JPS5947822A - 弾性表面波用基板の製造方法 - Google Patents
弾性表面波用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS5947822A JPS5947822A JP15678982A JP15678982A JPS5947822A JP S5947822 A JPS5947822 A JP S5947822A JP 15678982 A JP15678982 A JP 15678982A JP 15678982 A JP15678982 A JP 15678982A JP S5947822 A JPS5947822 A JP S5947822A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mirror
- sides
- single crystal
- acoustic wave
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波用基板の製造方法の改良に関する。
弾性表面波用の基板としてＬｉＮｂＯ３、Ｌｉ ＴａＯ
２，水晶等の圧電性単結晶体から切出された種々の方位
を有する単結晶板が試みられている。そのうち。
２，水晶等の圧電性単結晶体から切出された種々の方位
を有する単結晶板が試みられている。そのうち。
最も有望視されている基板はｔＦ、分域化処理されたＬ
ｉＮｂＯ３単結晶体から切出されたＹ軸ＩＣ垂直な主面
を持つＹカット板、Ｚ軸とＹ軸とが為す平面内にあるＹ
軸から１２６°乃至１３２°傾いた軸に垂直な主面を持
つ回転Ｙカット板である。これらのノ、（板は表面弾性
波を伝搬する主面を鏡面に、裏面をバルク波による影響
を防止するため粗面に加ニーｒる必要がある。
ｉＮｂＯ３単結晶体から切出されたＹ軸ＩＣ垂直な主面
を持つＹカット板、Ｚ軸とＹ軸とが為す平面内にあるＹ
軸から１２６°乃至１３２°傾いた軸に垂直な主面を持
つ回転Ｙカット板である。これらのノ、（板は表面弾性
波を伝搬する主面を鏡面に、裏面をバルク波による影響
を防止するため粗面に加ニーｒる必要がある。
上記弾性表面波用基板の製造は、従来、先ず裏面を粗面
化し９次いで主面を鏡面化する方法で行なわれている。
化し９次いで主面を鏡面化する方法で行なわれている。
ところがこの方法の場合、裏面の粗面化を行なった段階
で基板は裏面が凸になるようになる現象がめる。この反
りは裏面のａｔさが大きい程、基板が薄い程、基板が人
きくなる程顕著である。この反りをそのままにして主面
の鏡面研磨を行なうと基板が割れることがあり、仮に鏡
面研磨かで・、きたとしても反りのために電極形成か正
確に出来ないという不都合がある。この反！ｌｌｌを緩
和するため、主面を鏡面研磨する前に基板を硝弗酸混液
にエクエツテング処理することが特開昭５６−５６０２
０号公報に提案されている。
で基板は裏面が凸になるようになる現象がめる。この反
りは裏面のａｔさが大きい程、基板が薄い程、基板が人
きくなる程顕著である。この反りをそのままにして主面
の鏡面研磨を行なうと基板が割れることがあり、仮に鏡
面研磨かで・、きたとしても反りのために電極形成か正
確に出来ないという不都合がある。この反！ｌｌｌを緩
和するため、主面を鏡面研磨する前に基板を硝弗酸混液
にエクエツテング処理することが特開昭５６−５６０２
０号公報に提案されている。
しかしながら、上記提案の方法によっても反りが完全に
解消される訳ではなく、２０〜３０ ｌｔの反りしｌ゛
・イ・可避ｊ＋’ｙである。このような反りを有する基
板の主面企鏡面（Ｉ）［磨−すると基板端部かし研磨さ
れて行くため、鏡面？ｉＪＦ磨麦の）舌板は両面の平行
度がイタめてイ・−ｋＯ，分４：ものとなり一〇（７１
う欠点がある。
解消される訳ではなく、２０〜３０ ｌｔの反りしｌ゛
・イ・可避ｊ＋’ｙである。このような反りを有する基
板の主面企鏡面（Ｉ）［磨−すると基板端部かし研磨さ
れて行くため、鏡面？ｉＪＦ磨麦の）舌板は両面の平行
度がイタめてイ・−ｋＯ，分４：ものとなり一〇（７１
う欠点がある。
本発明ｋｊ、−１−記欠点にＺｌみて為されたもので反
りか小さく１−１つ牢１−ｉｊ川の良好な９１１ｔ ｌ
牛表面波用基板を製造−」−る力／１．を提供するもの
である。この目的を達成するため本発明は、用電性弔結
晶体から所要の方位で切出されｌ・−栄結晶板の両面を
同時にラッピングして中’ｕ ＊ｉ平均粗さくＩｔａ）
が０．３−０．５ Ｉｔ七なるＪ二うに１′１１而化し
／こ後、主ｔｌ′ｒｉの鏡面研磨及び両面のエツチング
処理全行なうこと全特徴とする。
りか小さく１−１つ牢１−ｉｊ川の良好な９１１ｔ ｌ
牛表面波用基板を製造−」−る力／１．を提供するもの
である。この目的を達成するため本発明は、用電性弔結
晶体から所要の方位で切出されｌ・−栄結晶板の両面を
同時にラッピングして中’ｕ ＊ｉ平均粗さくＩｔａ）
が０．３−０．５ Ｉｔ七なるＪ二うに１′１１而化し
／こ後、主ｔｌ′ｒｉの鏡面研磨及び両面のエツチング
処理全行なうこと全特徴とする。
両面同時ラツビ゛ングはセラミックス板、単結晶板を・
１・新暦を保ちながら？ｉｌ）磨して薄片化する際に良
く用いられる手段である。本発明はこの両面同時ラッピ
ングを・適用し、中心線・１１均粗さく ｌｌ、ｏｕｇ
Ｆｌ−ｎｅｓｓ Ａｖｅｒａｇｅ 、 ＩＬａと略称す
る） ２０．３〜０．５ ｔｔＶこする。１（２ａが小
さ過ぎるとバルク波の影響全防止する効用が不充分とな
り、又Ｈ，ａが太き過ぎると最終的にイＩＪらＪ’Ｌる
基板の反りが大きくなると共に主面の鏡面加工における
加工ロスか人きくなるの−Ｃ５ｌＬａは０：３〜０５μ
の範囲に−する必安かある。ｌＬａ化この範囲にするに
は砥粒の粒ｊｗ全適当１１Ｌｃ選沢Ｊ−れば良く、炭化
珪素砥粒の場合（１寺６００〜＋ １２ （］ ０かノ
商当である。
１・新暦を保ちながら？ｉｌ）磨して薄片化する際に良
く用いられる手段である。本発明はこの両面同時ラッピ
ングを・適用し、中心線・１１均粗さく ｌｌ、ｏｕｇ
Ｆｌ−ｎｅｓｓ Ａｖｅｒａｇｅ 、 ＩＬａと略称す
る） ２０．３〜０．５ ｔｔＶこする。１（２ａが小
さ過ぎるとバルク波の影響全防止する効用が不充分とな
り、又Ｈ，ａが太き過ぎると最終的にイＩＪらＪ’Ｌる
基板の反りが大きくなると共に主面の鏡面加工における
加工ロスか人きくなるの−Ｃ５ｌＬａは０：３〜０５μ
の範囲に−する必安かある。ｌＬａ化この範囲にするに
は砥粒の粒ｊｗ全適当１１Ｌｃ選沢Ｊ−れば良く、炭化
珪素砥粒の場合（１寺６００〜＋ １２ （］ ０かノ
商当である。
主面のＷ面研磨には通常の手段か適用できる。
即ち研磨ブロックに基板の裏ｔｒ＋ｌ １１１１１４ｚ
ワツクスで接着してイ０［磨１幾（（セットシ、所要の
砥わ゛ｌ促用いて（ｉノ１磨すれば良い。通常砥粒の粒
度全順次小さく１．て最後にダイヤモンド砥粒で鏡面仕
１．け−Ｊ−ることかできるが、コロイダルシリカろ−
用いＪＬｆ＜ｊＪ土稈て鏡面仕上げすることができる。
ワツクスで接着してイ０［磨１幾（（セットシ、所要の
砥わ゛ｌ促用いて（ｉノ１磨すれば良い。通常砥粒の粒
度全順次小さく１．て最後にダイヤモンド砥粒で鏡面仕
１．け−Ｊ−ることかできるが、コロイダルシリカろ−
用いＪＬｆ＜ｊＪ土稈て鏡面仕上げすることができる。
Ｍ ）！”ｉに基板を該ブロックから剥１η１ｆシ、付
着したワックスを除去−３“る。
着したワックスを除去−３“る。
エツチング処理には硝弗酸混１１′１．又０：１弗酸乞
−用いることかできる。硝弗酸混液中のＩＩＮ（、）、
、と１．１１・゛の（１’ｌｖ合比率はｆｌ、５−に重
要ではない。エツチングに一１冒及はあまり高くする必
要はなく常温乃牟５００）１′１゛度かノ］４当で、加
工歪層の除去には２０〜３０分間ゾ〕エツチングで充分
である。
−用いることかできる。硝弗酸混液中のＩＩＮ（、）、
、と１．１１・゛の（１’ｌｖ合比率はｆｌ、５−に重
要ではない。エツチングに一１冒及はあまり高くする必
要はなく常温乃牟５００）１′１゛度かノ］４当で、加
工歪層の除去には２０〜３０分間ゾ〕エツチングで充分
である。
このエツチング処理は主面り鏡１ｒｆ百υ［暦の前後例
れで行なっても良いか、鏡面イυ１磨後に行なう方が鏡
１ｆ１百υｌ′、に」：る加工歪も除去できる点で一層
有利である。上記エツチング処（１１ｉｊ条（’ｌに」
：れば鏡面研：を′９後Ｖこエツチングしても鏡面状態
を劣化させることＬ］ない。
れで行なっても良いか、鏡面イυ１磨後に行なう方が鏡
１ｆ１百υｌ′、に」：る加工歪も除去できる点で一層
有利である。上記エツチング処（１１ｉｊ条（’ｌに」
：れば鏡面研：を′９後Ｖこエツチングしても鏡面状態
を劣化させることＬ］ない。
実施例１
１２８°回転Ｙ軸方向に引上げ育成した直径約８０ｍｍ
（Ｄ ＩｔｉＮｂＯ，、単結晶体全単分域化処理し、
外周をリノ削して直径７６．２ｍｍに成形した後Ｘ方向
に、ｌ−ＩＪ工／テーションフラットヲ設け、切断装置
により６２０μの淳さの１２８°回転Ｙ板を切出した。
（Ｄ ＩｔｉＮｂＯ，、単結晶体全単分域化処理し、
外周をリノ削して直径７６．２ｍｍに成形した後Ｘ方向
に、ｌ−ＩＪ工／テーションフラットヲ設け、切断装置
により６２０μの淳さの１２８°回転Ｙ板を切出した。
次いで該基板を両面ラッピング装置にセットし。
＋１０００のＳ Ｉ Ｃ砥粒音用いてラッピングし。
５３０ Ｚｌ厚までイυ［磨した。
研磨後の基板はｌｔａが両面共約０４μで、平行度は約
２１ｔでａ；） Ｑだ。ラッピング後、該基板裏面を研
１際ゾａツクにワックスで接着し、該ブロックを片面研
ＩＩ：装置７ｆにセットしてアルカリ溶液中に分散サ−
Ｉｆｆ ｆＡコロイダルシリカを用いて鏡面研磨を行な
った。鏡面研磨後の基板厚さは５００μ９反りは４０〜
５０μであった。この基１反を２５ ’Ｃｌ７）Ｉｌｌ
・゛。
２１ｔでａ；） Ｑだ。ラッピング後、該基板裏面を研
１際ゾａツクにワックスで接着し、該ブロックを片面研
ＩＩ：装置７ｆにセットしてアルカリ溶液中に分散サ−
Ｉｆｆ ｆＡコロイダルシリカを用いて鏡面研磨を行な
った。鏡面研磨後の基板厚さは５００μ９反りは４０〜
５０μであった。この基１反を２５ ’Ｃｌ７）Ｉｌｌ
・゛。
１１ＮＯ，＝ ２ ： １の硝弗酸混液中で約２０分間
エソテンゲ処理し、水洗乾燥した後反りを測定しＩｃ
屁ｉ果、オリエンテーションフラノ）ｌ／Ｃ平行な方向
で２μ、垂直な方向で１１ ／（であつ／こ。主面を１
０００倍の微分干渉顕微鏡で観察し、又２０万１音の表
面粗さ計で表面粗さを測定したか、鏡面の劣化ｄ、全く
認められなかった。
エソテンゲ処理し、水洗乾燥した後反りを測定しＩｃ
屁ｉ果、オリエンテーションフラノ）ｌ／Ｃ平行な方向
で２μ、垂直な方向で１１ ／（であつ／こ。主面を１
０００倍の微分干渉顕微鏡で観察し、又２０万１音の表
面粗さ計で表面粗さを測定したか、鏡面の劣化ｄ、全く
認められなかった。
実施例２
Ｌ ｉ Ｎ ｌ） （、）３単結晶のＹカット板、１、
■”’ ａ （、ｌ ：ｔ ｉｉ＠結晶のＸカット板に
ついて実施例１と全く同様のｆ＋Ｊｌ暦処理全処理った
が、平行度２反り何れについても充分満足できる弾性表
面波用基板を得ることができた。
■”’ ａ （、ｌ ：ｔ ｉｉ＠結晶のＸカット板に
ついて実施例１と全く同様のｆ＋Ｊｌ暦処理全処理った
が、平行度２反り何れについても充分満足できる弾性表
面波用基板を得ることができた。
Claims (1)
- 主面が鏡面に裏面が粗面に加工された弾性表面波用基板
を製造する方法において、圧電性単結晶体から所望の方
位で切出された単結晶板の両ｌＹＵを同時にラッピング
して中心線平均粗さくＲａ ）が０６３〜０５μとなる
ように粗面化した後、主面の鏡面研磨及び両面のエツチ
ング処理を行なうことを特徴とする弾性表面波用基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15678982A JPS5947822A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 弾性表面波用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15678982A JPS5947822A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 弾性表面波用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5947822A true JPS5947822A (ja) | 1984-03-17 |
| JPH0218612B2 JPH0218612B2 (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=15635336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15678982A Granted JPS5947822A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 弾性表面波用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5947822A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465096A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Toshiba Corp | Production of substrate comprising single crystal of lithium tetraborate |
| JPH0616557U (ja) * | 1992-07-23 | 1994-03-04 | ミサワホーム株式会社 | 太陽電池付き屋根パネル |
| JP2001332949A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP2003017983A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | 弾性波装置用ウエハ及びそれを用いた弾性波装置 |
| US6884972B2 (en) | 1999-12-09 | 2005-04-26 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic plate for a semiconductor producing/inspecting apparatus |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15678982A patent/JPS5947822A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465096A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Toshiba Corp | Production of substrate comprising single crystal of lithium tetraborate |
| JPH0616557U (ja) * | 1992-07-23 | 1994-03-04 | ミサワホーム株式会社 | 太陽電池付き屋根パネル |
| US6884972B2 (en) | 1999-12-09 | 2005-04-26 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic plate for a semiconductor producing/inspecting apparatus |
| JP2001332949A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP2003017983A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | 弾性波装置用ウエハ及びそれを用いた弾性波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0218612B2 (ja) | 1990-04-26 |
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