DE112011103586B4

DE112011103586B4 - Demultiplexer für elastische Wellen

Info

Publication number: DE112011103586B4
Application number: DE112011103586.1T
Authority: DE
Inventors: Yuichi Takamine
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2010-10-26
Filing date: 2011-06-29
Publication date: 2017-05-18
Anticipated expiration: 2031-06-30
Also published as: JPWO2012056767A1; US9013247B2; DE112011103586T5; US20130214873A1; CN103181078B; CN103181078A; WO2012056767A1; JP4905614B1

Abstract

Demultiplexer für elastische Wellen, umfassend: einen Filterchip (19) für elastische Wellen, der eine Filtereinheit (15A1, ..., 15A4) für elastische Wellen mit längsgekoppeltem Resonator enthält, die ein piezoelektrisches Substrat und mehrere IDT-Elektroden, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet sind, enthält, und ein Verdrahtungssubstrat (10), das eine Chipbefestigungsfläche (10a) und eine Rückseite (10b) aufweist, bei dem der Filterchip (19) für elastische Wellen auf der Chipbefestigungsfläche (10a) montiert ist und das enthält: eine Kontaktfleckelektrodenschicht (47), die mehrere Kontaktfleckelektroden (47a, ..., 47l) enthält, eine rückseitige Anschlussschicht (44), die mehrere Anschlüsse (21, 22a, 22b, 24, 25) enthält, mehrere Zwischenelektrodenschichten (45, 46), die mehrere Verdrahtungselektroden (45a, ..., 45j; 46a, ..., 46j) enthalten, und mindestens drei Dielektrikumschichten (41, 42, 43), wobei die mehreren Kontaktfleckelektroden (47a, ..., 47l) auf der Chipbefestigungsfläche (10a) ausgebildet sind und mit dem Filterchip (19) für elastische Wellen verbunden sind, wobei die mehreren Anschlüsse (21, 22a, 22b, 24, 25) auf der Rückseite (10b) ausgebildet sind, wobei die mehreren Kontaktfleckelektroden mit den mehreren Anschlüssen (21, 22a, 22b, 24, 25) über die mehreren Verdrahtungselektroden (45a, ..., 45j; 46a, ..., 46j) verbunden sind, wobei die Dielektrikumschichten (41, 42, 43) zwischen zwei der Kontaktfleckelektrodenschicht (47), der mehreren Zwischenelektrodenschichten (45, 46) und der rückseitigen Anschlussschicht (44) angeordnet sind und die Dielektrikumschichten (41, 42, 43) mehrere Durchkontaktelektroden (51a, ..., 51l; 52a, ..., 52l; 53a, ..., 53j) enthalten, die mit den mehreren Kontaktfleckelektroden ((47a, ..., 47l), den mehreren Verdrahtungselektroden (45a, ..., 45j; 46a, ..., 46j) und den mehreren Anschlüssen (21, 22a, 22b, 24, 25) verbunden sind, wobei die mehreren Anschlüsse (21, 22a, 22b, 24, 25) einen Erdungsanschluss (25) enthalten, der geerdet ist, ...

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft Demultiplexer für elastische Wellen. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Chip-Size-Package(CSP)-Demultiplexer für elastische Wellen, der einen Filterabschnitt mit längsgekoppeltem Resonator für elastisches Wellen enthält.
STAND DER TECHNIK
Zum Beispiel enthalten Kommunikationsgeräte, wie zum Beispiel Mobiltelefone, die Code Division Multiple Access (CDMA) unterstützen, einschließlich des Universal Mobile Telecommunications System (UMTS), Duplexer, die in ihren Hochfrequenz(HF)-Schaltkreisen installiert sind, um gleichzeitig das Übertragen und Empfangen von Signalen auszuführen. Ein solcher Duplexer ist ein Demultiplexer, der ein Sendefilter, ein Empfangsfilter und einen Anpassungsschaltkreis enthält. Der Duplexer muss einen geringen Einfügungsverlust innerhalb des Durchlassbandes und eine große Dämpfung nahe dem Durchlassband sowohl in dem Sendefilter als auch dem Empfangsfilter aufweisen.
Bisher sind Oberflächenschallwellen-Duplexer, deren Sendefilter und Empfangsfilter aus Oberflächenschallwellenfiltern bestehen, in der Praxis eingesetzt worden. Die Empfangsfilter in den Duplexern mussten in den vergangenen Jahren eine Balun-Funktion haben, um auf Baluns in HF-Schaltkreisen in Mobiltelefonen verzichten zu können. Dementsprechend werden Oberflächenschallwellen-Duplexer, deren Empfangsfilter aus symmetrischen Oberflächenschallwellenfiltern mit längsgekoppeltem Resonator mit einer Symmetrisch-zu-Asymmetrisch-Umwandlungsfunktion bestehen, in den HF-Schaltkreisen in den Mobiltelefonen installiert (zum Beispiel JP 2003-249842 A ).
Die US 2003/0085774 A1 zeigt einen Demultiplexer nach dem Oberbegriff von Anspruch 1. Die US 2008/0284540 A1 lehrt, die Form von Erdungsfleckelektroden und die Position und Anzahl zugehöriger Durchgangskontakte zur Einstellung von Werten von Resonatorinduktivitäten in einem Demultiplexer geeignet auszulegen.
KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
Technisches Problem
Demultiplexer, wie zum Beispiel Duplexer, müssen in Kommunikationsgeräten, wie zum Beispiel Mobiltelefonen, verkleinert werden, um ihre HF-Schaltkreise verkleinern zu können. Als kompakte Demultiplexer sind CSP-Demultiplexer für elastische Wellen bekannt. In den CSP-Demultiplexern für elastische Wellen werden Filterchips für elastische Wellen auf Verdrahtungssubstraten flipflopmontiert, und die Filterchips für elastische Wellen werden mit Vergießharz vergossen.
Bei den CSP-Demultiplexern für elastische Wellen können Induktionsspulen, die in ihren Sendefiltern und Empfangsfiltern verwendet werden, Induktionsspulen und Verzögerungsleitungen, die ihre Anpassungsschaltkreise bilden, und so weiter auf den Verdrahtungssubstraten ausgebildet werden, um die Filterkennlinien des Sendefilters und der Empfangsfilter zu verbessern. Oder anders ausgedrückt: Die Induktionsspulen und die Verzögerungsleitungen können aus Verdrahtungen gebildet werden, die auf der Oberfläche der Verdrahtungssubstrate angeordnet sind oder in den Verdrahtungssubstraten angeordnet sind.
Wenn jedoch die Induktionsspulen und die Verzögerungsleitungen auf oder in den Verdrahtungssubstraten ausgebildet werden, so kann es zum Beispiel zu einer elektrischen Kopplung in den Verdrahtungssubstraten kommen, und/oder das Sendefilter und die Empfangsfilter können schlecht geerdet sein. Wenn das Sendefilter und die Empfangsfilter schlecht geerdet sind, so können Signale außerhalb der Durchlassbänder, die in die Erde fließen sollten, nur schwer in die Erde fließen. Infolge dessen verschlechtern sich die Dämpfungen außerhalb der Durchlassbänder in den Sendefiltern und den Empfangsfiltern, wodurch die Isolationseigenschaften der Demultiplexer für elastische Wellen verschlechtert werden.
Insbesondere ist es wahrscheinlich, daß sich die Dämpfungen außerhalb der Durchlassbänder in den Oberflächenschallwellenfiltern mit längsgekoppeltem Resonator – verglichen mit Oberflächenschallwellen-Abzweigfiltern – verschlechtern, wenn die Erdung schlecht ist. Dementsprechend ist es wahrscheinlich, daß sich die Isolation speziell in den Oberflächenschallwellenfiltern verschlechtert, die mit dem Oberflächenschallwellenfilter mit längsgekoppeltem Resonator als ihren Empfangsfiltern arbeiten.
Um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung einen Demultiplexer für elastische Wellen mit ausgezeichneten Isolationseigenschaften bereit.
Lösung des Problems
Die vorliegende Erfindung stellt einen Demultiplexer für elastische Wellen bereit, der einen Filterchip für elastische Wellen und ein Verdrahtungssubstrat enthält. Der Filterchip für elastische Wellen enthält eine Filtereinheit für elastische Wellen mit längsgekoppeltem Resonator. Die Filtereinheit für elastische Wellen mit längsgekoppeltem Resonator enthält ein piezoelektrisches Substrat und mehrere IDT-Elektroden. Die mehreren IDT-Elektroden sind auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet. Das Verdrahtungssubstrat hat eine Chipbefestigungsfläche und eine Rückseite. Der Filterchip für elastische Wellen ist auf der Chipbefestigungsfläche montiert. Das Verdrahtungssubstrat enthält eine Kontaktfleckelektrodenschicht, die mehrere Kontaktfleckelektroden enthält, eine rückseitige Anschlussschicht, die mehrere Anschlüsse enthält, mehrere Zwischenelektrodenschichten, die mehrere Verdrahtungselektroden enthalten, und mindestens drei Dielektrikumschichten. Die mehreren Kontaktfleckelektroden sind auf der Chipbefestigungsfläche ausgebildet. Die mehreren Kontaktfleckelektroden sind mit dem Filterchip für elastische Wellen verbunden. Die mehreren Anschlüsse sind auf der Rückseite ausgebildet. Die mehreren Kontaktfleckelektroden sind mit den mehreren Anschlüssen über die mehreren Verdrahtungselektroden verbunden. Die Dielektrikumschichten sind zwischen zwei der Kontaktfleckelektrodenschichten, der mehreren Zwischenschichten und der rückseitigen Anschlussschicht angeordnet. Die Dielektrikumschichten enthalten mehrere Durchkontaktelektroden, die mit jeder der mehreren Kontaktfleckelektroden, der mehreren Verdrahtungselektroden und der mehreren Anschlüsse verbunden sind. Die mehreren Anschlüsse enthalten einen Erdungsanschluss, der geerdet ist. Die mehreren Kontaktfleckelektroden enthalten Erdungskontaktfleckelektroden, die mit dem Erdungsanschluss verbunden sind. Die mehreren Verdrahtungselektroden enthalten mehrere Erdungsverdrahtungselektroden, über die der Erdungsanschluss mit den Erdungskontaktfleckelektroden verbunden ist. Die mehreren Durchkontaktelektroden enthalten erste Erdungsdurchkontaktelektroden, zweite Erdungsdurchkontaktelektroden und eine dritte Erdungsdurchkontaktelektrode. Die Erdungsverdrahtungselektroden sind über die ersten Erdungsdurchkontaktelektroden miteinander verbunden. Die Erdungsverdrahtungselektroden sind über die zweiten Erdungsdurchkontaktelektroden mit den Erdungskontaktfleckelektroden verbunden. Die Erdungsverdrahtungselektroden sind über die dritte Erdungsdurchkontaktelektrode mit. dem Erdungsanschluss verbunden. Die Anzahl der ersten Erdungsdurchkontaktelektroden ist größer als die Anzahlen der zweiten und dritten Erdungsdurchkontaktelektroden.
In einem konkreten Aspekt des Demultiplexers für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung enthält der Demultiplexer für elastische Wellen ein Sendefilter und ein Empfangsfilter. Das Empfangsfilter besteht aus der Filtereinheit für elastische Wellen mit längsgekoppeltem Resonator.
In einem weiteren konkreten Aspekt des Demultiplexers für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Filtereinheit für elastische Wellen mit längsgekoppeltem Resonator eine symmetrische Filtereinheit für elastische Wellen mit längsgekoppeltem Resonator mit einer Symmetrisch-zu-Asymmetrisch-Umwandlungsfunktion.
In einem weiteren konkreten Aspekt des Demultiplexers für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung bestehen die Dielektrikumschichten aus Harz.
In der vorliegenden Erfindung beinhaltet ”Harz” auch Harz, das Füllstoffe oder ein Faserelement enthält. Zum Beispiel beinhaltet das Harz auch Glasepoxidharz.
Nutzeffekte der Erfindung
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Anzahl der ersten Erdungsdurchkontaktelektroden größer als die Anzahlen der zweiten und dritten Erdungsdurchkontaktelektroden. Dementsprechend ist es möglich, die Isolationseigenschaften des Demultiplexers für elastische Wellen zu verbessern.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein Schaltbild eines Duplexers gemäß einer Ausführungsform, welche die vorliegende Ausführungsform ausführt.
2 ist eine schematische Querschnittsansicht des Duplexers gemäß der Ausführungsform, welche die vorliegende Ausführungsform ausführt.
3 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer vierten Elektrodenschicht und einer dritten Dielektrikumschicht eines Verdrahtungssubstrats in dem Duplexer gemäß der Ausführungsform, welche die vorliegende Ausführungsform ausführt.
4 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer dritten Elektrodenschicht und einer zweiten Dielektrikumschicht des Verdrahtungssubstrats in dem Duplexer gemäß der Ausführungsform, welche die vorliegende Ausführungsform ausführt.
5 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer zweiten Elektrodenschicht und einer ersten Dielektrikumschicht des Verdrahtungssubstrats in dem Duplexer gemäß der Ausführungsform, welche die vorliegende Ausführungsform ausführt.
6 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer ersten Elektrodenschicht des Verdrahtungssubstrats in dem Duplexer gemäß der Ausführungsform, welche die vorliegende Ausführungsform ausführt.
7 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer vierten Elektrodenschicht und einer dritten Dielektrikumschicht eines Verdrahtungssubstrats in einem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1.
8 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer dritten Elektrodenschicht und einer zweiten Dielektrikumschicht des Verdrahtungssubstrats in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1.
9 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer zweiten Elektrodenschicht und einer ersten Dielektrikumschicht des Verdrahtungssubstrats in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1.
10 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer ersten Elektrodenschicht des Verdrahtungssubstrats in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1.
11 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer vierten Elektrodenschicht und einer dritten Dielektrikumschicht eines Verdrahtungssubstrats in einem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2.
12 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer dritten Elektrodenschicht und einer zweiten Dielektrikumschicht des Verdrahtungssubstrats in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2.
13 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer zweiten Elektrodenschicht und einer ersten Dielektrikumschicht des Verdrahtungssubstrats in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2.
14 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht einer ersten Elektrodenschicht des Verdrahtungssubstrats in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2.
15 ist ein Kurvendiagramm, das eine Differenzialcharakteristik eines Duplexers eines Beispiels und die Differenzialcharakteristik des Duplexers von Vergleichsbeispiel 1 zeigt.
16 ist ein Kurvendiagramm, das einen ersten Asymmetriemodus des Duplexers des Beispiels und den ersten Asymmetriemodus des Duplexers von Vergleichsbeispiel 1 zeigt.
17 ist ein Kurvendiagramm, das einen zweiten Asymmetriemodus des Duplexers des Beispiels und den zweiten Asymmetriemodus des Duplexers von Vergleichsbeispiel 1 zeigt.
18 ist ein Kurvendiagramm, das die Differenzialcharakteristik des Duplexers des Beispiels und die Differenzialcharakteristik des Duplexers von Vergleichsbeispiel 2 zeigt.
19 ist ein Kurvendiagramm, das den ersten Asymmetriemodus des Duplexers des Beispiels und den ersten Asymmetriemodus des Duplexers von Vergleichsbeispiel 2 zeigt.
20 ist ein Kurvendiagramm, das den zweiten Asymmetriemodus des Duplexers des Beispiels und den zweiten Asymmetriemodus des Duplexers von Vergleichsbeispiel 2 zeigt.
BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
Im vorliegenden Text werden bevorzugte Ausführungsformen beschrieben, welche die vorliegende Erfindung ausführen, wobei wir einen Duplexer 1, der in 1 und 2 gezeigt ist, als ein Beispiel nehmen. Der Duplexer 1 ist ein Oberflächenschallwellen-Demultiplexer einer ersten Art. Jedoch ist der Duplexer 1 nur ein Beispiel. Der Demultiplexer für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung ist nicht auf den Duplexer 1 beschränkt. Der Demultiplexer für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung kann auch ein anderer Demultiplexer als der Duplexer sein, wie zum Beispiel ein Triplexer. Alternativ kann der Demultiplexer für elastische Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung ein Grenzschallwellen-Demultiplexer sein, der mit Grenzschallwellen arbeitet.
Der Duplexer 1 der vorliegenden Ausführungsform ist in einem HF-Schaltkreis beispielsweise eines Mobiltelefons installiert, das CDMA unterstützt, einschließlich UMTS. Genauer gesagt, unterstützt der Duplexer 1 UMTS-Band 2. Das Sendefrequenzband des UMTS-Bandes 2 liegt innerhalb von 1.850 MHz bis 1.910 MHz, und sein Empfangsfrequenzband liegt innerhalb von 1.930 MHz bis 1.990 MHz.
1 ist ein Schaltbild des Duplexers 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Die Schaltkreiskonfiguration des Duplexers 1 wird nun mit Bezug auf 1 beschrieben.
Wie in 1 gezeigt, enthält der Duplexer 1 einen Antennenanschluss 21, der mit einer Antenne verbunden ist, einen Sendeanschluss 24 und einen ersten und einen zweiten Empfangsanschluss 22a bzw. 22b. Ein Sendefilter 14 ist zwischen dem Antennenanschluss 21 und der Sendeanschluss 24 verbunden. Ein Empfangsfilter 15 ist zwischen dem Antennenanschluss 21 und dem ersten und dem zweiten Empfangsanschluss 22a bzw. 22b verbunden. Ein Anpassungsschaltkreis, der eine Induktionsspule L1 enthält, ist zwischen dem Verbindungspunkt zwischen dem Sendefilter 14 und dem Empfangsfilter 15 und dem Antennenanschluss 21 und Erde verbunden.
Das Sendefilter 14 enthält einen Ausgangsanschluss 14a, einen Eingangsanschluss 14b und eine Oberflächenschallwellen-Abzweigfiltereinheit 14A. Der Ausgangsanschluss 14a ist mit dem Antennenanschluss 21 verbunden. Der Eingangsanschluss 14b ist mit dem Sendeanschluss 24 verbunden. Die Oberflächenschallwellen-Abzweigfiltereinheit 14A ist zwischen dem Ausgangsanschluss 14a und dem Eingangsanschluss 14b verbunden. Die Oberflächenschallwellen-Abzweigfiltereinheit 14A enthält einen Serienarm 33, über den der Ausgangsanschluss 14a mit dem Eingangsanschluss 14b verbunden ist. In dem Reihenarm 33 sind Reihenarmresonatoren S1, S2 und S3 miteinander in Reihe geschaltet. Jeder der Reihenarmresonatoren S1, S2 und S3 besteht aus mehreren Oberflächenschallwellenresonatoren, die als ein Resonator fungieren. Die Reihenarmresonatoren S1, S2 und S3, die jeweils aus den mehreren Oberflächenschallwellenresonatoren in der oben beschriebenen Weise zusammengesetzt sind, ermöglichen eine Verbesserung der Stromverarbeitungsfähigkeit des Sendefilters 14. Jeder der Reihenarmresonatoren S1, S2 und S3 kann jedoch auch aus einem einzigen Oberflächenschallwellenresonator bestehen.
Die Oberflächenschallwellen-Abzweigfiltereinheit 14A enthält Parallelarme 37 bis 39, die zwischen dem Reihenarm 33 und Erde verbunden sind. Die Parallelarme 37, 38 und 39 enthalten Parallelarmresonatoren P1, P2 bzw. P3. Jeder der Parallelarmresonatoren P1, P2 und P3 besteht aus mehreren Oberflächenschallwellenresonatoren, die als ein Resonator fungieren. Die Parallelarmresonatoren P1, P2 und P3 sind jeweils aus mehreren Oberflächenschallwellenresonatoren in der oben beschriebenen Weise zusammengesetzte, um die Stromverarbeitungsfähigkeit des Sendefilters 14 zu verbessern. Jeder der Parallelarmresonatoren P1, P2 und P3 kann jedoch auch aus einem einzigen Oberflächenschallwellenresonator bestehen.
Eine Induktionsspule L2 ist zwischen den Parallelarmresonatoren P1 und P2 und Erde verbunden. Eine Induktionsspule L3 ist zwischen dem Parallelarmresonator P3 und Erde verbunden.
Das Sendefilter 14 enthält einen LC-Resonanzkreis, der einen Kondensator C1 und eine Induktionsspule L4 enthält. Der Kondensator C1 und die Induktionsspule L4 sind zwischen dem Eingangsanschluss 14b und dem Sendeanschluss 24 in Reihe geschaltet. Der Kondensator C1 ist mit der Induktionsspule L4 parallel geschaltet. Dieser LC-Resonanzkreis bildet einen Dämpfungspol auf der höherfrequenten Seite des Durchlassbandes des Sendefilters 14. Das Vorhandensein des Kondensators C1 und der Induktionsspule L4 bewirkt eine Impedanzanpassung in dem Sendeanschluss 24.
Der Oberflächenschallwellenresonator, aus dem jeder der Reihenarmresonatoren S1 bis S3 und der Parallelarmresonatoren P1 bis P3 besteht, enthält eine Interdigitaltransducer(IDT)-Elektrode und ein Paar Reflektoren, die auf beiden Seiten der Ausbreitungsrichtung der Oberflächenschallwelle der IDT-Elektrode angeordnet sind. Oder anders ausgedrückt: Der Oberflächenschallwellenresonator, aus dem jeder der Reihenarmresonatoren S1 bis S3 und der Parallelarmresonatoren P1 bis P3 besteht, ist ein Ein-Port-Oberflächenschallwellenresonator. Der Kondensator C1 besteht aus einem Paar ineinandergreifender Interdigital-Elektroden.
Das Empfangsfilter 15 enthält einen asymmetrischen Signalanschluss 15a und einen ersten und einen zweiten symmetrischen Signalanschluss 15b bzw. 15c. Der asymmetrische Signalanschluss 15a ist mit dem Antennenanschluss 21 verbunden. Der erste symmetrische Signalanschluss 15b ist mit dem ersten Empfangsanschluss 22a verbunden. Der zweite symmetrische Signalanschluss 15c ist mit dem zweiten Empfangsanschluss 22b verbunden. Das Empfangsfilter 15 enthält eine Oberflächenschallwellenfiltereinheit mit längsgekoppeltem Resonator 15A, die zwischen dem asymmetrischen Signalanschluss 15a und dem ersten und dem zweiten symmetrischen Signalanschluss 15b bzw. 15c verbunden ist. Die Oberflächenschallwellenfiltereinheit mit längsgekoppeltem Resonator 15A ist eine symmetrische Oberflächenschallwellenfiltereinheit mit längsgekoppeltem Resonator mit der Symmetrisch-zu-Asymmetrisch-Umwandlungsfunktion. In der vorliegenden Ausführungsform ist die Impedanz des asymmetrischen Signalanschlusses 15a gleich 50 Ω, und die Impedanz des ersten und des zweiten symmetrischen Signalanschlusses 15b bzw. 15c ist gleich 100 Ω.
Die Oberflächenschallwellenfiltereinheit mit längsgekoppeltem Resonator 15A enthält einen ersten Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1, einen zweiten Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A2, einen dritten Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A3, einen vierten Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A4 und Oberflächenschallwellenresonatoren 17a bis 17e.
Der erste und der zweite Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1 bzw. 15A2 sind zwischen dem asymmetrischen Signalanschluss 15a und dem ersten symmetrischen Signalanschluss 15b verbunden. Im Gegensatz dazu sind der dritte und der vierte Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A3 bzw. 15A4 zwischen dem asymmetrischen Signalanschluss 15a und dem zweiten symmetrischen Signalanschluss 15c verbunden.
Jeder der ersten bis vierten Abschnitte des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1 bis 15A4 enthält drei IDT-Elektroden, die entlang der Ausbreitungsrichtung der Oberflächenschallwelle angeordnet sind, und ein Paar Reflektoren, die auf beiden Seiten der Ausbreitungsrichtung der Oberflächenschallwelle in dem Bereich angeordnet sind, wo dieses drei IDT-Elektroden angeordnet sind. Oder anders ausgedrückt: Jeder der ersten bis vierten Abschnitte des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1 bis 15A4 ist ein aus drei IDTs bestehender Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator.
In den ersten bis vierten Abschnitten des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1 bis 15A4 sind die IDT-Elektroden, die auf beiden Seiten der Ausbreitungsrichtung der Oberflächenschallwelle des dritten und des vierten Abschnitts des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A3 bzw. 15A4 angeordnet sind, mit Bezug auf die IDT-Elektroden, die auf beiden Seiten der Ausbreitungsrichtung der Oberflächenschallwelle des ersten und des zweiten Abschnitts des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1 bzw. 15A2 angeordnet sind, zum Zweck der Phaseninversion invertiert. Die übrige Konfiguration des ersten und des zweiten Abschnitts des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1 bzw. 15A2 ist die gleiche wie die des dritten und des vierten Abschnitts des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A3 bzw. 15A4.
Die Oberflächenschallwellenresonatoren 17a bis 17c sind zwischen dem asymmetrischen Signalanschluss 15a und dem ersten bis vierten Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1 bis 15A4 in Reihe geschaltet. Jeder der Oberflächenschallwellenresonatoren 17a bis 17c enthält eine IDT-Elektrode und ein Paar Reflektoren, die auf beiden Seiten der Ausbreitungsrichtung der Oberflächenschallwelle der IDT-Elektrode angeordnet sind. Oder anders ausgedrückt: Jeder der Oberflächenschallwellenresonatoren 17a bis 17c ist ein Ein-Port-Oberflächenschallwellenresonator.
Die Oberflächenschallwellenresonatoren 17a bis 17c dienen dem Justieren der Phase mit dem Sendefilter 14. Dementsprechend sind die Oberflächenschallwellenresonatoren 17a bis 17c so konfiguriert, daß ihre Resonanzfrequenzen innerhalb des Durchlassbandes des Empfangsfilters 15 angeordnet sind und ihre Antiresonanzfrequenzen auf der höherfrequenten Seite des Durchlassbandes des Empfangsfilters 15 und außerhalb ihres Durchlassbandes angeordnet sind.
Der Oberflächenschallwellenresonator 17d ist zwischen dem Verbindungspunkt zwischen dem ersten und dem zweiten Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1 bzw. 15A2 und dem ersten symmetrischen Signalanschluss 15b und Erde verbunden. Im Gegensatz dazu ist der Oberflächenschallwellenresonator 17e zwischen dem Verbindungspunkt zwischen dem dritten und vierten Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A3 bzw. 15A4 und dem zweiten symmetrischen Signalanschluss 15c und Erde verbunden.
Jeder der Oberflächenschallwellenresonatoren 17d und 17e enthält eine IDT-Elektrode und ein Paar Reflektoren, die auf beiden Seiten der Ausbreitungsrichtung der Oberflächenschallwelle der IDT-Elektrode angeordnet sind. Oder anders ausgedrückt: Jeder der Oberflächenschallwellenresonatoren 17d und 17e ist ein Ein-Port-Oberflächenschallwellenresonator. Die Oberflächenschallwellenresonatoren 17d und 17e dienen der Erhöhung der Außerbanddämpfung des Empfangsfilters 15. Dementsprechend sind die Oberflächenschallwellenresonatoren 17d und 17e so konfiguriert, daß ihre Resonanzfrequenzen auf der niedriger-frequenten Seite des Durchlassbandes des Empfangsfilters 15 und außerhalb ihres Durchlassbandes angeordnet sind und ihre Antiresonanzfrequenzen innerhalb des Durchlassbandes des Empfangsfilters 15 angeordnet sind.
In den ersten bis vierten Abschnitten des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1 bis 15A4 sind in der vorliegenden Ausführungsform Elektrodenfinger mit geringem Mittenabstand an Enden der IDT-Elektroden in Abschnitten angeordnet, wo die IDT-Elektroden nebeneinander liegen. Die Elektrodenfinger mit geringem Mittenabstand sind Abschnitte, wo der Abstand oder die Periode zwischen den Elektrodenfingern, aus denen die IDT-Elektroden bestehen, kleiner ist als der Abstand oder die Periode zwischen den Elektrodenfingern der übrigen Abschnitte der IDT-Elektroden, wo die Elektrodenfinger mit geringem Mittenabstand ausgebildet sind.
2 ist eine schematische Querschnittsansicht des Duplexers 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Eine konkrete Konfiguration des Duplexers 1 der vorliegenden Ausführungsform wird nun vor allem mit Bezug auf 2 beschrieben.
Wie in 2 gezeigt, enthält der Duplexer 1 ein Verdrahtungssubstrat 10, einen sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 18 und einen empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 19. Wie in 1 gezeigt, ist der Abschnitt ohne die Induktionsspulen L2 bis L4 des Sendefilters 14 auf dem sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 18 ausgebildet. Ein Anschluss 14c ist auf dem sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 18 ausgebildet. Der Anschluss 14c ist mit dem Kondensator C1 verbunden. Der sendeseitige Oberflächenschallwellenfilterchip 18 enthält ein piezoelektrisches Substrat und Elektroden, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet sind und die die IDT-Elektroden und die Reflektoren enthalten, aus denen die Oberflächenschallwellenresonatoren bestehen, das Paar Interdigital-Elektroden, aus denen der Kondensator C1 besteht, Verdrahtungen und so weiter. Im Gegensatz dazu ist das Empfangsfilter 15, das die Oberflächenschallwellenfiltereinheit mit längsgekoppeltem Resonator 15A enthält, auf dem empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 19 ausgebildet. Der empfangsseitige Oberflächenschallwellenfilterchip 19 enthält ein piezoelektrisches Substrat und Elektroden, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet sind und die die IDT-Elektroden und die Reflektoren enthalten, aus denen die Oberflächenschallwellenfiltereinheit mit längsgekoppeltem Resonator 15A besteht, Verdrahtungen und so weiter.
Ein Beispiel für das piezoelektrische Substrat, das in dem sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 18 und dem empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 19 des Duplexers 1 verwendet wird, ist ein piezoelektrisches Einkristallsubstrat, wie zum Beispiel ein LiNbO₃-Substrat oder ein LiTaO₃-Substrat. Die Elektroden auf dem sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 18 und dem empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 19 können zum Beispiel aus einem Metall bestehen, wie zum Beispiel Aluminium oder einer Legierung. Die Elektroden können zum Beispiel aus einem Mehrschichtkorpus gebildet werden, in dem mehrere Metallschichten übereinander liegen.
Wie in 2 gezeigt, hat das Verdrahtungssubstrat 10 eine Chipbefestigungsfläche 10a und eine Rückseite 10b. Wie in 2 gezeigt, sind der sendeseitige Oberflächenschallwellenfilterchip 18 und der empfangsseitige Oberflächenschallwellenfilterchip 19 über Bondhügel 26 auf der Chipbefestigungsfläche 10a flipflop-montiert. Eine Vergießharzschicht 16 ist auf der Chipbefestigungsfläche 10a dergestalt ausgebildet, daß der sendeseitige Oberflächenschallwellenfilterchip 18 und der empfangsseitige Oberflächenschallwellenfilterchip 19 mit der Vergießharzschicht 16 bedeckt sind. Oder anders ausgedrückt: Der Duplexer 1 der vorliegenden Ausführungsform ist eine CSP-Oberflächenschallwellenfiltervorrichtung.
Wie in 2 gezeigt, besteht das Verdrahtungssubstrat 10 aus einem Mehrschichtkorpus, der erste bis dritte Dielektrikumschichten 41 bis 43 und erste bis vierte Elektrodenschichten 44 bis 47 enthält. Die erste Elektrodenschicht 44 ist unter der ersten Dielektrikumschicht 41 angeordnet. Die zweite Elektrodenschicht 45 ist zwischen der ersten Dielektrikumschicht 41 und der zweiten Dielektrikumschicht 42 angeordnet. Die dritte Elektrodenschicht 46 ist zwischen der zweiten Dielektrikumschicht 42 und der dritten Dielektrikumschicht 43 angeordnet. Die vierte Elektrodenschicht 47 ist auf der dritten Dielektrikumschicht 43 angeordnet. In den ersten bis dritten Dielektrikumschichten 41 bis 43 sind jeweils mehrere Durchkontaktelektroden ausgebildet. Das Verdrahtungssubstrat 10 ist ein Mehrschichtsubstrat, in dem die Elektrodenschichten und die Dielektrikumschichten im Wechsel übereinander liegen. Die ersten bis dritten Dielektrikumschichten 41 bis 43 können jeweils zum Beispiel aus Harz oder einem Keramikwerkstoff, wie zum Beispiel Aluminiumoxid, bestehen. Oder anders ausgedrückt: Das Verdrahtungssubstrat 10 kann ein mehrschichtiges gedrucktes Verdrahtungssubstrat sein, das aus Harz oder einem keramischen Mehrschichtsubstrat besteht.
In der vorliegenden Ausführungsform wird das Beispiel beschrieben, in dem das Verdrahtungssubstrat aus dem Mehrschichtkorpus besteht, der die drei Dielektrikumschichten und die vier Elektrodenschichten enthält. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Konfiguration beschränkt. Das Verdrahtungssubstrat kann in der vorliegenden Erfindung vier oder mehr Dielektrikumschichten enthalten.
3 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der vierten Elektrodenschicht 47 und der dritten Dielektrikumschicht 43 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform. 4 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der dritten Elektrodenschicht 46 und der zweiten Dielektrikumschicht 42 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform. 5 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der zweiten Elektrodenschicht 45 und der ersten Dielektrikumschicht 41 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform. 6 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der ersten Elektrodenschicht 44 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform. 3 bis 6 zeigen einen Zustand, in dem man von der Seite des sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 18 und des empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 19 durch den Duplexer 1 hindurchblickt.
Wie in 3 gezeigt, besteht die vierte Elektrodenschicht 47 aus den Kontaktfleckelektroden 47a bis 47l. Die vierte Elektrodenschicht 47 ist eine Kontaktfleckelektrodenschicht. Die Kontaktfleckelektroden 47a bis 47l sind auf der Chipbefestigungsfläche 10a des Verdrahtungssubstrats 10 ausgebildet und sind mit dem sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 18 und dem empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 19 verbunden.
Wie in 4 gezeigt, besteht die dritte Elektrodenschicht 46 aus den Elektroden 46a bis 46c, 46e und 46g bis 46j. Die dritte Elektrodenschicht 46 ist eine Zwischenelektrodenschicht. Die Elektroden 46a bis 46c, 46e und 46g bis 46j sind Verdrahtungselektroden, welche die Kontaktfleckelektroden 47a bis 47l mit dem Antennenanschluss 21, dem ersten und dem zweiten Empfangsanschluss 22a bzw. 22b, dem Sendeanschluss 24 und einem Erdungsanschluss 25 verbinden.
Wie in 5 gezeigt, besteht die zweite Elektrodenschicht 45 aus den Elektroden 45a bis 45c, 45e, 45g bis 45j. Die zweite Elektrodenschicht 45 ist eine Zwischenelektrodenschicht. Die Elektroden 45a bis 45c, 45e, 45g bis 45j sind Verdrahtungselektroden, welche die Kontaktfleckelektroden 47a bis 47l mit dem Antennenanschluss 21, dem ersten und dem zweiten Empfangsanschluss 22a bzw. 22b, dem Sendeanschluss 24 und dem Erdungsanschluss 25 verbinden.
Wie in 6 gezeigt, besteht die erste Elektrodenschicht 44 aus dem Antennenanschluss 21, dem ersten und dem zweiten Empfangsanschluss 22a bzw. 22b, dem Sendeanschluss 24 und dem Erdungsanschluss 25. Die erste Elektrodenschicht 44 ist eine rückseitige Anschlussschicht. Der Antennenanschluss 21, der erste und der zweite Empfangsanschluss 22a bzw. 22b, der Sendeanschluss 24 und der Erdungsanschluss 25 sind auf der Rückseite 10b des Verdrahtungssubstrats 10 ausgebildet.
Der Antennenanschluss 21 auf der ersten Elektrodenschicht 44 ist mit der Elektrode 45a auf der zweiten Elektrodenschicht 45 über eine Durchkontaktelektrode 53a in der ersten Dielektrikumschicht 41 verbunden. Die Elektrode 45a auf der zweiten Elektrodenschicht 45 ist mit der Elektrode 46a auf der dritten Elektrodenschicht 46 über eine Durchkontaktelektrode 52a in der zweiten Dielektrikumschicht 42 verbunden. Die Elektrode 46a auf der dritten Elektrodenschicht 46 ist mit den Kontaktfleckelektroden 47a und 47d auf der vierten Elektrodenschicht 47 über Durchkontaktelektroden 51a und 51d in der dritten Dielektrikumschicht 43 verbunden. Die Kontaktfleckelektrode 47a auf der vierten Elektrodenschicht 47 ist mit dem asymmetrischen Signalanschluss 15a des empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 19 verbunden. Die Kontaktfleckelektrode 47d auf der vierten Elektrodenschicht 47 ist mit dem Ausgangsanschluss 14a des sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 18 verbunden.
Der erste Empfangsanschluss 22a auf der ersten Elektrodenschicht 44 ist mit der Elektrode 45b auf der zweiten Elektrodenschicht 45 über eine Durchkontaktelektrode 53b in der ersten Dielektrikumschicht 41 verbunden. Die Elektrode 45b auf der zweiten Elektrodenschicht 45 ist mit der Elektrode 46b auf der dritten Elektrodenschicht 46 über eine Durchkontaktelektrode 52b in der zweiten Dielektrikumschicht 42 verbunden. Die Elektrode 46b auf der dritten Elektrodenschicht 46 ist mit der Kontaktfleckelektrode 47b auf der vierten Elektrodenschicht 47 über eine Durchkontaktelektrode 51b in der dritten Dielektrikumschicht 43 verbunden. Die Kontaktfleckelektrode 47b auf der vierten Elektrodenschicht 47 ist mit dem ersten symmetrischen Signalanschluss 15b des empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 19 verbunden.
Der zweite Empfangsanschluss 22b auf der ersten Elektrodenschicht 44 ist mit der Elektrode 45c auf der zweiten Elektrodenschicht 45 über eine Durchkontaktelektrode 53c in der ersten Dielektrikumschicht 41 verbunden. Die Elektrode 45c auf der zweiten Elektrodenschicht 45 ist mit der Elektrode 46c auf der dritten Elektrodenschicht 46 über eine Durchkontaktelektrode 52c in der zweiten Dielektrikumschicht 42 verbunden. Die Elektrode 46c auf der dritten Elektrodenschicht 46 ist mit der Kontaktfleckelektrode 47c auf der vierten Elektrodenschicht 47 über eine Durchkontaktelektrode 51c in der dritten Dielektrikumschicht 43 verbunden. Die Kontaktfleckelektrode 47c auf der vierten Elektrodenschicht 47 ist mit dem zweiten symmetrischen Signalanschluss 15c des empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 19 verbunden.
Der Sendeanschluss 24 auf der ersten Elektrodenschicht 44 ist mit der Elektrode 45e auf der zweiten Elektrodenschicht 45 über eine Durchkontaktelektrode 53e in der ersten Dielektrikumschicht 41 verbunden. Die Elektrode 45e auf der zweiten Elektrodenschicht 45 enthält Elektrodenabschnitte 45e1 und 45e2. Der Elektrodenabschnitt 45e1 erstreckt sich von einem Ende der Elektrode 45e auf der zweiten Elektrodenschicht 45 zu dem Verbindungspunkt mit der Durchkontaktelektrode 53e in der ersten Dielektrikumschicht 41. Der Elektrodenabschnitt 45e2 erstreckt sich von dem anderen Ende der Elektrode 45e auf der zweiten Elektrodenschicht 45 zu dem Verbindungspunkt mit der Durchkontaktelektrode 53e in der ersten Dielektrikumschicht 41. Der Elektrodenabschnitt 45e1 bildet die Induktionsspule L4. Die Elektrode 45e auf der zweiten Elektrodenschicht 45 ist mit den Elektroden 46e und 46h auf der dritten Elektrodenschicht 46 über Durchkontaktelektroden 52e und 52h in der zweiten Dielektrikumschicht 42 verbunden. Die Elektrode 46e auf der dritten Elektrodenschicht 46 bildet die Induktionsspule L4. Die Elektrode 46e auf der dritten Elektrodenschicht 46 ist mit der Kontaktfleckelektrode 47e auf der vierten Elektrodenschicht 47 über eine Durchkontaktelektrode 51e in der dritten Dielektrikumschicht 43 verbunden. Die Kontaktfleckelektrode 47e auf der vierten Elektrodenschicht 47 ist mit dem Eingangsanschluss 14b des sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 18 verbunden. Die Elektrode 46h auf der dritten Elektrodenschicht 46 ist mit der Kontaktfleckelektrode 47h auf der vierten Elektrodenschicht 47 über eine Durchkontaktelektrode 51h in der dritten Dielektrikumschicht 43 verbunden. Die Kontaktfleckelektrode 47h auf der vierten Elektrodenschicht 47 ist mit dem Anschluss 14c des sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 18 verbunden.
Der Erdungsanschluss 25 auf der ersten Elektrodenschicht 44 ist mit der Elektrode 45g auf der zweiten Elektrodenschicht 45 über eine Durchkontaktelektrode 53g in der ersten Dielektrikumschicht 41 verbunden. Die Elektrode 45g auf der zweiten Elektrodenschicht 45 bildet die Induktionsspule L2. Die Elektrode 45g auf der zweiten Elektrodenschicht 45 ist mit der Elektrode 46g auf der dritten Elektrodenschicht 46 über eine Durchkontaktelektrode 52g in der zweiten Dielektrikumschicht 42 verbunden. Die Elektrode 46g auf der dritten Elektrodenschicht 46 bildet die Induktionsspule L2. Die Elektrode 46g auf der dritten Elektrodenschicht 46 ist mit den Kontaktfleckelektroden 47f und 47g auf der vierten Elektrodenschicht 47 über Durchkontaktelektroden 51f und 51g in der dritten Dielektrikumschicht 43 verbunden. Die Kontaktfleckelektrode 47f auf der vierten Elektrodenschicht 47 ist mit dem Parallelarmresonator P2 des sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 18 verbunden. Die Kontaktfleckelektrode 47g auf der vierten Elektrodenschicht 47 ist mit dem Parallelarmresonator P1 des sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 18 verbunden.
Darüber hinaus ist der Erdungsanschluss 25 auf der ersten Elektrodenschicht 44 mit der Elektrode 45j auf der zweiten Elektrodenschicht 45 über mehrere Durchkontaktelektroden 53j in der ersten Dielektrikumschicht 41 verbunden. Die Elektrode 45j auf der zweiten Elektrodenschicht 45 ist mit den Elektroden 46i und 46j auf der dritten Elektrodenschicht 46 über mehrere Durchkontaktelektroden 52i und 52j in der zweiten Dielektrikumschicht 42 verbunden. Die Elektrode 46i auf der dritten Elektrodenschicht 46 bildet die Induktionsspule L3. Die Elektrode 46i auf der dritten Elektrodenschicht 46 ist mit der Kontaktfleckelektrode 47i auf der vierten Elektrodenschicht 47 über eine Durchkontaktelektrode 51i in der dritten Dielektrikumschicht 43 verbunden. Die Kontaktfleckelektrode 47i auf der vierten Elektrodenschicht 47 ist mit dem Parallelarmresonator P3 des sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 18 verbunden. Die Elektrode 46j auf der dritten Elektrodenschicht 46 ist mit den Kontaktfleckelektroden 47j, 47k und 47l auf der vierten Elektrodenschicht 47 über Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l in der dritten Dielektrikumschicht 43 verbunden. Die Kontaktfleckelektroden 47j, 47k und 47l auf der vierten Elektrodenschicht 47 sind mit den ersten bis vierten Abschnitten des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1 bis 15A4 und den Oberflächenschallwellenresonatoren 17d und 17e des empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 19 verbunden.
In dem Verdrahtungssubstrat 10 ist der Erdungsanschluss 25 eine Erdungselektrode, die das Sendefilter 14 und das Empfangsfilter 15 erdet. Die Kontaktfleckelektroden 47j, 47k und 47l, die Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l, die Elektrode 46j, die mehreren Durchkontaktelektroden 52j, die Elektrode 45j und die mehreren Durchkontaktelektroden 53j sind Erdungselektroden, die das Empfangsfilter 15 erden. Dementsprechend sind die Kontaktfleckelektroden 47j, 47k und 47l Erdungskontaktfleckelektroden. Die Elektrode 46j und die Elektrode 45j sind Erdungsverdrahtungselektroden 55, die den Erdungsanschluss 25 mit den Kontaktfleckelektroden 47j, 47k und 47l verbinden. Die mehreren Durchkontaktelektroden 52j sind erste Erdungsdurchkontaktelektroden, die die Elektrode 46j, die eine Erdungsverdrahtungselektrode 55 ist, mit der Elektrode 45j, die eine Erdungsverdrahtungselektrode 55 ist, verbinden. Die Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l sind zweite Erdungsdurchkontaktelektroden, die die Elektrode 46j, die die Erdungsverdrahtungselektrode 55 ist, mit den Kontaktfleckelektroden 47j, 47k und 47l, die die Erdungskontaktfleckelektroden sind, verbinden. Die mehreren Durchkontaktelektroden 53j sind dritte Erdungsdurchkontaktelektroden, die die Elektrode 45j, die die Erdungsverdrahtungselektrode 55 ist, mit dem Erdungsanschluss 25 verbinden.
In dem Verdrahtungssubstrat 10 in der vorliegenden Ausführungsform ist die Anzahl der Durchkontaktelektroden 52j, die die ersten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, größer als die der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l, die die zweiten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, und die der Durchkontaktelektroden 53j, die die dritten Erdungsdurchkontaktelektroden sind. Genauer gesagt, ist in der vorliegenden Ausführungsform die Anzahl der Durchkontaktelektroden 52j vierzehn, die Gesamtzahl der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l ist drei, und die Anzahl der Durchkontaktelektroden 53j ist vier. Dementsprechend ist es möglich, die Isolationseigenschaften des Duplexers 1 zu verbessern.
Wenn zum Beispiel die Anzahl der Durchkontaktelektroden 53j, die die dritten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, vergrößert wird und die Anzahlen der Durchkontaktelektroden 52j und der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l, die die ersten bzw. die zweiten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, verringert werden, so verschlechtert sich die Erdung nahe dem empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 19. Dementsprechend fließen Signale außerhalb des Durchlassbandes, die in die Erde fließen sollten, nur schwer in die Erde in dem empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 19. Folglich verschlechtern sich die Isolationseigenschaften.
Alternativ kann zum Beispiel die Anzahl der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l, die die zweiten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, vergrößert werden, und die Anzahlen der Durchkontaktelektroden 52j und 53j, die die ersten bzw. dritten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, können verringert werden. In diesem Fall wird die Erdung nahe dem empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 19 verstärkt. Jedoch wird die kapazitive Kopplung zwischen den Elektroden, die auf dem piezoelektrischen Substrat des empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 19 ausgebildet sind, und der vierten Elektrodenschicht 47 des Verdrahtungssubstrats 10 in einer solchen Konfiguration vergrößert, wodurch sich die Isolationseigenschaften verschlechtern. Das Gleiche gilt in einem Fall, in dem die Anzahl der Durchkontaktelektroden 52j und/oder der Durchkontaktelektroden 53j, die die ersten bzw. dritten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, ebenfalls vergrößert wird, d. h. zusätzlich zur Vergrößerung der Anzahl der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l, die die zweiten Erdungsdurchkontaktelektroden sind. Wenn die Anzahlen sowohl der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l als auch der Durchkontaktelektroden 52j und der Durchkontaktelektroden 53j vergrößert werden und das Verdrahtungssubstrat eine gedruckte Verdrahtungsplatine aus Harz ist, so verlängert sich die Zeit, die zur Herstellung der Durchkontaktelektroden durch Bearbeitung mit Laserstrahlen benötigt wird, wodurch der Produktionsausstoß des Duplexers sinkt.
Wenn im Gegensatz dazu die Anzahl der Durchkontaktelektroden 52j, die die ersten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, größer ist als die der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l, die die zweiten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, und die der Durchkontaktelektroden 53j, die die dritten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, wie in der vorliegenden Ausführungsform, so ist es möglich, die kapazitive Kopplung zwischen den Elektroden, die auf dem piezoelektrischen Substrat des empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 19 ausgebildet sind, und der vierten Elektrodenschicht 47 des Verdrahtungssubstrats 10 zu verringern, während die Erdung nahe dem empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 19 verstärkt wird. Dementsprechend ist es möglich, die Isolationseigenschaften des Duplexers 1 zu verbessern.
Diese Vorteile werden nun ausführlicher anhand konkreter Beispiele beschrieben. Es werden die gleichen Bezugszahlen in einem Beispiel und in den Vergleichsbeispielen 1 und 2, die unten beschrieben sind, verwendet, um Komponenten, die im Wesentlichen die gleichen Funktionen haben wie die in der obigen Ausführungsform, zu identifizieren. Auf eine Beschreibung solcher Komponenten wird im vorliegenden Dokument verzichtet.
(Beispiel)
Der Duplexer 1 gemäß der obigen Ausführungsform wurde auf der Grundlage folgender Parameter als ein Beispiel hergestellt. Die Wellenlänge von Oberflächenschallwellen, die durch den Abstand oder die Periode zwischen den Elektrodenfingern der IDT-Elektroden definiert wird, wird mit L1 bezeichnet.
(Konstruktionsparameter im Beispiel)

Piezoelektrisches Substrat des empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 19: LiTaO₃-Substrat mit X-Ausbreitung und Y-Schnitt bei 40° ± 5°
Elektroden des empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 19: Al, Ti
Erster Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1:
Überschneidungsbreite die IDT-Elektroden: 30,4 λ1
Die Anzahl der Elektrodenfinger der IDT-Elektroden auf beiden Seiten: 39 (einschließlich der Anzahl der Elektrodenfinger mit geringem Mittenabstand: fünf)
Die Anzahl der Elektrodenfinger der mittigen IDT-Elektrode: 43 (einschließlich der Anzahl der Elektrodenfinger mit geringem Mittenabstand an einem Ende: drei, der Anzahl der Elektrodenfinger mit geringem Mittenabstand am anderen Ende: sieben)
Die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren: 65
Metallisierungsverhältnis der IDT-Elektroden und der Reflektoren: 0,68
Elektrodenfilmdicke der IDT-Elektroden und der Reflektoren: 0,091 λ1

Unter den IDT-Elektroden auf beiden Seiten wurde der Abstand oder die Periode zwischen den Elektrodenfingern mit geringem Mittenabstand der IDT-Elektroden auf einer Seite so gewählt, daß er um 0,09 μm kleiner war als der Abstand oder die Periode zwischen den Elektrodenfingern mit geringem Mittenabstand der IDT-Elektroden auf der anderen Seite.

Zweiter Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A2: die gleichen Konstruktionsparameter wie beim ersten Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1
Dritter und vierter Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A3 bzw. 15A4: unterscheiden sich von dem ersten und dem zweiten Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator 15A1 bzw. 15A2 nur dadurch, daß die IDT-Elektroden auf beiden Seiten invertiert sind
Oberflächenschallwellenresonatoren 17a bis 17c:
Überschneidungsbreite der IDT-Elektroden: 11,0 λ1
Die Anzahl der Elektrodenfinger der IDT-Elektroden: 71
Die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren: 18
Metallisierungsverhältnis der IDT-Elektroden und der Reflektoren: 0,60
Elektrodenfilmdicke der IDT-Elektroden und der Reflektoren: 0,095 λ1
Oberflächenschallwellenresonatoren 17d und 17e:
Überschneidungsbreite der IDT-Elektroden: 30,0 λ1

Die IDT-Elektroden wurden so apodisationsgewichtet, daß die Überschneidungsbreite mit den mittigen Teilen der IDT-Elektroden maximiert wird, und die obigen Werte gelten für Abschnitte, wo die Überschneidungsbreite maximiert ist.

Die Anzahl der Elektrodenfinger der IDT-Elektroden: 111
Die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren: 18
Metallisierungsverhältnis der IDT-Elektroden und der Reflektoren: 0,60
Elektrodenfilmdicke der IDT-Elektroden und der Reflektoren: 0,091 λ1

(Vergleichsbeispiele 1 und 2)
In den Vergleichsbeispielen 1 und 2 wurden Duplexer mit der gleichen Konfiguration wie in dem Beispiel hergestellt, mit Ausnahme der Konfiguration des Verdrahtungssubstrats 10.
7 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der vierten Elektrodenschicht 47 und der dritten Dielektrikumschicht 43 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1. 8 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der dritten Elektrodenschicht 46 und der zweiten Dielektrikumschicht 42 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1. 9 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der zweiten Elektrodenschicht 45 und der ersten Dielektrikumschicht 41 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1. 10 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der ersten Elektrodenschicht 44 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1. 7 bis 10 zeigen einen Zustand, in dem der Duplexer von Vergleichsbeispiel 1 durch die Seite des sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 18 und des empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 19 hindurch betrachtet wird.
Wie in 7 bis 10 gezeigt, ist in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1 die Anzahl der Durchkontaktelektroden 52j vier, die Gesamtzahl der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l ist drei, und die Anzahl der Durchkontaktelektroden 53j ist 21. Dementsprechend ist in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1 die Anzahl der Durchkontaktelektroden 52j größer als die der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l, aber kleiner als die der Durchkontaktelektroden 53j.
11 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der vierten Elektrodenschicht 47 und der dritten Dielektrikumschicht 43 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2. 12 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der dritten Elektrodenschicht 46 und der zweiten Dielektrikumschicht 42 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2. 13 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der zweiten Elektrodenschicht 45 und der ersten Dielektrikumschicht 41 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2. 14 ist eine schematische perspektivische Grundrissansicht der ersten Elektrodenschicht 44 des Verdrahtungssubstrats 10 in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2. 11 bis 14 zeigen einen Zustand, in dem der Duplexer von Vergleichsbeispiel 2 durch die Seite des sendeseitigen Oberflächenschallwellenfilterchips 18 und des empfangsseitigen Oberflächenschallwellenfilterchip 19 hindurch betrachtet wird.
Wie in 11 bis 14 gezeigt, ist in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2 die Anzahl der Durchkontaktelektroden 52j vier, die Gesamtzahl der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l ist zehn, und die Anzahl der Durchkontaktelektroden 53j ist vier. Dementsprechend ist in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2 die Anzahl der Durchkontaktelektroden 52j gleich der der Durchkontaktelektroden 53j, aber kleiner als die der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l.
(Isolationseigenschaften des Duplexers im Beispiel und in den Vergleichsbeispielen 1 und 2)
Als Nächstes wurden die Isolationseigenschaften des Duplexers 1 des Beispiels und des Duplexers der Vergleichsbeispiele 1 und 2 gemessen. Genauer gesagt, wurden ”eine Differenzialcharakteristik”, ”ein erster Asymmetriemodus” und ”ein zweiter Asymmetriemodus” als die Isolationseigenschaften gemessen. Die Differenzialcharakteristik zeigt eine Isolationscharakteristik in einem Differenzialzustand zwischen dem Sendeanschluss 24 und dem ersten und dem zweiten Empfangsanschluss 22a bzw. 22b an. Der erste Asymmetriemodus zeigt eine Isolationscharakteristik in einem Asymmetriemodus zwischen dem Sendeanschluss 24 und dem ersten Empfangsanschluss 22a an. Der zweite Asymmetriemodus zeigt eine Isolationscharakteristik in dem Asymmetriemodus zwischen dem Sendeanschluss 24 und dem zweiten Empfangsanschluss 22b an.
15 zeigt die Differenzialcharakteristik des Duplexers 1 des Beispiels und die Differenzialcharakteristik des Duplexers von Vergleichsbeispiel 1. 16 zeigt den ersten Asymmetriemodus des Duplexers 1 des Beispiels und den ersten Asymmetriemodus des Duplexers von Vergleichsbeispiel 1. 17 zeigt den zweiten Asymmetriemodus des Duplexers 1 des Beispiels und den zweiten Asymmetriemodus des Duplexers von Vergleichsbeispiel 1.
Wie in 15 gezeigt, betrug der kleinste Wert der Dämpfung in dem Sendefrequenzband (1.850 MHz bis 1.910 MHz) in der Differenzialcharakteristik 57,7 dB in dem Duplexer 1 des Beispiels und 56,2 dB in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1. Der Duplexer 1 des Beispiels ist dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1 in der Differenzialcharakteristik um 1,5 dB überlegen.
Wie in 16 gezeigt, betrug der kleinste Wert der Dämpfung in dem Sendefrequenzband (1.850 MHz bis 1.910 MHz) in dem ersten Asymmetriemodus 56,0 dB in dem Duplexer 1 des Beispiels und 55,0 dB in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1. Der Duplexer 1 des Beispiels ist dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1 in dem ersten Asymmetriemodus um 1,0 dB überlegen.
Wie in 17 gezeigt, betrug der kleinste Wert der Dämpfung in dem Sendefrequenzband (1.850 MHz bis 1.910 MHz) in dem zweiten Asymmetriemodus 52,7 dB in dem Duplexer 1 des Beispiels und 50,7 dB in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1. Der Duplexer 1 des Beispiels ist dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 1 in dem zweiten Asymmetriemodus um 2,0 dB überlegen.
18 zeigt die Differenzialcharakteristik des Duplexers 1 des Beispiels und die Differenzialcharakteristik des Duplexers von Vergleichsbeispiel 2. 19 zeigt den ersten Asymmetriemodus des Duplexers 1 des Beispiels und den ersten Asymmetriemodus des Duplexers von Vergleichsbeispiel 2. 20 zeigt den zweiten Asymmetriemodus des Duplexers 1 des Beispiels und den zweiten Asymmetriemodus des Duplexers von Vergleichsbeispiel 2.
Wie in 18 gezeigt, betrug der kleinste Wert der Dämpfung in dem Sendefrequenzband (1.850 MHz bis 1.910 MHz) in der Differenzialcharakteristik 57,7 dB in dem Duplexer 1 des Beispiels und 56,0 dB in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2. Der Duplexer 1 des Beispiels ist dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2 in der Differenzialcharakteristik um 1,7 dB überlegen. Wie in 19 gezeigt, betrug der kleinste Wert der Dämpfung in dem Sendefrequenzband (1.850 MHz bis 1.910 MHz) in dem ersten Asymmetriemodus 56,0 dB in dem Duplexer 1 des Beispiels und 56,0 dB in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2. Der Duplexer 1 des Beispiels ist dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2 in dem ersten Asymmetriemodus gleichwertig.
Wie in 20 gezeigt, betrug der kleinste Wert der Dämpfung in dem Sendefrequenzband (1.850 MHz bis 1.910 MHz) in dem zweiten Asymmetriemodus 52,7 dB in dem Duplexer 1 des Beispiels und 51,0 dB in dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2. Der Duplexer 1 des Beispiels ist dem Duplexer von Vergleichsbeispiel 2 in dem zweiten Asymmetriemodus um 1,7 dB überlegen.
Die obigen Messungen zeigen, daß das Bereitstellen der Durchkontaktelektroden 52j, die die ersten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, in einer Anzahl, die größer ist als die Anzahl der Durchkontaktelektroden 51j, 51k und 51l, die die zweiten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, und die Anzahl der Durchkontaktelektroden 53j, die die dritten Erdungsdurchkontaktelektroden sind, eine Verbesserung der Isolationseigenschaften des Duplexers 1 ermöglicht.
Bezugszeichenliste

1: Duplexer
10: Verdrahtungssubstrat
10a: Chipbefestigungsfläche
10b: Rückseite
14: Sendefilter
14A: Oberflächenschallwellen-Abzweigfiltereinheit
14a: Ausgangsanschluss
14b: Eingangsanschluss
14c: Anschluss
15: Empfangsfilter
15A: Oberflächenschallwellenfiltereinheit mit längsgekoppeltem Resonator
15A1: erster Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator
15A2: zweiter Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator
15A3: dritter Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator
15A4: vierter Abschnitt des Oberflächenschallwellenfilters mit längsgekoppeltem Resonator
15a: asymmetrischer Signalanschluss
15b: erster symmetrischer Signalanschluss
15c: zweiter symmetrischer Signalanschluss
16: Vergießharzschicht
17a bis 17e: Oberflächenschallwellenresonator
18: sendeseitiger Oberflächenschallwellenfilterchip
19: empfangsseitiger Oberflächenschallwellenfilterchip
21: Antennenanschluss
22a: erster Empfangsanschluss
22b: zweiter Empfangsanschluss
24: Sendeanschluss
25: Erdungsanschluss
26: Bondhügel
33: Reihenarm
37 bis 39: Parallelarm
41: erste Dielektrikumschicht
42: zweite Dielektrikumschicht
43: dritte Dielektrikumschicht
44: erste Elektrodenschicht
45: zweite Elektrodenschicht
45a bis 45j: Elektrode
46: dritte Elektrodenschicht
46a bis 46j: Elektrode
47: vierte Elektrodenschicht
47a bis 47l: Kontaktfleckelektrode
51a bis 51l: Durchkontaktelektrode
52a bis 52j: Durchkontaktelektrode
53a bis 53j: Durchkontaktelektrode
55: Erdungsverdrahtungselektrode
λ1 bis λ4: Induktionsspule
P1 bis P3: Parallelarmresonator
S1 bis S3: Reihenarmresonator
C1: Kondensator

Claims

Demultiplexer für elastische Wellen, umfassend: einen Filterchip (19) für elastische Wellen, der eine Filtereinheit (15A1, ..., 15A4) für elastische Wellen mit längsgekoppeltem Resonator enthält, die ein piezoelektrisches Substrat und mehrere IDT-Elektroden, die auf dem piezoelektrischen Substrat ausgebildet sind, enthält, und ein Verdrahtungssubstrat (10), das eine Chipbefestigungsfläche (10a) und eine Rückseite (10b) aufweist, bei dem der Filterchip (19) für elastische Wellen auf der Chipbefestigungsfläche (10a) montiert ist und das enthält: eine Kontaktfleckelektrodenschicht (47), die mehrere Kontaktfleckelektroden (47a, ..., 47l) enthält, eine rückseitige Anschlussschicht (44), die mehrere Anschlüsse (21, 22a, 22b, 24, 25) enthält, mehrere Zwischenelektrodenschichten (45, 46), die mehrere Verdrahtungselektroden (45a, ..., 45j; 46a, ..., 46j) enthalten, und mindestens drei Dielektrikumschichten (41, 42, 43), wobei die mehreren Kontaktfleckelektroden (47a, ..., 47l) auf der Chipbefestigungsfläche (10a) ausgebildet sind und mit dem Filterchip (19) für elastische Wellen verbunden sind, wobei die mehreren Anschlüsse (21, 22a, 22b, 24, 25) auf der Rückseite (10b) ausgebildet sind, wobei die mehreren Kontaktfleckelektroden mit den mehreren Anschlüssen (21, 22a, 22b, 24, 25) über die mehreren Verdrahtungselektroden (45a, ..., 45j; 46a, ..., 46j) verbunden sind, wobei die Dielektrikumschichten (41, 42, 43) zwischen zwei der Kontaktfleckelektrodenschicht (47), der mehreren Zwischenelektrodenschichten (45, 46) und der rückseitigen Anschlussschicht (44) angeordnet sind und die Dielektrikumschichten (41, 42, 43) mehrere Durchkontaktelektroden (51a, ..., 51l; 52a, ..., 52l; 53a, ..., 53j) enthalten, die mit den mehreren Kontaktfleckelektroden ((47a, ..., 47l), den mehreren Verdrahtungselektroden (45a, ..., 45j; 46a, ..., 46j) und den mehreren Anschlüssen (21, 22a, 22b, 24, 25) verbunden sind, wobei die mehreren Anschlüsse (21, 22a, 22b, 24, 25) einen Erdungsanschluss (25) enthalten, der geerdet ist, wobei die mehreren Kontaktfleckelektroden (47a, ..., 47l) Erdungskontaktfleckelektroden (47j) enthalten, die mit dem Erdungsanschluss (25) verbunden sind, wobei die mehreren Verdrahtungselektroden (45a, ..., 45j; 46a, ..., 46j, 55) mehrere Erdungsverdrahtungselektroden (55) enthalten, über die der Erdungsanschluss (25) mit den Erdungskontaktfleckelektroden (47j, 47k, 47l) verbunden ist, wobei die mehreren Durchkontaktelektroden (51a, ..., 51l; 52a, ..., 52l; 53a, ..., 53j) Folgendes enthalten: erste Erdungsdurchkontaktelektroden (52j), über die die Erdungsverdrahtungselektroden (55) miteinander verbunden sind, zweite Erdungsdurchkontaktelektroden (51j, 51k, 51l), über die die Erdungsverdrahtungselektroden (55) mit den Erdungskontaktfleckelektroden (47j) verbunden sind, und eine dritte Erdungsdurchkontaktelektrode (53j), über die die Erdungsverdrahtungselektroden (55) mit dem Erdungsanschluss (25) verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl der ersten Erdungsdurchkontaktelektroden (52j) größer ist als die Anzahlen der zweiten und dritten Erdungsdurchkontaktelektroden (51j, 51k, 51l, 53j).
Demultiplexer für elastische Wellen nach Anspruch 1, der ferner ein Sendefilter (14) und ein Empfangsfilter (15) umfasst, wobei das Empfangsfilter aus der Filtereinheit für elastische Wellen mit längsgekoppeltem Resonator besteht.
Demultiplexer für elastische Wellen nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Filtereinheit (15A1, ..., 15A4) für elastische Wellen mit längsgekoppeltem Resonator eine symmetrische Filtereinheit für elastische Wellen mit längsgekoppeltem Resonator mit einer Symmetrisch-zu-Asymmetrisch-Umwandlungsfunktion ist.
Demultiplexer für elastische Wellen nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Dielektrikumschichten (41, 42, 43) aus Harz bestehen.