JPH01209811A - 弾性表面波フィルタおよびその製造方法 - Google Patents

弾性表面波フィルタおよびその製造方法

Info

Publication number
JPH01209811A
JPH01209811A JP3386788A JP3386788A JPH01209811A JP H01209811 A JPH01209811 A JP H01209811A JP 3386788 A JP3386788 A JP 3386788A JP 3386788 A JP3386788 A JP 3386788A JP H01209811 A JPH01209811 A JP H01209811A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
wave filter
substrate
pitch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3386788A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2828983B2 (ja
Inventor
Tadao Komi
小見 忠雄
Katsuji Kawaguchi
川口 勝司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=12398457&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH01209811(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP63033867A priority Critical patent/JP2828983B2/ja
Publication of JPH01209811A publication Critical patent/JPH01209811A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2828983B2 publication Critical patent/JP2828983B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、弾性表面波フィルタおよびその製造方法に関
するものである。
(従来の技術) 近年、圧電基板の表面を伝搬する弾性表面波を利用した
表面波フィルタが開発されている。
この表面波フィルタは、第6図に示すように圧電基板ω
の表面上にくし状電極■、■により構成される入出カド
ランスデューサ■、■において加えられた電気信号が圧
電基板■の表面を伝搬する弾性表面波に変換され、出カ
ドランスデューサ■によって再び電気信号に変換される
ものである。
しかし、この弾性表面波フィルタは入カドランスデュー
サ0から弾性表面波のほかにも圧電基板■の中を伝わる
バルク波をも放射する。そしてこのバルク波が圧電基板
■の平らな裏面で反射されることにより、再び表面にお
いて出カドランスデューサ■に到達して検出される。そ
のため、弾性表面波フィルタの特性にスプリアスやリッ
プルを生じ、テレビに組み込んだ場合、画像にゴースト
を発生させたり、画像を不安定にして、セットの性能を
悪化させていた。
そこで、これらを防止するために、従来は実公昭57−
33627号公報等が知られ、第7図に示すように、圧
電基板ωの裏面に溝や六〇を不規−で、かつ多数設ける
ことを行っていた。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら従来の裏面加工は、ランダムに粗したりし
ていたため機械的強度が十分得られなかった。さらにバ
ルク波の抑制についても改善の余地があった6 本発明の目的は、上記間顯点を解決しバルク波の発生を
低下させ、かつ弾性表面波用基板の強度を保つことので
きる弾性表面波フィルタおよびその製造方法を提供する
ことにある6 〔発明の構成〕 (課題を解決するための手段) 本発明は、圧電性酸化単結晶からなる基板に形成された
くし形電極を有する面に対し反対の面である裏面にくぼ
みを形成してなる弾性表面波フィルタにおいて、裏面の
表面粗さRaを0.5p≦Ra≦3.0.とじ、 かつ
くぼみの深さdと基板の厚さtとの関係が0.11≦d
八≦0.6膿、 ピッチpO13≦p≦5.0閣である
弾性表面波フィルタである。また、この弾性表面波フィ
ルタの弾性表面波用基板の裏面をウレタンゴム膜でマス
クし、その後ホーニングすることによりくぼみを形成す
る弾性表面波フィルタの*a六方法ある。
(作  用) このように構成された弾性表面波フィルタは。
弾性表面波と同時に入出カドランスデューサから圧電基
板中へ放射されたバルク波が、表面に形成された一定の
ピッチ及び寸法を有するくぼみと表面粗さRaを施すこ
とにより、乱反射され、それぞれ乱反射されたバルク波
相互の位相差を発生により、お互いに打消し合うように
働き、出カドランスデューサへ到達するバルク波は大幅
に減少するにのため、特性上スプリアスやリップル波は
生じなくなる。
第2図に不要波レベルと表面粗さとの関係を示し、 同
図から明らかなように1表面粗さRaが0.5声以上に
なると不要波レベルが低下し、効果がある。また、第3
図は不要波レベルと(くぼみの深さ)d/(基板の厚さ
)tとの関係を示し、 この値が0.1mn+乃至0.
6mの範囲であれば不要波レベルの低下を実現すること
ができる。なお1歩留りを考慮すると、第4図かられか
るように、  0.1mmに近い値の方がより好ましい
、さらに、くぼみのピッチは第5図に示す通り、0.3
+m+乃至5゜Omの範囲であれば不要波レベルを低下
させる効果があるが、0.311nに近い値の方がより
好ましいことがわかる。
(実 施 例) 能 以下1本発明の弾性表面波フィルタの実塵例を図面を参
照して詳細に説明する。第1図は、厚さ(1)である基
板(ト)の裏面に表面粗さ0とピッチ(p)。
深さ(d)を有するくぼみ(へ)を形成し、 くし状電
極■、(■を備えている弾性表面波フィルタを示し、基
板■や裏面加工の条件を変えて以下の通り評価した。
実施例−1 両面ラップされた128” Y−LiNbO,の厚さ0
.55mmtのウェハの裏面にスクリーン印刷でウレタ
ンゴム液により、 ピッチ0.51でくぼみの寸法0.
25m+XO,25mのマスク印刷をする。
マスクはオリエンテーションフラットに対し45°の傾
きの配列でセットする0次いで、印刷終了後、裏面を7
ランダム#240の砥粒でホーニング操作を施し、深さ
120声のくぼみを形成する。ホーニング後、マイクを
剥離してフッ硝酸エツチングを30分間行なう、エツチ
ング後は、さらに裏面をアランダム#100の砥粒でホ
ーニングして表面を粗らし、フッ硝酸塩でエツチングす
る。最終的に裏面の表面粗さRaは2.0声であった。
 その後1表面側をポリッシングして仕上げる。
このウェハを用い、テレビ用IFフィルタを試作したと
ころ、従来フィルタの高帯域にバルク波によるノイズが
一40dBまであったが2本発明は一51dBまで低下
した6また、デバイスの歩留りが30%から75%まで
向上し、強度についても向上がみられた。
実施例−2 両面ラップされた128’ Y−LiNbO7の厚さ0
.55mmtのウェハの裏面をアランダム1100の砥
粒で全面をホーニング加工する。その後、フッ硝酸エツ
チングを30分間行う。ウェハの裏面にスクリーン印刷
でウレタンゴム膜をピッチ0.5mmで、 くぼみの寸
法0.25mX0.25+mのマスク印刷をする。マス
クは、オリエンテーションフラットに対し45°の傾き
の配列でセットする。印刷終了後、裏面をアランダム#
240の砥粒でホーニング操作を施し、深さ120μm
のくぼみを形成する。ホーニング後、マスクを剥離して
フッ硝酸エツチングを30分間行なう、Ek終的に、裏
面の表面粗さRaは2.5μmであった。その後、表面
側をポリッシングして仕上げる。
このウェハを、実施例−1と同様にして評価したところ
、従来のフィルタの高帯域にバルク波によるノイズが一
40dBまであったが、本発明のフィルタは一51dB
まで低下した。また、デバイスの歩留りが30%から8
5%まで向上し、実施例−1と同様の効果が得られた。
実施例−3 両面ラップされたX−LiτaO,の厚さ0.55mm
tのウェハの裏面にスクリーン印刷により、ウレタンゴ
ム液で、 ピッチ0.5amでくぼみの寸法0.25w
1XO,25′mのマスク印刷をする。このマスクは、
オリエンテーションフラットに対し45@の傾きの配列
でセットする。印刷終了後は、裏面をアランダム#24
0の砥粒でホーニング操作を施し、深さ120゜のくぼ
みを形成する。ホーニング後、マスクを剥離してフッ硝
酸エツチングを30分間行う、エツチング後、さらに裏
面をアランダム1100の砥粒でホーニングして粗らし
、フッ硝酸でエツチングする。
最終的に1表面の表面粗さRaは2.0pであった。
その後、裏面側をポリッシングして仕上げる。
このウェハを実施例−1と同様にして評価したところ、
従来のフィルタの高帯域にバルク波によるノイズが一4
0dBまであったが1本発明のフィルタでは一50dB
まで低下した。
また、デバイスの歩留りが、50%から85%まで向上
し、実施例−1と同様の効果が得られた。
実施例−4 両面ラップされた128’ X−LiTa0.の厚さ0
.55′+mtのウェハの裏面をアランダム#100の
砥粒で全面をホーニング加工する。その後、フッ硝酸エ
ツチングを30分間行なう、ウェハの表面はスクリーン
印刷によりウレタンゴム液でピッチ0.5s+m、 く
ぼみの寸法0.25mX0.25馬園のマスク印刷をす
る。マスクは、オリエンテーションフラットに対し45
′の傾きの配列でセットする。印刷終了後、裏面にアラ
ンダム#240の砥粒でホーニング操作を施し、深さ1
20−のくぼみを形成する。ホーニング後マスクを剥離
してフッ硝酸エツチングを30分間行う。
最終的に裏面の表面粗さRaは2.1μIとなった。
その後1表面側をポリッシングして仕上げる。
このウェハを実施例−1と同様にして評価したところ、
従来のフィルタの高帯域にバルク波によるノイズが一4
2dBまであったが、本発明のフィルタでは、 −52
dBまで低下した。
また、デバイス歩留りが、45%から85%まで向上し
、実施例−1と同様の効果が得られた。
実施例−5 両面ラップされた120’ Y−LiNbO,の厚さ0
.55mmtのウェハの裏面に紫外線硬化型のウレタン
ゴム液を均一に塗布する。そしてその上にピッチ0.5
mm+。
くぼみの寸法0.25mX0.25腸のパターンを形成
したフィルムを置き、数分間紫外線による露光を行う。
くぼみのパターンは、オリエンテーションフラットに対
し45°の傾きの配列でセットする。その後、裏面をア
ランダム1240の砥粒でホーニング操作を施し、深さ
120pのくぼみを形成する。ホーニング後は、実施例
−1と同様の方法で行なった。
最終的な裏面の表面粗さRaは2.0pとなった。
その結果、従来のフィルタの高帯域にバルク波によるノ
イズが一40dBまであったが、本発明のフィルタは一
51dBまで低下した。また、デバイス歩留りが30%
から80%まで向上し、実施例−1と同様の効果が得ら
れた。
実施例−6 両面ラップされたX −LiTa01の厚さ0.55′
mtのウェハの裏面に紫外線硬化型のウレタンゴム液を
均一に塗布する。その上に、ピッチ0.5nwa、  
<ぼみの寸法を0.25ffIn Xo、25mmのパ
ターンを形成したフィルムを置き、数分間紫外線による
露光を行う。
くぼみのパターンは、オリエンテーシミンフラットに対
し45°の傾きの配列でセットする。その後、裏面をア
ランダム#240の砥粒でホーニング操作を施し、深さ
120tIMのくぼみを形成する。ホーニング後は、実
施例−3と同様の方法で行なった。裏面の表面粗さRa
は2.0μmとなり、ノイズも一40dBから一50d
Bまで低下した。さらに、デバイス歩留りが50%から
87%まで向上した。
なお1本実施例では一定のピッチ及び寸法を有するくぼ
みを形成するものに限ったが、一定の長さを有する連続
したくぼみまたは溝を形成したものであっても良い。
〔発明の効果〕
本発明によれば1弾性表面波用基板の裏面に一定の表面
粗さと一定のピッチ、寸法を有するくぼみを形成するの
で、バルク波を有効に抑制することができると共に機械
的強度も十分保たれる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の弾性表面波フィルタを示す要部拡大断
面図、第2図は本発明の弾性表面波フィルタを用いて得
られた不要波レベルと表面粗さとの関係をグラフで示す
図、第3図は本発明の評価として不要波レベルとくぼみ
の深さ(d)/基板の厚さ(1)との関係をグラフで示
す図、第4図は本発明の評価として歩留りとくぼみの深
さ(d)/基板の厚さ(シ)との関係をグラフで示す図
、第5図は本発明の評価として不要波レベルとピッチ(
p)との関係をグラフで示す図、第6図は従来の弾性表
面波フィルタを示す平面図、第7図は従来の弾性表面波
フィルタを示す縦断面図である。 ■・・・基板       ■、■・・・くし状電極■
・・・〈ぼみ      ■・・・表面粗さ(p)・・
・ピッチ      (d)・・・深さ(1)・・・厚
さ 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同    竹 花 喜久男 第1図 第2図 4′彎42噛−一。a) 第3図 ρ    0.f    ρ、20.ヨ   a4  
 ρ、S0.乙ζ゛う°ヤ・ジ”F?、=td>娩う1
□、ヵ第4図 第5図 第7図 手続補正書(自発)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)圧電性酸化単結晶からなる基板に形成されたくし
    形電極を有する面に対し反対の面である裏面にくぼみを
    形成してなる弾性表面波フィルタにおいて、 前記裏面の表面粗さRaを0.5μm≦Ra≦3.0μ
    mとし、かつ前記くぼみの深さdと基板の厚さtとの関
    係が0.1mm≦d/t≦0.6mm,ピッチp0.3
    mm≦p≦5.0mmであることを特徴とする弾性表面
    波フィルタ。
  2. (2)請求項1記載の弾性表面波用基板の裏面をウレタ
    ンゴム膜でマスクし、その後ホーニングすることにより
    くぼみを形成することを特徴とする弾性表面波フィルタ
    の製造方法。
JP63033867A 1988-02-18 1988-02-18 弾性表面波フィルタおよびその製造方法 Expired - Lifetime JP2828983B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63033867A JP2828983B2 (ja) 1988-02-18 1988-02-18 弾性表面波フィルタおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63033867A JP2828983B2 (ja) 1988-02-18 1988-02-18 弾性表面波フィルタおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01209811A true JPH01209811A (ja) 1989-08-23
JP2828983B2 JP2828983B2 (ja) 1998-11-25

Family

ID=12398457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63033867A Expired - Lifetime JP2828983B2 (ja) 1988-02-18 1988-02-18 弾性表面波フィルタおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2828983B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0704812A2 (en) 1994-09-28 1996-04-03 Canon Kabushiki Kaisha Surface acoustic wave device improved in convolution efficiency, receiver using it, communication system using it, and method for producing surface acoustic wave device improved in convolution efficiency
US7382081B2 (en) 2006-02-27 2008-06-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component package
JP2008283337A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Epson Toyocom Corp 弾性表面波デバイス及び弾性表面波デバイス・ウエハーの製造方法
JP2015050653A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 日本碍子株式会社 弾性波デバイス用複合基板、その製法及び弾性波デバイス

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5056224A (ja) * 1973-09-04 1975-05-16
JPS5475290A (en) * 1977-11-29 1979-06-15 Fujitsu Ltd Linbo3 substrate for elastic surface wave
JPS55105427A (en) * 1979-02-06 1980-08-13 Kyocera Corp Surface wave device
JPS60104939A (ja) * 1983-11-14 1985-06-10 Asahi Chem Ind Co Ltd サンドブラスト用マスク転写材
JPS60153616A (ja) * 1984-01-24 1985-08-13 Toshiba Corp 弾性表面波素子の製造方法
JPS61189621U (ja) * 1985-05-15 1986-11-26

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5056224A (ja) * 1973-09-04 1975-05-16
JPS5475290A (en) * 1977-11-29 1979-06-15 Fujitsu Ltd Linbo3 substrate for elastic surface wave
JPS55105427A (en) * 1979-02-06 1980-08-13 Kyocera Corp Surface wave device
JPS60104939A (ja) * 1983-11-14 1985-06-10 Asahi Chem Ind Co Ltd サンドブラスト用マスク転写材
JPS60153616A (ja) * 1984-01-24 1985-08-13 Toshiba Corp 弾性表面波素子の製造方法
JPS61189621U (ja) * 1985-05-15 1986-11-26

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0704812A2 (en) 1994-09-28 1996-04-03 Canon Kabushiki Kaisha Surface acoustic wave device improved in convolution efficiency, receiver using it, communication system using it, and method for producing surface acoustic wave device improved in convolution efficiency
US5708402A (en) * 1994-09-28 1998-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Surface acoustic wave device improved in convolution efficiency, receiver using it, communication system using it, and method for producing surface acoustic wave device improved in convoluting efficiency
US7382081B2 (en) 2006-02-27 2008-06-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component package
JP2008283337A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Epson Toyocom Corp 弾性表面波デバイス及び弾性表面波デバイス・ウエハーの製造方法
JP2015050653A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 日本碍子株式会社 弾性波デバイス用複合基板、その製法及び弾性波デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JP2828983B2 (ja) 1998-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6750593B2 (en) High frequency piezoelectric resonator having reduced spurious modes
KR100289784B1 (ko) 표면 음파 장치
JPH0563500A (ja) 表面弾性波素子
JPH01209811A (ja) 弾性表面波フィルタおよびその製造方法
US4096455A (en) Surface wave termination for saw device
US4684841A (en) Saw devices including resistive films
JP2000236231A (ja) 弾性表面波素子
JPH1168496A (ja) 弾性表面波デバイスの構造及び製造方法
CA1252557A (en) Saw devices including resistive films
JPH06103819B2 (ja) 表面波デバイスの製造方法
JP2007053670A (ja) 弾性境界波素子
US3959748A (en) Dual sidestepping SWIF and method
JPH03114310A (ja) 弾性表面波フィルター用基板およびその製造方法
JPH0316409A (ja) 弾性表面波装置およびその製造方法
JPH0218612B2 (ja)
JPS58215110A (ja) 弾性表面波フイルタ−素子の製造方法
JPH08116235A (ja) 弾性表面波装置,製造方法及びそれを用いたシステム
JP2007306493A (ja) 弾性表面波フィルタ装置
JP2005191703A (ja) 弾性表面波素子の製造方法
JPH07183748A (ja) 弾性表面波フィルタ装置
JPH01233907A (ja) 弾性表面波デバイス
JPS5912816Y2 (ja) 弾性表面波フイルタ
JPH036113A (ja) 弾性表面波装置
JPH07162054A (ja) 圧電薄膜の形成方法
JPS5819014A (ja) 弾性表面波共振装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070918

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080918

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080918

Year of fee payment: 10