JP2006060759A - 弾性表面波共振器とこれを用いた電子装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】任意の帯域幅の共振器及びフィルタを提供する。
【解決手段】大きな電気機械結合係数を持つ圧電・電歪物質基板の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはその両側に反射器を配置した構造の共振器において、数個の共振器を直列に接続する構造、或いは圧電基板上に誘電体薄膜を付着させた基板上にすだれ状電極及び反射器を設けた構造、或いは弾性表面波共振器の表面に誘電体を付着させ、さらにはその上に導体膜を付着させる構造とする。
【選択図】図1
【解決手段】大きな電気機械結合係数を持つ圧電・電歪物質基板の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはその両側に反射器を配置した構造の共振器において、数個の共振器を直列に接続する構造、或いは圧電基板上に誘電体薄膜を付着させた基板上にすだれ状電極及び反射器を設けた構造、或いは弾性表面波共振器の表面に誘電体を付着させ、さらにはその上に導体膜を付着させる構造とする。
【選択図】図1
Description
本発明は弾性表面波を用いた共振器及びこれを用いた電子装置に関するもので、弾性表面波共振器を直列に接続した構造、変換効率を低下させた構造、或いは基板表面に誘電体膜を設けることにより、電気機械結合係数を低下させた構造の弾性表面波共振器に関する。
通常の弾性表面波共振器は、すだれ状電極のみの構造、或いはすだれ状電極の両端に反射器を設けた構造であり、共振と反共振の周波数幅は、用いる基板の電気機械結合係数(k2)でほぼ決定される。従って、大きなk2の基板では、比較的狭い帯域幅のフィルタには用いられなかった。
本発明は上述したごとき従来の弾性表面波共振器の欠陥を除去すべくなされたものであって、電極構造を工夫することにより見かけ上の電気機械結合を低下させることにより、変換効率と反射係数を小さくした、或いは単位長さ当たりの反射器の数を大きくすることにより、共振と反共振の幅を小さくした構造の弾性表面波共振器に関するものであり、任意の帯域幅の共振器及びフィルタを提供するものである。
上述の課題を解決するために、本発明に係る弾性表面波共振器は、大きな電気機械結合係数をもつ圧電・電歪物質基板の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはその両側に反射器を配置した構造の共振器において、数個の共振器を直列に接続する方法、単位長さ当たりの励振の数及び反射器の数を少なくする方法、或いは圧電基板上に誘電体薄膜を付着させた基板上にすだれ状電極及び反射器を設けた構造、或いは弾性表面波共振器の表面に誘電体を付着させ、さらにその上に導体膜を付着させる構造とすることにより、共振器の共振と反共振の幅を制御するものである。
以下、本発明を図面に示した実施例に基づいて詳細に説明する。
実施例の1は、図1のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはすだれ状電極の両側に反射器を配置した弾性表面波共振器において、共振器を2個或いは2個以上を作製した後、これらの共振器を直列に接続した構造の弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の1である。
実施例の2は、図2のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器において、伝搬路上にすだれ状電極を同位相で合い加わるように2個或いは2個以上作製した後、各々のすだれ状電極を直列に接続した構造の弾性表面波共振器、或いは直列に接続したすだれ状電極の両側に反射器を配置した弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の2である。
実施例の3は、図3、図4のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはすだれ状電極の両側に反射器を配置した弾性表面波共振器において、正電極のみからなる電極、及び負電極のみからなるすだれ状電極をお互いが交差しないように作製した後、正電極間と負電極間に浮き電極を挿入した構造の弾性表面波共振器及びこの浮き電極を直列に2個以上構成した弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両端に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこれを用いた電子装置が実施例の3である。
実施例の4は、図5、図6のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を作製した構造、あるいはその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、正電極の幅が(λ/4+Mλ)(M:正の整数)、負電極の幅が(λ/4+Nλ)(N:正の整数)、その空隙が(λ/4)及び(λ/4+Nλ)、或いはそれらの幅が上記の値の±30%であり、正負電極間の距離が(λ/2)×K(K:正の整数)からなるすだれ状電極共振器、或いはこのすだれ状電極の両側に反射器をもつ弾性表面波共振器、及びこれらのすだれ状電極のM、Nの値をすだれ状電極内でM=0、N=0も含めて組み合わせた構造の弾性表面波共振器及びこれらの共振器を用いた電子装置が実施例の4である。
実施例の5は、図7、図8のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極とその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、通常のすだれ状電極、或いは特許請求の範囲第3項のすだれ状電極の両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、反射器の幅が(λ/2)×M(M:正の整数)でその空隙が(λ/2)×N(N:整数)或いは、(λ/4)×(2M+1),でその空隙が(λ/4)×(2N−1)、或いはそれらの幅が上記の値の±30%であり、グレーティング電極間の距離が(λ/2)×K(K:整数)の短絡型の反射器グレーティングをもつ構造の弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が、実施例の5である。
実施例の6は、図9のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上に誘電体薄膜6を付着させた弾性表面波共振器、及びその上に弾性波表面波共振器を作製した後、その上に金属膜7を付着させた構造の共振器、或いはこの共振器上にさらに誘電体薄膜8を付着させた構造の弾性表面波共振器、及び上記の金属膜7として、反射器上にのみ付着させた構造の弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の7である。
実施例の7は、実施例の6の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、薄膜6の膜厚をH1として、、薄膜6の膜厚H1/λが、0.001から0.02の範囲にある弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の7である。
実施例の8は、実施例の1から7において、正負電極及び金属膜として、Al、Cu、Mo、Au、Ag、W、Tiなど或いはこれらの合金、また圧電体基板1として、水晶、ランガサイト系単結晶、Li2B4O7単結晶、BGO単結晶、BSO単結晶、LiNbO3単結晶、LiTaO3単結晶、KNbO3単結晶、PZTなど、圧電薄膜として、ZnO、AlN、LiTaO3、LiNbO3、KNbO3、TaO5、PZT、などを用いた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の8である。
実施例の9は、実施例の1から8の弾性表面波共振器上に、SiO2薄膜、或いは正の周波数温度特性をもつガラスなどの誘電体膜を付着させた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の9である。
実施例の10は、実施例の1から9の弾性表面波共振器をラダー型、ラティス型に構成した弾性表面波フィルタとこのフィルタを用いた電子装置が実施例の10である。また、上記のすだれ状電極の周期及び反射器の周期が±30%の範囲で変化させた共振器も本特許に含まれるものとする。
実施例の1は、図1のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはすだれ状電極の両側に反射器を配置した弾性表面波共振器において、共振器を2個或いは2個以上を作製した後、これらの共振器を直列に接続した構造の弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の1である。
実施例の2は、図2のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器において、伝搬路上にすだれ状電極を同位相で合い加わるように2個或いは2個以上作製した後、各々のすだれ状電極を直列に接続した構造の弾性表面波共振器、或いは直列に接続したすだれ状電極の両側に反射器を配置した弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の2である。
実施例の3は、図3、図4のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはすだれ状電極の両側に反射器を配置した弾性表面波共振器において、正電極のみからなる電極、及び負電極のみからなるすだれ状電極をお互いが交差しないように作製した後、正電極間と負電極間に浮き電極を挿入した構造の弾性表面波共振器及びこの浮き電極を直列に2個以上構成した弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両端に反射器を設けた構造の弾性表面波共振器、及びこれを用いた電子装置が実施例の3である。
実施例の4は、図5、図6のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を作製した構造、あるいはその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、正電極の幅が(λ/4+Mλ)(M:正の整数)、負電極の幅が(λ/4+Nλ)(N:正の整数)、その空隙が(λ/4)及び(λ/4+Nλ)、或いはそれらの幅が上記の値の±30%であり、正負電極間の距離が(λ/2)×K(K:正の整数)からなるすだれ状電極共振器、或いはこのすだれ状電極の両側に反射器をもつ弾性表面波共振器、及びこれらのすだれ状電極のM、Nの値をすだれ状電極内でM=0、N=0も含めて組み合わせた構造の弾性表面波共振器及びこれらの共振器を用いた電子装置が実施例の4である。
実施例の5は、図7、図8のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極とその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、通常のすだれ状電極、或いは特許請求の範囲第3項のすだれ状電極の両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、反射器の幅が(λ/2)×M(M:正の整数)でその空隙が(λ/2)×N(N:整数)或いは、(λ/4)×(2M+1),でその空隙が(λ/4)×(2N−1)、或いはそれらの幅が上記の値の±30%であり、グレーティング電極間の距離が(λ/2)×K(K:整数)の短絡型の反射器グレーティングをもつ構造の弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が、実施例の5である。
実施例の6は、図9のように、圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上に誘電体薄膜6を付着させた弾性表面波共振器、及びその上に弾性波表面波共振器を作製した後、その上に金属膜7を付着させた構造の共振器、或いはこの共振器上にさらに誘電体薄膜8を付着させた構造の弾性表面波共振器、及び上記の金属膜7として、反射器上にのみ付着させた構造の弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の7である。
実施例の7は、実施例の6の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、薄膜6の膜厚をH1として、、薄膜6の膜厚H1/λが、0.001から0.02の範囲にある弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の7である。
実施例の8は、実施例の1から7において、正負電極及び金属膜として、Al、Cu、Mo、Au、Ag、W、Tiなど或いはこれらの合金、また圧電体基板1として、水晶、ランガサイト系単結晶、Li2B4O7単結晶、BGO単結晶、BSO単結晶、LiNbO3単結晶、LiTaO3単結晶、KNbO3単結晶、PZTなど、圧電薄膜として、ZnO、AlN、LiTaO3、LiNbO3、KNbO3、TaO5、PZT、などを用いた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の8である。
実施例の9は、実施例の1から8の弾性表面波共振器上に、SiO2薄膜、或いは正の周波数温度特性をもつガラスなどの誘電体膜を付着させた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置が実施例の9である。
実施例の10は、実施例の1から9の弾性表面波共振器をラダー型、ラティス型に構成した弾性表面波フィルタとこのフィルタを用いた電子装置が実施例の10である。また、上記のすだれ状電極の周期及び反射器の周期が±30%の範囲で変化させた共振器も本特許に含まれるものとする。
以上の共振器の計算結果の一例として、図9はk2=0.25をもつSiO2/5°Y−X LiNbO3基板の図6の構造の共振器のアドミッタンス特性であり、λ/4の電極幅からなるすだれ状電極の帯域幅が、2GHzの中心周波数で、220MHzに対して、本特許の帯域幅は約80MHzと約1/3の狭い特性の共振器が得られる。また、本特許の共振器では、広い電極幅の共振器が得られるので、超高周波で作製が容易であると同時に電極抵抗による損失を低減できる。
1…基板、2…すだれ状電極、3…反射電極、4…接続電極、5…浮き電極、6…誘電体膜、7…金属膜、8…誘電体膜、9…短絡用の電極、10…溝、11…反射電極、12…共振特性
Claims (10)
- 圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはすだれ状電極の両側に反射器を配置した弾性表面波共振器において、共振器を2個或いは2個以上を作製した後、これらの共振器を直列に接続した構造の弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置。
- 圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器において、伝搬路上にすだれ状電極を同位相で合い加わるように2個或いは2個以上作製した後、各々のすだれ状電極を直列に接続した構造の弾性表面波共振器、或いは直列に接続したすだれ状電極の両側に反射器を配置した弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置。
- 圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を配置した共振器、或いはすだれ状電極の両側に反射器を配置した弾性表面波共振器において、正電極のみからなる電極、及び負電極のみからなるすだれ状電極をお互いが交差しないように作製した後、正電極間と負電極間に浮き電極を挿入した構造の弾性表面波共振器、及びこれらの共振器の両端に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器、及びこの浮き電極を直列に2個以上構成した弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置。
- 圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極を作製した構造、あるいはその両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、正電極の幅が(λ/4+Mλ)(M:正の整数)、負電極の幅が(λ/4+Nλ)(N:正の整数)、その空隙が(λ/4)及び(λ/4+Nλ)、或いはそれらの幅が上記の値の±30%であり、正負電極間の距離が(λ/2)×K(K:正の整数)からなるすだれ状電極共振器、或いはこのすだれ状電極の両側に反射器をもつ弾性表面波共振器、及びこれらのすだれ状電極のM、Nの値をすだれ状電極内でM=0、N=0も含めて組み合わせた構造の弾性表面波共振器及びこれらの共振器を用いた電子装置。
- 圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上にすだれ状電極とその両側に反射器を配置した構造の弾性比較的波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、通常のすだれ状電極、或いは特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項のすだれ状電極の両側に反射器を配置した構造の弾性表面波共振器において、反射器の幅が(λ/2)×M(M:正の整数)でその空隙が(λ/2)×N(N:正の整数)或いは、(λ/4)×(2M+1),でその空隙が(λ/4)×(2N−1)、或いはそれらの幅が上記の値の±30%であり、グレーティング電極間の距離が(λ/2)×K(K:整数)の短絡型の反射器グレーティングをもつ構造の弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置。
- 圧電・電歪物質基板1の表面或いは圧電薄膜基板上に誘電体薄膜6を付着させた弾性表面波共振器、及びその上に弾性波共振器を作製した後、その上に金属膜7を付着させた構造の共振器、或いはこの共振器上にさらに誘電体薄膜8を付着させた構造の弾性表面波共振器、及び上記の金属膜7として、反射器上にのみ付着させた構造の弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置。
- 特許請求の範囲第6項の弾性表面波共振器において、基本動作周波数での波長をλとして、薄膜6の膜厚をH1として、、薄膜6の膜厚H1/λが、0.001から0.02の範囲にある弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置。
- 特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項において、正負電極及び金属膜として、Al、Cu、Mo、Au、Ag、W、Tiなど或いはこれらの合金、また圧電体基板1として、水晶、ランガサイト系単結晶、Li2B4O7単結晶、BGO単結晶、BSO単結晶、LiNbO3単結晶、LiTaO3単結晶、KNbO3単結晶、PZTなど、圧電薄膜として、ZnO、AlN、LiTaO3、LiNbO3、KNbO3、Ta2O5、PZT、などを用いた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置。
- 特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項、第8項の弾性表面波共振器上に、SiO2薄膜、或いは正の周波数温度特性をもつガラスなどの誘電体膜を付着させた構造のすだれ状電極弾性表面波共振器及びこれを用いた電子装置。
- 特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項、第6項、第7項、第8項、第9項の弾性表面波共振器をラダー型、ラティス型に構成した弾性表面波フィルタとこのフィルタを用いた電子装置。
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