KR102441867B1 - 탄성파 장치 - Google Patents
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Abstract
피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 복수의 IDT 전극(3) 중 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽을 제1 IDT 전극, 다른 쪽을 제2 IDT 전극이라고 하였을 때, 제1 IDT 전극에서는, 일군의 전극 핑거 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)가, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 제1 방향(D1)의 중앙부(60)보다 제2 방향(D2)의 폭이 큰 대폭부(62)를 포함한다. 제1 IDT 전극에서는, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)에 관하여, 제1 방향(D1)을 따른 중앙부(60)의 중심선(6X)과 대폭부(62)의 제2 IDT 전극측의 외연(621)의 제2 방향(D2)에 있어서의 최대 거리인 제1 거리(L1)가, 중앙부(60)의 중심선(6X)과 대폭부(62)의 제2 IDT 전극과는 반대측의 외연(622)의 제2 방향(D2)에 있어서의 최대 거리인 제2 거리(L2)보다 짧다.
Description
본 발명은 일반적으로 탄성파 장치에 관한 것이며, 보다 상세하게는, IDT 전극을 구비하는 탄성파 장치에 관한 것이다.
종래, 탄성파 장치로서, 압전 기판(압전체부)과, 압전 기판 상에 마련된 IDT 전극을 구비하고, IDT 전극의 전극 핑거의 일부에 대폭부가 마련되어 있는 탄성파 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치의 일례에서는, 압전 기판 상에는, IDT 전극의 탄성 표면파 전반 방향 양측에, 반사기가 형성되어 있다. IDT 전극 및 반사기는, 금속 재료에 의해 형성되어 있다. 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치의 특징은, IDT 전극에 있어서 피스톤 모드를 형성함으로써 횡 모드 리플을 억압하는 구조가 구비되어 있는 데 있다.
특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는, IDT 전극은, 제1 버스 바와, 제1 버스 바와 이격되어 배치된 제2 버스 바와, 제1 버스 바에 기단이 전기적으로 접속되어 있고, 선단이 제2 버스 바를 향하여 연장되어 있는 복수개의 제1 전극 핑거와, 제2 버스 바에 기단이 접속되어 있고, 선단이 제1 버스 바를 향하여 연장되어 있는 복수개의 제2 전극 핑거를 갖는다. 상기 탄성파 장치에서는, 제1 전극 핑거 및 제2 전극 핑거의 쌍방에 대폭부가 마련되어 있다.
제1 버스 바는, 제1 버스 바의 길이 방향을 따라 분리 배치된 복수의 개구부를 갖는다. 제1 버스 바는, 복수의 개구부보다 제1 전극 핑거측에 위치하고 있으며, 또한 제1 버스 바의 길이 방향으로 연장되는 내측 버스 바부와, 복수의 개구부가 마련되어 있는 중앙 버스 바부와, 내측 버스 바부와 중앙 버스 바부를 사이에 두고 반대측에 위치하고 있는 외측 버스 바부를 갖는다.
제2 버스 바는, 제2 버스 바의 길이 방향을 따라 분리 배치된 복수의 개구부를 갖는다. 제2 버스 바는, 복수의 개구부보다 제2 전극 핑거측에 위치하고 있으며, 또한 제2 버스 바의 길이 방향으로 연장되는 내측 버스 바부와, 복수의 개구부가 마련되어 있는 중앙 버스 바부와, 내측 버스 바부와 중앙 버스 바부를 사이에 두고 반대측에 위치하고 있는 외측 버스 바부를 갖는다.
또한, 특허문헌 1에는, 1포트형 공진자를 구성하는 전극 형상에 한하지 않고, 대역 필터 등의 여러 가지 탄성파 장치에 특허문헌 1에 기재된 발명을 적용할 수 있음이 기재되어 있다.
IDT 전극의 전극 핑거의 일부에 대폭부가 마련된 탄성파 장치에서는, 예를 들어 제1 버스 바 및 제2 버스 바의 길이 방향에서, 인접하는 공진자의 IDT 전극의 전위가 다른 전극 핑거끼리 인접하므로, 인접하는 전극 핑거간에서 정전기 방전(ESD: Electrostatic Discharge)이 일어나 서지 파괴되어 버리는 경우가 있었다.
본 발명의 목적은, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능한 탄성파 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 양태에 관한 탄성파 장치는, 제1 단자와, 제2 단자와, 압전체부와, 복수의 IDT 전극을 구비한다. 상기 제2 단자는, 상기 제1 단자의 전위보다 낮은 전위로 된다. 상기 복수의 IDT 전극은, 상기 압전체부 상에 마련되어 있고, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자와 전기적으로 접속되어 있다. 상기 복수의 IDT 전극의 각각은, 제1 버스 바와, 제2 버스 바와, 복수의 제1 전극 핑거와, 복수의 제2 전극 핑거를 갖는다. 상기 제2 버스 바는, 제1 방향에 있어서 상기 제1 버스 바에 대향하고 있다. 상기 복수의 제1 전극 핑거는, 상기 제1 버스 바에 접속되고 상기 제1 방향에 있어서 상기 제1 버스 바로부터 상기 제2 버스 바측으로 연장되어 있다. 상기 복수의 제2 전극 핑거는, 상기 제2 버스 바에 접속되고 상기 제1 방향에 있어서 상기 제2 버스 바로부터 상기 제1 버스 바측으로 연장되어 있다. 상기 복수의 제1 전극 핑거와 상기 복수의 제2 전극 핑거가, 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향에 있어서, 서로 이격하여 배열되어 있다. 상기 제1 버스 바 및 상기 제2 버스 바의 각각은, 개구부와, 내측 버스 바부와, 외측 버스 바부와, 연결부를 포함한다. 상기 내측 버스 바부는, 상기 제1 방향에 있어서 상기 개구부보다 상기 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거를 포함하는 일군의 전극 핑거측에 위치하고 있다. 상기 외측 버스 바부는, 상기 제1 방향에 있어서 상기 개구부로부터 보아 상기 내측 버스 바부와는 반대측에 위치하고 있다. 상기 연결부는, 상기 제1 방향에 있어서 상기 내측 버스 바부와 상기 외측 버스 바부를 연결하고 있다. 상기 복수의 IDT 전극 중 상기 제2 방향에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극 중 한쪽을 제1 IDT 전극, 다른 쪽을 제2 IDT 전극이라고 하였을 때, 상기 제1 IDT 전극의 상기 일군의 전극 핑거 중 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거와, 상기 제2 IDT 전극의 상기 일군의 전극 핑거 중 상기 제1 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거 중 한쪽이 상기 제1 단자에 접속되고, 다른 쪽이 상기 제2 단자에 접속되어 있다. 상기 제1 IDT 전극에서는, 상기 제1 IDT 전극의 상기 일군의 전극 핑거 중 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거가, 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거의 상기 제1 방향의 중앙부보다 상기 제2 방향의 폭이 큰 대폭부를 포함한다. 상기 제1 IDT 전극에서는, 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거에 관하여, 상기 제1 방향을 따른 상기 중앙부의 중심선과 상기 대폭부의 상기 제2 IDT 전극측의 외연의 상기 제2 방향에 있어서의 최대 거리인 제1 거리가, 상기 중앙부의 중심선과 상기 대폭부의 상기 제2 IDT 전극과는 반대측의 외연의 상기 제2 방향에 있어서의 최대 거리인 제2 거리보다 짧다.
본 발명의 일 양태에 관한 탄성파 장치는, 제1 단자와, 제2 단자와, 압전체부와, 복수의 IDT 전극을 구비한다. 상기 제2 단자는, 상기 제1 단자의 전위보다 낮은 전위로 된다. 상기 복수의 IDT 전극은, 상기 압전체부 상에 마련되어 있고, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자와 전기적으로 접속되어 있다. 상기 복수의 IDT 전극의 각각은, 제1 버스 바와, 제2 버스 바와, 복수의 제1 전극 핑거와, 복수의 제2 전극 핑거를 갖는다. 상기 제2 버스 바는, 제1 방향에 있어서 상기 제1 버스 바에 대향하고 있다. 상기 복수의 제1 전극 핑거는, 상기 제1 버스 바에 접속되고 상기 제1 방향에 있어서 상기 제1 버스 바로부터 상기 제2 버스 바측으로 연장되어 있다. 상기 복수의 제2 전극 핑거는, 상기 제2 버스 바에 접속되고 상기 제1 방향에 있어서 상기 제2 버스 바로부터 상기 제1 버스 바측으로 연장되어 있다. 상기 복수의 제1 전극 핑거와 상기 복수의 제2 전극 핑거가, 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향에 있어서, 서로 이격하여 배열되어 있다. 상기 제1 버스 바 및 상기 제2 버스 바의 각각은, 개구부와, 내측 버스 바부와, 외측 버스 바부와, 연결부를 포함한다. 상기 내측 버스 바부는, 상기 제1 방향에 있어서 상기 개구부보다 상기 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거를 포함하는 일군의 전극 핑거측에 위치하고 있다. 상기 외측 버스 바부는, 상기 제1 방향에 있어서 상기 개구부로부터 보아 상기 내측 버스 바부와는 반대측에 위치하고 있다. 상기 연결부는, 상기 제1 방향에 있어서 상기 내측 버스 바부와 상기 외측 버스 바부를 연결하고 있다. 상기 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거 각각의 적어도 1개의 전극 핑거가, 상기 적어도 1개의 전극 핑거의 상기 제1 방향의 중앙부보다 상기 제2 방향의 폭이 큰 대폭부를 포함한다. 상기 복수의 IDT 전극 중 상기 제2 방향에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극 중 한쪽을 제1 IDT 전극, 다른 쪽을 제2 IDT 전극이라고 하였을 때, 상기 제1 IDT 전극의 상기 일군의 전극 핑거 중 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거와, 상기 제2 IDT 전극의 상기 일군의 전극 핑거 중 상기 제1 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거 중 한쪽이 상기 제1 단자에 접속되고, 다른 쪽이 상기 제2 단자에 접속되어 있다. 상기 제1 IDT 전극에서는, 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거에 상기 대폭부를 갖지 않고, 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거 이외의 전극 핑거 중 적어도 1개에 상기 대폭부를 갖는다.
본 발명의 탄성파 장치는, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치의 평면도이다.
도 2는, 상동(上同)의 탄성파 장치의 일부의 평면도이다.
도 3은, 상동의 탄성파 장치에 관하여, 도 2의 A-A선 단면도이다.
도 4는, 상동의 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 5는, 상동의 탄성파 장치에 있어서 탄성파 전반 방향(제2 방향)으로 전반하는 탄성파의 음속의 제1 방향에 있어서의 속도 분포의 모식적인 설명도이다.
도 6은, 상동의 탄성파 장치의 전하 분포의 설명도이다.
도 7은, 본 발명의 실시 형태 1의 변형예 1에 관한 탄성파 장치의 일부의 평면도이다.
도 8은, 상동의 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 9는, 본 발명의 실시 형태 1의 변형예 2에 관한 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 10은, 본 발명의 실시 형태 1의 변형예 3에 관한 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 11은, 본 발명의 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치의 일부의 평면도이다.
도 12는, 상동의 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 13은, 본 발명의 실시 형태 2의 변형예 1에 관한 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 14는, 본 발명의 실시 형태 2의 변형예 2에 관한 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 15는, 본 발명의 실시 형태 2의 변형예 3에 관한 탄성파 장치의 단면도이다.
도 16은, 본 발명의 실시 형태 2의 변형예 4에 관한 탄성파 장치의 단면도이다.
도 2는, 상동(上同)의 탄성파 장치의 일부의 평면도이다.
도 3은, 상동의 탄성파 장치에 관하여, 도 2의 A-A선 단면도이다.
도 4는, 상동의 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 5는, 상동의 탄성파 장치에 있어서 탄성파 전반 방향(제2 방향)으로 전반하는 탄성파의 음속의 제1 방향에 있어서의 속도 분포의 모식적인 설명도이다.
도 6은, 상동의 탄성파 장치의 전하 분포의 설명도이다.
도 7은, 본 발명의 실시 형태 1의 변형예 1에 관한 탄성파 장치의 일부의 평면도이다.
도 8은, 상동의 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 9는, 본 발명의 실시 형태 1의 변형예 2에 관한 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 10은, 본 발명의 실시 형태 1의 변형예 3에 관한 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 11은, 본 발명의 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치의 일부의 평면도이다.
도 12는, 상동의 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 13은, 본 발명의 실시 형태 2의 변형예 1에 관한 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 14는, 본 발명의 실시 형태 2의 변형예 2에 관한 탄성파 장치의 주요부 확대도이다.
도 15는, 본 발명의 실시 형태 2의 변형예 3에 관한 탄성파 장치의 단면도이다.
도 16은, 본 발명의 실시 형태 2의 변형예 4에 관한 탄성파 장치의 단면도이다.
이하, 실시 형태 1, 2에 관한 탄성파 장치에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
이하의 실시 형태 1, 2 등에 있어서 참조하는 도 1 내지 도 16은, 모두 모식적인 도면이며, 도면 중의 각 구성 요소의 크기나 두께 각각의 비가, 반드시 실제의 치수비를 반영하고 있다고는 할 수 없다.
(실시 형태 1)
(1.1) 탄성파 장치의 전체 구성
이하, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)는, 도 1 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 제1 단자(예를 들어, 신호 단자)(11)와, 제2 단자(예를 들어, 그라운드 단자)(12)와, 압전체부(24)와, 복수(3개)의 IDT(Interdigital Transducer) 전극(3)을 구비한다. 제2 단자(12)는, 제1 단자(11)의 전위보다 낮은 전위로 된다. 따라서, 제1 단자(11)는, 제2 단자(12)의 전위보다 높은 전위로 된다. 제1 단자(11) 및 제2 단자(12)는, 압전체부(24) 상에 마련되어 있다. 여기에 있어서, 「압전체부(24) 상에 마련되어 있는」이란, 압전체부(24) 상에 직접적으로 마련되어 있는 경우와, 압전체부(24) 상에 간접적으로 마련되어 있는 경우를 포함한다. 탄성파 장치(1)는, 제2 단자(12)를 복수(3개) 구비하고 있지만, 적어도 1개 구비하고 있으면 된다. 압전체부(24)는, 압전 재료에 의해 형성되어 있다. IDT 전극(3)은, 압전체부(24) 상에 마련되어 있다. 여기에 있어서, 「압전체부(24) 상에 마련되어 있는」이란, 압전체부(24) 상에 직접적으로 마련되어 있는 경우와, 압전체부(24) 상에 간접적으로 마련되어 있는 경우를 포함한다. 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)는, 종결합 공진자형 필터이다. 탄성파 장치(1)는, 2개의 반사기(8)를 더 구비하고 있다.
또한, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)는, 제1 단자(예를 들어, 신호 단자)(11)와, 제2 단자(예를 들어, 그라운드 단자)(12)를 구비하고 있다. 제2 단자(12)는, 제1 단자(11)의 전위보다 낮은 전위로 된다. 또한, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)는, IDT 전극(3)과 제1 단자(11)를 전기적으로 접속하고 있는 제1 배선층(13)과, IDT 전극(3)과 제2 단자(12)를 전기적으로 접속하고 있는 제2 배선층(14)을 더 구비한다. 도 1에서는, 설명의 편의상, 제1 단자(11) 및 IDT 전극(3)에 있어서 제1 단자(11)에 전기적으로 접속되어 있는 부분(고전위측 부분)에 「H」의 기호를 표기하고, 제2 단자(12) 및 IDT 전극(3)에 있어서 제2 단자(12)에 전기적으로 접속되어 있는 부분(저전위측 부분)에 「E」의 기호를 표기하고 있다. 고전위측 부분과 저전위측 부분은 전위가 다르다. 고전위측 부분은, 저전위측 부분보다 고전위로 되는 부분이다. 「H」, 「E」의 표기는, 부호가 아니며, 실제로 있을 리도 없다. 탄성파 장치(1)는, 제1 단자(11)를 2개 구비하고, 제2 단자(12)를 2개 구비하고 있다. 2개의 제1 단자(11)를 구별하는 경우, 한쪽을 제1 단자(11A)라고 칭하고, 다른 쪽을 제1 단자(11B)라고 칭한다. 또한, 2개의 제2 단자(12)를 구별하는 경우, 한쪽을 제2 단자(12A)라고 칭하고, 다른 쪽을 제2 단자(12B)라고 칭한다. 도 1 및 도 2에서는, 각 IDT 전극(3) 및 각 반사기(8)에 도트의 해칭을 하고 있지만, 이들 해칭은, 단면을 나타내는 것이 아니라, 각 IDT 전극(3) 및 각 반사기(8)와 압전체부(24)의 관계를 이해하기 쉽게 하기 위해 한 것에 지나지 않는다. 또한, 도 1에서는, 제1 단자(11), 제2 단자(12), 제1 배선층(13) 및 제2 배선층(14)에 도트의 해칭을 하고 있지만, 이들 해칭은, 단면을 나타내는 것이 아니라, 제1 단자(11), 제2 단자(12), 제1 배선층(13) 및 제2 배선층(14)과 압전체부(24)의 관계를 이해하기 쉽게 하기 위해 한 것에 지나지 않는다.
실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)에서는, 압전체부(24)가 압전막이며, 복수의 IDT 전극(3)은, 압전체부(24)를 갖는 적층형 기판(2) 상에 마련되어 있다. 적층형 기판(2)은, 적어도 일부에 압전성을 갖는 압전성 기판이다.
(1.2) 탄성파 장치의 각 구성 요소
이어서, 탄성파 장치(1)의 각 구성 요소에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
(1.2.1) 적층형 기판
적층형 기판(2)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 고음속 지지 기판(21)과, 저음속막(23)과, 압전체부(24)를 포함한다. 고음속 지지 기판(21)에서는, 압전체부(24)를 전반하는 탄성파의 음속보다 전반하는 벌크파의 음속이 고속이다. 저음속막(23)은, 고음속 지지 기판(21) 상에 마련되어 있다. 여기에 있어서, 「고음속 지지 기판(21) 상에 마련되어 있는」이란, 고음속 지지 기판(21) 상에 직접적으로 마련되어 있는 경우와, 고음속 지지 기판(21) 상에 간접적으로 마련되어 있는 경우를 포함한다. 저음속막(23)에서는, 압전체부(24)를 전반하는 탄성파의 음속보다 전반하는 벌크파의 음속이 저속이다. 압전체부(24)는, 저음속막(23) 상에 마련되어 있다. 여기에 있어서, 「저음속막(23) 상에 마련되어 있는」이란, 저음속막(23) 상에 직접적으로 마련되어 있는 경우와, 저음속막(23) 상에 간접적으로 마련되어 있는 경우를 포함한다. 압전체부(24)는, 고음속 지지 기판(21) 상에 간접적으로 마련되어 있다. 이 경우, 탄성파 장치(1)에서는, 고음속 지지 기판(21)과 압전체부(24)의 사이에 저음속막(23)이 마련되어 있음으로써, 탄성파의 음속이 저하된다. 탄성파는 본질적으로 저음속의 매질에 에너지가 집중한다. 따라서, 탄성파 장치(1)에서는, 압전체부(24) 내 및 탄성파가 여진되고 있는 IDT 전극(3) 내로의 탄성파 에너지의 갇힘 효과를 높일 수 있다. 그 때문에, 탄성파 장치(1)에서는, 저음속막(23)이 마련되어 있지 않은 경우에 비하여, 손실을 저감하고, Q값을 높일 수 있다.
압전체부(24)는, 예를 들어 리튬탄탈레이트(LiTaO3), 리튬니오베이트(LiNbO3), 산화아연(ZnO), 질화알루미늄(AlN), 또는 티타늄산지르콘산납(PZT)을 포함한다.
고음속 지지 기판(21)은, 저음속막(23)과 압전체부(24)를 포함하는 적층체를 지지하고 있다. 고음속 지지 기판(21)은, 그 두께 방향에 있어서 서로 반대측에 있는 제1 주면(211) 및 제2 주면(212)을 갖는다. 제1 주면(211) 및 제2 주면(212)은, 서로 배향(背向)된다. 고음속 지지 기판(21)의 평면으로 본 형상(고음속 지지 기판(21)을 두께 방향으로부터 보았을 때의 외주 형상)은 직사각 형상이지만, 직사각 형상에 한하지 않고, 예를 들어 정사각 형상이어도 된다. 고음속 지지 기판(21)의 두께는, 예를 들어 120㎛이다. 고음속 지지 기판(21)의 재료는, 실리콘이다. 고음속 지지 기판(21)은, 실리콘에 한하지 않고, 예를 들어 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 사파이어, 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트, 수정 등의 압전체, 알루미나, 지르코니아, 코지라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포르스테라이트 등의 각종 세라믹, 마그네시아 다이아몬드, 또는 상기 각 재료를 주성분으로 하는 재료, 상기 각 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 재료 중 어느 것에 의해 형성되어 있어도 된다.
저음속막(23)은, 산화규소, 유리, 산질화규소, 산화탄탈, 산화규소에 불소 또는 탄소 또는 붕소를 첨가한 화합물, 또는 상기 각 재료를 주성분으로 하는 재료 중 어느 것을 포함한다.
저음속막(23)이 산화규소인 경우, 온도 특성을 개선할 수 있다. 리튬탄탈레이트(LiTaO3)의 탄성 상수는 부의 온도 특성을 갖고, 산화규소는 정의 온도 특성을 갖는다. 따라서, 탄성파 장치(1)에서는, 주파수 온도 특성(TCF: Temperature Coefficient of Frequency)의 절댓값을 작게 할 수 있다. 더불어, 산화규소의 고유 음향 임피던스는 리튬탄탈레이트(LiTaO3)의 고유 음향 임피던스보다 작다. 따라서, 탄성파 장치(1)에서는, 전기 기계 결합 계수의 증대 즉 비대역의 확대와, 주파수 온도 특성의 개선의 쌍방을 도모할 수 있다.
탄성파 장치(1)에서는, 압전체부(24)의 두께는, IDT 전극(3)의 전극 핑거 주기로 정해지는 탄성파의 파장을 λ라고 하였을 때, 3.5λ 이하인 것이 바람직하다. 왜냐하면, Q값이 높아지기 때문이다. 또한, 탄성파 장치(1)에서는, 압전체부(24)의 두께를 2.5λ 이하로 함으로써, 주파수 온도 특성이 좋아진다. 또한, 탄성파 장치(1)에서는, 압전체부(24)의 두께를 1.5λ 이하로 함으로써, 음속의 조정이 용이하게 된다. 압전체부(24)의 두께는, 예를 들어 600nm이다.
저음속막(23)의 두께는, IDT 전극(3)의 전극 핑거 주기로 정해지는 탄성파의 파장을 λ라고 하면, 2.0λ 이하인 것이 바람직하다. 탄성파 장치(1)에서는, 저음속막(23)의 두께를 2.0λ 이하로 함으로써, 막응력을 저감할 수 있고, 그 결과, 제조 시에 고음속 지지 기판(21)의 근원이 되는 웨이퍼의 휨을 저감하는 것이 가능하게 되어, 양품률의 향상 및 특성의 안정화가 가능하게 된다. 저음속막(23)의 두께는, 예를 들어 600nm이다.
(1.2.2) 반사기
2개의 반사기(8)는, 압전체부(24) 상에 마련되어 있다. 보다 상세하게는, 2개의 반사기(8)는, 압전체부(24)의 일 주면(241) 상에 마련되어 있다. 여기서, 2개의 반사기(8)는, 제2 방향(D2)에 있어서 3개의 IDT 전극(3) 중 양측의 IDT 전극(3) 각각에 있어서의 한가운데의 IDT 전극(3)과는 반대측에, 1개씩 배치되어 있다. 이하에서는, 설명의 편의상, 3개의 IDT 전극(3)을 구별하는 경우에, 복수의 IDT 전극(3) 중 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽을 IDT 전극(3A), 다른 쪽을 IDT 전극(3B)이라고 칭하는 경우도 있다. 도 1 및 도 2의 예에서는, 3개의 IDT 전극(3) 중 한가운데의 IDT 전극(3)을 IDT 전극(3A)이라고 칭하고, 양단의 IDT 전극(3)을 IDT 전극(3B)이라고 칭한다.
2개의 반사기(8)의 각각은, 탄성파를 반사한다. 2개의 반사기(8)의 각각은, 그레이팅 반사기이다. 2개의 반사기(8)의 각각은, 복수의 전극 핑거(9)를 갖고, 복수의 전극 핑거(9)의 제1 방향(D1)의 일단끼리, 타단끼리를 단락하고 있다. 도 1 및 도 2에서는, 2개의 반사기(8)의 각각에 대하여, 도면을 보기 쉽게 하기 위해 전극 핑거(9)의 수를 줄여 도시하고 있다.
(1.2.3) IDT 전극
IDT 전극(3)은, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 또는 이들 금속 중 어느 것을 주체로 하는 합금 등의 적당한 금속 재료에 의해 형성할 수 있다. 또한, IDT 전극(3)은, 이들 금속 또는 합금을 포함하는 복수의 금속막을 적층한 구조를 가져도 된다. IDT 전극(3)의 두께는, 예를 들어 150nm이다.
실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)에서는, 3개의 IDT 전극(3)은, 제2 방향(D2)에 있어서 배열되어 있다. 3개의 IDT 전극(3)의 각각은, 제1 버스 바(4)와, 제2 버스 바(5)와, 복수의 제1 전극 핑거(6)와, 복수의 제2 전극 핑거(7)를 갖는다.
IDT 전극(3)에서는, 제1 버스 바(4)와 제2 버스 바(5)는, 압전체부(24)의 두께 방향(도 3의 상하 방향)에 직교하는 제1 방향(D1)에 있어서 서로 대향하고 있다. 즉, 제2 버스 바(5)는, 제1 방향(D1)에 있어서 제1 버스 바(4)에 대향하고 있다.
제1 버스 바(4) 및 제2 버스 바(5)는, 제1 방향(D1)에 직교하는 제2 방향(D2)을 길이 방향으로 하는 장척형이다. 도 1 및 도 2에서는, 제1 버스 바(4) 및 제2 버스 바(5)가 장척형으로 보이지 않지만, 이것은, 도면을 보기 쉽게 하기 위해 제1 전극 핑거(6) 및 제2 전극 핑거(7) 각각의 수를 줄여 도시하고 있기 때문이다. 제2 방향(D2)은, 탄성파의 전반 방향을 따른 방향이다. 제2 방향(D2)은, 압전체부(24)의 두께 방향에도 직교한다.
복수의 제1 전극 핑거(6)는, 제1 버스 바(4)에 접속되고 제1 방향(D1)에 있어서 제1 버스 바(4)로부터 제2 버스 바(5)측으로 연장되어 있다. 여기에 있어서, 복수의 제1 전극 핑거(6)는, 제1 버스 바(4)로부터 제1 버스 바(4)의 길이 방향에 직교하는 방향을 따라 연장되어 있다. 즉, 복수의 제1 전극 핑거(6)는, 탄성파의 전반 방향에 직교하는 방향을 따라 연장되어 있다. IDT 전극(3)에서는, 복수의 제1 전극 핑거(6)와 제2 버스 바(5)는 이격되어 있고, 제1 방향(D1)에 있어서 대향하는 제1 전극 핑거(6)와 제2 버스 바(5)의 사이에 갭(31)이 형성되어 있다. 상술한 탄성파의 파장을 λ라고 하였을 때, 제1 방향(D1)에 있어서의 갭(31)의 길이는, 예를 들어 0.5λ 이하이다.
복수의 제2 전극 핑거(7)는, 제2 버스 바(5)에 접속되고 제1 방향(D1)에 있어서 제2 버스 바(5)로부터 제1 버스 바(4)측으로 연장되어 있다. 여기에 있어서, 복수의 제2 전극 핑거(7)는, 제2 버스 바(5)로부터 제2 버스 바(5)의 길이 방향에 직교하는 방향을 따라 연장되어 있다. 즉, 복수의 제2 전극 핑거(7)는, 탄성파의 전반 방향에 직교하는 방향을 따라 연장되어 있다. IDT 전극(3)에서는, 복수의 제2 전극 핑거(7)와 제1 버스 바(4)는 이격되어 있고, 제1 방향(D1)에 있어서 대향하는 제2 전극 핑거(7)와 제1 버스 바(4)의 사이에 갭(32)이 형성되어 있다. 상술한 탄성파의 파장을 λ라고 하였을 때, 제1 방향(D1)에 있어서의 갭(32)의 길이는, 예를 들어 0.5λ 이하이다.
IDT 전극(3)에서는, 복수의 제1 전극 핑거(6)와 복수의 제2 전극 핑거(7)가, 제1 방향(D1)에 직교하는 제2 방향(D2)에 있어서, 1개씩 교대로 서로 이격하여 배열되어 있다. 따라서, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 제1 전극 핑거(6)와 제2 전극 핑거(7)는 이격되어 있다.
제1 버스 바(4)는, 개구부(40)와, 내측 버스 바부(42)와, 외측 버스 바부(41)와, 연결부(43)를 포함한다. 내측 버스 바부(42)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(40)보다 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7)를 포함하는 일군의 전극 핑거측에 위치하고 있다. 외측 버스 바부(41)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(40)로부터 보아 내측 버스 바부(42)와는 반대측에 위치하고 있다. 즉, 외측 버스 바부(41)는, 제1 방향(D1)에 있어서 복수의 제1 전극 핑거(6)가 존재하는 측과는 반대측에 위치하고 있다. 연결부(43)는, 제1 방향(D1)에 있어서 내측 버스 바부(42)와 외측 버스 바부(41)를 연결하고 있다. 연결부(43)는, 제2 방향(D2)에 있어서 개구부(40)의 양측에 위치하고 있다. 도 1 및 도 2의 예에서는, 연결부(43)는, 제1 전극 핑거(6)의 제1 방향(D1)의 중앙부(60)와 동일한 폭을 가지며, 또한 제1 전극 핑거(6)의 연장선 상에 위치하고 있다. 단, 연결부(43)의 치수 및 연결부(43)의 배치는 이것에 한정되는 것은 아니다.
또한, 개구부(40)의 개구 형상은, 직사각 형상이지만, 꼭 그렇지만은 않다. 상술한 탄성파의 파장을 λ라고 하였을 때, 제1 방향(D1)에 있어서의 내측 버스 바부(42)의 폭은, 예를 들어 0.5λ 이하이다. 또한, 제1 방향(D1)에 있어서의 연결부(43)의 길이는, 예를 들어 2.0λ이다.
복수의 개구부(40)는, 예를 들어 제2 방향(D2)에 있어서 대략 등간격으로 배열되어 있다. 도 1 및 도 2의 예에서는, 제2 방향(D2)에 있어서의 개구부(40)의 개구 폭은, 예를 들어 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 제1 전극 핑거(6)의 중앙부(60)간의 거리와 동일하다. 또한, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 개구부(40)간의 거리는, 예를 들어 제2 방향(D2)에 있어서의 제1 전극 핑거(6)의 중앙부(60)의 폭과 동일하다.
제2 버스 바(5)는, 개구부(50)와, 내측 버스 바부(52)와, 외측 버스 바부(51)와, 연결부(53)를 포함한다. 내측 버스 바부(52)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(50)보다 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7)를 포함하는 일군의 전극 핑거측에 위치하고 있다. 외측 버스 바부(51)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(50)로부터 보아 내측 버스 바부(52)와는 반대측에 위치하고 있다. 즉, 외측 버스 바부(51)는, 제1 방향(D1)에 있어서 복수의 제2 전극 핑거(7)가 존재하는 측과는 반대측에 위치하고 있다. 연결부(53)는, 제1 방향(D1)에 있어서 내측 버스 바부(52)와 외측 버스 바부(51)를 연결하고 있다. 연결부(53)는, 제2 방향(D2)에 있어서 개구부(50)의 양측에 위치하고 있다. 도 1의 예에서는, 연결부(53)는, 제2 전극 핑거(7)의 제1 방향(D1)의 중앙부(70)와 동일한 폭을 가지며, 또한 제2 전극 핑거(7)의 연장선 상에 위치하고 있다. 단, 연결부(53)의 치수 및 연결부(53)의 배치는 이것에 한정되는 것은 아니다.
또한, 개구부(50)의 개구 형상은, 직사각 형상이지만, 꼭 그렇지만은 않다. 상술한 탄성파의 파장을 λ라고 하였을 때, 제1 방향(D1)에 있어서의 내측 버스 바부(52)의 폭은, 예를 들어 0.5λ 이하이다. 또한, 제1 방향(D1)에 있어서의 연결부(53)의 길이는, 예를 들어 2.0λ이다.
제2 버스 바(5)는 개구부(50)를 복수 포함하고 있지만, 도 1 및 도 2에서는 도면을 보기 쉽게 하기 위해 제2 전극 핑거(7)의 수를 줄여 도시하고 있기 때문에, 도 1 및 도 2에서는, 개구부(50)가 1개만 도시되어 있다. 복수의 개구부(50)는, 예를 들어 제2 방향(D2)에 있어서 대략 등간격으로 배열되어 있다. 도 1 및 도 2의 예에서는, 제2 방향(D2)에 있어서의 개구부(50)의 개구 폭은, 예를 들어 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 제2 전극 핑거(7)의 중앙부(70)간의 거리와 동일하다. 또한, 상술한 바와 같이 도 1 및 도 2에서는, 개구부(50)가 1개밖에 도시되어 있지 않지만, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 개구부(50)간의 거리는, 예를 들어 제2 방향(D2)에 있어서의 제2 전극 핑거(7)의 중앙부(70)의 폭과 동일하다.
도 1 및 도 2의 예에서는, 복수의 제1 전극 핑거(6)는, 서로의 길이가 동일하다. 복수의 제1 전극 핑거(6)의 각각의 선단부(61)는, 제1 전극 핑거(6)의 제1 방향(D1)의 중앙부(60)보다 제2 방향(D2)의 폭이 큰 대폭부(62)를 포함한다. 또한, 복수의 제1 전극 핑거(6)의 각각은, 대폭부(62)와는 별도로 대폭부(64)(도 2 참조)를 포함한다. 대폭부(64)는, 제1 전극 핑거(6)의 선단부(61)와는 반대측의 기단부(63)(도 2 참조)와 중앙부(60)의 사이에 형성되어 있고, 제1 전극 핑거(6)의 제1 방향(D1)의 중앙부(60)보다 제2 방향(D2)의 폭이 크다. 대폭부(64)는, 제1 방향(D1)에 있어서 제1 버스 바(4)로부터 이격되어 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6)의 각각에서는, 제1 방향(D1)에 있어서 대폭부(62)와 대폭부(64)의 사이의 부분이, 중앙부(60)를 구성하고 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6)의 각각에서는, 제1 방향(D1)에 있어서, 중앙부(60)는, 각 대폭부(62, 64)보다 길다.
또한, 도 1 및 도 2의 예에서는, 복수의 제1 전극 핑거(6)는, 서로의 중앙부(60)의 폭이 동일하다. 또한, 복수의 제1 전극 핑거(6)의 각각은, 선단부(61)의 대폭부(62)의 폭과 기단부(63)측의 대폭부(64)의 폭이 동일하다. 대폭부(62 및 64)의 형상은, 직사각 형상이지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들어 육각 형상, 원 형상 등이어도 된다.
또한, 도 1 및 도 2의 예에서는, 복수의 제2 전극 핑거(7)는, 서로의 길이가 동일하다. 복수의 제2 전극 핑거(7)의 각각의 선단부(71)는, 제2 전극 핑거(7)의 제1 방향(D1)의 중앙부(70)보다 제2 방향(D2)의 폭이 큰 대폭부(72)를 포함한다. 또한, 복수의 제2 전극 핑거(7)의 각각은, 대폭부(72)와는 별도로 대폭부(74)(도 2 참조)를 포함한다. 대폭부(74)는, 제2 전극 핑거(7)의 선단부(71)와는 반대측의 기단부(73)(도 2 참조)와 중앙부(70)의 사이에 형성되어 있고, 제2 전극 핑거(7)의 제1 방향(D1)의 중앙부(70)보다 제2 방향(D2)의 폭이 크다. 대폭부(74)는, 제1 방향(D1)에 있어서 제2 버스 바(5)로부터 이격되어 있다. 복수의 제2 전극 핑거(7)의 각각에서는, 제1 방향(D1)에 있어서 대폭부(72)와 대폭부(74)의 사이의 부분이, 중앙부(70)를 구성하고 있다. 복수의 제2 전극 핑거(7)의 각각에서는, 제1 방향(D1)에 있어서, 중앙부(70)는, 각 대폭부(72, 74)보다 길다.
또한, 도 1 및 도 2의 예에서는, 복수의 제2 전극 핑거(7)는, 서로의 중앙부(70)의 폭이 동일하다. 또한, 복수의 제2 전극 핑거(7)의 각각은, 선단부(71)의 대폭부(72)의 폭과 기단부(73)측의 대폭부(74)의 폭이 동일하다. 대폭부(72 및 74)의 형상은, 직사각 형상이지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들어 육각 형상, 원 형상 등이어도 된다.
IDT 전극(3)에서는, 복수의 제1 전극 핑거(6)의 선단부(61)의 대폭부(62)와 제2 전극 핑거(7)의 기단부(73)측의 대폭부(74)가, 제2 방향(D2)에 있어서, 1개씩 교대로 서로 이격하여 배열되어 있다. 또한, IDT 전극(3)에서는, 복수의 제1 전극 핑거(6)의 기단부(63)측의 대폭부(64)와 제2 전극 핑거(7)의 선단부(71)의 대폭부(72)가, 제2 방향(D2)에 있어서, 1개씩 교대로 서로 이격하여 배열되어 있다. IDT 전극(3)의 전극 핑거 주기는, 인접하는 제1 전극 핑거(6)의 중앙부(60)와 제2 전극 핑거(7)의 중앙부(70)의 서로 대응하는 변간의 거리의 2배의 값이다. IDT 전극(3)의 전극 핑거 주기는, 복수의 제1 전극 핑거(6) 중 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 제1 전극 핑거(6)의 중심선(6X)(도 4 참조)간의 거리에 의해 규정되어도 동일한 값으로 된다. 또한, IDT 전극(3)의 전극 핑거 주기는, 복수의 제2 전극 핑거(7) 중 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 제2 전극 핑거(7)의 중심선(7X)(도 4 참조)간의 거리에 의해 규정되어도 동일한 값으로 된다.
실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)는, IDT 전극(3)에 있어서, 피스톤 모드를 형성함으로써 횡 모드 리플을 억압하는 구조를 갖는다. 이 점에 대해서는, 도 5를 참조하여 설명한다.
탄성파 장치(1)는, IDT 전극(3)의 수만큼 공진자를 구비하고 있다. 3개의 공진자의 각각은, IDT 전극(3)을 포함하고 있다. 탄성파 장치(1)는, 압전체부(24)의 일부와 IDT 전극(3)의 적층체를 포함하는 공진자에 관하여, 도 5의 좌측에 도시하는 바와 같이, 적층체의 두께 방향으로부터의 평면으로 보아(즉, 탄성파 장치(1)의 두께 방향으로부터의 평면으로 보아), 제1 방향(D1)에 있어서의 11개의 영역(A1 내지 A11)을 포함하고 있다. 11개의 영역(A1 내지 A11)은, 압전체부(24) 및 IDT 전극(3) 각각에 있어서 서로 다른 부분을 포함하고 있다. 도 5의 우측에는, 11개의 영역(A1 내지 A11)을 전반하는 탄성파의 속도(음속)를 모식적으로 도시하고 있다.
탄성파 장치(1)의 공진자에서는, 상술한 11개의 영역(A1 내지 A11) 중 제1 방향(D1)에 있어서 중앙에 위치하는 영역(A6)이, 중앙 영역을 구성하고 있다. 중앙 영역은, 복수의 제1 전극 핑거(6)의 중앙부(60)와 복수의 제2 전극 핑거(7)의 중앙부(70)를 포함한다. 중앙 영역은, 복수의 제1 전극 핑거(6)의 중앙부(60)와 복수의 제2 전극 핑거(7)의 중앙부(70)가 제2 방향(D2)에 있어서 겹치는 영역이다. 중앙 영역에서는, 전극 핑거 폭(제1 전극 핑거(6)의 중앙부(60) 및 제2 전극 핑거의 중앙부(70) 각각의 폭)을 상기 전극 핑거 주기의 2분의 1의 값으로 나눈 값(듀티비)은, 예를 들어 0.5이다.
탄성파 장치(1)에서는, 상술한 11개의 영역(A1 내지 A11) 중 제1 방향(D1)의 양단 각각에 위치하는 영역(A1, A11)이, 외측 버스 바 영역을 구성하고 있다. 영역(A1)은, 제1 버스 바(4)의 외측 버스 바부(41)를 포함한다. 영역(A11)은, 제2 버스 바(5)의 외측 버스 바부(51)를 포함한다. 외측 버스 바 영역에서는, 중앙 영역보다 탄성파의 음속이 느려진다.
탄성파 장치(1)에서는, 상술한 11개의 영역(A1 내지 A11) 중 제1 방향(D1)의 양단 각각으로부터 세어 2번째에 위치하는 영역(A2, A10)이, 연결 영역을 구성하고 있다. 영역(A2)은, 제1 버스 바(4)의 복수의 연결부(43)와 복수의 개구부(40)를 포함한다. 영역(A10)은, 제2 버스 바(5)의 복수의 연결부(53)와 복수의 개구부(50)를 포함한다. 연결 영역에서는, 외측 버스 바 영역 및 중앙 영역보다 탄성파의 음속이 빨라진다.
탄성파 장치(1)에서는, 상술한 11개의 영역(A1 내지 A11) 중 제1 방향(D1)의 양단 각각으로부터 세어 3번째에 위치하는 영역(A3, A9)이, 내측 버스 바 영역을 구성하고 있다. 영역(A3)은, 제1 버스 바(4)의 내측 버스 바부(42)를 포함한다. 영역(A9)은, 제2 버스 바(5)의 내측 버스 바부(52)를 포함한다. 내측 버스 바 영역에서는, 중앙 영역보다 탄성파의 음속이 느려진다.
탄성파 장치(1)에서는, 상술한 11개의 영역(A1 내지 A11) 중 제1 방향(D1)의 양단 각각으로부터 세어 4번째에 위치하는 영역(A4, A8)이, 갭 영역을 구성하고 있다. 영역(A4)은, 복수의 제1 전극 핑거(6)의 기단부(63)와 복수의 갭(32)을 포함한다. 영역(A8)은, 복수의 제2 전극 핑거(7)의 기단부(73)와 복수의 갭(31)을 포함한다. 갭 영역에서는, 내측 버스 바 영역 및 중앙 영역보다 탄성파의 음속이 빨라진다.
탄성파 장치(1)에서는, 상술한 11개의 영역(A1 내지 A11) 중 제1 방향(D1)의 양단 각각으로부터 세어 5번째에 위치하는 영역(A5, A7)이, 대폭 영역을 구성하고 있다. 영역(A5)은, 복수의 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(64)와 복수의 제2 전극 핑거(7)의 대폭부(72)를 포함한다. 영역(A7)은, 복수의 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)와 복수의 제2 전극 핑거(7)의 대폭부(74)를 포함한다. 대폭 영역에서는, 중앙 영역보다 탄성파의 음속이 느려진다.
탄성파 장치(1)에서는, IDT 전극(3)이 상기와 같이 구성되어 있기 때문에, 중앙 영역(영역(A6))의 외측에 저음속의 영역(영역(A5, A3) 및 영역(A7, A9))이 마련되고, 저음속 영역의 외측에 고음속의 영역(영역(A2) 및 영역(A10))이 존재하고 있다. 따라서, 탄성파 장치(1)에서는, 피스톤 모드를 형성하는 것이 가능하게 되어, 횡 모드 리플을 효과적으로 억압할 수 있다.
(1.3) IDT 전극 및 반사기 각각의 전위
도 4는, 도 1 및 도 2의 한가운데의 IDT 전극(3A)의 좌측의 단에 위치하는 제1 전극 핑거(6)와, 도 1 및 도 2의 좌측의 IDT 전극(3B)의 우측의 단에 위치하는 제1 전극 핑거(6)를 포함하는 확대도이다. 도 1, 도 2 및 도 4에 있어서 「H」의 기호가 표기되어 있는 고전위측 부분과, 「E」의 기호가 표기되어 있는 저전위측 부분은, 전위가 다르다. 예를 들어, 도 4에 있어서, IDT 전극(3A)의 좌측의 단에 위치하는 제1 전극 핑거(6)와, IDT 전극(3B)의 우측의 단에 위치하는 제1 전극 핑거(6)는, 전위가 다르다. 또한, 도 4에 있어서, IDT 전극(3A)의 좌측의 단에 위치하는 제1 전극 핑거(6)와, 이 제1 전극 핑거(6)에 근접하는, IDT 전극(3A)의 제2 버스 바(5)는, 전위가 다르다. 또한, 도 4에 있어서, IDT 전극(3B)의 우측의 단에 위치하는 제1 전극 핑거(6)와, 이 제1 전극 핑거(6)에 근접하는, IDT 전극(3B)의 제2 버스 바(5)는, 전위가 다르다. 또한, IDT 전극(3A)의 제2 버스 바(5)와 IDT 전극(3B)의 제2 버스 바(5)는, 전위가 다르다.
도 6은, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)의 표면(3개의 IDT 전극(3)의 표면 및 압전체부(24)의 일 주면(241)을 포함함)의 전하 분포를 도시한다. 도 6에 도시하는 전하 분포의 전제 조건은 IDT 전극(3A)에 관한 영역, 및 IDT 전극(3B)에 관한 영역에서 표면 탄성파의 여진 현상이 생기고 있을 것, IDT 전극(3A)에 관한 영역과 IDT 전극(3B)에 관한 영역이 서로 다른 전기 단자(제1 단자(11A), 제1 단자(11B))와 접속되어 있을 것, 반사기(8)가 전기적으로 단락되어 있을(단락 그레이팅일) 것, 및 반사기(8)에 관한 영역에서 표면 탄성파의 여진 현상이 생기지 않을 것(반사기(8)는 전기적으로 단락되어 있기 때문에, 압전 효과를 야기하는 구동 전압은 0으로 됨)이다. 여기에 있어서, 도 6에 도시하는 전하 분포가 생기는 원리는 이하와 같다. 표면 탄성파의 여진이 생기고 있는 영역과 여진이 생기고 있지 않은 영역의 경계 영역에서, 에지 효과(Edge effect; 연단 효과라고도 함)가 생긴다. 에지 효과는, 서로 표면 탄성파의 여진의 모습이 다른 2영역의 경계 영역에 있어서도 생긴다. 에지 효과에 의해, 동일 경계 영역의 전하량은, 동일 경계 영역의 주변 영역의 전하량에 비하여, 국소적으로 커진다. 에지 효과는, 원리상, 서로 표면 탄성파의 여진 모습이 다르다면, 해당되는 여러 가지 경계 영역에서 생길 수 있다. 그러나, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)(종결합 공진자형 필터)의 경우, 도 6에 도시하는 바와 같이, IDT 전극(3A)에 관한 영역과 IDT 전극(3B)에 관한 영역의 경계 영역, 및 IDT 전극(3B)에 관한 영역과 반사기(8)에 관한 영역의 경계 영역에서, 국소적인 전하량의 집중이 발생하는 경우가 많다. 따라서, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)에서는, 도 6에 도시하는 바와 같은 전하 분포가 생긴다.
도 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, 탄성파 장치(1)에서는, 복수의 제1 전극 핑거(6)와 복수의 제2 전극 핑거(7)를 포함하는 일군의 전극 핑거가 배열되어 있는 제2 방향(D2)에 있어서, IDT 전극(3)의 양단의 전하량이 IDT 전극(3)의 중앙의 전하량보다 많아진다. 이 때문에, 탄성파 장치(1)에서는, 예를 들어 인접하는 IDT 전극(3)간에서의 전기력선의 밀도가 커지기 쉽다.
(1.4) IDT 전극의 상세
복수의 IDT 전극(3) 중 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽을 제1 IDT 전극, 다른 쪽을 제2 IDT 전극이라고 하였을 때, 제1 IDT 전극(IDT 전극(3A 또는 3B))에서는, 제2 IDT 전극(IDT 전극(3B 또는 3A))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)에 관하여, 예를 들어 도 4에 도시하는 바와 같이, 제1 거리 L1이 제2 거리 L2보다 짧다. 제1 거리 L1은, 제1 방향(D1)을 따른 중앙부(60)의 중심선(6X)과 대폭부(62)의 제2 IDT 전극측의 외연(621)의 제2 방향(D2)에 있어서의 최대 거리이다. 제2 거리 L2는, 중심선(6X)과 대폭부(62)의 제2 IDT 전극과는 반대측의 외연(622)의 제2 방향(D2)에 있어서의 최대 거리이다. 제1 전극 핑거(6)의 중앙부(60)의 제2 방향(D2)에 있어서의 폭을 W0이라고 하면, 제1 거리 L1 및 제2 거리 L2는, 모두 W0/2보다 길다. 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)에서는, 인접하는 2개의 IDT 전극(3)의 페어에 있어서, IDT 전극(3A)을 제1 IDT 전극으로 하면, IDT 전극(3B)이 제2 IDT 전극으로 되고, IDT 전극(3B)을 제1 IDT 전극으로 하면, IDT 전극(3A)이 제2 IDT 전극으로 된다. 제1 IDT 전극에 있어서 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)가, 제1 방향(D1)에 있어서 중앙부(60)와 겹치는 부분(620)으로부터, 제2 방향(D2)에 있어서 서로 반대 방향으로 돌출되어 있는 2개의 돌기부(6210, 6220)를 포함하고 있다(도 4 참조). 돌기부(6210)는, 제2 방향(D2)에 있어서 중앙부(60)보다 제2 IDT 전극측으로 돌출되어 있다. 돌기부(6220)는, 제2 방향(D2)에 있어서 중앙부(60)보다 제2 IDT 전극측과는 반대인 제2 전극 핑거(7)측으로 돌출되어 있다.
제1 IDT 전극에서는, 제1 IDT 전극의 일군의 전극 핑거 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)에 관하여, 중심선(6X)과 대폭부(64)의 제2 IDT 전극측의 외연의 제2 방향(D2)에 있어서의 최대 거리인 제3 거리가, 대폭부(64)의 제2 IDT 전극과는 반대측의 외연의 제2 방향(D2)에 있어서의 최대 거리인 제4 거리보다 짧다. 제3 거리는, 제1 거리 L1과 동일하다. 제4 거리는, 제2 거리 L2와 동일하다. 제1 IDT 전극에서는, 제1 IDT 전극의 일군의 전극 핑거 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)는, 중심선(6X)을 기준으로 하여 비대칭의 형상이다. 대폭부(64)의 형상은, 대폭부(62)의 형상과 동일하다.
인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽의 IDT 전극(3)에서는, 복수의 제1 전극 핑거(6)와 복수의 제2 전극 핑거(7)를 포함하는 일군의 전극 핑거 중 제2 방향(D2)에 있어서 다른 쪽의 IDT 전극(3)에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)는, 제2 버스 바(5)보다, 제2 방향(D2)에 있어서 내측에 위치하고 있다.
또한, 제1 IDT 전극에서는, 복수의 제1 전극 핑거(6) 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6) 이외의 제1 전극 핑거(6)는, 제1 방향(D1)을 따른 중앙부(60)의 중심선(6X)을 기준으로 하여 선대칭의 형상이다. 또한, 제2 IDT 전극에서는, 복수의 제1 전극 핑거(6) 중 제1 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6) 이외의 제1 전극 핑거(6)는, 제1 방향(D1)을 따른 중앙부(60)의 중심선(6X)을 기준으로 하여 선대칭의 형상이다. 복수의 제1 전극 핑거(6) 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6) 이외의 제1 전극 핑거(6)에서는, 제1 방향(D1)을 따른 중앙부(60)의 중심선(6X)과 대폭부(62)의 한쪽의 외연의 제2 방향(D2)에 있어서의 거리, 및 중심선(6X)과 대폭부(62)의 다른 쪽의 외연의 제2 방향(D2)에 있어서의 거리가, 제2 거리 L2와 동일하다. 따라서, 제1 IDT 전극에서는, 복수의 제1 전극 핑거(6) 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)의 제2 방향(D2)에 있어서의 폭(제1 거리 L1+제2 거리 L2)은, 다른 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)의 제2 방향(D2)에 있어서의 폭보다 좁다.
또한, 제1 IDT 전극에서는, 복수의 제2 전극 핑거(7)의 각각은, 제1 방향(D1)을 따른 중앙부(70)의 중심선(7X)(도 4 참조)을 기준으로 하여 선대칭의 형상이다. 또한, 제2 IDT 전극에서는, 복수의 제2 전극 핑거(7)의 각각은, 제1 방향(D1)을 따른 중앙부(70)의 중심선(7X)을 기준으로 하여 선대칭의 형상이다. 복수의 제2 전극 핑거(7)의 각각에서는, 제1 방향(D1)을 따른 중앙부(70)의 중심선(7X)과 대폭부(72)의 한쪽의 외연의 제2 방향(D2)에 있어서의 거리, 및 중심선(7X)과 대폭부(72)의 다른 쪽의 외연의 제2 방향(D2)에 있어서의 거리가, 제2 거리 L2와 동일하다.
(1.5) 효과
실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)는, 제1 단자(11)와, 제2 단자(12)와, 압전체부(24)와, 복수의 IDT 전극(3)을 구비한다. 제2 단자(12)는, 제1 단자(11)의 전위보다 낮은 전위로 된다. 복수의 IDT 전극(3)은, 압전체부(24) 상에 마련되어 있고, 제1 단자(11) 및 제2 단자(12)와 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 IDT 전극(3)의 각각은, 제1 버스 바(4)와, 제2 버스 바(5)와, 복수의 제1 전극 핑거(6)와, 복수의 제2 전극 핑거(7)를 갖는다. 제2 버스 바(5)는, 제1 방향(D1)에 있어서 제1 버스 바(4)에 대향하고 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6)는, 제1 버스 바(4)에 접속되고 제1 방향(D1)에 있어서 제1 버스 바(4)로부터 제2 버스 바(5)측으로 연장되어 있다. 복수의 제2 전극 핑거(7)는, 제2 버스 바(5)에 접속되고 제1 방향(D1)에 있어서 제2 버스 바(5)로부터 제1 버스 바(4)측으로 연장되어 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6)와 복수의 제2 전극 핑거(7)가, 제1 방향(D1)에 직교하는 제2 방향(D2)에 있어서, 서로 이격하여 배열되어 있다. 제1 버스 바(4) 및 제2 버스 바(5)의 각각은, 개구부(40, 50)와, 내측 버스 바부(42, 52)와, 외측 버스 바부(41, 51)와, 연결부(43, 53)를 포함한다. 내측 버스 바부(42, 52)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(40, 50)보다 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7)를 포함하는 일군의 전극 핑거측에 위치하고 있다. 외측 버스 바부(41, 51)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(40, 50)로부터 보아 내측 버스 바부(42, 52)와는 반대측에 위치하고 있다. 연결부(43, 53)는, 제1 방향(D1)에 있어서 내측 버스 바부(42, 52)와 외측 버스 바부(41, 51)를 연결하고 있다. 복수의 IDT 전극(3) 중 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽을 제1 IDT 전극, 다른 쪽을 제2 IDT 전극이라고 하였을 때, 제1 IDT 전극의 일군의 전극 핑거 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거(제1 전극 핑거(6))와, 제2 IDT 전극의 일군의 전극 핑거 중 제1 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거(제1 전극 핑거(6)) 중 한쪽이 제1 단자(11)에 접속되고, 다른 쪽이 제2 단자(12)에 접속되어 있다. 제1 IDT 전극에서는, 일군의 전극 핑거 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)가, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 제1 방향(D1)의 중앙부(60)보다 제2 방향(D2)의 폭이 큰 대폭부(62)를 포함한다. 제1 IDT 전극에서는, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)에 관하여, 제1 방향(D1)을 따른 중앙부(60)의 중심선(6X)과 대폭부(62)의 제2 IDT 전극측의 외연(621)의 제2 방향(D2)에 있어서의 최대 거리인 제1 거리 L1이, 중심선(6X)과 대폭부(62)의 제2 IDT 전극과는 반대측의 외연(622)의 제2 방향(D2)에 있어서의 최대 거리인 제2 거리 L2보다 짧다.
이에 의해, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)에서는, IDT 전극(3)이 상기의 구성을 갖고 있으므로, 피스톤 모드의 저해를 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)는, 제1 IDT 전극에서는, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)에 관하여, 제1 거리 L1이 제2 거리 L2보다 짧으므로, 인접하는 IDT 전극(3)에서의 ESD에 의해 서지 파괴되는 것을 억제하는 것이 가능하게 된다. 구체적으로는, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)에서는, 인접하는 공진자의 IDT 전극(3)의 제1 전극 핑거(6)간에서 ESD가 일어나 서지 파괴되어 버리는 것을 억제하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)에서는, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)에서는, 제1 IDT 전극에 있어서 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)만 대폭부(62)의 제2 방향(D2)에 있어서의 폭을 다른 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)의 제2 방향(D2)에 있어서의 폭보다 좁게 함으로써, ESD 내성의 향상을 도모할 수 있다. 이에 의해, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)에서는, 피스톤 모드의 저해를 보다 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
(1.6) 실시 형태 1의 변형예 1
이하에서는, 실시 형태 1의 변형예 1에 관한 탄성파 장치(1a)에 대하여, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다.
변형예 1에 관한 탄성파 장치(1a)에서는, 제1 IDT 전극(IDT 전극(3A 또는 3B))에 있어서, 제2 IDT 전극(IDT 전극(3B 또는 3A))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62, 64)의 형상이, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)와는 상이하다. 변형예 1에 관한 탄성파 장치(1a)에 관하여, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)(도 1 내지 도 6 참조)와 마찬가지의 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하여 설명을 적절하게 생략한다.
실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)에서는, 예를 들어 도 4에 도시하는 바와 같이, 제1 IDT 전극(IDT 전극(3A 또는 3B))에 있어서 제2 IDT 전극(IDT 전극(3B 또는 3A))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)가, 제2 방향(D2)에 있어서 서로 반대 방향으로 돌출되어 있는 2개의 돌기부(6210, 6220)를 포함하고 있다. 이에 비해, 변형예 1에 관한 탄성파 장치(1a)에서는, 제1 IDT 전극(IDT 전극(3A 또는 3B))에 있어서 제2 IDT 전극(IDT 전극(3B 또는 3A))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)가, 2개의 돌기부(6210, 6220)(도 4 참조) 중 돌기부(6220)만을 포함하고 있다.
변형예 1에 관한 탄성파 장치(1a)의 제1 IDT 전극에서는, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)에 관하여, 제1 거리 L1이, 중앙부(60)의 중심선(6X)과 중앙부(60)의 제2 IDT 전극측의 외연(601)의 제2 방향(D2)에 있어서의 거리 L01과 동일하다.
이에 의해, 변형예 1에 관한 탄성파 장치(1a)에서는, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)와 비교하여, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3)끼리 서로 인접하는 2개의 제1 전극 핑거(6)간의 거리를 길게 할 수 있다. 따라서, 변형예 1에 관한 탄성파 장치(1a)에서는, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)와 비교하여, 피스톤 모드의 저해를 보다 억제할 수 있으며, 또한 ESD 내성의 한층 더한 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
(1.7) 실시 형태 1의 변형예 2
이하에서는, 실시 형태 1의 변형예 2에 관한 탄성파 장치(1b)에 대하여, 도 9를 참조하여 설명한다.
변형예 2에 관한 탄성파 장치(1b)에서는, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3A))에서만, 다른 쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3B))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)에 관하여, 제1 거리 L1이 제2 거리 L2보다 짧게 되어 있는 점에서, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)와는 상이하다. 변형예 2에 관한 탄성파 장치(1b)에 관하여, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)(도 1 내지 도 6 참조)와 마찬가지의 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하여 설명을 적절하게 생략한다.
변형예 2에 관한 탄성파 장치(1b)에서는, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 다른 쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3B))에서는, 한쪽의 IDT 전극(IDT 전극(3A))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)에 관하여, 제1 거리 L1이 제2 거리 L2와 동일하다. 변형예 2에 관한 탄성파 장치(1b)에서는, 인접하는 2개의 IDT 전극(3)의 페어에 있어서, IDT 전극(3A)을 제1 IDT 전극으로 하고, IDT 전극(3B)을 제2 IDT 전극으로 한다.
변형예 2에 관한 탄성파 장치(1b)에서는, IDT 전극(3A)에 있어서 IDT 전극(3B)에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)에 관하여 제1 거리 L1이 제2 거리 L2보다 짧으므로, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 변형예 2에 관한 탄성파 장치(1b)에서는, 제1 IDT 전극(3B)에 있어서 IDT 전극(3A)에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)에 관하여 제1 거리 L1이 제2 거리 L2와 동일하므로, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)와 비교하여, 피스톤 모드의 저해를 보다 억제할 수 있다.
(1.8) 실시 형태 1의 변형예 3
이하에서는, 실시 형태 1의 변형예 3에 관한 탄성파 장치(1c)에 대하여, 도 10을 참조하여 설명한다.
변형예 3에 관한 탄성파 장치(1c)에서는, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3B))에서만, 다른 쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3A))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)에 관하여, 제1 거리 L1이 제2 거리 L2보다 짧게 되어 있는 점이, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)와는 상이하다. 변형예 3에 관한 탄성파 장치(1c)에 관하여, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)(도 1 내지 도 6 참조)와 마찬가지의 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하여 설명을 적절하게 생략한다.
변형예 3에 관한 탄성파 장치(1c)에서는, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 다른 쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3A))에서는, 한쪽의 IDT 전극(IDT 전극(3B))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)에 관하여, 제2 거리 L2가 제1 거리 L1보다 짧다. 변형예 3에 관한 탄성파 장치(1c)에서는, 인접하는 2개의 IDT 전극(3)의 페어에 있어서, IDT 전극(3B)을 제1 IDT 전극으로 하고, IDT 전극(3A)을 제2 IDT 전극으로 한다.
변형예 3에 관한 탄성파 장치(1c)에서는, IDT 전극(3B)에 있어서 IDT 전극(3A)에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)에 관하여 제1 거리 L1이 제2 거리 L2보다 짧으므로, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모할 수 있다.
(1.9) 실시 형태 1의 다른 변형예
복수의 IDT 전극(3)의 각각에 있어서의 IDT 전극(3)에 있어서의 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7) 각각의 수는 특별히 한정되지 않는다. 여기에 있어서, IDT 전극(3)에서는, 일군의 전극 핑거 중 제2 방향(D2)의 한쪽의 단 및 다른 쪽의 단 각각에 위치하는 전극 핑거는, 제1 전극 핑거(6)인 경우에 한하지 않는다. 예를 들어, 일군의 전극 핑거 중 제2 방향(D2)의 한쪽의 단에 위치하는 전극 핑거가 제1 전극 핑거(6)이고, 다른 쪽의 단에 위치하는 전극 핑거가 제2 전극 핑거(7)여도 된다. 또한, 일군의 전극 핑거 중 제2 방향(D2)의 한쪽의 단 및 다른 쪽의 단 각각에 위치하는 전극 핑거가, 제2 전극 핑거(7)여도 된다. 또한, 일군의 전극 핑거는, 복수의 제1 전극 핑거(6)와 복수의 제2 전극 핑거(7)가, 제1 방향(D1)에 직교하는 제2 방향(D2)에 있어서, 이격하여 배열되어 있는 구성이면 된다. 예를 들어, 일 변형예의 탄성파 장치에 있어서, 제1 전극 핑거(6)와 제2 전극 핑거(7)가 1개씩 이격하여 배열되어 있는 영역과, 제1 전극 핑거(6) 또는 제2 전극 핑거(7)가 제2 방향(D2)에 있어서 2개 배열되어 있는 영역이 혼재해도 된다. 이들 어느 변형예의 탄성파 장치에서도, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 적어도 한쪽의 IDT 전극(3)에서, 일군의 전극 핑거 중 제2 방향(D2)에 있어서 다른 쪽의 IDT 전극(3)에 가장 가까운 전극 핑거의 대폭부에 관하여, 제1 거리 L1이 제2 거리 L2보다 짧게 되어 있으면 된다. 이에 의해, 어느 변형예의 탄성파 장치에서도, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다. 또한, IDT 전극(3)에 있어서의 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7) 각각에 있어서는, 적어도 1개의 제1 전극 핑거(6) 및 제2 전극 핑거(7)가 대폭부(62, 72)를 갖고 있으면 된다.
(실시 형태 2)
(2.1) 탄성파 장치의 구성
이하, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)에 대하여, 도 11 및 도 12를 참조하여 설명한다.
실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)는, 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3A) 또는 IDT 전극(3B))에 있어서, 다른 쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3B) 또는 IDT 전극(3A))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 선단부(61)의 제2 방향(D2)의 폭 W01이, 중앙부(60)의 폭 W0과 동일한 점에서, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)와 상이하다. 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)에 관하여, 실시 형태 1에 관한 탄성파 장치(1)(도 1 내지 도 6 참조)와 마찬가지의 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하여 설명을 적절하게 생략한다.
실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)에서는, 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3A) 또는 IDT 전극(3B))에 있어서, 다른 쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3B) 또는 IDT 전극(3A))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)는, 선단부(61)에, 대폭부(62)(도 2 참조)를 갖고 있지 않다. 이에 의해, 이 제1 전극 핑거(6)에서는, 선단부(61)의 제2 방향(D2)의 폭 W01이, 중앙부(60)의 폭 W0과 동일하게 되어 있다. 또한, 이 제1 전극 핑거(6)는, 대폭부(64)(도 2 참조)를 갖고 있지 않다.
(2.2) 효과
실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)는, 제1 단자(11)(도 1 참조)와, 제2 단자(12)(도 1 참조)와, 압전체부(24)와, 복수의 IDT 전극(3)을 구비한다. 제2 단자(12)는, 제1 단자(11)의 전위보다 낮은 전위로 된다. 복수의 IDT 전극(3)은, 압전체부(24) 상에 마련되어 있고, 제1 단자(11) 및 제2 단자(12)와 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 IDT 전극(3)의 각각은, 제1 버스 바(4)와, 제2 버스 바(5)와, 복수의 제1 전극 핑거(6)와, 복수의 제2 전극 핑거(7)를 갖는다. 제2 버스 바(5)는, 제1 방향(D1)에 있어서 제1 버스 바(4)에 대향하고 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6)는, 제1 버스 바(4)에 접속되고 제1 방향(D1)에 있어서 제1 버스 바(4)로부터 제2 버스 바(5)측으로 연장되어 있다. 복수의 제2 전극 핑거(7)는, 제2 버스 바(5)에 접속되고 제1 방향(D1)에 있어서 제2 버스 바(5)로부터 제1 버스 바(4)측으로 연장되어 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6)와 복수의 제2 전극 핑거(7)가, 제1 방향(D1)에 직교하는 제2 방향(D2)에 있어서, 서로 이격하여 배열되어 있다. 제1 버스 바(4) 및 제2 버스 바(5)의 각각은, 개구부(40, 50)와, 내측 버스 바부(42, 52)와, 외측 버스 바부(41, 51)와, 연결부(43, 53)를 포함한다. 내측 버스 바부(42, 52)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(40, 50)보다 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7)를 포함하는 일군의 전극 핑거측에 위치하고 있다. 외측 버스 바부(41, 51)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(40, 50)로부터 보아 내측 버스 바부(42, 52)와는 반대측에 위치하고 있다. 연결부(43, 53)는, 제1 방향(D1)에 있어서 내측 버스 바부(42, 52)와 외측 버스 바부(41, 51)를 연결하고 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7) 각각의 적어도 1개의 제1 전극 핑거(6), 제2 전극 핑거(7)가, 제1 방향(D1)의 중앙부(60, 70)보다 제2 방향(D2)의 폭이 큰 대폭부(62, 72)를 포함한다. 복수의 IDT 전극(3) 중 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽을 제1 IDT 전극, 다른 쪽을 제2 IDT 전극이라고 하였을 때, 제1 IDT 전극의 일군의 전극 핑거 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거(제1 전극 핑거(6))와, 제2 IDT 전극의 일군의 전극 핑거 중 제1 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거(제1 전극 핑거(6)) 중 한쪽이 제1 단자(11)에 접속되고, 다른 쪽이 제2 단자(12)에 접속되어 있다. 제1 IDT 전극에서는, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)에 대폭부(62)를 갖지 않고, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6) 이외의 제1 전극 핑거(6) 중 적어도 1개에 대폭부(62)를 갖는다.
이에 의해, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)에서는, IDT 전극(3)이 상기의 구성을 갖고 있으므로, 피스톤 모드의 저해를 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)는, 제1 IDT 전극에서는, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)에 대폭부(62)를 갖지 않고, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6) 이외의 제1 전극 핑거(6) 중 적어도 1개에 대폭부(62)를 가지므로, 인접하는 IDT 전극(3)에서의 ESD에 의해 서지 파괴되는 것을 억제하는 것이 가능하게 된다. 구체적으로는, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)에서는, 인접하는 공진자의 IDT 전극(3)의 제1 전극 핑거(6)간에서 ESD가 일어나 서지 파괴되어 버리는 것을 억제하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)에서는, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
(2.3) 실시 형태 2의 변형예 1
이하에서는, 실시 형태 2의 변형예 1에 관한 탄성파 장치(1e)에 대하여, 도 13을 참조하여 설명한다.
변형예 1에 관한 탄성파 장치(1e)는, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3B))에서만, 다른 쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3A))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 선단부(61)의 제2 방향(D2)의 폭 W01이, 중앙부(60)의 폭 W0과 동일한 점에서, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)와 상이하다. 변형예 1에 관한 탄성파 장치(1e)에 관하여, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)(도 11 및 도 12 참조)와 마찬가지의 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하여 설명을 적절하게 생략한다.
변형예 1에 관한 탄성파 장치(1e)에서는, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 다른 쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3A))에서는, 한쪽의 IDT 전극(IDT 전극(3B))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)에 관하여, 제2 거리 L2가 제1 거리 L1보다 짧다. 변형예 1에 관한 탄성파 장치(1e)에서는, 인접하는 2개의 IDT 전극(3)의 페어에 있어서, IDT 전극(3B)을 제1 IDT 전극으로 하고, IDT 전극(3A)을 제2 IDT 전극으로 한다.
변형예 1에 관한 탄성파 장치(1e)에서는, IDT 전극(3A)에 있어서 IDT 전극(3B)에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 선단부(61)가 대폭부(62)를 갖고 있으므로, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)와 비교하여, IDT 전극(3A)에서의 피스톤 모드의 저해를 보다 억제할 수 있다.
(2.4) 실시 형태 2의 변형예 2
이하에서는, 실시 형태 2의 변형예 2에 관한 탄성파 장치(1f)에 대하여, 도 14를 참조하여 설명한다.
변형예 2에 관한 탄성파 장치(1f)에서는, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3A))에서만, 다른 쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3B))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 선단부(61)의 제2 방향(D2)의 폭 W01이, 중앙부(60)의 폭 W0과 동일한 점이, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)와 상이하다. 변형예 2에 관한 탄성파 장치(1f)에 관하여, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)(도 11 및 도 12 참조)와 마찬가지의 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하여 설명을 적절하게 생략한다.
변형예 2에 관한 탄성파 장치(1f)에서는, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 다른 쪽의 IDT 전극(3)(IDT 전극(3B))에서는, 한쪽의 IDT 전극(IDT 전극(3A))에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 대폭부(62)에 관하여, 제1 거리 L1이 제2 거리 L2보다 짧다. 변형예 2에 관한 탄성파 장치(1f)에서는, 인접하는 2개의 IDT 전극(3)의 페어에 있어서, IDT 전극(3A)을 제1 IDT 전극으로 하고, IDT 전극(3B)을 제2 IDT 전극으로 한다.
변형예 2에 관한 탄성파 장치(1f)에서는, IDT 전극(3B)에 있어서 IDT 전극(3A)에 가장 가까운 제1 전극 핑거(6)의 선단부(61)가 대폭부(62)를 갖고 있으므로, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)와 비교하여, IDT 전극(3B)에서의 피스톤 모드의 저해를 보다 억제할 수 있다. 또한, 변형예 2에 관한 탄성파 장치(1f)에서는, 변형예 1에 관한 탄성파 장치(1e)와 비교하여, 인접하는 2개의 IDT 전극(3)의 인접하는 제1 전극 핑거(6)간의 최단 거리를 길게 할 수 있으므로, ESD 내성의 향상을 도모할 수 있다.
(2.5) 실시 형태 2의 변형예 3
실시 형태 2의 변형예 3에 관한 탄성파 장치(1g)에서는, 도 15에 도시하는 바와 같이, 적층형 기판(2g)이, 고음속막(22)과, 저음속막(23)과, 압전체부(24)를 포함한다. 고음속막(22)은, 지지 기판(20) 상에 마련되어 있다. 여기에 있어서, 「지지 기판(20) 상에 마련되어 있는」이란, 지지 기판(20) 상에 직접적으로 마련되어 있는 경우와, 지지 기판(20) 상에 간접적으로 마련되어 있는 경우를 포함한다. 고음속막(22)에서는, 압전체부(압전막)(24)를 전반하는 탄성파의 음속보다 전반하는 벌크파의 음속이 고속이다. 저음속막(23)은, 고음속막(22) 상에 마련되어 있다. 여기에 있어서, 「고음속막(22) 상에 마련되어 있는」이란, 고음속막(22) 상에 직접적으로 마련되어 있는 경우와, 고음속막(22) 상에 간접적으로 마련되어 있는 경우를 포함한다. 저음속막(23)에서는, 압전체부(24)를 전반하는 탄성파의 음속보다 전반하는 벌크파의 음속이 저속이다. 압전체부(24)는, 저음속막(23) 상에 마련되어 있다. 여기에 있어서, 「저음속막(23) 상에 마련되어 있는」이란, 저음속막(23) 상에 직접적으로 마련되어 있는 경우와, 저음속막(23) 상에 간접적으로 마련되어 있는 경우를 포함한다. 변형예 3에 관한 탄성파 장치(1g)에 관하여, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)(도 11 및 도 12 참조)와 마찬가지의 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.
지지 기판(20)으로서는, 사파이어, 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트, 수정 등의 압전체, 알루미나, 마그네시아, 질화규소, 질화알루미늄, 탄화규소, 지르코니아, 코지라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포르스테라이트 등의 각종 세라믹, 유리 등의 유전체, 또는 실리콘, 질화갈륨 등의 반도체 및 수지 기판 등을 사용할 수 있다.
변형예 3에 관한 탄성파 장치(1g)에서는, 고음속막(22)은, 탄성파가 고음속막(22)보다 밑의 구조에 누설되지 않도록 기능한다.
변형예 3에 관한 탄성파 장치(1g)에서는, 필터나 공진자의 특성을 얻기 위해 이용하는 특정한 모드의 탄성파의 에너지는 압전체부(24) 및 저음속막(23)의 전체에 분포하고, 고음속막(22)의 저음속막(23)측의 일부에도 분포하며, 지지 기판(20)에는 분포하지 않게 된다. 고음속막(22)에 의해 탄성파를 가두는 메커니즘은 비누설의 SH파인 러브파형의 표면파의 경우와 마찬가지의 메커니즘이며, 예를 들어 문헌 「탄성 표면파 디바이스 시뮬레이션 기술 입문」, 하시모토 켄야, 리얼라이즈사, p.26-28에 기재되어 있다. 상기 메커니즘은, 음향 다층막에 의한 브래그 반사기를 사용하여 탄성파를 가두는 메커니즘과는 다르다.
고음속막(22)은, 다이아몬드 라이크 카본, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 실리콘, 사파이어, 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트, 수정 등의 압전체, 알루미나, 지르코니아, 코지라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포르스테라이트 등의 각종 세라믹, 마그네시아 다이아몬드, 또는 상기 각 재료를 주성분으로 하는 재료, 상기 각 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 재료를 포함한다.
고음속막(22)의 두께에 관해서는, 탄성파를 압전체부(24) 및 저음속막(23)에 가두는 기능을 고음속막(22)이 갖기 때문에, 고음속막(22)의 두께는 두꺼울수록 바람직하다.
변형예 3에 관한 탄성파 장치(1g)에서는, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)와 마찬가지로, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
(2.6) 실시 형태 2의 변형예 4
실시 형태 2의 변형예 4에 관한 탄성파 장치(1h)는, 도 16에 도시하는 바와 같이, 압전체부(24h)가 압전 기판에 의해 구성되어 있으며, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)에 있어서의 고음속 지지 기판(21) 및 저음속막(23)을 구비하고 있지 않다. 변형예 4에 관한 탄성파 장치(1h)에 관하여, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)(도 11 및 도 12 참조)와 마찬가지의 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.
탄성파 장치(1h)에서는, 압전체부(24h)를 구성하는 압전 기판은, 128도 Y-X의 리튬니오베이트(LiNbO3) 기판을 포함한다. 압전 기판은, 예를 들어 50°Y 커트 X 전반 리튬탄탈레이트(LiTaO3) 압전 단결정 또는 압전 세라믹스(X축을 중심축으로 하고 Y축으로부터 50°회전한 축을 법선으로 하는 면으로 절단한 리튬탄탈레이트 단결정, 또는 세라믹스이며, X축 방향으로 탄성파가 전반하는 단결정 또는 세라믹스)를 포함하는 기판이어도 된다. 도 16에서 도시는 생략하고 있지만, 탄성파 장치(1h)는, 복수(3개)의 IDT 전극(3), 2개의 반사기(8), 및 압전체부(24h)의 일 주면(241h) 중 복수(3개)의 IDT 전극(3) 및 2개의 반사기(8)에 덮여 있지 않은 영역을 가리는 산화규소막을 구비하고 있다. 탄성파 장치(1h)에서는, 산화규소막의 표면 형상은, 3개의 IDT 전극(3) 및 2개의 반사기(8) 각각의 형상에 대응한 요철이 형성되어 있다.
변형예 4에 관한 탄성파 장치(1h)에서는, 실시 형태 2에 관한 탄성파 장치(1d)와 마찬가지로, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
(2.7) 실시 형태 2의 다른 변형예
복수의 IDT 전극(3)의 각각에 있어서의 IDT 전극(3)에 있어서의 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7) 각각의 수는 특별히 한정되지 않는다. 여기에 있어서, IDT 전극(3)에서는, 일군의 전극 핑거 중 제2 방향(D2)의 양쪽의 단 각각에 위치하는 전극 핑거는, 제1 전극 핑거(6)인 경우에 한하지 않는다. 예를 들어, 일군의 전극 핑거 중 제2 방향(D2)의 한쪽의 단에 위치하는 전극 핑거가 제1 전극 핑거(6)이고, 다른 쪽의 단에 위치하는 전극 핑거가 제2 전극 핑거(7)여도 된다. 또한, 일군의 전극 핑거 중 제2 방향(D2)의 한쪽의 단 및 다른 쪽의 단 각각에 위치하는 전극 핑거가, 제2 전극 핑거(7)여도 된다. 또한, 일군의 전극 핑거는, 복수의 제1 전극 핑거(6)와 복수의 제2 전극 핑거(7)가, 제1 방향(D1)에 직교하는 제2 방향(D2)에 있어서, 이격하여 배열되어 있는 구성이면 된다. 예를 들어, 일 변형예의 탄성파 장치에 있어서, 제1 전극 핑거(6)와 제2 전극 핑거(7)가 1개씩 이격하여 배열되어 있는 영역과, 제1 전극 핑거(6) 또는 제2 전극 핑거(7)가 제2 방향(D2)에 있어서 2개 배열되어 있는 영역이 혼재해도 된다. 이들 어느 변형예의 탄성파 장치에서도, 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 적어도 한쪽의 IDT 전극(3)에서, 일군의 전극 핑거 중 제2 방향(D2)에 있어서 다른 쪽의 IDT 전극(3)에 가장 가까운 전극 핑거에 대폭부를 갖지 않고, 다른 쪽의 IDT 전극(3)에 가장 가까운 전극 핑거 이외의 전극 핑거 중 적어도 1개에 대폭부를 갖고 있으면 된다. 이에 의해, 어느 변형예의 탄성파 장치에서도, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다. 또한, IDT 전극(3)에 있어서의 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7) 각각에 있어서는, 적어도 1개의 제1 전극 핑거(6) 및 제2 전극 핑거(7)가 대폭부(62, 72)를 갖고 있으면 된다.
상기 실시 형태 1, 2 등은, 본 발명의 여러 가지 실시 형태 중 하나에 지나지 않는다. 상기 실시 형태는, 본 발명의 목적을 달성할 수 있다면, 설계 등에 따라 다양한 변경이 가능하다.
예를 들어, 탄성파 장치(1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, 1g, 1h)에서는, IDT 전극(3)이, 압전체부(24, 24h) 상에 직접적으로 마련되어 있지만, 이에 한하지 않고, IDT 전극(3)이, 압전체부(24, 24h) 상에 간접적으로 마련되어 있어도 된다. 예를 들어, 탄성파 장치(1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, 1g, 1h)에서는, IDT 전극(3)이 압전체부(24, 24h) 상에 유전체막을 개재시켜 마련되어 있어도 된다.
또한, 탄성파 장치(1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f)는, 적층형 기판(2) 대신에, 적층형 기판(2g)(도 15 참조) 또는 압전체부(24h)(도 16 참조)를 구비하고 있어도 된다. 또한, 탄성파 장치(1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f)에서는, 적층형 기판(2)이, 저음속막(23)과 고음속 지지 기판(21)의 사이에 개재되는 막을 포함해도 된다. 또한, 탄성파 장치(1g)에서는, 적층형 기판(2g)이 고음속막(22)과 지지 기판(20)의 사이에 개재되는 막과, 저음속막(23)과 압전체부(24)의 사이에 개재되는 막 중 적어도 한쪽을 포함해도 된다. 또한, 탄성파 장치(1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f)에서는, 적층형 기판(2)이, 압전체부(24)와 고음속 지지 기판(21)의 사이에, 저음속막(23) 대신에, 음향 임피던스층을 구비하고 있어도 된다. 음향 임피던스층은, IDT 전극(3)에서 여진된 탄성파가 고음속 지지 기판(21)에 누설되는 것을 억제하는 기능을 갖는다. 음향 임피던스층은, 음향 임피던스가 상대적으로 높은 적어도 1개의 고음향 임피던스층과 음향 임피던스가 상대적으로 낮은 적어도 1개의 저음향 임피던스층이 고음속 지지 기판(21)의 두께 방향에 있어서 배열된 적층 구조를 갖는다. 상기 적층 구조에서는, 고음향 임피던스층이 복수 마련되어도 되고, 저음향 임피던스층이 복수 마련되어도 된다. 이 경우, 상기 적층 구조는, 복수의 고음향 임피던스층과 복수의 저음향 임피던스층이 고음속 지지 기판(21)의 두께 방향에 있어서 1층마다 교대로 배열된 구조이다.
고음향 임피던스층은, 예를 들어 백금, 텅스텐, 질화알루미늄, 리튬탄탈레이트, 사파이어, 리튬니오베이트, 질화실리콘 또는 산화아연을 포함한다.
저음향 임피던스층은, 예를 들어 산화규소, 알루미늄 또는 티타늄을 포함한다.
또한, IDT 전극(3)의 수는, 복수이면 되며, 3개로 한정되지 않고, 예를 들어 5개여도 된다.
(정리)
이상 설명한 실시 형태 등으로부터 이하의 양태가 개시되어 있다.
제1 양태에 관한 탄성파 장치(1; 1a; 1b; 1c; 1f; 1g; 1h)는, 제1 단자(11)와, 제2 단자(12)와, 압전체부(24; 24h)와, 복수의 IDT 전극(3)을 구비한다. 제2 단자(12)는, 제1 단자(11)의 전위보다 낮은 전위로 된다. 복수의 IDT 전극(3)은, 압전체부(24; 24h) 상에 마련되어 있고, 제1 단자(11) 및 제2 단자(12)와 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 IDT 전극(3)의 각각은, 제1 버스 바(4)와, 제2 버스 바(5)와, 복수의 제1 전극 핑거(6)와, 복수의 제2 전극 핑거(7)를 갖는다. 제2 버스 바(5)는, 제1 방향(D1)에 있어서 제1 버스 바(4)에 대향하고 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6)는, 제1 버스 바(4)에 접속되고 제1 방향(D1)에 있어서 제1 버스 바(4)로부터 제2 버스 바(5)측으로 연장되어 있다. 복수의 제2 전극 핑거(7)는, 제2 버스 바(5)에 접속되고 제1 방향(D1)에 있어서 제2 버스 바(5)로부터 제1 버스 바(4)측으로 연장되어 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6)와 복수의 제2 전극 핑거(7)가, 제1 방향(D1)에 직교하는 제2 방향(D2)에 있어서, 서로 이격하여 배열되어 있다. 제1 버스 바(4) 및 제2 버스 바(5)의 각각은, 개구부(40, 50)와, 내측 버스 바부(42, 52)와, 외측 버스 바부(41, 51)와, 연결부(43, 53)를 포함한다. 내측 버스 바부(42, 52)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(40, 50)보다 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7)측에 위치하고 있다. 외측 버스 바부(41, 51)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(40, 50)로부터 보아 내측 버스 바부(42, 52)와는 반대측에 위치하고 있다. 연결부(43, 53)는, 제1 방향(D1)에 있어서 내측 버스 바부(42, 52)와 외측 버스 바부(41, 51)를 연결하고 있다. 복수의 IDT 전극(3) 중 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽을 제1 IDT 전극, 다른 쪽을 제2 IDT 전극이라고 하였을 때, 제1 IDT 전극의 일군의 전극 핑거 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거와, 제2 IDT 전극의 일군의 전극 핑거 중 제1 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거 중 한쪽이 제1 단자(11)에 접속되고, 다른 쪽이 제2 단자(12)에 접속되어 있다. 제1 IDT 전극에서는, 제1 IDT 전극의 일군의 전극 핑거 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거가, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거의 제1 방향(D1)의 중앙부보다 제2 방향(D2)의 폭이 큰 대폭부를 포함한다. 제1 IDT 전극에서는, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거에 관하여, 제1 방향(D1)을 따른 중앙부의 중심선과 대폭부의 제2 IDT 전극측의 외연의 제2 방향(D2)에 있어서의 최대 거리인 제1 거리(L1)가, 중앙부의 중심선과 대폭부의 제2 IDT 전극과는 반대측의 외연의 제2 방향(D2)에 있어서의 최대 거리인 제2 거리(L2)보다 짧다.
제1 양태에 관한 탄성파 장치(1; 1a; 1b; 1c; 1f; 1g; 1h)에서는, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
제2 양태에 관한 탄성파 장치(1a; 1b; 1c; 1f; 1g; 1h)에서는, 제1 양태에 있어서, 제1 IDT 전극에서는, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거에 관하여, 제1 거리(L1)가, 중앙부의 중심선과 중앙부의 제2 IDT 전극측의 외연의 제2 방향(D2)에 있어서의 거리(L01)와 동일하다.
제2 양태에 관한 탄성파 장치(1a; 1b; 1c; 1f; 1g; 1h)에서는, ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
제3 양태에 관한 탄성파 장치(1d; 1e; 1f; 1g; 1h)는, 제1 단자(11)와, 제2 단자(12)와, 압전체부(24; 24h)와, 복수의 IDT 전극(3)을 구비한다. 제2 단자(12)는, 제1 단자(11)의 전위보다 낮은 전위로 된다. 복수의 IDT 전극(3)은, 압전체부(24; 24h) 상에 마련되어 있고, 제1 단자(11) 및 제2 단자(12)와 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 IDT 전극(3)의 각각은, 제1 버스 바(4)와, 제2 버스 바(5)와, 복수의 제1 전극 핑거(6)와, 복수의 제2 전극 핑거(7)를 갖는다. 제2 버스 바(5)는, 제1 방향(D1)에 있어서 제1 버스 바(4)에 대향하고 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6)는, 제1 버스 바(4)에 접속되고 제1 방향(D1)에 있어서 제1 버스 바(4)로부터 제2 버스 바(5)측으로 연장되어 있다. 복수의 제2 전극 핑거(7)는, 제2 버스 바(5)에 접속되고 제1 방향(D1)에 있어서 제2 버스 바(5)로부터 제1 버스 바(4)측으로 연장되어 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6)와 복수의 제2 전극 핑거(7)가, 제1 방향(D1)에 직교하는 제2 방향(D2)에 있어서, 서로 이격하여 배열되어 있다. 제1 버스 바(4) 및 제2 버스 바(5)의 각각은, 개구부(40, 50)와, 내측 버스 바부(42, 52)와, 외측 버스 바부(41, 51)와, 연결부(43, 53)를 포함한다. 내측 버스 바부(42, 52)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(40, 50)보다 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7)측에 위치하고 있다. 외측 버스 바부(41, 51)는, 제1 방향(D1)에 있어서 개구부(40, 50)로부터 보아 내측 버스 바부(42, 52)와는 반대측에 위치하고 있다. 연결부(43, 53)는, 제1 방향(D1)에 있어서 내측 버스 바부(42, 52)와 외측 버스 바부(41, 51)를 연결하고 있다. 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7) 각각의 적어도 1개의 전극 핑거의 선단부(61, 71)가, 적어도 1개의 전극 핑거의 제1 방향(D1)의 중앙부(60, 70)보다 제2 방향(D2)의 폭이 큰 대폭부(62, 72)를 포함한다. 복수의 IDT 전극(3) 중 제2 방향(D2)에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극(3) 중 한쪽을 제1 IDT 전극, 다른 쪽을 제2 IDT 전극이라고 하였을 때, 제1 IDT 전극의 일군의 전극 핑거 중 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거와, 제2 IDT 전극의 일군의 전극 핑거 중 제1 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거 중 한쪽이 제1 단자(11)에 접속되고, 다른 쪽이 제2 단자(12)에 접속되어 있다. 제1 IDT 전극에서는, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거에 대폭부를 갖지 않고, 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거 이외의 전극 핑거 중 적어도 1개에 대폭부를 갖는다.
제3 양태에 관한 탄성파 장치(1d; 1e; 1f; 1g; 1h)에서는, 피스톤 모드의 저해를 억제하면서 ESD 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
제4 양태에 관한 탄성파 장치(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1f; 1e; 1g; 1h)에서는, 제1 내지 제3 양태 중 어느 하나에 있어서, 복수의 IDT 전극(3)이 제2 방향(D2)에 있어서 배열되어 있고, 2개의 반사기(8)를 더 구비한다. 2개의 반사기(8)는, 제2 방향(D2)에 있어서 배열되어 있는 복수의 IDT 전극(3) 중 양측의 IDT 전극(3) 각각의, 인접하는 IDT 전극(3)과는 반대측에서 압전체부(24) 상에 1개씩 마련되어 있다. 2개의 반사기(8)는, 복수의 IDT 전극(3)에 의해 여진된 탄성파를 반사한다.
제4 양태에 관한 탄성파 장치(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g; 1h)는, 종결합 공진자형 필터를 구성할 수 있다.
제5 양태에 관한 탄성파 장치(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g; 1h)에서는, 제1 내지 제4 양태 중 어느 하나에 있어서, 복수의 제1 전극 핑거(6) 및 복수의 제2 전극 핑거(7) 각각의 적어도 1개의 전극 핑거 선단부(61, 71)가, 대폭부(62, 72)를 포함한다.
제6 양태에 관한 탄성파 장치(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g; 1h)에서는, 제1 내지 제5 양태 중 어느 하나에 있어서, 압전체부(24)와 복수의 IDT 전극(3) 중 1개의 IDT 전극(3)을 포함하는 적층체는, 적층체의 두께 방향으로부터의 평면으로 보아, 제1 방향(D1)에 있어서 서로 다른 복수의 영역(A1 내지 A11)을 갖는다. 복수의 영역(A1 내지 A11)은, 중앙 영역(영역(A6))과, 2개의 외측 버스 바 영역(영역(A1, A11))과, 2개의 내측 버스 바 영역(영역(A3, A9))과, 2개의 연결 영역(영역(A2, A10))과, 2개의 갭 영역(영역(A4, A8))과, 2개의 대폭 영역(A7, A5)을 포함한다. 중앙 영역(영역(A6))은, 제1 방향(D1)에 있어서 중앙에 위치하고 있고, 복수의 제1 전극 핑거(6)의 중앙부(60)와 복수의 제2 전극 핑거(7)의 중앙부(70)를 포함한다. 2개의 외측 버스 바 영역(영역(A1, A11))은, 제1 버스 바(4)의 외측 버스 바부(41) 및 제2 버스 바(5)의 외측 버스 바부(51)를 각각 포함한다. 2개의 내측 버스 바 영역(영역(A3, A9))은, 제1 버스 바(4)의 내측 버스 바부(42) 및 제2 버스 바(5)의 내측 버스 바부(52)를 각각 포함한다. 2개의 연결 영역(영역(A2, A10))은, 제1 버스 바(4)의 개구부(40) 및 제2 버스 바(5)의 개구부(50)를 각각 포함한다. 2개의 갭 영역(영역(A4, A8))은, 복수의 제1 전극 핑거(6)와 제2 버스 바(5)의 사이의 갭(31) 및 복수의 제2 전극 핑거(7)와 제1 버스 바(4)의 사이의 갭(32) 각각을 포함한다. 2개의 대폭 영역(A7, A5)은, 복수의 제1 전극 핑거(6) 중 적어도 1개의 전극 핑거(제1 전극 핑거(6))의 대폭부(62) 및 복수의 제2 전극 핑거(7) 중 적어도 1개의 전극 핑거(제2 전극 핑거(7))의 대폭부(72) 각각을 포함한다. 2개의 외측 버스 바 영역(영역(A1, A11))에서는, 중앙 영역(영역(A6))보다 탄성파의 음속이 느려진다. 2개의 내측 버스 바 영역(영역(A3, A9))에서는, 중앙 영역(영역(A6))보다 탄성파의 음속이 느려진다. 2개의 연결 영역(영역(A2, A10))에서는, 2개의 외측 버스 바 영역(영역(A1, A11)) 및 중앙 영역(영역(A6))보다 탄성파의 음속이 빨라진다. 2개의 갭 영역(영역(A4, A8))에서는, 2개의 내측 버스 바 영역(영역(A3, A9)) 및 중앙 영역(영역(A6))보다 탄성파의 음속이 빨라진다. 2개의 대폭 영역(A7, A5)에서는, 중앙 영역(영역(A6))보다 탄성파의 음속이 느려진다.
1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, 1g, 1h: 탄성파 장치
2, 2g: 적층형 기판
20: 지지 기판
21: 고음속 지지 기판
211: 제1 주면
212: 제2 주면
22: 고음속막
23: 저음속막
24, 24h: 압전체부
241, 241h: 일 주면
3: IDT 전극
3A: IDT 전극(제1 IDT 전극 또는 제2 IDT 전극)
3B: IDT 전극(제2 IDT 전극 또는 제1 IDT 전극)
4: 제1 버스 바
40: 개구부
41: 외측 버스 바부
42: 내측 버스 바부
5: 제2 버스 바
50: 개구부
51: 외측 버스 바부
52: 내측 버스 바부
6: 제1 전극 핑거
6X: 중심선
60: 중앙부
601: 외연
61: 선단부
62: 대폭부
621: 외연
622: 외연
6210: 돌기부
6220: 돌기부
63: 기단부
64: 대폭부
7: 제2 전극 핑거
7X: 중심선
70: 중앙부
71: 선단부
72: 대폭부
73: 기단부
74: 대폭부
8: 반사기
9: 전극 핑거
D1: 제1 방향
D2: 제2 방향
L1: 제1 거리
L2: 제2 거리
L01: 거리
W0: 폭
W01: 폭
A1: 영역(외측 버스 바 영역)
A2: 영역(연결 영역)
A3: 영역(내측 버스 바 영역)
A4: 영역(갭 영역)
A5: 영역(대폭 영역)
A6: 영역(중앙 영역)
A7: 영역(대폭 영역)
A8: 영역(갭 영역)
A9: 영역(내측 버스 바 영역)
A10: 영역(연결 영역)
A11: 영역(외측 버스 바 영역)
2, 2g: 적층형 기판
20: 지지 기판
21: 고음속 지지 기판
211: 제1 주면
212: 제2 주면
22: 고음속막
23: 저음속막
24, 24h: 압전체부
241, 241h: 일 주면
3: IDT 전극
3A: IDT 전극(제1 IDT 전극 또는 제2 IDT 전극)
3B: IDT 전극(제2 IDT 전극 또는 제1 IDT 전극)
4: 제1 버스 바
40: 개구부
41: 외측 버스 바부
42: 내측 버스 바부
5: 제2 버스 바
50: 개구부
51: 외측 버스 바부
52: 내측 버스 바부
6: 제1 전극 핑거
6X: 중심선
60: 중앙부
601: 외연
61: 선단부
62: 대폭부
621: 외연
622: 외연
6210: 돌기부
6220: 돌기부
63: 기단부
64: 대폭부
7: 제2 전극 핑거
7X: 중심선
70: 중앙부
71: 선단부
72: 대폭부
73: 기단부
74: 대폭부
8: 반사기
9: 전극 핑거
D1: 제1 방향
D2: 제2 방향
L1: 제1 거리
L2: 제2 거리
L01: 거리
W0: 폭
W01: 폭
A1: 영역(외측 버스 바 영역)
A2: 영역(연결 영역)
A3: 영역(내측 버스 바 영역)
A4: 영역(갭 영역)
A5: 영역(대폭 영역)
A6: 영역(중앙 영역)
A7: 영역(대폭 영역)
A8: 영역(갭 영역)
A9: 영역(내측 버스 바 영역)
A10: 영역(연결 영역)
A11: 영역(외측 버스 바 영역)
Claims (6)
- 제1 단자와,
상기 제1 단자의 전위보다 낮은 전위로 되는 제2 단자와,
압전체부와,
상기 압전체부 상에 마련되어 있고, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자와 전기적으로 접속되어 있는, 복수의 IDT 전극을 구비하고,
상기 복수의 IDT 전극의 각각은,
제1 버스 바와,
제1 방향에 있어서 상기 제1 버스 바에 대향하고 있는 제2 버스 바와,
상기 제1 버스 바에 접속되고 상기 제1 방향에 있어서 상기 제1 버스 바로부터 상기 제2 버스 바측으로 연장되어 있는 복수의 제1 전극 핑거와,
상기 제2 버스 바에 접속되고 상기 제1 방향에 있어서 상기 제2 버스 바로부터 상기 제1 버스 바측으로 연장되어 있는 복수의 제2 전극 핑거를 갖고,
상기 복수의 제1 전극 핑거와 상기 복수의 제2 전극 핑거가, 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향에 있어서, 서로 이격하여 배열되어 있고,
상기 제1 버스 바 및 상기 제2 버스 바의 각각은,
개구부와,
상기 제1 방향에 있어서 상기 개구부보다 상기 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거를 포함하는 일군의 전극 핑거측에 위치하고 있는 내측 버스 바부와,
상기 제1 방향에 있어서 상기 개구부로부터 보아 상기 내측 버스 바부와는 반대측에 위치하고 있는 외측 버스 바부와,
상기 제1 방향에 있어서 상기 내측 버스 바부와 상기 외측 버스 바부를 연결하고 있는 연결부를 포함하고,
상기 복수의 IDT 전극 중 상기 제2 방향에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극 중 한쪽을 제1 IDT 전극, 다른 쪽을 제2 IDT 전극이라고 하였을 때,
상기 제1 IDT 전극의 상기 일군의 전극 핑거 중 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거와, 상기 제2 IDT 전극의 상기 일군의 전극 핑거 중 상기 제1 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거 중 한쪽이 상기 제1 단자에 접속되고, 다른 쪽이 상기 제2 단자에 접속되어 있고,
상기 제1 IDT 전극에서는, 상기 제1 IDT 전극의 상기 일군의 전극 핑거 중 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거가, 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거의 상기 제1 방향의 중앙부보다 상기 제2 방향의 폭이 큰 대폭부를 포함하고,
상기 제1 IDT 전극에서는, 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거에 관하여,
상기 제1 방향을 따른 상기 중앙부의 중심선과 상기 대폭부의 상기 제2 IDT 전극측의 외연의 상기 제2 방향에 있어서의 최대 거리인 제1 거리가, 상기 중앙부의 중심선과 상기 대폭부의 상기 제2 IDT 전극과는 반대측의 외연의 상기 제2 방향에 있어서의 최대 거리인 제2 거리보다 짧은,
탄성파 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 IDT 전극에서는, 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거에 관하여,
상기 제1 거리가, 상기 중앙부의 중심선과 상기 중앙부의 상기 제2 IDT 전극측의 외연의 상기 제2 방향에 있어서의 거리와 동일한,
탄성파 장치. - 제1 단자와,
상기 제1 단자의 전위보다 낮은 전위로 되는 제2 단자와,
압전체부와,
상기 압전체부 상에 마련되어 있고, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자와 전기적으로 접속되어 있는, 복수의 IDT 전극을 구비하고,
상기 복수의 IDT 전극의 각각은,
제1 버스 바와,
제1 방향에 있어서 상기 제1 버스 바에 대향하고 있는 제2 버스 바와,
상기 제1 버스 바에 접속되고 상기 제1 방향에 있어서 상기 제1 버스 바로부터 상기 제2 버스 바측으로 연장되어 있는 복수의 제1 전극 핑거와,
상기 제2 버스 바에 접속되고 상기 제1 방향에 있어서 상기 제2 버스 바로부터 상기 제1 버스 바측으로 연장되어 있는 복수의 제2 전극 핑거를 갖고,
상기 복수의 제1 전극 핑거와 상기 복수의 제2 전극 핑거가, 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향에 있어서, 서로 이격하여 배열되어 있고,
상기 제1 버스 바 및 상기 제2 버스 바의 각각은,
개구부와,
상기 제1 방향에 있어서 상기 개구부보다 상기 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거를 포함하는 일군의 전극 핑거측에 위치하고 있는 내측 버스 바부와,
상기 제1 방향에 있어서 상기 개구부로부터 보아 상기 내측 버스 바부와는 반대측에 위치하고 있는 외측 버스 바부와,
상기 제1 방향에 있어서 상기 내측 버스 바부와 상기 외측 버스 바부를 연결하고 있는 연결부를 포함하고,
상기 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거 각각의 적어도 1개의 전극 핑거가, 상기 적어도 1개의 전극 핑거의 상기 제1 방향의 중앙부보다 상기 제2 방향의 폭이 큰 대폭부를 포함하고,
상기 복수의 IDT 전극 중 상기 제2 방향에 있어서 인접하는 2개의 IDT 전극 중 한쪽을 제1 IDT 전극, 다른 쪽을 제2 IDT 전극이라고 하였을 때,
상기 제1 IDT 전극의 상기 일군의 전극 핑거 중 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거와, 상기 제2 IDT 전극의 상기 일군의 전극 핑거 중 상기 제1 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거 중 한쪽이 상기 제1 단자에 접속되고, 다른 쪽이 상기 제2 단자에 접속되어 있고,
상기 제1 IDT 전극에서는, 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거에 상기 대폭부를 갖지 않고, 상기 제2 IDT 전극에 가장 가까운 전극 핑거 이외의 전극 핑거 중 적어도 1개에 상기 대폭부를 갖는,
탄성파 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 IDT 전극이 상기 제2 방향에 있어서 배열되어 있고,
상기 제2 방향에 있어서 배열되어 있는 상기 복수의 IDT 전극 중 양측의 IDT 전극 각각의, 인접하는 IDT 전극과는 반대측에서 상기 압전체부 상에 1개씩 마련되어 있고, 상기 복수의 IDT 전극에 의해 여진된 탄성파를 반사하는 2개의 반사기를 더 구비하는,
탄성파 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 제1 전극 핑거 및 상기 복수의 제2 전극 핑거 각각의 적어도 1개의 전극 핑거의 선단부가, 상기 대폭부를 포함하는,
탄성파 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 압전체부와 상기 복수의 IDT 전극 중 1개의 IDT 전극을 포함하는 적층체는, 상기 적층체의 두께 방향으로부터의 평면으로 보아, 상기 제1 방향에 있어서 서로 다른 복수의 영역을 갖고,
상기 복수의 영역은,
상기 제1 방향에 있어서 중앙에 위치하고 있고, 상기 복수의 제1 전극 핑거의 중앙부와 상기 복수의 제2 전극 핑거의 중앙부를 포함하는 중앙 영역과,
상기 제1 버스 바의 상기 외측 버스 바부 및 상기 제2 버스 바의 상기 외측 버스 바부를 각각 포함하는 2개의 외측 버스 바 영역과,
상기 제1 버스 바의 상기 내측 버스 바부 및 상기 제2 버스 바의 상기 내측 버스 바부를 각각 포함하는 2개의 내측 버스 바 영역과,
상기 제1 버스 바의 개구부 및 상기 제2 버스 바의 개구부를 각각 포함하는 2개의 연결 영역과,
상기 복수의 제1 전극 핑거와 상기 제2 버스 바의 사이의 갭 및 상기 복수의 제2 전극 핑거와 상기 제1 버스 바의 사이의 갭 각각을 포함하는 2개의 갭 영역과,
상기 복수의 제1 전극 핑거 중 적어도 1개의 전극 핑거의 대폭부 및 상기 복수의 제2 전극 핑거 중 적어도 1개의 전극 핑거의 대폭부 각각을 포함하는 2개의 대폭 영역을 포함하고,
상기 2개의 외측 버스 바 영역에서는, 상기 중앙 영역보다 탄성파의 음속이 느려지고,
상기 2개의 내측 버스 바 영역에서는, 상기 중앙 영역보다 탄성파의 음속이 느려지고,
상기 2개의 연결 영역에서는, 상기 2개의 외측 버스 바 영역 및 상기 중앙 영역보다 탄성파의 음속이 빨라지고,
상기 2개의 갭 영역에서는, 상기 2개의 내측 버스 바 영역 및 상기 중앙 영역보다 탄성파의 음속이 빨라지고,
상기 2개의 대폭 영역에서는, 상기 중앙 영역보다 탄성파의 음속이 느려지는,
탄성파 장치.
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