JP2015050653A - 弾性波デバイス用複合基板、その製法及び弾性波デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複合基板10は、弾性波デバイス用であり、圧電基板12と支持基板14とを貼り合わせたものである。圧電基板12は、弾性波を伝搬可能な基板であり、表面にスプリアス発生抑制うねりを有している。スプリアス発生抑制うねりは、うねりの曲線要素の平均長さWSmが圧電基板12の表面に形成されるIDT電極の電極指の配置周期の20〜250倍であり、うねりの最大高さWzがIDT電極の電極指の配置周期の0.2〜1.5倍である。支持基板14は、圧電基板12よりも熱膨張係数が小さいものであり、圧電基板12の裏面に直接接合により接合されているか有機接着層を介して接合されている。
【選択図】図1
Description
(a)圧電基板と支持基板とを貼り合わせて貼り合わせ基板とする工程と、
(b)表面に研磨布を備えた軸回転可能な定盤と、該定盤と対向する位置に配置された軸回転可能な基板キャリアとを備えた研磨装置を用意する工程と、
(c)スプリアス発生抑制うねりを有する接着シートを用意する工程と、
(d)前記基板キャリアに前記接着シートの一方の面を取り付け、前記接着シートのもう一方の面に前記貼り合わせ基板のうち前記支持基板を密着して固定すると共に、前記貼り合わせ基板のうち前記圧電基板を前記研磨布に接触させた状態で、前記研磨布に研磨スラリーを供給しながら前記定盤及び前記基板キャリアを軸回転させることにより、前記圧電基板を研磨する工程と、
(e)研磨後の貼り合わせ基板を前記研磨装置から取り外す工程と、
を含むものである。
圧電基板としてLT基板(φ4インチ、厚さ250μm)と、支持基板としてSi基板(φ4インチ、厚さ230μm)を用意した。Si基板の片面にアクリル樹脂をスピンコーター(回転数:1500rpm)で膜厚5000Åとなるように塗布した。これにLT基板を貼り合わせ、150℃のオーブンで樹脂を硬化させて貼り合わせ基板とした。この貼り合わせ基板を、研磨装置の基板キャリアにスプリアス発生抑制うねりを有する接着シートを介して固定した。接着シートとしては、日東電工製エレップホルダー(登録商標)のようなバックグラインドテープあるいは丸石産業のQ−chuck(登録商標)などのPETフィルムを利用した。これらは、うねりの曲線要素の平均長さWSmがLT基板の表面に形成されるIDT電極の電極指の配置周期の20〜250倍、うねりの最大高さWzがLT基板の表面に形成されるIDT電極の電極指の配置周期の0.2〜1.5倍という条件を満たした。なお、電極指の配置周期は2μmとした。うねりはZygo社の非接触表面形状測定器を用いて測定した。LT基板の表面をグラインダーでLT基板の厚さが35μmになるまで研削し、更にダイヤスラリー(1μm)を用いてLT基板の厚さが25μmまでラップ研磨した。ラップ後、コロイダルシリカを用いてLT基板の厚さが23μmまで研磨し、実施例1の複合基板を得た。弾性波素子のチップサイズを1.5mm×2mmと仮定し、研磨後の複合基板を切断しレーザー干渉計にて厚み分布を観測したところ、図7(a)に示すような干渉縞波形が得られた。おおよそ面内で1.7μmの厚み分布を示した。また、LT基板表面のうねりの曲線要素の平均長さWSmは125μm、最大高さWzは1.4μmであった。表面の粗さを測定したところ算術平均粗さRaは0.2nmであった。
貼り合わせ基板を研磨装置の基板キャリアに接着シートを介して固定する代わりに、ワックスで固定した以外は、実施例1と同様にして複合基板を得た。比較例1の複合基板を実施例1と同様のチップサイズに切断し観察したところ、図7(b)のような干渉縞波形が得られた。面内でおおよそ0.2μm程度の厚み分布を示した。また、LT基板表面のうねりの曲線要素の平均長さWSmは1.12mm、最大高さWzは0.27μmであった。表面の粗さを測定したところ算術平均粗さRaは0.2nmであった。
Claims (7)
- 圧電基板と支持基板とを貼り合わせた弾性波デバイス用複合基板であって、
前記圧電基板は、スプリアス発生抑制うねりを有する、
弾性波デバイス用複合基板。 - 前記スプリアス発生抑制うねりは、うねりの曲線要素の平均長さWSmが前記圧電基板の表面に形成されるIDT電極の電極指の配置周期の20〜250倍であり、うねりの最大高さWzが前記圧電基板の表面に形成されるIDT電極の電極指の配置周期の0.2〜1.5倍である、
請求項1に記載の弾性波デバイス用複合基板。 - 前記圧電基板は、前記圧電基板のうち前記支持基板と接合されている面とは反対側の面に前記スプリアス発生抑制うねりを有している、
請求項1又は2に記載の弾性波デバイス用複合基板。 - 前記圧電基板のうち前記スプリアス発生抑制うねりを有する面の算術平均粗さRaは、1nm以下である、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波デバイス用複合基板。 - (a)圧電基板と支持基板とを貼り合わせて貼り合わせ基板とする工程と、
(b)表面に研磨布を備えた軸回転可能な定盤と、該定盤と対向する位置に配置された軸回転可能な基板キャリアとを備えた研磨装置を用意する工程と、
(c)スプリアス発生抑制うねりを有する接着シートを用意する工程と、
(d)前記基板キャリアに前記接着シートの一方の面を取り付け、前記接着シートのもう一方の面に前記貼り合わせ基板のうち前記支持基板を密着して固定すると共に、前記貼り合わせ基板のうち前記圧電基板を前記研磨布に接触させた状態で、前記研磨布に研磨スラリーを供給しながら前記定盤及び前記基板キャリアを軸回転させることにより、前記圧電基板を研磨する工程と、
(e)研磨後の貼り合わせ基板を前記研磨装置から取り外す工程と、
を含む弾性波デバイス用複合基板の製法。 - 前記スプリアス発生抑制うねりは、うねりの曲線要素の平均長さWSmが前記圧電基板の表面に形成されるIDT電極の電極指の配置周期の20〜250倍であり、うねりの最大高さWzが前記圧電基板の表面に形成されるIDT電極の電極指の配置周期の0.2〜1.5倍である、
請求項5に記載の弾性波デバイス用複合基板の製法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の複合基板と、
前記圧電基板の表面に形成されたIDT電極と、
を備えた弾性波デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013181443A JP6247054B2 (ja) | 2013-09-02 | 2013-09-02 | 弾性波デバイス及びその製法 |
CN201420419957.5U CN204334515U (zh) | 2013-09-02 | 2014-07-28 | 弹性波装置用复合基板以及弹性波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013181443A JP6247054B2 (ja) | 2013-09-02 | 2013-09-02 | 弾性波デバイス及びその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015050653A true JP2015050653A (ja) | 2015-03-16 |
JP6247054B2 JP6247054B2 (ja) | 2017-12-13 |
Family
ID=52700312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013181443A Active JP6247054B2 (ja) | 2013-09-02 | 2013-09-02 | 弾性波デバイス及びその製法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6247054B2 (ja) |
CN (1) | CN204334515U (ja) |
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