JP7055016B2 - マルチプレクサ - Google Patents
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Description
本発明は、20°以上かつ48°以下のカット角を有するYカットX伝播タンタル酸リチウム基板である第1圧電基板と、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である第2圧電基板と、共通端子と第1端子との間に電気的に接続され、前記第1圧電基板上に設けられた第1金属膜により形成された第1IDTを有する複数の共振器を含むラダー型フィルタと、前記共通端子と第2端子との間に電気的に接続され、前記ラダー型フィルタの通過帯域より高い通過帯域を有し、前記第2圧電基板上に設けられた第2金属膜により形成され、少なくとも1つの第2IDTのグレーティング電極の平均ピッチが前記複数の共振器の少なくとも1つの第1IDTのグレーティング電極の平均ピッチより大きい複数の第2IDTを有する多重モードフィルタと、を備え、前記第2IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスは前記第1IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスより小さいマルチプレクサである。
前記共通端子と第2端子との間に電気的に接続され、前記ラダー型フィルタの通過帯域より高い通過帯域を有し、前記圧電基板上に設けられAlを主成分とする第2金属膜により形成され、少なくとも1つの第2IDTのグレーティング電極の平均ピッチが前記複数の共振器の少なくとも1つの第1IDTのグレーティング電極の平均ピッチより大きい複数の第2IDTを有する多重モードフィルタと、を備えるマルチプレクサである。
本発明は、20°以上かつ48°以下のカット角を有するYカットX伝播タンタル酸リチウム基板である単一の圧電基板と、共通端子と第1端子との間に電気的に接続され、前記圧電基板上に設けられた第1金属膜により形成された第1IDTを有する複数の共振器を含むラダー型フィルタと、前記共通端子と第2端子との間に電気的に接続され、前記ラダー型フィルタの通過帯域より高い通過帯域を有し、前記圧電基板上に設けられた第2金属膜により形成され、少なくとも1つの第2IDTのグレーティング電極の平均ピッチが前記複数の共振器の少なくとも1つの第1IDTのグレーティング電極の平均ピッチより大きい複数の第2IDTを有する多重モードフィルタと、を備え、 前記第2IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスは前記第1IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスより小さいマルチプレクサである。
IDT12aの対数:30対
IDT12bの対数:30対
反射器14(1個当たり)の対数:10対
圧電基板10b:42°YカットX伝播タンタル酸リチウム
金属膜11bの材料:Al(実施例1)、Mo(比較例1)
金属膜11bの膜厚T2/λ2:0.1
ピッチλ2:5.0μm
図6(a)から図6(c)は、それぞれ実施例1の変形例1から3に係る共振器の断面図である。図6(a)に示すように、圧電基板10aおよび/または10b上に金属膜11aおよび/または11bを覆うように誘電体膜24が形成されている。誘電体膜24は、周波数調整および/または温度変化補償のための膜である。誘電体膜24としては、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜を用いることができる。圧電基板10aおよび10bは、シリコン基板、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、ガラス基板または水晶基板等の支持基板上に接合されていてもよい。
図8は、実施例2の変形例1における送信フィルタおよび受信フィルタの平面図である。図8に示すように、送信フィルタ40および受信フィルタ42は単一の圧電基板10に設けられている。このように、第1圧電基板と第2圧電基板とが単一の圧電基板10である場合、ラダー型フィルタにおける弾性表面波の音速を遅くしようとすると、多重モードフィルタの広帯域化が難しくなる。よって、λ2をλ1より大きくすることが好ましい。その他の構成は実施例2と同じであり説明を省略する。
図9(a)は、実施例2の変形例2に係る送信フィルタおよび受信フィルタの平面図、図9(b)は、図9(a)のA-A断面図である。図9(a)に示すように、共通端子Antが圧電基板10上に設けられている。図9(b)に示すように、配線22aおよびIDT12は金属膜11aにより形成され、配線22bおよびIDT12aから12cは金属膜11bにより形成されている。その他の構成は実施例2の変形例1と同じであり説明を省略する。
図10(a)は、実施例2の変形例3に係る送信フィルタおよび受信フィルタの平面図、図10(b)は、図10(a)のA-A断面図である。図10(a)および図10(b)に示すように、IDT12は金属膜11aにより形成され、IDT12aから12cは金属膜11bにより形成されている。配線22aおよび22bは金属膜11aと金属膜11bとが積層され形成されている。その他の構成は実施例2の変形例2と同じであり説明を省略する。
11a、11b 金属膜
12、12a-12c IDT
14 反射器
16 電極指
18 櫛型電極
20 弾性波共振器
22a、22b 配線
40 送信フィルタ
42 受信フィルタ
Claims (10)
- 20°以上かつ48°以下のカット角を有するYカットX伝播タンタル酸リチウム基板である第1圧電基板と、
タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である第2圧電基板と、
共通端子と第1端子との間に電気的に接続され、前記第1圧電基板上に設けられCu、W、Ru、Mo、Ta、Pt、Pd、Ir、Rh、ReおよびTeの少なくとも1つを主成分とする第1金属膜により形成された第1IDTを有する複数の共振器を含むラダー型フィルタと、
前記共通端子と第2端子との間に電気的に接続され、前記ラダー型フィルタの通過帯域より高い通過帯域を有し、前記第2圧電基板上に設けられAlを主成分とする第2金属膜により形成され、少なくとも1つの第2IDTのグレーティング電極の平均ピッチが前記複数の共振器の少なくとも1つの第1IDTのグレーティング電極の平均ピッチより大きい複数の第2IDTを有する多重モードフィルタと、
を備えるマルチプレクサ。 - 20°以上かつ48°以下のカット角を有するYカットX伝播タンタル酸リチウム基板である単一の圧電基板と、
共通端子と第1端子との間に電気的に接続され、前記圧電基板上に設けられCu、W、Ru、Mo、Ta、Pt、Pd、Ir、Rh、ReおよびTeの少なくとも1つを主成分とする第1金属膜により形成された第1IDTを有する複数の共振器を含むラダー型フィルタと、
前記共通端子と第2端子との間に電気的に接続され、前記ラダー型フィルタの通過帯域より高い通過帯域を有し、前記圧電基板上に設けられAlを主成分とする第2金属膜により形成され、少なくとも1つの第2IDTのグレーティング電極の平均ピッチが前記複数の共振器の少なくとも1つの第1IDTのグレーティング電極の平均ピッチより大きい複数の第2IDTを有する多重モードフィルタと、
を備えるマルチプレクサ。 - 20°以上かつ48°以下のカット角を有するYカットX伝播タンタル酸リチウム基板である第1圧電基板と、
タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である第2圧電基板と、
共通端子と第1端子との間に電気的に接続され、前記第1圧電基板上に設けられた第1金属膜により形成された第1IDTを有する複数の共振器を含むラダー型フィルタと、
前記共通端子と第2端子との間に電気的に接続され、前記ラダー型フィルタの通過帯域より高い通過帯域を有し、前記第2圧電基板上に設けられた第2金属膜により形成され、少なくとも1つの第2IDTのグレーティング電極の平均ピッチが前記複数の共振器の少なくとも1つの第1IDTのグレーティング電極の平均ピッチより大きい複数の第2IDTを有する多重モードフィルタと、
を備え、
前記第2IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスは前記第1IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスより小さいマルチプレクサ。 - 20°以上かつ48°以下のカット角を有するYカットX伝播タンタル酸リチウム基板である単一の圧電基板と、
共通端子と第1端子との間に電気的に接続され、前記圧電基板上に設けられた第1金属膜により形成された第1IDTを有する複数の共振器を含むラダー型フィルタと、
前記共通端子と第2端子との間に電気的に接続され、前記ラダー型フィルタの通過帯域より高い通過帯域を有し、前記圧電基板上に設けられた第2金属膜により形成され、少なくとも1つの第2IDTのグレーティング電極の平均ピッチが前記複数の共振器の少なくとも1つの第1IDTのグレーティング電極の平均ピッチより大きい複数の第2IDTを有する多重モードフィルタと、
を備え、
前記第2IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスは前記第1IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスより小さいマルチプレクサ。 - 前記複数の共振器を電気的に接続し、少なくとも一部において前記第1金属膜と前記第2金属膜とが積層された第1配線と、
前記多重モードフィルタと前記共通端子および/または前記第2端子とを電気的に接続し、少なくとも一部において前記第1金属膜と前記第2金属膜とが積層された第2配線と、
を備える請求項2または4に記載のマルチプレクサ。 - 前記第2IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスは前記第1IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスより小さい請求項1または2に記載のマルチプレクサ。
- 前記第2IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスは前記第1IDTのグレーティング電極の音響インピーダンスの1/2以下である請求項1から5のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。
- 前記第1IDTのグレーティング電極および前記第2IDTのグレーティング電極が励振する弾性波はSH波である請求項1から7のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。
- 前記第2圧電基板は、20°以上かつ48°以下のカット角を有するYカットX伝播タンタル酸リチウム基板である請求項1または3に記載のマルチプレクサ。
- 前記第1金属膜は積層された1または複数の第3金属膜により形成され、前記1または複数の第3金属膜のうち各第3金属膜の密度をρi、前記各第3金属膜のポアソン比をPi、前記各第3金属膜の膜厚をhi、Cuの密度をρ0、Cuのポアソン比をP0、および前記第1IDTのグレーティング電極の平均ピッチをλとしたとき、前記各第3金属膜における(hi/λ)×(ρi/ρ0)×(Pi/P0)を前記1または複数の第3金属膜について合計した値が0.08より大きい請求項1から9のいずれか一項に記載のマルチプレクサ。
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