CN102624352B - 复合基板的制造方法以及复合基板 - Google Patents
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Abstract
针对于通过粘合层粘接压电基板与支持基板的复合基板，防止其在内部产生气泡。(a)准备背面(11a)上形成有微小凹凸的压电基板(21)，以及热膨胀系数小于压电基板(21)的支持基板(12)；(b)在背面(11a)上涂布填充剂以填埋微小凹凸，形成填充层(23)；(c)对填充层(23)的表面进行镜面研磨，使其轮廓算术平均偏差Ra小于(a)中的背面(11a)；(d)通过粘合层(14)粘接填充层(13)的表面(13a)与支持基板(12)的表面，形成复合基板(20)。
Description
技术领域
本发明涉及复合基板的制造方法以及复合基板。
背景技术
现行所知的弹性表面波元件，是使用粘接了支持基板与压电基板的复合基板，在压电基板表面设置了可激发弹性表面波的梳齿状电极的弹性表面波元件。通过在压电基板上粘接热膨胀系数小于压电基板的支持基板，可以抑制温度变化时压电基板的大小变化，从而抑制作为弹性表面波元件的频率特性的变化。例如，专利文献1记载的弹性表面波元件，具备有通过粘合层粘接压电基板与支持基板的构造。该弹性表面波元件，更是通过在压电基板的与支持基板相粘接一侧的面(背面)上设置微小的凹凸，抑制干扰的产生。即，在梳齿状电极附近，与弹性表面波共同产生的一种弹性波、体波到达该压电基板的背面时，由于背面有凹凸而发生散射。如此，可以抑制体波在压电基板背面反射到达梳齿状电极，抑制干扰的产生。
[专利文献1]日本专利特开2001-53579号公报
发明内容
但是，专利文献1记载的弹性表面波元件，由于压电基板的背面有凹凸，因此在粘合压电基板与支持基板时有空气卷入、在复合基板内产生气泡。例如，仅在压电基板背面涂布粘合剂、通过粘合层粘接压电基板与支持基板时，压电基板背面的凹凸直接影响到粘合剂的表面，因此在粘合层与支持基板的边界产生了气泡。此外，在压电基板的背面与支持基板的表面两者均涂布粘合剂时，还是由于压电基板背面的凹凸直接影响到压电基板一侧的粘合剂表面，因此在两者的粘合剂粘合时空气会进入，于粘合层之中产生气泡。
本发明鉴于上述课题，主要目的是针对于通过粘合层粘接压电基板与支持基板的复合基板，以防止其在内部产生气泡。
本发明为达成上述目的而采用以下方法。
本发明的复合基板的制造方法，含有：
(a)准备在一方主面上形成有微小凹凸的压电基板，以及热膨胀系数小于该压电基板的支持基板的工序；和
(b)在上述一方主面上涂布填充剂以填埋微小凹凸，形成填充层的工序；和
(c)对所述填充层的表面进行镜面研磨的工序，使研磨后的填充层表面的轮廓算术平均偏差Ra值小于所述工序(a)中的所述压电基板的一方主面的轮廓算术平均偏差Ra值；和
(d)通过上述粘合层粘接上述填充层的表面与支持基板的表面，形成复合基板的工序。
根据本发明的复合基板的制造方法，可以防止在复合基板的内部，具体是，粘合层与填充层的边界、粘合层之中以及粘合层与支持基板的边界产生气泡。即，仅在压电基板的一方主面涂布粘合剂粘接时，压电基板的一方主面上形成表面平坦的填充层，在该填充层的表面涂布粘合剂。结果是，粘合剂表面没有显示出受压电基板一方主面凹凸的影响，可以防止在填充层与粘合层的边界、粘合层与支持基板的边界产生气泡。此外，在压电基板的一方主面与支持基板的表面两者均涂布粘合剂粘接时，出于同样的原因，粘合剂表面也没有显示出受压电基板一方主面凹凸的影响，因此在两者的粘合剂粘接时，空气难以进入，进而可防止在粘合层之中产生气泡。
在本发明的复合基板的制造方法，上述工序(c)中，可使用浆料对上述填充层的表面进行镜面研磨，上述浆料对于上述压电基板的研磨率低于上述浆料对于上述填充层的研磨率。这样的话，对填充层表面进行镜面研磨时，填充层表面露出一部分压电基板的一方主面后，研磨率会下降。因此，即使在露出后持续进行镜面研磨，压电基板的一方主面的轮廓算术平均偏差Ra的值也难以下降。
在本发明的复合基板的制造方法，上述工序(c)中，上述镜面研磨可进行至露出一部分压电基板的上述一方主面。这样的话，由于填充层的厚度可以变薄，从而可以令填充层与粘合层的总计厚度变薄。通过支持基板抑制温度变化造成的压电基板的大小变化的效果，如果填充层与粘合层的总计厚度过厚的话，是难以得到的，但在此处，由于该厚度可变薄，因此可得到充分的效果。
在本发明的复合基板的制造方法，上述工序(d)中，可介由与上述工序(b)中形成的填充层相同的材料所形成的粘合层进行上述粘接。这样的话，就没有必要为填充层和粘合层准备不同的材料。
在本发明的复合基板的制造方法中，通过上述工序(d)粘接后的上述填充层与上述粘合层的总计厚度可在0.1μm以上1μm以下。这样的话，可以得到充分的以支持基板抑制对于温度变化的压电基板的大小变化的效果。
本发明的复合基板，具备有：
一方主面上形成有微小凹凸的压电基板，和
热膨胀系数小于上述压电基板的支持基板，和
用于填埋所述微小凹凸的填充层，所述填充层具有位于与所述压电基板相反侧的粘合面，所述粘合面的轮廓算术平均偏差Ra值小于所述压电基板的一方主面的轮廓算术平均偏差Ra值，和
与上述粘合面和上述支持基板粘接的粘合层，
上述粘合层与上述填充层的边界、上述粘合层之中以及上述粘合层与上述支持基板的边界不存在气泡。
本发明的复合基板，通过上述的本发明的复合基板的制造方法得到。该复合基板中，上述粘合层与上述填充层的边界、上述粘合层之中以及上述粘合层与上述支持基板的边界不存在气泡，因此，较之于未形成填充层而通过粘合层粘接压电基板与支持基板的复合基板，压电基板与支持基板的粘合力高。此外，“不存在气泡”指的是，将复合基板沿层积方向切断的截面放大1万倍观察时，未发现气泡。
本发明的复合基板中，上述压电基板的上述一方主面的一部分与上述粘合面相接触。这样的话，较之于粘合面未露出压电基板一方主面的复合基板，填充层的厚度变薄，即填充层与粘合层的总计厚度变薄。通过支持基板抑制温度变化造成的压电基板的大小变化的效果，如果填充层与粘合层的总计厚度过厚的话，是难以得到的，但在此处，由于该厚度较薄，因此可得到充分的效果。
在本发明的复合基板的中，上述粘合层可由与上述填充层相同的材料形成。这样的话，就没有必要使用不同的材料来形成填充层和粘合层。
本发明的复合基板中，上述填充层与上述粘合层的总计厚度可在0.1μm以上1μm以下。这样的话，可以得到充分的以支持基板抑制对于温度变化的压电基板的大小变化的效果。
附图说明
[图1]本发明的复合基板10的截面图。
[图2]本发明的复合基板10的制造流程模式显示截面图。
[图3]实施例1以及比较例2的弹性表面波元件的平面图。
符号说明
10复合基板，11、21压电基板，11a背面，11b最高部，12支持基板，13、23填充层，13a表面，14、24粘合层，30表面，36、37梳齿状电极，38反射器。
具体实施方式
接着根据附图说明本发明的实施方式。图1是本实施方式的复合基板10的模示截面图。该复合基板10由压电基板11、支持基板12、形成于压电基板11背面11a的填充层13、与填充层13的表面13a和支持基板12的表面粘接的粘合层14构成。此外，本实施方式的复合基板10可在压电基板11的表面设置梳齿状电极、作为弹性表面波元件使用。
压电基板11可以传播弹性表面波。作为该压电基板11的材质，可举出钽酸锂、铌酸锂、铌酸锂-钽酸锂固溶体单晶等。此外，压电基板11的大小无特别限定，例如为直径50～150mm、厚度150～500μm。该压电基板11，背面11a上形成有微小的凹凸，背面11a的轮廓算术平均偏差Ra例如为0.1μm。此外，压电基板11背面11a的轮廓算术平均偏差Ra并不限定于此值，只要是复合基板10用作弹性表面波元件时能散射体波、抑制产生干扰的值即可。例如，可将轮廓算术平均偏差Ra作为使用弹性表面波的波长程度。
支持基板12，通过填充层13以及粘合层14与压电基板11粘接，其热膨胀系数小于该压电基板11。通过使支持基板12的热膨胀系数小于压电基板11，可以抑制温度变化时的压电基板11大小的变化，将复合基板10用作弹性表面波元件时可抑制频率特性的温度变化。作为该支持基板12的材质，可举出硅、蓝宝石、氮化铝、氧化铝、硼硅酸玻璃、石英玻璃等。此外，支持基板12的大小并无特别限定，例如为直径50～150mm、厚度100～500μm。
填充层13，是如填埋压电基板11背面11a的微小凹凸般形成的层。该填充层13中，与压电基板11相反一侧的表面13a与粘合层14粘接。该表面13a的轮廓算术平均偏差Ra小于压电基板11的背面11a。虽然没有特别限定，可例如为，表面13a的轮廓算术平均偏差Ra为3nm～7nm。此外，表面13a上露出有一部分压电基板11的背面11a。即，压电基板11背面11a的凹凸的最高部11b与表面13a大致一致。作为填充层13的材质，并无特别限定，优选具有耐热性的有机粘合剂，可举出例如，环氧系粘合剂和丙烯系粘合剂等。此外，成为填充层13的填充剂，优选固化后的杨氏模量在2～90GPa范围的。杨氏模量在此范围的话，由于填充层13显示体波抑制效果，因此将复合基板10用作弹性表面波元件时，可提高抑制干扰的效果。
粘合层14是粘接填充层13的表面13a与支持基板12的表面的层。作为粘合层14的材质，并无特别限定，优选与填充层13同样具有耐热性的有机粘合剂，可举出例如，环氧系粘合剂和丙烯系粘合剂等。粘合层14与填充层13的材质可以相同也可以不同。当粘合层14由与填充层13相同的材料形成时，就没有必要使用不同的材料来形成填充层13和粘合层14。
粘合层14与填充层13的总计厚度并无特别限定，优选例如0.1μm以上1.0μm以下。通过使粘合层14与填充层13的总计厚度在1μm以下，上述的支持基板12抑制对于温度变化的压电基板11的大小变化的效果充分。此外，粘合层14与填充层13的总计厚度，可以定义为从压电基板13背面11a的凹凸最高部11b至支持基板12的距离。此外，粘合层14与填充层13的边界、粘合层14之中以及粘合层14与支持基板12的边界不存在气泡。即，将复合基板10沿层积方向切断的截面，放大1万倍观察时没有发现气泡。这样，较之于有气泡的情况，压电基板11与支持基板13的粘合力高。
接着，对于此种复合基板10的制造方法，使用图2进行以下说明。图2是模式显示复合基板10的制造工序的截面图。复合基板10的制造方法含有：(a)准备背面11a上形成有微小凹凸的压电基板21，以及热膨胀系数小于该压电基板21的支持基板12的工序；和(b)在背面1a上涂布填充剂以填埋微小凹凸、形成填充层23的工序；和(c)对上述填充层23的表面进行镜面研磨，使其轮廓算术平均偏差Ra小于上述工序(a)中的背面11a的工序；和(d)通过粘合层14粘接填充层13的表面13a与支持基板12的表面，形成复合基板20的工序。
工序(a)中，准备构成压电基板11的压电基板21和支持基板12(图2(a))。作为压电基板21以及支持基板12，可使用上述的材质。压电基板21以及支持基板12的大小并无特别限定，可以为例如直径50～150mm、厚度250～500μm。此外，压电基板21的背面11a可以通过研磨机或喷沙进行预先处理，使轮廓算术平均偏差Ra变为规定值(本实施方式中为0.1μm)。
工序(b)中，如填埋压电基板21背面11a的微小凹凸般涂布填充剂、固化形成填充层23(图2(b))。作为填充剂可使用上述的材质。作为涂布填充剂的方法，可举出例如旋涂。
工序(c)中，对填充层23的表面进行镜面研磨，令其轮廓算术平均偏差Ra小于工序(a)中的背面11a(图2(c))。作为镜面研磨的方法，可举出例如使用了浆料的CMP研磨。镜面研磨进行至压电基板21的背面11a的凹凸的最高部11b露出于填充层23的表面13a。是否露出了压电基板21的最高部11b，可以通过例如每研磨一定时间观察填充层23的表面13a进行判断。此外，至露出压电基板21的最高部11b所需要的研磨时间，根据涂布的填充剂的量以及压电基板21背面11a的轮廓算术平均偏差Ra而定，因此可通过仅研磨预先试验求得的研磨时间，令压电基板21的背面11a露出。此外，镜面研磨中使用的浆料，其对于压电基板21的研磨率低于其对于填充层23的研磨率。这样的话，对填充层23的表面进行镜面研磨时，填充层23的表面上露出了一部分压电基板21的背面11a后，研磨率会下降。因此，露出后也继续进行镜面研磨时，压电基板21的背面11a的轮廓算术平均偏差Ra的值难以变小。通过该工序(c)，填充层23成为图1所示的填充层13。
工序(d)中，通过粘合层粘接填充层13的表面13a和支持基板14的表面，形成复合基板20。例如，在填充层13的表面13a和支持基板12的表面均匀涂布粘合剂24，在两者粘接的状态下令粘合剂24固化，形成粘合层14，从而形成复合基板20(图2(d))。作为粘合剂可使用上述的材质。粘合剂可为与工序(b)中所使用的填充剂相同的材料，也可为不同的材料。当为相同的材料时，就没有必要为填充剂和粘合剂准备不同的材料。作为涂布粘合剂的方法，可举出例如旋涂。此外，固化后的粘合层14与填充层13的总计厚度如上所述，优选涂布粘合剂为0.1μm以上1.0μm以下。此外，也可以将粘合剂涂布在填充层13的表面13a与支持基板12的表面中的任意一个后粘接。
形成复合基板20后，作为工序(e)，对压电基板21的表面(上面)进行研削，厚度变薄的同时进行镜面研磨(图2(e))。这样，压电基板21成为图1所示的压电基板11，得到复合基板10。
此处，如果不进行上述的工序(b)以及工序(c)、仅在压电基板21的背面涂布粘合剂、通过粘合层14粘接压电基板21与支持基板12的话，由于压电基板21背面11a的微小凹凸，粘合层14与支持基板12的边界会产生气泡。此外，在压电基板21的背面11a与支持基板12的表面两者均涂布粘合剂的情况下，压电基板21一侧的粘合剂表面显示出受背面11a的凹凸的影响，将两者粘合剂粘接时空气会进入，在粘合层14中产生气泡。与此相对，本实施方式的复合基板的制造方法中，可以防止粘合层14与填充层13的边界、粘合层14中，以及粘合层14与支持基板12的边界产生气泡。即，本实施方式中，压电基板21的微小凹凸因为填充层13而变得平坦。因此，仅在压电基板21的背面11a涂布粘合剂时，由于是在平坦的填充层13上涂布粘合剂，因此可以防止粘合层14与填充层13的边界和粘合层14与支持基板12的边界产生气泡。此外，在压电基板21的背面11a和支持基板12的表面两者均涂布粘合剂时，压电基板21一侧的粘合剂表面不会受到背面11a的凹凸的影响，因此两者粘合剂粘接时空气难以进入，可以防止在粘合层14中产生气泡。
根据以上说明的实施方式的复合基板10的制造方法，较之于不形成填充层13而通过粘合层14粘接压电基板21与支持基板12的情况，可以防止在复合基板10的内部，具体是粘合层14与填充层13的边界、粘合层14中，以及粘合层14与支持基板12的边界产生气泡。这样，较之于不形成填充层13而通过粘合层粘接压电基板11与支持基板12的复合基板，可以得到压电基板11与支持基板12的粘合力高的复合基板10。
此外，工序(c)中，由于使用浆料对填充层23的表面进行镜面研磨，使得其对于压电基板21的研磨率低于其对于填充层23的研磨率。因此在填充层23的表面露出了一部分压电基板21的背面11a后再继续镜面研磨时，压电基板21的背面11a的轮廓算术平均偏差Ra的值难以变小。
另外，工序(c)中，由于镜面研磨至露出一部分压电基板21的背面11a，因此填充层13的厚度变薄，可以令填充层13与粘合层14的总计厚度变薄。这样，支持基板12抑制温度变化造成的压电基板11的大小变化的效果充分。
此外，由于通过工序(d)粘合后的填充层13与粘合层14的总计厚度为0.1μm以上1μm以下，因此支持基板12抑制温度变化造成的压电基板11的大小变化的效果充分。
另外，本发明不限定于任何上述的实施方式，当然可以在本发明的技术范围内实施各种方式。
实施例
[实施例1]
作为实施例1，使用图2说明的制造方法，制作图1所示的复合基板10，用其制作弹性表面波元件。首先，工序(a)中，作为压电基板21，准备具有定向平面部(OF部)、直径4英寸、厚度250μm的钽酸锂基板(LT基板)。此外，作为支持基板12，准备具有OF部、直径4英寸、厚度230μm的硅基板。LT基板使用的是以弹性表面波(SAW)的传播方向为X、剪切角为旋转Y-CUT板的46°Y-CUT传播LT基板。此外，LT基板的背面通过研磨机处理为轮廓算术平均偏差Ra为0.1μm。硅基板的表面镜面研磨为轮廓算术平均偏差为10nm。
接着，工序(b)中，通过旋涂均匀涂布填充剂，填埋LT基板背面的微小凹凸。填充剂中，使用了环氧树脂系紫外线固化树脂、固化后的杨氏模量为5GPa的物质。涂布后的填充剂经2000mJ的紫外线照射后固化，形成平均厚度5μm的填充层。此外，此时的填充层表面的轮廓算术平均偏差Ra为38nm。
接着，工序(c)中，对固化后的填充层表面进行CMP研磨。此时，使用胶体氧化铝作为浆料。此外，通过使用胶体氧化铝，LT基板与填充层的研磨率的比率大致为1∶80。CMP研磨至露出LT基板的背面。是否露出了LT基板的背面，通过每隔一定时间观察填充层表面进行判断。CMP研磨后的填充层表面的轮廓算术平均偏差Ra为3～7nm。
工序(d)中，使用旋涂，在填充层的表面和硅基板的表面各自均匀涂布粘合剂，厚度为粘合剂中使用与填充剂相同的材质。然后，将涂布了粘合剂的填充层表面与硅基板表面粘接，从LT基板的一侧开始照射2000mJ的紫外线使之固化，成为复合基板。固化后的粘合层的厚度为0.8μm。
工序(e)中，将复合基板中的LT基板的表面从起初的250μm研削和研磨至40μm。如此制作出图1所示的实施例1的复合基板10。
对于制作的实施例1的复合基板，将复合基板沿层积方向切断的截面放大1万倍进行观察，没有发现填充层13以及粘合层14有气泡。
[实施例2]
在工序(d)中，粘合剂使用不同于填充剂的环氧树脂紫外线固化树脂材料，除此之外，其余同实施例1制作复合基板10，作成实施例2。
对于制作的实施例2的复合基板，将复合基板沿层积方向切断的截面放大1万倍进行观察，没有发现填充层13以及粘合层14有气泡。
[实施例3～5]
工序(a)中准备的支持基板12的材质使用硼硅酸玻璃，除此之外，其余同实施例2制作复合基板10，作成实施例3。工序(a)中准备的支持基板12的材质使用蓝宝石，除此之外，其余同实施例2制作复合基板10，作成实施例4。工序(a)中准备的支持基板12的材质使用氮化铝，除此之外，其余同实施例2制作复合基板10，作成实施例5。
对于制作的实施例3～5的复合基板，将复合基板沿层积方向切断的截面放大1万倍进行观察，没有发现填充层13以及粘合层14有气泡。
[实施例6]
作为工序(a)中准备的压电基板21，使用以弹性表面波(SAW)的传播方向为X、剪切角为旋转Y-CUT板的42°Y-CUTX传播LT基板，除此之外，其余同实施例2制作复合基板10，作成实施例6。
对于制作的实施例6的复合基板，将复合基板沿层积方向切断的截面放大1万倍进行观察，没有发现填充层13以及粘合层14有气泡。
[比较例1]
除了不进行工序(b)的填充剂涂布以及工序(c)的CMP研磨以外，与实施例1相同地制造复合基板，作为比较例1。此外，由于没有进行工序(b)以及工序(c)，因此没有填充层，工序(d)中压电基板的背面与支持基板的表面直接通过粘合层粘接。比较例1的复合基板中，将复合基板沿层积方向切断的截面放大1万倍观察，发现在粘合层与硅基板的边界、粘合层中，即粘合层中涂布在LT基板一侧与涂布在硅基板一侧的边界有许多气泡。此外，硅基板的表面也出现了许多小孔，发现因此出现了LT基板的剥离。这可考虑是由于粘合层热固化时的气泡破裂。因此，比较例1的复合基板，其品质无法用做弹性表面波元件。
[比较例2]
除了背面进行镜面研磨、具体为使轮廓算术平均偏差Ra为10nm的LT基板以外，准备与实施例1相同的LT基板，以及与实施例1相同的硅基板。接着，使用旋涂，在LT基板的背面和硅基板的表面上，各自均匀涂布与实施例1中的粘合层14相同材质的粘合剂，厚度为接着，将涂布了粘合剂的LT基板的背面与硅基板的表面粘接，从LT基板一侧照射2000mJ的紫外线后固化，成为复合基板。将如此得到的复合基板中的LT基板的表面从起初的250μm研削和研磨至40μm，得到比较例2的复合基板。此外，固化后的粘合层的厚度(从LT基板背面的微小凹凸的最高部至支持基板的距离)为0.8μm。比较例2的复合基板，由于与实施例1以及比较例1不同，LT基板的背面没有进行镜面研磨，因此将复合基板沿层积方向切断的截面放大1万倍进行观察，没有发现粘合层有气泡。
[评价试验1]
针对实施例1的复合基板10和比较例1的复合基板，对LT基板与硅基板的粘合强度进行比较。首先，从实施例1以及比较例1的复合基板上，用切割机各自切下纵向长1mm、横向长2mm的小片。然后，对切下的小片进行剪切试验。从实施例1的复合基板切下的小片，在剪切试验中经确认，粘合层14和填充层13没有剥离，硅基板产生裂纹，LT基板与硅基板的粘合强度充分。另一方面，从比较例1的复合基板切下的小片，在剪切试验中，粘合层与LT基板的边界产生了剥离。
同实施例1及比较例1，针对实施例2～6的复合基板10，对LT基板与支持基板12的粘合强度进行评价。首先，从实施例2～6的复合基板上，用切割机各自切下纵向长1mm、横向长2mm的小片。然后，对切下的小片进行剪切试验。从实施例2、3、6的复合基板切下的小片，在剪切试验中经确认，粘合层14和填充层13没有剥离，支持基板产生裂纹。从实施例4、5的复合基板切下的小片，在剪切试验中经确认，粘合层14和填充层13没有剥离，LT基板产生裂纹。从实施例2～6的结果可确认，即使填充层和粘合层的材料不同，同实施例1，LT基板与支持基板间具有足够的粘合强度。从实施例3～5的结果可确认，即使支持基板的材质与实施例1不同，同实施例1，LT基板与支持基板间具有足够的粘合强度。此外，从实施例6的结果可确认，即使LT基板的剪切角与实施例1不同，同实施例1，LT基板与支持基板间具有足够的粘合强度。另，实施例4、5不同于实施例1，其LT基板均产生了裂纹，但可以考虑这是由于实施例4、5中使用的LT基板为强度高于LT基板的材质。
[评价试验2]
将实施例1、2、6的复合基板10与比较例2的复合基板各自制作成弹性表面波元件，测定温度变化时压电基板大小的变化，即频率温度特性(TCF)与干扰的产生情况。
弹性表面波元件的制作如下进行。首先，使用一般的光刻技术，在LT基板的表面形成多个材质为铝、厚度0.12μm、周期6μm的梳齿状电极，其采取最终制作的弹性表面波元件可作为常温下，中心频率720MHz的单端SAW共振器发挥作用的形状。此外，对于各梳齿状电极，形成2个反射器以夹住梳齿状电极。接着，通过切割机，切割为1个1个的弹性表面波元件的形状。切下的1个1个的弹性表面波元件的纵向长为1mm、横向长为2mm。如此得到的弹性表面波元件的平面图如图3所示。此外，图3是从LT基板的表面一侧观察到的得到的弹性表面波元件的平面图。该弹性表面波元件如图所示，在LT基板的表面30上具有梳齿状电极36、37以及反射器38。
测定实施例1、2、6以及比较例2的弹性表面波元件的频率温度特性(TCF)和干扰的产生情况。测定的频率温度特性如下，实施例1的弹性表面波元件为-27.0ppm/K，实施例2的弹性表面波元件为-27.0ppm/K，实施例6的弹性表面波元件为-26.3ppm/K，比较例2的弹性表面波元件为-26.0ppm/K。此外，也对从实施例1的复合基板上切下来的其他弹性表面波元件进行频率温度特性的测定，其值为-26.5ppm/K。另，未使用硅基板、在LT基板上设置梳齿状电极的弹性表面波元件的频率温度特性为-40.0ppm/K。此外，对于干扰的产生情况，实施例1、2、6的弹性表面波元件，高于共振频率的频率部分测定的波纹为1dB，比较例2的弹性表面波元件，高于共振频率的频率部分测定的波纹为4dB。
以上可以确认，由于实施例1的复合基板较比较例2的LT基板的背面粗糙，因此波纹产生较少，即可以抑制干扰的产生，且与比较例2具有同等的频率温度特性。从实施例2、6的结果可确认，即使填充层和粘合层的材料不同，同实施例1，可抑制干扰的产生，且与比较例2具有同等的频率温度特性。从实施例6的结果可确认，即使LT基板的剪切角与实施例1不同，同实施例1，可抑制干扰的产生，且与比较例2具有同等的频率温度特性。此外，较之于LT基板的背面与实施例1～6同样粗糙的比较例1，实施例1～6的复合基板的填充层以及粘合层均没有气泡，LT基板与支持基板的粘合强度均高。
Claims (8)
1.一种复合基板的制造方法，其含有：
(a)准备在一方主面上形成有凹凸的压电基板，以及热膨胀系数小于该压电基板的支持基板的工序；和
(b)在所述一方主面上涂布填充剂以填埋所述凹凸，形成填充层的工序，
该填充剂由环氧系粘合剂或丙烯系粘合剂构成，且固化后的杨氏模量为2～90GPa；和
(c)对所述填充层的表面进行镜面研磨的工序，使研磨后的填充层表面的轮廓算术平均偏差Ra值小于所述工序(a)中的所述压电基板的一方主面的轮廓算术平均偏差Ra值；和
(d)通过粘合层粘接所述填充层的表面与支持基板的表面，形成复合基板的工序。
2.根据权利要求1所述的复合基板的制造方法，在所述工序(c)中，使用浆料对所述填充层的表面进行镜面研磨，所述浆料对于所述压电基板的研磨率低于所述浆料对于所述填充层的研磨率。
3.根据权利要求1或2所述的复合基板的制造方法，在所述工序(c)中，所述镜面研磨进行至露出压电基板的所述一方主面的一部分为止。
4.根据权利要求1或2所述的复合基板的制造方法，在所述工序(d)中，介由与所述工序(b)中形成的填充层相同的材料所形成的粘合层进行所述粘接。
5.根据权利要求3所述的复合基板的制造方法，在所述工序(d)中，介由与所述工序(b)中形成的填充层相同的材料所形成的粘合层进行所述粘接。
6.一种复合基板，其具备有：
一方主面上形成有凹凸的压电基板，和
热膨胀系数小于所述压电基板的支持基板，和
用于填埋所述凹凸的填充层，所述填充层具有位于与所述压电基板相反侧的粘合面，所述粘合面的轮廓算术平均偏差Ra值小于所述压电基板的一方主面的轮廓算术平均偏差Ra值，所述填充层的杨氏模量为2～90GPa，是由环氧系粘合剂或丙烯系粘合剂固化而成，和
将所述粘合面和所述支持基板进行粘合的粘合层，
所述粘合层与所述填充层间存在边界，
在所述粘合层与所述填充层的边界、所述粘合层之中以及所述粘合层与所述支持基板的边界不存在气泡。
7.根据权利要求6所述的复合基板，所述压电基板的所述一方主面的一部分与所述粘合面相接触。
8.根据权利要求6或7所述的复合基板，所述粘合层由与所述填充层相同的材料形成。
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Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101636220B1 (ko) | 2012-07-12 | 2016-07-04 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판, 압전 디바이스 및 복합 기판의 제법 |
| JP5539602B1 (ja) | 2012-08-17 | 2014-07-02 | 日本碍子株式会社 | 複合基板，弾性表面波デバイス及び複合基板の製造方法 |
| FR2995136B1 (fr) * | 2012-09-04 | 2015-06-26 | Soitec Silicon On Insulator | Pseudo-substrat avec efficacite amelioree d'utilisation d'un materiau monocristallin |
| JP2014137962A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 静電容量式操作装置の製造方法、操作パネル及び静電容量式操作装置 |
| JP6072604B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2017-02-01 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子 |
| JP6247054B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-12-13 | 日本碍子株式会社 | 弾性波デバイス及びその製法 |
| JP2015122566A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| CN107078714B (zh) * | 2014-10-17 | 2021-04-20 | 株式会社村田制作所 | 压电器件、压电器件的制造方法 |
| JP2017005496A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 株式会社リコー | 画像読取装置、画像形成装置、画像読取制御方法、及び画像読取プログラム |
| US10020796B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-07-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface acoustic wave (SAW) resonator |
| US10090822B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-10-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface acoustic wave (SAW) resonator |
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| FR3047355B1 (fr) * | 2016-02-01 | 2019-04-19 | Soitec | Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface |
| US10177735B2 (en) | 2016-02-29 | 2019-01-08 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Surface acoustic wave (SAW) resonator |
| KR20190133794A (ko) * | 2016-03-25 | 2019-12-03 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 접합 방법 |
| KR102428548B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2022-08-04 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 접합 방법 |
| FR3053532B1 (fr) | 2016-06-30 | 2018-11-16 | Soitec | Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface |
| JP6621384B2 (ja) | 2016-07-20 | 2019-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 弾性表面波デバイス用複合基板の製造方法 |
| JP6681461B2 (ja) | 2016-09-20 | 2020-04-15 | 日本碍子株式会社 | 複合基板，その製法及び電子デバイス |
| TWI737811B (zh) | 2016-11-25 | 2021-09-01 | 日商日本碍子股份有限公司 | 接合體 |
| CN106531733A (zh) * | 2016-12-21 | 2017-03-22 | 清华大学 | 一种柔性压力传感器及其制备方法 |
| WO2018154950A1 (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| JP6375471B1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-08-15 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
| WO2019039475A1 (ja) | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
| WO2019039474A1 (ja) | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
| CN111869105B (zh) * | 2018-03-20 | 2021-07-27 | 日本碍子株式会社 | 压电性材料基板与支撑基板的接合体 |
| FR3079345B1 (fr) * | 2018-03-26 | 2020-02-21 | Soitec | Procede de fabrication d'un substrat pour dispositif radiofrequence |
| FR3079661A1 (fr) * | 2018-03-29 | 2019-10-04 | Soitec | Procede de fabrication d'un substrat pour filtre radiofrequence |
| JP6648346B1 (ja) | 2018-05-16 | 2020-02-14 | 日本碍子株式会社 | 圧電性材料基板と支持基板との接合体 |
| KR102312795B1 (ko) | 2018-05-16 | 2021-10-15 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 압전성 재료 기판과 지지 기판의 접합체 |
| KR102639041B1 (ko) | 2018-10-17 | 2024-02-20 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 접합체 및 탄성파 소자 |
| US11183987B2 (en) * | 2019-09-26 | 2021-11-23 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1796700A (zh) * | 2003-03-31 | 2006-07-05 | 大日本印刷株式会社 | 地板材料用层叠体 |
| CN1976223A (zh) * | 2005-11-30 | 2007-06-06 | 日立视听媒介电子股份有限公司 | 弹性表面波装置和搭载其的通信终端 |
| TW201014894A (en) * | 2008-09-01 | 2010-04-16 | Nitto Denko Corp | Method for manufacturing dicing and die-bonding film |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05511A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Seiko Epson Corp | インクジエツトヘツドの製造方法 |
| JP2001053579A (ja) * | 1999-06-02 | 2001-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子と移動体通信機器 |
| JP3774782B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2006-05-17 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP2007134889A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複合圧電基板 |
| JP4956569B2 (ja) | 2008-04-15 | 2012-06-20 | 日本碍子株式会社 | 弾性表面波素子 |
-
2011
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| CN1976223A (zh) * | 2005-11-30 | 2007-06-06 | 日立视听媒介电子股份有限公司 | 弹性表面波装置和搭载其的通信终端 |
| TW201014894A (en) * | 2008-09-01 | 2010-04-16 | Nitto Denko Corp | Method for manufacturing dicing and die-bonding film |
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