CN116436433B - 一种声表面波谐振器及声表面波滤波器 - Google Patents
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims abstract description 36
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 claims description 11
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 8
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 15
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251131 Sphyrna Species 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02685—Grating lines having particular arrangements
- H03H9/02724—Comb like grating lines
- H03H9/02732—Bilateral comb like grating lines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
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Abstract
本申请实施例涉及通信领域，尤其涉及一种声表面波谐振器，包括：第一汇流条、第二汇流条以及多个电极指；第一汇流条和第二汇流条相对设置，且各电极指间隔设置于第一汇流条和第二汇流条之间；每个电极指均包括用于抑制杂散模态的抑制部，相邻的两个电极指中的抑制部间隔设置形成间隙，至少两个间隙在第一方向上的宽度不同。本申请还涉及一种声表面波滤波器。本申请通过使至少两个所述间隙在第一方向上的宽度不同，以使电极指对的声表面波相位差不再恒定，从而减少杂散模态的输出，提升表面波滤波器的性能。
Description
技术领域
本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种声表面波谐振器及声表面波滤波器。
背景技术
声表面波（SAW）滤波器广泛应用于移动通讯设备中，具有插损低、宽带宽、体积小、低成本、可批量生产等优点。目前，表面波具有瑞利波、水平剪切波、漏纵波、兰姆波等多种模态，在实际应用中一般仅选用其中一种模态作为主模态，其余模态与横向谐振模一起称为杂散模态，杂散模态出现在声表面波滤波器通带内，影响声表面波滤波器的性能。
发明内容
本申请实施例提供一种声表面波谐振器及声表面波滤波器，用于解决杂散模态影响声表面波滤波器性能的问题。
为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种声表面波谐振器，采用了如下所述的技术方案：
一种声表面波谐振器，包括：第一汇流条、第二汇流条以及多个电极指；
所述第一汇流条和所述第二汇流条相对设置，且各所述电极指间隔设置于所述第一汇流条和所述第二汇流条之间；
每个所述电极指均包括用于抑制杂散模态的抑制部，相邻的两个所述电极指中的所述抑制部间隔设置形成间隙，至少两个所述间隙在第一方向上的宽度不同。
进一步的，每个所述电极指均包括真指部，各所述电极指中的所述真指部分别交替连接于所述第一汇流条和所述第二汇流条，且所述真指部为所述抑制部；或，
每个所述电极指均包括相对设置的真指部以及假指部，各所述电极指中的所述真指部分别交替连接于所述第一汇流条和所述第二汇流条，各所述电极指中的所述假指部分别交替连接于所述第一汇流条和所述第二汇流条；所述真指部和所述假指部中至少一者为所述抑制部；或，
每个所述电极指均包括真指部以及用于抑制横向模态的加宽部，各所述电极指中的所述真指部分别交替连接于所述第一汇流条和所述第二汇流条，所述加宽部装设于所述真指部；所述真指部和所述加宽部中至少一者为所述抑制部；或，
每个所述电极指均包括真指部、假指部以及用于抑制横向模态的加宽部，所述真指部和所述的假指部相对设置，各所述电极指中的所述真指部分别交替连接于所述第一汇流条和所述第二汇流条，各所述电极指中的所述假指部分别交替连接于所述第一汇流条和所述第二汇流条，所述加宽部装设于所述真指部；所述真指部、所述假指部和所述加宽部中至少一者为所述抑制部。
进一步的，当所述假指部为所述抑制部时，相邻的两个所述假指部之间的所述间隙在所述第一方向上的宽度满足以下公式：
；
其中，为所述假指部在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述假指部之间的所述间隙在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长；和/或，
当所述加宽部为所述抑制部时，相邻的两个所述加宽部之间的所述间隙在所述第一方向的宽度满足以下公式：
；
其中，为所述加宽部在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述加宽部之间的所述间隙在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长。
进一步的，所述真指部包括第一部分以及第二部分；
所述第一部分和所述第二部分均设于所述第一汇流条和所述第二汇流条之间，且所述第二部分的一端与所述第一部分连接固定，所述第二部分的另一端与所述第一汇流条或所述第二汇流条连接固定；
其中，当所述真指部为所述抑制部时，所述第一部分和所述第二部分中至少一者为所述抑制部。
进一步的，当所述第一部分为所述抑制部时，相邻的两个所述第一部分之间的所述间隙在所述第一方向上的宽度满足以下公式：
；
其中，为所述第一部分在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第一部分之间的所述间隙在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长；和/或，
当所述第二部分为所述抑制部时，相邻的两个所述第二部分之间的所述间隙在所述第一方向上的宽度满足以下公式：
；
其中，为所述第二部分在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第二部分之间的所述间隙在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长。
进一步的，所述第一汇流条与所述第二汇流条之间形成有激活区域，且所述第一汇流条与所述激活区域之间、和所述第二汇流条与所述激活区域之间均设有缝隙区域；
所述第一部分设于所述激活区域上，所述第二部分设于所述缝隙区域上。
进一步的，当所述电极指包括所述加宽部时，所述电极指还包括用于抑制横向模态的加厚部，所述加厚部装设于所述加宽部。
进一步的，于所述第一方向上，所述加厚部的宽度与所述加宽部的宽度的比值为0.6至1；和/或，
于第二方向上，所述加厚部的宽度与所述加宽部的宽度的比值为0.6至1；所述第二方向与所述第一方向垂直；和/或，
所述加厚部的表面积与所述加宽部的表面积的比值为0.4至1。
为了解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种声表面波滤波器，采用了如下所述的技术方案：
一种声表面波滤波器，包括如上所述的声表面波谐振器。
与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：通过使至少两个相邻的两个电极指中的抑制部的间隙在第一方向上的宽度不同，以使各相邻的两个电极指的声表面波相位差不再恒定，从而减少杂散模态的输出，并由于主模态中相邻的两个电极指的对数大于杂散模态中相邻的两个电极指的对数，各相邻的两个电极指的声表面波的相位变化对主模态的影响较小，从而实现抑制杂散模态的同时，避免对主模态的输出造成影响。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例的声表面波谐振器（电极指包括真指部）的结构示意图；
图2是本申请实施例的声表面波谐振器（电极指包括真指部和假指部）的结构示意图；
图3是本申请实施例的声表面波谐振器（电极指包括真指部和加宽部）的结构示意图；
图4是本申请实施例的声表面波谐振器（电极指包括真指部、假指部和加宽部）的结构示意图；
图5是本申请实施例的声表面波谐振器的假指部不同位置状态的结构示意图；
图6是本申请实施例的声表面波谐振器的电极指中加宽部不同位置状态的结构示意图；
图7是本申请实施例的声表面波谐振器的电极指中第一部分不同位置状态的结构示意图；
图8是本申请实施例的声表面波谐振器的电极指中第二部分不同位置状态的结构示意图；
图9是本申请实施例1、本申请实施例2以及对比例1的导纳曲线的性能对比图。
附图标记：
100、第一汇流条；200、第二汇流条；300、电极指；300a、第一电极指；300b、第二电极指；310、真指部；311、第一部分；312、第二部分；330、间隙；340、假指部；350、加宽部；360、加厚部；A00、预设位置。
具体实施方式
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
为便于理解，下面首先对具体实施方式中提及的术语进行说明：
（1）第一方向，为垂直于电极指300的本体延伸方向的方向；
（2）第二方向，为平行于电极指300的本体延伸方向的方向；
参见图1至图4，本申请实施例提供一种声表面波谐振器；其中，图1示出的声表面波谐振器中的电极指包括真指部310，图2示出的声表面波谐振器中的电极指包括真指部310以及假指部340，图3示出的声表面波谐振器中的电极指包括真指部310、加宽部350以及加厚部360，图4示出的声表面波谐振器中的电极指包括真指部310、假指部340、加宽部350以及加厚部360。
所述的声表面波谐振器包括：第一汇流条100、第二汇流条200以及多个电极指300。
在一些实施例中，第一汇流条100、第二汇流条200和多个电极指300均形成于压电衬底上。
在一些实施例中，第一汇流条100、第二汇流条200和多个电极指300分别独立的通过沉积工艺形成在压电衬底上；其中，沉积工艺包括物理气相沉积工艺(Physical VaporDeposition，PVD)、化学气相沉积工艺(Chemical Vapor Deposition,CVD)、原子层沉积工艺（Atomic layer deposition，ALD)等的其中一种。
在一些实施例中，压电衬底的形成材料包括石英、硅（Si）、氧化铝（Al2O3）、氧化锌（ZnO）、钽酸锂（LiTaO3)、铌酸锂（LiNbO3）、二氧化硅（SiO2）、碳化硅（SiC）、氮化硅（Si3N4）中的至少一种。
在一些实施例中，参见图1至图4，所述第一汇流条100和所述第二汇流条200相对设置。在实际应用中，第一汇流条100和第二汇流条200中其一与正极电连接，另一与负极电连接。
在一些实施例中，第一汇流条100和第二汇流条200分别独立为单层结构或多层复合结构。其中，所述单层结构和所述多层复合结构的材料分别独立的包括钼（Mo）、银（Ag）、金（Au）、铜（Cu）、钛（Ti）、铝（Al）、钌（Ru）、铂（Pt）中的至少一种。
在一些实施例中，参见图1至图4，所述第一汇流条100和所述第二汇流条200相对设置。在实际应用中，第一汇流条100和第二汇流条200中其一与正极电连接，另一与负极电连接。
在一些实施例中，第一汇流条100和第二汇流条200分别独立为单层结构或多层复合结构。其中，所述单层结构和所述多层复合结构的材料分别独立的包括钼（Mo）、银（Ag）、金（Au）、铜（Cu）、钛（Ti）、铝（Al）、钌（Ru）、铂（Pt）中的至少一种。
在一些实施例中，参见图1至图4，各所述电极指300间隔设置于所述第一汇流条100和所述第二汇流条200之间。具体地，多个电极指300中部分为第一电极指300a，另一部分为第二电极指300b，各第一电极指300a与各第二电极指300b交替间隔排布在汇流条上，相邻的第一电极指300a和第二电极指300b形成以对电极指对，且每个第一电极指300a均与第一汇流条100电连接，每个第二电极指300b均与第二汇流条200电连接。
在实际应用中，在将第一汇流条100和第二汇流条200分别与正极和负极一一对应电连接后，形成压差，并结合压电衬底，形成逆压电效应，将电信号转换为声波信号；或者，形成正压电效应将声波信号转换为电信号。
在一些实施例中，所述第一电极指300a和所述第二电极指300b分别独立为单层结构或多层复合结构。其中，所述单层结构和所述多层复合结构的材料分别独立的包括钼（Mo）、银（Ag）、金（Au）、铜（Cu）、钛（Ti）、铝（Al）、钌（Ru）、铂（Pt）中的至少一种。
在一些实施例中，参见图1至图4，每个所述电极指300均包括用于抑制杂散模态的抑制部，相邻的两个所述电极指300中的所述抑制部间隔设置形成间隙330，至少两个所述间隙330在第一方向上的宽度不同。
在本实施例中，下述中相邻的两个电极指300简称为电极指对；在声表面波谐振器通电状态下，电极指对配合激发声表面波。对于主模态而言，其声表面波传播方向与电极指300的本体延伸方向（第一方向）垂直，且主模态的输出为电极指对输出的矢量和。对于杂散模态而言，其声表面波传播方向不与电极指300的本体延伸方向（第一方向）垂直，且杂散模态的输出为一对、两对或少部分电极指对的矢量和。基于此特性，通过使至少两对电极指对中的抑制部的间隙330在第一方向上的宽度不同，以使各电极指对的声表面波相位差不再恒定，从而减少杂散模态的输出，并由于主模态中电极指对的对数大于杂散模态中电极指对的对数，各电极指对的声表面波的相位变化对主模态的影响较小，从而实现抑制杂散模态的同时，避免对主模态的输出造成影响。
其次，若在第一方向上，宽度不同的相邻两个电极指300分别对应的抑制部之间的1数量越多，则对杂散模态的抑制效果越强。
示例的，如在声表面波谐振器中，在对杂散模态的抑制效果上，全部相邻抑制部之间宽度不同的抑制效果强于部分相邻抑制部之间宽度不同的抑制效果。
在一些实施例中，参见图1至图4，所述电极指300包括真指部310，各所述电极指300中的所述真指部310分别交替连接于所述第一汇流条100和所述第二汇流条200。
在本实施例中，结合上文赘述的电极指300分为第一电极指300a和第二电极指300b；相应地，第一电极指300a中的真指部310为第一真指部，第二电极指300b中的真指部310为第二真指部，各第一电极指300a中的第一真指部和各第二电极指300b中的第二真指部交替间隔设置在第一汇流条100和第二汇流条200之间，且各第一电极指300a中的第一真指部间隔设置且连接于第一汇流条100上，各第二电极指300b中的第二真指部间隔设置且连接于第二汇流条200上。
在一些实施例中，参见图1至图4，所述第一汇流条100与所述第二汇流条200之间形成有激活区域，且所述第一汇流条100与所述激活区域之间、和所述第二汇流条200与所述激活区域之间均设有缝隙区域；所述真指部310的第一部分311设于所述激活区域上，所述真指部310的第二部分312设于其中一个所述缝隙区域上。
在一些实施例中，参见图2和图4，所述电极指300还包括假指部340，所述假指部340和所述真指部310相对设置，且各所述电极指300中的所述假指部340分别交替连接于所述第一汇流条100和所述第二汇流条200；所述假指部340设于另一个所述缝隙区域。
示例的，在同一电极指300中，真指部310的第一部分311设于激活区域上，真指部310的第二部分312和假指部340中其一设于其中一个缝隙区域上，另一设于另一个缝隙区域上。
在本实施例中，通过设置假指部340，以形成波导效应，提高声表面波谐振器的Q值。
在本实施例中，结合上文赘述的电极指300分为第一电极指300a和第二电极指300b；相应地，第一电极指300a中的假指部340为第一假指部，第二电极指300b中的假指部340为第二假指部，各第一电极指300a中的第一假指部和各第二电极指300b中的第二假指部交替间隔设置在第一汇流条100和第二汇流条200之间，且各第一电极指300a中的第一假指部间隔连接于第二汇流条200上，第二电极指300b中的假指部340为第二假指部，各第二电极指300b中的第二假指部间隔连接于第一汇流条100上。
在一些实施例中，参见图3和图4，所述电极指300还包括加宽部350，所述加宽部350装设于所述真指部310。通过设置加宽部350，以形成锤头结构（hammerhead结构），实现抑制横向谐振模。
在一些实施例中，所述第一部分311设有至少一个所述加宽部350；和/或，所述第二部分312设有至少一个所述加宽部350。通过在第一部分311和第二部分312分别设置至少一个加宽部350，以进一步的提升横向谐振模的抑制效果。
示例的，在第一部分311的两端分别设置加宽部350，如此实现避免影响相邻的两个电极指300配合激发声表面波，造成声表面波谐振器性能变弱的前提下，实现提升横向谐振模的抑制效果。
在一些实施例中，所述假指部340、所述加宽部350、所述真指部310的所述第一部分311、所述真指部310的第二部分312中至少一者为所述抑制部。如此，随着抑制部的数量越多，对杂散模态的抑制效果越强。
以下分别对当假指部340/加宽部350/真指部310的第一部分311/真指部310的第二部分312为抑制部进一步说明：
初始时，在第一方向上，相邻的两个抑制部的间隙330的宽度的大小为；在给定第一个电极指300的位置后，利用各电极指300等距排布的特性，可确定每个电极指300上用于设置抑制部对应的预设位置A00。
1、参见图2、图4和图5，当假指部340为抑制部，可通过使假指部340相较于预设位置A00向左偏移、向右偏移、放大或缩小等方式，实现改变相邻的两个假指部340之间的间隙330在第一方向上的宽度，从而实现抑制杂散模态的目的。下面以任意相邻的两个假指部340为例：
若在相邻的两个假指部340中，左侧的假指部340相较于预设位置A00向左偏移（参见图5的5a），使左侧的假指部340远离右侧的假指部340，从而增大了相邻的两个假指部340之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个假指部340中，左侧的假指部340相较于预设位置A00向右偏移（参见图5的5b），使左侧的假指部340靠近右侧的假指部340，从而减少了相邻的两个假指部340之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个假指部340中，左侧的假指部340相较于预设位置A00进行缩小（参见图5的5c），使左侧的假指部340变小，从而增大了相邻的两个假指部340之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个假指部340中，左侧的假指部340相较于预设位置A00进行放大（参见图5的5d），使左侧的假指部340变大，从而减少了相邻的两个假指部340之间的间隙330在第一方向上的宽度。
进一步的，相邻的两个所述假指部340之间的所述间隙330在所述第一方向上的宽度满足以下公式：
；
其中，为所述假指部340在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述假指部340之间的所述间隙330在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长。
如此，通过使相邻的两个假指部340之间的间隙330在第一方向上的宽度满足上述公式，以避免间隙330的宽度过大造成声表面波谐振器Q值下降，也避免由于间隙330的宽度过小造成杂散模态的抑制效果差的问题。
2、参见图3、图4和图6，当加宽部350为抑制部，可通过使加宽部350相较于预设位置A00向左偏移、向右偏移、放大或缩小等方式，实现改变相邻的两个加宽部350之间的间隙330在第一方向上的宽度，从而实现抑制杂散模态的目的。下面以任意相邻的加宽部350为例：
若在相邻的两个加宽部350中，左侧的加宽部350相较于预设位置A00向左偏移（参见图6的6a），使左侧的加宽部350远离右侧的加宽部350，从而增大了相邻的两个加宽部350之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个加宽部350中，左侧的加宽部350相较于预设位置A00向右偏移（参见图6的6b），使左侧的加宽部350靠近右侧的加宽部350，从而减少了相邻的两个加宽部350之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个加宽部350中，左侧的加宽部350相较于预设位置A00进行缩小（参见图6的6c），使左侧的加宽部350变小，从而增大了相邻的两个加宽部350之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个加宽部350中，左侧的加宽部350相较于预设位置A00进行放大（参见图6的6d），使左侧的加宽部350变大，从而减少了相邻的两个假加宽部350之间的间隙330在第一方向上的宽度。
进一步的，相邻的两个所述加宽部350之间的所述间隙330在所述第一方向的宽度满足以下公式：
；
其中，为所述加宽部350在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述加宽部350之间的所述间隙330在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长。
如此，使相邻的两个加宽部350之间的间隙330在第一方向上的宽度满足上述公式，以避免间隙330的宽度过大造成声表面波谐振器Q值下降，也避免由于间隙330的宽度过小造成杂散模态的抑制效果差的问题。
3、参见图1至图4、和图7，当真指部310的第一部分311为抑制部，可通过使第一部分311相较于预设位置A00向左偏移、向右偏移、放大或缩小等方式，实现改变相邻的两个第一部分311之间的间隙330在第一方向上的宽度，从而实现抑制杂散模态的目的。下面以任意相邻的两个第一部分311为例：
若在相邻的两个第一部分311中，左侧的第一部分311相较于预设位置A00向左偏移（参见图7的7a），使左侧的第一部分311远离右侧的第一部分311，从而增大了相邻的两个第一部分311之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个第一部分311中，左侧的第一部分311相较于预设位置A00向右偏移（参见图7的7b），使左侧的第一部分311靠近右侧的第一部分311，从而减少了相邻的两个第一部分311之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个第一部分311中，左侧的第一部分311相较于预设位置A00进行缩小（参见图7的7c），使左侧的第一部分311变小，从而增大了相邻的两个第一部分311之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个第一部分311中，左侧的第一部分311相较于预设位置A00进行放大（参见图7的7d），使左侧的第一部分311变大，从而减少了相邻的两个第一部分311之间的间隙330在第一方向上的宽度。
进一步的，相邻的两个所述第一部分311之间的所述间隙330在所述第一方向上的宽度满足以下公式：
；
其中，为所述第一部分311在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第一部分311之间的所述间隙330在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长。
如此，使相邻的两个真指部310的第一部分311之间的间隙330在第一方向上的宽度满足上述公式，以避免间隙330的宽度过大造成声表面波谐振器Q值下降，也避免由于间隙330的宽度过小造成杂散模态的抑制效果差的问题。
4、参见图1至图4、和图8，当真指部310的第二部分312为抑制部，可通过使第二部分312相较于预设位置A00向左偏移、向右偏移、放大或缩小等方式，实现改变相邻的两个第二部分312之间的间隙330在第一方向上的宽度，从而实现抑制杂散模态的目的。下面以任意相邻的两个第二部分312为例：
若在相邻的两个第二部分312中，左侧的第二部分312相较于预设位置A00向左偏移（参见图8的8a），使左侧的第二部分312远离右侧的第二部分312，从而增大了相邻的两个第二部分312之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个第二部分312中，左侧的第二部分312相较于预设位置A00向右偏移（参见图8的8b），使左侧的第二部分312靠近右侧的第二部分312，从而减少了相邻的两个第二部分312之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个第二部分312中，左侧的第二部分312相较于预设位置A00进行缩小（参见图8的8c），使左侧的第二部分312变小，从而增大了相邻的两个第二部分312之间的间隙330在第一方向上的宽度。
若在相邻的两个第二部分312中，左侧的第二部分312相较于预设位置A00进行放大（参见图8的8d），使左侧的第二部分312变大，从而减少了相邻的两个第二部分312之间的间隙330在第一方向上的宽度。
进一步的，相邻的两个所述第二部分312之间的所述间隙330在所述第一方向上的宽度满足以下公式：
；
其中，为所述第二部分312在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第二部分312之间的所述间隙330在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长。
如此，使相邻的两个真指部310的第二部分312之间的间隙330在第一方向上的宽度满足上述公式，以避免间隙330的宽度过大造成声表面波谐振器Q值下降，也避免由于间隙330的宽度过小造成杂散模态的抑制效果差的问题。
在一些实施例中，参见图3和图4，所述电极指300还包括用于抑制横向模态的加厚部360，所述加厚部360装设于所述加宽部350。通过设置加厚部360，以形成活塞结构（piston结构），从而增加加宽部350中加宽区域的质量负载，降低该加宽区域的声速。
在一些实施例中，在电极指300中，“加宽部350和加厚部360”与假指部择一设置，如此在电极指300包括有加宽部350和加厚部360时（参见图3），使真指部310的第一部分311远离真指部310的第二部分312的一端上的加宽部350，与真指部310的第一部分311远离真指部310的第二部分312方向上的第一汇流条100/第二汇流条200之间的距离大于一个声表面波波长，从而保证缝隙区域的声速。
在另一些实施例中，参见图4，在电极指中，“加宽部350和加厚部360”与假指部340同时设置，此时真指部310的第一部分311远离真指部310的第二部分312的一端上的加宽部350，与假指部340之间的距离大于一个声表面波波长，同样可保证缝隙区域的声速。
在一些实施例中，于所述第一方向上，所述加厚部360的宽度与所述加宽部350的宽度的比值为0.6至1。在此比值范围内，以避免由于加厚部360的宽度与所述加宽部350的宽度的比值过大，造成工艺难度提升，制备效率慢的问题；也避免由于加厚部360的宽度与所述加宽部350的宽度的比值过小，造成加厚部360对加宽部350上加宽区域的质量负载效果差的问题。
可选的，于所述第一方向上，所述加厚部360的宽度与所述加宽部350的宽度的比值选自0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9、0.95、1中的任一者或任二者所形成的范围。
在一些实施例中，于所述第二方向上，所述加厚部360的宽度与所述加宽部350的宽度的比值为0.6至1。在此比值范围内，以避免由于加厚部360的宽度与所述加宽部350的宽度的比值过大，造成工艺难度提升，制备效率慢的问题；也避免由于加厚部360的宽度与所述加宽部350的宽度的比值过小，造成加厚部360对加宽部350上加宽区域的质量负载效果差的问题。
可选的，于所述第二方向上，所述加厚部360的宽度与所述加宽部350的宽度的比值选自0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9、0.95、1中的任一者或任二者所形成的范围。
在一些实施例中，所述加厚部360的表面积与所述加宽部350的表面积的比值为0.4至1。在此比值范围内，以避免由于加厚部360在加宽部350中的占比过大，造成工艺难度提升，制备效率慢的问题；也避免由于加厚部360在加宽部350中的占比过小，造成加厚部360对加宽部350上加宽区域的质量负载效果差的问题。
可选的，加厚部360的表面积与所述加宽部350的表面积的比值为选自0.4、0.45、0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85、0.9、0.95、1中的任一者或任二者所形成的范围。
以下结合具体实施例，对本发明的技术方案作进一步详细说明。
提供对比例1、本申请的实施例1和本申请的实施例2的声表面波谐振器；其中，对比例1的声表面波谐振器中各电极指300等距排布，本申请的实施例1的声表面波谐振器中的各相邻的两个抑制部之间的间隙330在第一方向上的宽度均不相同，本申请的实施例2的声表面波谐振器中的四分之一的相邻的两个抑制部之间的间隙330在第一方向上的宽度均不相同。
利用导纳曲线分析对比例1、本申请的实施例1、本申请的实施例2的声表面波谐振器的性能；其中，声表面波谐振器的主模态为水平剪切波。
参见图9的导纳曲线的性能对比图，可见对比例1的声表面波谐振器的谐振点与反谐振点之间存在瑞利波；然而，由于本申请的实施例1和实施例2的电极指300包括有抑制部，且多个相邻的两个抑制部之间的间隙330在第一方向上的宽度不同，使各相邻的两个电极指300的声表面波相位差不再恒定，从而减少杂散模态中瑞利波的输出，提升声表面谐波器的性能。
继续参见图9，本申请实施例1相较于实施例2在第一方向上宽度不同的相邻的两个抑制部的数量更多，使瑞利波可被进一步的抑制，从而更进一步的提升声表面谐波器的性能。
本申请实施例还提供一种声表面波滤波器，包括如上所述的声表面波谐振器。
本申请实施例的有益效果如下：通过使至少两个相邻的两个电极指300中的抑制部的间隙330在第一方向上的宽度不同，以使各相邻的两个电极指300的声表面波相位差不再恒定，从而减少杂散模态的输出，并由于主模态中相邻的两个电极指300的对数大于杂散模态中相邻的两个电极指300的对数，各相邻的两个电极指300的声表面波的相位变化对主模态的影响较小，从而实现抑制杂散模态的同时，避免对主模态的输出造成影响。
显然，以上所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例，附图中给出了本申请的较佳实施例，但并不限制本申请的专利范围。本申请可以以许多不同的形式来实现，相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本申请说明书及附图内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本申请专利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：第一汇流条（100）、第二汇流条（200）以及多个电极指（300）；
所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）相对设置，且各所述电极指（300）间隔设置于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）之间；每个所述电极指（300）均包括用于抑制杂散模态的抑制部，相邻的两个所述电极指（300）中的所述抑制部间隔设置形成间隙（330），至少两个所述间隙（330）在第一方向上的宽度不同；
每个所述电极指（300）均包括真指部（310），各所述电极指（300）中的所述真指部（310）分别交替连接于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200），且所述真指部（310）为所述抑制部；
所述真指部（310）包括第一部分（311）以及第二部分（312）；所述第一部分（311）和所述第二部分（312）均设于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）之间，且所述第二部分（312）的一端与所述第一部分（311）连接固定，所述第二部分（312）的另一端与所述第一汇流条（100）或所述第二汇流条（200）连接固定；其中，当所述真指部（310）为所述抑制部时，所述第一部分（311）和所述第二部分（312）中至少一者为所述抑制部；
其中，当所述第一部分（311）为所述抑制部时，相邻的两个所述第一部分（311）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度满足以下公式：
;
为所述第一部分（311）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第一部分（311）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长；和/或，
当所述第二部分（312）为所述抑制部时，相邻的两个所述第二部分（312）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度满足以下公式：;
为所述第二部分（312）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第二部分（312）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长。
2.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：第一汇流条（100）、第二汇流条（200）以及多个电极指（300）；
所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）相对设置，且各所述电极指（300）间隔设置于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）之间；每个所述电极指（300）均包括用于抑制杂散模态的抑制部，相邻的两个所述电极指（300）中的所述抑制部间隔设置形成间隙（330），至少两个所述间隙（330）在第一方向上的宽度不同；
每个所述电极指（300）均包括相对设置的真指部（310）以及假指部（340），各所述电极指（300）中的所述真指部（310）分别交替连接于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200），各所述电极指（300）中的所述假指部（340）分别交替连接于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）；所述真指部（310）和所述假指部（340）中至少一者为所述抑制部；
所述真指部（310）包括第一部分（311）以及第二部分（312）；所述第一部分（311）和所述第二部分（312）均设于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）之间，且所述第二部分（312）的一端与所述第一部分（311）连接固定，所述第二部分（312）的另一端与所述第一汇流条（100）或所述第二汇流条（200）连接固定；其中，当所述真指部（310）为所述抑制部时，所述第一部分（311）和所述第二部分（312）中至少一者为所述抑制部；
其中，当所述第一部分（311）为所述抑制部时，相邻的两个所述第一部分（311）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度满足以下公式：;
为所述第一部分（311）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第一部分（311）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长；和/或，
当所述第二部分（312）为所述抑制部时，相邻的两个所述第二部分（312）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度满足以下公式：;
为所述第二部分（312）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第二部分（312）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长；和/或，
当所述假指部（340）为所述抑制部时，相邻的两个所述假指部（340）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度满足以下公式：;
为所述假指部（340）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述假指部（340）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长。
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一汇流条（100）与所述第二汇流条（200）之间形成有激活区域，且所述第一汇流条（100）与所述激活区域之间、和所述第二汇流条（200）与所述激活区域之间均设有缝隙区域；所述第一部分（311）设于所述激活区域上，所述第二部分（312）设于所述缝隙区域上；和/或，
所述第一部分（311）设有至少一个加宽部（350）；和/或，
所述第二部分（312）设有至少一个加宽部（350）。
4.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：第一汇流条（100）、第二汇流条（200）以及多个电极指（300）；
所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）相对设置，且各所述电极指（300）间隔设置于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）之间；每个所述电极指（300）均包括用于抑制杂散模态的抑制部，相邻的两个所述电极指（300）中的所述抑制部间隔设置形成间隙（330），至少两个所述间隙（330）在第一方向上的宽度不同；
每个所述电极指（300）均包括真指部（310）以及用于抑制横向模态的加宽部（350），各所述电极指（300）中的所述真指部（310）分别交替连接于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200），所述加宽部（350）装设于所述真指部（310）；所述真指部（310）和所述加宽部（350）中至少一者为所述抑制部；
所述真指部（310）包括第一部分（311）以及第二部分（312）；所述第一部分（311）和所述第二部分（312）均设于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）之间，且所述第二部分（312）的一端与所述第一部分（311）连接固定，所述第二部分（312）的另一端与所述第一汇流条（100）或所述第二汇流条（200）连接固定；其中，当所述真指部（310）为所述抑制部时，所述第一部分（311）和所述第二部分（312）中至少一者为所述抑制部；
其中，当所述第一部分（311）为所述抑制部时，相邻的两个所述第一部分（311）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度满足以下公式：;
为所述第一部分（311）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第一部分（311）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长；和/或，
当所述第二部分（312）为所述抑制部时，相邻的两个所述第二部分（312）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度满足以下公式：
为所述第二部分（312）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第二部分（312）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长；和/或，
当所述加宽部（350）为所述抑制部时，相邻的两个所述加宽部（350）之间的所述间隙（330）在所述第一方向的宽度满足以下公式：;
为所述加宽部（350）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述加宽部（350）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长。
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一汇流条（100）与所述第二汇流条（200）之间形成有激活区域，且所述第一汇流条（100）与所述激活区域之间、和所述第二汇流条（200）与所述激活区域之间均设有缝隙区域；
所述第一部分（311）设于所述激活区域上，所述第二部分（312）设于所述缝隙区域上；和/或，
所述第一部分（311）设有至少一个所述加宽部（350）；和/或，
所述第二部分（312）设有至少一个所述加宽部（350）。
6.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，当所述电极指（300）包括所述加宽部（350）时，所述电极指（300）还包括用于抑制横向模态的加厚部（360），所述加厚部（360）装设于所述加宽部（350）；
其中，于所述第一方向上，所述加厚部（360）的宽度与所述加宽部（350）的宽度的比值为0.6至1；和/或，
于第二方向上，所述加厚部（360）的宽度与所述加宽部（350）的宽度的比值为0.6至1；所述第二方向与所述第一方向垂直；和/或，
所述加厚部（360）的表面积与所述加宽部（350）的表面积的比值为0.4至1。
7.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：第一汇流条（100）、第二汇流条（200）以及多个电极指（300）；
所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）相对设置，且各所述电极指（300）间隔设置于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）之间；每个所述电极指（300）均包括用于抑制杂散模态的抑制部，相邻的两个所述电极指（300）中的所述抑制部间隔设置形成间隙（330），至少两个所述间隙（330）在第一方向上的宽度不同；
每个所述电极指（300）均包括真指部（310），各所述电极指（300）中的所述真指部（310）分别交替连接于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200），且所述真指部（310）为所述抑制部；
所述真指部（310）包括第一部分（311）以及第二部分（312）；所述第一部分（311）和所述第二部分（312）均设于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200）之间，且所述第二部分（312）的一端与所述第一部分（311）连接固定，所述第二部分（312）的另一端与所述第一汇流条（100）或所述第二汇流条（200）连接固定；其中，当所述真指部（310）为所述抑制部时，所述第一部分（311）和所述第二部分（312）中至少一者为所述抑制部；
每个所述电极指（300）均包括真指部（310）、假指部（340）以及用于抑制横向模态的加宽部（350），所述真指部（310）和所述的假指部（340）相对设置，各所述电极指（300）中的所述真指部（310）分别交替连接于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200），各所述电极指（300）中的所述假指部（340）分别交替连接于所述第一汇流条（100）和所述第二汇流条（200），所述加宽部（350）装设于所述真指部（310）；所述真指部（310）、所述假指部（340）和所述加宽部（350）中至少一者为所述抑制部；
其中，当所述第一部分（311）为所述抑制部时，相邻的两个所述第一部分（311）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度满足以下公式：;
为所述第一部分（311）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第一部分（311）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长；和/或，
当所述第二部分（312）为所述抑制部时，相邻的两个所述第二部分（312）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度满足以下公式：；
为所述第二部分（312）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述第二部分（312）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长；和/或，
当所述假指部（340）为所述抑制部时，相邻的两个所述假指部（340）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度满足以下公式：；
为所述假指部（340）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述假指部（340）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长；和/或，
当所述加宽部（350）为所述抑制部时，相邻的两个所述加宽部（350）之间的所述间隙（330）在所述第一方向的宽度满足以下公式：；
为所述加宽部（350）在所述第一方向上的宽度，/>为相邻的两个所述加宽部（350）之间的所述间隙（330）在所述第一方向上的宽度，/>为声面波波长。
8.根据权利要求7所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一汇流条（100）与所述第二汇流条（200）之间形成有激活区域，且所述第一汇流条（100）与所述激活区域之间、和所述第二汇流条（200）与所述激活区域之间均设有缝隙区域；
所述第一部分（311）设于所述激活区域上，所述第二部分（312）设于所述缝隙区域上；和/或，
所述第一部分（311）设有至少一个所述加宽部（350）；和/或，
所述第二部分（312）设有至少一个所述加宽部（350）。
9.根据权利要求8所述的声表面波谐振器，其特征在于，当所述电极指（300）包括所述加宽部（350）时，所述电极指（300）还包括用于抑制横向模态的加厚部（360），所述加厚部（360）装设于所述加宽部（350）；
其中，于所述第一方向上，所述加厚部（360）的宽度与所述加宽部（350）的宽度的比值为0.6至1；和/或，
于第二方向上，所述加厚部（360）的宽度与所述加宽部（350）的宽度的比值为0.6至1；所述第二方向与所述第一方向垂直；和/或，
所述加厚部（360）的表面积与所述加宽部（350）的表面积的比值为0.4至1。
10.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的声表面波谐振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310686270.1A CN116436433B (zh) | 2023-06-12 | 2023-06-12 | 一种声表面波谐振器及声表面波滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310686270.1A CN116436433B (zh) | 2023-06-12 | 2023-06-12 | 一种声表面波谐振器及声表面波滤波器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116436433A CN116436433A (zh) | 2023-07-14 |
| CN116436433B true CN116436433B (zh) | 2023-09-05 |
Family
ID=87087556
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310686270.1A Active CN116436433B (zh) | 2023-06-12 | 2023-06-12 | 一种声表面波谐振器及声表面波滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116436433B (zh) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116436433A (zh) | 2023-07-14 |
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