折点を有す
るＳＡＷ導波路１１０を備えた弾性表面波フィルタの一
実施例の構成図を示す。図４０において、入力ＩＤＴ１
の右端に近いＳＡＷ導波路１１０の部分は、ＳＡＷ伝搬
方向（紙面の左右方向）に対して平行な方向に形成され
る。そしてＳＡＷ導波器１１０の屈折点から結合器３へ
延びる部分は、結合器３に向かって平行四辺形状の導波
路として形成される。ＳＡＷ導波路がこのように屈接点
を備え、図４０の一実施例のようないわゆる「への字形
状」とした場合には、屈折点がない場合と比較してＳＡ
Ｗフィルタの挿入損失を低減することができる。
【０１０６】図４１に、屈折点を有するＳＡＷ導波路を
用いた弾性表面波フィルタの一実施例の詳細構成図を示
す。ここで、ＳＡＷ導波路１１０は、入力ＩＤＴ１と結
合器１１１との間と、出力ＩＤＴ２と結合器１１１の間
に形成している。図４１では、結合器とＳＡＷ導波路１
１０とは接合しているが、両者の間にわずかにギャップ
を設けてもよい。図４１のように、接合している場合
は、図４１の符号１１５で示されるＳＡＷ伝搬方向は平
行な部分を結合器と考え、符号１１３と１１４との間に
屈折点を備え、符号１１３及び１１４で示される部分が
ＳＡＷ導波路１１０と考えればよい。
【０１０７】図４１において、たとえば、入出力ＩＤＴ
間の距離（符号１０７）を９３μｍ，符号１１３の部分
の長さを２００μｍ、符号１１４部分の長さを５００μ
ｍ，符号１１５の部分の長さを３．１ｍｍ，反射器の結
合部分の幅（符号１１６）を３μｍとする。
【０１０８】圧電基板には３６°Ｙ−Ｘ：水晶を用い、
入出力ＩＤＴの対数はそれぞれ１００対，電極周期は１
５μｍ，Ａｌ電極の膜厚は０．２１μｍ，ＩＤＴの電極
指交差幅は１３５μｍ，ＳＡＷ導波路はＡｌ膜のグレー
ティングで作製し、グレーティング周期は１１．４μ
ｍ，導波路幅は１４２．５μｍである。また、結合器に
は導波路方向性結合器を用いている。導波路方向性結合
器の導波路もＡｌ膜のグレーティングで形成し、グレー
ティング周期１１．４μｍ，導波路幅１４２．５μｍで
あり、結合長は３．１ｍｍとした。
【０１０９】図４１と比較のため、図４２に、入出力Ｉ
ＤＴと結合器との間に屈折点のないＳＡＷ導波路を形成
した弾性表面波フィルタを示す。
【０１１０】図４２において、電極周期，導波路幅など
の設計条件は図４１図と全く同じである。このときのそ
れぞれのフィルタの挿入損失は、図４１の屈折点を有す
る弾性表面波フィルタでは３９．５１ｄＢ、図４２の屈
折点を有しない弾性表面波フィルタでは３９．７８ｄＢ
となり、ＳＡＷ導波路中に屈折点を設けることにより挿
入損失を低減させることができる。
【０１１１】図４１の弾性表面波フィルタの構成に加え
て、図３３で示したように、入出力ＩＤＴをＳＡＷ伝搬
方向に垂直な方向の重なり部分を短くするようにずらす
ことで、さらに入出力ＩＤＴ間の距離が大きくなり、静
電結合を抑制でき、入出力間のアイソレーションを改善
できる。
【０１１２】次に、入出間のアイソレーションの改善，
損失の低減を目的とした弾性表面波フィルタの具体例を
示す。まず、前記した図４１に示したこの発明の弾性表
面波フィルタの特性について説明する。図４３に、図４
１の弾性表面波フィルタの挿入損失−周波数特性のグラ
フを示す。同図において、通過帯域外の抑圧度は７０ｄ
Ｂ程度となっている。
【０１１３】これと比較するために、図４４に示すよう
に入出力ＩＤＴの構造中心と反射器の構造中心とがＳＡ
Ｗ伝搬方向に垂直な方向にずれていない弾性表面波フィ
ルタを作成した。図４５に、図４４の弾性表面波フィル
タの挿入損失−周波数特性のグラフを示す。図４２と図
４４に示した弾性表面波フィルタとはＳＡＷ導波路の有
無が異なるのみで、ＩＤＴの電極周期などの設計条件は
同一とした。
【０１１４】図４３と図４５とを比較すると、図４３に
示したＳＡＷ導波路を有しかつ入出力ＩＤＴ間の距離を
離したフィルタの方が、通過帯域外抑圧度が約１０ｄＢ
向上していることがわかる。すなわち、図４１の弾性表
面波フィルタのように、入出力ＩＤＴ間のＳＡＷ伝搬方
向に対して垂直な方向の距離１０７を長くすれば、通過
帯域外抑圧度を改善できることが確認できた。
【０１１５】次に、入出力ＩＤＴと結合器との間にＳＡ
Ｗ導波路を形成することで、ＩＤＴ電極指交差部の構造
中心と反射器の電極指部分の構造中心が図４１のように
ずれたときの損失増加を抑制できることを示す。図４１
の弾性表面波フィルタと図４４の弾性表面波フィルタの
挿入損失の比較を正しく行うためには、入出力ＩＤＴ間
の直達波成分をゲーティング処理により除去した周波数
特性を求めて、これについて比較しなければならない。
【０１１６】図４６に、図４３の特性から直達波成分を
ゲーティングにより除去した周波数特性グラフを示し、
図４７に、図４５の特性から直達波成分をゲーティング
により除去した周波数特性グラフを示す。通過帯域内に
おける図４６の挿入損失は−３９．５１ｄＢ，図４７の
挿入損失は−３９．２９ｄＢであり、その差はわずかに
０．２１ｄＢである。このことは、図４１のように、入
出力ＩＤＴと結合器との間にＳＡＷ導波路を設けること
により、図４４の弾性表面波フィルタと損失を同等にで
き、損失増加を抑制できることを示している。
【０１１７】図４８に、この発明の弾性表面波フィルタ
の一実施例であって、入出力ＩＤＴのＳＡＷ伝搬方向の
位置関係をずらした構成図を示す。図４８において、入
力および出力ＩＤＴ１，２の電極周期は１５μｍ，対数
は入出力ＩＤＴとも９５対、Ａｌ電極の膜厚は０．２１
μｍである。結合器には導波路方向性結合器１１１を用
いており、その導波路部はＡｌ膜のグレーティングで形
成され、グレーティング周期は１１．４μｍ，結合長
（符号１２２）は３．１ｍｍとする。
【０１１８】また、入出力ＩＤＴと結合器の間のＳＡＷ
導波路１１０にもＡｌ膜のグレーティングを用いてお
り、入力ＩＤＴ１と結合器１１１との間の導波路長と出
力ＩＤＴ２と結合器１１１との間の導波路長は図に示し
たように異ならせる。入出力ＩＤＴ間のＳＡＷ伝搬方向
に垂直な方向の距離（符号１２３）は７８μｍとする。
【０１１９】図４８において、入力ＩＤＴの長さ（符号
１２０）は１４３１μｍ，出力ＩＤＴの長さ（符号１２
６）は１４３１μｍ，入出力ＩＤＴの交差部分の長さ
（符号１２７）は６３３μｍ，ＳＡＷ導波路の符号１２
１の部分の長さは２００μｍ，符号１２４の部分の長さ
は９９８μｍ，符号１２５の部分の長さは２００μｍと
する。すなわち、入力ＩＤＴと出力ＩＤＴとの重なりは
６３３μｍとなり、ＩＤＴ長１４３１μｍよりも短い。
【０１２０】図４８の弾性表面波フィルタのフィルタ特
性を図４９に示す。この図４８のフィルタと、図４１に
示した構成の弾性表面波フィルタとの特性の比較を行
う。ここで、図４１において、入出力ＩＤＴ間の距離
（符号１０７）を１５３μｍ，入出力ＩＤＴと結合器１
１５との間の全導波路長（符号１１３と符号１１４との
合計）を１．２ｍｍとする。
【０１２１】図４１では、入力ＩＤＴと出力ＩＤＴは、
ＳＡＷ伝搬方向に重なった状態である。また、ＩＤＴ、
導波路方向性結合器および反射器の設計条件は、図４８
に示したフィルタと同じである。このときの図４１のフ
ィルタの特性を図５０に示す。
【０１２２】図４９と図５０の特性を比較すると、図４
９の方が通過帯域外抑圧度が大きくなっている。この結
果、入出力ＩＤＴをＳＡＷ伝搬方向にずらすことで入出
力間のアイソレーションを改善できることが確認でき
た。
【０１２３】また、図４８では、結合器として導波路方
向性結合器１１１を用いた場合を示したが、図５１に示
すようにマルチストリップカプラ１２８を用いてもよ
い。また、導波路方向性結合器についても、導波路部を
金属膜のグレーティングで形成する必要はなく、例え
ば、均一な金属膜や絶縁膜を用いてもよい。
【０１２４】次に、この発明において、入力ＩＤＴと出
力ＩＤＴとの間のアイショレーションをさらに改善する
ことのできる弾性表面波フィルタの実施例について説明
する。ここでは、主として、圧電基板上の所定の位置に
アース電極を設けること、あるいはＩＤＴの電極の接地
条件を変更すること等によって、入出力間のアイソレー
ションを改善する。
【０１２５】入出力間アイソレーションを悪くするの
は、圧電基板を介した入出力ＩＤＴ間の静電結合や結合
器を介した静電結合が主な原因である。これを改善する
には、入出力ＩＤＴ間の距離を大きくすること、入出力
ＩＤＴ間にシールド用のアース電極を配置すること、あ
るいは入出力ＩＤＴと結合器間にアース電極を配置する
こと等が効果的である。
【０１２６】図５２に、この発明の弾性表面波フィルタ
においてアース電極を設けた構成図を示す。ここでは、
入力ＩＤＴと出力ＩＤＴとの間にシールド用アース電極
３１が配置された構成となっている。図５３および図５
４は、それぞれ結合器３を導波路方向性結合器３２、マ
ルチストリップカプラ３３としたときの具体的な構成図
である。ここで、図５２等では、アース電極３１が長方
形で描かれているが、アース電極３１の形状は長方形で
ある必要はなく、他の形状でもよい。また、アース電極
３１は１つである必要はなく、複数個のアース電極を入
出力ＩＤＴ間に配置してもよい。入出力ＩＤＴ間にアー
ス電極を配置することで入出力間の静電結合が抑制さ
れ、入出力間のアイソレーションを改善することができ
る。
【０１２７】図５５に、この発明の弾性表面波フィルタ
においてＩＤＴのバスバーを接地条件を示した構成図を
示す。入力および出力ＩＤＴのそれぞれ接近しているバ
スバー３４、３５をアースに接続した構成である。ここ
でバスバーとは、ＩＤＴを構成する電極のうち、電気信
号の入力あるいは出力端子となる部分又は接地用端子と
なる部分である。ＩＤＴの中央部分のくし形形状の電極
指の部分は弾性表面波を励振する励振部と呼ぶ。互いに
接近したバスバー３４、３５を接地し、他方３６、３７
を信号用バスバーとすることで、ＩＤＴに入出力される
入出力信号間の距離が大きくなる。この結果、入出力間
の静電結合が抑制され、入出力間のアイソレーションを
改善することができる。
【０１２８】図５６に、この発明の弾性表面波フィルタ
において、バスバーを延長した構成図を示す。入力ある
いは出力ＩＤＴの少なくとも一方の接地されたバスバー
３４が、ＩＤＴと結合器３の間を通過するように延長さ
れた構成である。入力ＩＤＴの接地されたバスバー３４
が、入力ＩＤＴと結合器３との間を通過することで、入
力ＩＤＴと結合器３との間のシールド電極の役割を果た
す。ここで出力ＩＤＴ２と結合器３の間に、接地された
出力ＩＤＴのバスバーを延長してもよい。この結果、結
合器３を介した入出力ＩＤＴ間の静電結合が抑制され、
入出力間のアイソレーションを改善することができる。
【０１２９】図５７に、この発明の弾性表面波フィルタ
において、アース電極を設けた構成図を示す。入出力Ｉ
ＤＴと結合器との間にシールド用アース電極３８、３９
が配置された構成となっている。図５７においては、入
力ＩＤＴ１および出力ＩＤＴ２と結合器３との間にそれ
ぞれアース電極３８、３９が分離された形状で配置され
た構成を示したが、これらのアース電極が一体となるよ
うに構成してもよい。ＩＤＴ１、２と結合器３との間に
シールド用アース電極３８、３９を配置することで、結
合器を介した入出力ＩＤＴ間の静電結合が抑制され、入
出力間のアイソレーションを改善することができる。
【０１３０】図５８に、この発明の弾性表面波フィルタ
において、入出力ＩＤＴの電極指のうち、最も結合器に
近い電極指が接地された構成図を示す。入出力ＩＤＴの
少なくとも一方のＩＤＴの最も結合器に近い電極指４
０、あるいは４１を接地することで、その電極指４０、
あるいは４１自体がＩＤＴと結合器３との間のシールド
電極の役割を果たす。この結果、結合器を介した入出力
ＩＤＴ間の静電結合が抑制され、入出力間のアイソレー
ションを改善することができる。
【０１３１】図５９に、この発明の弾性表面波フィルタ
において、結合器を接地した構成図を示す。図５９で
は、結合器が金属グレーティングを用いて形成された導
波路方向性結合器４２であり、その導波路方向性結合器
４２が接地された構成となっている。図６０も、結合器
を接地した構成図であるが、導波路方向性結合器４３が
均一な金属膜で形成されたときの構成を示している。導
波路方向性結合器４３を接地することで結合器を介した
入出力ＩＤＴ間の静電結合が抑制される。この結果、入
出力間のアイソレーションを改善することができる。
【０１３２】図６１に、この発明の弾性表面波フィルタ
を複数個備えた構成図を示す。１つの圧電基板上に複数
の弾性表面波フィルタ４３、４４が配置されており、互
いに隣接する弾性表面波フィルタ４３、４４がＳＡＷの
伝搬方向に逆向きに配置された構成となっている。１つ
の圧電基板上に複数の弾性表面波フィルタが構成された
場合、隣接するフィルタ４３、４４を互いにＳＡＷ伝搬
方向に逆向きにすることで、各フィルタの信号間の距離
を大きくすることができ、フィルタ間の静電結合が抑制
される。この結果、入出力間のアイソレーションを改善
することができる。
【０１３３】図６２に、この発明の弾性表面波フィルタ
を複数個備え、さらにアース電極を備えた構成図を示
す。図６２では、１つの圧電基板上に２個の弾性表面波
フィルタ４５、４６が配置された場合を示しており、そ
のフィルタ間にシールド用アース電極４７が配置された
構成となっている。ここで、アース電極４７は長方形状
となっているが、形状は長方形に限定される必要はな
い。また、このアース電極４７は１つである必要はな
く、複数個のアース電極が配置されてもよい。 １つの
圧電基板上に複数の弾性表面波フィルタが構成された場
合、隣接するフィルタ４５、４６間にシールド用アース
電極４７を配置することによって、フィルタ間の静電結
合が抑制される。この結果、入出力間のアイソレーショ
ンを改善することができる。
【０１３４】この入出力間のアイソレーションを改善す
ることのできる実施例について、以下の実施例１から８
に示す。 実施例１ 図５２に示した弾性表面波フィルタの実施例について説
明する。作製した弾性表面波フィルタの構成を図６３に
示す。圧電基板６に３６°Ｙ−Ｘ：水晶、入力および出
力ＩＤＴ１、２には周期３６μｍ、６５対のダブル電極
を用い、結合器３は均一な金属膜を用いた導波路方向性
結合器とする。電極膜厚は１．５μｍであり、反射器４
の周期１８．０１μｍ，電極本数１５５対である。
【０１３５】この弾性表面波フィルタの入出力ＩＤＴ間
に、図５２に示すように幅２８μｍの長方形状のアース
電極３１を配置した。このときのフィルタの時間応答特
性を図６４に示す。また、比較のために、アース電極が
ないときの特性を図６４に点線で示す。アース電極３１
を配置することで、入出力間のアイソレーションの程度
を表す時間０での信号、すなわち直達波のレベルが、−
７２．６ｄＢから−７３．６ｄＢに１ｄＢ低減している
のが確認できた。
【０１３６】実施例２ 図５５に示した弾性表面波フィルタの実施例について、
図６３に示した弾性表面波フィルタを用いて説明する。
図６３において、符号５２，５３の互いに接近して配置
されたバスバーを接地したときの時間応答特性を図６５
に示す。なお、シールド用アース電極は配置していな
い。このようにバスバーを接地すると、直達波レベルは
−７２．６ｄＢとなった。比較のために、図６３におい
て、符号５２，５４のバスバーを接地し、５１，５３の
バスバーをそれぞれ入力、出力に接続したときの特性を
図６５に点線で示す。このときの直達波レベルは−６２
ｄＢであり、互いに接近して配置されたバスバー５２、
５３を接地した方が直達波レベルが９．４ｄＢ低減され
ているのが確認できた。
【０１３７】実施例３ 図５６に示した弾性表面波フィルタの実施例について説
明する。作製した弾性表面波フィルタの構成を図６６に
示す。図６６において符号５２，５３のバスバーが図の
ように結合器３とＩＤＴ１、２との間と横切るように延
長されている。ＩＤＴ１、２、結合器３、反射器４の設
計条件は図６３のものと同一とする。このときのフィル
タの時間応答特性を図６７に示す。比較のために、図６
８に示すように接地されるバスバー５２、５３を結合器
３とは反対側に延長したときの特性を図６７に点線で示
してある。直達レベルが０．８ｄＢ低減されているのが
確認できた。
【０１３８】実施例４ 図５７に示した弾性表面波フィルタの実施例について説
明する。作製した弾性表面波フィルタの構成を図６９に
示す。圧電基板６には１２８°Ｙ−Ｘ：ＬｉＮｂＯ3を
用い、結合器はマルチストリップカプラ３である。ＩＤ
Ｔ１、２の周期は２０μｍであり、対数は入出力ＩＤＴ
とも１０対である。また、入出力ＩＤＴ間の距離は７０
μｍである。このフィルタ構成において、図のようにＩ
ＤＴ１、２と結合器３との間にシールド用アース電極５
５を配置した。このときの直達波レベルは−４９．５ｄ
Ｂであり、アース電極が無い場合の直達波のレベル−４
０ｄＢと比較して、９．５ｄＢだけ低減されているのが
確認できた。
【０１３９】実施例５ 図５８に示した弾性表面波フィルタの実施例について説
明する。作製した弾性表面波フィルタの構成を図７０に
示す。ＩＤＴの結合器に最も近い電極指５６、５７は接
地されている。このときのフィルタの時間応答特性を図
７１に示す。また、比較のために、結合器に最も近い電
極指を信号側に接続したときの特性を図７１に点線で示
してある。結合器に最も近い電極指５６、５７を接地す
ることで直達波が９ｄＢ低減されているのが確認でき
た。
【０１４０】実施例６ 図５９に示した弾性表面波フィルタの実施例について説
明する。作製した弾性表面波フィルタの構成を図７２に
示す。圧電基板６に３６°Ｙ−Ｘ：水晶、入力および出
力ＩＤＴ１、２には周期１５μｍ、９５対のダブル電極
を用い、結合器は金属グレーティングを用いた導波路方
向性結合器３としてある。電極膜厚は０．２μｍ、反射
器本数は１７９本、入出力ＩＤＴ間の距離は８８．５μ
ｍである。
【０１４１】このフィルタにおいて、導波路方向性結合
器３の均一膜の部分にアースワイヤを打ち、導波路方向
性結合器３を接地した。このときのフィルタの時間応答
特性を図７３に示す。比較のために、導波路方向性結合
器を接地していないときの特性を図７３に点線で示して
ある。導波路方向性結合器３を接地することで、直達波
が２ｄＢ低減されているのが確認できた。
【０１４２】実施例７ 図６１に示した弾性表面波フィルタの実施例について説
明する。作製した弾性表面波フィルタの構成を図７４に
示す。ここで、３６°Ｙ−Ｘ：水晶基板上に２つの弾性
表面波フィルタ５８、５９が、互いにＳＡＷ伝搬方向に
逆向きになるように配置されている。また、これらの弾
性表面波フィルタ５８、５９は、並列に接続されてい
る。ＩＤＴ１、２、結合器３、反射器４の構成は、実施
例６に示したものと同一とする。このときのフィルタ時
間応答特性を図７５に示す。また、比較のために、２つ
の弾性表面波フィルタを同じ向きに配置したときの特性
を図７５に点線で示してある。逆向きに配置することで
直達波が７．９ｄＢ低減されているのが確認できた。
【０１４３】実施例８ 図６２に示した弾性表面波フィルタの実施例について説
明する。作製した弾性表面波フィルタの構成を図７６に
示す。３６°Ｙ−Ｘ：水晶基板上に２つの弾性表面波フ
ィルタ５８、５９を配置している。個々のフィルタのＩ
ＤＴ１、２、結合器３、反射器４の構成は、実施例６に
示したものと同一とする。これら２つの弾性表面波フィ
ルタ５８、５９は並列接続されており、弾性表面波フィ
ルタ５８、５９間には２つのアース電極６０が配置され
ている。このときのフィルタの時間応答特性を図７７に
示す。比較のために、アース電極がないときの特性を図
７７に点線で示してある。弾性表面波フィルタ間にアー
ス電極６０を配置することで、直達波が３．８ｄＢ低減
されているのが確認できた。また、上記した実施例１か
ら８に記載した弾性表面波フィルタの構成を組み合わせ
れば、より入出力間のアイソレーションを改善できる。
たとえば、図７８に実施例１，２，３及び４に示した構
成を組合せた弾性表面波フィルタの構成図を示す。
【０１４４】
【発明の効果】この発明によれば、従来に比べて、弾性
表面波の伝搬方向の長さを小さくでき、さらに角形性に
優れた周波数特性を持つ弾性表面波フィルタを提供する
ことができる。
【０１４５】また、少なくとも１つのＩＤＴに一方向性
ＩＤＴを用いれば、入力ＩＤＴから出射されたＳＡＷエ
ネルギーが効率よく結合器に入射されるので、弾性表面
波フィルタの損失を低減できる。さらに、結合器のギャ
ップ部を伝搬する弾性表面波伝搬速度を自由表面よりも
遅くすることにより、２つの導波路部の結合を強くする
ことができ、弾性表面波伝搬方向の導波路長が短い結合
器を形成して、弾性表面波フィルタを小型化できる。
【０１４６】また、この発明によれば、結合器の外側に
均一な表面構造の金属膜又はグレーティング表面構造の
金属膜を設けることによって、導波路部の外側部分の弾
性表面波の伝搬速度を自由表面の伝搬速度よりも遅くで
きるので、導波路の閉じ込めが弱くなり、高次の導波モ
ードが伝搬しにくくなり、したがって基本モードにＳＡ
Ｗエネルギーが集中して、弾性表面波フィルタの損失を
低減することが可能となる。
【０１４７】この発明によれば、反射器を重みづけする
ことにより、反射器の周波数特性のサイドローブを抑圧
することができるので、弾性表面波フィルタの周波数特
性のサイドローブを抑圧することができる。反射器の電
極指の周期の２倍と、ＩＤＴの電極指の周期とをわずか
に異ならせているので、反射器の周波数特性の中心周波
数と、ＩＤＴの周波数特性の中心周波数とをほぼ一致さ
せることができ、弾性表面波フィルタの周波数特性を左
右対称にして、優れた角形性を持つ弾性表面波フィルタ
を提供することができる。
【０１４８】この発明によれば、入出力ＩＤＴの位置関
係をずらしたり、入出力ＩＤＴ間の距離を長くしている
ので、弾性表面波フィルタの入出力ＩＤＴ間のアイソレ
ーションを改善でき、通過帯域外抑圧度を改善すること
ができる。すなわち、入力ＩＤＴと出力ＩＤＴとの物理
的な距離を長くした場合には、入出力間のアイソレーシ
ョンを改善することができる。
【０１４９】ＳＡＷ導波路を形成することによってＩＤ
Ｔから出射されたＳＡＷを結合器に導くことができるの
で、損失増加を抑制することができる。また、ＳＡＷ導
波路の構造の一部に屈折点を設けた場合には、入力ＩＤ
Ｔから出射されたＳＡＷが効率よく導波路に入射される
ので、損失を低減することができる。
【０１５０】さらに、この発明によれば、入出力ＩＤＴ
間にアース電極を形成等することによって、入出力間の
アイソレーションをさらに改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の弾性表面波フィルタの構成ブロック
図。
【図２】この発明の弾性表面波フィルタの動作原理の説
明図。
【図３】この発明の弾性表面波フィルタの一実施例の構
成図。
【図４】この発明の弾性表面波フィルタに用いる導波路
方向性結合器の動作説明図。
【図５】導波路方向性結合器をこの発明の弾性表面波フ
ィルタに適用した場合の動作明図。
【図６】この発明の反射器の電極指の本数に対する中心
周波数での反射率の変化のグラフ。
【図７】この発明の導波路方向性結合器の結合長に対す
る挿入損失の変化のグラフ。
【図８】この発明の弾性表面波フィルタの一実施例の構
成図。
【図９】弾性表面波フィルタの弾性表面波伝搬方向の長
さの比較図。
【図１０】この発明の一実施例の弾性表面波フィルタの
周波数特性のグラフ。
【図１１】従来のトランスバーサル型フィルタの周波数
特性のグラフ。
【図１２】この発明の一方向性ＩＤＴと双方向性ＩＤＴ
との比較説明図。
【図１３】この発明の浮き電極型一方向性ＩＤＴを用い
た弾性表面波フィルタの一実施例の構成図。
【図１４】この発明の結合器の導波路部の構造図。
【図１５】この発明の導波路方向性結合器の一実施例の
構成図。
【図１６】この発明の導波路方向性結合器の一実施例の
構成図。
【図１７】この発明の導波路方向性結合器の一実施例の
構成図。
【図１８】この発明の導波路方向性結合器の一実施例の
構成図。
【図１９】この発明の一実施例の間引きした反射器の構
成図。
【図２０】この発明の間引き重みづけした反射器の反射
特性のグラフ。
【図２１】この発明の一実施例の弾性表面波フィルタの
構成図（一つの伝搬路に複数の反射器を有する場合）。
【図２２】この発明の反射器の反射特性の比較図。
【図２３】この発明の弾性表面波フィルタの周波数特性
の比較図（反射器を複数配置した場合と、１つの場合と
の比較）。
【図２４】この発明の弾性表面波フィルタの一実施例の
構成図。
【図２５】この発明の一実施例の弾性表面波フィルタの
周波数特性のグラフ（反射器の電極周期の２倍とＩＤＴ
の電極周期を一致させた時）。
【図２６】この発明の一実施例の弾性表面波フィルタの
周波数特性のグラフ（反射器の電極周期の２倍とＩＤＴ
の電極周期を異ならせた時）。
【図２７】弾性表面波フィルタの周波数特性の比較図。
【図２８】この発明の一実施例の弾性表面波フィルタの
一実施例の構成図。
【図２９】この発明の一実施例の弾性表面波フィルタの
周波数特性のグラフ。
【図３０】従来のトランスバーサル型の弾性表面波フィ
ルタの周波数特性のグラフ。
【図３１】従来のトランスバーサル型フィルタの構成
図。
【図３２】角形性の説明図。
【図３３】この発明の入力ＩＤＴと出力ＩＤＴの位置を
ずらした一実施例の構成図。
【図３４】この発明の入力ＩＤＴと反射器の構造中心の
位置をずらした一実施例の構成図。
【図３５】この発明の入力ＩＤＴと出力ＩＤＴの位置関
係の説明図。
【図３６】この発明において、入出力ＩＤＴ間の距離と
直達波レベルの関係グラフ。
【図３７】この発明の入力ＩＤＴと結合器の間に、ＳＡ
Ｗ導波路を設けた一実施例の構成図。
【図３８】この発明のＳＡＷ導波路を金属膜又は絶縁膜
で形成した一実施例の構成図。
【図３９】この発明のＳＡＷ導波路を金属膜又は絶縁膜
のグレーティングで形成した一実施例の構成図。
【図４０】この発明の入力ＩＤＴと結合器の間に屈接点
を有するＳＡＷ導波路を設けた一実施例の構成図。
【図４１】この発明の入出力ＩＤＴと結合器の間に、屈
接点を有するＳＡＷ導波路を設けた一実施例の構成図。
【図４２】この発明の入力ＩＤＴと結合器の間に、ＳＡ
Ｗ導波路を設けた一実施例の構成図。
【図４３】この発明の図４１の弾性表面波フィルタの周
波数特性図。
【図４４】ＳＡＷ導波路を設けない弾性表面波フィルタ
の構造図。
【図４５】図４４に示した弾性表面波フィルタの周波数
特性図。
【図４６】この発明の図４３において、直達波成分を除
去した弾性表面波フィルタの周波数特性図。
【図４７】この発明の図４５において、直達波成分を除
去した弾性表面波フィルタの周波数特性図。
【図４８】この発明の入出力ＩＤＴと結合器の間に、屈
接点を有するＳＡＷ導波路を設け、入力ＩＤＴと出力Ｉ
ＤＴの位置をずらした一実施例の構成図。
【図４９】この発明の図４６の弾性表面波フィルタの周
波数特性図。
【図５０】この発明の入出力ＩＤＴと結合器の間に、屈
接点を有するＳＡＷ導波路を設け、入力ＩＤＴと出力Ｉ
ＤＴの位置をずらしていない弾性表面波フィルタの周波
数特性図。
【図５１】この発明の図４８において、結合器をマルチ
ストリップカプラとした弾性表面波フィルタの周波数特
性図。
【図５２】この発明の弾性表面波フィルタの実施例１の
概略構成の説明図。
【図５３】この発明の弾性表面波フィルタの実施例１の
概略構成の説明図。
【図５４】この発明の弾性表面波フィルタの実施例１の
概略構成の説明図。
【図５５】この発明の弾性表面波フィルタの実施例２の
概略構成の説明図。
【図５６】この発明の弾性表面波フィルタの実施例３の
概略構成の説明図。
【図５７】この発明の弾性表面波フィルタの実施例４の
概略構成の説明図。
【図５８】この発明の弾性表面波フィルタの実施例５の
概略構成の説明図。
【図５９】この発明の弾性表面波フィルタの実施例６の
概略構成の説明図。
【図６０】この発明の弾性表面波フィルタの実施例６の
概略構成の説明図。
【図６１】この発明の弾性表面波フィルタの実施例７の
概略構成の説明図。
【図６２】この発明の弾性表面波フィルタの実施例８の
概略構成の説明図。
【図６３】この発明の実施例１の構成図。
【図６４】この発明の実施例１の時間応答特性図。
【図６５】この発明の実施例２の時間応答特性図。
【図６６】この発明の実施例３の構成図。
【図６７】この発明の実施例３の時間応答特性図。
【図６８】この発明の実施例３に対する比較例の構成
図。
【図６９】この発明の実施例４の構成図。
【図７０】この発明の実施例５の構成図。
【図７１】この発明の実施例５の時間応答特性図。
【図７２】この発明の実施例６の構成図。
【図７３】この発明の実施例６の時間応答特性図。
【図７４】この発明の実施例７の構成図。
【図７５】この発明の実施例７の時間応答特性図。
【図７６】この発明の実施例８の構成図。
【図７７】この発明の実施例８の時間応答特性図。
【図７８】この発明の弾性表面波フィルタの実施例を組
合せた場合の構成図。
【符号の説明】
１ 入力ＩＤＴ ２ 出力ＩＤＴ ３ 結合器 ４ 反射器 ５ 反射器 ６ 圧電基板 ７ 第１伝搬路 ８ 第２伝搬路 １０ 結合長 １１０ ＳＡＷ導波路 １１１ 導波路方向性結合器 １１２ 反射器 １２８ マルチストリップカプラ
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 良夫 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭50−39445（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−18141（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−190112（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−235686（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−34712（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−110376（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−112307（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−99448（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−687（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−214314（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−208306（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−18282（ＪＰ，Ａ) 特表 平５−501486（ＪＰ，Ａ) 米国特許3965446（ＵＳ，Ａ) 米国特許3882430（ＵＳ，Ａ) 米国特許4155056（ＵＳ，Ａ) 米国特許4737743（ＵＳ，Ａ) 米国特許3836876（ＵＳ，Ａ) 米国特許4130813（ＵＳ，Ａ) ＦＲＥＤＥＲＩＣＫ ＨＵＡＮＧ，Ｃ ｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ｆａｃｔｏｒ ｆ ｏｒ Ｌｏｗ−Ｌｏｓｓ 180°Ｒｅｆ ｌｅｃｔｉｎｇ Ｌｉｎｅａｒ Ｃｈｉ ｒｐ Ａｒｒａｙｓ ｉｎ ＳＡＷ Ｄ ｅｖｉｃｅｓ，ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡ ＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＵＬＴＲＡＳＯＮ ＩＣＳ，ＦＥＲＲＯＥＬＥＣＴＲＩＣ Ｓ，ＡＮＤ ＦＲＥＱＵＥＮＣＹ ＣＯ ＮＹＲＯＬ，1988年 １月，ＶＯＬＵＭ Ｅ 35， ＮＵＭＢＥＲ １，ｐ．61− 65 Ｈａｒｕｖｉ−Ｂｕｓｎａｃｈ，Ｉ. Ｓｅｉｄｍａｎ， Ａ． Ｃｒｏｉｔ ｏｒｕ， Ｎ．；，Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｒｅｓｐｏｎｓｅ ｏｆ ｓｕｒｆａ ｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅｓ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｃｏｕｐｌｅ ｒｓ ，Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎ ｅｅｒｓ ｉｎ Ｉｓｒａｅｌ，，1996 年11月 ６日，ｐ．259−262 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/145 H03H 9/25

Claims (29)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 圧電基板と、圧電基板上に互いに平行に
    存在する複数の弾性表面波伝搬路と、これらの弾性表面
    波伝搬路を結合させ、複数の弾性表面波伝搬路を横断す
    るように配置する１つの導波路方向性結合器とからな
    り、 少なくとも１つの伝搬路上には、前記結合器をはさんで
    入力インターディジタルトランスデューサと第１反射器
    とが配置され、 他の弾性表面波伝搬路のうち少なくとも１つの伝搬路上
    には、前記結合器をはさんで出力インターディジタルト
    ランスデューサと第２反射器とが配置され、前記第１および第２の反射器がそれぞれ、入力インター
    ディジタルトランスデューサと出力インターディジタル
    トランスデューサの片側にのみ配置され、 入力インターディジタルトランスデューサと出力インタ
    ーディジタルトランスデューサとが、導波路方向性結合
    器を基準として同じ側に配置 されたことを特徴とする弾
    性表面波フィルタ。
  2. 【請求項２】 前記入力インターディジタルトランスデ
    ューサと出力インターディジタルトランスデューサのう
    ち少なくとも１つが、重み付けされていることを特徴と
    する請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
  3. 【請求項３】 前記入力あるいは出力インターディジタ
    ルトランスデューサの重み付けが、アポタイズ重み付け
    または間引き重み付けであることを特徴とする請求項２
    記載の弾性表面波フィルタ。
  4. 【請求項４】 前記入力インターディジタルトランスデ
    ューサと出力インターディジタルトランスデューサのう
    ち少なくとも１つが、一方向性インターディジタルトラ
    ンスデューサであることを特徴とする請求項１記載の弾
    性表面波フィルタ。
  5. 【請求項５】 前記導波路方向性結合器は、一つの弾性
    表面波伝搬路で励振された弾性表面波を伝搬する複数の
    導波路部と、これら導波路部の間に配置され２つの導波
    路部を結合するギャップ部とからなり、前記導波路部が
    均一な表面構造の金属膜またはグレーティング表面構造
    を有する金属膜で形成されたことを特徴とする請求項１
    記載の弾性表面波フィルタ。
  6. 【請求項６】 前記ギャップ部が、均一な表面構造の金
    属膜またはグレーティング表面構造を有する金属膜で形
    成されたことを特徴とする請求項５記載の弾性表面波フ
    ィルタ。
  7. 【請求項７】 圧電基板と、圧電基板上に互いに平行に
    存在する複数の弾性表面波伝搬路と、これらの弾性表面
    波伝搬路を結合させる結合器とからなり、少なくとも１
    つの弾性表面波伝搬路上には、前記結合器をはさんで入
    力インターディジタルトランスデューサと第１反射器と
    が配置され、他の弾性表面波伝搬路のうち少なくとも１
    つの伝搬路上には、前記結合器をはさんで出力インター
    ディジタルトランスデューサと第２反射器とが配置さ
    れ、前記結合器が、導波路方向性結合器であり、 前記導波路方向性結合器は、一つの弾性表面波伝搬路で
    励振された弾性表面波を伝搬する複数の導波路部と、こ
    れら導波路部の間に配置されるギャップ部とからなり、
    前記導波路部がグレーティング表面構造を有する金属膜
    で形成され、前記ギャップ部が、グレーティング表面構
    造を有する金属膜で形成され、前記ギャップ部を伝搬す
    る弾性表面波速度が前記導波路部を伝搬する弾性表面波
    速度よりも速くなるように、導波路部のグレーティング
    表面構造のグレーティングと、ギャップ部のグレーティ
    ング表面構造のグレーティングとを調整したことを特徴
    とする弾性表面波フィルタ。
  8. 【請求項８】 圧電基板と、圧電基板上に互いに平行に
    存在する複数の弾性表面波伝搬路と、これらの弾性表面
    波伝搬路を結合させる結合器とからなり、少なくとも１
    つの弾性表面波伝搬路上には、前記結合器をはさんで入
    力インターディジタルトランスデューサと第１反射器と
    が配置され、他の弾性表面波伝搬路のうち少なくとも１
    つの伝搬路上には、前記結合器をはさんで出力インター
    ディジタルトランスデューサと第２反射器とが配置さ
    れ、前記結合器が、導波路方向性結合器であり、 前記導波路方向性結合器は、一つの弾性表面波伝搬路で
    励振された弾性表面波を伝搬す る複数の導波路部と、こ
    れら導波路部の間に配置されるギャップ部とからなり、
    前記導波路部が均一な表面構造の金属膜またはグレーテ
    ィング表面構造を有する金属膜で形成され、前記導波路
    方向性結合器の外側であって前記導波路部のギャップ部
    と接していない部分に、均一な表面構造の金属膜または
    グレーティング表面構造の金属膜を形成したことを特徴
    とする弾性表面波フィルタ。
  9. 【請求項９】 前記反射器の少なくとも１つが、重み付
    けされたことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波フ
    ィルタ。
  10. 【請求項１０】 前記反射器の少なくとも１つが、間引
    き重み付けされたことを特徴とする請求項１記載の弾性
    表面波フィルタ。
  11. 【請求項１１】 前記各弾性表面波伝搬路上に配置され
    た反射器のうち、少なくとも１つの弾性表面波伝送路上
    に配置された反射器が、複数個の反射器から形成される
    ことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
  12. 【請求項１２】 前記入力及び出力インターディジタル
    トランスデューサが複数の電極指から構成され、前記第
    １及び第２反射器が一定周期のグレーティング構造の電
    極から構成され、前記反射器の電極指の周期が、前記イ
    ンターディジタルトランスデューサの電極指の周期の２
    倍とわずかに異なることを特徴とする請求項１記載の弾
    性表面波フィルタ。
  13. 【請求項１３】 圧電基板と、圧電基板上に互いに平行
    に存在する複数の弾性表面波伝搬路と、これらの弾性表
    面波伝搬路を結合させる結合器とからなり、少なくとも
    １つの弾性表面波伝搬路上には、前記結合器をはさんで
    入力インターディジタルトランスデューサと第１反射器
    とが配置され、他の弾性表面波伝搬路のうち少なくとも
    １つの伝搬路上には、前記結合器をはさんで出力インタ
    ーディジタルトランスデューサと第２反射器とが配置さ
    れ、 前記入力インターディジタルトランスデューサと前記出
    力インターディジタルトランスデューサとが、弾性表面
    波の伝搬方向に垂直な方向に並行するように配置され、
    入力インターディジタルトランスデューサと出力インタ
    ーディジタルトランスデューサとが前記垂直な方向に重
    なっている部分の弾性表面波伝搬方向の長さが、入力イ
    ンターディジタルトランスデューサと出力インターディ
    ジタルトランスデューサのうち弾性表面波伝搬方向の長
    さが短い方のインターディジタルトランスデューサの長
    さよりも短いことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
  14. 【請求項１４】 圧電基板と、圧電基板上に互いに平行
    に存在する複数の弾性表面波伝搬路と、これらの弾性表
    面波伝搬路を結合させる結合器とからなり、少なくとも
    １つの弾性表面波伝搬路上には、前記結合器をはさんで
    入力インターディジタルトランスデューサと第１反射器
    とが配置され、他の弾性表面波伝搬路のうち少なくとも
    １つの伝搬路上には、前記結合器をはさんで出力インタ
    ーディジタルトランスデューサと第２反射器とが配置さ
    れ、 前記入力インターディジタルトランスデューサと前記出
    力インターディジタルトランスデューサとが、弾性表面
    波の伝搬方向に垂直な方向に並行するように配置され、
    入力インターディジタルトランスデューサと出力インタ
    ーディジタルトランスデューサのうち少なくとも一つ
    が、そのインターディジタルトランスデューサの構造中
    心の位置と、そのインターディジタルトランスデューサ
    と同じ弾性表面波伝搬路上にある反射器の構造中心の位
    置とが、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直な方向にず
    れていることを特徴とする弾性表面波フィルタ。
  15. 【請求項１５】 前記ずれたインターディジタルトラン
    スデューサと前記結合器との間の圧電基板上に、弾性表
    面波導波路を形成したことを特徴とする請求項１４記載
    の弾性表面波フィルタ。
  16. 【請求項１６】 前記弾性表面波導波路が、均一な表面
    構造の金属膜，均一な表面構造の絶縁膜，グレーティン
    グ構造の金属膜または、グレーティング構造の絶縁膜の
    うちいずれかであることを特徴とする請求項１５記載の
    弾性表面波フィルタ。
  17. 【請求項１７】 前記弾性表面波導波路が、一平面上で
    その途中に屈接点を有する形状であることを特徴とする
    請求項１５又は１６記載の弾性表面波フィルタ。
  18. 【請求項１８】 圧電基板と、圧電基板上に互いに平行
    に存在する複数の弾性表面波伝搬路と、これらの弾性表
    面波伝搬路を結合させる結合器とからなり、少なくとも
    １つの弾性表面波伝搬路上には、前記結合器をはさんで
    入力インターディジタルトランスデューサと第１反射器
    とが配置され、他の弾性表面波伝搬路のうち少なくとも
    １つの伝搬路上には、前記結合器をはさんで出力インタ
    ーディジタルトランスデューサと第２反射器とが配置さ
    れ、 前記入力インターディジタルトランスデューサと前記出
    力インターディジタルトランスデューサとが、弾性表面
    波の伝搬方向に垂直な方向に並行するように配置され、
    入力インターディジタルトランスデューサと出力インタ
    ーディジタルトランスデューサとの間の距離が前記第１
    反射器と第２反射器との間の距離よりも長いことを特徴
    とする弾性表面波フィルタ。
  19. 【請求項１９】 前記入力インターディジタルトランス
    デューサと前記出力インターディジタルトランスデュー
    サとの間の圧電基板上に、アース電極を形成したことを
    特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
  20. 【請求項２０】 前記入力インターディジタルトランス
    デューサと前記出力インターディジタルトランスデュー
    サとが、弾性表面波を励振する励振部と、励振部の両端
    に配置された２つのバスバー部からなり、互いに接近し
    て配置された入力インターディジタルトランスデューサ
    のバスバー部と出力インターディジタルトランスデュー
    サのバスバー部とがそれぞれ接地されたことを特徴とす
    る請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
  21. 【請求項２１】 前記接地されたバスバー部のうち少な
    くとも一方のバスバー部が、入力インターディジタルト
    ランスデューサあるいは出力インターディジタルトラン
    スデューサと前記結合器との間を通過するように延長さ
    れたことを特徴とする請求項２０記載の弾性表面波フィ
    ルタ。
  22. 【請求項２２】 前記入力インターディジタルトランス
    デューサと前記結合器との間、あるいは前記出力インタ
    ーディジタルトランスデューサと前記結合器との間の少
    なくとも一方であって圧電基板上にアース電極を形成し
    たことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィル
    タ。
  23. 【請求項２３】 前記入力インターディジタルトランス
    デューサと出力インターディジタルトランスデューサと
    が、複数のくし形形状の電極指からなり、入力インター
    ディジタルトランスデューサあるいは出力インターディ
    ジタルトランスデューサの少なくとも一方の最も前記結
    合器に近い電極指が接地されたことを特徴とする請求項
    １記載の弾性表面波フィルタ。
  24. 【請求項２４】 前記結合器が、金属材料を用いて形成
    された導波路方向性結合器であり、かつ接地されたこと
    を特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
  25. 【請求項２５】 １つの弾性表面波フィルタが、圧電基
    板と、圧電基板上に互いに平行に存在する複数の弾性表
    面波伝搬路と、これらの弾性表面波伝搬路を結合させる
    結合器とからなり、 少なくとも１つの弾性表面波伝搬路上には、前記結合器
    をはさんで入力インターディジタルトランスデューサと
    第１反射器とが配置され、他の弾性表面波伝搬路のうち
    少なくとも１つの伝搬路上には、前記結合器をはさんで
    出力インターディジタルトランスデューサと第２反射器
    とが配置され、 前記弾性表面波フィルタが、１つの圧電基板上に複数個
    形成され、隣接した２つの弾性表面波フィルタが、励振
    される弾性表面波の伝搬方向に対して逆向きとなるよう
    に、並列に配置されたことを特徴とする多段型の弾性表
    面波フィルタ。
  26. 【請求項２６】 前記隣接した２つの弾性表面波フィル
    タの間であって、圧電基板上にアース電極を形成したこ
    とを特徴とする請求項２５記載の多段型の表面波フィル
    タ。
  27. 【請求項２７】 １つの弾性表面波フィルタが、圧電基
    板と、圧電基板上に互いに平行に存在する複数の弾性表
    面波伝搬路と、これらの弾性表面波伝搬路を結合させる
    結合器とからなり、少なくとも１つの弾性表面波伝搬路
    上には、前記結合器をはさんで入力イン ターディジタル
    トランスデューサと第１反射器とが配置され、他の弾性
    表面波伝搬路のうち少なくとも１つの伝搬路上には、前
    記結合器をはさんで出力インターディジタルトランスデ
    ューサと第２反射器とが配置され、 前記弾性表面波フィルタが、１つの圧電基板上に複数個
    形成され、隣接した２つの弾性表面波フィルタの間であ
    って、圧電基板上にアース電極を形成したことを特徴と
    する多段型の弾性表面波フィルタ。
  28. 【請求項２８】 前記結合器が、導波路方向性結合器で
    あることを特徴とする請求項１３，１４，１５，１６，
    １７，１８，２５および２６に記載したいずれかの弾性
    表面波フィルタ。
  29. 【請求項２９】 前記結合器が、マルチストリップカプ
    ラであることを特徴とする請求項１３，１４，１５，１
    ６，１７，１８，２５および２６に記載したいずれかの
    弾性表面波フィルタ。
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