DE112009004700B4

DE112009004700B4 - Hochfrequenzmodul

Info

Publication number: DE112009004700B4
Application number: DE112009004700.9T
Authority: DE
Inventors: Takashi Kihara
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2008-12-10
Filing date: 2009-10-09
Publication date: 2017-03-16
Anticipated expiration: 2029-10-10
Also published as: CN102246414A; JPWO2010067497A1; CN102246414B; JP4539788B2; WO2010067497A1; DE112009004700T5; US8072292B2; US20110221542A1

Abstract

Hochfrequenzmodul (1), umfassend: eine Leiterplatte (10) und einen auf der Leiterplatte (10) montierten Demultiplexer (50), wobei der Demultiplexer (50) einen Antennenanschluß (54), einen sendeseitigen Signalanschluß (55), erste und zweite symmetrische Signalanschlüsse (56, 57), die als ein empfangsseitiger Signalanschluß dienen, ein sendeseitiges Filter (52), das zwischen dem Antennenanschluß (54) und dem sendeseitigen Signalanschluß (55) verbunden ist, und ein empfangsseitiges Filter (53) umfaßt, das zwischen dem Antennenanschluß (54) und jedem der ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüsse (56, 57) verbunden ist, wobei das empfangsseitige Filter (52) eine Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion aufweist; wobei die Leiterplatte (10) eine erste Hauptfläche (11a) hat, auf der der Demultiplexer montiert ist, und eine zweite Hauptfläche (13b) hat, die der ersten Hauptfläche entspricht und wobei an der ersten Hauptfläche (11a) eine erste vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der Antennenanschluß (54) verbunden ist, eine zweite vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der sendeseitige Signalanschluß (55) verbunden ist, eine dritte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der erste symmetrische Signalanschluß (56) verbunden ist und eine vierte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der zweite symmetrische Signalanschluß (57) verbunden ist, ausgebildet sind, und wobei an der zweiten Hauptfläche (13b) eine erste rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der ersten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, eine zweite rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der zweiten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, eine dritte rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der dritten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, und eine vierte rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die ...

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Hochfrequenzmodul und insbesondere ein Hochfrequenzmodul, das einen symmetrischen Demultiplexer enthält, der ein Paar symmetrischer Signalanschlüsse aufweist.
ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
In den zurückliegenden Jahren ist ein Demultiplexer, der mehrere Filter, wie zum Beispiel ein empfangsseitiges Filter und ein sendeseitiges Filter, enthält, weithin in Kommunikationsendgeräten, wie zum Beispiel Mobiltelefonen, verwendet worden. Bei einem solchen Demultiplexer ist es überaus wünschenswert, daß die Dämpfung eines sendeseitigen Filters und eines empfangsseitigen Filters groß ist, um eine hohe Trennungscharakteristik zwischen einem sendeseitigen Endgerät und einem empfangsseitigen Endgerät zu erreichen. Dementsprechend sind verschiedene Arten von Duplexern entwickelt worden, die ein empfangsseitiges Filter und ein sendeseitiges Filter mit einer hohen Dämpfung enthalten.
Jedoch ist das Problem entstanden, daß, obgleich die Dämpfung eines Filters in einem Duplexer allein groß ist, es schwierig ist, eine große Dämpfung in einem Duplexermodul zu erhalten, bei dem der Duplexer auf einer Leiterplatte montiert ist. Das heißt, wenn ein Duplexer auf einer Leiterplatte montiert ist, so wird die Dämpfung des Duplexers verringert, was problematisch ist.
Um ein solches Problem zu lösen, beschreibt JP 2006-333168 A ein Duplexermodul, wie es in 53 gezeigt ist. Wie in 53 gezeigt, enthält ein Duplexermodul 100 einen Duplexer 102, der auf einer Oberfläche eines dielektrischen Substrats 101 montiert ist. Ein unabhängiger Erdungsanschluß eines empfangsseitigen Filters des Duplexers 102 ist mit einem Ende einer Chipspule 103, die auf einer Vorderseite des dielektrischen Substrats 101 montiert ist, mittels Durchkontakten 104 und 105 und einer Verbindungsleitung 106, die als Verbindung verwendet wird, verbunden. Das andere Ende der Chipspule 103 ist mit einer rückseitigen Erdungselektrode 108, die auf der Rückseite des dielektrischen Substrats 101 ausgebildet ist, mittels eines Durchkontakts 107 verbunden.
Da die oben beschriebene Chipspule 103 in dem Duplexermodul 100 montiert ist, kann die Dämpfung eines empfangsseitigen Filters des Duplexersmoduls 100 durch Justieren des Induktivitätswertes der Chipspule 103 gesteuert werden. Zum Beispiel kann die Dämpfung des empfangsseitigen Filters des Duplexersmoduls 100 erhöht werden. Dementsprechend kann die Trennungscharakteristik des Duplexersmoduls 100 erhöht werden.
US 7,242,268 B2 zeigt mehrere Duplexer, von denen jeder den Antennenanschluß, den sendeseitigen Signalanschluß, die ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüsse, das sendeseitige Filter und das empfangsseitige Filter enthält.
US 2007/0040633 A1 zeigt eine Anpassungsschaltung, die zwischen den ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüssen verbunden ist.
WO 2008/146552 A1 zeigt ein Hochfrequenzmodul nach dem Oberbegriff von Anspruch 1.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEME
Um eine hohe Trennungscharakteristik eines Duplexermoduls, das einen symmetrischen Duplexer mit einem Paar symmetrischer Anschlüsse enthält, zu erreichen, müssen die Differentialtrennung und die Differentialdämpfung erhöht werden. Wenn zum Beispiel ein empfangsseitiges Filter erste und zweite symmetrische Signalanschlüsse enthält und eine Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion hat, so müssen die Differentialtrennung, die durch eine Charakteristik zwischen einem sendeseitigen Signalanschluß und jedem der ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüsse im Empfangsfrequenzbereich bestimmt wird, und die Differentialdämpfung, die durch eine Charakteristik zwischen einem Antennenanschluß und jedem der ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüsse im Sendefrequenzbereich bestimmt wird, erhöht werden. Jedoch kann das in Patentdokument 1 beschriebene Duplexermodul nicht die Differentialtrennung und die Differentialdämpfung erhöhen.
Dementsprechend stellt die vorliegende Erfindung ein Hochfrequenzmodul bereit, das einen symmetrischen Demultiplexer mit einem Paar symmetrischer Signalanschlüsse enthält und das eine hohe Differentialtrennung oder eine hohe Differentialdämpfung oder beides aufweist.
MITTEL ZUM LÖSEN DER PROBLEME
Die Erfindung betrifft ein Hochfrequenzmodul, das eine Leiterplatte und einen auf der Leiterplatte montierten Demultiplexer enthält. Der Demultiplexer enthält einen Antennenanschluß, einen sendeseitigen Signalanschluß, erste und zweite symmetrische Signalanschlüsse, die als ein empfangsseitiger Signalanschluß dienen, ein sendeseitiges Filter und ein empfangsseitiges Filter mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion. Das sendeseitige Filter ist zwischen dem Antennenanschluß und dem sendeseitigen Signalanschluß angeschlossen. Das empfangsseitige Filter ist zwischen dem Antennenanschluß und jedem der ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüsse angeschlossen. Die Leiterplatte hat eine erste Hauptfläche, auf der der Demultiplexer montiert ist, und eine zweite Hauptfläche, die der ersten Hauptfläche entspricht. An der ersten Hauptfläche sind eine erste vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der Antennenanschluß verbunden ist, eine zweite vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der sendeseitige Signalanschluß verbunden ist, eine dritte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der erste symmetrische Signalanschluß verbunden ist, und eine vierte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der zweite symmetrische Signalanschluß verbunden ist, ausgebildet. An der zweiten Hauptfläche sind eine erste rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der ersten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, eine zweite rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der zweiten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, eine dritte rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der dritten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, und eine vierte rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der vierten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, ausgebildet.
Die Erfindung ist in den Ansprüchen definiert.
Wenn bei einer weiteren besonderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Distanz zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß kürzer ist als die Distanz zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß; und die Distanz zwischen der zweiten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle und der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle länger ist als die Distanz zwischen der zweiten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle und der vierten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle, können die Differentialdämpfung im Sendefrequenzbereich und die Differentialtrennung auf der Empfangsfrequenz erhöht werden.
Bei einer weiteren besonderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in dem Hochfrequenzmodul die Distanz zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß länger als die Distanz zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß, und die Distanz zwischen der zweiten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle und der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle ist kürzer als die Distanz zwischen der zweiten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle und der vierten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle.
Bei einer weiteren besonderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält das Hochfrequenzmodul des Weiteren eine erste Verbindungsleitung, welche die dritte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle mit der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle verbindet, und eine zweite Verbindungsleitung, welche die vierte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle mit der vierten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle verbindet. Die erste Verbindungsleitung schneidet die zweite Verbindungsleitung, wobei die erste Verbindungsleitung und die zweite Verbindungsleitung voneinander isoliert sind.
Bei einer weiteren besonderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hat der Demultiplexer die Form eines Triplexers, der des Weiteren einen zweiten sendeseitigen Signalanschluß und ein zweites sendeseitiges Filter, das zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten sendeseitigen Signalanschluß angeordnet ist, enthält.
Bei einer weiteren besonderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hat der Demultiplexer die Form eines Mehrbandduplexers, der mehrere Duplexer enthält, von denen jeder den Antennenanschluß, den sendeseitigen Signalanschluß, den sendeseitigen Signalanschluß, den ersten und den zweiten symmetrischen Anschluß, das sendeseitige Filter und das empfangsseitige Filter enthält.
Bei einer weiteren besonderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält der Demultiplexer des Weiteren eine Hochfrequenzweiche, die zwischen dem Antennenanschluß und sowohl dem sendeseitigen Filter als auch dem empfangsseitigen Filter verbunden ist.
Bei einer weiteren besonderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält das Hochfrequenzmodul des Weiteren einen Leistungsverstärker, der mit dem sendeseitigen Signalanschluß verbunden ist.
Bei einer weiteren besonderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält das Hochfrequenzmodul des Weiteren eine Anpassungsschaltung, die zwischen den ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüssen verbunden ist, und eine Anpassungsschaltung, die zwischen der ersten und der zweiten Verbindungsleitung verbunden ist.
Bei einer weiteren besonderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält das Hochfrequenzmodul des Weiteren eine Anpassungsschaltung, die zwischen einem Punkt der ersten Verbindungsleitung auf der Seite der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle, ausgehend von einem Schnittpunkt der ersten Verbindungsleitung und der zweiten Verbindungsleitung, und einem Punkt der zweiten Verbindungsleitung auf der Seite der vierten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle, ausgehend von dem Schnittpunkt der zweiten Verbindungsleitung und der ersten Verbindungsleitung, verbunden ist.
VORTEILE
In einem Hochfrequenzmodul gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Differenz in der Dämpfung zwischen den ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüssen mit Bezug auf den Antennenanschluß oder den sendeseitigen Signalanschluß im Sendefrequenzbereich reduziert werden. Somit kann die Differentialdämpfung im Sendefrequenzbereich erhöht werden. Alternativ kann die Differenz zwischen der Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und der Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß reduziert werden. Somit kann die Differentialtrennung im Empfangsfrequenzbereich erhöht werden.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein Ersatzschaltbild eines Triplexermoduls gemäß einer ersten Ausführungsform.
2 ist eine schematische Seitenansicht des Triplexers gemäß der ersten Ausführungsform.
3 ist eine Draufsicht des Triplexermoduls gemäß der ersten Ausführungsform.
4 ist eine Draufsicht einer Montagefläche des ersten Substrats gemäß der ersten Ausführungsform.
5 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines zweiten Substrats gemäß der ersten Ausführungsform.
6 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines dritten Substrats gemäß der ersten Ausführungsform.
7 ist eine Unteransicht des Triplexermoduls gemäß der ersten Ausführungsform.
8 ist eine Draufsicht eines Triplexermoduls eines Vergleichsbeispiels.
9 ist eine Draufsicht einer Montagefläche einer ersten Substratsschicht des Vergleichsbeispiels.
10 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche einer zweiten Substratsschicht des Vergleichsbeispiels.
11 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche einer dritten Substratsschicht des Vergleichsbeispiels.
12 ist eine Unteransicht des Triplexermoduls des Vergleichsbeispiels.
13 ist ein Diagramm, das die asymmetrische Trennung zwischen einem sendeseitigen Signalanschluß und einem ersten symmetrischen Signalanschluß und die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß in einem Duplexerchip allein veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß darstellt.
14 ist ein Diagramm, das die asymmetrische Trennung zwischen einem sendeseitigen Signalanschluß und einem ersten symmetrischen Signalanschluß und die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß in einem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß darstellt.
15 ist ein Diagramm, das die asymmetrische Trennung zwischen einem sendeseitigen Signalanschluß und einem ersten symmetrischen Signalanschluß und die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß in einem Hochfrequenzmodul der ersten Ausführungsform veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß darstellt.
16 ist ein Diagramm, das die Differentialtrennung bei den Hochfrequenzmodulen der ersten Ausführungsform und des Vergleichsbeispiels veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die Differentialtrennung in dem Hochfrequenzmodul der ersten Ausführungsform darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die Differentialtrennung in dem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels darstellt.
17 ist ein Diagramm, das die Differentialtrennung in dem Duplexerchip und die Differentialtrennung in dem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die Differentialtrennung in dem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die Differentialtrennung in dem Duplexerchip darstellt.
18 ist ein Diagramm, das die Differentialtrennung in dem Duplexerchip und die Differentialtrennung in dem Hochfrequenzmodul gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die Differentialtrennung in dem Hochfrequenzmodul gemäß der ersten Ausführungsform darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die Differentialtrennung in dem Duplexerchip darstellt.
19 ist ein Diagramm, das die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen einem Antennenanschluß und einem ersten symmetrischen Signalanschluß und die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß in einem Duplexerchip allein veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen einem Antennenanschluß und einem ersten symmetrischen Signalanschluß darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß darstellt.
20 ist ein Diagramm, das die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen einem Antennenanschluß und einem ersten symmetrischen Signalanschluß und die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß in einem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen einem Antennenanschluß und einem ersten symmetrischen Signalanschluß darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die asymmetrische Trennung zwischen dem Antennenanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß darstellt.
21 ist ein Diagramm, das die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen einem Antennenanschluß und einem ersten symmetrischen Signalanschluß und die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß in einem Hochfrequenzmodul gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen einem Antennenanschluß und einem ersten symmetrischen Signalanschluß darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die asymmetrische Trennung zwischen dem Antennenanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß darstellt.
22 ist ein Diagramm, das die Differential-Rx-Dämpfung in dem Hochfrequenzmodul gemäß der ersten Ausführungsform und die Differential-Rx-Dämpfung in dem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die Differential-Rx-Dämpfung in dem Hochfrequenzmodul gemäß der ersten Ausführungsform darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die Differential-Rx-Dämpfung in dem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels darstellt.
23 ist ein Diagramm, das die Differential-Rx-Dämpfung in dem Duplexerchip und die Differential-Rx-Dämpfung in dem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die Differential-Rx-Dämpfung in dem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die Differential-Rx-Dämpfung in dem Duplexerchip darstellt.
24 ist ein Diagramm, das die Differential-Rx-Dämpfung in dem Duplexerchip und die Differential-Rx-Dämpfung in dem Hochfrequenzmodul gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht, wobei eine durchgezogene Linie die Differential-Rx-Dämpfung in dem Hochfrequenzmodul der ersten Ausführungsform darstellt und eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen die Differential-Rx-Dämpfung in dem Duplexerchip darstellt.
25 ist ein Ersatzschaltbild eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer zweiten Ausführungsform.
26 ist eine Draufsicht des Hochfrequenzmoduls gemäß der zweiten Ausführungsform.
27 ist eine Draufsicht einer Montagefläche eines ersten Substrats gemäß der zweiten Ausführungsform.
28 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines zweiten Substrats gemäß der zweiten Ausführungsform.
29 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines dritten Substrats gemäß der zweiten Ausführungsform.
30 ist eine Unteransicht des Hochfrequenzmoduls gemäß der zweiten Ausführungsform.
31 ist ein Ersatzschaltbild eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer dritten Ausführungsform.
32 ist eine Draufsicht des Hochfrequenzmoduls gemäß der dritten Ausführungsform.
33 ist eine Draufsicht einer Montagefläche eines ersten Substrats gemäß der dritten Ausführungsform.
34 ist eine Draufsicht einer Montagefläche eines ersten Substrats gemäß einer vierten Ausführungsform.
35 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines zweiten Substrats gemäß der vierten Ausführungsform.
36 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines dritten Substrats gemäß der vierten Ausführungsform.
37 ist ein Ersatzschaltbild eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer fünften Ausführungsform.
38 ist eine Draufsicht des Hochfrequenzmoduls gemäß der fünften Ausführungsform.
39 ist eine Draufsicht einer Montagefläche eines ersten Substrats gemäß der fünften Ausführungsform.
40 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines zweiten Substrats gemäß der fünften Ausführungsform.
41 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines dritten Substrats gemäß der fünften Ausführungsform.
42 ist eine Unteransicht des Hochfrequenzmoduls gemäß der fünften Ausführungsform.
43 ist eine Draufsicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß der sechsten Ausführungsform.
44 ist eine Draufsicht einer Montagefläche eines ersten Substrats gemäß der sechsten Ausführungsform.
45 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines zweiten Substrats gemäß der sechsten Ausführungsform.
46 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines dritten Substrats gemäß der sechsten Ausführungsform.
47 ist eine Unteransicht des Hochfrequenzmoduls gemäß der sechsten Ausführungsform.
48 ist eine Draufsicht einer Montagefläche eines ersten Substrats gemäß einer siebenten Ausführungsform.
49 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines zweiten Substrats gemäß der siebenten Ausführungsform.
50 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche eines dritten Substrats gemäß der siebenten Ausführungsform.
51 ist ein Ersatzschaltbild eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer ersten Modifizierung.
52 ist ein Ersatzschaltbild eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer zweiten Modifizierung.
53 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau eines in Patentdokument 1 beschriebenen Duplexermoduls veranschaulicht.
BESTE VERFAHREN ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
Im Folgenden werden mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben.
(Erste Ausführungsform)
In der vorliegenden Ausführungsform ist, als ein Beispiel eines Hochfrequenzmoduls, ein Triplexermodul beschrieben, das einen Triplexer enthält, der als ein Demultiplexer dient. 1 ist ein Ersatzschaltbild eines Triplexermoduls gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2 ist eine schematische Seitenansicht des Triplexers gemäß der ersten Ausführungsform.
Wie in 2 gezeigt, enthält ein Triplexermodul 1 eine Leiterplatte 10, einen Duplexerchip 50, der auf der Leiterplatte 10 montiert ist, einen sendeseitigen Filterchip 70 und einen Induktorchip 80, in dem eine Anpassungsschaltung ausgebildet ist. Die Sendefrequenz (Tx) des Duplexerchips 50 liegt im Bereich von 1,92 GHz bis 1,98 GHz. Die Empfangsfrequenz (Rx) liegt im Bereich von 2,11 GHz bis 2,17 GHz. Die Sendefrequenz (Tx) des sendeseitigen Filterchips 70 liegt im Bereich von 1,710 GHz bis 1,755 GHz. Der Duplexerchip 50 und der sendeseitige Filterchip 70 bilden einen Triplexerchip 51, der UMTS-Band1 (Tx: 1,92 bis 1,98 GHz, Rx: 2,11 bis 2,17 GHz) und UMTS-Band4 (Tx: 1,710 bis 1,755 GHz, Rx: 2,11 bis 2,17 GHz) unterstützt. Es ist zu beachten, daß die Konfigurationen des Duplexerchips 50 und des sendeseitigen Filterchips 70 auf keine bestimmte Konfiguration beschränkt sind. Zum Beispiel können der Duplexerchip 50 und der sendeseitige Filterchip 70 eine Konfiguration haben, die mit elastischen Wellen arbeitet, wie zum Beispiel eine Konfiguration, die mit Oberflächenschallwellen oder elastisches Grenzwellen.
Wie in 1 gezeigt, sind in dem Duplexerchip 50 ein sendeseitiges Filter 52 und ein symmetrisches empfangsseitiges Filter 53 mit einer Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion ausgebildet. Das sendeseitige Filter 52 ist zwischen einem Antennenanschluß 54 und einem ersten sendeseitigen Signalanschluß 55 verbunden. Im Gegensatz dazu ist das symmetrische empfangsseitige Filter 53 zwischen dem Antennenanschluß 54 und sowohl einem ersten symmetrischen Signalanschluß 56 als auch einem zweiten symmetrischen Signalanschluß 57 verbunden.
In dem sendeseitigen Filterchip 70 ist ein sendeseitiges Filter 71 ausgebildet. Das sendeseitige Filter 71 ist zwischen einem Antennenanschluß 72 und einem zweiten sendeseitigen Signalanschluß 73 verbunden. Der Antennenanschluß 72 des sendeseitigen Filterchips 70 und der Antennenanschluß 54 des Duplexerchips 50 sind gemeinsam mit einem Antennenanschluß 2 des Triplexermoduls 1 verbunden. Der Antennenanschluß 2 ist mit einer Antenne 3 verbunden.
Es ist zu beachten, daß die Schaltungskonfigurationen der sendeseitigen Filter 52 und 71 auf keine spezielle Schaltungskonfiguration beschränkt sind. Jedoch können zum Beispiel die sendeseitigen Filter 52 und 71 mittels eines Abzweigfilters ausgebildet werden, das einen hohen Leistungswiderstand hat. Des Weiteren ist die Schaltungskonfiguration des empfangsseitigen Filters 53 auf keine spezielle Schaltungskonfiguration beschränkt. Jedoch kann zum Beispiel das empfangsseitige Filter 53 mittels eines längs gekoppelten Resonatorfilters für elastische Wellen ausgebildet werden.
In dem Induktorchip 80 ist ein Induktor 81 ausgebildet. Der Induktor 81 dient als eine Anpassungsschaltung. Ein Ende des Induktors 81 ist mit einem ersten Anschluß 82 verbunden, und das andere Ende ist mit einen zweiten Anschluß 83 verbunden. Der erste Anschluß 82 ist mit einem Punkt zwischen einem Verbindungspunkt des Antennenanschlusses 72 des sendeseitigen Filterchips 70 und des Antennenanschlusses 54 des Duplexerchips 50 und dem Antennenanschluß 2 verbunden. Der zweite Anschluß 83 ist mit dem Erdungspotential verbunden.
Als nächstes wird eine Montagestruktur des Duplexerchips 50, des sendeseitigen Filterchips 70 und des Induktorchips 80 beschrieben.
Wie in 2 gezeigt, enthält die Leiterplatte 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform drei Substratschichten 11, 12 und 13, die mittels einer Keramik-Ko-Brenntechnologie zu einem einzigen Korpus versintert sind. Eine erste Hauptfläche der ersten Substratschicht 11 dient als eine Montagefläche 11a. Eine zweite Hauptfläche 11b der ersten Substratschicht 11 ist einer ersten Hauptfläche 12a der zweiten Substratschicht 12 zugewandt. Eine zweite Hauptfläche 12b der zweiten Substratschicht 12 ist einer ersten Hauptfläche 13a der dritten Substratschicht 13 zugewandt. Eine zweite Hauptfläche der dritten Substratschicht 13 dient als eine Rückseite 13b. Der Duplexerchip 50, der sendeseitige Filterchip 70 und der Induktorchip 80 sind auf der Montagefläche 11a der ersten Substratschicht 11 montiert.
3 ist eine Draufsicht des Triplexermoduls 1. 4 ist eine Draufsicht der Montagefläche 11a der ersten Substratschicht 11. 5 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche 12a der zweiten Substratschicht 12. 6 ist eine Draufsicht der ersten Hauptfläche 13a der dritten Substratschicht 13, 7 ist eine Unteransicht des Triplexermoduls 1 bei perspektivischem Blick von der Seite der ersten Hauptfläche 13a der dritten Substratschicht 13. Es ist zu beachten, daß in den 4 bis 7 ein schwarzer Kreis „•” eine Durchkontakt-Elektrode darstellt. Außerdem sind in 3 die auf der Montagefläche 11a ausgebildeten Elektroden aus Gründen der Vereinfachung der Beschreibung nicht gezeigt.
Wie in 3 gezeigt, ist der Antennenanschluß 54 des Duplexerchips 50 mit einer Elektrode 11c (siehe 4) verbunden, die als eine erste vorderseitige Elektrodenkontaktstelle dient, die auf der Montagefläche 11a ausgebildet ist. Die Elektrode 11c ist über eine in der ersten Substratschicht 11 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 11d mit einer Elektrode 12c (siehe 5), die auf der ersten Hauptfläche 12a der zweiten Substratschicht 12 ausgebildet ist, verbunden. Die Elektrode 12c ist über eine in der zweiten Substratschicht 12 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 12d mit einer Elektrode 13c (siehe 6), die auf der ersten Hauptfläche 13a der dritten Substratschicht 13 ausgebildet ist, verbunden. Die Elektrode 13c ist über eine in der dritten Substratschicht 13 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 13d mit dem Antennenanschluß 2 (siehe 7), der als eine auf der Rückseite 13b ausgebildete erste rückseitige Elektrodenkontaktstelle dient, verbunden. Der Antennenanschluß 2 ist ein Anschluß, der mit der in 1 gezeigten Antenne 3 zu verbinden ist.
Der erste sendeseitige Signalanschluß 55 des in 3 gezeigten Duplexerchips 50 ist mit einer Elektrode 11e (siehe 4) verbunden, die als eine zweite vorderseitige Elektrodenkontaktstelle dient, die auf der Montagefläche 11a der ersten Substratschicht 11 ausgebildet ist. Die Elektrode 11e ist über eine in der ersten Substratschicht 11 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 11f mit einer Elektrode 12e (siehe 5), die auf der ersten Hauptfläche 12a der zweiten Substratschicht 12 ausgebildet ist, verbunden. Die Elektrode 12e ist über eine in der zweiten Substratschicht 12 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 12f mit einer Elektrode 13e (siehe 6), die auf der ersten Hauptfläche 13a der dritten Substratschicht 13 ausgebildet ist, verbunden. Die Elektrode 13e ist über eine in der dritten Substratschicht 13 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 13f mit einem ersten sendeseitigen Signalanschluß 4 (siehe 7), der als eine auf der Rückseite 13b ausgebildete zweite rückseitige Elektrodenkontaktstelle dient, verbunden.
Wie in 3 gezeigt, ist der erste symmetrische Signalanschluß 56 des Duplexerchips 50 mit einer Elektrode 11g (siehe 4) verbunden, die als eine dritte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle dient, die auf der Montagefläche 11a der ersten Substratschicht 11 ausgebildet ist. Die Elektrode 11g ist über eine in der ersten Substratschicht 11 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 11h mit einer Elektrode 12g (siehe 5), die auf der ersten Hauptfläche 12a der zweiten Substratschicht 12 ausgebildet ist, verbunden. Die Elektrode 12g ist über eine in der zweiten Substratschicht 12 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 12h mit einer Elektrode 13g (siehe 6), die auf der ersten Hauptfläche 13a der dritten Substratschicht 13 ausgebildet ist, verbunden. Die Elektrode 13g ist über eine in der dritten Substratschicht 13 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 13h mit einem ersten symmetrischen Signalanschluß 5 (siehe 7) verbunden, der als eine auf der Rückseite 13b ausgebildete dritte rückseitige Elektrodenkontaktstelle dient. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform bilden die Durchkontakt-Elektroden 11h, 12h und 13h und die Elektroden 12g und 13g eine erste Verbindungsleitung 14.
Wie in 3 gezeigt, ist der zweite symmetrische Signalanschluß 57 des Duplexerchips 50 mit einer Elektrode 11i (siehe 4) verbunden, die als eine vierte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle dient, die auf der Montagefläche 11a der ersten Substratschicht 11 ausgebildet ist. Die Elektrode 11i ist über eine in der ersten Substratschicht 11 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 11j mit einer Elektrode 12i (siehe 5), die auf der ersten Hauptfläche 12a der zweiten Substratschicht 12 ausgebildet ist, verbunden. Die Elektrode 12i ist über eine in der zweiten Substratschicht 12 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 12j mit einer Elektrode 13i (siehe 6), die auf der ersten Hauptfläche 13a der dritten Substratschicht 13 ausgebildet ist, verbunden. Die Elektrode 13i ist über eine in der dritten Substratschicht 13 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 13j mit einem zweiten symmetrischen Signalanschluß 6 (siehe 7), der als eine auf der Rückseite 13b ausgebildete vierte rückseitige Elektrodenkontaktstelle dient, verbunden, Gemäß der vorliegenden Ausführungsform bilden die Durchkontakt-Elektroden 11j, 12j und 13j und die Elektroden 12i und 13i eine zweite Verbindungsleitung 15.
Wie in 3 gezeigt, ist der Antennenanschluß 72 des sendeseitigen Filterchips 70 mit einer Elektrode 11k (siehe 4) verbunden, die auf der Montagefläche 11a der ersten Substratschicht 11 ausgebildet ist. Die Elektrode 11k ist über eine in der ersten Substratschicht 11 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 11l mit der Elektrode 12c (siehe 5) verbunden, die auf der ersten Hauptfläche 12a der zweiten Substratschicht 12 ausgebildet ist und die mit dem in 7 gezeigten Antennenanschluß 2, wie oben beschrieben, verbunden ist.
Wie in 3 gezeigt, ist der zweite sendeseitige Signalanschluß 73 des sendeseitigen Filterchips 70 mit einer Elektrode 11m (siehe 4) verbunden, die auf der Montagefläche 11a der ersten Substratschicht 11 ausgebildet ist. Die Elektrode 11m ist über eine in der ersten Substratschicht 11 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 11n mit einer Elektrode 12m (siehe 5), die auf der ersten Hauptfläche 12a der zweiten Substratschicht 12 ausgebildet ist, verbunden. Die Elektrode 12m ist über eine in der zweiten Substratschicht 12 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 12n mit einer Elektrode 13m (siehe 6), die auf der ersten Hauptfläche 13a der dritten Substratschicht 13 ausgebildet ist, verbunden. Die Elektrode 13m ist über eine in der dritten Substratschicht 13 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 13n mit einem auf der Rückseite 13b ausgebildeten zweiten sendeseitigen Signalanschluß 7 (siehe 7) verbunden.
Wie in 3 gezeigt, ist der erste Anschluß 82 des Induktorchips 80 mit der Elektrode 11c (siehe 4) verbunden, die mit dem in 7 gezeigten Antennenanschluß 2, wie oben beschrieben, verbunden. Im Gegensatz dazu ist der zweite Anschluß 83 mit einer Erdungselektrode 11p verbunden, die auf der Montagefläche 11a der ersten Substratschicht 11 ausgebildet ist Die Erdungselektrode 11p ist über mehrere Durchkontakt-Elektroden, die in der ersten bis dritten Substratschicht 11 bis 13 ausgebildet sind, mit den in 7 gezeigten Erdungselektroden 13q bis 13v verbunden.
Es ist zu beachten, daß unter den Anschlüssen, die in 3 durch Strichlinien angedeutet sind, die Anschlüsse ohne Bezugszahlen Erdungsanschlüsse sind. Die Erdungsanschlüsse sind mit den in 7 gezeigten Erdungselektroden 13q bis 13v verbunden.
Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist, wie in den 5 und 6 gezeigt, die Positionsbeziehung zwischen den Elektroden 12g und 12i die Umkehrung der Positionsbeziehung zwischen den Elektroden 13g und 13i. Dementsprechend kreuzt die erste Verbindungsleitung 14 die zweite Verbindungsleitung 15, wobei die erste Verbindungsleitung 14 und die zweite Verbindungsleitung 15 voneinander isoliert sind. Infolge dessen bezeichnen L₁ und L₁₁ eine Distanz zwischen dem ersten symmetrischen Anschluß und dem Antennenanschluß auf der Montagefläche 11a bzw. auf der Rückseite 13b, und L₂ und L₁₂ bezeichnen eine Distanz zwischen dem zweiten symmetrischen Anschluß und dem Antennenanschluß auf der Montagefläche 11a bzw. auf der Rückseite 13b. Eine Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁ und L₂ ist die Umkehrung einer Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₁ und L₁₂. Genauer gesagt, ist, wie in 3 gezeigt, auf der Montagefläche 11a die Distanz L₂ zwischen dem Antennenanschluß 54 und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 57 länger als die Distanz L₂ zwischen dem Antennenanschluß 54 und dem ersten symmetrischen Signalanschluß 56. Im Gegensatz dazu ist, wie in 7 gezeigt, auf der Rückseite 13b die Distanz L₁₂ zwischen dem Antennenanschluß 2 und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 6 kürzer als die Distanz L₁₁ zwischen dem Antennenanschluß 2 und dem ersten symmetrischen Signalanschluß 5.
Dementsprechend ist auf der Montagefläche 11a der erste symmetrische Signalanschluß 56 elektromagnetisch stärker mit dem Antennenanschluß 54 gekoppelt als der zweite symmetrische Signalanschluß 57. Im Gegensatz dazu ist auf der Rückseite 13b der zweite symmetrische Signalanschluß 6 elektromagnetisch stärker mit dem Antennenanschluß 2 gekoppelt als der erste symmetrische Signalanschluß 5. Infolge dessen kann eine Differenz zwischen der Stärke der elektromagnetischen Kopplung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und der Stärke der elektromagnetischen Kopplung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß insgesamt reduziert werden. Folglich kann eine Differenz zwischen der Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß im Sendefrequenzbereich und der Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß im Sendefrequenzbereich reduziert werden. Darum kann die Differentialdämpfung, die durch eine Charakteristik zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und eine Charakteristik zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß bestimmt wird, im Sendefrequenzbereich erhöht werden.
Außerdem bezeichnen gemäß der vorliegenden Ausführungsform L₃ und L₁₃ eine Distanz zwischen dem ersten symmetrischen Anschluß und dem ersten sendeseitigen Signalanschluß auf der Montagefläche 11a bzw. auf der Rückseite 13b, und L₄ und L₁₄ bezeichnen eine Distanz zwischen dem zweiten symmetrischen Anschluß und dem ersten sendeseitigen Signalanschluß auf der Montagefläche 11a bzw. auf der Rückseite 13b. Eine Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₃ und L₄ ist dann die Umkehrung einer Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₃ und L₁₄. Genauer gesagt, ist, wie in 3 gezeigt, auf der Montagefläche 11a die Distanz L₃ zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß 55 und dem ersten symmetrischen Signalanschluß 56 länger als die Distanz L₄ zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß 55 und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 57. Im Gegensatz dazu ist, wie in 7 gezeigt, auf der Rückseite 13b die Distanz L₁₃ zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß 4 und dem ersten symmetrischen Signalanschluß 5 kürzer als die Distanz L₁₄ zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß 4 und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 6.
Dementsprechend ist auf der Montagefläche 11a der zweite symmetrische Signalanschluß 57 elektromagnetisch stärker mit dem ersten sendeseitigen Signalanschluß 55 gekoppelt als der erste symmetrische Signalanschluß 56. Im Gegensatz dazu ist auf der Rückseite 13b der erste symmetrische Signalanschluß 5 elektromagnetisch stärker mit dem ersten sendeseitigen Signalanschluß 4 gekoppelt als der zweite symmetrische Signalanschluß 6. Infolge dessen kann eine Differenz zwischen der Stärke der elektromagnetischen Kopplung zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und der Stärke der elektromagnetischen Kopplung zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß insgesamt reduziert werden. Folglich kann eine Differenz zwischen der asymmetrischen Trennung zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß im Empfangsfrequenzbereich und der asymmetrischen Trennung zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß im Empfangsfrequenzbereich reduziert werden. Darum kann die Differentialtrennung, die durch eine Charakteristik zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und eine Charakteristik zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß bestimmt wird, im Empfangsfrequenzbereich erhöht werden.
Insbesondere ist, wenn gemäß der vorliegenden Ausführungsform L₁ und L₁₁ die Distanzen auf der Montagefläche 11a bzw. auf der Rückseite 13b bezeichnen und L₂ und L₁₂ die Distanzen auf der Montagefläche 11a bzw. auf der Rückseite 13b bezeichnen, eine Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁ und L₂ die Umkehrung einer Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₁ und L₁₂.
Außerdem ist, wenn L₃ und L₁₃ die Distanzen auf der Montagefläche 11a bzw. auf der Rückseite 13b bezeichnen und L₄ und L₁₄ die Distanzen auf der Montagefläche 11a bzw. auf der Rückseite 13b bezeichnen, eine Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₃ und L₄ die Umkehrung einer Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₃ und L₁₄. Dementsprechend kann die Differentialdämpfung, die durch eine Charakteristik zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und eine Charakteristik zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß bestimmt wird, im Sendefrequenzbereich erhöht werden. Gleichzeitig kann die Differentialtrennung, die durch eine Charakteristik zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und eine Charakteristik zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß bestimmt wird, im Empfangsfrequenzbereich erhöht werden.
Es ist zu beachten, daß die oben beschriebene Differentialdämpfung und Differentialtrennung mittels S-Parametern folgendermaßen definiert sind: Sdd31 = (S31 – S41)/{(2)^1/2}, und Sdd32 = (S32 – S42)/{(2)^1/2}, wobei

Sdd1:: Differentialdämpfung,
Sdd2:: Differentialtrennung,
S31:: der S-Parameter von dem Antennenanschluß (Ant) zu dem ersten symmetrischen Signalanschluß (Rx1),
S41:: der S-Parameter von dem Antennenanschluß (Ant) zu dem zweite symmetrischen Signalanschluß (Rx2),
S32:: der S-Parameter von dem sendeseitigen Signalanschluß (Tx) zu dem ersten symmetrischen Signalanschluß (Rx1), und
S42:: der S-Parameter von dem sendeseitigen Signalanschluß (Tx) zu dem zweiten symmetrischen Signalanschluß (Rx2).

Der Vorteil der Erhöhung der Differentialtrennung und der Differentialdämpfung wird anhand eines beispielhaften Experiments beschrieben.
Als ein Vergleichsbeispiel für das Triplexermodul 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird ein Triplexermodul 1a hergestellt. Nur die Strukturen der ersten Verbindungsleitung 14 und der zweiten Verbindungsleitung 15 und die Anordnung der ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüsse 56 und 57 auf der Montagefläche 11a des Triplexermoduls 1a werden im Vergleich zu denen des Triplexermoduls 1 verändert. Das Triplexermodul des Vergleichsbeispiels und das Triplexermodul 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform haben die gleiche Anordnung der ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüsse 5 und 6 auf der Rückseite 13b.
Eine Draufsicht des Triplexermoduls des Vergleichsbeispiels, eine Draufsicht der Montagefläche der ersten Substratsschicht, eine Draufsicht der ersten Hauptfläche der zweiten Substratsschicht, eine Draufsicht der ersten Hauptfläche der dritten Substratschicht und die Rückseite der dritten Substratsschicht sind jeweils in den 8 bis 12 gezeigt. Es ist zu beachten, daß Komponenten des Triplexers des Vergleichsbeispiels, deren Funktionen im Wesentlichen die gleichen sind wie die der ersten Ausführungsform, die oben zum Beschreiben der ersten Ausführungsform verwendet wurde, mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet sind, mit denen die entsprechenden Komponenten der ersten Ausführungsform bezeichnet wurden; und auf ihre wiederholte Beschreibung wird verzichtet.
Wie in den 10 und 11 gezeigt, ist in dem Vergleichsbeispiel die Positionsbeziehung zwischen den Elektroden 12g und 12i nicht die Umkehrung der Positionsbeziehung zwischen den Elektroden 13g und 13i Somit schneidet die erste Verbindungsleitung 14 nicht die zweite Verbindungsleitung 15. Die erste Verbindungsleitung 14 verläuft parallel zu der zweiten Verbindungsleitung 15. Dementsprechend ist die Positionsbeziehung zwischen dem ersten symmetrischen Signalanschluß 56 und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 57 auf der Montagefläche 11a die gleiche wie die Positionsbeziehung zwischen dem ersten symmetrischen Signalanschluß 5 und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 6 auf der Rückseite 13b. Infolge dessen ist die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁ zwischen dem ersten symmetrischen Signalanschluß und dem Antennenanschluß und der Distanz L₂ zwischen dem zweiten symmetrischen Signalanschluß und dem Antennenanschluß auf der Montagefläche 11a die gleiche wie die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₁ zwischen dem ersten symmetrischen Signalanschluß und dem Antennenanschlull und der Distanz L₁₂ zwischen dem zweiten symmetrischen Signalanschluß und dem Antennenanschlull auf der Rückseite 13b. Genauer gesagt, ist, wie in den 8 und 12 gezeigt, auf der Montagefläche 11a die Distanz L₁ zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß länger als die Distanz L₂ zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß. Gleichermaßen ist auf der Rückseite 13b die Distanz L₁₁ zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß länger als die Distanz L₁₂ zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß.
Des Weiteren ist die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₃ zwischen dem ersten symmetrischen Signalanschluß und dem ersten sendeseitigen Signalanschluß und der Distanz L₄ zwischen dem zweiten symmetrischen Signalanschluß und dem ersten sendeseitigen Signalanschluß auf der Montagefläche 11a die gleiche wie die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₃ zwischen dem ersten symmetrischen Signalanschluß und dem ersten sendeseitigen Signalanschluß und der Distanz L₁₄ zwischen dem zweiten symmetrischen Signalanschluß und dem ersten sendeseitigen Signalanschluß auf der Rückseite 13b. Genauer gesagt, ist auf der Montagefläche 11a die Distanz L₄ zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß länger als die Distanzen L₃ zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß. Gleichermaßen ist auf der Rückseite 13b die Distanz L₁₄ zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß länger als die Distanzen L₁₃ zwischen dem ersten sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß.
Zuerst wird die asymmetrische Trennungscharakteristik des Duplexerchips 50 allein mit Bezug auf 13 beschrieben. Es ist zu beachten, daß in 13 die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß des Duplexerchips 50 durch eine durchgezogene Linie dargestellt ist und die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß des Duplexerchips 50 durch eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen dargestellt ist.
Aus 13 ist zu erkennen, daß sich in dem Duplexerchip 50 allein die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß von der asymmetrischen Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß unterscheidet.
Genauer gesagt, betrug die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz 51,0 dB. Im Gegensatz dazu betrug die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 54,8 dB. Somit beträgt die Differenz 3,8 dB. Das liegt daran, daß sich die Distanzen L₃ zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß 55 und dem ersten symmetrischen Signalanschluß 56 von der Distanz L₄ zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß 55 und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 57 unterscheiden.
14 ist ein Diagramm, das die asymmetrische Trennung des Hochfrequenzmoduls des Vergleichsbeispiels veranschaulicht. In 14 ist die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß durch eine durchgezogene Linie dargestellt, und die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß ist durch eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen dargestellt. Der Vergleich zwischen den 13 und 14 zeigt, daß in dem Vergleichsbeispiel die Differenz zwischen den asymmetrischen Trennungen m Empfangsfrequenzbereich des Hochfrequenzmoduls größer ist als die Differenz zwischen den asymmetrischen Trennungen im Empfangsfrequenzbereich des Duplexerchips 50 allein. Das heißt, durch das Montieren des Duplexerchips 50 auf der Leiterplatte 10 wird eine Differenz zwischen der asymmetrischen Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und der asymmetrischen Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß im Empfangsfrequenzbereich erhöht.
Genauer gesagt, betrug, wie in TABELLE 1 veranschaulicht, in dem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz 46,5 dB. Im Gegensatz dazu betrug die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 60,4 dB. Durch das Montieren des Duplexerchips 50 auf der Leiterplatte 10 wurde die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz um 4,5 dB verschlechtert. Jedoch wurde die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß um 5,6 dB verbessert. Infolge dessen wird im Empfangsfrequenzbereich die Differenz zwischen der asymmetrischen Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und der asymmetrischen Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß von 3,8 dB auf 13,9 dB erhöht.
Das liegt daran, daß in dem Vergleichsbeispiel die Positionsbeziehung zwischen den ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüssen mit Bezug auf den sendeseitigen Signalanschluß in dem Duplexerchip 50 die gleiche ist wie die auf der Rückseite 13b. Das heißt, in dem Vergleichsbeispiel ist die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₃ und L₄ in dem Duplexerchip 50 die gleiche wie die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₃ und L₁₄ auf der Rückseite 13b.
15 ist ein Diagramm, das die asymmetrische Trennung des Hochfrequenzmoduls gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht. In 15 ist die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß durch eine durchgezogene Linie dargestellt, und die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß ist durch eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen dargestellt. In dem Vergleichsbeispiel ist die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₃ und L₄ in dem Duplexerchip 50 die gleiche wie die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₃ und L₁₄ auf der Rückseite 13b. Jedoch ist gemäß der ersten Ausführungsform die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₃ und L₄ in dem Duplexerchip 50 die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₃ und L₁₄ auf der Rückseite 13b. Dementsprechend ist, wie aus dem Vergleich zwischen den 13 und 15 zu erkennen ist, in der ersten Ausführungsform die Differenz zwischen der asymmetrischen Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und der asymmetrischen Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß im Empfangsfrequenzbereich kleiner als die in dem Duplexerchip 50 allein.
Genauer gesagt, betrug, wie in TABELLE 2 veranschaulicht, in dem Hochfrequenzmodul der ersten Ausführungsform die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz 46,3 dB. Im Gegensatz dazu betrug die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 45,8 dB. Durch das Montieren des Duplexerchips 50 auf der Leiterplatte 10 wurde die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz um 4,7 dB verschlechtert. Im Gegensatz dazu wurde die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß um 9,0 dB verschlechtert. Infolge dessen wird die Differenz zwischen der asymmetrischen Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und der asymmetrischen Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz deutlich von 3,8 dB auf 0,5 dB verringert.

Wie die oben beschriebenen Ergebnisse verdeutlichen, kann die Differenz der asymmetrischen Trennung zwischen den ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüssen im Sendefrequenzbereich reduziert werden, indem man die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₃ und L₄ in dem Duplexerchip 50 als die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₃ und L₁₄ auf der Rückseite 13b gestaltet. Infolge dessen kann, wie durch die in den 16 bis 18 gezeigten Ergebnisse veranschaulicht wird, die Differentialtrennung, die durch eine Charakteristik zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und eine Charakteristik zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß bestimmt wird, im Sendefrequenzbereich erhöht werden. Genauer gesagt, ist, wie in 17 gezeigt, in dem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels die durch die durchgezogene Linie angedeutete Differentialtrennung des Hochfrequenzmoduls im Sendefrequenzbereich von 1,92 bis 1,98 GHz kleiner als die des Duplexerchips allein, die durch die Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen angedeutet ist. Im Gegensatz dazu ist, wie in 18 gezeigt, gemäß der ersten Ausführungsform die durch die durchgezogene Linie angedeutete Differentialtrennung des Hochfrequenzmoduls größer als die des Duplexerchips allein, die durch die Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen angedeutet ist. Dementsprechend ist, wie in 16 gezeigt, die durch die durchgezogene Linie angedeutete Differentialtrennung des Hochfrequenzmoduls der ersten Ausführungsform im Sendefrequenzbereich von 1,92 bis 1,98 GHz größer als die des Hochfrequenzmoduls des Vergleichsbeispiels, die durch die Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen angedeutet ist. Genauer gesagt, lag der Mindestwert der Differentialtrennung in einem Empfangsfrequenzbereich von 2,11 bis 2,17 GHz, wie in den TABELLEN 1 und 2 unten veranschaulicht, bei 57,0 dB in dem Duplexerchip allein, bei 54,0 dB in der ersten Ausführungsform und bei 48,9 dB in dem Vergleichsbeispiel. TABELLE 1

Vergleichsbeispiel	Duplexerchip allein	Hochfrequenzmodul	Differenz
Asymmetrische Trennung	DPX-S32: 51,0 dB	Mod-S32: 46,5 dB	–4,5 dB
Asymmetrische Trennung	DPX-S42: 54,8 dB	Mod-S42: 60,4 dB	+5,6 dB
Differentialtrennung	57,0 dB	48,9 dB	–8,1 dB

TABELLE 2

Erste Ausführungsform	Duplexerchip allein	Hochfrequenzmodul	Differenz
Asymmetrische Trennung	DPX-S32: 51,0 dB	Mod-S32: 46,3 dB	–4,7 dB
Asymmetrische Trennung	DPX-S42: 54,8 dB	Mod-S42: 45,8 dB	–9,0 dB
Differentialtrennung	57,0 dB	54,0 dB	–3,0 dB

Es ist zu beachten, daß in den TABELLEN 1 und 2,

DPX-S32:: die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß in dem Duplexerchip allein bei einer Frequenz von 1,95 GHz ist,
DPX-S42:: die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß in dem Duplexerchip allein bei einer Frequenz von 1,95 GHz ist,
Mod-S32:: die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß in dem Hochfrequenzmodul bei einer Frequenz von 1,95 GHz ist, und
Mod-S42:: die asymmetrische Trennung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß in dem Hochfrequenzmodul bei einer Frequenz von 1,95 GHz ist.

Die Werte der Differentialtrennung in den TABELLEN 1 und 2 stellen die Mindestwerte in einem Sendefrequenzbereich von 1,92 bis 1,98 GHz dar.
Als nächstes wird der Vorteil des Erhöhens der Differentialdämpfung beschrieben.
Zuerst wird eine asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen der Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Anschluß und der Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Anschluß des Duplexerchips 50 mit Bezug auf 19 beschrieben. Es ist zu beachten, daß in 19 die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß des Duplexerchips 50 durch eine durchgezogene Linie dargestellt ist und die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß des Duplexerchips 50 durch eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen dargestellt ist.
Aus 19 ist zu erkennen, daß sich in dem Duplexerchip 50 allein die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß von der asymmetrischen Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß im Sendefrequenzbereich unterscheidet.
Genauer gesagt, betrug die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz 49,8 dB. Im Gegensatz dazu betrug die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 44,1 dB. Somit ist die Differenz 5,7 dB. Das liegt daran, daß sich die Distanzen L₁ zwischen dem Antennenanschluß 54 und dem ersten symmetrischen Signalanschluß 56 von der Distanz L₂ zwischen dem Antennenanschluß 54 und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 57 unterscheiden.
20 ist ein Diagramm, das die asymmetrische Rx-Dämpfung des Hochfrequenzmoduls des Vergleichsbeispiels veranschaulicht. In 20 ist die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß des Duplexerchips 50 allein durch eine durchgezogene Linie dargestellt, und die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß ist durch eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen dargestellt. Der Vergleich zwischen den 19 und 20 zeigt, daß die Differenz zwischen den asymmetrischen Rx-Dämpfungen im Sendefrequenzbereich des Hochfrequenzmoduls gemäß dem Vergleichsbeispiel größer ist als die Differenz zwischen den asymmetrischen Rx-Dämpfungen im Sendefrequenzbereich des Duplexerchips 50 allein. Das heißt, durch das Montieren des Duplexerchips 50 auf der Leiterplatte 10 wird eine Differenz zwischen der asymmetrischen Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und der asymmetrischen Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß im Sendefrequenzbereich erhöht.
Genauer gesagt, betrug in dem Hochfrequenzmodul des Vergleichsbeispiels die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz 58,2 dB. Im Gegensatz dazu betrug die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 44,0 dB. Durch das Montieren des Duplexerchips 50 auf der Leiterplatte 10 wurde die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz auf 8,4 dB erhöht.
Im Gegensatz dazu wurde die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß um 0,1 dB verringert. Infolge dessen wird die Differenz zwischen der asymmetrischen Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und der asymmetrischen Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz von 5,7 dB auf 14,2 dB erhöht.
Das liegt daran, daß in dem Vergleichsbeispiel die Positionsbeziehung zwischen den ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüssen mit Bezug auf den Antennenanschluß in dem Duplexerchip 50 die gleiche ist wie die auf der Rückseite 13b. Das heißt, in dem Vergleichsbeispiel ist die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁ und L₂ in dem Duplexerchip 50 die gleiche wie die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₁ und L₁₂ auf der Rückseite 13b.
21 ist ein Diagramm, das die asymmetrische Rx-Dämpfung des Hochfrequenzmoduls gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht. In 21 ist die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß in dem Duplexerchip 50 allein durch eine durchgezogene Linie dargestellt, und die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß ist durch eine Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen dargestellt. In dem Vergleichsbeispiel ist die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁ und L₂ in dem Duplexerchip 50 die gleiche wie die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₁ und L₁₂ auf der Rückseite 13b. Jedoch ist gemäß der ersten Ausführungsform die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁ und L₂ in dem Duplexerchip 50 die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₁ und L₁₂ auf der Rückseite 13b. Dementsprechend ist, wie aus dem Vergleich zwischen den 19 und 21 zu erkennen ist, gemäß der ersten Ausführungsform in dem Duplexerchip 50, der auf der Leiterplatte 10 montiert ist, die Differenz zwischen der asymmetrischen Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und der asymmetrischen Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß im Sendefrequenzbereich kleiner als die in dem Duplexerchip 50 allein. Genauer gesagt, betrug in dem Hochfrequenzmodul der ersten Ausführungsform die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz 51,2 dB. Im Gegensatz dazu betrug die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 46,6 dB. Durch das Montieren des Duplexerchips 50 auf der Leiterplatte 10 wurde die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz um 1,4 dB erhört. Im Gegensatz dazu wurde die asymmetrische Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß um 2,5 dB erhöht. Infolge dessen wird die Differenz zwischen der asymmetrischen Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten symmetrischen Signalanschluß und der asymmetrischen Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß bei einer Frequenz von 1,95 GHz deutlich von 14,2 dB auf 4,6 dB verringert.
Wie die oben beschriebenen Ergebnisse verdeutlichen, kann die Differenz zwischen der asymmetrischen Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem ersten asymmetrischen Signalanschluß in dem Duplexerchip 50 und der asymmetrischen Rx-Dämpfung zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten asymmetrischen Signalanschluß im Sendefrequenzbereich reduziert werden, indem die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁ und L₂ in dem Duplexerchip 50 als die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₁ und L₁₂ auf der Rückseite 13b gestaltet wird. Infolge dessen kann, wie durch die in den 22 bis 24 gezeigten Ergebnisse veranschaulicht wird, die Differential-Rx-Dämpfung des Hochfrequenzmoduls im Sendefrequenzbereich erhöht werden. Genauer gesagt, ist, wie in 23 gezeigt, die durch die durchgezogene Linie angedeutete Differential-Rx-Dämpfung des Hochfrequenzmoduls des Vergleichsbeispiels im Sendefrequenzbereich kleiner als die Differential-Rx-Dämpfung des Duplexerchips allein, die durch die Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen angedeutet ist. Im Gegensatz dazu ist, wie in 24 gezeigt, gemäß der ersten Ausführungsform die durch die durchgezogene Linie angedeutete Differential-Rx-Dämpfung des Hochfrequenzmoduls größer als die Differential-Rx-Dämpfung des Duplexerchips allein, die durch die Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen angedeutet ist. Dementsprechend ist, wie in 22 gezeigt, die durch die durchgezogene Linie angedeutete Differential-Rx-Dämpfung des Hochfrequenzmoduls der ersten Ausführungsform in dem Sendefrequenz(Tx)-Bereich größer als die Differential-Rx-Dämpfung des Hochfrequenzmoduls des Vergleichsbeispiels, die durch die Linie aus abwechselnd langen und kurzen Strichen angedeutet ist. Genauer gesagt, lag der Maximalwert der Differential-Rx-Dämpfung in einem Sendefrequenzbereich in dem Duplexerchip allein bei 50,4 dB, in der ersten Ausführungsform bei 51,2 dB und in dem Vergleichsbeispiel bei 46,1 dB.
Es ist zu beachten, daß gemäß der vorliegenden Ausführungsform das Beispiel beschrieben wurde, bei dem die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁ und L₂ auf der Montagefläche 11a die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₁ und L₁₂ auf der Rückseite 13b ist und die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₃ und L₄ auf der Montagefläche 11a die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₃ und L₁₄ auf der Rückseite 13b ist. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf einen solchen Aufbau beschränkt. Zum Beispiel braucht nur die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁ und L₂ auf der Montagefläche 11a die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₁ und L₁₂ auf der Rückseite 13b zu sein. Alternativ ist nur die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₃ und L₄ auf der Montagefläche 11a die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₃ und L₁₄ auf der Rückseite 13b.
Es wird nun eine weitere beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. Es ist zu beachten, daß Komponenten der vorliegenden Ausführungsform, deren Funktionen im Wesentlichen die gleichen sind wie die der ersten Ausführungsform, mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet sind, mit denen die entsprechenden Komponenten der ersten Ausführungsform bezeichnet wurden; und auf ihre wiederholte Beschreibung wird verzichtet.
(Zweite Ausführungsform)
In der ersten Ausführungsform ist ein Beispiel beschrieben worden, bei dem ein Triplexer als ein Demultiplexer dient. Jedoch braucht ein Demultiplexer, der in einem Hochfrequenzmodul gemäß der vorliegenden Erfindung montiert ist, auch nur ein Duplexer zu sein. Genauer gesagt, enthält ein Hochfrequenzmodul gemäß der vorliegenden Erfindung, wie in den 25 bis 30 gezeigt, im Gegensatz zur ersten Ausführungsform keinen sendeseitigen Filterchip 70. Folglich unterstützt das Hochfrequenzmodul gemäß der vorliegenden Ausführungsform UMTS-Band1 (Tx: 1,92 bis 1,98 GHz, Rx: 2,11 bis 2,17 GHz). Wie bei der ersten Ausführungsform ist auch gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁ und L₂ auf der Montagefläche 11a die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₁ und L₁₂ auf der Rückseite 13b, und die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₃ und L₄ auf der Montagefläche 11a ist die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₃ und L₁₄ auf der Rückseite 13b. Darum können in der zweiten Ausführungsform die Differentialtrennung und die Differentialdämpfung verbessert werden.
(Dritte Ausführungsform)
31 ist ein Ersatzschaltbild eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer dritten Ausführungsform. Wie in 31 gezeigt, hat das Hochfrequenzmodul gemäß der vorliegenden Ausführungsform einen Aufbau, bei dem eine Anpassungsschaltung 84a zwischen einem Verbindungspunkt der ersten symmetrischen Signalanschlüsse 56 und 5 des Duplexers und einem Verbindungspunkt der zweiten symmetrischen Signalanschlüsse 57 und 6 gemäß der zweiten Ausführungsform verbunden ist. 32 ist eine Draufsicht eines Duplexermoduls gemäß der dritten Ausführungsform. 33 ist eine Draufsicht einer Montagefläche eines ersten Substrats. Eine Draufsicht einer ersten Hauptfläche eines zweiten Substrats, eine Draufsicht einer ersten Hauptfläche eines dritten Substrats und eine Draufsicht einer Rückseite sind die gleichen wie die, die in den 28, 29 bzw. 30 der zweiten Ausführungsform veranschaulicht sind.
Wie in 32 gezeigt, ist gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Anpassungsschaltungschip 84, in dem die Anpassungsschaltung 84a ausgebildet ist, auf der Montagefläche 11a der Leiterplatte 10 montiert. Genauer gesagt, ist der Anpassungsschaltungschip 84 ein Induktorchip. Eine erste Elektrode 85 des Anpassungsschaltungschips 84 ist mit einem Abschnitt verbunden, der sich von der Elektrode 11g (einer dritten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle) erstreckt. Im Gegensatz dazu ist eine zweite Elektrode 86 des Anpassungsschaltungschips 84 mit einem Abschnitt verbunden, der sich von der Elektrode 11i (einer vierten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle) erstreckt. Auf den Elektroden 11g und 11i ist der Anpassungsschaltungschip 84 zwischen einem Verbindungspunkt zwischen den ersten symmetrischen Signalanschlüssen 56 und 5 und einem Verbindungspunkt zwischen den zweiten symmetrischen Signalanschlüssen 57 und 6 verbunden. Dementsprechend ist der Anpassungsschaltungschip 84 zwischen dem ersten symmetrischen Signalanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß an der dritten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle und der vierten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden.
Wie bei der ersten und der zweiten Ausführungsformen können auch gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Differentialtrennung und die Differentialdämpfung verbessert werden.
(Vierte Ausführungsform)
34 ist eine Draufsicht einer Montagefläche eines ersten Substrats gemäß einer vierten Ausführungsform. 35 ist eine Draufsicht einer ersten Hauptfläche eines zweiten Substrats gemäß der vierten Ausführungsform. 36 ist eine Draufsicht einer ersten Hauptfläche eines dritten Substrats gemäß der vierten Ausführungsform. 31 der zweiten Ausführungsform wird auch auf die vierte Ausführungsform angewendet. Außerdem werden die 31, 32 und 30 der oben beschriebenen Ausführungsformen ebenfalls auf die vierte Ausführungsform angewendet.
In der dritten Ausführungsform ist der Anpassungsschaltungschip 84 zwischen dem ersten symmetrischen Signalanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß an der dritten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle und der vierten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle, die auf der Montagefläche der Leiterplatte ausgebildet sind, verbunden. Jedoch wird die vorliegende Ausführungsform mit Bezug auf ein Beispiel beschrieben, in dem der Anpassungsschaltungschip 84 zwischen dem ersten symmetrischen Signalanschluß und einem zweiten symmetrischen Signalanschluß auf der ersten Verbindungsleitung und einer zweiten Verbindungsleitung, die innerhalb der Leiterplatte ausgebildet sind, verbunden ist.
Wie in 34 gezeigt, sind des Weiteren Elektroden 11r und 11t auf der Montagefläche 11a angeordnet. Die erste Elektrode 85 des Anpassungsschaltungschips 84 ist mit der Elektrode 11r verbunden. Die Elektrode 11r ist über eine in der ersten Substratschicht 11 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 11s mit einer Elektrode 12i, die auf der ersten Hauptfläche 12a der zweiten Substratschicht 12 ausgebildet ist, verbunden. Außerdem ist die Elektrode 11i, mit der der zweite symmetrische Signalanschluß 57 des Duplexerchips 50 verbunden ist, über die in der ersten Substratschicht 11 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 11j mit der Elektrode 12i verbunden. Des Weiteren ist die Elektrode 12i über die in der zweiten Substratschicht 12 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 12j und die in der dritten Substratschicht 13 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 13j mit dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 6, der auf der Rückseite 13b der Leiterplatte 10 ausgebildet ist, verbunden. Dementsprechend ist die erste Elektrode 85 des Anpassungsschaltungschips 84 mit dem Verbindungspunkt zwischen den zweiten symmetrischen Signalanschlüssen 57 und 6 verbunden. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird die zweite Verbindungsleitung durch die Durchkontakt-Elektroden 11j, 12j und 13j und die Elektrode 12i gebildet.
Im Gegensatz dazu ist eine zweite Elektrode 86 des Anpassungsschaltungschips 84 mit der Elektrode 11t verbunden. Die Elektrode 11t ist über eine in der ersten Substratschicht 11 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 11u mit einer Elektrode 12k, die auf der ersten Hauptfläche 12a der zweiten Substratschicht 12 ausgebildet ist, verbunden. Die Elektrode 12k ist über eine in der zweiten Substratschicht 12 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 12l mit der Elektrode 13g, die auf der ersten Hauptfläche 13a der dritten Substratschicht 13 ausgebildet ist, verbunden. Außerdem ist die Elektrode 11g, mit der der erste symmetrische Signalanschluß 56 des Duplexerchips 50 verbunden ist, über die in der ersten Substratschicht 11 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 11h und die in der zweiten Substratschicht 12 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 12h mit der Elektrode 13g verbunden. Des Weiteren ist die Elektrode 13g über die in der dritten Substratschicht 13 ausgebildete Durchkontakt-Elektrode 13h mit dem ersten symmetrischen Signalanschluß 5, der auf der Rückseite 13b der Leiterplatte 10 ausgebildet ist, verbunden. Dementsprechend ist die zweite Elektrode 86 des Anpassungsschaltungschips 84 mit dem Verbindungspunkt zwischen den ersten symmetrischen Signalanschlüssen 56 und 5 verbunden. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird die erste Verbindungsleitung durch die Durchkontakt-Elektroden 11h, 12h und 13h und die Elektrode 13g gebildet.
Wie in den 35 und 36 gezeigt, schneidet die Elektrode 13g, die als Teil der ersten Verbindungsleitung dient, gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Elektrode 12j, die als Teil der zweiten Verbindungsleitung dient. Dementsprechend ist die erste Elektrode 85 des Anpassungsschaltungschips 84 mit einem Punkt der zweiten Verbindungsleitung auf der Seite der Elektrode 11i (der vierten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle), ausgehend von dem Schnittpunkt der zweiten Verbindungsleitung und der ersten Verbindungsleitung, vuerbunden. Außerdem ist die zweite Elektrode 86 des Anpassungsschaltungschips 84 mit einem Punkt der ersten Verbindungsleitung auf der Seite des ersten symmetrischen Signalanschlusses 5 (der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle), ausgehend von dem Schnittpunkt der ersten Verbindungsleitung und der zweiten Verbindungsleitung, verbunden. Es ist zu beachten, daß ein Pfad, in dem der Anpassungsschaltungschip 84 mit der ersten Verbindungsleitung und der zweiten Verbindungsleitung verbunden ist, nicht darauf beschränkt ist, was in den 34 bis 36 gezeigt ist. Durch geeignetes Anordnen des Pfades innerhalb der Leiterplatte 10 ist die Montageposition des Anpassungsschaltungschips 84 nicht auf die beschränkt, die in der vorliegenden Ausführungsform veranschaulicht ist, und der Anpassungsschaltungschip 84 kann an jeder beliebigen Position angeordnet werden. Außerdem können, wie bei der ersten bis dritten Ausführungsform, auch gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Differentialtrennung und die Differentialdämpfung verbessert werden.
(Fünfte Ausführungsform)
Auch wenn die erste bis vierte Ausführungsform mit Bezug auf einen Aufbau beschrieben wurden, in dem ein einzelner Duplexerchip 50 angeordnet ist, ist die vorliegende Erfindung nicht auf einen solchen Aufbau beschränkt. Zum Beispiel kann, gemäß der vorliegenden Erfindung, ein Hochfrequenzmodul ein Mehrbandduplexermodul enthalten, das mehrere Duplexer aufweist, die mit verschiedenen Antennenanschlüssen verbunden sind.
Zum Beispiel können, wie in den 37 bis 42 gezeigt, drei Duplexerchips 50, die mit verschiedenen Antennenanschlüssen verbunden sind, montiert werden. Selbst in einem solchen Fall ist, wie bei der ersten bis dritten Ausführungsform, die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁ und L₂ auf der Montagefläche 11a die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₁ und L₁₂ auf der Rückseite 13b, und die Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₃ und L₄ auf der Montagefläche 11a ist die Umkehrung der Größenbeziehung zwischen den Distanzen L₁₃ und L₁₄ auf der Rückseite 13b. Dementsprechend können die Differentialtrennung und die Differentialdämpfung verbessert werden.
Es ist zu beachten, daß gemäß der vorliegenden Ausführungsform der erste Anschluß 82 des in 38 gezeigten Induktorchips 80 mit einer in 39 gezeigten Elektrode 11v verbunden ist. Die Elektrode 11v ist über eine Durchkontakt-Elektrode 11w mit der in 40 gezeigten Elektrode 12c verbunden. Die anderen Verbindungen sind die gleichen wie die in den anderen Ausführungsformen. Das heißt, der Antennenanschluß 54 ist über die Elektrode 11c, die Durchkontakt-Elektrode 11d, die Elektrode 12c, die Durchkontakt-Elektrode 12d, die Elektrode 13c und eine Durchkontakt-Elektrode 13d mit dem Antennenanschluß 2 verbunden. Der sendeseitige Signalanschluß 55 ist über die Elektrode 11e, die Durchkontakt-Elektrode 11f, die Elektrode 12e, die Durchkontakt-Elektrode 12f, die Elektrode 13e und die Durchkontakt-Elektrode 13f mit dem ersten sendeseitigen Signalanschluß 4 verbunden. Der erste symmetrische Signalanschluß 56 ist über die Elektrode 11g, die Durchkontakt-Elektrode 11h, die Elektrode 12g, die Durchkontakt-Elektrode 12h, die Elektrode 13g und die Durchkontakt-Elektrode 13h mit dem ersten symmetrischen Signalanschluß 5 verbunden. Der zweite symmetrische Signalanschluß 57 ist über die Elektrode 11i, die Durchkontakt-Elektrode 11j, die Elektrode 12i, die Durchkontakt-Elektrode 12j, die Elektrode 13i und die Durchkontakt-Elektrode 13j mit dem zweiten symmetrischen Signalanschluß 6 verbunden.
(Sechste Ausführungsform)
Wie in den 43 bis 47 gezeigt, enthält ein Hochfrequenzmodul gemäß der vorliegenden Ausführungsform zusätzlich zu dem Aufbau des Hochfrequenzmoduls gemäß der fünften Ausführungsform Anpassungsschaltungschips 90a, 90b und 90c. Selbst in einem solchen Fall können, wie bei der ersten bis dritten Ausführungsform, die Differentialtrennung und die Differentialdämpfung verbessert werden. Es ist zu beachten, daß gemäß der vorliegenden Ausführungsform, wie im Fall der dritten Ausführungsform, der Anpassungsschaltungschip 90b zwischen dem ersten symmetrischen Signalanschluß und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß an der dritten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle und der vierten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle, die auf der Montagefläche einer Leiterplatte ausgebildet sind, verbunden ist.
(Siebente Ausführungsform)
Die 48 bis 50 veranschaulichen ein Hochfrequenzmodul gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Es ist zu beachten, daß die 43 bis 47 der sechsten Ausführungsform auch für die vorliegende Ausführungsform gelten. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform hat ein Hochfrequenzmodul einen Aufbau, der dem Aufbau des Hochfrequenzmoduls gemäß der sechsten Ausführungsform ähnelt, mit Ausnahme von Verbindungszuständen des Anpassungsschaltungschips 90a, 90b und 90c. Wie bei der vierten Ausführungsform ist der Anpassungsschaltungschip 90b gemäß der vorliegenden Ausführungsform zwischen der ersten Verbindungsleitung und der zweiten Verbindungsleitung, die innerhalb der Leiterplatte ausgebildet sind, verbunden, und der Anpassungsschaltungschip 84 ist zwischen den ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüssen verbunden. Selbst in einem solchen Fall können, wie bei der ersten bis dritten Ausführungsform, die Differentialtrennung und die Differentialdämpfung verbessert werden.
Im Folgenden werden Modifizierungen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Es ist zu beachten, daß Komponenten der Modifizierungen, deren Funktionen im Wesentlichen die gleichen sind wie die bei den oben beschriebenen Ausführungsformen, mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet sind, mit denen die entsprechenden Komponenten der oben beschriebenen Ausführungsformen bezeichnet wurden; und auf ihre wiederholte Beschreibung wird verzichtet.
(Erste Modifizierung)
51 ist ein Ersatzschaltbild eines Hochfrequenzmoduls gemäß der vorliegenden Modifizierung. Wie in 51 gezeigt, kann eine Hochfrequenzweiche 91 zwischen dem Antennenanschluß 2 und sowohl dem sendeseitigen Filter 52 als auch dem empfangsseitigen Filter 53 angeordnet sein.
(Zweite Modifizierung)
52 ist ein Ersatzschaltbild eines Hochfrequenzmoduls gemäß der vorliegenden Modifizierung. Wie in 52 gezeigt, kann ein Leistungsverstärker 92, der mit dem sendeseitigen Signalanschluß 55 verbunden ist, angeordnet sein. Genauer gesagt, ist der Leistungsverstärker 92 gemäß der vorliegenden Modifizierung zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß 55 und dem sendeseitigen Signalanschluß 4 verbunden.
Bezugszeichenliste

1: Triplexermodul (Hochfrequenzmodul)
2: Antennenanschluß
3: Antenne
4: erster sendeseitiger Signalanschluß
5: erster symmetrischer Signalanschluß
6: zweiter symmetrischer Signalanschluß
7: zweiter sendeseitiger Signalanschluß
10: Leiterplatte
11: erste Substratschicht
11a: Montagefläche der ersten Substratschicht (erste Hauptfläche der Leiterplatte)
11b: zweite Hauptfläche der ersten Substratschicht
11c, 11e, 11g, 11i, 11k, 11m, 11r, 11t: Elektrode
11d, 11f, 11h, 11j, 11l, 11n, 11s, 11u: Durchkontakt-Elektrode
12: zweite Substratschicht
12a: erste Hauptfläche der zweiten Substratschicht
12b: zweite Hauptfläche der zweiten Substratschicht
12c, 12e, 12g, 12i, 12k, 12m: Elektrode
12d, 12f, 12h, 12j, 12l, 12n: Durchkontakt-Elektrode
13: dritte Substratschicht
13a: erste Hauptfläche der dritten Substratschicht
13b: Rückseite
13c, 13e, 13g, 13i, 13m: Elektrode
13d, 13f, 13h, 13j, 13n: Durchkontakt-Elektrode
13q bis 13v: Erdungselektrode
14: erste Verbindungsleitung
15: zweite Verbindungsleitung
50: Duplexerchip
51: Triplexerchip
52: sendeseitiges Filter
53: empfangsseitiges Filter
54: Antennenanschluß
55: erster sendeseitiger Signalanschluß
56: erster symmetrischer Signalanschluß
57: zweiter symmetrischer Signalanschluß
70: sendeseitiger Filterchip
71: sendeseitiger Filter
72: Antennenanschluß
73: zweiter sendeseitiger Signalanschluß
80: Induktorchip
81: Induktor
82: erster Anschluß
83: zweiter Anschluß
84: Anpassungsschaltungschip
84a: Anpassungsschaltung
85: erste Elektrode
86: zweite Elektrode
90a, 90b, 90c: Anpassungsschaltungschip
91: Hochfrequenzweiche
92: Leistungsverstärker

Claims

Hochfrequenzmodul (1), umfassend: eine Leiterplatte (10) und einen auf der Leiterplatte (10) montierten Demultiplexer (50), wobei der Demultiplexer (50) einen Antennenanschluß (54), einen sendeseitigen Signalanschluß (55), erste und zweite symmetrische Signalanschlüsse (56, 57), die als ein empfangsseitiger Signalanschluß dienen, ein sendeseitiges Filter (52), das zwischen dem Antennenanschluß (54) und dem sendeseitigen Signalanschluß (55) verbunden ist, und ein empfangsseitiges Filter (53) umfaßt, das zwischen dem Antennenanschluß (54) und jedem der ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüsse (56, 57) verbunden ist, wobei das empfangsseitige Filter (52) eine Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion aufweist; wobei die Leiterplatte (10) eine erste Hauptfläche (11a) hat, auf der der Demultiplexer montiert ist, und eine zweite Hauptfläche (13b) hat, die der ersten Hauptfläche entspricht und wobei an der ersten Hauptfläche (11a) eine erste vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der Antennenanschluß (54) verbunden ist, eine zweite vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der sendeseitige Signalanschluß (55) verbunden ist, eine dritte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der erste symmetrische Signalanschluß (56) verbunden ist und eine vierte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der zweite symmetrische Signalanschluß (57) verbunden ist, ausgebildet sind, und wobei an der zweiten Hauptfläche (13b) eine erste rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der ersten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, eine zweite rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der zweiten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, eine dritte rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der dritten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, und eine vierte rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der vierten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, ausgebildet sind, und dadurch gekennzeichnet, daß eine Distanz (L1) von entweder dem Antennenanschluß (54) zu dem ersten symmetrischen Signalanschluß (56) länger ist als eine Distanz (L4) von dem sendeseitigen Signalanschluß (55) zu dem zweiten symmetrischen Signalanschluß (57), wobei die Distanz (L3) zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß (55) und dem ersten symmetrischen Signalanschluß (56) länger ist als eine Distanz (L2) zwischen dem Antennenanschluß (54) und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß (57) oder kürzer ist als die Distanz (L4) zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß (55) und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß (57), und dadurch, daß die Distanz (L13) zwischen der zweiten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle und der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle länger ist als die Distanz (L14) zwischen der zweiten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle und der vierten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle oder kürzer ist als eine Distanz (L12) zwischen der ersten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle und der vierten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle, oder eine Distanz (L11) von der ersten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle zu der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle kürzer ist als eine Distanz von der zweiten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle zu der vierten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle.
Hochfrequenzmodul (1) nach Anspruch 1, ferner umfassend: eine erste Verbindungsleitung (14), welche die dritte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle mit der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle verbindet; und eine zweite Verbindungsleitung (15), welche die vierte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle mit der vierten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle verbindet; wobei die erste Verbindungsleitung (14) die zweite Verbindungsleitung (15) schneidet, wobei die erste Verbindungsleitung und die zweite Verbindungsleitung voneinander isoliert sind.
Hochfrequenzmodul (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Demultiplexer (50) die Form eines Triplexers hat, der ferner einen zweiten sendeseitigen Signalanschluß und ein zweites sendeseitiges Filter enthält, das zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten sendeseitigen Signalanschluß angeordnet ist.
Hochfrequenzmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Demultiplexer (50) die Form eines Mehrbandduplexers hat, der mehrere Duplexer enthält, von denen jeder den Antennenanschluß, den sendeseitigen Signalanschluß, die ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüsse, das sendeseitige Filter und das empfangsseitige Filter enthält.
Hochfrequenzmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Demultiplexer (50) des Weiteren eine Hochfrequenzweiche (91) enthält, die zwischen dem Antennenanschluß und dem sendeseitigen Filter und dem empfangsseitigen Filter verbunden ist.
Hochfrequenzmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, ferner umfassend: einen Leistungsverstärker (92), der mit dem sendeseitigen Signalanschluß (55) verbunden ist.
Hochfrequenzmodul (1) nach einem der Ansprüche 2 bis 6, ferner umfassend: eine Anpassungsschaltung (84a), die zwischen den ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüssen verbunden ist.
Hochfrequenzmodul (1) nach einem der Ansprüche 2 bis 7, ferner umfassend: eine Anpassungsschaltung (90b), die zwischen einem Punkt der ersten Verbindungsleitung auf der Seite der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle mit Bezug auf einen Schnittpunkt der ersten Verbindungsleitung und der zweiten Verbindungsleitung und einem Punkt der zweiten Verbindungsleitung auf der Seite der vierten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle mit Bezug auf den Schnittpunkt der zweiten Verbindungsleitung und der ersten Verbindungsleitung verbunden ist.
Hochfrequenzmodul (1), umfassend: eine Leiterplatte (10) und einen auf der Leiterplatte (10) montierten Demultiplexer (50), wobei der Demultiplexer (50) einen Antennenanschluß (54), einen sendeseitigen Signalanschluß (55), erste und zweite symmetrische Signalanschlüsse (56, 57), die als ein empfangsseitiger Signalanschluß dienen, ein sendeseitiges Filter (52), das zwischen dem Antennenanschluß (54) und dem sendeseitigen Signalanschluß (55) verbunden ist, und ein empfangsseitiges Filter (53) umfaßt, das zwischen dem Antennenanschluß (54) und jedem der ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüsse (56, 57) verbunden ist, wobei das empfangsseitige Filter (52) eine Symmetrie-Asymmetrie-Umwandlungsfunktion aufweist; wobei die Leiterplatte (10) eine erste Hauptfläche (11a) hat, auf der der Demultiplexer montiert ist, und eine zweite Hauptfläche (13b) hat, die der ersten Hauptfläche entspricht und wobei an der ersten Hauptfläche (11a) eine erste vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der Antennenanschluß (54) verbunden ist, eine zweite vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der sendeseitige Signalanschluß (55) verbunden ist, eine dritte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der erste symmetrische Signalanschluß (56) verbunden ist und eine vierte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle, mit der der zweite symmetrische Signalanschluß (57) verbunden ist, ausgebildet sind, und wobei an der zweiten Hauptfläche (13b) eine erste rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der ersten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, eine zweite rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der zweiten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, eine dritte rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der dritten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, und eine vierte rückseitige Elektrodenkontaktstelle, die mit der vierten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle verbunden ist, ausgebildet sind, und dadurch gekennzeichnet, daß eine Distanz (L1) von entweder dem Antennenanschluß (54) zu dem ersten symmetrischen Signalanschluß (56) länger ist als eine Distanz (L4) von dem sendeseitigen Signalanschluß (55) zu dem zweiten symmetrischen Signalanschluß (57), oder die Distanz (L3) zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß (55) und dem ersten symmetrischen Signalanschluß (56) länger ist als eine Distanz (L2) zwischen dem Antennenanschluß (54) und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß (57) oder länger ist als die Distanz (L4) zwischen dem sendeseitigen Signalanschluß (55) und dem zweiten symmetrischen Signalanschluß (57), und dadurch, daß die Distanz (L13) zwischen der zweiten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle und der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle kürzer ist als die Distanz (L14) zwischen der zweiten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle und der vierten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle oder als eine Distanz (L12) zwischen der ersten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle und der vierten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle, oder eine Distanz (L11) von der ersten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle zu der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle kürzer ist als eine Distanz von der zweiten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle zu der vierten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle.
Hochfrequenzmodul (1) nach Anspruch 9, ferner umfassend: eine erste Verbindungsleitung (14), welche die dritte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle mit der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle verbindet; und eine zweite Verbindungsleitung (15), welche die vierte vorderseitige Elektrodenkontaktstelle mit der vierten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle verbindet; wobei die erste Verbindungsleitung (14) die zweite Verbindungsleitung (15) schneidet, wobei die erste Verbindungsleitung und die zweite Verbindungsleitung voneinander isoliert sind.
Hochfrequenzmodul (1) nach Anspruch 9 oder 10, wobei der Demultiplexer (50) die Form eines Triplexers hat, der ferner einen zweiten sendeseitigen Signalanschluß und ein zweites sendeseitiges Filter enthält, das zwischen dem Antennenanschluß und dem zweiten sendeseitigen Signalanschluß angeordnet ist.
Hochfrequenzmodul (1) nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei der Demultiplexer (50) die Form eines Mehrbandduplexers hat, der mehrere Duplexer enthält, von denen jeder den Antennenanschluß, den sendeseitigen Signalanschluß, die ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüsse, das sendeseitige Filter und das empfangsseitige Filter enthält.
Hochfrequenzmodul (1) nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei der Demultiplexer (50) des Weiteren eine Hochfrequenzweiche (91) enthält, die zwischen dem Antennenanschluß und dem sendeseitigen Filter und dem empfangsseitigen Filter verbunden ist.
Hochfrequenzmodul (1) nach einem der Ansprüche 9 bis 13, ferner umfassend: einen Leistungsverstärker (92), der mit dem sendeseitigen Signalanschluß (55) verbunden ist.
Hochfrequenzmodul (1) nach einem der Ansprüche 9 bis 14, ferner umfassend: eine Anpassungsschaltung (84a), die zwischen den ersten und zweiten symmetrischen Signalanschlüssen verbunden ist.
Hochfrequenzmodul (1) nach einem der Ansprüche 9 bis 15, ferner umfassend: eine Anpassungsschaltung (90b), die zwischen einem Punkt der ersten Verbindungsleitung auf der Seite der dritten rückseitigen Elektrodenkontaktstelle mit Bezug auf einen Schnittpunkt der ersten Verbindungsleitung und der zweiten Verbindungsleitung und einem Punkt der zweiten Verbindungsleitung auf der Seite der vierten vorderseitigen Elektrodenkontaktstelle mit Bezug auf den Schnittpunkt der zweiten Verbindungsleitung und der ersten Verbindungsleitung verbunden ist.