CN112272920B

CN112272920B - 接合体及弹性波元件

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Publication number: CN112272920B
Application number: CN201980034943.7A
Authority: CN
Inventors: 鹈野雄大; 后藤万佐司; 多井知义
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2018-06-22
Filing date: 2019-04-17
Publication date: 2021-11-16
Anticipated expiration: 2039-04-17
Also published as: DE112019002418T5; KR102287003B1; CN112272920A; WO2019244461A1; TWI762782B; DE112019002418B4; KR20210006995A; US20210111698A1; US11133788B2; TW202015334A

Abstract

将包含单晶硅的支撑基板接合于压电性单晶基板而得到的接合体中，使用高电阻接合层，且使支撑基板与压电性单晶基板之间的接合强度得到提高。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其包含单晶硅；接合层2A，其设置于支撑基板1与压电性单晶基板4、4A之间，且组成为Si_(1－x)O_x(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有硅原子、氧原子以及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子的浓度高于接合层2A内的氧原子的平均浓度。

Description

接合体及弹性波元件

技术领域

本发明涉及接合体及弹性波元件。

背景技术

已知移动电话等中所使用的能够作为滤光元件、振荡器发挥功能的弹性表面波器件、使用了压电薄膜的兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator)等弹性波器件。作为这样的弹性波器件，已知将支撑基板与传播弹性表面波的压电基板贴合、在压电基板的表面设置了可激发弹性表面波的梳形电极的弹性波器件。通过像这样地将热膨胀系数比压电基板小的支撑基板粘贴于压电基板，抑制温度变化时压电基板的大小变化，抑制作为弹性表面波器件的频率特性的变化。

专利文献1中提出了具备用包含环氧粘接剂的粘接层将压电性单晶基板与硅基板贴合而成的结构的弹性表面波器件。

在将压电基板与硅基板接合时，已知在压电基板表面形成氧化硅膜，经由氧化硅膜将压电基板与硅基板直接键合。该接合时，对氧化硅膜表面和硅基板表面照射等离子束，使表面活化，进行直接键合(专利文献2)。

另外，已知所谓的FAB(Fast Atom Beam)方式的直接键合法。在该方法中，在常温下对各接合面照射中性化原子束来进行活化，实施直接键合(专利文献3)。

专利文献4中记载了将压电性单晶基板经由中间层直接键合于包含陶瓷(氧化铝、氮化铝、氮化硅)的支撑基板，而不是直接键合于硅基板。该中间层的材质为硅、氧化硅、氮化硅、氮化铝。

另外，专利文献5中记载了在将压电基板和支撑基板用有机粘接层进行粘接时，通过使支撑基板相对于压电基板的粘接面的Rt(粗糙度曲线的最大截面高度)为5nm以上50nm以下，得到因应力缓和所带来的防止开裂的效果。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010－187373

专利文献2：美国专利第7213314B2

专利文献3：日本特开2014－086400

专利文献4：日本特许第3774782

专利文献5：实用新型授权第3184763

发明内容

但是，根据接合体的用途，希望通过提高接合层中的电阻来提高绝缘性。例如，弹性波元件的情况下，通过提高接合层的绝缘性，能够减少噪音、损失。但是，利用高电阻的接合层而将支撑基板以高强度接合于压电性单晶基板比较困难，在后续的加工工序中容易在压电性单晶基板与支撑基板之间发生剥离。

本发明的课题在于，在将包含单晶硅的支撑基板接合于压电性单晶基板而得到的接合体中，提供如下结构，即，使用高电阻接合层，且能够使支撑基板与压电性单晶基板之间的接合强度提高。

本发明所涉及的接合体具备：

压电性单晶基板；

支撑基板，该支撑基板包含单晶硅；

接合层，该接合层设置于所述支撑基板与所述压电性单晶基板之间，且组成为Si_(1－x)O_x(0.008≤x≤0.408)；以及

非晶质层，该非晶质层设置于所述支撑基板与所述接合层之间，且含有硅原子、氧原子以及氩原子，

所述接合体的特征在于，

所述非晶质层的所述接合层侧端部中的氧原子的浓度高于所述接合层内的氧原子的平均浓度。

另外，本发明所涉及的弹性波元件的其特征在于，

具备：所述接合体、以及

设置在所述压电性单晶基板上的电极。

发明效果

根据本发明，通过设置所述特定组成的接合层，能够提高接合层中的绝缘性，并且，能够确保接合强度。

并且，在设置有上述接合层的情况下，沿着压电性单晶基板上的接合层与支撑基板的界面而产生较薄的非晶质层。但是，对于这样得到的接合体，如果利用研磨加工等使压电性单晶基板变薄，则有时发生自支撑基板剥离。这说明压电性单晶基板相对于支撑基板的接合强度并不是足够高。

因此，本发明的发明人对接合强度的降低原因进行了研究。在包含单晶硅的支撑基板接合有包含Si_(1－x)O_x的高电阻接合层的情况下，沿着两者的界面生成含有硅原子、氧原子以及氩原子的非晶质层。这种情况下，包含单晶硅的支撑基板含有的氧原子的浓度极低，因此，理应从接合层趋向支撑基板而产生氧浓度的梯度。

着眼于这一点，实际尝试测定从接合层趋向支撑基板的氧浓度梯度，结果判明，从接合层趋向支撑基板，氧浓度缓慢地、或者连续地减少。换言之，在非晶质层中不存在氧浓度的峰值。对该现象进行研究，结果，有可能是从氧接合层趋向支撑基板的扩散不够充分。

从该观点出发，以促进氧原子从接合层向支撑基板扩散为目的进行了各种研究，结果发现，在非晶质层产生了氧浓度的峰值的情况下，压电性单晶基板相对于支撑基板的接合强度提高，不易发生压电性单晶基板的剥离，完成本发明。

附图说明

图1中，(a)表示在压电性单晶基板4的表面4a设置有接合层2的状态，(b)表示利用中性束A使接合层2A的表面2b活化的状态，(c)表示利用中性束A使支撑基板1的表面1a活化的状态。

图2中，(a)表示将压电性单晶基板4和支撑基板1接合的状态，(b)表示通过加工使压电性单晶基板4A变薄的状态，(c)表示在压电性单晶基板4A上设置有电极6的状态。

图3中，(a)表示在压电性单晶基板4的表面4a设置有中间层9及接合层2的状态，(b)表示利用中性束A使接合层2A的表面2b活化的状态，(c)表示利用中性束A使支撑基板1的表面1a活化的状态。

图4中，(a)表示将压电性单晶基板4和支撑基板1接合的状态，(b)表示通过加工使压电性单晶基板4A变薄的状态，(c)表示在压电性单晶基板4A上设置有电极6的状态。

具体实施方式

以下，适当地参照附图，对本发明详细地进行说明。

在图1～图2所示的实施方式中，首先，如图1(a)所示，在压电性单晶基板4的表面4a设置接合层2。4b为相反侧的表面。在该时刻，可以在接合层2的表面2a具有凹凸。

接下来，在优选的实施方式中，对接合层2的表面2a进行平坦化加工，由此，如图1(b)所示，在接合层形成平坦面2b。通常，通过该平坦化加工，使得接合层2的厚度变小，成为更薄的接合层2A(参照图1(b))。不过，并非必须进行平坦化加工。接下来，像箭头A那样对接合层2A的表面2b照射中性束，使接合层2A的表面活化而制成活化面。

另一方面，如图1(c)所示，对支撑基板1的表面1a照射中性束A，使其活化，制成活化面1a。1b为相反侧的表面。然后，如图2(a)所示，将压电性单晶基板4上的接合层2A的活化面2b和支撑基板1的活化面1a直接键合，由此得到接合体5。

在优选的实施方式中，进一步，对接合体5的压电性单晶基板4的表面4b进行研磨加工，如图2(b)所示，使压电性单晶基板4A的厚度变小，得到接合体5A。4c为研磨面。

图2(c)中，在压电性单晶基板4A的研磨面4c上形成规定的电极6，由此制作弹性波元件7。

此处，适当调节对各活化面照射的照射能量，由此，如图2(a)、(b)、(c)所示，沿着接合层2A与支撑基板1的界面，生成非晶质层8。

在图3～图4所示的实施方式中，首先，如图3(a)所示，在压电性单晶基板4的表面4a设置中间层9，在中间层9上设置接合层2。接下来，对接合层2的表面2a进行平坦化加工，由此，如图3(b)所示，在接合层形成平坦面2b。通常，通过该平坦化加工，使得接合层2的厚度变小，成为更薄的接合层2A。接下来，像箭头A那样对接合层2A的表面2b照射中性束，使接合层2A的表面活化，制成活化面。

另一方面，如图3(c)所示，对支撑基板1的表面1a照射中性束A，使其活化，制成活化面1a。然后，如图4(a)所示，将压电性单晶基板4上的接合层2A的活化面2b和支撑基板1的活化面1a直接键合，由此得到接合体15。

在优选的实施方式中，进一步，对接合体15的压电性单晶基板4的表面4b进行研磨加工，如图4(b)所示，使压电性单晶基板4A的厚度变小，得到接合体15A。图4(c)中，在压电性单晶基板4A的研磨面4c上形成规定的电极6，由此制作弹性波元件17。

此处，适当调节对各活化面照射的照射能量，由此，如图4(a)、(b)、(c)所示，沿着接合层2A与支撑基板1的界面，生成非晶质层8。

以下，对本发明的各构成要素进一步进行说明。

(支撑基板)

本发明中，支撑基板1包含单晶硅。可以在单晶硅中掺杂有过渡金属元素、稀土元素。

(压电性单晶基板)

对于压电性单晶基板4、4A的材质，具体而言，可例示：钽酸锂(LT)单晶、铌酸锂(LN)单晶、铌酸锂－钽酸锂固溶体单晶、水晶、硼酸锂。其中，更优选为LT或LN。LT和LN由于弹性表面波的传播速度较快且机电耦合系数较大，所以适合作为高频且宽频用的弹性表面波器件。另外，压电性单晶基板4、4A的主面的法线方向没有特别限定，例如，在压电性单晶基板4、4A包含LT时，使用以弹性表面波的传播方向即X轴为中心、从Y轴向Z轴旋转了36～47°(例如42°)的方向的压电性单晶基板由于传播损失较小，因此优选。在压电性单晶基板4、4A包含LN时，使用以弹性表面波的传播方向即X轴为中心、从Y轴向Z轴旋转了60～68°(例如64°)的方向的压电性单晶基板由于传播损失较小，因此优选。此外，压电性单晶基板4、4A的大小没有特别限定，例如，直径50～150mm，厚度0.2～60μm。

(接合层)

本发明中，具备设置于支撑基板1与压电性单晶基板4、4A之间的接合层2A，接合层2A的组成为Si_(1－x)O_x(0.008≤x≤0.408)。该组成为与SiO₂(与x＝0.667相对应)相比氧比率大幅降低的组成。如果利用包含该组成的硅氧化物Si_(1－x)O_x的接合层2A将压电性单晶基板4、4A接合于支撑基板1，则能够提高接合强度，并且，还能够提高接合层2A中的绝缘性。

在构成接合层2A的Si_(1－x)O_x的组成中，如果x小于0.008，则接合层2A中的电阻降低，无法得到所期望的绝缘性。因此，将x设为0.008以上，优选为0.010以上，更优选为0.020以上，特别优选为0.024以上。另外，如果x大于0.408，则接合强度下降，容易发生压电性单晶基板4、4A的剥离，因此，将x设为0.408以下，更优选为0.225以下。

接合层2A的电阻率优选为4.8×10³Ω·cm以上，更优选为5.8×10³Ω·cm以上，特别优选为6.2×10³Ω·cm以上。另一方面，接合层2A的电阻率通常为1.0×10⁸Ω·cm以下。

接合层2A的厚度没有特别限定，从制造成本的观点考虑，优选为0.01～10μm，更优选为0.01～0.5μm。

接合层2、2A的成膜方法没有限定，可例示：溅射(sputtering)法、化学气相生长法(CVD)、蒸镀。此处，特别优选为，在使溅射靶为Si的反应性溅射时，可以通过调整向腔室内流动的氧气量来控制接合层2A的氧比率(x)。

具体的制造条件取决于腔室规格，因此适当地进行选择，优选例中，使总压为0.28～0.34Pa，使氧分压为1.2×10^―3～5.7×10^－2Pa，使成膜温度为常温。另外，作为Si靶，可例示掺杂有B的Si。如后所述，接合层2、2A与支撑基板1的界面中，作为杂质的B(硼)量控制为5×10¹⁸atoms/cm³～5×10¹⁹atoms/cm³左右。由此，能够更可靠地确保接合层2A中的绝缘性。

(中间层)

可以在接合层2、2A与压电性单晶基板4、4A之间进一步设置中间层9。该中间层9优选为使接合层2、2A与压电性单晶基板4、4A之间的密合性进一步提高的材料，具体而言，优选为SiO2、Ta2O5、TiO2、ZrO2、HfO2、Nb2O3、Bi2O3、Al2O3、MgO、AlN、Si3N4。特别优选中间层包含SiO2。

(非晶质层)

本发明中，在支撑基板1与接合层2A之间设置非晶质层8。该非晶质层8至少含有硅原子、氧原子以及氩元素。

本发明中，使非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧浓度高于接合层2A中的平均氧浓度。其中，在测定非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子的浓度时，以自非晶质层8的接合层2A侧界面起算1nm以下的距离进行测定。另外，接合层2A中的平均氧浓度设为接合层2A中的自接合层2A的压电性单晶基板4A侧界面起算4nm的距离1点、接合层2A的膜厚的中心1点、自接合层2A的非晶质层侧界面起算4nm的距离1点共3点的测定值的平均值。

从电阻率的观点出发，非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧浓度优选为1.08原子％以上，更优选为1.1原子％以上。另外，非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子的浓度优选为41.8原子％以下。

从电阻率的观点出发，接合层2A中的平均氧浓度优选为0.8原子％以上，更优选为1.0原子％以上。另外，接合层2A中的平均氧原子的浓度优选为40.8原子％以下。

从提高接合强度这一观点出发，非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子浓度与接合层2A中的平均氧原子浓度之差优选为1.0原子％以上，更优选为1.5原子％以上。换言之，优选非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子浓度比接合层2A中的平均氧原子浓度高1.0原子％以上，更优选高1.5原子％以上。由此，如后所述，能够使压电性单晶基板4、4A与支撑基板1的接合强度进一步提高。

在优选的实施方式中，使非晶质层8的接合层2A侧端部中的氩原子的浓度高于接合层2A中的氩原子的浓度。此处，在测定非晶质层8的接合层2A侧端部中的氩原子的浓度时，以自非晶质层的接合层2A侧界面起算1nm以下的距离进行测定。另外，接合层2A中的平均氩浓度设为接合层2A中的自接合层2A的压电性单晶基板4A侧界面起算4nm的距离1点、接合层2A的膜厚的中心1点、自接合层2A的非晶质层8侧界面起算4nm的距离1点共3点的测定值的平均值。

从接合强度的观点出发，非晶质层8的接合层2A侧端部中的氩原子的浓度优选为2.1原子％以上，更优选为2.4原子％以上。另外，非晶质层8中的氩原子的浓度通常为5.0原子％以下，优选为4.7原子％以下。

接合层2A中的平均氩原子的浓度优选为1.0原子％以下。这意味着：对提高接合强度而言，氩原子向接合层2A中扩散的贡献相对较少。

非晶质层8中的硅原子浓度优选为77.6～93.6原子％，更优选为88.8～93.0原子％。

另外，如下确认非晶质层8的存在。

测定装置：

使用透射型电子显微镜(日立高新技术制H-9500)进行微结构观察。

测定条件：

针对利用FIB(聚焦离子束)法薄片化的样品，以加速电压200kV进行观察。

如下测定接合层2A及非晶质层8中的各原子的浓度。

测定装置：

使用元素分析装置(日本电子JEM-ARM200F)进行元素分析。

测定条件：

(优选的制造条件)

接合层2A的表面的算术平均粗糙度Ra优选为1nm以下，更优选为0.3nm以下。另外，支撑基板1的表面1a的算术平均粗糙度Ra优选为1nm以下，更优选为0.3nm以下。由此，支撑基板1与接合层2A的接合强度进一步提高。

使接合层2A的表面2b、支撑基板1的表面1a平坦化的方法有精研(lap)、化学机械研磨加工(CMP)等。

在优选的实施方式中，可以利用中性束使接合层2A的表面2b、支撑基板1的表面1a活化。特别是，在接合层2A的表面2b、支撑基板1的表面1a为平坦面的情况下，容易直接键合。

在采用中性束进行表面活化时，优选使用日本特开2014－086400中记载那样的装置，产生中性束，进行照射。即，作为束源，使用鞍域型的高速原子束源。然后，向腔室中导入氩气，从直流电源向电极施加高电压。由此，利用在电极(正极)与壳体(负极)之间产生的鞍域型的电场，电子e运动并生成由氩气产生的原子和离子的射束。在到达了栅格的射束中，离子束在栅格被中和，因此从高速原子束源射出中性原子的射束。

采用射束照射进行活化时的电压优选为0.5～2.0kV，电流优选为50～200mA。

采用射束照射进行活化时的FAB照射量优选为50KJ～200KJ，更优选为70KJ～180KJ。

接下来，在真空气氛中，使活化面之间接触并接合。此时的温度为常温，具体而言，优选为40℃以下，更优选为30℃以下。另外，接合时的温度特别优选为20℃以上25℃以下。接合时的压力优选为100～20000N。

本发明的接合体5、5A、15、15A的用途没有特别限定，例如可优选应用于弹性波元件及光学元件。

作为弹性波元件7、17，已知弹性表面波器件、兰姆波元件、薄膜谐振器(FBAR)等。例如，弹性表面波器件在压电性单晶基板的表面设置了激发弹性表面波的输入侧的IDT(Interdigital Transducer)电极(也称为梳形电极、帘状电极)和接收弹性表面波的输出侧的IDT电极。如果对输入侧的IDT电极施加高频信号，则在电极间产生电场，激发弹性表面波并在压电基板上传播。并且，从在传播方向上设置的输出侧的IDT电极，能够将传播的弹性表面波作为电信号输出。

在压电性单晶基板4、4A的底面可以具有金属膜。在制造兰姆波元件作为弹性波器件时，金属膜发挥出使压电基板的背面附近的机电耦合系数变大的作用。在这种情况下，兰姆波元件成为如下结构：在压电性单晶基板4、4A的表面4b、4c形成梳齿电极，利用在支撑基板1设置的腔体，压电性单晶基板4、4A的金属膜暴露出来。作为这样的金属膜的材质，例如可以举出：铝、铝合金、铜、金等。应予说明，在制造兰姆波元件的情况下，可以使用具备在底面不具有金属膜的压电性单晶基板4、4A的复合基板。

另外，在压电性单晶基板4、4A的底面可以具有金属膜和绝缘膜。在制造薄膜谐振器作为弹性波器件时，金属膜发挥出电极的作用。在这种情况下，薄膜谐振器成为如下结构：在压电性单晶基板4、4A的表面和背面形成电极，通过使绝缘膜成为腔体，从而压电性单晶基板的金属膜暴露出来。作为像这样的金属膜的材质，例如可以举出：钼、钌、钨、铬、铝等。另外，作为绝缘膜的材质，例如可以举出：二氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等。

另外，作为光学元件，可例示：光开关元件、波长转换元件、光调制元件。另外，在压电性单晶基板4、4A中能够形成周期极化反转结构。

在将本发明应用于光学元件的情况下，能够实现光学元件的小型化，另外，特别是形成了周期极化反转结构的情况下，能够防止由加热处理所导致的周期极化反转结构劣化。此外，由于接合层2A的材料也是高绝缘材料，所以，在接合前利用中性束进行处理时，可抑制极化反转的发生，另外，几乎不会打乱在压电性单晶基板4、4A所形成的周期极化反转结构的形状。

实施例

(比较例1)

按参照图1及图2说明的方法，制作表1所示的比较例1的接合体5A。

具体而言，使用具有OF(定向平面)部、直径为4英寸、厚度为250μm的钽酸锂基板(LT基板)作为压电性单晶基板4。LT基板使用了将弹性表面波(SAW)的传播方向作为X、切出角为旋转Y切割板的46°Y切割X传播LT基板。对压电性单晶基板4的表面4a进行了镜面研磨以使算术平均粗糙度Ra成为0.3nm。其中，利用原子间力显微镜(AFM)，以10μm×10μm的视野测定Ra。

接下来，利用直流溅射法，在压电性单晶基板4的表面4a形成接合层2。靶使用了掺杂有硼的Si。另外，作为氧源，导入了氧气。此时，通过使氧气导入量发生变化来改变腔室内的气氛的总压和氧分压，由此调整接合层2的氧比率(x)。接合层2的厚度设为100～200nm。接合层2的表面2a的算术平均粗糙度Ra为0.2～0.6nm。接下来，对接合层2进行化学机械研磨加工(CMP)，使膜厚为80～190nm，使Ra为0.08～0.4nm。

另一方面，作为支撑基板1，准备了具有定向平面(OF)部、直径为4英寸、厚度为500μm的包含Si的支撑基板1。利用化学机械研磨加工(CMP)，对支撑基板1的表面1a、1b进行精加工，使得各算术平均粗糙度Ra为0.2nm。

接下来，对接合层2A的平坦面2b和支撑基板1的表面1a进行清洗，去除污垢后，导入至真空腔室。抽真空直至10^-6多帕后，对各基板的接合面1a、2b照射45kJ的高速原子束。接着，使接合层2A的射束照射面(活化面)2b和支撑基板1的活化面1a接触后，以10000N加压2分钟，将两个基板1、4接合(参照图2(a))。

接下来，对压电性单晶基板4的表面4b进行磨削及研磨，以使厚度从最初的250μm变为1μm(参照图2(b))。

采用以下装置，利用EDS(能量分散型X射线分光器)，对得到的接合体5A进行元素分析，测定氧原子、硅原子、氩原子的比率。

测定装置：

使用元素分析装置(日本电子JEM-ARM200F)进行元素分析。

测定条件：

(接合强度)

对于得到的接合体5A，利用裂纹张开法测定接合强度。将结果示于表1。

[表1]

如表1所示，比较例1中，接合层2A中的氧浓度为6.4原子％，非晶质层8的接合层2A侧端部的氧浓度为6.0原子％，接合强度为0.8J/m²。

(比较例2)

与比较例1同样地制作接合体5A。不过，与比较例1不同，使FAB时的氩原子束的照射量降低至22.5kJ。将结果示于表1。

其结果为：接合层2A中的氧浓度为6.5原子％，非晶质层8的接合层2A侧端部的氧浓度为2.0原子％，接合强度为0.2J/m²。

(实施例1)

与比较例1同样地制作接合体5A。不过，本例中，使FAB时的氩原子束的照射量为135kJ。将结果示于表2。

[表2]

如表2所示，实施例1中，接合层2A中的氧原子浓度为6.3原子％，非晶质层8的接合层2A侧的端部中的氧原子浓度为9.0原子％，在非晶质层8中存在氧原子浓度的峰值。因此，非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子浓度比接合层2A中的平均氧原子浓度高2.7原子％以上。结果，接合强度提高到2.4J/m²。

(实施例2)

与实施例1同样地制作接合体5A。不过，本例中，使FAB时的氩原子束的照射量为90kJ。将结果示于表2。

如表2所示，实施例2中，接合层2A中的氧原子浓度为6.4原子％，非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子浓度为8.5原子％，在非晶质层8中存在氧原子浓度的峰值。因此，非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子浓度比接合层2A中的平均氧原子浓度高2.1原子％以上。结果，接合强度提高到2.0J/m²。

(实施例3)

与实施例1同样地制作接合体5A。不过，本例中，使FAB时的氩原子束的照射量为75kJ。将结果示于表2。

如表2所示，实施例3中，接合层2A中的氧原子浓度为6.1原子％，非晶质层8的接合层2A侧的端部中的氧原子浓度为7.4原子％，在非晶质层8中存在氧原子浓度的峰值。因此，非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子浓度比接合层2A中的平均氧原子浓度高1.3原子％以上。结果，接合强度提高到1.6J/m²。

像这样，非晶质层8的接合层2A侧的端部中的氧原子浓度高于接合层2A内的氧原子的平均浓度，由此，接合体5A、15A具有高绝缘性，并且，压电性单晶基板4、4A和支撑基板1不易剥离。特别是，通过使非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子浓度比接合层2A中的平均氧原子浓度高1.5原子％以上，能够进一步提高压电性单晶基板4、4A与支撑基板1之间的接合强度。

Claims

1.一种接合体，其具备：

压电性单晶基板；

支撑基板，该支撑基板包含单晶硅；

接合层，该接合层设置于所述支撑基板与所述压电性单晶基板之间，且组成为Si_(1－x)O_x，其中，0.008≤x≤0.408；以及

所述接合体的特征在于，

2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于，

所述接合体具备中间层，该中间层设置于所述压电性单晶基板与所述接合层之间，且组成为SiO₂。

3.根据权利要求1或2所述的接合体，其特征在于，

所述压电性单晶基板包含铌酸锂、钽酸锂或铌酸锂－钽酸锂固溶体。

4.一种弹性波元件，其特征在于，

具备：权利要求1～3中的任一项所述的接合体、以及设置在所述压电性单晶基板上的电极。