WO2010137279A1

WO2010137279A1 - 弾性波共振器と、これを用いたアンテナ共用器

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Publication number: WO2010137279A1
Application number: PCT/JP2010/003459
Authority: WO
Inventors: 中西秀和; 中村弘幸; 鶴成哲也; 後藤令; 藤原城二
Original assignee: パナソニック株式会社
Priority date: 2009-05-27
Filing date: 2010-05-24
Publication date: 2010-12-02
Also published as: US8698578B2; US20120044027A1

Abstract

　弾性波共振器は、圧電体と、波長λの弾性波を励振させるＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極を覆うように設けられた誘電体薄膜とを備え、ＩＤＴ電極は外側から順にバスバー電極領域とダミー電極領域とＩＤＴ交差領域とを含み、バスバー電極領域およびダミー電極領域の少なくとも一方の上方における誘電体薄膜の膜厚は、ＩＤＴ交差領域の上方における誘電体薄膜の膜厚より０．１λ以上０．２５λ以下の範囲で薄い。この構成によって、横モードスプリアスの発生を抑制した弾性波共振器を提供する。

Description

弾性波共振器と、これを用いたアンテナ共用器

　本発明は、弾性波共振器と、これを用いたアンテナ共用器に関する。

　従来、広帯域な特性を有する弾性波フィルタを実現するため、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）基板などの電気機械結合係数の大きな圧電体を用いていた。

　しかし、この種の圧電体を用いた弾性波フィルタは、一般に温度特性が悪いという欠点を有している。温度特性の改善手段としては、ニオブ酸リチウムからなる圧電体上にＳｉＯ₂からなる誘電体薄膜を形成する手段が提案されている。

　従来の弾性波共振器の構成を図３１Ａ、図３１Ｂに示す。図３１Ａは、従来の弾性波共振器の上面図であり、図３１Ｂは、図３１Ａの３１Ｂ-３１Ｂにおける弾性波共振器の断面図である。

　図３１Ａ，図３１Ｂにおいて、従来の弾性波共振器１０１は、圧電体１０２と、圧電体１０２の上に設けられて波長λの弾性波を励振させるＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１０３とを備える。そして、圧電体１０２の上にＩＤＴ電極１０３を覆うように設けられた誘電体薄膜１０５とを備え、ＩＤＴ電極１０３は、外側から順にバスバー電極領域１０６とダミー電極領域１０７とＩＤＴ交差領域１０８とを含む。

　弾性波共振器１０１は、さらに、バスバー電極領域１０６およびダミー電極領域１０７の上方における誘電体薄膜１０５に開口部１０９を設け、バスバー電極領域１０６およびダミー電極領域１０７のＩＤＴ電極１０３を露出させている。

　これにより、弾性波共振器１０１における弾性波のバスバー電極領域１０６およびダミー電極領域１０７の音速を、ＩＤＴ交差領域１０８の音速よりも速くすることができる。それによって、弾性波のＩＤＴ交差領域１０８からダミー電極領域１０７への漏れを抑制し、弾性波の挿入劣化損失の低減を図っている。

　しかしながら、図３２に示す様に、従来の弾性波共振器１０１において、共振周波数と反共振周波数との間に発生する横モードスプリアスが大きくなるという課題がある。これは、従来の弾性波共振器１０１において、主要弾性波だけでなく横モードまでもがＩＤＴ交差領域１０８に閉じ込められるからである。

　なお、この出願に関連する先行技術文献として特許文献１が知られている。

国際公開第２００８／０５９７８０号

　弾性波共振器は、圧電体と、圧電体の上に設けられて波長λの弾性波を励振させるＩＤＴ電極と、圧電体の上にＩＤＴ電極を覆うように設けられた誘電体薄膜とを備え、ＩＤＴ電極は、外側から順にバスバー電極領域とダミー電極領域とＩＤＴ交差領域とを含み、バスバー電極領域およびダミー電極領域の少なくとも一方の上方における誘電体薄膜の膜厚は、ＩＤＴ交差領域上方における誘電体薄膜の膜厚より０．１λ以上０．２５λ以下の範囲で薄い。

　かかる構成により、弾性波共振器において、ＩＤＴ交差領域における横モードが抑圧され、横モードスプリアスの発生を抑制することができる。

図１Ａは、本発明の実施の形態１における弾性波共振器の上面図である。図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ－１Ｂにおける弾性波共振器の断面図である。図２は、本発明の実施の形態１における弾性波共振器の周波数特性の説明図である。図３は、本発明の実施の形態１における弾性波共振器の周波数特性の説明図である。図４は、本発明の実施の形態１における弾性波共振器の周波数特性の説明図である。図５は、本発明の実施の形態１における弾性波共振器の周波数特性の説明図である。図６は、本発明の実施の形態１における弾性波共振器の周波数特性の説明図である。図７は、本発明の実施の形態１における弾性波共振器の周波数特性の説明図である。図８は、本発明の実施の形態１における弾性波共振器のスプリアスレベルの説明図である。図９は、本発明の実施の形態１における他の弾性波共振器の上面図である。図１０は、本発明の実施の形態１におけるさらに他の弾性波共振器の上面図である。図１１は、本発明の実施の形態１における弾性波共振器の周波数特性の説明図である。図１２Ａは、本発明の実施の形態２における弾性波共振器の上面図である。図１２Ｂは、図１２Ａの１２Ｂ－１２Ｂにおける弾性波共振器の断面図である。図１３は、図１２Ａの１３－１３における本発明の実施の形態３の弾性波共振器の断面図である。図１４は、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１５は、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１６Ａは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１６Ｂは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１６Ｃは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１７Ａは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１７Ｂは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１７Ｃは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１８Ａは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１８Ｂは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１８Ｃは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１８Ｄは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１８Ｅは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１８Ｆは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１８Ｇは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１９Ａは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１９Ｂは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１９Ｃは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１９Ｄは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１９Ｅは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１９Ｆは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図１９Ｇは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図２０Ａは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図２０Ｂは、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図２１は、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図２２は、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図２３は、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図２４は、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図２５は、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図２６は、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図２７は、本発明の実施の形態３における弾性波共振器の特性を説明する図である。図２８は、本発明の実施の形態４における弾性波共振器の断面図である。図２９Ａは、本発明の実施の形態４における弾性波共振器の特性を説明する図である。図２９Ｂは、本発明の実施の形態４における弾性波共振器の特性を説明する図である。図３０Ａは、本発明の実施の形態４における弾性波共振器の製造方法の説明図である。図３０Ｂは、本発明の実施の形態４における弾性波共振器の製造方法の説明図である。図３０Ｃは、本発明の実施の形態４における弾性波共振器の製造方法の説明図である。図３０Ｄは、本発明の実施の形態４における弾性波共振器の製造方法の説明図である。図３０Ｅは、本発明の実施の形態４における弾性波共振器の製造方法の説明図である。図３０Ｆは、本発明の実施の形態４における弾性波共振器の製造方法の説明図である。図３０Ｇは、本発明の実施の形態４における弾性波共振器の製造方法の説明図である。図３０Ｈは、本発明の実施の形態４における弾性波共振器の製造方法の説明図である。図３１Ａは、従来の弾性波共振器の上面図である。図３１Ｂは、図３１Ａの３１Ｂ－３１Ｂにおける同弾性波共振器の断面図である。図３２は、従来の弾性波共振器の周波数特性の説明図である。

　（実施の形態１）
　以下、本発明の実施の形態１について、図面を用いて説明する。図１Ａは、実施の形態１における弾性波共振器の上面図であり、図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ－１Ｂにおける弾性波共振器の断面（ＩＤＴ電極３の電極指の延伸方向の断面）図である。

　図１Ａ，図１Ｂにおいて、弾性波共振器１は、圧電体２と、圧電体２の上に設けられて波長λの弾性波を励振させるＩＤＴ電極３と、圧電体２の上にＩＤＴ電極３を挟むように設けられたグレーティング反射器４と、圧電体２の上にＩＤＴ電極３及びグレーティング反射器４を覆うように設けられた誘電体薄膜５とを備える。

　圧電体２は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）系基板であるが、例えば、水晶、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ₃）系、又はニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ₃）系の基板又は薄膜など他の圧電単結晶媒質であっても構わない。

　ＩＤＴ電極３は、アルミニウムを主成分とする金属からなるが、例えば、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、モリブデンの少なくとも一種からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成であっても構わない。尚、ＩＤＴ電極３が例えばアルミニウムを主成分とする金属の場合、ＩＤＴ電極３の規格化膜厚は、０．０４５λ以上０．１２λ以下であれば良い。なお、このときλは図１Ａにおける電極ピッチの２倍とする。

　また、ＩＤＴ電極３は、交差幅がほぼ一定である正規型の櫛形電極であり、図１Ｂにおいて、弾性波共振器１は、外側から順にバスバー電極領域６とダミー電極領域７とＩＤＴ交差領域８とを含む。

　ＩＤＴ交差領域８は、入力側と出力側のＩＤＴ電極３の電極指同士が交差する領域であり、例えば、ＳＨ（Ｓｈｅａｒ－Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）波などの主要弾性波が励振する領域である。また、バスバー電極領域６は、ＩＤＴ電極３の電極指に電気信号を入力するバスバー電極が配置された領域である。また、ダミー電極領域７は、入力側と出力側のＩＤＴ電極３の電極指が交差していない部分に設けられたダミー電極が配置された領域である。このダミー電極とダミー電極上のＳｉＯ₂の膜厚を調整することにより、ダミー電極領域７における音速をＩＤＴ交差領域の音速と異ならせることが出来る。音速差を調整することによって、横モードをダミー電極領域７に分散させることができ、横モードスプリアスの抑制を図っている。

　誘電体薄膜５は、例えば、酸化ケイ素からなるが、圧電体２を伝搬する最も遅い横波（たとえばＳｈｅａｒ－Ｖｅｒｔｉｃａｌ波）の速度より遅い横波の伝搬速度を有する媒質であれば良い。なお、酸化ケイ素は、圧電体２とは逆の周波数温度特性を有する媒質であるので、弾性波共振器１の周波数温度特性を向上することができる。

　また、ＩＤＴ交差領域８の上方における誘電体薄膜５の膜厚は、ＩＤＴ電極３によって励振された弾性波の音速が、圧電体２を伝搬する最も遅い横波の音速よりも低速になるように設定する。これにより主要弾性波の圧電体２方向への漏れの低減が期待できる。

　さらに、誘電体薄膜５が酸化ケイ素からなる場合は、ＩＤＴ交差領域８の上方における誘電体薄膜５の膜厚は、ＩＤＴ電極３によって励振された主要弾性波の周波数温度特性が１０ｐｐｍ／℃以下になるように設定する。

　上記を満たすＩＤＴ交差領域８の上方における誘電体薄膜５の規格化膜厚９は、０．２λ以上０．５λ以下である。望ましくは、０．２５λより大きく０．５λ以下で、更に望ましくは、０．３λ以上０．４５λ以下であり、そうすることで、弾性波の漏れ防止効果と周波数温度特性向上の両立を特に図ることができる。

　尚、誘電体薄膜５の膜厚とは、ＩＤＴ電極３が非形成で圧電体２と誘電体薄膜５とが接している部分における圧電体２と、誘電体薄膜５の境界面から誘電体薄膜５の上面までの距離をいう。

　ここで、主要弾性波のＩＤＴ交差領域８からダミー電極領域７への漏れを抑制するために、バスバー電極領域６およびダミー電極領域７のＩＤＴ電極３が完全に露出する構成にすると、上述したように、横モードの影響が大きくなる。これは、弾性波共振器１において、主要弾性波だけでなく横モードまでもがＩＤＴ交差領域８に閉じ込められるからである。

　そこで、実施の形態１では、バスバー電極領域６およびダミー電極領域７の少なくとも一方の上方における誘電体薄膜５の規格化膜厚１０を、ＩＤＴ交差領域８上方における誘電体薄膜５の規格化膜厚９より０．１λ以上０．２５λ以下の範囲で薄い構成とした。

　これにより、ＩＤＴ交差領域８における横モードが抑圧され、横モードスプリアスの発生を抑制することができる。これは、ＩＤＴ交差領域８とダミー電極領域７での音速差が縮まり、ＩＤＴ交差領域８で励振された横モードとダミー電極領域７で励振された横モードとの間に音響結合が起こるからである。それによって、ＩＤＴ交差領域８で共振する横モードのエネルギーがダミー電極領域７に分散するからだと考えられる。尚、両者の音速差が縮まったといえども、本構成においてはダミー電極領域７における音速がＩＤＴ交差領域８における音速よりも速い。

　以下、本実施の形態１における弾性波共振器１の周波数特性について図面を用いて説明する。図２から図７は、本発明の実施の形態１における弾性波共振器の周波数特性の説明図である。弾性波共振器１のアドミタンスの周波数特性を示している。

　弾性波共振器１は、圧電体２として、カット角が５度の回転Ｙ板ニオブ酸リチウム系基板を用い、ＩＤＴ電極３として、規格化膜厚が０．０８λのアルミニウムからなる正規型の櫛型電極を用いた。さらに、誘電体薄膜として、ＩＤＴ交差領域８上方における誘電体薄膜５の規格化膜厚が０．３７λの酸化ケイ素を用いた。また、ＩＤＴ交差領域８の上方における誘電体薄膜５の規格化膜厚９とバスバー電極領域６およびダミー電極領域７の上方における誘電体薄膜５の規格化膜厚１０との規格化膜厚差１１について、図２は０λ、図３は０．１１λ、図４は０．１５λ、図５は、０．２０λ、図６は、０．２４λ、図７は０．２８λとした。

　図８に、この弾性波共振器１における、ＩＤＴ交差領域８の上方とダミー電極領域７の上方の誘電体薄膜５の規格化膜厚差１１（横軸：λ）と横モードのスプリアス（縦軸：ｄＢ）との関係を示す。

　図２から図８に示す様に、ＩＤＴ交差領域８の上方とダミー電極領域７の上方の誘電体薄膜５の規格化膜厚差１１が０．１０λ以上０．２５λ以下の場合に、横モードのスプリアスレベルを約１ｄＢ以内に低減できる。また、ＩＤＴ交差領域８の上方とダミー電極領域７の上方の誘電体薄膜５の規格化膜厚差１１が０．１５λ以上０．２０λ以下の場合に、横モードのスプリアスレベルをほぼ０ｄＢにすることができる。

　ＩＤＴ交差領域８の上方とダミー電極領域７の上方の誘電体薄膜５に規格化膜厚差１１を設ける方法としては、誘電体薄膜５の成膜後にエッチングしてもよい。また、誘電体薄膜５の成膜途中でＩＤＴ電極３におけるダミー電極領域７及びバスバー電極領域６の上方にマスキングして誘電体薄膜５が成膜途中から非形成状態となるようにしても構わない。

　尚、ＩＤＴ電極３は、更なる横モードのスプリアス抑圧のために、ＩＤＴ電極の中央からグレーティング反射器４に近づくに従って交差幅が小さくなるようなアポタイズ重み付けが施されていても良い。このとき、ダミー電極領域７は、ＩＤＴ電極３におけるダミー電極の最小長さの領域となり、ＩＤＴ交差領域８とは、ＩＤＴ電極３の交差する最大長さの領域となる。ただ、上記説明のようにＩＤＴ電極３にアポタイズ重み付けを施すことなく、正規型の櫛型電極構成のまま横モードスプリアスを抑圧できれば有利である。すなわち、ＩＤＴ電極３に対するアポタイズ重み付けによるＱ値などの共振器特性の低下を防ぐことができ、弾性波共振器１を実現する上で特性的に有利な構成となる。

　ここまで、バスバー電極領域６及びダミー電極領域７における全ての領域の上方の誘電体薄膜５の規格化膜厚１０がＩＤＴ交差領域８の上方の誘電体薄膜５の規格化膜厚９と比較して薄い構成を説明した。しかしながら、バスバー電極領域６とダミー電極領域７における一部の領域の上方の誘電体薄膜５の規格化膜厚１０がＩＤＴ交差領域８の上方の誘電体薄膜５の規格化膜厚９と比較して０．１λ以上０．２５λ以下の範囲で薄い構成であっても良い。例えば、ダミー電極領域７のみの上方の誘電体薄膜５の膜厚がＩＤＴ交差領域８の上方の誘電体薄膜５の規格化膜厚９と比較して０．１λ以上０．２５λ以下の範囲で薄い構成であっても良い。ただ、この構成よりも、図１Ａ、図１Ｂに示す構成の方が横モードスプリアスの抑制という観点から有利である。

　ＩＤＴ交差領域８の上方の誘電体薄膜５とダミー電極領域７の上方の誘電体薄膜５の段差は誘電体薄膜５の上面に対してほぼ垂直に形成されていることが望ましいが、テーパー状に形成されていても良い。また、この段差における誘電体薄膜５の端部はダミー電極領域７の端部の位置と同等であることが望ましいが、ダミー電極領域７とＩＤＴ交差領域８との間のギャップ領域１２において形成されていても良い。これにより、この段差が弾性波共振器１の周波数特性に悪影響を及ぼすことを防止し、不要なスプリアスが発生することを抑制することができる。

　また、図９に示す様に、ダミー電極領域７は、メタライズされたダミー電極重み付け部１３を備えていても構わない。この場合も、ＩＤＴ交差領域８の上方とダミー電極領域７の上方の誘電体薄膜５の規格化膜厚差１１が０．１０λ以上０．２５λ以下にすることにより、横モードのスプリアスレベルを低減することができる。

　なお、本実施の形態１においてはＩＤＴ電極３ならびにダミー電極上の誘電体薄膜は１層としているが、２層以上の構成としても構わない。

　尚、本実施の形態１においては、グレーティング反射器４を備えた弾性波共振器１として説明をしているが、本発明はＩＤＴ電極３に適用するものであり、グレーティング反射器４がない場合であっても同様の効果は得られる。

　また、図１０に示す様に、ＩＤＴ電極３は、弾性波の伝搬方向においてＩＤＴ交差領域８の中央部から端に向けて交差幅が段階的に小さくなるようにアポタイズ重み付けされた構成であっても良い。このようにＩＤＴ電極３がアポタイズ重み付けされた構成の場合も同様に、ダミー電極領域７、ＩＤＴ交差領域８、ギャップ領域１２は、図１０に示すように電極指の先端同士を結ぶ形状で定義される領域とする。

　このとき、ＩＤＴ交差領域８の中央部から端に向けて電極指の先端を結ぶ直線Ｃと弾性波の伝搬方向Ｄのなす角度∠Ｅが、４度より大きく１０度より小さいことが望ましい。これにより、図１１に示す様に、横モードスプリアスを抑制することができる。尚、図１１に示す特性図は、上記と同様の条件の弾性波共振器１において、角度∠Ｅが６°の場合（実線）と、角度∠Ｅが３０°の場合（破線）の周波数減衰特性（ｄＢ）である。

　（実施の形態２）
　次に、実施の形態２の弾性波共振器１について、図面を用いて説明する。特に説明しない限り、その構成は実施の形態１と同様である。図１２Ａは、実施の形態２における弾性波共振器１の上面図であり、図１２Ｂは、図１２Ａの１２Ｂ－１２Ｂにおける弾性波共振器の断面（ＩＤＴ電極３の電極指の延伸方向の断面）図である。

　図１２Ａ、図１２Ｂに示す様に、実施の形態２の弾性波共振器１は、ダミー電極を有しておらず、バスバー電極領域６とＩＤＴ交差領域８に挟まれる領域は全てギャップ領域１２となる。ここでも、バスバー電極領域６とギャップ領域１２のバスバー電極領域６側の少なくとも一方（図１２では両方）の一部の上方における誘電体薄膜５の規格化膜厚１０を、ＩＤＴ交差領域８上方における誘電体薄膜５の規格化膜厚９より０．１λ以上０．２５λ以下の範囲で薄い構成とする。

　これにより、ＩＤＴ交差領域８における横モードが抑圧され、横モードスプリアスの発生を抑制することができる。これは、ＩＤＴ交差領域８とギャップ領域１２での音速差が縮まり、ＩＤＴ交差領域８で励振された横モードとギャップ領域１２で励振された横モードとの間に音響結合が起こるからである。すなわち、ＩＤＴ交差領域８で共振する横モードのエネルギーがギャップ領域１２に分散するからだと考えられる。

　この場合、誘電体薄膜５の上面の段差は、ギャップ領域１２の上方において形成されていることが望ましい。これにより、この段差が弾性波共振器１の周波数特性に悪影響を及ぼすことを防止し、不要なスプリアスが発生することを抑制することができる。

　（実施の形態３）
　次に、実施の形態３の弾性波共振器１について、図面を用いて説明する。特に説明しない限り、その構成は実施の形態１と同様である。図１３は、実施の形態１における図１Ａの１３－１３または実施の形態２における図１２Ａの１３－１３の断面（ＩＤＴ交差領域８の断面）図である。

　図１３の弾性波共振器１において、圧電体２は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）系であり、この圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）は、－１００°≦θ≦－６０°、１．１９３φ－２°≦ψ≦１．１９３φ＋２°、ψ≦－２φ－３°，－２φ＋３°≦ψを満たす。尚、φ、θは、圧電体２の切出しカット角、ψは圧電体２上のＩＤＴ電極３における主要弾性波の伝搬角である。

　ここで、ニオブ酸リチウム系の圧電体２は３方晶系の結晶であるため、オイラー角には次の関係がある。

　（φ，θ，ψ）＝（６０＋φ，－θ，ψ）
　　　　　　　　＝（６０－φ，－θ，１８０－ψ）
　　　　　　　　＝（φ，１８０＋θ，１８０－ψ）
　　　　　　　　＝（φ，θ，１８０＋ψ）
　誘電体薄膜５は、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）膜からなる。誘電体薄膜５は、圧電体２と逆の温度特性を有し、その膜厚を所定膜厚より厚くすることで、弾性波共振器１の周波数温度特性を向上できる。

　このように、弾性波共振器１の周波数温度特性を向上すべく誘電体薄膜５の膜厚を所定膜厚より厚くした場合、ニオブ酸リチウムからなる圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうち、φとψを所定角度以上、かつψ＝１．１９３φにある程度従うように０度から変化させると、レイリー波による不要スプリアスの発生を抑制しながら、速い横波が発生する周波数帯付近における不要スプリアスを抑制することができる。

　次に、圧電体２がニオブ酸リチウムである場合に、圧電体２のオイラー角を特定範囲にしたときに不要スプリアスが抑制される作用効果について、以下詳述する。

　図１４、図１５は、圧電体２がオイラー角（φ，ψ＝０°）のニオブ酸リチウム系である場合の弾性波共振器１の周波数特性図である。弾性波共振器１の温度特性を向上すべく酸化ケイ素からなる誘電体薄膜５のＩＤＴ交差領域８上方における膜厚を例えば０．３５λとする。すると、図１４、図１５に示す様に、共振周波数の約１．２倍付近において、不要スプリアス２６、２７が発生する。

　尚、図１４は、圧電体２がオイラー角（０°、－８７．５°、０°）を有するニオブ酸リチウム系であり、ＩＤＴ電極３は膜厚０．０３λの銅であり、誘電体薄膜５はＩＤＴ交差領域８上方においてその上面が平坦で膜厚が０．３５λの酸化ケイ素からなる場合の特性図を示す。

　また、図１５は、圧電体２がオイラー角（０°,－９０°,０°）を有するニオブ酸リチウムであり、ＩＤＴ電極３は膜厚０．０８λのアルミニウムであり、誘電体薄膜５はＩＤＴ交差領域８上方においてＩＤＴ電極３の電極指上方におけるその上面に凸部を有し、膜厚が０．３５λの酸化ケイ素からなる場合の特性図を示す。尚、この凸部の高さは０．０３λより大きくＩＤＴ電極３の高さ以下であり、凸部の頂部の幅は、ＩＤＴ電極３の電極指の幅よりも小さいものとした。

　尚、図１４、図１５の縦軸は、整合値に対する規格化アドミタンス、図１４、図１５の横軸は、弾性波共振器１に発生する遅い横波（音速４０２４ｍ／ｓ）の半分の周波数に対する規格化周波数を示す。これは、他の特性図においても同じである。この不要スプリアスは、弾性波共振器１に発生する速い横波が原因であると考えられる。尚、弾性波共振器１に発生する横波のうち最も音速が速いものを速い横波といい、弾性波共振器１に発生する横波のうち最も音速が遅いものを遅い横波という。

　図１６Ａから図１６Ｃは、上記弾性波共振器において、圧電体２がオイラー角（０°,－８７．５°,０°）を有するニオブ酸リチウムであり、ＩＤＴ電極３は膜厚０．０３λの銅である。誘電体薄膜５がＩＤＴ交差領域８上方においてその上面が平坦な酸化ケイ素からなる場合に、ＩＤＴ交差領域８上方における誘電体薄膜５の膜厚を変化させたときの速い横波の電気機械結合係数（図１６Ａ）、共振のＱ値（Ｑｓ）（図１６Ｂ）、反共振のＱ値（Ｑａ）（図１６Ｃ）を示す。図１６Ｂに示す様に、ＩＤＴ交差領域８上方における誘電体薄膜５の膜厚を０．２７λより厚くすると、速い横波の共振のＱ値が大きくなる。さらに、図１６Ｃに示す様に、ＩＤＴ交差領域８上方における誘電体薄膜５の膜厚を０．３４λより厚くすると、速い横波の反共振のＱ値も大きくなる。

　図１７Ａから図１７Ｃは、上記弾性波共振器において、圧電体２がオイラー角（０°,－９０°,０°）を有するニオブ酸リチウムであり、ＩＤＴ電極３は膜厚０．０８λのアルミニウムである。誘電体薄膜５がＩＤＴ電極３の電極指上方におけるその上面に上記凸部を有した酸化ケイ素からなる場合に、ＩＤＴ交差領域８上方における誘電体薄膜５の膜厚を変化させたときの速い横波の電気機械結合係数（図１７Ａ）、共振のＱ値（Ｑｓ）（図１７Ｂ）、反共振のＱ値（Ｑａ）（図１７Ｃ）を示す。図１７Ｂに示す様に、ＩＤＴ交差領域８上方における誘電体薄膜５の膜厚を０．２λより厚くすると、速い横波の共振のＱ値が大きくなる。さらに、図１７Ｃに示す様に、ＩＤＴ交差領域８上方における誘電体薄膜５の膜厚を０．２７λより厚くすると、速い横波の反共振のＱ値も大きくなる。

　上記速い横波により、この弾性波共振器を適用したフィルタ、若しくはアンテナ共用器の特性品質が劣化するという問題がある。この不要スプリアスを抑制すべく、圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちφとψを変化させた。φを変化させた場合を図１８Ａ～図１８Ｇに示し、ψを変化させた場合を図１９Ａ～図１９Ｇに示す。

　図１８Ａ～図１８Ｇ、図１９Ａ～図１９Ｇは、圧電体２がオイラー角を有するニオブ酸リチウムであり、ＩＤＴ電極３は膜厚０．０８λのアルミニウムであり、誘電体薄膜５がＩＤＴ交差領域８上方においてＩＤＴ電極３の電極指上方におけるその上面に上記凸部を有し膜厚が０．３５λの酸化ケイ素からなる場合の特性図である。尚、図１８Ａ～図１８Ｇ、図１９Ａ～図１９Ｇにおける各特性図の上部には圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）を示している。図１８Ａ～図１８Ｇ、図１９Ａ～図１９Ｇに示す様に、φを変化させた場合もψを変化させた場合も不要スプリアスを抑制することができるが、逆に、共振周波数から少し低い周波数帯に上記とは異なる不要スプリアスが発生した。この不要スプリアスはレイリー波によるスプリアスと考えられる。

　尚、図１８～図１８Ｇ、図１９Ａ～図１９Ｇにおいて、１ｅ⁺⁰²以上、及び１ｅ^-02以下の弾性波素子のアドミタンス特性は図示していない。

　そこで、弾性波共振器１の誘電体薄膜５のＩＤＴ交差領域８上方における膜厚が０．２７λよりも大きい場合に、レイリー波による不要スプリアスの発生を抑制すると共に速い横波による不要スプリアスを抑制する。そのために、弾性波共振器１は、オイラー角（φ,θ,ψ）を有するニオブ酸リチウム系の圧電体２と、この圧電体２の上に設けられて波長λの主要弾性波を励振させるＩＤＴ電極３と、このＩＤＴ電極３を覆うように圧電体２の上に設けられてＩＤＴ交差領域８上方において０．２７λより厚い誘電体薄膜５とを備える。さらに、圧電体２のオイラー角は、－１００°≦θ≦－６０°、１．１９３φ－２°≦ψ≦１．１９３φ＋２°、ψ≦－２φ－３°，－２φ＋３°≦ψを満たすよう構成する。

　上記構成の様に、圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうち、φとψを所定角度以上、かつψ＝１．１９３φにある程度従うように０度から変化させると、レイリー波による不要スプリアスの発生を抑制しながら速い横波が発生する周波数帯付近における不要スプリアスを抑制することができる。

　ここで、図１６Ａに示す様に、レイリー波の電気機械結合係数が所定レベル以下となるように、誘電体薄膜５の膜厚の上限は０．５λであることが望ましい。

　図２０Ａ、図２０Ｂに、弾性波共振器１において、圧電体２がそれぞれオイラー角（７，－８７．５，８．４）、（９°,－８７．５°,１０．７°）を有するニオブ酸リチウムであり、ＩＤＴ電極３は膜厚０．０３λの銅であり、誘電体薄膜５はＩＤＴ交差領域８上方においてその上面が平坦な膜厚０．３５λの酸化ケイ素からなる場合の弾性波共振器１の特性図を示す。図２０Ａ、図２０Ｂに示す様に、弾性波共振器１は、レイリー波による不要スプリアスの発生を抑制しながら速い横波が発生する周波数帯付近における不要スプリアスを抑制することができる。

　図２１に、ニオブ酸リチウム系からなる圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうち、φとψの取りうる範囲を斜線で示す。尚、－１００°≦θ≦－６０°とし、ＩＤＴ交差領域８上方における誘電体薄膜５の膜厚を０．２７λより厚く設定すると共にＩＤＴ電極３を規格化膜厚０．０３λの銅とする。図２１に示すψ＝１．１９３φは、レイリー波によるスプリアスが特に抑制される場合のφとψの関係を示す線である。この線を中心とし、ψの範囲が±２度以内の範囲、即ち１．１９３φ－２°≦ψ≦１．１９３φ＋２°の範囲において、レイリー波によるスプリアスが抑制される。これについて、図２２を用いて説明する。図２２は、上記弾性波共振器１と同条件で、圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのψをψ＝１．１９３φから上下に変化させた場合における弾性波共振器１のレイリー波のＱ値を示す。尚、図２２の縦軸は、レイリー波のＱ値を示し、図２２の横軸は、ψのψ＝１．１９３φからの変化分Δψを示す。図２２に示すように、圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのψがψ＝１．１９３φから±２度の範囲で弾性波共振器１のレイリー波のＱ値が所定レベル以下に抑制されるのである。

　また、図２１に示すψ＝－２φは、速い横波によるスプリアスが特に大きく発生する場合のφとψの関係を示す線である。この線を中心とし、ψの範囲が±３度以上の範囲、即ち、ψ≦－２φ－３°，－２φ＋３°≦ψの範囲において、速い横波によるスプリアスが抑制される。これについて、図２３を用いて説明する。図２３は、上記弾性波共振器１と同条件で、圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのψをψ＝－２φから上下に変化させた場合における弾性波共振器１のレイリー波のＱ値を、φ＝０°、０．５°、１°、１．５°、２°、２．５°としたときを示す。図２３に示すように、圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのψがψ＝－２φから±３度以上の範囲で弾性波共振器１の速い横波のＱ値が所定レベル以下に抑制される。

　図２４は、上記と同条件で圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのθを変化させた場合における弾性波共振器１のレイリー波の電気機械結合係数ｋ２を示す。図２４に示す様に、レイリー波の電気機械結合係数ｋ２を０．０１以下に抑制するためには、圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのθが－１００°≦θ≦－６０°を満たす必要がある。

　図２５は、上記と同条件の弾性波共振器１における圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのθを変化させた場合における弾性波共振器１のＳＨ波の規格化結合係数を示す。図２５における電気機械結合係数はθ＝－９０°の場合の電気機械結合係数で規格化した値である。図２５に示す様に、圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのθが上記－１００°≦θ≦－６０°を含む、－１１０°≦θ≦－６０°の範囲において、ＳＨ波の電気機械結合係数ｋ２が所定値以上の値をとる。

　図２６は、上記と同条件の弾性波共振器１における圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのφとψをψ＝１．１９３φに沿って変化させた場合における弾性波共振器１のレイリー波の電気機械結合係数ｋ２を示す。図２６に示す様に、φ≦２０°の範囲で、レイリー波の電気機械結合係数を上記記載の０．０１よりも更に低い０．００２以下に抑制することができる。φに関して圧電体２のオイラー角を負方向に回転させた場合も同様となる。即ち、上記条件において、弾性波共振器１の圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのφが|φ|≦２０°を満たすことが望ましく、これにより、レイリー波の電気機械結合係数を更に抑制することができる。

　図２７は、上記と同条件の弾性波共振器１における圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのφとψをψ＝１．１９３φに沿って変化させた場合における弾性波共振器１のＳＨ波の規格化結合係数を示す。図２７は、φに関して圧電体２のオイラー角を正方向に回転させた場合であるが、φに関して圧電体２のオイラー角を負方向に回転させた場合も同様となる。図２７に示す様に、主要弾性波であるＳＨ波の観点からも、圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうちのφが|φ|≦２０°を満たすことにより、所定値以上のＳＨ波の電気機械結合係数を得ることができる。

　また、上記主要弾性波は、圧電体２３の表面を伝搬する弾性表面波、及び弾性境界波の両者に適用可能である。例えば、保護膜２４の膜厚をλ以上としたときは、上記主要弾性波は弾性境界波となる。

　（実施の形態４）
　以下、実施の形態４の弾性波共振器１について、図面を用いて説明する。なお、特に説明しない限り、その構成は他の実施の形態と同様である。図２８は、実施の形態４における図１Ａの２８－２８若しくは実施の形態２における図１２Ａの２８－２８における断面（ＩＤＴ交差領域８の断面）図である。

　本実施の形態４における弾性波共振器１は、オイラー角（φ,θ,ψ）を有するニオブ酸リチウム系の圧電体２と、圧電体２の上に設けられて波長λの主要弾性波を励振させるＩＤＴ電極３を備える。さらに、このＩＤＴ電極３を覆うように圧電体２の上に設けられてＩＤＴ交差領域８上方における膜厚が０．２λより厚い誘電体薄膜５とを備え、この誘電体薄膜５は、ＩＤＴ電極３の電極指の延伸方向と直交する方向の断面においてＩＤＴ電極３の電極指の上方で凸部５０を有する。そして、この凸部５０の頂部２９の幅は、ＩＤＴ電極３の電極指の幅よりも小さい。

　上記圧電体２のオイラー角は、－１００°≦θ≦－６０°、１．１９３φ－２°≦ψ≦１．１９３φ＋２°、ψ≦－２φ－３°，－２φ＋３°≦ψである。

　上記構成のように、誘電体薄膜５が凸部５０を有する場合に、速い横波による不要スプリアスが特に問題となる。そこで、弾性波共振器１の周波数温度特性を向上すべく例えば酸化ケイ素からなる誘電体薄膜５の膜厚をＩＤＴ交差領域８上方において０．２λより厚くした場合に、圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうち、φとψを所定角度以上、かつψ＝１．１９３φにある程度従うように０度から変化させると、レイリー波による不要スプリアスの発生を抑制しながら速い横波が発生する周波数帯付近における不要スプリアスを抑制することができる。

　図２９Ａと図２９Ｂに、弾性波共振器１において、圧電体２がそれぞれオイラー角（７，－８７．５，８．４）、（９°,－８７．５°,１０．７°）を有するニオブ酸リチウムであり、ＩＤＴ電極３は膜厚０．０８λのアルミニウムであり、誘電体薄膜５はその上面に高さＴ＝０．０８λの凸部５０を有しＩＤＴ交差領域８上方における膜厚が０．３５λの酸化ケイ素からなる場合の弾性波共振器１の各特性図を示す。図２９Ａ、図２９Ｂに示す様に、本実施の形態１の弾性波共振器１は、レイリー波による不要スプリアスの発生を抑制しながら速い横波が発生する周波数帯付近における不要スプリアスを抑制することができる。

　ＩＤＴ交差領域８上方における誘電体薄膜５の凸部５０は、その凸部５０の頂部２９から最下部３０にかけて下に凸な曲線となる凹凸形状を有することが望ましい。この場合、この下に凸な曲線若しくはその延長線と頂部２９を含む圧電体２の上面に平行な直線とが交わる点同士の間の距離で定義される頂部２９の幅Ｌは、ＩＤＴ電極３の電極指の幅よりも小さい。これにより、凸部５０における誘電体薄膜５の質量付加が連続的かつ緩やかに変化する。その結果、誘電体薄膜５の形状に起因する不要な反射を発生させることを抑制しつつ、弾性波共振器１の電気的特性を向上することができる。

　尚、凸部５０の頂部２９の幅は、さらにＩＤＴ電極３の電極指幅の１／２以下であることが望ましい。また、頂部２９の中心位置は、電極指の中心位置の上方に略一致していることが望ましい。これにより、質量付加効果により電極指での反射率が更に高まり、弾性波共振器１の電気的特性が向上する。

　さらに、凸部５０の高さをＴ、ＩＤＴ電極３の膜厚をｈとしたときに、０．０３λ＜Ｔ≦ｈを満たすことが望ましい。これは、誘電体薄膜５の凸部５０の最下部３０から頂部２９までの高さＴと電気的特性との関係を調べると、Ｔが、０．０３λ以上で、誘電体薄膜５の表面をフラットにしたものに対して反射率の向上が大きく見られるからである。一方、ＩＤＴ電極３の膜厚ｈより高くすると、下記に示す製造方法にさらに、この誘電体薄膜５を作成する為の新たなステップを追加することが必要となり、製造方法が煩雑となる。

　図３０Ａ～図３０Ｈは本発明の実施の形態４における例えば凸部５０を有する弾性波共振器１の製造方法の一例を説明する図である。

　まず、図３０Ａに示すように、圧電体３１の上面にＡｌまたはＡｌ合金を蒸着またはスパッタ等の方法によりＩＤＴ電極または／および反射器となる電極膜３２を成膜する。

　そして、図３０Ｂに示すように、電極膜３２の上面にレジスト膜３３を形成する。

　さらに、図３０Ｃに示すように、所望の形状となるように露光・現像技術等を用いてレジスト膜３３を加工する。

　さらにまた、図３０Ｄに示すように、ドライエッチング技術等を用いて電極膜３２をＩＤＴ電極や反射器等、所望の形状に加工した後、レジスト膜３３を除去する。

　次に、図３０Ｅに示すように、電極膜３２を覆うようにＳｉＯ₂を蒸着またはスパッタ等の方法により、誘電体薄膜３４を形成する。このとき、誘電体薄膜３４の上記凸部を得る方法として、圧電体３１側にバイアスを印加しながらスパッタリングで成膜を行う、いわゆるバイアススパッタリング法を用いた。

　酸化ケイ素のターゲットをスパッタリングすることにより圧電体３１上に誘電体薄膜３４を堆積させると同時に、バイアスにより圧電体３１上の誘電体薄膜３４の一部をスパッタリングする。つまり誘電体薄膜３４を堆積させながら一部を削ることにより、誘電体薄膜３４の形状をコントロールしたものである。その際、誘電体薄膜３４の形状をコントロールする手段としては、誘電体薄膜３４を堆積させる途中で圧電体３１に印加するバイアスとスパッタリング電力の比を変化させたり、成膜の初期は圧電体３１にバイアスをかけずに成膜し、途中から成膜と同時にバイアスを印加したりすればよい。この際、圧電体３１の温度についても管理を行う。

　さらに、図３０Ｆに示すように、誘電体薄膜３４の表面にレジスト膜３５を形成する。

　さらにまた、図３０Ｇに示すように、露光・現像技術等を用いてレジスト膜３５を所望の形状に加工する。

　次に、図３０Ｈに示すように、ドライエッチング技術等を用いて、電気信号取出しのためのパッド３６等、誘電体薄膜３４が不要な部分の誘電体薄膜を取り除き、その後、レジスト膜３５を除去する。

　最後にダイシングにより個々に分割し、弾性波共振器１を得る。

　以上のように、バイアススパッタリング法を用い、適当な成膜条件下で誘電体薄膜３４を成膜することで、所望の形状を得ることができることを発明者らは確認した。

　上記本実施の形態４における弾性波共振器１の特性は、図２１から図２７に示す実施の形態１における弾性波共振器１の特性と同様である。即ち、弾性波共振器１の周波数温度特性を向上すべく例えば酸化ケイ素からなる誘電体薄膜５の膜厚を０．２λより厚くした場合に、圧電体２のオイラー角（φ,θ,ψ）のうち、φとψを所定角度以上、かつψ＝１．１９３φにある程度従うように０度から変化させると、レイリー波による不要スプリアスの発生を抑制しながら速い横波が発生する周波数帯付近における不要スプリアスを抑制することができる。

　さらに、本実施の形態１の弾性波共振器１をラダー型フィルタもしくはＤＭＳフィルタ等のフィルタ（図示せず）に適用しても構わない。さらにまた、送信フィルタと受信フィルタとを有するアンテナ共用器（図示せず）に適用しても良い。また、弾性波共振器１を、このフィルタと、フィルタに接続された半導体集積回路素子（図示せず）と、半導体集積回路素子（図示せず）に接続されたスピーカ等の再生部とを備えた電子機器に適用しても良い。

　本発明にかかる弾性波共振器とアンテナ共用器は、横モードスプリアスを抑制するという効果を有し、携帯電話等の電子機器に適用可能である。

１　　弾性波共振器
２，３１　　圧電体
３　　ＩＤＴ電極
４　　グレーティング反射器
５，３４　　誘電体薄膜
６　　バスバー電極領域
７　　ダミー電極領域
８　　ＩＤＴ交差領域
９，１０　　規格化膜厚
１１　　規格化膜厚差
１２　　ギャップ領域
１３　　メタライズされたダミー電極重み付け部
２９　　頂部
３０　　最下部
３２　　電極膜
３３，３５　　レジスト膜
３６　　パッド
５０　　凸部

Claims

圧電体と、
前記圧電体の上に設けられ波長λの弾性波を励振させるＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられ前記圧電体を伝搬する最も遅い横波の速度よりも遅い速度の横波が伝搬する誘電体薄膜とを備え、
前記ＩＤＴ電極は、電極指の延伸方向において、外側から順にバスバー電極領域とダミー電極領域とＩＤＴ交差領域とを含み、
前記バスバー電極領域および前記ダミー電極領域の少なくとも一方の上方における前記誘電体薄膜の膜厚は、前記ＩＤＴ交差領域上方における前記誘電体薄膜の膜厚より０．１λ以上０．２５λ以下の範囲で薄い弾性波共振器。
圧電体と、
前記圧電体の上に設けられ波長λの弾性波を励振させるＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられ前記圧電体を伝搬する最も遅い横波の速度よりも遅い速度の横波が伝搬する誘電体薄膜とを備え、
前記ＩＤＴ電極は、電極指の延伸方向において、外側から順にバスバー電極領域とギャップ領域とＩＤＴ交差領域とを含み、
前記バスバー電極領域および前記ギャップ領域の少なくとも一方の上方における前記誘電体薄膜の膜厚は、前記ＩＤＴ交差領域上方における前記誘電体薄膜の膜厚より０．１λ以上０．２５λ以下の範囲で薄い弾性波共振器。
前記ＩＤＴ交差領域の上方における前記誘電体薄膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極によって励振された弾性波の音速が前記圧電体を伝搬する横波の音速よりも低速になるように設定された請求項１または請求項２に記載の弾性波共振器。
前記ＩＤＴ電極は、前記弾性波の伝搬方向において交差幅が一定である正規型の櫛型電極構成である請求項１または請求項２に記載の弾性波共振器。
前記誘電体薄膜は、酸化ケイ素からなる請求項１または請求項２に記載の弾性波共振器。
前記ＩＤＴ交差領域の上方における前記誘電体薄膜の膜厚は、前記ＩＤＴ電極によって励振された弾性波の温度特性が１０ｐｐｍ／℃以下になるように設定された請求項５に記載の弾性波共振器。
前記ＩＤＴ交差領域の上方における前記誘電体薄膜の膜厚は、０．２７λより大きく０．５λ以下である請求項１または請求項２に記載の弾性波共振器。
前記ダミー電極領域は、メタライズされたダミー電極重み付け部を備えた請求項１または請求項２に記載の弾性波共振器。
前記ＩＤＴ電極は、前記弾性波の伝搬方向において前記ＩＤＴ交差領域の中央部から端に向けて交差幅が段階的に小さくなるようにアポタイズ重み付けされ、
前記ＩＤＴ交差領域の中央部から端に向けて電極指の先端を結ぶ直線と、弾性波の伝搬方向のなす角度が４度より大きく１０度より小さい請求項１または請求項２に記載の弾性波共振器。
前記圧電体は、オイラー角（φ,θ,ψ）を有するニオブ酸リチウム系であり、
前記誘電体薄膜は、前記ＩＤＴ交差領域上方における膜厚が０．２７λより厚く、
前記オイラー角は、
－１００°≦θ≦－６０°、
１．１９３φ－２°≦ψ≦１．１９３φ＋２°、
ψ≦－２φ－３°，－２φ＋３°≦ψ
を満たす請求項１または請求項２に記載の弾性波共振器。
前記圧電体は、オイラー角（φ,θ,ψ）を有するニオブ酸リチウム系であり、
前記誘電体薄膜は、前記ＩＤＴ交差領域上方における膜厚が０．２λより厚く、前記ＩＤＴ電極の電極指の延伸方向と直交する方向の断面において前記ＩＤＴ電極の電極指の上方で凸部を有し、
前記凸部の頂部の幅は、前記ＩＤＴ電極の電極指の幅よりも小さく、
前記オイラー角は、
－１００°≦θ≦－６０°、
１．１９３φ－２°≦ψ≦１．１９３φ＋２°、
ψ≦－２φ－３°，－２φ＋３°≦ψ
を満たす請求項１または請求項２に記載の弾性波共振器。
前記オイラー角は、
－２０°≦φ≦２０°を満たす請求項１０又は請求項１１に記載の弾性波共振器。
前記誘電体薄膜は、前記断面において前記凸部の頂部から最下部にかけて下に凸の曲線形状を有する請求項１１に記載の弾性波共振器。
前記凸部の頂部の幅は、前記ＩＤＴ電極の電極指幅の１／２以下である請求項１１に記載の弾性波共振器。
前記凸部の頂部の中心位置は、前記電極指の中心位置の上方に略一致している請求項１１に記載の弾性波共振器。
前記凸部の高さをＴ、前記ＩＤＴ電極の膜厚をｈとしたときに、０．０３λ＜Ｔ≦ｈである請求項１１に記載の弾性波共振器。
送信フィルタと受信フィルタとを有するアンテナ共用器であって、
前記送信フィルタまたは前記受信フィルタは、請求項１に記載の弾性波共振器を含むアンテナ共用器。