JP4539788B2 - 高周波モジュール - Google Patents

Description

本発明は、高周波モジュールに関し、特に、一対の平衡信号端子を有するバランス型の分波器を備える高周波モジュールに関する。

近年、例えば携帯電話端末などの通信端末において、送信側フィルタや受信側フィルタなどの複数のフィルタを備える分波器が広く用いられるようになってきている。このような分波器においては、送信側信号端子と受信側信号端子との間の高いアイソレーション特性を実現するために、送信側フィルタ及び受信側フィルタの減衰量が大きいことが強く望まれている。このため、従来、減衰量が大きい送信側フィルタ及び受信側フィルタを有するデュプレクサの開発が盛んに行われている。

しかしながら、デュプレクサ単体におけるフィルタの減衰量は大きくても、デュプレクサを配線基板に実装したデュプレクサモジュールにおいては、フィルタの大きな減衰量が得られ難いという問題があった。すなわち、デュプレクサを配線基板に実装することにより減衰量が小さくなるという問題があった。

このような問題を解決したデュプレクサモジュールとして、例えば下記の特許文献１には、図５３に示すデュプレクサモジュールが開示されている。図５３に示すように、デュプレクサモジュール１００では、誘電体基板１０１の表面にデュプレクサ１０２が実装されている。デュプレクサ１０２の受信側フィルタの単独グラウンド端子は、ビア１０４，１０５及び接続用配線１０６を介して、誘電体基板１０１の表面に実装されているチップインダクタ１０３の一端に接続されている。チップインダクタ１０３の他端は、ビア１０７を介して、誘電体基板１０１の裏面に形成されている裏面接地電極１０８に接続されている。

デュプレクサモジュール１００では、上記のチップインダクタ１０３が設けられているため、チップインダクタ１０３のインダクタンス値を調整することにより、デュプレクサモジュール１００の受信側フィルタの減衰量を調整することができる。例えば、デュプレクサモジュール１００の受信側フィルタの減衰量を大きくすることができる。従って、デュプレクサモジュール１００のアイソレーション特性を高めることができる。

特開２００６-３３３１６８号公報

ところで、一対の平衡信号端子を有するバランス型のデュプレクサを用いたデュプレクサモジュールにおいて高いアイソレーション特性を実現するためには、差動アイソレーション及び差動減衰量が大きいことも求められる。例えば、受信側フィルタが第１及び第２の平衡信号端子を有する平衡−不平衡変換機能をもつフィルタである場合は、受信周波数帯における送信側信号端子と第１及び第２の平衡信号端子間の差動アイソレーションや、送信周波数帯におけるアンテナ端子と第１及び第２の平衡信号端子間の差動減衰量が大きいことも求められる。しかしながら、特許文献１に記載のデュプレクサモジュールにおいては、差動アイソレーションや差動減衰量を大きくすることができなかった。

本発明の目的は、一対の平衡信号端子を有するバランス型の分波器を備える高周波モジュールであって、差動アイソレーションと差動減衰量とのうちの少なくとも一方が大きい高周波モジュールを提供することにある。

本発明に係る高周波モジュールは、配線基板と、配線基板に実装されている分波器とを備えている。分波器は、アンテナ端子と、送信側信号端子と、受信側信号端子としての第１及び第２の平衡信号端子と、送信側フィルタと、平衡−不平衡変換機能を有する受信側フィルタとを有する。送信側フィルタは、アンテナ端子と送信側信号端子との間に接続されている。受信側フィルタは、アンテナ端子と第１及び第２の平衡信号端子との間に接続されている。配線基板は、分波器が実装される第１の主面と、第１の主面と対向する第２の主面とを有する。第１の主面には、アンテナ端子が接続されている第１の表面側電極パッドと、送信側信号端子が接続されている第２の表面側電極パッドと、第１の平衡信号端子が接続されている第３の表面側電極パッドと、第２の平衡信号端子が接続されている第４の表面側電極パッドとが形成されている。第２の主面には、第１の表面側電極パッドに接続されている第１の裏面側電極パッドと、第２の表面側電極パッドに接続されている第２の裏面側電極パッドと、第３の表面側電極パッドに接続されている第３の裏面側電極パッドと、第４の表面側電極パッドに接続されている第４の裏面側電極パッドとが形成されている。アンテナ端子及び送信側信号端子のうちの一方の端子と第１の平衡信号端子との間の距離が、上記一方の端子と第２の平衡信号端子との間の距離よりも長い。第１及び第２の裏面側電極パッドのうち、上記一方の端子に接続されている側の裏面側電極パッドと、第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、第１及び第２の裏面側電極パッドのうち、上記一方の端子に接続されている側の裏面側電極パッドと、第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも短い。

本発明のある特定の局面では、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の距離が、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の距離よりも長く、第１の裏面側電極パッドと第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、第１の裏面側電極パッドと第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも短く、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の距離が、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の距離よりも長く、第２の裏面側電極パッドと第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、第２の裏面側電極パッドと第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも短い。この構成によれば、送信周波数帯におけるアンテナ端子から平衡信号端子への伝送特性である差動減衰量に加えて、受信周波数における送信側信号端子から平衡信号端子への伝送特性である差動アイソレーションを大きくすることができる。

本発明の他の特定の局面では、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の距離が、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の距離よりも長く、第１の裏面側電極パッドと第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、第１の裏面側電極パッドと第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも短く、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の距離が、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の距離よりも短く、第２の裏面側電極パッドと第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、第２の裏面側電極パッドと第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも長い。この構成によれば、送信周波数帯における差動減衰量に加えて、受信周波数における差動アイソレーションを大きくすることができる。

本発明の別の特定の局面では、高周波モジュールは、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の距離が、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の距離よりも長い。第２の裏面側電極パッドと第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、第２の裏面側電極パッドと第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも短い。

本発明のさらに他の特定の局面では、高周波モジュールは、第３の表面側電極パッドと第３の裏面側電極パッドとを接続する第１の配線と、第４の表面側電極パッドと第４の裏面側電極パッドとを接続する第２の配線とをさらに備え、第１の配線と第２の配線とは、互いに絶縁された状態で交差している。

本発明のさらに別の特定の局面では、分波器は、第２の送信側信号端子と、アンテナ端子と第２の送信側信号端子との間に設けられている第２の送信側フィルタをさらに備えるトリプレクサである。

本発明のまたさらに他の特定の局面では、分波器は、アンテナ端子と、送信側信号端子と、送信側信号端子と、第１及び第２の平衡信号端子と、送信側フィルタと、受信側フィルタとを有するデュプレクサを複数備えるマルチバンドデュプレクサである。

本発明のさらにまた他の特定の局面では、分波器は、アンテナ端子と、送信側フィルタ及び受信側フィルタとの間に接続されている高周波スイッチをさらに有する。

本発明のさらにまた別の特定の局面では、高周波モジュールは、送信側信号端子に接続されているパワーアンプをさらに備える。

本発明の異なる特定の局面では、高周波モジュールは、第１及び第２の平衡信号端子と、第１及び第２の配線との間に接続されている整合回路をさらに備える。

本発明のさらに異なる特定の局面では、第１の配線の第２の配線と交差している部分よりも第３の裏面側電極パッド側の部分と、第２の配線の第１の配線と交差している部分よりも第４の裏面側電極パッド側の部分との間に接続されている整合回路をさらに備える。

本発明に係る高周波モジュールでは、アンテナ端子または送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の距離が、アンテナ端子または送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の距離よりも長くされている一方、第１または第２の裏面側電極パッドと第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、第１または第２の裏面側電極パッドと第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも短くされている。このため、送信周波数帯におけるアンテナ端子または送信側信号端子に対する第１及び第２の平衡信号端子間の減衰量の差を小さくすることができ、よって、送信周波数帯における差動減衰量を大きくすることができる。もしくは、受信周波数帯における送信側信号端子と第１及び第２の平衡信号端子との間のアイソレーションの差を小さくすることができ、よって、受信周波数帯における差動アイソレーションを大きくすることができる。

図１は、第１の実施形態に係るトリプレクサモジュールの略図的等価回路図である。 図２は、第１の実施形態に係るトリプレクサモジュールの略図的側面図である。 図３は、第１の実施形態に係るトリプレクサモジュールの平面図である。 図４は、第１の実施形態における第１の基板の実装面の平面図である。 図５は、第１の実施形態における第２の基板の第１の主面の平面図である。 図６は、第１の実施形態における第３の基板の第１の主面の平面図である。 図７は、第１の実施形態に係るトリプレクサモジュールの裏面図である。 図８は、比較例に係るトリプレクサモジュールの平面図である。 図９は、比較例における第１の基板の実装面の平面図である。 図１０は、比較例における第２の基板の第１の主面の平面図である。 図１１は、比較例における第３の基板の第１の主面の平面図である。 図１２は、比較例に係るトリプレクサモジュールの裏面図である。 図１３は、デュプレクサチップ単体における送信側信号端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを表すグラフである。実線は、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを示し、一点鎖線は、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを示している。 図１４は、比較例に係る高周波モジュールにおける送信側信号端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを表すグラフである。実線は、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを示し、一点鎖線は、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを示している。 図１５は、第１の実施形態に係る高周波モジュールにおける送信側信号端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを表すグラフである。実線は、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを示し、一点鎖線は、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを示している。 図１６は、第１の実施形態及び比較例に係る高周波モジュールにおける差動アイソレーションを表すグラフである。実線は、第１の実施形態に係る高周波モジュールにおける差動アイソレーションを示し、一点鎖線は、比較例に係る高周波モジュールにおける差動アイソレーションを示している。 図１７は、デュプレクサチップにおける差動アイソレーションと、比較例に係る高周波モジュールにおける差動アイソレーションを表すグラフである。実線は、比較例に係る高周波モジュールにおける差動アイソレーションを示し、一点鎖線は、デュプレクサチップにおける差動アイソレーションを示している。 図１８は、デュプレクサチップにおける差動アイソレーションと、第１の実施形態に係る高周波モジュールにおける差動アイソレーションを表すグラフである。実線は、第１の実施形態に係る高周波モジュールにおける差動アイソレーションを示し、一点鎖線は、デュプレクサチップにおける差動アイソレーションを示している。 図１９は、デュプレクサチップ単体におけるアンテナ端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を表すグラフである。実線は、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を示し、一点鎖線は、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを示している。 図２０は、比較例に係る高周波モジュールにおけるアンテナ端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を表すグラフである。実線は、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を示し、一点鎖線は、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を示している。 図２１は、第１の実施形態に係る高周波モジュールにおけるアンテナ端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を表すグラフである。実線は、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を示し、一点鎖線は、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を示している。 図２２は、第１の実施形態及び比較例に係る高周波モジュールにおける差動Ｒｘ減衰量を表すグラフである。実線は、第１の実施形態に係る高周波モジュールにおける差動Ｒｘ減衰量を示し、一点鎖線は、比較例に係る高周波モジュールにおける差動Ｒｘ減衰量を示している。 図２３は、デュプレクサチップにおける差動Ｒｘ減衰量と、比較例に係る高周波モジュールにおける差動Ｒｘ減衰量を表すグラフである。実線は、比較例に係る高周波モジュールにおける差動Ｒｘ減衰量を示し、一点鎖線は、デュプレクサチップにおける差動Ｒｘ減衰量を示している。 図２４は、デュプレクサチップにおける差動Ｒｘ減衰量と、第１の実施形態に係る高周波モジュールにおける差動Ｒｘ減衰量を表すグラフである。実線は、第１の実施形態に係る高周波モジュールにおける差動Ｒｘ減衰量を示し、一点鎖線は、デュプレクサチップにおける差動Ｒｘ減衰量を示している。 図２５は、第２の実施形態に係る高周波モジュールの略図的等価回路図である。 図２６は、第２の実施形態に係る高周波モジュールの平面図である。 図２７は、第２の実施形態における第１の基板の実装面の平面図である。 図２８は、第２の実施形態における第２の基板の第１の主面の平面図である。 図２９は、第２の実施形態における第３の基板の第１の主面の平面図である。 図３０は、第２の実施形態に係る高周波モジュールの裏面図である。 図３１は、第３の実施形態に係る高周波モジュールの略図的等価回路図である。 図３２は、第３の実施形態に係る高周波モジュールの平面図である。 図３３は、第３の実施形態における第１の基板の実装面の平面図である。 図３４は、第４の実施形態における第１の基板の実装面の平面図である。 図３５は、第４の実施形態における第２の基板の第１の主面の平面図である。 図３６は、第４の実施形態における第３の基板の第１の主面の平面図である。 図３７は、第５の実施形態に係る高周波モジュールの略図的等価回路図である。 図３８は、第５の実施形態に係る高周波モジュールの平面図である。 図３９は、第５の実施形態における第１の基板の実装面の平面図である。 図４０は、第５の実施形態における第２の基板の第１の主面の平面図である。 図４１は、第５の実施形態における第３の基板の第１の主面の平面図である。 図４２は、第５の実施形態における高周波モジュールの裏面図である。 図４３は、第６の実施形態に係る高周波モジュールの平面図である。 図４４は、第６の実施形態における第１の基板の実装面の平面図である。 図４５は、第６の実施形態における第２の基板の第１の主面の平面図である。 図４６は、第６の実施形態における第３の基板の第１の主面の平面図である。 図４７は、第６の実施形態における高周波モジュールの裏面図である。 図４８は、第７の実施形態における第１の基板の実装面の平面図である。 図４９は、第７の実施形態における第２の基板の第１の主面の平面図である。 図５０は、第７の実施形態における第３の基板の第１の主面の平面図である。 図５１は、第１の変形例に係る高周波モジュールの略図的等価回路図である。 図５２は、第２の変形例に係る高周波モジュールの略図的等価回路図である。 図５３は、特許文献１に記載のデュプレクサモジュールの構成を表す斜視図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

（第１の実施形態）
本実施形態では、高周波モジュールの一例として、分波器として、トリプレクサが搭載されているトリプレクサモジュールについて説明する。図１は、第１の実施形態に係るトリプレクサモジュールの略図的等価回路図である。図２は、第１の実施形態に係るトリプレクサモジュールの略図的側面図である。

図２に示すように、トリプレクサモジュール１は、配線基板１０と、配線基板１０の上に実装されているデュプレクサチップ５０、送信側フィルタチップ７０及び整合回路が形成されているインダクタチップ８０とにより構成されている。デュプレクサチップ５０の送信周波数（Ｔｘ）は、１．９２〜１．９８ＧＨｚであり、受信周波数（Ｒｘ）は、２．１１〜２．１７ＧＨｚである。送信側フィルタチップ７０の送信周波数（Ｔｘ）は１．７１０〜１．７５５ＧＨｚである。これらデュプレクサチップ５０と送信側フィルタチップ７０とによって、ＵＭＴＳ−Ｂａｎｄ１（Ｔｘ：１．９２〜１．９８ＧＨｚ、Ｒｘ：２．１１〜２．１７ＧＨｚ）及びＵＭＴＳ−Ｂａｎｄ４（Ｔｘ：１．７１０〜１．７５５ＧＨｚ、Ｒｘ：２．１１〜２．１７ＧＨｚ）の両方に対応したトリプレクサチップ５１が構成されている。なお、デュプレクサチップ５０及び送信側フィルタチップ７０の構成は、特に限定されず、例えば、弾性表面波や弾性境界波などの各種弾性波を利用するものであってもよい。

図１に示すように、デュプレクサチップ５０には、送信側フィルタ５２と、平衡−不平衡変換機能を有するバランス型の受信側フィルタ５３とが形成されている。送信側フィルタ５２は、アンテナ端子５４と第１の送信側信号端子５５との間に接続されている。一方、受信側フィルタ５３は、アンテナ端子５４と、第１及び第２の平衡信号端子５６，５７との間に接続されている。

送信側フィルタチップ７０には、送信側フィルタ７１が形成されている。送信側フィルタ７１は、アンテナ端子７２と、第２の送信側信号端子７３との間に接続されている。送信側フィルタチップ７０のアンテナ端子７２と、デュプレクサチップ５０のアンテナ端子５４とは、アンテナ３に接続されるトリプレクサモジュール１のアンテナ端子２に共通に接続されている。

なお、送信側フィルタ５２，７１の回路構成は特に限定されないが、送信側フィルタ５２，７１は、例えば、耐電力性の高いラダー型フィルタにより構成することができる。また、受信側フィルタ５３の回路構成も特に限定されないが、受信側フィルタ５３は、例えば、平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタにより構成することができる。

インダクタチップ８０には、整合回路としてのインダクタ８１が形成されている。インダクタ８１の一方側の端部は、第１の端子８２に接続されており、他方側の端部は、第２の端子８３に接続されている。第１の端子８２は、送信側フィルタチップ７０のアンテナ端子７２と、デュプレクサチップ５０のアンテナ端子５４との間の接続点と、アンテナ端子２との間に接続されている。第２の端子８３は、グラウンド電位に接続されている。

次に、デュプレクサチップ５０、送信側フィルタチップ７０及びインダクタチップ８０の実装構造について説明する。

図２に示すように、本実施形態では、配線基板１０は、セラミック一体焼成技術により一体に焼成された３枚の基板層１１，１２，１３により構成されている。第１の基板層１１の第１の主面は、実装面１１ａを構成している。第１の基板層１１の第２の主面１１ｂは、第２の基板層１２の第１の主面１２ａと対向している。第２の基板層１２の第２の主面１２ｂは、第３の基板層１３の第１の主面１３ａと対向している。第３の基板層１３の第２の主面は、裏面１３ｂを構成している。デュプレクサチップ５０、送信側フィルタチップ７０及びインダクタチップ８０は、第１の基板層１１の実装面１１ａの上に実装されている。

図３は、トリプレクサモジュール１の平面図である。図４は、第１の基板層１１の実装面１１ａの平面図である。図５は、第２の基板層１２の第１の主面１２ａの平面図である。図６は、第３の基板層１３の第１の主面１３ａの平面図である。図７は、第３の基板層１３の第１の主面１３ａ側から透視したトリプレクサモジュール１の裏面図である。なお、図４〜図７において、黒丸「●」は、ビア電極を表している。なお、図３においては、説明の便宜上、実装面１１ａに形成されている電極の描画は省略している。

図３に示すデュプレクサチップ５０のアンテナ端子５４は、実装面１１ａ上に形成されている第１の表面側電極パッドとしての電極１１ｃ（図４を参照）に接続されている。電極１１ｃは、第１の基板層１１に形成されているビア電極１１ｄによって、第２の基板層１２の第１の主面１２ａに形成されている電極１２ｃ（図５を参照）に接続されている。電極１２ｃは、第２の基板層１２に形成されているビア電極１２ｄによって、第３の基板層１３の第１の主面１３ａに形成されている電極１３ｃ（図６を参照）に接続されている。電極１３ｃは、第３の基板層１３に形成されているビア電極１３ｄによって、裏面１３ｂに形成されている第１の裏面側電極パッドとしてのアンテナ端子２（図７を参照）に接続されている。このアンテナ端子２は、図１に示すアンテナ３に接続される端子である。

図３に示すデュプレクサチップ５０の第１の送信側信号端子５５は、第１の基板層１１の実装面１１ａ上に形成されている第２の表面側電極パッドとしての電極１１ｅ（図４を参照）に接続されている。この電極１１ｅは、第１の基板層１１に形成されているビア電極１１ｆによって、第２の基板層１２の第１の主面１２ａ上に形成されている電極１２ｅ（図５を参照）に接続されている。電極１２ｅは、第２の基板層１２に形成されているビア電極１２ｆによって、第３の基板層１３の第１の主面１３ａ上に形成されている電極１３ｅ（図６を参照）に接続されている。電極１３ｅは、第３の基板層１３に形成されているビア電極１３ｆによって、裏面１３ｂに形成されている第２の裏面側電極パッドとしての第１の送信側信号端子４（図７を参照）に接続されている。

図３に示すデュプレクサチップ５０の第１の平衡信号端子５６は、第１の基板層１１の実装面１１ａ上に形成されている第３の表面側電極パッドとしての電極１１ｇ（図４を参照）に接続されている。電極１１ｇは、第１の基板層１１に形成されているビア電極１１ｈによって、第２の基板層１２の第１の主面１２ａ上に形成されている電極１２ｇ（図５を参照）に接続されている。電極１２ｇは、第２の基板層１２に形成されているビア電極１２ｈによって、第３の基板層１３の第１の主面１３ａ上に形成されている電極１３ｇ（図６を参照）に接続されている。電極１３ｇは、第３の基板層１３に形成されているビア電極１３ｈによって、裏面１３ｂに形成されている第３の裏面側電極パッドとしての第１の平衡信号端子５（図７を参照）に接続されている。本実施形態では、上記のビア電極１１ｈ、１２ｈ、１３ｈ及び電極１２ｇ、１３ｇによって第１の配線１４が構成されている。

図３に示すデュプレクサチップ５０の第２の平衡信号端子５７は、第１の基板層１１の実装面１１ａ上に形成されている第４の表面側電極パッドとしての電極１１ｉ（図４を参照）に接続されている。電極１１ｉは、第１の基板層１１に形成されているビア電極１１ｊによって、第２の基板層１２の第１の主面１２ａ上に形成されている電極１２ｉ（図５を参照）に接続されている。電極１２ｉは、第２の基板層１２に形成されているビア電極１２ｊによって、第３の基板層１３の第１の主面１３ａ上に形成に形成されている電極１３ｉ（図６を参照）に接続されている。電極１３ｉは、第３の基板層１３に形成されているビア電極１３ｊによって、裏面１３ｂに形成されている第４の裏面側電極パッドとしての第２の平衡信号端子６（図７を参照）に接続されている。本実施形態では、上記のビア電極１１ｊ、１２ｊ、１３ｊ及び電極１２ｉ、１３ｉによって第２の配線１５が構成されている。

図３に示す送信側フィルタチップ７０のアンテナ端子７２は、第１の基板層１１の実装面１１ａ上に形成されている電極１１ｋ（図４を参照）に接続されている。電極１１ｋは、第１の基板層１１に形成されているビア電極１１ｌによって、第２の基板層１２の第１の主面１２ａ上に形成されており、上述のように図７に示すアンテナ端子２に接続されている電極１２ｃ（図５を参照）に接続されている。

図３に示す送信側フィルタチップ７０の第２の送信側信号端子７３は、第１の基板層１１の実装面１１ａ上に形成されている電極１１ｍ（図４を参照）に接続されている。電極１１ｍは、第１の基板層１１に形成されているビア電極１１ｎによって、第２の基板層１２の第１の主面１２ａ上に形成されている電極１２ｍ（図５を参照）に接続されている。電極１２ｍは、第２の基板層１２に形成されているビア電極１２ｎによって、第３の基板層１３の第１の主面１３ａ上に形成されている電極１３ｍ（図６を参照）に接続されている。電極１３ｍは、第３の基板層１３に形成されているビア電極１３ｎによって、裏面１３ｂに形成されている第２の送信側信号端子７（図７を参照）に接続されている。

図３に示すインダクタチップ８０の第１の端子８２は、上述のように図７に示すアンテナ端子２に接続されている電極１１ｃ（図４を参照）に接続されている。一方、第２の端子８３は、第１の基板層１１の実装面１１ａ上に形成されているグラウンド電極１１ｐに接続されている。このグラウンド電極１１ｐは、第１〜第３の基板層１１〜１３に形成されている複数のビア電極を介して、図７に示すグラウンド電極１３ｑ〜１３ｖに接続されている。

なお、図３に破線で示す端子のうち、符号を附していない端子は、グラウンド端子であり、それぞれ、図７に示すグラウンド電極１３ｑ〜１３ｖに接続されている。

本実施形態では、図５及び図６に示すように、電極１２ｇ、１２ｉ間の位置関係と、電極１３ｇ、１３ｉ間の位置関係とが逆転している。このため、第１の配線１４と第２の配線１５とは、互いに絶縁された状態で交差している。その結果、実装面１１ａと、裏面１３ｂとにおいて、第１の平衡信号端子とアンテナ端子との間の距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）と、第２の平衡信号端子とアンテナ端子との間の距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）との大小関係が逆転している。具体的には、図３に示すように、実装面１１ａにおいて、アンテナ端子５４と第２の平衡信号端子５７との間の距離Ｌ_２が、アンテナ端子５４と第１の平衡信号端子５６との間の距離Ｌ_１よりも長いのに対して、図７に示すように、裏面１３ｂでは、アンテナ端子２と第２の平衡信号端子６との間の距離Ｌ_１２が、アンテナ端子２と第１の平衡信号端子５との間の距離Ｌ_１１よりも短くされている。

このため、実装面１１ａにおいては、第１の平衡信号端子５６の方が、第２の平衡信号端子５７よりも、アンテナ端子５４と強く電磁界結合するのに対して、裏面１３ｂにおいては、第２の平衡信号端子６の方が、第１の平衡信号端子５よりも、アンテナ端子２と強く電磁界結合する。その結果、全体として、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の電磁界結合の強さと、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の電磁界結合の強さとの差を小さくすることができる。よって、送信周波数帯におけるアンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の減衰量と、送信周波数帯におけるアンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の減衰量との差を小さくすることができる。従って、送信周波数帯におけるアンテナ端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の差動減衰量を大きくすることができる。

また、本実施形態では、実装面１１ａと、裏面１３ｂとにおいて、第１の平衡信号端子と第１の送信側信号端子との間の距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）と、第２の平衡信号端子と第１の送信側信号端子との間の距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）との大小関係が逆転している。具体的には、図３に示すように、実装面１１ａにおいて、第１の送信側信号端子５５と第１の平衡信号端子５６との間の距離Ｌ_３が、第１の送信側信号端子５５と第２の平衡信号端子５７との間の距離Ｌ_４よりも長いのに対して、図７に示すように、裏面１３ｂでは、第１の送信側信号端子４と第１の平衡信号端子５との間の距離Ｌ_１３が、第１の送信側信号端子４と第２の平衡信号端子６との間の距離Ｌ_１４よりも短くされている。

このため、実装面１１ａにおいては、第１の平衡信号端子５６よりも、第２の平衡信号端子５７の方が第１の送信側信号端子５５と強く電磁界結合するのに対して、裏面１３ｂにおいては、第２の平衡信号端子６よりも、第１の平衡信号端子５の方が第１の送信側信号端子４と強く電磁界結合する。その結果、全体として、第１の送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の電磁界結合の強さと、第１の送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の電磁界結合の強さとの差を小さくすることができる。よって、受信周波数帯における第１の送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションと、受信周波数帯における第１の送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションとの差を小さくすることができる。従って、受信周波数帯における送信側信号端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の差動アイソレーションを大きくすることができる。

特に、本実施形態では、実装面１１ａと、裏面１３ｂとにおいて、距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）と距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）との大小関係と、距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）と距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）との大小関係との両方が逆転している。従って、送信周波数帯におけるアンテナ端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の差動減衰量と、受信周波数帯における送信側信号端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の差動アイソレーションとの両方を大きくすることができる。

なお、上記した差動減衰量と差動アイソレーションはＳパラメータを用いて以下のように定義される。

Ｓｄｄ３１＝（Ｓ３１−Ｓ４１）／｛（２）^１／２｝
Ｓｄｄ３２＝（Ｓ３２−Ｓ４２）／｛（２）^１／２｝
但し、
Ｓｄｄ１：差動減衰量、
Ｓｄｄ２：差動アイソレーション、
Ｓ３１：アンテナ端子（Ａｎｔ）から第１の平衡信号端子（Ｒｘ１）へのＳパラメータ、
Ｓ４１：アンテナ端子（Ａｎｔ）から第２の平衡信号端子（Ｒｘ２）へのＳパラメータ、
Ｓ３２：送信側信号端子（Ｔｘ）から第１の平衡信号端子（Ｒｘ１）へのＳパラメータ、
Ｓ４２：送信側信号端子（Ｔｘ）から第２の平衡信号端子（Ｒｘ２）へのＳパラメータ、
である。

以下、差動アイソレーション及び差動減衰量を大きくできる効果について、実験例に基づいて説明する。

本実施形態のトリプレクサモジュール１に対する比較例として、第１の配線１４及び第２の配線１５の構成と、実装面１１ａにおける第１及び第２の平衡信号端子５６，５７の配置のみを異ならせたトリプレクサモジュール１ａを作製した。この比較例に係るトリプレクサモジュールと、第１の実施形態に係るトリプレクサモジュール１とでは、裏面１３ｂにおける第１及び第２の平衡信号端子５，６の配置は同様となっている。

比較例に係るトリプレクサモジュールの平面図、第１の基板の実装面の平面図、第２の基板の第１の主面の平面図、第３の基板の第１の主面の平面図、裏面図を、それぞれ図８〜図１２に示す。なお、比較例に係るトリプレクサモジュールの説明において、第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。

図１０，図１１に示すように、本比較例においては、電極１２ｇ、１２ｉ間の位置関係と、電極１３ｇ、１３ｉ間の位置関係とが逆転しておらず、第１の配線１４と第２の配線１５とは、互いに交差していない。第１の配線１４と第２の配線１５とは平行である。このため、実装面１１ａと裏面１３ｂとにおいて、第１の平衡信号端子５６，５と第２の平衡信号端子５７，６との位置関係が同じとなっている。その結果、実装面１１ａと、裏面１３ｂとにおいて、第１の平衡信号端子とアンテナ端子との間の距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）と、第２の平衡信号端子とアンテナ端子との間の距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）との大小関係が同じとなっている。具体的には、図８及び図１２に示すように、実装面１１ａと裏面１３ｂとの両方において、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）が、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）よりも長くされている。

また、実装面１１ａと、裏面１３ｂとにおいて、第１の平衡信号端子と第１の送信側信号端子との間の距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）と、第２の平衡信号端子と第１の送信側信号端子との間の距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）との大小関係が同じになっている。具体的には、実装面１１ａと裏面１３ｂとの両方において、第１の送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）が、第１の送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）よりも長くされている。

まず、図１３を参照しつつ、デュプレクサチップ５０単体における不平衡アイソレーション特性について説明する。なお、図１３において、デュプレクサチップ５０における送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを実線で示し、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを一点鎖線で示している。

図１３に示すように、デュプレクサチップ５０単体において、デュプレクサチップ５０における送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションと、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションとに差があることがわかる。

具体的には、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションは５１．０ｄＢであったのに対して、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションは５４．８ｄＢであり、３．８ｄＢの差があった。これは、送信側信号端子５５と第１の平衡信号端子５６との間の距離Ｌ_３と、送信側信号端子５５と第２の平衡信号端子５７との間の距離Ｌ_４に差があるためである。

図１４は、比較例の高周波モジュールにおける不平衡アイソレーションを表すグラフである。図１４では、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを実線で示し、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを一点鎖線で示している。図１３と図１４とを比較すると、比較例においては、デュプレクサチップ５０単体での受信周波数帯における不平衡アイソレーションの差よりも、高周波モジュール全体での受信周波数帯における不平衡アイソレーションの差の方が大きいことがわかる。すなわち、デュプレクサチップ５０を配線基板１０に実装することにより、受信周波数帯において、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションと、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションとの差が拡大していることがわかる。

具体的には、下記の表１にも示すように、比較例の高周波モジュール全体では、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションは４６．５ｄＢであったのに対して、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションは６０．４ｄＢであった。デュプレクサチップ５０を配線基板１０に実装することにより、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションは４．５ｄＢ劣化したのに対して、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションは５．６ｄＢ改善した。その結果、受信周波数帯において、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションと、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションとの差が３．８ｄＢから１３．９ｄＢへと大きくなった。

これは、比較例では、送信側信号端子に対する第１及び第２の平衡信号端子の位置関係がデュプレクサチップ５０と裏面１３ｂとにおいて同じであるため、すなわち、距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）と距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）との大小関係がデュプレクサチップ５０と裏面１３ｂとにおいて同じであるためである。

図１５は、第１の実施形態の高周波モジュールにおける不平衡アイソレーションを表すグラフである。図１５では、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを実線で示し、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションを一点鎖線で示している。比較例が距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）と距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）との大小関係がデュプレクサチップ５０と裏面１３ｂとにおいて同じであるのに対して、第１の実施形態は、距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）と距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）との大小関係がデュプレクサチップ５０と裏面１３ｂとにおいて逆転している。そのため、図１３と図１５との比較からわかるように、第１の実施形態は、デュプレクサチップ５０単体よりも、受信周波数帯において、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションと、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションとの差が小さくなることがわかる。

具体的には、下記の表２にも示すように、第１の実施形態の高周波モジュール全体では、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションは４６．３ｄＢであったのに対して、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションは４５．８ｄＢであった。デュプレクサチップ５０を配線基板１０に実装することにより、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションは４．７ｄＢ劣化したのに対して、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションは９．０ｄＢ劣化した。その結果、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションと、送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーションとの差が３．８ｄＢから０．５ｄＢへと激減した。

以上の結果より、距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）と距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）との大小関係をデュプレクサチップ５０と裏面１３ｂとにおいて逆転させることにより、高周波モジュールにおいて、第１及び第２の平衡信号端子間の送信周波数帯における不平衡アイソレーションの差を小さくすることができる。その結果、図１６〜図１８に示す結果からもわかるように、送信周波数帯における送信側信号端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の差動アイソレーションを大きくすることができる。具体的には、図１７に示すように、送信周波数帯：１．９２〜１．９８ＧＨｚにおいて、比較例に係る高周波モジュールでは、一点鎖線で示したデュプレクサチップ単体よりも、実線で示した高周波モジュールにおける差動アイソレーションが小さくなっているのに対して、図１８に示すように、実線で示した第１の実施形態に係る高周波モジュールの差動アイソレーションは、一点鎖線で示したデュプレクサチップ単体の差動アイソレーションよりも大きくなっている。従って、図１６に示すように、送信周波数帯：１．９２〜１．９８ＧＨｚにおいて、実線で示した第１の実施形態に係る高周波モジュールの差動アイソレーションの方が、一点鎖線で示した比較例に係る高周波モジュールの差動アイソレーションよりも大きくなっている。より具体的には、下記の表１及び表２に示すように、受信周波数帯：２．１１〜２．１７ＧＨｚにおける差動アイソレーションの最小値は、デュプレクサチップ単体では、５７．０ｄＢであり、第１の実施形態では、５４．０ｄＢであり、比較例では、４８．９ｄＢであった。

但し、上記の表１、表２において、
ＤＰＸ−Ｓ３２：周波数１．９５ＧＨｚにおけるデュプレクサチップ単体での送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーション、
ＤＰＸ−Ｓ４２：周波数１．９５ＧＨｚにおけるデュプレクサチップ単体での送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーション、
Ｍｏｄ−Ｓ３２：周波数１．９５ＧＨｚにおける高周波モジュールでの送信側信号端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーション、
Ｍｏｄ−Ｓ４２：周波数１．９５ＧＨｚにおける高周波モジュールでの送信側信号端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡アイソレーション、
である。

表１，表２における差動アイソレーションの値は、送信周波数帯：１．９２〜１．９８ＧＨｚにおける差動アイソレーションの最小値を示している。

次に、差動減衰量を大きくできる効果について説明する。

まず、図１９を参照しつつ、デュプレクサチップ５０単体におけるアンテナ端子と第１及び第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量について説明する。なお、図１９において、デュプレクサチップ５０単体におけるアンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を実線で示し、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を一点鎖線で示している。

図１９に示すように、デュプレクサチップ５０単体において、デュプレクサチップ５０における送信周波数帯でのアンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量と、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量とに差があることがわかる。

具体的には、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量は４９．８ｄＢであったのに対して、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量は４４．１ｄＢであり、５．７ｄＢの差があった。これは、アンテナ端子５４と第１の平衡信号端子５６との間の距離Ｌ_１と、アンテナ端子５４と第２の平衡信号端子５７との間の距離Ｌ_２に差があるためである。

図２０は、比較例の高周波モジュールにおける不平衡Ｒｘ減衰量を表すグラフである。図２０では、デュプレクサチップ５０単体におけるアンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を実線で示し、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を一点鎖線で示している。図１９と図２０とを比較すると、送信周波数帯において、デュプレクサチップ５０単体における不平衡Ｒｘ減衰量の差よりも、比較例に係る高周波モジュール全体における送信周波数帯における不平衡Ｒｘ減衰量の差の方が大きいことがわかる。すなわち、デュプレクサチップ５０を配線基板１０に実装することにより、送信周波数帯において、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量と、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量との差が拡大していることがわかる。

具体的には、比較例の高周波モジュール全体では、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量は５８．２ｄＢであったのに対して、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量は４４．０ｄＢであった。デュプレクサチップ５０を配線基板１０に実装することにより、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量は８．４ｄＢ大きくなったのに対して、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量は０．１ｄＢ小さくなった。その結果、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量と、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量との差が５．７ｄＢから１４．２ｄＢへと大きくなった。

これは、比較例では、アンテナ端子に対する第１及び第２の平衡信号端子の位置関係がデュプレクサチップ５０と裏面１３ｂとにおいて同じであるため、すなわち、距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）と距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）との大小関係がデュプレクサチップ５０と裏面１３ｂとにおいて同じであるためである。

図２１は、第１の実施形態の高周波モジュールにおける不平衡Ｒｘ減衰量を表すグラフである。図２１では、デュプレクサチップ５０単体におけるアンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を実線で示し、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量を一点鎖線で示している。比較例が距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）と距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）との大小関係がデュプレクサチップ５０と裏面１３ｂとにおいて同じであるのに対して、第１の実施形態は、距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）と距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）との大小関係がデュプレクサチップ５０と裏面１３ｂとにおいて逆転している。そのため、図１９と図２１との比較からわかるように、第１の実施形態はデュプレクサチップ５０単体よりも、デュプレクサチップ５０を配線基板１０に実装したほうが、送信周波数帯において、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量と、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量との差が小さくなることがわかる。具体的には、第１の実施形態の高周波モジュール全体では、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量は５１．２ｄＢであったのに対して、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量は４６．６ｄＢであった。デュプレクサチップ５０を配線基板１０に実装することにより、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量は１．４ｄＢ大きくなったのに対して、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量は２．５ｄＢ大きくなった。その結果、周波数：１．９５ＧＨｚにおいて、アンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量と、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の不平衡Ｒｘ減衰量との差が比較例では１４．２ｄＢであったのに対して、第１の実施形態では４．６ｄＢまで激減した。

以上の結果より、距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）と距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）との大小関係をデュプレクサチップ５０と裏面１３ｂとにおいて逆転させることにより、高周波モジュールにおけるアンテナ端子と第１の平衡信号端子との間の送信周波数帯における不平衡Ｒｘ減衰量と、アンテナ端子と第２の平衡信号端子との間の送信周波数帯における不平衡Ｒｘ減衰量との差を小さくすることができる。その結果、図２２〜図２４に示す結果からもわかるように高周波モジュールの送信周波数帯における差動Ｒｘ減衰量を大きくすることができる。具体的には、図２３に示すように、送信周波数帯において、実線で示した比較例に係る高周波モジュールの差動Ｒｘ減衰量は、一点鎖線で示したデュプレクサチップ単体の差動Ｒｘ減衰量よりも小さくなっているのに対して、図２４に示すように、実線で示した第１の実施形態に係る高周波モジュールの差動Ｒｘ減衰量は、一点鎖線で示したデュプレクサチップ単体の差動Ｒｘ減衰量よりも大きくなっている。従って、図２２に示すように、送信周波数（Ｔｘ）帯において、実線で示した第１の実施形態に係る高周波モジュールの差動Ｒｘ減衰量の方が、一点鎖線で示した比較例に係る高周波モジュールの差動Ｒｘ減衰量よりも大きくなっている。より具体的には、送信周波数帯における差動Ｒｘ減衰量の最大値は、デュプレクサチップ単体では、５０．４ｄＢであり、第１の実施形態では、５１．２ｄＢであり、比較例では、４６．１ｄＢであった。

なお、本実施形態では、実装面１１ａと、裏面１３ｂとにおいて、距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）と距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）との大小関係が逆転しており、かつ距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）と距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）との大小関係も逆転している例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、実装面１１ａと、裏面１３ｂとにおいて、距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）と距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）との大小関係のみを逆転させてもよい。または、距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）と距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）との大小関係のみを逆転させてもよい。

以下、本発明を実施した好ましい形態のさらなる例について説明する。なお、以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。

（第２の実施形態）
上記第１の実施形態では、分波器がトリプレクサである例について説明した。但し、本発明に係る高周波モジュールに搭載される分波器は、デュプレクサのみであってもよい。具体的には、本実施形態の高周波モジュールには、図２５〜図３０に示すように、第１の実施形態における送信側フィルタチップ７０が設けられていない。このため、本実施形態の高周波モジュールは、ＵＭＴＳ−Ｂａｎｄ１（Ｔｘ：１．９２〜１．９８ＧＨｚ、Ｒｘ：２．１１〜２．１７ＧＨｚ）に対応するものである。

本実施形態においても、上記第１の実施形態と同様に、実装面１１ａと裏面１３ｂとにおいて距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）と距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）との大小関係が逆転しており、かつ距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）と距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）との大小関係も逆転している。このため、第２の実施形態においても差動アイソレーションと差動減衰量との両方を改善することができる。

（第３の実施形態）
図３１は、第３の実施形態に係る高周波モジュールの等価回路図である。図３１に示すように、本実施形態に係る高周波モジュールは、上記の第２の実施形態に係るデュプレクサの第１の平衡信号端子５６，５間の接続点と、第２の平衡信号端子５７，６間の接続点との間に、整合回路８４ａが接続された構成を有している。図３２に第３の実施形態に係るデュプレクサモジュールの平面図を示し、図３３に第１の基板の実装面の平面図を示す。第２の基板の第１の主面の平面図と、第３の基板の第１の主面の平面図と、裏面の平面図に関しては、上記の第２の実施形態の図２８，図２９，図３０を共通に参照する。

図３２に示すように、本実施形態では、配線基板１０の実装面１１ａの上に、整合回路８４ａが形成されている整合回路チップ８４が実装されている。具体的には、整合回路チップ８４はインダクタチップであり、整合回路チップ８４の第１の電極８５は、電極１１ｇ（第３の表面側電極パッド）から延びる延出部分に接続されている。一方、整合回路チップ８４の第２の電極８６は、電極１１ｉ（第４の表面側電極パッド）から延びる延出部分に接続されている。これら電極１１ｇ、１１ｉにおいて、整合回路チップ８４は、第１の平衡信号端子５６，５間の接続点と、第２の平衡信号端子５７，６間の接続点との間に接続されている。このため、整合回路チップ８４は、配線基板の実装面の上に形成されている第３の表面側電極パッド及び第４の表面側電極パッドにおいて、第１の平衡信号端子と第２の平衡信号端子との間に接続されている。

本実施形態においても、上記第１及び第２の実施形態と同様に、差動アイソレーションと差動減衰量との両方を改善することができる。

（第４の実施形態）
図３４は、第４の実施形態における第１の基板の実装面の平面図である。図３５は、第４の実施形態における第２の基板の第１の主面の平面図である。図３６は、第４の実施形態における第３の基板の第１の主面の平面図である。図３１は上記の第２の実施形態と共通に参照する。図３１，図３２，図３０は、上記の実施形態と共通に参照する。

上記第３の実施形態では、配線基板の実装面の上に形成されている第３の表面側電極パッド及び第４の表面側電極パッドにおいて、整合回路チップ８４が第１の平衡信号端子と第２の平衡信号端子との間に接続されている例について説明した。本実施形態では、配線基板の内部に形成されている第１の配線及び第２の配線において、整合回路チップ８４が第１の平衡信号端子と第２の平衡信号端子との間に接続されている例について説明する。

図３４に示すように、実装面１１ａには、電極１１ｒ、１１ｔがさらに設けられている。整合回路チップ８４の第１の電極８５は、電極１１ｒに接続されている。電極１１ｒは、第１の基板層１１に形成されているビア電極１１ｓによって第２の基板層１２の第１の主面１２ａ上に形成されている電極１２ｉに接続されている。デュプレクサチップ５０の第２の平衡信号端子５７が接続されている電極１１ｉも、第１の基板層１１に形成されているビア電極１１ｊによって電極１２ｉに接続されている。さらに、電極１２ｉは第２の基板層１２に形成されているビア電極１２ｊと第３の基板層１３に形成されているビア電極１３ｊとによって、配線基板１０の裏面１３ｂに形成されている第２の平衡信号端子６に接続されているので、整合回路チップ８４の第１の電極８５は、第２の平衡信号端子５７，６間の接続点に接続されている。本実施例では、ビア電極１１ｊ、１２ｊ、１３ｊ及び電極１２ｊによって、第２の配線が構成されている。

一方、整合回路チップ８４の第２の電極８６は、電極１１ｔに接続されている。電極１１ｔは、第１の基板層１１に形成されているビア電極１１ｕによって、第２の基板層１２の第１の主面１２ａ上に形成されている電極１２ｋに接続されている。電極１２ｋは、第２の基板層１２に形成されているビア電極１２ｌによって、第３の基板層１３の第１の主面１３ａ上に形成されている電極１３ｇに接続されている。デュプレクサチップ５０の第１の平衡信号端子５６が接続されている電極１１ｇも、第１の基板層１１に形成されているビア電極１１ｈと第２の基板層１２に形成されているビア電極１２ｈとによって電極１３ｇに接続されている。さらに、電極１３ｇは第３の基板層１３に形成されているビア電極１２ｈによって、配線基板１０の裏面１３ｂに形成されている第１の平衡信号端子５に接続されているので、整合回路チップ８４の第２の電極８６は、第１の平衡信号端子５６，５間の接続点に接続されている。本実施例では、ビア電極１１ｈ、１２ｈ、１３ｈ及び電極１３ｇによって、第１の配線が構成されている。

図３５及び図３６に示すように、本実施例では、第１の配線の一部を構成する電極１３ｇと第２の配線の一部を構成する電極１２ｊとが交差している。したがって、整合回路チップ８４の第１の電極８５は、第２の配線における第１の配線と交差している部分よりも電極１１ｉ（第４の表面側電極パッド）側の部分に接続されている。また、整合回路チップ８４の第２の電極８６は、第１の配線における第２の配線と交差している部分よりも第１の平衡信号端子５（第３の裏面側電極パッド）側の部分に接続されている。なお、整合回路チップ８４が第１の配線及び第２の配線に接続される経路は、図３４乃至図３６の形態に限定されない。上記経路を配線基板１０の内部で適宜配置することにより、整合回路チップ８４が実装される位置は、本実施形態の場所に限定されず、自由に配置できる。また、本実施形態においても、上記第１〜第３の実施形態と同様に、差動アイソレーションと差動減衰量との両方を改善することができる。

（第５の実施形態）
上記第１〜第４の実施形態では、デュプレクサチップ５０がひとつのみ設けられている例について説明した。但し、本発明はこの構成に限定されない。本発明に係る高周波モジュールは、例えば、相互に異なるアンテナ端子に接続されている複数のデュプレクサを有するマルチバンドデュプレクサモジュールを有していてもよい。

例えば、図３７〜図４２に示すように、それぞれ異なるアンテナ端子に接続されているデュプレクサチップ５０が３つ実装されていてもよい。その場合であっても、上記第１〜第３の実施形態と同様に、実装面１１ａと裏面１３ｂとにおいて距離（Ｌ_１、Ｌ_１１）と距離（Ｌ_２、Ｌ_１２）との大小関係が逆転し、かつ距離（Ｌ_３、Ｌ_１３）と距離（Ｌ_４、Ｌ_１４）との大小関係も逆転する。このため、差動アイソレーションと差動減衰量との両方を改善することができる。

なお、本実施形態では、図３８に示すインダクタチップ８０の第１の端子８２は、図３９に示す電極１１ｖに接続されている。電極１１ｖは、ビア電極１１ｗを介して図４０に示す電極１２ｃに接続されている。それ以外の接続態様は、他の実施形態と同様である。すなわち、アンテナ端子５４は、電極１１ｃ、ビア電極１１ｄ、電極１２ｃ、ビア電極１２ｄ、電極１３ｃ及びビア電極１３ｄを介してアンテナ端子２に接続されている。送信側信号端子５５は、電極１１ｅ、ビア電極１１ｆ、電極１２ｅ、ビア電極１２ｆ、電極１３ｅ及びビア電極１３ｆを介して送信側信号端子４に接続されている。第１の平衡信号端子５６は、電極１１ｇ、ビア電極１１ｈ、電極１２ｇ、ビア電極１２ｈ電極１３ｇ及びビア電極１３ｈを介して第１の平衡信号端子５に接続されている。第２の平衡信号端子５７は、電極１１ｉ、ビア電極１１ｊ、電極１２ｉ、ビア電極１２ｊ、電極１３ｉ及びビア電極１３ｊを介して第２の平衡信号端子６に接続されている。

（第６の実施形態）
図４３〜図４７に示すように、本実施形態に係る高周波モジュールは、上記の第５の実施形態の高周波モジュールに整合回路チップ９０ａ、９０ｂ、９０ｃをさらに実装した構造を有している。この場合であっても、上記第１〜第３の実施形態と同様に、差動アイソレーションと差動減衰量との両方を改善することができる。なお、本実施形態においては、第３の実施形態と同様に、整合回路チップ９０ｂが、配線基板の実装面の上に形成されている第３の表面側電極パッド及び第４の表面側電極パッドにおいて、第１の平衡信号端子と第２の平衡信号端子との間に接続されている。

（第７の実施形態）
図４８〜図５０に本実施形態の高周波モジュールの構造を示す。なお、上記の第６の実施形態の図４３及び図４７を本実施形態においても共通に参照する。本実施形態の高周波モジュールは、整合回路チップ９０ａ、９０ｂ、９０ｃの接続態様を除いては、上記第６の実施形態の高周波モジュールと同様の構成を有する。本実施形態では、第４の実施形態と同様に、整合回路チップ９０ｂが、配線基板の内部に形成されている第１の配線及び第２の配線において、整合回路チップ８４が第１の平衡信号端子と第２の平衡信号端子との間に接続されている。この場合であっても、上記第１〜第３の実施形態と同様に、差動アイソレーションと差動減衰量との両方を改善することができる。

以下、本発明のさらなる変形例について説明する。なお、以下の変形例の説明においても上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。

（第１の変形例）
図５１は本変形例に係る高周波モジュールの略図的等価回路図である。図５１に示すように、アンテナ端子２と送信側フィルタ５２及び受信側フィルタ５３との間に接続されている高周波スイッチ９１を設けてもよい。

（第２の変形例）
図５２は本変形例に係る高周波モジュールの略図的等価回路図である。図５２に示すように、送信側信号端子５５に接続されているパワーアンプ９２を設けてもよい。具体的には、本変形例では、パワーアンプ９２は、送信側信号端子５５と送信側信号端子４との間に接続されている。

１…トリプレクサモジュール（高周波モジュール）
２…アンテナ端子
３…アンテナ
４…第１の送信側信号端子
５…第１の平衡信号端子
６…第２の平衡信号端子
７…第２の送信側信号端子
１０…配線基板
１１…第１の基板層
１１ａ…第１の基板層の実装面（配線基板の第１の主面）
１１ｂ…第１の基板層の第２の主面
１１ｃ、１１ｅ、１１ｇ、１１ｉ、１１ｋ、１１ｍ、１１ｒ、１１ｔ…電極
１１ｄ、１１ｆ、１１ｈ、１１ｊ、１１ｌ、１１ｎ、１１ｓ、１１ｕ…ビア電極
１２…第２の基板層
１２ａ…第２の基板層の第１の主面
１２ｂ…第２の基板層の第２の主面
１２ｃ、１２ｅ、１２ｇ、１２ｉ、１２ｋ、１２ｍ…電極
１２ｄ、１２ｆ、１２ｈ、１２ｊ、１２ｌ、１２ｎ…ビア電極
１３…第３の基板層
１３ａ…第３の基板層の第１の主面
１３ｂ…裏面
１３ｃ、１３ｅ、１３ｇ、１３ｉ、１３ｍ…電極
１３ｄ、１３ｆ、１３ｈ、１３ｊ、１３ｎ…ビア電極
１３ｑ〜１３ｖ…グラウンド電極
１４…第１の配線
１５…第２の配線
５０…デュプレクサチップ
５１…トリプレクサチップ
５２…送信側フィルタ
５３…受信側フィルタ
５４…アンテナ端子
５５…第１の送信側信号端子
５６…第１の平衡信号端子
５７…第２の平衡信号端子
７０…送信側フィルタチップ
７１…送信側フィルタ
７２…アンテナ端子
７３…第２の送信側信号端子
８０…インダクタチップ
８１…インダクタ
８２…第１の端子
８３…第２の端子
８４…整合回路チップ
８４ａ…整合回路
８５…第１の電極
８６…第２の電極
９０ａ、９０ｂ、９０ｃ…整合回路チップ
９１…高周波スイッチ
９２…パワーアンプ

Claims (11)

1. 配線基板と、前記配線基板に実装されている分波器とを備える高周波モジュールであって、
   前記分波器は、アンテナ端子と、送信側信号端子と、受信側信号端子としての第１及び第２の平衡信号端子と、前記アンテナ端子と前記送信側信号端子との間に接続されている送信側フィルタと、前記アンテナ端子と第１及び第２の平衡信号端子との間に接続されている平衡−不平衡変換機能を有する受信側フィルタとを有し、
   前記配線基板は、前記分波器が実装される第１の主面と、前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、
   前記第１の主面には、前記アンテナ端子が接続されている第１の表面側電極パッドと、前記送信側信号端子が接続されている第２の表面側電極パッドと、前記第１の平衡信号端子が接続されている第３の表面側電極パッドと、前記第２の平衡信号端子が接続されている第４の表面側電極パッドとが形成されており、
   前記第２の主面には、前記第１の表面側電極パッドに接続されている第１の裏面側電極パッドと、前記第２の表面側電極パッドに接続されている第２の裏面側電極パッドと、前記第３の表面側電極パッドに接続されている第３の裏面側電極パッドと、前記第４の表面側電極パッドに接続されている第４の裏面側電極パッドとが形成されており、
   前記アンテナ端子及び前記送信側信号端子のうちの一方の端子と前記第１の平衡信号端子との間の距離が、前記一方の端子と前記第２の平衡信号端子との間の距離よりも長く、
   前記第１及び第２の裏面側電極パッドのうち、前記一方の端子に接続されている側の裏面側電極パッドと、前記第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、前記第１及び第２の裏面側電極パッドのうち、前記一方の端子に接続されている側の裏面側電極パッドと、前記第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも短い、高周波モジュール。
2. 前記アンテナ端子と前記第１の平衡信号端子との間の距離が、前記アンテナ端子と前記第２の平衡信号端子との間の距離よりも長く、
   前記第１の裏面側電極パッドと前記第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、前記第１の裏面側電極パッドと前記第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも短く、
   前記送信側信号端子と前記第１の平衡信号端子との間の距離が、前記送信側信号端子と前記第２の平衡信号端子との間の距離よりも長く、
   前記第２の裏面側電極パッドと前記第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、前記第２の裏面側電極パッドと前記第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも短い、請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記アンテナ端子と前記第１の平衡信号端子との間の距離が、前記アンテナ端子と前記第２の平衡信号端子との間の距離よりも長く、
   前記第１の裏面側電極パッドと前記第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、前記第１の裏面側電極パッドと前記第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも短く、
   前記送信側信号端子と前記第１の平衡信号端子との間の距離が、前記送信側信号端子と前記第２の平衡信号端子との間の距離よりも短く、
   前記第２の裏面側電極パッドと前記第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、前記第２の裏面側電極パッドと前記第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも長い、請求項１に記載の高周波モジュール。
4. 前記送信側信号端子と前記第１の平衡信号端子との間の距離が、前記送信側信号端子と前記第２の平衡信号端子との間の距離よりも長く、
   前記第２の裏面側電極パッドと前記第３の裏面側電極パッドとの間の距離が、前記第２の裏面側電極パッドと前記第４の裏面側電極パッドとの間の距離よりも短い、請求項１に記載の高周波モジュール。
5. 前記第３の表面側電極パッドと第３の裏面側電極パッドとを接続する第１の配線と、前記第４の表面側電極パッドと前記第４の裏面側電極パッドとを接続する第２の配線とをさらに備え、
   前記第１の配線と前記第２の配線とは、互いに絶縁された状態で交差している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
6. 前記分波器は、第２の送信側信号端子と、前記アンテナ端子と前記第２の送信側信号端子との間に設けられている第２の送信側フィルタをさらに備えるトリプレクサである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
7. 前記分波器は、前記アンテナ端子と、前記送信側信号端子と、前記送信側信号端子と、前記第１及び第２の平衡信号端子と、前記送信側フィルタと、前記受信側フィルタとを有するデュプレクサを複数備えるマルチバンドデュプレクサである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
8. 前記分波器は、前記アンテナ端子と、前記送信側フィルタ及び前記受信側フィルタとの間に接続されている高周波スイッチをさらに有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
9. 前記送信側信号端子に接続されているパワーアンプをさらに備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
10. 前記第１及び第２の平衡信号端子の間に接続されている整合回路をさらに備える、請求項５〜９のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
11. 前記第１の配線における前記第２の配線と交差している部分よりも前記第３の裏面側電極パッド側の部分と、前記第２の配線における前記第１の配線と交差している部分よりも前記第４の表面側電極パッド側の部分との間に接続されている整合回路をさらに備える、請求項５に記載の高周波モジュール。

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