JP2021164142A - 高周波モジュール、高周波回路及び通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】フィルタ特性の向上を図る。【解決手段】フィルタ１１は、第１入出力電極１１１及び第２入出力電極１１２を有し、実装基板６の第１主面６１に配置されている。実装基板６は、第１ランド電極６１１と、第２ランド電極６１２と、グランド端子６２３と、複数のビア導体６４５と、を有する。第１ランド電極６１１は、第１入出力電極１１１に接続されている。第２ランド電極６１２は、第２入出力電極１１２に接続されている。グランド端子６２３は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において第１主面６１よりも第２主面６２側に位置している。複数のビア導体６４５は、第１主面６１と第２主面６２との間に配置されており、グランド端子６２３に接続されている。複数のビア導体６４５は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６１１と第２ランド電極６１２との間に位置している。【選択図】図３

Description

本発明は、一般に高周波モジュール、高周波回路及び通信装置に関し、より詳細には、フィルタを備える高周波モジュール、及び、その高周波モジュールを備える高周波回路、及び、その高周波回路を備える通信装置に関する。

従来、第１のフィルタチップと、第２のフィルタチップと、を備える分波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に開示された分波装置は、デュプレクサとフィルタとを備えるトリプレクサである。第１のフィルタチップは、デュプレクサを含む。第２のフィルタチップは、フィルタを含む。

特許文献１には、回路基板上に実装された第１フィルタチップ及び第２フィルタチップの概略配置が示されている。

国際公開第２０１６／０５６３７７号

高周波モジュールにおいては、実装基板と、実装基板に実装されたフィルタと、を備える場合に、フィルタのフィルタ特性が低下してしまうことがあった。

本発明の目的は、フィルタ特性の向上を図ることが可能な高周波モジュール、高周波回路及び通信装置を提供することにある。

本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、フィルタと、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記フィルタは、第１入出力電極及び第２入出力電極を有し、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記実装基板は、第１ランド電極と、第２ランド電極と、グランド端子と、複数のビア導体と、を有する。前記第１ランド電極は、前記第１入出力電極に接続されている。前記第２ランド電極は、前記第２入出力電極に接続されている。前記グランド端子は、前記実装基板の厚さ方向において前記第１主面よりも前記第２主面側に位置している。前記複数のビア導体は、前記第１主面と前記第２主面との間に配置されており、前記グランド端子に接続されている。前記複数のビア導体は、前記厚さ方向からの平面視において、前記第１ランド電極と前記第２ランド電極との間に位置している。

本発明の一態様に係る高周波回路は、前記高周波モジュールと、アンプと、を備える。前記アンプは、前記高周波モジュールの前記フィルタに接続される。

本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波回路と、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記信号処理回路は、前記高周波モジュールの前記フィルタを通過する高周波信号を信号処理する。

本発明の上記態様に係る高周波モジュール、高周波回路及び通信装置は、フィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの平面図である。 図２は、同上の高周波モジュールの一部破断した平面図である。 図３は、同上の高周波モジュールの一部透視した斜視図である。 図４は、同上の高周波モジュールの一部破断した透視側面図である。 図５は、同上の高周波モジュールの一部破断した断面図である。 図６Ａは、同上の高周波モジュールにおける実装基板の平面図である。図６Ｂは、同上の高周波モジュールにおける実装基板を示し、図４のＢ−Ｂ線断面図である。図６Ｃは、同上の高周波モジュールにおける実装基板を示し、図４のＣ−Ｃ線断面図である。図６Ｄは、同上の高周波モジュールにおける実装基板を示し、実装基板の第１主面側から第２主面を透視した平面図である。 図７は、同上の高周波モジュールにおける第１フィルタ、第２フィルタ及び第３フィルタのフィルタ通過特性の説明図である。 図８は、同上の高周波モジュールの回路図である。 図９は、同上の高周波モジュールにおける第１フィルタの回路図である。 図１０は、実施形態１に係る高周波モジュールにおける第１フィルタのフィルタ通過特性と、比較例に係る高周波モジュールにおける第１フィルタのフィルタ通過特性と、を示すグラフである。 図１１は、実施形態１に係る高周波モジュールにおける第１フィルタの第１入出力電極−第２入出力電極間のアイソレーション特性と、比較例に係る高周波モジュールにおける第１フィルタの第１入出力電極−第２入出力電極間のアイソレーション特性と、を示すグラフである。 図１２は、実施形態１に係る高周波モジュールを備える高周波回路及び通信装置の回路図である。 図１３は、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールの回路図である。 図１４は、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュールの回路図である。 図１５は、実施形態２に係る高周波モジュールの平面図である。 図１６は、同上の高周波モジュールの一部破断した平面図である。 図１７は、同上の高周波モジュールの一部透視した斜視図である。 図１８Ａは、同上の高周波モジュールにおける実装基板の平面図である。図１８Ｂは、同上の高周波モジュールにおける実装基板の横断面図である。図１８Ｃは、同上の高周波モジュールにおける実装基板の別の横断面図である。図１８Ｄは、同上の高周波モジュールにおける実装基板を示し、実装基板の第１主面側から第２主面を透視した平面図である。 図１９は、実施形態２の変形例に係る高周波モジュールの回路図である。 図２０は、実施形態３に係る高周波モジュールの一部破断した平面図である。 図２１は、同上の高周波モジュールの一部透視した斜視図である。 図２２は、実施形態４に係る高周波モジュールの平面図である。

以下の実施形態等において参照する図１〜６Ｄ、１５〜１８Ｄ及び２０〜２２は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態１）
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１、高周波回路２及び通信装置３００について、図１〜１２を参照して説明する。

（１）高周波モジュールの概要
実施形態１に係る高周波モジュール１は、図１及び２に示すように、実装基板６と、フィルタ１１と、を備える。実装基板６は、図３〜５に示すように、互いに対向する第１主面６１及び第２主面６２を有する。フィルタ１１は、図１〜５に示すように、第１入出力電極１１１及び第２入出力電極１１２を有し、実装基板６の第１主面６１に配置されている。

第１フィルタ１１は、図１に示すように、複数（４つ）の外部接続電極として、第１入出力電極１１１及び第２入出力電極１１２と、複数（２つ）のグランド電極１１３，１１４と、を有している。

フィルタ１１（以下、第１フィルタ１１ともいう）は、所定通過帯域を有するバンドパスフィルタである。第１フィルタ１１の所定通過帯域は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）の２．４ＧＨｚ帯の周波数帯域に対応している。所定通過帯域は、例えば、２４００ＭＨｚ−２４８３ＭＨｚの周波数帯域に含まれる。

高周波モジュール１は、第１フィルタ１１の他に、第２フィルタ１２を更に備える。第２フィルタ１２は、実装基板６の第１主面６１に配置されている。実施形態１に係る高周波モジュール１では、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とを含むフィルタ装置１０が、実装基板６の第１主面６１に配置されている。第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とはワンパッケージ化されている。第２フィルタ１２は、例えば、第１フィルタ１１の所定通過帯域よりも低周波数側に通過帯域を有する。所定通過帯域よりも低周波数側の通過帯域は、例えば、１７１０ＭＨｚ−２３７０ＭＨｚの周波数帯域に含まれる。第２フィルタ１２は、例えば、ミッドバンド用フィルタである。第２フィルタ１２は、例えば、バンドエリミネーションフィルタであり、第１フィルタ１１の所定通過帯域に阻止帯域を有し、第１フィルタ１１の所定通過帯域よりも高周波数側にも通過帯域を有する。所定通過帯域よりも高周波数側の通過帯域は、例えば、２４９６ＭＨｚ−２６９０ＭＨｚの周波数帯域に含まれる。第２フィルタ１２は、第１フィルタ１１の所定通過帯域よりも低周波数側と高周波数側との少なくとも一方に通過帯域を有していればよい。

また、高周波モジュール１は、第３フィルタ１３を更に備える。例えば、第３フィルタ１３は、第１フィルタ１１の所定通過帯域よりも高周波数側に通過帯域を有する。第３フィルタ１３は、例えば、ウルトラハイバンド（ＵＨＢ）用フィルタである。第３フィルタ１３の通過帯域は、例えば、３３００ＭＨｚ−５０００ＭＨｚの周波数帯域に含まれる。第３フィルタ１３の通過帯域は、３３００ＭＨｚ−５０００ＭＨｚの周波数帯域に含まれていればよく、例えば、３４００ＭＨｚ−３６００ＭＨｚであってもよい。第３フィルタ１３の通過帯域は、第２フィルタ１２の通過帯域よりも高周波数側にある。図７には、第１フィルタ１１のフィルタ特性を実線Ａ１で模式的に示し、第２フィルタ１２のフィルタ特性を破線Ｂ１で示し、第３フィルタ１３のフィルタ特性を一点鎖線Ｃ１で模式的に示してある。

高周波モジュール１では、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とを含む１つのフィルタ装置１０と、第３フィルタ１３と、が実装基板６に実装されている。高周波モジュール１は、図８に示すように、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２と第３フィルタ１３とを含むマルチプレクサを構成している。ここにおいて、第２フィルタ１２は、入出力電極１２１と、入出力電極１２２と、を有する。また、第３フィルタ１３は、入出力電極１３１と、入出力電極１３２と、を有する。高周波モジュール１は、共通端子６００と、第１端子６０１と、第２端子６０２と、第３端子６０３と、を更に備える。共通端子６００は、第１フィルタ１１の第１入出力電極１１１と第２フィルタ１２の入出力電極１２１と第３フィルタ１３の入出力電極１３１とが接続されている端子である。第１端子６０１は、第１フィルタ１１の第２入出力電極１１２が接続されている端子である。第２端子６０２は、第２フィルタ１２の入出力電極１２２が接続されている端子である。第３端子６０３は、第３フィルタ１３の入出力電極１３２が接続されている端子である。

また、高周波モジュール１は、図１に示すように、フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３以外にも、実装基板６の第１主面６１に配置される複数（図１の例では、６つ）の電子部品１６を更に備える。複数の電子部品１６は、図８に示す複数（４つ）の整合回路１４０，１４１，１５２，１５３の構成要素（インダクタ、キャパシタ等）を含む。整合回路１４０は、第１フィルタ１１の第１入出力電極１１１及び第２フィルタ１２の入出力電極１２１と共通端子６００との間に接続されている。整合回路１４２は、第３フィルタ１３の入出力電極１３１と共通端子６００との間に接続されている。整合回路１５２は、第２フィルタ１２の入出力電極１２２と第２端子６０２との間に接続されている。整合回路１５３は、第３フィルタ１３の入出力電極１３２と第３端子６０３との間に接続されている。

実施形態１に係る高周波モジュール１は、実装基板６と、フィルタ１１と、を備える。実装基板６は、互いに対向する第１主面６１及び第２主面６２を有する。フィルタ１１は、第１入出力電極１１１及び第２入出力電極１１２を有し、実装基板６の第１主面６１に配置されている。実装基板６は、第１ランド電極６１１と、第２ランド電極６１２と、グランド端子６２３と、複数（例えば、５つ）のビア導体６４５と、を有する。第１ランド電極６１１は、第１入出力電極１１１に接続されている。第２ランド電極６１２は、第２入出力電極１１２に接続されている。グランド端子６２３は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において第１主面６１よりも第２主面６２側に位置している。複数のビア導体６４５は、第１主面６１と第２主面６２との間に配置されており、グランド端子６２３に接続されている。複数のビア導体６４５は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６１１と第２ランド電極６１２との間に位置している（図２及び３参照）。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１は、フィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

（２）高周波回路及び通信装置の概要
以下、図１２に基づいて、実施形態１に係る高周波モジュール１を備える高周波回路２及び通信装置３００について説明する。

高周波モジュール１を備える高周波回路２は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の通信装置３００に用いられる。通信装置３００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。高周波回路２は、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能な回路である。

高周波モジュール１については、高周波回路２及び通信装置３００について説明した後で、より詳細に説明する。

高周波回路２は、例えば、信号処理回路３０１から入力された送信信号（高周波信号）を増幅してアンテナ３１０に出力するように構成されている。また、高周波回路２は、アンテナ３１０から入力された受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路３０１に出力するように構成されている。信号処理回路３０１は、高周波回路２の構成要素ではなく、高周波回路２を備える通信装置３００の構成要素である。高周波回路２は、例えば、通信装置３００が備える信号処理回路３０１によって制御される。通信装置３００は、高周波回路２と、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。

信号処理回路３０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、高周波モジュール１から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０３へ出力する。ベースバンド信号処理回路３０３は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路３０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路３０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。高周波モジュール１は、アンテナ３１０と信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。

高周波回路２は、マルチプレクサを構成している高周波モジュール１と、第１送受信回路２０と、第２送受信回路３０と、第３送受信回路４０と、を備える。複数の外部接続端子は、アンテナ端子と、８つの信号端子Ｔ２〜Ｔ９と、を含む。

高周波回路２では、高周波モジュール１の共通端子６００が、アンテナ端子Ｔ１に接続されている。アンテナ端子Ｔ１は、アンテナ３１０に接続される。

第１送受信回路２０は、高周波モジュール１の第１フィルタ１１を介してアンテナ端子Ｔ１に接続されている。第１送受信回路２０は、第１スイッチ２１と、送信フィルタ２２と、受信フィルタ２３と、パワーアンプ２４と、ローノイズアンプ２５と、を含んでいる。

第１スイッチ２１は、共通端子２１１と、複数（図示例では２つ）の選択端子２１２，２１３と、を有する。共通端子２１１は、第１フィルタ１１（の第２入出力電極１１２）に接続されている。選択端子２１２は、送信フィルタ２２に接続されている。選択端子２１３は、受信フィルタ２３に接続されている。

第１スイッチ２１は、複数の選択端子２１２，２１３のうち１つ以上を共通端子２１１に接続可能なスイッチである。

第１スイッチ２１は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第１スイッチ２１は、例えば、ＭＩＰＩ（Mobile Industry Processor Interface）規格に対応している。第１スイッチ２１は、例えば、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子２１１と複数の選択端子２１２，２１３との接続状態を切り替える。第１スイッチ２１は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。

送信フィルタ２２は、ＲＦ信号処理回路３０２からの送信信号（高周波信号）を通過させる。

受信フィルタ２３は、アンテナ３１０にて受信され第１フィルタ１１を通過した受信信号（高周波信号）を通過させる。

パワーアンプ２４は、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ２４の入力端子は、信号端子Ｔ２に接続されている。パワーアンプ２４の出力端子は送信フィルタ２２に接続されている。信号端子Ｔ２は、例えば、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの送信信号を入力するための端子であり、信号処理回路３０１に接続される。パワーアンプ２４は、例えば、信号処理回路３０１からの送信信号（高周波信号）を増幅して出力する。

第１送受信回路２０は、パワーアンプ２４の出力端子と送信フィルタ２２との間に接続されている出力整合回路を含んでいてもよい。出力整合回路は、パワーアンプ２４と送信フィルタ２２とのインピーダンス整合をとるための回路である。

ローノイズアンプ２５は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ２５の入力端子は、受信フィルタ２３に接続されている。ローノイズアンプ２６の出力端子は、信号端子Ｔ３に接続されている。信号端子Ｔ３は、例えば、ローノイズアンプ２５からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子であり、信号処理回路３０１に接続される。ローノイズアンプ２５は、入力端子に入力された受信信号を増幅して出力端子から出力する。

第１送受信回路２０は、受信フィルタ２３とローノイズアンプ２５の入力端子との間に接続されている入力整合回路を含んでいてもよい。入力整合回路は、受信フィルタ２３とローノイズアンプ２５とのインピーダンス整合をとるための回路である。

第２送受信回路３０は、高周波モジュール１の第２フィルタ１２を介してアンテナ端子Ｔ１に接続されている。第２送受信回路３０は、第２スイッチ３１と、デュプレクサ３２，３３，３４と、第３スイッチ３５と、第４スイッチ３６と、パワーアンプ３７と、ローノイズアンプ３８と、を含んでいる。

第２スイッチ３１は、共通端子３１１と、複数（図示例では３つ）の選択端子３１２，３１３，３１４と、を有する。共通端子３１１は、第２フィルタ１２に接続されている。選択端子３１２は、デュプレクサ３２に接続されている。選択端子３１３は、デュプレクサタ３に接続されている。選択端子３１４は、デュプレクサ３４に接続されている。

第２スイッチ３１は、例えば、共通端子３１１に３つの選択端子３１２，３１３，３１４のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ３１は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第２スイッチ３１は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。第２スイッチ３１は、例えば、信号処理回路３０１からの制御信号にしたがって、共通端子３１１と３つ選択端子３１２，３１３，３１４との接続状態を切り替える。第２スイッチ３１は、例えば、スイッチＩＣである。

第３スイッチ３５は、共通端子３５１と、複数（図示例では３つ）の選択端子３５２，３５３，３５４と、を有する。共通端子３５１は、パワーアンプ３７に電気的に接続されている。選択端子３５２は、デュプレクサ３２に接続されている。選択端子３５３は、デュプレクサ３３に接続されている。選択端子３５４は、デュプレクサ３４に接続されている。

第３スイッチ３５は、例えば、共通端子３５１に３つの選択端子３５２，３５３，３５４のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第３スイッチ３５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第３スイッチ３５は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。第３スイッチ３５は、例えば、信号処理回路３０１からの制御信号にしたがって、共通端子３５１と３つ選択端子３５２，３５３，３５４との接続状態を切り替える。第３スイッチ３５は、例えば、スイッチＩＣである。

第４スイッチ３６は、共通端子３６１と、複数（図示例では３つ）の選択端子３６２，３６３，３６４と、を有する。共通端子３６１は、ローノイズアンプ３８に電気的に接続されている。選択端子３６２は、デュプレクサ３２に接続されている。選択端子３６３は、デュプレクサ３３に接続されている。選択端子３６４は、デュプレクサ３４に接続されている。

第４スイッチ３６は、例えば、共通端子３６１に３つの選択端子３６２，３６３，３６４のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第４スイッチ３６は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第４スイッチ３６は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。第４スイッチ３６は、例えば、信号処理回路３０１からの制御信号にしたがって、共通端子３６１と３つ選択端子３６２，３６３，３６４との接続状態を切り替える。第４スイッチ３６は、例えば、スイッチＩＣである。

複数のデュプレクサ３２〜３４の各々は、送信フィルタと、受信フィルタと、共通端子と、送信端子と、受信端子と、を有する。複数のデュプレクサ３２〜３４の各々では、送信フィルタは、共通端子と送信端子との間に接続されている。複数のデュプレクサ３２〜３４の各々では、受信フィルタは、共通端子と受信端子との間に接続されている。複数のデュプレクサ３２〜３４の共通端子は、第２スイッチ３１の複数の選択端子３１２〜３１４に一対一に接続されている。また、複数のデュプレクサ３２〜３４の送信端子は、第３スイッチ３５の複数（図示例では３つ）の選択端子３５２〜３５４に一対一に接続されている。複数のデュプレクサ３２〜３４の受信端子は、第４スイッチ３６の複数の選択端子３６２〜３６４に一対一に接続されている。複数のデュプレクサ３２〜３４の送信フィルタの通過帯域は、互いに異なる。複数のデュプレクサ３２〜３４の受信フィルタの通過帯域は、互いに異なる。

パワーアンプ３７は、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ３７の入力端子は、信号端子Ｔ４に接続されている。パワーアンプ３７の出力端子は第３スイッチ３５の共通端子３５１に接続されている。信号端子Ｔ４は、例えば、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの送信信号を入力するための端子であり、信号処理回路３０１に接続される。パワーアンプ３７は、例えば、信号処理回路３０１からの送信信号（高周波信号）を増幅して出力する。

第２送受信回路３０は、パワーアンプ３７の出力端子と第３スイッチ３５の共通端子３５１との間に接続されている出力整合回路を含んでいてもよい。出力整合回路は、パワーアンプ３７と第３スイッチ３５とのインピーダンス整合をとるための回路である。

ローノイズアンプ３８は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ３８の入力端子は、第４スイッチ３６の共通端子３６１に接続されている。ローノイズアンプ３８の出力端子は、信号端子Ｔ５に接続されている。信号端子Ｔ３は、例えば、ローノイズアンプ３８からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子であり、信号処理回路３０１に接続される。ローノイズアンプ３８は、入力端子に入力された受信信号を増幅して出力端子から出力する。

第２送受信回路３０は、第４スイッチ３６の共通端子３６１とローノイズアンプ３８の入力端子との間に接続されている入力整合回路を含んでいてもよい。入力整合回路は、第４スイッチ３６とローノイズアンプ３８とのインピーダンス整合をとるための回路である。

第３送受信回路４０は、高周波モジュール１の第３フィルタ１３を介してアンテナ端子Ｔ１に接続されている。第３送受信回路４０は、ダイプレクサ４１と、送信フィルタ４４と、受信フィルタ４５と、送信フィルタ４６と、受信フィルタ４７と、第５スイッチ４２と、第６スイッチ４３と、２つのパワーアンプ４８，５０と、２つのローノイズアンプ４９，５１と、を含んでいる。

ダイプレクサ４１は、第１送受信フィルタと、第２送受信フィルタと、共通端子と、第１送受信端子と、第２送受信端子と、を有する。ダイプレクサ４１では、第１送受信フィルタは、共通端子と第１送受信端子との間に接続されている。ダイプレクサ４１では、第２送受信フィルタは、共通端子と第２送受信端子との間に接続されている。

第５スイッチ４２は、共通端子４２１と、複数（図示例では２つ）の選択端子４２２，４２３と、を有する。共通端子４２１は、ダイプレクサ４１の第１送受信端子に接続されている。選択端子４２２は、送信フィルタ４４に接続されている。選択端子４２３は、受信フィルタ４５に接続されている。

第５スイッチ４２は、例えば、共通端子４２１に２つの選択端子４２２，４２３のうち１つの選択端子を接続可能なスイッチである。第５スイッチ４２は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。第５スイッチ４２は、例えば、信号処理回路３０１からの制御信号にしたがって、共通端子４２１と２つ選択端子４２２，４２３との接続状態を切り替える。第５スイッチ４２は、例えば、スイッチＩＣである。

第６スイッチ４３は、共通端子４３１と、複数（図示例では２つ）の選択端子４３２，４３３と、を有する。共通端子４３１は、ダイプレクサ４１の第２送受信端子に接続されている。選択端子４３２は、送信フィルタ４６に接続されている。選択端子４３３は、受信フィルタ４７に接続されている。

第６スイッチ４３は、例えば、共通端子４３１に２つの選択端子４３２，４３３のうち１つの選択端子を接続可能なスイッチである。第６スイッチ４３は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。第６スイッチ４３は、例えば、信号処理回路３０１からの制御信号にしたがって、共通端子４３１と２つ選択端子４３２，４３３との接続状態を切り替える。第６スイッチ４３は、例えば、スイッチＩＣである。

送信フィルタ４４は、ＲＦ信号処理回路３０２から出力されてパワーアンプ４８で増幅された送信信号（高周波信号）を通過させる。送信フィルタ４６は、ＲＦ信号処理回路３０２から出力されてパワーアンプ４８で増幅された送信信号（高周波信号）を通過させる。送信フィルタ４４と送信フィルタ４６とは、互いに異なる通過帯域を有する。

受信フィルタ４５は、アンテナ３１０にて受信され第３フィルタ１３及びダイプレクサ４１の第１送受信フィルタを通過した受信信号（高周波信号）を通過させる。受信フィルタ４７は、アンテナ３１０にて受信され第３フィルタ１３及びダイプレクサ４１の第２送受信フィルタを通過した受信信号（高周波信号）を通過させる。

パワーアンプ４８は、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ４８の入力端子は、信号端子Ｔ６に接続されている。パワーアンプ４８の出力端子は送信フィルタ４４に接続されている。信号端子Ｔ６は、例えば、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの送信信号を入力するための端子であり、信号処理回路３０１に接続される。パワーアンプ４８は、例えば、信号処理回路３０１からの送信信号（高周波信号）を増幅して出力する。

第３送受信回路４０は、パワーアンプ４８の出力端子と送信フィルタ４４との間に接続されている出力整合回路を含んでいてもよい。出力整合回路は、パワーアンプ４８と送信フィルタ４４とのインピーダンス整合をとるための回路である。

パワーアンプ５０は、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ５０の入力端子は、信号端子Ｔ８に接続されている。パワーアンプ５０の出力端子は送信フィルタ４６に接続されている。信号端子Ｔ８は、例えば、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの送信信号を入力するための端子であり、信号処理回路３０１に接続される。パワーアンプ５０は、例えば、信号処理回路３０１からの送信信号（高周波信号）を増幅して出力する。

第３送受信回路４０は、パワーアンプ５０の出力端子と送信フィルタ４６との間に接続されている出力整合回路を含んでいてもよい。出力整合回路は、パワーアンプ５０と送信フィルタ４６とのインピーダンス整合をとるための回路である。

ローノイズアンプ４９は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ４９の入力端子は、受信フィルタ４５に接続されている。ローノイズアンプ４９の出力端子は、信号端子Ｔ７に接続されている。信号端子Ｔ７は、例えば、ローノイズアンプ４９からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子であり、信号処理回路３０１に接続される。ローノイズアンプ４９は、入力端子に入力された受信信号を増幅して出力端子から出力する。

第３送受信回路４０は、受信フィルタ４５とローノイズアンプ４９の入力端子との間に接続されている入力整合回路を含んでいてもよい。入力整合回路は、受信フィルタ４５とローノイズアンプ４９とのインピーダンス整合をとるための回路である。

ローノイズアンプ５１は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ５１の入力端子は、受信フィルタ４７に接続されている。ローノイズアンプ５１の出力端子は、信号端子Ｔ９に接続されている。信号端子Ｔ９は、例えば、ローノイズアンプ５１からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子であり、信号処理回路３０１に接続される。ローノイズアンプ５１は、入力端子に入力された受信信号を増幅して出力端子から出力する。

第３送受信回路４０は、受信フィルタ４７とローノイズアンプ５１の入力端子との間に接続されている入力整合回路を含んでいてもよい。入力整合回路は、受信フィルタ４７とローノイズアンプ５１とのインピーダンス整合をとるための回路である。

高周波回路２は、信号処理回路３０１からの制御信号にしたがって複数（図示例では、４つ）のパワーアンプ２４，３７，４８，５０を制御するコントローラ５５を更に備える。コントローラ５５は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。高周波回路２は、コントローラ５５が接続されている信号端子Ｔ１０を更に備える。コントローラ５５は、例えば、信号端子Ｔ１０を介して信号処理回路３０１に接続される。信号端子Ｔ１０は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの制御信号をコントローラ５５に入力するための端子である。コントローラ５５は、信号端子Ｔ１０から取得した制御信号に基づいて複数のパワーアンプ２４，３７，４８，５０を制御する。

また、高周波回路２は、複数のグランド端子を含む。複数のグランド端子は、通信装置３００の備える上述の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。

（３）高周波モジュールの詳細
以下、高周波モジュール１の詳細について図１〜１２を参照して説明する。

（３．１）高周波モジュールの回路構成
高周波モジュール１は、複数の外部接続端子を備える。複数の外部接続端子は、図８に示すように、共通端子６００と、第１端子６０１と、第２端子６０２と、第３端子６０３と、グランド端子６２３（図６Ｄ参照）と、を含む。共通端子６００は、第１フィルタ１１の第１入出力電極１１１と、第２フィルタ１２の入出力電極１２１と、第３フィルタ１３の入出力電極１３１とが接続されている外部接続端子である。第１端子６０１は、第１フィルタ１１の第２入出力電極１１２が接続されている外部接続端子である。第２端子６０２は、第２フィルタ１２の入出力電極１２２が接続されている外部接続端子である。第３端子６０３は、第３フィルタ１３の入出力電極１３２が接続されている外部接続端子である。

高周波モジュール１は、第１フィルタ１１の第２入出力電極１１２と第１端子６０１との間に接続された第１整合回路を備えていてもよい。第１整合回路は、例えば、第１端子６０１において第１フィルタ１１側とは反対側に接続される回路と、第１フィルタ１１と、のインピーダンスを整合させるための回路である。

また、高周波モジュール１は、第２フィルタ１２の入出力電極１２２と第２端子６０２との間に接続された整合回路１５２を備える。整合回路１５２は、例えば、第２端子６０２において第２フィルタ１２側とは反対側に接続される回路と、第２フィルタ１２と、のインピーダンスを整合させるための回路である。

また、高周波モジュール１は、第３フィルタ１３の入出力電極１３２と第３端子６０３との間に接続された整合回路１５３を備える。整合回路１５３は、例えば、第３端子６０３において第３フィルタ１３側とは反対側に接続される回路と、第３フィルタ１３と、のインピーダンスを整合させるための回路である。

第１フィルタ１１は、例えば、ラダー型フィルタである。第１フィルタ１１は、複数の共振子を有する。複数の共振子は、例えば、図９に示すように、複数（例えば、５つ）の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５と複数（例えば、４つ）の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４とを含む。

複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５は、第１入出力電極１１１と第２入出力電極１１２との間の経路１０４（以下、直列腕経路１０４ともいう）上に設けられている。複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５は、直列腕経路１０４上において、直列に接続されている。第１フィルタ１１では、直列腕経路１０４上において、１入出力電極１１１側から、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５の順に、複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４が並んでいる。

並列腕共振子Ｐ１は、直列腕経路１０４上のノードＮ１とグランド電極１１３との間の経路１０５（並列腕経路１０５）上に設けられている。ノードＮ１は、直列腕経路１０４上において、直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ２との間に位置する。並列腕共振子Ｐ２は、直列腕経路１０４上のノードＮ２とグランド電極１１３との間の経路１０６（並列腕経路１０６）上に設けられている。ノードＮ２は、直列腕経路１０４上において、直列腕共振子Ｓ２と直列腕共振子Ｓ３との間に位置する。並列腕共振子Ｐ３は、直列腕経路１０４上のノードＮ３とグランド電極１１４との間の経路１０７（並列腕経路１０７）上に設けられている。ノードＮ３は、直列腕経路１０４上において、直列腕共振子Ｓ３と直列腕共振子Ｓ４との間に位置する。並列腕共振子Ｐ４は、直列腕経路１０４上のノードＮ４とグランド電極１１４との間の経路１０６（並列腕経路１０８）に設けられている。ノードＮ４は、直列腕経路１０４上において、直列腕共振子Ｓ４と直列腕共振子Ｓ５との間に位置する。

第１フィルタ１１は、例えば、弾性波フィルタであり、複数の弾性波共振子（複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５及び複数の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４）の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。この場合、複数の共振子の各々は、ＳＡＷ共振子である。

第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３の各々は、第１フィルタ１１と同様に、弾性波フィルタである。第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３の回路構成については説明を省略する。

（３．２）高周波モジュールの構造
実施形態１に係る高周波モジュール１は、図１に示すように、実装基板６と、第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２と、第３フィルタ１３と、複数（図示例では、６つ）の電子部品１６と、を備える。

高周波モジュール１では、第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２と、第３フィルタ１３と、複数の電子部品１６とが、実装基板６の第１主面６１に配置されている。複数の電子部品１６は、整合回路１４１，１４２，１５２，１５３の構成要素（インダクタ、キャパシタ等）を含む。

実装基板６は、図３及び４に示すように、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面６１及び第２主面６２を有する。実装基板６は、例えば、複数（例えば、２０層）の誘電体層及び複数（例えば、２０層）の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、第１ランド電極６１１と、第２ランド電極６１２と、第３ランド電極６１３と、第４ランド電極６１４と、グランド端子６２３と、グランド層６５１と、（図３及び４参照）を含む。実装基板６は、図６Ｄに示すように、グランド端子６２３を複数（９個）有している。高周波モジュール１では、複数のグランド端子６２３とグランド層６５１とが、実装基板６の有する複数（例えば、１５個）のグランド用ビア導体６５２（図３，４及び６Ｄ参照）により接続されている。実装基板６は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板６は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板であってもよい。

また、実装基板６は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板６の第１主面６１であり、第２面が実装基板６の第２主面６２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

実装基板６の第１主面６１及び第２主面６２は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板６の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板６における第１主面６１は、例えば、実装基板６の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板６における第２主面６２は、例えば、実装基板６の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板６の第１主面６１及び第２主面６２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板６は、正方形状であるが、これに限らず、例えば、長方形状であってもよいし、四角形以外の多角形状であってもよい。

第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ１３及び複数の電子部品１６は、実装基板６に実装されている。ここにおいて、実装基板６に実装されているとは、実装基板６に配置されていること（機械的に接続されていること）と、実装基板６（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。高周波モジュール１は、実装基板６内に設けられる回路素子を含んでもよい。

第１フィルタ１１は、上述の第１入出力電極１１１及び第２入出力電極１１２の他に、２つのグランド電極１１３，１１４を有する。また、複数の電子部品１６は、表面実装型のインダクタ又は表面実装型のキャパシタであり、２つの電極を有する。これらに対し、実装基板６は、図２及び３に示すように、グランド電極１１３に接続される第３ランド電極６１３と、グランド電極１１４に接続される第４ランド電極６１４と、を更に有する。また、実装基板６は、複数（６個）の電子部品１６の各々に対して、電子部品１６の２つの電極が接続される２つの第５ランド電極６１６，６１６を有している。つまり、実装基板６は、１２個の第５ランド電極６１６を有している。

第１ランド電極６１１、第２ランド電極６１２、第３ランド電極６１３及び第４ランド電極６１４の各々の形状は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、円形状である。また、複数（１２個）の第５ランド電極６１６の各々の形状は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、四角形状である。

実装基板６では、図６Ａに示すように、第２ランド電極６１２が、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、実装基板６の第１主面６１の１つの角部に配置されている。また、実装基板６では、第３ランド電極６１３と、第２ランド電極６１２と、第４ランド電極６１４とが、実装基板６の平面視において、実装基板６の外周に沿った方向で並んでいる。実装基板６では、図２に示すように、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６１１の中心と第２ランド電極６１２の中心とを結ぶ直線ＤＡ１を１つの対角線とする直角四辺形ＳＱ１の４つの頂点に、第１ランド電極６１１、第４ランド電極６１４、第２ランド電極６１２及び第３ランド電極６１３が１つずつ位置している。第３ランド電極６１３及び第４ランド電極６１４の各々の中心については、直角四辺形ＳＱ１の頂点と一致しているが、これに限らず、変位していてもよい。

第１フィルタ１１は、図５に示すように、圧電性基板１１０と、複数（例えば、９つ）のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１１６と、第１入出力電極１１１と、第２入出力電極１１２と、２つのグランド電極１１３，１１４と、を有する。圧電性基板１１０は、互いに対向する第１主面１１０１及び第２主面１１０２を有する。ＩＤＴ電極１１６は、圧電性基板１１０の第１主面１１０１上に設けられている。圧電性基板１１０は、圧電基板である。圧電基板の材料は、例えば、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトである。

また、第１フィルタ１１は、パッケージ構造の構成要素として、スペーサ層１１８と、カバー部材１１９と、第１入出力電極１１１と、第２入出力電極１１２と、２つのグランド電極１１３、１１４と、を有している。

スペーサ層１１８及びカバー部材１１９は、圧電性基板１１０の第１主面１１０１側に設けられる。スペーサ層１１８は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数のＩＤＴ電極１１６を囲んでいる。実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、スペーサ層１１８は、矩形枠状である。スペーサ層１１８は、電気絶縁性を有する。スペーサ層１１８の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。カバー部材１１９は、平板状である。カバー部材１１９は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において圧電性基板１１０に対向するようにスペーサ層１１８上に配置されている。カバー部材１１９は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において複数のＩＤＴ電極１１６と重複し、かつ、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において複数のＩＤＴ電極１１６から離れている。カバー部材１１９は、電気絶縁性を有する。カバー部材１１９の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。第１フィルタ１１は、圧電性基板１１０とスペーサ層１１８とカバー部材１１９とで囲まれた空間１１７を有する。第１フィルタ１１では、空間１１７には、気体が入っている。気体は、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。

第１フィルタ１１における、第１入出力電極１１１と、第２入出力電極１１２と、２つのグランド電極１１３、１１４とは、カバー部材１１９から露出している。第１入出力電極１１１と、第２入出力電極１１２と、２つのグランド電極１１３、１１４との各々は、例えば、バンプである。各バンプは、例えば、はんだバンプである。各バンプは、はんだバンプに限らず、例えば金バンプであってもよい。

第２フィルタ１２は、図１及び８に示すように、２つの入出力電極１２１，１２２を有する。実施形態１に係る高周波モジュール１では、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とで圧電性基板１１０が共用されており、１パッケージのフィルタ装置１０が、実装基板６の第１主面６１に配置されている。フィルタ装置１０が実装基板６の第１主面６１に配置されるとは、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２が実装基板６の第１主面６１に配置されていることを意味する。ここにおいて、フィルタ装置１０は、実装基板６の第１主面６１に実装されている。

フィルタ装置１０は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、長方形状である。フィルタ装置１０では、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、長手方向の半分が第１フィルタ１１を構成し、残りの部分が第２フィルタ１２を構成している。実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視での、フィルタ装置１０における第１フィルタ１１の占有面積と第２フィルタ１２の占有面積との比率は１：１であるが、これに限らない。第１フィルタ１１では、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、フィルタ装置１０の２つの長辺のうち一方の長辺に沿って第２入出力電極１１２とグランド電極１１４とが並んでおり、他方の長辺に沿ってグランド電極１１３と第１入出力電極１１１とが並んでおり、２つの短辺のうちの一方の短辺に沿って第２入出力電極１１２と、グランド電極１１３とが並んでいる。また、第１フィルタ１１では、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、フィルタ装置１０の４つの角部のうち１つの角部に第２入出力電極１１２が位置している。

第３フィルタ１３は、図１及び８に示すように、２つの入出力電極１３１，１３２を有する。第３フィルタ１３は、実装基板６の第１主面６１に配置されている。ここにおいて、第３フィルタ１３は、実装基板６の第１主面６１に実装されている。第３フィルタ１３は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、長方形状であり、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２から離れている。

複数の電子部品１６は、実装基板６の第１主面６１に配置されている。ここにおいて、複数の電子部品１６は、実装基板６の第１主面６１に実装されている。

上述のように、実装基板６は、第１ランド電極６１１と、第２ランド電極６１２と、グランド端子６２３と、複数（例えば、５つ）のビア導体６４５と、を有する。第１ランド電極６１１は、第１入出力電極１１１に接続されている。第２ランド電極６１２は、第２入出力電極１１２に接続されている。グランド端子６２３は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において第１主面６１よりも第２主面６２側に位置している。複数のビア導体６４５は、第１主面６１と第２主面６２との間に配置されており、グランド端子６２３に接続されている。

複数のビア導体６４５の各々は、円柱状である。複数のビア導体６４５の各々は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１に沿って配置されている。複数のビア導体６４５の各々は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、円形状である。

実装基板６は、図３に示すように、第３ランド電極６１３に接続されたビア導体６４３と、第４ランド電極６１４に接続されたビア導体６４４と、２つのビア導体６４３，６４４と５つのビア導体６５４とを接続している内層配線部６４６と、を有する。これにより、第１フィルタ１１の２つのグランド電極１１３，１１４は、５個のビア導体６５４に電気的に接続されている。内層配線部６４６は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において、ビア導体６４３と、ビア導体６４４と、５個のビア導体６４５と、に重なっている。内層配線部６４６は、５個のビア導体６４５を実装基板６の第１主面６１側において接続している。

また、実装基板６は、５個のビア導体６４５を実装基板６の第２主面６２側において接続している内層配線部６４７を有する。内層配線部６４７は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において、５個のビア導体６４５に重なっている。

実施形態１に係る高周波モジュール１は、図６Ｄに示すように、グランド端子６２３を複数（９個）有している。複数のグランド端子６２３の各々の表面は、第２主面６２の一部を構成している。

実装基板６は、複数（５個）のビア導体６４５と複数（９個）のグランド端子６２３とに接続されているグランド層６５１を更に備える。グランド層６５１は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において、５個のビア導体６４５と９個のグランド端子６２３との間に位置している。

グランド層６５１は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、５個のビア導体６４５及び９個のグランド端子６２３に重なっている。実装基板６では、実装基板６の厚さ方向において、グランド層６５１と第２主面６２との距離が、グランド層６５１と第１主面６１との距離よりも短い。実装基板６の厚さ方向Ｄ１において、５個のビア導体６４５の各々の長さは、第１主面６１と第２主面６２との距離よりも短く、グランド層６５１と第２主面６２との距離よりも長い。５個のビア導体６４５の各々の長さは、ビア導体６４３及びビア導体６４４の長さよりも長い。実施形態１に係る高周波モジュール１では、５個のビア導体６４５の長さが互いに同じであるが、異なっていてもよい。５個のビア導体６４５とグランド層６５１とは、内層配線部６４７に接続されたビア導体６４８と、ビア導体６４８に接続された内層配線部６４９と、内層配線部６４９に接続されたビア導体６５０とを介して電気的に接続されている。

高周波モジュール１では、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、グランド層６５１の面積が、フィルタ１１の面積よりも大きい。グランド層６５１は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、共通端子６００、第１端子６０１、第２端子６０２及び第３端子６０３に重ならない。

高周波モジュール１は、複数のビア導体６４５とは異なり、実装基板６の厚さ方向Ｄ１においてグランド層６５１とグランド端子６２３との間に位置しグランド層６５１とグランド端子６２３とを接続している上述のグランド用ビア導体６５２（ビア導体６５２）を更に備える。高周波モジュール１は、９個のグランド端子６２３のうち実装基板６の厚さ方向Ｄ１の平面視で真ん中に位置するグランド端子６２３の大きさが、他の８個のグランド端子６２３の大きさよりも大きい（図６Ｄ参照）。真ん中に位置するグランド端子６２３とグランド層６５１とは複数（例えば、７個）のビア導体６５２（図６Ｃ参照）により接続され、他の８のグランド端子６２３とグランド層６５１とは１個のビア導体６５２により接続されている。

複数のビア導体６４５は、図２に示すように、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６１１と第２ランド電極６１２との間に位置している。「第１ランド電極６１１と第２ランド電極６１２との間に位置している」とは、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、複数のビア導体６４５それぞれの中心が、第１ランド電極６１１の中心と第２ランド電極６１２の中心とを結ぶ直線ＤＡ１を１つの対角線とする直角四辺形ＳＱ１の内側にある。ここで、複数のビア導体６４５のうち直線ＤＡ１上にないビア導体６４５に関しては、第１ランド電極６１１の中心とビア導体６４５の中心と第２ランド電極６１２の中心とを頂点とする仮想三角形において、ビア導体６４５の中心に対応する頂点での頂角αが９０度よりも大きく１８０度よりも小さい。

複数のビア導体６４５のうち隣り合う２つのビア導体６４５間の距離は、所定通過帯域の中心周波数の電波の波長の４分の１以下である。所定通過帯域は、例えば、２４００ＭＨｚ−２４８３ＭＨｚの周波数帯域に含まれる。所定通過帯域の中心周波数は、例えば、２４４１．５ＭＨｚである。

実装基板６は、図３、５及び６Ａに示すように、第１ランド電極６１１に接続されている第１配線部６４１と、第２ランド電極６１２に接続されている第２配線部６４２と、を更に備える。複数のビア導体６４５は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１配線部６４１と第２配線部６４２との間に位置している。第１配線部６４１は、複数の配線用ビア導体と、複数の内層配線部と、を含む。第２配線部６４２には、第２ランド電極６１２と第１端子６０１とを接続している配線用ビア導体を含む。

高周波モジュール１は、樹脂層７を更に備える。樹脂層７は、実装基板６の第１主面６１側において実装基板６の第１主面６１に配置されている複数の回路素子を覆っている。ここにおいて、樹脂層７は、実装基板６の第１主面６１に配置されている複数の回路素子を封止している。実装基板６の第１主面６１に配置されている複数の回路素子は、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ１３及び複数の電子部品１６を含む。樹脂層７は、樹脂を含む。樹脂層７は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

また、高周波モジュール１は、シールド層を更に備えてもよい。シールド層の材料は、例えば、金属である。シールド層は、例えば、樹脂層７の主面及び外周面と、実装基板６の外周面と、を覆う。

（３．３）高周波モジュールの特性
図１０は、実施形態１に係る高周波モジュール１における第１フィルタ１１のフィルタ通過特性Ａ１１と、比較例に係る高周波モジュールにおける第１フィルタのフィルタ通過特性Ａ１２と、を示すグラフである。比較例に係る高周波モジュールは、実施形態１に係る高周波モジュール１の複数のビア導体６４５を備えていない点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。

図１０から、実施形態１に係る高周波モジュール１では、比較例に係る高周波モジュールと比べて、第１フィルタ１１の所定通過帯域の低周波数側及び高周波数側において高減衰となるフィルタ通過特性を得られることが分かる。

図１１は、実施形態１に係る高周波モジュール１における第１フィルタ１１の第１入出力電極−第２入出力電極間のアイソレーション特性Ｂ１１と、比較例に係る高周波モジュールにおける第１フィルタの第１入出力電極−第２入出力電極間のアイソレーション特性Ｂ１２と、を示すグラフである。

図１１から、実施形態１に係る高周波モジュール１では、比較例に係る高周波モジュールと比べて、第１フィルタ１１の所定通過帯域を含む少なくとも１．７ＧＨｚ−２．８ＧＨｚの周波数帯域において第１入出力電極１１１と第２入出力電極１１２との間のアイソレーションを向上できることが分かる。

（４）まとめ
（４．１）高周波モジュール
実施形態１に係る高周波モジュール１は、実装基板６と、フィルタ１１と、を備える。実装基板６は、互いに対向する第１主面６１及び第２主面６２を有する。フィルタ１１は、第１入出力電極１１１及び第２入出力電極１１２を有し、実装基板６の第１主面６１に配置されている。実装基板６は、第１ランド電極６１１と、第２ランド電極６１２と、グランド端子６２３と、複数のビア導体６４５と、を有する。第１ランド電極６１１は、第１入出力電極１１１に接続されている。第２ランド電極６１２は、第２入出力電極１１２に接続されている。グランド端子６２３は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において第１主面６１よりも第２主面６２側に位置している。複数のビア導体６４５は、第１主面６１と第２主面６２との間に配置されており、グランド端子６２３に接続されている。複数のビア導体６４５は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６１１と第２ランド電極６１２との間に位置している。

実施形態１に係る高周波モジュール１は、フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

ここにおいて、実施形態１に係る高周波モジュール１では、フィルタ１１の第１入出力電極１１１と第２入出力電極１１２との間のアイソレーションが向上し、第１フィルタ１１のフィルタ特性が向上する。実施形態１に係る高周波モジュール１では、複数のビア導体６４５を備えることによって、フィルタ１１の第１入出力電極１１１と第２入出力電極１１２との、実装基板６を介しての電磁界結合を抑制できる。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１は、アイソレーションを向上でき、高減衰なフィルタ特性を実現できる。

また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、複数のビア導体６４５が、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１配線部６４１と第２配線部６４２との間に位置している。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第１配線部６４１と第２配線部６４２との電磁界結合を抑制でき、フィルタ特性の更なる向上を図れる。

（４．２）高周波回路
実施形態１に係る高周波回路２は、高周波モジュール１と、高周波モジュール１のフィルタ１１に接続されるアンプ（パワーアンプ２４、ローノイズアンプ２５）と、を備える。

実施形態１に係る高周波回路２は、高周波モジュール１を備えるので、フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図れる。

高周波回路２を含むモジュール（フロントエンドモジュール）は、高周波モジュール１と、第１送受信回路２０の回路素子と、第２送受信回路３０の回路素子と、第３送受信回路４０の回路素子と、が実装された回路基板を備える。回路基板には、アンテナ端子Ｔ１及び信号端子Ｔ２〜Ｔ１０が配置されている。また、フロントエンドモジュールは、グランド電位が与えられる外部グランド端子が配置されている。

高周波回路２を含むモジュール（フロントエンドモジュール）は、高周波モジュール１を備えるので、フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図れる。

（４．３）通信装置
実施形態１に係る通信装置３００は、高周波回路２と、信号処理回路３０１と、を備える。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１のフィルタ１１を通過する高周波信号を信号処理する。

実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１を備えるので、フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図れる。

信号処理回路３０１を構成する複数の電子部品は、例えば、高周波モジュール１が実装された回路基板（第１回路基板）とは別の回路基板（第２回路基板）に実装されていてもよい。

（５）高周波モジュールの変形例
（５．１）変形例１
実施形態１の変形例１に係る高周波モジュール１について、図１３を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

変形例１に係る高周波モジュール１は、第３フィルタ１３として、衛星測位システム（ＧＮＳＳ）のＬ５帯に対応するバンドパスフィルタを採用している点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。Ｌ５帯は、１１６４．４ＭＨｚ−１１８７．９５ＭＨｚである。第３フィルタ１３は、ＧＮＳＳのＬ５帯に限らず、Ｌ１帯に対応するバンドパスフィルタであってもよい。Ｌ１帯は、１５５９ＭＨｚ−１６０６ＭＨｚである。また、第３フィルタ１３は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）の５ＧＨｚ帯の周波数帯域に対応していてもよい。Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）の５ＧＨｚ帯の周波数帯域は、５１５０ＭＨｚ−７１２５ＭＨｚである。

また、変形例１に係る高周波モジュール１は、複数（４つ）の整合回路１４０，１４２，１５２，１５３を備えていない点でも、実施形態１に係る高周波モジュールと相違する。

（５．２）変形例２
実施形態１の変形例２に係る高周波モジュール１について、図１４を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

変形例２に係る高周波モジュール１は、第３フィルタ１３の代わりに、第３フィルタ１４を備えている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。第３フィルタ１４は、例えば、第１フィルタ１１よりも低周波数側に通過帯域を有するローパスフィルタである。第３フィルタ１４の通過帯域は、例えば、６１７ＭＨｚ−９６０ＭＨｚである。

また、変形例２に係る高周波モジュール１は、複数（４つ）の整合回路１４０，１４２，１５２，１５３を備えていない点でも、実施形態１に係る高周波モジュールと相違する。

（実施形態２）
実施形態２に係る高周波モジュール１ａについて、図１５〜１８Ｄを参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、実施形態１に係る高周波モジュール１における実装基板６の代わりに、実装基板６ａを備える点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。実施形態２に係る高周波モジュール１ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

また、実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、電子部品１６を７つ備える点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、実施形態１に係る高周波モジュール１における第３フィルタ１３を備えていないが、これに相当するＬＣフィルタを電子部品１６及び実装基板６ａで形成してある。

図１５及び１６に示すように、実装基板６ａ上に配置される第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び複数の電子部品１６のレイアウトが、実施形態１に係る高周波モジュール１とは相違する。実装基板６ａに関し、実装基板６と同様の構成要素には同一の符合を付して説明を省略する。

高周波モジュール１ａでは、実装基板６ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板６ａは、長方形状である。高周波モジュール１ａでは、実装基板６ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１フィルタ１１が、実装基板６ａの第１主面６１の４つの角部から離れて配置されている。以下では、説明の便宜上、実装基板６ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、実装基板６ａの第１主面６１の４つの角部に関して、図１５の右上の角部を第１角部と称し、左上の角部を第２角部と称し、左下の角部を第３角部と称し、右下の角部を第４角部と称する。

高周波モジュール１ａでは、第１フィルタ１１は、第２入出力電極１１２とグランド電極１１３とが、実装基板６ａの２つの長辺のうち一方の長辺（第１角部と第２角部との間の長辺）の近傍で、この長辺に沿った方向において並んでいる。また、高周波モジュール１ａでは、第２入出力電極１１２とグランド電極１１４とが、実装基板６ａの２つの短辺のうち一方の短辺（第１角部と第４角部との間の短辺）の近傍で、この短辺に沿った方向において並んでいる。

実装基板６ａでは、実装基板６ａの第２主面６２の４つの角部のうち第１主面６１の第１角部に実装基板６ａの厚さ方向Ｄ１において重なる角部に、第１端子６０１が配置されている。これにより、実装基板６ａの厚さ方向Ｄ１において、第１フィルタ１１の第２入出力電極１１２と第１端子６０１とが重ならない。

実施形態２に係る高周波モジュール１ａでは、第２配線部６４２は、図１７及び１８Ａ〜１８Ｃに示すように、実装基板６ａの厚さ方向Ｄ１に沿って配置されている２つの配線用ビア導体６４２１，６４２３と、実装基板６ａの厚さ方向Ｄ１に直交する面に沿って配置されている内層導体部６４２２と、を含む。高周波モジュール１ａでは、第２ランド電極６１２が配線用ビア導体６４２１に接続され、配線用ビア導体６４２１が内層導体部６４２２に接続され、内層導体部６４２２が配線用ビア導体６４２３に接続され、配線用ビア導体６４２３が第１端子６０１（図１７及び１８Ｄ参照）に接続されている。実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２配線部６４２が直線状であるのに対し、実施形態２に係る高周波モジュール１ａでは、第２配線部６４２は、クランク状の形状となっている。

実装基板６ａは、グランド層６５１（以下、第１グランド層６５１ともいう）とは別の第２グランド層６５３を更に有する。第２グランド層６５３は、実装基板６ａの第１主面６１と内層導体部６４２２との間に配置されている。第２グランド層６５３は、実装基板６ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、内層導体部６４２２に重なっている。第２グランド層６５３は、実装基板６ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１端子６０１にも重なっている。

実施形態２に係る高周波モジュール１ａでは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、複数のビア導体６４５が、実装基板６ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６１１と第２ランド電極６１２との間に位置している。これにより、実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

また、実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、第２グランド層６５３を有しているので、第２配線部６４２と第１配線部６４１との間のアイソレーションの向上を図れ、フィルタ１１の第１入出力電極１１１と第２入出力電極１１２との間のアイソレーションの向上を図れる。

実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、例えば、図１２に示した実施形態１に係る高周波回路２及び通信装置３００の備える高周波モジュール１の代わりに用いることができる。

実施形態２の変形例に係る高周波モジュール１ａについて、図１９を参照して説明する。変形例に係る高周波モジュール１ａは、複数の電子部品備えていない点で、実施形態２に係る高周波モジュール１ａと相違する。また、実施形態２に係る高周波モジュール１ａでは、マルチプレクサがトリプレクサであるのに対し、実施形態２の変形例に係る高周波モジュール１ａでは、マルチプレクサが、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２と含むダイプレクサである。実施形態２の変形例に係る高周波モジュール１ａは、例えば、図１２に示した実施形態１に係る高周波回路２及び通信装置３００の備える高周波モジュール１の代わりに用いることができる。この場合、高周波回路２及び通信装置３００は、第３送受信回路４０を備えていない。

（実施形態３）
実施形態３に係る高周波モジュール１ｂについて、図２０及び２１を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、実施形態２に係る高周波モジュール１ａにおける実装基板６ａの代わりに、実装基板６ｂを備える点で、実施形態２に係る高周波モジュール１ａと相違する。実施形態３に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１ａと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実装基板６ｂは、第１主面６１と第２主面６２とをつないでいる４つの側面６３，６４，６５，６６を有する。実装基板６ｂは、実装基板６ａと比べて、グランド層６５１のサイズが大きく、グランド層６５１の外周縁が、４つの側面６３，６４，６５，６６に至っている。高周波モジュール１ｂは、４つの側面６３，６４，６５，６６のうち第２配線部６４２に近い２つの側面６３，６４の各々に配置されグランド層６５１につながっている２つの側面グランド層８３，８４を更に備える。

また、高周波モジュール１ｂは、側面６５，６６の各々に配置されグランド層６５１につながっている２つの側面グランド層８５，８６を更に備える。

実施形態３に係る高周波モジュール１ｂでは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、複数のビア導体６４５が、実装基板６ｂの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６１１と第２ランド電極６１２との間に位置している。これにより、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、第２配線部６４２に近い２つの側面６３，６４の各々に配置されグランド層６５１につながっている２つの側面グランド層８３，８４を更に備えるので、第１入出力電極１１１と第２入出力電極１１２との間のアイソレーションの向上を図ることが可能となる。

実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、例えば、図１２に示した実施形態１に係る高周波回路２及び通信装置３００の備える高周波モジュール１の代わりに用いることができる。

（実施形態４）
実施形態４に係る高周波モジュール１ｃについて、図２２を参照して説明する。実施形態４に係る高周波モジュール１ｃに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、実施形態４に係る高周波モジュール１ｃは、例えば、実施形態１に係る通信装置３００の高周波モジュール１の代わりに用いることができる。

実施形態４に係る高周波モジュール１ｃは、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とが１パッケージ化されておらず、互いに離れている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。

実施形態４に係る高周波モジュール１ｃでは、第１フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図れるだけでなく、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２の配置の自由度が高くなる。

実施形態４に係る高周波モジュール１ｃは、例えば、図１２に示した実施形態１に係る高周波回路２及び通信装置３００の備える高周波モジュール１の代わりに用いることができる。

（その他の変形例）
上記の実施形態１〜４は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１〜４は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

また、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３は、弾性表面波を利用する弾性波フィルタであるが、これに限らず、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。

第１フィルタ１１は、パッケージ構造を有していないベアチップであってもよい。また、第１フィルタ１１は、弾性表面波を利用する弾性波フィルタに限らず、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。また、第１フィルタ１１は、ラダー型フィルタに限らず、例えば、縦結合共振子型弾性表面波フィルタでもよい。

第１フィルタ１１の圧電性基板１１０は、圧電基板に限らず、例えば、圧電体層を含む積層型基板でもよい。

積層型基板は、例えば、支持基板と、支持基板上に設けられた低音速膜と、低音速膜上に設けられた圧電体層と、を有する。

支持基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。低音速膜は、支持基板の第１主面上に設けられている。

圧電体層の材料は、例えば、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトである。低音速膜は、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。低音速膜の材料は、酸化ケイ素に限定されない。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。支持基板では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、支持基板を伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、支持基板を伝搬するバルク波は、支持基板を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。支持基板の材料は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。

積層型基板は、支持基板と低音速膜との間に設けられている高音速膜を更に有していてもよい。高音速膜は、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。高音速膜の材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、圧電体（リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は水晶）、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。高音速膜の材料は、上述したいずれかの材料を主成分とする材料、又は、上述したいずれかの材料を含む混合物を主成分とする材料であってもよい。

積層型基板は、例えば、低音速膜と圧電体層との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、積層型基板は、低音速膜と圧電体層との間、圧電体層上、又は低音速膜下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。誘電体膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。また、第１フィルタ１１は、圧電性基板１１０上に設けられて複数のＩＤＴ電極１１６を覆っている保護膜を更に備えていてもよい。保護膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。

高周波モジュール１は、少なくとも、実装基板６と、第１フィルタ１１と、を備えていればよく、第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３（又は第３フィルタ１４）は、必須ではない。

高周波回路２は、第１送受信回路２０において、パワーアンプを含む送信経路とローノイズアンプを含む受信経路とのうち一方を有していればよく、第２送受信回路３０及び第３送受信回路４０は、必須ではない。

（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。

第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、実装基板（６；６ａ；６ｂ）と、フィルタ（１１）と、を備える。実装基板（６；６ａ；６ｂ）は、互いに対向する第１主面（６１）及び第２主面（６２）を有する。フィルタ（１１）は、第１入出力電極（１１１）及び第２入出力電極（１１２）を有し、実装基板（６；６ａ；６ｂ）の第１主面（６１）に配置されている。実装基板（６；６ａ；６ｂ）は、第１ランド電極（６１１）と、第２ランド電極（６１２）と、グランド端子（６２３）と、複数のビア導体（６４５）と、を有する。第１ランド電極（６１１）は、第１入出力電極（１１１）に接続されている。第２ランド電極（６１２）は、第２入出力電極（１１２）に接続されている。グランド端子（６２３）は、実装基板（６；６ａ；６ｂ）の厚さ方向（Ｄ１）において第１主面（６１）よりも第２主面（６２）側に位置している。複数のビア導体（６４５）は、第１主面（６１）と第２主面（６２）との間に配置されており、グランド端子（６２３）に接続されている。複数のビア導体（６４５）は、実装基板（６；６ａ；６ｂ）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１ランド電極（６１１）と第２ランド電極（６１２）との間に位置している。

第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、フィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１の態様において、フィルタ（１１）は、所定通過帯域を有するバンドパスフィルタを含む。

第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第２の態様において、所定通過帯域は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）の２．４ＧＨｚ帯の周波数帯域に対応している。

第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第２又は３の態様において、フィルタ（１１）は、複数の直列腕共振子（Ｓ１〜Ｓ５）と複数の並列腕共振子（Ｐ１〜Ｐ４）とを有するラダー型フィルタである。

第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、減衰特性の向上を図ることが可能となる。

第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第４の態様において、フィルタ（１１）である第１フィルタ（１１）とは別に、所定通過帯域の低周波数側と高周波数側との少なくとも一方に通過帯域を有する第２フィルタ（１２）を更に備える。

第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１フィルタ（１１）と第２フィルタ（１２）とを含むマルチプレクサとして用いる場合に、第１フィルタ（１１）のフィルタ特性が第２フィルタ（１２）のフィルタ特性に影響するのを抑制することが可能となる。

第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ｃ）は、第５の態様において、第１フィルタ（１１）の所定通過帯域及び第２フィルタ（１２）の通過帯域よりも高周波数側又は低周波数側に通過帯域を有する第３フィルタ（１３；１４）を更に備える。

第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ｃ）では、第１フィルタ（１１）と第２フィルタ（１２）と第３フィルタ（１３；１４）とを含むマルチプレクサとして用いる場合に、第１フィルタ（１１）のフィルタ特性が第２フィルタ（１２）及び第３フィルタ（１３；１４）それぞれのフィルタ特性に影響するのを抑制することが可能となる。

第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第２〜６の態様のいずれか一つにおいて、複数のビア導体（６４５）のうち隣り合う２つのビア導体（６４５）間の距離は、所定通過帯域の中心周波数の電波の波長の４分の１以下である。

第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、フィルタ（１１）の第１入出力電極（１１１）と第２入出力電極（１１２）との間のアイソレーションを向上させることができる。

第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ｃ）では、第１〜７の態様のいずれか一つにおいて、実装基板（６）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、多角形状である。第１ランド電極（６１１）と第２ランド電極（６１２）とのうち一方のランド電極が、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、実装基板（６）の第１主面（６１）の角部に配置されている。

第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ｃ）では、第１ランド電極（６１１）と第２ランド電極（６１２）とのうち実装基板（６）の第１主面（６１）の角部に配置されている一方のランド電極（第２ランド電極６１２）が、他方のランド電極（第１ランド電極６１１）と電磁界結合されにくくなる。

第９の態様に高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１〜８の態様において、実装基板（６；６ａ；６ｂ）は、第１ランド電極（６１１）に接続されている第１配線部（６４１）と、第２ランド電極（６１２）に接続されている第２配線部（６４２）と、を更に備える。複数のビア導体（６４５）は、実装基板（６；６ａ；６ｂ）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１配線部（６４１）と第２配線部（６４２）との間に位置している。

第９の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、複数のビア導体（６４５）によって第１配線部（６４１）と第２配線部（６４２）との電磁界結合を抑制でき、フィルタ特性の更なる向上を図れる。

第１０の態様に高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第９の態様において、第１配線部（６４１）の少なくとも一部は、実装基板（６）の第１主面（６１）と第２主面（６２）との間に位置している。第２配線部（６４２）の少なくとも一部は、実装基板（６）の第１主面（６１）と第２主面（６２）との間に位置している。

第１０の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、フィルタ（１１）のフィルタ特性の向上を図れる。

第１１の態様に高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第９の態様において、実装基板（６；６ａ；６ｂ）は、複数のビア導体（６４５）とグランド端子（６２３）とに接続されているグランド層（６５１）を更に備える。グランド層（６５１）は、厚さ方向（Ｄ１）において、複数のビア導体（６４５）とグランド端子（６２３）との間に位置している。グランド層（６５１）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、複数のビア導体（６４５）及びグランド端子（６２３）に重なっている。

第１１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、グランド電位を与えられるグランド層（６５１）の、実装基板（６；６ａ；６ｂ）の厚さ方向（Ｄ１）に直交する断面の断面積を大きくできる。これにより、グランド層（６５１）の抵抗値を小さくし、グランド端子（６２３）の電位の変動を抑制することが可能となる。

第１２の態様に高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、第１１の態様に基づく。高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、グランド層（６５１）の面積が、フィルタ（１１）の面積よりも大きい。

第１２の態様に高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、フィルタ特性の向上を図れる。

第１３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、第１１又は１２の態様において、複数のビア導体（６４５）とは異なり、厚さ方向（Ｄ１）においてグランド層（６５１）とグランド端子（６２３）との間に位置しグランド層（６５１）とグランド端子（６２３）とを接続しているビア導体（６５２）を更に備える。

第１３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、実装基板（６；６ａ；６ｂ）の第２主面（６２）におけるグランド端子（６２３）のレイアウトの自由度が高くなる。

第１４の態様に係る高周波モジュール（１ａ；１ｂ）では、第１１又は１２の態様において、第２配線部（６４２）は、厚さ方向（Ｄ１）に沿って配置されている配線用ビア導体（６４２１，６４２３）と、厚さ方向（Ｄ１）に直交する面に沿って配置されている内層導体部（６４２２）と、を含む。実装基板（６）は、グランド層（６５１）である第１グランド層とは別の第２グランド層（６５３）を更に備える。第２グランド層（６５３）は、第１主面（６１）と内層導体部（６４２２）との間に配置されている。第２グランド層（６５３）は、実装基板（６）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、内層導体部（６４２２）に重なっている。

第１４の態様に係る高周波モジュール（１ａ；１ｂ）では、第２配線部（６４２）と第１配線部（６４１）との間のアイソレーションの向上を図れ、フィルタ（１１）の第１入出力電極（１１１）と第２入出力電極（１１２）との間のアイソレーションの向上を図れる。

第１５の態様に係る高周波モジュール（１ｂ）では、第１４の態様において、実装基板（６）は、第１主面（６１）と第２主面（６２）とをつないでいる４つの側面（６３，６４，６５，６６）を有する。高周波モジュール（１ｂ）は、４つの側面（６３，６４，６５，６６）のうち第２配線部（６４２）に近い２つの側面（６３，６４）の各々に配置されグランド層（６５１）につながっている２つの側面グランド層（８３，８４）を更に備える。

第１５の態様に係る高周波モジュール（１ｂ）では、フィルタ（１１）の第１入出力電極（１１１）と第２入出力電極（１１２）との間のアイソレーションを更に向上させることが可能となる。

第１６の態様に係る高周波回路（２）は、第１〜１５の態様のいずれか一つの高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）と、高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）のフィルタ（１１）に接続されるアンプ（パワーアンプ２４、ローノイズアンプ２５）と、を備える。

第１６の態様に係る高周波回路（２）では、フィルタ（１１）のフィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

第１７の態様に係る通信装置（３００）は、第１６の態様の高周波回路（２）と、信号処理回路（３０１）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）のフィルタ（１１）を通過する高周波信号を信号処理する。

第１７の態様に係る通信装置（３００）では、フィルタ（１１）のフィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

１、１ａ、１ｂ、１ｃ 高周波モジュール
２ 高周波回路
６、６ａ、６ｂ 実装基板
６１ 第１主面
６００ 共通端子
６０１ 第１端子
６０２ 第２端子
６０３ 第３端子
６１１ 第１ランド電極
６１２ 第２ランド電極
６１３ 第３ランド電極
６１４ 第４ランド電極
６１６ 第５ランド電極
６２ 第２主面
６３ 側面
６４ 側面
６５ 側面
６６ 側面
６２３ グランド端子
６４１ 第１配線部
６４２ 第２配線部
６４２１ 配線用ビア導体
６４２２ 内層導体部
６４２３ 配線用ビア導体
６４５ ビア導体
６４６ 内層配線部
６４７ 内層配線部
６４８ ビア導体
６４９ 内層配線部
６５０ ビア導体
６５１ グランド層（第１グランド層）
６５２ ビア導体
６５３ 第２グランド層
７ 樹脂層
１０ フィルタ装置
１１ フィルタ（第１フィルタ）
１１０圧電性基板
１１０１ 第１主面
１１０２ 第２主面
１１１ 第１入出力電極
１１２ 第２入出力電極
１１３ グランド電極
１１４ グランド電極
１１６ ＩＤＴ電極
１１８ スペーサ層
１１９ カバー部材
１２ 第２フィルタ
１２１ 入出力電極
１２２ 入出力電極
１３ 第３フィルタ
１３１ 入出力電極
１３２ 入出力電極
１６ 電子部品
２０ 第１送受信回路
２１ 第１スイッチ
２１１ 共通端子
２１２、２１３ 選択端子
２２ 送信フィルタ
２３ 受信フィルタ
２４ パワーアンプ
２５ ローノイズアンプ
３０ 第２送受信回路
３１ 第２スイッチ
３１１ 共通端子
３１２〜３１４ 選択端子
３２〜３４ デュプレクサ
３５ 第３スイッチ
３５１ 共通端子
３５２〜３５４ 選択端子
３６ 第４スイッチ
３６１ 共通端子
３６２〜３６４ 選択端子
３７ パワーアンプ
３８ ローノイズアンプ
４０ 第３送受信回路
４１ ダイプレクサ
４２ 第５スイッチ
４２１ 共通端子
４２２、４２３ 選択端子
４３ 第６スイッチ
４３１ 共通端子
４３２、４３３ 選択端子
４４ 送信フィルタ
４５ 受信フィルタ
４６ 送信フィルタ
４７ 受信フィルタ
４８ パワーアンプ
４９ ローノイズアンプ
５０ パワーアンプ
５１ ローノイズアンプ
５５ コントローラ
８３ 側面グランド層
８４ 側面グランド層
８５ 側面グランド層
８６ 側面グランド層
Ｓ１〜Ｓ５ 直列腕共振子
Ｐ１〜Ｐ４ 並列腕共振子
Ｎ１〜Ｎ４ ノード
３００ 通信装置
３０１ 信号処理回路
３０２ ＲＦ信号処理回路
３０３ ベースバンド信号処理回路
３１０ アンテナ
Ｄ１ 厚さ方向
ＤＡ１ 直線
ＳＱ１ 直角四辺形
Ｔ１ アンテナ端子
Ｔ２〜Ｔ１０ 信号端子
α 頂角

Claims (17)

1. 互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
   第１入出力電極及び第２入出力電極を有し、前記実装基板の前記第１主面に配置されているフィルタと、を備え、
   前記実装基板は、
   前記第１入出力電極に接続されている第１ランド電極と、
   前記第２入出力電極に接続されている第２ランド電極と、
   前記実装基板の厚さ方向において前記第１主面よりも前記第２主面側に位置しているグランド端子と、
   前記第１主面と前記第２主面との間に配置されており、前記グランド端子に接続されている複数のビア導体と、を有し、
   前記複数のビア導体は、前記厚さ方向からの平面視において、前記第１ランド電極と前記第２ランド電極との間に位置している、
   高周波モジュール。
2. 前記フィルタは、所定通過帯域を有するバンドパスフィルタを含む、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記所定通過帯域は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）の２．４ＧＨｚ帯の周波数帯域に対応している、
   請求項２に記載の高周波モジュール。
4. 前記フィルタは、複数の直列腕共振子と複数の並列腕共振子とを有するラダー型フィルタである、
   請求項２又は３に記載の高周波モジュール。
5. 前記フィルタである第１フィルタとは別に、前記所定通過帯域の低周波数側と高周波数側との少なくとも一方に通過帯域を有する第２フィルタを更に備える
   請求項４に記載の高周波モジュール。
6. 前記第１フィルタの前記所定通過帯域及び前記第２フィルタの通過帯域よりも高周波数側又は低周波数側に通過帯域を有する第３フィルタを更に備える、
   請求項５に記載の高周波モジュール。
7. 前記複数のビア導体のうち隣り合う２つのビア導体間の距離は、前記所定通過帯域の中心周波数の電波の波長の４分の１以下である、
   請求項２〜６のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
8. 前記実装基板は、前記厚さ方向からの平面視で、多角形状であり、
   前記第１ランド電極と前記第２ランド電極とのうち一方のランド電極が、前記厚さ方向からの平面視において、前記実装基板の第１主面の角部に配置されている、
   請求項１〜７のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
9. 前記実装基板は、
   前記第１ランド電極に接続されている第１配線部と、
   前記第２ランド電極に接続されている第２配線部と、を更に備え、
   前記複数のビア導体は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、前記第１配線部と前記第２配線部との間に位置している、
   請求項１〜８のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
10. 前記第１配線部の少なくとも一部は、前記実装基板の前記第１主面と前記第２主面との間に位置しており、
    前記第２配線部の少なくとも一部は、前記実装基板の前記第１主面と前記第２主面との間に位置している、
    請求項９に記載の高周波モジュール。
11. 前記実装基板は、前記複数のビア導体と前記グランド端子とに接続されているグランド層を更に備え、
    前記グランド層は、前記厚さ方向において、前記複数のビア導体と前記グランド端子との間に位置しており、
    前記グランド層は、前記厚さ方向からの平面視において、前記複数のビア導体及び前記グランド端子に重なっている、
    請求項９に記載の高周波モジュール。
12. 前記厚さ方向からの平面視において、前記グランド層の面積が、前記フィルタの面積よりも大きい、
    請求項１１に記載の高周波モジュール。
13. 前記複数のビア導体とは異なり、前記厚さ方向において前記グランド層と前記グランド層との間に位置し前記グランド層と前記グランド端子とを接続しているビア導体を更に備える、
    請求項１１又は１２に記載の高周波モジュール。
14. 前記第２配線部は、前記厚さ方向に沿って配置されているビア導体と、前記厚さ方向に直交する面に沿って配置されている内層導体部と、を含み、
    前記実装基板は、前記グランド層である第１グランド層とは別の第２グランド層を更に有し、
    前記第２グランド層は、
    前記第１主面と前記内層導体部との間に配置されており、
    前記厚さ方向からの平面視において、前記内層導体部に重なっている、
    請求項１１又は１２に記載の高周波モジュール。
15. 前記実装基板は、前記第１主面と前記第２主面とをつないでいる４つの側面を有し、
    前記高周波モジュールは、
    前記４つの側面のうち前記第２配線部に近い２つの側面の各々に配置され前記グランド層につながっている２つの側面グランド層を更に備える、
    請求項１４に記載の高周波モジュール。
16. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、
    前記高周波モジュールの前記フィルタに接続されるアンプと、を備える、
    高周波回路。
17. 請求項１６に記載の高周波回路と、
    前記高周波モジュールの前記フィルタを通過する高周波信号を信号処理する信号処理回路と、を備える、
    通信装置。

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