WO2019123811A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2019123811A1
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bus bar
idt
elastic wave
idt electrode
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鈴木　孝尚
幸治 宮本
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates generally to elastic wave devices, and more particularly to an elastic wave device comprising an IDT electrode.
  • an elastic wave device provided with a piezoelectric substrate (piezoelectric body portion) and an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, and a wide width portion is provided in a part of the electrode finger of the IDT electrode
  • a piezoelectric substrate piezoelectric body portion
  • an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate
  • a wide width portion is provided in a part of the electrode finger of the IDT electrode
  • reflectors are formed on both sides of the IDT electrode in the surface acoustic wave propagation direction on the piezoelectric substrate.
  • the IDT electrode and the reflector are formed of a metal material.
  • the feature of the elastic wave device described in Patent Document 1 is that a structure is provided to suppress transverse mode ripple by forming a piston mode in the IDT electrode.
  • the IDT electrode is electrically connected at its proximal end to the first bus bar, the second bus bar disposed apart from the first bus bar, and the first bus bar.
  • the base end is connected to the plurality of first electrode fingers connected to each other and having the tip extended toward the second bus bar, and the second bus bar, and the tip facing the first bus bar And a plurality of second electrode fingers extended.
  • the wide part is provided in both the 1st electrode finger and the 2nd electrode finger.
  • the first bus bar has a plurality of openings separated along the longitudinal direction of the first bus bar.
  • the first bus bar is located closer to the first electrode finger than the plurality of openings, and is an inner bus bar portion extending in the lengthwise direction of the first bus bar and a central portion provided with the plurality of openings
  • a bus bar portion and an outer bus bar portion positioned on the opposite side across the inner bus bar portion and the central bus bar portion.
  • the second bus bar has a plurality of openings separated along the length direction of the second bus bar.
  • the second bus bar is positioned closer to the second electrode finger than the plurality of openings, and a central bus bar portion extending in the lengthwise direction of the second bus bar and a plurality of openings
  • a bus bar portion and an outer bus bar portion positioned on the opposite side across the inner bus bar portion and the central bus bar portion.
  • Patent Document 1 describes that the invention described in Patent Document 1 can be applied to various elastic wave devices such as band-pass filters as well as the shape of electrodes constituting a one-port type resonator. .
  • an electrode having different potentials of IDT electrodes of adjacent resonators in the longitudinal direction of the first bus bar and the second bus bar for example, an electrode having different potentials of IDT electrodes of adjacent resonators in the longitudinal direction of the first bus bar and the second bus bar. Since the fingers are adjacent to each other, electrostatic discharge (ESD: Electrostatic Discharge) may occur between adjacent electrode fingers, resulting in surge breakdown.
  • ESD Electrostatic Discharge
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device capable of improving the ESD resistance while suppressing the inhibition of the piston mode.
  • An elastic wave device includes a first terminal, a second terminal, a piezoelectric portion, and a plurality of IDT electrodes.
  • the second terminal has a potential lower than the potential of the first terminal.
  • the plurality of IDT electrodes are provided on the piezoelectric portion and are electrically connected to the first terminal and the second terminal.
  • Each of the plurality of IDT electrodes has a first bus bar, a second bus bar, a plurality of first electrode fingers, and a plurality of second electrode fingers.
  • the second bus bar is opposed to the first bus bar in a first direction.
  • the plurality of first electrode fingers are connected to the first bus bar and extend from the first bus bar to the second bus bar in the first direction.
  • the plurality of second electrode fingers are connected to the second bus bar and extend from the second bus bar to the first bus bar in the first direction.
  • the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers are spaced apart from one another in a second direction orthogonal to the first direction.
  • Each of the first bus bar and the second bus bar includes an opening, an inner bus bar portion, an outer bus bar portion, and a connection portion.
  • the inner bus bar portion is positioned closer to the electrode finger group including the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers than the opening in the first direction.
  • the outer bus bar portion is located opposite to the inner bus bar portion as viewed from the opening in the first direction.
  • the connecting portion connects the inner bus bar portion and the outer bus bar portion in the first direction.
  • the second IDT electrode among the electrode fingers of the first IDT electrode And one of the electrode fingers closest to the first IDT electrode among the group of electrode fingers of the second IDT electrode is connected to the first terminal, and the other is connected to the second terminal.
  • the electrode finger closest to the second IDT electrode among the group of electrode fingers of the first IDT electrode is the first electrode finger closer to the first IDT electrode than the central portion in the first direction of the electrode finger closest to the second IDT electrode.
  • the width in two directions includes a large wide part.
  • the first IDT electrode regarding the electrode finger closest to the second IDT electrode, the second direction of the center line of the central portion along the first direction and the outer edge of the wide portion on the second IDT electrode side
  • the first distance which is the maximum distance is shorter than the second distance which is the maximum distance in the second direction between the center line of the central portion and the outer edge of the wide portion opposite to the second IDT electrode.
  • An elastic wave device includes a first terminal, a second terminal, a piezoelectric portion, and a plurality of IDT electrodes.
  • the second terminal has a potential lower than the potential of the first terminal.
  • the plurality of IDT electrodes are provided on the piezoelectric portion and are electrically connected to the first terminal and the second terminal.
  • Each of the plurality of IDT electrodes has a first bus bar, a second bus bar, a plurality of first electrode fingers, and a plurality of second electrode fingers.
  • the second bus bar is opposed to the first bus bar in a first direction.
  • the plurality of first electrode fingers are connected to the first bus bar and extend from the first bus bar to the second bus bar in the first direction.
  • the plurality of second electrode fingers are connected to the second bus bar and extend from the second bus bar to the first bus bar in the first direction.
  • the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers are spaced apart from one another in a second direction orthogonal to the first direction.
  • Each of the first bus bar and the second bus bar includes an opening, an inner bus bar portion, an outer bus bar portion, and a connection portion.
  • the inner bus bar portion is positioned closer to the electrode finger group including the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers than the opening in the first direction.
  • the outer bus bar portion is located opposite to the inner bus bar portion as viewed from the opening in the first direction.
  • the connecting portion connects the inner bus bar portion and the outer bus bar portion in the first direction.
  • Each of the plurality of first electrode fingers and at least one electrode finger of each of the plurality of second electrode fingers is wider than the central portion of the at least one electrode finger in the first direction.
  • one of two IDT electrodes adjacent to each other in the second direction among the plurality of IDT electrodes is a first IDT electrode and the other is a second IDT electrode
  • one of the electrode fingers closest to the first IDT electrode among the group of electrode fingers of the second IDT electrode is connected to the first terminal, and the other is connected to the second terminal.
  • the electrode finger closest to the second IDT electrode does not have the wide width portion, and at least one of the electrode fingers other than the electrode finger closest to the second IDT electrode has the wide width portion.
  • the elastic wave device of the present invention can improve the ESD resistance while suppressing the inhibition of the piston mode.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a part of the above elastic wave device.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the elastic wave device of the above, taken along line AA of FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged view of an essential part of the elastic wave device of the above.
  • FIG. 5 is a schematic explanatory view of the velocity distribution in the first direction of the speed of sound of the elastic wave propagating in the elastic wave propagation direction (second direction) in the elastic wave device mentioned above.
  • FIG. 6 is an explanatory view of the charge distribution of the elastic wave device of the above.
  • FIG. 7 is a plan view of a portion of an elastic wave device according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is an enlarged view of an essential part of the above-mentioned elastic wave device.
  • FIG. 9 is an enlarged view of a main part of an elastic wave device according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is an enlarged view of a main part of an elastic wave device according to a third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a plan view of a part of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is an enlarged view of an essential part of the above-mentioned elastic wave device.
  • FIG. 13 is an enlarged view of a main part of an elastic wave device according to a first modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a principal part enlarged view of the elastic wave apparatus based on the modification 2 of Embodiment 2 of this invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a third modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a fourth modification of the second embodiment of the present invention.
  • first and second embodiments, etc. are all schematic views, and the ratio of the size and thickness of each component in the figure necessarily reflects the actual dimensional ratio. Not necessarily.
  • the elastic wave device 1 includes a first terminal (for example, signal terminal) 11, a second terminal (for example, ground terminal) 12, and a piezoelectric portion 24. And a plurality of (three) IDT (Interdigital Transducer) electrodes 3.
  • the second terminal 12 has a potential lower than that of the first terminal 11. Therefore, the first terminal 11 has a potential higher than that of the second terminal 12.
  • the first terminal 11 and the second terminal 12 are provided on the piezoelectric portion 24.
  • “provided on the piezoelectric body portion 24” means directly provided on the piezoelectric body portion 24 and indirectly provided on the piezoelectric body portion 24. including.
  • the elastic wave device 1 is provided with a plurality (three) of the second terminals 12, but it may be provided with at least one.
  • the piezoelectric portion 24 is formed of a piezoelectric material.
  • the IDT electrode 3 is provided on the piezoelectric portion 24.
  • “provided on the piezoelectric body portion 24” means directly provided on the piezoelectric body portion 24 and indirectly provided on the piezoelectric body portion 24.
  • the elastic wave device 1 according to the first embodiment is a longitudinally coupled resonator type filter.
  • the elastic wave device 1 further comprises two reflectors 8.
  • the elastic wave device 1 according to the first embodiment is provided with a first terminal (for example, signal terminal) 11 and a second terminal (for example, ground terminal) 12.
  • the second terminal 12 has a potential lower than the potential of the first terminal 11.
  • the elastic wave device 1 according to the first embodiment electrically connects the IDT electrode 3 and the second terminal 12 to the first wiring layer 13 electrically connecting the IDT electrode 3 and the first terminal 11. And a second wiring layer 14 connected thereto.
  • the symbol “H” is indicated on the portion (high potential side portion) electrically connected to the first terminal 11 in the first terminal 11 and the IDT electrode 3, and the second terminal 12
  • the symbol “E” is written on the portion (low potential side portion) electrically connected to the second terminal 12 in the IDT electrode 3.
  • the high potential side portion and the low potential side portion have different potentials.
  • the high potential side portion is a portion which has a higher potential than the low potential side portion.
  • the notations "H” and “E” are not codes, nor are they actually present.
  • the elastic wave device 1 has two first terminals 11 and two second terminals 12. When the two first terminals 11 are distinguished, one is referred to as a first terminal 11A, and the other is referred to as a first terminal 11B. Moreover, when distinguishing two 2nd terminals 12, one is called 2nd terminal 12A, and the other is called 2nd terminal 12B. In FIG. 1 and FIG.
  • each IDT electrode 3 and each reflector 8 are hatched with dots, but these hatchings do not represent a cross section, and each IDT electrode 3 and each reflector 8 and a piezoelectric material are not shown. It is merely attached to make the relationship with the part 24 intelligible. Further, in FIG. 1, the hatching of dots is given to the first terminal 11, the second terminal 12, the first wiring layer 13 and the second wiring layer 14, but these hatchings do not represent a cross section, In order to make the relationship between the first terminal 11, the second terminal 12, the first wiring layer 13, the second wiring layer 14 and the piezoelectric portion 24 intelligible, it is merely attached.
  • the piezoelectric portion 24 is a piezoelectric film, and the plurality of IDT electrodes 3 are provided on the laminated substrate 2 having the piezoelectric portion 24.
  • the laminated substrate 2 is a piezoelectric substrate having piezoelectricity at least in part.
  • the stacked substrate 2 includes a high sound velocity support substrate 21, a low sound velocity film 23, and a piezoelectric portion 24.
  • the high sound velocity support substrate 21 the sound velocity of the bulk wave propagating is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric body portion 24.
  • the low sound velocity film 23 is formed on the high sound velocity support substrate 21.
  • “provided on the high sound velocity support substrate 21” means provided directly on the high sound velocity support substrate 21 and indirectly provided on the high sound velocity support substrate 21. Including cases.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating is slower than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric body portion 24.
  • the piezoelectric portion 24 is provided on the low sound velocity film 23.
  • “provided on the low sound velocity film 23” means directly provided on the low sound velocity film 23 and indirectly provided on the low sound velocity film 23. including.
  • the piezoelectric body portion 24 is indirectly provided on the high sound velocity support substrate 21.
  • the low sound velocity film 23 is provided between the high sound velocity support substrate 21 and the piezoelectric body portion 24, whereby the sound velocity of the elastic wave is lowered.
  • Elastic waves are essentially concentrated in low sound velocity media. Accordingly, in the elastic wave device 1, the effect of confining elastic wave energy in the piezoelectric body portion 24 and in the IDT electrode 3 in which the elastic wave is excited can be enhanced. Therefore, in the elastic wave device 1, the loss can be reduced and the Q value can be increased as compared with the case where the low sound velocity film 23 is not provided.
  • the piezoelectric portion 24 is made of, for example, lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), zinc oxide (ZnO), aluminum nitride (AlN), or lead zirconate titanate (PZT).
  • LiTaO 3 lithium tantalate
  • LiNbO 3 lithium niobate
  • ZnO zinc oxide
  • AlN aluminum nitride
  • PZT lead zirconate titanate
  • the high sound velocity support substrate 21 supports a laminate including the low sound velocity film 23 and the piezoelectric portion 24.
  • the high sound velocity support substrate 21 has a first main surface 211 and a second main surface 212 opposite to each other in the thickness direction.
  • the first major surface 211 and the second major surface 212 face each other.
  • the plan view shape of the high sound velocity support substrate 21 (the outer peripheral shape when the high sound velocity support substrate 21 is viewed from the thickness direction) is a rectangular shape, but it is not limited to a rectangular shape, and may be a square shape, for example.
  • the thickness of the high sound velocity support substrate 21 is, for example, 120 ⁇ m.
  • the material of the high sound velocity support substrate 21 is silicon.
  • the high sound velocity support substrate 21 is not limited to silicon, and for example, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric material such as quartz, alumina, zirconia, cordierite, mullite It may be formed of any of various ceramics such as steatite and forsterite, magnesia diamond, or a material containing the above-described materials as a main component, or a material containing a mixture of the above-described materials as a main component.
  • the low sound velocity film 23 is made of silicon oxide, glass, silicon oxynitride, tantalum oxide, a compound obtained by adding fluorine or carbon or boron to silicon oxide, or a material containing any of the above-described materials as a main component.
  • the temperature characteristics can be improved.
  • the elastic constant of lithium tantalate (LiTaO 3 ) has negative temperature characteristics, and silicon oxide has positive temperature characteristics. Therefore, in the elastic wave device 1, the absolute value of the temperature coefficient of frequency (TCF) can be reduced.
  • the intrinsic acoustic impedance of silicon oxide is less than that of lithium tantalate (LiTaO 3 ). Therefore, in the elastic wave device 1, both the increase of the electromechanical coupling coefficient, that is, the expansion of the specific band, and the improvement of the frequency temperature characteristic can be achieved.
  • the thickness of the piezoelectric body portion 24 is preferably 3.5 ⁇ or less, where ⁇ is the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger cycle of the IDT electrode 3. The reason is that the Q value is high.
  • the frequency temperature characteristic is improved by setting the thickness of the piezoelectric portion 24 to 2.5 ⁇ or less.
  • the sound speed can be easily adjusted by setting the thickness of the piezoelectric portion 24 to 1.5 ⁇ or less.
  • the thickness of the piezoelectric portion 24 is, for example, 600 nm.
  • the thickness of the low sound velocity film 23 is preferably 2.0 ⁇ or less, where ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode finger cycle of the IDT electrode 3.
  • the film stress can be reduced by setting the thickness of the low sound velocity film 23 to 2.0 ⁇ or less, and as a result, the warp of the wafer which is the basis of the high sound velocity support substrate 21 at the time of manufacturing It becomes possible to reduce, it becomes possible to improve the non-defective rate and to stabilize the characteristics.
  • the thickness of the low sound velocity film 23 is, for example, 600 nm.
  • the two reflectors 8 are provided on the piezoelectric portion 24. More specifically, the two reflectors 8 are provided on one main surface 241 of the piezoelectric portion 24. Here, the two reflectors 8 are disposed one by one on the opposite side to the middle IDT electrode 3 in each of the IDT electrodes 3 on both sides of the three IDT electrodes 3 in the second direction D2.
  • the three IDT electrodes 3 are distinguished, one of the two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 among the plurality of IDT electrodes 3 is the IDT electrode 3A, and the other is the IDT electrode 3B. It is also called.
  • the middle IDT electrode 3 among the three IDT electrodes 3 is referred to as an IDT electrode 3A, and the IDT electrodes 3 at both ends are referred to as an IDT electrode 3B.
  • Each of the two reflectors 8 reflects an elastic wave.
  • Each of the two reflectors 8 is a grating reflector.
  • Each of the two reflectors 8 has a plurality of electrode fingers 9 and shorts one end and the other end of the plurality of electrode fingers 9 in the first direction D1.
  • each of the two reflectors 8 is depicted with a reduced number of electrode fingers 9 for the sake of clarity.
  • the IDT electrode 3 is made of aluminum (Al), copper (Cu), platinum (Pt), gold (Au), silver (Ag), titanium (Ti), nickel (Ni), chromium It can be formed of an appropriate metal material such as (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), or an alloy mainly composed of any of these metals.
  • the IDT electrode 3 may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are stacked. The thickness of the IDT electrode 3 is, for example, 150 nm.
  • the three IDT electrodes 3 are arranged in the second direction D2.
  • Each of the three IDT electrodes 3 has a first bus bar 4, a second bus bar 5, a plurality of first electrode fingers 6, and a plurality of second electrode fingers 7.
  • the first bus bar 4 and the second bus bar 5 are opposed to each other in the first direction D1 orthogonal to the thickness direction (vertical direction in FIG. 3) of the piezoelectric portion 24. That is, the second bus bar 5 faces the first bus bar 4 in the first direction D1.
  • the first bus bar 4 and the second bus bar 5 are long with a second direction D2 orthogonal to the first direction D1 as a longitudinal direction.
  • a second direction D2 orthogonal to the first direction D1 as a longitudinal direction.
  • the second direction D2 is a direction along the propagation direction of the elastic wave.
  • the second direction D2 is also orthogonal to the thickness direction of the piezoelectric portion 24.
  • the plurality of first electrode fingers 6 are connected to the first bus bar 4 and extend from the first bus bar 4 to the second bus bar 5 in the first direction D1.
  • the plurality of first electrode fingers 6 extend from the first bus bar 4 along the direction orthogonal to the longitudinal direction of the first bus bar 4. That is, the plurality of first electrode fingers 6 extend along the direction orthogonal to the propagation direction of the elastic wave.
  • the plurality of first electrode fingers 6 and the second bus bar 5 are separated, and a gap 31 is formed between the first electrode finger 6 and the second bus bar 5 opposed in the first direction D1.
  • the length of the gap 31 in the first direction D1 is, for example, 0.5 ⁇ or less.
  • the plurality of second electrode fingers 7 are connected to the second bus bar 5 and extend from the second bus bar 5 to the first bus bar 4 in the first direction D1.
  • the plurality of second electrode fingers 7 extend from the second bus bar 5 along the direction orthogonal to the longitudinal direction of the second bus bar 5. That is, the plurality of second electrode fingers 7 extend in the direction orthogonal to the propagation direction of the elastic wave.
  • the plurality of second electrode fingers 7 and the first bus bar 4 are separated, and a gap 32 is formed between the second electrode finger 7 and the first bus bar 4 opposed in the first direction D 1. There is.
  • the length of the gap 32 in the first direction D1 is, for example, 0.5 ⁇ or less.
  • the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 are alternately arranged one by one alternately in the second direction D 2 orthogonal to the first direction D 1. Therefore, the 1st electrode finger 6 and the 2nd electrode finger 7 which adjoin in the 2nd direction D2 are separated.
  • the first bus bar 4 includes an opening 40, an inner bus bar portion 42, an outer bus bar portion 41, and a connecting portion 43.
  • the inner bus bar portion 42 is located closer to the electrode finger side including the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 than the opening 40 in the first direction D1.
  • the outer bus bar portion 41 is located on the opposite side of the inner bus bar portion 42 as viewed from the opening 40 in the first direction D1. That is, the outer bus bar portion 41 is located on the side opposite to the side where the plurality of first electrode fingers 6 exist in the first direction D1.
  • the connecting portion 43 connects the inner bus bar portion 42 and the outer bus bar portion 41 in the first direction D1.
  • the connecting portions 43 are located on both sides of the opening 40 in the second direction D2.
  • the connecting portion 43 has the same width as the central portion 60 of the first electrode finger 6 in the first direction D 1, and is located on the extension of the first electrode finger 6.
  • the dimensions of the connecting portion 43 and the arrangement of the connecting portion 43 are not limited to this.
  • the opening shape of the opening part 40 is a rectangular shape, it is not restricted to this.
  • the width of the inner bus bar portion 42 in the first direction D1 is, for example, 0.5 ⁇ or less.
  • the length of the connecting portion 43 in the first direction D1 is, for example, 2.0 ⁇ .
  • the plurality of openings 40 are, for example, aligned at substantially equal intervals in the second direction D2.
  • the opening width of the opening 40 in the second direction D2 is, for example, the same as the distance between the central portions 60 of the two adjacent first electrode fingers 6 in the second direction D2.
  • the distance between two adjacent openings 40 in the second direction D2 is, for example, the same as the width of the central portion 60 of the first electrode finger 6 in the second direction D2.
  • the second bus bar 5 includes an opening 50, an inner bus bar portion 52, an outer bus bar portion 51, and a connecting portion 53.
  • the inner bus bar portion 52 is located closer to the electrode finger side including the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 than the opening 50 in the first direction D1.
  • the outer bus bar portion 51 is located on the opposite side to the inner bus bar portion 52 as viewed from the opening 50 in the first direction D1. That is, the outer bus bar portion 51 is located on the side opposite to the side where the plurality of second electrode fingers 7 exist in the first direction D1.
  • the connecting portion 53 connects the inner bus bar portion 52 and the outer bus bar portion 51 in the first direction D1.
  • the connecting portions 53 are located on both sides of the opening 50 in the second direction D2.
  • the connecting portion 53 has the same width as the central portion 70 of the second electrode finger 7 in the first direction D1 and is located on the extension of the second electrode finger 7.
  • the dimensions of the connecting portion 53 and the arrangement of the connecting portion 53 are not limited to this.
  • the opening shape of the opening part 50 is a rectangular shape, it is not restricted to this.
  • the width of the inner bus bar portion 52 in the first direction D1 is, for example, 0.5 ⁇ or less.
  • the length of the connecting portion 53 in the first direction D1 is, for example, 2.0 ⁇ .
  • the second bus bar 5 includes a plurality of openings 50
  • the number of the second electrode fingers 7 is reduced in FIGS. 1 and 2 to make it easier to see in the drawings. Only one is illustrated.
  • the plurality of openings 50 are, for example, aligned at substantially equal intervals in the second direction D2. 1 and 2, the opening width of the opening 50 in the second direction D2 is, for example, the same as the distance between the central portions 70 of two adjacent second electrode fingers 7 in the second direction D2. Further, as described above, although only one opening 50 is illustrated in FIGS. 1 and 2, the distance between two adjacent openings 50 in the second direction D2 is, for example, the first in the second direction D2. The width is the same as the width of the central portion 70 of the two-electrode finger 7.
  • each of the plurality of first electrode fingers 6 has the same length.
  • the tip portion 61 of each of the plurality of first electrode fingers 6 includes a wide portion 62 whose width in the second direction D2 is larger than the central portion 60 of the first electrode finger 6 in the first direction D1.
  • each of the plurality of first electrode fingers 6 includes a wide width portion 64 (see FIG. 2) separately from the wide width portion 62.
  • the wide width portion 64 is formed between the base end portion 63 (see FIG. 2) on the opposite side to the tip end portion 61 of the first electrode finger 6 and the central portion 60.
  • the width in the second direction D2 is larger than the central portion 60 in the direction D1.
  • the wide portion 64 is separated from the first bus bar 4 in the first direction D1.
  • a portion between the wide width portion 62 and the wide width portion 64 in the first direction D ⁇ b> 1 constitutes a central portion 60.
  • the central portion 60 is longer than the wide portions 62 and 64 in the first direction D ⁇ b> 1.
  • the plurality of first electrode fingers 6 have the same central portion 60 width. Further, in each of the plurality of first electrode fingers 6, the width of the wide portion 62 of the distal end portion 61 is the same as the width of the wide portion 64 on the base end portion 63 side.
  • the shape of the wide portions 62 and 64 is rectangular, but is not limited to this, and may be, for example, hexagonal or circular.
  • each of the plurality of second electrode fingers 7 has the same length.
  • the tip end portion 71 of each of the plurality of second electrode fingers 7 includes a wide width portion 72 whose width in the second direction D2 is larger than the central portion 70 in the first direction D1 of the second electrode finger 7.
  • Each of the plurality of second electrode fingers 7 includes a wide width portion 74 (see FIG. 2) separately from the wide width portion 72.
  • the wide width portion 74 is formed between the base end portion 73 (see FIG. 2) on the opposite side to the tip end portion 71 of the second electrode finger 7 and the central portion 70.
  • the width in the second direction D2 is larger than the central portion 70 in the direction D1.
  • the wide portion 74 is separated from the second bus bar 5 in the first direction D1.
  • a portion between the wide width portion 72 and the wide width portion 74 in the first direction D ⁇ b> 1 constitutes the central portion 70.
  • the central portion 70 is longer than the wide portions 72, 74 in the first direction D1.
  • the plurality of second electrode fingers 7 have the same central portion 70 width. Further, in each of the plurality of second electrode fingers 7, the width of the wide portion 72 of the distal end portion 71 is the same as the width of the wide portion 74 on the proximal end portion 73 side.
  • the shape of the wide portions 72 and 74 is a rectangular shape, but is not limited thereto, and may be, for example, a hexagonal shape, a circular shape, or the like.
  • the wide width portions 62 of the tip portions 61 of the plurality of first electrode fingers 6 and the wide width portions 74 on the base end portion 73 side of the second electrode fingers 7 are one each in the second direction D2. They are alternately spaced apart from one another. Further, in the IDT electrode 3, the wide width portion 64 on the base end 63 side of the plurality of first electrode fingers 6 and the wide width portion 72 of the distal end portion 71 of the second electrode finger 7 are 1 in the second direction D2. They are alternately spaced apart from one another.
  • the electrode finger cycle of the IDT electrode 3 is twice the distance between the corresponding sides of the central portion 60 of the adjacent first electrode finger 6 and the central portion 70 of the second electrode finger 7.
  • the electrode finger cycle of the IDT electrode 3 is the same even if it is defined by the distance between the center lines 6X (see FIG. 4) of the two first electrode fingers 6 adjacent in the second direction D2 among the plurality of first electrode fingers 6 It becomes a value. Further, the electrode finger cycle of the IDT electrode 3 is defined by the distance between the center lines 7X (see FIG. 4) of the two second electrode fingers 7 adjacent in the second direction D2 among the plurality of second electrode fingers 7 Is the same value.
  • the elastic wave device 1 has a structure that suppresses transverse mode ripple by forming a piston mode in the IDT electrode 3. This point will be described with reference to FIG.
  • the elastic wave device 1 includes resonators as many as the IDT electrodes 3. Each of the three resonators includes an IDT electrode 3.
  • the elastic wave device 1 relates to a resonator including a laminate of a part of the piezoelectric portion 24 and the IDT electrode 3, as shown on the left side of FIG. In a plan view from the thickness direction of the wave device 1), it includes eleven regions A1 to A11 in the first direction D1. The eleven regions A1 to A11 include portions different from each other in the piezoelectric portion 24 and the IDT electrode 3, respectively.
  • the velocity (sound velocity) of the elastic wave propagating through the 11 regions A1 to A11 is schematically shown.
  • a region A6 located at the center in the first direction D1 among the above-mentioned 11 regions A1 to A11 constitutes a central region.
  • the central region includes central portions 60 of the plurality of first electrode fingers 6 and central portions 70 of the plurality of second electrode fingers 7.
  • the central region is a region where central portions 60 of the plurality of first electrode fingers 6 and central portions 70 of the plurality of second electrode fingers 7 overlap in the second direction D2.
  • a value obtained by dividing the electrode finger width (the width of each of the central portion 60 of the first electrode finger 6 and the central portion 70 of the second electrode finger) by half the value of the above electrode finger cycle (duty ratio ) Is, for example, 0.5.
  • the regions A1 and A11 located at each end of the first direction D1 constitute an outer bus bar region.
  • the area A1 includes the outer bus bar portion 41 of the first bus bar 4.
  • Region A 11 includes outer bus bar portion 51 of second bus bar 5.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is slower than in the central region.
  • the regions A2 and A10 which are positioned second from the both ends in the first direction D1, constitute a connection region.
  • the region A2 includes the plurality of connecting portions 43 of the first bus bar 4 and the plurality of openings 40.
  • the area A ⁇ b> 10 includes the plurality of connecting portions 53 of the second bus bar 5 and the plurality of openings 50.
  • the connection region the acoustic velocity of the elastic wave is faster than in the outer bus bar region and the central region.
  • the regions A3 and A9 which are the third from the both ends in the first direction D1 among the above-mentioned 11 regions A1 to A11, constitute an inner bus bar region.
  • Region A3 includes inner bus bar portion 42 of first bus bar 4.
  • Region A 9 includes inner bus bar portion 52 of second bus bar 5.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is slower than in the central region.
  • the regions A4 and A8, which are the fourth from the both ends of the first direction D1 among the 11 regions A1 to A11, constitute a gap region.
  • the region A4 includes the proximal end portions 63 of the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of gaps 32.
  • the region A ⁇ b> 8 includes the proximal end portions 73 of the plurality of second electrode fingers 7 and the plurality of gaps 31.
  • the acoustic velocity of the elastic wave is faster than in the inner bus bar region and the central region.
  • regions A5 and A7 positioned fifth from the both ends of the first direction D1 out of the above-mentioned 11 regions A1 to A11 constitute a wide region.
  • the region A5 includes wide portions 64 of the plurality of first electrode fingers 6 and wide portions 72 of the plurality of second electrode fingers 7.
  • the region A ⁇ b> 7 includes wide portions 62 of the plurality of first electrode fingers 6 and wide portions 74 of the plurality of second electrode fingers 7. In the wide region, the acoustic velocity of the elastic wave is slower than in the central region.
  • the IDT electrode 3 since the IDT electrode 3 is configured as described above, low sound velocity regions (regions A5, A3 and regions A7, A9) are provided outside the central region (region A6), and low sound velocity The high sound velocity area A2 and the area A10 exist outside the area. Therefore, in the elastic wave device 1, it is possible to form a piston mode, and it is possible to effectively suppress the transverse mode ripple.
  • FIG. 4 shows the first electrode finger 6 located at the left end of the IDT electrode 3A in the middle of FIGS. 1 and 2, and the IDT electrode on the left of FIGS. It is an enlarged view containing the 1st electrode finger 6 located in the right end of 3B.
  • the high potential side portion in which the symbol “H” is written in FIGS. 1, 2 and 4 and the low potential side portion in which the symbol “E” is written have different potentials.
  • the first electrode finger 6 located at the left end of the IDT electrode 3A and the first electrode finger 6 located at the right end of the IDT electrode 3B have different potentials. Further, in FIG.
  • the first electrode finger 6 located at the left end of the IDT electrode 3A and the second bus bar 5 of the IDT electrode 3A adjacent to the first electrode finger 6 have different potentials. Further, in FIG. 4, the first electrode finger 6 located at the right end of the IDT electrode 3B and the second bus bar 5 of the IDT electrode 3B adjacent to the first electrode finger 6 have different potentials. Further, the second bus bar 5 of the IDT electrode 3A and the second bus bar 5 of the IDT electrode 3B have different potentials.
  • FIG. 6 shows the charge distribution on the surface of the elastic wave device 1 according to the first embodiment (including the surfaces of the three IDT electrodes 3 and one main surface 241 of the piezoelectric portion 24).
  • the precondition of the charge distribution shown in FIG. 6 is that the excitation phenomenon of the surface acoustic wave has occurred in the area related to the IDT electrode 3A and the area related to the IDT electrode 3B, the area related to the IDT electrode 3A and the IDT electrode 3B
  • the regions are connected to different electrical terminals (the first terminal 11A and the first terminal 11B), the reflector 8 is electrically shorted (is a shorted grating), and the reflector 8 is concerned
  • the excitation phenomenon of the surface acoustic wave does not occur in the region (the reflector 8 is electrically shorted, so that the driving voltage causing the piezoelectric effect is zero).
  • An edge effect (also referred to as an edge effect) occurs in the boundary region between the region in which the surface acoustic wave is excited and the region in which the excitation is not generated.
  • the edge effect also occurs in the boundary regions of two regions which are different from each other like excitation of surface acoustic waves. Due to the edge effect, the amount of charge in the same boundary region is locally larger than the amount of charge in the peripheral region of the same boundary region. Edge effects can occur, in principle, at different boundary regions, if the excitations of the surface acoustic waves differ from one another.
  • the amount of charge of the light-emitting diode is larger than the amount of charge at the center of the IDT electrode 3. For this reason, in the elastic wave device 1, for example, the density of electric lines of force between the adjacent IDT electrodes 3 tends to be large.
  • the first distance L1 is the maximum distance in the second direction D2 between the center line 6X of the central portion 60 along the first direction D1 and the outer edge 621 on the second IDT electrode side of the wide portion 62.
  • the second distance L2 is the maximum distance in the second direction D2 between the center line 6X and the outer edge 622 opposite to the second IDT electrode of the wide portion 62. Assuming that the width in the second direction D2 of the central portion 60 of the first electrode finger 6 is W0, the first distance L1 and the second distance L2 are both longer than W0 / 2.
  • IDT electrode 3A is a first IDT electrode in a pair of two adjacent IDT electrodes 3
  • IDT electrode 3B is a second IDT electrode
  • IDT electrode 3B is a first IDT electrode.
  • the IDT electrode 3A is a second IDT electrode.
  • two wide portions 62 of the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode project in opposite directions in the second direction D2 from a portion 620 overlapping the central portion 60 in the first direction D1.
  • the protrusions 6210 and 6220 are included (see FIG. 4).
  • the protrusion 6210 protrudes to the second IDT electrode side more than the central portion 60 in the second direction D2.
  • the protrusion 6220 protrudes to the second electrode finger 7 side opposite to the second IDT electrode side with respect to the central portion 60 in the second direction D2.
  • the third distance which is the maximum distance
  • the fourth distance which is the maximum distance in the second direction D2 from the outer edge of the wide portion 64 opposite to the second IDT electrode.
  • the third distance is the same as the first distance L1.
  • the fourth distance is the same as the second distance L2.
  • the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode has an asymmetric shape based on the center line 6X.
  • the shape of the wide width portion 64 is the same as the shape of the wide width portion 62.
  • the other IDT electrode 3 in the second direction D2 of a group of electrode fingers including a plurality of first electrode fingers 6 and a plurality of second electrode fingers 7
  • the closest first electrode finger 6 is located more inward in the second direction D2 than the second bus bar 5.
  • the first electrode fingers 6 other than the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode are the center line 6X of the central portion 60 along the first direction D1.
  • the shape is line symmetrical with respect to.
  • the first electrode fingers 6 other than the first electrode finger 6 closest to the first IDT electrode are the center line 6X of the central portion 60 along the first direction D1.
  • the shape is line symmetrical with respect to.
  • one of the center line 6 X of the central portion 60 along the first direction D 1 and one of the wide portions 62 A distance from the outer edge of the second portion in the second direction D2 and a distance between the center line 6X and the other outer edge of the wide portion 62 in the second direction D2 are the same as the second distance L2.
  • the width (first distance L1 + second distance L2) in the second direction D2 of the wide portion 62 of the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode among the plurality of first electrode fingers 6 is The width of the wide portion 62 of the other first electrode finger 6 is narrower than the width in the second direction D2.
  • each of the plurality of second electrode fingers 7 has a line symmetrical shape based on the center line 7X (see FIG. 4) of the central portion 70 along the first direction D1. Further, in the second IDT electrode, each of the plurality of second electrode fingers 7 has a line symmetrical shape with reference to the center line 7X of the central portion 70 along the first direction D1. In each of the plurality of second electrode fingers 7, the distance between the center line 7X of the central portion 70 along the first direction D1 and the outer edge of one of the wide portions 72 in the second direction D2, and the center line 7X The distance in the second direction D2 from the other outer edge of the width portion 72 is the same as the second distance L2.
  • the elastic wave device 1 includes the first terminal 11, the second terminal 12, the piezoelectric portion 24, and the plurality of IDT electrodes 3.
  • the second terminal 12 has a potential lower than that of the first terminal 11.
  • the plurality of IDT electrodes 3 are provided on the piezoelectric body portion 24 and are electrically connected to the first terminal 11 and the second terminal 12.
  • Each of the plurality of IDT electrodes 3 has a first bus bar 4, a second bus bar 5, a plurality of first electrode fingers 6, and a plurality of second electrode fingers 7.
  • the second bus bar 5 is opposed to the first bus bar 4 in the first direction D1.
  • the plurality of first electrode fingers 6 are connected to the first bus bar 4 and extend from the first bus bar 4 to the second bus bar 5 in the first direction D1.
  • the plurality of second electrode fingers 7 are connected to the second bus bar 5 and extend from the second bus bar 5 to the first bus bar 4 in the first direction D1.
  • the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 are arranged separately from each other in a second direction D2 orthogonal to the first direction D1.
  • Each of the first bus bar 4 and the second bus bar 5 includes openings 40 and 50, inner bus bars 42 and 52, outer bus bars 41 and 51, and connecting parts 43 and 53.
  • the inner bus bar portions 42 and 52 are positioned closer to the electrode finger group including the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 than the openings 40 and 50 in the first direction D1.
  • the outer bus bar portions 41 and 51 are located on the side opposite to the inner bus bar portions 42 and 52 as viewed from the openings 40 and 50 in the first direction D1.
  • the coupling portions 43 and 53 couple the inner bus bar portions 42 and 52 and the outer bus bar portions 41 and 51 in the first direction D1.
  • the second IDT electrode is the most out of the electrode fingers of the first IDT electrode.
  • first electrode finger 6 and the electrode finger (first electrode finger 6) closest to the first IDT electrode among the group of electrode fingers of the second IDT electrode is connected to the first terminal 11, The other is connected to the second terminal 12.
  • first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode is closer to the second direction D2 than the central portion 60 of the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode in the first direction D1. Includes a wide portion 62 having a large width.
  • the second direction of the center line 6X of the central portion 60 along the first direction D1 and the outer edge 621 on the second IDT electrode side of the wide portion 62 The first distance L1 which is the maximum distance at D2 is shorter than the second distance L2 which is the maximum distance in the second direction D2 between the center line 6X and the outer edge 622 opposite to the second IDT electrode of the wide portion 62.
  • the IDT electrode 3 since the IDT electrode 3 has the above-described configuration, it is possible to suppress the inhibition of the piston mode.
  • the adjacent IDT electrodes 3 It is possible to suppress surge damage due to ESD in Specifically, in the elastic wave device 1 according to the first embodiment, it is possible to suppress the occurrence of an ESD and surge breakdown between the first electrode fingers 6 of the IDT electrodes 3 of adjacent resonators. . Therefore, in the elastic wave device 1 according to the first embodiment, it is possible to improve the ESD resistance while suppressing the inhibition of the piston mode.
  • the elastic wave device 1 in the first IDT electrode, only the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode has a width in the second direction D2 of the wide portion 62 larger than the other first electrode fingers 6 By making the width 62 smaller than the width in the second direction D2, the ESD resistance can be improved. Thus, in the elastic wave device 1 according to the first embodiment, it is possible to improve the ESD resistance while further suppressing the inhibition of the piston mode.
  • the shapes of the wide portions 62, 64 of the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode (IDT electrode 3B or 3A) Is different from the elastic wave device 1 according to the first embodiment.
  • the same components as those of the elastic wave device 1 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be appropriately omitted.
  • the elastic wave device 1 for example, as shown in FIG. 4, in the first IDT electrode (IDT electrode 3A or 3B), the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode (IDT electrode 3B or 3A)
  • the wide portion 62 includes two protrusions 6210 and 6220 protruding in opposite directions in the second direction D2.
  • the two protrusions 6210 and 6220 see FIG. 4
  • only the protrusion 6220 is included.
  • the first distance L1 is the center line 6X of the central portion 60 and the second IDT electrode side of the central portion 60 Is the same as the distance L01 in the second direction D2 with the outer edge 601 of
  • the elastic wave device 1a according to the first modification compared with the elastic wave device 1 according to the first embodiment, two first electrode fingers adjacent to each other between two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 The distance between 6 can be increased. Therefore, in the elastic wave device 1a according to the modification 1, compared to the elastic wave device 1 according to the first embodiment, the inhibition of the piston mode can be further suppressed, and the ESD resistance can be further improved.
  • the elastic wave device 1b according to the second modification only one of the two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 (IDT electrode 3A) is the other IDT electrode 3 (IDT electrode 3B).
  • the elastic wave device 1 according to the first embodiment is different from the elastic wave device 1 according to the first embodiment in that the first distance L1 is shorter than the second distance L2 with respect to the wide width portion 62 of the near first electrode finger 6.
  • the same components as those of the elastic wave device 1 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be appropriately omitted.
  • the other IDT electrode 3 (IDT electrode 3B) of the two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 is the closest to the one IDT electrode (IDT electrode 3A)
  • the first distance L1 is the same as the second distance L2 for the wide portion 62 of the one electrode finger 6.
  • the IDT electrode 3A is a first IDT electrode
  • the IDT electrode 3B is a second IDT electrode.
  • the first distance L1 is shorter than the second distance L2 with respect to the wide portion 62 of the first electrode finger 6 closest to the IDT electrode 3B in the IDT electrode 3A. Can improve ESD resistance while suppressing the In the elastic wave device 1b according to the second modification, the first distance L1 is the same as the second distance L2 with respect to the wide portion 62 of the first electrode finger 6 closest to the IDT electrode 3A in the first IDT electrode 3B. As compared with the elastic wave device 1 according to 1, the inhibition of the piston mode can be further suppressed.
  • an elastic wave device 1c according to the third modification only one of the two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 is the IDT electrode 3 (IDT electrode 3B), and the other IDT electrode 3 (IDT electrode 3A) is the most
  • the elastic wave device 1 according to the first embodiment is different from the elastic wave device 1 according to the first embodiment in that the first distance L ⁇ b> 1 is shorter than the second distance L ⁇ b> 2 in the wide width portion 62 of the close first electrode finger 6.
  • the same components as those of the elastic wave device 1 according to the first embodiment (see FIGS. 1 to 6) will be assigned the same reference numerals and explanation thereof will be omitted as appropriate.
  • the other IDT electrode 3 (IDT electrode 3A) of the two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 is the closest to the one IDT electrode (IDT electrode 3B)
  • the second distance L2 is shorter than the first distance L1 with respect to the wide portion 62 of the one electrode finger 6.
  • the IDT electrode 3B is a first IDT electrode
  • the IDT electrode 3A is a second IDT electrode.
  • the first distance L1 is shorter than the second distance L2 with respect to the wide portion 62 of the first electrode finger 6 closest to the IDT electrode 3A in the IDT electrode 3B. Can improve ESD resistance while suppressing the
  • the numbers of the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 in the IDT electrode 3 in each of the plurality of IDT electrodes 3 are not particularly limited.
  • the electrode fingers positioned at one end and the other end of the second direction D 2 among the group of electrode fingers are not limited to the first electrode finger 6.
  • the electrode finger located at one end of the second direction D2 may be the first electrode finger 6, and the electrode finger located at the other end may be the second electrode finger 7.
  • the electrode fingers located at one end and the other end of the second direction D2 of the group of electrode fingers may be the second electrode finger 7.
  • the electrode fingers of a group may have a configuration in which the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 are arranged separately in the second direction D2 orthogonal to the first direction D1.
  • a region where the first electrode finger 6 and the second electrode finger 7 are separated and aligned one by one, and the first electrode finger 6 or the second electrode finger 7 Two regions aligned in the direction D2 may be mixed.
  • at least one of the two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 is the IDT electrode 3 in the second direction D of the group of electrode fingers.
  • the first distance L1 is shorter than the second distance L2 for the wide portion of the electrode finger closest to.
  • the elastic wave device of any of the modifications it is possible to improve the ESD resistance while suppressing the inhibition of the piston mode.
  • at least one of the first electrode fingers 6 and the second electrode finger 7 has the wide portions 62 and 72. Just do it.
  • the elastic wave device 1d according to the second embodiment is the other IDT electrode 3 (IDT electrode 3B or IDT electrode 3A) in one IDT electrode 3 (IDT electrode 3A or IDT electrode 3B) of two adjacent IDT electrodes 3.
  • This is different from the elastic wave device 1 according to the first embodiment in that the width W01 of the tip portion 61 of the first electrode finger 6 closest to the second direction D2 is the same as the width W0 of the central portion 60.
  • the same components as those of the elastic wave device 1 according to the first embodiment (see FIGS. 1 to 6) will be assigned the same reference numerals and explanation thereof will be appropriately omitted.
  • the other IDT electrode 3 in one IDT electrode 3 (IDT electrode 3A or IDT electrode 3B) of two adjacent IDT electrodes 3
  • the first electrode finger 6 closest to the first electrode finger 6 does not have the wide portion 62 (see FIG. 2) at the tip portion 61.
  • the width W 01 of the tip portion 61 in the second direction D 2 is the same as the width W 0 of the central portion 60.
  • the first electrode finger 6 does not have the wide portion 64 (see FIG. 2).
  • the elastic wave device 1d includes the first terminal 11 (see FIG. 1), the second terminal 12 (see FIG. 1), the piezoelectric portion 24, and a plurality of IDT electrodes 3 And.
  • the second terminal 12 has a potential lower than that of the first terminal 11.
  • the plurality of IDT electrodes 3 are provided on the piezoelectric body portion 24 and are electrically connected to the first terminal 11 and the second terminal 12.
  • Each of the plurality of IDT electrodes 3 has a first bus bar 4, a second bus bar 5, a plurality of first electrode fingers 6, and a plurality of second electrode fingers 7.
  • the second bus bar 5 is opposed to the first bus bar 4 in the first direction D1.
  • the plurality of first electrode fingers 6 are connected to the first bus bar 4 and extend from the first bus bar 4 to the second bus bar 5 in the first direction D1.
  • the plurality of second electrode fingers 7 are connected to the second bus bar 5 and extend from the second bus bar 5 to the first bus bar 4 in the first direction D1.
  • the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 are arranged separately from each other in a second direction D2 orthogonal to the first direction D1.
  • Each of the first bus bar 4 and the second bus bar 5 includes openings 40 and 50, inner bus bars 42 and 52, outer bus bars 41 and 51, and connecting parts 43 and 53.
  • the inner bus bar portions 42 and 52 are positioned closer to the electrode finger group including the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 than the openings 40 and 50 in the first direction D1.
  • the outer bus bar portions 41 and 51 are located on the side opposite to the inner bus bar portions 42 and 52 as viewed from the openings 40 and 50 in the first direction D1.
  • the coupling portions 43 and 53 couple the inner bus bar portions 42 and 52 and the outer bus bar portions 41 and 51 in the first direction D1.
  • At least one of the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 is at least one of the first electrode fingers 6 and the second electrode fingers 7 in the second direction D2 than the central portions 60 and 70 in the first direction D1. It includes wide portions 62 and 72 having a large width.
  • the second IDT electrode is the most out of the electrode fingers of the first IDT electrode.
  • One of the near electrode finger (first electrode finger 6) and the electrode finger (first electrode finger 6) closest to the first IDT electrode among the group of electrode fingers of the second IDT electrode is connected to the first terminal 11, The other is connected to the second terminal 12.
  • the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode does not have the wide portion 62, and at least one of the first electrode fingers 6 other than the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode is thick. It has a width 62.
  • the elastic wave device 1d according to the second embodiment since the IDT electrode 3 has the above configuration, it is possible to suppress the inhibition of the piston mode.
  • the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode does not have the wide part 62 in the first IDT electrode, and the first electrode finger 6 closest to the second IDT electrode Since the wide portion 62 is provided in at least one of the first electrode fingers 6 other than the above, it is possible to suppress surge breakdown due to ESD at the adjacent IDT electrodes 3.
  • the elastic wave device 1d according to the second embodiment it is possible to suppress the occurrence of an ESD and surge breakdown between the first electrode fingers 6 of the IDT electrodes 3 of adjacent resonators. . Therefore, in the elastic wave device 1d according to the second embodiment, it is possible to improve the ESD resistance while suppressing the inhibition of the piston mode.
  • the elastic wave device 1e according to the modification 1 is the one of the two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 only with one IDT electrode 3 (IDT electrode 3B) and the other IDT electrode 3 (IDT electrode 3A)
  • a difference from the elastic wave device 1d according to the second embodiment is that the width W01 in the second direction D2 of the tip portion 61 of the near first electrode finger 6 is the same as the width W0 of the central portion 60.
  • the same components as those of the elastic wave device 1d according to the second embodiment (see FIGS. 11 and 12) will be assigned the same reference numerals and descriptions thereof will be appropriately omitted.
  • the other IDT electrode 3 (IDT electrode 3A) of the two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 is the closest to the one IDT electrode (IDT electrode 3B)
  • the second distance L2 is shorter than the first distance L1 with respect to the wide portion 62 of the one electrode finger 6.
  • the IDT electrode 3B is a first IDT electrode
  • the IDT electrode 3A is a second IDT electrode.
  • the tip portion 61 of the first electrode finger 6 closest to the IDT electrode 3B in the IDT electrode 3A has the wide width portion 62. Therefore, the elastic wave device according to the second embodiment Compared to 1d, the inhibition of the piston mode in the IDT electrode 3A can be further suppressed.
  • the elastic wave device 1f according to the second modification only one of the two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 (IDT electrode 3A) is the other IDT electrode 3 (IDT electrode 3B).
  • a difference from the elastic wave device 1d according to the second embodiment is that the width W01 in the second direction D2 of the tip portion 61 of the near first electrode finger 6 is the same as the width W0 of the central portion 60.
  • the same components as those of the elastic wave device 1d according to the second embodiment (see FIGS. 11 and 12) will be assigned the same reference numerals and descriptions thereof will be omitted as appropriate.
  • the other IDT electrode 3 (IDT electrode 3B) of the two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 is the closest to the one IDT electrode (IDT electrode 3A)
  • the first distance L1 is shorter than the second distance L2 with respect to the wide portion 62 of the one electrode finger 6.
  • the IDT electrode 3A is a first IDT electrode
  • the IDT electrode 3B is a second IDT electrode.
  • the tip portion 61 of the first electrode finger 6 closest to the IDT electrode 3A in the IDT electrode 3B has the wide width portion 62. Therefore, the elastic wave device according to the second embodiment Compared to 1d, the inhibition of the piston mode in the IDT electrode 3B can be further suppressed. Further, in the elastic wave device 1 f according to the second modification, compared with the elastic wave device 1 e according to the first modification, the shortest distance between adjacent first electrode fingers 6 of two adjacent IDT electrodes 3 may be increased. Since it can be done, ESD resistance can be improved.
  • the multilayer substrate 2g includes a high sound velocity film 22, a low sound velocity film 23, and a piezoelectric portion 24.
  • the high sound velocity film 22 is provided on the support substrate 20.
  • “provided on the support substrate 20” includes the case where the support substrate 20 is provided directly and the case where the support substrate 20 is provided indirectly.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric portion (piezoelectric film) 24.
  • the low sound velocity film 23 is provided on the high sound velocity film 22.
  • “provided on the high sound velocity film 22” means directly provided on the high sound velocity film 22 and indirectly provided on the high sound velocity film 22. including.
  • the low sound velocity film 23 the sound velocity of the bulk wave propagating is slower than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric body portion 24.
  • the piezoelectric portion 24 is provided on the low sound velocity film 23.
  • “provided on the low sound velocity film 23” means directly provided on the low sound velocity film 23 and indirectly provided on the low sound velocity film 23. including.
  • an elastic wave device 1g according to the third modification the same components as those of the elastic wave device 1d according to the second embodiment (see FIGS. 11 and 12) will be assigned the same reference numerals and descriptions thereof will be omitted.
  • various materials such as sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as quartz, alumina, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, forsterite, etc.
  • a dielectric such as ceramic or glass, or a semiconductor such as silicon or gallium nitride, a resin substrate, or the like can be used.
  • the high sound velocity film 22 functions so that the elastic wave does not leak to the structure below the high sound velocity film 22.
  • the energy of the elastic wave of a specific mode used to obtain the characteristics of the filter or the resonator is distributed over the entire piezoelectric portion 24 and the low sound velocity film 23, and a high sound velocity film It is also distributed to a part of the low sound velocity film 23 on the side 22 and not distributed to the support substrate 20.
  • the mechanism for confining the elastic wave by the high sound velocity film 22 is the same mechanism as the case of the love wave type surface wave which is a non-leaky SH wave, for example, the document "Introduction to surface acoustic wave device simulation technology", Kenya Hashimoto, Realize, p. 26-28.
  • the above mechanism is different from the mechanism that confines an elastic wave using a Bragg reflector with an acoustic multilayer film.
  • the high sound velocity film 22 is made of diamond like carbon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric material such as quartz, alumina, zirconia, cordierite, mullite, steer It is made of various ceramics such as tight and forsterite, magnesia diamond, or materials mainly composed of the above materials, and materials mainly composed of a mixture of the above materials.
  • the thickness of the high sound velocity film 22 is preferably as large as possible because the high sound velocity film 22 has a function of confining the elastic wave in the piezoelectric portion 24 and the low sound velocity film 23.
  • the elastic wave device 1g according to the third modification as in the elastic wave device 1d according to the second embodiment, it is possible to improve the ESD resistance while suppressing the inhibition of the piston mode.
  • the piezoelectric substrate constituting the piezoelectric body portion 24h is made of a 128 ° YX lithium niobate (LiNbO 3 ) substrate.
  • the piezoelectric substrate is, for example, a 50 ° Y-cut X-propagation lithium tantalate (LiTaO 3 ) piezoelectric single crystal or piezoelectric ceramic (lithium cut at a plane whose normal axis is rotated by 50 ° from the Y axis with the X axis as the central axis
  • the substrate may be a tantalum single crystal or a ceramic, which is a single crystal or a ceramic in which elastic waves propagate in the X-axis direction.
  • the elastic wave device 1h includes a plurality (three) of the plurality of (three) IDT electrodes 3, two reflectors 8, and one main surface 241h of the piezoelectric portion 24h. And a silicon oxide film covering an area not covered by the two reflectors 8.
  • the surface shape of the silicon oxide film is formed with irregularities corresponding to the shapes of the three IDT electrodes 3 and the two reflectors 8, respectively.
  • the elastic wave device 1 h according to the fourth modification as in the elastic wave device 1 d according to the second embodiment, it is possible to improve the ESD resistance while suppressing the inhibition of the piston mode.
  • the numbers of the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 in the IDT electrode 3 in each of the plurality of IDT electrodes 3 are not particularly limited.
  • the electrode fingers positioned at both ends in the second direction D ⁇ b> 2 among the group of electrode fingers are not limited to the case where the first electrode finger 6 is used.
  • the electrode finger located at one end of the second direction D2 may be the first electrode finger 6, and the electrode finger located at the other end may be the second electrode finger 7.
  • the electrode fingers located at one end and the other end of the second direction D2 of the group of electrode fingers may be the second electrode finger 7.
  • the electrode fingers of a group may have a configuration in which the plurality of first electrode fingers 6 and the plurality of second electrode fingers 7 are arranged separately in the second direction D2 orthogonal to the first direction D1.
  • a region where the first electrode finger 6 and the second electrode finger 7 are separated and aligned one by one, and the first electrode finger 6 or the second electrode finger 7 Two regions aligned in the direction D2 may be mixed.
  • at least one of the two IDT electrodes 3 adjacent in the second direction D2 is the IDT electrode 3 in the second direction D of the group of electrode fingers.
  • the electrode finger closest to the electrode finger does not have the wide width portion, and at least one of the electrode fingers other than the electrode finger closest to the other IDT electrode 3 has the wide width portion.
  • the elastic wave device of any of the modifications it is possible to improve the ESD resistance while suppressing the inhibition of the piston mode.
  • at least one of the first electrode fingers 6 and the second electrode finger 7 has the wide portions 62 and 72. Just do it.
  • the IDT electrodes 3 are provided directly on the piezoelectric portions 24 and 24h, but the invention is not limited thereto.
  • the IDT electrode 3 may be provided indirectly on the piezoelectric body portions 24 and 24h.
  • the IDT electrodes 3 may be provided on the piezoelectric portions 24 and 24h via a dielectric film.
  • the elastic wave devices 1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f have the laminated substrate 2g (see FIG. 15) or the piezoelectric portion 24h (see FIG. 16) instead of the laminated substrate 2.
  • the laminated substrate 2 may include a film interposed between the low sound velocity film 23 and the high sound velocity support substrate 21.
  • the laminated substrate 2g includes a film interposed between the high sound velocity film 22 and the support substrate 20, and a film interposed between the low sound velocity film 23 and the piezoelectric portion 24. At least one may be included.
  • the laminated substrate 2 is acoustic.
  • An impedance layer may be provided.
  • the acoustic impedance layer has a function of suppressing the elastic wave excited by the IDT electrode 3 from leaking to the high sound velocity support substrate 21.
  • the acoustic impedance layer has a laminated structure in which at least one high acoustic impedance layer having a relatively high acoustic impedance and at least one low acoustic impedance layer having a relatively low acoustic impedance are arranged in the thickness direction of the high velocity substrate 21. Have.
  • a plurality of high acoustic impedance layers may be provided, or a plurality of low acoustic impedance layers may be provided.
  • the above-described stacked structure is a structure in which a plurality of high acoustic impedance layers and a plurality of low acoustic impedance layers are alternately arranged in one layer in the thickness direction of the high sound velocity support substrate 21.
  • the high acoustic impedance layer is made of, for example, platinum, tungsten, aluminum nitride, lithium tantalate, sapphire, lithium niobate, silicon nitride or zinc oxide.
  • the low acoustic impedance layer is made of, for example, silicon oxide, aluminum or titanium.
  • the number of IDT electrodes 3 may be plural, and is not limited to three, and may be, for example, five.
  • An elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c; 1f; 1h) includes a first terminal (11), a second terminal (12), and a piezoelectric portion (24; 24h). And a plurality of IDT electrodes (3).
  • the second terminal (12) has a potential lower than the potential of the first terminal (11).
  • the plurality of IDT electrodes (3) are provided on the piezoelectric portion (24; 24h), and are electrically connected to the first terminal (11) and the second terminal (12). .
  • Each of the plurality of IDT electrodes (3) includes a first bus bar (4), a second bus bar (5), a plurality of first electrode fingers (6), and a plurality of second electrode fingers (7). Have.
  • the second bus bar (5) faces the first bus bar (4) in the first direction (D1).
  • the plurality of first electrode fingers (6) are connected to the first bus bar (4) and extend from the first bus bar (4) to the second bus bar (5) in the first direction (D1).
  • the plurality of second electrode fingers (7) are connected to the second bus bar (5) and extend from the second bus bar (5) to the first bus bar (4) in the first direction (D1).
  • the plurality of first electrode fingers (6) and the plurality of second electrode fingers (7) are spaced apart from one another in a second direction (D2) orthogonal to the first direction (D1).
  • Each of the first bus bar (4) and the second bus bar (5) has an opening (40, 50), an inner bus bar portion (42, 52), an outer bus bar portion (41, 51), and a coupling portion (43). , 53) and.
  • the inner bus bar portion (42, 52) is positioned closer to the plurality of first electrode fingers (6) and the plurality of second electrode fingers (7) than the openings (40, 50) in the first direction (D1) There is.
  • the outer bus bar portion (41, 51) is located on the opposite side to the inner bus bar portion (42, 52) when viewed from the opening (40, 50) in the first direction (D1).
  • the connecting portion (43, 53) connects the inner bus bar portion (42, 52) and the outer bus bar portion (41, 51) in the first direction (D1).
  • one of two IDT electrodes (3) adjacent to each other in the second direction (D2) among the plurality of IDT electrodes (3) is a first IDT electrode and the other is a second IDT electrode
  • a group of electrode fingers of the first IDT electrode One of the electrode finger closest to the second IDT electrode and the electrode finger closest to the first IDT electrode among the group of electrode fingers of the second IDT electrode is connected to the first terminal (11), and the other is the second terminal Connected to 12).
  • the electrode finger closest to the second IDT electrode is in the second direction (D2) than the central portion in the first direction (D1) of the electrode finger closest to the second IDT electrode.
  • the width of) includes a large width part.
  • the maximum in the second direction (D2) of the center line of the central portion along the first direction (D1) and the outer edge of the wide portion on the second IDT electrode side A first distance (L1) which is a distance is greater than a second distance (L2) which is a maximum distance in the second direction (D2) between the center line of the central portion and the outer edge opposite to the second IDT electrode of the wide portion. Too short.
  • the first distance (L1) of the electrode finger closest to the second IDT electrode ) Is the same as the distance (L01) in the second direction (D2) between the center line of the central portion and the outer edge on the second IDT electrode side of the central portion.
  • An elastic wave device (1d; 1e; 1f; 1g; 1h) includes a first terminal (11), a second terminal (12), a piezoelectric portion (24; 24h), and a plurality of And an IDT electrode (3).
  • the second terminal (12) has a potential lower than the potential of the first terminal (11).
  • the plurality of IDT electrodes (3) are provided on the piezoelectric portion (24; 24h), and are electrically connected to the first terminal (11) and the second terminal (12).
  • Each of the plurality of IDT electrodes (3) includes a first bus bar (4), a second bus bar (5), a plurality of first electrode fingers (6), and a plurality of second electrode fingers (7). Have.
  • the second bus bar (5) faces the first bus bar (4) in the first direction (D1).
  • the plurality of first electrode fingers (6) are connected to the first bus bar (4) and extend from the first bus bar (4) to the second bus bar (5) in the first direction (D1).
  • the plurality of second electrode fingers (7) are connected to the second bus bar (5) and extend from the second bus bar (5) to the first bus bar (4) in the first direction (D1).
  • the plurality of first electrode fingers (6) and the plurality of second electrode fingers (7) are spaced apart from one another in a second direction (D2) orthogonal to the first direction (D1).
  • Each of the first bus bar (4) and the second bus bar (5) has an opening (40, 50), an inner bus bar portion (42, 52), an outer bus bar portion (41, 51), and a coupling portion (43). , 53) and.
  • the inner bus bar portion (42, 52) is positioned closer to the plurality of first electrode fingers (6) and the plurality of second electrode fingers (7) than the openings (40, 50) in the first direction (D1) There is.
  • the outer bus bar portion (41, 51) is located on the opposite side to the inner bus bar portion (42, 52) when viewed from the opening (40, 50) in the first direction (D1).
  • the connecting portion (43, 53) connects the inner bus bar portion (42, 52) and the outer bus bar portion (41, 51) in the first direction (D1).
  • the tips (61, 71) of at least one electrode finger of each of the plurality of first electrode fingers (6) and the plurality of second electrode fingers (7) are at the center of the first direction (D1) of at least one electrode finger. It includes a wide width portion (62, 72) having a larger width in the second direction (D2) than the portion (60, 70).
  • the electrode finger closest to the second IDT electrode does not have a wide width portion, and at least one of the electrode fingers other than the electrode finger closest to the second IDT electrode has a wide width portion.
  • the elastic wave device (1 d; 1 e; 1 f; 1 g; 1 h) it is possible to improve the ESD resistance while suppressing the inhibition of the piston mode.
  • a plurality of IDT electrodes (3 in any one of the first to third aspects). are aligned in the second direction (D2), and further comprise two reflectors (8).
  • the two reflectors (8) are provided on the opposite side to the adjacent IDT electrodes (3) of the IDT electrodes (3) on both sides of the plurality of IDT electrodes (3) arranged in the second direction (D2).
  • One each is provided on the piezoelectric body portion (24).
  • the two reflectors (8) reflect elastic waves excited by the plurality of IDT electrodes (3).
  • the elastic wave device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g; 1h) according to the fourth aspect can constitute a longitudinally coupled resonator type filter.
  • a plurality of first electrode fingers in any one of the first to fourth aspects
  • tip portions 61, 71
  • wide portions 62, 72
  • the piezoelectric portion (24) and The laminate including one IDT electrode (3) among the plurality of IDT electrodes (3) has a plurality of regions (A1) different from each other in the first direction (D1) in plan view from the thickness direction of the laminate. To A11).
  • the plurality of areas (A1 to A11) includes a central area (area A6), two outer bus bar areas (areas A1 and A11), two inner bus bar areas (areas A3 and A9), and two connection areas (areas) A2 and A10), two gap regions (regions A4 and A8), and two wide regions (A7 and A5).
  • the central region (region A6) is positioned at the center in the first direction (D1), and the central portions (60) of the plurality of first electrode fingers (6) and the central portions of the plurality of second electrode fingers (7) And (70).
  • the two outer bus bar regions (regions A1, A11) respectively include an outer bus bar portion (41) of the first bus bar (4) and an outer bus bar portion (51) of the second bus bar (5).
  • the two inner bus bar regions (regions A3, A9) respectively include an inner bus bar portion (42) of the first bus bar (4) and an inner bus bar portion (52) of the second bus bar (5).
  • the two connection regions (regions A2, A10) respectively include the opening (40) of the first bus bar (4) and the opening (50) of the second bus bar (5).
  • the two gap regions are the gaps (31) between the plurality of first electrode fingers (6) and the second bus bar (5), the plurality of second electrode fingers (7), and the first bus bar Each of the gaps (32) between (4) and (4) is included.
  • the two wide regions (A7, A5) are the wide portions (62) of at least one electrode finger (first electrode finger 6) of the plurality of first electrode fingers (6) and the plurality of second electrode fingers (7) Each of the wide portions (72) of at least one of the electrode fingers (second electrode finger 7).
  • the acoustic velocity of the elastic wave is slower than in the central region (region A6).
  • the acoustic velocity of the elastic wave is slower than in the central region (region A6).
  • the acoustic velocity of the elastic wave is faster than in the two outer bus bar regions (regions A1 and A11) and the central region (region A6).
  • the acoustic velocity of the elastic wave is faster than in the two inner bus bar regions (regions A3, A9) and the central region (region A6).
  • the acoustic velocity of the elastic wave is slower than in the central region (region A6).

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Abstract

ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図る複数のＩＤＴ電極（３）のうち第２方向（Ｄ２）において隣り合う２つのＩＤＴ電極（３）の一方を第１ＩＤＴ電極、他方を第２ＩＤＴ電極としたとき、第１ＩＤＴ電極では、一群の電極指のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指（６）が、第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指（６）の第１方向（Ｄ１）の中央部（６０）よりも第２方向（Ｄ２）の幅が大きな太幅部（６２）を含む。第１ＩＤＴ電極では、第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指（６）に関し、第１方向（Ｄ１）に沿った中央部（６０）の中心線（６Ｘ）と太幅部（６２）の第２ＩＤＴ電極側の外縁（６２１）との第２方向（Ｄ２）における最大距離である第１距離（Ｌ１）が、中央部（６０）の中心線（６Ｘ）と太幅部（６２）の第２ＩＤＴ電極とは反対側の外縁（６２２）との第２方向（Ｄ２）における最大距離である第２距離（Ｌ２）よりも短い。

Description

弾性波装置
　本発明は、一般に弾性波装置に関し、より詳細には、ＩＤＴ電極を備える弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置として、圧電基板（圧電体部）と、圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、を備え、ＩＤＴ電極の電極指の一部に太幅部が設けられている弾性波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された弾性波装置の一例では、圧電基板上には、ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向両側に、反射器が形成されている。ＩＤＴ電極及び反射器は、金属材料により形成されている。特許文献１に記載された弾性波装置の特徴は、ＩＤＴ電極においてピストンモードを形成することにより横モードリップルを抑圧する構造が備えられていることにある。
　特許文献１に記載された弾性波装置では、ＩＤＴ電極は、第１のバスバーと、第１のバスバーと隔てられて配置された第２のバスバーと、第１のバスバーに基端が電気的に接続されており、先端が第２のバスバーに向かって延ばされている複数本の第１の電極指と、第２のバスバーに基端が接続されており、先端が第１のバスバーに向かって延ばされている複数本の第２の電極指と、を有する。上記の弾性波装置では、第１の電極指及び第２の電極指の双方に太幅部が設けられている。
　第１のバスバーは、第１のバスバーの長さ方向に沿って分離配置された複数の開口部を有する。第１のバスバーは、複数の開口部よりも第１の電極指側に位置しており、かつ第１のバスバーの長さ方向に延びる内側バスバー部と、複数の開口部が設けられている中央バスバー部と、内側バスバー部と中央バスバー部を挟んで反対側に位置している外側バスバー部と、を有する。
　第２のバスバーは、第２のバスバーの長さ方向に沿って分離配置された複数の開口部を有する。第２のバスバーは、複数の開口部よりも第２の電極指側に位置しており、かつ第２のバスバーの長さ方向に延びる内側バスバー部と、複数の開口部が設けられている中央バスバー部と、内側バスバー部と中央バスバー部を挟んで反対側に位置している外側バスバー部と、を有する。
　また、特許文献１には、１ポート型共振子を構成する電極形状に限らず、帯域フィルタ等の様々な弾性波装置に特許文献１に記載の発明を適用することができることが記載されている。
国際公開第２０１４／１９２７５６号
　ＩＤＴ電極の電極指の一部に太幅部が設けられた弾性波装置では、例えば、第１のバスバー及び第２のバスバーの長さ方向で、隣り合う共振子のＩＤＴ電極の電位の異なる電極指同士が隣接するので、隣接する電極指間で静電気放電（ＥＳＤ：Electrostatic Discharge）が起こりサージ破壊されてしまうことがあった。
　本発明の目的は、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能な弾性波装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る弾性波装置は、第１端子と、第２端子と、圧電体部と、複数のＩＤＴ電極と、を備える。前記第２端子は、前記第１端子の電位よりも低い電位になる。前記複数のＩＤＴ電極は、前記圧電体部上に設けられており、前記第１端子及び前記第２端子と電気的に接続されている。前記複数のＩＤＴ電極の各々は、第１バスバーと、第２バスバーと、複数の第１電極指と、複数の第２電極指と、を有する。前記第２バスバーは、第１方向において前記第１バスバーに対向している。前記複数の第１電極指は、前記第１バスバーに接続され前記第１方向において前記第１バスバーから前記第２バスバー側に延びている。前記複数の第２電極指は、前記第２バスバーに接続され前記第１方向において前記第２バスバーから前記第１バスバー側に延びている。前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とが、前記第１方向に直交する第２方向において、互いに離隔して並んでいる。前記第１バスバー及び前記第２バスバーの各々は、開口部と、内側バスバー部と、外側バスバー部と、連結部と、を含む。前記内側バスバー部は、前記第１方向において前記開口部よりも前記複数の第１電極指及び前記複数の第２電極指を含む一群の電極指側に位置している。前記外側バスバー部は、前記第１方向において前記開口部から見て前記内側バスバー部とは反対側に位置している。前記連結部は、前記第１方向において前記内側バスバー部と前記外側バスバー部とを連結している。前記複数のＩＤＴ電極のうち前記第２方向において隣り合う２つのＩＤＴ電極の一方を第１ＩＤＴ電極、他方を第２ＩＤＴ電極としたとき、前記第１ＩＤＴ電極の前記一群の電極指のうち前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、前記第２ＩＤＴ電極の前記一群の電極指のうち前記第１ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、の一方が前記第１端子に接続され、他方が前記第２端子に接続されている。前記第１ＩＤＴ電極では、前記第１ＩＤＴ電極の前記一群の電極指のうち前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指が、前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指の前記第１方向の中央部よりも前記第２方向の幅が大きな太幅部を含む。前記第１ＩＤＴ電極では、前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指に関し、前記第１方向に沿った前記中央部の中心線と前記太幅部の前記第２ＩＤＴ電極側の外縁との前記第２方向における最大距離である第１距離が、前記中央部の中心線と前記太幅部の前記第２ＩＤＴ電極とは反対側の外縁との前記第２方向における最大距離である第２距離よりも短い。
　本発明の一態様に係る弾性波装置は、第１端子と、第２端子と、圧電体部と、複数のＩＤＴ電極と、を備える。前記第２端子は、前記第１端子の電位よりも低い電位になる。前記複数のＩＤＴ電極は、前記圧電体部上に設けられており、前記第１端子及び前記第２端子と電気的に接続されている。前記複数のＩＤＴ電極の各々は、第１バスバーと、第２バスバーと、複数の第１電極指と、複数の第２電極指と、を有する。前記第２バスバーは、第１方向において前記第１バスバーに対向している。前記複数の第１電極指は、前記第１バスバーに接続され前記第１方向において前記第１バスバーから前記第２バスバー側に延びている。前記複数の第２電極指は、前記第２バスバーに接続され前記第１方向において前記第２バスバーから前記第１バスバー側に延びている。前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とが、前記第１方向に直交する第２方向において、互いに離隔して並んでいる。前記第１バスバー及び前記第２バスバーの各々は、開口部と、内側バスバー部と、外側バスバー部と、連結部と、を含む。前記内側バスバー部は、前記第１方向において前記開口部よりも前記複数の第１電極指及び前記複数の第２電極指を含む一群の電極指側に位置している。前記外側バスバー部は、前記第１方向において前記開口部から見て前記内側バスバー部とは反対側に位置している。前記連結部は、前記第１方向において前記内側バスバー部と前記外側バスバー部とを連結している。前記複数の第１電極指及び前記複数の第２電極指それぞれの少なくとも１つの電極指が、前記少なくとも１つの電極指の前記第１方向の中央部よりも前記第２方向の幅が大きな太幅部を含む。前記複数のＩＤＴ電極のうち前記第２方向において隣り合う２つのＩＤＴ電極の一方を第１ＩＤＴ電極、他方を第２ＩＤＴ電極としたとき、前記第１ＩＤＴ電極の前記一群の電極指のうち前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、前記第２ＩＤＴ電極の前記一群の電極指のうち前記第１ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、の一方が前記第１端子に接続され、他方が前記第２端子に接続されている。前記第１ＩＤＴ電極では、前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指に前記太幅部を有せず、前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指以外の電極指の少なくとも１つに前記太幅部を有する。
　本発明の弾性波装置は、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能となる。
図１は、本発明の実施形態１に係る弾性波装置の平面図である。 図２は、同上の弾性波装置の一部の平面図である。 図３は、同上の弾性波装置に関し、図２のＡ－Ａ線断面図である。 図４は、同上の弾性波装置の要部拡大図である。 図５は、同上の弾性波装置において弾性波伝搬方向（第２方向）に伝搬する弾性波の音速の第１方向における速度分布の模式的な説明図である。 図６は、同上の弾性波装置の電荷分布の説明図である。 図７は、本発明の実施形態１の変形例１に係る弾性波装置の一部の平面図である。 図８は、同上の弾性波装置の要部拡大図である。 図９は、本発明の実施形態１の変形例２に係る弾性波装置の要部拡大図である。 図１０は、本発明の実施形態１の変形例３に係る弾性波装置の要部拡大図である。 図１１は、本発明の実施形態２に係る弾性波装置の一部の平面図である。 図１２は、同上の弾性波装置の要部拡大図である。 図１３は、本発明の実施形態２の変形例１に係る弾性波装置の要部拡大図である。 図１４は、本発明の実施形態２の変形例２に係る弾性波装置の要部拡大図である。 図１５は、本発明の実施形態２の変形例３に係る弾性波装置の断面図である。 図１６は、本発明の実施形態２の変形例４に係る弾性波装置の断面図である。
　以下、実施形態１、２に係る弾性波装置について、図面を参照して説明する。
　以下の実施形態１、２等において参照する図１～１６は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　（１．１）弾性波装置の全体構成
　以下、実施形態１に係る弾性波装置１について、図面を参照して説明する。
　実施形態１に係る弾性波装置１は、図１～５に示すように、第１端子（例えば、信号端子）１１と、第２端子（例えば、グラウンド端子）１２と、圧電体部２４と、複数（３つ）のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極３と、を備える。第２端子１２は、第１端子１１の電位よりも低い電位になる。したがって、第１端子１１は、第２端子１２の電位よりも高い電位になる。第１端子１１及び第２端子１２は、圧電体部２４上に設けられている。ここにおいて、「圧電体部２４上に設けられている」とは、圧電体部２４上に直接的に設けられている場合と、圧電体部２４上に間接的に設けられている場合と、を含む。弾性波装置１は、第２端子１２を複数（３つ）備えているが、少なくとも１つ備えていればよい。圧電体部２４は、圧電材料により形成されている。ＩＤＴ電極３は、圧電体部２４上に設けられている。ここにおいて、「圧電体部２４上に設けられている」とは、圧電体部２４上に直接的に設けられている場合と、圧電体部２４上に間接的に設けられている場合と、を含む。実施形態１に係る弾性波装置１は、縦結合共振子型フィルタである。弾性波装置１は、２つの反射器８を更に備えている。
　また、実施形態１に係る弾性波装置１は、第１端子（例えば、信号端子）１１と、第２端子（例えば、グラウンド端子）１２と、を備えている。第２端子１２は、第１端子１１の電位よりも低い電位となる。また、実施形態１に係る弾性波装置１は、ＩＤＴ電極３と第１端子１１とを電気的に接続している第１配線層１３と、ＩＤＴ電極３と第２端子１２とを電気的に接続している第２配線層１４と、を更に備える。図１では、説明の便宜上、第１端子１１及びＩＤＴ電極３において第１端子１１に電気的に接続されている部分（高電位側部分）に「Ｈ」の記号を表記し、第２端子１２及びＩＤＴ電極３において第２端子１２に電気的に接続されている部分（低電位側部分）に「Ｅ」の記号を表記してある。高電位側部分と低電位側部分とは電位が異なる。高電位側部分は、低電位側部分よりも高電位となる部分である。「Ｈ」、「Ｅ」の表記は、符号ではないし、実際にあるわけでもない。弾性波装置１は、第１端子１１を２つ備え、第２端子１２を２つ備えている。２つの第１端子１１を区別する場合、一方を第１端子１１Ａと称し、他方を第１端子１１Ｂと称する。また、２つの第２端子１２を区別する場合、一方を第２端子１２Ａと称し、他方を第２端子１２Ｂと称する。図１及び２では、各ＩＤＴ電極３及び各反射器８にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、断面を表すものではなく、各ＩＤＴ電極３及び各反射器８と圧電体部２４との関係を分かりやすくするために付してあるにすぎない。また、図１では、第１端子１１、第２端子１２、第１配線層１３及び第２配線層１４にドットのハッチングを付してあるが、これらのハッチングは、断面を表すものではなく、第１端子１１、第２端子１２、第１配線層１３及び第２配線層１４と圧電体部２４との関係を分かりやすくするために付してあるにすぎない。
　実施形態１に係る弾性波装置１では、圧電体部２４が圧電膜であり、複数のＩＤＴ電極３は、圧電体部２４を有する積層型基板２上に設けられている。積層型基板２は、少なくとも一部に圧電性を有する圧電性基板である。
　（１．２）弾性波装置の各構成要素
　次に、弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
　（１．２．１）積層型基板
　積層型基板２は、図３に示すように、高音速支持基板２１と、低音速膜２３と、圧電体部２４と、を含む。高音速支持基板２１では、圧電体部２４を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜２３は、高音速支持基板２１上に形成されている。ここにおいて、「高音速支持基板２１上に設けられている」とは、高音速支持基板２１上に直接的に設けられている場合と、高音速支持基板２１上に間接的に設けられている場合と、を含む。低音速膜２３では、圧電体部２４を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電体部２４は、低音速膜２３上に設けられている。ここにおいて、「低音速膜２３上に設けられている」とは、低音速膜２３上に直接的に設けられている場合と、低音速膜２３上に間接的に設けられている場合と、を含む。圧電体部２４は、高音速支持基板２１上に間接的に設けられている。この場合、弾性波装置１では、高音速支持基板２１と圧電体部２４との間に低音速膜２３が設けられていることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、弾性波装置１では、圧電体部２４内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極３内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、弾性波装置１では、低音速膜２３が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
　圧電体部２４は、例えば、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ3）、リチウムニオベイト（ＬｉＮｂＯ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる。
　高音速支持基板２１は、低音速膜２３と圧電体部２４とを含む積層体を支持している。高音速支持基板２１は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１主面２１１及び第２主面２１２を有する。第１主面２１１及び第２主面２１２は、互いに背向する。高音速支持基板２１の平面視形状（高音速支持基板２１を厚さ方向から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。高音速支持基板２１の厚さは、例えば、１２０μｍである。高音速支持基板２１の材料は、シリコンである。高音速支持基板２１は、シリコンに限らず、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシアダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料のいずれかにより形成されていてもよい。
　低音速膜２３は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料のいずれかからなる。
　低音速膜２３が酸化ケイ素の場合、温度特性を改善することができる。リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ3）の弾性定数は負の温度特性を有し、酸化ケイ素は正の温度特性を有する。したがって、弾性波装置１では、周波数温度特性（ＴＣＦ：Temperature Coefficient of Frequency）の絶対値を小さくすることができる。加えて、酸化ケイ素の固有音響インピーダンスはリチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ3）の固有音響インピーダンスより小さい。したがって、弾性波装置１では、電気機械結合係数の増大すなわち比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との双方を図ることができる。
　弾性波装置１では、圧電体部２４の厚さは、ＩＤＴ電極３の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下であることが望ましい。なぜならば、Ｑ値が高くなるためである。また、弾性波装置１では、圧電体部２４の厚さを２．５λ以下とすることで、周波数温度特性が良くなる。さらに、弾性波装置１では、圧電体部２４の厚さを１．５λ以下とすることで、音速の調整が容易になる。圧電体部２４の厚さは、例えば、６００ｎｍである。
　低音速膜２３の厚さは、ＩＤＴ電極３の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとすると、２．０λ以下であることが望ましい。弾性波装置１では、低音速膜２３の厚さを２．０λ以下とすることにより、膜応力を低減することができ、その結果、製造時に高音速支持基板２１の元になるウェハの反りを低減することが可能となり、良品率の向上及び特性の安定化が可能となる。低音速膜２３の厚さは、例えば、６００ｎｍである。
　（１．２．２）反射器
　２つの反射器８は、圧電体部２４上に設けられている。より詳細には、２つの反射器８は、圧電体部２４の一の主面２４１上に設けられている。ここで、２つの反射器８は、第２方向Ｄ２において３つのＩＤＴ電極３のうち両側のＩＤＴ電極３それぞれにおける真ん中のＩＤＴ電極３とは反対側に、１つずつ配置されている。以下では、説明の便宜上、３つのＩＤＴ電極３を区別する場合に、複数のＩＤＴ電極３のうち第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３の一方をＩＤＴ電極３Ａ、他方をＩＤＴ電極３Ｂと称することもある。図１及び２の例では、３つのＩＤＴ電極３のうち真ん中のＩＤＴ電極３をＩＤＴ電極３Ａと称し、両端のＩＤＴ電極３をＩＤＴ電極３Ｂと称する。
　２つの反射器８の各々は、弾性波を反射する。２つの反射器８の各々は、グレーティング反射器である。２つの反射器８の各々は、複数の電極指９を有し、複数の電極指９の第１方向Ｄ１の一端同士、他端同士を短絡してある。図１及び２では、２つの反射器８の各々について、図面を見やすくするために電極指９の数を減らして描いてある。
　（１．２．３）ＩＤＴ電極
　ＩＤＴ電極３は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、ＩＤＴ電極３は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。ＩＤＴ電極３の厚さは、例えば、１５０ｎｍである。
　実施形態１に係る弾性波装置１では、３つのＩＤＴ電極３は、第２方向Ｄ２において並んでいる。３つのＩＤＴ電極３の各々は、第１バスバー４と、第２バスバー５と、複数の第１電極指６と、複数の第２電極指７と、を有する。
　ＩＤＴ電極３では、第１バスバー４と第２バスバー５とは、圧電体部２４の厚さ方向（図３の上下方向）に直交する第１方向Ｄ１において対向し合っている。つまり、第２バスバー５は、第１方向Ｄ１において第１バスバー４に対向している。
　第１バスバー４及び第２バスバー５は、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状である。図１及び２では、第１バスバー４及び第２バスバー５が長尺状に見えないが、これは、図面を見やすくするために第１電極指６及び第２電極指７それぞれの数を減らして描いてあるためである。第２方向Ｄ２は、弾性波の伝搬方向に沿った方向である。第２方向Ｄ２は、圧電体部２４の厚さ方向にも直交する。
　複数の第１電極指６は、第１バスバー４に接続され第１方向Ｄ１において第１バスバー４から第２バスバー５側に延びている。ここにおいて、複数の第１電極指６は、第１バスバー４から第１バスバー４の長手方向に直交する方向に沿って延びている。つまり、複数の第１電極指６は、弾性波の伝搬方向に直交する方向に沿って延びている。ＩＤＴ電極３では、複数の第１電極指６と第２バスバー５とは離れており、第１方向Ｄ１において対向する第１電極指６と第２バスバー５との間にギャップ３１が形成されている。上述の弾性波の波長をλとしたときに、第１方向Ｄ１におけるギャップ３１の長さは、例えば、０．５λ以下である。
　複数の第２電極指７は、第２バスバー５に接続され第１方向Ｄ１において第２バスバー５から第１バスバー４側に延びている。ここにおいて、複数の第２電極指７は、第２バスバー５から第２バスバー５の長手方向に直交する方向に沿って延びている。つまり、複数の第２電極指７は、弾性波の伝搬方向に直交する方向に沿って延びている。ＩＤＴ電極３では、複数の第２電極指７と第１バスバー４とは離れており、第１方向Ｄ１において対向する第２電極指７と第１バスバー４との間にギャップ３２が形成されている。上述の弾性波の波長をλとしたときに、第１方向Ｄ１におけるギャップ３２の長さは、例えば、０．５λ以下である。
　ＩＤＴ電極３では、複数の第１電極指６と複数の第２電極指７とが、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第２方向Ｄ２において隣り合う第１電極指６と第２電極指７とは離れている。
　第１バスバー４は、開口部４０と、内側バスバー部４２と、外側バスバー部４１と、連結部４３と、含む。内側バスバー部４２は、第１方向Ｄ１において開口部４０よりも複数の第１電極指６及び複数の第２電極指７を含む一群の電極指側に位置している。外側バスバー部４１は、第１方向Ｄ１において開口部４０から見て内側バスバー部４２とは反対側に位置している。つまり、外側バスバー部４１は、第１方向Ｄ１において複数の第１電極指６が存在する側とは反対側に位置している。連結部４３は、第１方向Ｄ１において内側バスバー部４２と外側バスバー部４１とを連結している。連結部４３は、第２方向Ｄ２において開口部４０の両側に位置している。図１及び２の例では、連結部４３は、第１電極指６の第１方向Ｄ１の中央部６０と同じ幅を有し、かつ第１電極指６の延長線上に位置している。ただし、連結部４３の寸法及び連結部４３の配置はこれに限定されるものではない。
　また、開口部４０の開口形状は、矩形状であるが、これに限らない。上述の弾性波の波長をλとしたときに、第１方向Ｄ１における内側バスバー部４２の幅は、例えば、０．５λ以下である。また、第１方向Ｄ１における連結部４３の長さは、例えば、２．０λである。
　複数の開口部４０は、例えば、第２方向Ｄ２において略等間隔で並んでいる。図１及び２の例では、第２方向Ｄ２における開口部４０の開口幅は、例えば、第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第１電極指６の中央部６０間の距離と同じである。また、第２方向Ｄ２において隣り合う２つの開口部４０間の距離は、例えば、第２方向Ｄ２における第１電極指６の中央部６０の幅と同じである。
　第２バスバー５は、開口部５０と、内側バスバー部５２と、外側バスバー部５１と、連結部５３と、含む。内側バスバー部５２は、第１方向Ｄ１において開口部５０よりも複数の第１電極指６及び複数の第２電極指７を含む一群の電極指側に位置している。外側バスバー部５１は、第１方向Ｄ１において開口部５０から見て内側バスバー部５２とは反対側に位置している。つまり、外側バスバー部５１は、第１方向Ｄ１において複数の第２電極指７が存在する側とは反対側に位置している。連結部５３は、第１方向Ｄ１において内側バスバー部５２と外側バスバー部５１とを連結している。連結部５３は、第２方向Ｄ２において開口部５０の両側に位置している。図１の例では、連結部５３は、第２電極指７の第１方向Ｄ１の中央部７０と同じ幅を有し、かつ第２電極指７の延長線上に位置している。ただし、連結部５３の寸法及び連結部５３の配置はこれに限定されるものではない。
　また、開口部５０の開口形状は、矩形状であるが、これに限らない。上述の弾性波の波長をλとしたときに、第１方向Ｄ１における内側バスバー部５２の幅は、例えば、０．５λ以下である。また、第１方向Ｄ１における連結部５３の長さは、例えば、２．０λである。
　第２バスバー５は開口部５０を複数含んでいるが、図１及び２では図面を見やすくするために第２電極指７の数を減らして描いてあるため、図１及び２では、開口部５０が１つだけ図示されている。複数の開口部５０は、例えば、第２方向Ｄ２において略等間隔で並んでいる。図１及び２の例では、第２方向Ｄ２における開口部５０の開口幅は、例えば、第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第２電極指７の中央部７０間の距離と同じである。また、上述のように図１及び２では、開口部５０が１つしか図示されていないが、第２方向Ｄ２において隣り合う２つの開口部５０間の距離は、例えば、第２方向Ｄ２における第２電極指７の中央部７０の幅と同じである。
　図１及び２の例では、複数の第１電極指６は、互いの長さが同じである。複数の第１電極指６の各々の先端部６１は、第１電極指６の第１方向Ｄ１の中央部６０よりも第２方向Ｄ２の幅が大きな太幅部６２を含む。また、複数の第１電極指６の各々は、太幅部６２とは別に太幅部６４（図２参照）を含む。太幅部６４は、第１電極指６の先端部６１とは反対側の基端部６３（図２参照）と中央部６０との間に形成されており、第１電極指６の第１方向Ｄ１の中央部６０よりも第２方向Ｄ２の幅が大きい。太幅部６４は、第１方向Ｄ１において第１バスバー４から離れている。複数の第１電極指６の各々では、第１方向Ｄ１において太幅部６２と太幅部６４との間の部分が、中央部６０を構成している。複数の第１電極指６の各々では、第１方向Ｄ１において、中央部６０は、各太幅部６２、６４よりも長い。
　また、図１及び２の例では、複数の第１電極指６は、互いの中央部６０の幅が同じである。また、複数の第１電極指６の各々は、先端部６１の太幅部６２の幅と基端部６３側の太幅部６４の幅とが同じである。太幅部６２及び６４の形状は、矩形状であるが、これに限らず、例えば、六角形状、円形状等であってもよい。
　また、図１及び２の例では、複数の第２電極指７は、互いの長さが同じである。複数の第２電極指７の各々の先端部７１は、第２電極指７の第１方向Ｄ１の中央部７０よりも第２方向Ｄ２の幅が大きな太幅部７２を含む。また、複数の第２電極指７の各々は、太幅部７２とは別に太幅部７４（図２参照）を含む。太幅部７４は、第２電極指７の先端部７１とは反対側の基端部７３（図２参照）と中央部７０との間に形成されており、第２電極指７の第１方向Ｄ１の中央部７０よりも第２方向Ｄ２の幅が大きい。太幅部７４は、第１方向Ｄ１において第２バスバー５から離れている。複数の第２電極指７の各々では、第１方向Ｄ１において太幅部７２と太幅部７４との間の部分が、中央部７０を構成している。複数の第２電極指７の各々では、第１方向Ｄ１において、中央部７０は、各太幅部７２、７４よりも長い。
　また、図１及び２の例では、複数の第２電極指７は、互いの中央部７０の幅が同じである。また、複数の第２電極指７の各々は、先端部７１の太幅部７２の幅と基端部７３側の太幅部７４の幅とが同じである。太幅部７２及び７４の形状は、矩形状であるが、これに限らず、例えば、六角形状、円形状等であってもよい。
　ＩＤＴ電極３では、複数の第１電極指６の先端部６１の太幅部６２と第２電極指７の基端部７３側の太幅部７４とが、第２方向Ｄ２において、１つずつ交互に互いに離隔して並んでいる。また、ＩＤＴ電極３では、複数の第１電極指６の基端部６３側の太幅部６４と第２電極指７の先端部７１の太幅部７２とが、第２方向Ｄ２において、１つずつ交互に互いに離隔して並んでいる。ＩＤＴ電極３の電極指周期は、隣り合う第１電極指６の中央部６０と第２電極指７の中央部７０との互いに対応する辺間の距離の２倍の値である。ＩＤＴ電極３の電極指周期は、複数の第１電極指６のうち第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第１電極指６の中心線６Ｘ（図４参照）間の距離により規定されても同じ値となる。また、ＩＤＴ電極３の電極指周期は、複数の第２電極指７のうち第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第２電極指７の中心線７Ｘ（図４参照）間の距離により規定されても同じ値となる。
　実施形態１に係る弾性波装置１は、ＩＤＴ電極３において、ピストンモードを形成することにより横モードリップルを抑圧する構造を有する。この点については、図５を参照して説明する。
　弾性波装置１は、ＩＤＴ電極３の数だけ共振子を備えている。３つの共振子の各々は、ＩＤＴ電極３を含んでいる。弾性波装置１は、圧電体部２４の一部とＩＤＴ電極３との積層体を含む共振子に関して、図５の左側に示すように、積層体の厚さ方向からの平面視（つまり、弾性波装置１の厚さ方向からの平面視）で、第１方向Ｄ１における１１個の領域Ａ１～Ａ１１を含んでいる。１１個の領域Ａ１～Ａ１１は、圧電体部２４及びＩＤＴ電極３それぞれにおいて互いに異なる部分を含んでいる。図５の右側には、１１個の領域Ａ１～Ａ１１を伝搬する弾性波の速度（音速）を模式的に示してある。
　弾性波装置１の共振子では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第１方向Ｄ１において中央に位置する領域Ａ６が、中央領域を構成している。中央領域は、複数の第１電極指６の中央部６０と複数の第２電極指７の中央部７０とを含む。中央領域は、複数の第１電極指６の中央部６０と複数の第２電極指７の中央部７０とが第２方向Ｄ２において重なる領域である。中央領域では、電極指幅（第１電極指６の中央部６０及び第２電極指の中央部７０それぞれの幅）を上記の電極指周期の２分の１の値で除した値（デューティ比）は、例えば、０．５である。
　弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第１方向Ｄ１の両端それぞれに位置する領域Ａ１、Ａ１１が、外側バスバー領域を構成している。領域Ａ１は、第１バスバー４の外側バスバー部４１を含む。領域Ａ１１は、第２バスバー５の外側バスバー部５１を含む。外側バスバー領域では、中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
　弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第１方向Ｄ１の両端それぞれから数えて２番目に位置する領域Ａ２、Ａ１０が、連結領域を構成している。領域Ａ２は、第１バスバー４の複数の連結部４３と複数の開口部４０とを含む。領域Ａ１０は、第２バスバー５の複数の連結部５３と複数の開口部５０とを含む。連結領域では、外側バスバー領域及び中央領域よりも弾性波の音速が速くなる。
　弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第１方向Ｄ１の両端それぞれから数えて３番目に位置する領域Ａ３、Ａ９が、内側バスバー領域を構成している。領域Ａ３は、第１バスバー４の内側バスバー部４２を含む。領域Ａ９は、第２バスバー５の内側バスバー部５２を含む。内側バスバー領域では、中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
　弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第１方向Ｄ１の両端それぞれから数えて４番目に位置する領域Ａ４、Ａ８が、ギャップ領域を構成している。領域Ａ４は、複数の第１電極指６の基端部６３と複数のギャップ３２とを含む。領域Ａ８は、複数の第２電極指７の基端部７３と複数のギャップ３１とを含む。ギャップ領域では、内側バスバー領域及び中央領域よりも弾性波の音速が速くなる。
　弾性波装置１では、上述の１１個の領域Ａ１～Ａ１１のうち第１方向Ｄ１の両端それぞれから数えて５番目に位置する領域Ａ５、Ａ７が、太幅領域を構成している。領域Ａ５は、複数の第１電極指６の太幅部６４と複数の第２電極指７の太幅部７２とを含む。領域Ａ７は、複数の第１電極指６の太幅部６２と複数の第２電極指７の太幅部７４とを含む。太幅領域では、中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる。
　弾性波装置１では、ＩＤＴ電極３が上記のように構成されているため、中央領域（領域Ａ６）の外側に低音速の領域（領域Ａ５、Ａ３及び領域Ａ７、Ａ９）が設けられ、低音速領域の外側に高音速の領域Ａ２及び領域Ａ１０が存在している。したがって、弾性波装置１では、ピストンモードを形成することが可能となり、横モードリップルを効果的に抑圧することができる。
　（１．３）ＩＤＴ電極及び反射器それぞれの電位
　図４は、図１及び２の真ん中のＩＤＴ電極３Ａの左側の端に位置する第１電極指６と、図１及び２の左側のＩＤＴ電極３Ｂの右側の端に位置する第１電極指６と、を含む拡大図である。図１、２及び４において「Ｈ」の記号が表記されている高電位側部分と、「Ｅ」の記号が表記されている低電位側部分とは、電位が異なる。例えば、図４において、ＩＤＴ電極３Ａの左側の端に位置する第１電極指６と、ＩＤＴ電極３Ｂの右側の端に位置する第１電極指６とは、電位が異なる。また、図４において、ＩＤＴ電極３Ａの左側の端に位置する第１電極指６と、この第１電極指６に近接する、ＩＤＴ電極３Ａの第２バスバー５とは、電位が異なる。また、図４において、ＩＤＴ電極３Ｂの右側の端に位置する第１電極指６と、この第１電極指６に近接する、ＩＤＴ電極３Ｂの第２バスバー５とは、電位が異なる。また、ＩＤＴ電極３Ａの第２バスバー５とＩＤＴ電極３Ｂの第２バスバー５とは、電位が異なる。
　図６は、実施形態１に係る弾性波装置１の表面（３つのＩＤＴ電極３の表面及び圧電体部２４の一の主面２４１を含む）の電荷分布を示す。図６に示す電荷分布の前提条件はＩＤＴ電極３Ａに係る領域、及び、ＩＤＴ電極３Ｂに係る領域で表面弾性波の励振現象が生じていること、ＩＤＴ電極３Ａに係る領域とＩＤＴ電極３Ｂに係る領域が互いに異なる電気端子（第１端子１１Ａ、第１端子１１Ｂ）と接続されていること、反射器８が電気的に短絡している（短絡グレーティングである）こと、及び、反射器８に係る領域で表面弾性波の励振現象が生じていないこと（反射器８は電気的に短絡しているため、圧電効果を引き起こす駆動電圧は零となる）、である。ここにおいて、図６に示す電荷分布が生じる原理は以下の通りである。表面弾性波の励振が生じている領域と励振が生じていない領域の境界領域にて、エッジ効果（Edge effect；縁端効果ともいう）が生じる。エッジ効果は、互いに表面弾性波の励振のようすが異なる２領域の境界領域においても、生じる。エッジ効果により、同境界領域の電荷量は、同境界領域の周辺領域の電荷量に比べて、局所的に大きくなる。エッジ効果は、原理上、互いに表面弾性波の励振のようすが異なっていれば、該当する種々の境界領域で、生じうる。しかし、実施形態１に係る弾性波装置１（縦結合共振子型フィルタ）の場合、図６に示すように、ＩＤＴ電極３Ａに係る領域とＩＤＴ電極３Ｂに係る領域との境界領域、及び、ＩＤＴ電極３Ｂに係る領域と反射器８に係る領域との境界領域で、局所的な電荷量の集中が発生する場合が多い。したがって、実施形態１に係る弾性波装置１では、図６に示すような電荷分布が生じる。
　図６から分かるように、弾性波装置１では、複数の第１電極指６と複数の第２電極指７とを含む一群の電極指が並んでいる第２方向Ｄ２において、ＩＤＴ電極３の両端の電荷量がＩＤＴ電極３の中央の電荷量よりも多くなる。このため、弾性波装置１では、例えば、隣り合うＩＤＴ電極３間での電気力線の密度が大きくなりやすい。
　（１．４）ＩＤＴ電極の詳細
　複数のＩＤＴ電極３のうち第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３の一方を第１ＩＤＴ電極、他方を第２ＩＤＴ電極としたとき、第１ＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ａ又は３Ｂ）では、第２ＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ｂ又は３Ａ）に最も近い第１電極指６に関して、例えば、図４に示すように、第１距離Ｌ１が第２距離Ｌ２よりも短い。第１距離Ｌ１は、第１方向Ｄ１に沿った中央部６０の中心線６Ｘと太幅部６２の第２ＩＤＴ電極側の外縁６２１との第２方向Ｄ２における最大距離である。第２距離Ｌ２は、中心線６Ｘと太幅部６２の第２ＩＤＴ電極とは反対側の外縁６２２との第２方向Ｄ２における最大距離である。第１電極指６の中央部６０の第２方向Ｄ２における幅をＷ０とすると、第１距離Ｌ１及び第２距離Ｌ２は、いずれもＷ０／２よりも長い。実施形態１に係る弾性波装置１では、隣り合う２つのＩＤＴ電極３のペアにおいて、ＩＤＴ電極３Ａを第１ＩＤＴ電極とすると、ＩＤＴ電極３Ｂが第２ＩＤＴ電極となり、ＩＤＴ電極３Ｂを第１ＩＤＴ電極とすると、ＩＤＴ電極３Ａが第２ＩＤＴ電極となる。第１ＩＤＴ電極において第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６の太幅部６２が、第１方向Ｄ１において中央部６０と重なる部分６２０から、第２方向Ｄ２において互いに反対向きに突出している２つの突部６２１０、６２２０を含んでいる（図４参照）。突部６２１０は、第２方向Ｄ２において中央部６０よりも第２ＩＤＴ電極側に突出している。突部６２２０は、第２方向Ｄ２において中央部６０よりも第２ＩＤＴ電極側とは反対の第２電極指７側に突出している。
　第１ＩＤＴ電極では、第１ＩＤＴ電極の一群の電極指のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６に関し、中心線６Ｘと太幅部６４の第２ＩＤＴ電極側の外縁との第２方向Ｄ２における最大距離である第３距離が、太幅部６４の第２ＩＤＴ電極とは反対側の外縁との第２方向Ｄ２における最大距離である第４距離よりも短い。第３距離は、第１距離Ｌ１と同じである。第４距離は、第２距離Ｌ２と同じである。第１ＩＤＴ電極では、第１ＩＤＴ電極の一群の電極指のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６は、中心線６Ｘを基準として非対称な形状である。太幅部６４の形状は、太幅部６２の形状と同じである。
　隣り合う２つのＩＤＴ電極３の一方のＩＤＴ電極３では、複数の第１電極指６と複数の第２電極指７とを含む一群の電極指のうち第２方向Ｄ２において他方のＩＤＴ電極３に最も近い第１電極指６は、第２バスバー５よりも、第２方向Ｄ２において内側に位置している。
　また、第１ＩＤＴ電極では、複数の第１電極指６のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６以外の第１電極指６は、第１方向Ｄ１に沿った中央部６０の中心線６Ｘを基準として線対称な形状である。また、第２ＩＤＴ電極では、複数の第１電極指６のうち第１ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６以外の第１電極指６は、第１方向Ｄ１に沿った中央部６０の中心線６Ｘを基準として線対称な形状である。複数の第１電極指６のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６以外の第１電極指６では、第１方向Ｄ１に沿った中央部６０の中心線６Ｘと太幅部６２の一方の外縁との第２方向Ｄ２における距離、及び、中心線６Ｘと太幅部６２の他方の外縁との第２方向Ｄ２における距離が、第２距離Ｌ２と同じである。したがって、第１ＩＤＴ電極では、複数の第１電極指６のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６の太幅部６２の第２方向Ｄ２における幅（第１距離Ｌ１＋第２距離Ｌ２）は、他の第１電極指６の太幅部６２の第２方向Ｄ２における幅よりも狭い。
　また、第１ＩＤＴ電極では、複数の第２電極指７の各々は、第１方向Ｄ１に沿った中央部７０の中心線７Ｘ（図４参照）を基準として線対称な形状である。また、第２ＩＤＴ電極では、複数の第２電極指７の各々は、第１方向Ｄ１に沿った中央部７０の中心線７Ｘを基準として線対称な形状である。複数の第２電極指７の各々では、第１方向Ｄ１に沿った中央部７０の中心線７Ｘと太幅部７２の一方の外縁との第２方向Ｄ２における距離、及び、中心線７Ｘと太幅部７２の他方の外縁との第２方向Ｄ２における距離が、第２距離Ｌ２と同じである。
　（１．５）効果
　実施形態１に係る弾性波装置１は、第１端子１１と、第２端子１２と、圧電体部２４と、複数のＩＤＴ電極３と、を備える。第２端子１２は、第１端子１１の電位よりも低い電位になる。複数のＩＤＴ電極３は、圧電体部２４上に設けられており、第１端子１１及び第２端子１２と電気的に接続されている。複数のＩＤＴ電極３の各々は、第１バスバー４と、第２バスバー５と、複数の第１電極指６と、複数の第２電極指７と、を有する。第２バスバー５は、第１方向Ｄ１において第１バスバー４に対向している。複数の第１電極指６は、第１バスバー４に接続され第１方向Ｄ１において第１バスバー４から第２バスバー５側に延びている。複数の第２電極指７は、第２バスバー５に接続され第１方向Ｄ１において第２バスバー５から第１バスバー４側に延びている。複数の第１電極指６と複数の第２電極指７とが、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２において、互いに離隔して並んでいる。第１バスバー４及び第２バスバー５の各々は、開口部４０、５０と、内側バスバー部４２、５２と、外側バスバー部４１、５１と、連結部４３、５３と、を含む。内側バスバー部４２、５２は、第１方向Ｄ１において開口部４０、５０よりも複数の第１電極指６及び複数の第２電極指７を含む一群の電極指側に位置している。外側バスバー部４１、５１は、第１方向Ｄ１において開口部４０、５０から見て内側バスバー部４２、５２とは反対側に位置している。連結部４３、５３は、第１方向Ｄ１において内側バスバー部４２、５２と外側バスバー部４１、５１とを連結している。複数のＩＤＴ電極３のうち第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３の一方を第１ＩＤＴ電極、他方を第２ＩＤＴ電極としたとき、第１ＩＤＴ電極の一群の電極指のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指（第１電極指６）と、第２ＩＤＴ電極の一群の電極指のうち第１ＩＤＴ電極に最も近い電極指（第１電極指６）と、の一方が第１端子１１に接続され、他方が第２端子１２に接続されている。第１ＩＤＴ電極では、一群の電極指のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６が、第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６の第１方向Ｄ１の中央部６０よりも第２方向Ｄ２の幅が大きな太幅部６２を含む。第１ＩＤＴ電極では、第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６に関し、第１方向Ｄ１に沿った中央部６０の中心線６Ｘと太幅部６２の第２ＩＤＴ電極側の外縁６２１との第２方向Ｄ２における最大距離である第１距離Ｌ１が、中心線６Ｘと太幅部６２の第２ＩＤＴ電極とは反対側の外縁６２２との第２方向Ｄ２における最大距離である第２距離Ｌ２よりも短い。
　これにより、実施形態１に係る弾性波装置１では、ＩＤＴ電極３が上記の構成を有しているので、ピストンモードの阻害を抑制することが可能となる。また、実施形態１に係る弾性波装置１は、第１ＩＤＴ電極では、第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６に関し、第１距離Ｌ１が第２距離Ｌ２よりも短いので、隣り合うＩＤＴ電極３でのＥＳＤによりサージ破壊されるのを抑制することが可能となる。具体的には、実施形態１に係る弾性波装置１では、隣り合う共振子のＩＤＴ電極３の第１電極指６間でＥＳＤが起こってサージ破壊されてしまうのを抑制することが可能となる。よって、実施形態１に係る弾性波装置１では、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能となる。
　実施形態１に係る弾性波装置１では、第１ＩＤＴ電極において第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６のみ太幅部６２の第２方向Ｄ２における幅を他の第１電極指６の太幅部６２の第２方向Ｄ２における幅よりも狭くすることによって、ＥＳＤ耐性の向上を図れる。これにより、実施形態１に係る弾性波装置１では、ピストンモードの阻害をより抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能となる。
　（１．６）実施形態１の変形例１
　以下では、実施形態１の変形例１に係る弾性波装置１ａについて、図７及び８を参照して説明する。
　変形例１に係る弾性波装置１ａでは、第１ＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ａ又は３Ｂ）において、第２ＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ｂ又は３Ａ）に最も近い第１電極指６の太幅部６２、６４の形状が、実施形態１に係る弾性波装置１とは相違する。変形例１に係る弾性波装置１ａに関し、実施形態１に係る弾性波装置１（図１～６参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
　実施形態１に係る弾性波装置１では、例えば、図４に示すように、第１ＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ａ又は３Ｂ）において第２ＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ｂ又は３Ａ）に最も近い第１電極指６の太幅部６２が、第２方向Ｄ２において互いに反対向きに突出している２つの突部６２１０、６２２０を含んでいる。これに対して、変形例１に係る弾性波装置１ａでは、第１ＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ａ又は３Ｂ）において第２ＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ｂ又は３Ａ）に最も近い第１電極指６の太幅部６２が、２つの突部６２１０、６２２０（図４参照）のうち突部６２２０のみを含んでいる。
　変形例１に係る弾性波装置１ａの第１ＩＤＴ電極では、第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６に関し、第１距離Ｌ１が、中央部６０の中心線６Ｘと中央部６０の第２ＩＤＴ電極側の外縁６０１との第２方向Ｄ２における距離Ｌ０１と同じである。
　これにより、変形例１に係る弾性波装置１ａでは、実施形態１に係る弾性波装置１と比べて、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３同士で互いに隣接する２つの第１電極指６間の距離を長くできる。よって、変形例１に係る弾性波装置１ａでは、実施形態１に係る弾性波装置１と比べて、ピストンモードの阻害をより抑制でき、かつＥＳＤ耐性の更なる向上を図ることが可能となる。
　（１．７）実施形態１の変形例２
　以下では、実施形態１の変形例２に係る弾性波装置１ｂについて、図９を参照して説明する。
　変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち一方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ａ）のみで、他方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ｂ）に最も近い第１電極指６の太幅部６２に関し、第１距離Ｌ１が第２距離Ｌ２よりも短くなっている点で、実施形態１に係る弾性波装置１とは相違する。変形例２に係る弾性波装置１ｂに関し、実施形態１に係る弾性波装置１（図１～６参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
　変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち他方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ｂ）では、一方のＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ａ）に最も近い第１電極指６の太幅部６２に関して、第１距離Ｌ１が第２距離Ｌ２と同じである。変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、隣り合う２つのＩＤＴ電極３のペアにおいて、ＩＤＴ電極３Ａを第１ＩＤＴ電極とし、ＩＤＴ電極３Ｂを第２ＩＤＴ電極とする。
　変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、ＩＤＴ電極３ＡにおいてＩＤＴ電極３Ｂに最も近い第１電極指６の太幅部６２に関して第１距離Ｌ１が第２距離Ｌ２よりも短いので、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図れる。また、変形例２に係る弾性波装置１ｂでは、第１ＩＤＴ電極３ＢにおいてＩＤＴ電極３Ａに最も近い第１電極指６の太幅部６２に関して第１距離Ｌ１が第２距離Ｌ２と同じなので、実施形態１に係る弾性波装置１と比べて、ピストンモードの阻害をより抑制できる。
　（１．８）実施形態１の変形例３
　以下では、実施形態１の変形例３に係る弾性波装置１ｂについて、図１０を参照して説明する。
　変形例３に係る弾性波装置１ｃでは、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち一方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ｂ）のみで、他方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ａ）に最も近い第１電極指６の太幅部６２に関し、第１距離Ｌ１が第２距離Ｌ２よりも短くなっている点が、実施形態１に係る弾性波装置１とは相違する。変形例３に係る弾性波装置１ｃに関し、実施形態１に係る弾性波装置１（図１～６参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
　変形例３に係る弾性波装置１ｃでは、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち他方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ａ）では、一方のＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ｂ）に最も近い第１電極指６の太幅部６２に関して、第２距離Ｌ２が第１距離Ｌ１よりも短い。変形例３に係る弾性波装置１ｃでは、隣り合う２つのＩＤＴ電極３のペアにおいて、ＩＤＴ電極３Ｂを第１ＩＤＴ電極とし、ＩＤＴ電極３Ａを第２ＩＤＴ電極とする。
　変形例３に係る弾性波装置１ｃでは、ＩＤＴ電極３ＢにおいてＩＤＴ電極３Ａに最も近い第１電極指６の太幅部６２に関して第１距離Ｌ１が第２距離Ｌ２よりも短いので、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図れる。
　（１．９）実施形態１の他の変形例
　複数のＩＤＴ電極３の各々におけるＩＤＴ電極３における複数の第１電極指６及び複数の第２電極指７それぞれの数は特に限定されない。ここにおいて、ＩＤＴ電極３では、一群の電極指のうち第２方向Ｄ２の一方の端及び他方の端それぞれに位置する電極指は、第１電極指６である場合に限らない。例えば、一群の電極指のうち第２方向Ｄ２の一方の端に位置する電極指が第１電極指６で、他方の端に位置する電極指が第２電極指７であってもよい。また、一群の電極指のうち第２方向Ｄ２の一方の端及び他方の端それぞれに位置する電極指が、第２電極指７であってもよい。また、一群の電極指は、複数の第１電極指６と複数の第２電極指７とが、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２において、離隔して並んでいる構成であればよい。例えば、一変形例の弾性波装置において、第１電極指６と第２電極指７とが１本ずつ離隔して並んでいる領域と、第１電極指６又は第２電極指７が第２方向Ｄ２において２つ並んでいる領域と、とが混在してもよい。これらのいずれの変形例の弾性波装置でも、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち少なくとも一方のＩＤＴ電極３で、一群の電極指のうち第２方向Ｄにおいて他方のＩＤＴ電極３に最も近い電極指の太幅部に関し、第１距離Ｌ１が第２距離Ｌ２よりも短くなっていればよい。これにより、いずれの変形例の弾性波装置でも、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能となる。また、ＩＤＴ電極３における複数の第１電極指６及び複数の第２電極指７それぞれにおいては、少なくとも１つの第１電極指６及び第２電極指７が太幅部６２、７２を有していればよい。
　（実施形態２）
　（２．１）弾性波装置の構成
　以下、実施形態２に係る弾性波装置１ｄについて、図１１及び１２を参照して説明する。
　実施形態２に係る弾性波装置１ｄは、隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち一方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ａ又はＩＤＴ電極３Ｂ）において、他方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ｂ又はＩＤＴ電極３Ａ）に最も近い第１電極指６の先端部６１の第２方向Ｄ２の幅Ｗ０１が、中央部６０の幅Ｗ０と同じである点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。実施形態２に係る弾性波装置１ｄに関し、実施形態１に係る弾性波装置１（図１～６参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
　実施形態２に係る弾性波装置１ｄでは、隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち一方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ａ又はＩＤＴ電極３Ｂ）において、他方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ｂ又はＩＤＴ電極３Ａ）に最も近い第１電極指６は、先端部６１に、太幅部６２（図２参照）を有していない。これにより、この第１電極指６では、先端部６１の第２方向Ｄ２の幅Ｗ０１が、中央部６０の幅Ｗ０と同じとなっている。また、この第１電極指６は、太幅部６４（図２参照）を有していない。
　（２．２）効果
　実施形態２に係る弾性波装置１ｄは、第１端子１１（図１参照）と、第２端子１２（図１参照）と、圧電体部２４と、複数のＩＤＴ電極３と、を備える。第２端子１２は、第１端子１１の電位よりも低い電位になる。複数のＩＤＴ電極３は、圧電体部２４上に設けられており、第１端子１１及び第２端子１２と電気的に接続されている。複数のＩＤＴ電極３の各々は、第１バスバー４と、第２バスバー５と、複数の第１電極指６と、複数の第２電極指７と、を有する。第２バスバー５は、第１方向Ｄ１において第１バスバー４に対向している。複数の第１電極指６は、第１バスバー４に接続され第１方向Ｄ１において第１バスバー４から第２バスバー５側に延びている。複数の第２電極指７は、第２バスバー５に接続され第１方向Ｄ１において第２バスバー５から第１バスバー４側に延びている。複数の第１電極指６と複数の第２電極指７とが、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２において、互いに離隔して並んでいる。第１バスバー４及び第２バスバー５の各々は、開口部４０、５０と、内側バスバー部４２、５２と、外側バスバー部４１、５１と、連結部４３、５３と、を含む。内側バスバー部４２、５２は、第１方向Ｄ１において開口部４０、５０よりも複数の第１電極指６及び複数の第２電極指７を含む一群の電極指側に位置している。外側バスバー部４１、５１は、第１方向Ｄ１において開口部４０、５０から見て内側バスバー部４２、５２とは反対側に位置している。連結部４３、５３は、第１方向Ｄ１において内側バスバー部４２、５２と外側バスバー部４１、５１とを連結している。複数の第１電極指６及び複数の第２電極指７それぞれの少なくとも１つの第１電極指６、第２電極指７が、第１方向Ｄ１の中央部６０、７０よりも第２方向Ｄ２の幅が大きな太幅部６２、７２を含む。複数のＩＤＴ電極３のうち第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３の一方を第１ＩＤＴ電極、他方を第２ＩＤＴ電極としたとき、第１ＩＤＴ電極の一群の電極指のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指（第１電極指６）と、第２ＩＤＴ電極の一群の電極指のうち第１ＩＤＴ電極に最も近い電極指（第１電極指６）と、の一方が第１端子１１に接続され、他方が第２端子１２に接続されている。第１ＩＤＴ電極では、第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６に太幅部６２を有せず、第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６以外の第１電極指６の少なくとも１つに太幅部６２を有する。
　これにより、実施形態２に係る弾性波装置１ｄでは、ＩＤＴ電極３が上記の構成を有しているので、ピストンモードの阻害を抑制することが可能となる。また、実施形態２に係る弾性波装置１ｄは、第１ＩＤＴ電極では、第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６に太幅部６２を有せず、第２ＩＤＴ電極に最も近い第１電極指６以外の第１電極指６の少なくとも１つに太幅部６２を有するので、隣り合うＩＤＴ電極３でのＥＳＤによりサージ破壊されるのを抑制することが可能となる。具体的には、実施形態２に係る弾性波装置１ｄでは、隣り合う共振子のＩＤＴ電極３の第１電極指６間でＥＳＤが起こってサージ破壊されてしまうのを抑制することが可能となる。よって、実施形態２に係る弾性波装置１ｄでは、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能となる。
　（２．３）実施形態２の変形例１
　以下では、実施形態２の変形例１に係る弾性波装置１ｅについて、図１３を参照して説明する。
　変形例１に係る弾性波装置１ｅは、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち一方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ｂ）のみで、他方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ａ）に最も近い第１電極指６の先端部６１の第２方向Ｄ２の幅Ｗ０１が、中央部６０の幅Ｗ０と同じである点で、実施形態２に係る弾性波装置１ｄと相違する。変形例１に係る弾性波装置１ｅに関し、実施形態２に係る弾性波装置１ｄ（図１１及び１２参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
　変形例１に係る弾性波装置１ｅでは、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち他方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ａ）では、一方のＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ｂ）に最も近い第１電極指６の太幅部６２に関して、第２距離Ｌ２が第１距離Ｌ１よりも短い。変形例１に係る弾性波装置１ｅでは、隣り合う２つのＩＤＴ電極３のペアにおいて、ＩＤＴ電極３Ｂを第１ＩＤＴ電極とし、ＩＤＴ電極３Ａを第２ＩＤＴ電極とする。
　変形例１に係る弾性波装置１ｅでは、ＩＤＴ電極３ＡにおいてＩＤＴ電極３Ｂに最も近い第１電極指６の先端部６１が太幅部６２を有しているので、実施形態２に係る弾性波装置１ｄと比べて、ＩＤＴ電極３Ａでのピストンモードの阻害をより抑制できる。
　（２．４）実施形態２の変形例２
　以下では、実施形態２の変形例２に係る弾性波装置１ｆについて、図１４を参照して説明する。
　変形例２に係る弾性波装置１ｆでは、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち一方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ａ）のみで、他方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ｂ）に最も近い第１電極指６の先端部６１の第２方向Ｄ２の幅Ｗ０１が、中央部６０の幅Ｗ０と同じである点が、実施形態２に係る弾性波装置１ｄと相違する。変形例２に係る弾性波装置１ｆに関し、実施形態２に係る弾性波装置１ｄ（図１１及び１２参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
　変形例２に係る弾性波装置１ｆでは、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち他方のＩＤＴ電極３（ＩＤＴ電極３Ｂ）では、一方のＩＤＴ電極（ＩＤＴ電極３Ａ）に最も近い第１電極指６の太幅部６２に関して、第１距離Ｌ１が第２距離Ｌ２よりも短い。変形例２に係る弾性波装置１ｆでは、隣り合う２つのＩＤＴ電極３のペアにおいて、ＩＤＴ電極３Ａを第１ＩＤＴ電極とし、ＩＤＴ電極３Ｂを第２ＩＤＴ電極とする。
　変形例２に係る弾性波装置１ｆでは、ＩＤＴ電極３ＢにおいてＩＤＴ電極３Ａに最も近い第１電極指６の先端部６１が太幅部６２を有しているので、実施形態２に係る弾性波装置１ｄと比べて、ＩＤＴ電極３Ｂでのピストンモードの阻害をより抑制できる。また、変形例２に係る弾性波装置１ｆでは、変形例１に係る弾性波装置１ｅと比べて、隣り合う２つのＩＤＴ電極３の隣接する第１電極指６間の最短距離を長くすることができるので、ＥＳＤ耐性の向上を図れる。
　（２．５）実施形態２の変形例３
　実施形態２の変形例３に係る弾性波装置１ｇでは、図１５に示すように、積層型基板２ｇが、高音速膜２２と、低音速膜２３と、圧電体部２４と、を含む。高音速膜２２は、支持基板２０上に設けられている。ここにおいて、「支持基板２０上に設けられている」とは、支持基板２０上に直接的に設けられている場合と、支持基板２０上に間接的に設けられている場合と、を含む。高音速膜２２では、圧電体部（圧電膜）２４を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜２３は、高音速膜２２上に設けられている。ここにおいて、「高音速膜２２上に設けられている」とは、高音速膜２２上に直接的に設けられている場合と、高音速膜２２上に間接的に設けられている場合と、を含む。低音速膜２３では、圧電体部２４を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電体部２４は、低音速膜２３上に設けられている。ここにおいて、「低音速膜２３上に設けられている」とは、低音速膜２３上に直接的に設けられている場合と、低音速膜２３上に間接的に設けられている場合と、を含む。変形例３に係る弾性波装置１ｇに関し、実施形態２に係る弾性波装置１ｄ（図１１及び１２参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　支持基板２０としては、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体、又はシリコン、窒化ガリウム等の半導体、及び樹脂基板等を用いることができる。
　変形例３に係る弾性波装置１ｇでは、高音速膜２２は、弾性波が高音速膜２２より下の構造に漏れないように機能する。
　変形例３に係る弾性波装置１ｇでは、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波のエネルギーは圧電体部２４及び低音速膜２３の全体に分布し、高音速膜２２の低音速膜２３側の一部にも分布し、支持基板２０には分布しないことになる。高音速膜２２により弾性波を閉じ込めるメカニズムは非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６－２８に記載されている。上記メカニズムは、音響多層膜によるブラッグ反射器を用いて弾性波を閉じ込めるメカニズムとは異なる。
　高音速膜２２は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシアダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料からなる。
　高音速膜２２の厚さに関しては、弾性波を圧電体部２４及び低音速膜２３に閉じ込める機能を高音速膜２２が有するため、高音速膜２２の厚さは厚いほど望ましい。
　変形例３に係る弾性波装置１ｇでは、実施形態２に係る弾性波装置１ｄと同様、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能となる。
　（２．６）実施形態２の変形例４
　実施形態２の変形例４に係る弾性波装置１ｈは、図１６に示すように、圧電体部２４ｈが圧電基板により構成されており、実施形態２に係る弾性波装置１ｄにおける高音速支持基板２１及び低音速膜２３を備えていない。変形例４に係る弾性波装置１ｈに関し、実施形態２に係る弾性波装置１ｄ（図１１及び１２参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　弾性波装置１ｈでは、圧電体部２４ｈを構成する圧電基板は、１２８度Ｙ－Ｘのリチウムニオベイト（ＬｉＮｂＯ3）基板からなる。圧電基板は、例えば、５０°ＹカットＸ伝搬リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）圧電単結晶又は圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸から５０°回転した軸を法線とする面で切断したリチウムタンタレート単結晶、又はセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性波が伝搬する単結晶又はセラミックス）からなる基板であってもよい。図１６で図示は省略しているが、弾性波装置１ｈは、複数（３つ）のＩＤＴ電極３、２つの反射器８、及び圧電体部２４ｈの一の主面２４１ｈのうち複数（３つ）のＩＤＴ電極３及び２つの反射器８に覆われていない領域を覆う酸化ケイ素膜を備えている。弾性波装置１ｈでは、酸化ケイ素膜の表面形状は、３つのＩＤＴ電極３及び２つの反射器８それぞれの形状に対応した凹凸が形成されている。
　変形例４に係る弾性波装置１ｈでは、実施形態２に係る弾性波装置１ｄと同様、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能となる。
　（２．７）実施形態２の他の変形例
　複数のＩＤＴ電極３の各々におけるＩＤＴ電極３における複数の第１電極指６及び複数の第２電極指７それぞれの数は特に限定されない。ここにおいて、ＩＤＴ電極３では、一群の電極指のうち第２方向Ｄ２の両方の端それぞれに位置する電極指は、第１電極指６である場合に限らない。例えば、一群の電極指のうち第２方向Ｄ２の一方の端に位置する電極指が第１電極指６で、他方の端に位置する電極指が第２電極指７であってもよい。また、一群の電極指のうち第２方向Ｄ２の一方の端及び他方の端それぞれに位置する電極指が、第２電極指７であってもよい。また、一群の電極指は、複数の第１電極指６と複数の第２電極指７とが、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２において、離隔して並んでいる構成であればよい。例えば、一変形例の弾性波装置において、第１電極指６と第２電極指７とが１本ずつ離隔して並んでいる領域と、第１電極指６又は第２電極指７が第２方向Ｄ２において２つ並んでいる領域と、とが混在してもよい。これらのいずれの変形例の弾性波装置でも、第２方向Ｄ２において隣り合う２つのＩＤＴ電極３のうち少なくとも一方のＩＤＴ電極３で、一群の電極指のうち第２方向Ｄにおいて他方のＩＤＴ電極３に最も近い電極指に太幅部を有せず、他方のＩＤＴ電極３に最も近い電極指以外の電極指の少なくとも１つに太幅部を有していればよい。これにより、いずれの変形例の弾性波装置でも、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能となる。また、ＩＤＴ電極３における複数の第１電極指６及び複数の第２電極指７それぞれにおいては、少なくとも１つの第１電極指６及び第２電極指７が太幅部６２、７２を有していればよい。
　上記の実施形態１、２等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　例えば、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ、１ｈでは、ＩＤＴ電極３が、圧電体部２４、２４ｈ上に直接的に設けられているが、これに限らず、ＩＤＴ電極３が、圧電体部２４、２４ｈ上に間接的に設けられていてもよい。例えば、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ、１ｈでは、ＩＤＴ電極３が圧電体部２４、２４ｈ上に誘電体膜を介して設けられていてもよい。
　また、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆは、積層型基板２の代わりに、積層型基板２ｇ（図１５参照）又は圧電体部２４ｈ（図１６参照）を備えていてもよい。また、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆでは、積層型基板２が、低音速膜２３と高音速支持基板２１との間に介在する膜を含んでもよい。また、弾性波装置１ｇでは、積層型基板２ｇが、高音速膜２２と支持基板２０との間に介在する膜と、低音速膜２３と圧電体部２４との間に介在する膜と、の少なくとも一方を含んでもよい。また、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆでは、積層型基板２が、圧電体部２４と高音速支持基板２１との間に、低音速膜２３の代わりに、音響インピーダンス層を備えていてもよい。音響インピーダンス層は、ＩＤＴ電極３で励振された弾性波が高音速支持基板２１に漏洩するのを抑制する機能を有する。音響インピーダンス層は、音響インピーダンスが相対的に高い少なくとも１つの高音響インピーダンス層と音響インピーダンスが相対的に低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層とが高音速支持基板２１の厚さ方向において並んだ積層構造を有する。上記の積層構造では、高音響インピーダンス層が複数設けられてもよいし、低音響インピーダンス層が複数設けられてもよい。この場合、上記の積層構造は、複数の高音響インピーダンス層と複数の低音響インピーダンス層とが高音速支持基板２１の厚さ方向において一層ごとに交互に並んだ構造である。
　高音響インピーダンス層は、例えば、白金、タングステン、窒化アルミニウム、リチウムタンタレート、サファイア、リチウムニオベイト、窒化シリコン又は酸化亜鉛からなる。
　低音響インピーダンス層は、例えば、酸化ケイ素、アルミニウム又はチタンからなる。
　また、ＩＤＴ電極３の数は、複数であればよく、３つに限定されず、例えば、５つであってもよい。
　（まとめ）
　以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｆ；１ｇ；１ｈ）は、第１端子（１１）と、第２端子（１２）と、圧電体部（２４；２４ｈ）と、複数のＩＤＴ電極（３）と、を備える。第２端子（１２）は、第１端子（１１）の電位よりも低い電位になる。複数のＩＤＴ電極（３）は、圧電体部（２４；２４ｈ）上に設けられており、第１端子（１１）及び第２端子（１２）と電気的に接続されている。。複数のＩＤＴ電極（３）の各々は、第１バスバー（４）と、第２バスバー（５）と、複数の第１電極指（６）と、複数の第２電極指（７）と、を有する。第２バスバー（５）は、第１方向（Ｄ１）において第１バスバー（４）に対向している。複数の第１電極指（６）は、第１バスバー（４）に接続され第１方向（Ｄ１）において第１バスバー（４）から第２バスバー（５）側に延びている。複数の第２電極指（７）は、第２バスバー（５）に接続され第１方向（Ｄ１）において第２バスバー（５）から第１バスバー（４）側に延びている。複数の第１電極指（６）と複数の第２電極指（７）とが、第１方向（Ｄ１）に直交する第２方向（Ｄ２）において、互いに離隔して並んでいる。第１バスバー（４）及び第２バスバー（５）の各々は、開口部（４０、５０）と、内側バスバー部（４２、５２）と、外側バスバー部（４１、５１）と、連結部（４３、５３）と、を含む。内側バスバー部（４２、５２）は、第１方向（Ｄ１）において開口部（４０、５０）よりも複数の第１電極指（６）及び複数の第２電極指（７）側に位置している。外側バスバー部（４１、５１）は、第１方向（Ｄ１）において開口部（４０、５０）から見て内側バスバー部（４２、５２）とは反対側に位置している。連結部（４３、５３）は、第１方向（Ｄ１）において内側バスバー部（４２、５２）と外側バスバー部（４１、５１）とを連結している。複数のＩＤＴ電極（３）のうち第２方向（Ｄ２）において隣り合う２つのＩＤＴ電極（３）の一方を第１ＩＤＴ電極、他方を第２ＩＤＴ電極としたとき、第１ＩＤＴ電極の一群の電極指のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、第２ＩＤＴ電極の一群の電極指のうち第１ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、の一方が第１端子（１１）に接続され、他方が第２端子（１２）に接続されている。第１ＩＤＴ電極では、第１ＩＤＴ電極の一群の電極指のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指が、第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指の第１方向（Ｄ１）の中央部よりも第２方向（Ｄ２）の幅が大きな太幅部を含む。第１ＩＤＴ電極では、第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指に関し、第１方向（Ｄ１）に沿った中央部の中心線と太幅部の第２ＩＤＴ電極側の外縁との第２方向（Ｄ２）における最大距離である第１距離（Ｌ１）が、中央部の中心線と太幅部の第２ＩＤＴ電極とは反対側の外縁との第２方向（Ｄ２）における最大距離である第２距離（Ｌ２）よりも短い。
　第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｆ；１ｇ；１ｈ）では、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能となる。
　第２の態様に係る弾性波装置（１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｆ；１ｇ；１ｈ）では、第１の態様において、第１ＩＤＴ電極では、第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指に関し、第１距離（Ｌ１）が、中央部の中心線と中央部の第２ＩＤＴ電極側の外縁との第２方向（Ｄ２）における距離（Ｌ０１）と同じである。
　第２の態様に係る弾性波装置（１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｆ；１ｇ；１ｈ）では、ＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能となる。
　第３の態様に係る弾性波装置（１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ）は、第１端子（１１）と、第２端子（１２）と、圧電体部（２４；２４ｈ）と、複数のＩＤＴ電極（３）と、を備える。第２端子（１２）は、第１端子（１１）の電位よりも低い電位になる。複数のＩＤＴ電極（３）は、圧電体部（２４；２４ｈ）上に設けられており、第１端子（１１）及び第２端子（１２）と電気的に接続されている。複数のＩＤＴ電極（３）の各々は、第１バスバー（４）と、第２バスバー（５）と、複数の第１電極指（６）と、複数の第２電極指（７）と、を有する。第２バスバー（５）は、第１方向（Ｄ１）において第１バスバー（４）に対向している。複数の第１電極指（６）は、第１バスバー（４）に接続され第１方向（Ｄ１）において第１バスバー（４）から第２バスバー（５）側に延びている。複数の第２電極指（７）は、第２バスバー（５）に接続され第１方向（Ｄ１）において第２バスバー（５）から第１バスバー（４）側に延びている。複数の第１電極指（６）と複数の第２電極指（７）とが、第１方向（Ｄ１）に直交する第２方向（Ｄ２）において、互いに離隔して並んでいる。第１バスバー（４）及び第２バスバー（５）の各々は、開口部（４０、５０）と、内側バスバー部（４２、５２）と、外側バスバー部（４１、５１）と、連結部（４３、５３）と、を含む。内側バスバー部（４２、５２）は、第１方向（Ｄ１）において開口部（４０、５０）よりも複数の第１電極指（６）及び複数の第２電極指（７）側に位置している。外側バスバー部（４１、５１）は、第１方向（Ｄ１）において開口部（４０、５０）から見て内側バスバー部（４２、５２）とは反対側に位置している。連結部（４３、５３）は、第１方向（Ｄ１）において内側バスバー部（４２、５２）と外側バスバー部（４１、５１）とを連結している。複数の第１電極指（６）及び複数の第２電極指（７）それぞれの少なくとも１つの電極指の先端部（６１、７１）が、少なくとも１つの電極指の第１方向（Ｄ１）の中央部（６０、７０）よりも第２方向（Ｄ２）の幅が大きな太幅部（６２、７２）を含む。複数のＩＤＴ電極（３）のうち第２方向（Ｄ２）において隣り合う２つのＩＤＴ電極（３）の一方を第１ＩＤＴ電極、他方を第２ＩＤＴ電極としたとき、第１ＩＤＴ電極の一群の電極指のうち第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、第２ＩＤＴ電極の一群の電極指のうち第１ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、の一方が第１端子（１１）に接続され、他方が第２端子（１２）に接続されている。第１ＩＤＴ電極では、第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指に太幅部を有せず、第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指以外の電極指の少なくとも１つに太幅部を有する。
　第３の態様に係る弾性波装置（１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ）では、ピストンモードの阻害を抑制しつつＥＳＤ耐性の向上を図ることが可能となる。
　第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｆ；１ｅ；１ｇ；１ｈ）では、第１～第３の態様のいずれか一つにおいて、複数のＩＤＴ電極（３）が第２方向（Ｄ２）において並んでおり、２つの反射器（８）を更に備える。２つの反射器（８）は、第２方向（Ｄ２）において並んでいる複数のＩＤＴ電極（３）のうち両側のＩＤＴ電極（３）それぞれの、隣りのＩＤＴ電極（３）とは反対側で圧電体部（２４）上に１つずつ設けられている。２つの反射器（８）は、複数のＩＤＴ電極（３）により励振された弾性波を反射する。
　第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ）は、縦結合共振子型フィルタを構成できる。
　第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ）では、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、複数の第１電極指（６）及び複数の第２電極指（７）それぞれの少なくとも１つの電極指の先端部（６１、７１）が、太幅部（６２，７２）を含む。
　第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ；１ｈ）では、第１～５の態様のいずれか一つにおいて、圧電体部（２４）と複数のＩＤＴ電極（３）のうち１つのＩＤＴ電極（３）とを含む積層体は、積層体の厚さ方向からの平面視で、第１方向（Ｄ１）にいて互いに異なる複数の領域（Ａ１～Ａ１１）を有する。複数の領域（Ａ１～Ａ１１）は、中央領域（領域Ａ６）と、２つの外側バスバー領域（領域Ａ１、Ａ１１）と、２つの内側バスバー領域（領域Ａ３、Ａ９）と、２つの連結領域（領域Ａ２、Ａ１０）と、２つのギャップ領域（領域Ａ４、Ａ８）と、２つの太幅領域（Ａ７、Ａ５）と、を含む。中央領域（領域Ａ６）は、第１方向（Ｄ１）において中央に位置しており、複数の第１電極指（６）の中央部（６０）と複数の第２電極指（７）の中央部（７０）とを含む。２つの外側バスバー領域（領域Ａ１、Ａ１１）は、第１バスバー（４）の外側バスバー部（４１）及び第２バスバー（５）の外側バスバー部（５１）をそれぞれ含む。２つの内側バスバー領域（領域Ａ３、Ａ９）は、第１バスバー（４）の内側バスバー部（４２）及び第２バスバー（５）の内側バスバー部（５２）をそれぞれ含む。２つの連結領域（領域Ａ２、Ａ１０）は、第１バスバー（４）の開口部（４０）及び第２バスバー（５）の開口部（５０）をそれぞれ含む。２つのギャップ領域（領域Ａ４、Ａ８）は、複数の第１電極指（６）と第２バスバー（５）との間のギャップ（３１）及び複数の第２電極指（７）と第１バスバー（４）との間のギャップ（３２）それぞれを含む。２つの太幅領域（Ａ７、Ａ５）は、複数の第１電極指（６）の少なくとも１つの電極指（第１電極指６）の太幅部（６２）及び複数の第２電極指（７）の少なくとも１つの電極指（第２電極指７）の太幅部（７２）それぞれを含む。２つの外側バスバー領域（領域Ａ１、Ａ１１）では、中央領域（領域Ａ６）よりも弾性波の音速が遅くなる。２つの内側バスバー領域（領域Ａ３、Ａ９）では、中央領域（領域Ａ６）よりも弾性波の音速が遅くなる。２つの連結領域（領域Ａ２、Ａ１０）では、２つの外側バスバー領域（領域Ａ１、Ａ１１）及び中央領域（領域Ａ６）よりも弾性波の音速が速くなる。２つのギャップ領域（領域Ａ４、Ａ８）では、２つの内側バスバー領域（領域Ａ３、Ａ９）及び中央領域（領域Ａ６）よりも弾性波の音速が速くなる。２つの太幅領域（Ａ７、Ａ５）では、中央領域（領域Ａ６）よりも弾性波の音速が遅くなる。
　１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ、１ｈ　弾性波装置
　２、２ｇ　積層型基板
　２０　支持基板
　２１　高音速支持基板
　２１１　第１主面
　２１２　第２主面
　２２　高音速膜
　２３　低音速膜
　２４、２４ｈ　圧電体部
　２４１、２４１ｈ　一の主面
　３　ＩＤＴ電極
　３Ａ　ＩＤＴ電極（第１ＩＤＴ電極又は第２ＩＤＴ電極）
　３Ｂ　ＩＤＴ電極（第２ＩＤＴ電極又は第１ＩＤＴ電極）
　４　第１バスバー
　４０　開口部
　４１　外側バスバー部
　４２　内側バスバー部
　５　第２バスバー
　５０　開口部
　５１　外側バスバー部
　５２　内側バスバー部
　６　第１電極指
　６Ｘ　中心線
　６０　中央部
　６０１　外縁
　６１　先端部
　６２　太幅部
　６２１　外縁
　６２２　外縁
　６２１０　突部
　６２２０　突部
　６３　基端部
　６４　太幅部
　７　第２電極指
　７Ｘ　中心線
　７０　中央部
　７１　先端部
　７２　太幅部
　７３　基端部
　７４　太幅部
　８　反射器
　９　電極指
　Ｄ１　第１方向
　Ｄ２　第２方向
　Ｌ１　第１距離
　Ｌ２　第２距離
　Ｌ０１　距離
　Ｗ０　幅
　Ｗ０１　幅
　Ａ１　領域（外側バスバー領域）
　Ａ２　領域（連結領域）
　Ａ３　領域（内側バスバー領域）
　Ａ４　領域（ギャップ領域）
　Ａ５　領域（太幅領域）
　Ａ６　領域（中央領域）
　Ａ７　領域（太幅領域）
　Ａ８　領域（ギャップ領域）
　Ａ９　領域（内側バスバー領域）
　Ａ１０　領域（連結領域）
　Ａ１１　領域（外側バスバー領域）

Claims (6)

  1. 　第１端子と、
    　前記第１端子の電位よりも低い電位になる第２端子と、
    　圧電体部と、
    　前記圧電体部上に設けられており、前記第１端子及び前記第２端子と電気的に接続されている、複数のＩＤＴ電極と、を備え、
    　前記複数のＩＤＴ電極の各々は、
    　　第１バスバーと、
    　　第１方向において前記第１バスバーに対向している第２バスバーと、
    　　前記第１バスバーに接続され前記第１方向において前記第１バスバーから前記第２バスバー側に延びている複数の第１電極指と、
    　　前記第２バスバーに接続され前記第１方向において前記第２バスバーから前記第１バスバー側に延びている複数の第２電極指と、を有し、
    　前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とが、前記第１方向に直交する第２方向において、互いに離隔して並んでおり、
    　前記第１バスバー及び前記第２バスバーの各々は、
    　　開口部と、
    　　前記第１方向において前記開口部よりも前記複数の第１電極指及び前記複数の第２電極指を含む一群の電極指側に位置している内側バスバー部と、
    　　前記第１方向において前記開口部から見て前記内側バスバー部とは反対側に位置している外側バスバー部と、
    　　前記第１方向において前記内側バスバー部と前記外側バスバー部とを連結している連結部と、を含み、
    　前記複数のＩＤＴ電極のうち前記第２方向において隣り合う２つのＩＤＴ電極の一方を第１ＩＤＴ電極、他方を第２ＩＤＴ電極としたとき、
    　前記第１ＩＤＴ電極の前記一群の電極指のうち前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、前記第２ＩＤＴ電極の前記一群の電極指のうち前記第１ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、の一方が前記第１端子に接続され、他方が前記第２端子に接続されており、
    　前記第１ＩＤＴ電極では、前記第１ＩＤＴ電極の前記一群の電極指のうち前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指が、前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指の前記第１方向の中央部よりも前記第２方向の幅が大きな太幅部を含み、
    　前記第１ＩＤＴ電極では、前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指に関し、
    　　前記第１方向に沿った前記中央部の中心線と前記太幅部の前記第２ＩＤＴ電極側の外縁との前記第２方向における最大距離である第１距離が、前記中央部の中心線と前記太幅部の前記第２ＩＤＴ電極とは反対側の外縁との前記第２方向における最大距離である第２距離よりも短い、
    　弾性波装置。
  2. 　前記第１ＩＤＴ電極では、前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指に関し、
    　　前記第１距離が、前記中央部の中心線と前記中央部の前記第２ＩＤＴ電極側の外縁との前記第２方向における距離と同じである、
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　第１端子と、
    　前記第１端子の電位よりも低い電位になる第２端子と、
    　圧電体部と、
    　前記圧電体部上に設けられており、前記第１端子及び前記第２端子と電気的に接続されている、複数のＩＤＴ電極と、を備え、
    　前記複数のＩＤＴ電極の各々は、
    　　第１バスバーと、
    　　第１方向において前記第１バスバーに対向している第２バスバーと、
    　　前記第１バスバーに接続され前記第１方向において前記第１バスバーから前記第２バスバー側に延びている複数の第１電極指と、
    　　前記第２バスバーに接続され前記第１方向において前記第２バスバーから前記第１バスバー側に延びている複数の第２電極指と、を有し、
    　前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指とが、前記第１方向に直交する第２方向において、互いに離隔して並んでおり、
    　前記第１バスバー及び前記第２バスバーの各々は、
    　　開口部と、
    　　前記第１方向において前記開口部よりも前記複数の第１電極指及び前記複数の第２電極指を含む一群の電極指側に位置している内側バスバー部と、
    　　前記第１方向において前記開口部から見て前記内側バスバー部とは反対側に位置している外側バスバー部と、
    　　前記第１方向において前記内側バスバー部と前記外側バスバー部とを連結している連結部と、を含み、
    　前記複数の第１電極指及び前記複数の第２電極指それぞれの少なくとも１つの電極指が、前記少なくとも１つの電極指の前記第１方向の中央部よりも前記第２方向の幅が大きな太幅部を含み、
    　前記複数のＩＤＴ電極のうち前記第２方向において隣り合う２つのＩＤＴ電極の一方を第１ＩＤＴ電極、他方を第２ＩＤＴ電極としたとき、
    　前記第１ＩＤＴ電極の前記一群の電極指のうち前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、前記第２ＩＤＴ電極の前記一群の電極指のうち前記第１ＩＤＴ電極に最も近い電極指と、の一方が前記第１端子に接続され、他方が前記第２端子に接続されており、
    　前記第１ＩＤＴ電極では、前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指に前記太幅部を有せず、前記第２ＩＤＴ電極に最も近い電極指以外の電極指の少なくとも１つに前記太幅部を有する、
    　弾性波装置。
  4. 　前記複数のＩＤＴ電極が前記第２方向において並んでおり、
    　前記第２方向において並んでいる前記複数のＩＤＴ電極のうち両側のＩＤＴ電極それぞれの、隣りのＩＤＴ電極とは反対側で前記圧電体部上に１つずつ設けられており、前記複数のＩＤＴ電極により励振された弾性波を反射する２つの反射器を更に備える、
    　請求項１～３のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記複数の第１電極指及び前記複数の第２電極指それぞれの少なくとも１つの電極指の先端部が、前記太幅部を含む、
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記圧電体部と前記複数のＩＤＴ電極のうち１つのＩＤＴ電極とを含む積層体は、前記積層体の厚さ方向からの平面視で、前記第１方向にいて互いに異なる複数の領域を有し、
    　前記複数の領域は、
    　　前記第１方向において中央に位置しており、前記複数の第１電極指の中央部と前記複数の第２電極指の中央部とを含む中央領域と、
    　　前記第１バスバーの前記外側バスバー部及び前記第２バスバーの前記外側バスバー部をそれぞれ含む２つの外側バスバー領域と、
    　　前記第１バスバーの前記内側バスバー部及び前記第２バスバーの前記内側バスバー部をそれぞれ含む２つの内側バスバー領域と、
    　　前記第１バスバーの開口部及び前記第２バスバーの開口部をそれぞれ含む２つの連結領域と、
    　前記複数の第１電極指と前記第２バスバーとの間のギャップ及び前記複数の第２電極指と前記第１バスバーとの間のギャップそれぞれを含む２つのギャップ領域と、
    　前記複数の第１電極指の少なくとも１つの電極指の太幅部及び前記複数の第２電極指の少なくとも１つの電極指の太幅部それぞれを含む２つの太幅領域と、を含み、
    　前記２つの外側バスバー領域では、前記中央領域よりも弾性波の音速が遅くなり、
    　前記２つの内側バスバー領域では、前記中央領域よりも弾性波の音速が遅くなり、
    　前記２つの連結領域では、前記２つの外側バスバー領域及び前記中央領域よりも弾性波の音速が速くなり、
    　前記２つのギャップ領域では、前記２つの内側バスバー領域及び前記中央領域よりも弾性波の音速が速くなり、
    　前記２つの太幅領域では、前記中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる、
    　請求項１～５のいずれか一項に記載の弾性波装置。
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