JP2000124768A - ２段縦続接続型トランスバーサルｓａｗフィルタ - Google Patents
２段縦続接続型トランスバーサルｓａｗフィルタInfo
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- JP2000124768A JP2000124768A JP29333398A JP29333398A JP2000124768A JP 2000124768 A JP2000124768 A JP 2000124768A JP 29333398 A JP29333398 A JP 29333398A JP 29333398 A JP29333398 A JP 29333398A JP 2000124768 A JP2000124768 A JP 2000124768A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２段縦続接続型トランスバーサルＳＡＷフィ
ルタにおける伝送歪み及び群遅延時間歪みを低減したフ
ィルタを得る。 【解決手段】 圧電基板上に電極周期Ｐ１からなる２つ
のＩＤＴ電極を中心間距離Ｐ１×αを置いて配置した第
１のフィルタと、電極周期Ｐ２からなる２つのＩＤＴ電
極を中心間距離Ｐ２×αを置いて配置した第２のフィル
タとを縦続接続した２段縦続接続型トランスバーサルＳ
ＡＷフィルタにおいて、 ｜Ｐ１／Ｐ２−１｜＝１／（４×α）＋ｎ／（２×α） ここでｎ＝±０、１、２・・・ とした２段縦続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタ
である。
ルタにおける伝送歪み及び群遅延時間歪みを低減したフ
ィルタを得る。 【解決手段】 圧電基板上に電極周期Ｐ１からなる２つ
のＩＤＴ電極を中心間距離Ｐ１×αを置いて配置した第
１のフィルタと、電極周期Ｐ２からなる２つのＩＤＴ電
極を中心間距離Ｐ２×αを置いて配置した第２のフィル
タとを縦続接続した２段縦続接続型トランスバーサルＳ
ＡＷフィルタにおいて、 ｜Ｐ１／Ｐ２−１｜＝１／（４×α）＋ｎ／（２×α） ここでｎ＝±０、１、２・・・ とした２段縦続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタ
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はトランスバーサルＳ
ＡＷフィルタに関し、特に２段縦続接続型トランスバー
サルＳＡＷフィルタの伝送歪み及び群遅延時間歪みを改
善した２段縦続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタ
に関する。
ＡＷフィルタに関し、特に２段縦続接続型トランスバー
サルＳＡＷフィルタの伝送歪み及び群遅延時間歪みを改
善した２段縦続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＳＡＷデバイスは通信分野で広く
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられている。最
近、通信容量の拡大のため携帯電話等の通信方式がデジ
タル化されたのに伴い、これに用いるＳＡＷフィルタ等
の群遅延時間偏差が厳しくなった。この要求に応えるべ
く、共振子型ＳＡＷフィルタより本質的に群遅延時間偏
差が良好なトランスバーサルＳＡＷフィルタが実用化さ
れてきた。
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられている。最
近、通信容量の拡大のため携帯電話等の通信方式がデジ
タル化されたのに伴い、これに用いるＳＡＷフィルタ等
の群遅延時間偏差が厳しくなった。この要求に応えるべ
く、共振子型ＳＡＷフィルタより本質的に群遅延時間偏
差が良好なトランスバーサルＳＡＷフィルタが実用化さ
れてきた。
【０００３】図３（ａ）は従来のトランスバーサルＳＡ
Ｗフィルタの構成を示す平面図であって、圧電基板１の
主面上に表面波の伝搬方向に沿って２つのＩＤＴ電極１
１、１２を所定の間隔を置いて配置すると共に、表面波
の伝搬方向で圧電基板１の両端に端面からの表面波の反
射を吸収するため、吸音材１３ａ、１３ｂが付着されて
いる。ＩＤＴ電極１１、１２はいずれも互いに間挿し合
う複数本の電極指を有する一対のくし形電極により構成
され、ＩＤＴ電極１１の一方のくし形電極は入力端子IN
に接続し、他方のくし形電極は接地すると共にＩＤＴ電
極１２の一方のくし形電極は出力端子OUTに接続し、他
方のくし形電極は接地してトランスバーサルＳＡＷフィ
ルタを構成している。
Ｗフィルタの構成を示す平面図であって、圧電基板１の
主面上に表面波の伝搬方向に沿って２つのＩＤＴ電極１
１、１２を所定の間隔を置いて配置すると共に、表面波
の伝搬方向で圧電基板１の両端に端面からの表面波の反
射を吸収するため、吸音材１３ａ、１３ｂが付着されて
いる。ＩＤＴ電極１１、１２はいずれも互いに間挿し合
う複数本の電極指を有する一対のくし形電極により構成
され、ＩＤＴ電極１１の一方のくし形電極は入力端子IN
に接続し、他方のくし形電極は接地すると共にＩＤＴ電
極１２の一方のくし形電極は出力端子OUTに接続し、他
方のくし形電極は接地してトランスバーサルＳＡＷフィ
ルタを構成している。
【０００４】図３（ｂ）は、図３（ａ）の入力ＩＤＴ電
極１１と出力ＩＤＴ電極１２との間の信号の伝搬経路を
示す図で、トランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送特性
及び群遅延時間特性に生ずるリップルの発生原因である
トリプル・トランシット・エコー（以下、ＴＴＥと称
す）について説明するする図である。図３（ｂ）の
（イ）は主信号で、伝搬時間はτである。図３（ｂ）の
（ロ）は入力ＩＤＴ電極１１によって励起された表面波
が、入出力ＩＤＴ電極１１、１２によりそれぞれ１回づ
つ反射され、即ち、ＩＤＴ電極１１と１２との間の伝搬
路を３回伝搬してから出力ＩＤＴ電極１２にピックアッ
プされる所謂ＴＴＥ信号であり、伝搬時間は３τとな
る。これら以外に複雑な反射を繰り返す伝搬経路も考え
られるが、反射および電気−音響変換を繰り返す結果、
信号強度が小さくなり無視することができるので、上記
の２つの信号について考慮すれば充分である。
極１１と出力ＩＤＴ電極１２との間の信号の伝搬経路を
示す図で、トランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送特性
及び群遅延時間特性に生ずるリップルの発生原因である
トリプル・トランシット・エコー（以下、ＴＴＥと称
す）について説明するする図である。図３（ｂ）の
（イ）は主信号で、伝搬時間はτである。図３（ｂ）の
（ロ）は入力ＩＤＴ電極１１によって励起された表面波
が、入出力ＩＤＴ電極１１、１２によりそれぞれ１回づ
つ反射され、即ち、ＩＤＴ電極１１と１２との間の伝搬
路を３回伝搬してから出力ＩＤＴ電極１２にピックアッ
プされる所謂ＴＴＥ信号であり、伝搬時間は３τとな
る。これら以外に複雑な反射を繰り返す伝搬経路も考え
られるが、反射および電気−音響変換を繰り返す結果、
信号強度が小さくなり無視することができるので、上記
の２つの信号について考慮すれば充分である。
【０００５】図３（ｃ）は、Ｘカット112°Ｙ伝搬LiTaO
3基板上に、中心周波数が３８０ＭＨｚ、帯域幅が５Ｍ
Ｈｚとなるように同図（ａ）に示すＩＤＴ電極パターン
を用いて試作したトランスバーサルＳＡＷフィルタの伝
送特性Ａと群遅延時間特性Ｂを示した図である。伝送特
性Ａに約１ｄＢのリップル、群遅延時間特性に約０．３
μｓの遅延歪みが生じている。
3基板上に、中心周波数が３８０ＭＨｚ、帯域幅が５Ｍ
Ｈｚとなるように同図（ａ）に示すＩＤＴ電極パターン
を用いて試作したトランスバーサルＳＡＷフィルタの伝
送特性Ａと群遅延時間特性Ｂを示した図である。伝送特
性Ａに約１ｄＢのリップル、群遅延時間特性に約０．３
μｓの遅延歪みが生じている。
【０００６】伝搬時間τの主信号と伝搬時間３τのＴＴ
Ｅ信号が合成されてＩＤＴ電極１２にピックアップされ
るので、トランスバーサルＳＡＷフィルタの帯域内の周
波数が変化すると、主信号とＴＴＥ信号との位相差に変
化が生じて、ＴＴＥリップルと呼ばれる伝送特性のリッ
プルと群遅延時間特性のリップルが発生し、このリップ
ルの周期は、図３（ｃ）に示すように、１／（２τ）と
なることはよく知られている。
Ｅ信号が合成されてＩＤＴ電極１２にピックアップされ
るので、トランスバーサルＳＡＷフィルタの帯域内の周
波数が変化すると、主信号とＴＴＥ信号との位相差に変
化が生じて、ＴＴＥリップルと呼ばれる伝送特性のリッ
プルと群遅延時間特性のリップルが発生し、このリップ
ルの周期は、図３（ｃ）に示すように、１／（２τ）と
なることはよく知られている。
【０００７】最近、携帯電話等の通信機器の増大による
通信の錯綜により、隣接チャネルから受ける信号妨害等
を改善するため、通過帯域近傍の阻止域減衰量の改善が
強く要望されている。この要求に対応するため、図３
（ａ）に示したトランスバーサルＳＡＷフィルタを同一
圧電基板上にて２段縦続接続したフィルタが製作される
ようになった。即ち、図４（ａ）に示すように、圧電基
板上に２つＩＤＴ電極１４、１５を所定の間隔をおいて
配置すると共に、該電極とほぼ同様な構成のＩＤＴ電極
１６、１７を同一基板上に併置し、ＩＤＴ電極１５と１
６とをリード電極で電気的に接続した所謂２段縦続接続
型トランスバーサルＳＡＷフィルタである。
通信の錯綜により、隣接チャネルから受ける信号妨害等
を改善するため、通過帯域近傍の阻止域減衰量の改善が
強く要望されている。この要求に対応するため、図３
（ａ）に示したトランスバーサルＳＡＷフィルタを同一
圧電基板上にて２段縦続接続したフィルタが製作される
ようになった。即ち、図４（ａ）に示すように、圧電基
板上に２つＩＤＴ電極１４、１５を所定の間隔をおいて
配置すると共に、該電極とほぼ同様な構成のＩＤＴ電極
１６、１７を同一基板上に併置し、ＩＤＴ電極１５と１
６とをリード電極で電気的に接続した所謂２段縦続接続
型トランスバーサルＳＡＷフィルタである。
【０００８】図４（ｂ）は、Ｘカット112°Ｙ伝搬LiTaO
3圧電基板１に同図４（ａ）に示す電極パターンを用い
て、中心周波数が３８０ＭＨｚ、帯域幅が５ＭＨｚにな
るようにＩＤＴ電極１４〜１７を配置した２段縦続接続
型トランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送特性Ａと群遅
延時間特性Ｂを示す図である。
3圧電基板１に同図４（ａ）に示す電極パターンを用い
て、中心周波数が３８０ＭＨｚ、帯域幅が５ＭＨｚにな
るようにＩＤＴ電極１４〜１７を配置した２段縦続接続
型トランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送特性Ａと群遅
延時間特性Ｂを示す図である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４
（ｂ）から明らかなように、通過域近傍の阻止減衰量を
大きくするため、トランスバーサルＳＡＷフィルタを２
段縦続接続したフィルタは、阻止域減衰量は改善される
ものの、フィルタの伝送特性と群遅延時間特性とが大き
く劣化するという問題があった。本発明は上記問題を解
決するためになされたものであって、２段縦続接続型ト
ランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送特性と群遅延時間
特性とを改善したフィルタを提供することを目的とす
る。
（ｂ）から明らかなように、通過域近傍の阻止減衰量を
大きくするため、トランスバーサルＳＡＷフィルタを２
段縦続接続したフィルタは、阻止域減衰量は改善される
ものの、フィルタの伝送特性と群遅延時間特性とが大き
く劣化するという問題があった。本発明は上記問題を解
決するためになされたものであって、２段縦続接続型ト
ランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送特性と群遅延時間
特性とを改善したフィルタを提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る２段縦続接続型トランスバーサルＳＡＷ
フィルタの請求項１記載の発明は、圧電基板上に電極周
期をＰ１とする２つのＩＤＴ電極を所定の中心間距離を
隔して配置した第１のトランスバーサルＳＡＷフィルタ
と、電極周期をＰ２とする２つのＩＤＴ電極を所定の中
心間距離を隔して配置した第２のトランスバーサルＳＡ
Ｗフィルタとを縦続接続した２段縦続接続型トランスバ
ーサルＳＡＷフィルタにおいて、前記第１及び第２のト
ランスバーサルＳＡＷフィルタの中心間距離をそれぞれ
Ｐ１×α及びＰ２×αとするとともに ｜Ｐ１／Ｐ２−１｜＝１／（４×α）＋ｎ／（２×α） ここでｎ＝±０、１、２・・・としたことを特徴とする
２段縦続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタであ
る。請求項２記載の発明は、前記第１のフィルタと第２
のフィルタをそれぞれ別個の圧電基板上に構成したもの
であることを特徴とする請求項１記載の２段縦続接続型
トランスバーサルＳＡＷフィルタである。
に本発明に係る２段縦続接続型トランスバーサルＳＡＷ
フィルタの請求項１記載の発明は、圧電基板上に電極周
期をＰ１とする２つのＩＤＴ電極を所定の中心間距離を
隔して配置した第１のトランスバーサルＳＡＷフィルタ
と、電極周期をＰ２とする２つのＩＤＴ電極を所定の中
心間距離を隔して配置した第２のトランスバーサルＳＡ
Ｗフィルタとを縦続接続した２段縦続接続型トランスバ
ーサルＳＡＷフィルタにおいて、前記第１及び第２のト
ランスバーサルＳＡＷフィルタの中心間距離をそれぞれ
Ｐ１×α及びＰ２×αとするとともに ｜Ｐ１／Ｐ２−１｜＝１／（４×α）＋ｎ／（２×α） ここでｎ＝±０、１、２・・・としたことを特徴とする
２段縦続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタであ
る。請求項２記載の発明は、前記第１のフィルタと第２
のフィルタをそれぞれ別個の圧電基板上に構成したもの
であることを特徴とする請求項１記載の２段縦続接続型
トランスバーサルＳＡＷフィルタである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。本発明を説明する前
に、図４（ａ）に示す２段縦続接続型トランスバーサル
ＳＡＷフィルタの伝送特性及び群遅延時間特性に生ずる
リップルの発生原因ついて簡単に説明する。 図５はＩＤ
Ｔ電極１４によって励起された表面波がＩＤＴ電極１
５、１６を介してＩＤＴ電極１７にピックアップされる
主信号と、ＩＤＴ電極１４〜１７にて多重反射されて、
ＩＤＴ電極１７にピックアップされるその他の信号経路
を説明する図である。図５の（イ）は主信号の経路であ
り、ＩＤＴ電極１４、１５間の伝搬時間をτとすると、
主信号の伝搬時間は２τとなり、これをτ’（＝２τ）
とおく。図５の（ロ）の経路は、入出力ＩＤＴ電極１
４、１５間及び１６、１７間をそれぞれ３回ずつ伝搬す
る信号で、その伝搬時間は３τ’となり、これが通常の
ＴＴＥに相当する。
形態に基づいて詳細に説明する。本発明を説明する前
に、図４（ａ）に示す２段縦続接続型トランスバーサル
ＳＡＷフィルタの伝送特性及び群遅延時間特性に生ずる
リップルの発生原因ついて簡単に説明する。 図５はＩＤ
Ｔ電極１４によって励起された表面波がＩＤＴ電極１
５、１６を介してＩＤＴ電極１７にピックアップされる
主信号と、ＩＤＴ電極１４〜１７にて多重反射されて、
ＩＤＴ電極１７にピックアップされるその他の信号経路
を説明する図である。図５の（イ）は主信号の経路であ
り、ＩＤＴ電極１４、１５間の伝搬時間をτとすると、
主信号の伝搬時間は２τとなり、これをτ’（＝２τ）
とおく。図５の（ロ）の経路は、入出力ＩＤＴ電極１
４、１５間及び１６、１７間をそれぞれ３回ずつ伝搬す
る信号で、その伝搬時間は３τ’となり、これが通常の
ＴＴＥに相当する。
【００１２】更に、図５の（ハ）、（ニ）のようにＩＤ
Ｔ電極１４、１５間の伝送経路あるいは、ＩＤＴ電極１
６、１７間の伝送経路を３回伝搬する信号が存在する。
この場合の伝搬時間は、主信号のそれに比べて、それぞ
れ２τ’（偶数倍）の伝搬時間を有し、これが群遅延時
間リップルを著しく劣化させている原因である。通常の
ＴＴＥの発生原因は前記のように奇数倍の伝搬時間を有
する反射波によるものであるが、図５の（ハ）、（ニ）
の場合の発生原因は偶数倍の伝搬時間を有する信号波に
よるものであり、通常のＴＴＥとは異なるものである。
Ｔ電極１４、１５間の伝送経路あるいは、ＩＤＴ電極１
６、１７間の伝送経路を３回伝搬する信号が存在する。
この場合の伝搬時間は、主信号のそれに比べて、それぞ
れ２τ’（偶数倍）の伝搬時間を有し、これが群遅延時
間リップルを著しく劣化させている原因である。通常の
ＴＴＥの発生原因は前記のように奇数倍の伝搬時間を有
する反射波によるものであるが、図５の（ハ）、（ニ）
の場合の発生原因は偶数倍の伝搬時間を有する信号波に
よるものであり、通常のＴＴＥとは異なるものである。
【００１３】図１は本発明に係る２段縦続接続型トラン
スバーサルＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であり、
圧電基板１上に表面波の伝搬方向に沿って電極周期Ｐ１
の２つのＩＤＴ電極２、３を中心間距離をα×Ｐ１とし
て配置すると共に、該ＩＤＴ電極２、３と並行して電極
周期Ｐ２の２つのＩＤＴ電極４、５を中心間距離α×Ｐ
２をあけて同一基板上に配設する。そして、ＩＤＴ電極
３と４とをリード電極にて電気的に接続し、ＩＤＴ電極
２、５をそれぞれ入出力電極として２段縦続接続型トラ
ンスバーサルＳＡＷフィルタを構成する。更に、図１に
示すように圧電基板１のＩＤＴ電極２〜５が配列された
端部には、端部からの表面波の反射波を吸収すべく吸音
材６を付着してある。
スバーサルＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であり、
圧電基板１上に表面波の伝搬方向に沿って電極周期Ｐ１
の２つのＩＤＴ電極２、３を中心間距離をα×Ｐ１とし
て配置すると共に、該ＩＤＴ電極２、３と並行して電極
周期Ｐ２の２つのＩＤＴ電極４、５を中心間距離α×Ｐ
２をあけて同一基板上に配設する。そして、ＩＤＴ電極
３と４とをリード電極にて電気的に接続し、ＩＤＴ電極
２、５をそれぞれ入出力電極として２段縦続接続型トラ
ンスバーサルＳＡＷフィルタを構成する。更に、図１に
示すように圧電基板１のＩＤＴ電極２〜５が配列された
端部には、端部からの表面波の反射波を吸収すべく吸音
材６を付着してある。
【００１４】トランスバーサルＳＡＷフィルタの通過帯
域内に生ずる伝送特性及び群遅延時間特性のリップルの
周期性に着目し、ＩＤＴ電極２と３とで構成する１段目
のフィルタのリップルの山と谷と、ＩＤＴ電極４と５と
で構成する２段目のフィルタのリップルの山と谷との関
係を逆転させて、即ち互いに位相関係をπだけずらして
重ね合わせることにより、互いに相殺して上記のリップ
ルが抑圧出来ることを発見した。
域内に生ずる伝送特性及び群遅延時間特性のリップルの
周期性に着目し、ＩＤＴ電極２と３とで構成する１段目
のフィルタのリップルの山と谷と、ＩＤＴ電極４と５と
で構成する２段目のフィルタのリップルの山と谷との関
係を逆転させて、即ち互いに位相関係をπだけずらして
重ね合わせることにより、互いに相殺して上記のリップ
ルが抑圧出来ることを発見した。
【００１５】即ち、本発明は図５の（イ）に示す伝搬経
路を伝搬する主信号と、（ハ）あるいは（二）に示す伝
搬経路を伝搬する偶数倍の伝搬時間を有する信号成分を
互いに相殺し、伝送特性及び群遅延時間に生ずるリップ
ルを改善するものである。上記の伝送特性及び群遅延時
間特性に生ずるリップルの周期の１／２即ち、１／（４
τ）だけ周波数をずらすことが出来れば、上記リップル
を抑圧できることになる。
路を伝搬する主信号と、（ハ）あるいは（二）に示す伝
搬経路を伝搬する偶数倍の伝搬時間を有する信号成分を
互いに相殺し、伝送特性及び群遅延時間に生ずるリップ
ルを改善するものである。上記の伝送特性及び群遅延時
間特性に生ずるリップルの周期の１／２即ち、１／（４
τ）だけ周波数をずらすことが出来れば、上記リップル
を抑圧できることになる。
【００１６】図１に示すようにＩＤＴ電極２、３及び
４、５の中心間距離をそれぞれα×P1、α×P2、励起さ
れる表面波の速度をVとすると、ＩＤＴ電極２、３及び
４、５が励起する表面波の周波数f1及びf2を１／（４
τ）だけずらすため f1＝V／P1 f2＝V／P2 としたとき、２つの周波数の差の絶対値|f2−f1|が以下
の式を満足することが必要となる。 |f2−f1|＝1／(4τ)＋n／(2τ) ＝V／(4αP1)＋nV／(2αP1) ただし、ｎ＝±０、±１、±２・・である。これは、 |f2／f1−1|＝1／(4α)＋n／(2α) と表すことができる。周波数f1、f2は電極周期P1、P2の
逆数に対応した値であるから、上式は |P1／P2−1|＝1／(4α)＋n／(2α) となる。
４、５の中心間距離をそれぞれα×P1、α×P2、励起さ
れる表面波の速度をVとすると、ＩＤＴ電極２、３及び
４、５が励起する表面波の周波数f1及びf2を１／（４
τ）だけずらすため f1＝V／P1 f2＝V／P2 としたとき、２つの周波数の差の絶対値|f2−f1|が以下
の式を満足することが必要となる。 |f2−f1|＝1／(4τ)＋n／(2τ) ＝V／(4αP1)＋nV／(2αP1) ただし、ｎ＝±０、±１、±２・・である。これは、 |f2／f1−1|＝1／(4α)＋n／(2α) と表すことができる。周波数f1、f2は電極周期P1、P2の
逆数に対応した値であるから、上式は |P1／P2−1|＝1／(4α)＋n／(2α) となる。
【００１７】上述の式を満足するようにＩＤＴ電極２、
３と４、５の電極周期を異ならせることにより、２段縦
続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタに生ずる、主
信号に対して偶数倍の伝搬時間を有する信号成分を相殺
できる結果、伝送特性のリップル及び群遅延時間特性の
リップルを大幅に抑圧することが出来るようになった。
図２は、本発明に係る２段縦続接続型トランスバーサル
ＳＡＷフィルタの一例であり、Ｘカット112°Ｙ伝搬LiT
aO3圧電基板１に、中心周波数が３８０ＭＨｚ、帯域幅
が５ＭＨｚになるようにＩＤＴ電極２〜５を配置したフ
ィルタの伝送特性Ａと群遅延時間特性Ｂを示す図であ
る。図２から明らかなように、伝送特性及び群遅延時間
特性に生じるリップルを大幅に抑圧した良好なフィルタ
を実現することが確認出来た。
３と４、５の電極周期を異ならせることにより、２段縦
続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタに生ずる、主
信号に対して偶数倍の伝搬時間を有する信号成分を相殺
できる結果、伝送特性のリップル及び群遅延時間特性の
リップルを大幅に抑圧することが出来るようになった。
図２は、本発明に係る２段縦続接続型トランスバーサル
ＳＡＷフィルタの一例であり、Ｘカット112°Ｙ伝搬LiT
aO3圧電基板１に、中心周波数が３８０ＭＨｚ、帯域幅
が５ＭＨｚになるようにＩＤＴ電極２〜５を配置したフ
ィルタの伝送特性Ａと群遅延時間特性Ｂを示す図であ
る。図２から明らかなように、伝送特性及び群遅延時間
特性に生じるリップルを大幅に抑圧した良好なフィルタ
を実現することが確認出来た。
【００１８】上記実施例では、同一基板上に２つのフィ
ルタを構成して縦続接続する例について説明したが、本
発明はこれに限定するものではなく、別々の基板もしく
は別々のパッケージに実装されたフィルタによって構成
してもよい。また、２つの正規型ＩＤＴを用いたトラン
スバーサルＳＡＷフィルタを例に説明したが、これに限
定するものではなく、一方向性ＩＤＴ電極、例えば浮き
電極型内部反射一方向性ＩＤＴ(FEUDT)あるいは、複数
のＩＤＴ電極により構成されるフィルタに適用してもよ
い。更に、電気端子によって２つのフィルタを接続する
構成について本発明を説明したがマルチストリップカプ
ラーや斜め反射器等を用いて接続する構成へ適用できる
ことは云うまでもない。
ルタを構成して縦続接続する例について説明したが、本
発明はこれに限定するものではなく、別々の基板もしく
は別々のパッケージに実装されたフィルタによって構成
してもよい。また、２つの正規型ＩＤＴを用いたトラン
スバーサルＳＡＷフィルタを例に説明したが、これに限
定するものではなく、一方向性ＩＤＴ電極、例えば浮き
電極型内部反射一方向性ＩＤＴ(FEUDT)あるいは、複数
のＩＤＴ電極により構成されるフィルタに適用してもよ
い。更に、電気端子によって２つのフィルタを接続する
構成について本発明を説明したがマルチストリップカプ
ラーや斜め反射器等を用いて接続する構成へ適用できる
ことは云うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成したの
で、通過域近傍の阻止域減衰量を大きくすると共に、伝
送特性のリップルや群遅延時間偏差を大幅に改善した縦
続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタを実現するこ
とができた。本発明になるＳＡＷフィルタをディジタル
方式の携帯電話等に用いれば、隣接チャネルの妨害を防
ぐと共に、通話品質の優れた携帯電話が可能になるとい
う優れた効果を奏する。
で、通過域近傍の阻止域減衰量を大きくすると共に、伝
送特性のリップルや群遅延時間偏差を大幅に改善した縦
続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタを実現するこ
とができた。本発明になるＳＡＷフィルタをディジタル
方式の携帯電話等に用いれば、隣接チャネルの妨害を防
ぐと共に、通話品質の優れた携帯電話が可能になるとい
う優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る２段縦続接続型トランスバーサル
ＳＡＷフィルタの電極構成を示す平面図である。
ＳＡＷフィルタの電極構成を示す平面図である。
【図２】本発明に係る２段縦続接続型トランスバーサル
ＳＡＷフィルタの伝送特性Ａと群遅延時間特性Ｂを示す
図である。
ＳＡＷフィルタの伝送特性Ａと群遅延時間特性Ｂを示す
図である。
【図３】（ａ）は従来のトランスバーサルＳＡＷフィル
タの電極構成を示す図、（ｂ）は主信号とＴＴＥの伝搬
経路を示す図、（ｃ）は（ａ）に示す電極を用いて構成
したトランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送特性Ａと群
遅延時間特性Ｂを示す図である。
タの電極構成を示す図、（ｂ）は主信号とＴＴＥの伝搬
経路を示す図、（ｃ）は（ａ）に示す電極を用いて構成
したトランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送特性Ａと群
遅延時間特性Ｂを示す図である。
【図４】（ａ）は従来の２段縦続接続型トランスバーサ
ルＳＡＷフィルタの電極構成を示す図、（ｂ）は主信号
と代表的な信号の伝搬経路を示す図である。
ルＳＡＷフィルタの電極構成を示す図、（ｂ）は主信号
と代表的な信号の伝搬経路を示す図である。
【図５】図４（ａ）に示す電極を用いて構成した２段縦
続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送特性Ａ
と群遅延時間特性Ｂを示す図である。
続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送特性Ａ
と群遅延時間特性Ｂを示す図である。
１・・圧電基板 ２、３、４、５・・ＩＤＴ電極 ６・・吸音材 Ｐ１、Ｐ２・・ＩＤＴ電極周期 αＰ１、αＰ２・・ＩＤＴ電極の中心間距離
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板上に電極周期をＰ１とする２つ
のＩＤＴ電極を所定の中心間距離を隔して配置した第１
のトランスバーサルＳＡＷフィルタと、電極周期をＰ２
とする２つのＩＤＴ電極を所定の中心間距離を隔して配
置した第２のトランスバーサルＳＡＷフィルタとを縦続
接続した２段縦続接続型トランスバーサルＳＡＷフィル
タにおいて、前記第１及び第２のトランスバーサルＳＡ
Ｗフィルタの中心間距離をそれぞれＰ１×α及びＰ２×
αとするとともに ｜Ｐ１／Ｐ２−１｜＝１／（４×α）＋ｎ／（２×α） ここでｎ＝±０、１、２・・・としたことを特徴とする
２段縦続接続型トランスバーサルＳＡＷフィルタ。 - 【請求項２】 前記第１のフィルタと第２のフィルタを
それぞれ別個の圧電基板上に構成したものであることを
特徴とする請求項１記載の２段縦続接続型トランスバー
サルＳＡＷフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29333398A JP2000124768A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | ２段縦続接続型トランスバーサルｓａｗフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29333398A JP2000124768A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | ２段縦続接続型トランスバーサルｓａｗフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124768A true JP2000124768A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17793469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29333398A Pending JP2000124768A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | ２段縦続接続型トランスバーサルｓａｗフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000124768A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006157545A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | 弾性表面波フィルタ、電子装置および周波数特性制御方法 |
| CN111262629A (zh) * | 2020-03-21 | 2020-06-09 | 复旦大学 | 一种基于sCAP调制的micro-LED可见光通信系统 |
-
1998
- 1998-10-15 JP JP29333398A patent/JP2000124768A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006157545A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | 弾性表面波フィルタ、電子装置および周波数特性制御方法 |
| JP4563154B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-10-13 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波フィルタ、電子装置および周波数特性制御方法 |
| CN111262629A (zh) * | 2020-03-21 | 2020-06-09 | 复旦大学 | 一种基于sCAP调制的micro-LED可见光通信系统 |
| CN111262629B (zh) * | 2020-03-21 | 2022-11-18 | 复旦大学 | 一种基于sCAP调制的micro-LED可见光通信系统 |
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