JPH0218612B2 - - Google Patents
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- JPH0218612B2 JPH0218612B2 JP15678982A JP15678982A JPH0218612B2 JP H0218612 B2 JPH0218612 B2 JP H0218612B2 JP 15678982 A JP15678982 A JP 15678982A JP 15678982 A JP15678982 A JP 15678982A JP H0218612 B2 JPH0218612 B2 JP H0218612B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- substrate
- polishing
- main surface
- etching
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波用基板の製造方法の改良に
関する。
関する。
弾性表面波用の基板としてLiNbO3、LiTaO3、
水晶等の圧電性単結晶体から切出された種々の方
位を有する単結晶板が試みられている。そのう
ち、最も有望視されている基板は単分域化処理さ
れたLiNbO3単結晶体から切出されたＹ軸に垂直
な主面を持つＹカツト板、Ｚ軸とＹ軸とが為す平
面内にあるＹ軸から126゜乃至132゜傾いた軸に垂直
な主面を持つ回転Ｙカツト板である。これらの基
板は表面弾性波を伝搬する主面を鏡面に、表面を
バルク波による影響を防止するため粗面に加工す
る必要がある。
水晶等の圧電性単結晶体から切出された種々の方
位を有する単結晶板が試みられている。そのう
ち、最も有望視されている基板は単分域化処理さ
れたLiNbO3単結晶体から切出されたＹ軸に垂直
な主面を持つＹカツト板、Ｚ軸とＹ軸とが為す平
面内にあるＹ軸から126゜乃至132゜傾いた軸に垂直
な主面を持つ回転Ｙカツト板である。これらの基
板は表面弾性波を伝搬する主面を鏡面に、表面を
バルク波による影響を防止するため粗面に加工す
る必要がある。
上記弾性表面波用基板の製造は、従来、先ず裏
面を粗面化し、次いで主面を鏡面化する方法で行
なわれている。ところがこの方法の場合、裏面の
粗面化を行なつた段階で基板は裏面が凸になるよ
うになる現象がある。この反りは裏面の粗さが大
きい程、基板が薄い程、基板が大きくなる程顕著
である。この反りをそのままにして主面の鏡面の
鏡面研磨を行なうと基板が割れることがあり、仮
に鏡面研磨ができたとしても反りのために電極形
成が正確に出来ないという不都合がある。この反
りを緩和するため、主面を鏡面研磨する前に基板
を硝弗酸混液によりエツチング処理することが特
開昭56−56020号公報に提案されている。
面を粗面化し、次いで主面を鏡面化する方法で行
なわれている。ところがこの方法の場合、裏面の
粗面化を行なつた段階で基板は裏面が凸になるよ
うになる現象がある。この反りは裏面の粗さが大
きい程、基板が薄い程、基板が大きくなる程顕著
である。この反りをそのままにして主面の鏡面の
鏡面研磨を行なうと基板が割れることがあり、仮
に鏡面研磨ができたとしても反りのために電極形
成が正確に出来ないという不都合がある。この反
りを緩和するため、主面を鏡面研磨する前に基板
を硝弗酸混液によりエツチング処理することが特
開昭56−56020号公報に提案されている。
しかしながら、上記提案の方法によつても反り
が完全に解消される訳ではなく、20〜30μの反り
は不可避的である。このような反りを有する基板
の主面を鏡面研磨すると基板端部から研磨されて
行くため、鏡面研磨後の基板の両面の平行度が極
めて不充分なものとなつてしまう欠点がある。
が完全に解消される訳ではなく、20〜30μの反り
は不可避的である。このような反りを有する基板
の主面を鏡面研磨すると基板端部から研磨されて
行くため、鏡面研磨後の基板の両面の平行度が極
めて不充分なものとなつてしまう欠点がある。
本発明は上記欠点に鑑みて為されたもので反り
が小さく且つ平行度の良好な弾性表面波用基板を
製造する方法を提供するものである。この目的を
達成するため本発明は、圧電性単結晶体から所要
の方位で切出された単結晶板の両面を同時にラツ
ピングして中心線平均粗さ（Ra）が0.3〜0.5μと
なるように粗面化した後、主面の鏡面研磨及び両
面のエツチング処理を行うことを特徴とする。
が小さく且つ平行度の良好な弾性表面波用基板を
製造する方法を提供するものである。この目的を
達成するため本発明は、圧電性単結晶体から所要
の方位で切出された単結晶板の両面を同時にラツ
ピングして中心線平均粗さ（Ra）が0.3〜0.5μと
なるように粗面化した後、主面の鏡面研磨及び両
面のエツチング処理を行うことを特徴とする。
両面同時ラツピングはセラミツクス板、単結晶
板を平行度を保ちながら研磨して薄片化する際に
良く用いられる手段である。本発明はこの両面同
時ラツピングを適用し、中心線平均粗さ
（Roughness Average、Raと略称する）を0.3〜
0.5μにする。Raが小さ過ぎるとバルク波の影響
を防止する効果が不充分となり、又Raが大きす
ぎると最終的に得られる基板の反りが大きくなる
と共に主面の鏡面加工における加工ロスが大きく
なるので、Raは0.3〜0.5μの範囲にする必要があ
る。Raをこの範囲にするには砥粒の粒度を適当
に選択すれば良く、炭化珪素砥粒の場合は＃600
〜＃1200が適当である。
板を平行度を保ちながら研磨して薄片化する際に
良く用いられる手段である。本発明はこの両面同
時ラツピングを適用し、中心線平均粗さ
（Roughness Average、Raと略称する）を0.3〜
0.5μにする。Raが小さ過ぎるとバルク波の影響
を防止する効果が不充分となり、又Raが大きす
ぎると最終的に得られる基板の反りが大きくなる
と共に主面の鏡面加工における加工ロスが大きく
なるので、Raは0.3〜0.5μの範囲にする必要があ
る。Raをこの範囲にするには砥粒の粒度を適当
に選択すれば良く、炭化珪素砥粒の場合は＃600
〜＃1200が適当である。
主面の鏡面研磨には通常の手段が適用できる。
即ち研磨ブロツクに基板の裏面側をワツクスで接
着して研磨機にセツトし、所要の砥粒を用いて研
磨すれば良い。通常砥粒の粒度を順次小さくして
最後にダイヤモンド砥粒で鏡面仕上げすることが
できるが、コロイダルシリカを用いれば１工程で
鏡面仕上げすることができる。研磨後基板を該ブ
ロツクから剥離し、付着したワツクスを除去す
る。
即ち研磨ブロツクに基板の裏面側をワツクスで接
着して研磨機にセツトし、所要の砥粒を用いて研
磨すれば良い。通常砥粒の粒度を順次小さくして
最後にダイヤモンド砥粒で鏡面仕上げすることが
できるが、コロイダルシリカを用いれば１工程で
鏡面仕上げすることができる。研磨後基板を該ブ
ロツクから剥離し、付着したワツクスを除去す
る。
エツチング処理には硝弗酸混液又は弗酸を用い
ることができる。硝弗酸混液中のHNO3とHFの
混合比率は特に重要ではない。エツチング温度は
あまり高くする必要はなく常温乃至50℃程度が適
当で、加工歪層の除去には20〜30分間のエツチン
グで充分である。
ることができる。硝弗酸混液中のHNO3とHFの
混合比率は特に重要ではない。エツチング温度は
あまり高くする必要はなく常温乃至50℃程度が適
当で、加工歪層の除去には20〜30分間のエツチン
グで充分である。
このエツチング処理は主面の鏡面研磨の前後何
れで行なつても良いが、鏡面研磨後に行なう方が
鏡面研磨による加工歪も除去できる点で一層有利
である。上記エツチング処理条件によれば鏡面研
磨後にエツチングしても鏡面状態を劣化させるこ
とはない。
れで行なつても良いが、鏡面研磨後に行なう方が
鏡面研磨による加工歪も除去できる点で一層有利
である。上記エツチング処理条件によれば鏡面研
磨後にエツチングしても鏡面状態を劣化させるこ
とはない。
実施例 １
128゜回転Ｙ軸方向に引上げ育成した直径約80mm
のLiNbO3単結晶体を単分域化処理し、外周を切
削して直径76.2mmに成形した後Ｘ方向にオリエン
テーシヨンフラツトを設け、切断装置により
620μの厚さの128゜回転Ｙ板を切出した。
のLiNbO3単結晶体を単分域化処理し、外周を切
削して直径76.2mmに成形した後Ｘ方向にオリエン
テーシヨンフラツトを設け、切断装置により
620μの厚さの128゜回転Ｙ板を切出した。
次いで該基板を両面ラツピング装置にセツト
し、＃1000のsic砥粒を用いてラツピングし、
530μ厚まで研磨した。
し、＃1000のsic砥粒を用いてラツピングし、
530μ厚まで研磨した。
研磨後の基板はRaが両面共約0.4μで、平行度
は約2μであつた。ラツピング後、該基板裏面を
研磨ブロツクで接着し、該ブロツクを片面研磨装
置にセツトしてアルカリ溶液中に分散させたコロ
イダルシリカを用いて鏡面研磨を行なつた。鏡面
研磨後の基板厚さは500μ、反りは40〜50μであつ
た。この基板を25℃のHF：HNO3＝２：１の硝
弗混液中で約20分間エツチンゲ処理し、水洗乾燥
した後反りを測定した結果、オリエンテーシヨン
フラツトに平行な方向で2μ、垂直な方向で11μで
あつた。主面を1000倍の微分干渉顕微鏡で観察
し、又20万倍の表面粗さ計で表面粗さを測定した
が、鏡面の劣化は全く認められなかつた。
は約2μであつた。ラツピング後、該基板裏面を
研磨ブロツクで接着し、該ブロツクを片面研磨装
置にセツトしてアルカリ溶液中に分散させたコロ
イダルシリカを用いて鏡面研磨を行なつた。鏡面
研磨後の基板厚さは500μ、反りは40〜50μであつ
た。この基板を25℃のHF：HNO3＝２：１の硝
弗混液中で約20分間エツチンゲ処理し、水洗乾燥
した後反りを測定した結果、オリエンテーシヨン
フラツトに平行な方向で2μ、垂直な方向で11μで
あつた。主面を1000倍の微分干渉顕微鏡で観察
し、又20万倍の表面粗さ計で表面粗さを測定した
が、鏡面の劣化は全く認められなかつた。
実施例 ２
LiNbO3単結晶のＹカツト板、LiTaO3単結晶
のＸカツト板について実施例１と全く同様の研磨
処理を行なつたが、平行度、反り何れについても
充分満足できる弾性表面波用基板を得ることがで
きた。
のＸカツト板について実施例１と全く同様の研磨
処理を行なつたが、平行度、反り何れについても
充分満足できる弾性表面波用基板を得ることがで
きた。
Claims (1)
- １ 主面が鏡面に裏面が粗面に加工された弾性表
面波用基板を製造する方法において、圧電性単結
晶体から所望の方位で切出された単結晶板の両面
を同時にラツピングして中心線平均粗さ（Ra）
が0.3〜0.5μとなるように粗面化した後、主面の
鏡面研磨及び両面のエツチング処理を行なうこと
を特徴とする弾性表面波用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15678982A JPS5947822A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 弾性表面波用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15678982A JPS5947822A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 弾性表面波用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5947822A JPS5947822A (ja) | 1984-03-17 |
| JPH0218612B2 true JPH0218612B2 (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=15635336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15678982A Granted JPS5947822A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 弾性表面波用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5947822A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017983A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | 弾性波装置用ウエハ及びそれを用いた弾性波装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2845432B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1999-01-13 | 株式会社東芝 | 四ホウ酸リチウム単結晶基板の製造方法 |
| JP2587133Y2 (ja) * | 1992-07-23 | 1998-12-14 | ミサワホーム株式会社 | 太陽電池付き屋根パネル |
| WO2002091457A1 (fr) | 1999-12-09 | 2002-11-14 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque ceramique pour appareil de production/controle de semi-conducteurs |
| JP2001332949A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子の製造方法 |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15678982A patent/JPS5947822A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017983A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | 弾性波装置用ウエハ及びそれを用いた弾性波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5947822A (ja) | 1984-03-17 |
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