WO2011099532A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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田中 宏行
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京セラ株式会社
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    • H03H9/6436Coupled resonator filters having one acoustic track only

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device such as a surface acoustic wave (SAW) device.
  • SAW surface acoustic wave
  • each IDT electrode is a so-called series-divided IDT electrode. That is, in each IDT electrode of patent document 1, it is arrange
  • a third comb-shaped electrode in an electrically floating state is disposed between the second comb-shaped electrode disposed and connected to the ground.
  • Patent Document 1 when the IDT electrode is a series division type, the SAW device is enlarged in a direction orthogonal to the propagation direction.
  • An elastic wave device is connected to a substrate, a signal line, a first signal connection bus bar extending in the propagation direction of the elastic wave propagating through the substrate, and a ground.
  • a first ground bus bar located at a position facing the signal connection bus bar; and a plurality of first electrode fingers extending in the facing direction from the first signal connection bus bar and the first ground bus bar;
  • a first IDT electrode located on the main surface of the first signal bus;
  • a second signal connection bus bar connected to the signal line; and located next to the first ground bus bar along a longitudinal direction of the first ground bus bar; and the second signal connection
  • a second ground bus bar connected to the ground, located next to the first signal connection bus bar along the longitudinal direction of the first signal connection bus bar, and located at a position facing the bus bar;
  • a plurality of second electrode fingers extending in a facing direction from the connection bus bar and the second ground bus bar; a second IDT electrode located on a main surface of the substrate; and the first ground bus bar and the second signal connection Between the bus
  • the floating member that is not connected to any of the first ground bus bar, the second signal connection bus bar, the first signal connection bus bar, and the second ground bus bar is provided. ESD resistance can be improved without increasing the size of the structure.
  • FIG. 12A is a plan view showing a first modification of the floating member
  • FIG. 12B is a plan view showing a second modification of the floating member.
  • FIG. 14A is a histogram of voltage values at the time of breakdown in Comparative Example 1
  • FIG. 14B is a histogram of voltage values at the time of breakdown in Example 1. It is a figure which shows the permeation
  • FIG. 14A is a histogram of voltage values at the time of breakdown in Comparative Example 1
  • FIG. 14B is a histogram of voltage values at the time of breakdown in Example 1. It is a figure which shows the permeation
  • the unbalanced-balanced type means that an unbalanced signal is input and a balanced signal is output in the SAW device.
  • the unbalanced signal is a signal whose signal level is a potential with respect to a reference potential.
  • the balanced signal is a signal composed of two signals and having a potential difference between the two signals as a signal level.
  • FIG. 1 is a plan view showing a SAW device 1 according to a first embodiment of the present invention.
  • the SAW device 1 is configured as a filter device that receives an unbalanced signal, filters the inputted unbalanced signal, and outputs an unbalanced signal. In the process from the input to the output, the SAW device 1 also performs conversion of the electric signal into SAW and conversion into the SAW electric signal.
  • the SAW device 1 has a substrate 3 on which SAW propagates.
  • the SAW device 1 also has an input terminal 5 to which an unbalanced signal is input, a SAW element 7 for filtering the input signal, and an output for outputting the filtered unbalanced signal on the main surface 3a of the substrate 3.
  • a terminal 9 the SAW device 1 includes a cover that covers the SAW element while forming a space on the SAW element, but the illustration is omitted.
  • the substrate 3 is a so-called piezoelectric substrate made of a piezoelectric body that exhibits a piezoelectric effect.
  • the piezoelectric body is, for example, LiNbO 3 or LiTaO 3 .
  • the planar shape of the substrate 3 may be set as appropriate.
  • SAW is excited by the SAW element 7 and propagates in the propagation direction D1 indicated by the arrow on the main surface 3a.
  • a direction along the main surface 3a and orthogonal to the propagation direction D1 may be referred to as an orthogonal direction D2.
  • Only one input terminal 5 is provided on the main surface 3a. An unbalanced signal is input to the input terminal 5.
  • the SAW element 7 is composed of a longitudinally coupled double mode resonator SAW filter. Specifically, the SAW element 7 includes a plurality of IDT electrodes 11 arranged in the propagation direction D1, and reflectors 13 disposed at both ends of the row of the plurality of IDT electrodes 11. The number of IDT electrodes 11 is three in this embodiment.
  • Each IDT electrode 11 has a pair of comb-like electrodes 15.
  • the comb-like electrode 15 includes a bus bar 17 extending in the propagation direction D1, a plurality of electrode fingers 19 extending from the bus bar 17 in the orthogonal direction D2, and a dummy electrode finger protruding between the plurality of electrode fingers 19 from the bus bar 17 in the orthogonal direction D2. 21. Since FIG. 1 is a schematic diagram, the number of electrode fingers 19 is shown smaller than the actual number.
  • the pair of comb-like electrodes 15 are arranged such that the bus bars 17 face each other in the orthogonal direction D2 and the plurality of electrode fingers 19 engage (intersect) with each other.
  • the width of the intersecting range R (intersection width W) is, for example, constant.
  • the tip of the dummy electrode finger 21 faces the tip of the electrode finger 19 extending from the bus bar 17 facing the bus bar 17 provided with the dummy electrode finger 21 toward the dummy electrode finger 21 at a predetermined interval. In other words, the dummy electrode finger 21 extends toward the range R to a position before the range R.
  • each IDT electrode 11 one of the comb-like electrodes 15 (bus bar 17) facing each other is connected to the signal line, and the other of the comb-like electrodes 15 (bus bar 17) facing each other is connected to the ground.
  • the wiring to which the reference potential is applied is also a signal line.
  • the connection to the signal line means that the potential varies with respect to the reference potential. It is said that it is connected to a point where a signal to be transmitted flows. Further, the reference potential is not always 0V.
  • reference numerals of comb-teeth electrodes, bus bars, electrode fingers, and dummy electrodes connected to signal lines may be given an additional symbol of S, and are referred to as “signal connection bus bars”. "May be prefixed to the name.
  • the symbol of the comb-teeth electrode, bus bar, electrode finger, and dummy electrode connected to the ground may be given an additional symbol of G, and the letter “ground” is called “ground bus bar”.
  • the name may be prefixed.
  • connection differences are represented by the presence or absence of hatching. That is, the comb-like electrode 15 that is not hatched is connected to the signal line, and the comb-like electrode 15 that is hatched is connected to the ground.
  • the signal connection bus bar 17S is disposed on the input terminal 5 side, and the ground bus bar 17G is disposed on the output terminal 9 side.
  • the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 11B is connected to the input terminal 5 through the input side signal line 6.
  • the signal connection bus bar 17S is arranged on the output terminal 9 side, and the ground bus bar 17G is arranged on the input terminal 5 side.
  • the signal connection bus bar 17S of the IDT electrodes 11A and 11C is connected to the output terminal 9 via the output side signal line 8.
  • the unbalanced signal s from the input terminal 5 is applied to the substrate 3 by the IDT electrode 11B, the unbalanced signal s is converted into SAW and propagates in the propagation direction D1.
  • the IDT electrodes 11A and 11C convert the SAW into an electric signal and output it to the output terminal 9. In this process, filtering is performed by extracting a signal having a half-wavelength between the centers of adjacent electrode fingers.
  • the adjacent electrode fingers 19 correspond to signals whose phases are different from each other by 180 ° (reverse phase).
  • the number of ground electrode fingers 19G disposed between the plurality of signal connection electrode fingers 19S of the IDT electrode 11B and the signal connection electrode fingers 19S of the IDT electrode 11A is 2 (even). Accordingly, the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 11A outputs a signal whose phase is 180 ° different from the signal input to the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 11B. In other words, the IDT electrode 11A outputs an inverted signal s1 obtained by inverting the phase of the unbalanced signal s.
  • the number of ground electrode fingers 19G disposed between the signal connection electrode fingers 19S of the IDT electrode 11B and the signal connection electrode fingers 19S of the IDT electrode 11C is 2 (even). Therefore, the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 11C outputs the inverted signal s1.
  • the inverted signal s1 from the IDT electrode 11A and the inverted signal s1 from the IDT electrode 11C are added and output from the output terminal 9 as an unbalanced signal.
  • a floating member 23 is provided between the ground bus bar 17G of the IDT electrode 11B and the IDT electrodes 11A and 11C.
  • the floating member 23 is not connected to any of the signal lines (input terminal 5 and output terminal 9) and the ground, and is in an electrically floating state.
  • the planar shape is not particularly limited, and can be any shape such as a rectangular shape, a trapezoidal shape, a circular shape, or a combination thereof.
  • the floating member 23 has a rectangular planar shape.
  • the floating member 23 has the same width in the orthogonal direction D2 as the width in the orthogonal direction D2 of the adjacent bus bar, and both ends of the floating member 23 in the orthogonal direction D2 are located at both ends in the orthogonal direction D2 of the adjacent bus bar. It is aligned with the position.
  • the width of the floating member 23 in the orthogonal direction D2 is made the same as the width of the adjacent bus bar in the orthogonal direction D2, and the both ends thereof are aligned with the positions of both ends in the orthogonal direction D2 of the adjacent bus bar.
  • the discontinuity of the medium through which the SAW propagates is alleviated by the floating member 23, so that the loss characteristics of the filter can be suppressed.
  • the distance between the floating member 23 and the adjacent bus bar is preferably smaller than the SAW wavelength, and more preferably less than the half wavelength of the SAW. It is. Furthermore, it is considered that the discontinuity of the medium through which the SAW propagates can be alleviated by making the thickness of the floating member 23 the same as the thickness of the adjacent bus bar.
  • the dummy electrode finger 25 is connected to the floating member 23.
  • the dummy electrode fingers 25 extend from the floating member 23 toward the range R along the orthogonal direction D2.
  • the tip of the dummy electrode finger 25 is opposed to the tip of the electrode finger 19 extending from the bus bar 17 facing the floating member 23 toward the floating member 23 at a predetermined interval.
  • the dummy electrode fingers 25 of the floating member 23 are located within a predetermined area.
  • the line connecting the tip of the electrode finger 19S extending from the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 11B and the tip of the electrode finger 19G extending from the ground bus bar 17G of the IDT electrode 11A, and the ground bus bar 17G and IDT of the IDT electrode 11B The dummy electrode fingers of the floating member 23 in the first region between the electrode 11A and the signal connection bus bar 17S (in the region between the range R and the ground bus bar 17G of the IDT electrode 11B and the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 11A) 25 is located. That is, the dummy electrode finger 25 extends to a position before the range R.
  • the dummy electrode finger 25 provided on the floating member 23 has a range R and It is located in a second region which is a region between the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 11B and the ground bus bar 17G of the IDT electrode 11A.
  • the width of the floating member 23 (the size in the propagation direction D1) is, for example, substantially the same as the width of various electrode fingers such as the electrode finger 19. Even if the width of the floating member 23 is equal to the width of the dummy electrode finger 25, the bus bars adjacent to the floating member 23 (the ground bus bar 17G of the IDT electrode 11B and the signal connection bus bar 17S of the IDT electrodes 11A and 11C) are used. In addition, the portion protruding toward the bus bar (the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 11B and the ground bus bar 17G of the IDT electrodes 11A and 11C) facing the floating member 23 can be specified as the dummy electrode finger 25.
  • the SAW device 40 does not have the floating member 23, and the ground bus bar 17G of the central IDT electrode 41B and the signal connection bus bars 17S of the IDT electrodes 41A and 41C on both sides thereof are adjacent to each other.
  • the plurality of electrode fingers 19 have a narrow pitch (including the pitch between the IDT electrodes) at the end in the propagation direction D1 of each IDT electrode (a region between the IDT electrodes). May be placed.
  • the space between the signal connection bus bar 17S and the ground bus bar 17G is also narrowed.
  • the bus bar 17 has a larger area than the electrode fingers 19 and current flows easily. Therefore, in the SAW device 40 of the first comparative example, ESD is likely to occur between the ground bus bar 17G and the signal connection bus bar 17S.
  • bus bar 17 on the input side and between the bus bars 17 on the output side which bus bar 17 is likely to cause ESD depends on the input / output type, the configuration of each IDT electrode, the arrangement of a plurality of IDT electrodes, etc. It depends on various factors. In the first comparative example, it is assumed that ESD is likely to occur between the output-side bus bars 17 (between the ground bus bar 17G of the IDT electrode 41B and the signal connection bus bar 17S of the IDT electrodes 41A and 41C).
  • the floating member 23 is disposed between the ground bus bar 17G of the IDT electrode 11B and the signal connection bus bar 17S of the IDT electrodes 11A and 11C.
  • the distance d1 between the ground bus bar 17G of the IDT electrode 11B and the signal connection bus bar 17S of the IDT electrodes 11A and 11C is equal to the ground bus bar 17G of the IDT electrode 41B and the IDT electrodes 41A and 41C in the first comparative example. It is larger than the distance d2 with the signal connection bus bar 17S.
  • the floating member 23 is disposed in the space between the ground bus bar 17G and the signal connection bus bar 17S, so that most of the space between the ground bus bar 17G and the signal connection bus bar 17S is covered with the float member 23.
  • the material of the floating member 23 for example, a metal material such as Al, Al—Cu alloy, Cu, or Au, or an insulating material such as Ta 2 O 5 , TaSi 2 can be used. In consideration of efficiency and insertion loss characteristics, it is preferable to form the same material as the IDT electrode.
  • the ground electrode finger 19G at the end of the IDT electrodes 11A and 11C on the IDT electrode 11B side is connected to the ground bus bar 17G of the IDT electrode 11B and the signal connection bus bar 17S of the IDT electrodes 11A and 11C. It is conceivable to extend it between. However, in this case, since the extension portion is also excited, the SAW leakage is larger than that in the present embodiment.
  • the floating member 23 is provided with the dummy electrode fingers 25 in the same manner as the ground bus bar 17G and the signal connection bus bar 17S, so that the leakage of the SAW can be further suppressed.
  • FIG. 3 is a plan view showing a SAW device 60 according to the second embodiment of the present invention.
  • the SAW device 60 includes a plurality of signal connection electrode fingers 19S of the central IDT electrode 61B and a plurality of signal connection electrode fingers 19S of the adjacent IDT electrodes 61A or 61C.
  • the number of ground electrode fingers 19G in between is two (even).
  • the two ground electrode fingers 19G both extend from the ground bus bar 17G of the IDT electrode 61A or 61C.
  • the floating member 73 is formed over the arrangement range of the two ground electrode fingers 19G in the propagation direction D1. Two dummy electrode fingers 25 connected to the floating member 73 are provided corresponding to the two ground electrode fingers 19G.
  • the same effect as the first embodiment can be obtained. That is, by providing the floating member 23, it is possible to improve ESD resistance and suppress a decrease in insertion loss while suppressing an increase in size of the apparatus. Furthermore, in the second embodiment, since the floating member 73 has a length corresponding to two electrode fingers 19 in the propagation direction D1, the distance between the signal connection bus bar 17S and the ground bus bar 17G is further increased. It is expected to further increase ESD resistance.
  • FIG. 4 is a plan view showing a SAW device 90 according to the third embodiment of the present invention.
  • the floating member 23 is provided not only on the output side but also on the input side. From another viewpoint, the floating members 23 are provided on both sides in the orthogonal direction D2. Specifically, it is as follows.
  • the configuration of the ground electrode finger 19G between the central IDT electrode 91B and the adjacent IDT electrode 91A or 91C is the same as in the first embodiment. That is, the number of ground electrode fingers 19G between the IDT electrodes is two (even), and one of the two ground electrode fingers 19G extends from the ground bus bar 17G of the IDT electrode 91B, and the other is the IDT.
  • the electrode 91A or 91C extends from the ground bus bar 17G.
  • the floating member 23 is provided between the ground bus bar 17G of the IDT electrode 91B and the signal connection bus bar 17S of the IDT electrodes 91A and 91C.
  • the floating member 23 is also provided between the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 91B and the ground bus bar 17G of the IDT electrodes 91A and 91C.
  • the same effect as the other embodiments can be obtained. That is, by providing the floating member 23, it is possible to improve ESD resistance and suppress a decrease in insertion loss while suppressing an increase in size of the apparatus. Furthermore, in the third embodiment, since the floating member 73 is provided on both the input side and the output side, resistance to ESD can be improved on both the input side and the output side. Such an aspect is effective when there is not much difference in the likelihood of ESD between the input side and the output side.
  • FIG. 5 is a plan view showing a SAW device 120 according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the SAW device 120 outputs an unbalanced signal as in the first to third embodiments.
  • the SAW device 120 differs from the first to third embodiments in the arrangement of the electrode fingers 19 and outputs an unbalanced signal (s0) in which the phase of the inputted unbalanced signal s is not inverted.
  • the SAW device 120 is also different from the first to third embodiments in that the floating member 73 is formed over the arrangement range of one ground electrode finger 19G and one signal connection electrode finger 19S. . Specifically, it is as follows.
  • the number of ground electrode fingers 19G between the plurality of signal connection electrode fingers 19S of the central IDT electrode 121B and the plurality of signal connection electrode fingers 19S of the adjacent IDT electrode 121A is 1 (odd number). ing. Therefore, the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 121A outputs a signal having the same phase as the signal input to the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 121B. In other words, the IDT electrode 121A outputs a non-inverted signal s0 that does not invert the phase of the unbalanced signal s.
  • the number of ground electrode fingers 19G disposed between the signal connection electrode fingers 19S of the IDT electrode 121B and the signal connection electrode fingers 19S of the IDT electrode 121C is 1 (odd number). Accordingly, the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 121C outputs the non-inverted signal s0.
  • the non-inverted signal s0 from the IDT electrode 121A and the non-inverted signal s0 from the IDT electrode 112C are added and output from the output terminal 9 as an unbalanced signal.
  • the one ground electrode finger 19G extends from the ground bus bar 17G of the IDT electrode 121A or IDT electrode 121C.
  • the signal connection electrode finger 19S extends adjacent to the one ground electrode finger 19G.
  • the floating member 73 extends in the propagation direction D1 over the arrangement range of the one ground electrode finger 19G and the signal connection electrode finger 19S that is adjacent to the one ground electrode finger 19G and extends in the same direction. Is formed.
  • the effect of improving the ESD resistance and suppressing the decrease in insertion loss can be obtained while suppressing the increase in size of the apparatus. Further, as in the second embodiment, a more effective improvement in ESD resistance is expected by the floating member 73 formed over the two electrode fingers 19.
  • FIG. 6 is a plan view showing a SAW device 150 according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the number of ground electrode fingers 19G between the plurality of signal connection electrode fingers 19S of the central IDT electrode 151B and the plurality of signal connection electrode fingers 19S of the adjacent IDT electrode 151A is 1 (odd number). ing. Therefore, the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 151A outputs a signal having the same phase as the signal input to the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 151B. In other words, the IDT electrode 151A outputs a non-inverted signal s0 that does not invert the phase of the unbalanced signal s.
  • the number of ground electrode fingers 19G between the plurality of signal connection electrode fingers 19S of the central IDT electrode 151B and the plurality of signal connection electrode fingers 19S of the adjacent IDT electrode 151C is 2 (even).
  • the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 151C outputs a signal whose phase is 180 ° different from the signal input to the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 151B.
  • the IDT electrode 151C outputs the inverted signal s1 obtained by inverting the phase of the unbalanced signal s.
  • the non-inverted signal s0 from the IDT electrode 151A is output from the output terminal 29A.
  • the inverted signal s1 from the IDT electrode 151C is output from the output terminal 29B.
  • a balanced signal is output from the balanced output terminal 30 including the output terminal 29A and the output terminal 29B.
  • the floating member 23 is provided between the ground bus bar 17G of the IDT electrode 151B and the signal connection bus bar 17S of the IDT electrodes 151A and 151C. Therefore, also in the fifth embodiment, as in the other embodiments, the effects of improving the ESD resistance and suppressing the decrease in insertion loss while suppressing the increase in size of the device are exhibited.
  • the signal connection between the ground bus bar 17G of the IDT electrode 151B and the IDT electrodes 151A and 151C is greater than between the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 151B and the ground bus bar 17G of the IDT electrodes 151A and 151C. ESD is likely to occur between the bus bar 17S. This is because when static electricity flows from the input terminal 5, the current escapes to both ends of the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 151B, whereas when static electricity flows from the output terminal 29A or 29B, the current flows to the IDT. This is because it tends to concentrate on one end of the electrode 151A or 151C (on the ground bus bar 17G side of the IDT electrode 151B) and escape easily.
  • the interval between the bus bar 17S of the IDT electrode 151A and the ground bus bar 17G of the IDT electrode 151B is narrower than the interval between the reflector 13 and the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 151A. The same applies to the distance between the reflector 13 and the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 151C.
  • the floating member 23 is provided only between the ground bus bar 17G of the IDT electrode 151B and the signal connection bus bar 17S of the IDT electrodes 151A and 151C, the ESD is likely to occur. ESD can be effectively suppressed while minimizing leakage. Moreover, compared with the case where the floating member 23 is provided on both the input side and the output side as in the third embodiment, the floating member 23 can be easily enlarged in the propagation direction D1.
  • a SAW resonator may be arranged in the middle of the output-side signal line 8.
  • the floating member 23 is interposed between the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 151B and the ground bus bar 17G of the IDT electrodes 151A and 151C. May be provided.
  • FIG. 7 is a plan view showing a SAW device 180 according to the sixth embodiment of the present invention.
  • the floating member 23 provided over the arrangement range of the one electrode finger 19 in the propagation direction D1 and the float provided over the arrangement range of the two electrode fingers 19 in the propagation direction D1.
  • the member 73 is mixed.
  • the effects of improving the ESD resistance and suppressing the reduction of the insertion loss are exhibited while suppressing the increase in size of the device.
  • FIG. 8 is a plan view showing a SAW device 210 according to the seventh embodiment of the present invention.
  • the SAW device 210 is configured such that balanced signals (s0, s1) are output from one IDT electrode 211B.
  • the IDT electrode 211B can be conceptualized as two IDT electrodes.
  • the configuration of the SAW device 210 is specifically as follows.
  • the SAW device 210 has a plurality of IDT electrodes 211 arranged in the propagation direction D1.
  • the number of the plurality of IDT electrodes 211 is three in the present embodiment.
  • the IDT electrodes 211A and 211C on both sides have a pair of comb-like electrodes 15 having substantially the same size as each other as in the other embodiments.
  • the central IDT electrode 211B has a common comb-like electrode 215G and divided comb-like electrodes 215Sa and 215Sb.
  • the divided comb-like electrodes 215Sa and 215Sb are approximately half the size in the propagation direction D1 of the common comb-like electrode 215G in the propagation direction D1.
  • the divided comb-like electrodes 215Sa and 215Sb are arranged so that the common comb-like electrode 215G and the electrode finger 19 are engaged with each other.
  • the signal connection comb-like electrodes 15S of the IDT electrodes 211A and 211C are both connected to the input terminal 5 and are electrodes to which an unbalanced signal s is input.
  • the divided comb-teeth electrodes 215Sa and 215Sb which are signal connection comb-teeth electrodes, are each connected to a separate output terminal 29 and are electrodes that output a balanced signal to the balanced output terminal 30.
  • the number of ground electrode fingers 19G arranged between the plurality of signal connection electrode fingers 19S to which signals are input and the plurality of signal connection electrode fingers 19S to output signals is odd or even. By setting, non-inversion or inversion of the phase is realized.
  • the number of ground electrode fingers 19G between the signal connection electrode fingers 19S of the IDT electrode 221A and the signal connection electrode fingers 19S of the divided comb-like electrodes 215Sa is one (odd number). Yes.
  • the number of ground electrode fingers 19G between the signal connection electrode fingers 19S of the IDT electrode 221C and the signal connection electrode fingers 19S of the divided comb-like electrode 215Sb is 0 (even).
  • the divided comb-like electrode 215Sa outputs a non-inverted signal s0
  • the divided comb-like electrode 215Sb outputs an inverted signal s1. That is, a balanced signal is output from the IDT electrode 211B.
  • the number of ground electrode fingers 19G is set to 0 (even) between the divided comb-like electrodes 215Sa and the divided comb-like electrodes 215Sb, so that the SAWs do not cancel each other. Yes.
  • the floating member 23 is provided as in the other embodiments. Specifically, a floating member 23 corresponding to the arrangement range of one ground electrode finger 19G is provided between the signal connection bus bar 17S of the split comb-like electrode 215Sa and the ground bus bar 17G of the IDT electrode 211A. Yes. Between the signal connection bus bar 17S of the divided comb-like electrode 215Sb and the ground bus bar 17G of the IDT electrode 211C, a floating member 23 corresponding to the arrangement range of one signal connection electrode finger 19S is provided.
  • FIG. 9 is a plan view showing a SAW device 240 according to the eighth embodiment of the present invention.
  • SAW device 240 has divided comb-like electrodes 215Sa and 215Sb as in the seventh embodiment (FIG. 8). Further, in the SAW device 240, as in the sixth embodiment (FIG. 7), the floating member 23 over the arrangement range of one electrode finger 19 in the propagation direction D1 and the two electrode fingers 19 in the propagation direction D1. The floating member 73 over the arrangement range is mixed.
  • the eighth embodiment as in the other embodiments, the effect of improving the power durability and suppressing the reduction in insertion loss while suppressing the increase in size of the apparatus is exhibited.
  • FIG. 10 is a plan view showing a SAW device 270 according to the ninth embodiment of the present invention.
  • the SAW device described above has three IDT electrodes, whereas the SAW device 270 has seven IDT electrodes 271.
  • the SAW device 270 is configured to receive an unbalanced signal and output a balanced signal, as in the fifth to eighth embodiments. Specifically, it is as follows.
  • the input terminal 5 is connected to IDT electrodes 271B, 271D, and 271F, which are arranged every other one of the seven IDT electrodes 271.
  • the IDT electrodes 271A, 271C, 271E, and 271G, which are disposed at every other position where the three IDT electrodes 271 are not disposed, are connected to the balanced output terminal 30.
  • the number of ground electrode fingers 19G between the seven IDT electrodes 271 is 2 (even), 2 (even), 2 (even), 3 (odd), 3 (odd) in order from the IDT electrode 271A side. ), 3 (odd number).
  • the IDT electrodes 271A and 271C adjacent to the IDT electrodes 271B and 271D to which the unbalanced signal s is input via the even number of ground electrode fingers 19G output the inverted signal s1.
  • the IDT electrodes 271E and 271G adjacent to the IDT electrodes 271D and 271F to which the unbalanced signal s is input via the odd number of ground electrode fingers 19G output the non-inverted signal s0.
  • a floating member 73 is provided between the ground bus bar 17G and the signal connection bus bar 17S. Therefore, in the ninth embodiment, as in the other embodiments, the effects of improving the ESD resistance and suppressing the decrease in insertion loss are exhibited while suppressing the increase in size of the apparatus.
  • FIG. 11 is a plan view showing a SAW device 300 according to the tenth embodiment of the present invention.
  • the SAW device 300 has two stages of SAW elements 307 that are vertically connected.
  • the SAW device 300 is configured to receive an unbalanced signal and output a balanced signal. Specifically, it is as follows.
  • the SAW device 300 includes a first stage SAW element 307A connected to the input terminal 5, and a second stage SAW element 307B connected to the first stage SAW element 307 and connected to the balanced output terminal 30. Have.
  • the first-stage SAW element 307A converts the input unbalanced signal s into balanced signals (s0, s1) and outputs the same as in the fifth and sixth embodiments (FIGS. 6 and 7).
  • Two IDT electrodes 311 are provided. Each IDT electrode 311 has a pair of comb-like electrodes 15 having substantially the same size in the propagation direction D1.
  • the center IDT electrode 311B is connected to the input terminal 5.
  • IDT electrodes 311A and 311C on both sides of IDT electrode 311B are connected to second-stage SAW element 307B.
  • the number of ground electrode fingers 19G between the IDT electrodes 311 of the first-stage SAW element 307A is 1 (odd number) and 2 (even number) in order from the IDT electrode 311A side.
  • the IDT electrode 311A adjacent to the IDT electrode 311B to which the unbalanced signal s is input via the odd number of ground electrode fingers 19G outputs the non-inverted signal s0.
  • IDT electrode 311C adjacent to IDT electrode 311B with an even number of ground electrode fingers 19G interposed therebetween outputs inverted signal s1.
  • the second-stage SAW element 307B has three IDT electrodes 312 including IDT electrodes 312B having divided comb-like electrodes 215Sa and 215Sb. is doing.
  • the IDT electrodes 312A and 312C on both sides are connected to the IDT electrodes 311A and 311B of the first stage SAW element 307A via the intermediate signal line 310, respectively.
  • the divided comb electrodes 215Sa and 215Sb are connected to output terminals 29A and 29B, respectively.
  • the number of the ground electrode fingers 19G between the signal connection electrode fingers 19S of the IDT electrode 312A and the signal connection electrode fingers 19S of the divided comb-like electrodes 215Sa is one (odd number).
  • the number of ground electrode fingers 19G between the signal connection electrode fingers 19S of the IDT electrode 312C and the signal connection electrode fingers 19S of the divided comb-like electrode 215Sb is one (odd number).
  • the divided comb electrode 215Sa adjacent to the IDT electrode 312A to which the non-inverted signal s0 is input outputs the non-inverted signal s0.
  • the divided comb-like electrode 215Sb adjacent to the IDT electrode 312C to which the inverted signal s1 is input outputs the inverted signal s1. Accordingly, balanced signals (s0, s1) are output from the balanced output terminal 30.
  • the number of ground electrode fingers 19G is set to 0 (even) between the divided comb-like electrodes 215Sa and the divided comb-like electrodes 215Sb, so that the SAWs do not cancel each other. Yes.
  • a floating member 73 is provided between the ground bus bar 17G and the signal connection bus bar 17S. Therefore, in the ninth embodiment, as in the other embodiments, the effects of improving the ESD resistance and suppressing the decrease in insertion loss are exhibited while suppressing the increase in size of the apparatus.
  • the floating member 73 is provided on the input side in the first stage SAW element 307A, and is provided on the output side in the second stage SAW element 307B. That is, in the first-stage SAW element 307A, the floating member 73 includes a signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 311B connected to the input terminal 5, and a ground bus bar 17G of the IDT electrodes 311A and 311C adjacent to the IDT electrode 311B. It is provided between. In the second-stage SAW element 307B, the floating member 73 is between the signal connection bus bar 17S of the IDT electrode 312B connected to the output terminal 29 and the ground bus bar 17G of the IDT electrodes 312A and 311C adjacent to the IDT electrode 312B. Is provided.
  • ESD is often caused by a current flowing into the SAW element 307 via a terminal.
  • the second-stage SAW element 307B is interposed between the output terminal 29 and ESD is likely to occur due to the current from the input terminal 5 side.
  • the first stage SAW element 307 ⁇ / b> A is interposed between the second terminal SAW element 307 ⁇ / b> B and the ESD from the output terminal 29 is likely to occur. Then, by providing the floating member 73 on the side where ESD is likely to occur, ESD resistance can be effectively improved.
  • FIG. 12A is a plan view showing a first modification of the shape of the floating member 73.
  • the bus bar 17 has a side extending in the propagation direction D1 on the side opposite to the electrode finger 19 shorter than a side extending in the propagation direction D1 on the electrode finger 19 side, and is generally formed in a trapezoidal shape.
  • the distance between the signal connection bus bar 17S and the ground bus bar 17G arranged in the propagation direction D1 is generally longer as it is opposite to the electrode finger 19. More specifically, the distance is constant on the electrode finger 19 side, and becomes longer from the middle toward the opposite side of the electrode finger 19. The reason why the bus bar 17 is formed in this way is to improve the attenuation characteristics by reducing the parasitic capacitance while suppressing the leakage of the SAW.
  • the floating member 73 is formed such that the size in the orthogonal direction D2 is smaller than the size in the orthogonal direction D2 of the bus bar 17, and the position of the end on the electrode finger 19 side in the orthogonal direction D2 is the position of the electrode finger of the bus bar 17 It coincides with the position in the orthogonal direction D2 of the 19th side. More specifically, the bus bar 17 is provided over a range where the distance (the propagation direction D1) between the signal connection bus bar 17S and the ground bus bar 17G adjacent to each other is constant.
  • the SAW leakage can be effectively suppressed by the relatively simple floating member.
  • FIG. 12B is a plan view showing a second modification of the shape of the floating member 73.
  • the floating member 73 is formed so that the size in the orthogonal direction D2 is equal to the size in the orthogonal direction D2 of the bus bar 17. Further, the floating member 73 is opposite to the electrode finger 19 because the space between the signal connection bus bar 17S and the ground bus bar 17G arranged in the propagation direction D1 becomes wider toward the side opposite to the electrode finger 19. It is formed so that the side becomes wide.
  • the electrode finger 19 of the IDT electrode 11B is an example of the first electrode finger of the present invention
  • the electrode finger 19 of the IDT electrode 11A is an example of the second electrode finger of the present invention
  • the IDT electrode The electrode finger 19 of 11C is an example of the third electrode finger of the present invention.
  • Example 1 An SAW device according to the embodiment was manufactured, and an experiment for examining ESD resistance was performed. Specifically, the SAW device of Example 1 in which dimensions and materials were specifically set for the SAW device 270 of the ninth embodiment (FIG. 10) was manufactured and tested.
  • a SAW device according to Comparative Example 1 in which dimensions and materials were specifically set for the SAW device 340 of the second comparative example shown in FIG. 13 was manufactured, and a similar experiment was performed.
  • the floating member 73 is not provided between the IDT electrodes 341, and the signal connection bus bar 17S and the ground bus bar 17G are adjacent to each other.
  • the SAW device 340 of the second comparative example is the same as the SAW device 270 of the ninth embodiment.
  • Piezoelectric substrate 42 ° Y-cut X propagation LiTaO 3
  • Various electrodes a two-layer electrode in which an Al—Cu layer having a thickness of 1570 mm is formed on a Ti layer having a thickness of 80 mm
  • Test method For the SAW devices of Example 1 and Comparative Example 1, 16 test samples were prepared, respectively, and an ESD test was performed.
  • ESD test model A machine model (MM: mechanical charging model, standard EIAJ) was adopted. In the test, a 200 pF capacitor is charged, and after charging, the capacitor and the test sample are connected to generate electrostatic discharge. Under this condition, the voltage V is applied between the output terminal 29B and the ground electrode, and the ESD resistance of the test sample until the electrode finger of the IDT electrode is broken is evaluated. The voltage value V at the time of destruction was compared with a histogram.
  • the determination of the destruction of the electrode finger was performed by monitoring a change in the transmission amount of the filter and determining whether or not a loss of 0.3 dB occurred.
  • FIG. 14A shows a histogram of the voltage value V at the time of breakdown in Comparative Example 1.
  • FIG. 14B shows a histogram of the voltage value V at the time of breakdown in the first embodiment. 14A and 14B, the horizontal axis represents the voltage value V, and the vertical axis represents the number of samples.
  • the electrode finger was destroyed at an average voltage value of 441 V, whereas the SAW filter of Comparative Example 1 was 413 V on average. From this result, it was confirmed that the resistance of ESD was improved with the configuration of Example 1.
  • the SAW filter of Example 1 is 46V, whereas the SAW filter of the comparative example is 50V, and it can be confirmed that the variation of the ESD tolerance is reduced by the configuration of Example 1. It was.
  • Example 2 An SAW device according to the embodiment was manufactured and an experiment for examining transmission characteristics was performed. Specifically, the SAW device of Example 2 in which dimensions and materials are specifically set for the SAW device 270 of the ninth embodiment (FIG. 10) is manufactured, and the SAW device is used as an Rx filter of the duplexer. The experiment was conducted.
  • Example 2 a SAW device according to Comparative Example 2 in which the floating member 73 and the dummy electrode fingers extending from the floating member 73 are eliminated from the SAW device 270 of Example 2 (the ninth embodiment) is manufactured, and a similar experiment is performed. It was.
  • the floating member 73 has a shape shown in FIG.
  • Piezoelectric substrate 42 ° Y-cut X propagation LiTaO 3
  • Various electrodes and floating member Two-layer structure in which an Al—Cu layer with a thickness of 1570 mm is formed on a Ti layer with a thickness of 80 mm.
  • Distance between the floating member and the adjacent bus bar 0.56 ⁇ m
  • Number of electrode fingers of IDT electrode 32, 45, 58, 45, 58, 48, 33 in order from the IDT electrode on the end side in the propagation direction
  • Number of electrode fingers of the reflector 100 100, average value of distance between centers of adjacent electrode fingers: 0.925 ⁇ m Width of electrode finger propagation direction
  • D1 0.53 ⁇ m Cross width (W, see FIG. 1): 62 ⁇ m Pass band: 2110MHz to 2170MHz (UMTS Band1)
  • the element including the Rx filter constituted by the SAW device of Example 2 or Comparative Example 2 was mounted on a high-temperature fired ceramic substrate (HTCC substrate) to produce a duplexer.
  • the duplexer was mounted on the evaluation board, and the transmission characteristics between the antenna terminal (input terminal 5) and the output terminal 29 were measured with a network analyzer.
  • FIG. 15 shows the test results.
  • the horizontal axis represents frequency (MHz), and the vertical axis represents transmission characteristics (dB).
  • a range indicated by a line L1 indicates a pass band (2110 MHz to 2170 MHz).
  • Example 2 indicated by the solid line are improved compared to the transmission characteristics of Comparative Example 2 indicated by the dotted line. As described above, it was confirmed that the transmission characteristics were improved by providing the floating member.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various modes.
  • the elastic wave device is not limited to a narrowly-defined SAW device.
  • the elastic wave device may be a boundary acoustic wave device (included in a broad sense SAW device).
  • the elastic wave is not limited to a narrowly-defined SAW that propagates on the surface of the piezoelectric substrate, but is an elastic boundary wave that is propagated along the boundary between the piezoelectric substrate and the medium layer that covers the piezoelectric substrate (included in the broadly-defined SAW). It may be.
  • the present invention may be applied to an acoustic wave device having a series division type IDT electrode. Moreover, you may apply to the elastic wave apparatus from which a cross width changes in the propagation direction of an elastic wave.

Landscapes

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Abstract

 SAW装置1は、基板3と、SAWの伝搬方向D1において互いに隣接するIDT電極11BおよびIDT電極11Aを有する。IDT電極11Bは、伝搬方向D1に直交する直交方向D2の一方側に位置し、信号線に接続される信号接続バスバー17Sと、直交方向D2の他方側に位置し、グランドに接続される接地バスバー17Gとを有している。IDT電極11Aは、直交方向D2の他方側に位置し、信号線に接続される信号接続バスバー17Sと、直交方向D2の一方側に位置し、グランドに接続される接地バスバー17Gとを有している。さらに、SAW装置1は、IDT電極11Bの接地バスバー17GとIDT電極11Aの信号接続バスバー17Sとの間に位置し、接地バスバー17G、信号接続バスバー17Sのいずれのバスバーとも接続されない、基板3の主面に位置した浮き部材23を有する。

Description

弾性波装置
 本発明は、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)装置等の弾性波装置に関する。
 SAWの伝搬方向に複数のIDT電極が配列された縦結合多重モードSAWフィルタを有するSAW装置が知られている(例えば特許文献1)。特許文献1は、静電気放電(ESD:ElectroStatic Discharge)に対する耐性を向上させるために、各IDT電極をいわゆる直列分割型のIDT電極としている。すなわち、特許文献1の各IDT電極においては、SAWの伝搬方向に直交する方向の一方側に配置され、信号線に接続される第1の櫛歯状電極と、前記直交する方向の他方側に配置され、グランドに接続される第2の櫛歯状電極との間に、電気的に浮遊状態の第3の櫛歯状電極が配置されている。
 しかし、特許文献1のように、IDT電極を直列分割型とすると、伝搬方向に直交する方向にSAW装置が大型化してしまう。
 従って、大型化することなく、ESD耐性を向上できる弾性波装置が提供されることが望ましい。
特開2006-311180号公報
 本発明の一態様としての弾性波装置は、基板と、信号線に接続され、前記基板を伝搬する弾性波の伝搬方向に延びている第1信号接続バスバーと、グランドに接続され、前記第1信号接続バスバーと対向する位置に位置した第1接地バスバーと、前記第1信号接続バスバーおよび前記第1接地バスバーからこれらの対向方向に延びている複数の第1電極指とを有し、前記基板の主面に位置した第1IDT電極と、信号線に接続され、前記第1接地バスバーの長手方向に沿って該第1接地バスバーの隣に位置した第2信号接続バスバーと、前記第2信号接続バスバーと対向する位置に位置し、かつ前記第1信号接続バスバーの長手方向に沿って該第1信号接続バスバーの隣に位置した、グランドに接続される第2接地バスバーと、前記第2信号接続バスバーおよび前記第2接地バスバーからこれらの対向方向に延びる複数の第2電極指とを有し、前記基板の主面に位置した第2IDT電極と、前記第1接地バスバーと前記第2信号接続バスバーとの間、および前記第1信号接続バスバーと前記第2接地バスバーとの間の少なくとも一方の間に位置し、前記第1接地バスバー、前記第2信号接続バスバー、前記第1信号接続バスバー、および前記第2接地バスバーのいずれのバスバーとも接続されない前記基板の主面に位置した浮き部材とを有する。
 上記の構成を有する弾性波装置によれば、第1接地バスバー、第2信号接続バスバー、第1信号接続バスバー、および第2接地バスバーのいずれのバスバーとも接続されない浮き部材を設けたことによって、全体構造を大型化することなく、ESD耐性を向上させることができる。
本発明の第1の実施形態に係るSAW装置の構成を示す平面図である。 第1の比較例に係るSAW装置を示す平面図である。 本発明の第2の実施形態に係るSAW装置の構成を示す平面図である。 本発明の第3の実施形態に係るSAW装置の構成を示す平面図である。 本発明の第4の実施形態に係るSAW装置の構成を示す平面図である。 本発明の第5の実施形態に係るSAW装置の構成を示す平面図である。 本発明の第6の実施形態に係るSAW装置の構成を示す平面図である。 本発明の第7の実施形態に係るSAW装置の構成を示す平面図である。 本発明の第8の実施形態に係るSAW装置の構成を示す平面図である。 本発明の第9の実施形態に係るSAW装置の構成を示す平面図である。 本発明の第10の実施形態に係るSAW装置の構成を示す平面図である。 図12(a)は浮き部材の第1変形例を示す平面図であり、図12(b)は浮き部材の第2変形例を示す平面図である。 第2の比較例に係るSAW装置を示す平面図である。 図14(a)は比較例1における破壊時の電圧値のヒストグラムであり、図14(b)は実施例1における破壊時の電圧値のヒストグラムである。 実施例2および比較例2の透過特性を示す図である。
 以下、本発明の実施形態に係るSAW装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
 また、説明の対象となる比較例や実施形態において、既に説明された比較例または実施形態の構成と同一または類似する構成については、既に説明された比較例または実施形態の構成と同一の符号を付すことがあり、また、説明を省略することがある。
 符号は、同一または類似する構成のものについて、「IDT電極11A、IDT電極11B」などのように、同一の数字の符号と、互いに異なる大文字のアルファベットの付加符号とが組み合わされたものが使用されることがある。また、この場合において、上記の付加符号が省略されることがあるものとする。
 以下では、IDT電極の数、および、入力-出力の形式(不平衡-不平衡型など)などが互いに異なる複数の比較例および実施形態について説明がなされる。
 説明は、以下の順に行う。
(1)3IDT、不平衡-不平衡型(1)
(1-1)第1の実施形態(第1の比較例)
(1-2)第2の実施形態
(1-3)第3の実施形態
(2)3IDT、不平衡-不平衡型(2)
(2-1)第4の実施形態
(3)3IDT、不平衡-平衡型(1)
(3-1)第5の実施形態
(3-2)第6の実施形態
(4)3IDT、不平衡-平衡型(2)
(4-1)第7の実施形態
(4-2)第8の実施形態
(5)7IDT
(5-1)第9の実施形態
(6)2段のIDT
(6-1)第10の実施形態
 なお、例えば、不平衡-平衡型は、SAW装置において、不平衡信号が入力され、平衡信号が出力されることを意味する。不平衡信号は、基準電位に対する電位を信号レベルとする信号である。一方、平衡信号は、2つの信号からなり、2つの信号の電位差を信号レベルとする信号である。
<3IDT、不平衡-不平衡型>
(第1の実施形態)
 図1は、本発明の第1の実施形態に係るSAW装置1を示す平面図である。
 SAW装置1は、不平衡信号が入力され、その入力された不平衡信号をフィルタリングし、不平衡信号を出力するフィルタ装置として構成されている。その入力から出力までの過程において、SAW装置1は、電気信号のSAWへの変換、およびSAWの電気信号への変換も行う。
 SAW装置1は、SAWが伝搬する基板3を有している。また、SAW装置1は、基板3の主面3a上において、不平衡信号が入力される入力端子5と、入力された信号をフィルタリングするSAW素子7と、フィルタリングされた不平衡信号を出力する出力端子9とを有している。この他にも、SAW装置1は、SAW素子上に空間を形成しつつSAW素子を覆うカバー等を有するが、図示は省略する。
 基板3は、圧電効果を示す圧電体によって構成された、いわゆる圧電基板である。圧電体は、例えばLiNbOやLiTaOである。なお、基板3の平面形状は適宜に設定されてよい。
 SAWは、SAW素子7に励起されて主面3aを矢印で示す伝搬方向D1において伝搬する。なお、以下では、主面3aに沿う方向であって伝搬方向D1に直交する方向を直交方向D2ということがある。
 入力端子5は、主面3aに1つのみ設けられている。入力端子5には、不平衡信号が入力される。
 SAW素子7は、縦結合ダブルモード型の共振子SAWフィルタによって構成されている。具体的には、SAW素子7は、伝搬方向D1に配列された複数のIDT電極11と、これら複数のIDT電極11の列の両端に配置された反射器13とを有している。IDT電極11の数は、本実施形態では3個である。
 各IDT電極11は、1対の櫛歯状電極15を有している。櫛歯状電極15は、伝搬方向D1に延びるバスバー17と、バスバー17から直交方向D2に延びる複数の電極指19と、複数の電極指19間においてバスバー17から直交方向D2に突出するダミー電極指21とを有している。なお、図1は模式図であることから、電極指19の数を実際よりも少なくして示している。
 1対の櫛歯状電極15は、互いのバスバー17が直交方向D2において対向し、複数の電極指19が互いに噛み合う(交差する)ように配置されている。その交差する範囲Rの幅(交差幅W)は例えば一定である。ダミー電極指21の先端は、ダミー電極指21が設けられたバスバー17と対向するバスバー17からダミー電極指21側へ延びる電極指19の先端と所定の間隔で対向している。換言すれば、ダミー電極指21は、範囲Rに向かって範囲Rの手前位置まで延びている。
 各IDT電極11において、互いに対向する櫛歯状電極15(バスバー17)の一方は、信号線に接続され、互いに対向する櫛歯状電極15(バスバー17)の他方はグランドに接続されている。
 なお、広義には、基準電位が付与される(グランドに接続される)配線も信号線であるが、本実施形態において、信号線に接続されているとは、基準電位に対して電位が変動する信号が流れる点に接続されていることをいうものとする。また、基準電位は、0Vとは限らない。
 以下では、信号線に接続された櫛歯状電極、バスバー、電極指、ダミー電極の符号には、Sの付加符号を付すことがあり、また、「信号接続バスバー」と呼ぶなど、「信号接続」の文字を名称の頭に付すことがあるものとする。また、グランドに接続された櫛歯状電極、バスバー、電極指、ダミー電極の符号には、Gの付加符号を付すことがあり、また、「接地バスバー」と呼ぶなど、「接地」の文字を名称の頭に付すことがあるものとする。
 図1では、ハッチングの有無によって、このような接続の相違を表している。すなわち、ハッチングが付されていない櫛歯状電極15は、信号線に接続されたものであり、ハッチングが付されている櫛歯状電極15は、グランドに接続されたものである。
 複数のIDT電極11のうち、中央に配置されたIDT電極11Bにおいては、信号接続バスバー17Sが入力端子5側に、接地バスバー17Gが出力端子9側に配置されている。また、IDT電極11Bの信号接続バスバー17Sは、入力側信号線6を介して入力端子5に接続されている。
 IDT電極11Bの両側に配置されたIDT電極11Aおよび11Cにおいては、信号接続バスバー17Sが出力端子9側に配置され、接地バスバー17Gが入力端子5側に配置されている。IDT電極11Aおよび11Cの信号接続バスバー17Sは、出力側信号線8を介して出力端子9に接続されている。
 入力端子5からの不平衡信号sがIDT電極11Bによって基板3に印加されると、不平衡信号sがSAWに変換され、伝搬方向D1において伝搬する。IDT電極11Aおよび11Cは、そのSAWを電気信号に変換して出力端子9へ出力する。この過程において、隣接する電極指の中心間距離を概ね半波長とする信号が抽出されることによって、フィルタリングが行われる。
 複数の電極指の中心間距離は、信号の概ね半波長であるから、隣接する電極指19同士は、位相が互いに180°異なる(逆相)信号に対応することになる。ここで、IDT電極11Bの複数の信号接続電極指19Sと、IDT電極11Aの信号接続電極指19Sとの間に配置された、接地電極指19Gの数は2(偶数)である。従って、IDT電極11Aの信号接続バスバー17Sは、IDT電極11Bの信号接続バスバー17Sに入力された信号とは位相が180°異なる信号を出力する。換言すれば、IDT電極11Aは、不平衡信号sの位相を反転した反転信号s1を出力する。
 同様に、IDT電極11Bの複数の信号接続電極指19Sと、IDT電極11Cの信号接続電極指19Sとの間に配置された、接地電極指19Gの数は2(偶数)である。従って、IDT電極11Cの信号接続バスバー17Sは反転信号s1を出力する。
 そして、IDT電極11Aからの反転信号s1と、IDT電極11Cからの反転信号s1とは足し合わされて、不平衡信号として出力端子9から出力される。
 IDT電極11Bの接地バスバー17Gと、IDT電極11Aおよび11Cとの間には、浮き部材23が設けられている。浮き部材23は、信号線(入力端子5、出力端子9)およびグランドのいずれにも接続されておらず、電気的に浮遊した状態となっている。浮き部材23は、電気的に浮遊した状態となっていれば、平面形状については特に限定されず、矩形状、台形状、円形状、これらを組み合わせたものなど任意の形状が可能である。なお、本実施形態では浮き部材23の平面形状は矩形状である。
 また、浮き部材23は、直交方向D2における幅が隣接するバスバーの直交方向D2における幅と同じであり、直交方向D2における浮き部材23の両端部は、隣接するバスバーの直交方向D2における両端部の位置と揃っている。このように浮き部材23の直交方向D2における幅を隣接するバスバーの直交方向D2における幅と同じにし、その両端部を隣接するバスバーの直交方向D2における両端部の位置と揃えた配置としておくことによって、隣接するバスバー間の領域において、SAWが伝搬する媒体の不連続性が浮き部材23により緩和されるため、フィルタの損失特性の劣化を抑えることができる。同様に、SAWが伝搬する媒体の不連続性を緩和する観点から、浮き部材23と隣接するバスバーとの間隔は、SAWの波長より小さくしておくことが好ましく、より好ましくはSAWの半波長以下である。さらには、浮き部材23の厚みを隣接するバスバーの厚みと同じにしておくことによっても、SAWが伝搬する媒体の不連続性を緩和することができると考えられる。
 また、浮き部材23には、ダミー電極指25が接続されている。ダミー電極指25は、浮き部材23から直交方向D2に沿って範囲R側に延びている。ダミー電極指25の先端は、浮き部材23が対向するバスバー17から浮き部材23側へ延びる電極指19の先端と所定の間隔で対向している。浮き部材23のダミー電極指25は所定の領域内に位置している。具体的には、IDT電極11Bの信号接続バスバー17Sから延びる電極指19Sの先端とIDT電極11Aの接地バスバー17Gから延びる電極指19Gの先端とを結ぶラインと、IDT電極11Bの接地バスバー17GおよびIDT電極11Aの信号接続バスバー17Sとの間の第1領域内(範囲RとIDT電極11Bの接地バスバー17GおよびIDT電極11Aの信号接続バスバー17Sとの間の領域内)に浮き部材23のダミー電極指25が位置している。すなわち、ダミー電極指25は、範囲Rの手前の位置まで延びている。なお、浮き部材23がIDT電極11Bの信号接続バスバー17SとIDT電極11Aの接地バスバー17Gとの間に設けられている場合には、その浮き部材23に設けられるダミー電極指25は、範囲RとIDT電極11Bの信号接続バスバー17SおよびIDT電極11Aの接地バスバー17Gとの間の領域である第2領域内に位置している。
 浮き部材23の幅(伝搬方向D1の大きさ)は、例えば、電極指19等の各種電極指の幅と概ね同等である。なお、浮き部材23の幅とダミー電極指25の幅とが同等であっても、浮き部材23に隣接するバスバー(IDT電極11Bの接地バスバー17GおよびIDT電極11Aおよび11Cの信号接続バスバー17S)よりも、浮き部材23と対向するバスバー(IDT電極11Bの信号接続バスバー17SおよびIDT電極11Aおよび11Cの接地バスバー17G)側に突出する部分をダミー電極指25として特定可能である。
 以上の第1の実施形態のSAW装置1の作用を説明する。
 図2は、第1の比較例に係るSAW装置40を示す平面図である。なお、以降の比較例および実施形態の図においては、基板3の図示は省略するものとする。
 SAW装置40は、浮き部材23を有しておらず、中央のIDT電極41Bの接地バスバー17Gと、その両側のIDT電極41Aおよび41Cの信号接続バスバー17Sとは互いに隣接している。
 ここで、複数の電極指19は、フィルタ特性向上の観点から、各IDT電極の伝搬方向D1の端部(IDT電極間となる領域)において、ピッチ(IDT電極間のピッチ含む)が狭くなるように配置されることがある。この場合、信号接続バスバー17Sと接地バスバー17Gとの間も狭くなる。また、バスバー17は、電極指19よりも面積が広く、電流が流れやすい。従って、第1の比較例のSAW装置40においては、接地バスバー17Gと信号接続バスバー17Sとの間において、ESDが生じやすくなっている。
 なお、入力側におけるバスバー17間と、出力側におけるバスバー17間との、いずれのバスバー17間においてESDが生じやすいかは、入出力の形式、各IDT電極の構成、複数のIDT電極の配置など、種々の要因によって異なる。第1の比較例では、出力側のバスバー17間(IDT電極41Bの接地バスバー17Gと、IDT電極41Aおよび41Cの信号接続バスバー17Sとの間)においてESDが生じやすい場合を想定している。
 一方、第1の実施形態では、IDT電極11Bの接地バスバー17Gと、IDT電極11Aおよび11Cの信号接続バスバー17Sとの間には、浮き部材23が配置されている。そして、IDT電極11Bの接地バスバー17Gと、IDT電極11Aおよび11Cの信号接続バスバー17Sとの間の距離d1は、第1の比較例におけるIDT電極41Bの接地バスバー17Gと、IDT電極41Aおよび41Cの信号接続バスバー17Sとの距離d2よりも大きくなっている。
 従って、第1の実施形態によれば、IDT電極11Bの接地バスバー17Gと、IDT電極11Aおよび11Cの信号接続バスバー17Sとの間においてESDが生じることを抑制できる。ESDが最も生じやすい箇所においてESDを抑制することによって、SAW装置1全体としてのESD耐性が向上することになる。さらに、接地バスバー17Gと信号接続バスバー17Sとの間のスペースに浮き部材23が配置されることによって、接地バスバー17Gと信号接続バスバー17Sとの間のスペースの多くが浮き部材23で覆われることになる。隣接するバスバー間に電極が形成されていない大きな空きスペースがある場合、バスバー上を伝搬するSAWの分布が不連続となりSAWの分布が不安定となるが、接地バスバー17Gと信号接続バスバー17Sとの間のスペースに浮き部材23を配置することによってバスバー上を伝搬するSAWの分布の連続性が保持され、SAWの漏れを抑制し、挿入損失を小さくすることができる。
 浮き部材23の材料としては、例えば、Al、Al-Cu合金、Cu、またはAuなどの金属材料、Ta、TaSiなどの絶縁材料を用いることができるが、SAW装置の製造プロセスの効率化および挿入損失特性を考慮すると、IDT電極と同一材料によって形成することが好ましい。
 なお、浮き部材23を設ける代わりに、IDT電極11Aおよび11Cの、IDT電極11B側の端部の接地電極指19Gを、IDT電極11Bの接地バスバー17Gと、IDT電極11Aおよび11Cの信号接続バスバー17Sとの間まで延長させることが考えられる。しかし、この場合、延長部分においても励振が行われるから、本実施形態よりもSAWの漏れが多くなる。
 また、浮き部材23においても、接地バスバー17Gおよび信号接続バスバー17Sと同様にダミー電極指25が設けられていることによって、SAWの漏れを一層抑制することができる。
(第2の実施形態)
 図3は、本発明の第2の実施形態に係るSAW装置60を示す平面図である。
 SAW装置60は、第1の実施形態のSAW装置1と同様に、中央のIDT電極61Bの複数の信号接続電極指19Sと、隣接するIDT電極61Aまたは61Cの複数の信号接続電極指19Sとの間の接地電極指19Gの数が2本(偶数)となっている。
 ただし、2本の接地電極指19Gは、いずれも、IDT電極61Aまたは61Cの接地バスバー17Gから延びている。そして、浮き部材73は、伝搬方向D1において、その2本の接地電極指19Gの配置範囲に亘って形成されている。また、浮き部材73に接続されたダミー電極指25は、上記の2本の接地電極指19Gに対応して2本設けられている。
 第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、浮き部材23が設けられることによって、装置の大型化を抑制しつつ、ESD耐性を向上させ、且つ、挿入損失の低下を抑制することができる。さらに、第2の実施形態では、浮き部材73は、伝搬方向D1において電極指19の2本分に亘る長さを有していることから、信号接続バスバー17Sと接地バスバー17Gとの距離がより長くなり、ESD耐性の向上がさらに期待される。
(第3の実施形態)
 図4は、本発明の第3の実施形態に係るSAW装置90を示す平面図である。
 SAW装置90は、浮き部材23が、出力側だけでなく、入力側にも設けられている。また、別の観点では、浮き部材23が、直交方向D2の両側に設けられている。具体的には、以下のとおりである。
 中央のIDT電極91Bと、隣接するIDT電極91Aまたは91Cとの間の接地電極指19Gの構成は、第1の実施形態と同様である。すなわち、当該IDT電極間の接地電極指19Gの数は、2本(偶数)であり、また、2本の接地電極指19Gの一方は、IDT電極91Bの接地バスバー17Gから延び、他方は、IDT電極91Aまたは91Cの接地バスバー17Gから延びている。
 そして、浮き部材23は、IDT電極91Bの接地バスバー17Gと、IDT電極91Aおよび91Cの信号接続バスバー17Sとの間に設けられている。また、浮き部材23は、IDT電極91Bの信号接続バスバー17Sと、IDT電極91Aおよび91Cの接地バスバー17Gとの間においても設けられている。
 第3の実施形態によれば、他の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、浮き部材23が設けられることによって、装置の大型化を抑制しつつ、ESD耐性を向上させ、且つ、挿入損失の低下を抑制することができる。さらに、第3の実施形態では、浮き部材73は、入力側と出力側との双方に設けられていることから、入力側と出力側との双方においてESDに対する耐性を向上させることができる。このような態様は、入力側と出力側とでESDの生じやすさにあまり差がない場合などに有効である。
<3IDT、不平衡-不平衡型(2)>
(第4の実施形態)
 図5は、本発明の第4の実施形態に係るSAW装置120を示す平面図である。
 SAW装置120は、第1~3の実施形態と同様に、不平衡信号を出力する。ただし、SAW装置120は、第1~第3の実施形態と電極指19の配置が異なり、入力された不平衡信号sの位相を反転していない不平衡信号(s0)を出力する。また、SAW装置120は、浮き部材73が1本の接地電極指19Gおよび1本の信号接続電極指19Sの配置範囲に亘って形成されている点も第1~第3の実施形態と相違する。具体的には、以下のとおりである。
 SAW装置120では、中央のIDT電極121Bの複数の信号接続電極指19Sと、隣接するIDT電極121Aの複数の信号接続電極指19Sとの間の接地電極指19Gの数が1(奇数)となっている。従って、IDT電極121Aの信号接続バスバー17Sは、IDT電極121Bの信号接続バスバー17Sに入力された信号と同位相の信号を出力する。換言すれば、IDT電極121Aは、不平衡信号sの位相を反転していない非反転信号s0を出力する。
 同様に、IDT電極121Bの複数の信号接続電極指19Sと、IDT電極121Cの信号接続電極指19Sとの間に配置された、接地電極指19Gの数は1(奇数)である。従って、IDT電極121Cの信号接続バスバー17Sは非反転信号s0を出力する。
 そして、IDT電極121Aからの非反転信号s0と、IDT電極112Cからの非反転信号s0とは足し合わされて、不平衡信号として出力端子9から出力される。
 上記の1本の接地電極指19Gは、IDT電極121AまたはIDT電極121Cの接地バスバー17Gから延びている。一方、その接地バスバー17Gに隣接するIDT電極121Bの信号接続バスバー17Sからは、上記の1本の接地電極指19Gに隣接して、信号接続電極指19Sが延びている。
 そして、浮き部材73は、伝搬方向D1において、上記の1本の接地電極指19Gと、当該1本の接地電極指19Gに隣接するとともに同一方向に延びる信号接続電極指19Sとの配置範囲に亘って形成されている。
 第4の実施形態によれば、他の実施形態と同様に、装置の大型化を抑制しつつ、ESD耐性を向上させ、且つ、挿入損失の低下を抑制する効果が得られる。また、第2の実施形態と同様に、電極指19の2本分に亘って形成された浮き部材73によって、より効果的なESD耐性の向上が期待される。
 ただし、第2の実施形態と第4の実施形態とを比較すると、帯域外の減衰は、第2の実施形態のほうがよい。互いに隣接するIDT電極間において配置される接地電極指19Gの数が多いほうが、両電極間に不要な容量が発生しないことからである。
<3IDT、不平衡-平衡型(1)>
(第5の実施形態)
 図6は、本発明の第5の実施形態に係るSAW装置150を示す平面図である。
 SAW装置150は、入力された不平衡信号sをフィルタリングするとともに、不平衡-平衡の変換を行い、平衡信号を出力する。具体的には、以下のとおりである。
 SAW装置150では、中央のIDT電極151Bの複数の信号接続電極指19Sと、隣接するIDT電極151Aの複数の信号接続電極指19Sとの間の接地電極指19Gの数が1(奇数)となっている。従って、IDT電極151Aの信号接続バスバー17Sは、IDT電極151Bの信号接続バスバー17Sに入力された信号と同位相の信号を出力する。換言すれば、IDT電極151Aは、不平衡信号sの位相を反転していない非反転信号s0を出力する。
 一方、中央のIDT電極151Bの複数の信号接続電極指19Sと、隣接するIDT電極151Cの複数の信号接続電極指19Sとの間の接地電極指19Gの数は、2(偶数)となっている。従って、IDT電極151Cの信号接続バスバー17Sは、IDT電極151Bの信号接続バスバー17Sに入力された信号と位相が180°異なる信号を出力する。換言すれば、IDT電極151Cは、不平衡信号sの位相を反転した反転信号s1を出力する。
 そして、IDT電極151Aからの非反転信号s0は、出力端子29Aから出力される。また、IDT電極151Cからの反転信号s1は、出力端子29Bから出力される。これによって、出力端子29Aおよび出力端子29Bからなる平衡出力端子30においては、平衡信号が出力される。
 第5の実施形態においても、他の実施形態と同様に、IDT電極151Bの接地バスバー17Gと、IDT電極151Aおよび151Cの信号接続バスバー17Sとの間には、浮き部材23が設けられている。従って、第5の実施形態においても、他の実施形態と同様に、装置の大型化を抑制しつつ、ESD耐性を向上させ、且つ、挿入損失の低下を抑制する効果が奏される。
 第5の実施形態においては、IDT電極151Bの信号接続バスバー17Sと、IDT電極151Aおよび151Cの接地バスバー17Gとの間よりも、IDT電極151Bの接地バスバー17Gと、IDT電極151Aおよび151Cの信号接続バスバー17Sとの間においてESDが生じやすい。これは、入力端子5から静電気が流れ込んだ場合には、電流はIDT電極151Bの信号接続バスバー17Sの両端に逃げるのに対し、出力端子29Aまたは29Bから静電気が流れ込んだ場合には、電流はIDT電極151Aまたは151Cの一方端(IDT電極151Bの接地バスバー17G側)に集中して逃げやすいためである。なお、通常、反射器13とIDT電極151Aの信号接続バスバー17Sとの間隔よりも、IDT電極151Aのバスバー17SとIDT電極151Bの接地バスバー17Gの間隔の方が狭い。反射器13とIDT電極151Cの信号接続バスバー17Sとの間隔についても同様である。
 そして、第5の実施形態においては、そのESDが生じやすい、IDT電極151Bの接地バスバー17Gと、IDT電極151Aおよび151Cの信号接続バスバー17Sと間においてのみ浮き部材23を設けていることから、SAWの漏れを最小限に抑えつつ、ESDを効果的に抑制できる。また、第3の実施形態のように浮き部材23を入力側と出力側との双方に設ける場合に比較して、浮き部材23を伝搬方向D1において大きくしやすい。
 なお、出力側信号線8の途中にSAW共振子を配置してもよく、その場合は、IDT電極151Bの信号接続バスバー17SとIDT電極151Aおよび151Cの接地バスバー17Gとの間に、浮き部材23を設けてもよい。
(第6の実施形態)
 図7は、本発明の第6の実施形態に係るSAW装置180を示す平面図である。
 SAW装置180においては、伝搬方向D1において1本の電極指19の配置範囲に亘って設けられた浮き部材23と、伝搬方向D1において2本の電極指19の配置範囲に亘って設けられた浮き部材73とが混在している。
 なお、IDT電極181BとIDT電極181Cとの間における浮き部材23の配置については、第5の実施形態(図6)と同様である。IDT電極181BとIDT電極181Aとの間における浮き部材73の配置については、第4の実施形態(図5)と同様である。
 第6の実施形態においても、他の実施形態と同様に、装置の大型化を抑制しつつ、ESD耐性を向上させ、且つ、挿入損失の低下を抑制する効果が奏される。
<3IDT、不平衡-平衡型(2)>
(第7の実施形態)
 図8は、本発明の第7の実施形態に係るSAW装置210を示す平面図である。
 SAW装置210は、1つのIDT電極211Bから平衡信号(s0、s1)が出力されるように構成されている。ただし、IDT電極211Bは、2つのIDT電極として概念化することも可能である。SAW装置210の構成は、具体的には、以下のとおりである。
 SAW装置210は、伝搬方向D1に配列された複数のIDT電極211を有している。複数のIDT電極211の数は、本実施形態では3個である。両側のIDT電極211Aおよび211Cは、他の実施形態と同様に、互いに概ね同等の大きさを有する一対の櫛歯状電極15を有している。
 中央のIDT電極211Bは、共通櫛歯状電極215Gと、分割櫛歯状電極215Saおよび215Sbとを有している。分割櫛歯状電極215Saおよび215Sbは、伝搬方向D1における大きさが概ね共通櫛歯状電極215Gの伝搬方向D1における大きさの半分となっている。そして、分割櫛歯状電極215Saおよび215Sbは、それぞれ共通櫛歯状電極215Gと電極指19が噛み合うように配置されている。
 IDT電極211Aおよび211Cの信号接続櫛歯状電極15Sは、共に入力端子5に接続されており、不平衡信号sが入力される電極となっている。一方、信号接続櫛歯状電極である分割櫛歯状電極215Saおよび215Sbは、それぞれ、別個の出力端子29に接続され、平衡出力端子30に平衡信号を出力する電極となっている。
 本実施形態においても、信号が入力される複数の信号接続電極指19Sと、信号を出力する複数の信号接続電極指19Sとの間に配置された、接地電極指19Gの数が奇数または偶数に設定されることによって、位相の非反転または反転が実現される。
 具体的には、IDT電極221Aの信号接続電極指19Sと、分割櫛歯状電極215Saの信号接続電極指19Sとの間の接地電極指19Gの間の本数は、1本(奇数)となっている。IDT電極221Cの信号接続電極指19Sと、分割櫛歯状電極215Sbの信号接続電極指19Sとの間の接地電極指19Gの間の本数は、0本(偶数)となっている。
 従って、分割櫛歯状電極215Saは非反転信号s0を出力し、分割櫛歯状電極215Sbは反転信号s1を出力する。すなわち、IDT電極211Bからは平衡信号が出力される。
 なお、分割櫛歯状電極215Saと、分割櫛歯状電極215Sbとの間においては、接地電極指19Gの数は、0(偶数)に設定されており、SAWが互いに打ち消し合わないようになっている。
 SAW装置210においても、他の実施形態と同様に、浮き部材23が設けられている。具体的には、分割櫛歯状電極215Saの信号接続バスバー17SとIDT電極211Aの接地バスバー17Gとの間には、1本の接地電極指19Gの配置範囲に対応する浮き部材23が設けられている。分割櫛歯状電極215Sbの信号接続バスバー17SとIDT電極211Cの接地バスバー17Gとの間には、1本の信号接続電極指19Sの配置範囲に対応する浮き部材23が設けられている。
 第7の実施形態においても、他の実施形態と同様に、装置の大型化を抑制しつつ、ESD耐性を向上させ、且つ、挿入損失の低下を抑制する効果が奏される。また、第7の実施形態は、第7の実施形態と同様に不平衡-平衡変換を行う第5および第6の実施形態と比較すると、出力される平衡信号のバランス度がよい。これは、第7の実施形態においては、平衡出力端子30に接続される櫛歯状電極(215Saおよび215Sb)と噛み合う櫛歯状電極(215G)が共通化されており、電位が安定していることからである。
(第8の実施形態)
 図9は、本発明の第8の実施形態に係るSAW装置240を示す平面図である。
 SAW装置240は、第7の実施形態(図8)と同様に、分割櫛歯状電極215Saおよび215Sbを有している。また、SAW装置240では、第6の実施形態(図7)と同様に、伝搬方向D1において1本の電極指19の配置範囲に亘る浮き部材23と、伝搬方向D1において2本の電極指19の配置範囲に亘る浮き部材73とが混在している。
 第8の実施形態においても、他の実施形態と同様に、装置の大型化を抑制しつつ、耐電力性を向上させ、且つ、挿入損失の低下を抑制する効果が奏される。
<7IDT>
(第9の実施形態)
 図10は、本発明の第9の実施形態に係るSAW装置270を示す平面図である。
 既に説明されたSAW装置が3つのIDT電極を有していたのに対し、SAW装置270は、7つのIDT電極271を有している。また、SAW装置270は、第5~第8の実施形態と同様に、不平衡信号が入力され、平衡信号を出力するように構成されている。具体的には、以下のとおりである。
 入力端子5は、7つのIDT電極271のうち、1つ置きに配置された、IDT電極271B、271Dおよび271Fに接続されている。これら3つのIDT電極271の非配置位置に1つ置きに配置された、IDT電極271A、271C、271Eおよび271Gは、平衡出力端子30に接続されている。また、7つのIDT電極271の各電極間における接地電極指19Gの数は、IDT電極271A側から順に、2(偶数)、2(偶数)、2(偶数)、3(奇数)、3(奇数)、3(奇数)となっている。
 従って、不平衡信号sが入力されるIDT電極271Bおよび271Dに対して、偶数本の接地電極指19Gを介在させて隣接するIDT電極271Aおよび271Cは、反転信号s1を出力する。一方、不平衡信号sが入力されるIDT電極271Dおよび271Fに対して、奇数本の接地電極指19Gを介在させて隣接するIDT電極271Eおよび271Gは、非反転信号s0を出力する。
 第9の実施形態においても、他の実施形態と同様に、接地バスバー17Gと、信号接続バスバー17Sとの間には、浮き部材73が設けられている。従って、第9の実施形態においても、他の実施形態と同様に、装置の大型化を抑制しつつ、ESD耐性を向上させ、且つ、挿入損失の低下を抑制する効果が奏される。
<2段のIDT>
(第10の実施形態)
 図11は、本発明の第10の実施形態に係るSAW装置300を示す平面図である。
 SAW装置300は、縦接続された2段のSAW素子307を有している。また、SAW装置300は、不平衡信号が入力され、平衡信号を出力するように構成されている。具体的には、以下のとおりである。
 SAW装置300は、入力端子5に接続された第1段のSAW素子307Aと、第1段のSAW素子307に接続されるとともに平衡出力端子30に接続された第2段のSAW素子307Bとを有している。
 第1段のSAW素子307Aは、第5および第6の実施形態(図6、図7)と同様に、入力された不平衡信号sを平衡信号(s0、s1)に変換して出力する3つのIDT電極311を有している。各IDT電極311は、伝搬方向D1における大きさが概ね同等の一対の櫛歯状電極15を有している。
 第1段のSAW素子307Aにおいて、中央のIDT電極311Bは、入力端子5に接続されている。IDT電極311Bの両側のIDT電極311Aおよび311Cは、第2段のSAW素子307Bに接続されている。また、第1段のSAW素子307Aの各IDT電極311間における接地電極指19Gの数は、IDT電極311A側から順に、1(奇数)、2(偶数)となっている。
 従って、不平衡信号sが入力されるIDT電極311Bに対して、奇数本の接地電極指19Gを介在させて隣接するIDT電極311Aは、非反転信号s0を出力する。一方、IDT電極311Bに対して、偶数本の接地電極指19Gを介在させて隣接するIDT電極311Cは、反転信号s1を出力する。
 第2段のSAW素子307Bは、第7および第8の実施形態(図8、図9)と同様に、分割櫛歯状電極215Saおよび215Sbを有するIDT電極312Bを含む3つのIDT電極312を有している。
 第2段のSAW素子307Bにおいて、両側のIDT電極312Aおよび312Cは、それぞれ、中間信号線310を介して、第1段のSAW素子307AのIDT電極311Aおよび311Bに接続されている。分割櫛歯状電極215Saおよび215Sbは、それぞれ、出力端子29Aおよび29Bに接続されている。
 IDT電極312Aの信号接続電極指19Sと、分割櫛歯状電極215Saの信号接続電極指19Sとの間の接地電極指19Gの間の本数は、1本(奇数)となっている。IDT電極312Cの信号接続電極指19Sと、分割櫛歯状電極215Sbの信号接続電極指19Sとの間の接地電極指19Gの間の本数は、1本(奇数)となっている。
 従って、非反転信号s0が入力されるIDT電極312Aに隣接する分割櫛歯状電極215Saは、非反転信号s0を出力する。また、反転信号s1が入力されるIDT電極312Cに隣接する分割櫛歯状電極215Sbは、反転信号s1を出力する。従って、平衡出力端子30からは平衡信号(s0、s1)が出力される。
 なお、分割櫛歯状電極215Saと、分割櫛歯状電極215Sbとの間においては、接地電極指19Gの数は、0(偶数)に設定されており、SAWが互いに打ち消し合わないようになっている。
 第10の実施形態においても、他の実施形態と同様に、接地バスバー17Gと、信号接続バスバー17Sとの間には、浮き部材73が設けられている。従って、第9の実施形態においても、他の実施形態と同様に、装置の大型化を抑制しつつ、ESD耐性を向上させ、且つ、挿入損失の低下を抑制する効果が奏される。
 浮き部材73は、第1段のSAW素子307Aにおいては入力側に設けられ、第2段のSAW素子307Bにおいては出力側に設けられている。すなわち、第1段のSAW素子307Aにおいては、浮き部材73は、入力端子5に接続されたIDT電極311Bの信号接続バスバー17Sと、IDT電極311Bに隣接するIDT電極311Aおよび311Cの接地バスバー17Gとの間に設けられている。第2段のSAW素子307Bにおいては、浮き部材73は、出力端子29に接続されたIDT電極312Bの信号接続バスバー17Sと、IDT電極312Bに隣接するIDT電極312Aおよび311Cの接地バスバー17Gとの間に設けられている。
 一方、ESDは、端子を介してSAW素子307に流れ込む電流によって生じることが多い。第1段のSAW素子307Aにおいては、出力端子29との間には第2段のSAW素子307Bが介在することから、入力端子5側からの電流によってESDが生じやすい。第2段のSAW素子307Bにおいては、入力端子5との間には第1段のSAW素子307Aが介在することから、出力端子29側からの電流によってESDが生じやすい。そして、ESDが生じやすい側に浮き部材73を設けることによって、効果的にESD耐性を向上させることができる。
<浮き部材の形状の変形例>
(第1変形例)
 図12(a)は、浮き部材73の形状の第1変形例を示す平面図である。
 第1変形例において、バスバー17は、電極指19とは反対側の伝搬方向D1に延びる辺が、電極指19側の伝搬方向D1に延びる辺よりも短くなっており、概ね、台形状に形成されている。そして、伝搬方向D1において配列された信号接続バスバー17Sと接地バスバー17Gとの距離は、概ね、電極指19とは反対側になるほど、長くなっている。より具体的には、当該距離は、電極指19側においては一定であり、途中から、電極指19とは反対側になるほど、長くなっている。このようにバスバー17が形成されているのは、SAWの漏れを抑制しつつ、寄生容量を少なくして減衰特性をよくするためである。
 浮き部材73は、直交方向D2における大きさが、バスバー17の直交方向D2における大きさよりも小さくなるように形成され、電極指19側の端部の直交方向D2における位置は、バスバー17の電極指19側の辺の直交方向D2における位置と一致している。より具体的には、バスバー17は、互いに隣接する信号接続バスバー17Sと接地バスバー17Gとの距離(伝搬方向D1)が一定となっている範囲に亘って設けられている。
 第1変形例によれば、比較的簡素な形状の浮き部材によって、効果的にSAWの漏れを抑制することができる。
(第2変形例)
 図12(b)は、浮き部材73の形状の第2変形例を示す平面図である。第2変形例においては、浮き部材73は、直交方向D2における大きさが、バスバー17の直交方向D2における大きさと同等となるように形成されている。また、浮き部材73は、伝搬方向D1において配列された信号接続バスバー17Sと接地バスバー17Gとの間のスペースが、電極指19とは反対側ほど広くなることに応じて、電極指19とは反対側が広くなるように形成されている。
 なお、以上の実施形態において、IDT電極11Bの電極指19は本発明の第1電極指の一例であり、IDT電極11Aの電極指19は本発明の第2電極指の一例であり、IDT電極11Cの電極指19は本発明の第3電極指の一例である。
<実施例>
(実施例1)
 実施形態に係るSAW装置を製作し、ESD耐性を調べる実験を行った。具体的には、第9の実施形態(図10)のSAW装置270について寸法や材料を具体的に設定した実施例1のSAW装置を製作し、実験を行った。
 また、図13に示す第2比較例のSAW装置340について寸法や材料を具体的に設定した比較例1に係るSAW装置を製作して、同様の実験を行った。なお、第2比較例のSAW装置340は、IDT電極341間において、浮き部材73が設けられておらず、信号接続バスバー17Sと接地バスバー17Gとは隣接している。その他の構成については、第2比較例のSAW装置340は、第9の実施形態のSAW装置270と同様である。
(材料、寸法等)
 圧電基板:42°YカットX伝搬LiTaO
 各種電極:膜厚80ÅのTi層の上に膜厚1570ÅのAl-Cu層を形成した2層構造電極
(試験方法)
 実施例1および比較例1のSAW装置について、それぞれ16個の試験サンプルを準備し、ESD試験を行った。
(試験環境)
 環境温度23℃、湿度40%
(ESD試験モデル)
 Machine model(MM:機械帯電モデル、規格EIAJ)を採用した。当該試験では、200pFのコンデンサを充電し、充電後、そのコンデンサと試験サンプルとを接続し、静電気放電を発生させる。この条件のもと、出力端子29Bと接地電極の間に電圧Vを印可し、IDT電極の電極指が破壊に至るまでの試験サンプルのESDの耐性を評価する。破壊されたときの電圧値Vをヒストグラムで比較した。
(評価方法)
 電極指の破壊の判定は、フィルタの透過量の変化をモニタリングし、0.3dBの損失が発生したか否かによって行った。
(試験結果)
 図14(a)に比較例1における破壊時の電圧値Vのヒストグラムを示す。図14(b)に実施例1における破壊時の電圧値Vのヒストグラムを示す。図14(a)および図14(b)において、横軸は電圧値V、縦軸はサンプル数である。
 実施例1のSAW装置は、平均441Vの電圧値で電極指が破壊に至ったのに対して、比較例1のSAWフィルタは、平均413Vであった。この結果から、実施例1の構成でESDの耐性を向上することが確認できた。また、バラつきσについても、実施例1のSAWフィルタは46Vであるのに対して、比較例のSAWフィルタは50Vであり、実施例1の構成でESDの耐性のバラつきを低減させることが確認できた。
(実施例2)
 実施形態に係るSAW装置を製作し、透過特性を調べる実験を行った。具体的には、第9の実施形態(図10)のSAW装置270について寸法や材料を具体的に設定した実施例2のSAW装置を製作し、当該SAW装置をデュプレクサのRxフィルタとして使用して、実験を行った。
 また、実施例2(第9の実施形態)のSAW装置270から浮き部材73および当該浮き部材73から延びるダミー電極指を無くした比較例2に係るSAW装置を製作して、同様の実験を行った。浮き部材73は、図12(b)に示す形状のものとした。
(材料、寸法等)
 圧電基板:42°YカットX伝搬LiTaO
 各種電極および浮き部材:膜厚80ÅのTi層の上に膜厚1570ÅのAl-Cu層を形成した2層構造
 浮き部材と隣接するバスバーとの間隔:0.56μm
 IDT電極の電極指の本数:伝搬方向D1の端部側のIDT電極から順に、32本、45本、58本、45本、58本、48本、33本
 反射器の電極指の本数:100本、100本
 隣接する電極指の中心間距離の平均値:0.925μm
 電極指の伝搬方向D1の幅:0.53μm
 交差幅(W、図1参照):62μm
 通過帯域:2110MHz~2170MHz(UMTS Band1)
(試験方法)
 実施例2もしくは比較例2のSAW装置によって構成されたRxフィルタを含む素子を高温焼成セラミック基板(HTCC基板)に実装し、デュプレクサを作製した。当該デュプレクサを評価ボードに実装して、ネットワークアナライザーによってアンテナ端子(入力端子5)と出力端子29との間の透過特性を測定した。
(試験結果)
 図15に試験結果を示す。図15において、横軸は周波数(MHz)、縦軸は透過特性(dB)を示している。線L1で示した範囲は、通過帯域(2110MHz~2170MHz)を示している。
 図15において、実線で示された実施例2の透過特性は、点線で示された比較例2の透過特性に比較して、改善されている。以上のとおり、浮き部材が設けられることによって、透過特性が改善されることが確認された。
 本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
 弾性波装置は、狭義のSAW装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、弾性境界波装置(広義のSAW装置に含まれる。)であってもよい。換言すれば、弾性波は、圧電基板の表面を伝搬する狭義のSAWに限定されず、圧電基板と当該圧電基板を覆う媒体層との境界を伝搬する弾性境界波(広義のSAWに含まれる)であってもよい。
 IDT電極の数、入出力の形式、IDT電極間の接地電極指の数、浮き部材が設けられる位置(入力側、出力側)、浮き部材に対向する電極指の数、浮き部材に対向する電極指の種類(信号接続、接地)等の組み合わせは、実施形態において例示した組み合わせ以外にも種々可能であり、適宜に設定されてよい。
 本発明は、直列分割型のIDT電極を有する弾性波装置に適用されてもよい。また、交差幅が弾性波の伝搬方向において変化する弾性波装置に適用されてもよい。
 1…SAW装置、3…基板、6…信号入力線、11…IDT電極、17S…信号接続バスバー、17G…接地バスバー、23…浮き部材。

Claims (7)

  1.  基板と、
     信号線に接続され、前記基板を伝搬する弾性波の伝搬方向に延びている第1信号接続バスバーと、グランドに接続され、前記第1信号接続バスバーと対向する位置に位置した第1接地バスバーと、前記第1信号接続バスバーおよび前記第1接地バスバーからこれらの対向方向に延びている複数の第1電極指とを有し、前記基板の主面に位置した第1IDT電極と、
     信号線に接続され、前記第1接地バスバーの長手方向に沿って該第1接地バスバーの隣に位置した第2信号接続バスバーと、前記第2信号接続バスバーと対向する位置に位置し、かつ前記第1信号接続バスバーの長手方向に沿って該第1信号接続バスバーの隣に位置した、グランドに接続される第2接地バスバーと、前記第2信号接続バスバーおよび前記第2接地バスバーからこれらの対向方向に延びる複数の第2電極指とを有し、前記基板の主面に位置した第2IDT電極と、
     前記第1接地バスバーと前記第2信号接続バスバーとの間、および前記第1信号接続バスバーと前記第2接地バスバーとの間の少なくとも一方の間に位置し、前記第1接地バスバー、前記第2信号接続バスバー、前記第1信号接続バスバー、および前記第2接地バスバーのいずれのバスバーとも接続されない、前記基板の主面に位置した浮き部材と、
     を有する弾性波装置。
  2.  前記浮き部材は、ダミー電極指をさらに有し、
     前記第1信号接続バスバーから延びる前記第1電極指の先端と前記第2接地バスバーから延びる前記第2電極指の先端とを結ぶラインと、前記第1接地バスバーおよび前記第2信号接続バスバーとの間の領域を第1領域とし、
     前記第1接地バスバーから延びる前記第1電極指の先端と前記第2信号接続バスバーから延びる前記第2電極指の先端とを結ぶラインと、前記第1信号接続バスバーおよび前記第2接地バスバーとの間の領域を第2領域としたときに、
     前記ダミー電極指は、前記第1領域および前記第2領域のいずれかの領域内に位置している
     請求項1に記載の弾性波装置。
  3.  前記第1電極指および前記第2電極指の少なくとも一方が2本以上前記浮き部材と対向して位置し、
    前記浮き部材の前記弾性波の伝搬方向における幅は、前記浮き部材と対向して位置している電極指が位置している領域の幅と同一、もしくはそれ以上である
     請求項1または2に記載の弾性波装置。
  4.  前記浮き部材は、前記弾性波の伝搬方向と直交する方向における幅が、その両隣のバスバーの前記直交する方向における幅よりも小さい
     請求項1~3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  5.  前記第1接地バスバーと前記第2信号接続バスバーとの間、および前記第1信号接続バスバーと前記第2接地バスバーとの間のそれぞれの間に前記浮き部材を有する
     請求項1~4のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  6.  前記第1IDT電極、前記第2IDT電極、および前記浮き部材は、同じ金属材料から成る請求項1~5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
  7.  前記第1接地バスバーの長手方向に沿って該第1接地バスバーの前記第2信号接続バスバーが位置する隣とは反対側の隣に位置した、信号線に接続される第3信号接続バスバーと、該第3信号接続バスバーと対向する位置に位置し、かつ前記第1信号接続バスバーの長手方向に沿って該第1信号接続バスバーの前記第2接地バスバーが位置する隣とは反対側の隣に位置した、グランドに接続される第3接地バスバーと、前記第3信号接続バスバーおよび前記第3接地バスバーからこれらの対向方向に延びる複数の第3電極指とを有し、前記基板の主面に位置した第3IDT電極をさらに有し、
     前記第1信号接続バスバーに接続されている前記信号線には、不平衡信号が流れ、
     前記第2信号接続バスバーに接続されている前記信号線には、平衡信号の一方の信号が流れ、
     前記第3信号接続バスバーに接続されている前記信号線には、前記平衡信号の他方の信号が流れ、
     前記第1接地バスバーと前記第2信号接続バスバーとの間、前記第1接地バスバーと前記第3信号接続バスバーとの間、前記第1信号接続バスバーと前記第2接地バスバーとの間、および前記第1信号接続バスバーと前記第3接地バスバーとの間のうち、前記第1接地バスバーと前記第2信号接続バスバーとの間、および前記第1接地バスバーと前記第3信号接続バスバーとの間においてのみ、いずれのバスバーとも接続されない浮き部材が設けられている
     請求項1~6のいずれか1項に記載の弾性波装置。
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