CN112868178A

CN112868178A - 接合体及弹性波元件

Info

Publication number: CN112868178A
Application number: CN201980067455.6A
Authority: CN
Inventors: 鹈野雄大; 后藤万佐司; 多井知义
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2018-10-17
Filing date: 2019-08-23
Publication date: 2021-05-28
Also published as: KR20210058929A; WO2020079958A1; TW202027414A; KR102596121B1; US20210234529A1; JP7133031B2; US11984870B2; DE112019004571T5; TWI829762B; JPWO2020079958A1

Abstract

提供一种接合体，将压电性材料基板经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于包含金属氧化物的支撑基板上。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)，其包含金属氧化物；压电性材料基板(4、4A)；接合层(2B)，其设置于支撑基板与压电性材料基板之间，且组成为Si_(1－x)O_x(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层(10)，其设置于接合层与支撑基板之间。非晶质层(10)中的氧比率比支撑基板(1)中的氧比率高。

Description

接合体及弹性波元件

技术领域

本发明涉及压电性材料基板、与包含金属氧化物的支撑基板的接合体。

背景技术

已知有：移动电话等中所使用的能够作为滤光元件、振荡器发挥功能的弹性表面波器件、使用了压电薄膜的兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR：Film Bulk AcousticResonator)等弹性波器件。作为这样的弹性波器件，已知有：将支撑基板与传播弹性表面波的压电基板贴合、并在压电基板的表面设置了可激发弹性表面波的梳形电极的弹性波器件。通过像这样地将热膨胀系数比压电基板小的支撑基板粘贴于压电基板，抑制温度变化时压电基板的大小变化，抑制作为弹性表面波器件的频率特性的变化。

已知有：在将压电基板与硅基板接合时，在压电基板表面形成氧化硅膜，经由氧化硅膜将压电基板与硅基板直接键合(专利文献1)。该接合时，对氧化硅膜表面和硅基板表面照射等离子束，使表面活化，进行直接键合(等离子活化法)。

另外，已知有：使压电基板的表面成为粗糙面，在该粗糙面上设置填充层来平坦化，经由粘接层将该填充层粘接于硅基板(专利文献2)。在该方法中，在填充层、粘接层中使用环氧系、丙烯酸系的树脂，通过使压电基板的接合面成为粗糙面，抑制体波的反射，减少寄生信号。

另外，已知有：所谓的FAB(Fast Atom Beam)方式的直接键合法(专利文献3)。在该方法中，在常温下对各接合面照射中性化原子束来进行活化，实施直接键合。

另一方面，专利文献4中记载了：将压电性材料基板经由中间层直接键合于包含陶瓷(氧化铝、氮化铝、氮化硅)的支撑基板，而不是直接键合于硅基板。该中间层的材质为硅、氧化硅、氮化硅、氮化铝。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第7213314B2

专利文献2：日本特许第5814727

专利文献3：日本特开2014－086400

专利文献4：日本特许第3774782

专利文献5：PCT/JP2018/011256

发明内容

根据接合体的用途，希望通过提高接合层中的电阻来提高绝缘性。例如，弹性波元件的情况下，通过提高接合层的绝缘性，能够减少噪音、损失。因此，本申请的申请人公开了：通过使接合层的组成为氧比率低的硅氧化物，来形成绝缘性高的接合层(专利文献5)。

但是，有时难以将压电性材料基板经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于包含金属氧化物的支撑基板上，在对压电性材料基板进行研磨加工等加工时有时会发生剥离。

本发明的课题在于，将压电性材料基板经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于包含金属氧化物的支撑基板上。

本发明的特征在于，具备：

支撑基板，该支撑基板包含金属氧化物；

压电性材料基板；

接合层，该接合层设置于所述支撑基板与所述压电性材料基板之间，且组成为Si_(1－x)O_x(0.008≤x≤0.408)；以及

非晶质层，该非晶质层设置于所述接合层与所述支撑基板之间，

所述非晶质层中的氧比率比所述支撑基板中的氧比率高。

另外，本发明涉及一种弹性波元件，其特征在于，

具备：所述接合体、以及设置在所述压电性材料基板上的电极。

发明效果

根据本发明，能够将压电性材料基板经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于包含金属氧化物的支撑基板上。

附图说明

图1中，(a)表示在压电性材料基板4上设置有接合层2的状态，(b)表示利用中性束A使接合层2A的表面2b活化的状态，(c)表示利用中性束A使支撑基板1的表面1a活化的状态。

图2中，(a)表示将压电性材料基板4和支撑基板1接合的状态，(b)表示通过加工使压电性材料基板4A变薄的状态，(c)表示在压电性材料基板4A上设置有电极6的状态。

图3中，(a)表示在压电性材料基板4上设置有中间层11及接合层2的状态，(b)表示利用中性束A使接合层2A的表面2b活化的状态，(c)表示利用中性束A使支撑基板1的表面1a活化的状态。

图4中，(a)表示将压电性材料基板4和支撑基板1接合的状态，(b)表示通过加工使压电性材料基板4A变薄的状态，(c)表示在压电性材料基板4A上设置有电极6的状态。

具体实施方式

以下，适当地参照附图，对本发明详细地进行说明。

图1、图2是用于说明将支撑基板直接键合于压电性材料基板的制造例的示意图。

如图1(a)所示，在压电性材料基板4的主面4a上形成接合层2。4b为压电性材料基板4的相反侧的主面。接下来，如图1(b)所示，像箭头A那样对接合层2的表面2a照射中性束，使接合层2的表面活化而制成活化面2b。另一方面，如图1(c)所示，对支撑基板1的主面1a照射中性束A，使其活化，得到形成有活化面的支撑基板1。1b为与活化面相反那侧的主面。

接下来，如图2(a)所示，将接合层的活化面和支撑基板1的活化面1a直接键合，由此得到接合体5。此处，通过控制中性束A的输出或照射时间等，能够沿着支撑基板1的活化面1a与接合层2B之间的接合界面而生成非晶质层10。

在优选的实施方式中，进一步，对接合体1的压电性材料基板4的表面4b进行研磨加工，如图2(b)所示，使压电性材料基板4A的厚度变小，得到接合体5A。4c为研磨面。

图2(c)中，在压电性材料基板4A的研磨面4c上形成规定的电极6，由此制作弹性波元件7。

图3、图4的实施方式中，在压电性材料基板4与接合层2、2A、2B之间设置有中间层11。

即，如图3(a)所示，在压电性材料基板4的主面4a上依次形成中间层11、接合层2。接下来，如图3(b)所示，像箭头A那样对接合层2的表面2a照射中性束，使接合层2A的表面活化，制成活化面2b。另一方面，如图3(c)所示，对支撑基板1的主面1a照射中性束A，使其活化，得到形成有活化面的支撑基板1。1b为与活化面相反那侧的主面。

接下来，如图4(a)所示，将接合层的活化面和支撑基板1的活化面1a直接键合，由此得到接合体15。此处，通过控制中性束A的输出或照射时间等，能够沿着支撑基板1的活化面1a与接合层2B之间的接合界面而生成非晶质层10。

在优选的实施方式中，进一步，对接合体1的压电性材料基板2的表面2b进行研磨加工，如图4(b)所示，使压电性材料基板4A的厚度变小，得到接合体15A。4c为研磨面。

图4(c)中，在压电性材料基板4A的研磨面4c上形成规定的电极9，由此制作弹性波元件17。

本发明中，支撑基板包含金属氧化物。该金属氧化物可以为单一金属的氧化物，或者可以为多种金属的复合氧化物。该金属氧化物优选选自由硅铝氧氮陶瓷、蓝宝石、堇青石、多铝红柱石以及氧化铝构成的组。氧化铝优选为透光性氧化铝。

从接合强度的观点考虑，支撑基板的相对密度优选为95.5％以上，可以为100％。利用阿基米德法来测定相对密度。另外，支撑基板的制法没有特别限定，优选为烧结体。

硅铝氧氮陶瓷为将氮化硅与氧化铝的混合物烧结而得到的陶瓷，具有如下组成。

Si_6－zAl_zO_zN_8－z

即，硅铝氧氮陶瓷具有在氮化硅中混合有氧化铝的组成，z表示氧化铝的混合比率。z更为0.5以上。另外，z更优选为4.0以下。

蓝宝石为具有Al₂O₃的组成的单晶，氧化铝为具有Al₂O₃的组成的多晶。堇青石为具有2MgO·2Al₂O₃·5SiO₂的组成的陶瓷。多铝红柱石为具有3Al₂O₃·2SiO₂～2Al₂O₃·SiO₂的范围的组成的陶瓷。

压电性材料基板的材质只要具有所需的压电性即可，没有限定，优选为具有LiAO₃的组成的单晶。此处，A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上元素。因此，LiAO₃可以为铌酸锂，也可以为钽酸锂，还可以为铌酸锂－钽酸锂固溶体。

本发明中，具有：设置于支撑基板与压电性材料基板之间的接合层，该接合层的组成为Si_(1－x)O_x(0.008≤x≤0.408)。

该组成为：与SiO₂(与x＝0.667相对应)相比，氧比率大幅降低的组成。如果利用包含该组成的硅氧化物Si_(1－x)O_x的接合层而将压电性材料基板接合于支撑基板，则能够提高接合层中的绝缘性。

在构成接合层的Si_(1－x)O_x的组成中，如果x小于0.008，则接合层中的电阻降低，无法得到所期望的绝缘性。因此，将x设为0.008以上，优选为0.010以上，更优选为0.020以上，特别优选为0.024以上。另外，如果x大于0.408，则接合强度下降，容易发生压电性材料基板的剥离，因此，将x设为0.408以下，更优选为0.225以下。

接合层的电阻率优选为4.8×10³Ω·cm以上，更优选为5.8×10³Ω·cm以上，特别优选为6.2×10³Ω·cm以上。另一方面，接合层的电阻率通常为1.0×10⁸Ω·cm以下。

接合层的厚度没有特别限定，从制造成本的观点考虑，优选为0.01～10μm，更优选为0.01～0.5μm。

接合层的成膜方法没有限定，可例示：溅射(sputtering)法、化学气相生长法(CVD)、蒸镀。此处，特别优选为，在使溅射靶为Si的反应性溅射时，可以通过调整向腔室内流动的氧气量来控制接合层的氧比率(x)。

接合层的具体的制造条件取决于腔室规格，因此适当地进行选择，优选例中，使总压为0.28～0.34Pa，使氧分压为1.2×10^―3～5.7×10^－2Pa，使成膜温度为常温。另外，作为Si靶，可例示掺杂有B的Si。如后所述，接合层与支撑基板1的界面中，作为杂质的B(硼)量控制为5×10¹⁸atoms/cm³～5×10¹⁹atoms/cm³左右。由此，能够更可靠地确保接合层中的绝缘性。

在优选的实施方式中，接合层的活化面和支撑基板的活化面直接键合。换言之，沿着接合层与支撑基板的界面而具有接合界面。在这种情况下，接合层的活化面的算术平均粗糙度Ra优选为1nm以下，更优选为0.3nm以下。另外，支撑基板的活化面的算术平均粗糙度Ra优选为1nm以下，更优选为0.3nm以下。由此，支撑基板与接合层的接合强度进一步提高。

本发明的接合体还具备：在接合层与支撑基板之间生成的非晶质层，非晶质层中的氧比率比支撑基板中的氧比率高。即，虽然沿着支撑基板的活化面而产生非晶质层，但是，发现了：通过该非晶质层中发生氧扩散，有时非晶质层中的氧比率比构成支撑基板的金属氧化物的氧比率高。并且，发现了：在像这样进行氧扩散的情况下，压电性材料基板在支撑基板上的接合强度得以提高，例如，即便在通过加工使压电性材料基板变薄的情况下，也不易发生压电性材料基板的剥离。

在优选的实施方式中，非晶质层的组成以构成支撑基板的金属、氧(O)以及氩(Ar)为主成分。其中，在支撑基板包含硅铝氧氮陶瓷的情况下，非晶质层的组成以构成支撑基板的硅(Si)、铝(Al)、氮(N)、氧(O)以及氩(Ar)为主成分。“作为主成分”是指：在使全部原子比率为100原子％时，上述原子的原子比率的合计为95原子％以上，更优选为97原子％以上。特别优选为，非晶质层的组成与支撑基板的材质的组成相同，且氧比率比支撑基板的材质的氧比率高，并含有氩。

本发明中，非晶质层中的氧比率比支撑基板中的氧比率高。从提高接合强度的观点考虑，该氧比率之差优选为0.5原子％以上，更优选为1.0原子％以上。另外，实际上，该氧比率之差优选为7.0原子％以下。

另外，从提高接合强度的观点考虑，非晶质层中的氩(Ar)的原子比率优选为1.0原子％以上，更优选为1.5原子％以上。另外，非晶质层中的氩(Ar)的原子比率优选为5.0原子％以下，更优选为4.8原子％以下。

中间层的材质为与接合层及压电性材料基板接合的材质即可，没有特别限定，优选为SiO₂、Ta₂O₅、TiO₂、ZrO₂、HfO₂、Nb₂O₃、Bi₂O₃、Al₂O₃、MgO、AlN、Si₃N₄。

特别是，在面向高频时(面向3.5～6GHz的5G通信的频带时等)，需要使弹性波的频率提高，这种情况下，中间层的材质优选为高音速材料。该高音速材料的音速优选为6000m/s以上，更优选为10000m/s以上。中间层的材质的音速的上限没有特别限制，实际上很难超过30000m/s，因此，其上限为30000m/s以下，此外，多数为25000m/s以下。作为该高音速材料，可例示AlN、Si₃N₄。另外，根据利用JIS法测定得到的密度(JIS C2141)、杨氏模量(JISR1602)、泊松比(JIS R1602)，计算出材质的音速。

另外，在面向高频时(面向3.5～6GHz的5G通信的频带时等)，由于被输入大功率的信号，所以需要使散热性提高。这种情况下，优选使中间层的材质为高热传导材料。该高热传导材料的热传导率优选为100W/(m·K)以上，更优选为900W/(m·K)以上，特别优选为1000W/(m·K)。中间层的材质的热传导率的上限没有特别限制，实际上很难超过5000W/(m·K)，因此，其上限为5000W/(m·K)以下，此外，多数为3000W/(m·K)以下。作为该高热传导材料，可例示AlN、Si₃N₄。另外，按照JIS R1611来测定材质的热传导率。

以下，对本发明的各构成要素进一步进行说明。

本发明的接合体的用途没有特别限定，例如，可优选应用于弹性波元件及光学元件。

作为弹性波元件，已知有：弹性表面波器件、兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR)等。例如，弹性表面波器件在压电性材料基板的表面设置了激发弹性表面波的输入侧的IDT(Interdigital Transducer)电极(也称为梳形电极、帘状电极)、和接收弹性表面波的输出侧的IDT电极。如果对输入侧的IDT电极施加高频信号，则在电极间产生电场，激发弹性表面波并在压电性材料基板上传播。并且，从在传播方向上设置的输出侧的IDT电极，能够将传播的弹性表面波作为电信号输出。

在压电性材料基板的底面可以具有金属膜。在制造兰姆波元件作为弹性波器件时，金属膜发挥出使压电性材料基板的背面附近的机电耦合系数变大的作用。在这种情况下，兰姆波元件成为如下结构：在压电性材料基板的表面形成梳齿电极，利用在支撑基板设置的腔体，压电性材料基板的金属膜暴露出来。作为这样的金属膜的材质，例如，可以举出：铝、铝合金、铜、金等。应予说明，在制造兰姆波元件的情况下，可以使用具备在底面不具有金属膜的压电性材料层的复合基板。

另外，在压电性材料基板的底面可以具有金属膜和绝缘膜。在制造薄膜谐振器作为弹性波器件时，金属膜发挥出电极的作用。在这种情况下，薄膜谐振器成为如下结构：在压电性材料基板的表面和背面形成电极，通过使绝缘膜成为腔体，从而压电性材料基板的金属膜暴露出来。作为像这样的金属膜的材质，例如，可以举出：钼、钌、钨、铬、铝等。另外，作为绝缘膜的材质，例如，可以举出：二氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等。

另外，作为光学元件，可例示：光开关元件、波长转换元件、光调制元件。另外，在压电性材料基板中能够形成周期极化反转结构。

本发明的对象为弹性波元件，在压电性材料基板的材质为钽酸锂的情况下，使用以弹性表面波的传播方向即X轴为中心、且从Y轴向Z轴旋转了36～47°(例如42°)的方向的压电性材料基板由于传播损失小，因此优选。另外，在压电性材料基板包含铌酸锂的情况下，使用以弹性表面波的传播方向即X轴为中心、且从Y轴向Z轴旋转了60～68°(例如64°)的方向的压电性材料基板由于传播损失小，因此优选。进而，对压电性材料基板的大小没有特别限定，例如，直径为50～150mm，厚度为0.2～60μm。

为了得到本发明的接合体，优选以下方法。

首先，使接合层的表面、支撑基板的表面(接合面)平坦化而得到平坦面。此处，使各表面平坦化的方法有精研(lap)研磨、化学机械研磨加工(CMP)等。另外，优选使平坦面为Ra≤1nm，更优选使其为0.3nm以下。

接下来，对接合层、支撑基板的表面进行清洗，以便除去研磨剂的残渣及加工变质层。表面的清洗方法有湿洗、干洗、刷洗等，为了简便且高效率地得到清洁表面，优选为刷洗。此时，特别优选：作为清洗液使用Sunwash LH540，然后，使用丙酮与IPA的混合溶液利用刷洗机进行清洗。

接下来，通过对接合层的表面及支撑基板的表面照射中性束，使各平坦面活化。

在采用中性束进行表面活化时，优选使用专利文献3中记载的装置产生中性束，进行照射。即，作为束源，使用鞍域型的高速原子束源。然后，向腔室中导入不活泼气体，从直流电源向电极施加高电压。由此，利用在电极(正极)与壳体(负极)之间产生的鞍域型的电场，电子e运动并生成由不活泼气体产生的原子和离子的射束。在到达了栅格的射束中，离子束在栅格被中和，因此从高速原子束源射出中性原子的射束。构成射束的原子种优选不活泼气体(氩气、氮气等)。

采用射束照射进行活化时的电压优选为0.5～2.0kV，电流优选为50～200mA。

接下来，在真空气氛中，使活化面之间接触并接合。此时的温度为常温，具体地，优选为40℃以下，更优选为30℃以下。另外，接合时的温度特别优选为20℃以上且25℃以下。接合时的压力优选为100～20000N。

实施例

(实施例1、2、3、比较例1、2)

按参照图1及图2说明的方法，制作表1、表2所示的各例的接合体5、5A。

具体而言，使用了：具有OF部、直径为4英寸、厚度为250μm的钽酸锂基板(LT基板)，来作为压电性材料基板4。LT基板使用了：将弹性表面波(SAW)的传播方向作为X、切出角为旋转Y的切割板的46°Y切割X传播LT基板。对压电性材料基板4的表面4a进行了镜面研磨，以使算术平均粗糙度Ra成为0.3nm。其中，利用原子间力显微镜(AFM)，以10μm×10μm的视野测定Ra。

接下来，利用直流溅射法，在压电性材料基板4的表面4a上形成接合层2。靶使用了掺杂有硼的Si。另外，作为氧源，导入了氧气。此时，通过使氧气导入量发生变化来改变腔室内的气氛的总压和氧分压，由此使接合层2的氧比率发生变化。接合层2的厚度设为100～200nm。接合层2的表面2a的算术平均粗糙度Ra为0.2～0.6nm。接下来，对接合层2进行化学机械研磨加工(CMP)，使膜厚为80～190nm，使Ra为0.08～0.4nm。

另一方面，作为支撑基板1，准备了：具有定向平面(OF)部、直径为4英寸、厚度为500μm的包含硅铝氧氮陶瓷(z＝2.5)的支撑基板1。利用化学机械研磨加工(CMP)，对支撑基板1的表面1a、1b进行精加工，使得各算术平均粗糙度Ra为0.2nm。

接下来，对接合层2A的平坦面2b和支撑基板1的表面1a进行清洗，去除污垢后，导入至真空腔室。抽真空直至10^-6多帕后，对各基板的接合面1a、2b照射120sec的高速原子束(加速电压1kV、Ar流量27sccm)。接着，使接合层2A的射束照射面(活化面)2b和支撑基板1的活化面1a接触后，以10000N加压2分钟，进行接合(参照图2(a))。接下来，将得到的各例的接合体5于100℃加热20小时。

接下来，对压电性材料基板4的表面4b进行磨削及研磨，以使厚度从最初的250μm变为1μm(参照图2(b))。

针对得到的各例的接合体5、5A，评价以下的特性。

(非晶质层的确认)

如下观察非晶质层的存在。

测定装置：

使用透射型电子显微镜(日立高新技术制H-9500)来观察微结构。

测定条件：

针对利用FIB(聚焦离子束)法薄片化的样品，以加速电压200kV进行观察。

(接合层、支撑基板、非晶质层中的氧原子、氩原子的比率)

采用以下装置，利用EDS(能量分散型X射线分光器)进行元素分析，测定接合层、支撑基板、非晶质层中的氧原子、氩原子的比率。

测定装置：

使用元素分析装置(日本电子JEM-ARM200F)进行元素分析。

测定条件：

(接合强度)

针对各例的接合体5、5A，利用裂纹张开法测定接合强度。其中，当接合强度超过1.75J/m²时，在接合层2B附近没有发生剥离，接合体5、5A产生主体破坏。

[表1]

[表2]

比较例1、2中，非晶质层中的氧比率比支撑基板中的氧比率稍低，接合强度均较低。

实施例1、2、3中，非晶质层中的氧比率比支撑基板中的氧比率高，接合强度均明显提高，在压电性材料基板的研磨时也没有发生剥离。

(实施例4、比较例3)

在实施例1中，将支撑基板的材质变更为蓝宝石，另外，还对FAB照射量进行了变更。除此以外，与实施例1同样地制作接合体5、5A，测定各部分的氧比率、氩比率以及接合强度。将该结果示于表3。

[表3]

比较例3中，非晶质层中的氧比率比支撑基板中的氧比率稍低，接合强度较低。

实施例4中，非晶质层中的氧比率比支撑基板中的氧比率高，接合强度明显提高，在压电性材料基板的研磨时也没有发生剥离。

(实施例5、比较例4)

在实施例1中，将支撑基板的材质变更为堇青石，另外，还对FAB照射量进行了变更。除此以外，与实施例1同样地制作接合体5、5A，测定各部分的氧比率、氩比率以及接合强度。将该结果示于表4。

[表4]

比较例4中，非晶质层中的氧比率与支撑基板中的氧比率相同，接合强度较低。

实施例5中，非晶质层中的氧比率比支撑基板中的氧比率高，接合强度明显提高，在压电性材料基板的研磨时也没有发生剥离。

(实施例6、比较例5)

在实施例1中，将支撑基板的材质变更为多铝红柱石，另外，还对FAB照射量进行了变更。除此以外，与实施例1同样地制作接合体5、5A，测定各部分的氧比率、氩比率以及接合强度。将该结果示于表5。

[表5]

比较例5中，非晶质层中的氧比率比支撑基板中的氧比率稍低，接合强度较低。

实施例6中，非晶质层中的氧比率比支撑基板中的氧比率高，接合强度明显提高，在压电性材料基板的研磨时也没有发生剥离。

(实施例7、比较例6)

在实施例1中，将支撑基板的材质变更为透光性氧化铝，另外，还对FAB照射量进行了变更。除此以外，与实施例1同样地制作接合体5、5A，测定各部分的氧比率、氩比率以及接合强度。将该结果示于表6。

[表6]

比较例6中，非晶质层中的氧比率比支撑基板中的氧比率稍低，接合强度较低。

实施例7中，非晶质层中的氧比率比支撑基板中的氧比率高，接合强度明显提高，在压电性材料基板的研磨时也没有发生剥离。

Claims

1.一种接合体，其特征在于，具备：

支撑基板，该支撑基板包含金属氧化物；

压电性材料基板；

接合层，该接合层设置于所述支撑基板与所述压电性材料基板之间，且组成为Si_(1－x)O_x，其中，0.008≤x≤0.408；以及

所述非晶质层中的氧比率比所述支撑基板中的氧比率高。

2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于，

所述金属氧化物选自由硅铝氧氮陶瓷、蓝宝石、堇青石、多铝红柱石以及氧化铝构成的组。

3.根据权利要求1或2所述的接合体，其特征在于，

所述压电性材料基板选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂固溶体构成的组。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的接合体，其特征在于，

所述接合体具备中间层，该中间层设置于所述接合层与所述压电性材料基板之间。

5.一种弹性波元件，其特征在于，

具备：权利要求1～4中的任一项所述的接合体、以及设置在所述压电性材料基板上的电极。