DE102019107011A1

DE102019107011A1 - 11-IDT-DMS-Filter, elektroakustisches Filter und Multiplexer

Info

Publication number: DE102019107011A1
Application number: DE102019107011.2A
Authority: DE
Inventors: Thomas Dengler; Thomas Bauer; Ansgar Schäufele
Original assignee: RF360 Europe GmbH
Current assignee: RF360 Singapore Pte Ltd
Priority date: 2019-03-19
Filing date: 2019-03-19
Publication date: 2020-09-24
Also published as: WO2020187827A1

Abstract

Ein verbessertes DMS-Filter mit Elektrodenstrukturen zwischen einem ersten Port und einem zweiten Port ist bereitgestellt.

Description

Die vorliegende Anmeldung betrifft verbesserte DMS-Filter und elektroakustische Filter und Multiplexer, die solche DMS-Filter umfassen.
Mobilkommunikationsvorrichtungen benötigen HF-Filter, um gewollte HF-Signale von ungewollten HF-Signalen zu unterscheiden. Entsprechende HF-Filter können elektroakustische Komponenten, wie etwa elektroakustische Resonatoren und DMS-Filter (DMS: Dual Mode SAW), umfassen. Ein DMS-Filter umfasst einen oder mehrere Eingang-IDTs und einen oder mehrere Ausgang-IDTs (IDT: Interdigital Transducer - Interdigitalwandler). Die IDTs sind zwischen elektroakustischen Reflektoren angeordnet. Es gibt DMS-Filter, die mit akustischen Oberflächenwellen (SAW: Surface Acoustic Wave: akustische Oberflächenwelle) arbeiten. Zu diesem Zweck weisen die Wandler eine Elektrodenstruktur auf, die mit einem piezoelektrischen Material gekoppelt ist. Aufgrund des piezoelektrischen Effekts wandelt eine solche Elektrodenstruktur zusammen mit einem piezoelektrischen Material zwischen elektromagnetischen HF-Signalen und akustischen HF-Signalen. Eingangswandler empfangen üblicherweise elektromagnetische HF-Signale von einer externen Schaltkreisumgebung, z. B. von einer Antenne, und liefern entsprechend gefilterte elektromagnetische HF-Signale an die Ausgangswandler, die typischerweise über einen Ausgangsport mit einer externen Schaltkreisumgebung, z. B. einem Verstärker mit geringem Rauschen einer Mobilkommunikationsvorrichtung, verbunden sind.
Ein solches DMS-Filter kann mit anderen Schaltkreiselementen, z. B. anderen Filterelementen, in einem HF-Filter der Mobilkommunikationsvorrichtung enthalten sein. Die Leistungsfähigkeit eines solchen Filters hängt z. B. von elektrischen Verlusten und den akustischen Verlusten der Filterstrukturen ab. Außerdem sollten charakteristische Frequenzen eines HF-Filters keinem temperaturinduzierten Frequenzdrift ausgesetzt werden. Ferner sollte ein entsprechendes HF-Filter Spezifikationen entsprechen, die Impedanzanpassung, Bandbreite und Auswahlniveau betreffen. Ferner sollten entsprechende HF-Filter mit geringen Herstellungskosten produzierbar sein und dem aktuellen Trend zur Miniaturisierung folgen.
Zu diesem Zweck ist ein DMS-Filter gemäß dem unabhängigen Anspruch bereitgestellt. Abhängige Ansprüche stellen bevorzugte Ausführungsformen bereit.
Das DMS-Filter umfasst einen ersten Port und einen zweiten Port.
Es ist möglich, dass das DMS-Filter ein 11-IDT-DMS-Filter ist. Von den elf IDTs können sechs IDTs erste IDTs sein und können fünf IDTs zweite IDTs sein. Ferner kann das DMS-Filter einen ersten akustischen Reflektor und einen zweiten akustischen Reflektor aufweisen. Alle elf IDTs können zwischen dem ersten und dem zweiten akustischen Reflektor angeordnet sein. Die ersten IDTs können elektrisch mit dem ersten Port verbunden sein. Die zweiten IDTs können elektrisch mit dem zweitem Port verbunden sein.
Ferner ist es möglich, dass das DMS-Filter ein piezoelektrisches Material umfasst. Außerdem kann das DMS-Filter eine Elektrodenstruktur aufweisen, die über oder auf dem piezoelektrischen Material angeordnet ist. Die Elektrodenstrukturen können elektrisch zwischen dem ersten Port und dem zweiten Port verbunden sein.
Es ist möglich, dass die Elektrodenstruktur eine mehrschichtige Konstruktion aufweist. Dann ist es möglich, dass die mehrschichtige Konstruktion Metall und ein dielektrisches Material umfasst.
Die sechs ersten IDTs und die fünf zweiten IDTs können Teile der Elektrodenstruktur sein. Dementsprechend können die IDTs elektrisch zwischen dem ersten Port und dem zweiten Port verbunden sein. Insbesondere können die ersten IDTs und die zweiten IDTs akustisch gekoppelt sein. Dementsprechend stellen die zwei akustischen Reflektoren zusammen mit den elf IDTs die akustisch aktiven Elemente des DMS-Filters her.
Die Anzahl an IDTs ist nicht speziell auf elf beschränkt. Das DMS-Filter kann mehr als elf oder weniger als elf IDTs aufweisen. Jedoch scheint ein 11-IDT-DMS-Filter einen guten Kompromiss zwischen Leistungsfähigkeit und einer für die Strukturen des Filters benötigten Fläche bereitzustellen.
Ein 11-IDT-DMS-Filter weist elektrische Verluste auf, die von jenen eines n-IDT-DMS-Filters um einen Faktor von näherungsweise (1-(n/11)*(n/11)) abweichen.
Ein Term (n/11) liegt in der geänderten Anzahl an Fingern begründet (wobei die Gesamtimpedanz beibehalten werden sollte). Der andere Term (n/11) liegt in der entsprechenden Fingerlänge begründet. Dementsprechend sind beispielsweise die elektrischen Verluste im Vergleich zu einem 9-IDT-DMS-Filter um einen Faktor von 0,33 reduziert.
Über den ersten Port bzw. den zweiten Port kann das DMS-Filter elektrisch mit einer externen Schaltkreisumgebung verbunden werden. Das DMS-Filter kann mit anderen Filterelementen, wie etwa passiven Impedanzelementen oder anderen elektroakustischen Resonatoren, gekoppelt werden, um ein komplexeres elektroakustisches HF-Filter herzustellen.
Insbesondere ist es möglich, dass das DMS-Filter elektrisch mit einer abzweigtypartigen Schaltkreistopologie in Reihe verbunden sein kann, um ein elektroakustisches Filter mit exzellenter Filterleistungsfähigkeit und mit einer hohen Leistungsbeständigkeit bereitzustellen. Ein solches Filter kann ein Empfangsfilter einer Mobilkommunikationsvorrichtung sein.
Die Elektrodenstruktur des DMS-Filters kann direkt auf dem piezoelektrischen Material angeordnet sein. Jedoch ist es möglich, dass eine oder mehrere Teilschichten zwischen der Elektrodenstruktur und dem piezoelektrischen Material angeordnet sind.
Durch das Bereitstellen der Elektrodenstruktur als eine mehrschichtige Konstruktion und durch das Bereitstellen der mehrschichtigen Konstruktion mit Metall und dielektrischem Material kann eine verbesserte Signalleitung in den Strukturen des DMS-Filters erhalten werden. Zu diesem Zweck sind das dielektrische Material und das Metall relativ zueinander so angeordnet, dass elektrische Verluste, wie etwa kapazitive Verluste oder ohmsche Verluste, reduziert werden. Außerdem kann durch das Konfigurieren eines DMS-Filters gemäß der Offenbarung dieser Erfindung die notwendige Chipfläche minimiert werden, was Kosten reduziert und beim Miniaturisieren der Größe hilft. Ferner können parasitäre Kapazitäten reduziert werden und können mögliche Filterbandbreiten erhöht werden. Entsprechend ist es möglich, dass das DMS-Filter ein Bandpassfilter oder ein Bandsperrfilter herstellt.
Die IDTs des DMS-Filters können Sammelschienen und Elektrodenfinger umfassen. Jeder Elektrodenfinger ist elektrisch mit einer der zwei Sammelschienen eines IDT verbunden. Wenn angrenzende Elektrodenfinger mit gegenüberliegenden Sammelschienen verbunden sind, dann wird ein akustisches Anregungszentrum zwischen den Elektrodenfingern platziert. Die Elektrodenfinger erstrecken sich in einer Richtung im Wesentlichen senkrecht zu der Ausbreitungssrichtung von akustischen Oberflächenwellen. Ferner weisen die Elektrodenfinger eine Ausdehnung entlang einer Richtung orthogonal zu der Normalenrichtung des piezoelektrischen Materials auf.
Ein solches DMS-Filter stellt reduzierte elektrische und parasitäre Verluste bereit, während die notwendige Chipfläche reduziert wird. Dementsprechend ist ein solches DMS-Filter mit dem anhaltenden Trend zur Miniaturisierung kompatibel und ist die Schichtkonstruktion des Filters mit herkömmlichen Schichtabscheidungs- und -strukturierungstechniken kompatibel.
Die IDTs können erste IDTs bzw. zweite IDTs sein, können zwischen den zwei akustischen Reflektoren angeordnet sein, um die akustische Energie auf den aktiven Bereich des Resonators zu begrenzen, um den Gütefaktor Q der DMS-Struktur zu erhöhen und Verluste zu reduzieren. Ein entsprechendes Bandpassfilter weist eine reduzierte Einfügedämpfung innerhalb des Durchlassbandes auf.
Es ist möglich, dass das DMS-Filter eine erste Zwischen-IDT-Verbindung und eine zweite Zwischen-IDT-Verbindung umfasst. Jeder IDT kann eine erste Sammelschiene und eine zweite Sammelschiene aufweisen. Die ersten Sammelschienen der ersten IDTs können über die ersten Zwischen-IDT-Verbindungen elektrisch miteinander verbunden sein. Die zweiten Sammelschienen der zweiten IDTs können über die zweiten Zwischen-IDT-Verbindung elektrisch miteinander verbunden sein.
Dementsprechend sind die IDTs relativ zu der ersten Zwischen-IDT-Verbindung und zu der zweiten Zwischen-IDT-Verbindung elektrisch parallel verbunden. Die gegenüberliegenden Sammelschienen sind typischerweise mit Masse verbunden.
Insbesondere ist es möglich, dass erste Sammelschienen der ersten IDTs elektrisch mit dem ersten Port verbunden sind und die zweiten Sammelschienen der zweiten IDTs elektrisch mit dem zweiten Port verbunden sind.
Es ist möglich, dass in die DMS-Filterstruktur - aus einer Perspektive eines HF-Signals - über den ersten Port als einen Eingangsport eingetreten wird. Über die erste Zwischen-IDT-Verbindung wird das HF-Signal in einige Untersignale separiert, die über ihre entsprechenden Sammelschienen, die den Eingang eines ersten IDT herstellen, in die ersten IDTs eintreten. Die zweiten Sammelschienen der ersten IDTs können elektrisch mit einem Massenpotential verbunden sein. Innerhalb der ersten IDTs regt die Energie der Untersignale akustische Wellen an, die zu den zweiten IDTs propagieren.
Die ersten Sammelschienen der zweiten IDTs können elektrisch mit einem Massenpotential verbunden sein. Alle zweiten Sammelschienen der zweiten IDTs stellen das Ausgabemittel der zweiten IDTs her. In den zweiten IDTs wird akustische Energie zu elektromagnetischer Energie umgewandelt, die an die zweite Zwischen-IDT-Verbindung geliefert wird. Die zweite Zwischen-IDT-Verbindung kann elektrisch mit dem zweiten Port verbunden oder gekoppelt sein, der der Ausgangsport des DMS-Filters sein kann.
Es ist möglich, dass die erste und die zweite Zwischen-IDT-Verbindung einen unteren Metallstreifen und einen oberen Metallstreifen umfassen.
Der untere Metallstreifen und der obere Metallstreifen können Streifen sein, die in unterschiedlichen Schichten der mehrschichtigen Konstruktion der Elektrodenstruktur angeordnet sind. Die Bereitstellung der Elektrodenstruktur als mehrschichtige Konstruktion ermöglicht es, Materialien für die unterschiedlichen Schichten, z. B. für die Schicht, die den unteren Metallstreifen umfasst, und für die Schicht, die den oberen Metallstreifen umfasst, gemäß unterschiedlichen Anforderungen auszuwählen. Materialschichten, die sich in enger Nähe zu dem piezoelektrischen Material befinden, können gemäß ihren akustischen, d. h. elektromechanischen, Eigenschaften ausgewählt werden. Materialien von Schichten, die weiter von dem piezoelektrischen Material entfernt sind, können gemäß ihren elektrischen Eigenschaften ausgewählt werden.
Dementsprechend kann der untere Metallstreifen ein Metall oder eine Schichtkonstruktion, das/die eine gute Widerstandsfähigkeit gegenüber Delaminierung und/oder elektroakustischer Migration bereitstellt, mit einer Schichthöhe umfassen, die für die elektroakustische Kopplung und Reflektivität optimiert ist. Typischerweise sind resultierende Schichthöhen niedrig und implizieren einen höheren elektrischen Widerstand. Ein Metall oder Materialschichtsysteme des oberen Metallstreifens können so ausgewählt werden, dass sie einen geringen Widerstand und eine höhere Schichthöhe bereitstellen.
Dementsprechend kann der untere Metallstreifen Kupfer, Aluminium, Titan, Chrom, Silber, Gold und andere geeignete Materialien umfassen oder daraus bestehen.
Der obere Metallstreifen kann Silber, Gold, Aluminium, Kupfer, Titan und andere geeignete Materialien umfassen oder daraus bestehen.
Es ist möglich, dass das DMS-Filter ferner eine dritte Zwischen-IDT-Verbindung und eine vierte Zwischen-IDT-Verbindung umfasst. Sowohl die dritte Zwischen-IDT-Verbindung als auch die vierte Zwischen-IDT-Verbindung kann einen inneren Metallstreifen umfassen.
Die Formulierung „innerer“ ist relativ zu dem zentralen Anregungsbereich und der lateralen Richtung (y) senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwelle.
Insbesondere können die inneren Metallstreifen mit Bezug auf die Grundfläche des Elements zwischen den unteren Metallstreifen und/oder den oberen Metallstreifen mit Bezug auf eine Transversalrichtung angeordnet sein.
Im Gegensatz dazu verweisen die Ausdrücke „unterer“ und „oberer“ auf ihre entsprechende vertikale Position (z).
Während die erste und die zweite Zwischen-IDT-Verbindung, insbesondere die oberen Metallstreifen, den Widerstand an dem ersten Port bzw. dem zweiten Port reduzieren, können die dritte Zwischen-IDT-Verbindung und die vierte Zwischen-IDT-Verbindung dabei helfen, den Widerstand der Elektrodenstruktur zu reduzieren, wenn eine Masseverbindung betroffen ist.
Es ist möglich, dass die dritte Zwischen-IDT-Verbindung die Masseverbindungen der zweiten IDTs elektrisch verbindet und die vierte Zwischen-IDT-Verbindung die Masseverbindungen der ersten IDTs elektrisch verbindet, um ihren Widerstand zu Masse zu reduzieren.
Entsprechend können die unteren Metallstreifen, die oberen Metallstreifen und die inneren Metallstreifen streifenförmige Flecken sein, die sich entlang der Longitudinalrichtung erstrecken und - in einer Transversalrichtung - zwischen dem zentralen Anregungsbereich und dem entsprechenden ersten oder zweiten Port erstrecken. Die Länge der Metallstreifen kann im Wesentlichen gleich der Länge des aktiven Bereichs zwischen den akustischen Reflektoren sein.
Die inneren Metallstreifen können länger als die unteren Metallstreifen und die oberen Metallstreifen sein. Die zweite Zwischen-IDT-Verbindung und ihre entsprechenden Metallstreifen können kürzer als jene der ersten Zwischen-IDT-Verbindung sein.
Entsprechend ist es möglich, dass die dritte Zwischen-IDT-Verbindung die ersten Sammelschienen der zweiten Wandler elektrisch verbindet und die vierte Zwischen-IDT-Verbindung die zweiten Sammelschienen der ersten Wandler elektrisch verbindet, sodass ein reduzierter Widerstand zu dem Massepotential erhalten wird.
Es ist möglich, dass das DMS-Filter ferner Isolationsflecken umfasst. Das Filter kann Isolationsflecken zwischen der dritten Zwischen-IDT-Verbindung und den ersten Busverbindungen C1 und weitere Isolationsflecken zwischen der vierten Zwischen-IDT-Verbindung und den zweiten Verbindungen C2 umfassen.
Wenigstens ein Teil des Materials der Isolationsflecken kann in der mehrschichtigen Konstruktion an einer vertikalen Position zwischen der dritten Zwischen-IDT-Verbindung und den ersten Verbindungen sein. Die vierte Zwischen-IDT-Verbindung kann auf der gleichen vertikalen Ebene wie die dritte Zwischen-IDT-Verbindung sein und die zweite Zwischen-IDT-Verbindung kann auf der gleichen vertikalen Ebene wie die erste Zwischen-IDT-Verbindung sein.
Die Elemente in den Zwischen-IDT-Verbindungen können eine Dicke - in der vertikalen Richtung - von 0,08 µm ≤ t ≤ 0,5 µm, z. B. 0,15 µm, für die unteren Streifen und eine Dicke von 0,7 µm ≤ t ≤ 3 µm, z. B. 2,5 µm, für die oberen und inneren Streifen aufweisen.
Die Isolationsflecken können - in der vertikalen Richtung - eine Dicke von 0,5 µm ≤ t ≤ 1,5 µm, z. B. 0,87 µm, aufweisen.
Die Isolationsflecken stellen zusammen mit den Zwischen-IDT-Verbindungen Leitungskreuzungen her. Die Positionierung und Größe der entsprechenden Streifen gemäß der vorliegenden Erfindung ermöglicht eine starke Reduzierung parasitärer Kapazitäten, während die Gesamtleiterlängen der Strukturen innerhalb des DMS-Filters kurz gehalten werden, sodass ohmsche Verluste auch auf einem Minimum gehalten werden.
Die Isolationsflecken bestehen bevorzugt aus dem dielektrischen Material der mehrschichtigen Konstruktion der Elektrodenstruktur. Das dielektrische Material kann gemäß seinen dielektrischen Eigenschaften, wie etwa seiner dielektrischen Konstante und seinem dielektrischen Verlust, ausgewählt werden. Jedoch können aufgrund der dualen Natur elektroakustischer Filter, die elektrisch aktiv und akustisch aktiv sind, die mechanischen Eigenschaften des dielektrischen Materials auch verwendet werden, um eine Wellenleitung in den Strukturen des Filters zu verstärken.
Die Isolationsflecken können auch verwendet werden, um eine weitere Eigenschaft des DMS-Filters zu verbessern. Das Material der dielektrischen Flecken kann auch verwendet werden, um temperaturinduzierte Drifts charakteristischer Frequenzen zu reduzieren, falls es nahe den oder direkt oberhalb der Elektrodenfinger aufgebracht ist. Charakteristische Frequenzen können eine Mittelfrequenz eines Durchlassbandes oder die Frequenz des linken oder rechten Durchlassbandrandes sein.
Zu diesem Zweck kann das dielektrische Material, z. B. der Isolationsflecken, ein Material sein, das einem temperaturinduzierten Frequenzdrift eines Trägersubstrats oder des piezoelektrischen Materials entgegenwirkt.
Zusätzlich zu den Isolationsflecken kann eine weitere TCF (Temperature Coefficient of Frequency - Temperaturkoeffizient der Frequenz)-Kompensationsschicht oberhalb und/oder unterhalb der Elektrodenstruktur oder unterhalb des piezoelektrischen Materials angeordnet sein.
Ferner ist es möglich, dass jeder zweite IDT zwischen zwei ersten IDTs in einer linearen Anordnung angeordnet ist.
Die lineare Anordnung verweist auf die IDTs zusammen mit den akustischen Reflektoren derart, dass die IDTs entlang einer geraden Linie angeordnet sind. Ein transversaler Versatz eines IDT relativ zu anderen IDTs kann im Wesentlichen null sein.
Die Ausdehnung der linearen Anordnung stimmt im Wesentlichen mit der Ausbreitungsrichtung der akustischen Wellen parallel zu der x-Richtung überein.
Es ist auch möglich, dass die Elektrodenfinger entlang einer geraden Linie platziert sind, die mit einem vorbestimmten Neigungswinkel gegenüber der akustischen Ausbreitungsrichtung geneigt ist.
Außerdem ist es möglich, dass die Grundfläche der IDTs eine Symmetrie mit Bezug auf eine Symmetrielinie senkrecht zu einer SAW-Ausbreitungsrichtung aufweist.
Insbesondere ist die Symmetrielinie im Wesentlichen parallel zu der Ausdehnung der Elektrodenfinger. In dem Fall eines 11-IDT-DMS-Filters liegt die Symmetrielinie innerhalb des Zentrums der zweiten IDTs.
Die oben erwähnte Symmetrie ist gültig, wenn die Strukturen des DMS-Filters auf die Oberfläche des piezoelektrischen Materials projiziert werden, wobei die Grundfläche hergestellt wird. Wenn die Konstruktion entlang der vertikalen Richtung betroffen ist, kann die Symmetrielinie dann eine Symmetrieebene als ein Äquivalent zu der Symmetrie in drei Dimensionen aufweisen.
Die entsprechende Symmetrieebene ist dann senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung der SAW.
Ferner kann, wenn die vertikale Konstruktion betroffen ist, die mehrschichtige Konstruktion die unteren Metallstreifen der ersten und der zweiten Zwischen-IDT-Verbindung in einer ersten Schicht umfassen. Ferner kann die mehrschichtige Konstruktion die oberen Metallstreifen der ersten und der zweiten Zwischen-IDT-Verbindung in einer dritten Schicht umfassen. Ferner kann die mehrschichtige Konstruktion die Isolationsflecken in einer zweiten Schicht umfassen, die zwischen der ersten Schicht und der dritten Schicht angeordnet ist.
Ferner kann die dritte Schicht zum Reduzieren ohmscher Verluste eine höhere Dicke als die erste Schicht aufweisen. Dementsprechend wird ein größerer Querschnitt der Leiter erhalten, was zu reduzierten ohmschen Verlusten führt.
Außerdem können die dritte Zwischen-IDT-Verbindung und die vierte Zwischen-IDT-Verbindung mit einem Massepotential verbunden sein, sodass die elektrische Verbindung jedes IDT zu dem Massepotential verbessert ist.
Es ist möglich, dass die ersten IDTs Eingang-IDTs sind und die zweiten IDTs Ausgang-IDTs sind.
Dementsprechend können die ersten IDTs galvanisch mit dem ersten Port verbunden sein, der der Eingangsport sein kann, und können die zweiten IDTs galvanisch mit dem zweiten Port verbunden sein, der der Ausgangsport sein kann.
Das DMS-Filter kann ferner eine TC(Temperature Compensation - Temperaturkompensation)-Struktur umfassen. Die TC-Struktur kann eine mehrschichtige TC-Struktur sein. Die mehrschichtige TC-Struktur kann ein TC-Material (TC: Temperaturkompensation) unterhalb des piezoelektrischen Materials, zwischen dem piezoelektrischen Material und der Elektrodenstruktur, zwischen Elementen der Elektrodenstruktur und/oder oberhalb der Elektrodenstruktur umfassen. Insbesondere kann die mehrschichtige TC-Struktur eine TC-Materialschicht oberhalb der Elektrodenstruktur und die Isolationsflecken innerhalb der Elektrodenstruktur umfassen. Es ist vorteilhaft, das TC-Material auch als dielektrisches Material zu verwenden, um die Isolationsflecken zum Bilden der Leitungskreuzungen darzustellen.
Ferner ist es möglich, dass das DMS-Filter ein TF-SAW-DMS-Filter (TF: Thin Film - Dünnfilm) ist.
In einem TF-SAW-DMS-Filter ist das piezoelektrische Material als ein piezoelektrischer Dünnfilm bereitgestellt. Der piezoelektrische Dünnfilm kann ein monokristallines Material sein. Jedoch ist es möglich, dass das piezoelektrische Material als ein polykristallines Material bereitgestellt ist.
Das piezoelektrische Dünnfilmmaterial kann unter Nutzung von Dünnfilmschichtabscheidungstechniken, wie etwa CVD (Chemical Vapor Deposition - chemischer Dampfphasenabscheidung), PVD (Physical Vapor Deposition - physikalischer Dampfphasenabscheidung), MBE (Molecular Beam Epitaxy - Molekularstrahlepitaxie), Sputtern und dergleichen, bereitgestellt werden. Ferner können Techniken, wie etwa „Smart-Cut“-Techniken oder Schleifen verwendet werden, um einen Dünnfilm aus einem monokristallinen Material zu erhalten.
Das piezoelektrische Material kann Aluminiumnitrid oder ein mit Scandium dotiertes Aluminiumnitrid, Lithiumtantalat, Lithiumniobat oder Quarz sein. Wenn ein monokristallines piezoelektrisches Material gewollt ist, dann können Lithiumtantalat und Lithiumniobat bevorzugt werden.
Es ist möglich, dass die oberen Metallstreifen (UMS: Upper Metal Strips) der ersten Zwischen-IDT-Verbindung (IIC1: Inter-IDT-Connection 1) und/oder der zweiten Zwischen-IDT-Verbindung (IIC2) die Isolationsflecken (IP: Insulating Patches) mit einer Überlappungsbreite o1 überlappen.
Es ist möglich, dass sich die inneren Metallstreifen (IMS) der dritten Zwischen-IDT-Verbindung (IIC3) und/oder der vierten Zwischen-IDT-Verbindung (IIC4) mit voller Breite auf den Isolationsflecken (IP) befinden.
Es ist möglich, dass der obere Metallstreifen (UMS) der ersten Zwischen-IDT-Verbindung (IIC1) den unteren Metallstreifen (LMS) der IIC1 vollständig bedeckt und/oder dass der obere Metallstreifen (UMS) der zweiten Zwischen-IDT-Verbindung (IIC2) den unteren Metallstreifen (LMS) der IIC2 vollständig bedeckt.
Es ist möglich, dass die Isolationsflecken (IP) die unteren Metallstreifen (LMS) nicht überlappen.
Es ist möglich, dass die Elektrodenstruktur die unteren Metallstreifen (LMS) nicht enthält.
Es ist möglich, dass die Isolationsflecken (IP) die ersten Verbindungen (C1) der ersten IDTs (IDT1) und die zweiten Verbindungen (C2) der zweiten IDTs (IDT2) überlappen.
Es ist möglich, dass die Isolationsflecken (IP) die ersten Sammelschienen (B1) oder die zweiten Sammelschienen (B2) nicht überlappen.
Ferner ist es möglich, dass das DMS-Filter Teil eines elektroakustischen Filters, wie etwa eines elektroakustischen HF-Filters, z. B. von einer Mobilkommunikationsvorrichtung, ist.
Ferner ist es möglich, dass ein entsprechendes elektroakustisches Filter Teil eines Multiplexers, z. B. eines Duplexers, eines Triplexer, eines Quadplexers oder eines Multiplexers einer höheren Ordnung, ist.
Insbesondere ist es möglich, dass das elektroakustische Filter ein Empfangsfilter einer Mobilkommunikationsvorrichtung ist.
Als ein Empfangsfilter einer Mobilkommunikationsvorrichtung, z. B. in einem Frontend-Schaltkreis, kann das elektroakustische Filter elektrisch zwischen einem gewöhnlichen Anschluss, z. B. einem Anschluss zu einer Antennenverbindung, und einem Verstärker mit geringem Rauschen verbunden sein.
Die Breite der oberen Metallstreifen der ersten und/oder der zweiten Zwischen-IDT-Verbindung kann zwischen 10 µm und 25 µm, z. B. 14 µm, betragen.
Die Breite der inneren Metallstreifen der dritten Zwischen-IDT-Verbindung und/oder der vierten Zwischen-IDT-Verbindung kann zwischen 8 µm und 20 µm, z. B. 10 µm, betragen. Ein transversaler Abstand zwischen der ersten Zwischen-IDT-Verbindung und dem inneren Metallstreifen der dritten Zwischen-IDT-Verbindung bzw. zwischen der zweiten Zwischen-IDT-Verbindung und dem inneren Metallstreifen der vierten Zwischen-IDT Verbindung kann zwischen 3 µm und 10 µm, z. B. 5 µm, betragen. Der Transversalabstand zwischen den inneren Metallstreifen und den Sammelschienen der IDTs kann zwischen 6 µm und 15 µm, z. B. 11 µm, betragen.
Die Längen der IDTs in der Longitudinalrichtung und die Breiten der IDTs, insbesondere die Apertur der IDTs, entlang der Transversalrichtung und die Anzahl an IDTs pro DMS-Filter können so gewählt werden, dass Spezifikationen, die einer Impedanzanpassung mit anderen Schaltkreiselementen des Filters betreffen, eingehalten werden können.
Es wird bevorzugt, die Fingerlängen der IDTs zu reduzieren, sodass die Summe aus elektrischen und akustischen Verlusten minimal ist.
Im Vergleich zu einem DMS-Filter mit neun IDTs stellt ein 11-IDT-Filter einen verbesserten Kompromiss zwischen Flächenverbrauch und Leistungsfähigkeit bereit. Außerdem können die IDTs ein erhöhtes Metallisierungsverhältnis η ≥ 0,5, eine erhöhte Dicke des Metalls in der vertikalen Richtung > 150 nm bzw. einen erhöhten Querschnitt der Finger aufweisen, um die Leitfähigkeit zu erhöhen.
Die Masse/Masse-Verbindungsordnung an den distalen Elektrodenfingern der IDTs reduziert kapazitive Kopplungen, was das Breitbandauswahlniveau des Filters erhöht.
Die Isolationsflecken können ein Siliciumoxid, z. B. ein Siliciumdioxid, oder ein organisches Material, wie BCB (Benzocyclobuten), umfassen oder daraus bestehen.
Das Filter kann ferner Verbindungspads zum elektrischen Verbinden der Elektrodenstruktur mit einer externen Schaltkreisumgebung umfassen. Verbindungspads zum Verbinden der Struktur mit einem Massepotential können zwei Pads umfassen, die auf gegenüberliegenden Seiten der akustischen Spur angeordnet sind, z. B. für eine Doppelmasseverbindung. Jedoch ist es möglich, ein einziges Verbindungspad für eine Verbindung mit Masse zu verwenden und eine entsprechende Leiterschleife von einer Seite der akustischen Spur zu der jeweiligen anderen Seite der akustischen Spur zu verwenden. Die Schleife kann die inneren Metallstreifen der DMS-Filterstruktur elektrisch verbinden.
Zentrale Aspekte, Funktionsprinzipien und Einzelheiten bevorzugter Ausführungsformen sind in den begleitenden schematischen Figuren gezeigt.
In den Figuren gilt:

1 zeigt ein 11-IDT-Filter, das wichtige Elemente in Form der ersten Metallschicht in einer Draufsicht veranschaulicht;
2 veranschaulicht eine Querschnitt durch einen IDT;
3 veranschaulicht die Orientierung der IDTs innerhalb der akustischen Spur mit Bezug auf die Transversalrichtung y;
4 veranschaulicht die Verwendung eines dielektrischen Materials zum Erzeugen von Leiterpfadkreuzungen;
5 veranschaulicht die Positionen der Elemente der ersten und der zweiten Zwischen-IDT-Verbindung und der dritten und vierten Zwischen-IDT-Verbindung;
6 veranschaulicht die Möglichkeit des Bereitstellens eines Materials einer TC-Schicht oberhalb der akustischen Spur, die auch für Leitungskreuzungen verwendet wird;
7 veranschaulicht einen Querschnitt, der die Position des Materials der TC-Schicht zeigt;
8 veranschaulicht die mehrschichtige Konstruktion der Elektrodenstruktur in einer vergrößerten Ansicht eines Querschnitts;
9a, 9b veranschaulichen Abstände entlang einer Transversalrichtung in einer Draufsicht eines vergrößerten Abschnitts; und
10 veranschaulicht die Verwendung des DMS-Filters in einem Duplexer.

1 veranschaulicht eine Draufsicht auf zentrale Elemente des DMS-Filters DMSF. Das DMS-Filter DMSF weist elf IDTs auf. Sechs IDTs sind erste IDTs IDT1. Fünf IDTs sind zweite IDTs IDT2. Sämtliche IDTs sind zwischen einem ersten akustischen Reflektor R1 und einen zweiten akustischen Reflektor R2 angeordnet. Die IDTs und die Reflektoren stellen eine lineare Anordnung her, die die akustische Spur des DMS-Filters definiert. Es ist möglich, dass jeder der zweiten IDTs IDT2 zwischen zwei ersten IDTs IDT1 angeordnet ist. Die distalen ersten IDTs IDT1 sind zwischen einem akustischen Reflektor und einen zweiten IDT IDT2 angeordnet.
Jeder der ersten IDTs ist elektrisch mit dem ersten Port P1 verbunden. Jeder der zweiten IDTs ist elektrisch mit dem zweiten Port P2 verbunden. Ein Referenzpotential beider Ports kann ein Massepotential sein. Die ersten IDTs sind mit dem ersten Port mittels ihrer ersten Sammelschiene B1 und einer ersten Verbindung C1 verbunden (vergleiche 3). Die zweiten IDTs sind mit dem zweiten Port mittels ihrer zweiten Sammelschiene B2 und einer zweiten Verbindung C2 verbunden. Die zweiten Verbindungen der ersten IDTs können elektrisch mit dem Massepotential verbunden sein und die ersten Verbindungen C1 der zweiten IDTs können ebenfalls elektrisch mit dem Massepotential verbunden sein. Die zweidimensionale Grundfläche der IDTs und/oder der Leitersegmente, die die IDTs mit HF-Signalen versorgen, können eine Symmetrie mit einer Symmetrielinie SL aufweisen, die sich entlang der Ausdehnungsrichtung der Elektrodenfinger erstreckt und den zweiten IDT durchdringt.
Wenn dreidimensionale Strukturen betroffen sind, dann entspricht die Symmetrielinie SL einer Spiegelebene, die senkrecht zu der Ausbreitungsrichtung der akustischen Wellen x ist. Die Transversalrichtung ist durch y bezeichnet.
1 zeigt eine mögliche Metallstruktur der DMS-Struktur, die in einer ersten Schicht L1 der mehrschichtigen Konstruktion der Elektrodenstruktur hergestellt ist (vergleiche 5 und 8).
2 zeigt einen Querschnitt, der die mehrschichtige Konstruktion der Elektrodenstruktur veranschaulicht. Insbesondere veranschaulicht 2 einen Querschnitt AA, der einer in 5 veranschaulichten Position AA entspricht. Die Elektrodenstruktur ES ist auf einem piezoelektrischen Material PM angeordnet. Das piezoelektrische Material PM kann auf einem Trägersubstrat CS angeordnet sein. Die Elektrodenstruktur ES mit ihrer mehrschichtigen Konstruktion MLC umfasst eine erste Zwischen-IDT-Verbindung IIC1 und eine zweite Zwischen-IDT-Verbindung IIC2. Die erste Zwischen-IDT-Verbindung IIC1 kann einen unteren Metallstreifen LMS und einen oberen Metallstreifen UMS aufweisen. Die zweite Zwischen-IDT-Verbindung kann einen unteren Metallstreifen LMS und einen oberen Metallstreifen UMS aufweisen. Der LMS kann aus einer ersten fotolithografisch erzeugten Metallschicht L1 bestehen und der UMS kann aus einer dritten fotolithografisch erzeugten Metallschicht L3 bestehen.
Der LMS kann weggelassen werden, um die Größe der MLC weiter zu reduzieren, falls der UMS mit einer ausreichend hohen elektrischen Leitfähigkeit vorhanden ist.
Ferner kann die Elektrodenstruktur ES eine dritte Zwischen-IDT-Verbindung IIC3 und eine vierte Zwischen-IDT-Verbindung IIC4 aufweisen. Die erste und die zweite Zwischen-IDT-Verbindung IIC1, IIC2 können bereitgestellt werden, um ein HF-Signal von dem ersten Port zu dem DMS und von dem DMS zu dem zweiten Port zu leiten. Die dritte Zwischen-IDT-Verbindung und die vierte Zwischen-IDT-Verbindung IIC3, IIC4 können bereitgestellt werden, um die Verbindung mit dem Massepotential ermöglichen. Um die Masseverbindung elektrisch von dem Eingangsport und dem Ausgangsport zu trennen, ist das dielektrische Material DM in der Form von Isolationsflecken IP in einer zweiten dielektrischen Schicht L2 zwischen den unteren Metallleitern C1 und den inneren Metallstreifen der dritten Zwischen-IDT-Verbindung IIC3 bereitgestellt.
Um den Flächenverbrauch und daher die Größe der Konstruktion zu minimieren, während das Risiko von Verbindungsfehlern der fotolithografisch erzeugten mehrschichtigen Struktur MLC mit inhärenten Fehlausrichtungstoleranzen zwischen den Schichten minimiert wird, überlappt IIC1-UMS teilweise die Isolationsflecken IP des dielektrischen Materials DM. 3 veranschaulicht die Orientierung der IDTs, d. h. die Position der ersten Sammelschienen B1 und der ersten Verbindungen C1 und der zweiten Sammelschienen B2 und der zweiten Verbindungen C2 mit Bezug auf die Positionen des ersten Ports und des zweiten Ports. Die ersten Verbindungen C1 der ersten IDTs IDT1 verbinden den ersten Port P1 und die ersten Sammelschienen B1 der ersten IDTs elektrisch. Die zweiten Verbindungen C2 der zweiten IDTs IDT2 verbinden den zweiten Port P2 und die zweiten Sammelschienen B2 der zweiten IDTs elektrisch. Die zweiten Verbindungen C2 der ersten IDTs IDT1 und die ersten Verbindungen C1 der zweiten IDTs IDT2 sind elektrisch mit einem Massepotential verbunden.
4 veranschaulicht die Positionen der Isolationsflecken IP, die das dielektrische Material DM umfassen und daraus bestehen, an den Stellen der Leiterkreuzungen, um einen elektrischen Kurzschluss zwischen Leitern, die elektrisch mit Masse verbunden sind, und Leitern, die elektrisch mit dem ersten bzw. zweiten Port verbunden sind, zu verhindern. Die Isolationsflecken können aus einem zweiten fotolithografischen Prozess erzeugt werden, der eine zweite dielektrische Schicht L2 strukturiert. Bevorzugt können zum Reduzieren der Größe die Isolationsflecken nur die Verbindungen C1, C2, aber nicht die Sammelschienen B1, B2 und die unteren Metallstreifen LMS-IIC1, -IIC2 überlappen.
Entsprechend veranschaulicht 5 die Positionen der inneren Metallstreifen IMS der dritten Zwischen-IDT-Verbindung IIC3 und der vierten Zwischen-IDT-Verbindung IIC4. Ferner sind die Positionen der unteren Metallstreifen LMS und der oberen Metallstreifen UMS der ersten und der zweiten Zwischen-IDT-Verbindung IIC1, IIC2 ebenfalls gezeigt. Der IIC1-UMS, IIC2-UMS, IIC3-IMS und IIC4-IMS können in einem dritten fotolithografischen Prozess erzeugt werden, der eine dritte Metallschicht L3 strukturiert. Typischerweise umfasst L3 eine dicke gut leitende Metallschicht, um Verluste aufgrund von ohmschem Widerstand zu minimieren. Die lateralen Positionen (y) der unteren Metallstreifen und der oberen Metallstreifen einer Zwischen-IDT-Verbindung IIC stimmen im Wesentlichen überein. Jedoch ist es möglich, dass die inneren Metallstreifen und die oberen Metallstreifen in der gleichen vertikalen Ebene angeordnet sind und aus einem Material der gleichen Schicht L3 bestehen, was die Herstellungsschritte vereinfacht.
Die Position AA veranschaulicht die Stelle des in 2 gezeigten Querschnitts.
6 veranschaulicht die Möglichkeit des Anordnens von Material einer TC-Schicht TCL oberhalb der akustischen Spur. Das Material der TC-Schicht umfasst einen rechteckigen Hauptflecken RMP und einen rechteckigen kleineren Flecken RSP pro IDT. Der rechteckige kleinere Fleck RSP nimmt zusätzlich die Rolle des DM, IP aus 4, an und ermöglicht somit die Leitungskreuzung ohne die Notwendigkeit für eine zusätzliche dielektrische Schicht.
7 veranschaulicht einen Querschnitt des Materialsystems bei der in 6 gezeigten Stelle BB. Das Material der TC-Schicht TCL ist oberhalb des Materials der Elektrodenfinger EF angeordnet.
8 veranschaulicht die Schichtkonstruktion der Elektrodenstruktur, die die erste Schicht L1, in der die Elektrodenfinger strukturiert sein können, die zweite Schicht L2, die das dielektrische Material der Isolationsflecken und vorteilhafterweise gleichzeitig die TC-Funktion umfasst, und die dritte Schicht L3, die die oberen Metallstreifen und die inneren Metallstreifen umfasst, umfasst. Die erste Schicht kann direkt auf dem piezoelektrischen Material PM angeordnet sein. Das piezoelektrische Material kann auf einem Trägersubstrat CS angeordnet sein.
Jedoch ist es auch möglich, dass weiteres Material einer TC-Schicht zwischen dem Trägersubstrat CS in dem piezoelektrischen Material und/oder zwischen dem piezoelektrischen Material PM und der ersten Schicht L1 oder oberhalb der dritten Schicht oder oberhalb der ersten Schicht angeordnet ist.
9a veranschaulicht charakteristische Entfernungen in der lateralen Richtung y. d1 bezeichnet den Abstand zwischen der lateralen Außenposition der Sammelschienen der IDTs und der dritten Zwischen-IDT-Verbindung IIC3. d3 bezeichnet den Transversalabstand zwischen dem oberen Metallstreifen und dem inneren Metallstreifen. w2 bezeichnet die Breite des inneren Metallstreifens. w4 bezeichnet die Breite des oberen Metallstreifens, o1 bezeichnet die Überlappung zwischen dem oberen Metallstreifen und den Isolationsflecken. Die Isolationsflecken IP aus dem dielektrischen Material DM überlappen wenigstens teilweise den oberen Metallstreifen UMS.
9b veranschaulicht charakteristische Entfernungen in der lateralen Richtung y. d1 bezeichnet den Abstand zwischen der lateralen Außenposition der Sammelschienen der IDTs und der dritten Zwischen-IDT-Verbindung IIC3. d3 bezeichnet den Transversalabstand zwischen dem oberen Metallstreifen und dem inneren Metallstreifen. w2 bezeichnet die Breite des inneren Metallstreifens. w4 bezeichnet die Breite des oberen Metallstreifens. o1 bezeichnet die Überlappung zwischen dem oberen Metallstreifen und den Isolationsflecken. Die Isolationsflecken IP aus dem dielektrischen Material DM überlappen nicht den unteren Metallstreifen LMS der ersten Zwischen-IDT-Verbindung IIC1, aber - wenigstens teilweise - den oberen Metallstreifen UMS.
Im Vergleich zu der in 9a gezeigten Elektrodenstruktur weisen die Isolationsflecken IP aus dem dielektrischen Material DM eine reduzierte Ausdehnung in der Transversalrichtung auf.
10 veranschaulicht eine grundlegende Schaltkreistopologie eines Duplexers DU. Der Duplexer DU umfasst ein Übertragungsfilter TXF und ein Empfangsfilter RXF. Das Übertragungsfilter TXF ist üblicherweise zwischen einem Übertragungsport und einem Antennenport, der mit einer Antenne AN verbunden ist, verbunden. Das Empfangsfilter RXF ist typischerweise zwischen einem Empfangsport und dem Antennenport verbunden. Das Übertragungsfilter TXF und das Empfangsfilter RXF basieren auf einer abzweigtypartigen Schaltkreistopologie, die einen Signalpfad mit Reihenresonatoren SR, die elektrisch in Reihe zwischen einem Eingangsport und einem Ausgangsport verbunden sind, aufweist. Ferner umfassen Parallelpfade Parallelresonatoren PR, die den Signalpfad elektrisch mit einem Massepotential verbinden.
Um die frequenzabhängigen Impedanzen des Empfangsfilters RXF, des Übertragungsfilters TXF und/oder der Antenne anzupassen, kann ein Impedanzanpassungsschaltkreis IMC zwischen dem Übertragungsfilter TXF und dem Empfangsfilter RXF, z. B. an dem Antennenport, verbunden sein.
Zwischen der abzweigtyparteigen Schaltkreistopologie des Empfangsfilters RXF und dem Filterausgangsport ist ein DMS-Filter DMSF angeordnet und elektrisch verbunden.
Für das Empfangsfilter RXF stellt die abzweigtypartige Topologie eine gute Leistungsbeständigkeit bereit und das DMS-Filter DMSF verbessert die Isolation und Auswahlniveaus, während Platzanforderungen des Chips reduziert werden.
Bezugszeichenliste

AN:: Antenne
B1, B2:: erste, zweite Sammelschiene eines IDT
C1, C2:: erste, zweite Verbindung eines IDT
CS:: Trägersubstrat
d1, d3:: Abstände
DM:: dielektrisches Material
DMSF:: DMS-Filter
DU:: Duplexer
EF:: Elektrodenfinger
ES:: Elektrodenstruktur
IDT:: Interdigitalwandler
IDT1:: erster IDT
IDT2:: zweiter Interdigitalwandler
IIC1, IIC2:: erste, zweite Zwischen-IDT-Verbindung
IIC3, IIC4:: dritte, vierte Zwischen-IDT-Verbindung
IMC:: Impedanzanpassungsschaltkreis
IMP:: innerer Metallstreifen
IP:: Isolationsfleck
L1, L2, L3:: erste, zweite, dritte Schicht
LMS:: unterer Metallstreifen
R1:: erster akustischer Reflektor
R2:: zweiter akustischer Reflektor
MLC:: mehrschichtige Konstruktion
o1, o2:: Überlappungsbreiten
P1:: erster Port
P2:: zweiter Port
PM:: piezoelektrisches Material
PR:: Parallelresonator
RMP:: rechteckiger Hauptfleck
RSP:: rechteckiger kleiner Fleck
RXF:: Empfangsfilter
SL:: Symmetrielinie
SR:: Reihenresonator
TCL:: TC-Schicht (Temperaturkompensation)
TXF:: Übertragungsfilter
UMS:: oberer Metallstreifen
w2, w4:: Streifenbreiten
x:: Ausbreitungsrichtung der SAW
y:: Transversalrichtung
z:: vertikale Richtung

Claims

11-IDT-DMS-Filter, das Folgendes umfasst: - einen ersten Port und einen zweiten Port, - einen ersten akustischen Reflektor und einen zweiten akustischen Reflektor, - 6 erste IDTs und 5 zweite IDTs, wobei alle 11 IDTs zwischen dem ersten und dem zweiten akustischen Reflektor angeordnet sind, wobei - die ersten IDTs elektrisch mit dem ersten Port verbunden sind, - die zweiten IDTs elektrisch mit dem zweiten Port verbunden sind.

11-IDT-DMS-Filter nach dem vorhergehenden Anspruch, das ferner eine erste Zwischen-IDT-Verbindung und eine zweite Zwischen-IDT-Verbindung umfasst, wobei - jeder IDT eine erste Sammelschiene und eine erste Verbindung und eine zweite Sammelschiene und eine zweite Verbindung aufweist, - die ersten Sammelschienen der ersten IDTs elektrisch über die erste Zwischen-IDT-Verbindung verbunden sind, - die zweiten Sammelschienen der zweiten IDTs elektrisch über die zweite Zwischen-IDT-Verbindung verbunden sind.

11-IDT-DMS-Filter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste und die zweite Zwischen-IDT-Verbindung einen unteren Metallstreifen und einen oberen Metallstreifen umfassen.

11-IDT-DMS-Filter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das ferner Folgendes umfasst: - eine dritte Zwischen-IDT-Verbindung und eine vierte Zwischen-IDT-Verbindung, wobei sowohl die dritte Zwischen-IDT-Verbindung als auch die vierte Zwischen-IDT-Verbindung einen inneren Metallstreifen umfassen.

11-IDT-DMS-Filter nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei - die dritte Zwischen-IDT-Verbindung die ersten Sammelschienen und Verbindungen der zweiten Wandler elektrisch verbindet, und - die vierte Zwischen-IDT-Verbindung die zweiten Sammelschienen und Verbindungen der ersten Wandler elektrisch verbindet.

11-IDT-DMS-Filter nach einem der zwei vorhergehenden Ansprüche, das ferner Folgendes umfasst: - Isolationsflecken zwischen der dritten Zwischen-IDT-Verbindung und den ersten Verbindungen der ersten IDTs, und - Isolationsflecken zwischen der vierten Zwischen-IDT-Verbindung und den zweiten Verbindungen der zweiten IDTs.

11-IDT-DMS-Filter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei jeder zweite IDT zwischen zwei ersten IDTs in einer linearen Anordnung angeordnet ist.

11-IDT-DMS-Filter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Grundfläche der IDTs eine Symmetrie mit Bezug auf eine Symmetrielinie senkrecht zu einer SAW-Ausbreitungssrichtung aufweist.

11-IDT-DMS-Filter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die ersten IDTs Eingang-IDTs sind und die zweiten IDTs Ausgang-IDTs sind.

11-IDT-DMS-Filter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das ferner eine mehrschichtige TCF-Struktur umfasst.

11-IDT-DMS-Filter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der ein TF-SAW-DMS-Filter ist.

Elektroakustisches Filter, das ein 11-IDT-DMS-Filter nach einem der vorhergehenden Ansprüche umfasst.

Multiplexer, der das elektroakustische Filter nach dem vorhergehenden Anspruch umfasst.