CN116633312B - 滤波器及滤波器的形成方法 - Google Patents

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Abstract

一种滤波器及其形成方法,结构包括:衬底,所述衬底包括沿第一方向排列的第一区和第二区;位于衬底第一区上的至少两个第一叉指换能器,沿第一方向排列;位于衬底第二区上的至少一个第二叉指换能器,位于衬底第一区一侧;位于衬底第一区上的第一总线层,与第一叉指换能器电连接;位于衬底第二区上的第二总线层,与第二叉指换能器电连接;第一总线层与第二总线层位于第一叉指换能器沿第二方向上的两侧,第一总线层与第二总线层位于第二叉指换能器沿第二方向上的两侧。所述滤波器简化了工艺流程。

Description

滤波器及滤波器的形成方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种滤波器及滤波器的形成方法。
背景技术
随着通信技术的发展,滤波器已广泛应用于各种通信电子设备之中。
目前商用滤波器主要有声表面(Surface Acoustic Wave,简称SAW)滤波器、体声波(Bulk Acoustic Wave,简称BAW)滤波器、低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-firedCeramics,简称LTCC)滤波器等。声表面滤波器拥有良好的插入损耗及面积小等优点,因此广泛应用于手机等消费电子终端。
双模声表面波(Double Mode SAW,简称DMS)滤波器相对基于声表面谐振器形成的滤波器而言,版图面积更小。
然而,双模声表面波滤波器的形成工艺还有待改善。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种滤波器及滤波器的形成方法,以改善滤波器的形成工艺。
为解决上述技术问题,本发明技术方案提供一种滤波器,包括:衬底,所述衬底包括第一区和第二区,所述第一区和第二区沿平行于衬底表面的第一方向排列;位于衬底第一区上的至少两个第一叉指换能器,所述第一叉指换能器沿第一方向排列;位于衬底第二区上的至少一个第二叉指换能器,所述第二叉指换能器沿第一方向位于所述衬底第一区的一侧;位于衬底第一区上的第一总线层,所述第一总线层与所述第一叉指换能器电连接;位于衬底第二区上的第二总线层,所述第二总线层与所述第二叉指换能器电连接;所述第一总线层与所述第二总线层位于第一叉指换能器沿第二方向上的两侧,所述第一总线层与所述第二总线层位于第二叉指换能器沿第二方向上的两侧,其中,所述第二方向平行于衬底表面,且与所述第一方向垂直。
可选的,所述第一叉指换能器包括:第一汇流条,所述第一汇流条与所述第一总线层相连接;与所述第一汇流条相连接的若干第一叉指,若干所述第一叉指沿第一方向平行放置;第二汇流条,所述第二汇流条靠近所述第二总线层;与所述第二汇流条相连接的若干第二叉指,若干所述第二叉指沿第一方向平行放置;所述第一叉指与第二叉指沿第一方向交错放置。
可选的,所述第一总线层通过第一汇流条与第一叉指换能器电连接;还包括:位于第一汇流条上的第一导电层,所述第一导电层还位于部分第一叉指换能器上和部分第一总线层上。
可选的,所述第一导电层的厚度大于第一汇流条的厚度。
可选的,所述第一导电层的厚度范围为0.5微米~5微米。
可选的,还包括:位于第二汇流条上的第三导电层。
可选的,所述第二叉指换能器包括:第四汇流条,所述第四汇流条与所述第二总线层相连接;与所述第四汇流条相连接的若干第四叉指,若干所述第四叉指沿第一方向平行放置;第三汇流条,所述第三汇流条靠近所述第一总线层;与所述第三汇流条相连接的若干第三叉指,若干所述第三叉指沿第一方向平行放置;所述第三叉指与第四叉指沿第一方向交错放置。
可选的,所述第二总线层通过第四汇流条与第二叉指换能器电连接;还包括:位于第四汇流条上的第二导电层,所述第二导电层还位于部分第二叉指换能器上和部分第二总线层上。
可选的,所述第二导电层的厚度大于第四汇流条的厚度。
可选的,第二导电层的厚度范围为0.5微米~5微米。
可选的,还包括:位于第三汇流条上的第四导电层。
相应地,本发明技术方案还提供一种滤波器的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括第一区和第二区,所述第一区和第二区沿平行于衬底表面的第一方向排列;在衬底上形成至少两个第一叉指换能器、至少一个第二叉指换能器、第一总线层和第二总线层,所述第一叉指换能器位于衬底第一区上,所述第一叉指换能器沿第一方向排列,所述第二叉指换能器位于衬底第二区上,所述第二叉指换能器沿第一方向位于所述衬底第一区的一侧,所述第一总线层位于第一区上,所述第一总线层与所述第一叉指换能器电连接,所述第二总线层位于第二区上,所述第二总线层与所述第二叉指换能器电连接;所述第一总线层与所述第二总线层位于第一叉指换能器沿第二方向上的两侧,所述第一总线层与所述第二总线层位于第二叉指换能器沿第二方向上的两侧,其中,所述第二方向平行于衬底表面,且与所述第一方向垂直。
可选的,所述第一叉指换能器包括:第一汇流条,所述第一汇流条与所述第一总线层相连接;与所述第一汇流条相连接的若干第一叉指,若干所述第一叉指沿第一方向平行放置;第二汇流条,所述第二汇流条靠近所述第二总线层;与所述第二汇流条相连接的若干第二叉指,若干所述第二叉指沿第一方向平行放置;所述第一叉指与第二叉指沿第一方向交错放置。
可选的,所述第一总线层通过第一汇流条与第一叉指换能器电连接;还包括:在第一汇流条上形成第一导电层,所述第一导电层还位于部分第一叉指换能器上和部分第一总线层上。
可选的,还包括:在第二汇流条上形成第三导电层。
可选的,所述第二叉指换能器包括:第四汇流条,所述第四汇流条与所述第二总线层相连接;与所述第四汇流条相连接的若干第四叉指,若干所述第四叉指沿第一方向平行放置;第三汇流条,所述第三汇流条靠近所述第一总线层;与所述第三汇流条相连接的若干第三叉指,若干所述第三叉指沿第一方向平行放置;所述第三叉指与第四叉指沿第一方向交错放置。
可选的,所述第二总线层通过第四汇流条与第二叉指换能器电连接;还包括:在第四汇流条上形成第二导电层,所述第二导电层还位于部分第二叉指换能器上和部分第二总线层上。
可选的,还包括:在第三汇流条上形成第四导电层。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下有益效果:
本发明的技术方案,所述第一区上的至少两个第一叉指换能器与第一总线层电连接,所述第二区上的至少一个第二叉指换能器与第二总线层电连接,所述第一总线层和第二总线层分别用于接入不同的电信号。所述第一区和第二区相邻,至少两个所述第一叉指换能器位于第一区上,至少一个所述第二叉指换能器位于第二区上,从而所述第一汇流条和第一总线层的布线能够根据第一叉指换能器集中排布,所述第四汇流条和第二总线层的布线能够根据第二叉指换能器集中排布,从而简化了工艺流程,节约了生产成本。
进一步,所述第一导电层能够直接形成于第一汇流条上,所述第二导电层能够直接形成于第四汇流条上,所述第一导电层能够增加所述第一汇流条的电导率,所述第二导电层能够增加第四汇流条的电导率。
附图说明
图1和图2是一实施例中滤波器的结构示意图;
图3至图6是本发明一实施例中滤波器的形成过程的结构示意图;
图7是本发明另一实施例中滤波器的结构示意图。
具体实施方式
如背景技术所述,双模声表面波滤波器的形成工艺还有待改善。现结合具体的实施例进行分析说明。
图1和图2是一实施例中滤波器的结构示意图。
请参考图1和图2,图1是图2的俯视图,图2为图1沿剖面线AA1方向的剖面结构示意图,所述滤波器包括:衬底100;位于衬底100上的若干第一叉指换能器和若干第二叉指换能器,若干第一叉指换能器和若干第二叉指换能器沿平行于衬底表面的第一方向交替放置,所述第一叉指换能器包括沿第一方向排列的第一叉指101和第二叉指102,所述第二叉指换能器包括沿第一方向排列的第三叉指104和第四叉指103,所述第一叉指101和第二叉指102沿第一方向交错放置,所述第三叉指104和第四叉指103沿第一方向交错放置;与若干所述第二叉指102电连接的第一汇流条106;与若干所述第四叉指103电连接的第二汇流条105;与若干所述第一叉指101电连接的第一总线层107,所述第一总线层107和第一叉指101通过第一导电层110电连接;与若干所述第三叉指104电连接的第二总线层108,所述第二总线层108和第三叉指104通过第二导电层112 电连接。
所述滤波器的结构中,所述第一汇流条106位于第一叉指换能器和第二叉指换能器与第二总线层108之间,所述第二汇流条105位于第一叉指换能器和第二叉指换能器与第一总线层107之间;所述第一导电层110横跨所述第二汇流条105,所述第二导电层112横跨所述第一汇流条106;从而在第一导电层110和第二汇流条105之间需要形成第一绝缘层109,在第二导电层112和所述第一汇流条106之间需要形成第二绝缘层111。然而,形成绝缘层需要增加额外的光刻显影、物理溅射以及化学蚀刻等工艺,从而导致所述滤波器的生产过程具有较大的时间成本和原料成本。
为了解决上述问题,本发明技术方案提供一种滤波器及滤波器的形成方法,所述第一区上的至少两个第一叉指换能器与第一总线层电连接,所述第二区上的至少一个第二叉指换能器与第二总线层电连接。所述第一区和第二区相邻,所述至少两个第一叉指换能器位于第一区上,至少一个所述第二叉指换能器位于第二区上,从而所述第一汇流条和第一总线层的布线能够根据第一叉指换能器集中排布,所述第四汇流条和第二总线层的布线能够根据第二叉指换能器集中排布,从而简化了工艺流程,节约了生产成本。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图3至图6是本发明一实施例中滤波器的形成过程的结构示意图。
请参考图3和图4,图3是图4的俯视图,图4是图3沿剖面线SS1方向的剖面结构示意图,提供衬底200,所述衬底200包括第一区I和第二区II,所述第一区I和第二区II沿平行于衬底200表面的第一方向X排列。
所述衬底200的材料包括压电材料,所述压电材料包括:钽酸锂(LiTaO3,简称LT)、铌酸锂(LiNbO3,简称LN)、石英、ZnO等Ⅱ-Ⅵ族化合物、AIN等Ⅲ-Ⅴ族化合物等。
请继续参考图3和图4,在衬底200上形成两个第一叉指换能器、一个第二叉指换能器、第一总线层201和第二总线层202,两个所述第一叉指换能器位于衬底200第一区I上,两个所述第一叉指换能器沿第一方向X排列,一个所述第二叉指换能器位于衬底200第二区II上,所述第二叉指换能器沿第一方向X位于所述衬底200第一区I的一侧,所述第一总线层201位于第一区I上,所述第一总线层201与两个所述第一叉指换能器电连接,所述第二总线层202位于第二区II上,所述第二总线层202与一个所述第二叉指换能器电连接。
在本实施例中,所述第一总线层201与所述第二总线层202位于至少两个第一叉指换能器沿第二方向Y上的两侧,所述第一总线层201与所述第二总线层202位于至少一个第二叉指换能器沿第二方向Y上的两侧,其中,所述第二方向平行于衬底表面,且与所述第一方向垂直。
第一区I上所述第一叉指换能器的数量为至少两个,第二区II上所述第二叉指换能器的数量为至少一个。在本实施例中,所述第一区I上所述第一叉指换能器的数量为两个,所述第二区II上所述第二叉指换能器的数量为一个。
所述第一总线层201和第二总线层202的材料包括金属;所述金属包括:铜、铝、钨、钴、镍、钼和钽中的一种或多种的组合。
所述第一叉指换能器包括:第一汇流条207,所述第一汇流条207与所述第一总线层201相连接,所述第一汇流条207平行于第一方向X;与所述第一汇流条207相连接的若干第一叉指203,若干所述第一叉指203沿第一方向X平行放置;第二汇流条208,所述第二汇流条208靠近所述第二总线层202,所述第二汇流条208平行于第一方向X;与所述第二汇流条208相连接的若干第二叉指204,若干所述第二叉指204沿第一方向X平行放置;所述第一叉指203与第二叉指204沿第一方向X交错放置。
在本实施例中,所述第一叉指203和第二叉指204的长度相同。
在其他实施例中,所述第一叉指和第二叉指的长度能够不相同。
在本实施例中,所述第二总线层202还位于部分所述第一区I上;所述第二汇流条208与第二总线层202相邻。
在本实施例中,所述第一总线层201通过第一汇流条207与第一叉指换能器电连接。
所述第一叉指换能器的材料包括金属;所述金属包括:铜、铝、钨、钴、镍、钼和钽中的一种或多种的组合。
所述第二叉指换能器包括:第四汇流条209,所述第四汇流条209与所述第二总线层202相连接,所述第四汇流条209平行于第一方向X;与所述第四汇流条209相连接的若干第四叉指205,若干所述第四叉指205沿第一方向X平行放置;第三汇流条210,所述第三汇流条210靠近所述第一总线层201,所述第三汇流条210平行于第一方向X;与所述第三汇流条210相连接的若干第三叉指206,若干所述第三叉指206沿第一方向X平行放置;所述第三叉指206与第四叉指205沿第一方向X交错放置。
在本实施例中,所述第三叉指206和第四叉指205的长度相同。
在其他实施例中,所述第三叉指和第四叉指的长度能够不相同。
在本实施例中,所述第一总线层201还位于部分所述第二区II上;所述第三汇流条210与第一总线层201相邻。
在本实施例中,所述第二总线层202通过第四汇流条209与第二叉指换能器电连接。
所述第二叉指换能器的材料包括金属;所述金属包括:铜、铝、钨、钴、镍、钼和钽中的一种或多种的组合。
在本实施例中,还包括:形成与第一总线层201电连接的信号输入层(未标示);形成与所述第二总线层202电连接的信号输出层(未标示)。
所述第一叉指换能器、第二叉指换能器、第一总线层201、第二总线层202、信号输入层和信号输出层同时形成。
所述第一叉指换能器、第二叉指换能器、第一总线层201、第二总线层202、信号输入层和信号输出层的形成方法包括:在衬底200上形成导电材料层(未图示);在导电材料层上形成图形化的掩膜层(未图示);以所述图形化的掩膜层为掩膜对所述导电材料层进行刻蚀,形成所述第一叉指换能器、第二叉指换能器、第一总线层201、第二总线层202、信号输入层和信号输出层。
请参考图5和图6,图5是图6的俯视图,图6是图5沿剖面线SS1方向的剖面结构示意图,在第一汇流条207上、第一总线层201上和第一叉指换能器上形成第一导电层211,所述第一导电层211位于第一汇流条207上、部分第一总线层201上和部分第一叉指换能器上;在第四汇流条209 上、第二总线层202上和第二叉指换能器上形成第二导电层212,所述第二导电层212位于第四汇流条209上、部分第二叉指换能器上和部分第二总线层202上。
具体地,所述第一导电层211位于第一汇流条207上、部分第一总线层201上和部分第一叉指203上;所述第二导电层212位于第四汇流条209上、部分第四叉指205上和部分第二总线层202上。
在其他实施例中,所述第一导电层只位于第一汇流条上,或者位于第一汇流条上和第一总线层上,或者位于第一汇流条上和第一叉指换能器上;所述第二导电层只位于第四汇流条上,或者位于第四汇流条上和第二总线层上,或者位于第四汇流条上和第二叉指换能器上。
所述第一导电层211的厚度大于第一汇流条207的厚度,所述第二导电层212的厚度大于第四汇流条209的厚度。所述第一导电层211能够增加所述第一汇流条207的电导率,所述第二导电层212能够增加第四汇流条209的电导率。
在本实施例中,所述第一导电层211和第二导电层212的厚度范围为0.5微米~5微米。
在其他实施例中,还包括:在第二汇流条上形成第三导电层。所述第三导电层能够增加第二汇流条的厚度,提升导电率。
在其他实施例中,还包括:在第三汇流条上形成第四导电层。所述第四导电层能够增加第三汇流条的厚度,提升导电率。
所述第一区I和第二区II相邻,两个所述第一叉指换能器位于第一区I上,一个所述第二叉指换能器位于第二区II上,从而所述第一汇流条207和第一总线层201的布线能够根据第一叉指换能器集中排布,所述第四汇流条209和第二总线层202的布线能够根据第二叉指换能器集中排布,从而简化了工艺流程,节约了生产成本。
相应地,本发明实施例还提供一种滤波器,请继续参考图5和图6,包括:
衬底200,所述衬底200包括第一区I和第二区II,所述第一区I和第二区II沿平行于衬底200表面的第一方向X排列;
位于衬底200第一区I上的两个第一叉指换能器,所述第一叉指换能器沿第一方向X放置;
位于衬底200第二区II上的一个第二叉指换能器,第二叉指换能器沿第一方向X位于所述衬底200第一区I一侧;
位于衬底200第一区I上的第一总线层201,所述第一总线层201与所述第一叉指换能器电连接,
位于衬底200第二区II上的第二总线层202,所述第二总线层202与所述第二叉指换能器电连接。
在本实施例中,所述第一叉指换能器包括:第一汇流条207,所述第一汇流条207与所述第一总线层201相连接,所述第一汇流条207平行于第一方向X;与所述第一汇流条207相连接的若干第一叉指203,若干所述第一叉指203沿第一方向X平行放置;第二汇流条208,所述第二汇流条208靠近所述第二总线层202,所述第二汇流条208平行于第一方向X;与所述第二汇流条208相连接的若干第二叉指204,若干所述第二叉指204沿第一方向X平行放置;所述第一叉指203与第二叉指204沿第一方向X交错放置。
在本实施例中,所述第一总线层201通过第一汇流条207与第一叉指换能器电连接;还包括:位于第一汇流条207上的第一导电层211,所述第一导电层211还位于部分第一总线层201上和部分第一叉指换能器上。
在本实施例中,所述第一导电层211的厚度大于第一汇流条207的厚度。
在本实施例中,所述第一导电层211的厚度范围为0.5微米~5微米。
在本实施例中,所述第二叉指换能器包括:第四汇流条209,所述第四汇流条209与所述第二总线层202相连接,所述第四汇流条209平行于第一方向X;与所述第四汇流条209相连接的若干第四叉指205,若干所述第四叉指205沿第一方向X平行放置;第三汇流条210,所述第三汇流条210靠近所述第一总线层201,所述第三汇流条210平行于第一方向X;与所述第三汇流条210相连接的若干第三叉指206,若干所述第三叉指206沿第一方向X平行放置;所述第三叉指206与第四叉指205沿第一方向X交错放置。
在本实施例中,所述第二总线层202通过第四汇流条209与第二叉指换能器电连接;还包括:位于第四汇流条209上的第二导电层212,所述第二导电层212还位于部分第二叉指换能器上和部分第二总线层202上。在本实施例中,所述第二导电层212的厚度大于第四汇流条209的厚度。
在本实施例中,第二导电层212的厚度范围为0.5微米~5微米。
在本实施例中,图7是本发明另一实施例中滤波器的结构示意图。
请参考图7,图7为在图5基础上的结构示意图,在本实施例中,所述第一叉指换能器的数量为3个,所述第二叉指换能器的数量为2个。
在其他实施例中,所述第一叉指换能器的数量为4个,所述第二叉指换能器的数量为3个;或者,所述第一叉指换能器的数量为5个,所述第二叉指换能器的数量为4个。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (18)

1.一种滤波器,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底包括第一区和第二区,所述第一区和第二区沿平行于衬底表面的第一方向排列;
位于衬底第一区上的至少两个第一叉指换能器,所述第一叉指换能器沿第一方向排列;
位于衬底第二区上的至少一个第二叉指换能器,所述第二叉指换能器沿第一方向位于所述衬底第一区的一侧;
位于衬底第一区上的第一总线层,所述第一总线层与所述第一叉指换能器电连接;
位于衬底第二区上的第二总线层,所述第二总线层与所述第二叉指换能器电连接;
所述第一总线层与所述第二总线层位于第一叉指换能器沿第二方向上的两侧,所述第一总线层与所述第二总线层位于第二叉指换能器沿第二方向上的两侧,其中,所述第二方向平行于衬底表面,且与所述第一方向垂直。
2.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第一叉指换能器包括:第一汇流条,所述第一汇流条与所述第一总线层相连接;与所述第一汇流条相连接的若干第一叉指,若干所述第一叉指沿第一方向平行放置;第二汇流条,所述第二汇流条靠近所述第二总线层;与所述第二汇流条相连接的若干第二叉指,若干所述第二叉指沿第一方向平行放置;所述第一叉指与第二叉指沿第一方向交错放置。
3.如权利要求2所述的滤波器,其特征在于,所述第一总线层通过第一汇流条与第一叉指换能器电连接;还包括:位于第一汇流条上的第一导电层,所述第一导电层还位于部分第一叉指换能器上和部分第一总线层上。
4.如权利要求3所述的滤波器,其特征在于,所述第一导电层的厚度大于第一汇流条的厚度。
5.如权利要求4所述的滤波器,其特征在于,所述第一导电层的厚度范围为0.5微米~5微米。
6.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,还包括:位于第二汇流条上的第三导电层。
7.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第二叉指换能器包括:第四汇流条,所述第四汇流条与所述第二总线层相连接;与所述第四汇流条相连接的若干第四叉指,若干所述第四叉指沿第一方向平行放置;第三汇流条,所述第三汇流条靠近所述第一总线层;与所述第三汇流条相连接的若干第三叉指,若干所述第三叉指沿第一方向平行放置;所述第三叉指与第四叉指沿第一方向交错放置。
8.如权利要求7所述的滤波器,其特征在于,所述第二总线层通过第四汇流条与第二叉指换能器电连接;还包括:位于第四汇流条上的第二导电层,所述第二导电层还位于部分第二叉指换能器上和部分第二总线层上。
9.如权利要求8所述的滤波器,其特征在于,所述第二导电层的厚度大于第四汇流条的厚度。
10.如权利要求9所述的滤波器,其特征在于,所述第二导电层的厚度范围为0.5微米~5微米。
11.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,还包括:位于第三汇流条上的第四导电层。
12.一种滤波器的形成方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底包括第一区和第二区,所述第一区和第二区沿平行于衬底表面的第一方向排列;
在衬底上形成至少两个第一叉指换能器、至少一个第二叉指换能器、第一总线层和第二总线层,所述第一叉指换能器位于衬底第一区上,所述第一叉指换能器沿第一方向排列,所述第二叉指换能器位于衬底第二区上,所述第二叉指换能器沿第一方向位于所述衬底第一区的一侧,所述第一总线层位于第一区上,所述第一总线层与所述第一叉指换能器电连接,所述第二总线层位于第二区上,所述第二总线层与所述第二叉指换能器电连接;所述第一总线层与所述第二总线层位于第一叉指换能器沿第二方向上的两侧,所述第一总线层与所述第二总线层位于第二叉指换能器沿第二方向上的两侧,其中,所述第二方向平行于衬底表面,且与所述第一方向垂直。
13.如权利要求12所述的滤波器的形成方法,其特征在于,所述第一叉指换能器包括:第一汇流条,所述第一汇流条与所述第一总线层相连接;与所述第一汇流条相连接的若干第一叉指,若干所述第一叉指沿第一方向平行放置;第二汇流条,所述第二汇流条靠近所述第二总线层;与所述第二汇流条相连接的若干第二叉指,若干所述第二叉指沿第一方向平行放置;所述第一叉指与第二叉指沿第一方向交错放置。
14.如权利要求12所述的滤波器的形成方法,其特征在于,所述第一总线层通过第一汇流条与第一叉指换能器电连接;还包括:在第一汇流条上形成第一导电层,所述第一导电层还位于部分第一叉指换能器上和部分第一总线层上。
15.如权利要求12所述的滤波器的形成方法,其特征在于,还包括:在第二汇流条上形成第三导电层。
16.如权利要求12所述的滤波器的形成方法,其特征在于,所述第二叉指换能器包括:第四汇流条,所述第四汇流条与所述第二总线层相连接;与所述第四汇流条相连接的若干第四叉指,若干所述第四叉指沿第一方向平行放置;第三汇流条,所述第三汇流条靠近所述第一总线层;与所述第三汇流条相连接的若干第三叉指,若干所述第三叉指沿第一方向平行放置;所述第三叉指与第四叉指沿第一方向交错放置。
17.如权利要求12所述的滤波器的形成方法,其特征在于,所述第二总线层通过第四汇流条与第二叉指换能器电连接;还包括:在第四汇流条上形成第二导电层,所述第二导电层还位于部分第二叉指换能器上和部分第二总线层上。
18.如权利要求12所述的滤波器的形成方法,其特征在于,还包括:在第三汇流条上形成第四导电层。
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