WO2019138811A1 - 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置 - Google Patents

弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置 Download PDF

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中川　亮
克也 大門
英樹 岩本
努 ▲高▼井
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株式会社村田製作所
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    • H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band

Definitions

  • the present invention relates generally to elastic wave devices, multiplexers, high frequency front end circuits, and communication devices, and more particularly to an elastic wave device including a plurality of elastic wave resonators, multiplexers, high frequency front end circuits, and communication devices.
  • an elastic wave resonator in which a high sound velocity film, a low sound velocity film, a piezoelectric film, and an IDT electrode are laminated in this order on a supporting substrate is known (for example, patent Reference 1).
  • the elastic wave resonator described in Patent Document 1 has a high confinement efficiency of elastic energy in the thickness direction of the support substrate and can obtain a high Q value, so that a filter with a small passage loss can be configured.
  • the elastic wave resonator described in Patent Document 1 has a problem that a large ripple (hereinafter referred to as a stop band ripple) is generated on the high frequency side of the antiresonance frequency due to the influence of the stop band end.
  • a stop band ripple a large ripple
  • the present invention has been made in view of the above problems, and provides an elastic wave device, a multiplexer, a high frequency front end circuit, and a communication device capable of reducing stop band ripple on the side higher than the antiresonance frequency. With the goal.
  • the elastic wave device concerning one mode of the present invention is provided between the 1st terminal which is an antenna terminal, and the 2nd terminal different from the 1st terminal.
  • the elastic wave device comprises a plurality of elastic wave resonators.
  • the plurality of elastic wave resonators include a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • the plurality of series arm resonators are provided on a first path connecting the first terminal and the second terminal.
  • the plurality of parallel arm resonators are provided on a plurality of second paths connecting the plurality of nodes on the first path and the ground.
  • the antenna end resonator When the elastic wave resonator electrically closest to the first terminal among the plurality of elastic wave resonators is an antenna end resonator, the antenna end resonator is a SAW resonator or a BAW resonator. At least one elastic wave resonator other than the antenna end resonator among the plurality of elastic wave resonators is a first elastic wave resonator.
  • the SAW resonator includes a piezoelectric substrate, and an IDT electrode formed on the piezoelectric substrate and having a plurality of electrode fingers.
  • the first elastic wave resonator includes a piezoelectric layer, an IDT electrode, and a high sound velocity member.
  • the IDT electrode is formed on the piezoelectric layer and has a plurality of electrode fingers.
  • the high sound velocity member is located on the opposite side to the IDT electrode with the piezoelectric layer interposed therebetween. In the high sound velocity member, the sound velocity of the bulk wave propagating is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the thickness of the piezoelectric layer is 3.5 ⁇ or less, where ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by an electrode finger cycle of the IDT electrode.
  • a multiplexer includes a first filter formed of the elastic wave device and a second filter.
  • the second filter is provided between the first terminal and a third terminal different from the first terminal.
  • the passband of the first filter is a lower frequency band than the passband of the second filter.
  • a high frequency front end circuit includes the multiplexer and an amplifier circuit connected to the multiplexer.
  • a communication apparatus includes the high frequency front end circuit and a signal processing circuit.
  • the signal processing circuit processes a high frequency signal transmitted and received by an antenna.
  • the high frequency front end circuit transmits the high frequency signal between the antenna and the signal processing circuit.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of an elastic wave device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a first elastic wave resonator in the elastic wave device of the above.
  • FIG. 3A is a plan view of an essential part of a first elastic wave resonator in the elastic wave device of the above.
  • FIG. 3B shows a first elastic wave resonator in the elastic wave device of the above, and is a sectional view taken along the line AA of FIG. 3A.
  • FIG. 4A is a plan view of relevant parts of the SAW resonator in the elastic wave device of the above.
  • FIG. 4B shows a SAW resonator in the elastic wave device of the above, and is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 4A.
  • FIG. 5 is a reflection characteristic diagram of the first elastic wave resonator in the elastic wave device of the above.
  • FIG. 6 is a graph showing frequency characteristics of phases of the SAW resonator and the first elastic wave resonator in the elastic wave device of the above.
  • FIG. 7 is a block diagram of a multiplexer, a high frequency front end circuit, and a communication device provided with the above elastic wave device.
  • FIG. 8A is a cross-sectional view of a first elastic wave resonator in an elastic wave device according to a first modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view of a first elastic wave resonator in an elastic wave device according to a second modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of an elastic wave device according to a third modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a circuit diagram of an elastic wave device according to a fourth modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 11A is a cross-sectional view of a BAW resonator in an elastic wave device according to a fifth modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 11B is a cross-sectional view of a BAW resonator in an elastic wave device according to a sixth modification of the embodiment of the present invention.
  • the elastic wave device 1, the multiplexer 100, the high frequency front end circuit 300, and the communication device 400 according to the embodiment will be described below with reference to the drawings.
  • FIG. 2 FIG. 3A, FIG. 3B, FIG. 4A, FIG. 4B, FIG. 8A, FIG. 8B, FIG. 11A and FIG. 11B which are referred to in the following embodiment etc.
  • the ratio of each of the element size and thickness does not necessarily reflect the actual size ratio.
  • the elastic wave device 1 is, for example, a ladder type filter.
  • the elastic wave device 1 is, in the embodiment, a first filter 11 (see FIG. 7) described later.
  • the elastic wave device 1 includes a plurality of (nine in the illustrated example) elastic wave resonators 31 to 39.
  • the plurality of elastic wave resonators 31 to 39 are a plurality of (five in the illustrated example) series arm resonators 31, 33, 35, 37, 39, and a plurality (four in the illustrated example) parallel arm resonators 32, 34, 36, 38, and.
  • the elastic wave device 1 is provided between a first terminal 101 which is an antenna terminal and a second terminal 102 different from the first terminal 101, which are electrically connected to the antenna 200, as shown in FIG. ing.
  • a plurality of series arm resonators 31, 33, 35, 37, 39 are connected in series on a first path r1 connecting the first terminal 101 and the second terminal 102.
  • the series arm resonator 31 is electrically closest to the first terminal 101
  • the series arm resonator 39 is connected to the second terminal 102. They are connected in series in this order from the first terminal 101 side so as to be electrically closest to each other.
  • the first terminal 101 is a common terminal of a first filter 11, a second filter 12, a third filter 21 and a fourth filter 22 (see FIG. 7) described later, and the antenna 200 is electrically connected.
  • the second terminal 102 is an individual terminal of the first filter 11 among the first filter 11, the second filter 12, the third filter 21, and the fourth filter 22.
  • a plurality of parallel arm resonators 32, 34, 36, 38 connect a plurality of (four in the illustrated example) nodes N1, N2, N3, N4 on the first path r1 to the ground (four in the illustrated example) And the second route r21, r22, r23, r24).
  • one end of parallel arm resonator 32 is connected to node N1, which is a connection point between series arm resonator 31 and series arm resonator 33, and the other end of parallel arm resonator 32 is connected to ground. It is done.
  • One end of the parallel arm resonator 34 is connected to a node N2 which is a connection point of the series arm resonator 33 and the series arm resonator 35, and the other end of the parallel arm resonator 34 is connected to the ground.
  • One end of the parallel arm resonator 36 is connected to a node N3 which is a connection point of the series arm resonator 35 and the series arm resonator 37, and the other end of the parallel arm resonator 36 is connected to the ground.
  • One end of the parallel arm resonator 38 is connected to a node N4 which is a connection point of the series arm resonator 37 and the series arm resonator 39, and the other end of the parallel arm resonator 38 is connected to the ground.
  • Each of the plurality of series arm resonators 31, 33, 35, 37, 39 and the plurality of parallel arm resonators 32, 34, 36, 38 is configured of a plurality of resonators connected in series or in parallel. May be
  • an element having a function of inductance or capacitance may be disposed in at least one of the first path r1 and the second paths r21, r22, r23, and r24.
  • the series arm resonator 31 electrically closest to the first terminal 101 among the plurality of series arm resonators 31, 33, 35, 37, 39, and the plurality of parallel arm resonances.
  • the parallel arm resonator 32 electrically closest to the first terminal 101 among the elements 32, 34, 36, 38 is integrated in one chip.
  • Parallel arm resonators 34, 36 and 38 are integrated on another chip. That is, elastic wave device 1 concerning an embodiment is constituted by two tips.
  • All the elastic wave resonators 31 to 39 may be integrated on one chip.
  • the parallel arm resonators 32 may be integrated on a chip on which the series arm resonators 33, 35, 37, 38 and the parallel arm resonators 34, 36, 38 are integrated.
  • the elastic wave resonator (series arm resonator) 31 electrically closest to the first terminal 101 among the plurality of elastic wave resonators 31 to 39 is an antenna end resonator. (Hereafter, it is also called “antenna end resonator 31").
  • the electrical connection is closest to the first terminal 101 among the series arm resonator 31 which is an antenna end resonator and the plurality of parallel arm resonators 32, 34, 36, 38.
  • the parallel arm resonator 32 is a SAW (Surface Acoustic Wave) resonator 3B.
  • the remaining series arm resonators 33, 35, 37, 39 and the remaining parallel arm resonators 34, 36, 38 are the first elastic wave resonators (high sound speed members Acoustic wave resonator) 3A.
  • the first elastic wave resonator 3A and the SAW resonator 3B are integrated on one chip. There is an advantage that the manufacture of the first filter 11 is facilitated.
  • the first elastic wave resonator 3A is, for example, a resonator having a three-layer structure. As shown in FIG. 2, the first elastic wave resonator 3A includes a piezoelectric layer 6A, an IDT (Interdigital Transducer) electrode 7A, and a high sound velocity member 4A.
  • IDT Interdigital Transducer
  • the IDT electrode 7A is formed on the piezoelectric layer 6A.
  • the term "formed on the piezoelectric layer 6A" as used herein refers to the case where it is formed directly on the piezoelectric layer 6A, and the case where it is formed indirectly on the piezoelectric layer 6A, and including.
  • the high sound velocity member 4A is located on the opposite side to the IDT electrode 7A across the piezoelectric layer 6A.
  • the piezoelectric layer 6A has a first major surface 61A on the IDT electrode 7A side and a second major surface 62A on the high sound velocity member 4A side. In the high sound velocity member 4A, the sound velocity of the lowest sound velocity bulk wave among the plurality of bulk waves propagating in the high sound velocity member 4A is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 6A.
  • the first elastic wave resonator 3A further includes a low sound velocity film 5A.
  • the low sound velocity film 5A is provided between the high sound velocity member 4A and the piezoelectric layer 6A.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating in the low sound velocity film 5A is slower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer 6A.
  • the high sound velocity member 4A is a high sound velocity support substrate 42.
  • the high sound velocity support substrate 42 supports the low sound velocity film 5A, the piezoelectric layer 6A, and the IDT electrode 7A.
  • the first elastic wave resonator 3A is a one-port elastic wave resonator provided with reflectors (for example, short circuit gratings) on both sides of the IDT electrode 7A in the elastic wave propagation direction.
  • the reflector is not essential.
  • the first elastic wave resonator 3A is not limited to the one-port elastic wave resonator, but may be, for example, a longitudinally coupled elastic wave resonator.
  • the piezoelectric layer 6A is made of, for example, LiTaO 3 , LiNbO 3 , ZnO, AlN, or PZT (lead zirconate titanate).
  • the thickness of the piezoelectric layer 6A is 3.5 ⁇ or less, where ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode finger cycle of the IDT electrode 7A.
  • ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode finger cycle of the IDT electrode 7A.
  • the IDT electrode 7A is an appropriate metal such as Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W, or an alloy mainly composed of any of these metals. It can be formed of a material. Further, the IDT electrode 7A may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are stacked. For example, although the IDT electrode 7A is an Al film, the present invention is not limited thereto. For example, an adhesion film made of a Ti film formed on the piezoelectric layer 6A and a main electrode made of an Al film formed on the adhesion film It may be a laminated film with a film. The thickness of the adhesion film is, for example, 10 nm. The thickness of the main electrode film is, for example, 130 nm.
  • the IDT electrode 7A includes a first bus bar 71A, a second bus bar 72A, a plurality of first electrode fingers 73A, and a plurality of second electrode fingers 74A.
  • FIG. 3B illustration of the high sound velocity member 4A and the low sound velocity film 5A shown in FIG. 2 is omitted.
  • the first bus bar 71A and the second bus bar 72A have a length in the second direction D2 (X-axis direction) orthogonal to the first direction D1 ( ⁇ ° Y direction) along the thickness direction of the high sound velocity member 4A. Measured.
  • the first bus bar 71A and the second bus bar 72A oppose each other in a third direction D3 orthogonal to both the first direction D1 and the second direction D2.
  • the plurality of first electrode fingers 73A are connected to the first bus bar 71A and extend toward the second bus bar 72A.
  • the plurality of first electrode fingers 73A extend from the first bus bar 71A along the third direction D3.
  • the tips of the plurality of first electrode fingers 73A and the second bus bar 72A are separated.
  • the plurality of first electrode fingers 73A have the same length and width.
  • the plurality of second electrode fingers 74A are connected to the second bus bar 72A and extend toward the first bus bar 71A.
  • the plurality of second electrode fingers 74A extend from the second bus bar 72A along the third direction D3.
  • the tips of the plurality of second electrode fingers 74A are apart from the first bus bar 71A.
  • the plurality of second electrode fingers 74A have the same length and width. In the example of FIG. 3A, the lengths and widths of the plurality of second electrode fingers 74A are the same as the lengths and widths of the plurality of first electrode fingers 73A, respectively.
  • the IDT electrode 7A the plurality of first electrode fingers 73A and the plurality of second electrode fingers 74A are alternately arranged one by one alternately in the second direction D2. Therefore, the first electrode finger 73A and the second electrode finger 74A adjacent in the longitudinal direction of the first bus bar 71A are separated.
  • the width of the first electrode finger 73A and the second electrode finger 74A is W A (see FIG. 3B), and the space width between the adjacent first electrode finger 73A and the second electrode finger 74A is S A
  • the IDT electrode 7A The duty ratio is defined as W A / (W A + S A ).
  • the duty ratio of the IDT electrode 7A is, for example, 0.5.
  • ⁇ is equal to the electrode finger cycle.
  • the electrode finger cycle is defined by the repetition cycle P ⁇ A (see FIG. 3B) of the plurality of first electrode fingers 73A or the plurality of second electrode fingers 74A. Therefore, the repetition period P ⁇ A is equal to ⁇ .
  • the duty ratio of the IDT electrode 7A is a ratio of the width W A of the first electrode finger 73A and the second electrode finger 74A to a half value (W A + S A ) of the electrode finger cycle.
  • the plurality of first electrode fingers 73A and the plurality of second electrode fingers 74A are separated in the second direction D2 Any configuration may be employed as long as the plurality of first electrode fingers 73A and the plurality of second electrode fingers 74A are alternately spaced apart from each other. For example, a region in which the first electrode finger 73A and the second electrode finger 74A are spaced apart and aligned one by one, and a region in which two of the first electrode finger 73A or the second electrode finger 74A are aligned in the second direction D2 And may be mixed.
  • the numbers of the plurality of first electrode fingers 73A and the plurality of second electrode fingers 74A in the IDT electrode 7A are not particularly limited.
  • the first elastic wave resonator 3A includes the low sound velocity film 5A provided between the high sound velocity member 4A which is the high sound velocity support substrate 42 and the piezoelectric layer 6A. , The acoustic velocity of the elastic wave is reduced. Elastic waves are essentially concentrated in low sound velocity media. Therefore, in the first elastic wave resonator 3A, the effect of confining elastic wave energy in the piezoelectric layer 6A and in the IDT electrode 7A in which the elastic wave is excited can be enhanced. Therefore, in the first elastic wave resonator 3A, the loss can be reduced and the Q value can be increased as compared with the case where the low sound velocity film 5A is not provided.
  • the first elastic wave resonator 3A may include, for example, an adhesive layer interposed between the low sound velocity film 5A and the piezoelectric layer 6A. Thereby, the first elastic wave resonator 3A can suppress the occurrence of peeling between the low sound velocity film 5A and the piezoelectric layer 6A.
  • the adhesion layer is made of, for example, resin (epoxy resin, polyimide resin or the like), metal or the like. Further, the first elastic wave resonator 3A is not limited to the adhesion layer, and the dielectric film may be either between the low sound velocity film 5A and the piezoelectric layer 6A, on the piezoelectric layer 6A, or below the low sound velocity film 5A. You may be prepared for
  • the material of the low sound velocity film 5A is, for example, at least one selected from the group consisting of silicon oxide, glass, silicon oxynitride, tantalum oxide, and a compound obtained by adding fluorine or carbon or boron to silicon oxide. It is the material of
  • the frequency temperature characteristic can be improved as compared with the case where the low sound velocity film 5A is not included.
  • the elastic constant of LiTaO 3 has negative temperature characteristics, and silicon oxide has positive temperature characteristics. Therefore, in the first elastic wave resonator 3A, the absolute value of TCF (Temperature Coefficient of Frequency) can be reduced. Also, the intrinsic acoustic impedance of silicon oxide is smaller than the intrinsic acoustic impedance of LiTaO 3 . Therefore, in the first elastic wave resonator 3A, it is possible to achieve both the expansion of the specific band due to the increase of the electromechanical coupling coefficient and the improvement of the frequency temperature characteristic.
  • the thickness of the low sound velocity film 5A is, for example, 2.0 ⁇ or less, where ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode finger cycle of the IDT electrode 7A.
  • the high sound velocity member 4A is a high sound velocity support substrate 42 supporting the piezoelectric layer 6A, the IDT electrode 7A, and the like. In the high sound velocity support substrate 42, the sound velocity of the bulk wave propagating in the high sound velocity support substrate 42 is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 6A.
  • the plan view shape of the high sound velocity member 4A (the outer peripheral shape when the high sound velocity member 4A is viewed from the first direction D1) is a rectangular shape, but it is not limited to a rectangular shape, and may be, for example, a square shape.
  • the high sound velocity member 4A is a crystal substrate. Specifically, the high sound velocity member 4A is a crystal substrate having a cubic crystal structure. As an example, the high sound velocity member 4A is a silicon substrate. The thickness of the high sound velocity member 4A is, for example, 120 ⁇ m.
  • the crystal substrate having a crystal structure may be, for example, a germanium substrate, a diamond substrate or the like in addition to a silicon substrate. Therefore, the material of the high sound velocity member 4A is not limited to silicon, and may be, for example, silicon carbide, germanium, diamond or the like.
  • the SAW resonator 3B includes a piezoelectric substrate 8B and an IDT electrode 7B formed on the piezoelectric substrate 8B, as shown in FIGS. 4A and 4B.
  • the piezoelectric substrate 8B is made of a piezoelectric material.
  • the piezoelectric material of the piezoelectric substrate 8B, LiTa0 3, LiNbO 3, or a suitable piezoelectric material such as quartz is used.
  • the IDT electrode 7B has the same configuration as the IDT electrode 7A (see FIGS. 3A and 3B) of the first elastic wave resonator 3A. That is, the IDT electrode 7B is similar to the first bus bar 71A, the second bus bar 72A, the plurality of first electrode fingers 73A, and the plurality of second electrode fingers 74A of the IDT electrode 7A. 72B, a plurality of first electrode fingers 73B and a plurality of second electrode fingers 74B.
  • the horizontal axis indicates frequency
  • the vertical axis on the left indicates the absolute value of the reflectance ⁇
  • the vertical axis on the right indicates the deflection angle of the reflectance ⁇ .
  • ⁇ 2 is the upper end frequency of the stop band
  • ⁇ 1 is the lower limit frequency of the stop band.
  • Arg ( ⁇ ) is described in the document “Introduction to surface acoustic wave device simulation technology”, Kenya Hashimoto, Realize, p.
  • ⁇ ⁇
  • the horizontal axis represents frequency
  • the vertical axis represents phase of impedance.
  • a dashed dotted line a1 is the case of the first elastic wave resonator 3A
  • a broken line a2 is the case of the SAW resonator 3B.
  • stop band ripple occurs on the frequency side higher than the antiresonance frequency in the phase characteristic of the impedance.
  • the "stop band ripple” referred to here is a ripple generated at a frequency higher than the antiresonance frequency due to the influence of the stop band end in the phase characteristic of the impedance of the elastic wave resonator.
  • stop band ripple refers to the side lobe characteristic of the reflection characteristic of the IDT electrode (see FIG. 5) on the higher frequency side than the upper end frequency (stop band end) of the stop band (stop band) for elastic waves. It is a ripple generated by the influence of The stop band is a frequency range where Bragg reflection for elastic waves occurs.
  • the Bragg frequency of the Bragg reflection which is the central frequency of the reflection band, is determined by the electrode finger period and the acoustic velocity of the elastic wave.
  • the width of the reflection band is determined by the material, thickness and width of the electrode finger of the IDT electrode.
  • the stop band ripple of the first elastic wave resonator 3A is generated near 1030 MHz.
  • the SAW resonator 3B no stop band ripple occurs in the vicinity of 1030 MHz in the phase characteristic of the impedance.
  • the elastic wave resonator electrically closest to the antenna has a large influence on the stop band ripple. Have found.
  • the stop band ripple can be reduced as compared with the case where all of the plurality of elastic wave resonators are the first elastic wave resonator 3A.
  • the reflection characteristic of the stop band is lowered as compared with the first elastic wave resonator 3A. Therefore, when the filter is configured by a plurality of elastic wave resonators, at least one elastic wave resonator other than the antenna end resonator among the plurality of elastic wave resonators is the first elastic wave resonator 3A. preferable.
  • the elastic wave resonator (antenna end resonator) 31 electrically closest to the first terminal 101 is the SAW resonator 3B, and the elastic wave resonators 33 to 39 are first elastic wave resonances. It is assumed that child 3A. As a result, it is possible to reduce the stop band ripple on the frequency side higher than the antiresonance frequency while suppressing the deterioration of the reflection characteristic and the passage characteristic.
  • the frequency temperature characteristic can also be improved as compared with the case where
  • the elastic wave device 1 is, as shown in FIG. 7, a multiplexer 100, a high frequency front end circuit 300 including the multiplexer 100, and a high frequency front end circuit 300. Can be applied to the communication device 400 including the The configurations of the multiplexer 100, the high frequency front end circuit 300, and the communication device 400 will be described below with reference to FIG.
  • the multiplexer 100 includes the first filter 11 including the first terminal 101, the second terminal 102, the third terminal 103, and the elastic wave device 1. , And the second filter 12.
  • the first terminal 101 is an antenna terminal that can be electrically connected to the antenna 200 outside the multiplexer 100.
  • the first filter 11 is a first receiving filter provided between the first terminal 101 and the second terminal 102.
  • the first filter 11 passes signals in the pass band of the first filter 11 and attenuates signals outside the pass band.
  • the second filter 12 is a second reception filter provided between the first terminal 101 and the third terminal 103.
  • the second filter 12 passes signals in the pass band of the second filter 12 and attenuates signals outside the pass band.
  • the first filter 11 and the second filter 12 have different passbands.
  • the passband of the first filter 11 is in a lower frequency range than the passband of the second filter 12. Therefore, in the multiplexer 100, the pass band of the second filter 12 is on the higher frequency side than the pass band of the first filter 11.
  • the maximum frequency of the pass band of the first filter 11 is lower than the minimum frequency of the pass band of the second filter 12.
  • the first filter 11 and the second filter 12 are connected to the common first terminal 101.
  • the multiplexer 100 further includes a fourth terminal 104, a fifth terminal 105, a third filter 21 and a fourth filter 22.
  • the fourth terminal 104, the fifth terminal 105, the third filter 21, and the fourth filter 22 are not essential components.
  • the third filter 21 is a first transmission filter provided between the first terminal 101 and the fourth terminal 104.
  • the third filter 21 passes signals in the pass band of the third filter 21 and attenuates signals outside the pass band.
  • the fourth filter 22 is a second transmission filter provided between the first terminal 101 and the fifth terminal 105.
  • the fourth filter 22 passes signals in the pass band of the fourth filter 22 and attenuates signals outside the pass band.
  • the antenna end resonator 31 of the first filter 11 is the SAW resonator 3B, and the elastic wave resonators 33 to 39 are the first elastic wave resonator 3A. Therefore, when the pass band of the second filter 12 is higher than the pass band of the first filter 11 as in the multiplexer 100 according to the embodiment, the stop band ripple generated in the first filter 11 is The influence exerted on the second filter 12 can be suppressed.
  • the high frequency front end circuit 300 includes a multiplexer 100, an amplifier circuit 303 (hereinafter also referred to as a first amplifier circuit 303), and a switch circuit 301 (hereinafter referred to as 1) (also referred to as a switch circuit 301).
  • the high frequency front end circuit 300 further includes an amplifier circuit 304 (hereinafter also referred to as a second amplifier circuit 304) and a switch circuit 302 (hereinafter also referred to as a second switch circuit 302).
  • the second amplification circuit 304 and the second switch circuit 302 are not essential components.
  • the first amplification circuit 303 amplifies and outputs the high frequency signal (reception signal) passed through the antenna 200, the multiplexer 100, and the first switch circuit 301.
  • the first amplifier circuit 303 is a low noise amplifier circuit.
  • the first switch circuit 301 has two selected terminals individually connected to the second terminal 102 and the third terminal 103 of the multiplexer 100, and a common terminal connected to the first amplifier circuit 303. That is, the first switch circuit 301 is connected to the first filter 11 through the second terminal 102 and to the second filter 12 through the third terminal 103.
  • the first switch circuit 301 is configured of, for example, a switch of an SPDT (Single Pole Double Throw) type.
  • the first switch circuit 301 is controlled by the control circuit.
  • the first switch circuit 301 connects the common terminal and any selected terminal in accordance with the control signal from the control circuit.
  • the first switch circuit 301 may be configured by a switch IC (Integrated Circuit).
  • the number of selected terminals connected to the common terminal is not limited to one, and may be plural. That is, the high frequency front end circuit 300 may be configured to support carrier aggregation.
  • the second amplifier circuit 304 amplifies a high frequency signal (transmission signal) output from the outside of the high frequency front end circuit 300 (for example, an RF signal processing circuit 401 described later), and passes through the second switch circuit 302 and the multiplexer 100. Output to the antenna 200.
  • the second amplifier circuit 304 is a power amplifier circuit.
  • the second switch circuit 302 is configured of, for example, an SPDT switch.
  • the second switch circuit 302 is controlled by the control circuit.
  • the second switch circuit 302 connects the common terminal and any of the selected terminals in accordance with the control signal from the control circuit.
  • the second switch circuit 302 may be configured by a switch IC. In the second switch circuit 302, the number of selected terminals connected to the common terminal is not limited to one, and may be plural.
  • the high frequency front end circuit 300 comprises a multiplexer 100. Therefore, similarly to the multiplexer 100, the influence of the stop band ripple generated in the first filter 11 on the second filter 12 can be suppressed.
  • the communication device 400 includes an RF signal processing circuit 401 and a high frequency front end circuit 300.
  • the RF signal processing circuit 401 processes a high frequency signal received by the antenna 200.
  • the high frequency front end circuit 300 transmits a high frequency signal (reception signal, transmission signal) between the antenna 200 and the RF signal processing circuit 401.
  • the communication device 400 further includes a baseband signal processing circuit 402.
  • the baseband signal processing circuit 402 may or may not be included in the signal processing circuit. That is, the signal processing circuit may be only the RF signal processing circuit 401.
  • the RF signal processing circuit 401 is, for example, a radio frequency integrated circuit (RFIC), and performs signal processing on a high frequency signal (reception signal). For example, the RF signal processing circuit 401 performs signal processing such as down conversion on a high frequency signal (reception signal) input from the antenna 200 via the high frequency front end circuit 300, and the reception signal generated by the signal processing Are output to the baseband signal processing circuit 402.
  • the baseband signal processing circuit 402 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit).
  • the received signal processed by the baseband signal processing circuit 402 is used, for example, as an image signal for displaying an image or as an audio signal for calling.
  • the RF signal processing circuit 401 performs signal processing such as up-conversion on the high frequency signal (transmission signal) output from the baseband signal processing circuit 402, for example, and performs high-frequency signal processing on the second The signal is output to the amplifier circuit 304.
  • the baseband signal processing circuit 402 performs, for example, predetermined signal processing on a transmission signal from the outside of the communication device 400.
  • the communication device 400 comprises a high frequency front end circuit 300 comprising a multiplexer 100. Therefore, similarly to the multiplexer 100, the influence of the stop band ripple generated in the first filter 11 on the second filter 12 can be suppressed.
  • the elastic wave device 1 is provided between the first terminal 101 as an antenna terminal and the second terminal 102 different from the first terminal 101.
  • the elastic wave device 1 includes a plurality of elastic wave resonators 31 to 39.
  • the plurality of elastic wave resonators 31 to 39 include a plurality of series arm resonators 31, 33, 35, 37, 39 and a plurality of parallel arm resonators 32, 34, 36, 38.
  • the plurality of series arm resonators 31, 33, 35, 37, 39 are provided on a first path r1 connecting the first terminal 101 and the second terminal 102.
  • the plurality of parallel arm resonators 32, 34, 36, 38 are arranged on the plurality of second paths r21, r22, r23, r24 connecting the plurality of nodes N1, N2, N3, N4 on the first path r1 with the ground.
  • the antenna end resonator 31 When the elastic wave resonator 31 electrically closest to the first terminal 101 among the plurality of elastic wave resonators 31 to 39 is the antenna end resonator, the antenna end resonator 31 has the SAW resonator 3 B or the BAW resonance. Children 3C and 3D.
  • the plurality of elastic wave resonators 31 to 39 at least one elastic wave resonator other than the antenna end resonator 31 is the first elastic wave resonator 3A.
  • the SAW resonator 3B includes a piezoelectric substrate 8B and an IDT electrode 7B formed on the piezoelectric substrate 8B and having a plurality of first electrode fingers 73B and second electrode fingers 74B.
  • the first elastic wave resonator 3A is formed on the piezoelectric layer 6A and the piezoelectric layer 6A, and includes an IDT electrode 7A having a plurality of first electrode fingers 73A and second electrode fingers 74A, and a high sound velocity member 4A. And.
  • the high sound velocity member 4A is located on the opposite side to the IDT electrode 7A across the piezoelectric layer 6A. In the high sound velocity member 4A, the sound velocity of the bulk wave propagating is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 6A.
  • the thickness of the piezoelectric layer 6A is 3.5 ⁇ or less when the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger cycle of the IDT electrode 7A is ⁇ .
  • the antenna end resonator (serial arm resonator) 31 electrically connected to the antenna 200 and closest to the first terminal 101 as the antenna terminal is the SAW resonator 3B. Therefore, it is possible to reduce the stop band ripple on the frequency side higher than the antiresonance frequency.
  • elastic wave resonators 33 to 39 other than the antenna end resonator 31 and the parallel arm resonator 32 among the plurality of elastic wave resonators 31 to 39 are the first elastic wave resonators. This is 3A, so that it is possible to suppress the deterioration of the passage characteristic and the reflection characteristic.
  • FIG. 8A is a cross-sectional view of the first elastic wave resonator 3Aa having a two-layer structure.
  • the same components as those of the first elastic wave resonator 3A are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the first elastic wave resonator 3Aa includes a high sound velocity member 4A, a piezoelectric layer 6A, and an IDT electrode 7A. That is, the low acoustic velocity film 5A is omitted in the first elastic wave resonator 3Aa.
  • the piezoelectric layer 6A is formed on the high sound velocity member 4A.
  • the first elastic wave resonator 3Aa may include an adhesive layer, a dielectric film or the like between the high sound velocity member 4A and the piezoelectric layer 6A.
  • the first elastic wave resonator 3Aa according to the first modification for at least one elastic wave resonator other than the antenna end resonator 31 of the elastic wave device 1, deterioration of the pass characteristic and the reflection characteristic of the first filter 11 can be realized. It can be suppressed.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view of the first elastic wave resonator 3Ab having a four-layer structure.
  • the same components as those of the first elastic wave resonator 3A are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the first elastic wave resonator 3Ab includes a high sound velocity member 4A, a low sound velocity film 5A, a piezoelectric layer 6A, and an IDT electrode 7A.
  • the high sound velocity member 4A also includes a support substrate 44A and a high sound velocity film 45A.
  • the high sound velocity film 45A is formed on the support substrate 44A.
  • the term “formed on the support substrate 44A” as used herein includes the case where the support substrate 44A is formed directly and the case where the support substrate 44A is formed indirectly.
  • the sound velocity of the lowest sound velocity bulk wave is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 6A.
  • the low sound velocity film 5A is formed on the high sound velocity film 45A.
  • the term “formed on the high sound velocity film 45A" as used herein means the case where it is formed directly on the high sound velocity film 45A, and the case where it is formed indirectly on the high sound velocity film 45A, including.
  • the sound velocity of the shear wave bulk wave propagating in the low sound velocity film 5A is slower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer 6A.
  • the piezoelectric layer 6A is formed on the low sound velocity film 5A.
  • the term “formed on the low sound velocity film 5A” as used herein means the case where it is formed directly on the low sound velocity film 5A and the case where it is formed indirectly on the low sound velocity film 5A, including.
  • the material of the support substrate 44A is silicon, but it is not limited thereto, and piezoelectric, such as sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, quartz, alumina, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite It may be various ceramics such as mullite, steatite, forsterite, dielectrics such as glass, semiconductors such as gallium nitride, resins, etc.
  • piezoelectric such as sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, quartz, alumina, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite It may be various ceramics such as mullite, steatite, forsterite, dielectrics such as glass, semiconductors such as gallium nitride, resins, etc.
  • the high sound velocity film 45A functions so as to confine the elastic wave in the portion where the piezoelectric layer 6A and the low sound velocity film 5A are stacked and to prevent leakage to the structure below the high sound velocity film 45A. Do.
  • the energy of the elastic wave of a specific mode used to obtain the characteristics of the filter or the resonator is the piezoelectric layer 6A and the low sound velocity film It is distributed in the whole of 5A, and also in a part of the high sound velocity film 45A on the low sound velocity film 5A side, and is not distributed in the support substrate 44A.
  • the mechanism of confining elastic waves by the high sound velocity film 45A is the same mechanism as in the case of love wave type surface waves which are non-leakage SH waves, for example, the document "Introduction to surface acoustic wave device simulation technology", Kenya Hashimoto, Realize, p. 26-28.
  • the above mechanism is different from the mechanism that confines an elastic wave using a Bragg reflector with an acoustic multilayer film.
  • the material of the high sound velocity film 45A is, for example, diamond like carbon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, quartz, alumina, zirconia, cordierite, mullite, steer It is at least one material selected from the group consisting of tight, forsterite, magnesia and diamond.
  • the thickness of the high sound velocity film 45A is preferably as large as possible in terms of the function of confining the elastic wave in the piezoelectric layer 6A and the low sound velocity film 5A.
  • the first elastic wave resonator 3Ab may have an adhesion layer, a dielectric film, etc. in addition to the high sound velocity film 45A, the low sound velocity film 5A, and the piezoelectric layer 6A.
  • the first elastic wave resonator 3Ab according to the second modification for at least one elastic wave resonator other than the antenna end resonator 31 of the elastic wave device 1, deterioration of the pass characteristic and the reflection characteristic of the first filter 11 can be realized. It can be suppressed.
  • the multiplexer 100b according to the third modification includes a plurality (two in the illustrated example) of resonator groups 30, as shown in FIG.
  • Each of the plurality of resonator groups 30 includes a plurality of elastic wave resonators 31 to 39.
  • the plurality of elastic wave resonators 31 to 39 include a plurality of series arm resonators 31, 33, 35, 37, 39 and a plurality of parallel arm resonators 32, 34, 36, 38.
  • the series arm resonator 31 and the parallel arm resonator 32 among the plurality of elastic wave resonators 31 to 39 are the SAW resonators 3B.
  • the remaining series arm resonators 33, 35, 37, 39 and the parallel arm resonators 34, 36, 38 are the first elastic wave resonators 3A.
  • the elastic wave resonator 31 electrically closest to the first terminal 101 is an antenna end resonator (hereinafter, also referred to as an “antenna end resonator 31”).
  • the plurality of antenna end resonators 31 included in the plurality of resonator groups 30 are integrated in one chip.
  • the elastic wave resonators (elastic wave resonators 31 and 32) surrounded by the dashed dotted line are integrated in one chip.
  • one of the plurality of resonator groups 30 (upper side in FIG. 9) is the first filter, and the other (lower side in FIG. 9) is the second filter.
  • the number of chips can be reduced as compared to the case where the antenna end resonators 31 are configured as separate chips, thereby It is possible to miniaturize the multiplexer 100b. Further, since the variation in frequency characteristics due to the variation in manufacturing of the multiplexer 100b is greatly affected by the variation in manufacturing of each chip, the variation in the above frequency characteristics can be reduced by reducing the number of chips.
  • the elastic wave resonators 31 and 32 of the plurality of resonator groups 30 are integrated in one chip, but at least one of the elastic wave resonators 31 of the plurality of resonator groups 30 is integrated. It may be integrated on the chip.
  • the elastic wave device 1c according to the modification 4 includes a plurality of (eight in the illustrated example) elastic wave resonators 31 to 38 as shown in FIG.
  • the plurality of elastic wave resonators 31 to 38 are a plurality of (four in the illustrated example) series arm resonators 31, 33, 35, 37, and a plurality of (four in the illustrated example) parallel arm resonators 32, 34, 36, 38, and.
  • the series arm resonator 31 and the parallel arm resonator 32 are directly connected to the first terminal 101 which is an antenna terminal.
  • the series arm resonator 31 is directly connected to the first terminal 101
  • the parallel arm resonator 32 is directly connected to the first terminal 101 as referred to herein means that the first terminal 101 is electrically connected with the first terminal 101 without the other elastic wave resonators 31, 33 to 38.
  • the series arm resonator 31 and the parallel arm resonator 32 are antenna end resonators.
  • the series arm resonator 31 and the parallel arm resonator 32 are the SAW resonator 3B.
  • the remaining series arm resonators 33, 35, 37 and the parallel arm resonators 34, 36, 38 are the first elastic wave resonators 3A.
  • a series arm resonator 31 and a parallel arm resonator 32 which are antenna end resonators are integrated in one chip.
  • series arm resonators 33, 35, 37 and parallel arm resonators 34, 36, 38 other than the antenna end resonators are integrated in another chip.
  • the series arm resonator 31 and the parallel arm resonator 32 which are antenna end resonators are the SAW resonator 3B. Therefore, when the multiplexer including the elastic wave device 1c as the first filter is configured, it is possible to reduce the stop band ripple on the frequency side higher than the antiresonance frequency.
  • both the series arm resonator 31 and the parallel arm resonator 32 may not be antenna end resonators. In other words, at least one of the series arm resonator 31 and the parallel arm resonator 32 may be an antenna end resonator.
  • the BAW resonator 3C includes a first electrode 96, a piezoelectric film 97, and a second electrode 98.
  • the piezoelectric film 97 is formed on the first electrode 96.
  • the second electrode 98 is formed on the piezoelectric film 97.
  • the BAW resonator 3C further includes a support member 90E.
  • the support member 90E supports the first electrode 96, the piezoelectric film 97, and the second electrode 98.
  • the support member 90E includes a support substrate 91 and an electrical insulation film 92 formed on the support substrate 91.
  • the support substrate 91 is, for example, a silicon substrate.
  • the electrical insulating film 92 is, for example, a silicon oxide film.
  • the piezoelectric film 97 is made of, for example, PZT (lead zirconate titanate).
  • the BAW resonator 3C has a cavity 99 on the opposite side of the first electrode 96 to the piezoelectric film 97 side.
  • the BAW resonator 3C can suppress the propagation of elastic wave energy to the support member 90E side, and the cavity 99 is formed.
  • the electromechanical coupling factor can be increased compared to the case where it is not done.
  • the BAW resonator 3C is a FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator).
  • the structure of the BAW resonator 3C constituting the FBAR is an example, and is not particularly limited.
  • the stop band ripple does not occur on the side higher than the antiresonance frequency. Further, in the BAW resonator 3C, as in the SAW resonator 3B, the reflection characteristic of the stop band is degraded as compared with the first elastic wave resonator 3A.
  • the stop band ripple on the side higher than the antiresonance frequency is reduced.
  • the BAW resonator 3D includes a first electrode 96, a piezoelectric film 97, and a second electrode 98.
  • the piezoelectric film 97 is formed on the first electrode 96.
  • the second electrode 98 is formed on the piezoelectric film 97.
  • the BAW resonator 3D further includes a support member 90F.
  • the support member 90F supports the first electrode 96, the piezoelectric film 97, and the second electrode 98.
  • the support member 90F includes a support substrate 91 and an acoustic multilayer film 95 formed on the support substrate 91.
  • the acoustic multilayer film 95 reflects the bulk elastic wave generated in the piezoelectric film 97.
  • a plurality of high acoustic impedance layers 93 with relatively high acoustic impedance and a plurality of low acoustic impedance layers 94 with relatively low acoustic impedance alternate in layers in the thickness direction of the support substrate 91.
  • the material of the high acoustic impedance layer 93 is, for example, Pt.
  • the material of the low acoustic impedance layer 94 is, for example, silicon oxide.
  • the support substrate 91 is, for example, a silicon substrate.
  • the piezoelectric film 97 is made of, for example, PZT (lead zirconate titanate).
  • the BAW resonator 3D has the above-described acoustic multilayer film 95 on the opposite side of the first electrode 96 to the piezoelectric film 97 side.
  • the BAW resonator 3D is an SMR (Solidly Mounted Resonator).
  • SMR Solidly Mounted Resonator
  • the structure of BAW resonator 3D which comprises SMR is an example, and is not specifically limited.
  • the stop band ripple does not occur on the side higher than the antiresonance frequency. Further, in the BAW resonator 3D, as in the SAW resonator 3B, the reflection characteristic of the stop band is degraded as compared with the first elastic wave resonator 3A.
  • the stop band ripple on the side higher than the antiresonance frequency is reduced.
  • the elastic wave device (1; 1c) according to the first aspect is provided between a first terminal (101) which is an antenna terminal and a second terminal (102) different from the first terminal (101). There is.
  • the elastic wave device (1; 1c) comprises a plurality of elastic wave resonators (31 to 39).
  • the plurality of elastic wave resonators (31 to 39) include a plurality of series arm resonators (31, 33, 35, 37, 39) and a plurality of parallel arm resonators (32, 34, 36, 38) Including.
  • a plurality of series arm resonators (31, 33, 35, 37, 39) are provided on a first path (r1) connecting the first terminal (101) and the second terminal (102).
  • the plurality of parallel arm resonators (32, 34, 36, 38) are connected to the plurality of nodes (N1, N2, N3, N4) on the first path (r1) and the plurality of second paths (r21). , R22, r23, r24).
  • the antenna end resonator (31) electrically closest to the first terminal (101) among the plurality of elastic wave resonators (31 to 39) is the antenna end resonator (31)
  • the antenna end resonator (31) 31) is a SAW resonator (3B) or a BAW resonator (3C; 3D).
  • At least one elastic wave resonator (33 to 39) other than the antenna end resonator (31) among the plurality of elastic wave resonators (31 to 39) is a first elastic wave resonator (3A; 3Aa; 3Ab) is there.
  • the SAW resonator (3B) is an IDT electrode formed on a piezoelectric substrate (8B) and a piezoelectric substrate (8B) and having a plurality of electrode fingers (first electrode fingers 73B and second electrode fingers 74B). And (7B).
  • the first elastic wave resonator (3A; 3Aa; 3Ab) is formed on the piezoelectric layer (6A) and the piezoelectric layer (6A), and the plurality of electrode fingers (the first electrode finger 73A and the second electrode) It includes an IDT electrode (7A) having a finger 74A) and a high sound velocity member (4A).
  • the high sound velocity member (4A) is located on the opposite side to the IDT electrode (7A) across the piezoelectric layer (6A). In the high sound velocity member (4A), the sound velocity of the bulk wave propagating is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer (6A).
  • the thickness of the piezoelectric layer (6A) is 3.5 ⁇ or less, where ⁇ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode finger cycle of the IDT electrode (7A).
  • the antenna end resonator (31) is a SAW resonator (3B) or a BAW resonator (3C; 3D), and at least one elastic wave resonator other than the antenna end resonator (31) is 1 acoustic wave resonator (3A; 3Aa; 3Ab).
  • the BAW resonator (3C; 3D) is formed on the first electrode (96) and the first electrode (96) And a second electrode (98) formed on the piezoelectric film (97).
  • the stop band ripple of the antenna end resonator (31) is the first elastic wave resonator (3A; 3Aa; 3Ab) Less than the stopband ripple of
  • the stop band ripple of the antenna end resonator (31) is of the first elastic wave resonator (3A; 3Aa; 3Ab) Less than stop band ripple.
  • one series arm of the plurality of series arm resonators (31, 33, 35, 37, 39)
  • the resonator (31) is electrically closer to the first terminal (101) than the plurality of parallel arm resonators (32, 34, 36, 38).
  • One series arm resonator (31) is an antenna end resonator (31).
  • one series arm resonator of the plurality of series arm resonators (31, 33, 35, 37) (31) and one parallel arm resonator (32) among the plurality of parallel arm resonators (32, 34, 36, 38) are directly connected to the first terminal (101).
  • At least one of one series arm resonator (31) and one parallel arm resonator (32) is an antenna end resonator (31, 32).
  • At least one elastic wave resonator (31; 32) is a SAW resonator (3B) or a BAW resonator (3C; 3D).
  • the elastic wave resonators (33 to 39) other than at least one elastic wave resonator (31; 32) among the plurality of elastic wave resonators (31 to 39) are the first elastic wave resonators (3A; 3Aa; 3Ab) ).
  • the SWA resonator (3B) or the BAW resonator (3C; 3D) is a chip different from the first elastic wave resonator (3A; 3Aa; 3Ab).
  • At least one elastic wave resonator (31; 32) including the antenna end resonator (31; 32) and the other elastic wave resonators (33 to 39) are integrated in one chip.
  • the filter can be easily manufactured.
  • the high sound velocity member (4A) is the sound velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric layer (6A) And a support substrate (44A) supporting the high sound velocity film (45A), the high sound velocity film (45A) in which the sound velocity of the bulk wave propagating is faster.
  • the first elastic wave resonator (3Ab) further includes a low sound velocity film (5A) formed on the high sound velocity film (45A).
  • the first elastic wave resonator (3Ab) by setting at least one elastic wave resonator (33 to 39) other than the antenna end resonator (31) as the first elastic wave resonator (3Ab), deterioration of the passage characteristic and the reflection characteristic can be achieved. It can be suppressed.
  • the first elastic wave resonator (3A) includes the high sound velocity member (4A) and the piezoelectric layer It further includes a low sound velocity membrane (5A) between (6A).
  • the low sound velocity film (5A) the sound velocity of the bulk wave propagating is slower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer (6A).
  • the high sound velocity member (4A) is a high sound velocity support substrate (42) in which the sound velocity of the bulk wave propagating is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer (6A).
  • the multiplexer (100; 100b) according to the tenth aspect includes a first filter (11) comprising the elastic wave device (1; 1c) according to any one of the first to ninth aspects, and a second filter (12). And.
  • the second filter (12) is provided between the first terminal (101) and the third terminal (103) different from the first terminal (101).
  • the passband of the first filter (11) is a lower frequency band than the passband of the second filter (12).
  • the multiplexer (100b) includes, in the tenth aspect, a plurality of resonator groups (30) each including a plurality of elastic wave resonators (31 to 39).
  • the first terminal (101) is a common terminal
  • the second terminal (102) is an individual terminal.
  • Antenna end resonators (31) of a plurality of resonator groups (30) are integrated in one chip.
  • the number of chips can be reduced as compared with the case where each antenna end resonator (31) is configured as a separate chip, and there is an advantage that miniaturization can be achieved.
  • the maximum frequency of the passband of the first filter (11) is lower than the minimum frequency of the passband of the second filter (12).
  • a high frequency front end circuit (300) includes the multiplexer (100) according to any of the tenth to twelfth aspects and an amplification circuit (303) connected to the multiplexer (100).
  • a communication apparatus (400) includes the high frequency front end circuit (300) according to the thirteenth aspect, and a signal processing circuit (RF signal processing circuit 401 and baseband signal processing circuit 402).
  • the signal processing circuit processes a high frequency signal transmitted and received by the antenna (200).
  • a high frequency front end circuit (300) transmits high frequency signals between the antenna (200) and the signal processing circuit.
  • the configurations according to the second to ninth aspects are not essential components of the elastic wave device (1; 1c), and can be omitted as appropriate.
  • the configuration according to the eleventh or twelfth aspect is not an essential configuration of the multiplexer (100), and can be omitted as appropriate.

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Abstract

反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減する。弾性波装置（１）は、アンテナ端子である第１端子（１０１）と、第１端子（１０１）とは異なる第２端子（１０２）との間に設けられ、複数の弾性波共振子（３１～３９）を備える。複数の弾性波共振子（３１～３９）は、複数の直列腕共振子（３１，３３，３５，３７，３９）と、複数の並列腕共振子（３２，３４，３６，３８）と、を含む。複数の弾性波共振子（３１～３９）のうち第１端子（１０１）に電気的に最も近い弾性波共振子（３１）をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子は、ＳＡＷ共振子（３Ｂ）又はＢＡＷ共振子である。複数の弾性波共振子（３１～３９）のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第１弾性波共振子（３Ａ）である。

Description

弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置
　本発明は、一般に弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置に関し、より詳細には、複数の弾性波共振子を備える弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置に関する。
　従来、弾性波共振子の一例として、支持基板上に、高音速膜、低音速膜、圧電膜、及びＩＤＴ電極をこの順序で積層してなる弾性波共振子が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の弾性波共振子は、支持基板の厚さ方向に弾性エネルギーの閉じ込め効率が高く、高いＱ値が得られることから、通過損失の小さいフィルタを構成することができる。
国際公開第２０１２／０８６６３９号
　ところで、特許文献１に記載の弾性波共振子では、反共振周波数よりも高周波数側にストップバンド端の影響による大きなリップル（以下、ストップバンドリップルと記載）が発生するという問題があった。
　本発明は上記問題点に鑑みて為されており、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る弾性波装置は、アンテナ端子である第１端子と、前記第１端子とは異なる第２端子との間に設けられている。前記弾性波装置は、複数の弾性波共振子を備える。前記複数の弾性波共振子は、複数の直列腕共振子と、複数の並列腕共振子と、を含む。前記複数の直列腕共振子は、前記第１端子と前記第２端子とを結ぶ第１経路上に設けられている。前記複数の並列腕共振子は、前記第１経路上の複数のノードそれぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路上に設けられている。前記複数の弾性波共振子のうち前記第１端子に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、前記アンテナ端共振子は、ＳＡＷ共振子又はＢＡＷ共振子である。前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第１弾性波共振子である。前記ＳＡＷ共振子は、圧電体基板と、前記圧電体基板上に形成されており、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、を含む。前記第１弾性波共振子は、圧電体層と、ＩＤＴ電極と、高音速部材と、を含む。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成されており、複数の電極指を有する。前記高音速部材は、前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置している。前記高音速部材では、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。前記圧電体層の厚さが、前記ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。
　本発明の一態様に係るマルチプレクサは、前記弾性波装置からなる第１フィルタと、第２フィルタと、を備える。前記第２フィルタは、前記第１端子と前記第１端子とは異なる第３端子との間に設けられている。前記第１フィルタの通過帯域が、前記第２フィルタの通過帯域よりも低周波数域である。
　本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、前記マルチプレクサと、前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える。
　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波フロントエンド回路と、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、アンテナで送受信される高周波信号を処理する。前記高周波フロントエンド回路は、前記アンテナと前記信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する。
　本発明によれば、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる、という効果がある。
図１は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の回路図である。 図２は、同上の弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。 図３Ａは、同上の弾性波装置における第１弾性波共振子の要部平面図である。図３Ｂは、同上の弾性波装置における第１弾性波共振子を示し、図３ＡのＡ－Ａ線断面図である。 図４Ａは、同上の弾性波装置におけるＳＡＷ共振子の要部平面図である。図４Ｂは、同上の弾性波装置におけるＳＡＷ共振子を示し、図４ＡのＡ－Ａ線断面図である。 図５は、同上の弾性波装置における第１弾性波共振子の反射特性図である。 図６は、同上の弾性波装置におけるＳＡＷ共振子及び第１弾性波共振子それぞれの位相の周波数特性を示すグラフである。 図７は、同上の弾性波装置を備えるマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置の構成図である。 図８Ａは、本発明の一実施形態の変形例１に係る弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。図８Ｂは、本発明の一実施形態の変形例２に係る弾性波装置における第１弾性波共振子の断面図である。 図９は、本発明の一実施形態の変形例３に係る弾性波装置の回路図である。 図１０は、本発明の一実施形態の変形例４に係る弾性波装置の回路図である。 図１１Ａは、本発明の一実施形態の変形例５に係る弾性波装置におけるＢＡＷ共振子の断面図である。図１１Ｂは、本発明の一実施形態の変形例６に係る弾性波装置におけるＢＡＷ共振子の断面図である。
　以下、実施形態に係る弾性波装置１、マルチプレクサ１００、高周波フロントエンド回路３００、及び通信装置４００について、図面を参照して説明する。
　下記の実施形態等において参照する図２、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図８Ａ、図８Ｂ、図１１Ａ及び図１１Ｂは、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（１）弾性波装置の全体構成
　まず、実施形態に係る弾性波装置１の全体構成について、図１を参照して説明する。
　実施形態に係る弾性波装置１は、例えば、ラダー型フィルタである。弾性波装置１は、実施形態では、後述する第１フィルタ１１（図７参照）である。弾性波装置１は、図１に示すように、複数（図示例では９つ）の弾性波共振子３１～３９を備える。複数の弾性波共振子３１～３９は、複数（図示例では５つ）の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９と、複数（図示例では４つ）の並列腕共振子３２，３４，３６，３８と、を含む。弾性波装置１は、図１に示すように、アンテナ２００に電気的に接続される、アンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられている。
　複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９は、第１端子１０１と第２端子１０２とを結ぶ第１経路ｒ１上に直列に接続されている。具体的には、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９は、直列腕共振子３１が第１端子１０１に電気的に最も近く、直列腕共振子３９が第２端子１０２に電気的に最も近くなるように、第１端子１０１側からこの順序で直列に接続されている。第１端子１０１は、後述する第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ２１及び第４フィルタ２２（図７参照）の共通端子であり、アンテナ２００が電気的に接続される。第２端子１０２は、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ２１及び第４フィルタ２２のうちの第１フィルタ１１の個別端子である。
　複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８は、第１経路ｒ１上の複数（図示例では４つ）のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４それぞれとグラウンドとを結ぶ複数（図示例では４つ）の第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４上に設けられている。具体的には、並列腕共振子３２の一端は、直列腕共振子３１と直列腕共振子３３との接続点であるノードＮ１に接続され、並列腕共振子３２の他端は、グラウンドに接続されている。並列腕共振子３４の一端は、直列腕共振子３３と直列腕共振子３５との接続点であるノードＮ２に接続され、並列腕共振子３４の他端は、グラウンドに接続されている。並列腕共振子３６の一端は、直列腕共振子３５と直列腕共振子３７との接続点であるノードＮ３に接続され、並列腕共振子３６の他端は、グラウンドに接続されている。並列腕共振子３８の一端は、直列腕共振子３７と直列腕共振子３９との接続点であるノードＮ４に接続され、並列腕共振子３８の他端は、グラウンドに接続されている。
　なお、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９及び複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８の各々は、直列又は並列に接続された複数の共振子で構成されていてもよい。また、第１経路ｒ１及び第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４の少なくとも１つにおいて、インダクタンス又はキャパシタンスの機能を有する素子が配置されていてもよい。
　実施形態では、図１に示すように、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い直列腕共振子３１と、複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８のうち第１端子１０１に電気的に最も近い並列腕共振子３２とが１チップに集積されている。また、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９のうち残りの直列腕共振子３３，３５，３７，３８と、複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８のうち残りの並列腕共振子３４，３６，３８とが別の１チップに集積されている。すなわち、実施形態に係る弾性波装置１は、２つのチップで構成されている。なお、すべての弾性波共振子３１～３９が１つのチップに集積されていてもよい。また、並列腕共振子３２は、直列腕共振子３３，３５，３７，３８と並列腕共振子３４，３６，３８とが集積されたチップに集積されていてもよい。
　ここで、実施形態に係る弾性波装置１では、複数の弾性波共振子３１～３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子（直列腕共振子）３１がアンテナ端共振子（以下、「アンテナ端共振子３１」ともいう）である。そして、実施形態に係る弾性波装置１では、アンテナ端共振子である直列腕共振子３１、及び複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８のうち第１端子１０１に電気的に最も近い並列腕共振子３２が、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子３Ｂである。また、実施形態に係る弾性波装置１では、残りの直列腕共振子３３，３５，３７，３９及び残りの並列腕共振子３４，３６，３８が、第１弾性波共振子（高音速部材を含む弾性波共振子）３Ａである。このように、第１弾性波共振子３ＡとＳＡＷ共振子３Ｂとを別々のチップに集積することによって、第１弾性波共振子３ＡとＳＡＷ共振子３Ｂとを１つのチップに集積する場合と比較して、第１フィルタ１１の製作が容易になる、という利点がある。
　（２）第１弾性波共振子及びＳＡＷ共振子の構成
　（２．１）第１弾性波共振子
　まず、第１弾性波共振子３Ａの構成について、図２、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。第１弾性波共振子３Ａは、例えば、３層構造の共振子である。第１弾性波共振子３Ａは、図２に示すように、圧電体層６Ａと、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極７Ａと、高音速部材４Ａと、を含む。
　ＩＤＴ電極７Ａは、圧電体層６Ａ上に形成されている。ここでいう「圧電体層６Ａ上に形成されている」とは、圧電体層６Ａ上に直接的に形成されている場合と、圧電体層６Ａ上に間接的に形成されている場合と、を含む。高音速部材４Ａは、圧電体層６Ａを挟んでＩＤＴ電極７Ａとは反対側に位置している。圧電体層６Ａは、ＩＤＴ電極７Ａ側の第１主面６１Ａと、高音速部材４Ａ側の第２主面６２Ａと、を有する。高音速部材４Ａでは、その中を伝搬する複数のバルク波のうち、最も低音速なバルク波の音速が、圧電体層６Ａを伝搬する弾性波の音速よりも高速である。
　また、第１弾性波共振子３Ａは、低音速膜５Ａを更に含む。低音速膜５Ａは、高音速部材４Ａと圧電体層６Ａとの間に設けられている。低音速膜５Ａでは、圧電体層６Ａを伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜５Ａを伝搬するバルク波の音速が低速である。高音速部材４Ａは、高音速支持基板４２である。高音速支持基板４２は、低音速膜５Ａ、圧電体層６Ａ及びＩＤＴ電極７Ａを支持している。高音速支持基板４２では、圧電体層６Ａを伝搬する弾性波の音速よりも、高音速支持基板４２を伝搬するバルク波の音速が高速である。第１弾性波共振子３Ａは、ＩＤＴ電極７Ａの弾性波伝搬方向の両側それぞれに反射器（例えば、短絡グレーティング）を備えた１ポート型弾性波共振子である。ただし、反射器は、必須ではない。なお、第１弾性波共振子３Ａは、１ポート型弾性波共振子に限らず、例えば、縦結合弾性波共振子であってもよい。
　（２．１．１）圧電体層
　圧電体層６Ａは、例えば、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、ＡｌＮ、又は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる。圧電体層６Ａの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。圧電体層６Ａの厚さが３．５λ以下である場合、Ｑ値は高くなるが、反共振周波数よりも高周波数側にストップバンドリップルが発生する。
　（２．１．２）ＩＤＴ電極
　ＩＤＴ電極７Ａは、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料により形成することができる。また、ＩＤＴ電極７Ａは、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。例えば、ＩＤＴ電極７Ａは、Ａｌ膜であるが、これに限らず、例えば、圧電体層６Ａ上に形成されたＴｉ膜からなる密着膜と、密着膜上に形成されたＡｌ膜からなる主電極膜との積層膜であってもよい。密着膜の厚さは、例えば、１０ｎｍである。また、主電極膜の厚さは、例えば、１３０ｎｍである。
　ＩＤＴ電極７Ａは、図３Ａ及び３Ｂに示すように、第１バスバー７１Ａと、第２バスバー７２Ａと、複数の第１電極指７３Ａと、複数の第２電極指７４Ａと、を含む。なお、図３Ｂでは、図２に示した高音速部材４Ａ及び低音速膜５Ａの図示を省略している。
　第１バスバー７１Ａ及び第２バスバー７２Ａは、高音速部材４Ａの厚さ方向に沿った第１方向Ｄ１（θ°Ｙ方向）に直交する第２方向Ｄ２（Ｘ軸方向）を長手方向とする長尺状である。ＩＤＴ電極７Ａでは、第１バスバー７１Ａと第２バスバー７２Ａとは、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２と両方に直交する第３方向Ｄ３において対向し合っている。
　複数の第１電極指７３Ａは、第１バスバー７１Ａに接続されており、第２バスバー７２Ａに向かって延びている。ここにおいて、複数の第１電極指７３Ａは、第１バスバー７１Ａから第３方向Ｄ３に沿って延びている。複数の第１電極指７３Ａの先端と第２バスバー７２Ａとは離れている。例えば、複数の第１電極指７３Ａは、互いの長さ及び幅が同じである。
　複数の第２電極指７４Ａは、第２バスバー７２Ａに接続されており、第１バスバー７１Ａに向かって延びている。ここにおいて、複数の第２電極指７４Ａは、第２バスバー７２Ａから第３方向Ｄ３に沿って延びている。複数の第２電極指７４Ａのそれぞれの先端は、第１バスバー７１Ａとは離れている。例えば、複数の第２電極指７４Ａは、互いの長さ及び幅が同じである。図３Ａの例では、複数の第２電極指７４Ａの長さ及び幅は、複数の第１電極指７３Ａの長さ及び幅それぞれと同じである。
　ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとが、第２方向Ｄ２において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第１バスバー７１Ａの長手方向において隣り合う第１電極指７３Ａと第２電極指７４Ａとは離れている。第１電極指７３Ａ及び第２電極指７４Ａの幅をＷＡ（図３Ｂ参照）とし、隣り合う第１電極指７３Ａと第２電極指７４Ａとのスペース幅をＳＡとした場合、ＩＤＴ電極７Ａにおいて、デューティ比は、ＷＡ／（ＷＡ＋ＳＡ）で定義される。ＩＤＴ電極７Ａのデューティ比は、例えば、０．５である。ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたとき、λは、電極指周期と等しい。電極指周期は、複数の第１電極指７３Ａ又は複数の第２電極指７４Ａの繰り返し周期ＰλＡ（図３Ｂ参照）で定義される。したがって、繰り返し周期ＰλＡとλとは等しい。ＩＤＴ電極７Ａのデューティ比は、電極指周期の２分の１の値（ＷＡ＋ＳＡ）に対する第１電極指７３Ａ及び第２電極指７４Ａの幅ＷＡの比である。
　複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとを含む一群の電極指は、複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとが、第２方向Ｄ２において、離隔して並んでいる構成であればよく、複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとが交互に互いに離隔して並んでいない構成であってもよい。例えば、第１電極指７３Ａと第２電極指７４Ａとが１本ずつ離隔して並んでいる領域と、第１電極指７３Ａ又は第２電極指７４Ａが第２方向Ｄ２において２つ並んでいる領域と、とが混在してもよい。ＩＤＴ電極７Ａにおける複数の第１電極指７３Ａ及び複数の第２電極指７４Ａそれぞれの数は特に限定されない。
　（２．１．３）低音速膜
　第１弾性波共振子３Ａでは、高音速支持基板４２である高音速部材４Ａと圧電体層６Ａとの間に設けられた低音速膜５Ａを含むことにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、第１弾性波共振子３Ａでは、圧電体層６Ａ内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極７Ａ内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、第１弾性波共振子３Ａでは、低音速膜５Ａが設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
　第１弾性波共振子３Ａは、例えば低音速膜５Ａと圧電体層６Ａとの間に介在する密着層を含んでいてもよい。これにより、第１弾性波共振子３Ａは、低音速膜５Ａと圧電体層６Ａとの間で剥離が生じるのを抑制することができる。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）、金属等からなる。また、第１弾性波共振子３Ａは、密着層に限らず、誘電体膜を、低音速膜５Ａと圧電体層６Ａとの間、圧電体層６Ａ上、又は低音速膜５Ａ下のいずれかに備えていてもよい。
　低音速膜５Ａの材料は、例えば、酸化ケイ素と、ガラスと、酸窒化ケイ素と、酸化タンタルと、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物と、からなる群から選択される少なくとも１種の材料である。
　第１弾性波共振子３Ａでは、例えば、低音速膜５Ａが酸化ケイ素の場合、低音速膜５Ａを含んでいない場合と比べて、周波数温度特性を改善することができる。ＬｉＴａＯ３の弾性定数は負の温度特性を有し、酸化ケイ素は正の温度特性を有する。したがって、第１弾性波共振子３Ａでは、ＴＣＦ（Temperature Coefficient of Frequency）の絶対値を小さくすることができる。また、酸化ケイ素の固有音響インピーダンスは、ＬｉＴａＯ３の固有音響インピーダンスよりも小さい。したがって、第１弾性波共振子３Ａでは、電気機械結合係数の増大による比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との双方を図ることができる。
　低音速膜５Ａの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとすると、例えば、２．０λ以下である。
　（２．１．４）高音速部材
　高音速部材４Ａは、圧電体層６Ａ及びＩＤＴ電極７Ａ等を支持している高音速支持基板４２である。高音速支持基板４２では、圧電体層６Ａを伝搬する弾性波の音速よりも、高音速支持基板４２を伝搬するバルク波の音速が高速である。
　高音速部材４Ａの平面視形状（高音速部材４Ａを第１方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。高音速部材４Ａは、結晶基板である。具体的には、高音速部材４Ａは、立方晶系の結晶構造を有する結晶基板である。一例として、高音速部材４Ａでは、シリコン基板である。高音速部材４Ａの厚さは、例えば、１２０μｍである。結晶構造を有する結晶基板は、シリコン基板以外に、例えば、ゲルマニウム基板、ダイヤモンド基板等であってもよい。したがって、高音速部材４Ａの材料は、シリコンに限らず、例えば、シリコンカーバイド、ゲルマニウム、ダイヤモンド等であってもよい。
　（２．２）ＳＡＷ共振子の構成
　次に、ＳＡＷ共振子３Ｂの構成について、図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明する。
　ＳＡＷ共振子３Ｂは、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、圧電体基板８Ｂと、圧電体基板８Ｂ上に形成されているＩＤＴ電極７Ｂと、を含む。
　（２．２．１）圧電体基板
　圧電体基板８Ｂは、圧電材料からなる。圧電体基板８Ｂの圧電材料としては、ＬｉＴａ０３、ＬｉＮｂＯ３、又は水晶等の適宜の圧電材料が用いられる。
　（２．２．２）ＩＤＴ電極
　ＩＤＴ電極７Ｂは、第１弾性波共振子３ＡのＩＤＴ電極７Ａ（図３Ａ及び図３Ｂ参照）と同様の構成を有する。すなわち、ＩＤＴ電極７Ｂは、ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１Ａ、第２バスバー７２Ａ、複数の第１電極指７３Ａ及び複数の第２電極指７４Ａのそれぞれと同様の、第１バスバー７１Ｂ、第２バスバー７２Ｂ、複数の第１電極指７３Ｂ及び複数の第２電極指７４Ｂを備える。
　（３）弾性波共振子の特性
　次に、第１弾性波共振子３Ａ及びＳＡＷ共振子３Ｂの特性について、図５及び図６を参照して説明する。図５において、横軸は周波数を示し、左側の縦軸は反射率γの絶対値を示し、右側の縦軸は反射率γの偏角を示している。なお、図５の横軸において、ω２がストップバンドの上端周波数であり、ω１がストップバンドの下限周波数である。また、Ａｒｇ（γ）は、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２１５に記載されている「∠Γ」と同じ意味である。図６において、横軸は周波数を示し、縦軸はインピーダンスの位相を示している。また、図６において、一点鎖線ａ１は第１弾性波共振子３Ａの場合であり、破線ａ２はＳＡＷ共振子３Ｂの場合である。
　図６から、第１弾性波共振子３Ａでは、インピーダンスの位相特性において、反共振周波数よりも高周波数側にストップバンドリップルが発生する。ここでいう「ストップバンドリップル」とは、弾性波共振子のインピーダンスの位相特性において、ストップバンド端の影響によって反共振周波数よりも高い周波数に発生するリップルである。詳細には、「ストップバンドリップル」とは、弾性波に対するストップバンド（阻止域）の上端周波数（ストップバンド端）よりも高周波数側において、ＩＤＴ電極の反射特性（図５参照）のサイドローブ特性の影響で発生するリップルである。ストップバンドは、弾性波に対するブラッグ反射が生じる周波数域である。反射帯域の中心周波数であるブラッグ反射のブラッグ周波数は、電極指周期と弾性波の音速によって決まる。反射帯域の幅は、ＩＤＴ電極の材料、厚さ及び電極指の幅等によって決まる。
　図６の例では、第１弾性波共振子３Ａのストップバンドリップルが、１０３０ＭＨｚ付近に発生している。これに対して、ＳＡＷ共振子３Ｂでは、インピーダンスの位相特性において、１０３０ＭＨｚ付近にストップバンドリップルは発生していない。また、発明者らは、複数の弾性波共振子でフィルタを構成した場合、複数の弾性波共振子のうちアンテナに電気的に最も近い弾性波共振子が上記ストップバンドリップルに与える影響が大きいことを見出している。したがって、複数の弾性波共振子でフィルタを構成する場合には、複数の弾性波共振子のうち少なくともアンテナに電気的に最も近い弾性波共振子（アンテナ端共振子）がＳＡＷ共振子３Ｂであることが好ましい。これにより、複数の弾性波共振子のすべてが第１弾性波共振子３Ａである場合と比較して、上記ストップバンドリップルを低減することができる。
　また、図６から、ＳＡＷ共振子３Ｂでは、第１弾性波共振子３Ａと比較して、ストップバンドの反射特性が低下している。したがって、複数の弾性波共振子でフィルタを構成する場合には、複数の弾性波共振子のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子が第１弾性波共振子３Ａであることが好ましい。
　実施形態の弾性波装置１では、第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子（アンテナ端共振子）３１をＳＡＷ共振子３Ｂとし、弾性波共振子３３～３９を第１弾性波共振子３Ａとしている。その結果、反射特性及び通過特性の低下を抑制しつつ反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
　また、複数の弾性波共振子のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子を第１弾性波共振子３Ａとすることで、複数の弾性波共振子のすべてをＳＡＷ共振子３Ｂとした場合と比較して、周波数温度特性を向上することもできる。
　（４）マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、通信装置の構成
　実施形態に係る弾性波装置１は、図７に示すように、マルチプレクサ１００、マルチプレクサ１００を備える高周波フロントエンド回路３００、及び高周波フロントエンド回路３００を備える通信装置４００に適用することができる。以下、マルチプレクサ１００、高周波フロントエンド回路３００及び通信装置４００の構成について、図７を参照して説明する。
　（４．１）マルチプレクサ
　実施形態に係るマルチプレクサ１００は、図７に示すように、第１端子１０１と、第２端子１０２と、第３端子１０３と、弾性波装置１からなる第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２と、を備える。
　第１端子１０１は、マルチプレクサ１００の外部のアンテナ２００と電気的に接続可能なアンテナ端子である。
　第１フィルタ１１は、第１端子１０１と第２端子１０２との間に設けられる第１受信側フィルタである。第１フィルタ１１は、第１フィルタ１１の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。
　第２フィルタ１２は、第１端子１０１と第３端子１０３との間に設けられる第２受信側フィルタである。第２フィルタ１２は、第２フィルタ１２の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。
　第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とは互いに異なる通過帯域を有している。マルチプレクサ１００では、第１フィルタ１１の通過帯域が、第２フィルタ１２の通過帯域よりも低周波数域である。したがって、マルチプレクサ１００では、第２フィルタ１２の通過帯域が第１フィルタ１１の通過帯域よりも高周波数側にある。マルチプレクサ１００では、例えば、第１フィルタ１１の通過帯域の最大周波数が、第２フィルタ１２の通過帯域の最小周波数よりも低い。
　マルチプレクサ１００では、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とが共通の第１端子１０１に接続されている。
　また、マルチプレクサ１００は、図７に示すように、第４端子１０４と、第５端子１０５と、第３フィルタ２１と、第４フィルタ２２と、を更に備える。ただし、マルチプレクサ１００において、第４端子１０４と、第５端子１０５と、第３フィルタ２１と、第４フィルタ２２とは、必須の構成要素ではない。
　第３フィルタ２１は、第１端子１０１と第４端子１０４との間に設けられる第１送信側フィルタである。第３フィルタ２１は、第３フィルタ２１の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。
　第４フィルタ２２は、第１端子１０１と第５端子１０５との間に設けられる第２送信側フィルタである。第４フィルタ２２は、第４フィルタ２２の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。
　マルチプレクサ１００では、第１フィルタ１１のアンテナ端共振子３１がＳＡＷ共振子３Ｂであり、弾性波共振子３３～３９が第１弾性波共振子３Ａである。したがって、実施形態に係るマルチプレクサ１００のように、第２フィルタ１２の通過帯域が、第１フィルタ１１の通過帯域よりも高周波数側である場合には、第１フィルタ１１で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ１２に与える影響を抑制することができる。
　（４．２）高周波フロントエンド回路
　高周波フロントエンド回路３００は、図７に示すように、マルチプレクサ１００と、増幅回路３０３（以下、第１増幅回路３０３ともいう）と、スイッチ回路３０１（以下、第１スイッチ回路３０１ともいう）と、を備える。また、高周波フロントエンド回路３００は、増幅回路３０４（以下、第２増幅回路３０４ともいう）と、スイッチ回路３０２（以下、第２スイッチ回路３０２ともいう）と、を更に備える。ただし、高周波フロントエンド回路３００において、第２増幅回路３０４及び第２スイッチ回路３０２は、必須の構成要素ではない。
　第１増幅回路３０３は、アンテナ２００、マルチプレクサ１００及び第１スイッチ回路３０１を経由した高周波信号（受信信号）を増幅して出力する。第１増幅回路３０３は、ローノイズアンプ回路である。
　第１スイッチ回路３０１は、マルチプレクサ１００の第２端子１０２及び第３端子１０３に個別に接続された２つの被選択端子と、第１増幅回路３０３に接続された共通端子と、を有する。つまり、第１スイッチ回路３０１は、第２端子１０２を介して第１フィルタ１１と接続され、第３端子１０３を介して第２フィルタ１２と接続されている。
　第１スイッチ回路３０１は、例えば、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチによって構成される。第１スイッチ回路３０１は、制御回路によって制御される。第１スイッチ回路３０１は、上記制御回路からの制御信号にしたがって、共通端子といずれかの被選択端子とを接続する。第１スイッチ回路３０１は、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）によって構成されてもよい。なお、第１スイッチ回路３０１では、共通端子と接続される被選択端子は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路３００は、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation）に対応するように構成されていてもよい。
　第２増幅回路３０４は、高周波フロントエンド回路３００の外部（例えば、後述のＲＦ信号処理回路４０１）から出力された高周波信号（送信信号）を増幅し、第２スイッチ回路３０２及びマルチプレクサ１００を経由してアンテナ２００に出力する。第２増幅回路３０４は、パワーアンプ回路である。
　第２スイッチ回路３０２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチによって構成される。第２スイッチ回路３０２は、上記制御回路によって制御される。第２スイッチ回路３０２は、上記制御回路からの制御信号にしたがって、共通端子といずれかの被選択端子とを接続する。第２スイッチ回路３０２は、スイッチＩＣによって構成されてもよい。なお、第２スイッチ回路３０２では、共通端子と接続される被選択端子は１つに限らず、複数であってもよい。
　高周波フロントエンド回路３００は、マルチプレクサ１００を備えている。そのため、マルチプレクサ１００と同様に、第１フィルタ１１で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ１２に与える影響を抑制することができる。
　（４．３）通信装置
　通信装置４００は、図７に示すように、ＲＦ信号処理回路４０１と、高周波フロントエンド回路３００と、を備える。ＲＦ信号処理回路４０１は、アンテナ２００で受信される高周波信号を処理する。高周波フロントエンド回路３００は、アンテナ２００とＲＦ信号処理回路４０１との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。また、通信装置４００は、ベースバンド信号処理回路４０２を更に備える。ただし、通信装置４００において、ベースバンド信号処理回路４０２は、信号処理回路に含まれていてもよいし、含まれていなくてもよい。すなわち、信号処理回路は、ＲＦ信号処理回路４０１のみであってもよい。
　ＲＦ信号処理回路４０１は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号（受信信号）に対する信号処理を行う。例えば、ＲＦ信号処理回路４０１は、アンテナ２００から高周波フロントエンド回路３００を介して入力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、当該信号処理により生成された受信信号をベースバンド信号処理回路４０２へ出力する。ベースバンド信号処理回路４０２は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路４０２で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。
　また、ＲＦ信号処理回路４０１は、例えば、ベースバンド信号処理回路４０２から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を第２増幅回路３０４へ出力する。ベースバンド信号処理回路４０２は、例えば、通信装置４００の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。
　通信装置４００は、マルチプレクサ１００を含む高周波フロントエンド回路３００を備えている。そのため、マルチプレクサ１００と同様に、第１フィルタ１１で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ１２に与える影響を抑制することができる。
　（５）効果
　実施形態に係る弾性波装置１は、アンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられている。弾性波装置１は、複数の弾性波共振子３１～３９を備える。
　複数の弾性波共振子３１～３９は、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９と、複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８と、を含む。複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９は、第１端子１０１と第２端子１０２とを結ぶ第１経路ｒ１上に設けられている。複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８は、第１経路ｒ１上の複数のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４それぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４上に設けられている。
　複数の弾性波共振子３１～３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子３１をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子３１は、ＳＡＷ共振子３Ｂ又はＢＡＷ共振子３Ｃ，３Ｄである。複数の弾性波共振子３１～３９のうちアンテナ端共振子３１以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第１弾性波共振子３Ａである。
　ＳＡＷ共振子３Ｂは、圧電体基板８Ｂと、圧電体基板８Ｂ上に形成されており、複数の第１電極指７３Ｂ及び第２電極指７４Ｂを有するＩＤＴ電極７Ｂと、を含む。
　第１弾性波共振子３Ａは、圧電体層６Ａと、圧電体層６Ａ上に形成されており、複数の第１電極指７３Ａ及び第２電極指７４Ａを有するＩＤＴ電極７Ａと、高音速部材４Ａと、を含む。高音速部材４Ａは、圧電体層６Ａを挟んでＩＤＴ電極７Ａとは反対側に位置している。高音速部材４Ａは、圧電体層６Ａを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層６Ａの厚さが、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。
　実施形態に係る弾性波装置１では、アンテナ２００に電気的に接続される、アンテナ端子である第１端子１０１に電気的に最も近いアンテナ端共振子（直列腕共振子）３１がＳＡＷ共振子３Ｂであり、そのため反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。また、実施形態に係る弾性波装置１では、複数の弾性波共振子３１～３９のうちアンテナ端共振子３１及び並列腕共振子３２以外の弾性波共振子３３～３９が第１弾性波共振子３Ａであり、そのため通過特性及び反射特性の低下を抑制することができる。
　（６）変形例
　上述の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上述の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上述の実施形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
　（６．１）変形例１
　上述の実施形態では、第１弾性波共振子３Ａが３層構造である場合を例示したが、２層構造であってもよい。以下、２層構造の第１弾性波共振子３Ａａの構成について、図８Ａを参照して説明する。図８Ａは、２層構造の第１弾性波共振子３Ａａの断面図である。なお、変形例１において、第１弾性波共振子３Ａと同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
　第１弾性波共振子３Ａａは、図８Ａに示すように、高音速部材４Ａと、圧電体層６Ａと、ＩＤＴ電極７Ａと、を備える。つまり、第１弾性波共振子３Ａａは、低音速膜５Ａが省略されている。第１弾性波共振子３Ａａでは、高音速部材４Ａ上に圧電体層６Ａが形成されている。第１弾性波共振子３Ａａは、高音速部材４Ａと圧電体層６Ａとの間に、密着層、誘電体膜等を含んでいてもよい。
　変形例１に係る第１弾性波共振子３Ａａを弾性波装置１のアンテナ端共振子３１以外の少なくとも１つの弾性波共振子に用いることで、第１フィルタ１１の通過特性及び反射特性の低下を抑制することができる。
　（６．２）変形例２
　上述の実施形態では、第１弾性波共振子３Ａが３層構造である場合を例示したが、４層構造であってもよい。以下、４層構造の第１弾性波共振子３Ａｂの構成について、図８Ｂを参照して説明する。図８Ｂは、４層構造の第１弾性波共振子３Ａｂの断面図である。なお、変形例２において、第１弾性波共振子３Ａと同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
　第１弾性波共振子３Ａｂは、図８Ｂに示すように、高音速部材４Ａと、低音速膜５Ａと、圧電体層６Ａと、ＩＤＴ電極７Ａと、を備える。また、高音速部材４Ａは、支持基板４４Ａと、高音速膜４５Ａと、を含む。高音速膜４５Ａは、支持基板４４Ａ上に形成されている。ここでいう「支持基板４４Ａ上に形成されている」とは、支持基板４４Ａ上に直接的に形成されている場合と、支持基板４４Ａ上に間接的に形成されている場合と、を含む。高音速膜４５Ａでは、その中を伝搬する複数のバルク波のうち、最も低音速なバルク波の音速が、圧電体層６Ａを伝搬する弾性波の音速よりも高速である。低音速膜５Ａは、高音速膜４５Ａ上に形成されている。ここでいう「高音速膜４５Ａ上に形成されている」とは、高音速膜４５Ａ上に直接的に形成されている場合と、高音速膜４５Ａ上に間接的に形成されている場合と、を含む。低音速膜５Ａでは、圧電体層６Ａを伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜５Ａを伝搬する横波バルク波の音速が低速である。圧電体層６Ａは、低音速膜５Ａ上に形成されている。ここでいう「低音速膜５Ａ上に形成されている」とは、低音速膜５Ａ上に直接的に形成されている場合と、低音速膜５Ａ上に間接的に形成されている場合と、を含む。
　支持基板４４Ａの材料は、シリコンであるが、これに限らず、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体、窒化ガリウム等の半導体、樹脂等であってもよい。
　第１弾性波共振子３Ａｂでは、高音速膜４５Ａは、弾性波を圧電体層６Ａ及び低音速膜５Ａが積層されている部分に閉じ込め、高音速膜４５Ａより下の構造に漏れないように機能する。
　第１弾性波共振子３Ａｂでは、高音速膜４５Ａの厚みが十分に厚い場合、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波のエネルギーは圧電体層６Ａ及び低音速膜５Ａの全体に分布し、高音速膜４５Ａの低音速膜５Ａ側の一部にも分布し、支持基板４４Ａには分布しないことになる。高音速膜４５Ａにより弾性波を閉じ込めるメカニズムは非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６－２８に記載されている。上記メカニズムは、音響多層膜によるブラッグ反射器を用いて弾性波を閉じ込めるメカニズムとは異なる。
　高音速膜４５Ａの材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。
　高音速膜４５Ａの厚さに関しては、弾性波を圧電体層６Ａ及び低音速膜５Ａに閉じ込める機能の観点で、厚いほど望ましい。第１弾性波共振子３Ａｂは、高音速膜４５Ａ、低音速膜５Ａ及び圧電体層６Ａ以外に、密着層、誘電体膜等を有していてもよい。
　変形例２に係る第１弾性波共振子３Ａｂを弾性波装置１のアンテナ端共振子３１以外の少なくとも１つの弾性波共振子に用いることで、第１フィルタ１１の通過特性及び反射特性の低下を抑制することができる。
　（６．３）変形例３
　以下、変形例３に係るマルチプレクサ１００ｂについて、図９を参照して説明する。
　変形例３に係るマルチプレクサ１００ｂは、図９に示すように、複数（図示例では２つ）の共振子群３０を備える。複数の共振子群３０の各々は、複数の弾性波共振子３１～３９からなる。
　複数の弾性波共振子３１～３９は、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９と、複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８と、を含む。複数の弾性波共振子３１～３９のうち直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２は、ＳＡＷ共振子３Ｂである。残りの直列腕共振子３３，３５，３７，３９及び並列腕共振子３４，３６，３８は、第１弾性波共振子３Ａである。変形例３では、第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子３１がアンテナ端共振子（以下、「アンテナ端共振子３１」ともいう）である。そして、変形例３では、複数の共振子群３０に含まれる複数のアンテナ端共振子３１が、１チップに集積されている。図９の例では、一点鎖線で囲まれた弾性波共振子（弾性波共振子３１，３２）が１チップに集積されている。
　ここで、複数の共振子群３０の一方（図９の上側）が第１フィルタ、他方（図９の下側）が第２フィルタである場合を想定する。この場合において、各フィルタのアンテナ端共振子３１を１チップに集積することで、各アンテナ端共振子３１を別々のチップとして構成する場合と比較して、チップ数を減らすことができ、これによりマルチプレクサ１００ｂの小型化が可能になる。また、マルチプレクサ１００ｂの製造ばらつきによる周波数特性の変動は、各チップの製造ばらつきが大きく影響するため、チップ数を減らすことで上記周波数特性の変動を低減することができる。
　なお、変形例３に係るマルチプレクサ１００ｂでは、複数の共振子群３０の弾性波共振子３１，３２が１チップに集積されているが、少なくとも複数の共振子群３０の弾性波共振子３１が１チップに集積されていればよい。
　（６．４）変形例４
　上述の実施形態では、直列腕共振子３１がアンテナ端共振子である場合を例示したが、図１０に示すように、並列腕共振子３２がアンテナ端共振子であってもよい。以下、変形例４に係る弾性波装置１ｃについて、図１０を参照して説明する。
　変形例４に係る弾性波装置１ｃは、図１０に示すように、複数（図示例では８つ）の弾性波共振子３１～３８を備える。複数の弾性波共振子３１～３８は、複数（図示例では４つ）の直列腕共振子３１，３３，３５，３７と、複数（図示例では４つ）の並列腕共振子３２，３４，３６，３８と、を含む。
　図１０の例では、直列腕共振子３１と並列腕共振子３２とが、アンテナ端子である第１端子１０１に直接的に接続されている。ここでいう「直列腕共振子３１が第１端子１０１と直接的に接続されている」とは、他の弾性波共振子３２～３８を介さずに第１端子１０１と電気的に接続されていることをいう。また、ここでいう「並列腕共振子３２が第１端子１０１と直接的に接続されている」とは、他の弾性波共振子３１、３３～３８を介さずに第１端子１０１と電気的に接続されていることをいう。変形例４では、直列腕共振子３１と並列腕共振子３２とがアンテナ端共振子である。つまり、変形例４では、直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２がＳＡＷ共振子３Ｂである。また、変形例４では、残りの直列腕共振子３３，３５，３７及び並列腕共振子３４，３６，３８が第１弾性波共振子３Ａである。
　変形例４では、図１０に示すように、アンテナ端共振子である直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２が１チップに集積されている。また、アンテナ端共振子以外の直列腕共振子３３，３５，３７及び並列腕共振子３４，３６，３８が別の１チップに集積されている。
　変形例４では、上述のように、アンテナ端共振子である直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２がＳＡＷ共振子３Ｂである。そのため、弾性波装置１ｃを第１フィルタとするマルチプレクサを構成した場合には、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
　なお、直列腕共振子３１と並列腕共振子３２との両方がアンテナ端共振子でなくてもよい。言い換えると、直列腕共振子３１と並列腕共振子３２との少なくとも一方がアンテナ端共振子であればよい。
　（６．５）変形例５
　上述の実施形態では、直列腕共振子（アンテナ端共振子）３１及び並列腕共振子３２がＳＡＷ共振子３Ｂである場合を例示したが、図１１Ａに示すように、直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２はＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子３Ｃであってもよい。以下、変形例５に係るＢＡＷ共振子３Ｃについて、図１１Ａを参照して説明する。
　ＢＡＷ共振子３Ｃは、図１１Ａに示すように、第１電極９６と、圧電体膜９７と、第２電極９８と、を含む。圧電体膜９７は、第１電極９６上に形成されている。第２電極９８は、圧電体膜９７上に形成されている。
　ＢＡＷ共振子３Ｃは、支持部材９０Ｅを更に含む。支持部材９０Ｅは、第１電極９６と圧電体膜９７と第２電極９８とを支持している。支持部材９０Ｅは、支持基板９１と、支持基板９１上に形成されている電気絶縁膜９２と、を含む。支持基板９１は、例えば、シリコン基板である。電気絶縁膜９２は、例えば、シリコン酸化膜である。圧電体膜９７は、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる。
　ＢＡＷ共振子３Ｃは、第１電極９６における圧電体膜９７側とは反対側に空洞９９を有する。ＢＡＷ共振子３Ｃは、第１電極９６と第１電極９６直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持部材９０Ｅ側への弾性波エネルギーの伝搬を抑制することができ、空洞９９が形成されていない場合と比べて、電気機械結合係数を高めることができる。ＢＡＷ共振子３Ｃは、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）である。なお、ＦＢＡＲを構成するＢＡＷ共振子３Ｃの構造は、一例であり、特に限定されない。
　ＢＡＷ共振子３Ｃでは、ＳＡＷ共振子３Ｂと同様、インピーダンスの位相特性において、反共振周波数よりも高周波数側にストップバンドリップルは発生しない。また、ＢＡＷ共振子３Ｃでは、ＳＡＷ共振子３Ｂと同様、第１弾性波共振子３Ａと比べて、ストップバンドの反射特性が低下する。
　変形例５では、アンテナ端共振子をＢＡＷ共振子３Ｃとすることで、アンテナ端共振子がＳＡＷ共振子３Ｂの場合と同様に、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
　（６．６）変形例６
　上述の実施形態では、直列腕共振子（アンテナ端共振子）３１及び並列腕共振子３２がＳＡＷ共振子３Ｂである場合を例示したが、図１１Ｂに示すように、直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２はＢＡＷ共振子３Ｄであってもよい。以下、変形例６に係るＢＡＷ共振子３Ｄについて、図１１Ｂを参照して説明する。
　ＢＡＷ共振子３Ｄは、図１１Ｂに示すように、第１電極９６と、圧電体膜９７と、第２電極９８と、を含む。圧電体膜９７は、第１電極９６上に形成されている。第２電極９８は、圧電体膜９７上に形成されている。
　ＢＡＷ共振子３Ｄは、支持部材９０Ｆを更に含む。支持部材９０Ｆは、第１電極９６と圧電体膜９７と第２電極９８とを支持している。支持部材９０Ｆは、支持基板９１と、支持基板９１上に形成されている音響多層膜９５と、を含む。音響多層膜９５は、圧電体膜９７で発生したバルク弾性波を反射する。音響多層膜９５は、相対的に音響インピーダンスの高い複数の高音響インピーダンス層９３と相対的に音響インピーダンスの低い複数の低音響インピーダンス層９４とが支持基板９１の厚さ方向において一層ごとに交互に並んだ構造である。高音響インピーダンス層９３の材料は、例えば、Ｐｔである。低音響インピーダンス層９４の材料は、例えば、酸化ケイ素である。支持基板９１は、例えば、シリコン基板である。圧電体膜９７は、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる。
　ＢＡＷ共振子３Ｄは、第１電極９６における圧電体膜９７側とは反対側に上記の音響多層膜９５を有する。ＢＡＷ共振子３Ｄは、ＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）である。なお、ＳＭＲを構成するＢＡＷ共振子３Ｄの構造は、一例であり、特に限定されない。
　ＢＡＷ共振子３Ｄでは、ＳＡＷ共振子３Ｂと同様、インピーダンスの位相特性において、反共振周波数よりも高周波数側にストップバンドリップルは発生しない。また、ＢＡＷ共振子３Ｄでは、ＳＡＷ共振子３Ｂと同様、第１弾性波共振子３Ａと比べて、ストップバンドの反射特性が低下する。
　変形例６では、アンテナ端共振子をＢＡＷ共振子３Ｄとすることで、アンテナ端共振子がＳＡＷ共振子３Ｂの場合と同様に、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
　（まとめ）
　以上説明した実施形態及び変形例より以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）は、アンテナ端子である第１端子（１０１）と、第１端子（１０１）とは異なる第２端子（１０２）との間に設けられている。弾性波装置（１；１ｃ）は、複数の弾性波共振子（３１～３９）を備える。複数の弾性波共振子（３１～３９）は、複数の直列腕共振子（３１，３３，３５，３７，３９）と、複数の並列腕共振子（３２，３４，３６，３８）と、を含む。複数の直列腕共振子（３１，３３，３５，３７，３９）は、第１端子（１０１）と第２端子（１０２）とを結ぶ第１経路（ｒ１）上に設けられている。複数の並列腕共振子（３２，３４，３６，３８）は、第１経路（ｒ１）上の複数のノード（Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４）それぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路（ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４）上に設けられている。複数の弾性波共振子（３１～３９）のうち第１端子（１０１）に電気的に最も近い弾性波共振子（３１）をアンテナ端共振子（３１）とした場合に、アンテナ端共振子（３１）は、ＳＡＷ共振子（３Ｂ）又はＢＡＷ共振子（３Ｃ；３Ｄ）である。複数の弾性波共振子（３１～３９）のうちアンテナ端共振子（３１）以外の少なくとも１つの弾性波共振子（３３～３９）は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）である。ＳＡＷ共振子（３Ｂ）は、圧電体基板（８Ｂ）と、圧電体基板（８Ｂ）上に形成されており、複数の電極指（第１電極指７３Ｂ及び第２電極指７４Ｂ）を有するＩＤＴ電極（７Ｂ）と、を含む。第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）は、圧電体層（６Ａ）と、圧電体層（６Ａ）上に形成されており、複数の電極指（第１電極指７３Ａ及び第２電極指７４Ａ）を有するＩＤＴ電極（７Ａ）と、高音速部材（４Ａ）と、を含む。高音速部材（４Ａ）は、圧電体層（６Ａ）を挟んでＩＤＴ電極（７Ａ）とは反対側に位置している。高音速部材（４Ａ）では、圧電体層（６Ａ）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層（６Ａ）の厚さが、ＩＤＴ電極（７Ａ）の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。
　この態様によれば、アンテナ端共振子（３１）がＳＡＷ共振子（３Ｂ）又はＢＡＷ共振子（３Ｃ；３Ｄ）であり、アンテナ端共振子（３１）以外の少なくとも１つの弾性波共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）である。これにより、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
　第２の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第１の態様において、ＢＡＷ共振子（３Ｃ；３Ｄ）は、第１電極（９６）と、第１電極（９６）上に形成されている圧電体膜（９７）と、圧電体膜（９７）上に形成されている第２電極（９８）と、を含む。
　第３の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第１又は２の態様において、アンテナ端共振子（３１）のストップバンドリップルが、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）のストップバンドリップルよりも小さい。
　第４の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第３の態様において、アンテナ端共振子（３１）のストップバンドリップルのみが、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）のストップバンドリップルよりも小さい。
　第５の態様に係る弾性波装置（１）では、第１～４の態様のいずれか１つにおいて、複数の直列腕共振子（３１，３３，３５，３７，３９）のうち１つの直列腕共振子（３１）が、複数の並列腕共振子（３２，３４，３６，３８）よりも第１端子（１０１）に電気的に近い。１つの直列腕共振子（３１）が、アンテナ端共振子（３１）である。
　この態様によれば、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
　第６の態様に係る弾性波装置（１ｃ）では、第１～４の態様のいずれか１つにおいて、複数の直列腕共振子（３１，３３，３５，３７）のうち１つの直列腕共振子（３１）と複数の並列腕共振子（３２，３４，３６，３８）のうち１つの並列腕共振子（３２）とが、第１端子（１０１）と直接的に接続されている。１つの直列腕共振子（３１）と１つの並列腕共振子（３２）との少なくとも一方が、アンテナ端共振子（３１，３２）である。
　この態様によれば、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
　第７の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第１～６の態様のいずれか１つにおいて、複数の弾性波共振子（３１～３９）のうちアンテナ端共振子（３１；３２）を含む少なくとも１つの弾性波共振子（３１；３２）は、ＳＡＷ共振子（３Ｂ）又はＢＡＷ共振子（３Ｃ；３Ｄ）である。複数の弾性波共振子（３１～３９）のうち少なくとも１つの弾性波共振子（３１；３２）以外の弾性波共振子（３３～３９）は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）である。ＳＷＡ共振子（３Ｂ）又はＢＡＷ共振子（３Ｃ；３Ｄ）は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）とは異なるチップである。
　この態様によれば、アンテナ端共振子（３１；３２）を含む少なくとも１つの弾性波共振子（３１；３２）とそれ以外の弾性波共振子（３３～３９）とを１つのチップに集積する場合と比較して、フィルタの製作が容易になる、という利点がある。
　第８の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第１～７の態様のいずれか１つにおいて、高音速部材（４Ａ）は、圧電体層（６Ａ）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜（４５Ａ）と、高音速膜（４５Ａ）を支持する支持基板（４４Ａ）と、を含む。第１弾性波共振子（３Ａｂ）は、高音速膜（４５Ａ）上に形成されている低音速膜（５Ａ）を更に含む。
　この態様によれば、アンテナ端共振子（３１）以外の少なくとも１つの弾性波共振子（３３～３９）を第１弾性波共振子（３Ａｂ）とすることで、通過特性及び反射特性の低下を抑制することができる。
　第９の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第１～７の態様のいずれか１つにおいて、第１弾性波共振子（３Ａ）は、高音速部材（４Ａ）と圧電体層（６Ａ）との間に低音速膜（５Ａ）を更に含む。低音速膜（５Ａ）では、圧電体層（６Ａ）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。高音速部材（４Ａ）は、圧電体層（６Ａ）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板（４２）である。
　この態様によれば、アンテナ端共振子（３１）以外の少なくとも１つの弾性波共振子（３３～３９）を第１弾性波共振子（３Ａ）とすることで、通過特性及び反射特性の低下を抑制することができる。
　第１０の態様に係るマルチプレクサ（１００；１００ｂ）は、第１～９の態様のいずれか１つの弾性波装置（１；１ｃ）からなる第１フィルタ（１１）と、第２フィルタ（１２）と、を備える。第２フィルタ（１２）は、第１端子（１０１）と第１端子（１０１）とは異なる第３端子（１０３）との間に設けられている。第１フィルタ（１１）の通過帯域が、第２フィルタ（１２）の通過帯域よりも低周波数域である。
　この態様によれば、第１フィルタ（１１）で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ（１２）に与える影響を抑制することができる。
　第１１の態様に係るマルチプレクサ（１００ｂ）では、第１０の態様において、複数の弾性波共振子（３１～３９）からなる共振子群（３０）を複数備える。複数の共振子群（３０）では、第１端子（１０１）が共通端子であり、かつ、第２端子（１０２）が個別端子である。複数の共振子群（３０）のアンテナ端共振子（３１）が１チップに集積されている。
　この態様によれば、各アンテナ端共振子（３１）を別々のチップとして構成する場合と比較して、チップ数を減らすことができ、これにより小型化が可能になる、という利点がある。
　第１２の態様に係るマルチプレクサ（１００）では、第１０又は１１の態様において、第１フィルタ（１１）の通過帯域の最大周波数が、第２フィルタ（１２）の通過帯域の最小周波数よりも低い。
　第１３の態様に係る高周波フロントエンド回路（３００）は、第１０～１２の態様のいずれか１つのマルチプレクサ（１００）と、マルチプレクサ（１００）に接続された増幅回路（３０３）と、を備える。
　この態様によれば、第１フィルタ（１１）で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ（１２）に与える影響を抑制することができる。
　第１４の態様に係る通信装置（４００）は、第１３の態様の高周波フロントエンド回路（３００）と、信号処理回路（ＲＦ信号処理回路４０１及びベースバンド信号処理回路４０２）と、を備える。信号処理回路は、アンテナ（２００）で送受信される高周波信号を処理する。高周波フロントエンド回路（３００）は、アンテナ（２００）と信号処理回路との間で高周波信号を伝達する。
　この態様によれば、第１フィルタ（１１）で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ（１２）に与える影響を抑制することができる。
　第２～９の態様に係る構成については、弾性波装置（１；１ｃ）の必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
　また、第１１又は１２の態様に係る構成については、マルチプレクサ（１００）の必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
１，１ｃ　弾性波装置
３Ａ，３Ａａ，３Ａｂ　第１弾性波共振子
４Ａ　高音速部材
４２　高音速支持基板
４４Ａ　支持基板
４５Ａ　高音速膜
５Ａ　低音速膜
６Ａ　圧電体層
６１Ａ　第１主面
６２Ａ　第２主面
７Ａ　ＩＤＴ電極
７１Ａ　第１バスバー
７２Ａ　第２バスバー
７３Ａ　第１電極指
７４Ａ　第２電極指
３Ｂ　ＳＡＷ共振子
７Ｂ　ＩＤＴ電極
７１Ｂ　第１バスバー
７２Ｂ　第２バスバー
７３Ｂ　第１電極指
７４Ｂ　第２電極指
８Ｂ　圧電体基板
３Ｃ，３Ｄ　ＢＡＷ共振子
９０Ｅ，９０Ｆ　支持部材
９１　支持基板
９２　電気絶縁膜
９３　高音響インピーダンス層
９４　低音響インピーダンス層
９５　音響多層膜
９６　第１電極
９７　圧電体膜
９８　第２電極
９９　空洞
３１　弾性波共振子（直列腕共振子、アンテナ端共振子）
３３，３５，３７，３９　弾性波共振子（直列腕共振子）
３２，３４，３６，３８　弾性波共振子（並列腕共振子）
１００，１００ｂ　マルチプレクサ
１１　第１フィルタ
１２　第２フィルタ
２１　第３フィルタ
２２　第４フィルタ
１０１　第１端子
１０２　第２端子
１０３　第３端子
１０４　第４端子
１０５　第５端子
２００　アンテナ
３００　高周波フロントエンド回路
３０１　スイッチ回路（第１スイッチ回路）
３０２　スイッチ回路（第２スイッチ回路）
３０３　増幅回路（第１増幅回路）
３０４　増幅回路（第２増幅回路）
４００　通信装置
４０１　ＲＦ信号処理回路
４０２　ベースバンド信号処理回路
Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４　ノード
ｒ１　第１経路
ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４　第２経路
　ＷＡ　幅
　ＳＡ　スペース幅
　ＰλＡ　繰り返し周期

Claims (14)

  1. 　アンテナ端子である第１端子と、前記第１端子とは異なる第２端子との間に設けられる弾性波装置であって、
    　複数の弾性波共振子を備え、
    　前記複数の弾性波共振子は、
    　　前記第１端子と前記第２端子とを結ぶ第１経路上に設けられた複数の直列腕共振子と、
    　　前記第１経路上の複数のノードそれぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路上に設けられた複数の並列腕共振子と、を含み、
    　前記複数の弾性波共振子のうち前記第１端子に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、
    　　前記アンテナ端共振子は、ＳＡＷ共振子又はＢＡＷ共振子であり、
    　　前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第１弾性波共振子であり、
    　前記ＳＡＷ共振子は、
    　　圧電体基板と、
    　　前記圧電体基板上に形成されており、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、を含み、
    　前記第１弾性波共振子は、
    　　圧電体層と、
    　　前記圧電体層上に形成されており、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、
    　　前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置しており、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速部材と、を含み、
    　　前記圧電体層の厚さが、前記ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である、
    　弾性波装置。
  2. 　前記ＢＡＷ共振子は、
    　　第１電極と、
    　　前記第１電極上に形成されている圧電体膜と、
    　　前記圧電体膜上に形成されている第２電極と、を含む、
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記アンテナ端共振子のストップバンドリップルが、前記第１弾性波共振子のストップバンドリップルよりも小さい、
    　請求項１又は２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記アンテナ端共振子のストップバンドリップルのみが、前記第１弾性波共振子のストップバンドリップルよりも小さい、
    　請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記複数の直列腕共振子のうち１つの直列腕共振子が、前記複数の並列腕共振子よりも前記第１端子に電気的に近く、
    　前記１つの直列腕共振子が、前記アンテナ端共振子である、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記複数の直列腕共振子のうち１つの直列腕共振子と前記複数の並列腕共振子のうち１つの並列腕共振子とが、前記第１端子と直接的に接続されており、
    　前記１つの直列腕共振子と前記１つの並列腕共振子との少なくとも一方が、前記アンテナ端共振子である、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子を含む少なくとも１つの弾性波共振子は、前記ＳＡＷ共振子又は前記ＢＡＷ共振子であり、
    　前記複数の弾性波共振子のうち前記少なくとも１つの弾性波共振子以外の弾性波共振子は、前記第１弾性波共振子であり、
    　前記ＳＡＷ共振子又は前記ＢＡＷ共振子が、前記第１弾性波共振子とは異なるチップである、
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記高音速部材は、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜と、前記高音速膜を支持する支持基板と、を含み、
    　前記第１弾性波共振子は、前記高音速膜上に形成されている低音速膜を更に含む、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記第１弾性波共振子は、
    　　前記高音速部材と前記圧電体層との間に前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を更に含み、
    　前記高音速部材は、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板である、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置からなる第１フィルタと、
    　前記第１端子と前記第１端子とは異なる第３端子との間に設けられた第２フィルタと、を備え、
    　前記第１フィルタの通過帯域が、前記第２フィルタの通過帯域よりも低周波数域である、
    　マルチプレクサ。
  11. 　前記複数の弾性波共振子からなる共振子群を複数備え、
    　前記複数の共振子群では、前記第１端子が共通端子であり、かつ、前記第２端子が個別端子であり、
    　前記複数の共振子群の前記アンテナ端共振子が１チップに集積されている、
    　請求項１０に記載のマルチプレクサ。
  12. 　前記第１フィルタの前記通過帯域の最大周波数が、前記第２フィルタの前記通過帯域の最小周波数よりも低い、
    　請求項１０又は１１に記載のマルチプレクサ。
  13. 　請求項１０～１２のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、
    　前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える、
    　高周波フロントエンド回路。
  14. 　請求項１３に記載の高周波フロントエンド回路と、
    　アンテナで送受信される高周波信号を処理する信号処理回路と、を備え、
    　前記高周波フロントエンド回路は、前記アンテナと前記信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する、
    　通信装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022168798A1 (ja) * 2021-02-04 2022-08-11 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022168799A1 (ja) * 2021-02-04 2022-08-11 株式会社村田製作所 弾性波装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112653420A (zh) * 2020-12-18 2021-04-13 广东广纳芯科技有限公司 一种高声速高频低频率温度系数窄带滤波器及制造方法
CN112600531A (zh) * 2020-12-18 2021-04-02 广东广纳芯科技有限公司 一种高频近零频率温度系数的窄带滤波器及制造方法
CN112838838A (zh) * 2020-12-30 2021-05-25 广东广纳芯科技有限公司 一种具有单晶pmnt的声表面波谐振器及制造方法
US20220385259A1 (en) * 2021-05-28 2022-12-01 Shenzhen Antop Technology Co., Ltd Filtering circuit and tv antenna amplifier

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010021718A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd デュプレクサ
WO2013128636A1 (ja) * 2012-03-02 2013-09-06 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ
JP2013251848A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイス
JP2017152881A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置
WO2018003296A1 (ja) * 2016-06-29 2018-01-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5760663A (en) * 1996-08-23 1998-06-02 Motorola, Inc. Elliptic baw resonator filter and method of making the same
JP5389590B2 (ja) * 2009-09-28 2014-01-15 太陽誘電株式会社 フィルタ
JP5713025B2 (ja) 2010-12-24 2015-05-07 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP5877043B2 (ja) 2011-11-22 2016-03-02 太陽誘電株式会社 デュプレクサ
US10541673B2 (en) * 2016-10-28 2020-01-21 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave filter including two types of acoustic wave resonators
WO2018182671A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Intel IP Corporation Wideband filter structure and apparatus, radio transceiver, mobile terminal, method for filtering a radio signal
US11206007B2 (en) * 2017-10-23 2021-12-21 Qorvo Us, Inc. Quartz orientation for guided SAW devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010021718A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd デュプレクサ
WO2013128636A1 (ja) * 2012-03-02 2013-09-06 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ
JP2013251848A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイス
JP2017152881A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置
WO2018003296A1 (ja) * 2016-06-29 2018-01-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022168798A1 (ja) * 2021-02-04 2022-08-11 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022168799A1 (ja) * 2021-02-04 2022-08-11 株式会社村田製作所 弾性波装置

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