CN113785489B - 弹性波装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种不易产生机电耦合系数的劣化、Q特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电膜(4)，直接或间接地层叠在支承基板(2)上；以及IDT电极(5)，设置在压电膜(4)上，IDT电极(5)具有在弹性波传播方向上观察时第1电极指(5a)和第2电极指(5b)相互重叠的交叉区域(C)，交叉区域(C)具有：中央区域(t)，位于第1电极指(5a)、第2电极指(5b)延伸的方向上的中央；以及第1边缘区域(e1)、第2边缘区域(e2)，配置在中央区域(t)的外侧，第1边缘区域(e1)、第2边缘区域(e2)中的声速比中央区域(t)中的声速低，在压电膜(4)中，中央区域(t)中的压电膜(4)的厚度Ht和第1边缘区域(e1)、第2边缘区域(e2)中的压电膜(4)的厚度He不同，在将由IDT电极(5)的电极指间距决定的波长设为λ时，Ht以及He中的至少一者为1λ以下。
Description
技术领域
本发明涉及在IDT电极的交叉区域中设置有声速相对低的边缘区域的弹性波装置。
背景技术
以往，为了抑制横模纹波，已知有降低了一部分区域的声速的弹性波装置。例如，在下述的专利文献1记载的弹性波装置中，将在弹性波传播方向上观察时相邻的电极指相互重叠的区域设为交叉区域，此时，在交叉区域内设置有低声速区域。即，在交叉区域的中央的区域的两侧设置有第1边缘区域、第2边缘区域。在该第1边缘区域、第2边缘区域中，通过增大电极指的宽度，或者层叠电极指的质量附加层，从而谋求了低声速化。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2013-518455号公报
发明内容
发明要解决的课题
在像专利文献1记载的那样的弹性波装置中，需要将电极指的宽度部分地变大，或者附加质量附加层，因此机电耦合系数、Q特性有可能劣化。
本发明的目的在于，提供一种不易产生机电耦合系数的劣化、Q特性的劣化的弹性波装置。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波装置具备：支承基板；压电膜，直接或间接地层叠在所述支承基板上；以及IDT电极，设置在所述压电膜上，所述IDT电极具有彼此相互交错对插的第1电极指和第2电极指，将在弹性波传播方向上观察时所述第1电极指和所述第2电极指相互重叠的区域设为交叉区域，在该情况下，所述交叉区域具有：中央区域，位于所述第1电极指、所述第2电极指延伸的方向上的中央；以及第1边缘区域、第2边缘区域，配置在所述第1电极指、所述第2电极指延伸的方向上的所述中央区域的外侧，所述第1边缘区域、所述第2边缘区域中的弹性波的声速比所述中央区域中的弹性波的声速低，在所述压电膜中，所述中央区域中的所述压电膜的厚度Ht与所述第1边缘区域、所述第2边缘区域中的所述压电膜的厚度He不同，在将由所述IDT电极的电极指间距决定的波长设为λ时，所述中央区域中的所述压电膜的厚度Ht以及所述第1边缘区域、所述第2边缘区域中的所述压电膜的厚度He中的至少一者为1λ以下。
发明效果
根据本发明，能够提供一种不易产生机电耦合系数、Q特性的劣化的弹性波装置。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。
图2是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图3是示出LiTaO3膜厚、SiO2的归一化膜厚、以及声速的关系的图。
图4是示出本发明涉及的弹性波装置的实施例以及比较例的阻抗-频率特性的图。
图5是本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。
图6是本发明的第3实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。
图7是本发明的第4实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。
图8是本发明的第5实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。
图9是本发明的第6实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。
图10是本发明的第7实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图11是本发明的第7实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。
图12是本发明的第8实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。
图13是本发明的第9实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。
图14是本发明的第10实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，由此明确本发明。
另外，需要指出，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图，图2使其俯视图。另外，图1是图2中的沿着X-X线的部分的剖视图。
弹性波装置1具有支承基板2。在支承基板2上隔着中间层3层叠有压电膜4。在压电膜4上设置有IDT电极5以及反射器6、7。由此，构成了单端口型弹性波谐振器。
压电膜4包含钽酸锂(LiTaO3)。不过，压电膜4也可以包含铌酸锂(LiNbO3)等其它压电体。虽然压电膜4隔着中间层3间接地层叠在支承基板2上，但是压电膜4也可以直接层叠在支承基板2。在弹性波装置1中，通过在压电膜4设置厚度与其它部分不同的部分，从而降低了声速。以下，对此进行更详细的说明。
如图2所示，IDT电极5具有多根第1电极指5a和多根第2电极指5b。多根第1电极指5a和多根第2电极指5b彼此相互交错对插。多根第1电极指5a的一端与第1汇流条5c连接。多根第1电极指5a的另一端向第2汇流条5d侧延伸。多根第2电极指5b的一端与第2汇流条5d连接。多根第2电极指5b的另一端向第1汇流条5c侧延伸。
弹性波传播方向是与第1电极指5a、第2电极指5b正交的方向。在弹性波传播方向上观察时，第1电极指5a和第2电极指5b相互重叠的区域是交叉区域C。即，是激励弹性波的区域。
交叉区域C具有位于第1电极指5a、第2电极指5b延伸的方向上的中央的中央区域t和连在中央区域t的外侧的第1边缘区域e1、第2边缘区域e2。
另一方面，第1电极指5a的前端与第2汇流条5d之间的部分是图2所示的缝隙区域g。第2电极指5b的前端与第1汇流条5c之间的部分也成为缝隙区域g。
如图1所示，将中央区域t中的压电膜4的厚度设为Ht，将第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的压电膜4的厚度设为He。另外，第1边缘区域e1中的压电膜4的厚度和第2边缘区域e2中的压电膜4的厚度设为相等。
在弹性波装置1中，设为He<Ht。此外，将缝隙区域g中的压电膜4的厚度设为Hg，将设置有第1汇流条5c、第2汇流条5d的部分的下方的压电膜4的厚度设为Hb。在本实施方式中，设为Ht＝Hg＝Hb＞He。
支承基板2由硅基板构成。不过，关于支承基板2的材料，也可以使用其它电介质、半导体，并没有特别限定。例如，也可以使用石英、蓝宝石等。
中间层3优选为低声速膜。所谓低声速膜，是指传播的体波(bulk wave)的声速比在压电膜4传播的体波的声速低的膜。作为低声速膜的材料，可列举氧化硅、掺杂了氟的氧化硅、氮氧化硅、掺杂了碳的氧化物等。在本实施方式中，中间层3由氧化硅(SiO2)膜构成。
在压电膜4中，为了使第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的压电膜4的厚度变薄，在压电膜4的下表面设置有凹部4b、4a。在压电膜4的下表面层叠有由氧化硅膜构成的中间层3，使得填补这样的凹部4a、4b。
IDT电极5以及反射器6、7包含A1、Cu、Pt、W、Mo等金属或以这些金属为主体的合金。金属材料没有特别限定。此外，IDT电极5以及反射器6、7也可以是将多个金属膜层叠而成的层叠金属膜。
在弹性波装置1中，第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的压电膜4的厚度He设为比中央区域t中的压电膜4的厚度Ht薄，因此能够降低第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的声速。参照图3对此进行说明。
图3是示出LiTaO3膜厚、SiO2的归一化膜厚、以及声速的关系的图。在此，在支承基板2上依次层叠有SiO2膜以及LiTaO3膜。另外，将由IDT电极的电极指间距决定的波长设为λ。图3中的LiTaO3膜的膜厚是用λ进行了归一化的值。同样地，在图3中，示出了SiO2膜的膜厚按波长归一化膜厚为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.8、1.0、1.5以及2.0的情况和SiO2膜的波长归一化膜厚为0，即，未设置SiO2膜的情况下的结果。
根据图3可明确，在未设置SiO2膜的情况下，随着作为压电膜的LiTaO3膜的膜厚增加，声速变低。因此，可知欲形成低声速区域，只要使压电膜的厚度部分地变厚即可。
相对于此，可知在SiO2膜的膜厚为0.3λ以上的情况下，如果使LiTaO3膜的膜厚变厚，则声速变高，若使LiTaO3膜的膜厚变薄，则声速变低。
此外，根据图3可明确，例如，与LiTaO3膜的膜厚为0.1λ、SiO2膜的膜厚为0.3λ的情况相比，在LiTaO3膜的膜厚为0.3λ、SiO2膜的膜厚为0.1λ的情况下声速变得更高。即，在使两者的合计膜厚固定的情况下，随着LiTaO3膜的膜厚增加，声速变高。相对于此，可知在SiO2膜的膜厚为0.1λ的情况下，在LiTaO3膜的膜厚为0.05λ以上且0.2λ以下的范围，若LiTaO3膜的膜厚变大，则声速有下降的趋势。因此，可知在选择了这样的范围内的膜厚的SiO2膜的情况下，在使两者的膜厚的合计固定且使LiTaO3膜的膜厚变薄的情况下，存在能够使声速变低的范围。即，通过选择LiTaO3膜和SiO2膜的膜厚，从而能够通过使LiTaO3膜的膜厚变厚而谋求高声速化，或者相反地，使LiTaO3膜的膜厚变薄而谋求高声速化。
如图1所示，在弹性波装置1中，设为He<Ht。因此，与中央区域t相比，第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的声速变低，被设为低声速区域。另外，在弹性波装置1中，缝隙区域g的声速设为比第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的声速高。设置有第1汇流条5c、第2汇流条5d的部分的声速变得比缝隙区域g低。在本实施方式中，中央区域t中的压电膜4的厚度Ht以及第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的压电膜4的厚度He中的至少一者为1λ以下。
像上述的那样，第1边缘区域e1、第2边缘区域e2的声速设为比中央区域t中的声速低，缝隙区域g中的声速比第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的声速高。因此，在弹性波装置1中，像在专利文献1记载的弹性波装置那样，能够抑制横模的纹波。
如上所述，在弹性波装置1中，为了降低第1边缘区域e1、第2边缘区域e2的声速，只是在压电膜4设置了凹部4a、4b。因此，在第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中，无需变更第1电极指5a、第2电极指5b的形状。此外，也无需在第1电极指5a、第2电极指5b形成质量附加层。因此，不易产生由这样的电极指的形状的变更、质量附加层的层叠造成的机电耦合系数的劣化、Q特性的劣化。
另外，欲得到使第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的压电膜4的厚度变薄的构造，并没有特别限定，例如，能够采用以下的制造方法。
在支承基材上形成LiTaO3膜，使得比压电膜4的厚度厚。然后，对LiTaO3膜进行研磨而使其变薄，得到压电膜4。接着，通过激光、适当的挖掘方法形成凹部4a、4b。然后，对作为中间层3的氧化硅膜进行制膜，使得填充到压电膜4的凹部4a、4b。接着，将支承基板2或在支承基板2上设置了薄的氧化硅膜的构造和上述压电膜4以及中间层3的层叠体进行层叠。然后，将支承基材剥离，并设置IDT电极5以及反射器6、7。
像上述的那样，能够容易地得到弹性波装置1。
将本发明涉及的弹性波装置的实施例以及比较例的阻抗-频率特性示于图4。图4的实线示出实施例的结果，虚线示出比较例的结果。在比较例的弹性波装置中，第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的压电膜4的厚度He以及中央区域t中的压电膜4的厚度Ht相同。另外，上述本发明涉及的弹性波装置的设计参数设为如下。
支承基板2：硅基板
中间层3：氧化硅膜、中央区域t中的氧化硅膜的厚度为0.335λ、第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的氧化硅膜的厚度为0.285λ
压电膜4：50°Y切割X传播的LiTaO3单晶膜
厚度Ht＝Hg＝Hb＝0.3λ、厚度He＝0.35λ
IDT电极：电极指的对数＝100对、由电极指间距决定的波长λ＝2μm、电极膜的结构＝从压电膜4侧起Ti膜以及AlCu膜的层叠金属膜、Ti膜的厚度＝12nm、AlCu膜的厚度＝120nm
电极指间距＝1μm
压电膜4的厚度Ht＝600nm＝0.3λ
氧化硅膜的厚度：673nm＝0.335λ
缝隙区域g的沿着第1电极指5a、第2电极指5b延伸的方向上的尺寸：2λ
根据图4可明确，在比较例的弹性波装置中，边缘区域的声速未降低，因此在谐振频率与反谐振频率之间的频带内以及比反谐振频率高的区域中，出现了用箭头D示出的许多的认为是由横模造成的纹波。相对于此，可知在实施例中，上述纹波被大幅降低。
图5是本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。另外，需要指出，在图5以及以下叙述的图6～图9、图11～图14中示出的侧视剖面示出与图1相同的位置的剖面。
在图5所示的弹性波装置21中，在压电膜4的下表面设置有突出部4c，使得形成厚度相对厚的区域。该突出部4c位于中央区域t的正下方。
像这样，欲在压电膜4中设置在交叉宽度方向上厚度与剩余的部分不同的区域，也可以设置突出部4c。另外，交叉宽度方向与第1电极指5a、第2电极指5b延伸的方向平行。在本实施方式中，IDT电极5也与第1实施方式同样地构成。而且，压电膜4由LiTaO3膜构成，中间层3由氧化硅膜构成。中间层3的厚度与第1实施方式相同。在本实施方式中，第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的压电膜4的厚度He也设为比中央区域t中的压电膜4的厚度Ht薄。因此，能够将第1边缘区域e1、第2边缘区域e2设为低声速的区域。另外，He＝Hg＝Hb。在该情况下，缝隙区域g中的声速变得比第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的声速高。因此，能够有效地抑制横模纹波。
进而，在弹性波装置21中，在支承基板2与中间层3之间层叠有作为低声速层的低声速膜22。支承基板2由硅基板构成。因此，由作为高声速层的支承基板2和低声速膜22构成了封闭层23。在此，所谓低声速膜22，是由传播的体波的声速相对低的低声速材料构成的膜。支承基板2由高声速材料构成，由此，由低声速膜22和支承基板2构成封闭层23。即，因为高声速材料位于比低声速材料离压电膜4远的一侧，所以能够将弹性波封闭在压电膜4侧。
作为上述低声速材料以及高声速材料，只要满足相对的声速关系，就没有特别限定。不过，优选地，作为低声速材料，能够使用氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、氧化硅中添加了氟、碳、硼、氢、或者硅烷醇基的化合物、以上述材料为主成分的介质等各种各样的材料。
此外，作为高声速材料，能够使用氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、多铝红柱石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC(类金刚石碳)膜或金刚石、以上述材料为主成分的介质、以上述材料的混合物为主成分的介质等各种各样的材料。
中间层3由氧化硅膜构成，在该情况下，对于低声速膜22也可以使用氧化硅膜。
图6是本发明的第3实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。在弹性波装置31中，除了代替图5的封闭层23而设置了图6所示的支承基板2以及封闭层32以外，与弹性波装置21相同。
支承基板2由硅基板构成。封闭层32层叠在支承基板2与中间层3之间。像这样，也可以与支承基板2独立地设置封闭层32。
进而，封闭层32由布拉格声反射器构成。即，交替地层叠有声阻抗相对低的低声阻抗层32a、32c和声阻抗相对高的高声阻抗层32b、32d。像这样，只要具有高声阻抗层层叠在比低声阻抗层相对于压电膜4更远的一侧的构造，就能够反射弹性波而有效地将弹性波的能量封闭在压电膜4侧。
在本发明中，像上述的那样，可以使用布拉格声反射器作为封闭层32。在该情况下，低声阻抗层以及高声阻抗层的层叠数没有特别限定。
图7是本发明的第4实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。在弹性波装置41中，除了在支承基板2与压电膜4之间设置有封闭层42以外，与弹性波装置21同样地构成。在此，封闭层42还具有图5所示的中间层3的功能。
封闭层42包含氧化硅。封闭层42的上表面与压电膜4的下表面接触。不过，在封闭层42内设置有腔42a。腔42a设置在包含在IDT电极5中前述的交叉区域C所位于的部分的下方的区域。由此，能够抑制弹性波向支承基板2侧的泄漏，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电膜4内。像这样，在本发明中，也可以使用具有腔42a的封闭层42。
图8是本发明的第5实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。在弹性波装置51中，在压电膜4的下表面设置有突出部4d、4e。突出部4d、4e设置在第2边缘区域e2、第1边缘区域e1。即，在弹性波装置51中，设为He＞Ht＝Hg＝Hb。因此，压电膜4的厚度相对厚的第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的声速被设为比中央区域t中的声速低。像这样，也可以通过选择氧化硅膜的膜厚以及LiTaO3膜的膜厚和声速的关系，从而使压电膜4的厚度在第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中变厚而谋求低声速化。
弹性波装置51的其它构造与弹性波装置1相同。
图9是本发明的第6实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。在弹性波装置61中，在压电膜4设置有凹部。中间层3层叠在压电膜4的下表面，使得填补这样的凹部。由此，中央区域t中的压电膜4的厚度Ht设为比第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的压电膜4的厚度He薄。而且，设为Ht＜He＝Hg＝Hb。因此，与弹性波装置51同样地，通过与中央区域t相比在第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中使压电膜4的厚度相对变厚，从而谋求了第1边缘区域e1、第2边缘区域e2的低声速化。
在上述弹性波装置21、31、41、51、61中，也与弹性波装置1同样地，通过使压电膜4的厚度部分地不同，从而设置有低声速区域。因此，不易产生机电耦合系数的劣化、Q特性的劣化。
图10是本发明的第7实施方式涉及的弹性波装置的俯视图，图11是其侧视剖视图。图11示出图10中的沿着X-X线的部分的剖面。
在弹性波装置71中，IDT电极5具有第1虚设电极指5e以及第2虚设电极指5f。第1虚设电极指5e的一端与第1汇流条5c连接，前端隔着缝隙与第2电极指5b的前端对置。第2虚设电极指5f的一端与第2汇流条5d连接。第2虚设电极指5f的前端与第1电极指5a的前端隔着缝隙对置。该缝隙构成了缝隙区域g。除了设置有第1虚设电极指5e、第2虚设电极指5f以外，电极构造设为与第1实施方式的弹性波装置1相同。
此外，如图11所示，在弹性波装置71中，与第1实施方式同样地，设为He＜Ht。即，压电膜4的第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的厚度He比中央区域t中的压电膜4的厚度Ht薄。因此，第1边缘区域e1、第2边缘区域e2的声速设为比中央区域t的声速低。
另一方面，缝隙区域g的压电膜4的厚度Hg为Hg＞He。因此，缝隙区域g中的声速比第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的声速高。
另外，将设置有第1虚设电极指5e、第2虚设电极指5f的区域设为虚设区域d1、d2。更具体地，在弹性波传播方向上观察时，与第1虚设电极指5e、第2虚设电极指5f重叠的区域为虚设区域d1、d2。将该虚设区域d1、d2中的压电膜4的厚度设为Hd。在弹性波装置71中，设为Hd<Hg＝Hb。像这样，通过设为Hd＜Hb，从而能够更有效地抑制由横模的纹波造成的影响。不过，无需设为Hd<Hb。
在弹性波装置71中，支承基板2以及中间层3与弹性波装置1同样地构成。
像弹性波装置71那样，在本发明中，IDT电极5也可以具有第1虚设电极指5e、第2虚设电极指5f。
图12是本发明的第8实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。在弹性波装置81中，除了像以下那样设计了压电膜4的厚度不同的部分以外，与弹性波装置71相同。
He＜Ht＝Hd＜Hg＜Hb
在本实施方式中，也是He＜Ht，在缝隙区域g中也未赋予电极材料，因此与交叉区域C以及缝隙区域g中的声速相比，能够降低第1边缘区域e1、第2边缘区域e2的声速。因此，能够有效地抑制由横模造成的纹波。进而，因为Hd＜Hb，所以由此也能够有效地抑制由横模造成的纹波。
图13是本发明的第9实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。在弹性波装置91中，在支承基板2上层叠有上表面平坦的中间层3。而且，在压电膜4的底面设置有凹部4g。凹部4g位于中央区域t的下方。即，设为Ht<He＝Hg＝Hb。像这样，通过设置凹部4g，从而设为Ht<He。在压电膜4的厚度相对薄的部分与中间层3之间设置有空隙。弹性波装置91的其它构造设为与图8所示的弹性波装置51相同。在此，因为也设为了He＞Ht，所以与弹性波装置51同样地，能够降低第1边缘区域e1、第2边缘区域e2中的声速。
另外，在制造时，只要在形成了凹部4g之后，在压电膜4的下表面层叠支承基板2以及中间层3的层叠体即可。
图14是本发明的第10实施方式涉及的弹性波装置的侧视剖视图。弹性波装置101在凹部4g内，即，在空隙内填充有由与压电膜4不同的材料构成的异种材料层102。其它结构与弹性波装置91相同。也可以是，在凹部4g内填充异种材料层102，然后对作为中间层3的氧化硅膜进行制膜，并与支承基板2粘合。
异种材料层102的材料优选为不具有压电性的材料。由此，与弹性波装置91的情况同样地，变得容易使第1边缘区域e1、第2边缘区域e2的声速比中央区域t的声速低。
作为构成上述异种材料层102的材料，只要是与压电膜4不同的材料，就没有特别限定，优选为不具有压电性的材料，作为这样的材料，能够列举氧化硅、氮氧化硅、矾土等绝缘性材料、硅等半导体材料。
在弹性波装置91、101中，也与第1实施方式同样地，不易产生机电耦合系数的劣化、Q特性的劣化。
附图标记说明
1、21、31、41、51、61、71、81、91、101：弹性波装置；
2：支承基板；
3：中间层；
4：压电膜；
4a、4b、4g：凹部；
4c、4d、4e：突出部；
5：IDT电极；
5a、5b：第1电极指、第2电极指；
5c、5d：第1汇流条、第2汇流条；
5e、5f：第1虚设电极指、第2虚设电极指；
6、7：反射器；
22：低声速膜；
23、32、42：封闭层；
32a、32c：低声阻抗层；
32b、32d：高声阻抗层；
42a：腔；
102：异种材料层。
Claims (16)
1.一种弹性波装置，具备：
支承基板；
压电膜，直接或间接地层叠在所述支承基板上；以及
IDT电极，设置在所述压电膜上，
所述IDT电极具有彼此相互交错对插的第1电极指和第2电极指，
将在弹性波传播方向上观察时所述第1电极指和所述第2电极指相互重叠的区域设为交叉区域，
所述交叉区域具有：中央区域，位于所述第1电极指、所述第2电极指延伸的方向上的中央；以及第1边缘区域、第2边缘区域，配置在所述第1电极指、所述第2电极指延伸的方向上的所述中央区域的外侧，
所述第1边缘区域、所述第2边缘区域中的弹性波的声速比所述中央区域中的弹性波的声速低，
在所述压电膜中，所述中央区域中的所述压电膜的厚度Ht与所述第1边缘区域、所述第2边缘区域中的所述压电膜的厚度He不同，
在将由所述IDT电极的电极指间距决定的波长设为λ时，所述厚度Ht以及所述厚度He中的至少一者为1λ以下。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
还具备：中间层，层叠在所述支承基板与所述压电膜之间，
所述压电膜间接地层叠在所述支承基板。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，
所述中间层是氧化硅膜。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
还具备：封闭层，层叠在所述支承基板与所述压电膜之间，用于将弹性波的能量封闭在所述压电膜。
5.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，
配置有封闭层，所述封闭层层叠在所述中间层与所述支承基板之间，用于将弹性波的能量封闭在所述压电膜。
6.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极具有第1汇流条、第2汇流条，所述第1电极指与所述第1汇流条连接，所述第2电极指与所述第2汇流条连接，所述第1汇流条与所述第2电极指的前端之间以及所述第2汇流条与所述第1电极指的前端之间分别设为缝隙区域，所述缝隙区域中的所述压电膜的厚度Hg设为与所述第1边缘区域、所述第2边缘区域中的所述压电膜的厚度He相等。
7.根据权利要求6所述的弹性波装置，其中，
设置有所述第1汇流条、所述第2汇流条的部分中的所述压电膜的厚度Hb与所述第1边缘区域、所述第2边缘区域中的所述压电膜的厚度He相等。
8.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极具有第1汇流条、第2汇流条，所述第1电极指与所述第1汇流条连接，所述第2电极指与所述第2汇流条连接，所述第1汇流条与所述第2电极指的前端之间以及所述第2汇流条与所述第1电极指的前端之间分别设为缝隙区域，所述缝隙区域中的所述压电膜的厚度Hg与所述第1边缘区域、所述第2边缘区域中的所述压电膜的厚度He以及所述中央区域中的所述压电膜的厚度Ht不同。
9.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极具有第1汇流条、第2汇流条，所述第1电极指与所述第1汇流条连接，所述第2电极指与所述第2汇流条连接，所述第1汇流条与所述第2电极指的前端之间以及所述第2汇流条与所述第1电极指的前端之间分别设为缝隙区域，设置有所述第1汇流条、所述第2汇流条的部分中的所述压电膜的厚度Hb与所述第1边缘区域、所述第2边缘区域中的所述压电膜的厚度He以及所述中央区域中的所述压电膜的厚度Ht不同。
10.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，
所述中间层的上表面与所述压电膜的所述中间层侧的底面接触，在所述压电膜的厚度相对薄的部分与所述中间层之间设置有空隙。
11.根据权利要求10所述的弹性波装置，其中，
在所述空隙填充有与所述压电膜不同的材料。
12.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电膜包含钽酸锂或铌酸锂。
13.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，
所述封闭层具有：高声速层，由传播的体波的声速比在所述压电膜传播的弹性波的声速高的高声速材料构成。
14.根据权利要求13所述的弹性波装置，其中，
所述封闭层具有：低声速层，由传播的体波的声速比在所述压电膜传播的体波的声速低的低声速材料构成，
所述低声速层配置在比所述高声速层靠所述压电膜侧。
15.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，
所述封闭层是具有声阻抗相对低的低声阻抗层和声阻抗相对高的高声阻抗层的布拉格声反射器。
16.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，
在所述封闭层中，设置有用于将弹性波封闭在所述压电膜的腔。
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