WO2012056767A1 - 弾性波分波器 - Google Patents

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acoustic wave
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duplexer
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高峰　裕一
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave duplexer.
  • the present invention relates to a CSP type elastic wave duplexer including a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit.
  • an RF (Radio Frequency Duplex) circuit is used to simultaneously transmit and receive signals.
  • the duplexer is a duplexer including a transmission filter, a reception filter, and a matching circuit.
  • the duplexer is required to have a small insertion loss in the pass band and a large attenuation near the pass band in each of the transmission filter and the reception filter.
  • a surface acoustic wave duplexer in which a transmission filter and a reception filter are surface acoustic wave filters has been put into practical use.
  • a surface acoustic wave duplexer including a balanced longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter whose reception filter has a balance-unbalance conversion function has been mounted on an RF circuit of a mobile phone (for example, Patent Document 1).
  • a duplexer such as a duplexer.
  • a CSP Chip Size Package
  • acoustic wave demultiplexer in which an elastic wave filter chip is flip-chip mounted on a wiring board and the elastic wave filter chip is sealed with a sealing resin.
  • the vessel is known.
  • an inductor used for the transmission filter and the reception filter in order to improve the filter characteristics of the transmission filter and the reception filter, an inductor used for the transmission filter and the reception filter, an inductor and a delay line constituting a matching circuit, etc. May be formed. That is, the inductor and the delay line may be formed by the wiring provided on the surface of the wiring board or inside.
  • the surface acoustic wave duplexer using a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter as a receiving filter is particularly susceptible to deterioration of isolation.
  • the present invention has been made in view of such points, and an object thereof is to provide an elastic wave duplexer having excellent isolation characteristics.
  • the elastic wave duplexer includes an elastic wave filter chip and a wiring board.
  • the acoustic wave filter chip has a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter section.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit includes a piezoelectric substrate and a plurality of IDT electrodes. The plurality of IDT electrodes are formed on the piezoelectric substrate.
  • the wiring board has a die attach surface and a back surface. An elastic wave filter chip is mounted on the die attach surface.
  • the wiring board includes a land electrode layer including a plurality of land electrodes, a back terminal layer including a plurality of terminals, a plurality of intermediate electrode layers including a plurality of wiring electrodes, and at least three dielectric layers.
  • the plurality of land electrodes are formed on the die attach surface.
  • the plurality of land electrodes are connected to the elastic wave filter chip.
  • the plurality of terminals are formed on the back surface.
  • the plurality of wiring electrodes connect the plurality of land electrodes and the plurality of terminals.
  • the dielectric layer is disposed between any two of the land electrode layer, the plurality of intermediate electrode layers, and the back terminal layer.
  • the dielectric layer has a plurality of via-hole electrodes that connect any of the plurality of land electrodes, the plurality of wiring electrodes, and the plurality of terminals.
  • the plurality of terminals include a ground terminal connected to the ground.
  • the plurality of land electrodes include a ground land electrode connected to the ground terminal.
  • the plurality of wiring electrodes include a plurality of ground wiring electrodes that connect the ground terminal and the ground land electrode.
  • the plurality of via hole electrodes include a first ground via hole electrode, a second ground via hole electrode, and a third ground via hole electrode.
  • the first ground via hole electrode connects the ground wiring electrodes.
  • the second ground via hole electrode connects the ground wiring electrode and the ground land electrode.
  • the third ground via hole electrode connects the ground wiring electrode and the ground terminal. More first ground via hole electrodes are provided than each of the second and third ground via hole electrodes.
  • the acoustic wave duplexer includes a transmission filter and a reception filter.
  • the reception filter is composed of a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter section.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit is a balanced longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit having a balanced-unbalanced conversion function.
  • the dielectric layer is made of a resin.
  • resin includes a resin including a filler and a fibrous member.
  • glass epoxy resin is also included in the resin.
  • more first ground via hole electrodes are provided than each of the second and third ground via hole electrodes. Therefore, the isolation characteristics of the acoustic wave duplexer can be improved.
  • FIG. 1 is a schematic circuit diagram of a duplexer according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a duplexer according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic perspective plan view of the fourth electrode layer and the third dielectric layer of the wiring board in the duplexer according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic perspective plan view of the third electrode layer and the second dielectric layer of the wiring board in the duplexer according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic perspective plan view of the second electrode layer and the first dielectric layer of the wiring board in the duplexer according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic perspective plan view of the first electrode layer of the wiring board in the duplexer according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic perspective plan view of the fourth electrode layer and the third dielectric layer of the wiring board in the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 8 is a schematic perspective plan view of the third electrode layer and the second dielectric layer of the wiring board in the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 9 is a schematic perspective plan view of the second electrode layer and the first dielectric layer of the wiring board in the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 10 is a schematic perspective plan view of the first electrode layer of the wiring board in the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 11 is a schematic perspective plan view of the fourth electrode layer and the third dielectric layer of the wiring board in the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 12 is a schematic perspective plan view of the third electrode layer and the second dielectric layer of the wiring board in the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 13 is a schematic perspective plan view of the second electrode layer and the first dielectric layer of the wiring board in the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 14 is a schematic perspective plan view of the first electrode layer of the wiring board in the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 15 is a graph illustrating the differential characteristics of the duplexer of the example and the differential characteristics of the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 16 is a graph illustrating a first unbalance mode of the duplexer of the example and a first unbalance mode of the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 17 is a graph showing a second unbalance mode of the duplexer of the example and a second unbalance mode of the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 18 is a graph showing the differential characteristics of the duplexer of the example and the differential characteristics of the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 19 is a graph showing the first unbalance mode of the duplexer of the example and the first unbalance mode of the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 20 is a graph showing a second unbalance mode of the duplexer of the example and a second unbalance mode of the duplexer of the second comparative example.
  • the elastic wave duplexer according to the present invention is not limited to the duplexer 1.
  • the elastic wave duplexer according to the present invention may be a duplexer other than a duplexer, such as a triplexer.
  • the elastic wave duplexer according to the present invention may be a boundary acoustic wave duplexer using a boundary acoustic wave.
  • the duplexer 1 of this embodiment is mounted on an RF circuit such as a mobile phone that supports a CDMA system such as UMTS.
  • the duplexer 1 is a duplexer corresponding to UMTS-BAND2.
  • the transmission frequency band of UMTS-BAND2 is 1850 MHz to 1910 MHz, and the reception frequency band is 1930 MHz to 1990 MHz.
  • FIG. 1 is a schematic circuit diagram of a duplexer 1 according to the present embodiment. First, the circuit configuration of the duplexer 1 will be described with reference to FIG.
  • the duplexer 1 has an antenna terminal 21 connected to an antenna, a transmission terminal 24, and first and second reception terminals 22a and 22b.
  • a transmission filter 14 is connected between the antenna terminal 21 and the transmission terminal 24.
  • a reception filter 15 is connected between the antenna terminal 21 and the first and second reception terminals 22a and 22b.
  • a matching circuit including an inductor L1 is connected between a connection point between the transmission filter 14 and the reception filter 15 and the connection point between the antenna terminal 21 and the ground.
  • the transmission filter 14 includes an output terminal 14a, an input terminal 14b, and a ladder-type surface acoustic wave filter unit 14A.
  • the output terminal 14 a is connected to the antenna terminal 21.
  • the input terminal 14 b is connected to the transmission terminal 24.
  • the ladder-type surface acoustic wave filter unit 14A is connected between the output terminal 14a and the input terminal 14b.
  • the ladder-type surface acoustic wave filter unit 14A includes a series arm 33 that connects the output terminal 14a and the input terminal 14b. In the series arm 33, series arm resonators S1, S2, and S3 are connected in series.
  • Each of the series arm resonators S1, S2, and S3 includes a plurality of surface acoustic wave resonators that function as one resonator. As described above, each of the series arm resonators S1, S2, and S3 includes a plurality of surface acoustic wave resonators, so that the power durability of the transmission filter 14 can be improved. Note that each of the series arm resonators S1, S2, and S3 may be composed of one surface acoustic wave resonator.
  • the ladder surface acoustic wave filter unit 14A has parallel arms 37 to 39 connected between the series arm 33 and the ground. Each of the parallel arms 37 to 39 is provided with parallel arm resonators P1, P2, and P3. Each of the parallel arm resonators P1, P2, and P3 is composed of a plurality of surface acoustic wave resonators that function as one resonator. As described above, since each of the parallel arm resonators P1, P2, and P3 is configured by a plurality of surface acoustic wave resonators, the power durability of the transmission filter 14 can be improved. Note that each of the parallel arm resonators P1, P2, and P3 may be composed of one surface acoustic wave resonator.
  • An inductor L2 is connected between the parallel arm resonators P1 and P2 and the ground.
  • An inductor L3 is connected between the parallel arm resonator P3 and the ground.
  • the transmission filter 14 has an LC resonance circuit composed of a capacitor C1 and an inductor L4.
  • the capacitor C1 and the inductor L4 are connected in series between the input terminal 14b and the transmission terminal 24.
  • the capacitor C1 and the inductor L4 are connected in parallel with each other.
  • an attenuation pole is formed on the higher frequency side than the pass band of the transmission filter 14. Further, the impedance at the transmission terminal 24 is matched by the capacitor C1 and the inductor L4.
  • Each surface acoustic wave resonator constituting each of the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators P1 to P3 is arranged on one IDT electrode and both sides of the IDT electrode in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the capacitor C1 is composed of a pair of comb-like electrodes that are interleaved with each other.
  • the reception filter 15 has an unbalanced signal terminal 15a and first and second balanced signal terminals 15b and 15c.
  • the unbalanced signal terminal 15a is connected to the antenna terminal 21.
  • the first balanced signal terminal 15b is connected to the first receiving terminal 22a.
  • the second balanced signal terminal 15c is connected to the second receiving terminal 22b.
  • the reception filter 15 includes a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 15A connected between the unbalanced signal terminal 15a and the first and second balanced signal terminals 15b and 15c.
  • the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 15A is a balanced type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit having a balance-unbalance conversion function.
  • the impedance of the unbalanced signal terminal 15a is 50 ⁇ .
  • the impedances of the first and second balanced signal terminals 15b and 15c are 100 ⁇ .
  • the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 15A includes a first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 15A1, a second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 15A2, and a third longitudinally coupled resonator.
  • a resonator type surface acoustic wave filter unit 15A3, a fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 15A4, and surface acoustic wave resonators 17a to 17e are provided.
  • the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter sections 15A1 and 15A2 are connected between the unbalanced signal terminal 15a and the first balanced signal terminal 15b.
  • the third and fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter sections 15A3 and 15A4 are connected between the unbalanced signal terminal 15a and the second balanced signal terminal 15c.
  • Each of the first to fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter sections 15A1 to 15A4 is provided with three IDT electrodes arranged along the surface acoustic wave propagation direction and these three IDT electrodes. And a pair of reflectors disposed on both sides of the region in the surface acoustic wave propagation direction. That is, each of the first to fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 15A1 to 15A4 is a 3IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit.
  • the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 15A1 and 15A2 With respect to the IDT electrodes located on both sides of the surface acoustic wave propagation direction, the IDT electrodes located on both sides of the surface acoustic wave propagation directions of the third and fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter portions 15A3 and 15A4 are inverted. Yes.
  • the other configuration is the same between the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 15A1 and 15A2 and the third and fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 15A3 and 15A4. .
  • the surface acoustic wave resonators 17a to 17c are connected in series between the unbalanced signal terminal 15a and the first to fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter portions 15A1 to 15A4.
  • Each of the surface acoustic wave resonators 17a to 17c has one IDT electrode and a pair of reflectors disposed on both sides of the IDT electrode in the surface acoustic wave propagation direction. That is, each of the surface acoustic wave resonators 17a to 17c is a one-port surface acoustic wave resonator.
  • the surface acoustic wave resonators 17 a to 17 c are provided to adjust the phase with the transmission filter 14. Therefore, the surface acoustic wave resonators 17a to 17c have a resonance frequency within the pass band of the reception filter 15 and an anti-resonance frequency higher than the pass band of the reception filter 15, and outside the pass band. Configured to be located.
  • the surface acoustic wave resonator 17d is connected between a connection point between the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter portions 15A1 and 15A2 and the first balanced signal terminal 15b and the ground. ing.
  • the surface acoustic wave resonator 17e is connected between the connection point between the third and fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter portions 15A3 and 15A4 and the second balanced signal terminal 15c and the ground. It is connected.
  • Each of the surface acoustic wave resonators 17d and 17e has one IDT electrode and a pair of reflectors disposed on both sides of the IDT electrode in the surface acoustic wave propagation direction. That is, each of the surface acoustic wave resonators 17d and 17e is a one-port surface acoustic wave resonator.
  • the surface acoustic wave resonators 17 d and 17 e are provided to increase the out-of-band attenuation of the reception filter 15. Therefore, the surface acoustic wave resonators 17d and 17e are configured such that the resonance frequency is lower than the pass band of the reception filter 15, is located outside the pass band, and the anti-resonance frequency is located in the pass band. Has been.
  • the narrow pitch electrode finger portion is provided at the end of the IDT electrode at the portion where the IDT electrodes are adjacent to each other. Is provided.
  • a narrow pitch electrode finger part is a part where the period of the electrode finger which comprises an IDT electrode is smaller than the period of the electrode finger of the other part of the said IDT electrode in which the narrow pitch electrode finger part is formed.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the duplexer 1 according to the present embodiment. Next, a specific configuration of the duplexer 1 of the present embodiment will be described with reference mainly to FIG.
  • the duplexer 1 includes a wiring board 10, a transmission-side surface acoustic wave filter chip 18, and a reception-side surface acoustic wave filter chip 19.
  • the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18 is formed with portions of the transmission filter 14 excluding the inductors L2 to L4.
  • a terminal 14 c is formed on the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18.
  • the terminal 14c is connected to the capacitor C1.
  • the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18 is formed on the piezoelectric substrate and the piezoelectric substrate, and includes a pair of combs constituting the IDT electrode and the reflector constituting the surface acoustic wave resonator and the capacitor C1.
  • the reception-side surface acoustic wave filter chip 19 is formed with a reception filter 15 having a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter portion 15A.
  • the reception-side surface acoustic wave filter chip 19 is formed on the piezoelectric substrate and the piezoelectric substrate, and includes an IDT electrode, a reflector, a wiring, and the like constituting the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 15A. Electrode.
  • the piezoelectric substrate used in the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18 and the reception-side surface acoustic wave filter chip 19 of the duplexer 1 include, for example, piezoelectric single crystal substrates such as a LiNbO 3 substrate and a LiTaO 3 substrate.
  • the electrodes of the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18 and the reception-side surface acoustic wave filter chip 19 can be formed of, for example, a metal such as aluminum or an alloy.
  • An electrode can also be comprised by the laminated body of a some metal layer, for example.
  • the wiring board 10 has a die attach surface 10a and a back surface 10b.
  • the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18 and the reception-side surface acoustic wave filter chip 19 are flip-chip mounted by bumps 26 on the die attach surface 10a.
  • a sealing resin layer 16 is formed on the die attach surface 10 a so as to cover the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18 and the reception-side surface acoustic wave filter chip 19. That is, the duplexer 1 of the present embodiment is a CSP type surface acoustic wave filter device.
  • the wiring board 10 is composed of a laminate of first to third dielectric layers 41 to 43 and first to fourth electrode layers 44 to 47.
  • the first electrode layer 44 is disposed under the first dielectric layer 41.
  • the second electrode layer 45 is disposed between the first dielectric layer 41 and the second dielectric layer 42.
  • the third electrode layer 46 is disposed between the second dielectric layer 42 and the third dielectric layer 43.
  • the fourth electrode layer 47 is disposed on the third dielectric layer 43.
  • Each of the first to third dielectric layers 41 to 43 is formed with a plurality of via hole electrodes.
  • the wiring substrate 10 is a laminated substrate formed by alternately laminating electrode layers and dielectric layers.
  • Each of the first to third dielectric layers 41 to 43 can be made of, for example, a resin or ceramics such as alumina. That is, the wiring board 10 may be a printed wiring multilayer board made of resin or a ceramic multilayer board.
  • the wiring board is configured by a laminate of three dielectric layers and four electrode layers.
  • the present invention is not limited to this configuration.
  • the wiring board may have four or more dielectric layers.
  • FIG. 3 is a schematic perspective plan view of the fourth electrode layer 47 and the third dielectric layer 43 of the wiring board 10 in the duplexer 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic perspective plan view of the third electrode layer 46 and the second dielectric layer 42 of the wiring board 10 in the duplexer 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic perspective plan view of the second electrode layer 45 and the first dielectric layer 41 of the wiring board 10 in the duplexer 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic perspective plan view of the first electrode layer 44 of the wiring board 10 in the duplexer 1 according to the present embodiment.
  • FIGS. 3 to 6 show a state in which the duplexer 1 is seen through from the transmitting surface acoustic wave filter chip 18 and the receiving surface acoustic wave filter chip 19 side.
  • the fourth electrode layer 47 is composed of land electrodes 47a to 47l.
  • the fourth electrode layer 47 is a land electrode layer.
  • the land electrodes 47 a to 47 l are formed on the die attach surface 10 a of the wiring substrate 10, and are connected to the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18 and the reception-side surface acoustic wave filter chip 19.
  • the third electrode layer 46 includes electrodes 46a to 46c, 46e, and 46g to 46j.
  • the third electrode layer 46 is an intermediate electrode layer.
  • the electrodes 46a to 46c, 46e, 46g to 46j are connected to the land electrodes 47a to 47l on any of the antenna terminal 21, the first and second receiving terminals 22a and 22b, the transmitting terminal 24, and the ground terminal 25. It is a wiring electrode to be connected.
  • the second electrode layer 45 includes electrodes 45a to 45c, 45e, 45g, and 45j.
  • the second electrode layer 45 is an intermediate electrode layer.
  • the electrodes 45a to 45c, 45e, 45g, and 45j are connected to the land electrodes 47a to 47l, any of the antenna terminal 21, the first and second reception terminals 22a and 22b, the transmission terminal 24, and the ground terminal 25. It is a wiring electrode to be connected.
  • the first electrode layer 44 includes an antenna terminal 21, first and second receiving terminals 22 a and 22 b, a transmitting terminal 24, and a ground terminal 25.
  • the first electrode layer 44 is a back terminal layer.
  • the antenna terminal 21, the first and second reception terminals 22 a and 22 b, the transmission terminal 24, and the ground terminal 25 are formed on the back surface 10 b of the wiring board 10.
  • the antenna terminal 21 of the first electrode layer 44 is connected to the electrode 45a of the second electrode layer 45 by the via hole electrode 53a of the first dielectric layer 41.
  • the electrode 45 a of the second electrode layer 45 is connected to the electrode 46 a of the third electrode layer 46 by the via hole electrode 52 a of the second dielectric layer 42.
  • the electrode 46 a of the third electrode layer 46 is connected to the land electrodes 47 a and 47 d of the fourth electrode layer 47 by via-hole electrodes 51 a and 51 d of the third dielectric layer 43.
  • the land electrode 47 a of the fourth electrode layer 47 is connected to the unbalanced signal terminal 15 a of the reception-side surface acoustic wave filter chip 19.
  • the land electrode 47 d of the fourth electrode layer 47 is connected to the output terminal 14 a of the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18.
  • the first receiving terminal 22 a of the first electrode layer 44 is connected to the electrode 45 b of the second electrode layer 45 by the via hole electrode 53 b of the first dielectric layer 41.
  • the electrode 45 b of the second electrode layer 45 is connected to the electrode 46 b of the third electrode layer 46 by the via hole electrode 52 b of the second dielectric layer 42.
  • the electrode 46 b of the third electrode layer 46 is connected to the land electrode 47 b of the fourth electrode layer 47 by the via hole electrode 51 b of the third dielectric layer 43.
  • the land electrode 47 b of the fourth electrode layer 47 is connected to the first balanced signal terminal 15 b of the reception-side surface acoustic wave filter chip 19.
  • the second receiving terminal 22 b of the first electrode layer 44 is connected to the electrode 45 c of the second electrode layer 45 by the via hole electrode 53 c of the first dielectric layer 41.
  • the electrode 45 c of the second electrode layer 45 is connected to the electrode 46 c of the third electrode layer 46 by the via hole electrode 52 c of the second dielectric layer 42.
  • the electrode 46 c of the third electrode layer 46 is connected to the land electrode 47 c of the fourth electrode layer 47 by the via hole electrode 51 c of the third dielectric layer 43.
  • the land electrode 47 c of the fourth electrode layer 47 is connected to the second balanced signal terminal 15 c of the reception-side surface acoustic wave filter chip 19.
  • the transmission terminal 24 of the first electrode layer 44 is connected to the electrode 45e of the second electrode layer 45 by a via hole electrode 53e of the first dielectric layer 41.
  • the electrode 45e of the second electrode layer 45 includes electrode portions 45e1 and 45e2.
  • the electrode portion 45e1 is a portion from one end portion of the electrode 45e of the second electrode layer 45 to a connection point with the via-hole electrode 53e of the first dielectric layer 41.
  • the electrode portion 45e2 is a portion from the other end of the electrode 45e of the second electrode layer 45 to a connection point with the via-hole electrode 53e of the first dielectric layer 41.
  • the electrode part 45e1 constitutes an inductor L4.
  • the electrode 45e of the second electrode layer 45 is connected to the electrodes 46e and 46h of the third electrode layer 46 by via-hole electrodes 52e and 52h of the second dielectric layer 42.
  • the electrode 46e of the third electrode layer 46 constitutes an inductor L4.
  • the electrode 46 e of the third electrode layer 46 is connected to the land electrode 47 e of the fourth electrode layer 47 by the via hole electrode 51 e of the third dielectric layer 43.
  • the land electrode 47 e of the fourth electrode layer 47 is connected to the input terminal 14 b of the transmission surface acoustic wave filter chip 18.
  • the electrode 46 h of the third electrode layer 46 is connected to the land electrode 47 h of the fourth electrode layer 47 by the via hole electrode 51 h of the third dielectric layer 43.
  • the land electrode 47 h of the fourth electrode layer 47 is connected to the terminal 14 c of the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18.
  • the ground terminal 25 of the first electrode layer 44 is connected to the electrode 45g of the second electrode layer 45 by the via hole electrode 53g of the first dielectric layer 41.
  • the electrode 45g of the second electrode layer 45 constitutes an inductor L2.
  • the electrode 45 g of the second electrode layer 45 is connected to the electrode 46 g of the third electrode layer 46 by the via hole electrode 52 g of the second dielectric layer 42.
  • the electrode 46g of the third electrode layer 46 constitutes the inductor L2.
  • the electrode 46 g of the third electrode layer 46 is connected to the land electrodes 47 f and 47 g of the fourth electrode layer 47 by via-hole electrodes 51 f and 51 g of the third dielectric layer 43.
  • the land electrode 47 f of the fourth electrode layer 47 is connected to the parallel arm resonator P ⁇ b> 2 of the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18.
  • the land electrode 47 g of the fourth electrode layer 47 is connected to the parallel arm resonator P ⁇ b> 1 of the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18.
  • the ground terminal 25 of the first electrode layer 44 is connected to the electrode 45j of the second electrode layer 45 by a plurality of via hole electrodes 53j of the first dielectric layer 41.
  • the electrode 45 j of the second electrode layer 45 is connected to the electrodes 46 i and 46 j of the third electrode layer 46 by a plurality of via hole electrodes 52 i and 52 j of the second dielectric layer 42.
  • the electrode 46i of the third electrode layer 46 constitutes an inductor L3.
  • the electrode 46 i of the third electrode layer 46 is connected to the land electrode 47 i of the fourth electrode layer 47 by the via hole electrode 51 i of the third dielectric layer 43.
  • the land electrode 47 i of the fourth electrode layer 47 is connected to the parallel arm resonator P 3 of the transmission-side surface acoustic wave filter chip 18.
  • the electrode 46j of the third electrode layer 46 is connected to the land electrodes 47j, 47k, 47l of the fourth electrode layer 47 by via-hole electrodes 51j, 51k, 51l of the third dielectric layer 43.
  • the land electrodes 47j, 47k, and 47l of the fourth electrode layer 47 are the first to fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter portions 15A1 to 15A4 and the surface acoustic wave resonators of the reception-side surface acoustic wave filter chip 19, respectively. 17d and 17e.
  • the ground terminal 25 is a ground electrode that connects the transmission filter 14 and the reception filter 15 to the ground.
  • the land electrodes 47j, 47k, 47l, the via hole electrodes 51j, 51k, 51l, the electrode 46j, the plurality of via hole electrodes 52j, the electrode 45j, and the plurality of via hole electrodes 53j connect the reception filter 15 to the ground. It is a ground electrode. Therefore, the land electrodes 47j, 47k, and 47l are ground land electrodes.
  • the electrode 46j and the electrode 45j are ground wiring electrodes 55 that connect the ground terminal 25 and the land electrodes 47j, 47k, and 47l.
  • the plurality of via-hole electrodes 52j are first ground via-hole electrodes that connect the electrode 46j that is the ground wiring electrode 55 and the electrode 45j that is the ground wiring electrode 55.
  • the via-hole electrodes 51j, 51k, and 51l are second ground via-hole electrodes that connect the electrode 46j that is the ground wiring electrode 55 and the land electrodes 47j, 47k, and 47l that are ground land electrodes.
  • the plurality of via-hole electrodes 53j are third ground via-hole electrodes that connect the electrode 45j that is the ground wiring electrode 55 and the ground terminal 25.
  • the via hole electrode 52 j that is the first ground via hole electrode is the via hole electrode 51 j, 51 k, 51 l that is the second ground via hole electrode and the via hole electrode 53 j that is the third ground via hole electrode. More than any of these. Specifically, in the present embodiment, 14 via-hole electrodes 52j are provided. A total of three via-hole electrodes 51j, 51k, 51l are provided. Four via-hole electrodes 53j are provided. Therefore, the isolation characteristic of the duplexer 1 can be improved.
  • the receiving side elasticity The ground near the surface wave filter chip 19 becomes weak. For this reason, in the reception-side surface acoustic wave filter chip 19, a signal outside the pass band that should flow to the ground becomes difficult to flow to the ground. Accordingly, the isolation characteristics are deteriorated.
  • the via-hole electrode 52j that is the first ground via-hole electrode is replaced with the via-hole electrodes 51j, 51k, and 51l that are the second ground via-hole electrodes and the via-hole electrodes that are the third ground via-hole electrodes. If more than 53j is provided, the electrodes formed on the piezoelectric substrate of the reception-side surface acoustic wave filter chip 19 and the wiring are strengthened while strengthening the ground near the reception-side surface acoustic wave filter chip 19 Capacitive coupling with the fourth electrode layer 47 of the substrate 10 can be reduced. Therefore, the isolation characteristics of the duplexer 1 can be improved.
  • the duplexer 1 according to the above embodiment was manufactured with the following design parameters. Note that the wavelength of the surface acoustic wave determined by the period of the electrode fingers of the IDT electrode is ⁇ I.
  • Piezoelectric substrate of receiving surface acoustic wave filter chip 19 40 ° ⁇ 5 ° Y-cut X-propagation LiTaO 3 substrate
  • Electrodes of receiving surface acoustic wave filter chip 19 Al, Ti First longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 15A1: Cross width of IDT electrode: 30.4 ⁇ I Number of electrode fingers of IDT electrodes on both sides: 39 (of which, the number of narrow-pitch electrode fingers: 5) Number of electrode fingers of center IDT electrode: 43 (of which, the number of narrow pitch electrode fingers at one side end: 3, the number of narrow pitch electrode fingers at the other end: 7) Number of reflector electrode fingers: 65 IDT electrode and reflector metallization ratio: 0.68 IDT electrode and reflector electrode film thickness: 0.091 ⁇ I
  • the period of the narrow pitch electrode finger of the IDT electrode on one side of the IDT electrodes on both sides is designed to be 0.09 ⁇ m smaller than the period of the narrow pitch electrode finger of the IDT electrodes on
  • Second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 15A2 The same design parameters as the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 15A1
  • the third and fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 15A3 and 15A4 The only difference is that the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter portions 15A1 and 15A2 and the IDT electrodes on both sides are inverted.
  • IDT electrode Number of electrode fingers of IDT electrode: 111 Number of electrode fingers of reflector: 18 Metallization ratio of IDT electrode and reflector: 0.60 IDT electrode and reflector electrode film thickness: 0.091 ⁇ I
  • FIG. 7 is a schematic perspective plan view of the fourth electrode layer 47 and the third dielectric layer 43 of the wiring board 10 in the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 8 is a schematic perspective plan view of the third electrode layer 46 and the second dielectric layer 42 of the wiring board 10 in the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 9 is a schematic perspective plan view of the second electrode layer 45 and the first dielectric layer 41 of the wiring board 10 in the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 10 is a schematic perspective plan view of the first electrode layer 44 of the wiring board 10 in the duplexer of the first comparative example.
  • FIGS. 7 to 10 show a state in which the duplexer of the first comparative example is seen through from the transmitting surface acoustic wave filter chip 18 and the receiving surface acoustic wave filter chip 19 side.
  • the via hole electrodes 52j are provided more than the via hole electrodes 51j, 51k, 51l, but are provided fewer than the via hole electrodes 53j.
  • FIG. 11 is a schematic perspective plan view of the fourth electrode layer 47 and the third dielectric layer 43 of the wiring board 10 in the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 12 is a schematic perspective plan view of the third electrode layer 46 and the second dielectric layer 42 of the wiring board 10 in the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 13 is a schematic perspective plan view of the second electrode layer 45 and the first dielectric layer 41 of the wiring board 10 in the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 14 is a schematic perspective plan view of the first electrode layer 44 of the wiring board 10 in the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 11 to FIG. 14 show a state in which the duplexer of the second comparative example is seen through from the transmitting surface acoustic wave filter chip 18 and the receiving surface acoustic wave filter chip 19 side.
  • the number of via-hole electrodes 52j is the same as the number of via-hole electrodes 53j and is smaller than the number of via-hole electrodes 51j, 51k, 51l.
  • isolation characteristics of the duplexers of the examples and the first and second comparative examples were measured.
  • the isolation characteristic “differential characteristic” which is an isolation characteristic in a differential state between the transmission terminal 24 and the first and second reception terminals 22a and 22b, and the transmission terminal 24
  • the “second unbalance mode”, which is an oscillation characteristic was measured.
  • FIG. 15 shows the differential characteristics of the duplexer 1 of the example and the differential characteristics of the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 16 shows a first unbalance mode of the duplexer 1 of the embodiment and a first unbalance mode of the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 17 shows a second unbalance mode of the duplexer 1 of the embodiment and a second unbalance mode of the duplexer of the first comparative example.
  • the minimum attenuation value in the transmission frequency band (1850 to 1910 MHz) in the differential characteristic is 57.7 dB in the duplexer 1 of the embodiment, and 56. 5 in the duplexer of the first comparative example. 2 dB.
  • the duplexer 1 of the example was 1.5 dB better in differential characteristics than the duplexer of the first comparative example.
  • the minimum value of attenuation in the transmission frequency band (1850 to 1910 MHz) in the first unbalanced mode is 56.0 dB in the duplexer 1 of the embodiment, and the duplexer of the first comparative example. Then, it was 55.0 dB.
  • the first unbalance mode was 1.0 dB better than the duplexer of the first comparative example.
  • the minimum value of attenuation in the transmission frequency band (1850 to 1910 MHz) in the second unbalanced mode is 52.7 dB in the duplexer 1 of the embodiment, and the duplexer of the first comparative example. It was 50.7 dB.
  • the second unbalance mode was 2.0 dB better than the duplexer of the first comparative example.
  • FIG. 18 shows the differential characteristics of the duplexer 1 of the example and the differential characteristics of the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 19 shows a first unbalance mode of the duplexer 1 of the embodiment and a first unbalance mode of the duplexer of the second comparative example.
  • FIG. 20 shows a second unbalance mode of the duplexer 1 of the embodiment and a second unbalance mode of the duplexer of the second comparative example.
  • the minimum attenuation value in the transmission frequency band (1850 to 1910 MHz) in the differential characteristics is 57.7 dB in the duplexer 1 of the embodiment, and 56. 5 in the duplexer of the second comparative example. It was 0 dB.
  • the duplexer 1 of the example was 1.7 dB better in differential characteristics than the duplexer of the second comparative example.
  • the minimum value of attenuation in the transmission frequency band (1850 to 1910 MHz) in the first unbalanced mode is 56.0 dB in the duplexer 1 of the embodiment, and the duplexer of the second comparative example. It was 56.0 dB.
  • the duplexer of the second comparative example and the first unbalance mode were the same.
  • the minimum value of attenuation in the transmission frequency band (1850 to 1910 MHz) in the second unbalanced mode is 52.7 dB in the duplexer 1 of the embodiment, and the duplexer of the second comparative example. It was 51.0 dB. In the duplexer 1 of the example, the second unbalance mode was 1.7 dB better than the duplexer of the second comparative example.
  • the number of via hole electrodes 52j as the first ground via hole electrodes is larger than any of the via hole electrodes 51j, 51k, 51l as the second ground via hole electrodes and the via hole electrode 53j as the third ground via hole electrode. It can be seen that the isolation characteristic of the duplexer 1 can be improved by providing.

Abstract

　優れたアイソレーション特性を有する弾性波分波器を提供する。　第１のグラウンドビアホール電極５２ｊは、グラウンド配線電極５５である電極４６ｊ，４５ｊ間を接続している。第２のグラウンドビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌは、グラウンド配線電極５５である電極４６ｊとグラウンドランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌとを接続している。第３のグラウンドビアホール電極５３ｊは、グラウンド配線電極５５である電極４５ｊとグラウンド端子２５とを接続している。第１のグラウンドビアホール電極５２ｊが、第２及び第３のグラウンドビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌ，５３ｊのそれぞれよりも多く設けられている。

Description

弾性波分波器
　本発明は、弾性波分波器に関する。特に、本発明は、縦結合共振子型弾性波フィルタ部を備えるＣＳＰ型の弾性波分波器に関する。
　例えば、ＵＭＴＳ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ　Ｍｏｂｉｌｅ　Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ　Ｓｙｓｔｅｍ）のようなＣＤＭＡ（Ｃｏｄｅ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｍｕｌｔｉｐｌｅ　Ａｃｃｅｓｓ）方式に対応する携帯電話機などの通信機では、信号の送信及び受信を同時に行うために、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路にデュプレクサが搭載されている。デュプレクサは、送信フィルタと、受信フィルタと、整合回路とを備える分波器である。デュプレクサには、送信フィルタ及び受信フィルタのそれぞれにおいて、通過帯域内の挿入損失が小さいこと、通過帯域近傍の減衰量が大きいことなどが求められる。
　従来、送信フィルタ及び受信フィルタが弾性表面波フィルタからなる弾性表面波デュプレクサが実用化されている。近年では、携帯電話機のＲＦ回路においてバランを省略するために、デュプレクサの受信フィルタにバラン機能を持たせることが求められている。そのため、受信フィルタが平衡－不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタからなる弾性表面波デュプレクサが、携帯電話機のＲＦ回路に搭載されるようになってきている（例えば特許文献１等）。
特開２００３－２４９８４２号公報
　ところで、携帯電話機などの通信機では、ＲＦ回路を小型化するために、デュプレクサなどの分波器の小型化が求められている。小型な分波器としては、配線基板に弾性波フィルタチップがフリップチップ実装されており、弾性波フィルタチップが封止樹脂により封止されている、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）型の弾性波分波器が知られている。
　ＣＳＰ型の弾性波分波器においては、送信フィルタや受信フィルタのフィルタ特性を改善するために、送信フィルタや受信フィルタに用いられるインダクタや、整合回路を構成するインダクタや遅延線などが、配線基板に形成されることがある。すなわち、配線基板の表面や内部に設けられた配線により、上記のインダクタや遅延線が形成されることがある。
　しかしながら、配線基板にインダクタや遅延線を形成した場合、配線基板内で電気的な結合などが生じたり、送信フィルタ及び受信フィルタのグラウンドが弱くなったりする場合がある。送信フィルタ及び受信フィルタのグラウンドが弱くなると、グラウンドに流れるべき通過帯域外の信号がグラウンドに流れにくくなる。このため、送信フィルタ及び受信フィルタにおける通過帯域外の減衰量が悪化することになる。その結果、弾性波分波器のアイソレーション特性が悪化することになる。
　特に、縦結合共振子型弾性表面波フィルタでは、ラダー型弾性表面波フィルタに比べて、グラウンドが弱いときに、通過帯域外の減衰量が悪化しやすい。そのため、受信フィルタとして縦結合共振子型弾性表面波フィルタを用いた弾性表面波デュプレクサは、特にアイソレーションが悪化しやすい。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、優れたアイソレーション特性を有する弾性波分波器を提供することにある。
　本発明に係る弾性波分波器は、弾性波フィルタチップと、配線基板とを備えている。弾性波フィルタチップは、縦結合共振子型弾性波フィルタ部を有する。縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、圧電基板と、複数のＩＤＴ電極とを含む。複数のＩＤＴ電極は、圧電基板の上に形成されている。配線基板は、ダイアタッチ面と裏面とを有する。ダイアタッチ面の上に弾性波フィルタチップが実装されている。配線基板は、複数のランド電極を含むランド電極層と、複数の端子を含む裏面端子層と、複数の配線電極を含む複数の中間電極層と、少なくとも３層の誘電体層とを有する。複数のランド電極は、ダイアタッチ面の上に形成されている。複数のランド電極は、弾性波フィルタチップに接続されている。複数の端子は、裏面の上に形成されている。複数の配線電極は、複数のランド電極と複数の端子とを接続している。誘電体層は、ランド電極層と複数の中間電極層と裏面端子層とのうち、いずれか２つの間に配置されている。誘電体層は、複数のランド電極と複数の配線電極と複数の端子とのうち、いずれかを接続する複数のビアホール電極を有する。複数の端子には、グラウンドに接続されるグラウンド端子が含まれている。複数のランド電極には、グラウンド端子に接続されているグラウンドランド電極が含まれている。複数の配線電極には、グラウンド端子とグラウンドランド電極とを接続している複数のグラウンド配線電極が含まれている。複数のビアホール電極は、第１のグラウンドビアホール電極と、第２のグラウンドビアホール電極と、第３のグラウンドビアホール電極とを含む。第１のグラウンドビアホール電極は、グラウンド配線電極間を接続している。第２のグラウンドビアホール電極は、グラウンド配線電極とグラウンドランド電極とを接続している。第３のグラウンドビアホール電極は、グラウンド配線電極とグラウンド端子とを接続している。第１のグラウンドビアホール電極が、第２及び第３のグラウンドビアホール電極のそれぞれよりも多く設けられている。
　本発明に係る弾性波分波器のある特定の局面では、弾性波分波器は、送信フィルタと受信フィルタとを備えている。受信フィルタは、縦結合共振子型弾性波フィルタ部により構成されている。
　本発明に係る弾性波分波器の他の特定の局面では、縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、平衡－不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部である。
　本発明に係る弾性波分波器の別の特定の局面では、誘電体層は、樹脂からなる。
　なお、本発明において、「樹脂」には、フィラーや繊維状部材を含む樹脂が含まれるものとする。例えば、ガラスエポキシ樹脂も樹脂に含まれるものとする。
　本発明では、第１のグラウンドビアホール電極が、第２及び第３のグラウンドビアホール電極のそれぞれよりも多く設けられている、このため、弾性波分波器のアイソレーション特性を改善することができる。
図１は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサの略図的回路図である。 図２は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサの模式的断面図である。 図３は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサにおける、配線基板の第４の電極層と第３の誘電体層との模式的透視平面図である。 図４は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサにおける、配線基板の第３の電極層と第２の誘電体層との模式的透視平面図である。 図５は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサにおける、配線基板の第２の電極層と第１の誘電体層との模式的透視平面図である。 図６は、本発明を実施した一実施形態に係るデュプレクサにおける、配線基板の第１の電極層の模式的透視平面図である。 図７は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第４の電極層と第３の誘電体層との模式的透視平面図である。 図８は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第３の電極層と第２の誘電体層との模式的透視平面図である。 図９は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第２の電極層と第１の誘電体層との模式的透視平面図である。 図１０は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第１の電極層の模式的透視平面図である。 図１１は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第４の電極層と第３の誘電体層との模式的透視平面図である。 図１２は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第３の電極層と第２の誘電体層との模式的透視平面図である。 図１３は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第２の電極層と第１の誘電体層との模式的透視平面図である。 図１４は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板の第１の電極層の模式的透視平面図である。 図１５は、実施例のデュプレクサの差動特性と、第１の比較例のデュプレクサの差動特性とを示すグラフである。 図１６は、実施例のデュプレクサの第１のアンバランスモードと、第１の比較例のデュプレクサの第１のアンバランスモードとを示すグラフである。 図１７は、実施例のデュプレクサの第２のアンバランスモードと、第１の比較例のデュプレクサの第２のアンバランスモードとを示すグラフである。 図１８は、実施例のデュプレクサの差動特性と、第２の比較例のデュプレクサの差動特性とを示すグラフである。 図１９は、実施例のデュプレクサの第１のアンバランスモードと、第２の比較例のデュプレクサの第１のアンバランスモードとを示すグラフである。 図２０は、実施例のデュプレクサの第２のアンバランスモードと、第２の比較例のデュプレクサの第２のアンバランスモードとを示すグラフである。
　以下、本発明を実施した好ましい形態について、弾性表面波分波器の一種である図１及び図２に示すデュプレクサ１を例に挙げて説明する。但し、デュプレクサ１は、単なる例示である。本発明に係る弾性波分波器は、デュプレクサ１に何ら限定されない。本発明に係る弾性波分波器は、例えばトリプレクサなどの、デュプレクサ以外の分波器であってもよい。また、本発明に係る弾性波分波器は、弾性境界波を利用した弾性境界波分波器であってもよい。
　本実施形態のデュプレクサ１は、例えば、ＵＭＴＳのようなＣＤＭＡ方式に対応する携帯電話機などのＲＦ回路に搭載されるものである。具体的には、デュプレクサ１は、ＵＭＴＳ－ＢＡＮＤ２に対応するデュプレクサである。なお、ＵＭＴＳ－ＢＡＮＤ２の送信周波数帯は、１８５０ＭＨｚ～１９１０ＭＨｚであり、受信周波数帯は、１９３０ＭＨｚ～１９９０ＭＨｚである。
　図１は、本実施形態に係るデュプレクサ１の略図的回路図である。まず、図１を参照しながら、デュプレクサ１の回路構成について説明する。
　図１に示すように、デュプレクサ１は、アンテナに接続されるアンテナ端子２１と、送信端子２４と、第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂとを有する。アンテナ端子２１と送信端子２４との間に、送信フィルタ１４が接続されている。アンテナ端子２１と第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂとの間に、受信フィルタ１５が接続されている。送信フィルタ１４及び受信フィルタ１５の接続点とアンテナ端子２１との間の接続点と、グラウンドとの間には、インダクタＬ１からなる整合回路が接続されている。
　送信フィルタ１４は、出力端子１４ａと、入力端子１４ｂと、ラダー型弾性表面波フィルタ部１４Ａとを有する。出力端子１４ａは、アンテナ端子２１と接続されている。入力端子１４ｂは、送信端子２４と接続されている。ラダー型弾性表面波フィルタ部１４Ａは、出力端子１４ａと入力端子１４ｂとの間に接続されている。ラダー型弾性表面波フィルタ部１４Ａは、出力端子１４ａと入力端子１４ｂとを接続している直列腕３３を有する。直列腕３３において、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３が直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のそれぞれは、ひとつの共振子として機能する複数の弾性表面波共振子により構成されている。このように、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のそれぞれが、複数の弾性表面波共振子によって構成されていることにより、送信フィルタ１４の耐電力性を向上させることができる。なお、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のそれぞれは、１つの弾性表面波共振子により構成されていてもよい。
　ラダー型弾性表面波フィルタ部１４Ａは、直列腕３３とグラウンドとの間に接続されている並列腕３７～３９を有する。並列腕３７～３９のそれぞれには、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が設けられている。並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれは、ひとつの共振子として機能する複数の弾性表面波共振子により構成されている。このように、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれが、複数の弾性表面波共振子によって構成されていることにより、送信フィルタ１４の耐電力性を向上させることができる。なお、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれは、１つの弾性表面波共振子により構成されていてもよい。
　並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２とグラウンドとの間には、インダクタＬ２が接続されている。並列腕共振子Ｐ３とグラウンドとの間には、インダクタＬ３が接続されている。
　送信フィルタ１４は、キャパシタＣ１とインダクタＬ４とにより構成されているＬＣ共振回路を有する。キャパシタＣ１とインダクタＬ４とは、入力端子１４ｂと送信端子２４との間に直列に接続されている。また、キャパシタＣ１とインダクタＬ４とは、互いに並列に接続されている。このＬＣ共振回路により、送信フィルタ１４の通過帯域よりも高域側に減衰極が形成される。また、キャパシタＣ１とインダクタＬ４とにより、送信端子２４におけるインピーダンスが整合されている。
　直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３のそれぞれを構成している各弾性表面波共振子は、１つのＩＤＴ電極と、当該ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された１組の反射器とを有する。すなわち、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３のそれぞれを構成している弾性表面波共振子は、１ポート型弾性表面波共振子である。キャパシタＣ１は、互いに間挿し合っている一対の櫛歯状電極により構成されている。
　受信フィルタ１５は、不平衡信号端子１５ａと、第１及び第２の平衡信号端子１５ｂ，１５ｃとを有する。不平衡信号端子１５ａは、アンテナ端子２１と接続されている。第１の平衡信号端子１５ｂは、第１の受信端子２２ａと接続されている。第２の平衡信号端子１５ｃは、第２の受信端子２２ｂと接続されている。受信フィルタ１５は、不平衡信号端子１５ａと、第１及び第２の平衡信号端子１５ｂ，１５ｃとの間に接続されている、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａを有する。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａは、平衡－不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部である。なお、本実施形態において、不平衡信号端子１５ａのインピーダンスは５０Ωである。第１及び第２の平衡信号端子１５ｂ，１５ｃのインピーダンスは１００Ωである。
　縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａは、第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１と、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ２と、第３の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３と、第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ４と、弾性表面波共振子１７ａ～１７ｅとを有する。
　第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１，１５Ａ２は、不平衡信号端子１５ａと第１の平衡信号端子１５ｂとの間に接続されている。一方、第３，第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３，１５Ａ４は、不平衡信号端子１５ａと第２の平衡信号端子１５ｃとの間に接続されている。
　第１～第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１～１５Ａ４のそれぞれは、弾性表面波伝搬方向に沿って配置された３つのＩＤＴ電極と、それら３つのＩＤＴ電極が設けられている領域の弾性表面波伝搬方向両側に配置された一対の反射器とを有する。すなわち、第１～第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１～１５Ａ４のそれぞれは、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部である。
　なお、第１～第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１～１５Ａ４では、位相を反転するために、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１，１５Ａ２の弾性表面波伝搬方向両側に位置するＩＤＴ電極に対して、第３，第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３，１５Ａ４の弾性表面波伝搬方向両側に位置するＩＤＴ電極が反転されている。それ以外の構成は、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１，１５Ａ２と第３，第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３，１５Ａ４とで同じである。
　弾性表面波共振子１７ａ～１７ｃは、不平衡信号端子１５ａと第１～第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１～１５Ａ４との間に直列に接続されている。弾性表面波共振子１７ａ～１７ｃのそれぞれは、１つのＩＤＴ電極と、当該ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された１組の反射器とを有する。すなわち、弾性表面波共振子１７ａ～１７ｃのそれぞれは、１ポート型弾性表面波共振子である。
　弾性表面波共振子１７ａ～１７ｃは、送信フィルタ１４との位相を調整するために設けられている。そのため、弾性表面波共振子１７ａ～１７ｃは、共振周波数が受信フィルタ１５の通過帯域内に位置し、かつ反共振周波数が受信フィルタ１５の通過帯域よりも高域側であって、通過帯域外に位置するように構成されている。
　弾性表面波共振子１７ｄは、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１，１５Ａ２と第１の平衡信号端子１５ｂとの間の接続点と、グラウンドとの間に接続されている。一方、弾性表面波共振子１７ｅは、第３，第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３，１５Ａ４と第２の平衡信号端子１５ｃとの間の接続点と、グラウンドとの間に接続されている。
　弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅのそれぞれは、１つのＩＤＴ電極と、当該ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された１組の反射器とを有する。すなわち、弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅのそれぞれは、１ポート型弾性表面波共振子である。弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅは、受信フィルタ１５の帯域外減衰量を大きくするために設けられている。そのため、弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅは、共振周波数が受信フィルタ１５の通過帯域よりも低域側であって、通過帯域外に位置し、反共振周波数が通過帯域内に位置するように構成されている。
　なお、本実施形態では、第１～第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１～１５Ａ４において、ＩＤＴ電極同士が隣り合う部分には、ＩＤＴ電極の端部に狭ピッチ電極指部が設けられている。狭ピッチ電極指部とは、ＩＤＴ電極を構成する電極指の周期が、狭ピッチ電極指部が形成されている当該ＩＤＴ電極の他の部分の電極指の周期よりも小さい部分である。
　図２は、本実施形態に係るデュプレクサ１の模式的断面図である。次に、図２を主として参照しながら、本実施形態のデュプレクサ１の具体的構成について説明する。
　図２に示すように、デュプレクサ１は、配線基板１０と、送信側弾性表面波フィルタチップ１８と、受信側弾性表面波フィルタチップ１９とを備えている。図１に示すように、送信側弾性表面波フィルタチップ１８には、送信フィルタ１４のインダクタＬ２～Ｌ４を除く部分が形成されている。送信側弾性表面波フィルタチップ１８には、端子１４ｃが形成されている。端子１４ｃは、キャパシタＣ１に接続されている。送信側弾性表面波フィルタチップ１８は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、弾性表面波共振子を構成しているＩＤＴ電極及び反射器、キャパシタＣ１を構成している一対の櫛歯状電極、配線などを含む電極とを有する。一方、受信側弾性表面波フィルタチップ１９には、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａを有する受信フィルタ１５が形成されている。受信側弾性表面波フィルタチップ１９は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されており、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａを構成しているＩＤＴ電極及び反射器、配線などを含む電極とを有する。
　デュプレクサ１の送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９に用いられる圧電基板の具体例としては、例えば、ＬｉＮｂＯ３基板やＬｉＴａＯ３基板などの圧電単結晶基板が挙げられる。送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９の電極は、例えば、アルミニウムなどの金属や合金により形成することができる。電極は、例えば、複数の金属層の積層体によって構成することもできる。
　図２に示すように、配線基板１０は、ダイアタッチ面１０ａと、裏面１０ｂとを有する。図２に示すように、上記送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９は、ダイアタッチ面１０ａの上に、バンプ２６によりフリップチップ実装されている。ダイアタッチ面１０ａの上には、送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９を覆うように、封止樹脂層１６が形成されている。すなわち、本実施形態のデュプレクサ１は、ＣＳＰ型の弾性表面波フィルタ装置である。
　図２に示すように、配線基板１０は、第１～第３の誘電体層４１～４３と第１～第４の電極層４４～４７との積層体により構成されている。第１の電極層４４は、第１の誘電体層４１の下に配置されている。第２の電極層４５は、第１の誘電体層４１と第２の誘電体層４２の間に配置されている。第３の電極層４６は、第２の誘電体層４２と第３の誘電体層４３の間に配置されている。第４の電極層４７は、第３の誘電体層４３の上に配置されている。第１～第３の誘電体層４１～４３には、それぞれ、複数のビアホール電極が形成されている。配線基板１０は、電極層と誘電体層とが交互に積層されて形成されている積層基板である。なお、第１～第３の誘電体層４１～４３のそれぞれは、例えば、樹脂や、アルミナなどのセラミックスなどにより構成することができる。すなわち、配線基板１０は、樹脂からなるプリント配線多層基板や、セラミック多層基板であってもよい。
　なお、本実施形態では、配線基板が３つの誘電体層と４つの電極層との積層体により構成されている例について説明する。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明においては、配線基板は、４層以上の誘電体層を有していてもよい。
　図３は、本実施形態に係るデュプレクサ１における、配線基板１０の第４の電極層４７と第３の誘電体層４３との模式的透視平面図である。図４は、本実施形態に係るデュプレクサ１における、配線基板１０の第３の電極層４６と第２の誘電体層４２との模式的透視平面図である。図５は、本実施形態に係るデュプレクサ１における、配線基板１０の第２の電極層４５と第１の誘電体層４１との模式的透視平面図である。図６は、本実施形態に係るデュプレクサ１における、配線基板１０の第１の電極層４４の模式的透視平面図である。図３～図６は、送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９側からデュプレクサ１を透視した状態を示している。
　図３に示すように、第４の電極層４７は、ランド電極４７ａ～４７ｌにより構成されている。第４の電極層４７は、ランド電極層である。ランド電極４７ａ～４７ｌは、配線基板１０のダイアタッチ面１０ａの上に形成されており、送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９に接続されている。
　図４に示すように、第３の電極層４６は、電極４６ａ～４６ｃ，４６ｅ，４６ｇ～４６ｊにより構成されている。第３の電極層４６は、中間電極層である。電極４６ａ～４６ｃ，４６ｅ，４６ｇ～４６ｊは、ランド電極４７ａ～４７ｌを、アンテナ端子２１と、第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂと、送信端子２４と、グラウンド端子２５とのいずれかに接続する配線電極である。
　図５に示すように、第２の電極層４５は、電極４５ａ～４５ｃ，４５ｅ，４５ｇ，４５ｊにより構成されている。第２の電極層４５は、中間電極層である。電極４５ａ～４５ｃ，４５ｅ，４５ｇ，４５ｊは、ランド電極４７ａ～４７ｌを、アンテナ端子２１と、第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂと、送信端子２４と、グラウンド端子２５とのいずれかに接続する配線電極である。
　図６に示すように、第１の電極層４４は、アンテナ端子２１と、第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂと、送信端子２４と、グラウンド端子２５とにより構成されている。第１の電極層４４は、裏面端子層である。アンテナ端子２１と、第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂと、送信端子２４と、グラウンド端子２５とは、配線基板１０の裏面１０ｂの上に形成されている。
　第１の電極層４４のアンテナ端子２１は、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ａによって、第２の電極層４５の電極４５ａに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ａは、第２の誘電体層４２のビアホール電極５２ａによって、第３の電極層４６の電極４６ａに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ａは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ａ，５１ｄによって、第４の電極層４７のランド電極４７ａ，４７ｄに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ａは、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の不平衡信号端子１５ａに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｄは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の出力端子１４ａに接続されている。
　第１の電極層４４の第１の受信端子２２ａは、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｂによって、第２の電極層４５の電極４５ｂに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ｂは、第２の誘電体層４２のビアホール電極５２ｂによって、第３の電極層４６の電極４６ｂに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｂは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｂによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｂに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｂは、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の第１の平衡信号端子１５ｂに接続されている。
　第１の電極層４４の第２の受信端子２２ｂは、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｃによって、第２の電極層４５の電極４５ｃに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ｃは、第２の誘電体層４２のビアホール電極５２ｃによって、第３の電極層４６の電極４６ｃに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｃは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｃによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｃに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｃは、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の第２の平衡信号端子１５ｃに接続されている。
　第１の電極層４４の送信端子２４は、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｅによって、第２の電極層４５の電極４５ｅに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ｅは、電極部４５ｅ１，４５ｅ２とを有する。電極部４５ｅ１は、第２の電極層４５の電極４５ｅの一方の端部から、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｅとの接続点までの部分である。電極部４５ｅ２は、第２の電極層４５の電極４５ｅの他方の端部から、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｅとの接続点までの部分である。電極部４５ｅ１は、インダクタＬ４を構成している。第２の電極層４５の電極４５ｅは、第２の誘電体層４２のビアホール電極５２ｅ，５２ｈによって、第３の電極層４６の電極４６ｅ，４６ｈに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｅは、インダクタＬ４を構成している。第３の電極層４６の電極４６ｅは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｅによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｅに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｅは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の入力端子１４ｂに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｈは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｈによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｈに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｈは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の端子１４ｃに接続されている。
　第１の電極層４４のグラウンド端子２５は、第１の誘電体層４１のビアホール電極５３ｇによって、第２の電極層４５の電極４５ｇに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ｇは、インダクタＬ２を構成している。第２の電極層４５の電極４５ｇは、第２の誘電体層４２のビアホール電極５２ｇによって、第３の電極層４６の電極４６ｇに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｇは、インダクタＬ２を構成している。第３の電極層４６の電極４６ｇは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｆ，５１ｇによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｆ，４７ｇに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｆは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の並列腕共振子Ｐ２に接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｇは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の並列腕共振子Ｐ１に接続されている。
　また、第１の電極層４４のグラウンド端子２５は、第１の誘電体層４１の複数のビアホール電極５３ｊによって、第２の電極層４５の電極４５ｊに接続されている。第２の電極層４５の電極４５ｊは、第２の誘電体層４２の複数のビアホール電極５２ｉ，５２ｊによって、第３の電極層４６の電極４６ｉ，４６ｊに接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｉは、インダクタＬ３を構成している。第３の電極層４６の電極４６ｉは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｉによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｉに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｉは、送信側弾性表面波フィルタチップ１８の並列腕共振子Ｐ３に接続されている。第３の電極層４６の電極４６ｊは、第３の誘電体層４３のビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌによって、第４の電極層４７のランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌに接続されている。第４の電極層４７のランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌは、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の第１～第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１～１５Ａ４及び弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅに接続されている。
　配線基板１０において、グラウンド端子２５は、送信フィルタ１４と受信フィルタ１５とをグラウンドに接続するグラウンド電極である。また、ランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌと、ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌと、電極４６ｊと、複数のビアホール電極５２ｊと、電極４５ｊと、複数のビアホール電極５３ｊとは、受信フィルタ１５をグラウンドに接続するグラウンド電極である。このため、ランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌは、グラウンドランド電極である。電極４６ｊと電極４５ｊとは、グラウンド端子２５とランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌとを接続している、グラウンド配線電極５５である。複数のビアホール電極５２ｊは、グラウンド配線電極５５である電極４６ｊと、グラウンド配線電極５５である電極４５ｊとを接続している、第１のグラウンドビアホール電極である。ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌは、グラウンド配線電極５５である電極４６ｊと、グラウンドランド電極であるランド電極４７ｊ，４７ｋ，４７ｌとを接続している、第２のグラウンドビアホール電極である。複数のビアホール電極５３ｊは、グラウンド配線電極５５である電極４５ｊと、グラウンド端子２５とを接続している、第３のグラウンドビアホール電極である。
　本実施形態では、配線基板１０において、第１のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊが、第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌ及び第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５３ｊのいずれよりも多く設けられている。具体的には、本実施形態では、ビアホール電極５２ｊは、１４個設けられている。ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌは、合計３個設けられている。ビアホール電極５３ｊは、４個設けられている。従って、デュプレクサ１のアイソレーション特性を改善することができる。
　例えば、第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５３ｊの数を多くし、第１及び第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊ，５１ｊ，５１ｋ，５１ｌの数を少なくした場合は、受信側弾性表面波フィルタチップ１９に近い位置でのグラウンドが弱くなってしまう。このため、受信側弾性表面波フィルタチップ１９において、グラウンドに流れるべき通過帯域外の信号がグラウンドに流れにくくなってしまう。従って、アイソレーション特性が悪化する。
　また、例えば、第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌの数を多くし、第１及び第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊ，５３ｊの数を少なくすることも考えられる。この場合は、受信側弾性表面波フィルタチップ１９に近い位置でのグラウンドは強化される。しかしながら、このような構成では、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の圧電基板上に形成された電極と、配線基板１０の第４の電極層４７との容量結合が大きくなってしまう。従って、アイソレーション特性が悪化する。第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌに加えて、第１及び第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊ，５３ｊの少なくとも一方の数を多くした場合も同様である。また、ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌと、ビアホール電極５２ｊと、ビアホール電極５３ｊのすべての数を多くすると、配線基板が樹脂からなるプリント配線基板である場合、レーザの照射によるビアホール電極の形成に要する時間が長くなってしまい、デュプレクサの生産性が低下してしまう。
　それに対して、本実施形態のように、第１のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊを、第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌ及び第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５３ｊのいずれよりも多く設けた場合は、受信側弾性表面波フィルタチップ１９に近い位置でのグラウンドを強化しつつ、受信側弾性表面波フィルタチップ１９の圧電基板上に形成された電極と、配線基板１０の第４の電極層４７との容量結合を小さくすることができる。従って、デュプレクサ１のアイソレーション特性を向上させることができる。
　以下、この効果について、具体例を参照しつつ、さらに詳細に説明する。なお、以下の実施例並びに第１及び第２の比較例の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
　（実施例）
　まず、実施例として、下記の設計パラメータで、上記実施形態に係るデュプレクサ１を作製した。なお、ＩＤＴ電極の電極指の周期で定まる弾性表面波の波長をλＩとする。
　（実施例の設計パラメータ）
　受信側弾性表面波フィルタチップ１９の圧電基板：４０°±５°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板
　受信側弾性表面波フィルタチップ１９の電極：Ａｌ，Ｔｉ
　第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１：
　　ＩＤＴ電極の交叉幅：３０．４λＩ
　　両側のＩＤＴ電極の電極指の本数：３９本（うち、狭ピッチ電極指の本数：５本）
　　中央のＩＤＴ電極の電極指の本数：４３本（うち、一方側端部の狭ピッチ電極指の本数：３本、他方側端部の狭ピッチ電極指の本数：７本）
　　反射器の電極指の本数：６５本
　　ＩＤＴ電極及び反射器のメタライゼーションレシオ：０．６８
　　ＩＤＴ電極及び反射器の電極膜厚：０．０９１λＩ
　　両側のＩＤＴ電極のうちの一方側のＩＤＴ電極の狭ピッチ電極指の周期を、他方側のＩＤＴ電極の狭ピッチ電極指の周期より０．０９μｍ小さく設計している。
　第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ２：
　第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１と同じ設計パラメータ
　第３，第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ３，１５Ａ４：
　第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部１５Ａ１，１５Ａ２と、両側のＩＤＴ電極が反転されている点のみが異なる。
　弾性表面波共振子１７ａ～１７ｃ：
　　ＩＤＴ電極の交叉幅：１１．０λＩ
　　ＩＤＴ電極の電極指の本数：７１本
　　反射器の電極指の本数：１８本
　　ＩＤＴ電極及び反射器のメタライゼーションレシオ：０．６０
　　ＩＤＴ電極及び反射器の電極膜厚：０．０９５λＩ
　弾性表面波共振子１７ｄ，１７ｅ：
　　ＩＤＴ電極の交叉幅：３０．０λＩ
　　ＩＤＴ電極には、ＩＤＴ電極の中央部分の交差幅が最も大きくなるように交差幅重み付けが施されており、上記の値は交差幅が最も大きい部分の値である。
　　ＩＤＴ電極の電極指の本数：１１１本
　　反射器の電極指の本数：１８本
　　ＩＤＴ電極及び反射器のメタライゼーションレシオ：０．６０
　　ＩＤＴ電極及び反射器の電極膜厚：０．０９１λＩ
　（第１及び第２の比較例）
　第１及び第２の比較例では、配線基板１０の構成が異なる以外は、上記実施例と同様の構成を有するデュプレクサを作製した。
　図７は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第４の電極層４７と第３の誘電体層４３との模式的透視平面図である。図８は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第３の電極層４６と第２の誘電体層４２との模式的透視平面図である。図９は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第２の電極層４５と第１の誘電体層４１との模式的透視平面図である。図１０は、第１の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第１の電極層４４の模式的透視平面図である。図７～図１０は、送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９側から第１の比較例のデュプレクサを透視した状態を示している。
　図７～図１０に示すように、第１の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極５２ｊは、４個設けられている。ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌは、合計３個設けられている。ビアホール電極５３ｊは、２１個設けられている。従って、第１の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極５２ｊは、ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌよりは多く設けられているものの、ビアホール電極５３ｊよりは少なく設けられている。
　図１１は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第４の電極層４７と第３の誘電体層４３との模式的透視平面図である。図１２は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第３の電極層４６と第２の誘電体層４２との模式的透視平面図である。図１３は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第２の電極層４５と第１の誘電体層４１との模式的透視平面図である。図１４は、第２の比較例のデュプレクサにおける、配線基板１０の第１の電極層４４の模式的透視平面図である。図１１～図１４は、送信側弾性表面波フィルタチップ１８及び受信側弾性表面波フィルタチップ１９側から第２の比較例のデュプレクサを透視した状態を示している。
　図１１～図１４に示すように、第２の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極５２ｊは、４個設けられている。ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌは、合計１０個設けられている。ビアホール電極５３ｊは、４個設けられている。従って、第２の比較例のデュプレクサでは、ビアホール電極５２ｊは、ビアホール電極５３ｊと同数であって、ビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌよりも少ない数だけ設けられている。
　（実施例及び第１及び第２の比較例のデュプレクサのアイソレーション特性）
　次に、実施例のデュプレクサ１並びに第１及び第２の比較例のデュプレクサのアイソレーション特性を測定した。具体的には、アイソレーション特性として、送信端子２４と第１及び第２の受信端子２２ａ，２２ｂとの間の差動状態でのアイソレーション特性である「差動特性」と、送信端子２４と第１の受信端子２２ａとの間のアンバランスモードでのアイソレーション特性である「第１のアンバランスモード」と、送信端子２４と第２の受信端子２２ｂとの間のアンバランスモードでのアイソレーション特性である「第２のアンバランスモード」とを測定した。
　図１５に、実施例のデュプレクサ１の差動特性と、第１の比較例のデュプレクサの差動特性とを示す。図１６に、実施例のデュプレクサ１の第１のアンバランスモードと、第１の比較例のデュプレクサの第１のアンバランスモードとを示す。図１７に、実施例のデュプレクサ１の第２のアンバランスモードと、第１の比較例のデュプレクサの第２のアンバランスモードとを示す。
　図１５に示すように、差動特性での送信周波数帯（１８５０～１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５７．７ｄＢであり、第１の比較例のデュプレクサでは５６．２ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、差動特性が第１の比較例のデュプレクサよりも１．５ｄＢ優れていた。
　図１６に示すように、第１のアンバランスモードでの送信周波数帯（１８５０～１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５６．０ｄＢであり、第１の比較例のデュプレクサでは５５．０ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、第１のアンバランスモードが第１の比較例のデュプレクサよりも１．０ｄＢ優れていた。
　図１７に示すように、第２のアンバランスモードでの送信周波数帯（１８５０～１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５２．７ｄＢであり、第１の比較例のデュプレクサでは５０．７ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、第２のアンバランスモードが第１の比較例のデュプレクサよりも２．０ｄＢ優れていた。
　図１８に、実施例のデュプレクサ１の差動特性と、第２の比較例のデュプレクサの差動特性とを示す。図１９に、実施例のデュプレクサ１の第１のアンバランスモードと、第２の比較例のデュプレクサの第１のアンバランスモードとを示す。図２０に、実施例のデュプレクサ１の第２のアンバランスモードと、第２の比較例のデュプレクサの第２のアンバランスモードとを示す。
　図１８に示すように、差動特性での送信周波数帯（１８５０～１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５７．７ｄＢであり、第２の比較例のデュプレクサでは５６．０ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、差動特性が第２の比較例のデュプレクサよりも１．７ｄＢ優れていた。
　図１９に示すように、第１のアンバランスモードでの送信周波数帯（１８５０～１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５６．０ｄＢであり、第２の比較例のデュプレクサでは５６．０ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、第２の比較例のデュプレクサと第１のアンバランスモードが同等であった。
　図２０に示すように、第２のアンバランスモードでの送信周波数帯（１８５０～１９１０ＭＨｚ）における減衰量の最小値が、実施例のデュプレクサ１では５２．７ｄＢであり、第２の比較例のデュプレクサでは５１．０ｄＢであった。実施例のデュプレクサ１は、第２のアンバランスモードが第２の比較例のデュプレクサよりも１．７ｄＢ優れていた。
　以上の結果から、第１のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５２ｊを、第２のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５１ｊ，５１ｋ，５１ｌ及び第３のグラウンドビアホール電極であるビアホール電極５３ｊのいずれよりも多く設けることにより、デュプレクサ１のアイソレーション特性を改善できることが分かる。
１…デュプレクサ
１０…配線基板
１０ａ…ダイアタッチ面
１０ｂ…裏面
１４…送信フィルタ
１４Ａ…ラダー型弾性表面波フィルタ部
１４ａ…出力端子
１４ｂ…入力端子
１４ｃ…端子
１５…受信フィルタ
１５Ａ…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
１５Ａ１…第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
１５Ａ２…第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
１５Ａ３…第３の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
１５Ａ４…第４の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
１５ａ…不平衡信号端子
１５ｂ…第１の平衡信号端子
１５ｃ…第２の平衡信号端子
１６…封止樹脂層
１７ａ～１７ｅ…弾性表面波共振子
１８…送信側弾性表面波フィルタチップ
１９…受信側弾性表面波フィルタチップ
２１…アンテナ端子
２２ａ…第１の受信端子
２２ｂ…第２の受信端子
２４…送信端子
２５…グラウンド端子
２６…バンプ
３３…直列腕
３７～３９…並列腕
４１…第１の誘電体層
４２…第２の誘電体層
４３…第３の誘電体層
４４…第１の電極層
４５…第２の電極層
４５ａ～４５ｊ…電極
４６…第３の電極層
４６ａ～４６ｊ…電極
４７…第４の電極層
４７ａ～４７ｌ…ランド電極
５１ａ～５１ｌ…ビアホール電極
５２ａ～５２ｊ…ビアホール電極
５３ａ～５３ｊ…ビアホール電極
５５…グラウンド配線電極
Ｌ１～Ｌ４…インダクタ
Ｐ１～Ｐ３…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ３…直列腕共振子
Ｃ１…キャパシタ

Claims (4)

  1. 　圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されている複数のＩＤＴ電極とを含む縦結合共振子型弾性波フィルタ部を有する弾性波フィルタチップと、
    　ダイアタッチ面と裏面とを有し、前記ダイアタッチ面の上に前記弾性波フィルタチップが実装されており、前記ダイアタッチ面の上に形成されており前記弾性波フィルタチップに接続されている複数のランド電極を含むランド電極層と、前記裏面の上に形成されている複数の端子を含む裏面端子層と、前記複数のランド電極と前記複数の端子とを接続している複数の配線電極を含む複数の中間電極層と、少なくとも３層の誘電体層とを有する配線基板と、
    を備え、
    　前記誘電体層は、前記ランド電極層と前記複数の中間電極層と前記裏面端子層とのうち、いずれか２つの間に配置され、かつ、前記複数のランド電極と前記複数の配線電極と前記複数の端子とのうち、いずれかを接続する複数のビアホール電極を有し、
    　前記複数の端子には、グラウンドに接続されるグラウンド端子が含まれ、
    　前記複数のランド電極には、前記グラウンド端子に接続されているグラウンドランド電極が含まれ、
    　前記複数の配線電極には、前記グラウンド端子と前記グラウンドランド電極とを接続している複数のグラウンド配線電極が含まれ、
    　前記複数のビアホール電極には、前記グラウンド配線電極間を接続している第１のグラウンドビアホール電極と、前記グラウンド配線電極と前記グラウンドランド電極とを接続している第２のグラウンドビアホール電極と、前記グラウンド配線電極と前記グラウンド端子とを接続している第３のグラウンドビアホール電極とを含み、
    　前記第１のグラウンドビアホール電極が、前記第２及び第３のグラウンドビアホール電極のそれぞれよりも多く設けられている、弾性波分波器。
  2. 　送信フィルタと受信フィルタとを備え、前記受信フィルタが前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部により構成されている、請求項１に記載の弾性波分波器。
  3. 　前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、平衡－不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性波フィルタ部である、請求項１または２に記載の弾性波分波器。
  4. 　前記誘電体層は、樹脂からなる、請求項１～３のいずれか一項に記載の弾性波分波器。
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