JP2012085286A - 複合基板の製造方法及び複合基板 - Google Patents
複合基板の製造方法及び複合基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012085286A JP2012085286A JP2011220316A JP2011220316A JP2012085286A JP 2012085286 A JP2012085286 A JP 2012085286A JP 2011220316 A JP2011220316 A JP 2011220316A JP 2011220316 A JP2011220316 A JP 2011220316A JP 2012085286 A JP2012085286 A JP 2012085286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- filling layer
- piezoelectric substrate
- adhesive layer
- composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 354
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 44
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 43
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 37
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/0585—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of an adhesive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
- H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
- H03H9/02622—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves of the surface, including back surface
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【課題】圧電基板と支持基板とを接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、内部に気泡が生じるのを防止する。
【解決手段】（ａ）裏面１１ａに微小な凹凸が形成された圧電基板２１と、圧電基板２１に比べて熱膨張係数が小さい支持基板１２とを用意し、（ｂ）微小な凹凸を埋めるように裏面１１ａに充填剤を塗布して充填層２３を形成し、（ｃ）算術平均粗さＲａが（ａ）における裏面１１ａの算術平均粗さＲａよりも小さくなるように充填層２３の表面を鏡面研磨し、（ｄ）充填層１３の表面１３ａと支持基板１２の表面とを接着層１４を介して貼り合わせて複合基板２０を形成する。
【選択図】図２
【解決手段】（ａ）裏面１１ａに微小な凹凸が形成された圧電基板２１と、圧電基板２１に比べて熱膨張係数が小さい支持基板１２とを用意し、（ｂ）微小な凹凸を埋めるように裏面１１ａに充填剤を塗布して充填層２３を形成し、（ｃ）算術平均粗さＲａが（ａ）における裏面１１ａの算術平均粗さＲａよりも小さくなるように充填層２３の表面を鏡面研磨し、（ｄ）充填層１３の表面１３ａと支持基板１２の表面とを接着層１４を介して貼り合わせて複合基板２０を形成する。
【選択図】図２
Description
本発明は、複合基板の製造方法及び複合基板に関する。
従来、支持基板と圧電基板とを貼り合わせた複合基板を用い、圧電基板の表面に弾性表面波を励振可能な櫛形電極を設けた弾性表面波素子が知られている。ここで、圧電基板よりも小さな熱膨張係数を持つ支持基板を圧電基板に貼り付けることにより、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化を抑制し、弾性表面波素子としての周波数特性の変化を抑制することが行われている。例えば、特許文献１に記載の弾性表面波素子は、圧電基板と支持基板とを接着層によって貼り合わせた構造を有している。この弾性表面波素子は、更に、圧電基板の支持基板と貼り合わせる側の面（裏面）に微小な凹凸を設けることで、スプリアスの発生を抑制している。即ち、櫛形電極付近で弾性表面波と共に発生した弾性波の一種であるバルク波はこの圧電基板の裏面に到達するが、この裏面に凹凸があるために散乱される。このようにして、バルク波が圧電基板の裏面で反射して櫛形電極へ到達するのを抑制し、スプリアスの発生を抑制している。
しかしながら、特許文献１に記載の弾性表面波素子では、圧電基板の裏面に凹凸があるため、圧電基板と支持基板とを貼り合わせる際に空気が巻き込まれて複合基板内に気泡が生じることがあった。例えば、圧電基板の裏面のみに接着剤を塗布して圧電基板と支持基板とを接着層を介して接着する場合、圧電基板の裏面の凹凸の影響が接着剤の表面に現れるため、接着層と支持基板との境界に気泡が生じることがあった。また、圧電基板の裏面と支持基板の表面の両方に接着剤を塗布した場合、やはり圧電基板の裏面の凹凸の影響が圧電基板側の接着剤の表面に現れるため、両方の接着剤を合わせたときに空気が入り込み、接着層の中に気泡が生じることがあった。
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、圧電基板と支持基板とを接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、内部に気泡が生じるのを防止することを主目的とする。
本発明は、上述の目的を達成するために以下の手段を採った。
本発明の複合基板の製造方法は、
（ａ）片方の面に微小な凹凸が形成された圧電基板と、該圧電基板に比べて熱膨張係数が小さい支持基板とを用意する工程と、
（ｂ）前記微小な凹凸を埋めるように前記片方の面に充填剤を塗布して充填層を形成する工程と、
（ｃ）算術平均粗さＲａが前記工程（ａ）における前記片方の面の算術平均粗さＲａよりも小さくなるように前記充填層の表面を鏡面研磨する工程と、
（ｄ）前記充填層の表面と支持基板の表面とを接着層を介して貼り合わせて複合基板を形成する工程と、
を含むものである。
（ａ）片方の面に微小な凹凸が形成された圧電基板と、該圧電基板に比べて熱膨張係数が小さい支持基板とを用意する工程と、
（ｂ）前記微小な凹凸を埋めるように前記片方の面に充填剤を塗布して充填層を形成する工程と、
（ｃ）算術平均粗さＲａが前記工程（ａ）における前記片方の面の算術平均粗さＲａよりも小さくなるように前記充填層の表面を鏡面研磨する工程と、
（ｄ）前記充填層の表面と支持基板の表面とを接着層を介して貼り合わせて複合基板を形成する工程と、
を含むものである。
本発明の複合基板の製造方法によれば、複合基板の内部、具体的には、接着層と充填層との境界、接着層の中、及び接着層と支持基板との境界に気泡が生じるのを防止できる。すなわち、圧電基板の片方の面のみに接着剤を塗布して接着する場合、圧電基板の片方の面には表面が平坦な充填層が形成され、その充填層の表面に接着剤を塗布することになる。その結果、接着剤の表面に圧電基板の片方の面の凹凸の影響が現れることがなく、充填層と接着層との境界や接着層と支持基板との境界に気泡が生じるのを防止できる。また、圧電基板の片方の面と支持基板の表面の両方に接着剤を塗布して接着する場合、同様の理由で接着剤の表面に圧電基板の片方の面の凹凸の影響が現れることがないため、両方の接着剤を合わせたときに空気が入り込みにくく、接着層の中に気泡が生じるのを防止できる。
本発明の複合基板の製造方法において、前記工程（ｃ）では、前記圧電基板に対する研磨レートが前記充填層に対する研磨レートよりも低いスラリーを用いて前記充填層の表面を鏡面研磨してもよい。言い換えると、前記工程（ｃ）では、スラリーを用いて前記充填層の表面を鏡面研磨し、該スラリーの前記圧電基板に対する研磨レートは、該スラリーの前記充填層に対する研磨レートよりも低いものとしてもよい。こうすれば、充填層の表面を鏡面研磨する際、充填層の表面に圧電基板の片方の面の一部が露出したあとは研磨レートが低下する。このため、露出後も鏡面研磨を続けた場合に圧電基板の片方の面の算術平均粗さＲａの値が小さくなりにくくなる。
本発明の複合基板の製造方法において、前記工程（ｃ）では、圧電基板の前記片方の面の一部が露出するまで前記鏡面研磨を行うものとしてもよい。こうすれば、充填層の厚さを薄くできるため、充填層と接着層の合計の厚さを薄くすることができる。温度変化による圧電基板の大きさの変化を支持基板が抑制する効果は充填層と接着層の合計の厚さが厚すぎると得られにくくなるが、ここではその厚さを薄くできるため十分な効果が得られる。
本発明の複合基板の製造方法において、前記工程（ｄ）では、前記工程（ｂ）で形成された充填層と同一の材料により形成された接着層を介して前記貼り合わせを行うものとしてもよい。こうすれば、充填層と接着層とで別の材料を用意する必要がなくなる。
本発明の複合基板の製造方法において、前記工程（ｄ）による貼り合わせ後における前記充填層と前記接着層との合計の厚さは０．１μｍ以上１．０μｍ以下としてもよい。こうすれば、温度変化に対する圧電基板の大きさの変化を支持基板が抑制する効果が十分得られる。
本発明の複合基板は、
片方の面に微小な凹凸が形成された圧電基板と、
前記圧電基板に比べて熱膨張係数が小さい支持基板と、
前記微小な凹凸を埋めるように形成され、前記圧電基板とは反対側の接合面の算術平均粗さＲａが前記圧電基板の片方の面の算術平均粗さＲａよりも小さい充填層と、
前記接合面と前記支持基板とを接着する接着層と、
を備え、
前記接着層と前記充填層との境界、前記接着層の中、及び前記接着層と前記支持基板との境界には気泡が存在しない、
ものである。
片方の面に微小な凹凸が形成された圧電基板と、
前記圧電基板に比べて熱膨張係数が小さい支持基板と、
前記微小な凹凸を埋めるように形成され、前記圧電基板とは反対側の接合面の算術平均粗さＲａが前記圧電基板の片方の面の算術平均粗さＲａよりも小さい充填層と、
前記接合面と前記支持基板とを接着する接着層と、
を備え、
前記接着層と前記充填層との境界、前記接着層の中、及び前記接着層と前記支持基板との境界には気泡が存在しない、
ものである。
本発明の複合基板は、上述した本発明の複合基板の製造方法によって得られるようになったものである。この複合基板では、前記接着層と前記充填層との境界、前記接着層の中、及び前記接着層と前記支持基板との境界には気泡が存在しないため、充填層を形成せずに圧電基板と支持基板とを接着層を介して貼り合わせた複合基板と比べて圧電基板と支持基板との接着力が高いものとなっている。なお、「気泡が存在しない」とは、複合基板を積層方向に切断した断面を１万倍に拡大して観察したときに気泡が見られないことを意味する。なお、「前記微小な凹凸を埋めるように形成され、前記圧電基板とは反対側の接合面の算術平均粗さＲａが前記圧電基板の片方の面の算術平均粗さＲａよりも小さい充填層」とは、言い換えると、前記微小な凹凸を埋めるように形成された充填層であって、該充填層は前記圧電基板とは反対側に接合面を有し、該接合面の算術平均粗さＲａは前記圧電基板の片方の面の算術平均粗さＲａよりも小さくなっている、ことを意味する。
本発明の複合基板において、前記接合面には、前記圧電基板の前記片方の面が露出しているものとしてもよい。こうすれば、接合面に圧電基板の片方の面が露出していない複合基板に比べて充填層の厚さが薄くなる、すなわち充填層と接着層の合計の厚さが薄くなる。温度変化による圧電基板の大きさの変化を支持基板が抑制する効果は充填層と接着層の合計の厚さが厚すぎると得られにくくなるが、ここではその厚さが薄いため十分な効果が得られる。
本発明の複合基板において、前記接着層は、前記充填層と同一の材料により形成されているものとしてもよい。こうすれば、充填層と接着層とで別の材料を用いてこれらを形成する必要がなくなる。
本発明の複合基板において、前記充填層と前記接着層との合計の厚さは０．１μｍ以上１．０μｍ以下としてもよい。こうすれば、温度変化に対する圧電基板の大きさの変化を支持基板が抑制する効果が十分得られる。
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態の複合基板１０を模式的に示す断面図である。この複合基板１０は、圧電基板１１と、支持基板１２と、圧電基板１１の裏面１１ａに形成された充填層１３と、充填層１３の表面１３ａと支持基板１２の表面とを接着する接着層１４とから構成されている。なお、本実施形態の複合基板１０は、圧電基板１１の表面に櫛形電極を設けて弾性表面波素子として用いるものである。
圧電基板１１は、弾性表面波を伝搬可能なものである。この圧電基板１１の材質としては、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶などが挙げられる。また、圧電基板１１の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚さが１０〜５０μｍである。この圧電基板１１は、裏面１１ａに微小な凹凸が形成されており、裏面１１ａの算術平均粗さＲａは、例えば０．１μｍである。なお、圧電基板１１の裏面１１ａの算術平均粗さＲａはこの値に限定されるものではなく、複合基板１０を弾性表面波素子として用いた場合におけるバルク波を散乱してスプリアスの発生を抑制できる値にすればよい。例えば、算術平均粗さＲａを使用弾性表面波の波長程度としてもよい。
支持基板１２は、充填層１３及び接着層１４を介して圧電基板１１と貼り合わせられ、この圧電基板１１よりも熱膨張係数が小さいものである。支持基板１２を圧電基板１１よりも熱膨張係数が小さいものとすることで、温度が変化したときの圧電基板１１の大きさの変化を抑制し、複合基板１０を弾性表面波素子として用いた場合における周波数特性の温度変化を抑制することができる。この支持基板１２の材質としては、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラス、石英ガラスなどが挙げられる。また、支持基板１２の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚さが１００〜５００μｍである。
充填層１３は、圧電基板１１の裏面１１ａの微小な凹凸を埋めるように形成された層である。この充填層１３のうち、圧電基板１１とは反対側の面である表面１３ａは接着層１４と接合されている。この表面１３ａは、圧電基板１１の裏面１１ａよりも算術平均粗さＲａが小さくなっている。特に限定するものではないが、例えば表面１３ａの算術平均粗さＲａは３ｎｍ〜７ｎｍである。また、表面１３ａには圧電基板１１の裏面１１ａの一部が露出している。すなわち、圧電基板１１の裏面１１ａの凹凸の最高部１１ｂと表面１３ａとが略一致している。充填層１３の材質としては、特に限定されないが、耐熱性を有する有機接着剤が好ましく、例えば、エポキシ系接着剤やアクリル系接着剤などが挙げられる。また、充填層１３となる充填剤は、硬化後のヤング率が２〜９０ＧＰａの範囲となるように選ぶことが好ましい。ヤング率がこの範囲にある場合、充填層１３がバルク波抑制効果を示すため、複合基板１０を弾性表面波素子として用いた場合におけるスプリアスの抑制効果が高まる。
接着層１４は、充填層１３の表面１３ａと支持基板１２の表面とを接着する層である。接着層１４の材質としては、特に限定されないが、充填層１３と同様に耐熱性を有する有機接着剤が好ましく、例えば、エポキシ系接着剤やアクリル系接着剤などが挙げられる。接着層１４と充填層１３とは材質が同じであっても異なっていてもよい。接着層１４が充填層１３と同一の材料により形成されていることとすれば、充填層１３と接着層１４とで別の材料を用いてこれらを形成する必要がなくなる。
接着層１４と充填層１３との合計の厚さは、特に限定するものではないが、例えば０．１μｍ以上１．０μｍ以下とするのが好ましい。接着層１４と充填層１３との合計の厚さを１．０μｍ以下とすることで、上述した温度変化に対する圧電基板１１の大きさの変化を支持基板１２が抑制する効果が十分得られる。なお、接着層１４と充填層１３との合計の厚さは、圧電基板１１の裏面１１ａの凹凸の最高部１１ｂから支持基板１２までの距離と定義してもよい。また、接着層１４と充填層１３との境界，接着層１４の中，及び接着層１４と支持基板１２との境界には気泡が存在しない。すなわち、複合基板１０を積層方向に切断した断面を１万倍に拡大して観察したときにこれらに気泡が見られない。これにより、気泡があるものと比較して圧電基板１１と支持基板１２との接着力が高いものとなっている。
次に、こうした複合基板１０の製造方法について、図２を用いて以下に説明する。図２は、複合基板１０の製造工程を模式的に示す断面図である。複合基板１０の製造方法は（ａ）裏面１１ａに微小な凹凸が形成された圧電基板２１と、圧電基板２１に比べて熱膨張係数が小さい支持基板１２とを用意する工程と、（ｂ）微小な凹凸を埋めるように裏面１１ａに充填剤を塗布して充填層２３を形成する工程と、（ｃ）算術平均粗さＲａが工程（ａ）における裏面１１ａの算術平均粗さＲａよりも小さくなるように充填層２３の表面を鏡面研磨する工程と、（ｄ）充填層１３の表面１３ａと支持基板１２の表面とを接着層１４を介して貼り合わせて複合基板２０を形成する工程と、を含む。
工程（ａ）では、圧電基板１１となる圧電基板２１と支持基板１２とを用意する（図２（ａ））。圧電基板２１及び支持基板１２としては、上述した材質のものを用いることができる。圧電基板２１の大きさは、特に限定するものではなが、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚さが１５０〜５００μｍとすることができる。支持基板１２の大きさは、特に限定するものではなが、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚さが１００〜５００μｍとすることができる。圧電基板２１及び支持基板１２の厚さは、２５０〜５００μｍとしてもよい。なお、圧電基板２１の裏面１１ａは、算術平均粗さＲａが所定の値（本実施形態では０．１μｍ）となるようにラッピングマシーン又はサンドブラストで予め荒らしておく。
工程（ｂ）では、圧電基板２１の裏面１１ａの微小な凹凸を埋めるように充填剤を塗布して硬化させ充填層２３を形成する（図２（ｂ））。充填剤としては上述した材質のものを用いることができる。充填剤を塗布する方法としては、例えばスピンコートが挙げられる。
工程（ｃ）では、算術平均粗さＲａが工程（ａ）における裏面１１ａの算術平均粗さＲａよりも小さくなるように充填層２３の表面を鏡面研磨する（図２（ｃ））。鏡面研磨する方法としては、例えばスラリーを用いたＣＭＰ研磨が挙げられる。鏡面研磨は、圧電基板２１の裏面１１ａの凹凸の最高部１１ｂが充填層２３の表面１３ａに露出するまで行う。圧電基板２１の最高部１１ｂが露出したか否かは、例えば充填層２３の表面１３ａを一定時間研磨する毎に観察することによって判定することができる。また、圧電基板２１の最高部１１ｂが露出するまでに要する研磨時間は、塗布する充填剤の量及び圧電基板２１の裏面１１ａの算術平均粗さＲａによって定まるため、予め実験によって求めた研磨時間だけ研磨することによって圧電基板２１の裏面１１ａを露出させることもできる。なお、鏡面研磨では、スラリーは圧電基板２１に対する研磨レートが充填層２３に対する研磨レートよりも低いスラリーを用いる。こうすれば、充填層２３の表面を鏡面研磨する際、充填層２３の表面に圧電基板２１の裏面１１ａの一部が露出したあとは研磨レートが低下する。このため、露出後も鏡面研磨を続けた場合に圧電基板２１の裏面１１ａの算術平均粗さＲａの値が小さくなりにくくなる。この工程（ｃ）により、充填層２３は図１に示した充填層１３となる。
工程（ｄ）では、充填層１３の表面１３ａと支持基板１２の表面とを接着層を介して貼り合わせて複合基板２０を形成する。例えば、充填層１３の表面１３ａと支持基板１２の表面に接着剤２４を均一に塗布し、両者を貼り合わせた状態で接着剤２４を硬化させて接着層１４とすることにより複合基板２０を形成する（図２（ｄ））。接着剤としては上述した材質のものを用いることができる。接着剤は、工程（ｂ）で用いた充填剤と同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。同一の材料とすれば、充填剤と接着剤とで別の材料を用意する必要がなくなる。接着剤を塗布する方法としては、例えばスピンコートが挙げられる。なお、硬化後の接着層１４と充填層１３の合計の厚さが上述したように０．１μｍ以上１．０μｍ以下となるように接着剤を塗布するのが好ましい。また、接着剤を充填層１３の表面１３ａと支持基板１２の表面とのいずれか一方に塗布して貼り合わせるものとしてもよい。
複合基板２０を形成すると、工程（ｅ）として、圧電基板２１の表面（上面）を研削して厚みを薄くするとともに鏡面研磨する（図２（ｅ））。これにより、圧電基板２１は図１に示した圧電基板１１となり、複合基板１０が得られる。
ここで、上述した工程（ｂ）及び工程（ｃ）を行わずに圧電基板２１の裏面１１ａのみに接着剤を塗布して圧電基板２１と支持基板１２とを接着層１４を介して接着しようとすると、圧電基板２１の裏面１１ａの微小な凹凸により接着層１４と支持基板１２との境界に気泡が生じてしまうことがある。また、圧電基板２１の裏面１１ａと支持基板１２の表面の両方に接着剤を塗布した場合には、圧電基板２１側の接着剤の表面に裏面１１ａの凹凸の影響が現れるため、両方の接着剤を合わせたときに空気が入り込み、接着層１４の中に気泡が生じてしまうことがある。これに対して本実施形態の複合基板の製造方法では、接着層１４と充填層１３との境界、接着層１４の中、及び接着層１４と支持基板１２との境界に気泡が生じるのを防止できる。すなわち、本実施形態では、圧電基板２１の微小な凹凸は充填層１３によって平坦になっている。このため、圧電基板２１の裏面１１ａのみに接着剤を塗布する場合、平坦な充填層１３に接着剤を塗布することになるため、接着層１４と充填層１３との境界や接着層１４と支持基板１２との境界に気泡が生じるのを防止できる。また、圧電基板２１の裏面１１ａと支持基板１２の表面の両方に接着剤を塗布した場合には、圧電基板２１側の接着剤の表面に裏面１１ａの凹凸の影響が現れることがないため、両方の接着剤を合わせたときに空気が入り込みにくく、接着層１４の中に気泡が生じるのを防止できる。
以上説明した実施形態の複合基板１０の製造方法によれば、充填層１３を形成せず圧電基板２１と支持基板１２とを接着層１４を介して貼り合わせる場合と比較して、複合基板１０の内部、具体的には、接着層１４と充填層１３との境界、接着層１４の中、及び接着層１４と支持基板１２との境界に気泡が生じるのを防止できる。これにより、充填層１３を形成せずに圧電基板１１と支持基板１２とを接着層を介して貼り合わせた複合基板と比べて圧電基板１１と支持基板１２との接着力が高い複合基板１０が得られる。
また、工程（ｃ）では、圧電基板２１に対する研磨レートが充填層２３に対する研磨レートよりも低いスラリーを用いて充填層２３の表面を鏡面研磨するため、圧電基板２１の裏面１１ａの一部が充填層２３の表面に露出した後も鏡面研磨を続けた場合に圧電基板２１の裏面１１ａの算術平均粗さＲａの値が小さくなりにくくなる。
さらに、工程（ｃ）では、圧電基板２１の裏面１１ａの一部が露出するまで鏡面研磨を行うため、充填層１３の厚さを薄くして充填層１３と接着層１４の合計の厚さを薄くすることができる。これにより、温度変化による圧電基板１１の大きさの変化を支持基板１２が抑制する効果が十分得られる。
さらにまた、工程（ｄ）による貼り合わせ後における充填層１３と接着層１４との合計の厚さは０．１μｍ以上１．０μｍ以下としているため、温度変化に対する圧電基板１１の大きさの変化を支持基板１２が抑制する効果が十分得られる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施しうることは言うまでもない。
［実施例１］
実施例１として、図２を用いて説明した製造方法により図１に示した複合基板１０を作製し、これを用いた弾性表面波素子を作製した。まず、工程（ａ）では、圧電基板２１として、オリエンテーションフラット部（ＯＦ部）を有し、直径が４インチ，厚さが２５０μｍのタンタル酸リチウム基板（ＬＴ基板）を用意した。また、支持基板１２として、ＯＦ部を有し、直径が４インチ，厚さが２３０μｍのシリコン基板を用意した。ＬＴ基板は、弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４６°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた。なお、ＬＴ基板の裏面は、算術平均粗さＲａが０．１μｍとなるようにラッピングマシーンで荒らしておいた。シリコン基板の表面は、算術平均粗さＲａが１０ｎｍとなるように鏡面研磨しておいた。
実施例１として、図２を用いて説明した製造方法により図１に示した複合基板１０を作製し、これを用いた弾性表面波素子を作製した。まず、工程（ａ）では、圧電基板２１として、オリエンテーションフラット部（ＯＦ部）を有し、直径が４インチ，厚さが２５０μｍのタンタル酸リチウム基板（ＬＴ基板）を用意した。また、支持基板１２として、ＯＦ部を有し、直径が４インチ，厚さが２３０μｍのシリコン基板を用意した。ＬＴ基板は、弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４６°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた。なお、ＬＴ基板の裏面は、算術平均粗さＲａが０．１μｍとなるようにラッピングマシーンで荒らしておいた。シリコン基板の表面は、算術平均粗さＲａが１０ｎｍとなるように鏡面研磨しておいた。
次に、工程（ｂ）では、ＬＴ基板の裏面の微小な凹凸を埋めるようにスピンコーターで均一に充填剤を塗布した。充填剤には、エポキシ樹脂系紫外線硬化樹脂であり硬化後のヤング率が５ＧＰａとなるものを用いた。そして塗布した充填剤に２０００ｍＪの紫外線を照射して硬化させ、平均厚み５μｍの充填層を形成した。なお、この時点における充填層の表面は算術平均粗さＲａが３８ｎｍであった。
続いて、工程（ｃ）では、硬化した充填層の表面をＣＭＰ研磨した。このときスラリーとしてはコロイダルアルミナを用いた。なお、コロイダルアルミナを用いることでＬＴ基板と充填層との研磨レートの比率はおよそ１：８０となった。ＣＭＰ研磨は、ＬＴ基板の裏面が露出するまで行った。ＬＴ基板の裏面が露出したか否かは充填層の表面を一定時間毎に観察することによって判定した。ＣＭＰ研磨後の充填層の表面の算術平均粗さＲａは３〜７ｎｍであった。
工程（ｄ）では、スピンコーターを用いて、充填層の表面とシリコン基板の表面にそれぞれ４０００Åの厚みで接着剤を均一に塗布した。接着剤には充填剤と同じ材質のものを用いた。そして、接着剤を塗布した充填層の表面とシリコン基板の表面とを貼り合わせ、ＬＴ基板側から２０００ｍＪの紫外線を照射して硬化させ複合基板とした。硬化後の接着層の厚さは０．８μｍであった。
工程（ｅ）では、複合基板のうちＬＴ基板の表面を厚みが当初の２５０μｍから４０μｍになるように研削及び研磨した。これにより図１に示した実施例１の複合基板１０を作製した。
作製した実施例１の複合基板について、複合基板を積層方向に切断して断面を１万倍に拡大して観察したところ、充填層１３及び接着層１４には気泡は見られなかった。
［実施例２］
工程（ｄ）において接着剤を充填剤と異なる材料のエポキシ樹脂系紫外線硬化樹脂とした点以外は、実施例１と同様にして複合基板１０を作製し、実施例２とした。
工程（ｄ）において接着剤を充填剤と異なる材料のエポキシ樹脂系紫外線硬化樹脂とした点以外は、実施例１と同様にして複合基板１０を作製し、実施例２とした。
作製した実施例２の複合基板について、複合基板を積層方向に切断して断面を１万倍に拡大して観察したところ、充填層１３及び接着層１４には気泡は見られなかった。
［実施例３〜５］
工程（ａ）で用意する支持基板１２の材質をホウ珪酸ガラスとした点以外は、実施例２と同様にして複合基板１０を作製し、実施例３とした。工程（ａ）で用意する支持基板１２の材質をサファイアとした点以外は、実施例２と同様にして複合基板１０を作製し、実施例４とした。工程（ａ）で用意する支持基板１２の材質を窒化アルミニウムとした点以外は、実施例２と同様にして複合基板１０を作製し、実施例５とした。
工程（ａ）で用意する支持基板１２の材質をホウ珪酸ガラスとした点以外は、実施例２と同様にして複合基板１０を作製し、実施例３とした。工程（ａ）で用意する支持基板１２の材質をサファイアとした点以外は、実施例２と同様にして複合基板１０を作製し、実施例４とした。工程（ａ）で用意する支持基板１２の材質を窒化アルミニウムとした点以外は、実施例２と同様にして複合基板１０を作製し、実施例５とした。
作製した実施例３〜５の複合基板について、複合基板を積層方向に切断して断面を１万倍に拡大して観察したところ、充填層１３及び接着層１４には気泡は見られなかった。
［実施例６］
工程（ａ）で用意する圧電基板２１として、弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４２°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた点以外は、実施例２と同様にして複合基板１０を作製し、実施例６とした。
工程（ａ）で用意する圧電基板２１として、弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４２°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた点以外は、実施例２と同様にして複合基板１０を作製し、実施例６とした。
作製した実施例６の複合基板について、複合基板を積層方向に切断して断面を１万倍に拡大して観察したところ、充填層１３及び接着層１４には気泡は見られなかった。
［比較例１］
工程（ｂ）の充填剤の塗布及び工程（ｃ）のＣＭＰ研磨を行わない点以外は、実施例１と同様にして複合基板を作製し、比較例１とした。なお、工程（ｂ）及び工程（ｃ）を行わないため充填層はなく、工程（ｄ）では圧電基板の裏面と支持基板の表面とが直接接着層を介して接合されることになる。比較例１の複合基板では、複合基板を積層方向に切断して断面を１万倍に拡大して観察したところ、接着層とシリコン基板との境界や、接着層の中、すなわち接着層のうちＬＴ基板側に塗布したものとシリコン基板側に塗布したものとの境界に気泡が多数見られた。また、シリコン基板の表面にも多数の穴が発生しておりこれによるＬＴ基板の剥離も見られた。これは、接着層を熱硬化させる際に気泡が破裂したためと考えられる。このため、比較例１の複合基板は、弾性表面波素子としては利用できない品質であった。
工程（ｂ）の充填剤の塗布及び工程（ｃ）のＣＭＰ研磨を行わない点以外は、実施例１と同様にして複合基板を作製し、比較例１とした。なお、工程（ｂ）及び工程（ｃ）を行わないため充填層はなく、工程（ｄ）では圧電基板の裏面と支持基板の表面とが直接接着層を介して接合されることになる。比較例１の複合基板では、複合基板を積層方向に切断して断面を１万倍に拡大して観察したところ、接着層とシリコン基板との境界や、接着層の中、すなわち接着層のうちＬＴ基板側に塗布したものとシリコン基板側に塗布したものとの境界に気泡が多数見られた。また、シリコン基板の表面にも多数の穴が発生しておりこれによるＬＴ基板の剥離も見られた。これは、接着層を熱硬化させる際に気泡が破裂したためと考えられる。このため、比較例１の複合基板は、弾性表面波素子としては利用できない品質であった。
[比較例２]
裏面が鏡面研磨されている点、具体的には算術平均粗さＲａが１０ｎｍのＬＴ基板である点以外は実施例１と同様のＬＴ基板と、実施例１と同様のシリコン基板とを用意した。次に、スピンコーターを用いて、ＬＴ基板の裏面とシリコン基板の表面とに実施例１における接着層１４と同じ材質の接着剤をそれぞれ４０００Åの厚みで均一に塗布した。続いて、接着剤を塗布したＬＴ基板の裏面とシリコン基板の表面とを貼り合わせ、ＬＴ基板側から２０００ｍＪの紫外線を照射して硬化させ複合基板とした。こうして得られた複合基板のうちＬＴ基板の表面を厚みが当初の２５０μｍから４０μｍになるように研削及び研磨し、比較例２の複合基板を得た。なお、硬化後の接着層の厚み（ＬＴ基板の裏面の微小な凹凸の最高部から支持基板までの距離）は０．８μｍであった。比較例２の複合基板では、実施例１及び比較例１と異なりＬＴ基板の裏面が鏡面研磨されているため、複合基板を積層方向に切断して断面を１万倍に拡大して観察しても接着層には気泡は見られなかった。
裏面が鏡面研磨されている点、具体的には算術平均粗さＲａが１０ｎｍのＬＴ基板である点以外は実施例１と同様のＬＴ基板と、実施例１と同様のシリコン基板とを用意した。次に、スピンコーターを用いて、ＬＴ基板の裏面とシリコン基板の表面とに実施例１における接着層１４と同じ材質の接着剤をそれぞれ４０００Åの厚みで均一に塗布した。続いて、接着剤を塗布したＬＴ基板の裏面とシリコン基板の表面とを貼り合わせ、ＬＴ基板側から２０００ｍＪの紫外線を照射して硬化させ複合基板とした。こうして得られた複合基板のうちＬＴ基板の表面を厚みが当初の２５０μｍから４０μｍになるように研削及び研磨し、比較例２の複合基板を得た。なお、硬化後の接着層の厚み（ＬＴ基板の裏面の微小な凹凸の最高部から支持基板までの距離）は０．８μｍであった。比較例２の複合基板では、実施例１及び比較例１と異なりＬＴ基板の裏面が鏡面研磨されているため、複合基板を積層方向に切断して断面を１万倍に拡大して観察しても接着層には気泡は見られなかった。
［評価試験１］
実施例１の複合基板１０と比較例１の複合基板とについて、ＬＴ基板とシリコン基板との接着強度を比較した。まず、実施例１及び比較例１の複合基板から、縦の長さが１ｍｍ、横の長さが２ｍｍのチップをダイシングによりそれぞれ切り出した。そして、切り出したチップについてせん断試験を実施した。実施例１の複合基板から切り出したチップは、せん断試験において接着層１４や充填層１３は剥がれずシリコン基板に割れが発生し、ＬＴ基板とシリコン基板との接着強度は十分であることが確認できた。一方、比較例１の複合基板から切り出したチップは、せん断試験において接着層とＬＴ基板との界面で剥がれが生じた。
実施例１の複合基板１０と比較例１の複合基板とについて、ＬＴ基板とシリコン基板との接着強度を比較した。まず、実施例１及び比較例１の複合基板から、縦の長さが１ｍｍ、横の長さが２ｍｍのチップをダイシングによりそれぞれ切り出した。そして、切り出したチップについてせん断試験を実施した。実施例１の複合基板から切り出したチップは、せん断試験において接着層１４や充填層１３は剥がれずシリコン基板に割れが発生し、ＬＴ基板とシリコン基板との接着強度は十分であることが確認できた。一方、比較例１の複合基板から切り出したチップは、せん断試験において接着層とＬＴ基板との界面で剥がれが生じた。
実施例１及び比較例１と同様に、実施例２〜６の複合基板１０について、ＬＴ基板と支持基板１２との接着強度を評価した。まず、実施例２〜６の複合基板から、縦の長さが１ｍｍ、横の長さが２ｍｍのチップをダイシングによりそれぞれ切り出した。そして、切り出したチップについてせん断試験を実施した。実施例２，３，６の複合基板から切り出したチップは、せん断試験において接着層１４や充填層１３は剥がれず支持基板に割れが発生した。実施例４，５の複合基板から切り出したチップは、せん断試験において接着層１４や充填層１３は剥がれずＬＴ基板に割れが発生した。実施例２〜６についての結果から、充填層と接着層とを異なる材料としても、ＬＴ基板と支持基板との接着強度は実施例１と同様に十分であることが確認できた。実施例３〜５についての結果から、支持基板の材質を実施例１と異なるものとしても、ＬＴ基板と支持基板との接着強度は実施例１と同様に十分であることが確認できた。また、実施例６についての結果から、ＬＴ基板のカット角を実施例１と異なるものとしても、ＬＴ基板と支持基板との接着強度は実施例１と同様に十分であることが確認できた。なお、実施例４，５では実施例１と異なりＬＴ基板に割れが発生したが、これは実施例４，５で用いた支持基板がＬＴ基板よりも強度の高い材質であるためと考えられる。
［評価試験２］
実施例１，２，６の複合基板１０と比較例２の複合基板とから、それぞれ弾性表面波素子を作製し、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化すなわち周波数温度特性（ＴＣＦ）とスプリアスの発生具合とを測定した。
実施例１，２，６の複合基板１０と比較例２の複合基板とから、それぞれ弾性表面波素子を作製し、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化すなわち周波数温度特性（ＴＣＦ）とスプリアスの発生具合とを測定した。
弾性表面波素子の作製は、以下のように行った。まず、一般的なフォトリソグラフィ技術を用いて、材質がアルミニウムで、最終的に作製した弾性表面波素子が常温で中心周波数７２０ＭＨｚの１ポートＳＡＷ共振器として機能する形状で、厚さが０．１２μｍ，周期が６μｍの櫛形電極をＬＴ基板の表面に複数形成した。また、各櫛形電極につき、櫛形電極を挟むように２つの反射器を形成した。続いて、ダイシングにより、１つ１つの弾性表面波素子の形状に切り出した。１つ１つの弾性表面波素子は、縦の長さが１ｍｍ、横の長さが２ｍｍとなるように切り出した。こうして得られた弾性表面波素子の平面図を図３に示す。なお、図３は、得られた弾性表面波素子をＬＴ基板の表面側からみた平面図である。この弾性表面波素子は、図示するように、ＬＴ基板の表面３０に櫛形電極３６，３７及び反射器３８を有している。
実施例１，２，６及び比較例２の弾性表面波素子の周波数温度特性（ＴＣＦ）とスプリアスの発生具合とを測定した。測定した周波数温度特性は、実施例１の弾性表面波素子が−２７．０ｐｐｍ／Ｋであり、実施例２の弾性表面波素子が−２７．０ｐｐｍ／Ｋであり、実施例６の弾性表面波素子が−２６．３ｐｐｍ／Ｋであり、比較例２の弾性表面波素子は−２６．０ｐｐｍ／Ｋであった。また、実施例１の複合基板から切り出した他の弾性表面波素子についても周波数温度特性を測定したところ、−２６．５ｐｐｍ／Ｋであった。なお、シリコン基板を用いずＬＴ基板に櫛形電極を設けた弾性表面波素子の周波数温度特性は−４０．０ｐｐｍ／Ｋである。また、スプリアスの発生については、実施例１，２，６の弾性表面波素子は共振周波数より高周波部分で測定されたリップルが１ｄＢであり、比較例２の弾性表面波素子は共振周波数より高周波部分で測定されたリップルが４ｄＢであった。
以上のことから、実施例１の複合基板は、比較例２と比べてＬＴ基板の裏面が荒れていることにより、リップルの発生が少ない、すなわちスプリアスの発生が抑制されており、なおかつ比較例２と同等の周波数温度特性を持つことが確認できた。実施例２，６についての結果から、充填層と接着層とを異なる材料としても、実施例１と同様にスプリアスの発生が抑制されなおかつ比較例２と同等の周波数温度特性を持つことが確認できた。実施例６についての結果から、ＬＴ基板のカット角を実施例１と異なるものとしても、実施例１と同様にスプリアスの発生が抑制されなおかつ比較例２と同等の周波数温度特性を持つことが確認できた。また、ＬＴ基板の裏面が実施例１〜６と同様に荒れている比較例１と比較して、実施例１〜６のいずれの複合基板も充填層及び接着層に気泡がなく、ＬＴ基板と支持基板との接着強度が高いことが確認できた。
１０ 複合基板、１１，２１ 圧電基板、１１ａ 裏面、１１ｂ 最高部、１２ 支持基板、１３，２３ 充填層、１３ａ 表面、１４，２４ 接着層、３０ 表面、３６，３７ 櫛形電極、３８ 反射器。
Claims (7)
- （ａ）片方の面に微小な凹凸が形成された圧電基板と、該圧電基板に比べて熱膨張係数が小さい支持基板とを用意する工程と、
（ｂ）前記微小な凹凸を埋めるように前記片方の面に充填剤を塗布して充填層を形成する工程と、
（ｃ）算術平均粗さＲａが前記工程（ａ）における前記片方の面の算術平均粗さＲａよりも小さくなるように前記充填層の表面を鏡面研磨する工程と、
（ｄ）前記充填層の表面と支持基板の表面とを接着層を介して貼り合わせて複合基板を形成する工程と、
を含む複合基板の製造方法。 - 前記工程（ｃ）では、前記圧電基板に対する研磨レートが前記充填層に対する研磨レートよりも低いスラリーを用いて前記充填層の表面を鏡面研磨する、
請求項１に記載の複合基板の製造方法。 - 前記工程（ｃ）では、圧電基板の前記片方の面の一部が露出するまで前記鏡面研磨を行う、
請求項１又は２に記載の複合基板の製造方法。 - 前記工程（ｄ）では、前記工程（ｂ）で形成された充填層と同一の材料により形成された接着層を介して前記貼り合わせを行う、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の複合基板の製造方法。 - 片方の面に微小な凹凸が形成された圧電基板と、
前記圧電基板に比べて熱膨張係数が小さい支持基板と、
前記微小な凹凸を埋めるように形成され、前記圧電基板とは反対側の接合面の算術平均粗さＲａが前記圧電基板の片方の面の算術平均粗さＲａよりも小さい充填層と、
前記接合面と前記支持基板とを接着する接着層と、
を備え、
前記接着層と前記充填層との境界、前記接着層の中、及び前記接着層と前記支持基板との境界には気泡が存在しない、
複合基板。 - 前記接合面には、前記圧電基板の前記片方の面の一部が露出している、
請求項５に記載の複合基板。 - 前記接着層は、前記充填層と同一の材料により形成されている、
請求項５又は６に記載の複合基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US39024010P | 2010-10-06 | 2010-10-06 | |
| US61/390,240 | 2010-10-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012085286A true JP2012085286A (ja) | 2012-04-26 |
| JP5814727B2 JP5814727B2 (ja) | 2015-11-17 |
Family
ID=45872538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011220316A Active JP5814727B2 (ja) | 2010-10-06 | 2011-10-04 | 複合基板の製造方法及び複合基板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8729771B2 (ja) |
| JP (1) | JP5814727B2 (ja) |
| KR (1) | KR101766487B1 (ja) |
| CN (1) | CN102624352B (ja) |
| DE (1) | DE102011084045B4 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014027538A1 (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-20 | 日本碍子株式会社 | 複合基板，弾性表面波デバイス及び複合基板の製造方法 |
| JP2014229916A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-08 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子 |
| JP2015050653A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 日本碍子株式会社 | 弾性波デバイス用複合基板、その製法及び弾性波デバイス |
| JP2015122566A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2016060072A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 |
| KR20180132613A (ko) | 2017-03-31 | 2018-12-12 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 접합체 및 탄성파 소자 |
| JP2019510391A (ja) * | 2016-02-01 | 2019-04-11 | ソイテック | 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 |
| KR20190039557A (ko) | 2016-09-20 | 2019-04-12 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판, 그 제조법 및 전자 디바이스 |
| JP2019526194A (ja) * | 2016-06-30 | 2019-09-12 | ソイテック | 表面弾性波デバイスのためのハイブリッド構造 |
| CN111919282A (zh) * | 2018-03-29 | 2020-11-10 | Soitec公司 | 制造用于射频滤波器的衬底的工艺 |
| KR20200144148A (ko) | 2018-05-16 | 2020-12-28 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 압전성 재료 기판과 지지 기판의 접합체 |
| US10964882B2 (en) * | 2016-03-25 | 2021-03-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Bonding method |
| JP2021519537A (ja) * | 2018-03-26 | 2021-08-10 | ソイテック | 高周波デバイス用の基板を製造するための方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101636220B1 (ko) * | 2012-07-12 | 2016-07-04 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판, 압전 디바이스 및 복합 기판의 제법 |
| FR2995136B1 (fr) * | 2012-09-04 | 2015-06-26 | Soitec Silicon On Insulator | Pseudo-substrat avec efficacite amelioree d'utilisation d'un materiau monocristallin |
| JP2014137962A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 静電容量式操作装置の製造方法、操作パネル及び静電容量式操作装置 |
| JP2017005496A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | 株式会社リコー | 画像読取装置、画像形成装置、画像読取制御方法、及び画像読取プログラム |
| US10090822B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-10-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface acoustic wave (SAW) resonator |
| US9991870B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-06-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface acoustic wave (SAW) resonator |
| US10469056B2 (en) | 2015-08-25 | 2019-11-05 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic filters integrated into single die |
| US10523178B2 (en) | 2015-08-25 | 2019-12-31 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Surface acoustic wave (SAW) resonator |
| US10020796B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-07-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface acoustic wave (SAW) resonator |
| US10177735B2 (en) | 2016-02-29 | 2019-01-08 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Surface acoustic wave (SAW) resonator |
| WO2017163729A1 (ja) | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
| JP6621384B2 (ja) * | 2016-07-20 | 2019-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 弾性表面波デバイス用複合基板の製造方法 |
| TWI737811B (zh) | 2016-11-25 | 2021-09-01 | 日商日本碍子股份有限公司 | 接合體 |
| CN106531733A (zh) * | 2016-12-21 | 2017-03-22 | 清华大学 | 一种柔性压力传感器及其制备方法 |
| WO2018154950A1 (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| KR102218935B1 (ko) | 2017-08-25 | 2021-02-23 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 접합체 및 탄성파 소자 |
| WO2019039474A1 (ja) | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
| CN111869105B (zh) * | 2018-03-20 | 2021-07-27 | 日本碍子株式会社 | 压电性材料基板与支撑基板的接合体 |
| KR102312795B1 (ko) | 2018-05-16 | 2021-10-15 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 압전성 재료 기판과 지지 기판의 접합체 |
| DE112019004570B4 (de) | 2018-10-17 | 2022-10-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Verbundener Körper und Akustikwellenelement |
| CN112868178A (zh) | 2018-10-17 | 2021-05-28 | 日本碍子株式会社 | 接合体及弹性波元件 |
| US11183987B2 (en) * | 2019-09-26 | 2021-11-23 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator device |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05511A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Seiko Epson Corp | インクジエツトヘツドの製造方法 |
| JP2001053579A (ja) * | 1999-06-02 | 2001-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子と移動体通信機器 |
| CN100529300C (zh) * | 2003-03-31 | 2009-08-19 | 大日本印刷株式会社 | 地板材料用层叠体 |
| JP3774782B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2006-05-17 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP2007134889A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複合圧電基板 |
| JP4686342B2 (ja) | 2005-11-30 | 2011-05-25 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 弾性表面波装置及びこれを搭載した通信端末。 |
| JP4956569B2 (ja) | 2008-04-15 | 2012-06-20 | 日本碍子株式会社 | 弾性表面波素子 |
| JP4801127B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2011-10-26 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法 |
-
2011
- 2011-09-30 CN CN201110309829.6A patent/CN102624352B/zh active Active
- 2011-10-04 JP JP2011220316A patent/JP5814727B2/ja active Active
- 2011-10-05 DE DE102011084045.1A patent/DE102011084045B4/de active Active
- 2011-10-05 US US13/253,156 patent/US8729771B2/en active Active
- 2011-10-06 KR KR1020110101586A patent/KR101766487B1/ko active IP Right Grant
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014027538A1 (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-20 | 日本碍子株式会社 | 複合基板，弾性表面波デバイス及び複合基板の製造方法 |
| CN103765773A (zh) * | 2012-08-17 | 2014-04-30 | 日本碍子株式会社 | 复合基板、弹性表面波器件以及复合基板的制造方法 |
| JP5539602B1 (ja) * | 2012-08-17 | 2014-07-02 | 日本碍子株式会社 | 複合基板，弾性表面波デバイス及び複合基板の製造方法 |
| US8866365B2 (en) | 2012-08-17 | 2014-10-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate with partially planarized irregular surface |
| JP2014229916A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-08 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子 |
| JP2015050653A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 日本碍子株式会社 | 弾性波デバイス用複合基板、その製法及び弾性波デバイス |
| JP2015122566A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2016060072A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 |
| JPWO2016060072A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2017-05-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 |
| US10594297B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-03-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device and manufacturing method therefor |
| JP7118195B2 (ja) | 2016-02-01 | 2022-08-15 | ソイテック | 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 |
| JP2019510391A (ja) * | 2016-02-01 | 2019-04-11 | ソイテック | 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 |
| US11335847B2 (en) | 2016-02-01 | 2022-05-17 | Soitec | Hybrid structure for a surface acoustic wave device |
| JP2021100282A (ja) * | 2016-02-01 | 2021-07-01 | ソイテック | 表面音響波デバイスのためのハイブリッド構造 |
| US10964882B2 (en) * | 2016-03-25 | 2021-03-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Bonding method |
| JP2019526194A (ja) * | 2016-06-30 | 2019-09-12 | ソイテック | 表面弾性波デバイスのためのハイブリッド構造 |
| US11159140B2 (en) | 2016-06-30 | 2021-10-26 | Soitec | Hybrid structure for a surface acoustic wave device |
| KR20190039557A (ko) | 2016-09-20 | 2019-04-12 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판, 그 제조법 및 전자 디바이스 |
| DE112017004718T5 (de) | 2016-09-20 | 2019-06-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Verbundsubstrat, Verfahren zu seiner Herstellung und elektronische Vorrichtung |
| US10998881B2 (en) | 2016-09-20 | 2021-05-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate, method for producing the same, and electronic device |
| KR20180132613A (ko) | 2017-03-31 | 2018-12-12 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 접합체 및 탄성파 소자 |
| US10284169B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-05-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Bonded bodies and acoustic wave devices |
| JP2021519537A (ja) * | 2018-03-26 | 2021-08-10 | ソイテック | 高周波デバイス用の基板を製造するための方法 |
| US11870411B2 (en) | 2018-03-26 | 2024-01-09 | Soitec | Method for manufacturing a substrate for a radiofrequency device |
| JP2021520095A (ja) * | 2018-03-29 | 2021-08-12 | ソイテック | 高周波フィルタ用の基板を製造するためのプロセス |
| CN111919282A (zh) * | 2018-03-29 | 2020-11-10 | Soitec公司 | 制造用于射频滤波器的衬底的工艺 |
| US11979132B2 (en) | 2018-03-29 | 2024-05-07 | Soitec | Method for manufacturing a substrate for a radiofrequency filter |
| KR20200144148A (ko) | 2018-05-16 | 2020-12-28 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 압전성 재료 기판과 지지 기판의 접합체 |
| DE112019002458B4 (de) | 2018-05-16 | 2022-10-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Verbundener Körper aus piezoelektrischem Materialsubstrat und Trägersubstrat |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5814727B2 (ja) | 2015-11-17 |
| DE102011084045B4 (de) | 2016-12-29 |
| CN102624352A (zh) | 2012-08-01 |
| US8729771B2 (en) | 2014-05-20 |
| US20120086312A1 (en) | 2012-04-12 |
| CN102624352B (zh) | 2015-12-09 |
| DE102011084045A1 (de) | 2012-04-12 |
| KR101766487B1 (ko) | 2017-08-08 |
| KR20120035900A (ko) | 2012-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5814727B2 (ja) | 複合基板の製造方法及び複合基板 | |
| JP3187231U (ja) | 複合基板 | |
| JP5814774B2 (ja) | 複合基板及び複合基板の製造方法 | |
| JP5668179B1 (ja) | 弾性波素子用複合基板および弾性波素子 | |
| JP5539602B1 (ja) | 複合基板，弾性表面波デバイス及び複合基板の製造方法 | |
| JP5833239B2 (ja) | 複合基板、圧電デバイス及び複合基板の製法 | |
| KR101661361B1 (ko) | 복합 기판, 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터와 탄성 표면파 공진기 | |
| JP2010187373A (ja) | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス | |
| JP5615472B1 (ja) | 複合基板及び弾性波デバイス | |
| WO2011158636A1 (ja) | 複合基板 | |
| JP5180104B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
| WO2014188842A1 (ja) | 圧電デバイスの製造方法，圧電デバイス，及び圧電自立基板 | |
| JP2011254354A (ja) | 複合基板及びそれを用いた弾性表面波デバイス | |
| JP6247054B2 (ja) | 弾性波デバイス及びその製法 | |
| JP2006304206A (ja) | 弾性表面波素子及び複合圧電チップ並びにその製造方法 | |
| JP4863097B2 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JP2002026684A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP5234780B2 (ja) | 複合基板の製造方法及び複合基板 | |
| JP2014229943A (ja) | 圧電基板及び弾性表面波素子 | |
| JP2011061381A (ja) | 複合圧電基板および弾性表面波素子 | |
| JP2010233121A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140812 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150630 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150714 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150915 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150918 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5814727 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |