WO2018154950A1 - 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2018154950A1
WO2018154950A1 PCT/JP2017/045987 JP2017045987W WO2018154950A1 WO 2018154950 A1 WO2018154950 A1 WO 2018154950A1 JP 2017045987 W JP2017045987 W JP 2017045987W WO 2018154950 A1 WO2018154950 A1 WO 2018154950A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
acoustic impedance
acoustic
impedance layer
layer
wave device
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/045987
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
諭卓 岸本
大村　正志
洋夢 奥永
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to KR1020197024071A priority Critical patent/KR102280166B1/ko
Priority to CN201780086810.5A priority patent/CN110392978B/zh
Priority to JP2019501087A priority patent/JP6809595B2/ja
Publication of WO2018154950A1 publication Critical patent/WO2018154950A1/ja
Priority to US16/540,143 priority patent/US10924080B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/0211—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02228—Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0561—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement consisting of a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/175—Acoustic mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/165—A filter circuit coupled to the input of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/171—A filter circuit coupled to the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/025—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks comprising an acoustic mirror
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device, a high-frequency front end circuit, and a communication device.
  • an acoustic reflection layer is provided on a support substrate, a piezoelectric layer is provided on the acoustic reflection layer, and an IDT electrode is provided on the piezoelectric layer. ing.
  • a low acoustic impedance layer and a high acoustic impedance layer are laminated.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device, a high-frequency front-end circuit, and a communication device that can effectively suppress unnecessary waves.
  • An elastic wave device is provided on a support substrate, an acoustic reflection film provided on the support substrate, a piezoelectric body provided on the acoustic reflection film, and the piezoelectric body.
  • a laminate comprising an IDT electrode, wherein the acoustic reflection film is composed of a plurality of acoustic impedance layers including a low acoustic impedance layer having a relatively low acoustic impedance and a high acoustic impedance layer having a relatively high acoustic impedance.
  • the acoustic reflection film is a first acoustic impedance layer that is one acoustic impedance layer of the plurality of acoustic impedance layers, and one acoustic impedance layer of the plurality of acoustic impedance layers, And a second acoustic impedance layer having a different arithmetic mean roughness (Ra) from the first acoustic impedance layer.
  • Ra arithmetic mean roughness
  • the first acoustic impedance layer is positioned on the piezoelectric body side from the second acoustic impedance layer, and the arithmetic average roughness of the second acoustic impedance layer is (Ra) is larger than the arithmetic mean roughness (Ra) of the first acoustic impedance layer.
  • Ra arithmetic mean roughness
  • the first acoustic impedance layer is located closer to the piezoelectric body than the second acoustic impedance layer, and an arithmetic average of the first acoustic impedance layer
  • the roughness (Ra) is larger than the arithmetic average roughness (Ra) of the second acoustic impedance layer.
  • the acoustic reflection film includes a plurality of the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer, and the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer.
  • the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer are the low acoustic impedance layers, respectively, and the plurality of low acoustic impedance layers are positioned on the support substrate side.
  • the higher the layer the higher the arithmetic average roughness (Ra). In this case, unnecessary waves that easily propagate through the acoustic reflection film can be further suppressed.
  • the acoustic reflection film includes a plurality of the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer, and the low acoustic impedance layer, the high acoustic impedance layer, Are alternately stacked, and each of the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer is the high acoustic impedance layer, and the plurality of high acoustic impedance layers are positioned on the support substrate side.
  • the higher the layer the higher the arithmetic average roughness (Ra). In this case, unnecessary waves that easily propagate through the acoustic reflection film can be further suppressed.
  • the acoustic reflection film includes a plurality of the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer, and the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer.
  • the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer are the low acoustic impedance layers, respectively, and are positioned on the piezoelectric body side in the plurality of low acoustic impedance layers.
  • the acoustic reflection film includes a plurality of the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer, and the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer.
  • the first acoustic impedance layer and the second acoustic impedance layer are the high acoustic impedance layers, respectively, and the plurality of high acoustic impedance layers are located on the piezoelectric body side.
  • the higher the layer the higher the arithmetic average roughness (Ra). In this case, it is possible to further suppress unnecessary waves that are easily reflected by the acoustic reflection film.
  • the acoustic wave device in yet another specific aspect of the acoustic wave device according to the present invention, five or more layers of the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer are alternately laminated in the acoustic reflection film. In this case, the energy of the elastic wave used can be effectively confined on the piezoelectric body side.
  • a metal film is provided on the surface of the piezoelectric body on the acoustic reflection film side, and the metal film covers a member made of a dielectric. It has been broken. In this case, the film thickness of the piezoelectric body can be measured easily and with high accuracy.
  • the member made of the dielectric is the acoustic impedance layer located closest to the piezoelectric body of the acoustic reflection film.
  • the film thickness of the piezoelectric body can be measured more easily and with high accuracy.
  • the metal film is disposed at a position that does not overlap the IDT electrode in plan view.
  • the film thickness of the piezoelectric body can be measured easily and with high accuracy. After measuring the electrical characteristics of the IDT electrode or the like, the film thickness of the piezoelectric body can also be measured.
  • the metal film includes at least one of Ti and Cr.
  • adhesion between the piezoelectric body and the acoustic reflection film and the metal film can be improved. Therefore, the piezoelectric body and the acoustic reflection film are difficult to peel off.
  • a plate wave is used. In this case, unnecessary waves can be suppressed particularly effectively.
  • the piezoelectric body has a film thickness of 1 ⁇ m or less.
  • the plate wave can be preferably excited.
  • the high-frequency front-end circuit according to the present invention includes an elastic wave device configured according to the present invention and a power amplifier.
  • the communication device includes a high-frequency front-end circuit configured according to the present invention and an RF signal processing circuit.
  • an elastic wave device a high-frequency front-end circuit, and a communication device that can effectively suppress unwanted waves.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A to FIG. 2F are diagrams showing examples of plate wave propagation modes.
  • FIG. 3 is a diagram showing impedance characteristics in the first embodiment and the first comparative example of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic enlarged front sectional view of an acoustic wave device according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating impedance characteristics in the modified example and the second comparative example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic enlarged front sectional view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram showing impedance characteristics in the second embodiment and the third comparative example of the present invention.
  • FIG. 8 is an enlarged view of FIG.
  • FIG. 9 is a schematic enlarged front sectional view of an acoustic wave device according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating the vicinity of the frequency band in which unnecessary waves are generated in the impedance characteristics in the modified example of the second embodiment of the present invention and the fourth comparative example.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating the vicinity of the frequency band in which unnecessary waves are generated in the impedance characteristics in the modified example of the second embodiment of the present invention and the fourth comparative example.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating the vicinity of the frequency band in which unnecessary waves are generated in the impedance characteristics in the modified example of the second embodiment of the present invention and the fourth comparative example.
  • FIG. 12 is a schematic enlarged front sectional view of an acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a diagram showing impedance characteristics in the third embodiment and the fifth comparative example of the present invention.
  • FIG. 14 is an enlarged view of FIG.
  • FIG. 15 is a schematic enlarged front sectional view of an acoustic wave device according to a first modification of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating impedance characteristics in the first modified example and the sixth comparative example of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic enlarged front sectional view of an acoustic wave device according to a second modification of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating impedance characteristics in the second modified example and the seventh comparative example of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a schematic front sectional view of an acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • 20 (a) to 20 (d) are schematic front sectional views for explaining an example of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 21A and FIG. 21B are schematic front sectional views for explaining an example of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a configuration diagram of a communication apparatus having a high-frequency front end circuit.
  • FIG. 23 is a schematic front sectional view of an acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • 25 is a schematic cross-sectional view showing a portion corresponding to the cross section shown in FIG. 23 of the elastic wave device of the eighth comparative example.
  • FIG. 26 is a schematic front sectional view of an acoustic wave device according to a modification of the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the elastic wave device 1 has a support substrate 2.
  • the support substrate 2 is made of Si.
  • the material of the support substrate 2 is not limited to the above,
  • the support substrate 2 may consist of sapphire, glass, etc.
  • the acoustic reflection film 3 is a laminated body in which a plurality of acoustic impedance layers are laminated. More specifically, the acoustic reflection film 3 includes a first low acoustic impedance layer 3a, a second low acoustic impedance layer 3c, and a third low acoustic impedance layer as a plurality of low acoustic impedance layers having relatively low acoustic impedance. The acoustic impedance layer 3e and the fourth low acoustic impedance layer 3g are provided.
  • the acoustic reflection film 3 also includes a first high acoustic impedance layer 3b, a second high acoustic impedance layer 3d, and a third high acoustic impedance layer 3f as a plurality of high acoustic impedance layers having relatively high acoustic impedance. .
  • the low acoustic impedance layers and the high acoustic impedance layers are alternately stacked. Note that the low acoustic impedance layers and the high acoustic impedance layers are not necessarily stacked alternately.
  • the acoustic reflection film 3 a total of seven acoustic impedance layers are laminated. The number of acoustic impedance layers in the acoustic reflection film 3 is not limited to the above.
  • a piezoelectric thin film 4 as a piezoelectric body is provided on the first low acoustic impedance layer 3 a in the acoustic reflection film 3.
  • the piezoelectric thin film 4 is made of, for example, a piezoelectric single crystal such as LiNbO 3 or LiTaO 3 or an appropriate piezoelectric ceramic.
  • the acoustic impedance layer closest to the piezoelectric thin film 4 of the acoustic reflection film 3 may be a high acoustic impedance layer.
  • the first high acoustic impedance layer 3b is the first acoustic impedance layer in the present invention.
  • the second high acoustic impedance layer 3d and the third high acoustic impedance layer 3f are the second acoustic impedance layer and the third acoustic impedance layer in the present invention.
  • the second high acoustic impedance layer 3d is located on the piezoelectric thin film 4 side with respect to the third high acoustic impedance layer 3f
  • the first high acoustic impedance layer 3b is piezoelectric thin film with respect to the second high acoustic impedance layer 3d. Located on the 4th side.
  • the first acoustic impedance layer, the second acoustic impedance layer, and the third acoustic impedance layer may be disposed at a position close to the piezoelectric thin film in this order.
  • the first low acoustic impedance layer 3a may be a first acoustic impedance layer
  • the first high acoustic impedance layer 3b may be a second acoustic impedance layer.
  • the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the third high acoustic impedance layer 3f on the support substrate 2 side is the surface of the second high acoustic impedance layer 3d on the support substrate 2 side. Greater than the arithmetic average roughness (Ra).
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the surface on the support substrate 2 side of the second high acoustic impedance layer 3d is larger than the arithmetic average roughness (Ra) of the surface on the support substrate 2 side of the first high acoustic impedance layer 3b.
  • the layers located on the support substrate 2 side are closer to the support substrate 2 side.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the surface is large.
  • the arithmetic average roughness (Ra) indicates the arithmetic average roughness (Ra) defined in JIS B 0601: 2013.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the third high acoustic impedance layer 3f on the support substrate 2 side is 3.5 nm.
  • the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface on the support substrate 2 side of the second high acoustic impedance layer 3d is 2.5 nm.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the first high acoustic impedance layer 3b on the support substrate 2 side is 0 nm.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the surfaces of the first acoustic impedance layer, the second acoustic impedance layer, and the third acoustic impedance layer on the piezoelectric thin film 4 side may be as described above.
  • the value of the arithmetic average roughness (Ra) of each acoustic impedance layer is not limited to the above.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first low acoustic impedance layer 3a, the second low acoustic impedance layer 3c, the third low acoustic impedance layer 3e, and the fourth low acoustic impedance layer 3g. ) Is the same.
  • first low acoustic impedance layer 3a, a second low acoustic impedance layer 3c, a third low acoustic impedance layers 3e and fourth low acoustic impedance layer 3g is composed of SiO 2.
  • the material of each low acoustic impedance layer is not limited to the above, What is necessary is just an appropriate material with a relatively low acoustic impedance.
  • each low acoustic impedance layer may be made of a different material.
  • the first high acoustic impedance layer 3b, the second high acoustic impedance layer 3d, and the third high acoustic impedance layer 3f are made of Pt.
  • the material of each high acoustic impedance layer is not limited to the above, and may be any appropriate material having a relatively high acoustic impedance. Examples of the material for each high acoustic impedance layer include SiN, AlN, TiO 2 , Al 2 O 3 , Ta 2 O 5 , W, Sn and the like in addition to Pt. When a plurality of high acoustic impedance layers are provided, each high acoustic impedance layer may be made of a different material.
  • an IDT electrode 5 and a wiring 6 are provided on the piezoelectric thin film 4.
  • the IDT electrode 5 and the wiring 6 are electrically connected.
  • the IDT electrode 5 is composed of a laminated metal film in which a Ti layer and an AlCu layer are laminated in this order from the piezoelectric thin film 4 side.
  • the AlCu layer contains 1% by weight of Cu.
  • the wiring 6 is composed of a laminated metal film in which a Ti layer and an Al layer are laminated in this order from the piezoelectric thin film 4 side.
  • the materials of the IDT electrode 5 and the wiring 6 are not limited to the above.
  • the IDT electrode 5 and the wiring 6 may be made of a single layer metal film.
  • the elastic wave device 1 uses a plate wave as an elastic wave. Since the elastic wave to be used is reflected by the acoustic reflection film 3, the energy of the elastic wave to be used can be effectively confined on the piezoelectric thin film 4 side.
  • the plate wave is a general term for various waves excited in a piezoelectric thin film whose film thickness normalized by the wavelength ⁇ is 1 ⁇ or less, where ⁇ is the excited wavelength.
  • each unnecessary wave can be suppressed according to the application, and therefore, it is particularly suitable for an elastic wave device using a plate wave.
  • the film thicknesses of the first low acoustic impedance layer 3a, the second low acoustic impedance layer 3c, the third low acoustic impedance layer 3e, and the fourth low acoustic impedance layer 3g are each 10 nm or more. 1000 nm or less.
  • the film thicknesses of the first high acoustic impedance layer 3b, the second high acoustic impedance layer 3d, and the third high acoustic impedance layer 3f are 10 nm or more and 1000 nm or less, respectively.
  • the film thickness of the piezoelectric thin film 4 is 1 ⁇ m or less.
  • the film thickness of the piezoelectric thin film 4 is within the above range, a plate wave can be preferably excited.
  • the film thickness of the IDT electrode 5 is 10 nm or more and 1000 nm or less.
  • the film thickness of the wiring 6 is 100 nm or more and 2000 nm or less.
  • each film thickness of each low acoustic impedance layer, each high acoustic impedance layer, the piezoelectric thin film 4, and the wiring 6 is not limited to the above.
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment includes a support substrate 2, an acoustic reflection film 3 provided on the support substrate 2, a piezoelectric thin film 4 provided on the acoustic reflection film 3, and a piezoelectric thin film 4.
  • An IDT electrode 5 provided, and the acoustic reflection film 3 is a first acoustic impedance layer that is one acoustic impedance layer of the plurality of acoustic impedance layers, and one of the plurality of acoustic impedance layers.
  • the acoustic impedance layer includes a first acoustic impedance layer and a second acoustic impedance layer having a different arithmetic average roughness (Ra).
  • the main mode of the plate wave of the present embodiment is confined on the side of the acoustic reflection film close to the piezoelectric thin film, and the wave passing through the acoustic reflection film (that is, the wave reaching the side close to the support substrate) is generally an unnecessary wave. Therefore, with this configuration, it is possible to effectively suppress the influence of unnecessary waves while maintaining the main mode characteristics. This will be described below.
  • the main mode refers to the elastic wave mode to be used.
  • the plate wave of the S 0 mode when the wavelength of plate wave to be excited to a lambda, a wave film thickness normalized are excited in the piezoelectric thin film is less than 1 ⁇ the wavelength lambda
  • Lamb wave other than S 0 mode for example, it may be used a plate wave of A 1 mode or SH 0 mode.
  • 2 (a) to 2 (f) are diagrams showing examples of plate wave propagation modes.
  • 2A to 2D the direction of the arrow indicates the elastic wave displacement direction
  • the paper thickness direction indicates the elastic wave displacement direction.
  • Plate waves are classified into Lamb waves (mainly in the elastic wave propagation direction and piezoelectric material thickness direction) and SH waves (mainly in the SH component) according to the displacement component. Furthermore, the Lamb wave is classified into a symmetric mode (S mode) and an antisymmetric mode (A mode). Note that, when folded at half the line in the thickness direction of the piezoelectric body, the one where the displacement overlaps is the symmetric mode, and the one where the displacement is in the opposite direction is the anti-symmetric mode.
  • the subscript number in the mode name indicates the number of nodes in the thickness direction.
  • the A 1 mode Lamb wave is a first order antisymmetric mode Lamb wave.
  • the utilized S0 mode plate wave is confined in the vicinity of the piezoelectric thin film 4 shown in FIG.
  • unnecessary waves that are easily transmitted through the acoustic reflection film 3 are also excited. This unnecessary wave propagates through the acoustic reflection film 3 and reaches the support substrate 2.
  • the acoustic reflection film 3 since the acoustic reflection film 3 has at least two acoustic impedance layers having different arithmetic average roughnesses (Ra), unnecessary waves can be scattered.
  • the arithmetic average roughness becomes closer to the support substrate 2 side in the first high acoustic impedance layer 3b, the second high acoustic impedance layer 3d, and the third high acoustic impedance layer 3f. (Ra) is large. Thereby, unnecessary waves can be scattered efficiently. Therefore, unnecessary waves can be effectively suppressed.
  • the effect of the first embodiment will be described more specifically by comparing the first embodiment and the first comparative example.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer, the second high acoustic impedance layer, and the third high acoustic impedance layer is 0 nm. Different from the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing impedance characteristics in the first embodiment and the first comparative example.
  • the solid line indicates the result of the first embodiment
  • the broken line indicates the result of the first comparative example.
  • the unnecessary wave indicated by the arrow A is reduced as compared with the first comparative example.
  • the impedance characteristics and the like may be deteriorated due to the influence of the above unnecessary waves.
  • unnecessary waves can be suppressed, so that deterioration of impedance characteristics and the like hardly occur.
  • the arithmetic mean roughness (Ra) is smaller as it is located on the piezoelectric thin film 4 side, so that the elastic wave to be used is less likely to be scattered. Therefore, in the first embodiment, unnecessary waves can be effectively suppressed, and the energy of the elastic waves to be used can be effectively confined.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the plurality of high acoustic impedance layers is the same, and the arithmetic average roughness (Ra) is larger as the plurality of low acoustic impedance layers are located on the support substrate side. Good. Even in this case, it is possible to efficiently scatter unnecessary waves that easily propagate through the acoustic reflection film. Therefore, unnecessary waves can be effectively suppressed.
  • the first low acoustic impedance layer is the first acoustic impedance layer in the present invention
  • the second low acoustic impedance layer is the second acoustic impedance layer in the present invention.
  • the arithmetic average roughness (Ra) is larger as it is located on the support substrate side, and in the plurality of high acoustic impedance layers, the arithmetic average roughness is located on the support substrate side.
  • the thickness (Ra) may be large. Also in this case, similarly, unnecessary waves can be scattered efficiently.
  • the number of acoustic impedance layers in the acoustic reflection film 3 is not particularly limited.
  • the average arithmetic roughness (Ra) of the second high acoustic impedance layer 3d as the second acoustic impedance layer is the average arithmetic roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer 3b as the first acoustic impedance layer ( It is sufficient if it is larger than Ra).
  • This example is shown in the following modification of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic enlarged front sectional view of an elastic wave device according to a modification of the first embodiment.
  • This modification is different from the first embodiment in that the acoustic reflection film 53 does not have the third high acoustic impedance layer and the fourth low acoustic impedance layer as the third acoustic impedance layer.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer 3b is 0 nm
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the second high acoustic impedance layer 3d is 2.5 nm. It is.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating impedance characteristics in the modified example of the first embodiment and the second comparative example.
  • the solid line indicates the result of the modified example of the first embodiment
  • the broken line indicates the result of the second comparative example.
  • the second comparative example is different from the modification of the first embodiment in that the arithmetic average roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer and the second high acoustic impedance layer is 0 nm.
  • the combination of the materials of the plurality of low acoustic impedance layers and the plurality of high acoustic impedance layers is the SiO 2 layer, the Pt layer, the SiO 2 layer, the Pt layer, and the SiO 2 layer from the piezoelectric thin film 4 side.
  • the combination of the materials of the plurality of low acoustic impedance layers and the plurality of high acoustic impedance layers is not limited to the above, and examples thereof include a SiO 2 layer, a W layer, a SiO 2 layer, a Ta 2 O 5 layer, and a SiO 2 layer. There may be.
  • unnecessary waves other than unnecessary waves that pass through the acoustic reflection film and propagate to the support substrate may be excited.
  • an unnecessary wave that is reflected by the acoustic reflection film and easily trapped on the piezoelectric thin film side may be excited.
  • Such unnecessary waves can be suppressed in the second embodiment shown below.
  • FIG. 6 is a schematic enlarged front sectional view of the acoustic wave device according to the second embodiment.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer 13b, the second high acoustic impedance layer 13d, and the third high acoustic impedance layer 13f is related to the first embodiment. And different.
  • the elastic wave device of the second embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the arithmetic average roughness of the layer located on the piezoelectric thin film 4 side is increased.
  • (Ra) is large.
  • the arithmetic mean roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer 13b is 3.5 nm.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the second high acoustic impedance layer 13d is 2.5 nm.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the third high acoustic impedance layer 13f is 0 nm.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer 13b as the first acoustic impedance layer is the second high acoustic impedance as the second acoustic impedance layer. It is larger than the arithmetic average roughness (Ra) of the layer 13d.
  • this embodiment is compared with the third comparative example, and the effect of this embodiment is shown more specifically.
  • the third comparative example is different from the first embodiment in that the arithmetic average roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer, the second high acoustic impedance layer, and the third high acoustic impedance layer is 0 nm. And different.
  • FIG. 7 is a diagram showing impedance characteristics in the second embodiment and the third comparative example.
  • FIG. 8 is an enlarged view of FIG. 7 and 8, the solid line shows the result of the second embodiment, and the broken line shows the result of the third comparative example.
  • the acoustic impedance layer of the acoustic reflection film The number of layers is not particularly limited.
  • FIG. 9 is a schematic enlarged front cross-sectional view of an elastic wave device according to a modification of the second embodiment.
  • This modification is different from the second embodiment in that the acoustic reflection film 63 does not have the third high acoustic impedance layer and the fourth low acoustic impedance layer as the third acoustic impedance layer.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer 63b is 2.5 nm
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the second high acoustic impedance layer 63d is 0 nm.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating the vicinity of the frequency band in which unnecessary waves are generated in the impedance characteristics in the modified example of the second embodiment and the fourth comparative example.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating the vicinity of the frequency band in which unnecessary waves are generated in the impedance characteristics in the modified example of the second embodiment and the fourth comparative example. 10 and 11, the solid line indicates the result of the modification of the second embodiment, and the broken line indicates the result of the fourth comparative example.
  • the fourth comparative example is different from the modification of the second embodiment in that the arithmetic average roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer and the second high acoustic impedance layer is 0 nm.
  • FIG. 12 is a schematic enlarged front sectional view of the acoustic wave device according to the third embodiment.
  • the first acoustic impedance layer in the present invention is the first low acoustic impedance layer 3a
  • the second acoustic impedance layer in the present invention is the first high acoustic impedance layer 23b.
  • the present embodiment is also different from the first embodiment in that the number of layers in the acoustic reflection film 23 is three.
  • the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the second acoustic impedance layer is larger than the arithmetic average roughness (Ra) of the first acoustic impedance layer.
  • the acoustic reflection film 23 is a laminated body in which a first low acoustic impedance layer 3a, a first high acoustic impedance layer 23b, and a second low acoustic impedance layer 3c are laminated.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first low acoustic impedance layer 3a is 0 nm.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer 23b is 2.5 nm. Also in this case, similarly to the first embodiment, unnecessary waves can be efficiently scattered, and unnecessary waves can be effectively suppressed.
  • the combination of the materials of the plurality of low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers is the SiO 2 layer, the Pt layer, and the SiO 2 layer from the piezoelectric thin film 4 side.
  • combination of materials of a plurality of low acoustic impedance layers and the high acoustic impedance layer is not limited to the above, for example, SiO 2 layer, W layer, may be a SiO 2 layer.
  • FIG. 13 is a diagram showing impedance characteristics in the third embodiment and the fifth comparative example.
  • FIG. 14 is an enlarged view of FIG. In FIGS. 13 and 14, the solid line indicates the result of the third embodiment, and the broken line indicates the result of the fifth comparative example.
  • the fifth comparative example is different from the third embodiment in that the arithmetic average roughness (Ra) of the first low acoustic impedance layer and the first high acoustic impedance layer is 0 nm.
  • the number of acoustic impedance layers in the acoustic reflection film is There is no particular limitation.
  • FIG. 15 is a schematic enlarged front sectional view of an acoustic wave device according to a first modification of the third embodiment.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first low acoustic impedance layer 73a that is the first acoustic impedance layer is the arithmetic average of the first high acoustic impedance layer 3b that is the second acoustic impedance layer. It differs from the third embodiment in that it is larger than the roughness (Ra). More specifically, the arithmetic average roughness (Ra) of the first low acoustic impedance layer 73a is 2.5 nm, and the arithmetic average roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer 3b is 0 nm.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first low acoustic impedance layer 73a located on the piezoelectric thin film 4 side is the arithmetic average roughness of the first high acoustic impedance layer 3b located on the support substrate 2 side. Greater than (Ra). Therefore, unnecessary waves that are easily reflected by the acoustic reflection film 73 can be suppressed.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating impedance characteristics in the first modified example and the sixth comparative example of the third embodiment.
  • the solid line shows the result of the first modification of the third embodiment
  • the broken line shows the result of the sixth comparative example.
  • the sixth comparative example is a first modification of the third embodiment in that the arithmetic average roughness (Ra) of the first low acoustic impedance layer and the first high acoustic impedance layer is 0 nm. And different.
  • FIG. 17 is a schematic enlarged front sectional view of an acoustic wave device according to a second modification of the third embodiment.
  • This modification is different from the third embodiment in that the acoustic reflection film 83 does not have the second low acoustic impedance layer.
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first low acoustic impedance layer 3a is 0 nm
  • the arithmetic average roughness (Ra) of the first high acoustic impedance layer 23b is 2. .5 nm.
  • the first low acoustic impedance layer 3a, the first high acoustic impedance layer 23b, and the support substrate 2 may be laminated in this order from the piezoelectric thin film 4 side.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating impedance characteristics in the second modified example and the seventh comparative example of the third embodiment.
  • the solid line shows the result of the second modification of the third embodiment
  • the broken line shows the result of the seventh comparative example.
  • the seventh comparative example is a second modification of the third embodiment in that the arithmetic average roughness (Ra) of the first low acoustic impedance layer and the second high acoustic impedance layer is 0 nm. And different.
  • FIG. 19 is a schematic front sectional view of an acoustic wave device according to a fourth embodiment.
  • the acoustic reflection film 33 is provided in a portion overlapping the IDT electrode 5 in a plan view, and the support member 37 is provided so as to surround the acoustic reflection film 33. And different. Except for the above points, the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the support member 37 is located between the support substrate 2 and the piezoelectric thin film 4 in the same manner as the acoustic reflection film 33.
  • Support member 37 is not particularly limited, made of SiO 2 in this embodiment.
  • each high acoustic impedance layer in the acoustic reflection film 33 is a metal layer made of Pt.
  • the acoustic reflection film 33 includes a metal layer. Since the wiring 6 and the acoustic reflection film 33 do not overlap in plan view, parasitic capacitance can be suppressed.
  • the acoustic reflection film 33 may reach the vicinity of the portion overlapping the IDT electrode 5 in plan view. Even in this case, the area where the acoustic reflection film 33 overlaps the wiring 6 can be reduced. Therefore, parasitic capacitance can be suppressed.
  • the piezoelectric body is a piezoelectric thin film.
  • the piezoelectric body may be, for example, a piezoelectric substrate. Even in this case, unnecessary waves can be suppressed.
  • FIG. 20 (a) to 20 (d) are schematic front sectional views for explaining an example of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 21A and FIG. 21B are schematic front sectional views for explaining an example of the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • a piezoelectric substrate 4A is prepared.
  • the first low acoustic impedance layer 3a is formed on the piezoelectric substrate 4A.
  • the first low acoustic impedance layer 3a can be formed by, for example, a sputtering method.
  • the first high acoustic impedance layer 3b is formed on the first low acoustic impedance layer 3a.
  • the first high acoustic impedance layer 3b can be formed by, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the second low acoustic impedance layer 3c is laminated on the first high acoustic impedance layer 3b, and the second high acoustic impedance layer 43d is laminated on the second low acoustic impedance layer 3c.
  • a rough surface treatment is performed on the surface of the second high acoustic impedance layer 43d opposite to the piezoelectric substrate 4A side.
  • the method for the rough surface treatment is not particularly limited.
  • the surface may be roughened by polishing or the like.
  • a second high acoustic impedance layer 3d having an arithmetic average roughness (Ra) larger than that of the first high acoustic impedance layer 3b is obtained.
  • a third low acoustic impedance layer 3e and a third high acoustic impedance layer are laminated on the second high acoustic impedance layer 3d.
  • the rough surface treatment of the laminated third high acoustic impedance layer is performed to obtain the third high acoustic impedance layer 3f.
  • the rough surface treatment is performed so that the arithmetic average roughness (Ra) of the third high acoustic impedance layer 3f is larger than the arithmetic average roughness (Ra) of the second high acoustic impedance layer 3d.
  • a fourth low acoustic impedance layer 3g is laminated on the third high acoustic impedance layer 3f. Thereby, the acoustic reflection film 3 is obtained.
  • the support substrate 2 is provided on the fourth low acoustic impedance layer 3g.
  • the support substrate 2 may be bonded to the fourth low acoustic impedance layer 3g with an adhesive or the like, for example.
  • the piezoelectric substrate 4A is thinned by, for example, polishing. Thereby, the piezoelectric thin film 4 is obtained as shown in FIG.
  • the film thickness of the piezoelectric thin film 4 is adjusted according to the application by the thinning.
  • a plate wave can be suitably excited by making a film thickness into 1 micrometer or less.
  • the IDT electrode 5 and the wiring 6 are formed on the surface of the piezoelectric thin film 4 opposite to the acoustic reflection film 3 side.
  • the IDT electrode 5 and the wiring 6 can be formed by, for example, a lift-off method.
  • each acoustic impedance layer of the acoustic reflection film 33 is formed by patterning using a photolithography method or the like, and the acoustic reflection film 33 is formed. What is necessary is just to provide the supporting member 37 so that the circumference
  • the support member 37 can be provided by, for example, a sputtering method. In this case, the area where the acoustic reflection film 33 and the wiring 6 overlap in plan view can be reduced. Thereby, parasitic capacitance can be suppressed.
  • FIG. 23 is a schematic front sectional view of an acoustic wave device according to a fifth embodiment.
  • FIG. 24 is a schematic plan view of the acoustic wave device according to the fifth embodiment.
  • a region X surrounded by an alternate long and short dash line in FIG. 24 is a region where an IDT electrode, wiring, or the like is provided.
  • this embodiment is different from the first embodiment in that a metal film 98 is provided on the surface of the piezoelectric thin film 4 on the acoustic reflection film 3 side. Except for the above points, the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as that of the first embodiment. Note that the cross section shown in FIG. 23 corresponds to a cross section of a portion different from the cross section shown in FIG.
  • the piezoelectric thin film 4 is provided on the acoustic reflection film 3 similar to that in the first embodiment. Therefore, unnecessary waves can be effectively suppressed.
  • the metal film 98 is covered with an acoustic impedance layer located closest to the piezoelectric thin film 4 of the acoustic reflection film 3. More specifically, the metal film 98 is covered with a first low acoustic impedance layer 3a made of a dielectric. As shown in FIG. 24, the metal film 98 is disposed at a position that does not overlap the IDT electrode in plan view. Thereby, the film thickness of the piezoelectric thin film 4 can be measured easily and with high accuracy. This will be described below by comparing the present embodiment and the eighth comparative example.
  • the eighth comparative example differs from the present embodiment in that the arithmetic average roughness (Ra) of all acoustic impedance layers is 0 nm and the metal film is not provided.
  • FIG. 25 is a schematic cross-sectional view showing a portion corresponding to the cross section shown in FIG. 23 of the elastic wave device of the eighth comparative example.
  • the measurement of the film thickness is performed, for example, by irradiating the object with light and measuring the intensity of the reflected light.
  • each acoustic impedance layer of the acoustic reflecting film is made of a dielectric, as shown in FIG. 25, the measurement light L is partially reflected and partially transmitted at the interface between the acoustic impedance layers.
  • the reflection path of the measurement light L is complicated. For this reason, the time required for measurement tends to be long and the accuracy of measurement tends to deteriorate.
  • a metal film 98 is provided on the surface of the piezoelectric thin film 4 on the acoustic reflection film 3 side. Therefore, even if each acoustic impedance layer of the acoustic reflection film 3 is made of a dielectric, the measurement light L transmitted through the piezoelectric thin film 4 can be suitably reflected by the metal film 98. Therefore, the film thickness of the piezoelectric thin film 4 can be measured easily and with high accuracy.
  • the metal film 98 is disposed at a position that does not overlap the region where the IDT electrode 5 and the wiring are provided in plan view. Therefore, even after the IDT electrode 5 and the wiring are formed, the film thickness of the piezoelectric thin film 4 can be measured easily and with high accuracy. The film thickness of the piezoelectric thin film 4 can also be measured after measuring the electrical characteristics of the IDT electrode 5 and the like. In a plan view, the metal film 98 may overlap the region where the IDT electrode 5 and the wiring are provided. In this case, for example, in manufacturing, the film thickness of the piezoelectric thin film 4 may be measured before forming the IDT electrode 5 and the wiring.
  • the metal film 98 is a laminated metal film in which a Ti layer, an AlCu layer, and a Ti layer are laminated in this order from the piezoelectric thin film 4 side. From the piezoelectric thin film 4 side, the thickness of the Ti layer is 10 nm, the thickness of the AlCu layer is 60 nm, and the thickness of the Ti layer is 10 nm.
  • the shape of the metal film 98 in plan view is a 100 ⁇ m square. The material, film thickness, and shape of the metal film 98 are not limited to the above.
  • the metal film 98 may be a single layer metal film.
  • the metal film 98 preferably contains at least one of Ti and Cr. In this case, the adhesion between the piezoelectric thin film 4 and the acoustic reflection film 3 and the metal film 98 can be enhanced. Therefore, it is difficult for the piezoelectric thin film 4 and the acoustic reflection film 3 to peel off.
  • the metal film 98 only needs to be covered with a dielectric member.
  • the support member 37 is provided so as to surround the acoustic reflection film 33 as in the fourth embodiment.
  • the metal film 98 is covered with a support member 37 made of a dielectric. As described above, the region where the IDT electrode 5 and the wiring 6 are provided and the metal film 98 may overlap in a plan view.
  • a configuration in which the metal film 98 is provided is particularly suitable when there are many interfaces between layers.
  • a plurality of electrode structures may be formed on a mother laminate including a mother piezoelectric thin film. Thereafter, a plurality of acoustic wave devices may be obtained by separating the mother laminate.
  • the metal film 98 is preferably provided in all acoustic wave devices.
  • the thickness of the mother piezoelectric thin film is not necessarily constant at all positions. Since the metal film 98 is provided in all the acoustic wave devices, the film thickness of the piezoelectric thin film 4 can be more reliably measured in all the acoustic wave devices.
  • the singulation can be performed by, for example, dicing.
  • the metal film 98 may be disposed at a position overlapping the dicing line in plan view.
  • the metal film 98 may be removed by dicing after measuring the thickness of the mother piezoelectric thin film. Thereby, the film thickness of the piezoelectric thin film 4 can be measured easily and with high accuracy, and the acoustic wave device can be miniaturized.
  • the metal film 98 has a shape that can be easily removed by dicing.
  • the shape of the metal film 98 in plan view may be a 30 ⁇ m square.
  • a metal film 98 is provided at a position that overlaps the dicing line in plan view and that is adjacent to a portion corresponding to each acoustic wave device after separation.
  • the elastic wave device of each of the above embodiments can be used as a duplexer for a high-frequency front end circuit. This example is described below.
  • FIG. 22 is a configuration diagram of the communication device and the high-frequency front-end circuit.
  • components connected to the high-frequency front-end circuit 230 for example, the antenna element 202 and the RF signal processing circuit (RFIC) 203 are also shown.
  • the high-frequency front end circuit 230 and the RF signal processing circuit 203 constitute a communication device 240.
  • the communication device 240 may include a power supply, a CPU, and a display.
  • the high-frequency front-end circuit 230 includes a switch 225, duplexers 201A and 201B, filters 231, 232, low-noise amplifier circuits 214, 224, and power amplifier circuits 234a, 234b, 244a, 244b. Note that the high-frequency front-end circuit 230 and the communication device 240 in FIG. 22 are examples of the high-frequency front-end circuit and the communication device, and are not limited to this configuration.
  • the duplexer 201A includes filters 211 and 212.
  • the duplexer 201B includes filters 221 and 222.
  • the duplexers 201 ⁇ / b> A and 201 ⁇ / b> B are connected to the antenna element 202 via the switch 225.
  • the said elastic wave apparatus may be duplexers 201A and 201B, and may be filters 211, 212, 221 and 222.
  • the elastic wave device is also applicable to a multiplexer having three or more filters, such as a triplexer in which the antenna terminals of three filters are shared, and a hexaplexer in which the antenna terminals of six filters are shared. Can do.
  • the acoustic wave device includes an acoustic wave resonator, a filter, a duplexer, and a multiplexer including three or more filters.
  • the multiplexer is not limited to the configuration including both the transmission filter and the reception filter, and may be configured to include only the transmission filter or only the reception filter.
  • the switch 225 connects the antenna element 202 and a signal path corresponding to a predetermined band in accordance with a control signal from a control unit (not shown), and is configured by, for example, a SPDT (Single Pole Double Throw) type switch. .
  • a SPDT Single Pole Double Throw
  • the number of signal paths connected to the antenna element 202 is not limited to one and may be plural. That is, the high frequency front end circuit 230 may support carrier aggregation.
  • the low noise amplifier circuit 214 is a reception amplification circuit that amplifies a high frequency signal (here, a high frequency reception signal) via the antenna element 202, the switch 225, and the duplexer 201A and outputs the amplified signal to the RF signal processing circuit 203.
  • the low noise amplifier circuit 224 is a reception amplification circuit that amplifies a high-frequency signal (here, a high-frequency reception signal) that has passed through the antenna element 202, the switch 225, and the duplexer 201B, and outputs the amplified signal to the RF signal processing circuit 203.
  • the power amplifier circuits 234a and 234b are transmission amplifier circuits that amplify the high frequency signal (here, the high frequency transmission signal) output from the RF signal processing circuit 203 and output the amplified signal to the antenna element 202 via the duplexer 201A and the switch 225.
  • the power amplifier circuits 244a and 244b are transmission amplifier circuits that amplify the high-frequency signal (here, the high-frequency transmission signal) output from the RF signal processing circuit 203 and output the amplified signal to the antenna element 202 via the duplexer 201B and the switch 225. .
  • the RF signal processing circuit 203 processes the high-frequency reception signal input from the antenna element 202 via the reception signal path by down-conversion or the like, and outputs a reception signal generated by the signal processing. Further, the RF signal processing circuit 203 performs signal processing on the input transmission signal by up-conversion or the like, and outputs the high-frequency transmission signal generated by the signal processing to the power amplifier circuits 234b and 244b.
  • the RF signal processing circuit 203 is, for example, an RFIC.
  • the communication apparatus may include a BB (baseband) IC. In this case, the BBIC processes the received signal processed by the RFIC. The BBIC processes the transmission signal and outputs it to the RFIC.
  • the reception signal processed by the BBIC and the transmission signal before the signal processing by the BBIC are, for example, an image signal or an audio signal.
  • the high-frequency front end circuit 230 may include a duplexer according to a modification of the duplexers 201A and 201B instead of the duplexers 201A and 201B.
  • the filters 231 and 232 in the communication device 240 are connected between the RF signal processing circuit 203 and the switch 225 without passing through the low noise amplifier circuits 214 and 224 and the power amplifier circuits 234a, 234b, 244a and 244b.
  • the filters 231 and 232 are also connected to the antenna element 202 via the switch 225, similarly to the duplexers 201A and 201B.
  • the high-frequency front-end circuit 230 and the communication device 240 configured as described above, by including the elastic wave device of the present invention, an acoustic wave resonator, a filter, a duplexer, a multiplexer including three or more filters, and the like. Unnecessary waves can be effectively suppressed.
  • the elastic wave device, the high-frequency front-end circuit, and the communication device according to the embodiment of the present invention have been described with reference to the embodiment and the modified examples thereof.
  • a high-frequency front-end circuit according to the present invention a modification obtained by making various modifications conceived by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention, and a high-frequency front-end circuit according to the present invention.
  • Various devices incorporating the communication device are also included in the present invention.
  • the present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as filters, multiplexers applicable to multiband systems, front-end circuits, and communication devices.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

不要波を効果的に抑制することができる、弾性波装置を提供する　弾性波装置１は支持基板２と、支持基板２上に設けられた音響反射膜３と、音響反射膜３上に設けられた圧電薄膜４（圧電体）と、圧電薄膜４上に設けられているＩＤＴ電極５とを備える。音響反射膜３は、第１，第２，第３，第４の低音響インピーダンス層３ａ，３ｃ，３ｅ，３ｇと、第１，第２，第３の高音響インピーダンス層３ｂ，３ｄ，３ｆとを含む複数の音響インピーダンス層で構成された積層体である。音響反射膜３は、複数の音響インピーダンス層のうちの１の音響インピーダンス層である第１の音響インピーダンス層と、複数の音響インピーダンス層のうちの１の音響インピーダンス層であり、かつ第１の音響インピーダンス層と算術平均粗さ（Ｒａ）が異なる第２の音響インピーダンス層とを有する。

Description

弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
　本発明は、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
　従来、弾性波装置が携帯電話機などに広く用いられている。下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、支持基板上に音響反射層が設けられており、音響反射層上に圧電体層が設けられており、圧電体層上にＩＤＴ電極が設けられている。音響反射層においては、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層が積層されている。
国際公開第２０１２／０８６４４１号
　特許文献１に記載の弾性波装置においては、種々の不要波が発生することがあった。そのため、インピーダンス特性などが劣化することがあった。
　本発明の目的は、不要波を効果的に抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、支持基板と、前記支持基板上に設けられている音響反射膜と、前記音響反射膜上に設けられている圧電体と、前記圧電体上に設けられているＩＤＴ電極とを備え、前記音響反射膜が、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層とを含む複数の音響インピーダンス層で構成された積層体であり、前記音響反射膜が、前記複数の音響インピーダンス層のうちの１の音響インピーダンス層である第１の音響インピーダンス層と、前記複数の音響インピーダンス層のうちの１の音響インピーダンス層であって、かつ前記第１の音響インピーダンス層と算術平均粗さ（Ｒａ）が異なる第２の音響インピーダンス層とを有する。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第１の音響インピーダンス層が前記第２の音響インピーダンス層より前記圧電体側に位置しており、前記第２の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が前記第１の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）より大きい。この場合には、音響反射膜を透過して伝搬し易い不要波を効果的に抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第１の音響インピーダンス層が前記第２の音響インピーダンス層より前記圧電体側に位置しており、前記第１の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が前記第２の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）より大きい。この場合には、音響反射膜に反射され易い不要波を効果的に抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記音響反射膜が、前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層をそれぞれ複数有し、前記低音響インピーダンス層と前記高音響インピーダンス層とが交互に積層されており、前記第１の音響インピーダンス層及び前記第２の音響インピーダンス層が、それぞれ前記低音響インピーダンス層であり、前記複数の低音響インピーダンス層において、前記支持基板側に位置している層ほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい。この場合には、音響反射膜を透過して伝搬し易い不要波をより一層抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記音響反射膜が、前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層をそれぞれ複数有し、前記低音響インピーダンス層と前記高音響インピーダンス層とが交互に積層されており、前記第１の音響インピーダンス層及び前記第２の音響インピーダンス層が、それぞれ前記高音響インピーダンス層であり、前記複数の高音響インピーダンス層において、前記支持基板側に位置している層ほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい。この場合には、音響反射膜を透過して伝搬し易い不要波をより一層抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記音響反射膜が、前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層をそれぞれ複数有し、前記低音響インピーダンス層と前記高音響インピーダンス層とが交互に積層されており、前記第１の音響インピーダンス層及び前記第２の音響インピーダンス層が、それぞれ前記低音響インピーダンス層であり、前記複数の低音響インピーダンス層において、前記圧電体側に位置している層ほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい。この場合には、音響反射膜に反射され易い不要波をより一層抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記音響反射膜が、前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層をそれぞれ複数有し、前記低音響インピーダンス層と前記高音響インピーダンス層とが交互に積層されており、前記第１の音響インピーダンス層及び前記第２の音響インピーダンス層が、それぞれ前記高音響インピーダンス層であり、前記複数の高音響インピーダンス層において、前記圧電体側に位置している層ほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい。この場合には、音響反射膜に反射され易い不要波をより一層抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記音響反射膜において、前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層が交互に５層以上積層されている。この場合には、利用する弾性波のエネルギーを効果的に圧電体側に閉じ込めることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記圧電体の前記音響反射膜側の面上に、金属膜が設けられており、前記金属膜が、誘電体からなる部材に覆われている。この場合には、圧電体の膜厚を容易にかつ高精度に測定することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記誘電体からなる部材が、前記音響反射膜の最も前記圧電体側に位置する前記音響インピーダンス層である。この場合には、圧電体の膜厚をより一層容易にかつ高精度に測定することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、平面視において、前記ＩＤＴ電極に重ならない位置に前記金属膜が配置されている。この場合には、ＩＤＴ電極を形成した後においても、圧電体の膜厚を容易にかつ高精度に測定することができる。ＩＤＴ電極などの電気的特性を測定した後に、圧電体の膜厚を測定することもできる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記金属膜がＴｉ及びＣｒのうち少なくとも一方を含む。この場合には、圧電体及び音響反射膜と、金属膜との密着性を高めることができる。よって、圧電体と音響反射膜とが剥離し難い。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、板波を利用している。この場合には、不要波を特に効果的に抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記圧電体の膜厚が１μｍ以下である。この場合には、板波を好適に励振させることができる。
　本発明に係る高周波フロントエンド回路は、本発明に従って構成された弾性波装置と、パワーアンプとを備える。
　本発明に係る通信装置は、本発明に従って構成された高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路とを備える。
　本発明によれば、不要波を効果的に抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図２（ａ）～図２（ｆ）は、板波の伝搬モードの例を示す図である。 図３は、本発明の第１の実施形態及び第１の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。 図４は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の変形例及び第２の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。 図６は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。 図７は、本発明の第２の実施形態及び第３の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。 図８は、図７の拡大図である。 図９は、本発明の第２の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態の変形例及び第４の比較例におけるインピーダンス特性の、不要波が発生する周波数帯域付近を示す図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態の変形例及び第４の比較例におけるインピーダンス特性の、不要波が発生する周波数帯域付近を示す図である。 図１２は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。 図１３は、本発明の第３の実施形態及び第５の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。 図１４は、図１３の拡大図である。 図１５は、本発明の第３の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。 図１６は、本発明の第３の実施形態の第１の変形例及び第６の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。 図１７は、本発明の第３の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。 図１８は、本発明の第３の実施形態の第２の変形例及び第７の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。 図１９は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図２０（ａ）～図２０（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための模式的正面断面図である。 図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための模式的正面断面図である。 図２２は、高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。 図２３は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図２４は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の略図的平面図である。 図２５は、第８の比較例の弾性波装置の、図２３に示す断面に相当する部分を示す模式的断面図である。 図２６は、本発明の第５の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
　弾性波装置１は、支持基板２を有する。本実施形態では、支持基板２はＳｉからなる。なお、支持基板２の材料は上記に限定されず、例えば、支持基板２はサファイアやガラスなどからなっていてもよい。
　支持基板２上には、音響反射膜３が設けられている。音響反射膜３は、複数の音響インピーダンス層が積層された積層体である。より具体的には、音響反射膜３は、相対的に音響インピーダンスが低い複数の低音響インピーダンス層としての、第１の低音響インピーダンス層３ａ、第２の低音響インピーダンス層３ｃ、第３の低音響インピーダンス層３ｅ及び第４の低音響インピーダンス層３ｇを有する。音響反射膜３は、相対的に音響インピーダンスが高い複数の高音響インピーダンス層としての、第１の高音響インピーダンス層３ｂ、第２の高音響インピーダンス層３ｄ及び第３の高音響インピーダンス層３ｆも有する。
　弾性波装置１においては、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層とは交互に積層されている。なお、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層とは、必ずしも交互に積層されていなくともよい。本実施形態では、音響反射膜３においては、計７層の音響インピーダンス層が積層されている。なお、音響反射膜３における音響インピーダンス層の層数は上記に限定されない。
　音響反射膜３における第１の低音響インピーダンス層３ａ上には、圧電体としての圧電薄膜４が設けられている。圧電薄膜４は、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶や、適宜の圧電セラミックスからなる。なお、音響反射膜３の最も圧電薄膜４側の音響インピーダンス層は、高音響インピーダンス層であってもよい。
　本実施形態においては、第１の高音響インピーダンス層３ｂは、本発明における第１の音響インピーダンス層である。第２の高音響インピーダンス層３ｄ及び第３の高音響インピーダンス層３ｆは、本発明における第２の音響インピーダンス層及び第３の音響インピーダンス層である。第２の高音響インピーダンス層３ｄは第３の高音響インピーダンス層３ｆよりも圧電薄膜４側に位置しており、第１の高音響インピーダンス層３ｂは第２の高音響インピーダンス層３ｄよりも圧電薄膜４側に位置している。
　なお、第１の音響インピーダンス層、第２の音響インピーダンス層及び第３の音響インピーダンス層は、この順序で圧電薄膜に近い位置に配置されていればよい。例えば、第１の低音響インピーダンス層３ａが第１の音響インピーダンス層であり、第１の高音響インピーダンス層３ｂが第２の音響インピーダンス層であってもよい。
　図１に模式的に示すように、第３の高音響インピーダンス層３ｆの支持基板２側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、第２の高音響インピーダンス層３ｄの支持基板２側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）より大きい。第２の高音響インピーダンス層３ｄの支持基板２側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、第１の高音響インピーダンス層３ｂの支持基板２側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）より大きい。このように、第１の高音響インピーダンス層３ｂ、第２の高音響インピーダンス層３ｄ及び第３の高音響インピーダンス層３ｆにおいては、支持基板２側に位置している層ほど、支持基板２側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい。
　ここで、本明細書においては、算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：２０１３において規定される算術平均粗さ（Ｒａ）を示す。
　本実施形態では、第３の高音響インピーダンス層３ｆの支持基板２側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）は３．５ｎｍである。第２の高音響インピーダンス層３ｄの支持基板２側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）は２．５ｎｍである。第１の高音響インピーダンス層３ｂの支持基板２側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０ｎｍである。
　なお、第１の音響インピーダンス層、第２の音響インピーダンス層及び第３の音響インピーダンス層の圧電薄膜４側の面の算術平均粗さ（Ｒａ）が上記のような関係であってもよい。各音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）の値は上記に限定されない。
　他方、本実施形態においては、第１の低音響インピーダンス層３ａ、第２の低音響インピーダンス層３ｃ、第３の低音響インピーダンス層３ｅ及び第４の低音響インピーダンス層３ｇの算術平均粗さ（Ｒａ）は同じである。
　弾性波装置１においては、第１の低音響インピーダンス層３ａ、第２の低音響インピーダンス層３ｃ、第３の低音響インピーダンス層３ｅ及び第４の低音響インピーダンス層３ｇはＳｉＯ２からなる。なお、各低音響インピーダンス層の材料は上記に限定されず、相対的に音響インピーダンスが低い適宜の材料であればよい。低音響インピーダンス層を複数有する場合には、各低音響インピーダンス層は異なる材料からなっていてもよい。
　第１の高音響インピーダンス層３ｂ、第２の高音響インピーダンス層３ｄ及び第３の高音響インピーダンス層３ｆはＰｔからなる。各高音響インピーダンス層の材料は上記に限定されず、相対的に音響インピーダンスが高い適宜の材料であればよい。各高音響インピーダンス層の材料としては、Ｐｔ以外にも、例えば、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｗ、Ｓｎなどが挙げられる。高音響インピーダンス層を複数有する場合には、各高音響インピーダンス層は異なる材料からなっていてもよい。
　図１に示すように、圧電薄膜４上には、ＩＤＴ電極５及び配線６が設けられている。ＩＤＴ電極５と配線６とは電気的に接続されている。ＩＤＴ電極５は、圧電薄膜４側からＴｉ層及びＡｌＣｕ層がこの順序で積層された積層金属膜からなる。本実施形態では、ＡｌＣｕ層はＣｕを１重量％含有している。他方、配線６は、圧電薄膜４側からＴｉ層及びＡｌ層がこの順序で積層された積層金属膜からなる。なお、ＩＤＴ電極５及び配線６の材料は上記に限定されない。ＩＤＴ電極５及び配線６は、単層の金属膜からなっていてもよい。
　ＩＤＴ電極５に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。弾性波装置１は、弾性波として板波を利用している。利用する弾性波が音響反射膜３により反射されるため、利用する弾性波のエネルギーを圧電薄膜４側に効果的に閉じ込めることができる。
　なお、板波とは、励振される波長をλとしたときに、波長λにより規格化された膜厚が１λ以下である圧電薄膜において励振される種々の波を総称している。
　本実施形態のように、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は交互に５層以上積層されていることが好ましい。それによって、利用する弾性波のエネルギーを圧電薄膜４側により一層効果的に閉じ込めることができる。
　板波を用いる弾性波装置においては、種々の不要波が生じる傾向がある。詳細は後述するが、本発明においては、用途に応じてそれぞれの不要波を抑制することができるため、板波を用いる弾性波装置において特に好適である。
　本実施形態においては、第１の低音響インピーダンス層３ａ、第２の低音響インピーダンス層３ｃ、第３の低音響インピーダンス層３ｅ及び第４の低音響インピーダンス層３ｇの膜厚は、それぞれ１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である。第１の高音響インピーダンス層３ｂ、第２の高音響インピーダンス層３ｄ及び第３の高音響インピーダンス層３ｆの膜厚は、それぞれ１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である。圧電薄膜４の膜厚は１μｍ以下である。圧電薄膜４の膜厚が上記範囲内であることにより、板波を好適に励振させることができる。ＩＤＴ電極５の膜厚は１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である。配線６の膜厚は１００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下である。なお、各低音響インピーダンス層、各高音響インピーダンス層、圧電薄膜４及び配線６の各膜厚は上記に限定されない。
　本実施形態の弾性波装置１は、支持基板２と、支持基板２上に設けられている音響反射膜３と、音響反射膜３上に設けられている圧電薄膜４と、圧電薄膜４上に設けられているＩＤＴ電極５とを備え、音響反射膜３が、複数の音響インピーダンス層のうちの１の音響インピーダンス層である第１の音響インピーダンス層と、複数の音響インピーダンス層のうちの１の音響インピーダンス層であって、かつ第１の音響インピーダンス層と算術平均粗さ（Ｒａ）が異なる第２の音響インピーダンス層とを有する、という構成を有する。本実施形態の板波の主モードは音響反射膜の圧電薄膜に近い側に閉じ込められ、音響反射膜を透過する波(つまり支持基板に近い側まで到達する波)は一般に不要な波である。よって、この形態とすることで、主モードの特性を維持したまま、不要波の影響を効果的に抑制することができる。これを以下において説明する。なお、本明細書において、主モードとは利用する弾性波のモードをいう。
　本実施形態では、Ｓ０モードの板波を利用している。ここで、Ｓ０モードの板波とは、励振される板波の波長をλとしたときに、波長λにより規格化された膜厚が１λ以下である圧電薄膜において励振される波であって、変位の主成分が縦波である波を総称したものである。なお、Ｓ０モード以外の板波を利用してもよく、例えば、Ａ１モードやＳＨ０モードの板波を利用してもよい。
　図２（ａ）～図２（ｆ）は、板波の伝搬モードの例を示す図である。図２（ａ）～図２（ｄ）においては、矢印の方向が弾性波の変位方向を示し、図２（ｅ）及び図２（ｆ）においては紙面厚み方向が弾性波の変位方向を示す。
　板波は、変位成分に応じてラム波（弾性波伝搬方向及び圧電体の厚み方向の成分が主）とＳＨ波（ＳＨ成分が主）とに分類される。さらに、ラム波は対称モード（Ｓモード）と反対称モード（Ａモード）とに分類される。なお、圧電体の厚み方向における半分のラインで折り返したとき、変位が重なるものを対称モード、変位が反対方向のものを反対称モードとしている。モードの名称における下付きの数値は厚み方向の節の数を示している。例えば、Ａ１モードラム波とは、１次反対称モードラム波である。
　本実施形態では、利用しているＳ０モードの板波は、図１に示す圧電薄膜４付近に閉じ込められる。他方、Ｓ０モードの板波以外にも、音響反射膜３を透過して伝搬し易い不要波も励振される。この不要波は、音響反射膜３を伝搬し、支持基板２まで到達する。本実施形態では、音響反射膜３が、算術平均粗さ（Ｒａ）が異なる少なくとも２つの音響インピーダンス層を有するため、不要波を散乱させることができる。また、本実施形態では、第１の高音響インピーダンス層３ｂ、第２の高音響インピーダンス層３ｄ及び第３の高音響インピーダンス層３ｆにおいて、支持基板２側に位置しているほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい。それによって、不要波を効率的に散乱させることができる。従って、不要波を効果的に抑制することができる。
　以下において、第１の実施形態と第１の比較例とを比較し、第１の実施形態の効果をより具体的に示す。なお、第１の比較例は、第１の高音響インピーダンス層、第２の高音響インピーダンス層及び第３の高音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が０ｎｍである点において、第１の実施形態と異なる。
　図３は、第１の実施形態及び第１の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。図３において、実線は第１の実施形態の結果を示し、破線は第１の比較例の結果を示す。
　図３に示すように、第１の実施形態において、第１の比較例よりも矢印Ａにより示す不要波が低減していることがわかる。このように、第１の実施形態において、音響反射膜３を透過して伝搬し易い不要波を効果的に抑制することができる。
　なお、上記のような不要波の影響により、インピーダンス特性などが劣化することがある。第１の実施形態では、不要波を抑制することができるため、インピーダンス特性などの劣化が生じ難い。
　加えて、複数の高音響インピーダンス層において、圧電薄膜４側に位置するほど算術平均粗さ（Ｒａ）が小さいため、利用する弾性波は散乱され難い。従って、第１の実施形態では、不要波を効果的に抑制することができ、かつ利用する弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。
　ところで、複数の高音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が同じであり、かつ複数の低音響インピーダンス層において、支持基板側に位置しているほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きくともよい。この場合においても、音響反射膜を透過して伝搬し易い不要波を効率的に散乱させることができる。よって、不要波を効果的に抑制することができる。なお、この場合には、例えば、第１の低音響インピーダンス層が本発明における第１の音響インピーダンス層であり、第２の低音響インピーダンス層が本発明における第２の音響インピーダンス層である。
　複数の低音響インピーダンス層において、支持基板側に位置しているほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きく、かつ複数の高音響インピーダンス層において、支持基板側に位置しているほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きくともよい。この場合においても、同様に、不要波を効率的に散乱させることができる。
　図１に戻り、音響反射膜３における音響インピーダンス層の層数は、特に限定されない。上記第２の音響インピーダンス層としての第２の高音響インピーダンス層３ｄの平均算術粗さ（Ｒａ）が、上記第１の音響インピーダンス層としての第１の高音響インピーダンス層３ｂの平均算術粗さ（Ｒａ）より大きければよい。この例を、以下の第１の実施形態の変形例において示す。
　図４は、第１の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。
　本変形例は、音響反射膜５３が上記第３の音響インピーダンス層としての第３の高音響インピーダンス層及び第４の低音響インピーダンス層を有しない点において、第１の実施形態と異なる。第１の実施形態と同様に、第１の高音響インピーダンス層３ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）は０ｎｍであり、第２の高音響インピーダンス層３ｄの算術平均粗さ（Ｒａ）は２．５ｎｍである。
　図５は、第１の実施形態の変形例及び第２の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。図５において、実線は第１の実施形態の変形例の結果を示し、破線は第２の比較例の結果を示す。なお、第２の比較例は、第１の高音響インピーダンス層及び第２の高音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が０ｎｍである点において、第１の実施形態の変形例と異なる。
　図５に示すように、第１の実施形態の変形例において、第２の比較例よりも、矢印Ｂにより示す不要波が低減していることがわかる。このように、第１の実施形態の変形例においても、不要波を効果的に抑制することができる。
　本変形例では、複数の低音響インピーダンス層及び複数の高音響インピーダンス層の材料の組み合わせは、圧電薄膜４側から、ＳｉＯ２層、Ｐｔ層、ＳｉＯ２層、Ｐｔ層、ＳｉＯ２層である。なお、複数の低音響インピーダンス層及び複数の高音響インピーダンス層の材料の組み合わせは上記に限定されず、例えば、ＳｉＯ２層、Ｗ層、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、ＳｉＯ２層などであってもよい。
　弾性波装置においては、音響反射膜を透過し、伝搬して支持基板まで到達する不要波以外の不要波が励振されることもある。例えば、音響反射膜において反射され、圧電薄膜側に閉じ込められ易い不要波も励振されることがある。このような不要波を、下記に示す第２の実施形態において抑制することができる。
　図６は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。
　第２の実施形態においては、第１の高音響インピーダンス層１３ｂ、第２の高音響インピーダンス層１３ｄ及び第３の高音響インピーダンス層１３ｆの算術平均粗さ（Ｒａ）の関係が第１の実施形態と異なる。上記以外の点においては、第２の実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　より具体的には、第１の高音響インピーダンス層１３ｂ、第２の高音響インピーダンス層１３ｄ及び第３の高音響インピーダンス層１３ｆにおいて、圧電薄膜４側に位置している層ほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい。第１の高音響インピーダンス層１３ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）は３．５ｎｍである。第２の高音響インピーダンス層１３ｄの算術平均粗さ（Ｒａ）は２．５ｎｍである。第３の高音響インピーダンス層１３ｆの算術平均粗さ（Ｒａ）は０ｎｍである。このように、本実施形態においては、第１の音響インピーダンス層としての第１の高音響インピーダンス層１３ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）が、第２の音響インピーダンス層としての第２の高音響インピーダンス層１３ｄの算術平均粗さ（Ｒａ）よりも大きい。
　本実施形態では、上記構成を有することにより、音響反射膜１３により反射され易い不要波を効率的に散乱させることができる。それによって、不要波を効果的に抑制することができる。
　以下において、本実施形態と第３の比較例とを比較し、本実施形態の効果をより具体的に示す。なお、第３の比較例は、第１の高音響インピーダンス層、第２の高音響インピーダンス層及び第３の高音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が０ｎｍである点において、本実施形態と異なる。
　図７は、第２の実施形態及び第３の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。図８は、図７の拡大図である。図７及び図８において、実線は第２の実施形態の結果を示し、破線は第３の比較例の結果を示す。
　図７及び図８に示すように、第２の実施形態において、第３の比較例よりも、矢印Ｃにより示す不要波が低減していることがわかる。このように、第２の実施形態においても、不要波を効果的に抑制することができる。
　本実施形態のように、第１の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が第２の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）より大きい構成においても、音響反射膜における音響インピーダンス層の層数は、特に限定されない。
　図９は、第２の実施形態の変形例に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。
　本変形例は、音響反射膜６３が上記第３の音響インピーダンス層としての第３の高音響インピーダンス層及び第４の低音響インピーダンス層を有しない点において、第２の実施形態と異なる。なお、第１の高音響インピーダンス層６３ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）は２．５ｎｍであり、第２の高音響インピーダンス層６３ｄの算術平均粗さ（Ｒａ）は０ｎｍである。
　図１０は、第２の実施形態の変形例及び第４の比較例におけるインピーダンス特性の、不要波が発生する周波数帯域付近を示す図である。図１１は、第２の実施形態の変形例及び第４の比較例におけるインピーダンス特性の、不要波が発生する周波数帯域付近を示す図である。図１０及び図１１において、実線は第２の実施形態の変形例の結果を示し、破線は第４の比較例の結果を示す。なお、第４の比較例は、第１の高音響インピーダンス層及び第２の高音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が０ｎｍである点において、第２の実施形態の変形例と異なる。
　図１０及び図１１に示すように、第２の実施形態の変形例において、第４の比較例よりも、矢印Ｄ及び矢印Ｅにより示す不要波が低減していることがわかる。このように、第２の実施形態の変形例においても、不要波を効果的に抑制することができる。
　図１２は、第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。
　本実施形態は、本発明における第１の音響インピーダンス層が第１の低音響インピーダンス層３ａであり、本発明における第２の音響インピーダンス層が第１の高音響インピーダンス層２３ｂである点において、第１の実施形態と異なる。本実施形態は、音響反射膜２３における層数が３層である点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。本実施形態においては、第１の実施形態と同様に、第２の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が、第１の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも大きい。
　より具体的には、音響反射膜２３は、第１の低音響インピーダンス層３ａ、第１の高音響インピーダンス層２３ｂ及び第２の低音響インピーダンス層３ｃが積層された積層体である。第１の低音響インピーダンス層３ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は０ｎｍである。第１の高音響インピーダンス層２３ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）は２．５ｎｍである。この場合においても、第１の実施形態と同様に、不要波を効率的に散乱させることができ、不要波を効果的に抑制することができる。
　本実施形態では、複数の低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層の材料の組み合わせは、圧電薄膜４側から、ＳｉＯ２層、Ｐｔ層、ＳｉＯ２層である。なお、複数の低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層の材料の組み合わせは上記に限定されず、例えば、ＳｉＯ２層、Ｗ層、ＳｉＯ２層などであってもよい。
　図１３は、第３の実施形態及び第５の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。図１４は、図１３の拡大図である。図１３及び図１４において、実線は第３の実施形態の結果を示し、破線は第５の比較例の結果を示す。なお、第５の比較例は、第１の低音響インピーダンス層及び第１の高音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が０ｎｍである点において、第３の実施形態と異なる。
　図１３及び図１４に示すように、第３の実施形態において、第５の比較例よりも、矢印Ｆ及び矢印Ｇにより示す不要波が低減していることがわかる。このように、第３の実施形態においても、不要波を効果的に抑制することができる。
　本実施形態のように、第１の音響インピーダンス層が低音響インピーダンス層であり、第２の音響インピーダンス層が高音響インピーダンス層である構成においても、音響反射膜における音響インピーダンス層の層数は、特に限定されない。
　図１５は、第３の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。
　本変形例は、第１の音響インピーダンス層である第１の低音響インピーダンス層７３ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が、第２の音響インピーダンス層である第１の高音響インピーダンス層３ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）より大きい点において、第３の実施形態と異なる。より具体的には、第１の低音響インピーダンス層７３ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は２．５ｎｍであり、第１の高音響インピーダンス層３ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）は０ｎｍである。
　本変形例では、圧電薄膜４側に位置する第１の低音響インピーダンス層７３ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が、支持基板２側に位置する第１の高音響インピーダンス層３ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）より大きい。よって、音響反射膜７３により反射され易い不要波を抑制することができる。
　図１６は、第３の実施形態の第１の変形例及び第６の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。図１６において、実線は第３の実施形態の第１の変形例の結果を示し、破線は第６の比較例の結果を示す。なお、第６の比較例は、第１の低音響インピーダンス層及び第１の高音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が０ｎｍである点において、第３の実施形態の第１の変形例と異なる。
　図１６に示すように、第３の実施形態の第１の変形例において、第６の比較例よりも、矢印Ｈ及び矢印Ｉにより示す不要波が低減していることがわかる。このように、第３の実施形態の第１の変形例においても、不要波を効果的に抑制することができる。
　図１７は、第３の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の模式的拡大正面断面図である。
　本変形例は、音響反射膜８３が第２の低音響インピーダンス層を有しない点において、第３の実施形態と異なる。なお、第３の実施形態と同様に、第１の低音響インピーダンス層３ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は０ｎｍであり、第１の高音響インピーダンス層２３ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）は２．５ｎｍである。
　本変形例のように、圧電薄膜４側から、第１の低音響インピーダンス層３ａ、第１の高音響インピーダンス層２３ｂ及び支持基板２がこの順序で積層されていてもよい。
　図１８は、第３の実施形態の第２の変形例及び第７の比較例におけるインピーダンス特性を示す図である。図１８において、実線は第３の実施形態の第２の変形例の結果を示し、破線は第７の比較例の結果を示す。なお、第７の比較例は、第１の低音響インピーダンス層及び第２の高音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が０ｎｍである点において、第３の実施形態の第２の変形例と異なる。
　図１８に示すように、第３の実施形態の第２の変形例において、第７の比較例よりも、矢印Ｊ及び矢印Ｋにより示す不要波が低減していることがわかる。このように、第３の実施形態の第２の変形例においても、不要波を効果的に抑制することができる。
　図１９は、第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
　本実施形態は、平面視において、ＩＤＴ電極５と重なる部分に音響反射膜３３が設けられており、音響反射膜３３を囲むように支持部材３７が設けられている点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　支持部材３７は、音響反射膜３３と同様に、支持基板２と圧電薄膜４との間に位置してる。支持部材３７は、特に限定されないが、本実施形態ではＳｉＯ２からなる。
　本実施形態では、音響反射膜３３における各高音響インピーダンス層は、Ｐｔからなる金属層である。このように、音響反射膜３３は金属層を含む。平面視において、配線６と音響反射膜３３とが重なっていないため、寄生容量を抑制することができる。
　加えて、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、不要波を効果的に抑制することができる。
　なお、音響反射膜３３が、平面視において、ＩＤＴ電極５と重なる部分付近に至っていてもよい。この場合においても、音響反射膜３３が配線６と重なる面積を小さくすることができる。よって、寄生容量を抑制することができる。
　第１～第４の実施形態及び各変形例において示した、板波を利用する弾性波装置においては、上述したように、種々の不要波が生じる傾向がある。本発明によれば、用途に応じて、それぞれの不要波を効果的に抑制することができる。
　第１～第４の実施形態及び各変形例においては、圧電体は圧電薄膜である。なお、圧電体は、例えば、圧電基板であってもよい。この場合においても、不要波を抑制することができる。
　以下において、第１の実施形態の弾性波装置の製造方法の一例を説明する。
　図２０（ａ）～図２０（ｄ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための模式的正面断面図である。図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための模式的正面断面図である。
　図２０（ａ）に示すように、圧電基板４Ａを用意する。次に、圧電基板４Ａ上に第１の低音響インピーダンス層３ａを形成する。第１の低音響インピーダンス層３ａは、例えば、スパッタリング法などにより形成することができる。次に、第１の低音響インピーダンス層３ａ上に第１の高音響インピーダンス層３ｂを形成する。第１の高音響インピーダンス層３ｂは、例えば、スパッタリング法や蒸着法などにより形成することができる。次に、同様に、第１の高音響インピーダンス層３ｂ上に第２の低音響インピーダンス層３ｃを積層し、第２の低音響インピーダンス層３ｃ上に第２の高音響インピーダンス層４３ｄを積層する。
　次に、第２の高音響インピーダンス層４３ｄの圧電基板４Ａ側とは反対側の面に粗面処理を行う。粗面処理の方法は特に限定されないが、例えば、研磨などにより上記面を粗面とすればよい。これにより、図２０（ｂ）に示すように、第１の高音響インピーダンス層３ｂよりも算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい第２の高音響インピーダンス層３ｄを得る。
　次に、図２０（ｃ）に示すように、第２の高音響インピーダンス層３ｄ上に第３の低音響インピーダンス層３ｅ及び第３の高音響インピーダンス層を積層する。次に、第２の高音響インピーダンス層３ｄと同様にして、積層された上記第３の高音響インピーダンス層の粗面処理を行い、第３の高音響インピーダンス層３ｆを得る。なお、第３の高音響インピーダンス層３ｆの算術平均粗さ（Ｒａ）が第２の高音響インピーダンス層３ｄの算術平均粗さ（Ｒａ）よりも大きくなるように、粗面処理を行う。
　次に、第３の高音響インピーダンス層３ｆ上に第４の低音響インピーダンス層３ｇを積層する。これにより、音響反射膜３を得る。
　次に、図２０（ｄ）に示すように、第４の低音響インピーダンス層３ｇ上に支持基板２を設ける。支持基板２は、例えば、接着剤などにより第４の低音響インピーダンス層３ｇに接合してもよい。
　次に、例えば研磨により、圧電基板４Ａを薄板化する。これにより、図２１（ａ）に示すように、圧電薄膜４を得る。上記薄板化により、圧電薄膜４の膜厚を、用途に合わせて調整する。なお、膜厚を１μｍ以下とすることにより、板波を好適に励振させることができる。
　次に、図２１（ｂ）に示すように、圧電薄膜４の音響反射膜３側とは反対側の面上に、ＩＤＴ電極５及び配線６を形成する。ＩＤＴ電極５及び配線６は、例えば、リフトオフ法などにより形成することができる。
　なお、図１９に示した第４の実施形態の弾性波装置を製造する場合には、音響反射膜３３の各音響インピーダンス層を、フォトリソグラフィ法などによりパターンニングして形成し、音響反射膜３３の周囲を囲むように支持部材３７を設ければよい。支持部材３７は、例えば、スパッタリング法などにより設けることができる。この場合には、音響反射膜３３と配線６とが平面視において重なる面積を小さくすることができる。それによって、寄生容量を抑制することができる。
　図２３は、第５の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。図２４は、第５の実施形態に係る弾性波装置の略図的平面図である。図２４中の一点鎖線に囲まれた領域Ｘは、ＩＤＴ電極や配線などが設けられている領域である。
　図２３に示すように、本実施形態は、圧電薄膜４の音響反射膜３側の面上に金属膜９８が設けられている点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態と同様の構成を有する。なお、図２３に示す断面は、図１に示した断面とは異なる部分の断面に相当する。
　本実施形態においても、圧電薄膜４は、第１の実施形態と同様の音響反射膜３上に設けられている。よって、不要波を効果的に抑制することができる。
　金属膜９８は、音響反射膜３の最も圧電薄膜４側に位置する音響インピーダンス層に覆われている。より具体的には、金属膜９８は、誘電体からなる第１の低音響インピーダンス層３ａにより覆われている。図２４に示すように、金属膜９８は、平面視において、ＩＤＴ電極に重ならない位置に配置されている。それによって、圧電薄膜４の膜厚を容易にかつ高精度に測定することができる。これを、本実施形態と第８の比較例とを比較することにより、以下において説明する。
　なお、第８の比較例は、全ての音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が０ｎｍである点及び上記金属膜が設けられていない点において、本実施形態と異なる。
　図２５は、第８の比較例の弾性波装置の、図２３に示す断面に相当する部分を示す模式的断面図である。
　膜厚の測定は、例えば、光を対象に照射し、その反射光の強度を測定することなどにより行われる。音響反射膜の各音響インピーダンス層が誘電体からなる場合には、図２５に示すように、測定用の光Ｌは、各音響インピーダンス層間の界面において一部は反射し、一部は透過する。このように、測定用の光Ｌの反射経路は複雑となる。そのため、測定に要する時間が長くなる傾向及び測定の精度が劣化する傾向がある。
　これに対して、図２３に示すように、本実施形態においては、圧電薄膜４の音響反射膜３側の面上に金属膜９８が設けられている。よって、音響反射膜３の各音響インピーダンス層が誘電体からなる場合であっても、圧電薄膜４を透過した測定用の光Ｌを金属膜９８により好適に反射させることができる。従って、圧電薄膜４の膜厚を容易にかつ高精度に測定することができる。
　加えて、本実施形態では、平面視において、ＩＤＴ電極５や配線が設けられている領域に重ならない位置に金属膜９８が配置されている。よって、ＩＤＴ電極５や配線を形成した後においても、圧電薄膜４の膜厚を容易にかつ高精度に測定することができる。ＩＤＴ電極５などの電気的特性を測定した後に、圧電薄膜４の膜厚を測定することもできる。なお、平面視において、ＩＤＴ電極５や配線が設けられている領域に金属膜９８が重なっていてもよい。この場合には、例えば、製造に際し、ＩＤＴ電極５や配線を形成する前に圧電薄膜４の膜厚を測定すればよい。
　金属膜９８は、圧電薄膜４側から、Ｔｉ層、ＡｌＣｕ層及びＴｉ層がこの順序で積層された積層金属膜である。圧電薄膜４側から、Ｔｉ層の膜厚は１０ｎｍであり、ＡｌＣｕ層の膜厚は６０ｎｍであり、Ｔｉ層の膜厚は１０ｎｍである。金属膜９８の平面視における形状は、１００μｍ角の正方形である。なお、金属膜９８の材料、膜厚及び形状は上記に限定されない。金属膜９８は単層の金属膜であってもよい。
　金属膜９８は、Ｔｉ及びＣｒのうち少なくとも一方を含むことが好ましい。この場合には、圧電薄膜４及び音響反射膜３と、金属膜９８との密着性を高めることができる。よって、圧電薄膜４と音響反射膜３とが剥離し難い。
　なお、本実施形態の効果を得るに際し、金属膜９８は誘電体からなる部材に覆われていればよい。例えば、図２６に示す本実施形態の変形例では、第４の実施形態と同様に、音響反射膜３３を囲むように支持部材３７が設けられている。金属膜９８は、誘電体からなる支持部材３７により覆われている。上述したように、平面視において、ＩＤＴ電極５や配線６が設けられている領域と金属膜９８とが重なっていてもよい。
　もっとも、図２３に示す本実施形態のように、層間の界面が多い場合に、金属膜９８が設けられた構成が特に好適である。
　ところで、弾性波装置の製造に際し、マザーの圧電薄膜を含むマザーの積層体上に複数の電極構造を形成してもよい。しかる後、マザーの積層体を個片化することによって複数の弾性波装置を得てもよい。ここで、金属膜９８は、全ての弾性波装置において設けられていることが好ましい。マザーの圧電薄膜の膜厚は、必ずしも全ての位置において一定ではない。金属膜９８が全ての弾性波装置において設けられていることにより、全ての弾性波装置において、圧電薄膜４の膜厚をより一層確実に測定することができる。
　上記個片化は、例えば、ダイシングなどにより行うことができる。この場合、平面視においてダイシングラインに重なる位置に金属膜９８を配置してもよい。マザーの圧電薄膜の膜厚を測定した後にダイシングすることにより、金属膜９８を除去してもよい。それによって、圧電薄膜４の膜厚を容易にかつ高精度に測定することができ、かつ弾性波装置を小型にすることができる。なお、この場合、金属膜９８の形状を、ダイシングにより除去し易い形状とすることが好ましい。例えば、金属膜９８の平面視における形状は、３０μｍ角の正方形であってもよい。
　平面視においてダイシングラインに重なる位置であり、かつ個片化後の各弾性波装置に相当する部分に隣接する位置に、金属膜９８がそれぞれ設けられていることが好ましい。それによって、全ての弾性波装置において、圧電薄膜４の膜厚をより一層確実に測定することができ、かつ弾性波装置を小型にすることができる。
　上記各実施形態の弾性波装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどとして用いることができる。この例を下記において説明する。
　図２２は、通信装置及び高周波フロントエンド回路の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路２３０と接続される各構成要素、例えば、アンテナ素子２０２やＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）２０３も併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２３０及びＲＦ信号処理回路２０３は、通信装置２４０を構成している。なお、通信装置２４０は、電源、ＣＰＵやディスプレイを含んでいてもよい。
　高周波フロントエンド回路２３０は、スイッチ２２５と、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと、フィルタ２３１，２３２と、ローノイズアンプ回路２１４，２２４と、パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂとを備える。なお、図２２の高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０は、高周波フロントエンド回路及び通信装置の一例であって、この構成に限定されるものではない。
　デュプレクサ２０１Ａは、フィルタ２１１，２１２を有する。デュプレクサ２０１Ｂは、フィルタ２２１，２２２を有する。デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂは、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂであってもよいし、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２であってもよい。
　さらに、上記弾性波装置は、例えば、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなど、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサについても適用することができる。
　すなわち、上記弾性波装置は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサを含む。そして、該マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。
　スイッチ２２５は、制御部（図示せず）からの制御信号に従って、アンテナ素子２０２と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子２０２と接続される信号経路は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路２３０は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。
　ローノイズアンプ回路２１４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ａを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路２２４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ｂを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。
　パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ａ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ｂ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。
　ＲＦ信号処理回路２０３は、アンテナ素子２０２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路２０３は、入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をパワーアンプ回路２３４ｂ，２４４ｂへ出力する。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣである。なお、通信装置は、ＢＢ（ベースバンド）ＩＣを含んでいてもよい。この場合、ＢＢＩＣは、ＲＦＩＣで処理された受信信号を信号処理する。また、ＢＢＩＣは、送信信号を信号処理し、ＲＦＩＣに出力する。ＢＢＩＣで処理された受信信号や、ＢＢＩＣが信号処理する前の送信信号は、例えば、画像信号や音声信号である。
　なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂに代わり、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。
　他方、通信装置２４０におけるフィルタ２３１，２３２は、ローノイズアンプ回路２１４，２２４及びパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂを介さず、ＲＦ信号処理回路２０３とスイッチ２２５との間に接続されている。フィルタ２３１，２３２も、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと同様に、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。
　以上のように構成された高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０によれば、本発明の弾性波装置である、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサ等を備えることにより、不要波を効果的に抑制することができる。
　以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態及びその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　本発明は、フィルタ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話機などの通信機器に広く利用できる。
１…弾性波装置
２…支持基板
３…音響反射膜
３ａ…第１の低音響インピーダンス層
３ｂ…第１の高音響インピーダンス層
３ｃ…第２の低音響インピーダンス層
３ｄ…第２の高音響インピーダンス層
３ｅ…第３の低音響インピーダンス層
３ｆ…第３の高音響インピーダンス層
３ｇ…第４の低音響インピーダンス層
４…圧電薄膜
４Ａ…圧電基板
５…ＩＤＴ電極
６…配線
１３…音響反射膜
１３ｂ，１３ｄ，１３ｆ…第１，第２，第３の高音響インピーダンス層
２３…音響反射膜
２３ｂ…第１の高音響インピーダンス層
３０…弾性波装置
３３…音響反射膜
３７…支持部材
４３ｄ…第２の高音響インピーダンス層
５３，６３…音響反射膜
６３ｂ，６３ｄ…第１，第２の高音響インピーダンス層
７３…音響反射膜
７３ａ…第１の低音響インピーダンス層
８３…音響反射膜
９８…金属膜
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路

Claims (16)

  1. 　支持基板と、
    　前記支持基板上に設けられている音響反射膜と、
    　前記音響反射膜上に設けられている圧電体と、
    　前記圧電体上に設けられているＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　前記音響反射膜が、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、を含む複数の音響インピーダンス層で構成された積層体であり、
    　前記音響反射膜が、前記複数の音響インピーダンス層のうちの１の音響インピーダンス層である第１の音響インピーダンス層と、前記複数の音響インピーダンス層のうちの１の音響インピーダンス層であって、かつ前記第１の音響インピーダンス層と算術平均粗さ（Ｒａ）が異なる第２の音響インピーダンス層と、を有する、弾性波装置。
  2. 　前記第１の音響インピーダンス層が前記第２の音響インピーダンス層より前記圧電体側に位置しており、
    　前記第２の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が前記第１の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）より大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第１の音響インピーダンス層が前記第２の音響インピーダンス層より前記圧電体側に位置しており、
    　前記第１の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）が前記第２の音響インピーダンス層の算術平均粗さ（Ｒａ）より大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
  4. 　前記音響反射膜が、前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層をそれぞれ複数有し、前記低音響インピーダンス層と前記高音響インピーダンス層とが交互に積層されており、
    　前記第１の音響インピーダンス層及び前記第２の音響インピーダンス層が、それぞれ前記低音響インピーダンス層であり、
    　前記複数の低音響インピーダンス層において、前記支持基板側に位置している層ほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい、請求項２に記載の弾性波装置。
  5. 　前記音響反射膜が、前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層をそれぞれ複数有し、前記低音響インピーダンス層と前記高音響インピーダンス層とが交互に積層されており、
    　前記第１の音響インピーダンス層及び前記第２の音響インピーダンス層が、それぞれ前記高音響インピーダンス層であり、
    　前記複数の高音響インピーダンス層において、前記支持基板側に位置している層ほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい、請求項２に記載の弾性波装置。
  6. 　前記音響反射膜が、前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層をそれぞれ複数有し、前記低音響インピーダンス層と前記高音響インピーダンス層とが交互に積層されており、
    　前記第１の音響インピーダンス層及び前記第２の音響インピーダンス層が、それぞれ前記低音響インピーダンス層であり、
    　前記複数の低音響インピーダンス層において、前記圧電体側に位置している層ほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい、請求項３に記載の弾性波装置。
  7. 　前記音響反射膜が、前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層をそれぞれ複数有し、前記低音響インピーダンス層と前記高音響インピーダンス層とが交互に積層されており、
    　前記第１の音響インピーダンス層及び前記第２の音響インピーダンス層が、それぞれ前記高音響インピーダンス層であり、
    　前記複数の高音響インピーダンス層において、前記圧電体側に位置している層ほど、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きい、請求項３に記載の弾性波装置。
  8. 　前記音響反射膜において、前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層が交互に５層以上積層されている、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記圧電体の前記音響反射膜側の面上に、金属膜が設けられており、
    　前記金属膜が、誘電体からなる部材に覆われている、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　前記誘電体からなる部材が、前記音響反射膜の最も前記圧電体側に位置する前記音響インピーダンス層である、請求項９に記載の弾性波装置。
  11. 　平面視において、前記ＩＤＴ電極に重ならない位置に前記金属膜が配置されている、請求項９または１０に記載の弾性波装置。
  12. 　前記金属膜がＴｉ及びＣｒのうち少なくとも一方を含む、請求項９～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　板波を利用している、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　前記圧電体の膜厚が１μｍ以下である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  15. 　請求項１～１４のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
    　パワーアンプと、
    を備える、高周波フロントエンド回路。
  16. 　請求項１５に記載の高周波フロントエンド回路と、
    　ＲＦ信号処理回路と、
    を備える、通信装置。
PCT/JP2017/045987 2017-02-21 2017-12-21 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 WO2018154950A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020197024071A KR102280166B1 (ko) 2017-02-21 2017-12-21 탄성파 장치, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치
CN201780086810.5A CN110392978B (zh) 2017-02-21 2017-12-21 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
JP2019501087A JP6809595B2 (ja) 2017-02-21 2017-12-21 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US16/540,143 US10924080B2 (en) 2017-02-21 2019-08-14 Acoustic wave device, high frequency front-end circuit, and communication device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017029840 2017-02-21
JP2017-029840 2017-02-21

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/540,143 Continuation US10924080B2 (en) 2017-02-21 2019-08-14 Acoustic wave device, high frequency front-end circuit, and communication device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018154950A1 true WO2018154950A1 (ja) 2018-08-30

Family

ID=63252942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/045987 WO2018154950A1 (ja) 2017-02-21 2017-12-21 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10924080B2 (ja)
JP (1) JP6809595B2 (ja)
KR (1) KR102280166B1 (ja)
CN (1) CN110392978B (ja)
WO (1) WO2018154950A1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020100949A1 (ja) * 2018-11-14 2020-05-22 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
WO2020130128A1 (ja) * 2018-12-21 2020-06-25 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
JP2020150415A (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法、ウエハ、フィルタ並びにマルチプレクサ
JPWO2020095586A1 (ja) * 2018-11-05 2021-09-24 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
WO2021210551A1 (ja) * 2020-04-17 2021-10-21 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2021215315A1 (ja) * 2020-04-22 2021-10-28 株式会社村田製作所 圧電デバイス
KR20220024705A (ko) 2019-07-22 2022-03-03 엔지케이 인슐레이터 엘티디 접합체 및 탄성파 소자
WO2022054372A1 (ja) * 2020-09-10 2022-03-17 日本碍子株式会社 弾性波デバイス用複合基板
WO2022168498A1 (ja) * 2021-02-05 2022-08-11 日本碍子株式会社 複合基板、弾性表面波素子および複合基板の製造方法
JP2023527784A (ja) * 2020-05-25 2023-06-30 シャーメン サンアン インテグレーテッド サーキット カンパニー リミテッド 表面弾性波デバイス
WO2023171715A1 (ja) * 2022-03-09 2023-09-14 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器、通信装置および弾性波装置の製造方法
US11870424B2 (en) 2018-06-15 2024-01-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filters using transversly-excited film bulk acoustic resonators with frequency-setting dielectric layers
WO2024106120A1 (ja) * 2022-11-14 2024-05-23 株式会社村田製作所 弾性波装置
KR102670208B1 (ko) * 2019-07-22 2024-05-28 엔지케이 인슐레이터 엘티디 접합체 및 탄성파 소자

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107408936B (zh) * 2015-03-16 2020-12-11 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
JP2020113954A (ja) * 2019-01-16 2020-07-27 株式会社村田製作所 弾性波装置
US11942920B2 (en) * 2019-10-18 2024-03-26 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Low-loss and wide-band acoustic delay lines using x-cut and y-cut lithium niobate piezoelectric thin films
WO2021146917A1 (zh) * 2020-01-21 2021-07-29 济南晶正电子科技有限公司 压电薄膜复合基板及其制备方法
CN111816756A (zh) * 2020-07-14 2020-10-23 济南晶正电子科技有限公司 一种复合压电衬底及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012086441A1 (ja) * 2010-12-24 2012-06-28 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP2015031559A (ja) * 2013-08-01 2015-02-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置の製造方法、および膜厚測定装置
JP2015115870A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 株式会社村田製作所 弾性波デバイス
WO2017163722A1 (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 日本碍子株式会社 接合方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102624352B (zh) * 2010-10-06 2015-12-09 日本碍子株式会社 复合基板的制造方法以及复合基板
CN103765773B (zh) * 2012-08-17 2015-11-25 日本碍子株式会社 复合基板、弹性表面波器件以及复合基板的制造方法
JP2016061710A (ja) * 2014-09-19 2016-04-25 セイコーエプソン株式会社 振動素子、ジャイロ素子、電子デバイス、電子機器、および移動体
WO2016147688A1 (ja) * 2015-03-16 2016-09-22 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
US10020796B2 (en) * 2015-08-25 2018-07-10 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Surface acoustic wave (SAW) resonator
CN105958956B (zh) * 2016-04-26 2019-05-14 电子科技大学 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012086441A1 (ja) * 2010-12-24 2012-06-28 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP2015031559A (ja) * 2013-08-01 2015-02-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置の製造方法、および膜厚測定装置
JP2015115870A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 株式会社村田製作所 弾性波デバイス
WO2017163722A1 (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 日本碍子株式会社 接合方法

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11870424B2 (en) 2018-06-15 2024-01-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filters using transversly-excited film bulk acoustic resonators with frequency-setting dielectric layers
JPWO2020095586A1 (ja) * 2018-11-05 2021-09-24 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
JP7278305B2 (ja) 2018-11-05 2023-05-19 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
WO2020100949A1 (ja) * 2018-11-14 2020-05-22 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
JPWO2020100949A1 (ja) * 2018-11-14 2021-02-15 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
CN113169722A (zh) * 2018-11-14 2021-07-23 京瓷株式会社 弹性波装置、分波器以及通信装置
JPWO2020130128A1 (ja) * 2018-12-21 2021-02-15 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
WO2020130128A1 (ja) * 2018-12-21 2020-06-25 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
JP2020150415A (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法、ウエハ、フィルタ並びにマルチプレクサ
TWI782260B (zh) * 2019-07-22 2022-11-01 日商日本碍子股份有限公司 接合體及彈性波元件
KR20220024705A (ko) 2019-07-22 2022-03-03 엔지케이 인슐레이터 엘티디 접합체 및 탄성파 소자
KR102670208B1 (ko) * 2019-07-22 2024-05-28 엔지케이 인슐레이터 엘티디 접합체 및 탄성파 소자
DE112020003512T5 (de) 2019-07-22 2022-04-07 Ngk Insulators, Ltd. Verbundkörper und akustisches Wellenelement
JP7424473B2 (ja) 2020-04-17 2024-01-30 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2021210551A1 (ja) * 2020-04-17 2021-10-21 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP7384277B2 (ja) 2020-04-22 2023-11-21 株式会社村田製作所 圧電デバイス
WO2021215315A1 (ja) * 2020-04-22 2021-10-28 株式会社村田製作所 圧電デバイス
JP2023527784A (ja) * 2020-05-25 2023-06-30 シャーメン サンアン インテグレーテッド サーキット カンパニー リミテッド 表面弾性波デバイス
JP7356689B2 (ja) 2020-05-25 2023-10-05 シャーメン サンアン インテグレーテッド サーキット カンパニー リミテッド 表面弾性波デバイス
WO2022054372A1 (ja) * 2020-09-10 2022-03-17 日本碍子株式会社 弾性波デバイス用複合基板
WO2022168498A1 (ja) * 2021-02-05 2022-08-11 日本碍子株式会社 複合基板、弾性表面波素子および複合基板の製造方法
WO2023171715A1 (ja) * 2022-03-09 2023-09-14 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器、通信装置および弾性波装置の製造方法
WO2024106120A1 (ja) * 2022-11-14 2024-05-23 株式会社村田製作所 弾性波装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110392978A (zh) 2019-10-29
JP6809595B2 (ja) 2021-01-06
KR102280166B1 (ko) 2021-07-20
KR20190103411A (ko) 2019-09-04
US10924080B2 (en) 2021-02-16
US20190372547A1 (en) 2019-12-05
CN110392978B (zh) 2023-04-04
JPWO2018154950A1 (ja) 2019-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018154950A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
KR102142866B1 (ko) 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
WO2018163860A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路、通信装置及び弾性波装置の製造方法
JP5648695B2 (ja) 弾性波装置及びその製造方法
US10879870B2 (en) Elastic wave device, front-end circuit, and communication device
CN109560788B (zh) 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
WO2017068827A1 (ja) 弾性波装置
US20200091892A1 (en) Acoustic wave device, filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device
KR20190063394A (ko) 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
US11764880B2 (en) Acoustic wave device, multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device
JP6642499B2 (ja) 弾性波装置
WO2017068828A1 (ja) 弾性波装置
KR102142868B1 (ko) 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
US7075214B2 (en) Piezoelectric resonator and electronic component provided therewith
US10812044B2 (en) Acoustic wave device, radio-frequency front-end circuit, and communication apparatus
WO2018235605A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2016185772A1 (ja) 弾性表面波装置及びその製造方法
US11863155B2 (en) Surface acoustic wave element
JP6607323B2 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US11606077B2 (en) Elastic wave device, radio-frequency front-end circuit, and communication apparatus
JPWO2018235731A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置
JP2013176142A (ja) 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17897503

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019501087

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197024071

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17897503

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1