CN117981221A - 弹性波装置 - Google Patents

Abstract

提供一种在比谐振频率低且位于谐振频率附近的频率下能够抑制无用波的弹性波装置。本发明涉及的弹性波装置(10)具备：支承构件(13)，包含支承基板(16)；压电层(14)，设置在支承构件(13)上，是铌酸锂层或者钽酸锂层；和IDT电极(11)，设置在压电层(14)上，具有1对汇流条和多个电极指。在沿着支承构件(13)以及压电层(14)的层叠方向观察的俯视下，在与IDT电极(11)的至少一部分重叠的位置形成有声反射部(空洞部(10a))。在将压电层(14)的厚度设为d，将相邻的电极指彼此的中心间距离设为p的情况下，d/p为0.5以下。在IDT电极(11)的一个汇流条连接有多个电极指之中的一部分的电极指，在另一个汇流条连接有多个电极指之中的剩余的电极指，与一个汇流条连接的多个电极指和与另一个汇流条连接的多个电极指相互交错对插。将相邻的电极指彼此相互对置的方向设为电极指对置方向，在从电极指对置方向观察时，相邻的电极指彼此相互重叠的区域是交叉区域。在将多个电极指延伸的方向设为电极指延伸方向时，交叉区域具有中央区域、和配置为在电极指延伸方向上夹着中央区域的1对边缘区域。位于交叉区域与1对汇流条之间的区域是1对间隙区域。材料相互不同的、至少1个第1质量附加膜(24)以及至少1个第2质量附加膜(25)设置在边缘区域以及间隙区域之中的至少一方，使得在电极指对置方向上排列。

Description

弹性波装置

技术领域

本发明涉及弹性波装置。

背景技术

以往，弹性波装置被广泛用于便携式电话机的滤波器等。近年来，提出了如下述的专利文献1记载的那样的、使用了厚度剪切模式的体波的弹性波装置。在该弹性波装置中，在支承体上设置有压电层。在压电层上设置有成对的电极。成对的电极在压电层上相互对置，并且与相互不同的电位连接。通过在上述电极间施加交流电压，从而激励了厚度剪切模式的体波。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第10491192号说明书

发明内容

发明要解决的问题

在如专利文献1记载的那样的、利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置中，在比谐振频率低且位于谐振频率附近的频率下产生无用波。因此，电特性有可能劣化。

本发明的目的在于，提供一种在比谐振频率低且位于谐振频率附近的频率下能够抑制无用波的弹性波装置。

用于解决问题的技术方案

本发明涉及的弹性波装置具备包含支承基板的支承构件、设置在所述支承构件上且是铌酸锂层或者钽酸锂层的压电层、以及设置在所述压电层上且具有1对汇流条和多个电极指的IDT电极，在沿着所述支承构件以及所述压电层的层叠方向观察的俯视下，在与所述IDT电极的至少一部分重叠的位置形成有声反射部，在将所述压电层的厚度设为d，将相邻的所述电极指彼此的中心间距离设为p的情况下，d/p为0.5以下，在所述IDT电极的一个所述汇流条连接有所述多个电极指之中的一部分的电极指，在另一个所述汇流条连接有所述多个电极指之中的剩余的电极指，与一个所述汇流条连接的所述多个电极指和与另一个所述汇流条连接的所述多个电极指相互交错对插，将相邻的所述电极指彼此相互对置的方向设为电极指对置方向，在从所述电极指对置方向观察时，所述相邻的电极指彼此相互重叠的区域是交叉区域，在将所述多个电极指延伸的方向设为电极指延伸方向时，所述交叉区域具有中央区域、和配置为在所述电极指延伸方向上夹着所述中央区域的1对边缘区域，位于所述交叉区域与所述1对汇流条之间的区域是1对间隙区域，材料相互不同的、至少1个第1质量附加膜以及至少1个第2质量附加膜设置在所述边缘区域以及所述间隙区域之中的至少一方，使得在所述电极指对置方向上排列。

发明效果

根据本发明，能够提供一种在比谐振频率低且位于谐振频率附近的频率下能够抑制无用波的弹性波装置。

附图说明

图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的示意性俯视图。

图2是沿着图1中的I-I线的示意性剖视图。

图3是示出参考例的各弹性波装置中的相位特性的图。

图4是将图3在4000MHz附近放大了的图。

图5是示出本发明的第1实施方式的变形例涉及的弹性波装置的、与图2所示的剖面相当的部分的剖视图。

图6是本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。

图7是本发明的第3实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。

图8是本发明的第4实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。

图9是沿着图8中的I-I线的剖视图。

图10是本发明的第5实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。

图11是沿着图10中的I-I线的剖视图。

图12是本发明的第6实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。

图13是沿着图12中的I-I线的剖视图。

图14是本发明的第7实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。

图15是沿着图14中的I-I线的剖视图。

图16的(a)是示出利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的外观的简图式立体图，图16的(b)是示出压电层上的电极构造的俯视图。

图17是沿着图16的(a)中的A-A线的部分的剖视图。

图18的(a)是用于说明在弹性波装置的压电膜传播的兰姆波的示意性主视剖视图，图18的(b)是用于说明弹性波装置中的、在压电膜传播的厚度剪切模式的体波的示意性主视剖视图。

图19是示出厚度剪切模式的体波的振幅方向的图。

图20是示出利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的谐振特性的图。

图21是示出将相邻的电极的中心间距离设为p并将压电层的厚度设为d的情况下的d/p和作为谐振器的相对带宽的关系的图。

图22是利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的俯视图。

图23是示出出现杂散的参考例的弹性波装置的谐振特性的图。

图24是示出相对带宽和作为杂散的大小的以180度进行了标准化的杂散的阻抗的相位旋转量的关系的图。

图25是示出d/2p和金属化比MR的关系的图。

图26是示出使d/p无限接近于0的情况下的相对带宽相对于LiNbO₃的欧拉角(0°，θ，ψ)的映射的图。

图27是具有声多层膜的弹性波装置的主视剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，由此明确本发明。

另外，需要指出的是，本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或者组合。

图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的示意性俯视图。图2是沿着图1中的I-I线的示意性剖视图。

如图1所示，弹性波装置10具有压电性基板12、和IDT电极11。如图2所示，压电性基板12具有支承构件13、和压电层14。在本实施方式中，支承构件13包含支承基板16、和绝缘层15。在支承基板16上设置有绝缘层15。在绝缘层15上设置有压电层14。不过，支承构件13也可以仅由支承基板16构成。

压电层14具有第1主面14a以及第2主面14b。第1主面14a以及第2主面14b相互对置。第1主面14a以及第2主面14b之中的、第2主面14b位于支承构件13侧。

作为支承基板16的材料，例如，能够使用硅等半导体、氧化铝等陶瓷等。作为绝缘层15的材料，能够使用氧化硅或者氧化钽等、适当的电介质。压电层14例如只要是LiNbO₃层等铌酸锂层或者LiTaO₃层等钽酸锂层即可。

如图2所示，在绝缘层15设置有凹部。在绝缘层15上设置有压电层14，使得堵塞凹部。由此，构成了中空部。该中空部是空洞部10a。在本实施方式中，支承构件13和压电层14配置为支承构件13的一部分以及压电层14的一部分夹着空洞部10a相互对置。不过，支承构件13中的凹部也可以跨越绝缘层15以及支承基板16而设置。或者，也可以是，仅设置在支承基板16的凹部被绝缘层15堵塞。凹部也可以设置在压电层14。另外，空洞部10a也可以是设置于支承构件13的贯通孔。

在压电层14的第1主面14a设置有IDT电极11。本实施方式的弹性波装置10是构成为能够利用厚度剪切模式的体波的弹性波谐振器。不过，本发明的弹性波装置也可以是具有多个弹性波谐振器的滤波器装置、多工器等。

在俯视下，IDT电极11的至少一部分与支承构件13的空洞部10a重叠。在本说明书中所谓俯视，是指从相当于图2中的上方的方向沿着支承构件13以及压电层14的层叠方向观察。另外，在图2中，例如，支承基板16以及压电层14之中的、压电层14侧是上方。

如图1所示，IDT电极11具有1对汇流条、和多个电极指。具体地，1对汇流条是第1汇流条26以及第2汇流条27。第1汇流条26以及第2汇流条27相互对置。具体地，多个电极指是多个第1电极指28以及多个第2电极指29。多个第1电极指28的一端分别与第1汇流条26连接。多个第2电极指29的一端分别与第2汇流条27连接。多个第1电极指28以及多个第2电极指29相互交错对插。IDT电极11可以包含单层的金属膜，或者，也可以包含层叠金属膜。

以下，有时将第1电极指28以及第2电极指29简单记载为电极指。有时将第1汇流条26以及第2汇流条27简单记载为汇流条。在将多个电极指延伸的方向设为电极指延伸方向，将相邻的电极指彼此相互对置的方向设为电极指对置方向时，在本实施方式中，电极指延伸方向以及电极指对置方向正交。

在弹性波装置10中，在将压电层14的厚度设为d，将相邻的电极指彼此的中心间距离设为p的情况下，d/p为0.5以下。由此，可适当地激励厚度剪切模式的体波。

另外，图2所示的空洞部10a是本发明中的声反射部。通过声反射部能够将弹性波的能量有效地封闭在压电层14侧。另外，作为声反射部，也可以设置有后述的声多层膜等声反射膜。

返回到图1，IDT电极11具有交叉区域F。交叉区域F在从电极指对置方向观察时是相邻的电极指彼此相互重叠的区域。交叉区域F具有中央区域H、和1对边缘区域。具体地，1对边缘区域是第1边缘区域E1以及第2边缘区域E2。第1边缘区域E1以及第2边缘区域E2配置为在电极指延伸方向上夹着中央区域H相互对置。第1边缘区域E1位于第1汇流条26侧。第2边缘区域E2位于第2汇流条27侧。

IDT电极11具有1对间隙区域。1对间隙区域位于交叉区域F与1对汇流条之间。具体地，1对间隙区域是第1间隙区域G1以及第2间隙区域G2。第1间隙区域G1位于第1汇流条26与第1边缘区域E1之间。第2间隙区域G2位于第2汇流条27与第2边缘区域E2之间。

在第1边缘区域E1，设置有1个第1质量附加膜24、和1个第2质量附加膜25。在第1边缘区域E1中，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25设置为在电极指对置方向上排列。在本实施方式中，第1质量附加膜24例如包含SiO₂等氧化硅。第2质量附加膜25例如包含Ta₂O₅等氧化钽。不过，第1质量附加膜24的材料以及第2质量附加膜25的材料不限定于上述。第1质量附加膜24的材料以及第2质量附加膜的材料只要相互不同即可。在本说明书中，所谓某构件包含某材料，包括含有弹性波装置的电特性不大幅劣化的程度的微量杂质的情况。

同样地，在第2边缘区域E2，也设置有1个第1质量附加膜24、和1个第2质量附加膜25。因此，1对第1质量附加膜24以及1对第2质量附加膜25设置在1对边缘区域。在本实施方式中，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25的沿着电极指延伸方向的尺寸、以及厚度相同。

各边缘区域中的各第1质量附加膜24以及各第2质量附加膜25具有带状的形状。各第1质量附加膜24设置在压电层14的第1主面14a，使得覆盖多个电极指。各第2质量附加膜25设置在压电层14的第1主面14a，使得覆盖各第1质量附加膜24所覆盖的电极指以外的多个电极指。

更详细而言，如图2所示，多个电极指分别具有第1面11a以及第2面11b、和侧面11c。第1面11a以及第2面11b相互对置。在第1面11a以及第2面11b连接着侧面11c。第1面11a以及第2面11b之中的第2面11b是压电层14侧的面。第1质量附加膜24设置在各电极指的第1面11a。而且，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25连续地设置在第1面11a、和压电层14上的电极指间的区域。不过，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25设置在相互不同的电极指的第1面11a、以及相互不同的电极指间的区域。另外，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25还覆盖各电极指的侧面11c。

在本实施方式中，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25仅设置在双方的边缘区域。另外，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25也可以设置在间隙区域。

本实施方式的特征在于，材料相互不同的、至少各一个的第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25设置在边缘区域以及间隙区域之中的至少一方，使得在电极指对置方向上排列。由此，在比谐振频率低且位于谐振频率附近的频带中，能够使产生无用波的频率分散。因此，能够抑制比谐振频率低且位于谐振频率附近的频率的无用波。以下通过参照参考例从而示出该详情。另外，以下，在简单记载为无用波的情况下，只要没有特别声明，该无用波就是指在比谐振频率低且位于谐振频率附近的频率下产生的无用波。

参考例与第1实施方式的不同点在于，1对质量附加膜跨越1对边缘区域以及1对间隙区域而设置。在参考例中，跨越1对边缘区域以及1对间隙区域而设置的质量附加膜仅为1种。另外，准备了质量附加膜包含SiO₂的参考例的弹性波装置、以及质量附加膜包含Ta₂O₅的参考例的弹性波装置。各弹性波装置中的质量附加膜的厚度设为15nm。测定了各弹性波装置的相位特性。

图3是示出参考例的各弹性波装置中的相位特性的图。图4是将图3在4000MHz附近放大了的图。

如图3以及图4所示可知，在质量附加膜的材料不同的情况下，产生起因于无用波的纹波的频率也不同。这在如第1实施方式那样质量附加膜仅设置于边缘区域的情况下也同样。进而，在质量附加膜仅设置于间隙区域的情况下也同样。而且，如图1所示，在第1实施方式中，材料相互不同的第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25在电极指对置方向上排列。因此，在第1实施方式中，在边缘区域中，设置于电极指对置方向上的一部分的质量附加膜的材料、和设置于另一部分的质量附加膜的材料相互不同。即，设置于边缘区域的质量附加膜的材料在电极指对置方向上不一样。由此，能够使产生无用波的频率分散，能够降低无用波的强度。因此，能够抑制无用波。

另外，如图1所示，弹性波装置10的IDT电极11中的交叉区域F包含多个激励区域C。更具体地，激励区域C是相邻的电极指彼此的中心间的区域。通过对IDT电极11施加交流电压，从而在多个激励区域C中激励弹性波。另一方面，在利用声表面波的弹性波装置中，交叉区域是1个激励区域。

与利用声表面波的弹性波装置不同，利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置10与分别具有激励区域C的多个谐振器被并联连接的结构大致等价。因此，在弹性波装置10中，即使质量附加膜的材料在电极指对置方向上不一样，相位特性等频率特性的波形也不易破坏。因此，在第1实施方式中，能够不使电特性劣化地抑制无用波。

进而，通过第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25仅设置在边缘区域，从而能够减小相对带宽的变化量。由此，能够使弹性波装置10的电特性稳定化。

在第1实施方式中，通过设置有第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25，从而在各边缘区域中构成了低声速区域。所谓低声速区域，是与中央区域H中的声速相比声速低的区域。在电极指延伸方向上，从IDT电极11的内侧到外侧，依次配置有中央区域H以及低声速区域。由此，活塞模式成立，能够抑制横模。

另外，本发明的弹性波装置不是利用声表面波，而是利用厚度剪切模式的体波。在该情况下，即使在各间隙区域设置有第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25，也能够使活塞模式适当地成立。

作为第1质量附加膜24的材料，优选使用从包含氧化硅、氧化钨、氧化铌、氧化钽以及氧化铪的组选择的至少1种电介质。在该情况下，能够使活塞模式更可靠地成立，能够更可靠地抑制横模。另一方面，作为第2质量附加膜25的材料，优选使用与第1质量附加膜24的材料不同并且从包含氧化硅、氧化钨、氧化铌、氧化钽以及氧化铪的组选择的至少1种电介质。在该情况下，也能够使活塞模式更可靠地成立，能够更可靠地抑制横模。

在第1实施方式中，1个第1质量附加膜24以及1个第2质量附加膜分别设置在各边缘区域。不过，不限定于此。例如，在图5所示的第1实施方式的变形例中，在第1边缘区域中，设置有多个第1质量附加膜24以及多个第2质量附加膜25。第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25在电极指对置方向上交替地排列。各第1质量附加膜24覆盖多个电极指。各第2质量附加膜25覆盖各第1质量附加膜24所覆盖的电极指以外的多个电极指。在第2边缘区域中也同样。即使在该情况下，也能够使产生无用波的频率分散，能够抑制无用波。

另外，图5所示的变形例中的、第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25在电极指对置方向上交替地设置的结构也能够应用于该变形例以外的本发明的结构。

图6是第2实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。

本实施方式与第1实施方式的不同点在于，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25仅设置在双方的间隙区域。除了上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置具有与第1实施方式的弹性波装置10同样的结构。

1对第1质量附加膜24之中的一者设置在第1间隙区域G1。1对第1质量附加膜24之中的另一者设置在第2间隙区域G2。

同样地，1对第2质量附加膜25之中的一者设置在第1间隙区域G1。该第2质量附加膜25与设置在第1间隙区域G1的第1质量附加膜24设置为在电极指对置方向上排列。1对第2质量附加膜25之中的另一者设置在第2间隙区域G2。该第2质量附加膜25与设置在第2间隙区域G2的第1质量附加膜24设置为在电极指对置方向上排列。

第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25未到达间隙区域中的汇流条侧的端部。另外，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25也可以设置在间隙区域的电极指延伸方向上的整体。第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25只要设置在间隙区域的电极指延伸方向上的至少一部分即可。在本实施方式中，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25的沿着电极指延伸方向的尺寸、以及厚度相同。

如图6所示，设置于间隙区域的第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25在电极指对置方向上排列。因此，在电极指对置方向上，质量附加膜的材料不一样。由此，与第1实施方式同样地，能够使产生无用波的频率分散，能够抑制无用波。

图7是第3实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。

本实施方式与第1实施方式的不同点在于，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25跨越边缘区域以及间隙区域而设置。除了上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置具有与第1实施方式的弹性波装置10同样的结构。

1对第1质量附加膜24之中的一者跨越第1边缘区域E1以及第1间隙区域G1而设置。1对第1质量附加膜24之中的另一者跨越第2边缘区域E2以及第2间隙区域G2而设置。

同样地，1对第2质量附加膜25之中的一者跨越第1边缘区域E1以及第1间隙区域G1而设置。该第2质量附加膜25与设置在第1间隙区域G1的第1质量附加膜24设置为在电极指对置方向上排列。1对第2质量附加膜25之中的另一者设置在第2间隙区域G2。该第2质量附加膜25与设置在第2间隙区域G2的第1质量附加膜24设置为在电极指对置方向上排列。

如图7所示，跨越边缘区域以及间隙区域而设置的第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25在电极指对置方向上排列。因此，在电极指对置方向上，质量附加膜的材料不一样。由此，与第1实施方式同样地，能够使产生无用波的频率分散，能够抑制无用波。

在上述的第1～第3实施方式中，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25为带状。第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25分别连续地设置在多个电极指上、和电极指间的区域。不过，第1质量附加膜24或者第2质量附加膜25例如也可以仅设置在电极指上。通过第4实施方式以及第5实施方式来示出该例子。

图8是第4实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图9是沿着图8中的I-I线的剖视图。

如图8所示，本实施方式与第1实施方式的不同点在于，在各边缘区域设置有多个第1质量附加膜34。除了上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置具有与第1实施方式的弹性波装置10同样的结构。

多个第1质量附加膜34在电极指对置方向上排列。而且，在俯视下，各第1质量附加膜34和各电极指重叠。更具体地，在第1边缘区域E1中，各第1质量附加膜34仅设置在1根第1电极指28的第1面11a，或者仅设置在1根第2电极指29的第1面11a。在第2边缘区域E2中也同样。多个第1质量附加膜34仅设置在俯视下与电极指重叠的区域。

如图8以及图9所示，在本实施方式中，多个第1质量附加膜34以及第2质量附加膜24的沿着电极指延伸方向的尺寸、以及厚度均相同。不过，全部的第1质量附加膜34以及第2质量附加膜25的沿着电极指延伸方向的尺寸、以及厚度也可以未必一定相同。

另一方面，第2质量附加膜25与第1实施方式同样地，连续地设置在俯视下与多个电极指以及电极指间的区域重叠的区域。多个第1质量附加膜34以及第2质量附加膜25设置在相互不同的电极指上。

如图8所示，设置于边缘区域的多个第1质量附加膜34以及第2质量附加膜25在电极指对置方向上排列。因此，在电极指对置方向上，质量附加膜的材料不一样。由此，与第1实施方式同样地，能够使产生无用波的频率分散，能够抑制无用波。

各第1质量附加膜34不与连接于相互不同的电位的电极指的双方接触。在该情况下，作为多个第1质量附加膜34的材料，能够使用金属。不过，作为多个第1质量附加膜34的材料，也可以使用电介质。

图10是第5实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图11是沿着图10中的I-I线的剖视图。

如图10所示，本实施方式与第4实施方式的不同点在于，在各边缘区域设置有多个第2质量附加膜35。因此，在本实施方式中，设置有多个第1质量附加膜34以及多个第2质量附加膜35。除了上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置具有与第4实施方式的弹性波装置同样的结构。

多个第2质量附加膜35在电极指对置方向上排列。而且，在俯视下，各第2质量附加膜35和各电极指重叠。更具体地，在第1边缘区域E1中，各第2质量附加膜35仅设置在1根第1电极指28的第1面11a，或者仅设置在1根第2电极指29的第1面11a。在第2边缘区域E2中也同样。多个第2质量附加膜35仅设置在俯视下与电极指重叠的区域。

如图10以及图11所示，在本实施方式中，多个第1质量附加膜34以及多个第2质量附加膜35的沿着电极指延伸方向的尺寸、以及厚度均相同。不过，全部的第1质量附加膜34以及全部的第2质量附加膜35的沿着电极指延伸方向的尺寸、以及厚度也可以未必一定相同。

如图10所示，设置于边缘区域的多个第1质量附加膜34以及多个第2质量附加膜35在电极指对置方向上排列。因此，在电极指对置方向上，质量附加膜的材料不一样。由此，与第4实施方式同样地，能够使产生无用波的频率分散，能够抑制无用波。

各第1质量附加膜34以及各第2质量附加膜35不与连接于相互不同的电位的电极指的双方接触。在该情况下，作为多个第1质量附加膜34以及多个第2质量附加膜35的材料，能够使用金属。作为第1质量附加膜34以及第2质量附加膜35的材料，只要使用相互不同的种类的金属即可。不过，作为多个第1质量附加膜34或者多个第2质量附加膜35的材料，也可以使用电介质。

多个第1质量附加膜34以及多个第2质量附加膜35与第1实施方式同样地，仅设置在双方的边缘区域。由此，即使在本实施方式中，也能够减小相对带宽的变化量，能够使弹性波装置的电特性稳定化。不过，多个第1质量附加膜34以及多个第2质量附加膜35也可以跨越图10所示的第1边缘区域E1以及第1间隙区域G1而设置。同样地，多个第1质量附加膜34以及多个第2质量附加膜35也可以跨越第2边缘区域E2以及第2间隙区域G2而设置。或者，多个第1质量附加膜34以及多个第2质量附加膜35也可以仅设置在双方的间隙区域。

图12是第6实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图13是沿着图12中的I-I线的剖视图。

如图12所示，本实施方式与第3实施方式的不同点在于，设置有保护膜46，以及，在保护膜46上设置有第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25。除了上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置具有与第3实施方式的弹性波装置同样的结构。

保护膜46设置在压电层14的第1主面14a，使得覆盖IDT电极11。由此，IDT电极11不易破损。作为保护膜46的材料，例如，能够使用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等。

与第3实施方式同样地，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25分别各一个跨越边缘区域以及间隙区域而设置。第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25分别连续地设置在俯视下与多个电极指以及电极指间的区域重叠的区域。另外，即使在设置有保护膜46的情况下，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25也是既可以仅设置在边缘区域，也可以仅设置在间隙区域。

如图13所示，在本实施方式中，在层叠了电极指、第1质量附加膜24以及保护膜46的部分中，按照电极指、保护膜46以及第1质量附加膜24的顺序层叠。同样地，在层叠了电极指、第2质量附加膜25以及保护膜46的部分中，按照电极指、保护膜46以及第2质量附加膜25的顺序层叠。

另外，层叠的顺序不限定于上述。例如，也可以在层叠了电极指、第1质量附加膜24以及保护膜46的部分中，按照电极指、第1质量附加膜24以及保护膜46的顺序层叠。或者，也可以按照第1质量附加膜24、电极指以及保护膜46的顺序层叠。在层叠了电极指、第2质量附加膜25以及保护膜46的部分中也同样。

如图12所示，跨越边缘区域以及间隙区域而设置的第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25在电极指对置方向上排列。因此，在电极指对置方向上，质量附加膜的材料不一样。由此，与第3实施方式同样地，能够使产生无用波的频率分散，能够抑制无用波。

在本实施方式中，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25不与电极指接触。在该情况下，作为第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25的材料，能够使用金属。作为第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25的材料，只要使用相互不同的种类的金属即可。

在此，第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25夹着保护膜46而与多个电极指对置。因此，在第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25的材料使用了金属的情况下，能够增大弹性波装置的静电电容。因此，能够缩小用于得到希望的静电电容的、IDT电极11的面积。因此，能够使弹性波装置变得小型。不过，作为第1质量附加膜24或者第2质量附加膜25的材料，也可以使用电介质。

在保护膜46以及第1质量附加膜24的材料相同的情况下，保护膜46的厚度设为图12所示的中央区域H中的保护膜46的厚度。第1质量附加膜24的厚度设为从保护膜46以及第1质量附加膜24的合计的厚度减去保护膜46的厚度而得到的厚度。在保护膜46以及第2质量附加膜25的材料相同的情况下也同样。

另外，在本实施方式以外的本发明的结构中也能够采用设置有保护膜46的结构。例如，也可以在保护膜46上设置有图11所示的多个第1质量附加膜34或者多个质量附加膜35。

图14是第7实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图15是沿着图14中的I-I线的剖视图。

如图14以及图15所示，本实施方式与第1实施方式的不同点在于，在多个电极指与压电层14之间设置有第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25。除了上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置具有与第1实施方式的弹性波装置10同样的结构。

更具体地，如图15所示，第1质量附加膜24设置在多个第1电极指28以及多个第2电极指29的第2面11b与压电层14之间。同样地，第2质量附加膜25设置在多个第1电极指28以及多个第2电极指29的第2面11b与压电层14之间。另外，图11所示的多个第1质量附加膜34或者多个第2质量附加膜35也可以设置在多个电极指的第2面11b与压电层14之间。

如图14所示，设置于边缘区域的第1质量附加膜24以及第2质量附加膜25在电极指对置方向上排列。因此，在电极指对置方向上，质量附加膜的材料不一样。由此，与第1实施方式同样地，能够使产生无用波的频率分散，能够抑制无用波。

以下，对厚度剪切模式的详情进行说明。另外，后述的IDT电极中的“电极”相当于本发明中的电极指。以下的例子中的支承构件相当于本发明中的支承基板。

图16的(a)是示出利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的外观的简图式立体图，图16的(b)是示出压电层上的电极构造的俯视图，图17是沿着图16的(a)中的A-A线的部分的剖视图。

弹性波装置1具有包含LiNbO₃的压电层2。压电层2也可以是包含LiTaO₃的压电层。LiNbO₃、LiTaO₃的切割角为Z切割，但也可以为旋转Y切割、X切割。压电层2的厚度没有特别限定，但为了有效地激励厚度剪切模式，优选为40nm以上且1000nm以下，更优选为50nm以上且1000nm以下。压电层2具有相互对置的第1主面2a以及第2主面2b。在第1主面2a上设置有电极3以及电极4。在此，电极3是“第1电极”的一个例子，电极4是“第2电极”的一个例子。在图16的(a)以及图16的(b)中，多个电极3是与第1汇流条5连接的多个第1电极指。多个电极4是与第2汇流条6连接的多个第2电极指。多个电极3和多个电极4相互交错对插。电极3以及电极4具有矩形形状，具有长度方向。在与该长度方向正交的方向上，电极3和相邻的电极4对置。电极3、4的长度方向、以及与电极3、4的长度方向正交的方向均是与压电层2的厚度方向交叉的方向。因此，也可以说，电极3和相邻的电极4在与压电层2的厚度方向交叉的方向上对置。此外，电极3、4的长度方向也可以和图16的(a)以及图16的(b)所示的与电极3、4的长度方向正交的方向调换。即，在图16的(a)以及图16的(b)中，也可以使电极3、4在第1汇流条5以及第2汇流条6延伸的方向上延伸。在该情况下，第1汇流条5以及第2汇流条6在图16的(a)以及图16的(b)中变得在电极3、4延伸的方向上延伸。而且，连接于一个电位的电极3和连接于另一个电位的电极4相邻的1对构造在与上述电极3、4的长度方向正交的方向上设置有多对。在此，所谓电极3和电极4相邻，不是指电极3和电极4配置为直接接触的情况，而是指电极3和电极4隔着间隔而配置的情况。此外，在电极3和电极4相邻的情况下，在电极3与电极4之间，不配置包括其他的电极3、4在内的、与信号电极、接地电极连接的电极。其对数无需为整数对，也可以为1.5对、2.5对等。电极3、4间的中心间距离即间距优选为1μm以上且10μm以下的范围。此外，电极3、4的宽度即电极3、4的对置方向上的尺寸优选为50nm以上且1000nm以下的范围，更优选为150nm以上且1000nm以下的范围。另外，所谓电极3、4间的中心间距离，成为将与电极3的长度方向正交的方向上的电极3的尺寸(宽度尺寸)的中心、和与电极4的长度方向正交的方向上的电极4的尺寸(宽度尺寸)的中心连结的距离。

此外，在弹性波装置1中，使用了Z切割的压电层，因此与电极3、4的长度方向正交的方向成为与压电层2的极化方向正交的方向。在作为压电层2而使用了其他的切割角的压电体的情况下，不限于此。在此，所谓“正交”，并非仅限定于严格地正交的情况，也可以为大致正交(与电极3、4的长度方向正交的方向和极化方向所成的角度例如为90°±10°的范围内)。

在压电层2的第2主面2b侧，隔着绝缘层7层叠有支承构件8。绝缘层7以及支承构件8具有框状的形状，如图17所示，具有贯通孔7a、8a。由此，形成有空洞部9。空洞部9为了不妨碍压电层2的激励区域C的振动而设置。因此，上述支承构件8在与设置有至少1对电极3、4的部分不重叠的位置，隔着绝缘层7层叠于第2主面2b。另外，也可以不设置绝缘层7。因此，支承构件8能够直接或者间接地层叠于压电层2的第2主面2b。

绝缘层7包含氧化硅。不过，除了氧化硅之外，还能够使用氮氧化硅、矾土等适当的绝缘性材料。支承构件8包含Si。Si的压电层2侧的面中的面方位可以为(100)、(110)，也可以为(111)。构成支承构件8的Si是电阻率为4kΩcm以上的高电阻为宜。不过，关于支承构件8，也能够使用适当的绝缘性材料、半导体材料来构成。

作为支承构件8的材料，例如，能够使用氧化铝、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化镁、蓝宝石、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、金刚石、玻璃等电介质、氮化镓等半导体等。

上述多个电极3、4以及第1汇流条5、第2汇流条6包含Al、AlCu合金等适当的金属或合金。在本实施方式中，电极3、4以及第1汇流条5、第2汇流条6具有在Ti膜上层叠了A1膜的构造。另外，也可以使用Ti膜以外的密接层。

在驱动时，在多个电极3与多个电极4之间施加交流电压。更具体地，在第1汇流条5与第2汇流条6之间施加交流电压。由此，能够得到利用了在压电层2中激励的厚度剪切模式的体波的谐振特性。此外，在弹性波装置1中，在将压电层2的厚度设为d，将多对电极3、4中的任意相邻的电极3、4的中心间距离设为p的情况下，d/p被设为0.5以下。因此，可有效地激励上述厚度剪切模式的体波，能够得到良好的谐振特性。更优选的是，d/p为0.24以下，在该情况下，能够得到更加良好的谐振特性。

在弹性波装置1中，由于具备上述结构，因此即使要实现小型化而减少了电极3、4的对数，也不易产生Q值的下降。这是因为，即使减少两侧的反射器中的电极指的根数，传播损耗也少。此外，能够减少上述电极指的根数是由于利用了厚度剪切模式的体波。参照图18的(a)以及图18的(b)对在弹性波装置中利用的兰姆波和上述厚度剪切模式的体波的差异进行说明。

图18的(a)是用于说明在如日本公开专利公报特开2012-257019号公报记载的弹性波装置的压电膜传播的兰姆波的示意性主视剖视图。在此，波在压电膜201中如箭头所示那样传播。在此，在压电膜201中，第1主面201a和第2主面201b对置，将第1主面201a和第2主面201b连结的厚度方向是Z方向。X方向是IDT电极的电极指排列的方向。如图18的(a)所示，关于兰姆波，波如图示那样在X方向上不断传播。由于是板波，因此虽然压电膜201作为整体进行振动，但波在X方向上传播，因此在两侧配置反射器，从而得到了谐振特性。因此，产生波的传播损耗，在实现了小型化的情况下，即，在减少了电极指的对数的情况下，Q值下降。

相对于此，如图18的(b)所示，在弹性波装置1中，振动位移是厚度剪切方向，因此波大致在将压电层2的第1主面2a和第2主面2b连结的方向即Z方向上传播、谐振。即，波的X方向分量比Z方向分量明显小。而且，通过该Z方向的波的传播可得到谐振特性，因此即使减少反射器的电极指的根数，也不易产生传播损耗。进而，即使假设要推进小型化而减少了包含电极3、4的电极对的对数，也不易产生Q值的下降。

另外，如图19所示，厚度剪切模式的体波的振幅方向在压电层2的激励区域C包含的第1区域451和激励区域C包含的第2区域452中变得相反。在图19中，示意性地示出了在电极3与电极4之间施加了电极4成为比电极3高的电位的电压的情况下的体波。第1区域451是激励区域C之中的、与压电层2的厚度方向正交且将压电层2分为两部分的虚拟平面VP1和第1主面2a之间的区域。第2区域452是激励区域C之中的、虚拟平面VP1和第2主面2b之间的区域。

如上所述，在弹性波装置1中，配置有包含电极3和电极4的至少1对电极，但并非使波在X方向上传播，因此包含该电极3、4的电极对的对数无需有多对。即，只要设置有至少1对电极即可。

例如，上述电极3是与信号电位连接的电极，电极4是与接地电位连接的电极。不过，也可以是，电极3与接地电位连接，电极4与信号电位连接。在本实施方式中，如上所述，至少1对电极是与信号电位连接的电极或者与接地电位连接的电极，未设置浮置电极。

图20是示出图17所示的弹性波装置的谐振特性的图。另外，得到了该谐振特性的弹性波装置1的设计参数如下。

压电层2：欧拉角(0°，0°，90°)的LiNbO₃，厚度＝400nm。

在与电极3和电极4的长度方向正交的方向上观察时，电极3和电极4重叠的区域即激励区域C的长度＝40μm，包含电极3、4的电极的对数＝21对，电极间中心距离＝3μm，电极3、4的宽度＝500nm，d/p＝0.133。

绝缘层7：厚度为1μm的氧化硅膜。

支承构件8：Si。

另外，所谓激励区域C的长度，是激励区域C的沿着电极3、4的长度方向的尺寸。

在本实施方式中，包含电极3、4的电极对的电极间距离在多对中全部设为相等。即，等间距地配置了电极3和电极4。

根据图20可以明确，尽管不具有反射器，也得到了相对带宽为12.5％的良好的谐振特性。

另外，在将上述压电层2的厚度设为d，将电极3和电极4的电极的中心间距离设为p的情况下，如前所述，在本实施方式中，d/p为0.5以下，更优选为0.24以下。参照图21对此进行说明。

与得到了图20所示的谐振特性的弹性波装置同样地，不过使d/p变化，得到了多个弹性波装置。图21是示出该d/p和作为弹性波装置的谐振器的相对带宽的关系的图。

根据图21可以明确，若d/p＞0.5，则即使调整d/p，相对带宽也不足5％。相对于此，在d/p≤0.5的情况下，如果在该范围内使d/p变化，则能够将相对带宽设为5％以上，即，能够构成具有高耦合系数的谐振器。此外，在d/p为0.24以下的情况下，能够将相对带宽提高到7％以上。除此之外，如果在该范围内调整d/p，则能够得到相对带宽更加宽的谐振器，能够实现具有更加高的耦合系数的谐振器。因此，可知，通过将d/p设为0.5以下，从而能够构成利用了上述厚度剪切模式的体波的、具有高耦合系数的谐振器。

图22是利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的俯视图。在弹性波装置80中，在压电层2的第1主面2a上，设置有具有电极3和电极4的1对电极。另外，图22中的K成为交叉宽度。如前所述，在本发明的弹性波装置中，电极的对数也可以为1对。在该情况下，也只要上述d/p为0.5以下，就能够有效地激励厚度剪切模式的体波。

在弹性波装置1中，优选的是，在多个电极3、4中，任意相邻的电极3、4相对于上述相邻的电极3、4在对置的方向上观察时重叠的区域即激励区域C的金属化比MR满足MR≤1.75(d/p)+0.075为宜。在该情况下，能够有效地减小杂散。参照图23以及图24对此进行说明。图23是示出上述弹性波装置1的谐振特性的一个例子的参考图。箭头B所示的杂散出现在谐振频率与反谐振频率之间。另外，设d/p＝0.08，并且设LiNbO₃的欧拉角(0°，0°，90°)。此外，设上述金属化比MR＝0.35。

参照图16的(b)对金属化比MR进行说明。在图16的(b)的电极构造中，在着眼于1对电极3、4的情况下，设仅设置这1对电极3、4。在该情况下，单点划线所包围的部分成为激励区域C。所谓该激励区域C，是在与电极3、4的长度方向正交的方向即对置方向上观察电极3和电极4时电极3中的与电极4相互重叠的区域、电极4中的与电极3相互重叠的区域、以及电极3与电极4之间的区域中的电极3和电极4相互重叠的区域。而且，激励区域C内的电极3、4的面积相对于该激励区域C的面积成为金属化比MR。即，金属化比MR是金属化部分的面积相对于激励区域C的面积之比。

另外，在设置有多对电极的情况下，只要将全部激励区域包含的金属化部分相对于激励区域的面积的合计的比例设为MR即可。

图24是示出按照本实施方式构成许多弹性波谐振器的情况下的相对带宽、和作为杂散的大小的以180度进行了标准化的杂散的阻抗的相位旋转量的关系的图。另外，关于相对带宽，对压电层的膜厚、电极的尺寸进行了种种变更和调整。此外，图24是使用了包含Z切割的LiNbO₃的压电层的情况下的结果，但在使用了其他的切割角的压电层的情况下也成为同样的倾向。

在图24中的椭圆J所包围的区域中，杂散变大至1.0。根据图24可以明确，若相对带宽超过0.17，即，若超过17％，则即便假设使构成相对带宽的参数变化，也会在通带内出现杂散电平为1以上的大的杂散。即，如图23所示的谐振特性那样，箭头B所示的大的杂散出现在频带内。因此，相对带宽优选为17％以下。在该情况下，通过调整压电层2的膜厚、电极3、4的尺寸等，从而能够减小杂散。

图25是示出d/2p、金属化比MR和相对带宽的关系的图。在上述弹性波装置中，构成了d/2p和MR不同的各种各样的弹性波装置，并测定了相对带宽。图25的虚线D的右侧的附上影线而示出的部分是相对带宽为17％以下的区域。该附上影线的区域和未附影线的区域的边界由MR＝3.5(d/2p)+0.075表示。即，MR＝1.75(d/p)+0.075。因此，优选的是MR≤1.75(d/p)+0.075。在该情况下，容易将相对带宽设为17％以下。更优选的是图25中的单点划线D1所示的MR＝3.5(d/2p)+0.05的右侧的区域。即，只要MR≤1.75(d/p)+0.05，就能够可靠地将相对带宽设为17％以下。

图26是示出使d/p无限接近于0的情况下的相对带宽相对于LiNbO₃的欧拉角(0°，θ，ψ)的映射的图。图26的附上影线而示出的部分是可得到至少5％以上的相对带宽的区域，若对该区域的范围进行近似，则成为由下述的式(1)、式(2)以及式(3)表示的范围。

(0°±10°，0°～20°，任意的ψ)…式(1)

(0°±10°，20°～80°，0°～60°(1-(θ-50)²/900)^1/2)或者(0°±10°，20°～80°，[180°-60°(1-(θ-50)²/900)^1/2]～180°)…式(2)

(0°±10°，[180°-30°(1-(ψ-90)²/8100)^1/2]～180°，任意的ψ)…式(3)

因此，在上述式(1)、式(2)或者式(3)的欧拉角范围的情况下，能够使相对带宽充分宽，是优选的。压电层2为钽酸锂层的情况也同样。

图27是具有声多层膜的弹性波装置的主视剖视图。

在弹性波装置81中，在压电层2的第2主面2b层叠有声多层膜82。声多层膜82具有声阻抗相对低的低声阻抗层82a、82c、82e和声阻抗相对高的高声阻抗层82b、82d的层叠构造。在使用了声多层膜82的情况下，即便不使用弹性波装置1中的空洞部9，也能够将厚度剪切模式的体波封闭在压电层2内。在弹性波装置81中，也能够通过将上述d/p设为0.5以下，从而得到基于厚度剪切模式的体波的谐振特性。另外，在声多层膜82中，其低声阻抗层82a、82c、82e以及高声阻抗层82b、82d的层叠数没有特别限定。只要至少1层的高声阻抗层82b、82d配置在与低声阻抗层82a、82c、82e相比远离压电层2的一侧即可。

上述低声阻抗层82a、82c、82e以及高声阻抗层82b、82d只要满足上述声阻抗的关系，就能够由适当的材料来构成。例如，作为低声阻抗层82a、82c、82e的材料，能够列举氧化硅或者氮氧化硅等。此外，作为高声阻抗层82b、82d的材料，能够列举矾土、氮化硅或者金属等。

在第1～第7实施方式以及变形例的弹性波装置中，例如，也可以在支承基板与压电层之间设置有作为声反射膜的、图27所示的声多层膜82。具体地，支承构件和压电层也可以配置为支承构件的至少一部分以及压电层的至少一部分夹着声多层膜82相互对置。在该情况下，在声多层膜82中，只要低声阻抗层和高声阻抗层交替地层叠即可。声多层膜82也可以是弹性波装置中的声反射部。

在利用厚度剪切模式的体波的第1～第7实施方式以及变形例的弹性波装置中，如上所述，d/p优选为0.5以下，更优选为0.24以下。由此，能够得到更加良好的谐振特性。进而，在利用厚度剪切模式的体波的第1～第7实施方式以及变形例的弹性波装置中的交叉区域中，如上所述，优选满足MR≤1.75(d/p)+0.075。在该情况下，能够更可靠地抑制杂散。

利用厚度剪切模式的体波的第1～第7实施方式以及变形例的弹性波装置中的压电层优选为铌酸锂层或者钽酸锂层。而且，优选构成该压电层的铌酸锂或者钽酸锂的欧拉角处于上述的式(1)、式(2)或者式(3)的范围。在该情况下，能够使相对带宽充分宽。

附图标记说明

1：弹性波装置；

2：压电层；

2a、2b：第1、第2主面；

3、4：电极；

5、6：第1、第2汇流条；

7：绝缘层；

7a：贯通孔；

8：支承构件；

8a：贯通孔；

9：空洞部；

10：弹性波装置；

10a：空洞部；

11：IDT电极；

11a、11b：第1、第2面；

11c：侧面；

12：压电性基板；

13：支承构件；

14：压电层；

14a、14b：第1、第2主面；

15：绝缘层；

16：支承基板；

24、25：第1、第2质量附加膜；

26、27：第1、第2汇流条；

28、29：第1、第2电极指；

34、35：第1、第2质量附加膜；

46：保护膜；

80、81：弹性波装置；

82：声多层膜；

82a、82c、82e：低声阻抗层；

82b、82d：高声阻抗层；

201：压电膜；

201a、201b：第1、第2主面；

451、452：第1、第2区域；

B：箭头；

C：激励区域；

E1、E2：第1、第2边缘区域；

F：交叉区域；

G1、G2：第1、第2间隙区域；

H：中央区域；

O1、O2：第1、第2点；

VP1：虚拟平面。

Claims (16)

1.一种弹性波装置，具备：

支承构件，包含支承基板；

压电层，设置在所述支承构件上，是铌酸锂层或者钽酸锂层；和

IDT电极，设置在所述压电层上，具有1对汇流条和多个电极指，

在沿着所述支承构件以及所述压电层的层叠方向观察的俯视下，在与所述IDT电极的至少一部分重叠的位置形成有声反射部，

在将所述压电层的厚度设为d，将相邻的所述电极指彼此的中心间距离设为p的情况下，d/p为0.5以下，

在所述IDT电极的一个所述汇流条连接有所述多个电极指之中的一部分的电极指，在另一个所述汇流条连接有所述多个电极指之中的剩余的电极指，与一个所述汇流条连接的所述多个电极指和与另一个所述汇流条连接的所述多个电极指相互交错对插，

将相邻的所述电极指彼此相互对置的方向设为电极指对置方向，在从所述电极指对置方向观察时，所述相邻的电极指彼此相互重叠的区域是交叉区域，在将所述多个电极指延伸的方向设为电极指延伸方向时，所述交叉区域具有中央区域、和配置为在所述电极指延伸方向上夹着所述中央区域的1对边缘区域，位于所述交叉区域与所述1对汇流条之间的区域是1对间隙区域，

材料相互不同的、至少1个第1质量附加膜以及至少1个第2质量附加膜设置在所述边缘区域以及所述间隙区域之中的至少一方，使得在所述电极指对置方向上排列。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

仅在双方的所述边缘区域分别设置有所述至少1个第1质量附加膜以及所述至少1个第2质量附加膜。

3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

仅在双方的所述间隙区域分别设置有所述至少1个第1质量附加膜以及所述至少1个第2质量附加膜。

4.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

分别跨越一个所述边缘区域以及一个所述间隙区域、和另一个所述边缘区域以及另一个所述间隙区域，设置有所述至少1个第1质量附加膜以及所述至少1个第2质量附加膜。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述多个电极指分别具有相互对置的第1面以及第2面，所述第1面以及所述第2面之中的所述第2面是所述压电层侧的面，所述至少1个第1质量附加膜以及所述至少1个第2质量附加膜设置在所述多个电极指的所述第1面。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述多个电极指分别具有相互对置的第1面以及第2面，所述第1面以及所述第2面之中的所述第2面是所述压电层侧的面，所述至少1个第1质量附加膜以及所述至少1个第2质量附加膜设置在所述多个电极指的所述第2面与所述压电层之间。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的弹性波装置，其中，

在所述压电层上设置有保护膜使得覆盖所述IDT电极，在所述保护膜上设置有所述至少1个第1质量附加膜以及所述至少1个第2质量附加膜。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述第1质量附加膜仅设置在俯视下与所述多个电极指重叠的区域。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述第1质量附加膜连续地设置在俯视下与所述多个电极指以及所述电极指间的区域重叠的区域。

10.根据权利要求7或8所述的弹性波装置，其中，

所述第1质量附加膜包含金属。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的弹性波装置，其中，

在所述第1质量附加膜以及所述第2质量附加膜之中的至少一方，使用了从包含氧化硅、氧化钨、氧化铌、氧化钽以及氧化铪的组选择的至少1种电介质。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述声反射部是空洞部，所述支承构件和所述压电层配置为所述支承构件的一部分以及所述压电层的一部分夹着所述空洞部相互对置。

13.根据权利要求1～11中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述声反射部是包含声阻抗相对高的高声阻抗层和声阻抗相对低的低声阻抗层的声反射膜，所述支承构件和所述压电层配置为所述支承构件的至少一部分以及所述压电层的至少一部分夹着所述声反射膜相互对置。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的弹性波装置，其中，

d/p为0.24以下。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的弹性波装置，其中，

在从所述电极指对置方向观察时，所述相邻的电极指彼此相互重叠的区域并且所述相邻的电极指彼此的中心间的区域是激励区域，在将所述多个电极指相对于所述激励区域的金属化比设为MR时，满足MR≤1.75(d/p)+0.075。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的弹性波装置，其中，

作为所述压电层的所述铌酸锂层或者所述钽酸锂层的欧拉角 处于以下的式(1)、式(2)或者式(3)的范围，

(0°±10°，0°～20°，任意的ψ)…式(1)

(0°±10°，20°～80°，0°～60°(1-(θ-50)²/900)^1/2)或者(0°±10°，20°～80°，[180°-60°(1-(θ-50)²/900)^1/2]～180°)…式(2)

(0°±10°，[180°-30°(1-(ψ-90)²/8100)^1/2]～180°，任意的ψ)…式(3)。