WO2023243351A1 - 弾性波装置、および通信装置 - Google Patents

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WO2023243351A1
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elastic wave
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low sound
sound velocity
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惣一朗 野添
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京セラ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • Patent Document 1 discloses an example of the configuration of an elastic wave device having a membrane structure.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of an elastic wave device according to a fourth embodiment.
  • 12 is a graph showing a transverse mode index according to the amount of silicon penetration in the elastic wave device according to the fourth embodiment. It is a phase average value from the resonance frequency to the anti-resonance frequency according to the amount of silicon penetration in the elastic wave device according to the fourth embodiment. 12 is a graph showing a transverse mode index according to the amount of silicon penetration in the elastic wave device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 29 is a plan view of one cycle of the IDT electrode 600 in the general acoustic wave device 100. Therefore, the IDT electrodes 600 are arranged in the electrode finger arrangement direction (Y direction).
  • FIG. 30 is a cross-sectional view of a general elastic wave device 100.
  • FIG. 31 is a diagram showing frequency characteristics of a general elastic wave device 100 according to Comparative Example 1.
  • the horizontal axis represents frequency and the vertical axis represents phase.
  • the phase may be constant at 90°.
  • Comparative Example 2 Frequency characteristics when silicon 3 invades below the IDT electrode 600
  • the cavity 4 is smaller than that of the elastic wave device 100, and the silicon 3 penetrates below the IDT electrode 600. That is, the outer edge 4a of the cavity 4 is located below the IDT electrode 600.
  • the duty of the electrode fingers is constant from the root to the tip.
  • the dummy electrode fingers also have the same duty as the electrode fingers.
  • Such an elastic wave device is also called a non-duty offset resonator or a normal resonator.
  • FIG. 32 is a diagram showing the frequency characteristics of the elastic wave device according to Comparative Example 2.
  • the horizontal axis represents frequency and the vertical axis represents phase.
  • the solid line is the frequency characteristic when silicon 3 penetrates below the IDT electrode 600 in the acoustic wave device according to Comparative Example 2, and the broken line shows the frequency characteristic when silicon 3 penetrates below the IDT electrode 600 in the acoustic wave device according to Comparative Example 2. This is the frequency characteristic when it does not penetrate below .
  • the schematic diagram at the bottom of FIG. 32 is a schematic diagram showing the amount of silicon 3 infiltrated. In the case of the solid line, the amount of penetration of silicon 3 is 0.5 ⁇ m. 0.5 ⁇ m corresponds to 1/3 of the thickness of the bus bar.
  • FIG. 1 is a plan view of a part of the elastic wave device 1 according to the first embodiment.
  • the elastic wave device 1 differs from the elastic wave device 100 in that an IDT electrode 6 is formed instead of the IDT electrode 600.
  • the IDT electrode 6 includes a busbar 61a and a busbar 61b, an electrode finger 62a and an electrode finger 62b, a dummy electrode finger 63a and a dummy electrode finger 63b, and widened portions 65a and 65b (also called widened portion 65), to which different potentials are applied. ) and.
  • the widened portion 65 is located near the bus bar 61 in the first region 60 .
  • the widened portion 65 located near the bus bar 61 may exist within one wavelength from the end of the intersection region 64 on the bus bar side, or within a range of the pitch PT.
  • widened portions 65 and dummy electrode fingers 63 are alternately connected to the bus bar 61, and electrode fingers 62 are connected to the widened portions 65.
  • the fact that the electrode finger 62 and the dummy electrode finger 63 face each other remains unchanged.
  • the ratio of the width to the pitch PT of the widened portion 65 is referred to as an offset duty OD, and the offset duty OD is larger than the duty D. That is, the width of the widened portion 65 in the Y direction (the direction in which the electrode fingers are arranged) is larger (widened) than the width of the electrode finger 62 in the Y direction. Further, the length of the widened portion 65 in the X direction (the direction in which the electrode finger extends) is longer than the length of the dummy electrode finger 63.
  • the IDT electrode 6 having such a widened portion 65 is referred to as a duty offset resonator. Further, the dummy electrode finger (second electrode finger) 63 has a width larger than the average width of the electrode finger 62.
  • a region extending in the direction in which the electrode fingers 62 are arranged in the width of the widened portion 65 is referred to as a low sound velocity region 66. Since the offset duty OD of the widened portion 65 is larger than the duty D of the electrode finger 62, the widened portion 65 has a larger weight per unit area than the electrode finger 62. Therefore, the sound speed in the low sound speed region 66 is low in the first region 60.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the elastic wave device 1 according to the first embodiment.
  • silicon 3 has invaded below the IDT electrode 6.
  • This amount of intrusion is defined as the amount of silicon intrusion x, where x is the distance from the end of the bus bar 61 outside the first region 60 to the outer edge 4a of the cavity 4.
  • the silicon penetration amount x is a variable, and the frequency characteristics of the elastic wave device were simulated while adjusting the silicon penetration amount x.
  • the duty D was 0.5 and the offset duty OD was 0.6.
  • FIGS. 3 to 7 In the upper graphs of FIGS. 3 to 7, the broken lines represent the frequency characteristics in the case of Comparative Example 1, and the solid lines represent the respective cases.
  • the schematic diagrams at the bottom of FIGS. 3 to 7 are schematic diagrams showing the amount of silicon 3 infiltrated. As shown in FIGS. 3 to 7, the frequency characteristics change depending on the amount x of silicon 3 that penetrates below the IDT electrode 6.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the elastic wave device 1a according to the second embodiment.
  • the elastic wave device 1a differs from the elastic wave device 1 in that a connection layer 7a of silicon dioxide (SiO 2 ) is provided between the silicon 3 and the piezoelectric substrate 5.
  • the connection layer 7a exists only above the silicon 3 and does not exist at the position of the cavity 4.
  • the connection layer 7a has a thickness of about 0.1 ⁇ m.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of an elastic wave device 1b according to the third embodiment.
  • the elastic wave device 1b differs from the elastic wave device 1 in that a low resistance connection layer 7b is provided between the silicon 3 and the piezoelectric substrate 5.
  • the connection layer 7b exists only above the silicon 3 and does not exist at the position of the cavity 4.
  • the transverse mode index T is sufficiently small compared to Comparative Example 1 until the position of the outer edge 4a is located at the end of the low sound velocity region 66.
  • the phase average value is also sufficiently close to 90° until the position of the outer edge 4a is located at the end of the low sound velocity region 66. Therefore, in the elastic wave device 1c according to the fourth embodiment, it can be said that the frequency characteristics are sufficiently good until the position of the outer edge 4a is located at the end of the low sound velocity region 66.
  • the transverse mode index T is sufficiently small compared to Comparative Example 1 until the position of the outer edge 4a is located at the end of the low sound velocity region 66.
  • the phase average value is also sufficiently close to 90° until the position of the outer edge 4a is located at the end of the low sound velocity region 66. Therefore, in the elastic wave device according to the fifth embodiment, it can be said that the frequency characteristics are sufficiently good until the position of the outer edge 4a is located at the end of the low sound velocity region 66.
  • Embodiments 1 and 5 are the same except for the value of the offset duty OD, and good frequency characteristics could be obtained even if the offset duty OD was increased.
  • the offset duty OD of the IDT electrode 6 is increased to 0.8 compared to the elastic wave device 1. In other words, the weight of the low sound velocity region 66 is increased.
  • FIG. 21 is a graph showing the transverse mode index T according to the silicon penetration amount x in the elastic wave device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 22 shows the phase average value from the resonant frequency fr to the anti-resonant frequency fa according to the amount x of silicon penetration in the elastic wave device according to the sixth embodiment.
  • the broken lines in FIGS. 21 and 22 are the values in Comparative Example 1, and the solid lines are the values in the elastic wave device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 23 is a graph showing the transverse mode index T according to the width of the bus bar in the elastic wave device 1 according to the seventh embodiment.
  • FIG. 24 shows phase average values from the resonant frequency fr to the anti-resonant frequency fa according to the width of the bus bar in the elastic wave device 1 according to the seventh embodiment.
  • the silicon penetration amount x was assumed to be located below the tip of the dummy electrode finger 63.
  • FIG. 25 is a plan view of the elastic wave device according to the eighth embodiment.
  • the elastic wave device includes an IDT electrode 6f that is a piston resonator instead of the IDT electrode 6.
  • the root of the electrode finger 62 in contact with the bus bar 61 and the tip of the electrode finger 62 are widened, and are a widened part 65 and a widened part 67, respectively. Further, the piston resonator does not include dummy electrode fingers 63. Furthermore, the bus bar 61 is provided with an opening 68 . The widened portion 67 and the opening 68 are classified into a widened portion 67a and a widened portion 67b, and an opening 68a and an opening 68b, depending on the applied potential.
  • FIG. 28 is a diagram illustrating a schematic configuration of the communication device 151 in the ninth embodiment.
  • the communication device 151 is an application example of an elastic wave device according to one aspect of the present disclosure, and performs wireless communication using radio waves.
  • the communication device 151 may include one duplexer 101 as a transmission filter 109 and another duplexer 101 as a reception filter 111.
  • Each of the two duplexers 101 may include an elastic wave device (eg, elastic wave device 1, 1a to 1f) according to one aspect of the present disclosure. In this way, the communication device 151 may include an elastic wave device according to one aspect of the present disclosure.
  • a transmission information signal TIS containing information to be transmitted is modulated and frequency-increased (converted to a high-frequency signal having a carrier frequency) by an RF-IC (Radio Frequency-Integrated Circuit) 153, and the transmission information signal TIS is converted into a transmission signal. It may be converted to TS.
  • the bandpass filter 155 may remove unnecessary components other than the transmission passband for the TS.
  • the TS after removing unnecessary components may be amplified by the amplifier 157 and input to the transmission filter 109.
  • the transmission filter 109 may remove unnecessary components outside the transmission passband from the input transmission signal TS.
  • the transmission filter 109 may output the TS from which unnecessary components have been removed to the antenna 159 via an antenna terminal (eg, TCin described above).
  • the antenna 159 may convert the TS, which is an electrical signal input to itself, into a radio wave as a wireless signal, and transmit the radio wave to the outside of the communication device 151.
  • the antenna 159 may convert the received radio waves from the outside into a reception signal RS, which is an electrical signal, and input the RS to the reception filter 111 via the antenna terminal.
  • the reception filter 111 may remove unnecessary components other than the reception passband from the input RS.
  • the reception filter 111 may output the reception signal RS from which unnecessary components have been removed to the amplifier 161.
  • the output RS may be amplified by the amplifier 161.
  • the bandpass filter 163 may remove unnecessary components other than the receiving passband from the amplified RS.
  • the frequency of the RS after unnecessary component removal is lowered and demodulated by the RF-IC 153, and may be converted into a received information signal RIS.
  • the TIS and RIS may be low frequency signals (baseband signals) containing appropriate information.
  • TIS and RIS may be analog audio signals or digitized audio signals.
  • the passband of the wireless signal may be set as appropriate and may conform to various known standards.
  • the low sound velocity region 66 was defined by the length of the widened portion 65 in the extending direction of the electrode fingers, but this is not the case. Specifically, the low sound velocity region 66 may be defined by adding an additional film to the electrode finger 62 instead of the widened portion 65 to increase the weight of at least a portion of the electrode finger 62. good. That is, the frequency characteristics of the elastic wave device may be improved by creating a low sound velocity region 66 in which the weight per unit length of the electrode finger is increased.
  • An elastic wave device includes: a support substrate in which a cavity is formed; a piezoelectric substrate located on the support substrate and covering the cavity; and a piezoelectric substrate located on the piezoelectric substrate.
  • an IDT electrode the IDT electrode has a pair of bus bars and a plurality of electrode fingers provided in a first region sandwiched between the pair of bus bars, and an intersection region in the first region. is arranged so as to overlap the hollow portion in plan view, and the first region has a higher elasticity in the arrangement direction of the plurality of electrode fingers than at least some other regions in the first region.
  • the area includes a low sound speed area extending in the arrangement direction, where the sound speed of waves is low, and the outer edge of the cavity portion and the low sound speed area overlap in plan view.
  • the low sound velocity region may be configured by providing a widened portion in the plurality of electrode fingers.
  • the electrode finger may have a low sound velocity region, and the low sound velocity region is widened.
  • the low sound velocity region may be configured by providing an additional film on the plurality of electrode fingers.
  • the electrode finger may have a low sound velocity region, and the low sound velocity region has an additional film.
  • the low sound velocity region faces the electrode fingers in the extending direction of the electrode fingers, and has an average width of the electrode fingers.
  • the second electrode finger may be provided with a width larger than that of the second electrode finger.
  • the second electrode finger may be provided as the low sound velocity region.
  • the low sound velocity region may be a part of the region near the pair of bus bars.
  • the low sound velocity region can be located near the bus bar.
  • the widened portion may be provided on the tip side of the electrode finger.
  • the low sound velocity region can be located on the tip side of the electrode finger.
  • the distance from the low sound velocity region to the intersection region may be within one wavelength.
  • the distance from the low sound velocity region to the crossing region is within the attachment pitch of the plurality of electrode fingers. Good too.
  • the low sound velocity region can exist up to the vicinity of the intersection region.
  • the bus bar may be configured by providing a gap.
  • the support substrate may be made of silicon.
  • silicon can be used as the support substrate.
  • the IDT electrode may excite an elastic wave of an A1 moderam wave.
  • the IDT electrode can excite the elastic wave of the A1 moderam wave.
  • the elastic wave device according to aspect 12 of the present disclosure may be a communication device including the elastic wave device in any one of aspects 1 to 11.
  • the communication device can be filtered by the elastic wave device.

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Abstract

スプリアスを低減する。空洞部が形成された、支持基板と、指示基板の上に位置し、空洞部を覆う、圧電基板と、圧電基板の上に位置する、ＩＤＴ電極と、を備え、ＩＤＴ電極は、バスバーと、複数の電極指と、バスバーに挟まれた第１領域と、を有し、空洞部と、複数の電極指が交差する交差領域の全体と、が平面透視で重なり、第１領域は、電極指の配列方向に延在する、低音速領域を有し、空洞部の外縁と、低音速領域とが平面透視で重なる。

Description

弾性波装置、および通信装置
　本開示は弾性波装置に関する。
　下記の特許文献１には、メンブレン構造を備えた弾性波装置の一構成例が開示されている。
日本国公開特許公報特開２０１２－２５７０１９号公報
　上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る弾性波装置は、空洞部が形成された、支持基板と、前記指示基板の上に位置し、前記空洞部を覆う、圧電基板と、前記圧電基板の上に位置する、ＩＤＴ電極と、を備え、前記ＩＤＴ電極は、バスバーと、複数の電極指と、前記バスバーに挟まれた第１領域と、を有し、前記空洞部と、前記複数の電極指が交差する交差領域の全体と、が平面透視で重なり、前記第１領域は、前記電極指の配列方向に延在する、低音速領域を有し、前記空洞部の外縁と、前記低音速領域とが平面透視で重なる。
実施形態１に係る弾性波装置の一部を平面視した図である。 実施形態１に係る弾性波装置の断面図である。 外縁の位置がバスバーの端部と一致する場合の周波数特性である。 外縁の位置がバスバーの内部の下方に位置する場合の周波数特性である。 外縁の位置がダミー電極指の内部の下方に位置する場合の周波数特性である。 外縁の位置が交差領域の端部に位置する場合の周波数特性である。 外縁の位置が、低音速領域の端部に位置する場合の周波数特性である。 実施形態１に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた横モード指標を表すグラフである。 実施形態１に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた共振周波数から反共振周波数の位相平均値である。 実施形態２に係る弾性波装置の断面図である。 実施形態２に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた横モード指標を表すグラフである。 実施形態２に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた共振周波数から反共振周波数の位相平均値である。 実施形態３に係る弾性波装置の断面図である。 実施形態３に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた横モード指標を表すグラフである。 実施形態３に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた共振周波数から反共振周波数の位相平均値である。 実施形態４に係る弾性波装置の断面図である。 実施形態４に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた横モード指標を表すグラフである。 実施形態４に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた共振周波数から反共振周波数の位相平均値である。 実施形態５に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた横モード指標を表すグラフである。 実施形態５に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた共振周波数から反共振周波数の位相平均値である。 実施形態６に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた横モード指標を表すグラフである。 実施形態６に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた共振周波数から反共振周波数の位相平均値である。 実施形態７に係る弾性波装置におけるバスバーの幅に応じた横モード指標を表すグラフである。 実施形態７に係る弾性波装置におけるバスバーの幅に応じた共振周波数から反共振周波数の位相平均値である。 実施形態８に係る弾性波装置を平面視した図である。 実施形態８に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた横モード指標Ｔを表すグラフである。 実施形態８に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量に応じた共振周波数から反共振周波数の位相平均値である。 実施形態９における通信装置の概略的な構成を例示する図である。 一般的な弾性波装置におけるＩＤＴ電極の１周期分を平面視した図である。 一般的な弾性波装置の断面図である。 比較例１に係る一般的な弾性波装置での周波数特性を表す図である。 比較例２に係る弾性波装置での周波数特性を表す図である。
　メンブレン構造を備えた弾性波装置において、スプリアスを低減したフィルタ特性を実現することが望まれる。
　〔実施形態１〕
　実施形態１に係る弾性波装置について、以下に説明する。説明の便宜上、実施形態１にて説明したコンポーネント（構成要素）と同じ機能を有するコンポーネントについては、以降の各実施形態では同じ符号を付し、その説明を繰り返さない。簡潔化のため、公知の技術事項についても説明を適宜省略する。本明細書において述べる各コンポーネント、各材料、および各数値は、特に矛盾のない限り、いずれも単なる一例である。それゆえ、例えば、特に矛盾のない限り、各コンポーネントの位置関係は、各図の例に限定されない。また、各コンポーネントの図示は、必ずしもスケール通りではない。
　（比較例：一般的なＩＤＴ電極６００の構造）
　実施形態１の説明に先立ち、一般的な弾性波装置に関して説明する。図２９は、一般的な弾性波装置１００におけるＩＤＴ電極６００の１周期分を平面視した図である。そのため、ＩＤＴ電極６００は、電極指の配列方向（Ｙ方向）に配列されている。図３０は、一般的な弾性波装置１００の断面図である。
　弾性波装置１００は、種々の材料からなる支持部２の上に、シリコン３が部分的に形成されている。支持部２の材料は、例えばシリコンであってもよいし、その他の材料であってもよい。支持部２がシリコンである場合、シリコン３と貼り合わせられてもよいし、一体で形成されてもよい。支持部２が存在せず、シリコン３によって支持されてもよい。支持部２に対して、シリコン３が形成されていない領域は空洞部４である。支持部２は、平面視で空洞部４と重なる領域において、開口を有していてもよい。支持部２およびシリコン３を合わせて支持基板と称してもよい。弾性波装置１００は、シリコン３および空洞部４の上部にさらに圧電基板５が形成されており、圧電基板５は空洞部４を覆う。圧電基板５は、１０５°Ｙ‐ＸＬｉＮｂ３などで形成する。１０５°Ｙ‐ＸＬｉＮｂ３は、１０５°回転ＹカットＸ伝播ＬｉＮｂ３とも呼ぶ。
　弾性波装置１００は、圧電基板５のさらに上部のうち空洞部４に対応する領域に、ＩＤＴ電極６００が形成されている。ＩＤＴ電極６００は、それぞれ異なる電位が印加される、バスバー６１ａおよびバスバー６１ｂと、電極指６２ａおよび電極指６２ｂと、ダミー電極指６３ａおよびダミー電極指６３ｂ（ともに、第２電極指）と、を備える。以降、それぞれの電位を考慮しない場合は、バスバー６１、電極指６２、およびダミー電極指６３と記す。ＩＤＴ電極６００によって、圧電基板５にＡ１モードラム波の弾性波が励振される。
　なお、ＩＤＴ電極６００によって、圧電基板５にバルク波の弾性波が励振されてもよい。厚み滑りモードのバルク波が励振されてもよい。
　ＩＤＴ電極６００では、バスバー６１に電極指６２およびダミー電極指６３が交互に接続されている。電極指６２はＸ方向に長い電極であり、ダミー電極指６３はＸ方向に短い電極である。電極指６２ａおよびダミー電極指６３ｂは対向し、電極指６２ｂおよびダミー電極指６３ａは対向する。バスバー６１に挟まれた領域を、第１領域６０と称する。そのため、電極指６２およびダミー電極指６３は第１領域６０に存在する。
　電極指６２ａと電極指６２ｂとが交差している領域が交差領域６４である。例えば、電極指６２ａと電極指６２ｂとに対し、交流印加されたＩＤＴ電極６００によって、交差領域６４における圧電基板５に板波が励振される。
　交差領域６４における、電極指６２ａの電極指の配列方向上端から、電極指６２ｂの電極指の配列方向上端までの、距離をピッチＰＴと称し、ピッチＰＴに対する電極指６２の幅の比率をデューティＤと称する。
　（比較例１：一般的なＩＤＴ電極６００の周波数特性）
　図３１は、比較例１に係る一般的な弾性波装置１００での周波数特性を表す図である。図３１では、横軸に周波数を、縦軸に位相をとっている。弾性波装置１００では、位相が９０°で一定であってもよい。
　図３１に示すように、例えば約５５９０ＭＨｚ、約５６５５ＭＨｚ近傍において、位相が急激に低下している。このように、周波数に対する位相の所望でない急変化があることをスプリアスと称することがある。弾性波装置１００ではスプリアスが発生している。以降は、この図３１を比較対象として、本開示の構成に基づく弾性波装置の優位性を示していく。
　（比較例２：ＩＤＴ電極６００の下方にシリコン３が侵入した場合での周波数特性）
　比較例２に係る弾性波装置は、弾性波装置１００に対して、空洞部４が小さく、シリコン３がＩＤＴ電極６００の下方に侵入している。すなわち、空洞部４の外縁４ａがＩＤＴ電極６００の下方に位置する。比較例２に係る弾性波装置は、電極指のデューティが、根本から先端まで一定である。ダミー電極指も、電極指と同じデューティを有する。このような弾性波装置を、非デューティオフセット共振子または通常共振子とも呼称する。
　図３２は、比較例２に係る弾性波装置での周波数特性を表す図である。図３２の上図のグラフでは、横軸に周波数を、縦軸に位相をとっている。実線は比較例２に係る弾性波装置において、シリコン３がＩＤＴ電極６００の下方に侵入している場合の周波数特性であり、破線は比較例２に係る弾性波装置において、シリコン３がＩＤＴ電極６００の下方に侵入していない場合の周波数特性である。図３２の下部の模式図は、シリコン３の侵入量を表す模式図である。実線の場合における、シリコン３の侵入量は、０．５μｍである。０．５μｍは、バスバーの太さの１／３に相当する。
　図３２に示すように、比較例２に係る周波数特性は、比較例１に係る周波数特性と大差なく、スプリアスが生じていることがわかる。
　（ＩＤＴ電極６の構成）
　次に、実施形態１に係るＩＤＴ電極の形状を説明した後に、当該ＩＤＴ電極によってスプリアスが低減できたことを示す。
　図１は、実施形態１に係る弾性波装置１の一部を平面視した図である。弾性波装置１は、ＩＤＴ電極６００に代えて、ＩＤＴ電極６が形成されている点が、弾性波装置１００と異なっている。
　ＩＤＴ電極６は、それぞれ異なる電位が印加される、バスバー６１ａおよびバスバー６１ｂと、電極指６２ａおよび電極指６２ｂと、ダミー電極指６３ａおよびダミー電極指６３ｂと、拡幅部６５ａおよび６５ｂ（拡幅部６５とも称する）と、を備える。拡幅部６５は第１領域６０におけるバスバー６１の近傍に位置する。
　また、バスバー６１の近傍に位置する拡幅部６５は、交差領域６４のバスバー側の端から１波長以内の範囲か、または、ピッチＰＴの範囲に存在してもよい。
　ＩＤＴ電極６では、バスバー６１に拡幅部６５およびダミー電極指６３が交互に接続されており、拡幅部６５に電極指６２が接続されている。電極指６２とダミー電極指６３とが対向することは変わりない。
　拡幅部６５のピッチＰＴに対する幅の比率をオフセットデューティＯＤと称し、オフセットデューティＯＤは、デューティＤよりも大きい。つまり、拡幅部６５のＹ方向（電極指の配列方向）の幅は、電極指６２のＹ方向の幅よりも大きい（拡幅している）。また、拡幅部６５のＸ方向（電極指の延伸方向）の長さは、ダミー電極指６３の長さよりも長い。このような拡幅部６５を有するＩＤＴ電極６のことをデューティオフセット共振子と称する。また、ダミー電極指（第２電極指）６３は、電極指６２の平均幅よりも大きい幅を有する。
　拡幅部６５の幅における電極指６２の配列方向に延在する領域を低音速領域６６と称する。電極指６２のデューティＤよりも、拡幅部６５のオフセットデューティＯＤが大きいため、拡幅部６５の方が電極指６２よりも単位面積当たりの重量が大きい。そのため、低音速領域６６の音速は、第１領域６０の中では低くなる。
　（ＩＤＴ電極６の断面形状ごとの周波数特性）
　比較例では、ＩＤＴ電極６００が空洞部４に対応する領域の上方に配置されたが、ＩＤＴ電極６はこの限りではない。具体的には、実施形態１に係る弾性波装置１では、シリコン３がＩＤＴ電極６の下方まで存在し、外縁４ａがＩＤＴ電極６の下方に位置する。以下に説明するように弾性波装置１では、空洞部４の外縁４ａと、低音速領域６６とが平面透視で重なる。
　図２は、実施形態１に係る弾性波装置１の断面図である。図２では、図３０と異なり、シリコン３がＩＤＴ電極６の下方に侵入している。この侵入量をシリコン侵入量ｘとし、ｘは、第１領域６０外におけるバスバー６１の端部からの空洞部４の外縁４ａまでの距離である。シリコン侵入量ｘは変数であり、以降シリコン侵入量ｘを調整しながら弾性波装置の周波数特性をシミュレーションした。ＩＤＴ電極６では、デューティＤを０．５、オフセットデューティＯＤを０．６とした。
　図３は、外縁４ａの位置がバスバー６１の端部と一致する場合の周波数特性である。図４は、外縁４ａの位置がバスバー６１の内部の下方に位置する場合の周波数特性である。図５は、外縁４ａの位置がダミー電極指６３の内部の下方に位置する場合の周波数特性である。図６は、外縁４ａの位置が交差領域６４の端部に位置する場合の周波数特性である。図７は、外縁４ａの位置が、拡幅部６５の端部に位置する場合の周波数特性である。
　図３～図７の上部のグラフにおいて、破線は、比較例１の場合の周波数特性を表し、実線がそれぞれの場合を表す。図３～図７の下部の模式図は、シリコン３の侵入量を表す模式図である。図３～図７に示すように、シリコン３のＩＤＴ電極６の下方へのシリコン侵入量ｘに応じて、周波数特性は変化している。
　図３～７に示すように、外縁４ａの位置が、バスバー６１の端部と一致する場合から低音速領域の端部に位置する場合までは、スプリアスが低減できていることがわかる。
　（横モード指標の導入）
　シリコン３のＩＤＴ電極６の下方へのシリコン侵入量ｘに応じた、周波数特性を定量化するために、横モード指標Ｔを導入する。横モード指標Ｔは次式で表せる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 ここで、Ｐは位相であり、ｆは周波数である。Δｆは、反共振周波数ｆａと、共振周波数ｆｒとの差である。
　ｄＰ／ｄｆは位相の傾きであるため、横モード指標Ｔは通過帯域内の単位周波数あたりの傾きの絶対値になる。そのため、横モード指標Ｔが大きいほど、通過帯域内において位相特性がフラットではなく、スプリアスが顕著に存在していることを表している。横モード指標Ｔが小さい領域を、発明者は探索した。
　（周波数特性）
　図８は、実施形態１に係る弾性波装置１におけるシリコン侵入量ｘに応じた横モード指標Ｔを表すグラフである。図９は、実施形態１に係る弾性波装置１におけるシリコン侵入量ｘに応じた共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａの位相平均値である。図８および図９における破線は比較例における値であり、実線は実施形態１に係る弾性波装置１における値である。図８および図９は、図３～図７における周波数特性を指標毎に一つのグラフに集約したものである。
　図８に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、横モード指標Ｔは比較例に対して十分小さいことがわかる。また、図９に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、位相平均値も十分に９０°に近いことがわかる。したがって、実施形態１に係る弾性波装置１では、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまでは、周波数特性は十分に良好といえる。
　（小括）
　実施形態１に係る弾性波装置１のような、低音速領域６６を有するデューティオフセット共振子に対し、シリコン３がデューティオフセット共振子の下まで入り込むことによって、周波数特性が変化することを調査した。具体的には、外縁４ａが、第１領域６０外におけるバスバー６１の端部から、第１領域６０の範囲に位置する場合を調査した。
　その結果、デューティオフセット共振子では、外縁４ａ（空洞部４に対するエッジ）の位置が、低音速領域６６のバスバー６１の端部から、低音速領域６６の端部の位置までにある場合、周波数特性は十分に良好であることがわかった。また、図３～図７によって、スプリアスを低減することができることがわかった。
　〔実施形態２〕
　図１０は、実施形態２に係る弾性波装置１ａの断面図である。弾性波装置１ａは、弾性波装置１に対して、シリコン３と圧電基板５の間に、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の接続層７ａを備える点が異なる。接続層７ａは、シリコン３のみの上部に存在し、空洞部４の位置には存在しない。接続層７ａは０．１μｍほどの厚さである。
　図１１は、実施形態２に係る弾性波装置１ａにおけるシリコン侵入量ｘに応じた横モード指標Ｔを表すグラフである。図１２は、実施形態２に係る弾性波装置１ａにおけるシリコン侵入量ｘに応じた共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａの位相平均値である。図１１および図１２における破線は比較例１における値であり、実線は実施形態２に係る弾性波装置１ａにおける値である。
　図１１に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、横モード指標Ｔは比較例１に対して十分小さいことがわかる。また、図１２に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、位相平均値も十分に９０°に近いことがわかる。したがって、実施形態２に係る弾性波装置１ａでは、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまでは、周波数特性は十分に良好といえる。
　〔実施形態３〕
　図１３は、実施形態３に係る弾性波装置１ｂの断面図である。弾性波装置１ｂは、弾性波装置１に対して、シリコン３と圧電基板５との間に、低抵抗層の接続層７ｂを備える点が異なる。接続層７ｂは、シリコン３のみの上部に存在し、空洞部４の位置には存在しない。
　低抵抗層は、接合する界面で特性を悪くする界面である。低抵抗層は、リチウム、ニオブ、ケイ素、および酸素などの化合物である。低抵抗層の厚さは２ｎｍほどであり、５５００ＭＨｚほどの周波数において、例えば２．５Ω・ｃｍ程度の抵抗率を有する。
　図１４は、実施形態３に係る弾性波装置１ｂにおけるシリコン侵入量ｘに応じた横モード指標Ｔを表すグラフである。図１５は、実施形態３に係る弾性波装置１ｂにおけるシリコン侵入量ｘに応じた共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａの位相平均値である。図１４および図１５における破線は比較例１における値であり、実線は実施形態３に係る弾性波装置１ｂにおける値である。
　図１４に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、横モード指標Ｔは比較例１に対して十分小さいことがわかる。また、図１５に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、位相平均値も十分に９０°に近いことがわかる。したがって、実施形態３に係る弾性波装置１ｂでは、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまでは、周波数特性は十分に良好といえる。
　〔実施形態４〕
　図１６は、実施形態４に係る弾性波装置１ｃの断面図である。弾性波装置１ｃは、弾性波装置１に対して、シリコン３と圧電基板５の間に、窒化アルミ（ＡｌＮ）の接続層７ｃを備える点が異なる。接続層７ｃは、シリコン３のみの上部に存在し、空洞部４の位置には存在しない。接続層７ｃは０．１μｍほどの厚さである。
　図１７は、実施形態４に係る弾性波装置１ｃにおけるシリコン侵入量ｘに応じた横モード指標Ｔを表すグラフである。図１８は、実施形態４に係る弾性波装置１ｃにおけるシリコン侵入量ｘに応じた共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａの位相平均値である。図１７および図１８における破線は比較例１における値であり、実線は実施形態４に係る弾性波装置１ｃにおける値である。
　図１７に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、横モード指標Ｔは比較例１に対して十分小さいことがわかる。また、図１８に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、位相平均値も十分に９０°に近いことがわかる。したがって、実施形態４に係る弾性波装置１ｃでは、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまでは、周波数特性は十分に良好といえる。
　〔実施形態５〕
　実施形態５に係る弾性波装置１ｄは、弾性波装置１に対して、ＩＤＴ電極６のオフセットデューティＯＤが０．７に増加している。つまり、低音速領域６６の重量が増加している。
　図１９は、実施形態５に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量ｘに応じた横モード指標Ｔを表すグラフである。図２０は、実施形態５に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量ｘに応じた共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａの位相平均値である。図１９および図２０における破線は比較例１における値であり、実線は実施形態５に係る弾性波装置における値である。
　図１９に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、横モード指標Ｔは比較例１に対して十分小さいことがわかる。また、図２０に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、位相平均値も十分に９０°に近いことがわかる。したがって、実施形態５に係る弾性波装置では、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまでは、周波数特性は十分に良好といえる。
　実施形態１および実施形態５では、オフセットデューティＯＤの値が異なるだけで他は同じであり、オフセットデューティＯＤを大きくしても良好な周波数特性を得ることができた。
　〔実施形態６〕
　実施形態６に係る弾性波装置１ｅは、弾性波装置１に対して、ＩＤＴ電極６のオフセットデューティＯＤが０．８に増加している。つまり、低音速領域６６の重量が増加している。
　図２１は、実施形態６に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量ｘに応じた横モード指標Ｔを表すグラフである。図２２は、実施形態６に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量ｘに応じた共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａの位相平均値である。図２１および図２２における破線は比較例１における値であり、実線は実施形態５に係る弾性波装置における値である。
　図２１に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、横モード指標Ｔは比較例１に対して十分小さいことがわかる。また、図２２に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、位相平均値も十分に９０°に近いことがわかる。したがって、実施形態５に係る弾性波装置では、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまでは、周波数特性は十分に良好といえる。
　実施形態１および実施形態６では、オフセットデューティＯＤの値が異なるだけで他は同じであり、オフセットデューティＯＤを大きくしても良好な周波数特性を得ることができた。
　〔実施形態７〕
　実施形態７に係る弾性波装置１は、ＩＤＴ電極６のバスバー６１の幅が異なる。図２３は、実施形態７に係る弾性波装置１におけるバスバーの幅に応じた横モード指標Ｔを表すグラフである。図２４は、実施形態７に係る弾性波装置１におけるバスバーの幅に応じた共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａの位相平均値である。シリコン侵入量ｘは、ダミー電極指６３の先端の下方に位置する場合とした。
　図２３および図２４に示すように、バスバー６１の幅を変更することに伴う、横モード指標Ｔおよび位相平均値に対する影響がないことが確認された。
　〔実施形態８〕
　図２５は、実施形態８に係る弾性波装置を平面視した図である。弾性波装置は、ＩＤＴ電極６に代えて、ピストン共振子であるＩＤＴ電極６ｆを備える。
　ピストン共振子は、電極指６２において、バスバー６１に接する根本と、電極指６２の先端とが、拡幅しているものであり、それぞれ、拡幅部６５および拡幅部６７である。また、ピストン共振子では、ダミー電極指６３を備えない。さらに、バスバー６１において、開口部６８を備える。拡幅部６７および開口部６８は、印加される電位に応じて、拡幅部６７ａおよび拡幅部６７ｂと、開口部６８ａおよび開口部６８ｂと、に分類される。
　図２６は、実施形態８に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量ｘに応じた横モード指標Ｔを表すグラフである。図２７は、実施形態８に係る弾性波装置におけるシリコン侵入量ｘに応じた共振周波数ｆｒから反共振周波数ｆａの位相平均値である。図２６および図２７における破線は比較例における値であり、実線は実施形態８に係る弾性波装置における値である。
　図２６に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、横モード指標Ｔは比較例１に対して十分小さいことがわかる。また、図２７に示すように、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまで、位相平均値も十分に９０°に近いことがわかる。したがって、実施形態８に係る弾性波装置では、外縁４ａの位置が、低音速領域６６の端部に位置するまでは、周波数特性は十分に良好といえる。
　〔実施形態９〕
　図２８は、実施形態９における通信装置１５１の概略的な構成を例示する図である。通信装置１５１は、本開示の一態様に係る弾性波装置の一適用例であり、電波を利用した無線通信を行う。通信装置１５１は、送信フィルタ１０９としての１つの分波器１０１と、受信フィルタ１１１としての別の１つの分波器１０１とを含んでいてよい。２つの分波器１０１のそれぞれは、本開示の一態様に係る弾性波装置（例：弾性波装置１、１ａ～１ｆ）を含んでいてよい。このように、通信装置１５１は、本開示の一態様に係る弾性波装置を含んでいてよい。
　通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ－ＩＣ（Radio Frequency-Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数を有する高周波信号への変換）がなされ、送信信号ＴＳへと変換されてよい。バンドパスフィルタ１５５は、ＴＳについて、送信用の通過帯以外の不要成分を除去してよい。次いで、不要成分除去後のＴＳは、増幅器１５７によって増幅されて、送信フィルタ１０９に入力されてよい。
　送信フィルタ１０９は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去してよい。送信フィルタ１０９は、アンテナ端子（例：上述のＴＣｉｎ）を介して、不要成分除去後のＴＳをアンテナ１５９に出力してよい。アンテナ１５９は、自身に入力された電気信号であるＴＳを、無線信号としての電波に変換し、当該電波を通信装置１５１の外部に送信してよい。
　また、アンテナ１５９は、受信した外部からの電波を、電気信号である受信信号ＲＳに変換し、アンテナ端子を介して当該ＲＳを受信フィルタ１１１に入力してよい。受信フィルタ１１１は、入力されたＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去してよい。受信フィルタ１１１は、不要成分除去後の受信信号ＲＳを増幅器１６１へ出力してよい。出力されたＲＳは、増幅器１６１によって増幅されてよい。バンドパスフィルタ１６３は、増幅後のＲＳについて、受信用の通過帯以外の不要成分を除去してよい。不要成分除去後のＲＳは、ＲＦ－ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされ、受信情報信号ＲＩＳへと変換されてよい。
　ＴＩＳおよびＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）であってよい。例えば、ＴＩＳおよびＲＩＳは、アナログ音声信号であってもよいし、あるいはデジタル化された音声信号であってよい。無線信号の通過帯は、適宜に設定されてよく、公知の各種の規格に準拠してよい。
　実施形態１から８では、低音速領域６６は、拡幅部６５の電極指の延伸方向の長さによって画定されたが、この限りではない。具体的には、拡幅部６５に代えて、電極指６２上に、付加膜を付加することによって、電極指６２の少なくとも一部の重量を増加させることで、低音速領域６６を画定してもよい。すなわち、電極指の単位長さ辺りの重量を増やした低音速領域６６を作ることによって、弾性波装置の周波数特性を改善すればよい。
　〔まとめ〕
　本開示の態様１に係る弾性波装置は、空洞部が形成された、支持基板と、前記支持基板の上に位置し、前記空洞部を覆う、圧電基板と、前記圧電基板の上に位置する、ＩＤＴ電極と、を備え、前記ＩＤＴ電極は、一対のバスバーと、前記一対のバスバーに挟まれた第１領域に設けられた複数の電極指と、を有し、前記第１領域における交差領域の全体は、前記空洞部と平面透視で重なるように配置されており、前記第１領域は、前記第１領域における他の少なくとも一部の領域よりも、前記複数の電極指の配列方向の弾性波の音速が小さい領域であって、当該配列方向に延在する、低音速領域を含み、前記空洞部の外縁と、前記低音速領域とが平面透視で重なる。
　上記の構成によれば、スプリアスを低減し、周波数特性を改善することができる。
　本開示の態様２に係る弾性波装置は、前記態様１において、前記低音速領域は、前記複数の電極指に拡幅部が設けられることによって構成されてもよい。
　上記の構成によれば、電極指は、低音速領域を有してもよく、低音速領域は、拡幅している。
　本開示の態様３に係る弾性波装置は、前記態様１または２において、前記低音速領域は、前記複数の電極指に付加膜が設けられることによって構成されてもよい。
　上記の構成によれば、電極指は、低音速領域を有してもよく、低音速領域は、付加膜を有している。
　本開示の態様４に係る弾性波装置は、前記態様１から３のいずれか１つにおいて、前記低音速領域は、前記電極指の延伸方向において前記電極指に対向し、前記電極指の平均幅よりも大きい幅を有する第２電極指が設けられることによって構成されてもよい。
　上記の構成によれば、低音速領域として、第２電極指を有してもよい。
　本開示の態様５に係る弾性波装置は、前記態様１から４のいずれか１つにおいて、前記低音速領域は、前記一対のバスバーの近傍の一部の領域であってもよい。
　上記の構成によれば、低音速領域は、バスバーの近傍に位置することができる。
　本開示の態様６に係る弾性波装置は、前記態様２から５のいずれか１つにおいて、前記拡幅部は、前記電極指の先端側に設けられていてもよい。
　上記の構成によれば、低音速領域は、電極指の先端側に位置することができる。
　本開示の態様７に係る弾性波装置は、前記態様１から６のいずれか１つにおいて、前記低音速領域から、前記交差領域までの距離が、１波長以内であってもよい。
　上記の構成によれば、低音速領域は、交差領域の近傍まで存在することができる。
　本開示の態様８に係る弾性波装置は、前記態様１から７のいずれか１つにおいて、前記低音速領域から、前記交差領域までの距離が、前記複数の電極指の取り付けピッチ以内であってもよい。
　上記の構成によれば、低音速領域は、交差領域の近傍まで存在することができる。
　本開示の態様９に係る弾性波装置は、前記態様１から８のいずれか１つにおいて、前記バスバーは、空隙部が設けられることによって構成されてもよい。
　上記の構成によれば、バスバーに空隙部を設けることができる。
　本開示の態様１０に係る弾性波装置は、前記態様１から９のいずれか１つにおいて、前記支持基板は、シリコンであってもよい。
　上記の構成によれば、支持基板としてシリコンを採用することができる。
　本開示の態様１１に係る弾性波装置は、前記態様１から１０のいずれか１つにおいて、前記ＩＤＴ電極は、Ａ１モードラム波の弾性波を励振してもよい。
　上記の構成によれば、ＩＤＴ電極はＡ１モードラム波の弾性波励振することができる。
　本開示の態様１２に係る弾性波装置は、前記態様１から１１のいずれか１つにおいて、前記弾性波装置を有した通信装置であってもよい。
　上記の構成によれば、通信装置は、弾性波装置によってフィルタすることができる。
　〔付記事項〕
　以上、本開示に係る発明について、諸図面および実施例に基づいて説明してきた。しかし、本開示に係る発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。すなわち、本開示に係る発明は本開示で示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示に係る発明の技術的範囲に含まれる。つまり、当業者であれば本開示に基づき種々の変形または修正を行うことが容易であることに注意されたい。また、これらの変形または修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。
　１、１ａ～１ｆ、１００　弾性波装置
　２　支持部
　３　シリコン
　４　空洞部
　４ａ　外縁
　５　圧電基板
　６、６ａ～６ｆ、６００　ＩＤＴ電極
　７ａ～７ｃ　接続層
　６０　第１領域
　６１、６１ａ、６１ｂ　バスバー
　６２、６２ａ、６２ｂ　電極指
　６３、６３ａ、６３ｂ　ダミー電極指
　６４　交差領域
　６５、６５ａ、６５ｂ、６７、６７ａ、６７ｂ　拡幅部
　６６　低音速領域
　６８、６８ａ、６８ｂ　開口部
　１５１　通信装置

Claims (12)

  1. 　空洞部が形成された、支持基板と、
    　前記支持基板の上に位置し、前記空洞部を覆う、圧電基板と、
    　前記圧電基板の上に位置する、ＩＤＴ電極と、を備え、
    　前記ＩＤＴ電極は、
    　　一対のバスバーと、
    　　前記一対のバスバーに挟まれた第１領域に設けられた複数の電極指と、を有し、
    　　前記第１領域における交差領域の全体は、前記空洞部と平面透視で重なるように配置されており、
    　　前記第１領域は、前記第１領域における他の少なくとも一部の領域よりも、前記複数の電極指の配列方向の弾性波の音速が小さい領域であって、当該配列方向に延在する、低音速領域を含み、
    　前記空洞部の外縁と、前記低音速領域とが平面透視で重なる、弾性波装置。
  2. 　前記低音速領域は、前記複数の電極指に拡幅部が設けられることによって構成されている、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記低音速領域は、前記複数の電極指に付加膜が設けられることによって構成されている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記低音速領域は、前記電極指の延伸方向において前記電極指に対向し、前記電極指の平均幅よりも大きい幅を有する第２電極指が設けられることによって構成されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記低音速領域は、前記一対のバスバーの近傍の一部の領域である、請求項１から４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記拡幅部は、前記電極指の先端側に設けられている、請求項２から５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記低音速領域から、前記交差領域までの距離が、１波長以内である、請求項１から６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記低音速領域から、前記交差領域までの距離が、前記複数の電極指の取り付けピッチ以内である、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記バスバーは、空隙部が設けられることによって構成されている、請求項１から８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記支持基板は、シリコンである、請求項１から９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記ＩＤＴ電極は、Ａ１モードラム波の弾性波を励振する、請求項１から１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　請求項１から１１のいずれか１項に記載の弾性波装置を有している、通信装置。
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